TW300319B - - Google Patents

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______B7 五、發明説明（1 ) 〔產業上之利用領域〕 本發明係關於一種單片式處理裝置。特別是有關對於 被處理體的表面實施成膜處理之單片式處理裝置。 〔先前之技術〕 一般而言，在半導體積體電路的製造工程中，對於半 導體晶元或玻璃基板之類的被處體重複地進行成膜處理及 藉由光蝕刻法形成電路圖案，使得能夠在被處理體上形成 所欲求得之裝置。 使用於成膜處理之處理裝置，係分別有分批式及單片 式兩種◊分批式之處理裝置係可一次處理多數個處理體。 另一方面，單片式之處理裝置係可一次處理一個被處理體 〇 此二種型態的選用，係按照成膜的品質或種類來適宜 地選擇其所需。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 以下，將說明有關使用於半導體晶元之成膜處理的單 片CVD裝置》如圖1所示，CVD裝置1〇係具備有處 理容器1 1。並且，在此處理容器1 1內設置有支持構件 1 2 »在此支持構件1 2的載置面1 3上，係可載置半導 體晶元W。另外，半導體晶元W係可藉由靜電夾頭之類的 固定手段來予以固定之。此外，在此載置面1 3的上方， 係設置有平行且面向於載置面之噴灑頭部1 4。又，來自 處理氣體供給源（圖中未示）的處理氣體，係經由此噴灑 頭部1 4而被供應到處理容器1 1內。 本紙張尺度逋用中國國家標準（〇叫八4規格（210'乂297公釐）_/(_ ~ 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 成膜處理，係於處理容器1 1內維持一定的處理應力 ，且對於晶元w維持一定的處理溫度，然後經由上述的噴 灑頭部14將處理氣體排放到處理容器11內而來進行處 理作業。藉由成膜處理，係可在半導體晶元的表面上形成 由多晶體矽或矽氧化物之類的材料所構成的薄膜。 〔本發明所欲解決的課題〕 在半導體裝置之製造中，爲了要得到電氣特性良好的 裝置，就必須形成具有良好的特性之薄膜。在此些特性之 中最重要的是晶元面上之膜厚必須具有均一的特性。 控制膜厚的參數，係包含有：處理壓力，處理溫度， 處理氣體的供給量，晶元的大小及處理裝置之各部的尺寸 。並且，此些參數並非獨立自主，而是彼此之間具有關連 性。因此，要如何決定最適宜的參數值將是一件極爲困難 之事。一般，爲了要求得最適宜的成膜條件，通常是在各 種的裝置之設計條件及處理條件之下，實際地重複進行處 理，然後綜合其結果而求出最合適的成條件。 現在，對於處理直徑6吋的晶元而言，已經可以獲得 高均一性之膜厚的晶元。但是，近年來在半導體的尺寸方 面，有趨於增大之傾向。若半導體的直徑從6吋擴大到8 吋或1 2吋的話，則使用於6吋晶元的成膜條件將有可能 無法適用。並且，爲了要追求半導體裝置的高稹體化及髙 密度化，必須促使膜厚能夠更薄，更具高品值。但是，若 使用習知之6吋晶元之處理裝置的話，則將難以滿足上述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） L--·-------^-- (請先閱讀背面之注意事項再4:¾本頁) 訂 -5 - 300319 五、發明説明（3 ) 之要求。 本發明之目的，係在於能夠提供一種對於被處理體能 夠進行膜厚均一性良好的成膜處理之單片式處理裝置。 〔用以解決課題之手段〕 爲了解決習知裝置所存在的問題，本發明係提供一種 單片式處理裝置，其特徵係具備有： 進行被處理體的處理之處理容器；及 設置於上述處理容器內，並具有爲了載置上述被處理 體的載置面之支持構件；及 以一定的間隔面對於上述載置面所設置之噴灑頭部； 及 將處理氣體供給至上述噴灑頭部之處理氣體供給手段 :及 設置於上述噴灑頭部之多數個氣體噴出孔；及 對於安裝於上述支持構件的上述支持構件進行加熱之 加熱部； 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 L.--*------Ί-- (請先閲讀背面之注意事項再本頁) 並且，面向於上述噴灑頭部之上述支持構件所形成之 多數個氣體噴出孔之噴出領域的最大長度，係與加熱至引 起上述處理氣體反應的溫度以上之氣體反應領域的最大長 度實質上相同。 此外，爲了解決習知裝置所存在的問題，本發明係提 供一種單片式處理裝置，其特徵係具備有： 進行被處理體的處理之處理容器；及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 6 A7 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 五、 發明説明 ( 4 ) 設 置 於 上 述 處 理 容 器 內 » 並 具 有 爲 了 載 置 上 述 被 處 理 體 的 載 置 面 之 支 持 tM* 構 件 > 及 以 —· 定 的 間 隔 面 對 於 上 述 載 置 面 所 設 置 之 噴 灑 頭 部 » 及 將 處 理 氣 體 供 給 至 上 述 噴 灑 頭 部 之 處 理 氣 Hrffa 體 供 給 手 段 t 及 設 置 於 上 述 噴 灑 頭 部 之 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 » 及 將 上 述 支 持 構 件 分 割成 多 數 個 領域 而 予 以 加 熱 之 多 數 個 加 熱 手 段 及 分 別 地 獨 立 控 制 上 述 多 數 個 加 熱 手 段 之 控 制 手 段 〇 C 發 明 之 實 施 形 態 以 下 參 照 圖 面 來 說 明 本 發 明 之 實 施 形 態 0 第 2 圖 係 表 示 本 發 明 之 單 片 式 處 理 裝 置 之 一 實 施 形 態 的 斷 面 圖 〇 此 實 施 形 態 的 處 理 裝 置 係 屬 於 一 種 抵 抗 加 熱 方 式 之 單 片 式 熱 C V D 裝 置 〇 此 C V D 裝 置 2 0 係 具 備 有 處 理 容 器 2 1 0 此 處 理 容 器 2 1 爲 氣 密 容 器 係例 如 由 鋁 金 羼 所 構 成 而 形 成 圓 筒 形 或 箱 形 〇 並 且 爲 了 支 持 例 如 半 導 體 晶 元 之 類 的 厚 壁 的 被 處 理 體 時 在 此 處 理 容 器 2 1 內 設 置 有 支 持 構 件 2 2 〇 此 支 持 構 件 2 2 係 介 在 著 例 如 由 不 透 明 石 英 所 構 成 的 斷 熱 材 2 3 而 來 設 置 於 處 理 容 器 2 1 的 底 部 之 上 〇 圖 3 係 表 示 顯 示 於 refi 圖 2 的 C V D 裝 置 2 0 之 支 持 構 件 2 2 近 傍 的 部 份 之 斷 面 圖 0 如 圖 3 所 示 支 持 構 件 係 具 備 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 i裝 頁 7 - B7 五、發明説明（5 ) 有支持構件主體2 4(811806口1：01'1113丨111)0(17)。此支持構 件主體2 4係形成約圓柱狀’並且在其下面的中央部形成 有凹部2 5。支持構件主體2 4係例如由熱傳導性良好之 硼氮化物材料所構成’並且使用pyrolytic boron nitride及石英來包覆於其表面。此支持構件2 2的厚度 爲1 0〜3 0 cm，其直徑要比半導體晶元W的直徑大約 5 〜2 0 c m 〇 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 在支持構件主體2 4的上面，亦即支持構件2 2的載 置面2 2 A上設置有用以作爲將被處理體固定至所定位置 之手段的靜電夾具2 6。此靜電夾具2 6係由；在表面設 置有絕緣膜之一對的碳製電極2 6 A及2 6 B所構成。此 靜電夾具2 6的電極2 6A及2 6 B係如圖2所示，係經 由開關2 8來連接於直流電源2 7。亦即，此實施形態之 靜電夾具2 6係使用雙電極型者。如此的構成所形成之靜 電夾具2 6 ，若啓動開關2 8的話，則髙壓直流電流係從 直流電源2 7施加電流到電極2 6A及2 6 B，促使電源 2 6 A及2 6 B之間產生庫倫電力，藉此庫倫電力，使得 靜電夾具2 6能夠夾持半導體晶元W。 如圖3所示，支持構件2 4係設置有加熱手段2 9。 另外，如圖4所示，加熱手段2 9係分別設置有第1〜第 3加熱手段。第1加熱手段2 9 A係設置於支持構件主體 2 4的下面之略中央部，且形成圓盤狀。第2加熱手段 2 9 B係與第1加熱手段2 9 A同中心點，而形成一環狀 形’亦即在第1加熱手段2 9A與第2加熱手段2 9 B之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ~ -Ο - A7 B7 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 五、 發明説明 ( 6 ) 1 間 取 有 一 定 的 間 隔 9 而 使 得 第 2 加 熱 手 段 2 9 B 能 夠 圍 繞 1 1 著 第 1 加 熱 手 段 2 9 A 的 方 式 來 予 以 設 置 〇 又 » 第 3 加 熱 1 I 手 段 2 9 C 係 以 約 圓 筒 狀 來 設 置 於 支 持 構 件 主 體 2 4 的 側 1 I 壁 面 〇 並 且 t 第 1 第 3 加 熱 手 段 2 9 A 2 9 C 係 藉 由 請 先 閱 1 1 薄 板狀 的 碳 材 料 之 類 的 抵 抗 發 熱 體 所 構 成 〇 背 1 第 1 第 3 加 熱 手 段 2 9 A 2 9 C 係 分 別 連 接 於 不 1 I * 1 1 同 的 加 熱 手 段 驅 動 部 3 0 A 3 0 C 0 並 且 加 熱 手 段 驅 事 項 1 I 再 1 1 動 部 3 0 A 3 0 C 係 連 接 於 由 微 電 腦 所 構 成 的 中 央 控 制 % 本 〜 1 部 3 1 〇 頁 1 I 此 外 在 支 持 構 件 2 4 的 外 周 設 置 有 2 靥 圓 筒 形 的 斷 1 I 熱 材 3 2 3 3 〇 並 且 在 支 持 構 件 2 2 的 上 面 側 經 由 1 1 | 支 持 構 件 2 2 的 外 周 部 上 端 及 斷 熱 材 3 2 3 3 的 上 端 ♦ 1 訂 I 然 後 沿 著 支 持 構 件 2 2 的 周 方 向 設 置 有 環 狀 的 斷 熱 材 3 4 1 1 〇 此 斷 熱 材 3 4 係 由 不 透 明 石 英 所 構 成 且 形 成 能 夠 予 以 1 1 分 割 0 又 斷 熱 材 3 4 的 上 面 與 半 導 體 ruz. 晶 元 W 的 上 面 係 設 1 1 定 爲 同 一 高 度 〇 藉 此 可 以 防 止 經 由 噴 灑 頭 部 3 5 在 供 給 1 處 理 氣 體 時 處 理 氣 體 ΠαΖ. 產 生 偏 流 之 情 況 發 生 0 1 I 又 支 持 JMt 構 件 2 2 係 具 備 有 在 載 置 面 2 2 A 與 晶 元 1 1 搬 送 臂 之 間 傅 遞 半 導 體 晶 元 W 之 3 根 的 推 桿 ( 圖 中 未 示 ) 1 1 1 又 » 在 處 理 容 器 2 1 的 上 部 設 置 有 噴 灑 頭 部 3 5 〇 此 1 1 1 噴 灑 頭 部 3 5 係 對 向 且 平 行 於 上 述 支 持 構 件 2 4 的 載 置 面 1 1 2 2 A 〇 並 且 > 噴灑 頭 部 3 5 係 由 鋁 金 靥 來 構 成 兩 端 形 成 1 I 閉 塞 之 約 圓 筒 狀 的 框 體 〇 此 外 如 圖 5 所 示 » 在 此 噴 灑 頭 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -9 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 300319 ab] 五、發明説明（7 ) 部3 5的內部設置有形成同心圓狀的間隔壁3 6 A及 36B，並且予以分割成3個氣體室37A，37B， 37C。另外，如圖2所示，此氣體室37A〜37C係 分別獨立連接有氣體供給管38，39，40。又，這些 氣體供給管38，39，40係爲了供應S iH 4氣體及 A r氣體等之處理氣體，而藉由分岐管來分別地連接於氣 體供給源41 ，42，43。並且，在氣體供給管38， 39 ，40與氣體供給源41 ，42，43之間，設置有 分別對應於各氣體供給管38，39，40的流置控制器 44A〜44C。又，這些流量控制器44A〜44C係 可個別地管理氣體供給管3 8，3 9，4 0之氣體的供給 量。再者，於氣體供給源41 ，42，43的氣體之输出 側，係設置有能夠統舌控制氣體供給管38，39，40 的氣體供給量之開閉閥4 5A〜4 5 C。 又，在噴灑頭部3 5的外緣部近傍係設置有間隔壁 4 6，藉此形成冷卻罩4 7 »此冷卻罩4 7係連接有供應 如水等之冷媒的裝置（圖中未示）。藉由冷卻罩47*來 冷卻噴灑頭部3 5，例如在不進行成膜作業時將噴灑頭部 冷卻至6 0 °C以下。 又，在噴灑頭部3 5的下部，亦即面對於支持構件 2 2的載置面2 2A的部分，形成有使供應至上述氣體室 3 7 A〜3 7 C的處理氣體噴出之多數個氣體的噴出孔 48。氣體噴出孔48的直徑爲0. 5〜3mm左右，具 體而言爲2mm。圖5係表示噴灑頭部3 5的下面之平面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 77

-IU (請先閱讀背面之注意事項再^寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7_^_ 五、發明説明（8 ) 圖。在噴灑頭部3 5的下面之氣體噴出孔4 8係形成密集 的井字形。行列方向的道些氣體噴出孔4 8之間的距離爲 5〜1 Omm，具體而言爲8mm，幾乎形成均一的距離 。因此，氣體噴出孔4 8係以在氣體噴出領域內之每一單 位面積的開口率實質上相同之方式來予以形成。換句話說 ，氣體噴出孔4 8係以在氣體噴出領域內之每一單位面積 的數目實質上相同之方式來予以形成。 又，形成噴灑頭部3 5的下面之氣體噴出孔4 8的領 域（以下稱爲氣體噴出領域）之直徑Li，係與藉由上述 之第1〜第3加熱手段2 9 A〜2 9 C來對於支持構件 2 2加熱至引起原料氣體反應之溫度以上的空間領域（以 下稱爲氣體反應領域）4 9的直徑L 2相同。此氣體反應 領域4 9的直徑1^2相當於第3加熱手段2 9 C的外徑， 因此相當於支持構件2 2的外徑。對於此實施例而言，係 設定：1-1=12=20. 5mm。 在此，支持構件2 2及噴灑頭部3 5之水平斷面旳形 狀皆爲圓形，因此氣體噴出領域及氣體反應領域也皆爲圓 狀。所以，氣體噴出領域及氣體反應領域的直徑Li及 L2，係可謂在此些領域中爲最大長度。 另一方面，在處理容器2 1的底部設置有底部冷卻罩 50，該冷卻罩50內流動著冷卻水。藉由冷卻罩50， 使得處理容器21的底部可以被冷卻到不接受成膜之溫度 。並且，在處理容器2 1的側壁設置有；在搬入及搬出晶 元W時會進行開閉動作之門閥5 1 »又，在處理容器2 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ,, -11 - (請先閲讀背面之注意事項再於寫本頁) •裝. 訂 泉 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五 發明説明 ( 9 ) 1 設 置 有 連 接 於 真 空 泵 ( 圖 中 未 示 ) 之 排 氣 □ 5 2 〇 1 1 以 下 9 將 說 明 有 關 由 以 上 所述 之 構 成 所 形 成 之 C V D 1 | 裝 置 2 0 的 動 作 〇 1 I 對 於 此 C V D 裝 置 2 0 而 言 » 因 爲 支 持 構 件 2 2 的 熱 請 kj 閱 1 I 容 量 較 大 之 故 9 所 以 難 以 迅 速 地 進 行 溫 度 之 昇 降 0 在 此 9 背 面 1 | C V D 裝 置 2 0 之 運 轉 中 » 係 施 加 電 流 至 第 1 加 熱 手 段 9 之 注 棄 1 1 而 來 加 熱 支 持 Igtht 構 件 2 2 〇 項 1 I 再 1 I 依 照 事 先 設 定 的 程 式 經 由 門 閥 5 1 利 用 搬 送 壁 ( 也- % 太 ，1 裝 圖 中 未 示 ) 將 從 寄 存 室 ( 圚 中 未 示 ) 搬 運 來 的 半 導 體 晶 元 頁 1 1 W 搬 入 處 理 室 2 1 內 0 然 後 再 將 半 導 體 晶 元 W 載 置 於 支 1 I 持 構 件 2 2 的 載 置 面 2 2 A 之 所 定 的 位 置 〇 在 此 從 直 流 1 I 電 源 2 7 將 髙 壓 直 流 電 流 施 加 於 靜 電 夾 具 2 6 之 一 對 的 碳 1 訂 | 電 極 2 6 A 及 2 6 B 使 得能 夠 藉 由 碳 電 極 2 6 A 及 1 1 1 2 6 B 之 間 所 產 生 的 庫 倫 電 力 來 夾 持 晶 元 W 0 1 1 又 將 半 導 體 晶 元 W 載 置 於 支 持 構 件 2 2 的 上 面 之 狀 1 1 態 下 使 晶 元 W 的 溫 度 維 持 於 —· 定 的 加 工 溫 度 ( 例 如 約 1 6 5 0 °C ) 然 後 從 噴 灑 頭 部 3 5 將 用 以 作 爲 載 流 氣 體 的 1 I Μ 氣 及 用 以 作 爲 原 料 氣 體 的 S i Η 4氣體供應至處理容器 1 2 1 內 之 後 再 使 處 理 容 器 2 1 內 之 壓 力 保 持 於 — 定 的 加 1 1 X 壓 力 ( 例 如 約 1 0 T 0 r r ) 〇 藉 此 半 導 體 晶 元 W 的 1 表 面 將 會 形 成 多 結 晶 矽 膜 0 1 1 又 在 完 成 所 定 枚 數 的 半 導 體 晶 元 W 的 處 理 之 後 除 1 1 去 附 著 於 處 理 容 器 2 1 內 之 薄 膜 » 並 且 爲 了 防 止 微 粒 子 塵 1 1 埃 等 的 產 生 而 進 行 清 潔 作 業 e 亦 即 將 清 潔 用 的 暫 置 晶 元 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1n

-1Z B7 五、發明説明（l〇 ) 放置於支持構件2 2的載置面2 2 A上面之後，從噴灑頭 部3 5將用以作爲清潔氣體之用的C 1 F3氣體供應到處 理容器2 1內。此清潔作業係定期的進行。並且，在進行 清潔作業的同時，藉由噴灑頭部3 5的冷卻罩4 7及處理 容器2 1的底部之冷卻罩5 0，來使得噴灑頭3 5及處理 容器2 1的底部之溫度，保持在不會使此底部產生薄膜之 一定的溫度。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在上述之成膜處理的工程中，CVD裝置2 0之噴灑 頭部3 5的下面之氣體噴出領域的直徑Li係設定爲與氣 體反應領域4 9的直徑L 2相同。此外，藉由第1加熱手 段2 9 A〜2 9 C來對於半導體晶元W加熱至所定的加工 溫度的同時，供應原料氣體，而使其引起成膜反應之領域 ，係於藉由第1加熱手段2 9 A〜2 9 C所被加熱之支持 構件2 2的上面之領域的範圍之內。因此，藉由使直徑 Li和L 2相同之方式，亦即若利用使供給處理氣體的領域 與氣體反應領域4 9相同之方式的話，則將可以令在進行 成膜工程中之每一單位面積的氣體供給量與氣體消费量實 質上相同。其結果，將能夠提昇半導體晶元W在成膜時之 膜厚的均一性。在此，氣體噴出領域的直徑L 1與氣體反 應領域的直徑L 2未必一定要完全相同，只要其差值在 ±5%的範圍內即可》 以下，將說明有關爲了證明氣體噴出領域的直gL1 與氣體反應領域4 9的直徑L 2相同時，與成膜後之膜厚 的均一性之間的關係，所進行的模擬實驗之結果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - 五、發明説明（11 ) 此模擬實驗’係假設爲如圖7所示之圓筒軸對稱模型 °此模型係將噴灑頭部3 5與晶元W之間的間隔G設定爲 4 Omm。並且，其製程條件如以下所述。 處理氣體：S i Η 4 載流氣體：Η 2 成膜材料：多結晶矽膜 處理氣體濃度：2voL. % 壓力：665Pa(5Torr)

流置：500SCCM 加工溫度：600〜800 °C 並且’加工溫度係在晶元W的面內形成均一狀態。 X ’將此模型之噴灑頭部3 6的氣體噴出領域之直徑 分別地變更爲280，216，200，及184 ( mm)等之四種的直徑。另一方面，將相當於此模型之氣 體反應領域的直徑L2之晶元的直徑設定爲2 0 0mm。 圖8〜11係表示使用如上述之模型的各直徑Li來 進行模擬測試時，處理氣體濃度分佈之結果。另外，圖 12係表示分別使用各直徑Li所測試後之膜厚的分佈。 從其結果可以得知，氣體噴出領域的直徑Li與氣體 反應領域的直徑L 2相同的情況時，亦即如圓1 0所示之 情況時，成膜後之晶元面內的膜厚之均一性最佳•其原因 乃在單片式的CVD裝置之製程壓力爲高壓所致，亦即如 圖1 3所示，氣體的流速極爲緩慢，使得氣體的擴散速度 對於氣體的分佈帶來正面的影響。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閱 讀 背 I 事 項

訂 經濟部中央棣準局員工消費合作社印製 —14 一 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（i2 ) 又，此實施形態的CVD裝置2 0，係如以上所述， 在噴灑頭部3 5的下面形成有井字形密集之氣體噴出孔 4 8。此些氣體噴出孔4 8之間的距離幾乎形成一致》因 此，氣體噴出孔4 8係以每一單位面積的開口率相同之方 式來予以形成。藉此，從氣體噴出孔4 8所被噴出之氣體 的供應量，係於晶元W的面內形成均一狀態。其結果，將 能夠提昇半導體晶元W在進行成膜時，晶元W的表面之膜 厚的均一性。 從噴灑頭部3 5來供應氣體時，當氣體被供應至晶元 W的表面之後，晶元W之半徑方向的氣體之流速分佈，係 根據氣體供給口的半徑來決定其分佈。如圖1 4所示，氣 體噴出口的半徑爲r 0，晶元W的半徑爲rw，流量Q爲 所供給氣體的量。在此，rw>rO時從晶元W的中心到 距離r之間的半徑方向的流速U r ，係於r < r 〇的情況 時，若均一地供給至晶元W的面上之每一單位面積的氣體 供給量爲Q e的話，則以下式（1 )之關係將可成立》 Q e = —(1) 在此，若於氣體供給口的流速爲U的話，則下式（2 )將可成立。 因此，由式（1)及（2)可以導出（3)。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS)A4規格（2!0X297公釐）_ a _ (請先閱讀背面之注意事項再本寫本頁) •裝·

、tT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13 ) Q e =U (3) 並且’從r的位置之晶元w的中心所供給之總氣體流 量Qr ，係根據式（4)來予以表示。 Q r =Q e 兀 r 2 = υ π r 2 (4) 在此，通過晶元W的半徑方向之單位面積2 a r的流 量，亦即流速U r係如下式（5 )所示。 τ τ — U 7t r2 1

Up— —1 = ___Τ T r (^ ^ 因此，r<r ο的情況時，半徑方向的流速係以r的 比例增加。 其次’ 1*〇<1*的情況時，氣體將不被供應·因此， 流速U r係如下式（6 )所示。 U 兀 rO2 1 1

Ur= -- = -U rO ?_ (6) 2 兀 r 2 r 因此，流速U r係以r之反比例漸趨於降低》由以上 所述可得知，根據氣體供給口的直徑大小，將可大幅度地 改變氣體的流動狀態。 其次，將對於氣體的流速與氣體-晶元之間的熱傳達 的關係進行考察。當晶元W之面內溫度達到幾乎均一的情 況時，在晶元W上，於半徑方向以一定的流速Ur流動之 氣體與晶元W之間的熱傳達係數h r ，係以下式（7 )及 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） L--·------•裝-- (請先閱讀背面之注意事項再4寫本頁) 訂 _ 16 - 3G〇3i9 五、發明説明（14 ) (8 )來予以表示 A7 B7 h N u λ (7) 在此，h r爲熱傳達係數，λ爲氣體的熱傳導率 夺 — Nur=0.332 (Pr) 3 (Rer)2 (8) 在此，R e = Ue爲雷諾數 Ρ r =普蘭特數（_Prandtl number) N u :努塞爾數（N u s s e 11 n u m b e r ) w :動黏度 由式（7)及（8)可以導出下式（9) 丄 h r =0.332 (Pr)3 ( v )2

U 請 先 閲 讀 背 Λ 之 注 意 事 項 再 填， 寫 本 頁 裝 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 式（9 )中，若流速Ur爲一定值的話，則熱傳達係 數h r係以1//·Γ之比例值漸趨於縮小。因此，在晶元 W的中心及端部的熱傅達係數h r便產生較大的差值。換 句話說，從晶元W的中心朝端部方向之溫度境界層，係逐 漸的增厚。並且，其熱傳達係數的差值，係受到流置的影 響頗大。 但是，若氣體供給口的直徑大於晶元W的直徑時（ r 0 < r )，流速係以r的一次函數增加。因此，式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X25)7公釐） -17 - A7 B7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 ( 15) 1 ( 9 ) 的 Τ' U r / r 及 晶 元 W 面 上 的 熱 傳 達 係 數 h r 係 形 1 1 成 — 定 的 值 〇 換 言 之 晶 元 W 面 上 形 成 均 一 厚 度 的 溫 度 境 界 1 | 層 0 亦 即 Jrrf. 撕 論 是 晶 元 W 的 中 心 或 端 部 的 氣 體 流 量 均 形 成 1 I 同 樣 的 傳 達 係 數 0 請 先 閱 1 | 以 上 的 理 論 ， 係 以 從 氣 體 供 給 □ 所 被 供 nte 應 之 每 單 位 面 讀 背 面 1 積 的 流 置 相 同 爲 前 提 之 下 成 立 〇 因 此 氣 體 供 給 □ 必 須 爲 之 1 1 具 備 有 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 的 噴 灑 頭 部 0 並 且 以 上 所 述 之 事 項 再 1 1 氣 體 噴 出 孔 必 須 在 噴 灑 頭 部 3 5 上 每 一 單 位 面 積 的 開 P 率 填一 寫 本 •v 1 裝 1 形 成 _. 樣 0 上 述 之 說 明 主 要 是 著 重 於 如 何 能 夠 實 現 均 一 頁 1 1 的 溫 度 境 界 層 〇 不 過 若 溫 度 LiV 境 界 層 形 成 均 — 之 狀 態 的 話 * 1 I 則 晶 元 W 面 上 的 速 度 境 界 層 及 濃 度 境 界 層 也 會 隨 之 形 成 均 1 1 I 一 之 狀 態 〇 1 訂 1 在 此 每 一 單 位面 積 的 開 口 率 並 非 — 定 要 完 全 相 同 y 1 1 只 要 誤 差 值 在 土 5 % 的 m 圍 內 即 可 e 1 1 雖 然 在 此 實 施 形 態 中 於 噴 灑 頭 部 3 5 的 氣 體 噴 出 1 1 孔 4 8 係 形 成 密 集 的 井 字 形 但 是 只 要 每 一 單 位 面 積 的 開 1 P 率相 同 其 它 之 排列 形狀皆 可 0 亦 即 如 圖 1 5 所 示 1 I 在 噴 灑 頭 部 1 0 1 的 下 部 同 —· □ 徑 之 氣 體 噴 出 孔 係 於 圓 1 1 1 1 0 2 1 0 5 上 排 列 成 同 心 圓 狀 0 並 且 在 各 圓 1 0 2 1 1 1 1 0 5 之 間 取 有 一 定 的 間 隔 P 〇 又 同 —· 圓 周 上 之 氣 體 1 的 噴 出 孔 9 係 以 相 同 之 間 隔 排 列 於 圓 周 方 向 上 0 1 1 此 外 形 成 於 圓 1 0 2 1 0 5 上 之 氣 體 噴 出 孔 的 數 1 I 巨 » 係 與 圓 1 0 2 1 0 5 的 圓 周 長 形 成 正 比 例 關 係 〇 亦 1 | 即 t 最 內 側 的 圓 1 0 2 的 圓 周 長 爲 L 最 外 側 的 圓 1 0 5 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 10 -18 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A7 __B7五、發明説明（i6 ) 的圓周長爲5 L時，若形成於圚1 0 2上的氣體噴出孔的 數量爲η的話，則形成於圓1 0 5上的氣體噴出孔的數量 爲5 η。 一般而言，支持構件2 2係根據其半徑方向的不同， 而使得放熱量將會有所差異。亦即，支持構件2 2的周緣 部要比其它部位的放熱量來得多。因此，支持構件2 2的 周緣部的溫度要比其它部位來得低。如此放熱量的不平均 ，將是導致晶元W在成膜後之膜厚產生不均一的主要原因 之一。 爲了解決以上所述等之問題，如圖 態之CVD裝置2 0，係於支持構件2 熱材32，33，使得能夠減低來自支 部之放熱量。但是，這樣的構成還是無 件的周緣部與其它部位之放熱量的差異 示，本實施形態之CVD裝置20，係 2 4設置有分割成同心圓狀之第1〜第 〜29C。並且，如圖2所示，在第1 2 9 Α〜2 9 C分別獨立連接有加熱手 30C。又，藉由中央控制部31，可 驅動部30A〜30C。藉此，被分割 區域之支持構件2 2係可藉由中央控制 各各區域進行獨立的溫度控制，進而能 持構件2 2的溫度。 藉由上述之構成，將可以使支持構 3所示* 4的周圍 持構件2 法完全解 。因此， 對於支持 3加熱手 〜第3加 段驅動部 以獨立各 成同心圓 部3 1來 夠更精確 本實施形 設置有斷 2的周緣 除支持構 如圖3所 構件主體 段2 9 A 熱手段 3 0 A〜 加熱手段 狀的3個 分別對於 來控制支 件2 2的周緣部 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 寫 本 頁 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 - A7 B7 經濟部中夾標準局貝工消费合作社印製 五 *發明説明 ( 17) 亦 即 對 應 於 第 3 加 熱 手 段 2 9 C 的 區 域 之 溫 度 > 設 定 爲 比 對 應 於 第 1 加 熱 手 段 2 9 A 及 第 2 加 熱 手 段 2 9 B 之 其 它 區 域 的 溫 度 要 來 得 髙 〇 藉 此 9 能 夠 使 支 持 構 件 2 2 的 中 央 部 的 溫 度 稍 微 高 於 周 緣 部 之 方 式 來 調 整 溫 度 的 分 佈 0 因 此 對 於 支 持 構 件 2 2 的 周 緣 部 而 言 具 有 補 償 溫 度 之 效 果 亦 即 能 夠 調 整 因 支 持 構 件 2 2 的 周 緣 部 及 中 央 部 之 放 熱 量 的 差 異 所 引 起 晶 元 W 面 之 溫 度 的 不 均 一 進 而 可 以 提 昇 晶 元 W 在 進 行 成 膜 時 之 膜 厚 的 均 一 性 0 此 實 施形 態 係 將 支 持構 件 2 2 分 別 成 3 個 區 域 來 予 以 加 熱 9 但 是 藉 由 加 熱 手 段 之 數 量 的 增 加 也 可 以 分 割 成 更 多 的 區 域 ( 4 或 5 區 域 ) 來 予 以 加 熱 0 此 情 況 將 能 夠 對 於 支 持 構 件 2 2 的 溫 度 控 制 得 更 精 確 〇 又 分 別 在 對 irte 應 於 第 1 第 3 加 熱 手 段 2 9 A 2 9 C 的 區 域 設 置 有 熱 電 偶 使 得 能 夠 檢 測 出 各 區 域 的 溫 度 0 另 外 如 圖 3 所 示 在 此 實 施 形 態 之 C V D 裝 置 2 0 之 支 持 構 件 主 體 2 4 的 周 緣 部 設 置 有 比 其 中 央部 來得 厚 之 腳 部 2 4 A 並 且 以 能 夠 覆 蓋 此 腳 部 2 4 的 側 壁 面 之 方 式 來 設 置 第 3 加 熱 手 段 2 9 C 〇 藉 此 可 以 增 大 第 3 加 熱 手 段 2 9 C 的 安 裝 面 稹 而 促 使 加 注 於 支 持 構 件 主 體 2 4 的 腳 部 2 4 A 之 熱 量 要 比 其 中 央 部 來 得 多 ο 同 時 支 持 構 件 主 體 2 4 的 腳 部 2 4 A 的 熱 容 量 也 比 起 中 央 部 要 來 得 大 0 如 此 來 便 可 以 減 低 在支 持 構 件 2 2 的 周 緣部 之 放 熱 量 > 且 能 夠 彌 補 在 支 持 構件 2 2 之 周 緣 部 的 放 熱 所 引 起 的 熱 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 Φτ 一. % 焚 本木 頁 -20 - A7 B7 五、發明説明（18) 損失。 請 先 閲 讀 背 1¾ ί 事 項 再 ύ 一 I裝 頁 此外，在此實施形態之CVD裝置2 0中，藉由使支 持構件主體2 4之中央部的厚度L 3相同於腳部2 4 A的 厚度L4，及藉由縮小接觸於斷熱材2 3的腳部2 4之底 面的面積，將能夠減低在腳部2 4的熱損失。 如圇5所示，此實施形態之CVD裝置2 0之噴灑頭 部3 5的內部，係以同心圓狀分割成3個氣體室3 7A〜 3 7 C，而且各氣體室3 7A〜3 7 C係可分別獨立供應 處理氣體。並且，各處理室3 7 A〜3 7 C之處理氣體的 供給量，係可藉由流量控制器4 4A〜4 4 C分別地予以 獨立控制。因此，能夠將處理容器2 1內的氣體反應領域 訂 -Hi 4 9劃分爲3個區域，且可以改變每一區域之氣體的供給 量來供應所需之處理氣體。其結果，不同於內部未區分之 習知構造的噴灑頭部，亦即，因爲本發明可以任意地改變 每一區域對於晶元W之每一單位面積的氣體供給量，所以 對於各種的製程及成膜條件均能夠進行均一性佳的成膜作 業。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 對於上述之實施形態而言，雖然原料氣體是使用 s i H4氣體，但是並不只是僅限定於此，也可以使用其 它的原料氣體。另外，有關載流氣體方面，除了氬氣之外 ，也可以使用例如氮氣，氦氣，氙氣等之類的不治性氣體 另外，雖然在上述實施例中係使用發熱抵抗體來進行 加熱，但是也可以使用燈泡照射之類的方式。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -21 - A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五’ •發明説明 ( 19) 1 1 此 外 $ 雖 然 在 上 述 實 施例 中 係 使 用 抵 抗 加 熱 式 的 1 1 C V D 裝 置 » 但 也 可 以 其 它 的 熱 處 理 裝 置 0 1 1 再 者 9 雖 然 上 述 實 施 例 中 之 被 處 理 體 爲 半 導 體 晶 元 9 /-—V 1 I 但 是 被 處 理 體 並 非 只 被 限 定 於 半 導 體 ruz. 晶 元 » 其 它 如 玻 璃 基 請 先 閱 1 I 板 或 高 分 子 基 板 均 可 0 背 1 ft I 之 1 注 I 意 I C 圖 面 之 簡 單 的 說 明 ) 事 項 1 I 再 1 I 第 1 Π31 圖 係 表 示 習 知 之 單 片 式 處 理 裝 置 的 概 略 構 成 圖 0 填- 寫 本 y 1 袭 I 第 2 圖 係 表 示 有 關 本 發 明 之 — 實 施 形 態 的 C V D 裝 置 頁 Sw^ 1 1 之 斷 面 Γ|Μ 圖 〇 1 I 第 3 TS3 圖 係 表 示 圚 2 之 C V D 裝 置 的 支 持構件 近 傍 之 部 1 I 份 斷 面 圖 0 1 訂 | 第 4 ΕΞΙ 圖 係 表 示 設 置 於 圖 2 之 C V D 裝 置 的 支 持 構 件 之 1 1 加 熱 手 段 的 平 面 圖 0 1 1 第 5 ΓΒ1 圊 係 表 示 圖 2 之 C V D 裝 置 的 噴 灑 頭 部 之 斷 面 圖 1 I 〇 I 第 6 圖 係 表 示 圖 2 之 C V D 裝 置 的 噴 灑 頭 部 之 平 面 圖 1 1 1 I 第 7 ΓΈΓΤ 圖 係 表 示 爲 了 證 明 本 發 明 的 效 果 所 進 行 之 模 擬 試 1 1 1 I m 的 圓 筒 軸 對 稱 模 型 之 說 明 圖 〇 1 1 第 8 1 1 rwt 圚 係 表 示 爲 了 證 明 本 發 明 的 效 果 所 進 行 之 1 1 模 4CG： 擬 試 願 的 結 果 之 說 明 圖 0 1 1 第 1 2 圖 係 表 示 從 晶 元 中 心 到 距 齡 離 r 與 聚 矽 酮 的 堆 稹 1 I 速 度 D / R 之 間 的 關 係 之 特 性 圖 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐）_ μ A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 第1 3圖係表示從晶元中心到晶元邊緣之間旳距離與 處理氣體的關係之特性圖。 第14圖係表示氣體開口部的半徑與在晶元W面上的 流速之間的關係之概略圖。 第15圖係表示其它噴灑頭部之氣體噴出孔的排列方 式之一例的平面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 -

Claims (1)

1. ABCD 六、申請專利範圍 1. 一種單片式處理裝置，其特徵係具備有： 進行被處理體的處理之處理容器；及 設置於上述處理容器內，並具有爲了載置上述被處理 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 fr . 本衣 頁 體的載置面之支持構件；及 以一定的間隔面對於上述載置面所設置之噴灑頭部； 及 將處理氣體供給至上述噴灑頭部之處理氣體供給手段 :及 設置於上述噴灑頭部之多數個氣體噴出孔；及 對於安裝於上述支持構件的上述支持構件進行加熱之 加熱部， 訂 並且，對向於上述噴灑頭部之上述支持構件的面之中 所形成之多數個氣體噴出孔之噴出領域的最大長度，係與 加熱至引起上述處理氣體反應的溫度以上之氣體反應領域 的最大長度實質上相同。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 2. 如申請專利範圍第1項所述之單片式處理裝置， 其中上述氣體噴出領域的最大長度係與上述支持構件的最 大長度實質上相同。 3. 如申請專利範圍第1項所述之單片式處理裝置， 其中上述加熱部具有多數個加熱手段，並且上述加熱手段 係與上述支持構件的中心點相同，彼此之間以一定的間隔 配置成同心圓狀，而且其中一個加熱手段係設置於上述支 持構件的周緣部。 4. 如申請專利範圍第3項所述之單片式處理裝置， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-24 - — A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 其中被設置於上述支持構件的周緣部之上述加熱手段的外 緣最大長度係與上述氣體噴出領域的最大長度實質上相同 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 5 其中被 蓋在上 6 其中更 制手段 7 其中上 熱手段 熱部份 8 其中上 每一單 9 中上述 個氣體 的數目 1 裝置， 來配置 1 .如申請專利範圍第3項所述之單片式處理裝置， 設置於上述支持構件的周緣部之上述加熱手段係覆 述支持構件的側面上。 .如申請專利範圍第3項所述之單片式處理裝置， 具備有能夠各別獨立控制上述多數個加熱手段之控 .如申 述控制 所被加 的溫度 .如申 述多數 位面積 •如申 多數個 噴出孔 實質上 0 .如 其中上 於上述 1 如 請專利 手段係 熱部份 來得髙 請專利 個氣體 的開口 請專利 氣體噴 係以在 相同之 申請專 述多數 氣體噴 申請專 範圍第 以能夠 的溫度 之方式 範圔第 噴出孔 率實質 範圍第 出孔的 上述氣 方式來 利範圍 個氣體 出領域 利範圍 6項所 藉由設 要比藉 來控制 1項所 係以在 上相同 8項所 直徑實 體噴出 予以形 第8或 噴出孔 內。 第8或 述之單 置於上 由其它 多數個 述之單 上述氣 之方式 述單片 質上相 領域內 成。 9項所 係以實 片式處 述支持 加熱手 上述加 片式處 體噴出 來予以 式處理 同，且 之每一 理裝置， 構件的加 段所被加 熱手段。 理裝置， 領域內之 形成。 裝置，其 上述多數 單位面稹 述之單片式處理 質上相同的距離 9項所述之單片式處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-25 - 請 先 閱 k 背 之 注 意 事 項 i 裝 訂 300319 «a D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六 、申請專利範 圍 1 | 裝 置 > 其 中 上 述 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 係 配 列 成 井 字 形 〇 1 1 1 2 • 如 串 請 專 利 Λ*· 範 圍 第 8 或 9 項 所 述 之 單 片 式 處 理 1 1 裝 置 其 中 上 述 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 係 於 上 述 氣 體 噴 出 領 1 請 | 域 內 » 排 列 於 實 質 上 以 同 _. 間 隔 所 配 置 成 同 心 圓 狀 之 假 想 先 閱 1 I 讀 |· 的 圓 周 上 9 且 排 列 於 同 —* 圓 周 上 的 氣 體 噴 出 孔 之 間 係 以 同 背 面 1 I 樣 的 距 離 予 以 排 列 同 時 排 列 於 同 一 圓 周 上 之 氣 體 噴 出 孔 之 注 意 1 | 的 個 數 係 if fat 與 該 圓 的 圓 周 長 形 成 正 比 例 關 係 0 事 項 1 1 1 3 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 所 述 之 單 片 式 處 理 裝 置 鳥 本 裝 其 中 上 述 噴 溷 頭 部 的 內 部 係 被 分 割 成 多 數 個 氣 體 室 〇 頁 1 1 1 4 如 串 請 專 利 範 圔 第 1 3 項 所 述 之 單 片 式處 理 裝 1 1 置 其 中 將處 理 氣 體 供給 至 上 述 多 數個 氣 體 室 之 處 理 氣 體 1 I 供 給 系 統 係 各 別 地 被 予 以 連 接 〇 訂 I 1 5 * 一 種 單 片 式 處 理 裝 置 其 特 徵 係 具 備有 1 1 I 進 行 被 處 理 體 的 處 理 之 處 理 容 器 及 1 1 I 設 置 於 上 述 處 理 容 器 內 並 具 有 爲 了 載 置 上 述 被 處 理 1 1 體 的 載 置 面 之 支 持 構 件 及 1 1 以 — 定 的 間 隔 面 對 於 上 述 載 置 面 所 設 置 之 噴 灑 頭 部 • 1 1 及 | 將 處 理 氣 體 供 給 至 上 述 噴 灑 頭 部 之 處 理 氣 體 供 給 手 段 1 • 及 1 1 1 設 置 於 上 述 噴 灑 頭 部 之 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 .♦ » 及 1 1 將 上 述 支 持 構 件 分 割 成 多 數 個 領域 而 予 以 加 熱 之 多 數 1 1 個 加 熱 手 段 » 及 1 1 分 別 地 獨 立 控 制 上 述 多 數 個 加 熱 手 段 之 控 制 手 段 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-26 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 16. 如申請專利範圍第15項所述之單片式處理裝 置，其中上述加熱手段係與上述支持構件的中心點相同， 彼此之間以一定的間隔配置成同心固狀。 請 先 聞 讀 背 之 注 意 事 項 再〜 寫焚 本衣 頁 17. 如申請專利範圍第16項所述之單片式處理裝 置，其中一個加熱手段係設置於上述支持構件的周緣部。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項所述之單片式處理裝 置，其中被設置於上述支持構件的周緣部之上述加熱手段 係覆蓋在上述支持構件的側面上。 訂 19.如申請專利範圍第15項所述之單片式處理裝 置，其中對向於上述噴灑頭部之上述支持構件的面之中所 形成之多數個氣體噴出孔之噴出領域的最大長度，係與加 熱至引起上述處理氣體反應的溫度以上之氣體反應領域的 最大長度實質上相同。 2 0 .如申請專利範圔第1 9項所述之單片式處理裝 置，其中上述氣體噴出領域的最大長度係與上述支持構件 的最大長度實質上霜;同7 :持知件的周緣部。 乂：二：-. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 2 1 .如申請^專利範圍第1 9項所述之單片式處理裝 置，其中被設置於上述支持構件的周緣部之上述加熱手段 的外緣最大長度係與上述氣體噴出領域的最大長度實質上 相同。 2 2 .如申請專利範圍第1 7項所述之單片式處理裝 置，其中上述控制手段係以能夠藉由設置於上述支持構件 的加熱手段所被加熱部份的溫度要比藉由其它加熱手段所 被加熱部份的溫度來得高之方式來控制多數個上述加熱手 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-27 - A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六 、申請專利範 圍 1 1 段 0 1 1 2 3 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 5 項 所 述 之 單 片 式 處 理 裝 1 1 置 » 其 中上述 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 係 以 在 上 述 氣 艚 噴 出 領 域 1 請 1 I 內 之 每 一單位 面 積 的 開 P 率 實 質 上 相 同 之 方 式 來 予 以 形 成 關 1 1 |> 0 背 面 1 I 2 4 . 如 串 請 專 利 範 圍 第 2 3 項 所 述 單 片 式 處 理 裝 置 之 注 意 1 I 9 其 中 上述多 數 個 氣 體 噴 出 孔 的 直 徑 實 質 上 相 同 * 且 上 述 事 項 再一 1 1 多 數 個 氣體噴 出 孔 係 以 在 上 述 氣 體 噴 出 領 域 內 之 每 一 單 位 Η % 本 裝 面 稹 的 數目實 質 上 相 同 之 方 式 來 予 以 形 成 〇 頁 1 1 2 5 . 如 串 請 專 利 範 圍 第 2 3 或 2 4 項 所 述 之 單 片 式 1 1 處 理 裝 置 ，其 中 上 述 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 係 以 實 質 上 相 同 的 1 I 距 離 來 配置於 上 述 氣 體 噴 出 領域 內 〇 1 訂 I 2 6 . 如 串 請 專 利 範 圔 第 2 3 或 2 4 項 所 述 之 單 片 式 1 1 I 處 理 裝 置 ，其 中 上 述 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 係 配 列 成 井 字 形 0 1 1 2 7 . 如 串 請 專 利 範 圍 第 2 3 或2 4 項 所述 之 單 片 式 1 1 處 理 裝 置 ，其 中 上 述 多 數 個 氣 體 噴 出 孔 係 於 上 述 氣 體 噴 '線 1 出 領 域 內 ，排 列 於 實 質 上 以 同 一 間 隔 所 配 置 成 同 心 圓 狀 之 1 | 假 想 的 圓周上 且 排 列 於 同 一 圓 周 上 的 氣 體 噴 出 孔 之 間 係 I 以 同 樣 的距離 予 以 排 列 同 時 排 列 於 同 一 圓 周 上 之 氣 體 噴 1 1 * 出 孔 的 個數係 興 該 圓 的 圓 周 長 形 成 正 比 例 關 係 0 \ 1 2 8 . 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 5 項 所 述 之 單 片 式 處 理 裝 1 1 置 其 中上述 噴 灑 頭 部 的 內 部 係 被 分 割 成 多 數 個 氣 體 室 0 1 1 2 9 . 如 中 請 專 利 /χύς 範 圍 第 2 8 項 所 述 之 單 片 式 處 理 裝 1 1 置 其 中將處 理 氣 體 供 給 至 上 述 多 數 個 氣 體 室 之 處 理 氣 體 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-28 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 供給系統，係各別地被予以連接。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐> -29 -