TW293983B - - Google Patents

Description

208983 at ____B7_ 五、發明说明（1 ) 發明之背景 〔發明之領域〕 本發明係有關一種利用《漿處理半導《晶片，L C D 基板等之基板的電漿處理裝置，特別是一種m漿cvd裝 置0 · 〔習知技術之說明〕 按，如日本特開平3 - 7 9 0 2 5猇公報中所掲示之 電漿處理裝置，由絕緣屛蔽罩所分隔之處理室的外側，配 置有平坦之一個感應線圈，其係與無線頻率電源相接績。 藉由胲想應線圈，形成用以促進電子運動之感應電磁場， 如此可助長電漿之生成。 歐洲發明專利申請公開第0 3 7 9 8 2 8號中所揭示 之電漿處理裝置中，無線頻率係施加於漩渦狀或螓旋狀之 感應線圈，使得電漿在處理室內生成。電漿係藉雙極磁場 ，閉入處理室內。 經濟部中央搮準局員工消费合作社印装 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 圖11中所示的是，藉由使用RF感應線圈之習用電 漿CVD裝置，在半導體晶片上形成半導體膜時之膜的膜 厚分佈狀況。R F感應線圈2係由具有與晶片W大致相同 之外徑，且與其同軸狀配置之一個線圈所構成。於同圖中 ，線圈2與晶片W之間配置之附有斜線的部份，係表示形 成之膜的膜厚分佈。 如圖所示，在使用習用裝置時，腆厚會有晶片W之中 央及周邊較薄，而在中央與周邊之閜較厚之傾向。此種腆 本纸張尺度逍用中B國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一'' 經濟部中央揉準局貞工消费合作社印«. A7 ___B7_五、發明说明（2 ) 厚之不均等性，在晶片W之直徑由6英吋，8英吋，1 2 英时愈來愈大的場合，會成爲一個無法忽視的問題。又，. 如LCD (液晶顯示器）基板般之尺寸爲5 0 OmmX 5 0 Omm或6 5 OmmX 6 5 Omm之面稹較大的被處 理基板中，形成之膜的膜厚之不均等性，也同樣會形成問 題0 R F感應線圈，係鄰接配置於界定處理室之壁的一部 份之由介電體，例如由石英所構成之窗部。電漿處理，特 別是在成膜處理中，窗部之內面易於附著副生成物。當附 著於窗部之副生成物由導電《所構成時，由R F感應線圈 所形成之感應髦磁場會產生紊亂現象，使得電漿之生成有 不均等之可能性。 〔發明之概要〕 本發明之目的，係在於使利用R F感應線圈之《漿處 理裝置中，對於被處理基板之處理的面內均等性提高。 根據本發明，提供一種對於基板之被斑理區域，使用 電漿進行處理之裝置，具有： 一界定氣密性處理室之外殼，此外般具有由介電體所 構成之窗板； 一用以將上述處理室排氣，並將上述處理室內設定成 眞空之排氣系： 一配置於上述處理室內，具有與上述窗板對向的支持 面之載置台，上述基板係以其被處理ffi域與上述窗板對向 本紙张尺度逍用中國國家*|^率（CNS ) A4*t格（210X297公釐） : " (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揉隼局員工消费合作社印X. A7 _I__B7_ 五、發明说明（3 ) 之方式戧置於上述支持面上： 一用以在上述窗板與支持面上之基板之間，供給處理. 氣體（不只爲反應性氣髏，尙包括惰性氣體）之主供給系 ，上述處理氣髏'之至少一部份，係轉化成上述髦漿： 一在上述窗板與支持面上之間，用以形成促進轉化成 «漿之作用的電磁場之感應鼇極，上述感應m極具有在上 述處理室外之配設成與上述窗板對向之複數個導電性線圈 :及 一用以對上述線圈施加高頻電懕之電源部： 上述施加於線圈之高頻《壓，在鄰接之線圈的鄰接部 份，其電流之方向一致。 〔較佳實施例之細節說明〕 圚1所示之本發明第一實施例m漿c v d裝置，係使 甩於例如液晶顯示器（LCD )之製造中，用以在玻璃基 板上形成薄膜m晶體（tft)用聚矽或非晶性矽膜9 本CVD裝置，具有由鋁製之氣密性容器1 2。該容 器12之內壁係由陽極氧化經防蝕鋁處理，以使壁面不產 生污染物。容器1 2，係利用由介電體，例如由石英所構 成之窗板或分隔板1 4 ，被氣密地分隔成處理室1 6及上 部室1 8。分隔板1 4具有較作爲被處理物之基板更大的 面積。例如，若處理6 5 0 nmX6 5 Ο ηπι之LCD玻 璃基板時，分隔板1 4之面尺寸爲7 5 0mmX7 5 0 mm，厚度爲3 Omm〜5 Omm。處理室1 6係被股定 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4*t格（210X297公釐） " —— (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 订 ^^3983 A7 __'_·_B7 _ 五、發明説明（4 ) 成，相對6 5 0ιώπιΧ6 5 Omm之LCD基板，其容積 爲4 0〜8 0公升。 處理室1 6之下部，配設有載置台2 2。孩戧置台 2 2具有由載置於容器1 2底部之絕緣體所構成之框體 2 4，以及配置於框髏2 4內之下部電極2 6。電極2 6 係藉由框《2 4與容器1 2完全絕綠。電極2 6之上面與 框雔2 4之上面係形成平整，構成與分隔板1 4平行之基 板支持面。載置台2 2上又連設有以驅動部（圖未示）上 下移動之固定具2 8。作爲被處理物之基板S，係以由電 極2 6之上面及於框體2 4之上面的方式，載置於載置台 .2 2上，並由固定具27所固定。 經濟部中央標率扃貞工消费合作杜印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本肓) 電極2 6內，配設有用以設定基板S之溫度的溫度調 整部件3 2。胲溫度.調整部件3 2，在矽膜之成膜處理中 ，係將基板S加热於例如5 5 0〜6 5 0 °C。此一場合下 ，作爲溫度調整部件3 2，可使用在陶瓷之板狀《上以 CVD被覆法被覆《阻《所得之陶姿加热具。反之，有必 要冷卻基板時，溫度調整部件3 2可爲流通有冷卻劑之冷 卻管。又，也可併用加热具及冷卻管二者。 電極2 6內，形成有用以將He等之傳热氣體供給至 載置台2 2之上面與基板S之裹面間所形成的空陳內之管 線4 2。管線4 2，在容器1 2外，係接績於具有壓力調 整機能之氣《源4 4。傳熱氣《，在眞空氣氛下所進行之 電漿CVD處理中，可輔助溫度調整部件3 2與基板S間 之热傳速。 表《•供尺度遑用中••家橾率（CNS > A4洗格（210X297公釐) ~ A7 B7 經濟部中央橾準局員工消费合作杜印*. 五、發明说明（5 ) 基板S之溫度設定，會影響成膜速度及膜質（孔隙愈 少，電傳連速度愈大愈爲良質），因此，溫度控制被要求 要有高精度。是以，電極2 6內，位於基板S之裹面附近 的位置，配設有溫度測定部件3 4，例如配設有熱電偶。 溫度測定部件3 4之計測値，係作爲電壓输出俥達至溫度 監視器3 6。該溫度監視器3 6係將計測値與預先設定之 係基準値比較所得的差分値，作爲溫度調整部件3 2之調 整信號，俥達至溫度控制器3 8。該溫度控制器3 8係根 據碉整信號控制溫度調整部件3 2，將基板S設定於一定 溫度。 溫度調整部件3 2及溫度測定部件3 4，可分別分割 成基板S之裏面附近所設的複數個元件。藉此，即使是例 如6 5 OmmX 6 5 Omm基板般之在中心部與外周部易 於產生溫度差之大尺寸基板，也能將其整體設定於均等之 溫度。 電極2 6上，介以匹配電路4 8接績有高頻電源4 6 。由電源4 6，電極上被施加數百KHz以至數十KHz 之偏壓用高頻電位。藉由此一高頻，由對向於基板S之被 處理面形成的處理氣體之電漿，離子被拉入，而促進成膜 速度。 處理室1 6內，在載置台2 2之上方，配設有用以供 給氣體之噴酒型第一及第二頭6 2 ，8 2。頭6 2 ，8 2 ，分別具有相對載置台2 2上所載置之基板S的載B面在 其平行之平面內所配置之複數個氣饞供給口6 4 ，8 4。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中因_家輮攀（CNS ) A4此格（210X297公釐） 經 中 夬 梂 準 局 貝 i 消 费 合 作 杜 印 % A7 _B7_五、發明説明（6 ) 胲二頭6 2 ，8 2係由介電體，例如由石英所構成。該二 頭6 2 ，8 2也可由單結晶矽，多結晶矽，非晶性矽般之. 半導體所形成。此等介電雔或半導體，在後述之態樣中， 鮮少會使處理室'1 6內所形成之電磁場紊亂，因此，由不 致造成電漿生成之分佈性偏差的觀點而言，宜作爲頭6 2 ，8 2之材料。 下側之第一頭6 2，係藉與其同材料，例如由石英所 構成且一體形成之接績管6 6 '，導出至處理室1 6外。接 縝管6 6，係介以流置調整用質置流量控制器6 8，接績 於分別具有閥72a，72b之氣體源74a，74b。 氣髗源7 4 a，7 4 b，係作爲形成之膜的材料之被分解 氣體之源。 第一頭6 2 ，如圖2之底視圖所示，係由縱横向組裝 有管子之管格子7 6所構成。管格子7 6，係較基板S之 被處理區域宽廣1 0〜5 以可重疊其整體之方式形 成。接績管6 6，對於管格子7 6係在複數個，例如係在 對向之兩對合計4個部位接績。於圖1中，爲作圖方便計 ，就此點僅簡略表示。 構成第一頭6 2之管格子7 6的各個開口 7 8 ，係形 成相同形狀之正方形。供給口 6 4係設於管格子7 6之各 交叉點的下面，朝正下方定向。因此，供給口 6 4在與載 置台2 2之支持面及基板S平行的平面內，係均等地分佈 於基板S之被處理K域的整髗。又，由與管格子7 6對向 之兩對的部位接縯之管子6 6，會導入氣餹，因此，來自 (請先聞讀背面之注ί項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家雄率（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中夬橾率局貝工消费合作社印裝 203983 A7 _B7_五、發明説明（7 ) 供給口 6 4之氣體的供給，可槪略均等地實施。 於本實施例中，構成管格子7 6之管子的外徑，係1 mm〜5mm，而供給口 6 4之口徑係0 . 1mm〜 3 . 0 m m。此·等尺寸，係依氣體之種類或供給氣體置之 條件選擇。供給口 6 4之大小，宜設定成能防止電漿在反 應氣《源之方向發生者。 上側之第二頭8 2，係藉著由與其同材料，例如由石 英所構成且與其一《形成之接縯管8 6，被導出至處理室 1 6外。接績管8 6，係介以流置調整用質置流置控制器 8 8，接縯於分別具有閥9 2 a，9 2 b之氣髏源9 4 a ，9 4 b。一側之氣《源9 4 a，係在處理室1 6內會電 漿化，但在實質上不會成爲膜材料之情性氣體，例如A r (氬），N2 (氮）.，Xe (氙），He (氦）或會電漿 化而成爲形成之膜的材料之氣體，例如N2 (氮），〇2 (氧）之源。其他之氣體源9 4 b，係用以將處理室1 6 之內壁，例如分隔板1 4上所堆稹之副生成物予以if除的 氣體，例如C 1 F 3之源。 第一頭8 2，如圖3之底視圖所示，係由組裝成短形 之管子框9 6所構成。由管子框9 6所形成之矩形，係與 第一頭6 2之管格子7 6的外輪廓相同，或是較其爲大。 接禊管8 6，相對管子框9 6係在複數個，例如在對向之 —對合計2個部位接績。於圖1中，爲作園之方便計，有 關此黏僅簡略表示。 供給口 8 4係在管子框9 6之內側面的全周上等間隔 表紙張尺度遑用中《«家輮率（CNS ) Μ洗格（210XM7公釐>一~~ 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本萸) A7 B7 經濟部中央橾準局貞工消费合作社印«. 五、 發明説明（8 ) 地 設 置 5 並 定 向 於 正 横 內 向 0 BH- aE 以 9 供 給 □ 8 4 係 在 與 載 1 1 置 台 2 2 之 支 持 面 及 基 板 S 平 行 之 平 面 內 在 基 板 S 之 被. 1 I 處 理 面 域 的 周 園 作 均 等 性 分 佈 0 由 對 向 之 一 對 部位 接 績 之 1 I 管 子 8 6 > 氣 體 係 導 入 管 子 框 9 6 內 9 因 此 ί 來 i 供 給 □ 請 先 閲 1 1 I 8 4 之 氣 饅 的 供 給 ， 可 大 致 均 地 實 施 〇 供 給 Ρ 8 4 也 可 讀 背 1 1 £ f 設 於 管 子 框 9 6 之 下 面 定 向 成 朝 正 下 方 0 反 之 » 供 給 P 之 注 1 I 也 可 設 於 Jnht 常 子 框 9 6 之 上 面 > 定 向 成 朝 正 上 方 0 1 項 f I 再 1 t 於 本 實 施 例 中 > 構 成 管 子 框 9 6 之 子 的 外 徑 係 1 % 窝 本 1 m m 5 m m 9 供 給 □ 之 □ 徑 係 0 • 1 m m 3 0 τη ΙΏ 頁 1 I 0 此 等 尺 寸 係 依 存 於 氣 體 之種 類 或 供 給 氣 镫 1: 等 之 條 件 而 1 I 選 擇 Ο I 1 1 由 分 隔 板 1 4 將 斑 理 室 1 6 氣 密 地 分 隔 成 之 上 部 室 1 订 1 8 內 > 配 設 有 感 應 蕙 極 或 天 線 1 0 2 〇 電 極 1 0 2 9 例 1 1 如 係 由 C U ， A 1 之 導 m 體 所 構 成 之 多 數 個 線 圈 9 於 本 實 1 1 施例 中 9 係 由 兩 個 線 α〇η 圈 1 0 6 a 1 0 6 b 所 構 成 0 線 BD 1 1 1 0 6 a 9 1 0 6 b 係 配 置 於 載 置 在 分 隔 板 1 4 上 之 複 數 1 個 台 座 1 0 4 上 Ο 台 座 1 0 4 係 由 絕 热 性 且 擾 亂 m 磁 場 比 1 1 率 低 之 陶 瓷 材料 所 構 成 0 於 圖 1 中 ， 台 座 1 0 4 係 概 略 地 1 表 示 9 更 具 髏 而 言 t 台 座 1 0 4 係 如 圖 4 9 圖 5 所 示 t 係 1 1 由 分 別 支 持 線 {XSI 明 1 0 6 a 1 0 6 b 之 -- 部 份 的 多 數 個 片 1 1 體 1 0 4 a 所 構 成 0 片 體 1 0 4 a 係 在 分 隔 板 1 4 上 被 固 1 I 定 位 置 > 線 圈 1 0 6 a 9 1 0 6 b 之 热 膨 脹 > 係 由 片 體 1 I 1 0 4 a 所 規 制 〇 1 1 1 線 CBW EB3 1 0 6 a 9 1 0 6 b 1 例 如 可 藉 著 將 1 m m 5 1 1 1 本Λ張尺度遑Λ中國·家橾準（CNS > A4*t格（210X 297公釐） 11 293983 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印«. A7 B7 _五、發明説明（9 ) mm厚之網板沖懕加工成1Omm宽度之漩渦型線圈而製 成。線圈1 0 6 a.，1 0 6 b，也可藉著將外徑例如爲5 mm，內徑例如爲2 mm之銅製管子變成漩渦型而製成。 再者，也可將塞有芯子之外徑爲5mm〜1 0mm之銅棒 彎曲成濰渦型而製成該線圈。銅係電之良導體，且易於加 工成漩渦狀，在此等層面上有其優異性。作爲其他之適當 之線圈的材料，其可舉實例爲金，銀，鋁，或此等金靥與 銅任意組合成之合金。 線圈1 0 6 a，1 0 6 b，係介以匹配電路1 0 8接 縯於高頻電源1 1 2 6由氰源1 1 2，無線頻率，例如 13. 56MHz之高頻，係以同相位賦與至線圈 106a，106b〇如圖6所示，線圈106a， 1 0 6 b，係以反向之漩渦狀形成，其相鄰之部份電流的 方向一致，由兩個線圈所形成之m磁場，彼此不相互干涉 。線圈1 0 6a，1 0 6b，二者係被覆較基板S之被處 理區域寬廣5〜5 0 %之面稹範園，配置成可重叠於基板 S之整體。 上部室1 8內，在線圈1 0 6 a ，1 0 6 b之上方， 配設有與其對向之具有多數個氣體供給口的喷灑型頭 1 2 2。線圈1 0 6 a，1 0 6 b倉因高頻之施加而產生 焦耳热，以致溫度上昇，因此，藉由嘖灑頭1 2 2所供給 之情性冷媒，例如氮氣般之情性氣體，可予冷卻。於本實 施例中，頭1 2 2係藉管子1 2 4導出至容器1 2外，並 介以閥1 2 6，質置流量控制器1 2 8，溫度調整部件 張尺度遑用中國《家梂準（CNS )八4规格（2丨Ο X 297公釐) ~ (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) A7 B7 |£濟部中央揉準局貝工消费合作杜印«. 五、發明説明（10) 1 3 2而接績於液體氮源1 34 ·源1 34內之液態氮， 係以氣鳢之狀態供給至溫度調整部件1 3 2而被設定於一 定之溫度，然後再供給至頭1 2 2 · 上部室1 8內形成有排氣口1 3 6，排氣幫浦1 3 8 係接績於該排氣口 136 ·藉由幫浦138，上部室18 內係被設定成真空*上部室1 8之排氣幫浦1 3 8與處理 — .......- . _ _ 室16之幫浦54，56，均係接績於壓力控制器142 •該控制器1 4 2係因應處理室1 6之壓力控制排氣幫浦 1 3 8之排氣量，使得處理室1 6與上部室1 8之差壓在. —定之範園內。 上述處理室1 6內之E力，根據溫度調螯部件3 2之 基板S之設定溫度，由頭62，82所供給之氣體的種類 ，流童，溫度，下骷電極2 6，對於線圈1 0 6 a， 1 0 6 b之施加電壓等*係顯示於操作盤上，可由操作者 確認及調節· 其次，茲以在LCD玻璃基板上形成聚矽或非晶性矽 膜之場合爲例，將本電漿C VD裝置的搡作臁樣說明之· 首先，將L CD玻璃基板S載置於載置台2 2上，以 固定具.2 8固定之•其次•將熱傅達氣體供給於載置台 2 2與基板S之裏面之間，藉由溫度調整部件3 2將基板 S之溫度設定於300〜50 eC ·又，對於處理室1 6內 ，係將其真空排氣至一定之壓力，例如至1 X 1 0_τ〜 1 0_3Τ〇 r r爲止•另外，由第一頭6 2導入被分解氣 體•例如甲矽镔（SiH4) •由第二躓82導入情性氣 ； ^-- (請先閱讀背面之注f項再填窝本頁) 訂 涑 本纸浪尺度適用中國國家4IUM CNS } A4此糌（210X297公釐） 經濟部中央搮準局只工消费合作社印装 A7 B7五、發明说明（11〉 體，例如導入氦（He )氣。藉由甲矽烷及氦氣之供給， 處理室1 6內之壓力係成爲1 0·3〜1 0·4Τ〇 r r。 於此狀態下，當線圈1 Ο 6 a，1 Ο 6 b上例如被施 加13. 56MHz之高頻時，處理室16內係形成感應 電磁場，藉此，氦氣乃被《漿化。電漿中之離子或《子， 係通過第一頭6 2之格子的開口 7 8，將甲矽烷氣體激發 ，而有助其分解。藉由甲矽烷氣髏之分解所獲得的矽，係 堆積於基板S上，而形成聚矽或非晶性矽膜。 在成膜中，附著於分隔板14上之堆積膜的一部份， 係因電漿氣髄之電漿而分解，氣化，並由分隔板1 4被除 去。依此所產生之氣體成份，其他之在成膜中未使用之供 給氣髋的成份，或是副生成物，係藉成膜中持縯之處理室 1 6的廢氣，介以排氣口 5 2排出。 成膜中，下部電極2 6上係由電源經施加高頻之偏Μ 電壓。是以，氦氣之電漿中的離午或電子係被拉向下方， 而變得易於通過第一頭6 2之開口 7 8。又，下部電極 2 6之偏壓電壓係高頻之故，因此，可防止只有電漿中之 離子被拉向電極所^成之電位上昇。 線圈1 0 6 a，1 0 6 b係藉高頻電壓之初加而產生 焦耳熱。例如，當1 3. 5 6MHz ，2 0 OW之高頻電 壓施加於最外周徑6英吋之Cu製線圈時，會有18 0° 〜2 5 0 °之溫度上昇。當此種溫度直接傅連至石英製分 隔板14時，會成爲微龜裂等裂縫之原因。支持線圈 1 0 6 a，1 0 6 b之台座1 0 4 ，由於係由具有絕熱性 本紙張尺度逋用中國《家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先S讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 14 鲤濟部中央樣率扃員工消费合作社印¾ A7 - _B7_五、發明说明（12 ) 且嫌亂電磁波程度低之陶瓷所構成，因此對於m漿之生成 沒有不良影響，可保護分隔板1 4使其不受热之影響。 又，在成膜中，作爲冷媒之氮氣係由頭1 2 2供給至 線圈1 0 6a，1 0 6b。然而，處理室1 6與上部室 1 8之Μ的差壓，係藉控制器1 4 2維持於一定値以下。 亦即，控制器1 4 2係因應來自控制器1 2 2之氮氣的供 給置控制排氣幫浦1 3 8之排氣置。因此，在分隔板1 4 上並無導因於差壓之大負荷。 圓1 0中所示的是，依此一方法所形成之膜的膜厚。 同圖中，線圈1 0 6 a，1 0 6 b與基板S之間所配置的 附有斜線的部份，係形成之膜的膜厚分佈。如圖所示*使 用本發明裝置之場合，膜上雖形成有若干之凹凸，但與圖 1 1所示之習用裝置相較，可知在膜厚之面內均等性方面 獲得改善。 其次，茲就在L C D玻璃基板上形成薄膜電晶體之過 每中的條件，進行說明。 於同過程中，由CVD所形成之膜的種類與使用氣體 之關係，係示於表1中。在形成.非晶性矽膜時，甲矽烷（ SiH4 )係由第一頭62，氦（He)係由第二頭82 供給。在形成矽氣化膜時，甲矽烷（S i )係由第一 頭62，氧（〇2 )係由第二頭82供給。 (請先Μ讀背面之注f項再填寫本X ) 订 本紙張尺度邃用中國國家梯率{ CNS > A4规格（210X297公釐） 15 經濟部中央橾率局貝工消費合作社印製 ^^3983 A7 _._I__B7 五、發明说明（13 ) 〔表1〕 膜的種類 使用力1又 非晶性膜 SilU + He (a-SiN) 非晶性氮化矽膜 SifU + n2 (a-SiN) 氧化矽膜 SilU + 〇2 (S iOx) 於同過程中，蝕刻之處理對象膜與使用氣體之關係， 係示於表2中。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙浪尺度遑用中*钃家樣率（〇阳>八4規<格（210乂297公釐） -16 A7 _I____B7五、發明説明（14 ) 〔表2〕 蝕刻對象 使用力' 又 鋁 C 1 2 + B C 1 3 (A1 ) 非晶性矽 CF4或SFs,或 (a-Si ) C丨2/SFe之混合物 氮化矽 SFe (SiN) n· I n In Γ— n —Γ n J n - n In n I— -tT (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁} 鍾濟部中央梂準局貝工消費合作社印«. 圈7—9,係感應《極102之變形例。 圖7之變形例〜係由横向並列配置之三個線圈116 所構成。根據此一變形例，鄰接之部份處，電流的方向一 致，且相郯之線圈所形成之《磁場，不相互千擾。 根據圖8之變更例，三個線圈117係配置位於正三 角形之頂黏。依此一方式配置時，不管將各嫌圈之電流的 方向如何設定，均無法避免任何二個線圈之鄰接部份處之 電流方向的相反。是以，根據此一變形例，係將施加於三 個鐮圈1 1 7之高頻相位，作逐個3 6 0/3 = 12 0度 本紙‘尺度遠用中••家鞣隼（CNS > Λ4说格（210X297公釐) ~~_ 經濟部中夬揉牟局貝工消费合作杜印ft A7 ___B7_五、發明说明（15〉 之移位，而減少因相鄰線圈所形成之電磁場彼此千擾之程 度。此一場合下，如圖1所示，係在各線圈之匹配《路 1 0 8與電源1 1 2之間，設置移相電路1 1 4，將各線 圈之相位移位〇 根據圖9之變形例，四個線圈1 1 8係以位於四角型 頂酤之方式，配置2 X 2個。依此一方式配置時，若使横 向並列之線圈的鄰接部份處之氰流方向一致時，位於對角 線之線圈的鄰接部份處*電流之方向相反》是以，根據此 —變形例，係將施加於四個線圈1 1 8之高頻相位，作逐 個3 6 0/4 = 9 0度之移位，而滅少因位於對角線之線 圈所形成之電磁場彼此干擾之程度。於此一場合下也是， 如圓1所示，係於各線'圈之匹配髦路1 0 8與氰源1 1 2 之間，設置移相電路-1 1 4，將各線圈之相位移位。 又，根據圖6〜圖8之電極，係由單一之高頻《源獲 得電壓，但也可就各線圈設置電源。又，線圈之漩渦數或 形狀，可因應處理狀態作變更。 圖1 2〜1 4係第一及第二氣體供給頭6 2，8 2之 變形例。 圖1 2係供給被分解氣《之下側的第一頭之變形例的 底視圖。此一變更例之頭1 5 2，也是由與圖2所示之第 一頭6 2由相同之材料所形成。胲頭1 5 2，除了形成外 輪廓以外之管子框以外，係由只具有延伸於縱向之管子的 管格子1 5 6所構成。管格子1 5 6係較基板S之被班理 面域寬廣1 〇〜5 0%，以被覆其全《之狀態形成。構成 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙张尺度邋用中國«家螵率{ CNS > A4规格（21 OX297公釐） 18 203983 A7 B7 五、發明説明（16 ) 管格子1 5 6之縱管子，係等問隔地配設。供給口1 5 4 係於管格子1 5 6之下面以與縱管子之間隔等間隔之方式. 形成，定向成朝正下方。是以，供給口 1 5 4在與載置台 2 2之支持面及基板S平行的平面內，在基板S之被處理 區域的整«作均等性之分佈。構成管格子1 5 6之管子外 徑.》係1〜5mm，供給口 1 5 4之口徑，係0 . 1mm 〜3 . 0 m m ° 圖1 3中所示的是，供給電漿化氣《之上側第二頭的 樊更例之底視圖。此一變更例之頭1 6 2 ，也是由與早先 所述之第二頭8 2相同的材料所形成。頭1 6 2 ，與圖2 所示之第一頭6 2，在實質上係由同一尺寸及同一構造所 形成。接嫌管8 6，對於管格子1 6 6，係在複數個部位 ，例如在對向之二對合計4個部位接縯。供給口1 6 4並 非如頭8 2般之在横側朝內，而是在管格子7 6之各交叉 點定向成朝正下方。 經濟部中央樣率局貝工消费合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圇1 4係用以供給電漿化氣《之上側第二頭的其他變 形例之底視圖。此一變形例之頭1 7 2，也是由與上述第 二頭8 2相同之材料所形成。頭1 7 2係由與圖1 2所示 之第一頭1 5 2在實質上相同之尺寸及構造所形成。接績 管8 6 ，相對管格子1 7 6 ，係在複數個部位，例如在對 向之二對合計4個部位接績。供給口1 7 4並非如頭8 2 般之在横側朝內，而是定向成朝正下方。 圖2 ，3 ，1 2 — 1 4所示之供給頭的形狀，係可依 被處理物之形狀而變更。例如對於半導雔晶片般之園形的 本紙張尺度遑用中家橾率（CNS )从规格（21〇X2〇7公釐） 19 經濟部中央樣隼局負工消费合作社印¾ A7 __B7______ 五、發明説明（17 ) 被處理物，可予形成爲外輪廓呈圆形狀。 此外，發明人等又實施使用圓2所示之由管格子7 6. 所構成的喷灑型頭6 2，測定由供給口 6 4所噴出之氣體 的流量分佈之實驗。 計篝之概辱 作爲計算對象之頭6 2 ，係以1/4英时（內徑 4. 2mm)之石英製管格子76狀組合構成。格子之各 交叉點，設有直徑D之供給口 6 4 ，在X方向1 = 7，在 Y方向J = 6共計IXJ = 4 2個。氣髏係由接績於接績 於4個部位之管子6 6所供給。 根據本計算，係想像在設定成壓力Pr，溫度Tr之 處理室1 6內，配設有頭6 2之狀態。 於解析中，係使用热流體解析软體'FUJENT'，由於 難以定義困管之組合，將各園管視爲流路斷面稹之一邊爲 4mm的正四角柱。因此，流路斷面積爲實際之 1. 15倍大。此一流路斷面積之增加，在解析結果中必 須推敲。 又，由於'FLU ENT#無法將流入氣體之流置作爲埦界 條件規定，因此，將處理室內壓力P r與管子6 6和頭 6 2接嫌管之壓力P s的差ΔΡ = Ρ s -P r作爲境界條 件。 供給口 6 4與頭6 2整饞相比非常之小，因此，計算 格子數增多。因此，爲了減少計算之負荷，進行以下之棋 未紙張尺度遑用中國國家梯率（CNS )八4洗格（210X297公釐) (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -20 - A7 _；_B7_ 五、發明説明（18) 型化。 (i )由於頭6 2之形狀係上下及左右對稱，因此， 對於頭6 2整體之1/4進行解析。 (ii )在頭6 2之供給口 6 4使用多孔介質模型，產 生因應口徑之壓力效果。 於此，本計算中所使用之條件，係示於表3中。 (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局負工消费合作社印袈 本紙張尺度逍用中國《家輮奉（CNS ) A4*!#· ( 2丨0X297公釐） 21 - 228983_ 五、發明説明（19 ) A7 B7 [^3]

CASE D . (ram) p1(To r r) pr(Torr) Tr(°C ) 氣髏組成 1 0.5 1.2 0.2 250 20*SiH4+80%N 2 0.3 1.2 0.2 250 20^SiH4+80%N 3 0.3 2.2 0.2 250 20«SiH4+80%N 請 it 閱 讀 背 * 之 注 項 再 填 寫 本 頁 經濟部中央棣率局貝工消费合作社印製 本紙张尺度逋用中国國家檬準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 22 A7 ________B7__ 五、發明说明（20 ) 結果及考察 對於各CASE的條件所獲得之流量分佈Gi j/ Gm，係示於圖1 5〜1 7中，胲時之總流量G及流量分 佈之均一性，係示於表4中。G i i係表示來自各供給口 6 4之流量，Gm = G/ I XJ係表示平均流量。 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 本紙張尺度遑用中國國家棣率（CMS ) A4規格（2丨OX297公釐） A7 B7 五、發明説明（2丨） (表4 〕 CASE G ( s c c m ) 均等性（土 ％) 1 137 25 2 66.5 8.8 3 130 5.8 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 鍾濟部中央揉率局貝工消費合作社印装 由CASE1與CASE2之比較可知，供給口6 4 之直徑D愈小，流置之均等性愈佳。由CAS E： 2# C AS E 3之比較可知，藉著將G增加》可使均等性更爲 提高，又，爲了提高流量分佈之均等性，D較g之貢獻爲 大.。亦即，爲了獲得均等之流置分佈，將D儘可能減小即 可。然將D縮小，卻會造成膜堆積以致供給口之位置轉印 至基板上。此一場合下，大概有必要採取將頭6 2與基板 S之間的距離增大等之對策。 圖1 8 ，1 9中所示的是，用以將線圈1 0 6 a， 1 0 6 b冷卻之機構的變形例。根據此一變形例，不具備 用以供給作爲冷媒之氮氣的嘖灑型頭1 2 2 ，代替的是， 在陶瓷製之台座1 8 2內，形成用以流過冷媒之流路 184。台座182係對應各線圈l〇6a，106b設 置一對，各自具有沿各嫌圈延伸之漩渦形狀。流路1 8 4 订 本紙浪尺度遑用中家橾率（CNS > 格（210X297公釐〉 24 - 經濟部中央橾準局負工消费合作杜印製 A7 B7五、發明说明（21 ) 係介以溫度調整部件1 8 6接績於冷媒源1 8 8，來自冷 媒源1 8 8之冷媒係在流路1 8 4內循環。作爲冷媒係可 使用N 2氣《般之氣髗或是市售之冷卻劑般之液髏。又， 上部室1 8之一端處，接績有用以導入經溫度調節之氣饈 的管線19，以調整其內懕。 圖2 0，2 1係本發明第二及’第三實施例之《漿 CVD裝置之要部圈。此等實施例，除以下所述之相異點 以外，係與圈1所示之第一實施裝置相同，因此，就共通 之部份僅加註符號，至於其詳細說明在此省略。 根據圓2 0所示之第二實施例裝置，供給電漿化氣髗 之第二頭8 2係經除去，該氣體係藉管子8 6直接供給至 分隔板1 4與第一頭6 2之間。 根據圖2 1所示之第三實施例裝置，管子8 6亦被移 除，處理氣體全部係由第一頭6 2所供給。線圈1 0 6 a ，1 0 6 b，與第一頭6 2之間的距離，係設定成較第一 及第二實施例小出甚多。由頭6 2所供給之氣體，係受到 由線圈1 0 6 a，1 0 6 b所形成之電磁場的影響而直接 電漿化。又，於第三實施例中，代替具有開口 7 8之格子 狀頭6 2 ，也可使用完全不具有開口 7 8之頭。其原因是 ，開口 7 8係如第一及第二實施例所示，其主要目的係在 第一頭6 2之上方生成電漿，並使由該處拉出之離子，電 子通過。 其次，茲就具有本發明電漿處理裝置之組狀設備型處 理系統，佐以圖2 2進行說明。 本紙张尺度邋用中國家樣率（CNS ) A4*t格（210X297公釐） (请先《讀背面之注意事項再填寫本頁) -25 - A7 B7 經濟部中央搮準局ec工消费合作社印«. 五、 發明説明 (23 ) | 本 系 統 具有 氣 密 構造 之 共 通 搬 送 室 2 1 0 Ο 共 通 搬 送 1 1 室 2 1 0 之 內部 9 例 如 係維持於 眞 空 壓 力 η X 1 0 -3 1 1 T 0 r Γ η X 1 0 -2 T 0 r r 之 壓 力 0 共 通 搬 送 室 1 I 2 1 0 內 > 配設 有 藉 由 圖 未 示 之 靜 電 吸 盤 ( 圖 未 示 ) $ 將 請 it 閱 1 1 I 被 處 理 基 板 保持 及 搬 送 之 第 一 搬 送 臂 2 1 2 0 η 背 1 1 共 通 搬 送臂 2 1 0 之 三 個 側 壁 上 > 分 別 接 績 有庇 理 裝 之 注 意 \ 1 置 2 2 0 > 2 2 2 $ 2 2 4 之 氣 密 容 器 2 2 1 t 2 2 3 9 1 項 \ 1 再 I • 2 2 5 0 搬 送室 2 1 0 與 各 裝 置 之 容 器 2 2 1 > 2 2 3 填 寫 本 >v^ | 2 2 5 之 間 ，分 別 配 設 有 閘 閥 2 1 4 2 1 6 9 2 1 8 9 育 1 I 搬 送 室 2 1 0與 各 裝 置 之 容 器 2 2 1 2 2 3 2 2 5 9 1 I 係 可 選 擇 性 地連 通 〇 閘 閥 2 1 4 2 1 6 9 2 1 8 係被控 1 1 | •制 成 一 次 只 能開 放 — 個 9 而 處 理 裝 置 2 2 0 > 2 2 2 9 1 訂 2 2 4 係 被 形成 爲 不 會 介 以 搬 送 室 而 相 互 影 響 0 1 1 處 理 裝 置2 2 0 9 2 2 2 $ 2 2 4 中 之 至 少 — 個 » 在 1 1 本 系 統 中 係 完全 由 本 發 明 電 漿 處 理 裝 置 所 構 成 〇 處 理 裝 置 1 1 2 2 0 2 2 2 9 2 2 4 之 各 中 央 部 9 模 式 性 地 配 設有 感 1 應 電 極 2 2 6 ， 2 2 8 i 2 3 0 9 例 如 配 設 有 — 對 平 面 狀 1 1 之 漩 渦 型 線 圈。 1 共 通 搬 送室 2 1 0 之 第 四 側 壁 上 f 係 介 以 閘 閥 2 3 2 1 1 接 縝 有 預 備 ft空 室 2 3 4 0 此 — 預 備 眞 空 室 2 3 4 f 係 用 1 1 於 在處 理 之 前， 將 基 板 預 熱 至 — 定 之 溫 度 爲 止 f 或 是 將 因 1 I 處 理 而 加 热 之基 板 9 在 收 納 於 匣 體 所 載置 於 一 定場 所 之 前 1 1 » 先 予 冷 卻 至一 定 溫 度 0 m 備 眞 空 室 2 3 4 與 複 數 了 處 理 1 1 | 裝 置 2 2 0 ，2 2 2 1 2 2 4 之 閫 的 基 板 之 搬 送 ， 係 藉 共 1 1 1 紙 本 準 橾 家 V B 中 用 遑 釐 公 7 29 經濟部中央揉率扃Λ工消费合作社印製 A7 ____B7 _五、發明説明（2牛） 通搬送室210內所配投之搬送臂212所執行。 預備眞空室2 3 4內，係被維持於一定之眞空壓力， 例如係被維持於nX 1 0_3T〇 r r〜η X 1 0_2 To r r之壓力。作爲預熱部件，係使用內繭於基板載置 台內之電阻發熱髏，或是將被處理基板直接加热之燈具。 作爲冷卻部件，係可使用將冷媒，例如市售之冷卻劑或液 態氮在基板載B台之內部循環的管子。爲了提高眞空中之 熱傳達性，H e等之熱傳達氣體，係被供給於基板與載置 台之間。也可多段地設置預備部件及冷卻部件，而對於複 數片之基板分別獨立地同時進行加热及冷卻。 與共通搬送室2 1 0對向處，預備眞空室2 3 4上， 介以閛閥2 3 6接縯有第二搬送室2 3 8。第二搬送室 2 3 8內，配設有第二搬送臂2 4 0。與預備眞空室 2 3 4對向處，第二搬送室2 3 8上介以閘閥2 4 2接嫌 有匣體室2 4 4。匣體室2 4 4內，配設有至少載置一個 ffi«2 4'6之載置部（圖未示），該匣體2 4 6係可供收 納複數片，例如2 5片之被處理基板。與第二搬送室 2 3 8對向，匣體室2 4 4.之側壁上，配設有閘閥2 4 8 ，可經由其與處理系統之外部連通。 其次，茲就上述處理系統之操作進行說明。 被處理基板係在收納於匣體2 4 6之狀態下，由其他 之半導髗處理系統藉由機器人（ACV)等之自動搬送系 統，搬送至上述處理系統。匣體2 4 6係介以閛閥2 4 8 載置於匣體室2 4 4內之一定位置。 (請先《讀背面之注意事項再填寫本莧) 订 本紙張尺度遑用中國國家梯準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐} 27 - 經濟部中央揉率局負工消费合作社印«. A7 _____B7_五、發明说明（2灰） 而後，閛閥2 4 8關閉，而匣饅室2 4 4內係由情性 氣餿，例如係由N 2所取代。其次，閘閥2 4 2開啓，藉. 由鄰室之第二搬送室2 3 8內的第二搬送臂2 4 0 ，匣« 室2 4 6內之基板係一片一片地搬出，並被搬送至預備眞 空室2 3 4內之預熱部。 組之，閘閥2 3 6關閉，預備眞空室2 3 4內係被排 氣至一定應力爲止。在基板預熱終了後，閘閥2 3 2開啓 ，而搬送臂2 1 2係承接預備眞空室2 3 4內之基板，將 其搬送至共通搬送室2 1 0內。而後，閛閥2 3 2關閉。 其次，基板係由共通搬送室2 1 2藉由搬送臂2 1 2 搬入至經選擇之處理裝置220，222，224，經實 施一定之處理。所有處理均終了之基板，係經由與上述相 反之過程搬送至匣髏室2 4 4內之匣體2 4 6內收納。 處理裝置2 2 0，2 2 2，2 2 4，作爲相同之處理 內容，係對於褀數個被處理基板，並行地執行相同之處理 。處理裝置2 2 0，2 2 2，2 2 4，作爲不同之處理內 容，係對於相同之被處理基板依序直列狀地執行不同之處 理。 作爲直列處理之例，係在康寧公司製之玻璃基板上依 序形成a — Si膜（非晶性矽膜），3丨>^膜（氮化矽 膜），n+型a—Si膜等之三層，而製造薄膜型電晶體 之過程。藉著在用以實施此一過程之電漿C V D系統之各 CVD裝置中，使用佐以圖1〜21脫明之本發明裝置， 可對廣大面積之被處理基板，施予均等性之成膜處理。 本紙張尺度逡内中困國家嫖率（CNS ) A4规格（210X297公釐} (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 A7 B7 鐘濟部中央橾準局Λ工消费合作社印¾ 五、 發明説明 (26 ) 然 而 作 «BfiS Μ 處 理 裝 置 2 2 0 ， 2 2 2 1 2 2 4 $ 可 因 1 1 應 處 理 內 容使 用 平 行 平 板 型 電 漿 處 理 裝 置 1 或 热 C V D 裝. 1 I 置 ， E C R 型 電 漿 處 理 裝 置 ， 嘖 濺 裝 置 9 灰 化 裝 置 t 蝕 刻 1 I 裝 S 等 0 請 先 1 1 閏 | 上 述 策 Pf9 — 第 三 實 施 例 之 電 漿處 理 裝 置 係 以 C V D 讀 背 1 裝 ft «CSV j^l 例 說 明 〇 然 而 9 本 發 明 之 思 想 9 與 可 適 用 於 C V D 之 注 告 I 1 裝 置 相 同 9 同 樣 亦 可 逋 用 於 氰 漿 蝕 刻 裝 置 9 電 漿 灰 化 裝 置 1 項 \ I 再 1 > 電 漿 嘖 濺 裝 ft 等 等 0 根 據 本 發 明 9 於 此 種 « 漿處 理 中 9 填 % 本 a 可 使 對 於 被 處 理 基 板 之 電 漿 的 產 生 均 等 化 9 可 提 高 對 於 同 頁 1 I 一 基 板 之 處 理 的 面 內 均 等 性 〇 1 1 1 I C 圖 面 之 簡 單 說 明 ) 1 1 订 圖 1 係 本 發 明 第 — 實 施 例 « 漿 C V D 裝 置 之 斷 面 圖 0 1 1 圖 2 係 圖 1 裝 置 之 第 一 供 給 頭 之 底 視 圖 0 1 1 圖 3 係 圖 1 裝 置 之 第 二 供 給 頭 之 底 視 圖 0 1 1 圖 4 係 m 1 裝 置 之 上 部 室 的 詳 <tm TO 檐 成 之 斷 面 圖 0 圈 5 係 圇 1 裝 置 之 感 應 電 極 的 線 um B8 與 X*. 座 的 關 係 之 透 1 1 視 圖 0 1 OD m 6 係 圖 1 裝 置 之 感 應 電 極 之 槪 略 平 面 圖 0 1 1 圖 7 9 係 感 應 電 極 之 各 變 形 例 之 概 略 平 面 圖 0 1 1 圖 1 0 係 圇 1 裝 置 中 形 成 之 膜 的 膜厚 分 佈 圇 0 1 I 圖 1 1 係 習 用 裝 置 中 形 成 之 膜 的 膜 厚 分 佈 圈 〇 1 圖 1 2 係 第 — 供 給 頭 之 變 形 例 之 底 視 圖 〇 1 1 | 圓 1 3 9 1 4 係 第 二 供 铪 頭 之 各 變 形 例 之 底 視 圖 〇 1 1 1 本紙伕尺度通用中國國家樣準（CNS ) A4*t樁（210X297公釐） d - ^03963 at _ _B7_'_ 五、發明説明（27 ) 圖15〜17係由圓2所示之第一供給頭的供給口所 嘖出之氣體的流置分佈圇。 圖18係上部室之變形例之断面圖。 圖19係圖18變形例之感應電極的線圈與台座之關 係之透視圈。 圖2 0 ，2 1分別係本發明第二及第三實施例之電漿 CVD裝置之斷面圓。 圇2 2係具有本發明電漿處理裝置之組狀設備型處理 系統之斷面圖。 I* n II I h - η - ( I - - HI _ _ HI _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局負工消費合作社印装 本紙張尺度遑用中國國家搞準（CNS ) A4*L格（2丨0X297公釐）

Claims (1)

1. ABCD ~、申請專利範圍 1 · 一種電漿處理裝匿，係對於基板之被處理區域， 使用電漿進行處理之裝置，具有： (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 一界定氣密性處理室之外般> 此外般具有由介霣«所 構成之窗板： 一用以將上述處理室排氣，並將上述處理室內設定成 眞空之排氣系統： 一配置於上述處理室內，具有與上述窗板對向的支持 面之載置台，上述基板係以其被處理瓸域與上述窗板對向 之方式載置於上述支持面上： 一用以在上述窗板與支持面上之基板之閬，供給處理 氣體（不只爲反應性氣體，尙包括惰性氣體）之主供給系 統，上述處理氣體之至少一部份，係轉化成上述電漿： 一在上述窗板與支持面上之間，用以形成促進轉化成 電漿之作用的電磁場之感應電極，上述感應m極具有在上 述處理室外之配設成與上述窗板對向之複數個導電性線圈 :及 一用以對上述線圈施加高頻《壓之電源部； 經濟部中央梯準扃貝工消费合作社印轚 上述施加於線圈之高頻電壓，在鄰接之線圈的鄰接部 份，其電流之方向一致。 2 .如申請專利範園第1項所述之電漿處理裝置，進 而具有：與上述處理室鄰接而設之包園上述線圈之氣密性 輔助室，用以冷卻上述線圈之冷卻機構，以及用以將上述 處理室及輔助室之差壓，維持於一定値以下之壓力調整機 構者。 表纸張尺度逋用中國國家榣準（CNS)A4規•格（2丨ox兮7公釐） 經濟部中央標準局-C工消费合作社印装 六、申請專利範圍 3.如申請專利範圍第2項所述之電漿處理裝置，其 中該壓力調整機構，具有將氣髏供給於上述輔助室之供給 *»· 系統，將上述輔助室排氣並將上述辅助室內設定成眞空之 排氣系統，以及因應上述處理室內之壓力將上述輔助室的 壓力調整之控制器者。 4 ·如申請專利範圍第3項所述之《漿處理裝置，其 中該供給至上述輔助室內之上述氣體係冷媒，其又兼作爲 上述冷卻機構之一部份者。 5 .如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其 中胲線圈係介以台座配置於上述窗板上者。 6. 如申請專利範園第5項所述之裝置，其中該台座 內形成有用以循環冷媒之流路者。 7. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該主供 給系統具備一第一供給部件，該第一供給部件具有由配設 於上述窗板與支持面之間的介電髏所構成之第一供給頭： 上述第一供給頭，具備在上述支持面上之上述基板的被處 理區域之整«上作實質上均等性分佈而設之複數個氣體供 給口，且該供給口供給上述處理氣體之至少一部份者。 8. 如申請專利範園第7項所述之電漿處理裝置，其 中該主供給系統進而具有配設於上述窗板與第一供給部件 間之第二供給部件：上述處理氣體具備由上述第一及第二 供給部件分別供給口之第一及第二氣髗，上述第二氣髗係 轉化成上述電漿，上述第一氣體係由上述《漿所激發分解 者。 ：---：—^— (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 本紙張尺度逋用中國國家楹準（CNS ) A4*t格（210X297公釐) -32 - B8 C8 D8 W3983 六、申請專利範圍 9 .如申猜專利範圍第8項所述之電漿處理裝置，其 中該裝置係在上述基板之被處理區域上形成膜之電漿 C V D裝置，藉由上述第一氣簠之分解提供上述膜材料者 -----^---Μ--%------1Τ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 10. 如申猜專利範圍第8項所述之電漿處理裝置， 其中該第一供給頭係由組裝有用以流過上述第一氣體之管 子元件的格子所構成者。 11. 如申讅專利範園第10項所述之電漿處理裝置 ，進而具有內藏於上述載置台之下部電極，以及對於上述 下部電極賦與高頻電位之電源者。 12. 如申腈專利範圍第1〇項所述之電漿處理裝置 ，其中該第二供給部件，具有由組裝有供流過上述第二氣 體之管子元件的無端框體所構成之第二供給頭：供給上述 第二氣體之複數個供給口，係形成於上述第二供給頭者。 13. —種《漿處理裝置，係對於基板之被處理區域 ，使用電漿進行處理之裝置，具有： 經濟部中央棣準局員工消费合作社印製 一界定氣密性處理室之外殻，此外殻具有由介電體所 檐成之窗板： —用以將上述處理室排氣，並將上述處理室內設定成 眞空之排氣系統： 一配置於上述處理室內，具有與上述窗板對向的支持 面之載置台，上述基板係以其被處理區域與上述窗板對向 之方式載置於上述支持面上： 一用以在上述窗板與支持面上之基板之間，供給處理 各紙張尺度適用中國·家揉準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） -33 - 六、申請專利範園 氣髖之主供給系統，上述處理氣髏之至少一部份，係轉化 成上述電漿； 一在上述窗板與支持面上之閬，用以形成促進轉化成 氰漿之作用的電磁壜之感應電極，上述感應電極具有在上 述處理室外之配設成與上述窗板對向之複數個導電性線圈 :及 一用以對上述線圈施加高頻電壓之電源部，該《源部 爲了減少由上述線圈所形成之諸電磁場成份的干擾，係將 施加於上述線圈之上述高頻電壓的相位設定成不同者。 14. 如申腈專 利範園第13項所述之氰漿處理裝 置，其中感應電極係由對應正三角之頂點而設之三個上述 線圈所構成，施加於上述線圈之高頻電應之相位，係逐個 作1 2 0度之移位者。 15. 如申請專利範園第13項所述之《漿處理裝置 ，其中胲感應電極係由對應四角形之頂點而設之四個上述 線圈所構成，施加於上述線圈之高頻電懕之相位，係逐個 作9 0度之移位者。 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印*. (請先《讀背面之注意事項再填客本頁) 16. 如申請專利範圍第13項所述之電漿處理裝置 ，進而具有鄰接上述處理室而設之將上述線圈包圍之氣密 性辅助室，用以將上述線圈冷卻之冷卻機構，以及用以將 上述處理室與輔助室之差壓，維持於一定値以下之壓力調 整機構者。 本纸張尺度適Λ中國·家標準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐）