WO2005093806A1

WO2005093806A1 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: WO2005093806A1
Application number: PCT/JP2005/003730
Authority: WO
Inventors: Mitsunori Ishisaka; Toshimitsu Miyata
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Priority date: 2004-03-26
Filing date: 2005-03-04
Publication date: 2005-10-06
Also published as: US8197638B2; JP4180637B2; JPWO2005093806A1; US20080017111A1

Abstract

　高周波電極やサセプタの破損を防止しつつ、ウエハの汚染を防止する。　ＭＭＴ装置のサセプタ４０の本体４１をいずれも石英によって形成されたヒータ設置プレート４２と電極設置プレート４８と保持プレート５６とで構成する。電極設置プレート４８の上面に深さ一定の円形の電極設置穴４９を同心円に没設し、電極設置穴４９の底面に四角形柱形状の柱部５０をマトリックス形状に突設する。円板形状の高周波電極５１に複数個の挿通孔５２を開設し、各柱部５０を各挿通孔５２に挿通させて高周波電極５１を電極設置穴４９に設置する。高周波電極５１と電極設置プレート４８との間に間隙Ｓａ、Ｓｂを介在させる。柱部５０によって電極設置プレート４８の強度を補強できる。高周波電極の熱膨張率が電極設置プレートのそれよりも大きくても、熱膨張差を間隙によって吸収できるので、高周波電極の破損を防止できる。

Description

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体集積回路装置 (以下、 ICという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウェハ（以下、ウェハという。 )に酸化、窒化、拡散、成膜、エッチング等のプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。背景技術

[0002] ICの製造方法においてウェハにプラズマ処理を施すのに、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源（Modified Magnetron Typed Plasma Source)を用いたプラズマ処理装置（以下、 MMT装置という。）が、使用されることがある。

MMT装置は処理室、サセプタ、筒状電極、筒状磁石、シャワーヘッドおよび排気口を備えており、プラズマ処理に際しては、気密性を確保した処理室のサセプタの上に被処理基板としてのウェハが設置される。反応ガスが処理室にシャワープレートを介して導入され、処理室の圧力が所定の圧力に維持される。高周波電力が筒状電極に供給されて電界が形成されるとともに、磁界が形成されてマグネトロン放電を起こす。この際、筒状電極力も放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより、長寿命となって電離生成率を高めるので、高密度プラズマが生成される。このようにして、 MMT装置は反応ガスを励起分解させることにより、ゥェハ表面を酸化、窒化、拡散、成膜およびエッチング等のプラズマ処理を施すように構成されている（例えば、特許文献 1参照)。

従来の MMT装置においては、サセプタは窒化アルミニウム (A1N)によって作製されるのが、一般的である。また、従来の MMT装置においては、ウェハを加熱するヒータと、バイアス電圧を印加するための高周波電極とがサセプタに内蔵される場合がある。ちなみに、高周波電極はモリブデン (Mo)等の高融点材料が使用されて格子形状 (メッシュ形状）に形成されている。特許文献 1：特開 2001— 196354号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0003] サセプタが窒化アルミニウムによって作製された MMT装置においては、プラズマ処理中にサセプタカアルミニウムの不純物（異物）が発生するために、ウェハが汚染されるという問題点がある。また、ウェハがサセプタと広い面積で接触するために、ウェハの裏面がサセプタのアルミニウムによって汚染されるという問題点がある。これらの問題点を解決するために、少なくともサセプタのウェハの保持面を石英によって形成することが、一般的に考えられる。

しかし、ヒータと高周波電極とがサセプタに内蔵される MMT装置の場合においては、次のような問題点が懸念される。

1) 高周波電極の高融点材料とサセプタの石英との熱膨張率の差による応力により、格子形状の高周波電極が破損される。

2) サセプタのウェハに接触する石英部材とサセプタの本体部材との接着代は高周波電極の外側の幅の狭小部分だけになるために、例えば、石英部材の厚さを 1. 5m m程度に設定すると、サセプタ内外の圧力差 (処理圧力と大気圧との差）により、石英部材が破損される。なお、バイアス電圧を印加するために、高周波電極のウェハ裏面力もの距離は小さ、ことが望ま、。

[0004] 本発明の目的は、高周波電極およびサセプタの破損を防止しつつ、被処理基板の汚染を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0005] 本発明に係る半導体製造装置は、基板を保持するサセプタが処理室に具備された半導体製造装置であって、

前記サセプタが、内部に前記基板と実質的に平行かつ平坦な電極設置空間を形成する壁および前記壁の底面と天井面とを繋ぐ複数の柱部を有する本体と、前記電極設置空間の内部に少なくとも前記壁または少なくとも前記柱部と間隙をとつて設置された高周波電極と、を有することを特徴とする。発明の効果

[0006] 本発明によれば、高周波電極と電極設置空間との間に間隙を介在させることにより、高周波電極の材料の熱膨張率がサセプタ本体の材料の熱膨張率よりも大きくても、その熱膨張差を間隙によって吸収することができるので、高周波電極の破損を防止することができる。また、柱部によって電極設置空間の強度を補強することができるので、サセプタ本体の破損を防止することができる。

図面の簡単な説明

[0007] [図 1]本発明の一実施の形態である MMT装置を示す正面断面図である。

[図 2]サセプタを示す正面断面図である。

[図 3]図 2の III III線に沿う一部省略平面図である。

符号の説明

[0008] 1…ウエノ、、 10···処理室、 11…上側容器、 12···下側容器、 13···シャワーヘッド、 1 4…ノッファ室、 ₁₅…シャワープレート、 16···ガス噴出孔、 17···ガス導入口、 18···ガス供給管、 19···ノノレブ、 20···マスフローコントローラ、 21···反応ガス、 22···ガス^ 気口、 23···ガス気管、 24···圧力調整弁、 25···ノノレブ、 26···真空ポンプ、 27···ゲートバルブ、 30…プラズマ生成領域、 31···筒状電極、 32···整合器、 33···高周波電源、 34···筒状磁石、 35…遮蔽板、 36···サセプタ昇降軸、 37…突き上げピン、 38··· 挿通孑し、 40···サセプタ、 41···本体、 42···ヒータ設置プレー卜、 43···ヒータ設置溝、 4 4…揷通孔、 45…ヒータ、 46…電力フェード線、 47···ヒータ用高周波電源、 48···電極設置プレート、 49···電極設置穴、 50…柱部、 51···高周波電極、 52···揷通孔、 53 …高周波フェード線、 54…挿通孔、 55···インピーダンス調整器、 56…保持プレート、 57···保持部、 59···高周波電極保持部、 60···コントローラ。

発明を実施するための最良の形態

[0009] 以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

[0010] 本実施の形態において、本発明に係る半導体製造装置は MMT装置として、図 1 に示されて、るように構成されて、る。図 1に示されて!/、る MMT装置は処理室 10を備えており、処理室 10は上側容器 11が下側容器 12の上に被せられて構成されている。上側容器 11は酸化アルミニウムまたは石英が使用されてドーム形状に形成されている。下側容器 12はアルミニウムが使用されて円形の皿形状に形成されている。上側容器 11の上部にはガス分散空間であるバッファ室 14を形成するシャワーヘッド 13が設けられており、シャワーヘッド 13の下壁はガスを噴出する噴出口であるガス噴出孔 16を有するシャワープレート 15によって形成されている。シャワーヘッド 13の上壁にはガス導入用の導入口であるガス導入口 17が開設されており、ガス導入口 17 にはガスを供給する供給管であるガス供給管 18が接続されている。ガス供給管 18は開閉弁であるバルブ 19と、流量制御手段であるマスフローコントローラ 20とを介して反応ガス 21のガスボンベ（図示せず）に接続されている。下側容器 12の側壁には反応ガス 21を排気する排気口 22が開設されており、排気口 22は排気管 23により真空ポンプ 26に接続されている。排気管 23の途中には圧力調整弁 24と開閉弁であるバルブ 25とが介設されている。下側容器 12の側壁の他の位置には仕切弁となるゲートバルブ 27が設けられている。ゲートバルブ 27が開いている時には、ウェハ 1が処理室 10にウェハ移載装置（図示せず）によって搬入および搬出される。ゲートバルブ 2 7が閉じている時には処理室 10は気密に維持される。

上側容器 11の外側には、供給される反応ガス 21を励起させる放電手段としての第一の電極 31が設けられている。第一の電極 31は筒形状、好適には円筒形状に形成されており、処理室 10のプラズマ生成領域 30を囲むように、上側容器 11に同心円に配置されている。第一の電極 (以下、筒状電極という。） 31には高周波電力を印加する高周波電源 33が、インピーダンスの整合を行う整合器 32を介して接続されている。筒状電極 31の外側には磁界形成手段である永久磁石 34が上下で一対設けられている。永久磁石 34は筒形状、好適には円筒形状に形成されており、上下の永久磁石（以下、筒状磁石という。） 34、 34は筒状電極 31の外側の表面の上下端近傍に同心円に配置されている。上下の筒状磁石 34、 34は処理室 10の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石 34、 34の磁極の向きが逆向きに設定されている。したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極 31の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。筒状電極 31および筒状磁石 34の周囲には電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板 3 5が設置されており、遮蔽板 35は筒状電極 31および筒状磁石 34で形成される電界や磁界を外部環境や他の半導体製造装置等に悪影響を及ぼさな!/、ように遮蔽している。

[0012] 下側容器 12の中心部にはエレベータ（図示せず）によって昇降駆動されるサセプタ昇降軸 36が垂直方向に昇降するように支承されており、サセプタ昇降軸 36の処理室 10側の上端にはサセプタ 40が水平に設置されている。サセプタ昇降軸 36は下側容器 12と絶縁されている。下側容器 12の底面上におけるサセプタ昇降軸 36の外方には、三本の突き上げピン 37が垂直に立設されており、サセプタ 40の各突き上げピン 37とそれぞれ対向する三箇所には、揷通孔 38が上下方向に貫通するように介設されている。三本の突き上げピン 37はサセプタ昇降軸 36の下降時にサセプタ 40に開設された三個の揷通孔 38を下力ら揷通して、サセプタ 40の上に保持されたウェハ 1を突き上げるように構成されて、る。

[0013] 図 2に示されているように、サセプタ 40はいずれも石英によって形成された三枚のプレートが三層に積層されて成る本体 41を備えて、る。本体 41は外径がウェハ 1の外径よりも大きい円盤形状に形成されており、本体 41はサセプタ昇降軸 36によって支持されている。本体 41の最下段に位置するプレート（以下、ヒータ設置プレートという。）42の上面には、略渦巻き形状のヒータ設置溝 43が形成されており、ヒータ設置溝 43が構成する空間には略渦巻き形状のヒータ 45が設置されている。ヒータ設置プレート 42の下面はサセプタ 40の裏面となる。なお、ヒータ設置プレート 42の全厚は dとする。

ヒータ 45は炭化シリコンによって形成されており、ヒータ 45は高周波電力が印加されてウェハ 1を 500°C程度にまで加熱し得るように構成されている。ヒータ 45の始端と終端とには一対の電力フェード線 46、 46が各揷通孔 44、 44を挿通して接続されている。両電力フェード線 46、 46はサセプタ昇降軸 36を挿通されて外部に引き出されており、図 1に示されているように、ヒータ用高周波電源 47に接続されている。ヒータ設置プレート 42の上には中段に位置するプレート（以下、電極設置プレートという。 ) 48力ヒータ設置溝 43の空間を気密封止するように重ねられており、ヒータ設置プレート 42と電極設置プレート 48との合わせ面は接着材または熱溶着によって固定されている。

[0014] 図 3に示されているように、円形の電極設置プレート 48の上面には深さが一定（図 2 参照）の円形の電極設置穴 49が同心円に没設されており、電極設置穴 49の底面上には平面視が正方形で高さが一定（図 2参照）の四角形柱形状の柱部 50がマトリックス形状に配されて突設されている。電極設置穴 49が構成する電極設置空間には、バイアス電圧を印加する高周波電極 51が設置されている。高周波電極 51は耐酸ィ匕性を有し抵抗率が小さヽ金属材料である白金 (Pt)が使用されて円板形状に形成されており、図 2に示されているように、高周波電極 51の板厚は bとし、電極設置穴 49 の高さは hとすると、高周波電極 51の板厚 bは電極設置穴 49の高さ hよりも小さく設定されている。なお、電極設置穴 49が設けられ、高周波電極 51が保持される高周波電極保持部 59の板厚は cとする。図 3に示されているように、高周波電極 51には柱部 50の外径よりも大口径の正方形形状に形成された揷通孔 52が複数個、全体にわたって開設されている。各柱部 50が各揷通孔 52にそれぞれ挿通されることにより、高周波電極 51は電極設置穴 49に収納されて電極設置プレート 48に設置された状態になっている。揷通孔 52の口径すなわち内径が柱部 50の外径よりも大きく設定されているので、揷通孔 52の内周と柱部 50の外周との間には間隙 Saが形成されている。揷通孔 52群は柱部 50群に対応してマトリックス形状に配置された状態になっており、その開口面積の分布が高周波電極 51の全体にわたって可及的に均一になるように設定されている。

[0015] 高周波電極 51には高周波フェード線 53が揷通孔 54を揷通して接続されており、高周波フェード線 53はサセプタ昇降軸 36を挿通されて外部に引き出されている。高周波フェード線 53にはインピーダンスを調整するインピーダンス調整器 55が接続されている。インピーダンス調整器 55はコイルや可変コンデンサ力も構成されており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、サセプタ 40 を介してウェハ 1の電位を制御し得るようになって!/、る。

[0016] 電極設置プレート 48の上には最上段に位置するプレート（以下、保持プレートという。） 56が、電極設置穴 49の空間を気密封止するように重ねられており、保持プレート 56と電極設置プレート 48との合わせ面は接着材または熱溶着によって固定されている。この状態において、電極設置プレート 48の各柱部 50の上面は保持プレート 56 の下面に固定されている力図 2に示されているように、高周波電極 51の上面は保持プレート 56の下面力も離間して間隙 Sbを形成した状態になっている。

[0017] 保持プレート 56の上面にはウェハ 1を位置決め保持するための保持面を有する保持部 57が没設されており、保持部 57はウェハ 1の外径よりも大口径の円形で一定深さの穴形状に形成されている。保持部 57の保持面はサセプタ 40の表面に形成されること〖こなる。保持プレート 56においてウェハ 1が接触する保持部 57の板厚を tとすると、保持部 57の板厚 tは、保持プレート 56の周辺部の板厚すなわち保持プレート 5 6の全厚よりも薄くなつている。ウェハ 1の下面と高周波電極 51との間隔が 1. 5mm以下になるように、保持部 57の板厚 tと間隙 Sbとが設定されている。また、高周波電極 5 1の上面から高周波電極 51よりも上側のサセプタ 40の表面に設けられたウェハ 1を保持する保持面までの距離は、高周波電極 51の下面よりも下側のサセプタ 40の裏面までの距離に比べて小さくなるように設けられており、保持部 57の板厚 tは高周波電極保持部 59の板厚 cおよびヒータ設置プレート 42の全厚 dの厚さよりも薄くする。

[0018] 図 1に示されているように、 MMT装置はコンピュータ等によって構成された制御手段であるコントローラ 60を備えている。コントローラ 60はバルブ 19、マスフローコント口ーラ 20、圧力調整弁 24、バルブ 25、真空ポンプ 26、ゲートバルブ 27、整合器 32、高周波電源 33、サセプタ昇降軸 36の駆動装置、インピーダンス調整器 55、ヒータ用高周波電源 47等に接続されて、それらを制御するように構成されている。

[0019] 次に、以上の構成に係る MMT装置の作用を説明する。

[0020] ウェハ 1は処理室 10にウェハ移載装置によってゲートバルブ 27から搬入され、サセプタ 40の保持部 57の上に移載される。この際、まず、サセプタ 40がサセプタ昇降軸 36によって下降され、突上げピン 37の先端がサセプタ 40の揷通孔 38を揷通してサセプタ 40の上面よりも所定の高さ分だけ突き出される。続いて、下側容器 12に設けられたゲートバルブ 27が開かれて、ウェハ 1がウェハ移載装置によって搬入され、三本の突き上げピン 37の上端間に移載される。ウェハ 1を突き上げピン 37に移載したウェハ移載装置が処理室 10の外へ退避すると、ゲートバルブ 27が閉まり、サセプタ 40がサセプタ昇降軸 36により上昇され、ウェハ 1が突き上げピン 37の上力もサセプタ 40の保持部 57に受け渡される。

[0021] サセプタ 40のヒータ 45は予め加熱されており、サセプタ 40の保持部 57に保持されたウェハ 1を室温一 500°Cの範囲内で所定の処理温度に加熱する。処理室 10の圧力は、 0. 1— lOOPaの範囲内に真空ポンプ 26および圧力調整弁 24によって維持される。ウェハ 1が処理温度に加熱されると、反応ガス 21が処理室 10にガス導入口 17 力もシャワープレート 15のガス噴出孔 16を介してシャワー状に導入される。同時に、 150— 200Wの高周波電力が筒状電極 31に高周波電源 33から整合器 32を介して印加される。この際、高周波電極 51のインピーダンス調整器 55は予め所望のインピ一ダンス値に制御しておく。筒状磁石 34、 34の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウェハ 1の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域 30に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ 40上のゥェハ 1の表面にプラズマ処理が施される。表面処理が終わったウェハ 1は、ウェハ移載装置によって搬入時と逆の手順で処理室 10の外へ搬送される。

[0022] なお、コントローラ 60により高周波電源 33の電力 ON 'OFF、整合器 32の調整、バルブ 19の開閉、マスフローコントローラ 20の流量、圧力調整弁 24の弁開度、バルブ 25の開閉、真空ポンプ 26の起動 '停止、サセプタ昇降軸 36の昇降動作、ゲートバルブ 27の開閉、サセプタ 40のヒータ 45に高周波電力を印加するヒータ用高周波電源 4 7への電力 ON 'OFFをそれぞれを制御している。

[0023] 前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

[0024] 1) サセプタを石英によって形成することにより、サセプタが 550°Cの高温下でプラズマに直接的に晒されてもサセプタがウェハに対する汚染源になるのを防止することができるとともに、ウェハの裏面全体がサセプタに接触してもウェハに汚染が発生するのを防止することができるので、 MMT装置ひいては ICの製造方法の歩留りを向上させることができる。

[0025] 2) ウェハの下面と高周波電極との間隔を 1. 5mm以下に設定することにより、ウェハの表面電位に対する高周波電極の制御性能を向上させることができるので、 MMT 装置の処理速度を向上させることができる。

[0026] 3) 高周波電極を白金によって形成することにより、処理温度を 800°Cまで上昇させることができるので、 MMT装置の処理速度を向上させることができる。

[0027] 4) 高周波電極とサセプタの本体との間に間隙 Sa、 Sbを介在させることにより、高周波電極の材料 (白金)の熱膨張率がサセプタ本体の材料 (石英)の熱膨張率よりも大きくても、その熱膨張差を間隙によって吸収することができるので、高周波電極の破損を防止することができる。

[0028] 5) サセプタ本体の一部を構成する下段の電極設置プレートに柱部を突設し、柱部の上面を同じく上段の保持プレートの下面に固定することにより、保持部が没設された保持プレートおよび電極設置穴が形成された電極設置プレートの強度を補強することができるので、保持プレートおよび電極設置プレートひいてはサセプタ本体の破損を防止することができる。

[0029] 6) 複数個の柱部を電極設置穴の底面上に均等に配置することにより、一つ当たりの柱部の横断面積を小さく設定することができるので、柱部が挿通される高周波電極の揷通孔の開口面積を小さくすることができ、高周波電極の電圧分布を全体にわたつて均一に維持することができる。

[0030] 7) 柱部によってサセプタ本体の強度を補強することにより、高周波電極の上に配置される保持プレートの保持穴の板厚 tを薄く設定することができるので、高周波電極のウェハに対しての電界の影響力を高めることができる。

8) 高周波電極 51から高周波電極 51よりも上側のサセプタ表面に設けられたウェハを保持する保持面までの距離が、高周波電極 51から高周波電極 51よりも下側のサセプタ裏面までの距離に比べて小さくなるように設定されているので、高周波電極 51 力サセプタに保持されるウェハまでの距離を小さくすることができてウェハへの電界の影響を高め、かつ、高周波電極 51よりも下側のサセプタ内にヒータを埋設することが可能となり、ウェハへサセプタ 40により直接加熱することができ、ウェハへの加熱効率が向上する。

[0031] 9) 柱部によってサセプタ本体の強度を補強することにより、電極設置穴の空間内の圧力と MMT装置の処理室の圧力との差が大きくなつても、サセプタ本体が破損するのを防止することができる。すなわち、処理室が減圧される場合であっても、サセプタ本体の内部空間を大気圧に連通させてもよぐ気密シール構造を簡単ィ匕することができる。

[0032] 10) サセプタ本体の強度は高温に加熱される場合ほど低下するので、サセプタ本体の強度を高めることにより、高温処理に対応することができる。

[0033] 11)高周波電極を一枚の金属板に複数個の揷通孔を開設して製作することにより、複数の柱部が突設された電極設置穴に高周波電極を各揷通孔に各柱部を揷通させる作業によって容易に設置することができるとともに、高周波電極を電極設置穴に位置ずれなく正確に設置することができるので、サセプタひ、ては MMT装置の製造コストを低減することができる。

[0034] 12)電極設置穴の柱部および高周波電極の柱部を全体にわたって均一に配置することにより、高周波電極の電圧分布を全体にわたって均一に維持させることができるので、ウェハに対する処理の分布を全体にわたって均一化することができる。

[0035] 13)サセプタ本体の高周波電極の下方にヒータを設置することにより、サセプタに保持されたウェハをヒータによって加熱することができるので、ウェハの温度を直接的に帘 U御することができる。

[0036] なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなぐその要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることは、うまでもな!/、。

[0037] 例えば、ヒータ設置プレートおよび電極設置プレートは窒化アルミニウム等の絶縁材料によって形成してもよい。すなわち、ウェハを保持する保持部を構成する保持プレートだけを石英によって形成し、サセプタ本体の他の部分は石英以外の窒化アルミニゥム等の絶縁材料によって形成してもよ、。

[0038] ウェハを加熱するヒータはサセプタ本体に内蔵するに限らない。

[0039] 前記実施の形態においては、 MMT装置に適用した場合について説明した力本発明はそれに限定されるものではなぐサセプタに電極を有するプラズマ処理装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 基板を保持するサセプタが処理室に具備された半導体製造装置であって、

前記サセプタが、内部に前記基板と実質的に平行かつ平坦な電極設置空間を形成する壁および前記壁の底面と天井面とを繋ぐ複数の柱部を有する本体と、前記電極設置空間の内部に少なくとも前記壁または少なくとも前記柱部と間隙をとつて設置された高周波電極と、を有することを特徴とする半導体製造装置。

[2] 前記高周波電極力前記高周波電極よりも上側のサセプタ表面に設けられた基板を保持する保持面までの距離が、前記高周波電極カゝら前記高周波電極よりも下側のサセプタ裏面までの距離に比べて小さくなるように設けられて、ることを特徴とする請求項 1に記載の半導体製造装置。

[3] 前記電極設置空間は前記処理室雰囲気から隔絶されて、前記処理室外の雰囲気に連通されていることを特徴とする請求項 1または 2に記載の半導体製造装置。

[4] 前記高周波電極は、前記柱部に挿通される揷通孔が開設された板体によって構成されていることを特徴とする請求項 1、 2または 3に記載の半導体製造装置。

[5] 処理室内に配置されたサセプタに基板を保持させるステップと、

前記処理室に処理ガスを供給しつつ排気するステップと、

内部に前記基板と実質的に平行かつ平坦な電極設置空間を形成する壁および前記壁の底面と天井面とを繋ぐ複数の柱部を有する本体と、前記電極設置空間の内部に少なくとも前記壁または少なくとも前記柱部を間隙をとつて設置された高周波電極とを有するサセプタによって、前記基板へプラズマ処理するステップと、

を備えて!/、ることを特徴とする半導体装置の製造方法。