TW411546B - Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system - Google Patents

Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system Download PDF

Info

Publication number
TW411546B
TW411546B TW087107817A TW87107817A TW411546B TW 411546 B TW411546 B TW 411546B TW 087107817 A TW087107817 A TW 087107817A TW 87107817 A TW87107817 A TW 87107817A TW 411546 B TW411546 B TW 411546B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
box
wafer
cassette
box body
cover
Prior art date
Application number
TW087107817A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Tanigawa
Kenichi Yamaga
Yuji Ono
Masahiro Miyashita
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP14865097A external-priority patent/JPH10321698A/ja
Priority claimed from JP16805297A external-priority patent/JP3625617B2/ja
Priority claimed from JP20532297A external-priority patent/JPH1131738A/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW411546B publication Critical patent/TW411546B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67369—Closed carriers characterised by shock absorbing elements, e.g. retainers or cushions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67379—Closed carriers characterised by coupling elements, kinematic members, handles or elements to be externally gripped
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14—Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 411546 A7 ____ B7 五、發明説明（1 ) — 本發明係關於一種晶圓加工裝置，操作該裝置的方 法，以及晶圓偵測系統》 當在半導體晶圓（以下簡稱為「晶圓」）上製造半導體 裝置時，晶圓在半導體製造過程（諸如薄膜形成過程和氧 化薄膜形成過程）中經歷熱處理過程。此種熱處理過程係 由例如第37圖所示之熱處理裝置所執行。此熱處理裝置具 有一操作人員或自動承載機器人在其中傳送晶圓匣體之工 作區S1，及一空氣清淨等級高於工件區31的裝載區幻。 工作區S1和裝載區S2被一壁11所分隔開，且熱處理爐被 架設於裝載區S2内。 在此熱處理裝置中，裝載區S2被氮氣(N2)清除大氣以 避免自然氧化造成氧化層形成，並且被保持在高於工作區 S1的壓力’因而清潔空氣從裝載區S2流入工作區S1以避 免顆粒從工作區流入裝載區S2"所以，氮氣係以一定的 速率連續地供應到裝載區S2以維持裝載區S2内一定的氮 氣濃度。裝載區S2内的壓力被調節，使得壓力高於大氣 壓力約例如IPa或以上，較佳約l〇〇Pa。 封閉式晶圓匣體1(以下稱為封閉式匣體）的使用己被 認為可抑制晶圓被顆粒污染（1997年1月的「每月半導體世 界」此種封閉式匣體1具有一匣體本體部1〇(容量例如 為13個晶圓）’以及一可氣密地封閉形成於匣體本趙部 之開口的蓋體10a，以將晶圆W置入和取出該匣體本體部 10 ° 當結合熱處理襞置來使用封閉式匣體1時，封閉式匣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4 -----------杜衣------11-------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 411546 A7 ___B7 五、發明説明（2) 體1被安裝於工作區S1内的匣體架台12上，並被裝配到工 作區S1 —側壁11上所形成之開口 11 a中。正常上，開口 1 la 被門13關閉》結合於門13上的蓋體操作機構將蓋體10a從 匣趙本體部10移出。然後，用以垂直和水平移動門13的門 操作機構15帶著蓋體10和門13—起進入裝載區S2。然後， 設置於裝載區S2之傳送機構16(其可使晶圓W垂直和水平 移動並從封閉式匣體1中取出晶圓W)可將晶圓傳送到一晶 圓舟皿17。然後，晶圓舟皿17被運送到熱處理爐18中，使 晶圓W得到預定的熱處理過程。 雖然封閉式匣體1内部係以氮氣來淨化，但是封閉式 匣趙1的壓力約為一 atm(大氣壓力），稍低於裝載區S2的壓 力。所以，封閉式匣體I内部和裝載區S2之間的壓力差造 成蓋體10a難以開啟，因而門操作機構需要很大動力來使 蓋體10a從匣體本體部10和門13中移開。 因為封閉式匣體1内部和裝載區S2之間的壓力差造成 氣體由裝載區快速流入壓力低於裝載區S2的封閉式匣趙1 中，匣體可能產生顆粒。 從封閉式匣體外部可靠的偵測容納在封閉式匣體1内 之晶圓W可方便晶圓W加工的後續處理。 本發明在此種狀況下做出，所以本發明之目的在於 提供一種晶圓加工裝置，操作該裝置的方法，以及晶圓憤 測系統，該晶圓加工裝置係可平穩地打開封閉式匣體的蓋 體，且封閉式匣體具有一晶圓存放空間，其中的壓力相等 或大約相同於大氣壓力，且在裝載區中的大氣為正壓力。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS } Μ規格（210X297公t ) ---------t-------IT------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 411546 _______ B7 五、發明説明（3 ) 根據本發明之第一態樣，晶圓加工裝置包含：一裝載 區’一晶圓在該裝載區内從一匣體被傳送出，該匣體具有 匣體本體部’該匣體本體部具有一内部空間，保持在約等 於大氣壓力的壓力’該匣體並具有一用以關閉該匣體本趙 部之一開口的蓋想.；一工作區，藉由一設有一開口的壁而 與裝載區分隔開；一匣體座台’設置於一對應到該工作區 之該壁的開口的位置’用以支撐該匣體於其上；一蓋體操 作機構’設置於該裝載區内，用以將該蓋體從該匣體本體 部移開；一設有一閥的惰性氣體供應通道，用以供應一惰 性氣體到該裝載區内；一設於該匣體座台上的匣體偵測單 元’用以铺測定位於該匣體座台上的該匣體；以及一控制 單元’用以根據來自該匣體偵測單元的信號來關閉惰性氣 鱧供應通道之閥，因而操作該蓋體操作單元以便使蓋體從 匣體本體部移開’然後打開該惰性氣體供應通道的閥。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 根據本發明之另一態樣，提供一種操作一晶圓加工裝 置的方法’該晶圓加工裝置包含：一裝載區，一晶圓在該 裝載區内從一匣體被傳送出’該匣體具有匣體本體部，該 E趙本體部具有一内部空間*保持在約等於大氣壓力的壓 力’該匣體並具有一用以關閉該匣體本體部之一開口的蓋 體，一工作區，藉由一設有一開口的壁而與裝載區分隔開； 一E體座台’設置於一對應到該工作區之該壁的開口的位 置，用以支撐該匣體於其上；一蓋體操作機構，設置於該 裝載區内’用以將該蓋體從該匣體本體部移開；一設有一 閥的惰性氣體供應通道，用以供應一惰性氣體到該裝載區 本紙張尺度適财關家標率（CMS ) A4規格（21GX 297公楚） 6 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 411546 Α7 Β7 五、發明説明（4) 内；一設於該匣體座台上的匣體楨測單元，用以偵測定位 於該匣體座台上的該匣體；以及一控制單元，用以根據來 自該匣體偵測單元的信號來關閉惰性氣體供應通道之閥， 因而操作該蓋體操作單元以便使蓋體從匣體本體部移開， 然後打開該惰性氣體供應通道的閥；該方法包含下列步 驟：打開閥以供應該惰性氣體到該裝載區，以便設定該裝 載區在一相同或大於大氣壓力的壓力；安裝該匣體於該匣 體座台上，根據來自匣體偵測單元的信號關閉該惰性氣體 供應通道的閥，以及設定該裝載區於實質上相同於大氣壓 力的壓力；用該蓋體操作機構將該蓋體從該匣體本體部移 出’以便打開該匣體本體部的內部通往該裝載區；打開該 惰性氣體供應通道的閥，以設定該裝載區的壓力不低於大 氣壓力β 根據本發明之第三態樣，一晶圓加工裝置包含：一裝 載區，一晶圓在該裝載區内從一匣體被傳送出，該匣體具 有匣體本體部，該匣體本體部具有一内部空間，保持在約 等於大氣壓力的壓力’該匣體並具有一用以關閉該匣想本 體部之一開口的蓋體；一工作區，藉由一設有一開口的壁 而與裝載區分隔開；一匣體座台，設置於一對應到該工作 區之該壁的開口的位置，用以支撐該匣體於其上；以及一 設置於該工作區内的晶圓偵測裝置，用以從匣體外部偵測 容納在該匣體内的一晶圓》 根據本發明之第四態樣’一晶圓價測系統包含：__ 用以容納晶圓的匣體，該匣體具有一匣體本體部和一蓋 本紙張尺度適用中國國家標準（〇~5)/\4規格（2丨0乂297公漦） I--------- 敕-------訂------球 (請先閱讀背面之注意事項再•填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 ________B7 五、發明説明（5 ) 體’該匣體本體部具有一維持在約等於大氣壓力之壓力的 内部空間和一開口，蓋體係用以關閉該開口；以及一晶圓 偵測裝置，用以從匣體外部偵測裝載於匣體内的晶圓。 第1圖係根據本發明之第一實施例的晶圓加工裝置的 剖面圖； i第2圖係第1圖之晶圓加工裝置的重要部份的外觀 ryi · 固， 第3圖係封閉式匣體的外觀圖； 第4圖係封閉式匣體的剖面圊； 第5(a)和5(b)圊係幫助解釋將封閉式匣體安裝於匣體 架台上之操作的側視圖； 第6圖係幫助解釋根據本發明之晶圓加工方法的剖面 圖； 第7圖係幫助解釋根據本發明之晶圓加工方法的流程 圖； 第8圖係根據本發明之第二實施例中之晶圓加工裝置 的示意外觀圖； 第9圖係第8圊之晶圓加工裝置之剖面圖； 第10圖係連結到一壁的匣趙的外觀圚； 第11(a)和11(b)圖係幫助解釋晶圓傳送桌台之運作的 概略視囷； 第12圖係用以操作封閉式雜之蓋體的蓋體操作單 元的外觀圖； 第13圖係用以偵測晶圓以瞭解容納於封閉式匿體内 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公# ) Τ----------裝------訂-------線 (諸先閱讀背面之注意事項再墙寫本頁> 經濟部中央棣準局貝X消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（6) 之晶圓數目的晶圓偵測系統之部份結構外觀圖； 第14圖係第12圖所示之封閉式£體之剖視平面圚； 第15圖係用以偵測晶圓以瞭解容納於封閉式匣體内 之晶圓數目的另一晶圓偵測系統的外觀圖； 第16圖係根據本發明之第三態樣之晶圓偵測系統的 分解外觀圊； 第17圖係第16圖之晶圓偵測系統的剖面圖； 第18圖係第16圖之晶圓偵測系統的重要部份的剖面 圖； 第19圖係一改良型式之晶圓偵測系統的外觀圖； 第20囷係第19圖之晶圓偵測系統之重要部份的剖面 圖； 第21圖係一改良型式之晶圓偵測系統的外觀圖； 第22圖係第21圖之晶圓偵測系統之重要部份的剖面 圖； 第23圖係第21围之晶圓偵測系統之重要部份的外觀 圖； 第24圖係一改良型式之晶圓4貞測系統之重要部份的 剖面圖； 第25圖係一改良型式之晶圓偵測系統之分解外觀 圓； 第26圖係第25圈之晶圓偵測系統之重要部份的平面 圖； 第2*7(a)和27(b)圖係幫助解釋第2S圖之晶圓積測系 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格{ 2!〇X297公釐 統 τ---;------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項.4填艿本I) -9 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 411546 A7 __________B7 五、發明説明（7 ) 之運作的概略視圖； 第28圖係一改良型式之晶圓偵測系統的剖面圖； 第29圖係一特性圖表，藉由例子顯示包括於第28圖 之晶圓偵測系統之電容感測器之輪出。 第30(a)和30(b)圖分別為幫助解釋改良型式之晶圓偵 剛系統之侧視圊和電路圖； 第31圖係第30(a)和30(b)圓之晶圓偵測系統之外觀 圖； 第32圊係一改良型式之晶圓偵測系統的分解外觀 圖； 第33圖係幫助解釋第32圊之晶圓偵測系統之運作的 片斷外觀圊； 第34圖係使用於第32圖之晶圓偵測系統之橡膠墊的 外觀圖； 第3 5圖係一改良型式之晶圓偵測系統之典型的外觀 圖； 第36囷係第35圊之晶圓偵測系統之剖面圖；以及 第37圊係一傳統晶圓加工裝置的剖面圊。 第一實施例 本發明之晶園加工裝置將具想成形於一垂直熱處理 裝置來敘述《第1圓係該熱處理裝置的剖面圖，第2圖係第 1圖之熱處理裝置之重要部份的外觀圖。垂直熱處理裝置 的大致結構將簡明地說明如下"垂直熱處理裝置被壁21分 隔成一具有大氣壓力環境的工作區S1和一作為傳送室的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 10 ---------^-------ΐτ-------^ (铕先閱婧背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作枉印製 411546 A7 ___—^ 五、發明説明（8 ) 裝載區S2。壁21設有一開口21a作為使晶圓w(亦即半導體 晶圓）由此傳送的匣道。封閉式匣體3(本文中稱為「民逋 3」）’亦即氣密的晶圓度體’係從工作區$ 1的一側裝配到 開口 21a中。 參考第3和4圊，匣體3具有一匣體本體部31，該匣體 本體部内部設置有垂直設置的架子30用來支撐例如13個晶 圓W於其上呈垂直設置，而且具有一開口 33和一可氣密地 關閉匣體本體部31之開口33的蓋體32 »蓋體32設有例如兩 個鑰匙孔34。包括於一鑰匙操作機構（以下將會敘述）的鑰 匙35被插入鑰匙孔34中，且鑰匙35被轉動使鎖緊銷從蓋體 32的上和下側突伸，以將蓋體32固定到匣體本體部31。在 匣體本體部31的底壁的下表面上，匣體32提供有例如三個 定位凹部3 6。 匣體3被安裝在匣體架台4之桌台41上，該匣體架台4 係設置於工作區S1且在開口 21a下方。匣體3被保持在匣體 架台4上的一位置，匣體3與開口 21a相符合。桌台41被支 撐於桌台支撐基座42上，且桌台支撐基座42可沿著在床台 44上延伸的導軌43而朝向並遠離壁21移動。 桌台41在其上表面上設有例如三個對應到匣體3之定 位凹部36的定位突出部41a。當匣體3被安裝在桌台41上， 定位突出部41a被裝配到匣體3之定位凹部36，以便將匣體 3正確地定位在桌台41上。作為匣體偵測器的開關5被定置 於桌台41的支撐表面上。開關5具有一致動器51，正常上 係朝上偏壓以便從桌台41的上表面突出。當致動器51被壓 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 11 L^iT------'^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 411546 A7 B7 五、發明説明（9 ) 下，開關5給予控制器c一匣體偵測信號。多個匣體3呈垂 直βχ置地被固定於匣體存放結構4〇内。 一用以氣密地關閉開口21a的門60係相對於壁21而設 置於裝載區S2的側邊。門60的形成使得其周緣部份靜置 於包圍開口 21a之壁21的一部份上。門60被門操作機構61 移動以打開和關閉開口 21a。門操作機構61具有一連接到 門60的舉升桿62a、用以垂直移動舉升桿62a的舉升單元 62、和一支撐舉升單元作水平移動的水平基座63。 門60結合有一鑰匙操作機構64,該鑰匙操作機構係 用以線性地移動並轉動用以鎖上和鬆開匣體3之蓋體32的 輪起35。門60、門操作機構61和鑰匙操作機構64構成一蓋 趙操作單元6。蓋鱧操作單元6被控制器C控制，能夠察覺 蓋體是打開的，並能夠因此給予一信號到控制器C» 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^ . :一裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -丨减 熱處理爐71，例如一用以熱處理晶圓的晶圓加工單 元，係設置於裝載區S2的後面區域《可固持例如15〇個晶 圓W呈垂直設置的晶園舟皿72係設置於熱處理爐71下方。 固持晶圊W的晶圓舟m 72被晶圊升降器73帶到熱處理爐71 内。用以將晶圓W從匣體3送到晶圓舟皿72或將晶圓W從 晶圓舟皿72送到匣體3的晶圓傳送機構8係設置於裝載區 S2中開口 21a的後方。晶圓傳送機構8設有多個支撐臂81以 同時傳送例如五個晶圓或一次傳送一個晶圓。支撐臂81可 朝向或遠離11_體3移動且晶圓舟jhl72可被垂直地移動並可 旋轉。 一氣體供應管22被連結到界定出裝載區S2之側壁的 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（_ 210X297公釐） 經满部中央標準局負工消費合作社印52 411546 A7 B7 五、發明説明（10 ) 其中一侧壁，以便開口進入熱處理爐71和定置於晶圓傳送 位置之晶圓舟皿72之間的空間。氣體供應管22設有被控制 器C控制的閥（止動閥）VI。控制器C使閥VI打開以供應氮 氣到裝載區S2並使閥VI關閉以停止供應氮氣到裝載區 S2。一排氣管23 —端連結到界定出裝載區S2之侧壁之下 部份，另一端連結到一開口通到大氣之設備通氣導管。 一種被前述晶圓加工裝置所使用之晶圓加工方法將 參考第5至7圖來解釋。晶圊W被放置在匣體3中，然後匣 雜3被例如氮氣來淨化。匣體3内部被維持在相同或大約相 同於大氣壓力的壓力下》裝載區S2透過排氣管23而連續 排放*同時氮氣以固定的速率連續地供應到裝載區S2以 便保持裝載區S 2在而於大氣壓力約IPa或以上的正歷力， 較佳地約高於lOOPa(第7圖的步驟S1)。 一自動運送機器人（未顯示）承載住匣體3並將匣體3放 置於匣體座台4的桌台41上，以致於從匣體座台4之桌台41 突出的定位突出部41 a被分別裝配到如第5(a)圖所示之匣 體3之對應的定位凹部36(步驟S2)。一匣體座台移動機構 (未顯示）將支撐基座42推向壁21以使匣體3裝配到開口 21a。當匣體3被安裝到桌台41並放置於桌台41之定位時， 開關5的引動器51被匣體本體部31之底壁壓下（如第5(b)圖 所示），開關5送出一信號A1到控制器C(第6圖）。 在接收到信號A1 ’控制器發出一關閉信號B1到正常 打開之閥VI以停止供應氮氣到裝載區S2(步驟S3)。氮氣供 應中斷後的20至30秒範圍内的預定時間，控制器c發出一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規桔（210X297公嫠） 13 PIT^ Bn— ^^^1 I — ^^1 I n^f 1aJ {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^11546 Α7 Β7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印^ 五、發明説明（11) 信號B2給蓋艘操作單元6，以使門60和蓋體32打開（步称 S4)。 裝載區S2的壓力在氮氣供應中斷後逐漸下降，並在 氮氣供應中斷後的20至30秒内降到一實質上相同於大氣壓 力的壓力，因為裝載區S2係透過開口通到大氣的設備通 氣導管來排放。外部氣體不可能流入裝載區S2，即使氮 氣供應中斷了 20至30秒範圍的時間，其係因為排氣管23具 有相當的長度。 蓋體操作單元6回應於信號B2來操作；蓋體操作單元 6的鑰匙操作機構64使鑰匙35插入蓋體32的鑰匙孔34並使 鑰匙35轉動來使蓋體32不上鎖。然後，門操作機構61的水 平基座63使門縮回，舉升單元62使門60與蓋體32 —起向下 移動以將開口 60打開》 當蓋體32從匣體本體部31移出之後，蓋體操作單元6 給予控制器C一信號A2。在信號A2接收後，控制器C給予 關閉的閥VI —信號B3使閥VI打開，然後氮氣癱績供應到 裝載區S2(步驟S5)。 在裝載區S2t，傳送機構8的支撐臂81前進到匣體3 以同時揀取五個晶圓W到支撐臂81上，然後支撐臂81傳送 五個晶圓W到晶圓舟皿72。在使晶圓W(例如150個）裝載到 晶圓舟皿72之後，晶圓升降器73將晶圓舟172抬升到熱處 理爐71，然後，晶圓得到預定的熱處理過程。 中斷氮氣供應到裝載區S2並使裝載區S2的壓力降低 至實質上相同於大氣壓力的壓力，以致於裝載區S2和匣 J---„------:表------"------Ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 14 經濟部中央橾準局員工消費合作社印繁 A7 _B7五、發明説明（12) 體3内部的壓力差實質上為零之後，利用晶圓加工方法打 開蓋體32 »所以，外部壓力幾乎不作用在蓋體32上，所以 蓋體32可順利地打開β結果，蓋體操作單元6只需要小動 力來使蓋體32從匣體本體部31移開。此外，不會發生氣體 快速地流入匣體3.，所以不會產生顆粒》 前述的晶圓加工方法使得閥VI因預期使裝載區S2充 份降壓而關閉之後，蓋體32從匣體本體部31移開20至30 秒。亦可能測量裝載區S2内的壓力，當裝載區S2内所測 之壓力恰等於預定值時使控制器C提供一信號使蓋體操作 單元6打開門60和蓋體32。匣體3是否被正確放置於匣體座 台4上可由確知匣體從自動傳送機器人（用以在工作區si中 運送匣體3)釋放而確知，而非因匣體3直接定置於晶圓座 台4上綠知。 亦可能事先確定當氮氣停止供應到裝載區S2之後需 要使裝載區S2的壓力降低到大氣壓力的時間τ，並在匣體 3之蓋體32被軟體確定打開之預測時間之前的τ時間，發 出氮氣供應中斷信號給氮氣供應控制系統，而匣體係同時 被自動傳送機器人運送。若氮氣供應因此而在匣體放置於 £體座台4之前被中斷，則匣體3被裝配到壁21之開口21a 的時刻和匣體32被打開的時刻之間的時間間隔可以省略， 因而可以提昇晶圓加工裝置的整個生產量。 在上述晶圓加工方法中，在收到蓋體32被蓋體操作 單元6打開所給予之信號後，控制器C提供信號來打開閥 VI。亦可在確定匣體3放置在匣體座台4之預定位置之後， Ί I n Jr— n •裝™- 訂-I------豫 (請先閱讀背面之注意事項A填寫本頁) 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X29?公龙） 15 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 411546 A7 _____B7 五、發明説明（13 ) 啟動一計時器’設定為閥VI關閉和蓋體32打開之間的時 間’ 一用以打開閥VI的信號可以在計時器所設定的時間 走完後提供來打開閥VI。 雖然此實施例利用排氣管23使裝載區S2連接到開口 進入大氣之設備通氣導管’但是排氣管23亦可被連接到小 容量之排放泵浦且一排放閥可被提供於排氣管23中，以利 用排放泵浦抽空裝載區S2，在中斷氮氣供應的20至30秒 内逐漸降低裝載區S2的壓力到實質上相同於大氣壓力的 壓力《因為裝載區S2被小容量的排放泵浦抽空，所以裝 載區S2内的壓力不會降低到負壓力。 根據本發明，在打開封閉式匣體（其内壓力相當於或 實質上相同於進入裝載區S2的大氣壓力）之蓋體之前，裝 載區S2的正壓力被降到相同於或實質上相同於大氣壓力 的壓力。所以，蓋體可順利打開。 第二實施例 本發明之晶圓加工裝置將具體成形於垂直熱處理裝 置來敘述。第8和9囷分別為垂直熱處理裝置的外觀圖和剖 面囷。在第8圖中，為方便起見，省略殼體和内壁。熱處 理裝置具有一收納與運送匣體120(亦即用以容納晶圓之晶 圓承載器以便運送晶園）的匣體傳送單元102, 一用以暫時 存放匣體120的匣體存放結構103，以及一裝載區104 »在 裝载區104中，晶園從匣體120被傳送到晶圓舟孤141，固 持晶圓的晶圓舟皿141被裝載到熱處理爐140内。 匣體傳送單元102包含一用以支撐匣體120之匣體桌 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X29?公釐） 16 ----------Μ-------ΐτ------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 411546 A7 B7 經滴部十央橾準局負工消費合作社印製 五、發明説明（Η) 台121，一用以垂直移動匣體桌台121之舉升機構121a，和 一光學感測器105(將於後敛述），光學感測器被設置以致 於其光學轴穿過匣體120延伸《光學感測器1〇5是晶圓偵測 系統之其申一構件，其光學式地喊定容納在匣體12〇内的 晶圓（與匣艘構造相配合）數目和位置，亦即被晶圓佔據之 凹槽數目。光學感測器105所得到關於匣體120内部情況的 資訊被送到一控制器150。 匣體存放結構103被設置於匣體傳送單元1〇2後面一 區域的上部段。匣體被一匣體傳送機構131從匣體傳送單 元102傳送到匣體存放結構103，反之亦可。 匣體傳送機構131包含一垂直導軌132，一可沿垂直 導軌132垂直移動的舉升本體133，和可朝向/遠離匣體傳 送單元102移動之水平關節式傳送臂134。匣體傳送機構131 從傳送臂134支撐匣體120並將匣體120從匣體傳送單元1〇2 送到匣體存放結構103，從匣體存放結構1〇3送到匣體座台 143(其將於下敘述），並從匣體座台143傳送到匣體傳送單 元 102。 裝載區104被壁142密封和包圍。一氣體源（未顯示）供 應例如氮氣到裝載區104 ’且一排放系統（未顯示）抽空裝 載區104以便在裝載區104内產生一氮氣的氣氛。能夠支撐 例如兩個匣體120(—個疊於另一個之上）的匣體座台143被 設置於面對匣體傳送單元102之前壁142外部，在包圍裝載 區104的壁142之間》
如第10圖所示，前壁I42設有一開口 144。當晶圓W 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規栝（2i〇X 297公釐） --·*n * ^^1 II - ^^1 I n (諳先閲讀背面之注意事項再填疼本頁) 訂 17 411546 A7 五、發明説明（15) ~ 從匣體120取出時，匣體12〇被裝配到開口 144内。被支推 於匣體座台143上的匣體120沿著導軌（未顯示）朝前壁142 移動並推壓到門145上，門145係設置於裝載區1〇4内並藉 由匣體傳送機構13 1來關閉開口 144。在此實施例中，兩個 匣體座台143相對於單一開口 144設置成一個在另一個之 上’匿體支撐座台143被舉升機構（未顯示）依序在對應到 開口 144的一高度垂直移動到兩個匣體12〇被支撐於兩個匣 體座台143上的位置。 現將解釋封閉式匣體120的結構和用以操作匮體120 之蓋體125的操作。如第〗2圖所示，匣體120具有一匣體本 體部123，其内部設有成層的架子122以支撐晶圓的周緣部 份，該匣體本體部並設有一開口 124，以及可密閉式關閉 該開〇 124的蓋體125。匣體120具有一可在水平位置容納 例如13個晶圓W的容量’晶圓係以鄰接晶圓間的預定間隔 呈垂直設置。蓋體125設有例如兩個鑰匙孔126。鑰匙127 被插入鑰匙孔126内並被轉動以使鎖緊銷從蓋體125的上和 下侧突出，以將蓋體125固定到匣體本體部123。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 鑰匙127連同鑰匙操作機構（未顯示）一起結合於門145 上。當匣體120被裝配到前壁142的開口 144時，输匙127被 操作以使蓋體125不上鎖。此操作係藉由例如使門145與匣 體120分隔，然後利用第9圖所示之門操作機構146使門145 下降並對一水平軸轉動而完成。 一晶圓傳送機構106被設置於裝載區1〇4中以使晶圓 從匣體120傳送到晶圓舟m 144，反之亦可。晶圓傳送機構 18 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本f ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公茇） 411546 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（16 ) 106具有多個晶圓支撐臂161並可同時固持多個晶圓或一次 處理一個晶圓。支撐臂161可朝向或遠離匣體uo移動，晶 圓舟皿141可被垂直移動並可被旋轉。晶圓舟皿141具有多 個支撑桿’各設有縱向設置的晶圓固持溝槽以呈垂直設置 地固定多個晶圓裝有多個晶圓W的晶圓舟孤141被一晶 圓舟ϋϋ舉升機構162上抬到熱處理爐140内。 包括有光學感測器105的晶圓偵測系統將參考第π和 14圖來敘述。將被蓋體125蓋住的開口 124係形成於封閉式 匣體120之g體本體部123的前端。在匣體本體部123之右 側壁和左側壁上所形成之寬度為十幾個毫米的垂直長形部 份107(第13圖的陰影部份）係由透明材料製成，諸如透明 塑膠材料》透明長形部份107分別具有平坦的外表面。間 隙122a係形成於對應到透明長形部份107的架子122部份。 光學感測器105包含一光放射裝置151和一光偵測器 152。光放射裝置151和光偵測器152係彼此相對設置，以 致於當匣體120被安裝於匣體桌台121上時，光放射裝置151 和光偵測器151位於包括有分別形成於匣體本體部123之右 和左側壁上的透明長形部份107的一平面上。安裝有匣體 120的匣體桌台121被第9圖所示之舉升機構121a垂直移 動，以致於光學感測器105的光軸L移動，相對於匣體120 從匣體的上端掃描到下端〇容納在匣體120内的晶圓可從 光偵測器152的輸出信號測得。 因為匣體本體部123側壁的長形部份107的外表面在 包括有光轴L之平面上是平坦且光滑，所以光放射裝置151 (請先閲靖背面之注意事項再填寫本育) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Λ4規格{ 210Χ297公釐） 19 經满部中央標準局負工消費合作社印製 411546 A7 B7 五、發明説明（17 ) 發出之光束被匣體本體部123繞射的角度很小，且間隙122a 係形成於架子122上在對應於長形部份1〇7的位置，被光放 射裝置151發出的光束可以低密度損失到達光偵測器丨52。 所以，容易確定出光射出裝置151發出之光朿被晶園W攔 截之情況下光偵測器152提供之信號以及光射出裝置151沒 有被晶圓W攔截而行進到光偵測器152之情況下光偵測器 152所提供之信號之間的差別的分界水平。所以，可以做 出是否晶圓被支撐於匣體120之匣體本體部123的架子122 上的可靠決定，而且可以獲得關於容納在匣體120内之晶 圓W的數目和位置的變換資訊。 光學感測器可為反射式，可以感測從晶圓W之圓周 反射來的反射光束。匣體120可全部由透明材料製成。除 了長形部份107以外的匣體120外表面不一定需要平坦，架 子122可延伸越過光徑。 在此實施例中，匣體桌台121、舉升機構121a和光學 感測器105為晶圓偵測單元的構成單元，且晶圓偵測單元 和匣體120構成晶圓偵測系統。 熱處理裝置的操作將於下文令敘述。一自動運送機 器人（未顯示）或一操作者將兩個匣體120放置於匣體傳送 單元102的匣體桌台121上。然後，晶圓桌台121被垂直移 動，且光學感測器1〇5偵測容納在匣體120内的晶圓，並給 予控制器150—信號，指示出在匣體120内之晶圓數目和位 置。 然後，匣體傳送機構131將匣體120從匣體傳送單元 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規掊（210X 297公釐） 20 1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 411546 A7 經漓部中央梯準局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（18) 1〇2的匣體桌台121傳送到匣體存放結構103中用以暫時存 放》控制器150根據存放在匣體存放結構103中的匣體120 内所容納的晶圓W數目和可固持於晶圓舟孤141上的晶圓 W的最大數目來榷定含有晶圓（欲以批次受熱處理過程）的 匣體120組合來選擇匣體120。然後，匣體傳送機構131依 序將所選擇的匣體120從匣體存放結構103傳送到匣體座台 143。若有需要，匣體120可從匣體傳送單元102直接傳送 到匣體座台143。 被支撐於匣體座台143之對應到前壁142開口 144的一 位置上的匣體120被推抵到門145上，以致於結合於門145 的鑰匙127被插入鑰匙孔126内。然後，蓋體125被前述操 作打開，且晶圓傳送機構160使晶圓W從匣體120傳送到晶 圓舟孤141。在所有容納在匣體120(被支撐於上匣體座台 143上）内的晶圓W皆被傳送到晶圓舟皿141之後，容納於 匣體120(被支撐於下匣體座台143上）内的晶圓W被傳送到 晶圓舟皿141。當預定數目的晶圓W已經被裝載到晶圓舟 皿141之後，晶圓舟皿141被晶圓舟皿舉升機構162上抬到 熱處理爐140内。 因為控制器150含有關於各匣體120内晶圓W的正確 數目和位置的資訊，而同時在匣體120之蓋體125打開之前 各匣體120被安裝在匣體傳送單元102的匣體桌台121上， 所以，控制器150能夠選擇合適的匣體120並能夠依序將所 選擇的匣體120傳送到匣體座台143上，即使在前述步驟t 結合到匣體120之輔助信息所給予控制器150之容納在各匣 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規輅（210X297公f ) 21 經濟部中央標準局男工消費合作社印繁 ^1546 A7 —----—____________ 五、發明説明（19) 趙120内的晶圓數目是錯誤的。因此，不需要額外麻煩的 操作來重新安排一步驟來依序傳送匣體120及打開和關閉 蓋體125。 因為在E體120被存放於匣體存放結構103之前，未 預期之空匣體120的存在以及容納在匣體120(存放於匣體 存放結構103中）内的晶圓數目可以知道，所以熱處理裝置 的操作不會被中斷，而同時由於在匣體存放結構103中存 放有不充足的晶圓數目，操作者可以離開熱處理爐》 晶圓偵測單元可確知容納在匣體120内的晶圓數目（用 重量測量裝置測量出放置於匣體桌台121上之匣體的重 量），並根據所測得之匣體120重量計算出晶圓數目。因為 匣體120重量和各晶圓重量為已知，所以當含有晶圓之匣 體120的毛重被測得時，容納在匣體120内的晶圓數目可以 被確定出。 晶圓偵測單元不一定需要被設置於匣體傳送單元 内’在匣體之蓋體打開之前，容納在匣體内的晶圓可在熱 處理過程之任何階段被偵測，以便確知晶圖數目》本發明 可適用於本文所特定描述之垂直熱處理裝置以外的晶圓處 理裝置，諸如喷鍍裝置和清潔裝置。 根據本發明之晶圓加工裝置，其收納有一含有晶圓 的封閉式匣體並可以高效率順利地操作，以將晶圓帶出匣 體並使晶圓得到預定的處理β根據本發明之晶圓偵測系統 可確定並簡單地找出容納在封閉式匣體内的晶圓數目，並 可適當地應用於本發明之晶圓加工裝置。 本纸張尺度適肉中國國家標準（CNS > Λ4規格（2丨0X297公釐） 22 L---^-----裝--^----訂------冰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 411546 A7 B7_ 五、發明説明（2〇 ) 第三實施例 L „ -M.-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下將敘述根據本發明之第三實施例之用以探測容 納在封閉式匣體内之晶圓數目的晶圓偵測系統的例子。 實例1 封閉式匣體200的大致結構將參考第16圊來敘述。匣 體200具有一樹脂製的箱形匣體本體部201，一位於前端之 —開口 211、以及一可密封地關閉開口 211的蓋體202。一 安裝板（未顯示）被多個短腿部（未顯示）連接到匣體本體部 201的底壁。安裝板被定置於例如一包括於晶圓處理裝置 之匣體桌台上，以使匣體200定置於匣體桌台的定位。 蓋體202設有例如兩個鑰匙孔221 »鑰匙222被插 入鑰匙孔221内並被轉動以使鎖緊銷（未顯示）從蓋體 202的上和下側突出，以致於蓋體202被固定到匣體本 體部201。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 鑰匙22與鑰匙操作機構（未顯示）一起結合到一基 座本體223。當匣體220被放置於預定的位置，鑰匙222 被插入鑰匙孔221，且鑰匙222被包括於基座本體223 的鑰匙操作機構操作以便使蓋體202打開。此操作的 完成係藉由例如使基座本體223利用一基座本體操作 機構224而與匣體200分開並藉由利用基座本體操作機 構224來使基座本體223降低或關於一水平軸轉動。 -m «^1— 1 架子212呈多層（諸如13層）地形成於匣體本體部21〇之 右和左側壁的内表面（從開口 211侧觀察）*容納在匣體本 體部201内的晶圓W分別在水平位置上、在相應之周緣部 本紙張尺度通用中國國家標辛 ( CNS ) A4規格（210X297公t ) 23 411546 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21) 份被支撐於架子212上。如第17圖所示，架子212係藉由規 則地彎曲匣體本體部201的相對側壁呈z字形而形成。從 侧壁向内突出的脊部之功能為架子212。具有溝槽形狀的 凹部213被形成於側壁上對應到架子212的外表面的部份。 匣體本體部201的側壁界定出凹部213的部份係由透明材料 形成’諸如透明樹脂，以傳送光放射裝置231射出的光束， 其將於下描述。透明材料不需要為非常透明，只要透明材 料所形成之部份能夠傳送光放射裝置231所放射的光束。 當匣體200被定置於定位時，一傳送式光學感測單元 203被設置於相對於匣體本體部201其中一側壁的外表面之 處。光學感測單元203包括一實質上U形感測頭，具有光 放射部份231(包括一光放射裝置）和一光接收部份232(包 括一光偵測器），以及一連接到信號處理單元234的信號纜 線233。光放射部份231被置入兩個相鄰凹部213的上面那 一個，光接收部份232被置入兩個相鄰凹部213的下面一 個。當光學感測單元203被設置在工作位置時，光放射裝 置和光偵測器可被設置於凹部213的外面，只有光放射部 份231和作為光傳送部份的光接收部份232可置入凹部213 内。 光學感測單元203可沿著匣體本體部201的側表面垂 直移動，並藉由一驅動機構（未顯示）朝向和遠離側壁移 動。光學感測單元203可被保持靜止而匣體200可相對於光 學感測單元203移動》 在實例1中的晶圓偵測系統的操作將在下文中敘述》 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規枯（210X297公漦〉 24 L---·-----装------訂------ ,課 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（22) 含有晶圓W之匣體200被安裝在匣體傳送單元（用以收納一 例如垂直熱處理裝置的匣體200和將匣體送出）之匣體傳送 桌台上。感測頭的光放射部份231和光接收部份232被置入 上凹部213和第二上凹部213。光放射部份231之光放射裝 置所放射出的光束往光接收部份232的光偵測器行進•若 晶圓W被互補於第二上凹部213的架子212所支撐，則光束 被晶圓W攔截，光接收部份232的光偵測器不會接收到該 光束。若無任何晶圓W被支撐於相同的架子212上，則光 接收部份232的光偵測器會接收到光放射部份231之光放射 裝置所放射之光束，並給予信號處理單元234—光接收信 號。在接收到光接收部份232發出之光接收信號後，信號 處理單元234處理光接收信號以確知無任何晶圓被互補於 第二上凹部213的第二上架子212所支撐。光學感測單元203 一次移動一個階梯，且對於所有架子212皆重覆相同的晶 圓偵測操作，以產生關於容納在匣體200内之晶圆W數目 和匣體200内晶圓W的分別位置（亦即，支撐有晶圓w之架 子212的數目以及未支撐有任何晶圓w的架子212的數目） 的變換資訊。 因為光放射部份231和光接收部份232被置入形成於 匣體本體部201側壁上的凹部213内，致使光放射裝置放射 出的光束沿著一穿越過晶圓（支撐於架子212上）的一光徑 前進’所以光學感測單元203的操作不會被匣體本體部2〇1 的側壁厚度以及從匣體本體部201之侧壁的外表面反射來 的外來光線所影響。因此，可得到可靠的變換。 本紙乐尺度通用中國國家標準（CNS ) Α4規格{ 210X297公寿_ ) U---·------.裝--'----訂------沐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25 經满部中央標準局負工消費合作社印聚 411546 A7 A7 ___._B7 五、發明説明（23 ) 晶固偵測系統可使用一反射式光學感測單元，其令 光放射部份231和光接收部份232設置於感測頭的相同臂 上’且感測頭的臂依序從上凹部213往下置入凹部213内。 當使用反射式光學感測單元時，第π圖所示之底凹部213 是不需要的。 光學感測單元203可設有多組，各個光放射部份231 和光接收部份對應到架子212的數目，例如十三組的光放 射部份231和光接收部份232來檢視所有的十三組架子 212 ’以同時地進行晶圓偵測。在此情況下，在十三組感 測頭的上部感測頭設有一光放射部份’在十三組感測頭中 的底部感測頭設有一光接收部份，其餘的每個感測頭設有 一光放射部份和一光接收部份’藉由光放射部份和下面鄰 接的光接收部份的共同作用來偵測晶圓W。 雖然凹部213被形成於匣體本體部201之右側壁或左 側壁的任一個上，但假如凹部213形成於匣體本體部2〇1的 右側壁和左側壁兩者之上，則可提高設計光學感測單元2〇3 之弹性。凹部213可形成於匣體本體部2〇1之後壁上。 如第19和20圓所示，凹部213可為圓孔，形成於靜置 有晶圓W之周緣部份的架子212的部份，諸如在架子212之 相應的中間部段的架子212部份。 光學感測單元203作用為一晶圓偵測裝置，且晶圓偵 測裝置和匣體200構成該晶圓偵測系統。 實例2 實例2的晶圓偵測系統，類似於實例1的晶圓偵測系 - 1 —^1 - I. - -I · (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210 Χ2们公t ) 26
結满部中央標準局員工消費合作社印W 411546 δ Α7 Β7 1 ------ *——_______ 五、發明説明（24) 統，可光學式地偵測晶圓實例2的晶圓偵測系統具有 一感測頭，其具有一光放射部份和一光接收部份，並被設 置於匣體200内。 參考第21和22圈顯示實例2的晶圓偵測系統，内部光 導引構件204被設置於包括有上部架子212的架子212上， 從匣體本體部201的前端側觀察，該等架子分別形成於例 如匣想本體部210之左側壁。頂部的内部光導引構件204有 一叙入突出部240的基座部份及一從突出部240突伸出的自 由端部份，該突出部240係由匣體本體部2〇1之左側壁的内 表面突伸出。 其他的内部光導引構件204分別具有嵌入架子212内 的基座部份和突出於架子的自由端部份。鄰接的内部光導 引構件204界定一具有水平部段和垂直部段的光徑l，該 垂直部段係在水平部段之間越過支撐於下方内部光導引構 件204的基座部份所嵌入之架子212上的晶圓W而延伸的垂 直部段。 如第23圓所示’内部光導引構件2〇4在組合上具有用 以傳送一放射光束的第一光傳送構件241和用以傳送一接 收光束的第二光傳送構件242。例如，頂部的内部光導引 構件204只有用以傳送放射光束的第一光傳送構件241，且 底部的内部光導引構件242只有用以傳送接收光束的第二 光傳送構件242。各個内部光導引構件204的光傳送構件241 和242被肩並肩地設置於水平平面上。第一光傳送構241的 自由端部份被垂直向下的彎折，且第二光傳送構件242的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規梢（210X 297公釐）
(請先閱讀背而之法意事項存填寫本茛)
411546 A7 B7 經满部中央標率局負工消費合作社印製 五、發明説明（25) 自由端部份被垂直向上地彎折。如第22圖所示，被結合於 架子212上之内部光導引構件204之第一光傳送構件241所 傳送的光束被結合於下面鄰接的架子212上的内部光導引 構件204的第二光傳送構件所接收。内部光導引構件 204(241，242)功能為一内部光導引構件。 一能夠朝向和遠離匣體本體部201移動的光學感測單 元243被設置於匣體本體部201外部。光學感測單元243設 有外部光導引構件244，其能夠被連接到内部光導引構件 204(241,242)並能夠與該内部光導引構件分離。外部光導 引構件244係功能為外部光導引構件。各個外部光導引構 件244包含用以傳送放射光束的第一光傳送構件245和一用 以傳送一接收光束的第二光傳送構件246。連接器204a係 形成於内部光導引構件204的基座部份。外部光導引構件 244(245,246)被置入連接器204a内以便光學式地將外部光 導引構件244(245,246)連接到内部光導引構件204(244, 242)。 如第22圖所示，光學感測單元243有分別連續地設置 於第一光傳送構件245之基座端的光放射裝置247以及分別 連績地設置於第二光傳送構件246之基座端的光偵測器 248，光學感測單元並被一信號纜線249a連接到一信號處 理單元。 光導引構件204和244以及光學感測單元243構件一晶 圓偵測裝置。 當匣體200被放置於預定的位置，光學感測單元243 本纸乐尺度適用中國國家椋準（CNS )八4規格（210X297公釐） 28 ί Γ «H ^^1 * I: · I U - I - 1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
'1T A7 411546 __B7 _ 五、發明説明（26) 被一驅動機構（未顯示）往匣體本體部201移動，且外部光 導引構件244被置入連接器204a内，以便使外部光導引構 件244光學式地連接到内部光導引構件204。若晶圓W在第 一光傳送構件241和鄰接的第二光傳送構件242之間被支撐 於架子212上，則在光傳送構件242和242之間的光徑被晶 圓W切斷，然後，對應的光偵測器248為此送出一信號到 信號處理單元249。信號處理單元249處理接收自光偵測器 248的信號，以便產生變換資訊。 在此晶圓偵測系統中，沒有任何東西存在於用以偵 測晶圓之光束所行經的空間。所以，當晶圓W被支撐於架 子212上時光偵測器248所提供之信號以及當無任何晶圓W 被支撐於架子212上時光偵測器248所提供之信號可以互相 清楚地區分，因此可得到可靠的變換。 架子212的一部份可以定置於相關聯之内部光傳送構 件214和242之間的光徑上。雖然在此例子中，晶圓偵測裝 置是傳送式，但是晶圓偵測系統亦可為反射式。光學感測 單元243可設有一組外部光導引構件245和246，而非十三 組的外部光導引構件245和246，可依序連接到連接器 204a。匣體本體部201的架子212以及匣體本體部201的側 壁（為光傳送通道的部份）可由透明材料製成，諸如透明的 玻璃或透明塑膠材料，架子212的自由端部份可被對角線 地切開，以形成如第24圖所示之傾斜表面，以便架子212 可當作内部光導引構件204，其中用以傳送放射光束之第 一光傳送構件241和用以傳送接收光束的第二光傳送構件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ---.-----裝-------訂------踩 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準爲員工消費合作社印紫 29 411546 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印奴 五、發明説明（27) 242由各個架子212所提供。 實例3 參考第25圖’一可壓縮橡膠塾205被連結到篕體2〇2 的内表面。當蓋體202連接到匣體200(含有晶圓w並被支 撐於架子212上）之匣體本體部201的内表面以關閉前開口 211，晶圓W施加壓力於可壓縮橡膠墊205上。可壓縮橡膠 堅205是例如2mm厚的彈性塾，當壓力施加於其上時，其 可從例如白色改變到紅色。 至少對應到可壓縮橡膠墊205的蓋體202—部份係由 透明材料形成。藉由例如使可壓縮墊的上邊緣部份和下邊 緣部份固持住’可壓縮橡膠墊205可被固定到蓋體202，以 便藉由推壓構件而在蓋體的内表面上侧向延伸。在第25圖 中省略了用來使蓋體202鎖緊和不上鎖的鑰匙孔。 當匣體200被放置在預定的位置，一顏色感應裝置251 相對於該蓋體202設置。如第25和26圖所示，顏色感測裝 置251是例如一反射式光學感測器並能夠相對於匣體2〇〇垂 直地移動。顏色感測裝置251被一信號纜線連接到一信號 處理單元250。 可壓縮橡膠墊205和顏色感測裝置251構成一晶圓偵 測裝置。 若晶圓W被支撐於架子212上，對應到晶圓W的可壓 縮橡膠墊205被晶圓W壓縮（如第27(a)圖所示），以致於可 壓縮橡膠墊205的相同部份的顏色改變。所以，如第27(b) 圖所示，例如紅色條紋（顏色改變的部份）形成於例如正常 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0乂297公釐） 30 L---.------ ^-------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經滴部中央橾準局員工消費合怍社印製 411546 a? ______ B7 五、發明説明（28) 上是白色的可壓縮橡膠墊205對應到支撐於匣體本體部2〇1 之架子212上之晶圓w的部份。因為從不同顏色部份反射 出的光束在密度上有不同，所以對應到不同顏色部份的偵 測信號在信號水平上亦彼此不同。所以，被支撐於架子212 上的晶圓W可以藉由垂直移動顏色感測裝置251 (亦即一沿 著蓋體202掃描的反射式光學感測器）而偵測出。不同顏色 的部份可用照相機將可壓縮橡膠墊205照相並處理該照片 來辨別。 因為支撐於架子上的晶圓W可藉由可壓縮墊被晶圓W 施加壓力改變顏色的部份偵測出，所以，容納在匣體200 内的晶圓W可以容易地從匣體200外部以高可靠度偵測 出。 實例4 參考第28圖，當匣體200以預定位置放置時，一電容 感測器206沿匣體200的側壁垂直移動。電容感測器206測 量匣體200的電容並提供一表示出所測出匣體2〇〇之電容的 信號。一信號處理單元處理電容感測器206的輸出信號， 以偵測出容納在匣體200内的晶圓W。在對應到有晶圓W 被支撐於架子上的匣體200部份的位置所測出的電容是大 於對應到無晶圓W被支撐於架子之匣體200部份的電容。 所以，如第29圖所示，所測得的電容隨著在匣體2〇〇上測 量點的高度不同而有不同》從第29圖可知，無晶圓W被支 撐於第九個架子。所以，容納在匣體200内的晶圓W可以 從匣體200外部容易地偵測出。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 31 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -
'、1T 411546 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 五、發明説明（29) 電容感測器206作用為一晶圓偵測裝置。 實例5 如第30(a)和30(b)所示，電極207被嵌入從匣體200之 匣體本體部201的右和左側壁的内表面突出的架子212内， 以便在架子212的支揮表面裸露出。電極207可與架子212 的支撐表面齊平或可稍微從架子212的上表面突出。被支 撐於架子212上的晶圓W與電極207相接觸《嵌入相同高度 之右和左架子的電極207功能為一對電極，他們可被放置 於相同高度之右和左側架子212上的晶圓電性地連接。 假設架子212的數目是十三個，且架子212被垂直設 置成十三層》如第30(a)圖所示，嵌入從左側壁内表面突 出的架子212的電極207被分別電性連接到端子A1到A13， 且嵌入從右侧壁内表面突出的架子212的電極207如第30(a) 圖所示地被電性連接到一普通端子B。電阻測量單元270 被設置於匣體200外部《電阻測量裝置包含_有十三個開 關的開關組272，以及一具有電阻的測量裝置271。如第30(b) 圖所示’測量裝置271 —端連接到普通端子b，另一端連 接到一連到開關組272的普通線路。如第31圖所示，提供 給端子A1到A13的連接器273可被連結到匣髗本體部201， 且一連接到電阻測量單元270的連接器274可藉由連接器操 作機構連接到連接器273。 電極207和電阻測量單元270構成一晶圓偵測裝置。 當無任何晶圓W被支撐於一對架子212上時，嵌入該 對架子212之該對電極207的電阻是無限大。若晶圓w被支 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210'/297公潑） 經濟邹中央標準局員工消費合作社印製 411546 A7 B7五、發明説明（30) 撐於該對架子212上，該對電極207被晶圓W電性連通，且 通過該對端子207的電阻是相同於晶圓W所提供之電阻。 所以，該對架子212上晶圓W的存在可以從所測得之電阻 得到，且變換資訊可藉由匣體200外部的晶圓偵測而以高 可靠度獲得。 實例6 參考第32和33圖，一彈性構件（諸如一具有淺盤形狀 之橡膠墊208)被連結到包括在匣體200之蓋體202的内表 面。橡膠墊208被固持在蓋體202上，其開口端與蓋體202 的内表面接觸，其底壁面對匣體200的内部。兩個固持構 件282被設置在蓋體202的内表面呈垂直位置，並被相同於 橡膠墊208寬度的距離間隔開。橡膠墊208在固持構件282 之間被固持於蓋體202上。 銷283(亦即指示構件）被連結到橡膠墊208底壁的内表 面，面對蓋體202的内表面，在分別對應到被支撐於匣體200 之匣體本體部201的架子上的晶園W的位置。貫通孔被形 成在蓋體202上，分別在對應到銷283的位置。一光放射裝 置285和一光偵測器286被設置於蓋體202外部，以致於在 光放射裝置285和光偵測器286之間的光徑延伸越過對應到 銷283垂直設置的一垂直區域。光放射裝置285和光偵測器 286構成一可偵測銷283的傳送式光學感測器《從蓋體202 外表面突出的銷283可被任何其他合適的裝置來偵測。 對應到未支撐有任何晶圓W的架子212的橡膠墊208 部份沒有被推壓，所以如第33(a)圖所示，連接到橡膠墊208 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
,1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐） 33 A7 經滴部中央標準局員工消費合作社印14 411546 ______B7 五、發明説明（31 ) 的那些部份的銷不會從蓋體202的外表面突出。對應到支 * 撐有晶圓的架子212的橡膠墊208部份被晶圓W推壓，因此 如第33(b)圖所示，連接到橡膠墊208的那些部份的銷283 從蓋體202的外表面突出。因此，藉由垂直移動該組光放 射裝置285和光偵測器286來掃描，被支撐於架子212上的 晶圓W可以透過偵測從蓋體202外表面突出的銷283而偵測 出。 如第34囷所示，分別對應到架子分層的橡膠墊208部 份可以彼此分開。在第34圖中，在標號280所指示的為形 成於橡膠墊208的缺口，以使橡膠墊208被劃分成獨立的不 連續部份。 橡膠墊208、銷283、光放射裝置285和光偵測器286 構成一晶圓偵測裝置。 透過突出於蓋體202外表面的銷283來偵測容納在匣 體200内的晶圓W可提供正確的變換資訊。彈性構件可為 橡膠墊208以外的任何合適裝置，諸如彈簧，可以在蓋體202 關閉時被晶圓W彈性變形以使相關聯的指示構件突出。 實例7 如第35和36圖所示，包括在匣體200的匣體本體部201 設有在右和左侧壁之内表面上的架子212，且一空間292形 成於架子212後端和匣體本體部201後壁的内表面之間。被 支律於架子212上的各晶圓W的一部份位於架子212後端後 面的空間。匣體本體部201之右和左側壁在架子212後端後 面所延伸的後面部份係由透明玻璃或透明塑膠材料製成， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格{ 2丨0><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
34 绍濟部中央標孪局員工消費合作社印製 411546 A7 ________B7 五、發明説明"-- 以形成透明窗戶293，各具有平坦且平行的相對表面。· 一光放射裝置294和一光偵測器295被分別相對於透 明窗戶293設置在匣體本體部2〇1的外部。如第36圖所示， 光放射裝置294被設置，以致於其光軸1延伸越過支撐於 架子212上之晶圓W的一部份所靜置的區域，一光偵測器 295被設置於光轴L上，以便形成一光學感測器。光偵測 器295被連接到一信號處理單元296 ^匣體本體部2〇1被安 裝於匣體桌台（未顯示）上，且匣體桌台被舉升機構（未顯 示）垂直移動’以便使匣體201相對於光學感測器移動β所 以，光放射裝置294的光軸L從匣體本體部201的上端掃描 到下端’且信號處理單元296可藉由光偵測器295所給予之 偵測信號偵測晶圓W。 一空間可形成於架子212前端和蓋髅202的内表面之 間’匣體本體部201之右和左側壁在架子212前端前面延伸 的前面部份可由透明玻璃或透明塑膠材料製成，以形成透 明窗戶，且透明窗戶可用來作為晶圓W的光學偵測。光學 感測器可為反射式，且可使用CCD照相機來取代光偵測 器。晶圓偵測裝置可設有多組光放射裝置和光偵測器，光 放射裝置和光偵測器的組數可以相同於被存放在匣體本體 部201内的晶圓數目。 光放射裝置294和光偵測器295構件一晶圓偵測裝 置。 因為各個透明窗戶293的相對表面是平坦的，所以光 放射裝置294所射出的光束在光束進入和離開匣體本體部 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 35 L---.-----裝-------訂------妹 (請先閱讀背面之注意事項4填寫本頁) 蝴6 A1 B7 五、發明説明（33 ) 201之侧壁的透明窗戶293時不會產生很大的折射。因為沒 有任何架子定置於光放射裝置294的光軸L上，所以光束 能夠以低損失到達光偵測器295，所以是容易確定出當光 束被晶圓W攔截時光偵測器295所提供之信號以及當光束 未被任何晶圓W攔截時光偵測器295所提供之信號之間的 區別的臨界水平" 根據本發明，成層容納在封閉式匣體内的晶圓可不 需打開匣體之蓋體來偵測。 在第三實施例之實例1至實例7的各個例子中，晶圓 偵測裝置和匣體構成一晶圓偵測系統。在第三實施例之實 例1至實例7的晶圓偵測系統可以使用於第二實施例’取代 關於第二實施例所述之晶圓偵測系統。 L-J ·· I Γ— II - - —[ — J (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) <11 it. 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 36 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 經濟'邵中央標準局員工消費合作社印製 411546 — B7 五、發明説明（34 ) 元件標號對照表 S1 工作區 S2 裝載區 Α1至Α13 端子或電極 B 普通端子 1 封閉式匣體 3 匣體 4 匣體架台 5 開關 6 蓋體操作單元 8 晶圓傳送機構 10 匣體本體部 10a 蓋體 11 壁 12 匣體座台 13 門 15 門操作機構 16 傳送機構 17 晶圓舟皿 18 熱處理爐 21 壁 21a 開口 22 氣體供應管 23 排氣管 30 架子 31 匣體本體部 32 蓋體 33 開口 34 錄匙孔 35 鑰匙 36 定位凹部 40 匣體存放結構 41 桌台 41a 定位突出部 42 桌台支撐基座 43 導軌 44 床台 51 致動器 60 門 61 門操作機構 62 舉升單元 62a 舉升桿 63 水平基座 64 鑰匙操作機構 71 熱處理爐 -----------^------ΐτ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） 37 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 411546五、發明説明（35 ) 72 晶圓舟皿 81 支撐臂 103 匣體存放結構 105 光學感測器 107 長形部份 121 匣體桌台 122 架子 123 匣體本體部 125 蓋體 127 鑰匙 132 導軌 134 傳送臂 141 晶圓舟孤 143 匣體座台 145 門 150 控制器 152 光偵測器 201 匣體本體部 203 光學感測單元 204a 連接器 206 電容感測器 208 橡膠墊 211 開口 213 凹部 A7 B7 73 晶圓舟孤升降器 102 匣體傳送單元 104 裝載區 106 晶圓傳送機構 120 匣體 121a 舉升機構 122a 間隙 124 開口 126 鑰匙孔 131 匣體傳送機構 133 舉升本體 140 熱處理爐 142 前壁 144 開口 146 門操作機構 151 光放射裝置 200 匣體 202 蓋體 204 光導引構件 205 可壓縮橡膠墊 207 電極或端子 210 匣體本體部 212 架子 217 架子 ί請先閱讀背面之注意事項蒋填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨ΟΧ 297公茇） 38 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 ^11546 A7 B7 五、發明説明（36 ) 222 鑰匙 223 基座本體 231 光放射部份 232 光接收部份 240 突出部 241 光傳送構件 242 光傳送構件 243 光學感測單元 244 光導引構件 245 光導引構件 246 光導引構件 248 光偵測器 249 信號處理單元 249a 信號纜線 250 信號處理單元 251 顏色感測裝置 270 電阻測量裝置 271 測量裝置 272 開關組 273,274 連接器 280 缺口 282 固持構件 283 銷 285 光放射裝置 286 光偵測器 292 空間 293 窗戶 294 光放射裝置 295 光偵測器 296 信號處理單元 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 裝 踩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2〗0X297公嫠） 39

Claims (1)

  1. 經濟部中央捸準局真工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種晶圓加工裝置，包含： 一裝載區，一晶圓在該裝載區内從一匣體被傳 送出’該匣體具有匣趙本體部，該匣想本體部具有 一内部空間’保持在約等於大氣壓力的壓力，該匣 餿並具有一用以關閉該匣體本趙部之一開口的蓋 體； 一工作區，藉由_設有一開口的壁而與裝載區 分隔開； 一匣體座台’設置於_對應到該工作區之該壁 的開口的位置，用以支撐該匣體於其上； 一蓋體操作機構，設置於該裝載區内，用以將 該蓋體從該匣趙本趙部移開； 一設有一閥的惰性氣體供應通道，用以供應一 惰性氣體到該裝載區内； 一設於該匣體座台上的匣體偵測單元，用以偵 測定位於該匣體座台上的該匣體；以及 一控制單元，用以根據來自該£體偵測單元的 信號來關閉惰性氣體供應通道之閥，因而操作該蓋 體操作單元以便使蓋體從匣體本體部移開，然後打 開該惰性氣體供應通道的閥。 2. 如申請專利範圍第I項之晶圓加工裝置，其中， 該蓋體操作機構在打開蓋體之後發出代表該蓋 體被打開的信號到該控制單元，該控制單元根據來 自該蓋體操作單元的信號打開該惰性氣體供應通道 本紙張尺度逍用中®國家揉準（CNS ) A4規格（2〗0Χ297公釐） I n .裝 ---訂—-----^L (請先閎讀背面之注意事項再洗寫本頁)
    3, 如申請專利範圍第1項之晶圓加工裝置，其中， 一門被提供來關閉和打開該壁之該開口 β 4, 如申請專利範圍第3項之晶圓加工裝置，其令， 該門被一門操作機構所操作，一用以打開和關 閉蓋體的錄匙操作機構被設於該門，且該門、該門 操作機構和該鑰匙操作機構構成該蓋體操作機構。 經濟部中央棣率局男工消費合作社印製 5, 一種操作晶圓加工裝置的方法，該晶圓加工裝置包 含：一裝載區’ 一晶圓在該裝載區内從—匣體被傳 送出，該匣體具有匣體本體部，該匣體本體部具有 一内部空間’保持在約等於大氣壓力的壓力，該匣 體並具有一用以關閉該匣體本體部之一開口的蓋 體；一工作區，藉由一設有一開口的壁而與裝載區 分隔開；一匣體座台，設置於一對應到該工作區之 該壁的開口的位置，用以支撐該匣體於其上；一蓋 體操作機構，設置於該裝載區内，用以將該蓋體從 該匣體本體部移開；一設有一閥的惰性氣體供應通 道，用以供應一惰性氣體到該裝載區内；一設於該 匣體座台上的匣體偵測單元，用以偵測定位於該匣 體座台上的該匣體；以及一控制單元，用以根據來 自該匣體偵測單元的信號來關閉惰性氣體供應通道 之閥，因而操作該蓋體操作單元以便使蓋體從匣體 本體部移開，然後打開該惰性氣體供應通道的閥； 該方法包含下列步騍： 本纸張尺度適用中國國家捸準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 411546 bI • C8 ___ D8 申請專利範圍 打開閥以供應該惰性氣體到該裝載區，以便設 定該裝載區在一相同或大於大氣壓力的壓力； 安裝該匣體於該匣體座台上，根據來自匣體積 測單元的信號關閉該惰性氣體供應通道的閥，以及 設定該裝載區於實質上相同於大氣壓力的壓力； 用該蓋體操作機構將該蓋體從該匣體本體部移 出，以便打開該匣體本體部的内部通往該裝載區； ‘打開該惰性氣體供應通道的閥，以設定該裝載 區的壓力相同或大於大氣壓力。 6. —種晶圓加工襞置，包含： 一裝載區，一晶圓在該裝載區内從一匣體被傳 送出，該匣體具有匣體本體部，該匣體本體部具有 一内部空間，保持在約等於大氣壓力的壓力，該匣 體並具有一用以關閉該匣體本體部之一開口的蓋 體； 一工作區，藉由一設有一開口的壁而與裝载區 分隔開； 一匣體座台，設置於一對應到該工作區之該壁 的開口的位置，用以支撐該匣體於其上；以及 一設置於該工作區内的晶圓偵測裝置，用以從 匣體外部偵測容納在該匣體内的一晶圓。 7. 如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其果包含： 一設置於該晶圓偵測裝置和該匣體座台之間的 匣體存放結構，用以暫時堆放一匣體；及 良紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公着） -4 9,- ------------裝------ΤΓ-------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 411546 經濟部中央榇準局員工消費合作杜印袈
    -匣體傳送機構’用以在該晶圓偵測裝置、該 度趙存放結構和該S艘座台之間傳送該g體。 8. 如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其中， 該晶圓偵測裝置包含： 一匣體桌台，用以支撐該匣體於其上； 一光放射裝置，用以朝被支撐於該匣體桌台上 之該E體的E趙本體部放射一光束，以及一光感測 器，用以接收該光放射裝置放射出的光束，及 一舉升機構，用以相對於該光放射裝置和該光 感測器垂直移動在該匣體桌台上的該匣體；且 該匣體本體部具有一由透明材料製成之透明部 份。 9. 如申請專利範圍第8項之晶圓加工裝置，其中， 該匣體本體部設置有一用以支撐晶圓的架子’ 且一間隙係形成於該架子對應到該匣體本體部之透 明部份的一部份。 10·如申請專利範圍第8項之晶圓加工裝置，其中， 該匣體本體部之透明部份的外表面是平滑且平 坦的。 11.如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其中， 該晶圓偵測裝置包含： 一用以支撐一匣體於其上的匣體桌台；果 設置於該匣體桌台的重量測量裝置，用以測量 匣體之重量，以根據所測得之匣體重量確知容納在 :裝· (請先聞讀背面之注_項再填寫本頁) !率 * ! - I n^i f^i 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（2ΙΟΧ297公釐} 經濟部中央標準局員工消費合作社ep製 A8 B8 C8 _______ D8 六、申請專利範圍 該匣體内之晶圓數目。 12·如申請專利範園第6項之晶圓加工裝置，其中， 凹部係形成於該匣體本體部之侧壁上， 該晶圓偵測裝置具有一光放射裝置和一光偵測 器，他們被放置於該等凹部内，及 該匣體本體部具有一由透明材料製成之透明部 份0 13. 如申請專利範圍第12項之晶圓加工裝置，其中， 該匣體本體部在内部提供有用以支撐晶圓的架 子’該等架子係互補於該等凹部β 14, 如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其中， 該晶圓偵測裝置包含： _用以傳送放射光束的第一内部光傳送構件， 及一用以傳送接收光束的第二内部光傳送構件，第 和第二内部光傳送構件係設置於該匣體本體部 内，並分別設置於一用以支撐晶圓的架子的相對 側；及 —用以傳送放射光束的第一外部光傳送構件， 及—用以傳送一接收光束的第二外部光傳送構件， 第和第二外部光傳送構件係設置於該匣體本體部 的外部，以便分別連接到第一内部光傳送構件和該 第二内部光傳送構件。 15_如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其中， 該晶圓偵測裝置包含： 本紙張 . ---------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 411546 經濟部中央梂準局员工消費合作社中製 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範園 一可壓縮彈性構件，連結到該蓋體的内表面並 可當被支撐於該匣體本體部之架子上的晶圖施加壓 力於其上時改變顏色；以及 一顏色偵測裝置，用以偵測已經改變顏色之可 壓縮彈性構件的部份。 16. 如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其中 該晶圓偵測裝置包含一設置於該匣體外部的電 容感測器，並可測量該匣艘内的電容。 17. 如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其中 該晶圓偵測裝置包含： 一對電極，設置與晶圓之直徑相對的部份相接 觸；以及 電阻測量裝置’用以測量越過該對電極的電阻。 18·如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其中 該晶圓偵測裝置包含： 一彈性構件’固持於該蓋體之内表面上，並可 當該彈性構件被晶圊推壓時變形； 一指示構件，當該彈性構件對應到該指示構件 的部份變形時’該指示構件可從該蓋體的外表面突 出；以及 一指示構件偵測單元’設置於該匣體的外部， 用以偵測從該蓋體的外表面突伸出的該指示構件β 19.如申請專利範圍第6項之晶圓加工裝置，其中 該匣體本體部設置有一架子用以支撐一晶圓於 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（2丨ΟΧ297公釐） ----：--------- (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 訂- I- ί ί I . A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 其上；以及 該晶圓偵測裝置包含： —光放射裝置，用以朝該匣體本體部之未支撑 有晶圓的端部份放射一光束，以及 一光偵測器，用以接收該光放射裝置所發出的 光束；且 該匣體本體部的該端部份由透明材料製成。 20. —種晶圓偵測系統，包含 一用以容納晶圓的匣體，該匣體具有一匣體本 體部，該匣體本體部具有一内部空間，保持在約等 於大氣壓力的壓力，該匣體並具有一開口以及一用 以關閉該開口的蓋體；以及 一晶園偵測裝置，用以從匣體外部偵測容納 在該匣體内的晶圓。 21. 如申請專利範圍第20項之晶圓偵測系統，其中該 晶圓偵測裝置包含： 一用以支撐該匣體的匣體桌台， 一光放射裝置，用以朝被支撐於該匣體桌台上 的匣體的匣體本體部發出一光束，以及一用以接收 該光放射裝置放射出的光束的光偵測器，及 一舉升機構，用以相對於該光放射裝置和該光 偵測器垂直移動支撐於匣體桌台上的匣體；以及 該匣體本體部具有由透明材料製成之透明部 份。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4规格（210 X 297公嫠） H— «—^1 ^^^1 · ί ^ I n,-i II - I ! , n I (請先閲讀背面之注意事項再.填寫本頁) 經濟部中夬標準局貝工消費合作社印製 -46- 411546 8888 ABCD 六、申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 22. 如申請專利範圍第2〇項之晶圓偵測系統，其中 該匣體本體部設有一用以支撐晶圓的架子以及 一形成於架子對應於該匣體之透明部份的部份。 23. 如申請專利範圍第2〇項之晶圓偵測系統，其中 該匣體本翘部的透明部份的外表面是光滑且平 坦。 24_如申請專利範圍第20項之晶圓偵測系統，其中 該晶圓偵測裝置包含： 一匣體桌台，用以支撐該匣體於其上，以及 重量測量裝置，設置於匣體桌台上，用以測量 該匣體的重量，根據所測得之匣體重量確知容納在 該匣體内的晶圓數目。 25,如申請專利範圍第2〇項之晶圓偵測系統，其中 凹部形成於該匣體本體部的側壁上， 該晶圓偵測裝置具有被放置於該等凹部中的— 光放射裝置和一光偵測器，以及 該匣翘本體部具有由透明材料製成之一透明部 份。 26‘如申請專利範圍第20項之晶圓偵測系統，其中 該匣體本體部内部設有用以支撐晶圓的架子， 該等架子係互補於該等凹部。 27.如申請專利範圍第20項之晶圓偵測系統，其中 該晶圓偵測裝置包含： 一用以傳送放射光束的第一内部光傳送構件， 私紙浪尺度適用十國國家椟準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） ί---”------t------IT-------ή (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 47 - 經濟.部中央標準局貝工消費合作社印31 4^1546 As B8 C8 --------- D8 六、申請專利範圍 ---- 及—用以傳送接收光束的第二内部光傳送構件，第 一和第二内部光傳送構件係設置於該匣體本體部 内，並分別設置於一用以支撐晶圓的架子的相對 側；及 一用以傳送放射光束的第一外部光傳送構件， 及用以傳送一接收光束的第二外部光傳送構件， 第一和第二外部光傳送構件係設置於該匣體本體部 的外部，以便分別連接到第—内部光傳送構件和該 第二内部光傳送構件* 28. 如申請專利範圍第2〇項之晶圓偵測系統，其中 該晶圓偵測裝置包含： 一可壓縮彈性構件，連結到該蓋體的内表面並 可當被支撐於該匣體本體部之架子上的晶園施加壓 力於其上時改變顏色；以及 一顏色偵測裝置，用以偵測已經改變顏色之可 壓縮彈性構件的部份。 29. 如申請專利範圍第20項之晶圓偵測系統，其申 該晶圓偵測裝置包含一設置於該匣體外部的電 容感測器，並可測量該匣體内的電容。 30·如申請專利範圍第20項之晶圓偵測系統，其中 該晶圓偵測裝置包含： 一對電極，設置與晶圓之直控相對的部份相接 觸；以及 電阻測量裝置，用以測量越過該對電極的電阻》 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Λ4規格ί 210X297公釐）
    A8 B8 C8 ^_______D8 申請4^® ^ 如申清專利範圍第2 0項之晶圓伯測系統，其中 該晶圓偵測裝置包含： 一彈性構件，固持於該蓋體之内表面上，並可 當該彈性構件被晶圓推壓時變形； 一指示構件，當該彈性構件對應到該指示構件 的部份變形時，該指示構件可從該蓋體的外表面突 出；以及 一指示構件偵測單元’設置於該匣體的外部， 用以偵測從該蓋體的外表面突伸出的該指示構件。 32.如申請專利範圍第2〇項之晶圓偵測系統，其中 該匣體本體部設置有一架子用以支撐一晶圓於 其上；以及 該晶圓偵測裝置包含： 一光放射裝置，用以朝該匣鱧本體部之未提供 有架子的端部份放射一光束，以及 一光偵測器，用以接收該光放射裝置所發出的 光束；且 該匣體本體部的該端部份由透明材料製成。 !..-------^------4?------^ {請先閣讀背面之注意事項再.填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國冢標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐） --49 -
TW087107817A 1997-05-21 1998-05-20 Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system TW411546B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14865097A JPH10321698A (ja) 1997-05-21 1997-05-21 基板処理方法及びその装置
JP16805297A JP3625617B2 (ja) 1997-06-10 1997-06-10 基板処理装置、カセット内の基板検出装置
JP20532297A JPH1131738A (ja) 1997-07-14 1997-07-14 クロ−ズ型基板カセット内の基板の検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW411546B true TW411546B (en) 2000-11-11

Family

ID=27319592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087107817A TW411546B (en) 1997-05-21 1998-05-20 Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6390754B2 (zh)
KR (1) KR100472341B1 (zh)
TW (1) TW411546B (zh)

Families Citing this family (315)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6041488A (en) * 1996-04-16 2000-03-28 Seagate Technology, Inc. Semi-automated media rework process
US6283692B1 (en) 1998-12-01 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for storing and moving a cassette
US6763281B2 (en) * 1999-04-19 2004-07-13 Applied Materials, Inc Apparatus for alignment of automated workpiece handling systems
US6612797B1 (en) * 1999-05-18 2003-09-02 Asyst Technologies, Inc. Cassette buffering within a minienvironment
US6506009B1 (en) * 2000-03-16 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for storing and moving a cassette
KR100741186B1 (ko) * 2000-08-23 2007-07-19 동경 엘렉트론 주식회사 피처리체의 처리시스템
JP3581310B2 (ja) * 2000-08-31 2004-10-27 Ｔｄｋ株式会社 防塵機能を備えた半導体ウェーハ処理装置
KR100410991B1 (ko) * 2001-02-22 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 로드포트
JP5051948B2 (ja) * 2001-05-30 2012-10-17 株式会社ダイヘン カセット搬送方法及びカセット搬送システム
JP3627697B2 (ja) * 2001-11-16 2005-03-09 日本電気株式会社 パケットの宛先検索システム
US7134826B2 (en) * 2001-11-28 2006-11-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer apparatus, substrate processing apparatus and holding table
US7431585B2 (en) * 2002-01-24 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for heating substrates
JP2004103990A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US7537425B2 (en) * 2002-12-30 2009-05-26 Tdk Corporation Wafer processing apparatus having dust proof function
JP2005026513A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 処理装置
KR20060095951A (ko) 2003-09-25 2006-09-05 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 기판의 제조 방법
US7214027B2 (en) * 2003-10-16 2007-05-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer handler method and system
TWI367192B (en) * 2003-11-13 2012-07-01 Applied Materials Inc Calibration of high speed loader to substrate transport system
US6830449B1 (en) * 2004-02-02 2004-12-14 Sis Microelectronics Corporation Injector robot for replacing a gas injector in a furnace
CN103771034B (zh) 2004-08-19 2016-06-29 布鲁克斯自动化公司 容量减小的运载器和使用方法
KR100863011B1 (ko) * 2004-09-15 2008-10-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 제조장치 및 반도체장치의 제조방법
US7427571B2 (en) * 2004-10-15 2008-09-23 Asm International, N.V. Reactor design for reduced particulate generation
JP4012189B2 (ja) * 2004-10-26 2007-11-21 Ｔｄｋ株式会社 ウエハ検出装置
JP2006237559A (ja) * 2005-01-28 2006-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TWI463587B (zh) * 2005-07-08 2014-12-01 Asyst Technologies 工件支撐結構及使用該結構之裝置
TW200717689A (en) * 2005-09-14 2007-05-01 Applied Materials Inc Methods and apparatus for a band to band transfer module
KR100702844B1 (ko) * 2005-11-14 2007-04-03 삼성전자주식회사 로드락 챔버 및 그를 이용한 반도체 제조설비
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2009049232A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7791720B2 (en) * 2007-12-31 2010-09-07 Texas Instruments Incorporated Semiconductor manufacturing peripheral verification tool
KR101488649B1 (ko) * 2008-10-07 2015-02-04 가와사키 쥬코교 가부시키가이샤 기판 반송 로봇 및 시스템
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
TWI363030B (en) * 2009-07-10 2012-05-01 Gudeng Prec Industral Co Ltd Wafer container with top flange structure
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5278698B2 (ja) 2009-09-04 2013-09-04 株式会社ダイフク カセット搬送装置
JP5318005B2 (ja) * 2010-03-10 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN105185283B (zh) * 2015-10-23 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 检测装置、基板架、检测基板架上基板位置的方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
JP6425850B1 (ja) * 2017-11-22 2018-11-21 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
CN113725115B (zh) * 2021-08-31 2023-08-29 广东良友科技有限公司 一种led贴片支架裂缝检测提取装置及其检测方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114628292B (zh) * 2022-05-16 2022-07-29 上海果纳半导体技术有限公司武汉分公司 晶圆传输盒

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4895486A (en) * 1987-05-15 1990-01-23 Roboptek, Inc. Wafer monitoring device
US5003188A (en) * 1988-11-18 1991-03-26 Tokyo Aircraft Instrument Co., Ltd. Semiconductor waxer detection system
US5265170A (en) * 1990-01-11 1993-11-23 Hine Design, Inc. Devices and methods for reading identification marks on semiconductor wafers
JPH04345049A (ja) * 1991-05-22 1992-12-01 Mitsubishi Electric Corp ウェハ配列パターン検出装置およびその検出方法
DE4238834A1 (en) * 1991-11-18 1993-05-19 Fusion Systems Corp Robotic semiconductor wafer transporter with vertical photodetector array - scans detectors to determine which slots are occupied by wafers illuminated from emitter on robot arm
KR940006241A (ko) * 1992-06-05 1994-03-23 이노우에 아키라 기판이재장치 및 이재방법
US5636960A (en) * 1992-07-29 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for detecting and aligning a substrate
US5246218A (en) * 1992-09-25 1993-09-21 Intel Corporation Apparatus for securing an automatically loaded wafer cassette on a wafer processing equipment
US5605428A (en) * 1993-03-05 1997-02-25 Jenoptik Gmbh Device for indexing magazine compartments and wafer-shaped objects in the compartments
KR100221983B1 (ko) * 1993-04-13 1999-09-15 히가시 데쓰로 처리장치
US5418382A (en) * 1993-09-23 1995-05-23 Fsi International, Inc. Substrate location and detection apparatus
ATE275759T1 (de) 1995-03-28 2004-09-15 Brooks Automation Gmbh Be- und entladestation für halbleiterbearbeitungsanlagen
US5895191A (en) * 1995-08-23 1999-04-20 Asyst Technologies Sealable, transportable container adapted for horizontal loading and unloading
KR100315007B1 (ko) * 1995-11-22 2002-02-28 이시다 아키라 카세트내의 기판 검출 및 반송장치와 그 방법
JPH09199433A (ja) 1996-01-18 1997-07-31 Kokusai Electric Co Ltd ガスパージボックス
JPH09199432A (ja) 1996-01-18 1997-07-31 Kokusai Electric Co Ltd ガスパージ装置
US5980195A (en) * 1996-04-24 1999-11-09 Tokyo Electron, Ltd. Positioning apparatus for substrates to be processed
US5788082A (en) * 1996-07-12 1998-08-04 Fluoroware, Inc. Wafer carrier
US6068668A (en) * 1997-03-31 2000-05-30 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
JPH10284577A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Tokyo Electron Ltd 被処理基板の移載方法
DE19728478C2 (de) * 1997-07-03 2003-08-21 Brooks Pri Automation Germany Verfahren zur optoelektronischen Erkennung von scheibenförmigen Objekten unter Nutzung derer Stirnseiten
US6010008A (en) * 1997-07-11 2000-01-04 Fluoroware, Inc. Transport module
US6082951A (en) * 1998-01-23 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Wafer cassette load station
EP0987750B1 (en) * 1998-04-06 2006-11-15 Dainichi Shoji K.K. Container

Also Published As

Publication number Publication date
US6390754B2 (en) 2002-05-21
US20010014267A1 (en) 2001-08-16
KR100472341B1 (ko) 2005-07-05
KR19980087424A (ko) 1998-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW411546B (en) Wafer processing apparatus, method of operating the same and wafer detecting system
TW444316B (en) Carrier for carrying semiconductor wafers and method of detecting wafers on carrier
TWI238487B (en) Wafer processing apparatus having wafer mapping function
TW434167B (en) Ergonomic, variable size, bottom opening system compatible with a vertical interface
KR20180025290A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
JPH05136218A (ja) 検査装置
WO2006051577A1 (ja) ロードポート及びアダプタ
JP2006515111A (ja) レチクル取り扱い装置
KR20230021597A (ko) 로드 포트
JP2824421B2 (ja) マガジン内のマガジン棚と、同マガジン棚内に格納されたウェハ状物体とに使用するインデックス装置
TW200305966A (en) Load port, semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing method, and method of detecting wafer adapter
JP4931280B2 (ja) シート状材料の試験方法および装置
KR20180127686A (ko) 반도체 제조설비의 웨이퍼 맵핑장치
JPH08213447A (ja) 被移載体の検出装置
JPH11233595A (ja) 基板傾き検出方法および基板検知装置
JP2641922B2 (ja) 処理装置
JPH1131738A (ja) クロ−ズ型基板カセット内の基板の検出装置
JPH07231031A (ja) 位置検出／案内装置
US20220285180A1 (en) Enclosure system structure
JPH05294405A (ja) 基板検出装置
JPH08148546A (ja) ウェハ配列検出装置
KR20090025754A (ko) 웨이퍼 수납 용기 및 그것에 수납된 웨이퍼 감지 장치 및방법
JPH06338558A (ja) 検出装置及び処理装置
KR20040021427A (ko) 웨이퍼 카세트의 로딩상태 확인수단을 갖는 캐리어
KR102039308B1 (ko) 웨이퍼 감지 장치, 이를 포함하는 웨이퍼 캐리어 로드 포트 및 이를 포함하는 반도체 공정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees