JPWO2018163935A1

JPWO2018163935A1 - ウエハ支持台

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Publication number: JPWO2018163935A1
Application number: JP2019504504A
Authority: JP
Inventors: 朋大高橋
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2017-03-06
Filing date: 2018-02-28
Publication date: 2019-12-26
Anticipated expiration: 2038-02-28
Also published as: JP6754890B2; US11476096B2; KR102225236B1; KR20190109496A; US20190355556A1; WO2018163935A1; TW201836058A; CN110235237A; TWI763790B; CN110235237B

Abstract

ウエハ支持台２０は、ウエハ載置面２２ａを有する円板状のセラミック基体２２の内部にＲＦ電極２３とヒータ電極３０とがウエハ載置面２２ａ側からこの順に埋設されたものである。ＲＦ電極２３は、同一平面上のゾーンごとに形成された複数のＲＦゾーン電極２４，２５によって構成されている。複数のＲＦゾーン電極２４，２５及びヒータ電極３０は、セラミック基体２２の裏面２２ｂの外側に設けられた複数のＲＦゾーン電極用導体３４，３５及び配線部材３８，３８にそれぞれ独立して接続されている。

Description

本発明は、ウエハ支持台に関する。

ウエハ支持台としては、ウエハ載置面を有する円板状のセラミック基体の内部にＲＦ電極とヒータ電極とがウエハ載置面側からこの順に埋設されたものが知られている。例えば、特許文献１には、この種のウエハ支持台として、セラミックス基体内においてウエハ搭載面からの深さが互いに異なるように埋設されている円形状ＲＦ電極及び円環状ＲＦ電極を備えたものが開示されている。このウエハ支持台のウエハ載置面に対向する位置には平板上部電極が配置される。そして、その平板上部電極とウエハ支持台の両ＲＦ電極とからなる平行平板電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。特許文献１には、プラズマを発生させる際に、円形状導ＲＦ電極と円環状ＲＦ電極にそれぞれ異なる高周波電力を印加することによってプラズマの密度分布を良好にコントロールできると説明されている。

特許第５８９６５９５号公報

しかしながら、プラズマを発生させる際、平板上部電極と円形状ＲＦ電極との距離及び平板上部電極と円環状ＲＦ電極との距離が異なるし、ウエハ載置面と円形状ＲＦ電極との間の誘電体層（セラミック基体）の厚さとウエハ載置面と円環状ＲＦ電極との間の誘電体層の厚さも異なる。そのため、プラズマの密度分布を良好にコントロールするのが難しかった。

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、プラズマの密度分布を容易にコントロールできるようにすることを目的の一つとする。

上述した目的の少なくとも１つを達成するため、本発明のウエハ支持台は以下の構成を採用した。

すなわち、本発明のウエハ支持台は、
ウエハ載置面を有する円板状のセラミック基体の内部にＲＦ電極とヒータ電極とが前記ウエハ載置面側からこの順に埋設されたウエハ支持台であって、
前記ＲＦ電極は、同一平面上のゾーンごとに形成された複数のＲＦゾーン電極によって構成され、
前記複数のＲＦゾーン電極及び前記ヒータ電極は、前記セラミック基体の前記ウエハ載置面とは反対側の面の外側に設けられた複数のＲＦゾーン電極用導体及びヒータ電極用導体にそれぞれ独立して接続されている、
ものである。

このウエハ支持台では、複数のＲＦゾーン電極及びヒータ電極は、セラミック基体のウエハ載置面とは反対側の面の外側に設けられた複数のＲＦゾーン電極用導体及びヒータ電極用導体にそれぞれ独立して接続されている。そのため、ＲＦゾーン電極ごとに異なる高周波電力を供給することができ、プラズマの密度分布を良好にコントロールすることができる。ここで、ＲＦ電極は、同一平面上のゾーンごとに形成された複数のＲＦゾーン電極によって構成されている。そのため、ウエハ支持台の上方に配置される平板上部電極と各ＲＦゾーン電極との距離はすべて同じであり、ウエハ載置面と各ＲＦゾーン電極との間のセラミック基体の厚さ（誘電体層の厚さ）もすべて同じである。そのため、プラズマの密度分布を良好になるように容易にコントロールすることができる。なお、ＲＦゾーン電極の形状や数は任意に決定することができる。

本発明のウエハ支持台において、前記ＲＦ電極は、前記複数のＲＦゾーン電極として、前記セラミック基体と同心円状の円形電極か前記円形電極を複数に分割した電極を含み、更に、前記円形電極の外側に前記セラミック基体と同心円の１以上の円環電極か前記円環電極の少なくとも１つを複数に分割した電極とを含むようにしてもよい。セラミック基体の内周部分と外周部分とではプラズマの密度分布が異なることが多いため、このように円形電極（又は円形電極を複数に分割した電極）と１以上の円環電極（又は円環電極を複数に分割した電極）とに分けることが好ましい。例えば、ＲＦゾーン電極として、セラミック基体と同心円状の円形電極と、その円形電極の外側にセラミック基体と同心円の１以上の円環電極を設けてもよい。あるいは、セラミック基体と同心円状の円形電極を半分に分けた一対の半円形電極と、その両半円形電極の外側にセラミック基体と同心円の１以上の円環電極を設けてもよい。あるいは、円環電極を複数に分割してもよい。

本発明のウエハ支持台は、前記セラミック基体の前記ウエハ載置面とは反対側の面の中央領域に接合された中空のセラミックシャフトを備え、前記複数のＲＦゾーン電極用導体及び前記ヒータ電極用導体は前記セラミックシャフトの内部に配置され、前記複数のＲＦゾーン電極のうち前記セラミック基体に前記セラミックシャフトを投影した中央領域から外れた位置に設けられたものは、自身に対応する前記ＲＦゾーン電極用導体とジャンパを介して接続され、前記ジャンパは、前記セラミック基体の内部であって前記ＲＦ電極が設けられた平面よりも前記ウエハ載置面から離れた平面上に設けられていてもよい。こうすれば、セラミック基体の中央領域から外れた位置のＲＦゾーン電極については、ジャンパを利用してそのＲＦゾーン電極に対応するＲＦゾーン電極用導体に配線することができる。この場合、前記複数のＲＦゾーン電極のうち２以上のＲＦゾーン電極が前記中央領域から外れた位置に設けられており、前記２以上のＲＦゾーン電極ごとに設けられる前記ジャンパは同一平面上に設けられていてもよい。こうすれば、各ジャンパを異なる深さに設けた場合に比べてセラミック基体の厚さが薄くなる。セラミック基体の厚さが薄くなると、その熱容量が小さくなるため、セラミック基体の温度調整ひいてはウエハの温度調整を迅速に行うことができる。また、前記ジャンパは、前記ヒータ電極と同一平面に前記ヒータ電極と非接触な状態で設けられていてもよい。こうすれば、セラミック基体の厚さを薄くすることができる。

本発明のウエハ支持台において、前記ヒータ電極は、前記ＲＦゾーン電極の数と同数又は異なる数の複数のヒータゾーン電極によって構成され、前記ヒータ電極用導体は、前記複数のヒータゾーン電極のそれぞれに独立して接続されるヒータゾーン電極用導体によって構成されていてもよい。こうすれば、ヒータゾーン電極ごとに異なる電力を供給することができるため、ゾーンごとの製膜性のバラツキをヒーター温度の調整で補償・調整できる。この場合、前記セラミック基体を前記ウエハ載置面から見たときに前記ＲＦゾーン電極同士の間のギャップには少なくとも１つの前記ヒータゾーン電極が配置されていてもよい。印加するＲＦ電力を大きくした場合、ギャップ間隔を大きくとるとＲＦの干渉を抑制でき有利であるが、ＲＦ電極の存在しないギャップ部分でプラズマ密度が減少し面内のプラズマ密度が不均一になることがある。そこで、そのギャップ領域にヒータゾーン電極を配置することにより、プラズマ密度の不均一から生じる製膜性のバラツキを温度分布すなわちヒーター温度の調整で補償・調整することができ、有効である。あるいは、前記セラミック基体を前記ウエハ載置面から見たときに前記複数のＲＦゾーン電極と前記複数のヒータゾーン電極とが一致するように配置されていてもよい。こうすれば、各ＲＦゾーン電極をそれに対応するヒータゾーン電極により個別に温度制御することができる。

プラズマ発生装置１０の概略構成を示す斜視図。図１のＡ−Ａ断面図。図１のＢ−Ｂ断面図。ＲＦ電極２３、ジャンパ２７及びヒータ電極３０の配置を示す斜視図。ＲＦ電極１２３、ジャンパ１２７，１２８及びヒータ電極３０の配置を示す斜視図。別例のＲＦ電極２３、ジャンパ２７及びヒータ電極３０の配置を示す斜視図。ヒータ電極１３０の斜視図。ＲＦ電極２３及びヒータ電極１３０の配置を示す斜視図。ＲＦ電極２３及びヒータ電極１３０の配置を示す斜視図。ＲＦ電極２３の別例を示す平面図。ＲＦ電極２３の別例を示す平面図。ジャンパ２７の別例を示す断面図。

本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はプラズマ発生装置１０の斜視図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図、図４はＲＦ電極２３、ジャンパ２７及びヒータ電極３０の配置を示す斜視図である。

プラズマ発生装置１０は、図１に示すように、ウエハ支持台２０と、上部電極５０とを備えている。

ウエハ支持台２０は、プラズマを利用してＣＶＤやエッチングなどを行うウエハＷを支持して加熱するために用いられるものであり、図示しない半導体プロセス用のチャンバの内部に取り付けられる。このウエハ支持台２０は、セラミック基体２２と、中空のセラミックシャフト２９とを備えている。

セラミック基体２２は、図２に示すように、セラミック製（例えばアルミナ製とか窒化アルミニウム製）の円板状部材である。このセラミック基体２２は、ウエハＷを載置可能なウエハ載置面２２ａを備えている。セラミック基体２２のウエハ載置面２２ａとは反対側の面（裏面）２２ｂの中央には、セラミックシャフト２９が接合されている。セラミック基体２２には、図２〜図４に示すように、ＲＦ電極２３とジャンパ２７とヒータ電極３０とが、それぞれ離間した状態で埋設されている。ＲＦ電極２３とジャンパ２７とヒータ電極３０は、ウエハ載置面２２ａに近い方からこの順に埋設されている。

ＲＦ電極２３は、ウエハ載置面２２ａと平行（実質的に平行な場合を含む、以下同じ）に設けられている。ＲＦ電極２３は、セラミック基体２２の中心から所定半径（ここではセラミック基体２２の半径の半分以上）の円２１（図３参照）の内側のゾーンに設けられた第１ＲＦゾーン電極２４と、その円２１の外側のゾーンに設けられた第２ＲＦゾーン電極２５とで構成されている。第１ＲＦゾーン電極２４は、セラミック基体２２と同心円状の円形電極である。第２ＲＦゾーン電極２５は、第１ＲＦゾーン電極２４の外側に離間して設けられ、セラミック基体２２と同心円状の円環電極である。第１ＲＦゾーン電極２４は、セラミック基体２２にセラミックシャフト２９を投影した円形の中央領域２２ｃ（図２及び図３の２点鎖線）に重複するように設けられているが、第２ＲＦゾーン電極２５は、中央領域２２ｃから外れた位置に設けられている。第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５は、いずれも導電性のメッシュシートで構成されている。

第１ＲＦゾーン電極２４は、図２に示すように、裏面中央に電極端子２４ａが接続されている。電極端子２４ａは、セラミック基体２２の裏面２２ｂから外部に露出するように設けられている。第１ＲＦゾーン電極２４は、電極端子２４ａを介して第１ＲＦゾーン電極用導体３４に接続されている。第１ＲＦゾーン電極用導体３４は、セラミックシャフト２９の中空内部及び下部開口を経て第１交流電源４４に接続されている。

第２ＲＦゾーン電極２５は、図２に示すように、自身（第２ＲＦゾーン電極２５）に対応する第２ＲＦゾーン電極用導体３５とジャンパ２７を介して接続されている。具体的には、第２ＲＦゾーン電極２５の裏面のうち直径方向からやや外れた２点に、円柱状の内部端子２５ａ，２５ａの上端が接続されている。ジャンパ２７は、ウエハ載置面２２ａと平行な導電性で帯状のメッシュシートであり、セラミック基体２２の内部のうちＲＦ電極２３とヒータ電極３０との間で電極端子２４ａや第１ＲＦゾーン電極用導体３４と干渉しないように配置されている。ジャンパ２７は、裏面中央に電極端子２７ａが接続されている。電極端子２７ａは、セラミック基体２２の裏面２２ｂから外部に露出するように設けられている。ジャンパ２７は、電極端子２７ａを介して第２ＲＦゾーン電極用導体３５に接続されている。第２ＲＦゾーン電極用導体３５は、セラミックシャフト２９の中空内部及び下部開口を経て第２交流電源４５に接続されている。

ヒータ電極３０は、ウエハ載置面２２ａと平行に設けられている。ヒータ電極３０は、セラミック基体２２の直径よりもわずかに小さい直径の円内で、その円の中心付近に配置された２つの電極端子３０ａ，３０ｂのうちの一方の電極端子３０ａからその円内のほぼ全面にわたって一筆書きの要領で他方の電極端子３０ｂまでコイルを配線したものである。各電極端子３０ａ，３０ｂは、配線部材３８，３８（ヒータ電極用導体）を介して電源４８に接続されている。

ＲＦ電極２３、ジャンパ２７及びヒータ電極３０の材質は、同じであっても異なっていてもよい。材質としては、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ化合物、Ｗ化合物又はＮｂ化合物が挙げられる。このうち、セラミック基体２２との熱膨張係数差の小さいものが好ましい。

セラミックシャフト２９は、セラミック基体２２と同じセラミックからなる円筒状部材である。セラミックシャフト２９の上部端面は、セラミック基体２２の裏面２２ｂに拡散接合やＴＣＢ（Thermalcompressionbonding）により接合されている。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。

上部電極５０は、図１に示すように、セラミック基体２２のウエハ載置面２２ａと対向する上方位置（例えば図示しないチャンバの天井面）に固定されている。この上部電極５０は、グランドに接続されている。

次に、プラズマ発生装置１０の使用例について説明する。図示しないチャンバ内にプラズマ発生装置１０を配置し、ウエハ載置面２２ａにウエハＷを載置する。そして、第１ＲＦゾーン電極２４に第１交流電源４４から高周波電力を供給し、第２ＲＦゾーン電極２５に第２交流電源４５から高周波電力を供給する。こうすることにより、上部電極５０とセラミック基体２２に埋設されたＲＦ電極２３とからなる平行平板電極間にプラズマが発生し、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。また、図示しない熱電対の検出信号に基づいてウエハＷの温度を求め、その温度が設定温度（例えば３５０℃とか３００℃）になるようにヒータ電極３０へ印加する電圧を制御する。

以上詳述したウエハ支持台２０では、第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５にそれぞれ異なる高周波電力（例えば同じ周波数で異なるワット数の電力とか、異なる周波数で同じワット数の電力とか、異なる周波数で異なるワット数の電力など）を供給することができ、プラズマの密度分布を良好にコントロールすることができる。ここで、第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５は同一平面上に形成されている。そのため、ウエハ支持台２０の上方に配置される上部電極５０と各ＲＦゾーン電極２４，２５との距離はすべて同じであり、ウエハ載置面２２ａと各ＲＦゾーン電極２４，２５との間のセラミック基体２２の厚さ（誘電体層の厚さ）もすべて同じである。そのため、プラズマの密度分布を良好になるように容易にコントロールすることができる。

また、セラミック基体２２の内周部分と外周部分とではプラズマの密度分布が異なることが多いため、上述したようにＲＦ電極２３を内周側の円形電極（第１ＲＦゾーン電極２４）と外周側の円環電極（第２ＲＦゾーン電極２５）とに分けることが好ましい。

更に、セラミック基体２２にセラミックシャフト２９を投影した中央領域２２ｃから外れた第２ＲＦゾーン電極２５については、ジャンパ２７を利用してその第２ＲＦゾーン電極２５に対応するＲＦゾーン電極用導体３５に配線することができる。

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

例えば、上述した実施形態では、ＲＦ電極２３を同一平面上の第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５で構成したが、ＲＦ電極を同一平面上の３つ以上のＲＦゾーン電極で構成してもよい。図５に、ＲＦ電極１２３を、同一平面上の第１〜第３ＲＦゾーン電極１２４〜１２６で構成した例を示す。図５中、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。なお、図５では、ヒータ３０の配線部材３８，３８や電源４８は省略した。第１ＲＦゾーン電極１２４は、セラミック基体２２と同心円状の円形電極であり、第２及び第３ＲＦゾーン電極１２５，１２６は、セラミック基体２２と同心円の円環電極である。第１ＲＦゾーン電極１２４は、セラミック基体２２にセラミックシャフト２９を投影した円形の中央領域２２ｃ（図２及び図３の２点鎖線）と重複するように設けられている。第１ＲＦゾーン電極１２４は、裏面中央に接続された電極端子１２４ａを介して第１ＲＦゾーン電極用導体１３４に接続され、更に第１交流電源１４４に接続されている。第２及び第３ＲＦゾーン電極１２５，１２６は、中央領域２２ｃから外れた位置に設けられている。第２ＲＦゾーン電極１２５は２つの内部端子１２５ａを介してジャンパ１２７に接続され、ジャンパ１２７は電極端子１２７ａを介して第２ＲＦゾーン電極用導体１３５に接続され、更に第２交流電源１４５に接続されている。第３ＲＦゾーン電極１２６は２つの内部端子１２６ａを介してジャンパ１２８に接続され、ジャンパ１２８は電極端子１２８ａを介して第３ＲＦゾーン電極用導体１３６に接続され、更に第３交流電源１４６に接続されている。２つのジャンパ１２７，１２８は、同一平面上に設けられている。２つのジャンパ１２７，１２８が設けられた平面は、ＲＦ電極１２３が設けられた平面とヒータ電極３０が設けられた平面との間に位置している。この図５の構成でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。特に、第１〜第３ＲＦゾーン電極１２４〜１２６にそれぞれ異なる高周波電力を供給することができるため、プラズマの密度分布をより良好にコントロールすることができる。また、各ジャンパ１２７，１２８を同一平面上に設けたため、各ジャンパ１２７，１２８を異なる深さに設ける場合に比べてセラミック基体２２の厚さが薄くなる。セラミック基体２２の厚さが薄くなると、その熱容量が小さくなるため、セラミック基体２２の温度調整ひいてはウエハの温度調整を迅速に行うことができる。

上述した実施形態では、ジャンパ２７とヒータ電極３０とをセラミック基体２２の異なる深さに設けたが、図６に示すように、ジャンパ２７とヒータ電極３０とをセラミック基体２２内の同一平面上に設けてもよい。図６中、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。なお、図６では、ヒータ３０の配線部材３８，３８や電源４８は省略した。こうすれば、セラミック基体２２の厚さを更に薄くすることができる。

上述した実施形態において、ヒータ電極３０の代わりに、ＲＦゾーン電極の数と同数又は異なる数の複数のヒータゾーン電極によって構成されたヒータ電極を用いてもよい。例えば、図７のヒータ電極１３０は、セラミック基体２２の中心から所定半径（例えばセラミック基体２２の半径の半分以上）の円１３３の内側の円形ゾーンに設けられた第１ヒータゾーン電極１３１と、その円１３３の外側の円環ゾーンに設けられた第２ヒータゾーン電極１３２とで構成されている。第１ヒータゾーン電極１３１は、セラミック基体２２の中心付近に配置された２つの電極端子１３１ａ，１３１ｂのうちの一方の電極端子１３１ａからその円形ゾーンのほぼ全面にわたって一筆書きの要領で他方の電極端子１３１ｂまでコイルを配線したものである。各電極端子１３１ａ，１３１ｂは、配線部材を介して第１電源１４１に接続されている。第２ヒータゾーン電極１３２は、セラミック基体２２の中心付近に配置された２つの電極端子１３２ａ，１３２ｂのうちの一方の電極端子１３２ａからその円環ゾーンに延び出したあとその円環ゾーンのほぼ全面にわたって一筆書きの要領でコイルを配線し、他方の電極端子１３２ｂに戻したものである。各電極端子１３２ａ，１３２ｂは、配線部材を介して第２電源１４２に接続されている。こうすれば、第１及び第２ヒータゾーン電極１３１，１３２のそれぞれに異なる電力を供給することができるため、ゾーンごとの製膜性のバラツキをヒーター温度の調整で補償・調整できる。

このように上述した実施形態でヒータ電極３０の代わりにヒータ電極１３０を採用した場合において、図８に示すように、セラミック基体２２をウエハ載置面２２ａから見たときに第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５同士の間のギャップＧには第１及び第２ヒータゾーン電極１３１，１３２の一方（図８では第２ヒータゾーン電極１３２）が配置されていてもよい。印加するＲＦ電力を大きくした場合、ギャップＧの間隔を大きくとるとＲＦの干渉を抑制でき有利であるが、ＲＦ電極の存在しないギャップＧの部分でプラズマ密度が減少し面内のプラズマ密度が不均一になることがある。そこで、そのギャップＧの領域にヒータゾーン電極１３１，１３２の一方を配置することにより、プラズマ密度の不均一から生じる製膜性のバラツキを温度分布すなわちヒーター温度の調整で補償・調整することができ、有効である。

あるいは、上述した実施形態でヒータ電極３０の代わりにヒータ電極１３０を採用した場合において、図９に示すように、セラミック基体２２をウエハ載置面Ｗから見たときに第１ＲＦゾーン電極２４が第１ヒータゾーン電極１３１と一致し、第２ＲＦゾーン電極２５が第２ヒータゾーン電極１３２と一致するように配置してもよい。こうすれば、各ＲＦゾーン電極２４，２５をそれに対応するヒータゾーン電極１３１，１３２により個別に温度制御することができる。

上述した実施形態では、ＲＦ電極２３は円形電極の第１ＲＦゾーン電極２４と円環電極の第２ＲＦゾーン電極２５とで構成したたが、円環電極である第２ＲＦゾーン電極２５を複数に分割して各分割電極に個別に交流電源を接続してもよいし、円形電極である第１ＲＦゾーン電極２４を複数に分割して各分割電極に個別に交流電源を接続してもよい。こうすれば、プラズマの密度分布を更に良好になるように容易にコントロールすることができる。図１０に、ＲＦ電極２３を構成する第２ＲＦゾーン電極２５を３つの円弧状電極２５１〜２５３に分割した場合を例示する。図１１に、ＲＦ電極２３を構成する第２ＲＦゾーン電極２５を３つの円弧状電極２５１〜２５３に分割し、更に第１ＲＦゾーン電極２４を２つの半円形電極２４１，２４２に分割した場合を例示する。

上述した実施形態では、第２ＲＦゾーン電極２５とジャンパ２７とを接続する２つの内部端子２５ａ，２５ａをセラミック基体２２の直径からやや外れた位置に設けたが、セラミック基体２２の直径上に設けてもよい。その場合、図１２に示すように、ジャンパ２７が電極端子２４ａと干渉しないようにジャンパ２７を湾曲させればよい。

上述した実施形態では、内部端子２５ａ，２５ａを介して第２ＲＦゾーン電極２５とジャンパ２７とを接続したが、１つの内部端子２５ａを介して第２ＲＦゾーン電極２５とジャンパ２７とを接続してもよい。こうすれば、ジャンパ２７の長さをセラミック基体２２の半径と同程度の長さにする（短くする）ことができる。

上述した実施形態では、第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５やジャンパ２７は、いずれも導電性のメッシュシートで構成したが、特にメッシュシートに限定されるものではなく、例えば導電性の一様なシート（金属箔など）を用いてもよい。

上述した実施形態において、ＲＦ電極２３に電圧を印加することによりウエハＷをウエハ載置面２２ａに吸引するようにしてもよい。また、セラミック基体２２に更に静電電極を埋設し、その静電電極に電圧を印加することによりウエハＷをウエハ載置面２２ａに吸引してもよい。

上述した実施形態では、ウエハ支持台２０の製造方法の一例を示したが、ウエハ支持台２０の製造方法は特にこれに限定されるものではなく、他の公知の製造方法によってウエハ支持台２０を製造してもよい。例えば特開２０１２−８９６９４号公報に記載された製造方法に準じてウエハ支持台２０を製造してもよい。

本出願は、２０１７年３月６日に出願された米国仮出願第６２／４６７４３０号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。

本発明は、ウエハをプラズマ処理する際に利用可能である。

１０プラズマ発生装置、２０ウエハ支持台、２１円、２２セラミック基体、２２ａウエハ載置面、２２ｂ裏面、２２ｃ中央領域、２３ＲＦ電極、２４第１ＲＦゾーン電極、２４ａ電極端子、２５第２ＲＦゾーン電極、２５ａ内部端子、２７ジャンパ、２７ａ電極端子、２９セラミックシャフト、３０ヒータ電極、３０ａ，３０ｂ電極端子、３４第１ＲＦゾーン電極用導体、３５第２ＲＦゾーン電極用導体、３８配線部材、４４第１交流電源、４５第２交流電源、４８電源、５０上部電極、１２３ＲＦ電極、１２４第１ＲＦゾーン電極、１２４ａ電極端子、１２５第２ＲＦゾーン電極、１２５ａ内部端子、１２６第３ＲＦゾーン電極、１２６ａ内部端子、１２７，１２８ジャンパ、１２７ａ，１２８ａ電極端子、１３０ヒータ電極、１３１第１ヒータゾーン電極、１３１ａ，１３１ｂ電極端子、１３２第２ヒータゾーン電極、１３２ａ，１３２ｂ電極端子、１３３円、１３４第１ＲＦゾーン電極用導体、１３５第２ＲＦゾーン電極用導体、１３６第３ＲＦゾーン電極用導体、１４１第１電源、１４２第２電源、１４４第１交流電源、１４５第２交流電源、１４６第３交流電源、２４１，２４２半円形電極、２５１〜２５３円弧状電極。

Claims

ウエハ載置面を有する円板状のセラミック基体の内部にＲＦ電極とヒータ電極とが前記ウエハ載置面側からこの順に埋設されたウエハ支持台であって、
前記ＲＦ電極は、同一平面上のゾーンごとに形成された複数のＲＦゾーン電極によって構成され、
前記複数のＲＦゾーン電極及び前記ヒータ電極は、前記セラミック基体の前記ウエハ載置面とは反対側の面の外側に設けられた複数のＲＦゾーン電極用導体及びヒータ電極用導体にそれぞれ独立して接続されている、
ウエハ支持台。
前記ＲＦ電極は、前記複数のＲＦゾーン電極として、前記セラミック基体と同心円状の円形電極か前記円形電極を複数に分割した電極を含み、更に、前記円形電極の外側に前記セラミック基体と同心円の１以上の円環電極か前記円環電極の少なくとも１つを複数に分割した電極とを含む、
請求項１に記載のウエハ支持台。
請求項１又は２に記載のウエハ支持台であって、
前記セラミック基体の前記ウエハ載置面とは反対側の面の中央領域に接合された中空のセラミックシャフト
を備え、
前記複数のＲＦゾーン電極用導体及び前記ヒータ電極用導体は前記セラミックシャフトの内部に配置され、
前記複数のＲＦゾーン電極のうち前記セラミック基体に前記セラミックシャフトを投影した中央領域から外れた位置に設けられたものは、自身に対応する前記ＲＦゾーン電極用導体とジャンパを介して接続され、
前記ジャンパは、前記セラミック基体の内部であって前記ＲＦ電極が設けられた平面よりも前記ウエハ載置面から離れた平面上に設けられている、
ウエハ支持台。
前記複数のＲＦゾーン電極のうち２以上のＲＦゾーン電極が前記中央領域から外れた位置に設けられており、
前記２以上のＲＦゾーン電極ごとに設けられる前記ジャンパは同一平面上に設けられている、
請求項３に記載のウエハ支持台。
前記ジャンパは、前記ヒータ電極と同一平面に前記ヒータ電極と非接触な状態で設けられている、
請求項３又は４に記載のウエハ支持台。
前記ヒータ電極は、前記ＲＦゾーン電極の数と同数又は異なる数の複数のヒータゾーン電極によって構成され、
前記ヒータ電極用導体は、前記複数のヒータゾーン電極のそれぞれに独立して接続されるヒータゾーン電極用導体によって構成されている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のウエハ支持台。
前記セラミック基体を前記ウエハ載置面から見たときに前記ＲＦゾーン電極同士の間のギャップには少なくとも１つの前記ヒータゾーン電極が配置されている、
請求項６に記載のウエハ支持台。
前記セラミック基体を前記ウエハ載置面から見たときに前記複数のＲＦゾーン電極と前記複数のヒータゾーン電極とが一致するように配置されている、
請求項６に記載のウエハ支持台。