JP2006086231A

JP2006086231A - 半導体製造装置

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Publication number: JP2006086231A
Application number: JP2004267466A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Sato; 崇之佐藤
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2004-09-14
Filing date: 2004-09-14
Publication date: 2006-03-30

Abstract

【課題】基板載置台の貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整を容易に行うことを可能にする。
【解決手段】ピン設置用のピンアーム（基板保持ピン設置台）２８２は、処理室を構成する下側容器２１１の底面２１２に取り付けられる。リフトピン（基板保持ピン）２６６は、ピンアーム２８２の貫通孔２１７ａと対応する係合孔２６２に立設され、ピンアーム２８２の取付部２８５は、下側容器２１１の底面２１２へ取り付けられる。リフトピン２６６は、サセプタ（基板載置台）２１７の下降にともなって貫通孔２１７ａから突き出してウェハ（基板）２００を保持し、サセプタ２１７の上昇にともなって貫通孔２１７ａから引っ込んでウェハ２００をサセプタ２１７に載置する。このリフトピン２６６の貫通孔２１７ａに対する位置調整を容易に行えるように、ピンアーム２８２の底面２１２への取付部２８５を、サセプタ２１７と下側容器２１１の底面２１２との間に挟まれる空間Ｓ_inの外側の空間Ｓ_outに取り付ける。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板載置台からピンを出没させて基板の受渡しを行う基板保持ピン機構を備えた半導体製造装置に関するものである。

基板処理室を備える半導体製造装置では、その基板処理室に、サセプタ（基板載置台）に対する基板の受渡しを行うためのリフトピン機構（基板保持ピン機構）を有するものが知られている。

図３は、そのような従来のリフトピン機構２６０を備えた基板処理室の要部の断面図を示す。基板処理室は下側容器２１１、ウェハ２００を載置するサセプタ２１７、サセプタ２１７を昇降させる昇降駆動部２６８、及びリフトピン機構２６０を備える。リフトピン機構２６０は、サセプタ２１７に設けた貫通孔２１７ａを貫通してウェハ２００をリフトさせるリフトピン（基板保持ピン）２６６、リフトピン２６６を設置するためのピンアーム（基板保持ピン設置台）２６４からなっている。

ピンアーム２６４は、リフトピン２６６を立設する係合孔２６２と、ピンアーム２６４を下側容器２１１に取り付ける取付部２６５とを有する。ピンアーム２６４は、係合孔２６２に立設したリフトピン２６６が、サセプタ２１７に設けた貫通孔２１７ａに貫通できるように、下側容器２１１の底面２１２にネジ２５０で固定される。

このようなリフトピン機構２６０は、サセプタ２１７の円周方向に３箇所設けてある。そして、サセプタ２１７の昇降により、ウェハ２００をリフトピン２６６で円滑にリフトさせるためには、リフトピン２６６が貫通孔２１７ａの中心に来るように、ピンアーム２６４を精度良く下側容器２１１の底面２１２に取り付ける必要がある。

上述した従来の半導体製造装置では、基板保持ピン設置台の取付け位置が、基板載置台の下方位置にあり、基板載置台に覆われた格好になる。基板保持ピン設置台の取付け位置が、基板載置台に覆われた格好になっていても、基板載置台と基板保持ピン設置台との間の距離が長ければ、斜め上方から基板保持ピン設置台の取付部を見通すことができるので、基板保持ピン設置台の取付けは特に難しいということにはならない。

しかし、半導体製造装置の小型化という構造上の制約から、一般に、基板載置台と基板保持ピン設置台との間の距離は短いため、基板保持ピン設置台を動かして、基板載置台に設けた貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整をしようとすると、基板保持ピン設置台にアクセスする作業者の治具や手が基板載置台と干渉するため、貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整が難しかった。

本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、基板保持ピンの位置調整を容易に行うことが可能な半導体製造装置を提供することにある。

第１の発明は、基板を処理する基板処理室と、基板処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台を昇降する昇降駆動部と、前記基板載置台に設けられたピン貫通用の貫通孔と、前記処理室の底面に取り付けられたピン設置用の基板保持ピン設置台と、前記基板保持ピン設置台の前記貫通孔と対応する位置に立設され、前記基板載置台の下降にともなって前記貫通孔から突き出して前記基板を保持し、基板載置台の上昇にともなって前記貫通孔から引っ込んで前記基板を基板載置台に載置する基板保持ピンとを備え、前記基板保持ピン設置台の前記底面への取付部が、前記基板載置台と前記基板処理室の底面との間に挟まれる空間の外側に取り付けられていることを特徴とする半導体製造装置である。

貫通孔に対する基板保持ピンの位置を調整する際に、基板載置台が昇降駆動部により昇降可能に処理室内に設けられている状態でも、基板保持ピン設置台の処理室底面への取付部が、基板載置台と基板処理室の底面との間に挟まれる空間の外側に取り付けられるようになっているので、基板保持ピン設置台へのアクセス手段が基板載置台に干渉されることなく、基板保持ピン設置台の取付部を処理室の底面に容易に取り付けることができ、貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整を容易に行うことができる。

第２の発明は、第１の発明において、前記基板保持ピン設置台を、取付部となる一端は基板処理室に固定し、基板保持ピンの保持部となる他端を自由にした片持台で構成し、基板保持ピン設置台を前記空間より外側方向に延在させることにより、取付部を前記空間より外側に配置したことを特徴とする半導体製造装置である。
基板保持ピン設置台を延在させるだけで、貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整を容易に行うことができる。

本発明によれば、基板載置台に設けた貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整を容易に行うことができる。

以下に本発明の実施の形態を説明する。本発明のプラズマ処理炉は、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源（Modified Magnetron Typed Plasma Source）を用いてウェハ等の基板をプラズマ処理する基板処理炉（以下、ＭＭＴ装置と称する）である。このＭＭＴ装置は、気密性を確保した円筒形の処理室に基板を設置し、シャワープレートを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界をかけてマグネトロン放電を起こす。

放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成できる。このように反応ガスを励起分解させて、基板表面を酸化または窒化等の拡散処理をしたり、または基板表面に薄膜を形成したり、または基板表面をエッチングしたりする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。

図２に、このようなＭＭＴ装置の概略構成図を示す。ＭＭＴ装置は、第２の容器である下側容器２１１と、該下側容器２１１の上に被せられる第１の容器である上側容器２１０とから処理室２０１が形成されている。上側容器２１０はドーム型の酸化アルミニウムまたは石英で形成されており、下側容器２１１はアルミニウムで形成されている。また後述するヒータ一体型の基板載置台であるサセプタ２１７を窒化アルミニウムや、セラミックスまたは石英で構成することによって、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。

上側容器２１０の上部にはガス分散空間であるバッファ室２３７を形成するシャワーヘッド２３６が設けられ、シャワーヘッド上壁にはガス導入用の導入口であるガス導入口２３４が設けられ、下壁はガスを噴出する噴出孔であるガス噴出孔２３４ａを有するシャワープレート２４０からなっており、前記ガス導入口２３４は、ガスを供給する供給管であるガス供給管２３２により開閉弁であるバルブ２４３ａ、流量制御手段であるマスフローコントローラ２４１を介して図中省略の反応ガス２３０のガスボンベに繋がっている。

シャワーヘッド２３６から反応ガス２３０が処理室２０１に供給され、また、サセプタ２１７の周囲から処理室２０１の底方向へ基板処理後のガスが流れるように下側容器２１１の側壁にガスを排気する排気口であるガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５はガスを排気する排気管であるガス排気管２３１により圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂを介して排気装置である真空ポンプ２４６に接続されている。

供給される反応ガス２３０を励起させる放電手段として断面が筒状であり、好適には円筒状の第１の電極である筒状電極２１５が設けられる。筒状電極２１５は処理室２０１の外周に設置されて処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲んでいる。筒状電極２１５にはインピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して高周波電力印加する高周波電源２７３が接続されている。

また、断面が筒状であり、好適には円筒状の磁界形成手段である筒状磁石２１６は筒状の永久磁石となっている。また、筒状磁石２１６は、筒状電極２１５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。

処理室２０１の底側中央には、基板であるウェハ２００を保持するための基板載置台としてサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７はウェハ２００を加熱できるようになっている。サセプタ２１７は、円板上をしており、例えば窒化アルミニウムで構成され、内部に加熱手段としてのヒータ（図中省略）が一体的に埋め込まれている。ヒータは電力が印加されて、４００〜６００℃程度に加熱されて、ウェハ２００を室温から５００℃程度にまで加熱できるようになっている。

また、サセプタ２１７の内部には、更にインピーダンスを可変するための電極である第２の電極も装備されており、この第２の電極がインピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、上記電極及びサセプタ２１７を介してウェハ２００の電位を制御できるようになっている。

ウェハ２００をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理するための処理炉２０２は、少なくとも前記処理室２０１、サセプタ２１７、筒状電極２１５、筒状磁石２１６、シャワーヘッド２３６、及び排気口２３５から構成されており、処理室２０１でウェハ２００をプラズマ処理することが可能となっている。

筒状電極２１５及び筒状磁石２１６の周囲には、この筒状電極２１５及び筒状磁石２１６で形成される電界や磁界を外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板２２３が設けられている。

サセプタ２１７は下側容器２１１と絶縁され、サセプタ２１７を昇降させる昇降手段であるサセプタ昇降駆動部２６８が設けられている。またサセプタ２１７には貫通孔２１７ａを有し、下側容器２１１底面にはウェハ２００を突き上げるためのリフトピン機構を構成する基板保持ピンであるリフトピン２６６が少なくとも３箇所に設けられている。リフトピン２６６は、石英やセラミックスで形成されている。そして、サセプタ昇降駆動部２６８によりサセプタ２１７が下降させられたときにはリフトピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるような位置関係となるよう、貫通孔２１７ａ及びリフトピン２６６が設けられる。

また、下側容器２１１の側壁には仕切弁となるゲートバルブ２４４が設けられ、開いているときには図中省略の搬送手段により処理室２０１へウェハ２００が搬入、または搬出され、閉まっているときには処理室２０１を気密に閉じることができる。

また、制御手段であるコントローラ１２１は高周波電源２７３、整合器２７２、バルブ２４３ａ、マスフローコントローラ２４１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６、サセプタ昇降駆動部２６８、ゲートバルブ２４４、サセプタに埋め込まれたヒータに高周波電力を印加する高周波電源と接続し、それぞれを制御している。

上記のような構成において、ウェハ２００の表面を、またはウェハ２００上に形成された下地膜の表面を所定のプラズマ処理を施す方法について説明する。

ウェハ２００は処理炉２０２を構成する処理室２０１の外部からウェハを搬送する図中省略の搬送手段によって処理室２０１に搬入され、サセプタ２１７上に搬送される。この搬送動作の詳細は、まずサセプタ２１７が下がった状態になっており、リフトピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通過してサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突き出された状態で、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４が開き、図中省略の搬送手段によってウェハ２００をリフトピン２６６の頂部に載置し、搬送手段は処理室２０１外へ退避すると、ゲートバルブ２４４が閉まり、サセプタ２１７がサセプタ昇降駆動部２６８により上昇すると、サセプタ２１７上面にウェハ２００を載置することができ、更にウェハ２００を処理する位置まで上昇する。

サセプタ２１７に埋め込まれたヒータは予め加熱されており、搬入されたウェハ２００を室温〜５００℃の範囲内でウェハ処理温度に加熱する。真空ポンプ２４６、及びＡＰＣ２４２を用いて処理室２０１の圧力を０．１〜１００Ｐａの範囲内に維持する。

ウェハ２００を処理温度に加熱したら、ガス導入口２３４からシャワープレート２４０のガス噴出孔２３４ａを介して、反応ガスを処理室２０１に配置されているウェハ２００の上面（処理面）に向けてシャワー状に導入する。同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、１５０〜２００Ｗの範囲内の出力値を投入する。このときインピーダンス可変機構２７４は予め所望のインピーダンス値に制御しておく。

筒状磁石２１６の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウェハ２００の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ２１７上のウェハ２００の表面にプラズマ処理が施される。表面処理が終わったウェハ２００は、図示略の搬送手段を用いて、基板搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。

なお、コントローラ１２１により高周波電源２７３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器２７２の調整、バルブ２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２４１の流量、ＡＰＣ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降駆動部２６８の昇降動作、ゲートバルブ２４４の開閉、サセプタに埋め込まれたヒータに高周波電力を印加する高周波電源への電力ＯＮ・ＯＦＦをそれぞれを制御している。

ところで、上述したリフトピン機構の説明では、便宜上、リフトピン２６６のみについて説明したが、実際にはリフトピン機構は、その他の要素も含む。図１を用いてこのリフトピン機構の詳細を説明する。

図１は上述したＭＭＴ装置の要部拡大断面図を示す。
同図に示す様に、ＭＭＴ装置は、基板処理室の下半分を構成する下側容器２１１、ウェハ２００を載置するサセプタ２１７、サセプタ２１７を昇降させる昇降駆動部２６８、及びリフトピン機構２８０とを備える。

リフトピン機構２８０は、リフトピン２６６を設置するための基板保持ピン設置台であるピンアーム２８２と、ピンアーム２８２を介して下側容器２１１に保持されて、サセプタ２１７に設けた貫通孔２１７ａを貫通してウェハ２００をリフトさせるリフトピン２６６とから構成される。リフトピン機構２８０を、ピンアーム２８２とリフトピン２６６とに分割して構成することによって、石英やセラミックスで形成されているゆえに割れることも多いリフトピン２６６のみを交換できるようにしている。

ピンアーム２８２は、リフトピン２６６を下側容器２１１に固定する。ピンアーム２８２は、石英やセラミックスで形成される。このピンアーム２８２は例えば片持台で構成され、下方にＬ字状に曲げられた固定端にピンアーム２８２を固定する取付部２８５を有し、その自由端にリフトピン２６６を立設する基板保持ピン設置部２８４を有する。取付部２８５は下側容器２１１の底面２１２にネジ２５０により固定される。基板保持ピン設置部２８４は、リフトピン２６６を立設する係合孔２６２を有する。

ピンアーム２８２の基板保持ピン設置部２８４は、サセプタ２１７と下側容器２１１の底面２１２との間に挟まれる空間Ｓ_inの内側に配置されている。すなわち、サセプタ２１７を下側容器２１１の底面２１２上に投影したサセプタ投影像上に、ピンアーム２８２の基板保持ピン設置部２８４は配置されている。

ピンアーム２８２の取付部２８５は、片持台の長さを長くして、取付部２８５を処理室の径方向外方に延在させることにより、サセプタ２１７と下側容器２１１の底面２１２との間に挟まれる空間Ｓ_inより外側の空間Ｓ_outに配置されている。すなわち、サセプタ２１７を下側容器２１１の底面２１２上に投影したサセプタ投影像よりも、ピンアーム２８２の取付部２８５は外側に配置されている。

リフトピン２６６は、サセプタ２１７から出没してウェハ２００の受渡しを行う。このリフトピン２６６は、その底部２６１がピンアーム２８２の係合孔２６２に係合されて、サセプタ２１７に設けた貫通孔２１７ａと対応する位置に立設される。リフトピン２６６の頂部２６３は、昇降駆動部２６８により昇降するサセプタ２１７の下降にともなって、貫通孔２１７ａから突き出してウェハ２００を保持する（図１に示す状態）。また、サセプタ２１７の上昇にともなって貫通孔２１７ａから引っ込んでウェハ２００をサセプタ２１７に載置する。

上述したようにリフトピン機構２８０は構成されるが、このリフトピン機構２８０は、サセプタ２１７の円周方向に３箇所設けてある。

上述したピンアーム２８２及びリフトピン２６６の取付け手順は次の通りである。
作業者は、昇降駆動部２６８を設けたサセプタ２１７を下側容器２１１内に設置する。サセプタ２１７が設置された状態の下側容器２１１内において、サセプタ２１７を上昇させた後、ピンアーム２８２を下側容器２１１の底面２１２の所定位置に、作業者はドライバを使ってネジ２５０で仮止めする。ピンアーム２８２の係合孔２６２にリフトピン２６６を挿入して立設する。ピンアーム２８２の仮止め位置を中心にピンアーム２８２を回動するなどして、リフトピン２６６の位置を調整して、リフトピン２６６とサセプタ２１７に設けた貫通孔２１７ａとの中心を一致させる。リフトピン２６６が貫通孔２１７ａ内に貫通する手前までサセプタ２１７を下降させ、再度ピンアーム２８２とサセプタ２１７の貫通孔２１７ａの位置を微調整し、リフトピン２６６を貫通孔２１７ａの中央に貫通させるようにする。最後にネジ２５０を締めつけて、ピンアーム２８２を下側容器２１１の底面２１２に固定する。
これによりリフトピン２６６は、ピンアーム２８２を介してサセプタ２１７に設けた貫通孔２１７ａと対応する下方位置に立設される。また、リフトピン２６６は、底面２１２からの設置高さが固定されるため、昇降するサセプタ２１７に対して相対的に高くなったり、低くなったりする。

サセプタ２１７は、ウェハサイズ毎に専用タイプのものに交換される。これに対してピンアーム２８２は汎用タイプのものが使用される。したがって、図示していないが、ピンアーム２８２には、サイズの異なるサセプタ２１７に対応できるように、サセプタ２１７の径方向内方に向かって複数の係合孔２６２を設けてある。例えば、φ３００、φ２００ウェハ用の２個の係合孔を設けてある。

次に上記のようなリフトピン機構２８０の作用について説明する。

まず、サセプタ２１７を昇降駆動部２６８を介して下降させる。すると、ピンアーム２８２に立設されているリフトピン２６６の頂部２６３は、サセプタ２１７の下降によって、貫通孔２１７ａからサセプタ２１７の上に突き出ることになる。このリフトピン２６６の頂部２６３の位置が、ウェハ２００が搬入出されるウェハ搬入出位置となる。

ウェハ２００は、下側容器２１１の側壁に設けられたゲートバルブ２４４（図２参照）を介して、ゲートバルブ２４４が開いているときには、搬送手段（図示せず。）により処理室２０１へ搬入され、サセプタ２１７の上に突き出たリフトピン２６６の頂部２６３上に載置される。

その後、サセプタ２１７を昇降駆動部を介して上昇すると、サセプタ２１７のリフトピン２６６に対する高さが上がり、サセプタ２１７の上面がウェハ２００を押上げた時点で、リフトピン２６６の頂部２６３がサセプタ２１７の上面よりも下側に位置することになり、ウェハ２００がサセプタ２１７上に載置されるようになる。

ＭＭＴ装置において、ウェハ２００の処理が終了した後、サセプタ２１７は下降し、サセプタ２１７がリフトピン２６６の頂部２６３より下がったとき、再度リフトピン２６６の頂部２６３はサセプタ２１７の上に突き出ることになり、ウェハ２００は、この突き出たリフトピン２６６の頂部２６３上に載置された状態となる。そして下側容器２１１の側壁に開口したゲートバルブ２４４を介して搬送手段（図示せず）により処理室２０１外に搬出される。

ところで、サセプタ２１７の昇降により、ウェハ２００をリフトピン２６６で円滑にリフトさせるためには、リフトピン２６６が貫通孔２１７ａの中心に来るように、貫通孔２１７ａに対するリフトピン２６６の位置調整を精度良く行う必要がある。精度良く行われないと、リフトピン２６６が貫通孔２１７ａを貫通できなかったり、貫通孔２１７ａの内壁と接触したりして、リフトピン２６６が割れやすくなるばかりか、リフトピン機能を発揮できない。
リフトピン２６６の位置調整は、例えば、ＭＭＴ装置の組立て、メンテナンス、あるは処理するウェハの口径を変更するときなどに、適宜行われる。

リフトピン２６６の位置調整では、ピンアーム２８２を下側容器２１１の底面２１２の所定位置にネジ２５０で仮止めし、仮止め位置を中心にピンアーム２８２を回動するなどして、ピンアーム２８２の基板保持ピン設置部２８４の位置を調整したり、更にはネジ２５０を締めつけて、ピンアームを下側容器２１１の底面２１２に固定したりする。この際、サセプタ２１７が昇降駆動部２６８により昇降可能に処理室２０１内に設けられている状態でも、ピンアーム２８２が延在されて、その下側容器２１１の底面２１２への取付部２８５が、サセプタ２１７と下側容器２１１の底面２１２との間に挟まれる空間Ｓ_inの外側の空間Ｓ_outに着脱自在に取り付けられるようになっているので、作業者は、サセプタ２１７に干渉されることなく、取付部２８５にアクセスできる。したがって、ピンアーム２８２の取付部２８５を下側容器２１１の底面２１２に容易に取り付けることができ、貫通孔２１７ａに対するリフトピン２６６の位置調整を容易に行うことができる。
また、サセプタ２１７の外径より外側でピンアーム２８２を固定できるので、サセプタ２１７の外径より内側でピンアーム２８２を固定する場合に比べて、ピン位置調整の作業性がはるかに向上する。特に、リフトピン機構２８０は３箇所あるので、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａとリフトピン２６６の位置調整の効率が格段と向上する。その結果、メンテナンス時や、ウェハ口径が変わったときでも、基板保持ピン機構の位置調整が容易となる。

また、実施の形態では、ピンアーム２８２をＬ字状として構成し、リフトピン２６６の基板保持ピン設置部２８４を下側容器２１１の底面２１２から浮かし、取付部２８５のみを底面２１２に固定するようにしている。ピンアーム２８２をブロック状として、その底部全面を底面２１２に固定することも可能であるが、次の理由から、実施の形態のように部分的に固定する方が好ましい。
すなわち、ピンアーム２８２は石英やセラミックスで形成されているため、アルミニウム製の下側容器２１１との間では、熱による膨張差がある。したがって、下側容器２１１の底面２１２に対するピンアーム２８２の接触長さが長いと、熱膨張差によるピンアーム２８２の破損や、破損はしないけれども下側容器２１１との擦れ跡が残るなどの支障がでる。この点で、実施の形態のピンアーム２８２は、Ｌ字状をした片持支持構造にして、取付部２８５のみを底面２１２に固定し、基板保持ピン設置部２８４は底面２１２から浮かしているので、そのような支障はなくなる。

実施の形態による半導体製造装置を構成する基板処理炉の要部拡大断面図である。実施の形態による基板処理炉の概略構成図である。従来例の基板処理炉の要部拡大断面図である。

符号の説明

２００ウェハ（基板）
２０１処理室
２１１下側容器
２１７サセプタ（基板載置台）
２６８昇降駆動部
２１７ａ貫通孔
２８２ピンアーム（基板保持ピン設置台）
２６６リフトピン（基板保持ピン）
２８５取付部
Ｓ_in 基板処理室の底面との間に挟まれる空間
Ｓ_out 基板処理室の底面との間に挟まれる空間の外側の空間

Claims

基板を処理する基板処理室と、
基板処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台を昇降する昇降駆動部と、
前記基板載置台に設けられたピン貫通用の貫通孔と、
前記処理室の底面に取り付けられたピン設置用の基板保持ピン設置台と、
前記基板保持ピン設置台の前記貫通孔と対応する位置に立設され、前記基板載置台の下降にともなって前記貫通孔から突き出して前記基板を保持し、基板載置台の上昇にともなって前記貫通孔から引っ込んで前記基板を基板載置台に載置する基板保持ピンと、
を備え、
前記基板保持ピン設置台の前記底面への取付部が、前記基板載置台と前記基板処理室の底面との間に挟まれる空間の外側に取り付けられる
ことを特徴とする半導体製造装置。