TWI763790B - 晶圓支撐台 - Google Patents

晶圓支撐台

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TWI763790B
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Abstract

晶圓支撐台20係在具有晶圓載置面22a之圓板狀之陶瓷基體22的內部將RF電極23與加熱器電極30從晶圓載置面22a側按照此順序埋設者。RF電極23係由在同一平面上之各區所形成的複數個RF區電極24、25所構成。複數個RF區電極24、25及加熱器電極30係分別獨立地與在陶瓷基體22之背面22b的外側所設置之複數個RF區電極用導體34、35及配線構件38、38連接。

Description

晶圓支撐台
本發明係有關於一種晶圓支撐台。
作為晶圓支撐台，已知在具有晶圓載置面之圓板狀之陶瓷基體的內部將RF電極與加熱器電極從晶圓載置面側按照此順序埋設者。例如，在專利文獻1，作為這種晶圓支撐台，揭示包括在陶瓷基體內被埋設成自晶圓載置面的深度彼此相異的圓形RF電極及圓環形RF電極者。平板上部電極被配置於與此晶圓支撐台之晶圓載置面相對向的位置。而且，對由該平板上部電極與晶圓支撐台之兩RF電極所構成的平行平板電極之間施加高頻電力，而產生電漿。在專利文獻1，說明在產生電漿時，藉由對圓形RF電極與圓環形RF電極施加各自相異的高頻電力，可良好地控制電漿的密度分布。 [先行專利文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5896595號公報
[發明所欲解決之課題]
可是，在產生電漿時，平板上部電極與圓形RF電極的距離及平板上部電極與圓環形RF電極的距離相異，晶圓載置面與圓形RF電極之間的電介質層(陶瓷基體)的厚度及晶圓載置面與圓環形RF電極之間的電介質層的厚度亦相異。因此，難良好地控制電漿的密度分布。
因此，本發明係為了解決這種課題所開發者，其目的之一在於作成可易於控制電漿的密度分布。 [解決課題之手段] 為了逹成上述之目的的至少一個，本發明之晶圓支撐台係採用以下的構成。
即，本發明之晶圓支撐台係在具有晶圓載置面之圓板狀之陶瓷基體的內部將RF電極與加熱器電極從該晶圓載置面側按照此順序埋設的晶圓支撐台， 該RF電極係由在同一平面上之各區所形成的複數個RF區電極所構成； 該複數個RF區電極及該加熱器電極係分別獨立地與在該陶瓷基體之與該晶圓載置面係相反側之面的外側所設置之複數個RF區電極用導體及加熱器電極用導體連接。
在此晶圓支撐台，複數個RF區電極及加熱器電極係分別獨立地與在陶瓷基體之與晶圓載置面係相反側之面的外側所設置之複數個RF區電極用導體及加熱器電極用導體連接。因此，可將相異之高頻電力供給至各RF區電極，而可良好地控制電漿的密度分布。此處，RF電極係由在同一平面上之各區所形成的複數個RF區電極所構成。因此，在晶圓支撐台之上方所配置的平板上部電極與各RF區電極的距離係全部都相同，晶圓載置面與各RF區電極之間之陶瓷基體的厚度(電介質層的厚度)亦全部都相同。因此，可易於將電漿的密度分布控制成良好。此外，RF區電極的形狀或個數可任意地決定。
在本發明之晶圓支撐台，亦可作成該RF電極係作為該複數個RF區電極，包含與該陶瓷基體同心圓形的圓形電極或將該圓形電極分割成複數個的電極，進而，包含在該圓形電極的外側與該陶瓷基體同心圓之一個以上的圓環形電極或將該圓環形電極的至少一個分割成複數個的電極。因為在陶瓷基體之內周部分與外周部分係電漿的密度分布常相異，所以依此方式將RF電極區分成圓形電極(或將圓形電極分割成複數個的電極)與一個以上的圓環形電極(或將圓環形電極分割成複數個的電極)較佳。例如，作為RF區電極，亦可設置與陶瓷基體同心圓形的圓形電極、與在該圓形電極的外側與陶瓷基體同心圓之一個以上的圓環形電極。或者，亦可設置將與陶瓷基體同心圓形的圓形電極分成一半的一對半圓形電極、與在該兩半圓形電極的外側與陶瓷基體同心圓之一個以上的圓環形電極。或者，亦可將圓環形電極分割成複數個。
亦可本發明之晶圓支撐台係包括與該陶瓷基體之與該晶圓載置面係相反側之面的中央區域接合之中空的陶瓷軸；該複數個RF區電極用導體及該加熱器電極用導體係被配置於該陶瓷軸的內部；該複數個RF區電極中被設置於從將該陶瓷軸投影至該陶瓷基體的中央區域所偏移的位置者係經由跳線與對應於本身的該RF區電極用導體連接；該跳線係被設置於係該陶瓷基體的內部且比設置該RF電極之平面更遠離該晶圓載置面的平面上。依此方式，對從陶瓷基體的中央區域所偏移之位置的RF區電極，可利用跳線對與該RF區電極對應的RF區電極用導體進行配線，在此情況，亦可該複數個RF區電極中2個以上的RF區電極被設置於從該中央區域所偏移的位置；在該2個以上之各RF區電極所設置的該跳線係被設置於同一平面上。依此方式，與將各跳線設置於相異之深度的情況相比，陶瓷基體的厚度變薄。陶瓷基體的厚度變薄時，因為其熱容量變小，所以可迅速地調整陶瓷基體的溫度，進而調整晶圓的溫度。又，亦可該跳線係以與該加熱器電極非接觸之狀態被設置於與該加熱器電極同一平面。依此方式，可使陶瓷基體的厚度變薄。
在本發明之晶圓支撐台，亦可該加熱器電極係由個數與該RF區電極之個數相同或相異的複數個加熱器區電極所構成；該加熱器電極用導體係由與該複數個加熱器區電極的各個獨立地連接的加熱器區電極用導體所構成。依此方式，因為可將相異之電力供給至各加熱器區電極，所以藉由調整加熱器的溫度，可補償、調整各區之製膜性的不均。在此情況，亦可將至少一個該加熱器區電極配置於在從該晶圓載置面觀察該陶瓷基體時該RF區電極彼此之間的間隙。在使施加之RF電力變大的情況，將間隙之間隔取大時可抑制RF之干涉，係有利，但是在RF電極不存在之間隙的部分電漿密度減少，而面內之電漿密度可能變成不均勻。因此，藉由將加熱器區電極配置於該間隙區域，能以温度分布，即加熱器之溫度的調整來補償、調整由電漿密度的不均所產生之製膜性的不均，並係有效。或者，亦可配置成在從該晶圓載置面觀察該陶瓷基體時該複數個RF區電極與該複數個加熱器區電極一致。依此方式，可對各RF區電極藉與其對應的加熱器區電極個別地進行溫度控制。
一面參照圖面一面在以下說明本發明之適合的實施形態。第1圖係電漿產生裝置10之立體圖。第2圖係第1圖之A－A剖面圖。第3圖係第1圖之B－B剖面圖。第4圖係表示RF電極23、跳線27以及加熱器電極30之配置的立體圖。
電漿產生裝置10係如第1圖所示，包括晶圓支撐台20與上部電極50。
晶圓支撐台20係為了支撐利用電漿來進行CVD或蝕刻等的晶圓W並加熱所使用，並被安裝於未圖示之半導體處理用之室的內部。此晶圓支撐台20包括陶瓷基體22與中空的陶瓷軸29。
陶瓷基體22係如第2圖所示，是陶瓷製(例如氧化鋁製或氮化鋁製)之圓板狀構件。此陶瓷基體22包括可載置晶圓W的晶圓載置面22a。在陶瓷基體22之與晶圓載置面22a相反側的面(背面)22b的中央，將陶瓷軸29接合。在陶瓷基體22，如第2圖~第4圖所示，RF電極23、跳線27以及加熱器電極30在各自分開之狀態被埋設。RF電極23、跳線27以及加熱器電極30係從接近晶圓載置面22a處按照此順序被埋設。
RF電極23係被設置成與晶圓載置面22a平行(包含實質上平行的情況，以下一樣)。RF電極23係由第1RF區電極24與第2RF區電極25所構成，而第1RF區電極24係被設置於從陶瓷基體22之中心既定半徑(此處係陶瓷基體22之半徑的一半以上)的圓21(參照第3圖)之內側的區，第2RF區電極25係被設置於該圓21之外側的區。第1RF區電極24係與陶瓷基體22同心圓形的圓形電極。第2RF區電極25係被設置成與第1RF區電極24的外側分開，並與陶瓷基體22同心圓形的圓環形電極。第1RF區電極24係被設置成與將陶瓷軸29投影至陶瓷基體22之圓形的中央區域22c(第2圖及第3圖之2點鏈線)重複，但是第2RF區電極25係被設置於偏離中央區域22c的位置。第1及第2RF區電極24、25係都由導電性之網孔片所構成。
第1RF區電極24係如第2圖所示，電極端子24a與背面中央連接。電極端子24a係被設置成從陶瓷基體22之背面22b露出至外部。第1RF區電極24係經由電極端子24a與第1RF區電極用導體34連接。第1RF區電極用導體34係經由陶瓷軸29的中空內部及下部開口與第1交流電源44連接。
第2RF區電極25係如第2圖所示，經由跳線27與對應於本身(第2RF區電極25)之第2RF區電極用導體35連接。具體而言，在第2RF區電極25之背面中稍偏離直徑方向的2點，連接圓柱狀之內部端子25a、25a的上端。跳線27係與晶圓載置面22a平行之導電性且帶狀的網孔片，並在陶瓷基體22的內部中RF電極23與加熱器電極30之間被配置成與電極端子24a或第1RF區電極用導體34不會發生干涉。跳線27係在背面中央連接電極端子27a。電極端子27a係被設置成從陶瓷基體22之背面22b露出至外部。跳線27係經由電極端子27a與第2RF區電極用導體35連接。第2RF區電極用導體35係經由陶瓷軸29的中空內部及下部開口與第2交流電源45連接。
加熱器電極30係被設置成與晶圓載置面22a平行。加熱器電極30係在直徑比陶瓷基體22之直徑更稍小的圓內，以一筆畫之要領從被配置於該圓的中心附近之2個電極端子30a、30b中之一方的電極端子30a在該圓內的大致整個面至另一方的電極端子30b對線圈進行配線者。各電極端子30a、30b係經由配線構件38、38(加熱器電極用導體)與電源48連接。
RF電極23、跳線27以及加熱器電極30的材質係相同或相異都可。作為材質，只要是具有導電性者，無特別地限定，例如列舉Mo、W、Nb、Mo化合物、W化合物或Nb化合物。其中，與陶瓷基體22之熱膨脹係數的差小者較佳。
陶瓷軸29係由與陶瓷基體22相同之陶瓷所構成的圓筒形構件。陶瓷軸29的上部端面係藉擴散接合或TCB(Thermal Compression Bonding)與陶瓷基體22之背面22b接合。TCB係意指將金屬接合材料夾入接合對象的2個構件之間，並在加熱至金屬接合材料之固態線溫度以下的溫度之狀態對2個構件進行加壓接合之周知的方法。
上部電極50係如第1圖所示，被固定於與陶瓷基體22之晶圓載置面22a相對向的上方位置(例如未圖示之室的頂面)。此上部電極50係與接地連接。
其次，說明電漿產生裝置10之使用例。將電漿產生裝置10配置於未圖示之室內，並將晶圓W載置於晶圓載置面22a。然後，從第1交流電源44將高頻電力供給至第1RF區電極24，並從第2交流電源45將高頻電力供給至第2RF區電極25。藉由依此方式，在由上部電極50與被埋設於陶瓷基體22之RF電極23所構成的平行平板電極間產生電漿，利用該電漿對晶圓W施加CVD成膜或蝕刻。又，根據未圖示之熱電偶的檢測信號，求得晶圓W的溫度，並將對加熱器電極30所施加之電壓控制成該温度成為設定溫度(例如350℃或300℃)。
在以上所詳述之晶圓支撐台20，可對第1及第2RF區電極24、25供給各自相異的高頻電力(例如頻率相同而瓦特數相異的電力、或頻率相異而瓦特數相同的電力、或頻率相異且瓦特數相異的電力等)，而可良好地控制電漿的密度分布。此處，第1及第2RF區電極24、25係被形成於同一平面上。因此，在晶圓支撐台20之上方所配置的上部電極50與各RF區電極24、25的距離係全部都相同，晶圓載置面22a與各RF區電極24、25之間之陶瓷基體22的厚度(電介質層的厚度)亦全部都相同。因此，可易於將電漿的密度分布控制成良好。
又，因為在陶瓷基體22的內周部分與外周部分係電漿的密度分布常相異，所以如上述所示將RF電極23分成內周側的圓形電極(第1RF區電極24)與外周側的圓環形電極(第2RF區電極25)較佳。
進而，關於從將陶瓷軸29投影至陶瓷基體22的中央區域22c所偏移的第2RF區電極25，可利用跳線27對對應於該第2RF區電極25的第2RF區電極用導體35進行配線。
此外，本發明係絲毫未被限定為上述的實施形態，當然只要屬於本發明的技術性範圍，能以各種的形態實施。
例如，在上述的實施形態，以同一平面上的第1及第2RF區電極24、25構成RF電極23，但是亦可以同一平面上之3個以上的RF區電極構成RF電極。在第5圖，表示以同一平面上之第1~第3RF區電極124~126構成RF電極123的例子。第5圖中，對與上述之實施形態相同的構成元件附加相同的符號。此外，在第5圖，加熱器電極30之配線構件38、38或電源48係省略。第1RF區電極124係與陶瓷基體22同心圓形的圓形電極。第2及第3RF區電極125、126係與陶瓷基體22同心圓形的圓環形電極。第1RF區電極124係被設置成與將陶瓷軸29投影至陶瓷基體22之圓形的中央區域22c(第2圖及第3圖之2點鏈線)重複。第1RF區電極124係經由與背面中央連接之電極端子124a與第1RF區電極用導體134連接，進而與第1交流電源144連接。第2及第3RF區電極125、126係被設置於從中央區域22c所偏移的位置。第2RF區電極125係經由2個內部端子125a與跳線127連接，跳線127係經由電極端子127a與第2RF區電極用導體135連接，進而與第2交流電源145連接。第3RF區電極126係經由2個內部端子126a與跳線128連接，跳線128係經由電極端子128a與第3RF區電極用導體136連接，進而與第3交流電源146連接。2條跳線127、128係被設置於同一平面上。設置2條跳線127、128之平面係位於設置RF電極123的平面與設置加熱器電極30的平面之間。以此第5圖的構成，亦可得到與上述之實施形態一樣的效果。尤其，因為可對第1~第3RF區電極124~126供給各自相異的高頻電力，所以可更良好地控制電漿的密度分布。又，因為將各 跳線127、128設置於同一平面上，所以與在將各跳線127、128設置於相異之深度的情況相比，陶瓷基體22的厚度變薄。陶瓷基體22的厚度變薄時，因為其熱容量變小，所以可迅速地調整陶瓷基體22的溫度，進而調整晶圓的溫度。
在上述的實施形態，將跳線27與加熱器電極30設置於陶瓷基體22之相異的深度，但是如第6圖所示，亦可將跳線27與加熱器電極30設置於陶瓷基體22內之同一平面上。第6圖中，對與上述之實施形態相同的構成附加相同的符號。在第6圖中，加熱器電極30之配線構件38、38或電源48係省略。依此方式，可使陶瓷基體22的厚度變成更薄。
在上述的實施形態，亦可使用由個數與RF區電極之個數相同的複數個加熱器區電極所構成之加熱器電極，替代加熱器電極30。例如，第7圖之加熱器電極130係由第1加熱器區電極131與第2加熱器區電極132所構成，而第1加熱器區電極131係被設置於從陶瓷基體22之中心既定半徑(例如陶瓷基體22之半徑的一半以上)的圓133之內側的圓形區，第2加熱器區電極132係被設置於該圓133之外側的圓環區。第1加熱器區電極131係以一筆畫之要領從被配置於陶瓷基體22的中心附近之2個電極端子131a、131b中之一方的電極端子131a在該圓形區的大致整個面至另一方的電極端子131b對線圈進行配線者。各電極端子131a、131b係經由配線構件與第1電源141連接。第2加熱器區電極132係以一筆畫之要領從被配置於陶瓷基體22的中心附近之2個電極端子132a、132b中之一方的電極端子132a延伸至該圓環區後，在該圓環區的大致整個面對線圈進行配線，並回到另一方之電極端子132b。各電極端子132a、132b係經由配線構件與第2電源142連接。依此方式，因為可將相異之電力供給至各個第1及第2加熱器區電極131、132，所以藉由調整加熱器的溫度，補償、調整各區之製膜性的不均。
依此方式，在上述的實施形態，在採用加熱器電極130來替代加熱器電極30的情況，如第8圖所示，亦可將第1及第2加熱器區電極131、132之一方(在第8圖係第2加熱器區電極132)配置於在從晶圓載置面22a觀察陶瓷基體22時第1及第2RF區電極24、25彼此之間的間隙G。在使所施加之RF電力變大的情況，將間隙G之間隔取大時可抑制RF之干涉，係有利，但是在RF電極不存在之間隙G的部分電漿密度減少，而面內之電漿密度可能變成不均勻。因此，藉由將加熱器區電極131、132之一方配置於該間隙G的區域，能以温度分布，即加熱器之溫度的調整來補償、調整由電漿密度的不均所產生之製膜性的不均，並係有效。
或者，在上述的實施形態，在採用加熱器電極130來替代加熱器電極30的情況，如第9圖所示，亦可配置成在從晶圓載置面W觀察陶瓷基體22時第1RF區電極24與第1加熱器區電極131一致，且第2RF區電極25與第2加熱器區電極132一致。依此方式，可對各RF區電極24、25藉與其對應之加熱器區電極131、132個別地進行溫度控制。
在上述的實施形態，RF電極23係由圓形電極之第1RF區電極24與圓環形電極之第2RF區電極25所構成之，但是亦可將是圓環形電極之第2RF區電極25分割成複數個並個別地將交流電源與各分割電極連接，亦可將是圓形電極之第1RF區電極24分割成複數個並個別地將交流電源與各分割電極連接。依此方式，可易於將電漿的密度分布控制成更良好。在第10圖，舉例表示將構成RF電極23之第2RF區電極25分割成3個圓弧形電極251~253的情況。在第11圖，舉例表示將構成RF電極23之第2RF區電極25分割成3個圓弧形電極251~253。更將第1RF區電極24分割成2個半圓形電極241、242的情況。
在上述的實施形態，將連接第2RF區電極25與跳線27之2個內部端子25a、25a設置於稍微偏離陶瓷基體22之直徑的位置，但是亦可設置於陶瓷基體22之直徑上。在此情況，如第12圖所示，只要使跳線27彎曲成跳線27與電極端子24a不會發生干涉即可。
在上述的實施形態，經由內部端子25a、25a連接第2RF區電極25與跳線27，但是亦可經由一個內部端子25a連接第2RF區電極25與跳線27。依此方式，可將跳線27的長度作成與陶瓷基體22之半徑同程度的長度(變短)。
在上述的實施形態，第1及第2RF區電極24、25或跳線27係都由導電性之網孔片所構成，但是不是特別地限定為網孔片，例如亦可使用導電性一樣之片(金屬箔等)。
在上述的實施形態，亦可作成藉由對RF電極23施加電壓而將晶圓W吸引至晶圓載置面22a。又，亦可更將靜電電極埋設於陶瓷基體22，藉由對該靜電電極施加電壓而將晶圓W吸引至晶圓載置面22a。
在上述的實施形態，表示晶圓支撐台20之製造方法的一例，但是晶圓支撐台20之製造方法係不是特別地被限定為此，亦可藉其他之周知的製造方法製造晶圓支撐台20。亦可依據例如在特開2012－89694號公報所記載之製造方法來製造晶圓支撐台20。
本專利申請係將於2017年3月6日所申請之美國暫時申請第62/467430號作為優先權主張的基礎，並藉引用將其內容之全部包含於本專利說明書。 [工業上之可利用性]
本發明係在對晶圓進行電漿處理時可利用。
10‧‧‧電漿產生裝置20‧‧‧晶圓支撐台21‧‧‧圓22‧‧‧陶瓷基體22a‧‧‧晶圓載置面22b‧‧‧背面22c‧‧‧中央區域23‧‧‧RF電極24‧‧‧第1RF區電極24a‧‧‧電極端子25‧‧‧第2RF區電極25a‧‧‧內部端子27‧‧‧跳線27a‧‧‧電極端子29‧‧‧陶瓷軸30‧‧‧加熱器電極30a、30b‧‧‧電極端子34‧‧‧第1RF區電極用導體35‧‧‧第2RF區電極用導體38‧‧‧配線構件44‧‧‧第1交流電源45‧‧‧第2交流電源48‧‧‧電源50‧‧‧上部電極123‧‧‧RF電極124‧‧‧第1RF區電極124a‧‧‧電極端子125‧‧‧第2RF區電極125a‧‧‧內部端子126‧‧‧第3RF區電極126a‧‧‧內部端子127、128‧‧‧跳線127a、128a‧‧‧電極端子130‧‧‧加熱器電極131‧‧‧第1加熱器區電極131a、131b‧‧‧電極端子132‧‧‧第2加熱器區電極132a、132b‧‧‧電極端子133‧‧‧圓134‧‧‧第1RF區電極用導體135‧‧‧第2RF區電極用導體136‧‧‧第3RF區電極用導體141‧‧‧第1電源142‧‧‧第2電源144‧‧‧第1交流電源145‧‧‧第2交流電源146‧‧‧第3交流電源241、242‧‧‧半圓形電極251~253‧‧‧圓弧形電極
第1圖係表示電漿產生裝置10之示意構成的立體圖。 第2圖係第1圖之A－A剖面圖。 第3圖係第1圖之B－B剖面圖。 第4圖係表示RF電極23、跳線27以及加熱器電極30之配置的立體圖。 第5圖係表示RF電極123、跳線127、128以及加熱器電極30之配置的立體圖。 第6圖係表示別例之RF電極23、跳線27以及加熱器電極30之配置的立體圖。 第7圖係加熱器電極130的立體圖。 第8圖係表示RF電極23及加熱器電極130之配置的立體圖。 第9圖係表示RF電極23及加熱器電極130之配置的立體圖。 第10圖係表示RF電極23之別例的平面圖。 第11圖係表示RF電極23之別例的平面圖。 第12圖係表示跳線27之別例的平面圖。
10‧‧‧電漿產生裝置
20‧‧‧晶圓支撐台
22‧‧‧陶瓷基體
22a‧‧‧晶圓載置面
29‧‧‧陶瓷軸
50‧‧‧上部電極
W‧‧‧晶圓

Claims (7)

  1. 一種晶圓支撐台，在具有晶圓載置面之圓板狀之陶瓷基體的內部將RF電極與加熱器電極從該晶圓載置面側按照此順序埋設，其中該RF電極係由在同一平面上之各區所形成的複數個RF區電極所構成；該複數個RF區電極及該加熱器電極係分別獨立地與在該陶瓷基體之與該晶圓載置面係相反側之面的外側所設置之複數個RF區電極用導體及加熱器電極用導體連接；晶圓支撐台更包括：與該陶瓷基體之與該晶圓載置面係相反側之面的中央區域接合之中空的陶瓷軸；該複數個RF區電極用導體及該加熱器電極用導體係被配置於該陶瓷軸的內部；該複數個RF區電極中被設置於從將該陶瓷軸投影至該陶瓷基體的中央區域所偏移的位置者係經由跳線與對應於本身的該RF區電極用導體連接；該跳線係被設置於係該陶瓷基體的內部且比設置該RF電極之平面更遠離該晶圓載置面的平面上。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓支撐台，其中該RF電極係作為該複數個RF區電極，包含與該陶瓷基體同心圓形的圓形電極或將該圓形電極分割成複數個的電極，進而，包含在該圓形電極的外側與該陶瓷基體同心圓之一個以上的圓環形電極或將該圓環形電極的至少一個分割成複數個的電極。
  3. 如申請專利範圍第1項之晶圓支撐台，其中該複數個RF區電極中2個以上的RF區電極被設置於從該中央區域所偏移的位置；在該2個以上之各RF區電極所設置的該跳線係被設置於同一平面上。
  4. 如申請專利範圍第1項之晶圓支撐台，其中該跳線係以與該加熱 器電極非接觸之狀態被設置於與該加熱器電極同一平面上。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項晶圓支撐台，其中該加熱器電極係由個數與該RF區電極之個數相同或相異的複數個加熱器區電極所構成；該加熱器電極用導體係由與該複數個加熱器區電極的各個獨立地連接的加熱器區電極用導體所構成。
  6. 如申請專利範圍第5項之晶圓支撐台，其中將至少一個該加熱器區電極配置於在從該晶圓載置面觀察該陶瓷基體時該RF區電極彼此之間的間隙。
  7. 如申請專利範圍第5項之晶圓支撐台，其中配置成在從該晶圓載置面觀察該陶瓷基體時該複數個RF區電極與該複數個加熱器區電極一致。
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