JP7038563B2 - 基板処理装置、流量制御方法及び流量制御プログラム - Google Patents
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Description
[基板処理システムの構成]
最初に、実施形態に係る基板処理システムの概略構成について説明する。基板処理システムは、ウエハ等の基板に対して所定の基板処理を行うシステムである。本実施形態では、基板に対して、基板処理として、プラズマエッチングを行う場合を例に説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理システムの概略構成図である。基板処理システム1は、基板処理装置10と、計測装置11とを有する。基板処理装置10と計測装置11との間は、ネットワークNを介して相互に通信可能に接続される。ネットワークNには、有線または無線を問わず、LAN(Local Area Network)やVPN(Virtual Private Network)などの任意の種類の通信網を採用できる。
次に、基板処理装置10の構成について説明する。図2は、一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図2には、一実施形態に係る基板処理装置10の縦断面における構造が概略的に示されている。図2に示す基板処理装置10は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置である。この基板処理装置10は、略円筒状の処理容器12を備えている。処理容器12は、例えば、アルミニウムから構成されている。また、処理容器12の表面は、陽極酸化処理が施されている。
次に、上部電極30について詳細に説明する。図3は、一実施形態に係る上部電極を示す平面図である。図3には、上部電極30を下側(基台20側)から見た概略的な平面図が示されている。上述したように上部電極30の下面には、電極板34が設けられている。電極板34は、略円盤形状を有している。電極板34は、ウエハWと対向する対向面60を有する。対向面60は、平面視において略円形の領域である。対向面60には、多数のガス吐出孔34aが設けられている。なお、図3では、ガス吐出孔34aの図示を省略している。各ガス吐出孔34aは、ガス通流孔36bを介して、ガス拡散室37を区切った各ガス室の何れかと連通している。
次に、制御部100について詳細に説明する。図4は、一実施形態に係る基板処理装置を制御する制御部の概略的な構成を示したブロック図である。制御部100は、通信インターフェース101と、プロセスコントローラ102と、ユーザインターフェース103と、記憶部104とが設けられている。
次に、第1実施形態に係る基板処理装置10を用いた流量制御方法について説明する。図6は、第1実施形態に係る流量制御方法の流れの一例を示すフローチャートである。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態に係る基板処理システム1及び基板処理装置10は、図1から図4に示す第1実施形態に係る基板処理システム1及び基板処理装置10の構成と同様であるため、説明を省略する。
次に、第2実施形態に係る基板処理装置10を用いた流量制御方法について説明する。図7は、第2実施形態に係る流量制御方法の流れの一例を示すフローチャートである。第2実施形態に係る流量制御方法は、図6に示した第1実施形態に係る流量制御方法と一部の処理が同一であるため、同一の処理については同一の符号を付して説明を省略し、主に異なる処理の部分について説明する。
10 基板処理装置
30 上部電極
60 対向面
61、61a~61e 分割領域
100 制御部
102 プロセスコントローラ
102a 生成部
102b 算出部
102c プラズマ制御部
102d 流量制御部
HT ヒーター
W ウエハ
Claims (5)
- 処理容器内に、基板と対向するように配置され、基板と対向する対向面を分割した分割領域ごとに供給する処理ガスの流量を調整可能とされたガス供給部と、
前記基板に所定の基板処理を行った際の前記基板の所定の測定点での臨界寸法を、各分割領域の処理ガスの流量をパラメータとして予測する予測モデルを用いて、前記測定点の臨界寸法が所定条件を満たす各分割領域の処理ガスの目標流量を算出する算出部と、
前記基板に対して基板処理を行う際に、前記ガス供給部の各分割領域から供給する処理ガスの流量が算出部により算出された目標流量となるよう制御する流量制御部と、
各分割領域の処理ガスの流量を3つ以上の異なる流量に制御して前記基板に前記基板処理を行った際の前記測定点の臨界寸法をそれぞれ測定したデータから前記予測モデルを生成する生成部と、
を有し、
前記算出部は、前記生成部により生成された前記予測モデルを用いて、前記測定点の臨界寸法が所定条件を満たす各分割領域の処理ガスの目標流量を算出し、
前記生成部は、前記測定点の臨界寸法を処理ガスの流量の一次関数でモデル化した第1の予測モデル及び前記測定点の臨界寸法を処理ガスの流量の二次の関数でモデル化した第2の予測モデルを生成し、
前記算出部は、前記第1の予測モデルを用いて臨界寸法の誤差の二乗和が最小となる各分割領域の処理ガスの流量を算出し、算出した各分割領域の処理ガスの流量をそれぞれ基準として各分割領域の処理ガスの流量を変化させて、前記第2の予測モデルを用いて各測定点の臨界寸法の最大値と最小値の差が最も小さくなる各分割領域の処理ガスの目標流量を算出する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記測定点は、基板に複数定められ、
前記算出部は、前記予測モデルを用いて、目標寸法に対する各測定点の臨界寸法の誤差の二乗和が最小となる各分割領域の処理ガスの流量を算出し、算出した各分割領域の処理ガスの流量をそれぞれ基準として各分割領域の処理ガスの流量を変化させて、各測定点の臨界寸法の最大値と最小値の差が最も小さくなる各分割領域の処理ガスの目標流量を算出する
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理は、プラズマエッチングであり、
前記臨界寸法は、エッチングのパターンの幅とする
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 処理容器内に、基板と対向するように配置され、基板と対向する対向面を分割した分割領域ごとに供給する処理ガスの流量を調整可能とされたガス供給部の各分割領域から処理ガスを供給する際の流量制御方法であって、
前記基板に所定の基板処理を行った際の前記基板の所定の測定点での臨界寸法を、各分割領域の処理ガスの流量をパラメータとして予測する予測モデルを用いて、前記測定点の臨界寸法が所定条件を満たす各分割領域の処理ガスの目標流量を算出する算出工程と、
前記基板に対して基板処理を行う際に、前記ガス供給部の各分割領域から供給する処理ガスの流量が、算出された目標流量となるよう制御する制御工程と、
各分割領域の処理ガスの流量を3つ以上の異なる流量に制御して前記基板に前記基板処理を行った際の前記測定点の臨界寸法をそれぞれ測定したデータから前記予測モデルを生成する生成工程と、
を含み、
前記算出工程において、前記生成工程により生成された前記予測モデルを用いて、前記測定点の臨界寸法が所定条件を満たす各分割領域の処理ガスの目標流量を算出し、
前記生成工程において、前記測定点の臨界寸法を処理ガスの流量の一次関数でモデル化した第1の予測モデル及び前記測定点の臨界寸法を処理ガスの流量の二次の関数でモデル化した第2の予測モデルを生成し、
前記算出工程において、前記第1の予測モデルを用いて臨界寸法の誤差の二乗和が最小となる各分割領域の処理ガスの流量を算出し、算出した各分割領域の処理ガスの流量をそれぞれ基準として各分割領域の処理ガスの流量を変化させて、前記第2の予測モデルを用いて各測定点の臨界寸法の最大値と最小値の差が最も小さくなる各分割領域の処理ガスの目標流量を算出する
ことを特徴とする流量制御方法。 - 処理容器内に、基板と対向するように配置され、基板と対向する対向面を分割した分割領域ごとに供給する処理ガスの流量を調整可能とされたガス供給部の各分割領域から処理ガスを供給する際の処理をコンピュータに実行させることを特徴とする流量制御プログラムであって、
前記基板に所定の基板処理を行った際の前記基板の所定の測定点での臨界寸法を、各分割領域の処理ガスの流量をパラメータとして予測する予測モデルを用いて、前記測定点の臨界寸法が所定条件を満たす各分割領域の処理ガスの目標流量を算出する算出工程と、
前記基板に対して基板処理を行う際に、前記ガス供給部の各分割領域から供給する処理ガスの流量が、算出された目標流量となるよう制御する制御工程と、
各分割領域の処理ガスの流量を3つ以上の異なる流量に制御して前記基板に前記基板処理を行った際の前記測定点の臨界寸法をそれぞれ測定したデータから前記予測モデルを生成する生成工程と、
を含み、
前記算出工程において、前記生成工程により生成された前記予測モデルを用いて、前記測定点の臨界寸法が所定条件を満たす各分割領域の処理ガスの目標流量を算出し、
前記生成工程において、前記測定点の臨界寸法を処理ガスの流量の一次関数でモデル化した第1の予測モデル及び前記測定点の臨界寸法を処理ガスの流量の二次の関数でモデル化した第2の予測モデルを生成し、
前記算出工程において、前記第1の予測モデルを用いて臨界寸法の誤差の二乗和が最小となる各分割領域の処理ガスの流量を算出し、算出した各分割領域の処理ガスの流量をそれぞれ基準として各分割領域の処理ガスの流量を変化させて、前記第2の予測モデルを用いて各測定点の臨界寸法の最大値と最小値の差が最も小さくなる各分割領域の処理ガスの目標流量を算出する
処理をコンピュータに実行させることを特徴とする流量制御プログラム。
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