WO2018163935A1 - ウエハ支持台 - Google Patents

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WO2018163935A1
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朋大 高橋
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日本碍子株式会社
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    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks

Definitions

  • the present invention relates to a wafer support.
  • Patent Document 1 discloses, as this type of wafer support, a circular RF electrode and an annular RF electrode embedded in a ceramic base so that the depths from the wafer mounting surface are different from each other. It is disclosed. A flat plate upper electrode is disposed at a position facing the wafer placement surface of the wafer support. Then, plasma is generated by applying high-frequency power between the parallel plate electrodes composed of the plate upper electrode and the RF electrodes of the wafer support. Patent Document 1 describes that when plasma is generated, the plasma density distribution can be satisfactorily controlled by applying different high-frequency powers to the circular conducting RF electrode and the annular RF electrode.
  • the distance between the flat plate upper electrode and the circular RF electrode and the distance between the flat plate upper electrode and the annular RF electrode are different, and the dielectric between the wafer mounting surface and the circular RF electrode.
  • the thickness of the layer (ceramic substrate) and the thickness of the dielectric layer between the wafer mounting surface and the annular RF electrode are also different. Therefore, it has been difficult to control the plasma density distribution well.
  • the present invention has been made to solve such problems, and an object thereof is to make it possible to easily control the density distribution of plasma.
  • the wafer support of the present invention employs the following configuration.
  • the wafer support of the present invention is A wafer support base in which an RF electrode and a heater electrode are embedded in this order from the wafer mounting surface side inside a disk-shaped ceramic substrate having a wafer mounting surface,
  • the RF electrode is constituted by a plurality of RF zone electrodes formed for each zone on the same plane,
  • the plurality of RF zone electrodes and the heater electrode are respectively independent of a plurality of RF zone electrode conductors and heater electrode conductors provided on the outside of the surface of the ceramic substrate opposite to the wafer mounting surface. It is connected, Is.
  • the plurality of RF zone electrodes and heater electrodes are independent of the plurality of RF zone electrode conductors and heater electrode conductors provided outside the surface of the ceramic substrate opposite to the wafer mounting surface. Connected. Therefore, different high frequency power can be supplied for each RF zone electrode, and the plasma density distribution can be controlled well.
  • the RF electrode is composed of a plurality of RF zone electrodes formed for each zone on the same plane. For this reason, the distance between the flat plate upper electrode disposed above the wafer support and each RF zone electrode is the same, and the thickness of the ceramic substrate (dielectric layer) between the wafer mounting surface and each RF zone electrode is the same. The thickness is the same. Therefore, it is possible to easily control the plasma density distribution to be good.
  • the shape and number of RF zone electrodes can be determined arbitrarily.
  • the RF electrode includes, as the plurality of RF zone electrodes, a circular electrode concentric with the ceramic substrate, or an electrode obtained by dividing the circular electrode into a plurality of parts, and further outside the circular electrode.
  • the ceramic base and one or more concentric annular electrodes or an electrode obtained by dividing at least one of the annular electrodes into a plurality of parts may be included. Since the density distribution of the plasma is often different between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the ceramic substrate, the circular electrode (or electrode obtained by dividing the circular electrode into a plurality of portions) and one or more circular electrodes (or circular electrodes) Is preferably divided into a plurality of divided electrodes).
  • the RF zone electrode may be provided with a circular electrode concentric with the ceramic substrate, and one or more annular electrodes concentric with the ceramic substrate outside the circular electrode.
  • a pair of semicircular electrodes obtained by dividing a ceramic base and a concentric circular electrode into halves, and one or more annular electrodes concentric with the ceramic base may be provided outside both the semicircular electrodes.
  • the annular electrode may be divided into a plurality.
  • the wafer support of the present invention includes a hollow ceramic shaft joined to a central region of the surface of the ceramic base opposite to the wafer mounting surface, and the plurality of RF zone electrode conductors and heater electrodes A conductor is disposed inside the ceramic shaft, and among the plurality of RF zone electrodes, the one provided at a position outside the central region where the ceramic shaft is projected onto the ceramic substrate is the RF zone electrode corresponding to itself.
  • the jumper may be provided on a plane that is farther from the wafer mounting surface than the plane on which the RF electrode is provided, inside the ceramic substrate.
  • the RF zone electrode of the position remove
  • two or more RF zone electrodes among the plurality of RF zone electrodes are provided at positions deviating from the central region, and the jumpers provided for the two or more RF zone electrodes are provided on the same plane. It may be done.
  • the thickness of the ceramic substrate is reduced compared to the case where each jumper is provided at a different depth.
  • the jumper may be provided on the same plane as the heater electrode in a non-contact state with the heater electrode. In this way, the thickness of the ceramic substrate can be reduced.
  • the heater electrode is composed of a plurality of heater zone electrodes that are the same as or different from the number of the RF zone electrodes, and the heater electrode conductor is provided on each of the plurality of heater zone electrodes. You may be comprised by the conductor for heater zone electrodes connected independently. In this way, since different electric power can be supplied for each heater zone electrode, variations in film forming property for each zone can be compensated and adjusted by adjusting the heater temperature.
  • at least one heater zone electrode may be arranged in a gap between the RF zone electrodes when the ceramic substrate is viewed from the wafer mounting surface. When the RF power to be applied is increased, it is advantageous to increase the gap interval to suppress RF interference.
  • the plasma density decreases in the gap portion where no RF electrode exists, and the in-plane plasma density becomes nonuniform. There is. Therefore, by arranging the heater zone electrode in the gap region, it is possible to compensate and adjust the film forming variation caused by the nonuniformity of the plasma density by adjusting the temperature distribution, that is, the heater temperature.
  • the plurality of RF zone electrodes and the plurality of heater zone electrodes may be arranged to coincide with each other when the ceramic substrate is viewed from the wafer mounting surface. If it carries out like this, each RF zone electrode can be individually temperature-controlled by the heater zone electrode corresponding to it.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a plasma generator 10.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. BB sectional drawing of FIG.
  • FIG. The perspective view which shows arrangement
  • FIG. The perspective view which shows arrangement
  • FIG. 1 is a perspective view of the plasma generator 10
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. FIG.
  • the plasma generator 10 includes a wafer support 20 and an upper electrode 50.
  • the wafer support 20 is used to support and heat a wafer W that is subjected to CVD or etching using plasma, and is attached to the inside of a semiconductor process chamber (not shown).
  • the wafer support 20 includes a ceramic base 22 and a hollow ceramic shaft 29.
  • the ceramic substrate 22 is a disk-shaped member made of ceramic (for example, made of alumina or aluminum nitride) as shown in FIG.
  • the ceramic substrate 22 includes a wafer placement surface 22a on which the wafer W can be placed.
  • a ceramic shaft 29 is joined to the center of the surface (back surface) 22b of the ceramic base 22 opposite to the wafer mounting surface 22a.
  • the RF electrode 23, the jumper 27, and the heater electrode 30 are embedded in the ceramic base 22 so as to be separated from each other.
  • the RF electrode 23, the jumper 27, and the heater electrode 30 are embedded in this order from the side closer to the wafer mounting surface 22a.
  • the RF electrode 23 is provided in parallel to the wafer placement surface 22a (including the case of being substantially parallel, the same applies hereinafter).
  • the RF electrode 23 includes a first RF zone electrode 24 provided in a zone inside a circle 21 (see FIG. 3) having a predetermined radius (here, half or more of the radius of the ceramic substrate 22) from the center of the ceramic substrate 22, and the circle. 21 and a second RF zone electrode 25 provided in the outer zone.
  • the first RF zone electrode 24 is a circular electrode that is concentric with the ceramic substrate 22.
  • the second RF zone electrode 25 is an annular electrode that is provided outside the first RF zone electrode 24 and is concentric with the ceramic substrate 22.
  • the first RF zone electrode 24 is provided so as to overlap with a circular central region 22c (a two-dot chain line in FIGS. 2 and 3) in which the ceramic shaft 29 is projected onto the ceramic base 22, but the second RF zone electrode 25 is , Provided at a position deviating from the central region 22c.
  • the first and second RF zone electrodes 24 and 25 are both made of a conductive mesh sheet.
  • the first RF zone electrode 24 has an electrode terminal 24a connected to the center of the back surface.
  • the electrode terminal 24 a is provided so as to be exposed to the outside from the back surface 22 b of the ceramic substrate 22.
  • the first RF zone electrode 24 is connected to the first RF zone electrode conductor 34 via the electrode terminal 24a.
  • the first RF zone electrode conductor 34 is connected to the first AC power supply 44 through the hollow interior of the ceramic shaft 29 and the lower opening.
  • the second RF zone electrode 25 is connected to the second RF zone electrode conductor 35 corresponding to itself (second RF zone electrode 25) via a jumper 27.
  • the upper ends of the cylindrical internal terminals 25a and 25a are connected to two points slightly deviated from the diameter direction on the back surface of the second RF zone electrode 25.
  • the jumper 27 is a conductive and belt-like mesh sheet parallel to the wafer mounting surface 22 a, and the electrode terminal 24 a and the first RF zone electrode conductor between the RF electrode 23 and the heater electrode 30 in the ceramic substrate 22. 34 is arranged so as not to interfere with.
  • the jumper 27 has an electrode terminal 27a connected to the center of the back surface.
  • the electrode terminal 27 a is provided so as to be exposed to the outside from the back surface 22 b of the ceramic substrate 22.
  • the jumper 27 is connected to the second RF zone electrode conductor 35 through the electrode terminal 27a.
  • the second RF zone electrode conductor 35 is connected to the second AC power supply 45 through the hollow interior of the ceramic shaft 29 and the lower opening.
  • the heater electrode 30 is provided in parallel with the wafer placement surface 22a.
  • the heater electrode 30 is within a circle having a diameter slightly smaller than the diameter of the ceramic substrate 22, and one of the two electrode terminals 30a and 30b disposed near the center of the circle is within the circle.
  • the coil is wired to the other electrode terminal 30b in the manner of one-stroke writing over almost the entire surface.
  • Each electrode terminal 30a, 30b is connected to the power supply 48 via the wiring members 38, 38 (heater electrode conductor).
  • the material of the RF electrode 23, the jumper 27, and the heater electrode 30 may be the same or different. Although it will not specifically limit if it has electroconductivity as a material, For example, Mo, W, Nb, Mo compound, W compound, or Nb compound is mentioned. Among these, those having a small difference in thermal expansion coefficient from the ceramic substrate 22 are preferable.
  • the ceramic shaft 29 is a cylindrical member made of the same ceramic as the ceramic substrate 22.
  • the upper end surface of the ceramic shaft 29 is joined to the back surface 22b of the ceramic base 22 by diffusion bonding or TCB (Thermalcompressionbonding).
  • TCB refers to a known method in which a metal bonding material is sandwiched between two members to be bonded, and the two members are pressure bonded while heated to a temperature equal to or lower than the solidus temperature of the metal bonding material.
  • the upper electrode 50 is fixed to an upper position (for example, a ceiling surface of a chamber not shown) facing the wafer mounting surface 22a of the ceramic substrate 22.
  • the upper electrode 50 is connected to the ground.
  • the plasma generator 10 is placed in a chamber (not shown), and the wafer W is placed on the wafer placement surface 22a. Then, high frequency power is supplied from the first AC power supply 44 to the first RF zone electrode 24, and high frequency power is supplied from the second AC power supply 45 to the second RF zone electrode 25. By doing so, plasma is generated between the parallel plate electrodes composed of the upper electrode 50 and the RF electrode 23 embedded in the ceramic substrate 22, and the wafer W is subjected to CVD film formation or etching using the plasma.
  • the temperature of the wafer W is obtained based on a detection signal of a thermocouple (not shown), and the voltage applied to the heater electrode 30 is controlled so that the temperature becomes a set temperature (for example, 350 ° C. or 300 ° C.).
  • the first and second RF zone electrodes 24 and 25 have different high frequency powers (for example, different wattage powers at the same frequency, different wattage powers at different frequencies, or different frequencies). Different wattage power, etc.) can be supplied, and the plasma density distribution can be well controlled.
  • the first and second RF zone electrodes 24 and 25 are formed on the same plane. Therefore, the distance between the upper electrode 50 disposed above the wafer support 20 and each RF zone electrode 24, 25 is the same, and the ceramic between the wafer mounting surface 22a and each RF zone electrode 24, 25 is the same.
  • the substrate 22 has the same thickness (the thickness of the dielectric layer). Therefore, it is possible to easily control the plasma density distribution to be good.
  • the RF electrode 23 is connected to the inner peripheral circular electrode (first RF zone electrode 24) and the outer peripheral side as described above. It is preferable to divide it into an annular electrode (second RF zone electrode 25).
  • the second RF zone electrode 25 deviated from the central region 22 c where the ceramic shaft 29 is projected on the ceramic base 22 is wired to the RF zone electrode conductor 35 corresponding to the second RF zone electrode 25 using the jumper 27. be able to.
  • the RF electrode 23 is configured by the first and second RF zone electrodes 24 and 25 on the same plane, but the RF electrode may be configured by three or more RF zone electrodes on the same plane.
  • FIG. 5 shows an example in which the RF electrode 123 is composed of first to third RF zone electrodes 124 to 126 on the same plane.
  • the same components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the wiring members 38 and 38 and the power source 48 of the heater 30 are omitted.
  • the first RF zone electrode 124 is a circular electrode concentric with the ceramic base 22, and the second and third RF zone electrodes 125 and 126 are circular electrodes concentric with the ceramic base 22.
  • the first RF zone electrode 124 is provided so as to overlap with a circular central region 22 c (a two-dot chain line in FIGS. 2 and 3) in which the ceramic shaft 29 is projected onto the ceramic base 22.
  • the first RF zone electrode 124 is connected to the first RF zone electrode conductor 134 via the electrode terminal 124 a connected to the center of the back surface, and is further connected to the first AC power supply 144.
  • the second and third RF zone electrodes 125 and 126 are provided at positions away from the central region 22c.
  • the second RF zone electrode 125 is connected to the jumper 127 via two internal terminals 125a.
  • the jumper 127 is connected to the second RF zone electrode conductor 135 via the electrode terminal 127a and further connected to the second AC power source 145.
  • the third RF zone electrode 126 is connected to the jumper 128 via two internal terminals 126a.
  • the jumper 128 is connected to the third RF zone electrode conductor 136 via the electrode terminal 128a and further connected to the third AC power source 146. Yes.
  • the two jumpers 127 and 128 are provided on the same plane.
  • the plane on which the two jumpers 127 and 128 are provided is located between the plane on which the RF electrode 123 is provided and the plane on which the heater electrode 30 is provided.
  • the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.
  • the plasma density distribution can be controlled better.
  • the jumpers 127 and 128 are provided on the same plane, the thickness of the ceramic base 22 is reduced compared to the case where the jumpers 127 and 128 are provided at different depths. When the thickness of the ceramic substrate 22 is reduced, the heat capacity thereof is reduced, so that the temperature adjustment of the ceramic substrate 22 and thus the temperature of the wafer can be quickly performed.
  • the jumper 27 and the heater electrode 30 are provided at different depths of the ceramic base 22, but the jumper 27 and the heater electrode 30 are on the same plane in the ceramic base 22 as shown in FIG. It may be provided.
  • the same components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the wiring members 38 and 38 and the power supply 48 of the heater 30 are omitted. In this way, the thickness of the ceramic substrate 22 can be further reduced.
  • the heater electrode 130 of FIG. 7 includes a first heater zone electrode 131 provided in a circular zone inside a circle 133 having a predetermined radius (for example, half or more of the radius of the ceramic substrate 22) from the center of the ceramic substrate 22,
  • the second heater zone electrode 132 is provided in the annular zone outside the circle 133.
  • the first heater zone electrode 131 consists of one electrode terminal 131a of the two electrode terminals 131a and 131b arranged near the center of the ceramic substrate 22 and the other electrode terminal in the manner of one stroke over almost the entire surface of the circular zone.
  • a coil is wired up to 131b.
  • Each electrode terminal 131a, 131b is connected to the 1st power supply 141 via the wiring member.
  • the second heater zone electrode 132 extends from one electrode terminal 132a of the two electrode terminals 132a and 132b disposed near the center of the ceramic substrate 22 to the annular zone and then substantially the entire surface of the annular zone.
  • the coil is wired in the manner of one stroke, and returned to the other electrode terminal 132b.
  • Each electrode terminal 132a, 132b is connected to the 2nd power supply 142 via the wiring member.
  • the first and second RF zones when the ceramic substrate 22 is viewed from the wafer mounting surface 22a may be disposed in the gap G between the electrodes 24 and 25.
  • the RF power to be applied is increased, it is advantageous to reduce the RF interference by increasing the gap G.
  • the plasma density is reduced in the gap G where the RF electrode is not present, and the in-plane plasma density is reduced. May be uniform.
  • the first RF zone electrode 24 is the first when the ceramic substrate 22 is viewed from the wafer mounting surface W as shown in FIG.
  • the first heater zone electrode 131 may be arranged so that the second RF zone electrode 25 coincides with the second heater zone electrode 132. In this way, the temperature of each of the RF zone electrodes 24 and 25 can be individually controlled by the heater zone electrodes 131 and 132 corresponding thereto.
  • the RF electrode 23 is composed of the first RF zone electrode 24 that is a circular electrode and the second RF zone electrode 25 that is an annular electrode, but the second RF zone electrode 25 that is an annular electrode is divided into a plurality of parts.
  • an AC power supply may be individually connected to each divided electrode, or the first RF zone electrode 24 that is a circular electrode may be divided into a plurality of parts and an AC power supply may be individually connected to each divided electrode.
  • FIG. 10 illustrates a case where the second RF zone electrode 25 constituting the RF electrode 23 is divided into three arc-shaped electrodes 251 to 253.
  • FIG. 11 illustrates a case where the second RF zone electrode 25 constituting the RF electrode 23 is divided into three arc-shaped electrodes 251 to 253 and the first RF zone electrode 24 is further divided into two semicircular electrodes 241 and 242. .
  • the two internal terminals 25a, 25a for connecting the second RF zone electrode 25 and the jumper 27 are provided at positions slightly deviated from the diameter of the ceramic base 22, but are provided on the diameter of the ceramic base 22. Also good. In that case, as shown in FIG. 12, the jumper 27 may be bent so that the jumper 27 does not interfere with the electrode terminal 24a.
  • the second RF zone electrode 25 and the jumper 27 are connected via the internal terminals 25a and 25a. However, even if the second RF zone electrode 25 and the jumper 27 are connected via the single internal terminal 25a. Good. In this way, the length of the jumper 27 can be made to be the same length (shortened) as the radius of the ceramic substrate 22.
  • the first and second RF zone electrodes 24 and 25 and the jumper 27 are all formed of a conductive mesh sheet.
  • the first and second RF zone electrodes 24 and 25 and the jumper 27 are not particularly limited to the mesh sheet.
  • a sheet (such as a metal foil) may be used.
  • the wafer W may be attracted to the wafer mounting surface 22a by applying a voltage to the RF electrode 23.
  • an electrostatic electrode may be further embedded in the ceramic substrate 22, and the wafer W may be attracted to the wafer mounting surface 22a by applying a voltage to the electrostatic electrode.
  • the method for manufacturing the wafer support 20 is not particularly limited thereto, and the wafer support 20 is formed by another known manufacturing method. It may be manufactured.
  • the wafer support 20 may be manufactured according to the manufacturing method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-89694.
  • the present invention can be used when plasma processing a wafer.
  • Plasma generator 20 Wafer support, 21 yen, 22 Ceramic substrate, 22a Wafer mounting surface, 22b Back surface, 22c Central region, 23 RF electrode, 24 1st RF zone electrode, 24a electrode terminal, 25 2nd RF zone electrode, 25a internal terminal, 27 jumper, 27a electrode terminal, 29 ceramic shaft, 30 heater electrode, 30a, 30b electrode terminal, 34 first RF zone electrode conductor, 35 second RF zone electrode conductor, 38 wiring member, 44 first AC power supply 45 second AC power supply, 48 power supply, 50 upper electrode, 123 RF electrode, 124 first RF zone electrode, 124a electrode terminal, 125 second RF zone electrode, 125a internal terminal, 126 third RF zone electrode, 126a internal terminal, 127, 128 , 127a, 128a electrode terminal, 130 heater electrode, 131 first heater zone electrode, 131a, 131b electrode terminal, 132 second heater zone electrode, 132a, 132b electrode terminal, 133 yen, 134 first RF zone electrode conductor, 135 2

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Abstract

ウエハ支持台２０は、ウエハ載置面２２ａを有する円板状のセラミック基体２２の内部にＲＦ電極２３とヒータ電極３０とがウエハ載置面２２ａ側からこの順に埋設されたものである。ＲＦ電極２３は、同一平面上のゾーンごとに形成された複数のＲＦゾーン電極２４，２５によって構成されている。複数のＲＦゾーン電極２４，２５及びヒータ電極３０は、セラミック基体２２の裏面２２ｂの外側に設けられた複数のＲＦゾーン電極用導体３４，３５及び配線部材３８，３８にそれぞれ独立して接続されている。

Description

ウエハ支持台
　本発明は、ウエハ支持台に関する。
　ウエハ支持台としては、ウエハ載置面を有する円板状のセラミック基体の内部にＲＦ電極とヒータ電極とがウエハ載置面側からこの順に埋設されたものが知られている。例えば、特許文献１には、この種のウエハ支持台として、セラミックス基体内においてウエハ搭載面からの深さが互いに異なるように埋設されている円形状ＲＦ電極及び円環状ＲＦ電極を備えたものが開示されている。このウエハ支持台のウエハ載置面に対向する位置には平板上部電極が配置される。そして、その平板上部電極とウエハ支持台の両ＲＦ電極とからなる平行平板電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。特許文献１には、プラズマを発生させる際に、円形状導ＲＦ電極と円環状ＲＦ電極にそれぞれ異なる高周波電力を印加することによってプラズマの密度分布を良好にコントロールできると説明されている。
特許第５８９６５９５号公報
　しかしながら、プラズマを発生させる際、平板上部電極と円形状ＲＦ電極との距離及び平板上部電極と円環状ＲＦ電極との距離が異なるし、ウエハ載置面と円形状ＲＦ電極との間の誘電体層（セラミック基体）の厚さとウエハ載置面と円環状ＲＦ電極との間の誘電体層の厚さも異なる。そのため、プラズマの密度分布を良好にコントロールするのが難しかった。
　本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、プラズマの密度分布を容易にコントロールできるようにすることを目的の一つとする。
上述した目的の少なくとも１つを達成するため、本発明のウエハ支持台は以下の構成を採用した。
　すなわち、本発明のウエハ支持台は、
　ウエハ載置面を有する円板状のセラミック基体の内部にＲＦ電極とヒータ電極とが前記ウエハ載置面側からこの順に埋設されたウエハ支持台であって、
　前記ＲＦ電極は、同一平面上のゾーンごとに形成された複数のＲＦゾーン電極によって構成され、
　前記複数のＲＦゾーン電極及び前記ヒータ電極は、前記セラミック基体の前記ウエハ載置面とは反対側の面の外側に設けられた複数のＲＦゾーン電極用導体及びヒータ電極用導体にそれぞれ独立して接続されている、
　ものである。
　このウエハ支持台では、複数のＲＦゾーン電極及びヒータ電極は、セラミック基体のウエハ載置面とは反対側の面の外側に設けられた複数のＲＦゾーン電極用導体及びヒータ電極用導体にそれぞれ独立して接続されている。そのため、ＲＦゾーン電極ごとに異なる高周波電力を供給することができ、プラズマの密度分布を良好にコントロールすることができる。ここで、ＲＦ電極は、同一平面上のゾーンごとに形成された複数のＲＦゾーン電極によって構成されている。そのため、ウエハ支持台の上方に配置される平板上部電極と各ＲＦゾーン電極との距離はすべて同じであり、ウエハ載置面と各ＲＦゾーン電極との間のセラミック基体の厚さ（誘電体層の厚さ）もすべて同じである。そのため、プラズマの密度分布を良好になるように容易にコントロールすることができる。なお、ＲＦゾーン電極の形状や数は任意に決定することができる。
　本発明のウエハ支持台において、前記ＲＦ電極は、前記複数のＲＦゾーン電極として、前記セラミック基体と同心円状の円形電極か前記円形電極を複数に分割した電極を含み、更に、前記円形電極の外側に前記セラミック基体と同心円の１以上の円環電極か前記円環電極の少なくとも１つを複数に分割した電極とを含むようにしてもよい。セラミック基体の内周部分と外周部分とではプラズマの密度分布が異なることが多いため、このように円形電極（又は円形電極を複数に分割した電極）と１以上の円環電極（又は円環電極を複数に分割した電極）とに分けることが好ましい。例えば、ＲＦゾーン電極として、セラミック基体と同心円状の円形電極と、その円形電極の外側にセラミック基体と同心円の１以上の円環電極を設けてもよい。あるいは、セラミック基体と同心円状の円形電極を半分に分けた一対の半円形電極と、その両半円形電極の外側にセラミック基体と同心円の１以上の円環電極を設けてもよい。あるいは、円環電極を複数に分割してもよい。
　本発明のウエハ支持台は、前記セラミック基体の前記ウエハ載置面とは反対側の面の中央領域に接合された中空のセラミックシャフトを備え、前記複数のＲＦゾーン電極用導体及び前記ヒータ電極用導体は前記セラミックシャフトの内部に配置され、前記複数のＲＦゾーン電極のうち前記セラミック基体に前記セラミックシャフトを投影した中央領域から外れた位置に設けられたものは、自身に対応する前記ＲＦゾーン電極用導体とジャンパを介して接続され、前記ジャンパは、前記セラミック基体の内部であって前記ＲＦ電極が設けられた平面よりも前記ウエハ載置面から離れた平面上に設けられていてもよい。こうすれば、セラミック基体の中央領域から外れた位置のＲＦゾーン電極については、ジャンパを利用してそのＲＦゾーン電極に対応するＲＦゾーン電極用導体に配線することができる。この場合、前記複数のＲＦゾーン電極のうち２以上のＲＦゾーン電極が前記中央領域から外れた位置に設けられており、前記２以上のＲＦゾーン電極ごとに設けられる前記ジャンパは同一平面上に設けられていてもよい。こうすれば、各ジャンパを異なる深さに設けた場合に比べてセラミック基体の厚さが薄くなる。セラミック基体の厚さが薄くなると、その熱容量が小さくなるため、セラミック基体の温度調整ひいてはウエハの温度調整を迅速に行うことができる。また、前記ジャンパは、前記ヒータ電極と同一平面に前記ヒータ電極と非接触な状態で設けられていてもよい。こうすれば、セラミック基体の厚さを薄くすることができる。
　本発明のウエハ支持台において、前記ヒータ電極は、前記ＲＦゾーン電極の数と同数又は異なる数の複数のヒータゾーン電極によって構成され、前記ヒータ電極用導体は、前記複数のヒータゾーン電極のそれぞれに独立して接続されるヒータゾーン電極用導体によって構成されていてもよい。こうすれば、ヒータゾーン電極ごとに異なる電力を供給することができるため、ゾーンごとの製膜性のバラツキをヒーター温度の調整で補償・調整できる。この場合、前記セラミック基体を前記ウエハ載置面から見たときに前記ＲＦゾーン電極同士の間のギャップには少なくとも１つの前記ヒータゾーン電極が配置されていてもよい。印加するＲＦ電力を大きくした場合、ギャップ間隔を大きくとるとＲＦの干渉を抑制でき有利であるが、ＲＦ電極の存在しないギャップ部分でプラズマ密度が減少し面内のプラズマ密度が不均一になることがある。そこで、そのギャップ領域にヒータゾーン電極を配置することにより、プラズマ密度の不均一から生じる製膜性のバラツキを温度分布すなわちヒーター温度の調整で補償・調整することができ、有効である。あるいは、前記セラミック基体を前記ウエハ載置面から見たときに前記複数のＲＦゾーン電極と前記複数のヒータゾーン電極とが一致するように配置されていてもよい。こうすれば、各ＲＦゾーン電極をそれに対応するヒータゾーン電極により個別に温度制御することができる。
プラズマ発生装置１０の概略構成を示す斜視図。 図１のＡ－Ａ断面図。 図１のＢ－Ｂ断面図。 ＲＦ電極２３、ジャンパ２７及びヒータ電極３０の配置を示す斜視図。 ＲＦ電極１２３、ジャンパ１２７，１２８及びヒータ電極３０の配置を示す斜視図。 別例のＲＦ電極２３、ジャンパ２７及びヒータ電極３０の配置を示す斜視図。 ヒータ電極１３０の斜視図。 ＲＦ電極２３及びヒータ電極１３０の配置を示す斜視図。 ＲＦ電極２３及びヒータ電極１３０の配置を示す斜視図。 ＲＦ電極２３の別例を示す平面図。 ＲＦ電極２３の別例を示す平面図。 ジャンパ２７の別例を示す断面図。
　本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はプラズマ発生装置１０の斜視図、図２は図１のＡ－Ａ断面図、図３は図１のＢ－Ｂ断面図、図４はＲＦ電極２３、ジャンパ２７及びヒータ電極３０の配置を示す斜視図である。
　プラズマ発生装置１０は、図１に示すように、ウエハ支持台２０と、上部電極５０とを備えている。
　ウエハ支持台２０は、プラズマを利用してＣＶＤやエッチングなどを行うウエハＷを支持して加熱するために用いられるものであり、図示しない半導体プロセス用のチャンバの内部に取り付けられる。このウエハ支持台２０は、セラミック基体２２と、中空のセラミックシャフト２９とを備えている。
　セラミック基体２２は、図２に示すように、セラミック製（例えばアルミナ製とか窒化アルミニウム製）の円板状部材である。このセラミック基体２２は、ウエハＷを載置可能なウエハ載置面２２ａを備えている。セラミック基体２２のウエハ載置面２２ａとは反対側の面（裏面）２２ｂの中央には、セラミックシャフト２９が接合されている。セラミック基体２２には、図２～図４に示すように、ＲＦ電極２３とジャンパ２７とヒータ電極３０とが、それぞれ離間した状態で埋設されている。ＲＦ電極２３とジャンパ２７とヒータ電極３０は、ウエハ載置面２２ａに近い方からこの順に埋設されている。
　ＲＦ電極２３は、ウエハ載置面２２ａと平行（実質的に平行な場合を含む、以下同じ）に設けられている。ＲＦ電極２３は、セラミック基体２２の中心から所定半径（ここではセラミック基体２２の半径の半分以上）の円２１（図３参照）の内側のゾーンに設けられた第１ＲＦゾーン電極２４と、その円２１の外側のゾーンに設けられた第２ＲＦゾーン電極２５とで構成されている。第１ＲＦゾーン電極２４は、セラミック基体２２と同心円状の円形電極である。第２ＲＦゾーン電極２５は、第１ＲＦゾーン電極２４の外側に離間して設けられ、セラミック基体２２と同心円状の円環電極である。第１ＲＦゾーン電極２４は、セラミック基体２２にセラミックシャフト２９を投影した円形の中央領域２２ｃ（図２及び図３の２点鎖線）に重複するように設けられているが、第２ＲＦゾーン電極２５は、中央領域２２ｃから外れた位置に設けられている。第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５は、いずれも導電性のメッシュシートで構成されている。
　第１ＲＦゾーン電極２４は、図２に示すように、裏面中央に電極端子２４ａが接続されている。電極端子２４ａは、セラミック基体２２の裏面２２ｂから外部に露出するように設けられている。第１ＲＦゾーン電極２４は、電極端子２４ａを介して第１ＲＦゾーン電極用導体３４に接続されている。第１ＲＦゾーン電極用導体３４は、セラミックシャフト２９の中空内部及び下部開口を経て第１交流電源４４に接続されている。
　第２ＲＦゾーン電極２５は、図２に示すように、自身（第２ＲＦゾーン電極２５）に対応する第２ＲＦゾーン電極用導体３５とジャンパ２７を介して接続されている。具体的には、第２ＲＦゾーン電極２５の裏面のうち直径方向からやや外れた２点に、円柱状の内部端子２５ａ，２５ａの上端が接続されている。ジャンパ２７は、ウエハ載置面２２ａと平行な導電性で帯状のメッシュシートであり、セラミック基体２２の内部のうちＲＦ電極２３とヒータ電極３０との間で電極端子２４ａや第１ＲＦゾーン電極用導体３４と干渉しないように配置されている。ジャンパ２７は、裏面中央に電極端子２７ａが接続されている。電極端子２７ａは、セラミック基体２２の裏面２２ｂから外部に露出するように設けられている。ジャンパ２７は、電極端子２７ａを介して第２ＲＦゾーン電極用導体３５に接続されている。第２ＲＦゾーン電極用導体３５は、セラミックシャフト２９の中空内部及び下部開口を経て第２交流電源４５に接続されている。
　ヒータ電極３０は、ウエハ載置面２２ａと平行に設けられている。ヒータ電極３０は、セラミック基体２２の直径よりもわずかに小さい直径の円内で、その円の中心付近に配置された２つの電極端子３０ａ，３０ｂのうちの一方の電極端子３０ａからその円内のほぼ全面にわたって一筆書きの要領で他方の電極端子３０ｂまでコイルを配線したものである。各電極端子３０ａ，３０ｂは、配線部材３８，３８（ヒータ電極用導体）を介して電源４８に接続されている。
　ＲＦ電極２３、ジャンパ２７及びヒータ電極３０の材質は、同じであっても異なっていてもよい。材質としては、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ化合物、Ｗ化合物又はＮｂ化合物が挙げられる。このうち、セラミック基体２２との熱膨張係数差の小さいものが好ましい。
　セラミックシャフト２９は、セラミック基体２２と同じセラミックからなる円筒状部材である。セラミックシャフト２９の上部端面は、セラミック基体２２の裏面２２ｂに拡散接合やＴＣＢ（Thermalcompressionbonding）により接合されている。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。
　上部電極５０は、図１に示すように、セラミック基体２２のウエハ載置面２２ａと対向する上方位置（例えば図示しないチャンバの天井面）に固定されている。この上部電極５０は、グランドに接続されている。
　次に、プラズマ発生装置１０の使用例について説明する。図示しないチャンバ内にプラズマ発生装置１０を配置し、ウエハ載置面２２ａにウエハＷを載置する。そして、第１ＲＦゾーン電極２４に第１交流電源４４から高周波電力を供給し、第２ＲＦゾーン電極２５に第２交流電源４５から高周波電力を供給する。こうすることにより、上部電極５０とセラミック基体２２に埋設されたＲＦ電極２３とからなる平行平板電極間にプラズマが発生し、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。また、図示しない熱電対の検出信号に基づいてウエハＷの温度を求め、その温度が設定温度（例えば３５０℃とか３００℃）になるようにヒータ電極３０へ印加する電圧を制御する。
　以上詳述したウエハ支持台２０では、第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５にそれぞれ異なる高周波電力（例えば同じ周波数で異なるワット数の電力とか、異なる周波数で同じワット数の電力とか、異なる周波数で異なるワット数の電力など）を供給することができ、プラズマの密度分布を良好にコントロールすることができる。ここで、第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５は同一平面上に形成されている。そのため、ウエハ支持台２０の上方に配置される上部電極５０と各ＲＦゾーン電極２４，２５との距離はすべて同じであり、ウエハ載置面２２ａと各ＲＦゾーン電極２４，２５との間のセラミック基体２２の厚さ（誘電体層の厚さ）もすべて同じである。そのため、プラズマの密度分布を良好になるように容易にコントロールすることができる。
　また、セラミック基体２２の内周部分と外周部分とではプラズマの密度分布が異なることが多いため、上述したようにＲＦ電極２３を内周側の円形電極（第１ＲＦゾーン電極２４）と外周側の円環電極（第２ＲＦゾーン電極２５）とに分けることが好ましい。
　更に、セラミック基体２２にセラミックシャフト２９を投影した中央領域２２ｃから外れた第２ＲＦゾーン電極２５については、ジャンパ２７を利用してその第２ＲＦゾーン電極２５に対応するＲＦゾーン電極用導体３５に配線することができる。
　なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
　例えば、上述した実施形態では、ＲＦ電極２３を同一平面上の第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５で構成したが、ＲＦ電極を同一平面上の３つ以上のＲＦゾーン電極で構成してもよい。図５に、ＲＦ電極１２３を、同一平面上の第１～第３ＲＦゾーン電極１２４～１２６で構成した例を示す。図５中、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。なお、図５では、ヒータ３０の配線部材３８，３８や電源４８は省略した。第１ＲＦゾーン電極１２４は、セラミック基体２２と同心円状の円形電極であり、第２及び第３ＲＦゾーン電極１２５，１２６は、セラミック基体２２と同心円の円環電極である。第１ＲＦゾーン電極１２４は、セラミック基体２２にセラミックシャフト２９を投影した円形の中央領域２２ｃ（図２及び図３の２点鎖線）と重複するように設けられている。第１ＲＦゾーン電極１２４は、裏面中央に接続された電極端子１２４ａを介して第１ＲＦゾーン電極用導体１３４に接続され、更に第１交流電源１４４に接続されている。第２及び第３ＲＦゾーン電極１２５，１２６は、中央領域２２ｃから外れた位置に設けられている。第２ＲＦゾーン電極１２５は２つの内部端子１２５ａを介してジャンパ１２７に接続され、ジャンパ１２７は電極端子１２７ａを介して第２ＲＦゾーン電極用導体１３５に接続され、更に第２交流電源１４５に接続されている。第３ＲＦゾーン電極１２６は２つの内部端子１２６ａを介してジャンパ１２８に接続され、ジャンパ１２８は電極端子１２８ａを介して第３ＲＦゾーン電極用導体１３６に接続され、更に第３交流電源１４６に接続されている。２つのジャンパ１２７，１２８は、同一平面上に設けられている。２つのジャンパ１２７，１２８が設けられた平面は、ＲＦ電極１２３が設けられた平面とヒータ電極３０が設けられた平面との間に位置している。この図５の構成でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。特に、第１～第３ＲＦゾーン電極１２４～１２６にそれぞれ異なる高周波電力を供給することができるため、プラズマの密度分布をより良好にコントロールすることができる。また、各ジャンパ１２７，１２８を同一平面上に設けたため、各ジャンパ１２７，１２８を異なる深さに設ける場合に比べてセラミック基体２２の厚さが薄くなる。セラミック基体２２の厚さが薄くなると、その熱容量が小さくなるため、セラミック基体２２の温度調整ひいてはウエハの温度調整を迅速に行うことができる。
　上述した実施形態では、ジャンパ２７とヒータ電極３０とをセラミック基体２２の異なる深さに設けたが、図６に示すように、ジャンパ２７とヒータ電極３０とをセラミック基体２２内の同一平面上に設けてもよい。図６中、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。なお、図６では、ヒータ３０の配線部材３８，３８や電源４８は省略した。こうすれば、セラミック基体２２の厚さを更に薄くすることができる。
　上述した実施形態において、ヒータ電極３０の代わりに、ＲＦゾーン電極の数と同数又は異なる数の複数のヒータゾーン電極によって構成されたヒータ電極を用いてもよい。例えば、図７のヒータ電極１３０は、セラミック基体２２の中心から所定半径（例えばセラミック基体２２の半径の半分以上）の円１３３の内側の円形ゾーンに設けられた第１ヒータゾーン電極１３１と、その円１３３の外側の円環ゾーンに設けられた第２ヒータゾーン電極１３２とで構成されている。第１ヒータゾーン電極１３１は、セラミック基体２２の中心付近に配置された２つの電極端子１３１ａ，１３１ｂのうちの一方の電極端子１３１ａからその円形ゾーンのほぼ全面にわたって一筆書きの要領で他方の電極端子１３１ｂまでコイルを配線したものである。各電極端子１３１ａ，１３１ｂは、配線部材を介して第１電源１４１に接続されている。第２ヒータゾーン電極１３２は、セラミック基体２２の中心付近に配置された２つの電極端子１３２ａ，１３２ｂのうちの一方の電極端子１３２ａからその円環ゾーンに延び出したあとその円環ゾーンのほぼ全面にわたって一筆書きの要領でコイルを配線し、他方の電極端子１３２ｂに戻したものである。各電極端子１３２ａ，１３２ｂは、配線部材を介して第２電源１４２に接続されている。こうすれば、第１及び第２ヒータゾーン電極１３１，１３２のそれぞれに異なる電力を供給することができるため、ゾーンごとの製膜性のバラツキをヒーター温度の調整で補償・調整できる。
　このように上述した実施形態でヒータ電極３０の代わりにヒータ電極１３０を採用した場合において、図８に示すように、セラミック基体２２をウエハ載置面２２ａから見たときに第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５同士の間のギャップＧには第１及び第２ヒータゾーン電極１３１，１３２の一方（図８では第２ヒータゾーン電極１３２）が配置されていてもよい。印加するＲＦ電力を大きくした場合、ギャップＧの間隔を大きくとるとＲＦの干渉を抑制でき有利であるが、ＲＦ電極の存在しないギャップＧの部分でプラズマ密度が減少し面内のプラズマ密度が不均一になることがある。そこで、そのギャップＧの領域にヒータゾーン電極１３１，１３２の一方を配置することにより、プラズマ密度の不均一から生じる製膜性のバラツキを温度分布すなわちヒーター温度の調整で補償・調整することができ、有効である。
　あるいは、上述した実施形態でヒータ電極３０の代わりにヒータ電極１３０を採用した場合において、図９に示すように、セラミック基体２２をウエハ載置面Ｗから見たときに第１ＲＦゾーン電極２４が第１ヒータゾーン電極１３１と一致し、第２ＲＦゾーン電極２５が第２ヒータゾーン電極１３２と一致するように配置してもよい。こうすれば、各ＲＦゾーン電極２４，２５をそれに対応するヒータゾーン電極１３１，１３２により個別に温度制御することができる。
　上述した実施形態では、ＲＦ電極２３は円形電極の第１ＲＦゾーン電極２４と円環電極の第２ＲＦゾーン電極２５とで構成したたが、円環電極である第２ＲＦゾーン電極２５を複数に分割して各分割電極に個別に交流電源を接続してもよいし、円形電極である第１ＲＦゾーン電極２４を複数に分割して各分割電極に個別に交流電源を接続してもよい。こうすれば、プラズマの密度分布を更に良好になるように容易にコントロールすることができる。図１０に、ＲＦ電極２３を構成する第２ＲＦゾーン電極２５を３つの円弧状電極２５１～２５３に分割した場合を例示する。図１１に、ＲＦ電極２３を構成する第２ＲＦゾーン電極２５を３つの円弧状電極２５１～２５３に分割し、更に第１ＲＦゾーン電極２４を２つの半円形電極２４１，２４２に分割した場合を例示する。
　上述した実施形態では、第２ＲＦゾーン電極２５とジャンパ２７とを接続する２つの内部端子２５ａ，２５ａをセラミック基体２２の直径からやや外れた位置に設けたが、セラミック基体２２の直径上に設けてもよい。その場合、図１２に示すように、ジャンパ２７が電極端子２４ａと干渉しないようにジャンパ２７を湾曲させればよい。
　上述した実施形態では、内部端子２５ａ，２５ａを介して第２ＲＦゾーン電極２５とジャンパ２７とを接続したが、１つの内部端子２５ａを介して第２ＲＦゾーン電極２５とジャンパ２７とを接続してもよい。こうすれば、ジャンパ２７の長さをセラミック基体２２の半径と同程度の長さにする（短くする）ことができる。
　上述した実施形態では、第１及び第２ＲＦゾーン電極２４，２５やジャンパ２７は、いずれも導電性のメッシュシートで構成したが、特にメッシュシートに限定されるものではなく、例えば導電性の一様なシート（金属箔など）を用いてもよい。
　上述した実施形態において、ＲＦ電極２３に電圧を印加することによりウエハＷをウエハ載置面２２ａに吸引するようにしてもよい。また、セラミック基体２２に更に静電電極を埋設し、その静電電極に電圧を印加することによりウエハＷをウエハ載置面２２ａに吸引してもよい。
　上述した実施形態では、ウエハ支持台２０の製造方法の一例を示したが、ウエハ支持台２０の製造方法は特にこれに限定されるものではなく、他の公知の製造方法によってウエハ支持台２０を製造してもよい。例えば特開２０１２－８９６９４号公報に記載された製造方法に準じてウエハ支持台２０を製造してもよい。
　本出願は、２０１７年３月６日に出願された米国仮出願第６２／４６７４３０号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
　本発明は、ウエハをプラズマ処理する際に利用可能である。
１０　プラズマ発生装置、２０　ウエハ支持台、２１　円、２２　セラミック基体、２２ａ　ウエハ載置面、２２ｂ　裏面、２２ｃ　中央領域、２３　ＲＦ電極、２４　第１ＲＦゾーン電極、２４ａ　電極端子、２５　第２ＲＦゾーン電極、２５ａ　内部端子、２７　ジャンパ、２７ａ　電極端子、２９　セラミックシャフト、３０　ヒータ電極、３０ａ，３０ｂ　電極端子、３４　第１ＲＦゾーン電極用導体、３５　第２ＲＦゾーン電極用導体、３８　配線部材、４４　第１交流電源、４５　第２交流電源、４８　電源、５０　上部電極、１２３　ＲＦ電極、１２４　第１ＲＦゾーン電極、１２４ａ　電極端子、１２５　第２ＲＦゾーン電極、１２５ａ　内部端子、１２６　第３ＲＦゾーン電極、１２６ａ　内部端子、１２７，１２８　ジャンパ、１２７ａ，１２８ａ　電極端子、１３０　ヒータ電極、１３１　第１ヒータゾーン電極、１３１ａ，１３１ｂ　電極端子、１３２　第２ヒータゾーン電極、１３２ａ，１３２ｂ　電極端子、１３３　円、１３４　第１ＲＦゾーン電極用導体、１３５　第２ＲＦゾーン電極用導体、１３６　第３ＲＦゾーン電極用導体、１４１　第１電源、１４２　第２電源、１４４　第１交流電源、１４５　第２交流電源、１４６　第３交流電源、２４１，２４２　半円形電極、２５１～２５３　円弧状電極。

Claims (8)

  1. 　ウエハ載置面を有する円板状のセラミック基体の内部にＲＦ電極とヒータ電極とが前記ウエハ載置面側からこの順に埋設されたウエハ支持台であって、
    　前記ＲＦ電極は、同一平面上のゾーンごとに形成された複数のＲＦゾーン電極によって構成され、
    　前記複数のＲＦゾーン電極及び前記ヒータ電極は、前記セラミック基体の前記ウエハ載置面とは反対側の面の外側に設けられた複数のＲＦゾーン電極用導体及びヒータ電極用導体にそれぞれ独立して接続されている、
    　ウエハ支持台。
  2. 　前記ＲＦ電極は、前記複数のＲＦゾーン電極として、前記セラミック基体と同心円状の円形電極か前記円形電極を複数に分割した電極を含み、更に、前記円形電極の外側に前記セラミック基体と同心円の１以上の円環電極か前記円環電極の少なくとも１つを複数に分割した電極とを含む、
    　請求項１に記載のウエハ支持台。
  3. 　請求項１又は２に記載のウエハ支持台であって、
    　前記セラミック基体の前記ウエハ載置面とは反対側の面の中央領域に接合された中空のセラミックシャフト
    　を備え、
    　前記複数のＲＦゾーン電極用導体及び前記ヒータ電極用導体は前記セラミックシャフトの内部に配置され、
    　前記複数のＲＦゾーン電極のうち前記セラミック基体に前記セラミックシャフトを投影した中央領域から外れた位置に設けられたものは、自身に対応する前記ＲＦゾーン電極用導体とジャンパを介して接続され、
    　前記ジャンパは、前記セラミック基体の内部であって前記ＲＦ電極が設けられた平面よりも前記ウエハ載置面から離れた平面上に設けられている、
    　ウエハ支持台。
  4. 　前記複数のＲＦゾーン電極のうち２以上のＲＦゾーン電極が前記中央領域から外れた位置に設けられており、
    　前記２以上のＲＦゾーン電極ごとに設けられる前記ジャンパは同一平面上に設けられている、
    　請求項３に記載のウエハ支持台。
  5. 　前記ジャンパは、前記ヒータ電極と同一平面に前記ヒータ電極と非接触な状態で設けられている、
    　請求項３又は４に記載のウエハ支持台。
  6. 　前記ヒータ電極は、前記ＲＦゾーン電極の数と同数又は異なる数の複数のヒータゾーン電極によって構成され、
    　前記ヒータ電極用導体は、前記複数のヒータゾーン電極のそれぞれに独立して接続されるヒータゾーン電極用導体によって構成されている、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載のウエハ支持台。
  7. 　前記セラミック基体を前記ウエハ載置面から見たときに前記ＲＦゾーン電極同士の間のギャップには少なくとも１つの前記ヒータゾーン電極が配置されている、
    　請求項６に記載のウエハ支持台。
  8. 　前記セラミック基体を前記ウエハ載置面から見たときに前記複数のＲＦゾーン電極と前記複数のヒータゾーン電極とが一致するように配置されている、
    　請求項６に記載のウエハ支持台。
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