KR101253751B1 - 기판처리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 다수의 토로이드형 페라이트 코어전극의 각각에서 발생하는 유도전기장이 폐회로를 이루어 플라즈마의 손실을 최소화하는 코어전극의 배열방법과 이를 적용한 기판처리장치에 관한 것으로, 일정한 반응공간을 형성하며, 내부에 기판안치대를 포함하는 챔버; 상기 기판안치대의 안치되는 기판; 상기 기판의 상부에 다수 개로 설치되며, 각각에서 발생하는 유도전기장이 폐회로를 이루는 다수의 코어전극; 상기 챔버의 외부에 위치하며, 상기 다수의 코어전극에 전원을 공급하는 전원공급부; 상기 챔버 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부; 상기 챔버 내부의 잔류가스를 배출하는 배출부;를 포함한다.

플라즈마, 토로이드, 페라이트, 코어전극, 유도전기장, 폐회로

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}

도 1은 본 발명의실시예에 따른 플라즈마를 발생시키는 기판처리장치

도 2는 코어전극의 구성을 나타낸 단면도

도 3은 도 1를 A-A'을 기판과 평행하게 절단한 단면도

도 4는 코어전극(130)에 RF전력이 인가될 때, 발생되는 유도전기장을 나타낸 도면

도 5 내지 도 7은 코어전극 배치에 따른 유도전기장에 의한 폐회로를 나타낸 도면

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

110 : 챔버 112 : 챔버 리드

120 : 기판안치대 130 : 토로이드형 페라이트 코어전극

160 : 전원공급부 170 : 매칭회로

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 다수의 토로이드형 페라이트 코어전극의 각각에서 발생하는 유도전기장이 폐회로를 이루어 플라즈마의 손실을 최소화하는 코어전극의 배열방법과 이를 적용한 기판처리장치에 관한 것이다.

플라즈마 발생장치를 이용하는 기판처리장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)의 제조에 사용되며, 특히 액정표지장치의 액티브층을 형성할 때 적용된다. 액정표시장치는 무겁고 부피가 큰음극선관(Cathode Ray Tube, CRT)을 대신하여 최근 각광 받고 있는 평면표시장치로서, 이 중에서도 매트릭스 형태로 배열된 화소전극의 스위칭 소자에 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 이용한 것이 흔히 알려진 TFT-LCD이다. TFT-LCD는 TFT 어레이 및 화소전극을 구비하는 하부기판, 컬러필터를 구비하는 상부기판, 상기 상부기판 및 하부기판의 사이에 충진되는 액정층을 포함하며, 이러한 TFT-LCD는 구동 드라이브IC 및 회로기판과 연결되어 하나의 모듈로서 완성된다.

종래에는 기판에 박막트랜지스터(TFT)의 액티브층(반도체층)을 형성할 때 비정질실리콘을 주로 이용하였는데, 비정질 실리콘의 경우 전자이동도가 낮아 대화면 TFT-LCD를 제조하는데 어려움이 있었다. 또한 구동 드라이브 IC에는 주로 폴리 실리콘이 액티브층으로 이용되기 때문에 TFT-LCD 모듈을 제조하기 위해서는 TFT-LCD와 구동 드라이브 IC를 별도로 제조한 후 이들을다시 연결하여야 하므로 제조공정이 복잡하고 집적도 면에서 불리한 단점이 있었다.

따라서 최근에는 이러한 단점들을 극복하는 방안으로서, 박막트랜지스터의 액티브층을 폴리 실리콘으로 형성하는 방법이 많이 사용되고 있다. 폴리 실리콘은 비정질 실리콘에 비하여 전자이동도가 수백 배 이상 크기 때문에 대화면 TFT-LCD의 제조에 적합할 뿐만 아니라 TFT 및 구동드라이브 IC를 동일한 기판에 형성할 수있기 때문에 제조공정의 단순화는 물론 집적도 면에서 크게 유리한 장점이 있다.

폴리 실리콘 박막을 형성하는 방법에는 폴리 실리콘을 기판에 직접 증착하는 방법과 일단 비정질 실리콘을 먼저 증착한 후에 이를 폴리실리콘으로 결정화하는 방법이 있다. 전자의 방법은 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition: LPCVD)법을이용하여 약 600℃ 이상의 고온환경에서 증착시키는 방법이다. 이 방법이 간편하기는 하지만 일반적인 유리기판은 이 정도의 고온에 장시간 노출될 경우 쉽게 변형되기 때문에 쿼츠 등과 같은고가 재질의 기판을 이용하여야 하는 문제점이 있다.

후자의 방법은 기판에 비정질 실리콘을 먼저 증착한 후에 이를 결정화하는 방법으로서, 비정질 실리콘의 증착공정이 통상 400℃ 내외에서 진행되기 때문에 기판의 손상이나 변형을 피할 수 있어 이러한 방법으로 형성되는 폴리 실리콘을 통상 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)이라 칭한다. 이때 비정질 실리콘층을 결정화하는 방법으로는, 반응로(furnace) 속에서 로 가열법을 이용하여 비정질 실리콘을 결정화하는 고상결정화(Solid Phase Crystallization, SPC)법, 엑 시머 레이저를 순간 조사함으로써 비정질 실리콘층을 1400도 정도까지 순간적으로 가열하여 결정화하는 엑시머 레이저 어닐링(Eximer Laser Annealing, ELA)법, 비정질 실리콘층 상에 선택적으로 증착된 금속을 씨드로 하여 결정화를 유도하는 금속유도결정화(Metal Induced Crystallization: MIC)법 등이 있다. 그러나 이러한 방법들은 기판에 비정질 실리콘을 증착하고 이를 다시폴리 실리콘으로 결정화하는 과정을 순차적으로 거쳐야 하고, 증착과정과 결정화 과정이 별도의 챔버에서 진행되므로 생산성에 근본적인 한계를 가지고 있어, 토로이드형 페라이트 코어전극을 플라즈마 발생장치로 사용하는 기판처리장치를 제안한다.

본 발명은 토로이드형 페라이트 코어전극을 이용하여, 기판 상부에 균일한 플라즈마를 발생시키는 기판처리장치을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한 기판의 상부에 균일한 플라즈마를 발생시키기 위해, 다수의 토로이드형 페라이트 코어전극의 각각에서 발생하는 유도전기장이 폐회로를 이루어 플라즈마의 손실을 최소화하는 코어전극의 배열방법과 이를 적용한 기판처리장치을 제공하는 것을 목적으로 한다.

(1) 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 기판처리장치는 일정한 반응공간을 형성하며, 내부에 기판안치대를 포함하는 챔버; 상기 기판안치대의 안 치되는 기판; 상기 기판의 상부에 다수 개로 설치되며, 각각에서 발생하는 유도전기장이 폐회로를 이루는 다수의 코어전극; 상기 챔버의 외부에 위치하며, 상기 다수의 코어전극에 전원을 공급하는 전원공급부; 상기 챔버 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부; 상기 챔버 내부의 잔류가스를 배출하는 배출부;를 포함한다.

(2) 상기 (1)과 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 코어전극에서, 횡방향으로 설치되는 제1코어전극의 중심과 상기 챔버의 벽까지의 수직거리와 종방향으로 설치되는 제2코어전극의 중심에서 상기 챔버의 벽까지의 수평거리는 상기 다수의 코어전극의 두께와 비교하여 2배 내지 10배 인 것을 특징으로 한다.

(3) 상기 (2)와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 수직거리와 수평거리는 상기 다수의 코어전극의 두께와 비교하여 3배 내지 6 인 것을 특징으로 한다.

(4) 상기 (1)과 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 코어전극의 사이의 거리는 동일하게 유지하는 것을 특징으로 한다.

(5) 상기 (1)과 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 코어전극 중에서 서로 평행하게 인접하는 두 개의 상기 코어전극의 중심사이의 거리는 동일하게 유지하는 것을 특징으로 한다.

(6) 상기 (1)과 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 코어전극에서 횡방향으로 설치되는 제1코어전극과 종방향으로 설치되는 제2코어전극에 있어서, 상기 제1코어전극의 중심에서 상기 제2코어전극의 중심 연장선까지 수직으로 연장한 수직거리와 상기 제2코어전극의 중심에서 상기 제1코어전극의 중심 연장선까지 수평으로 연장한 수평거리의 합은, 상기 다수의 코어전극에서 종방향으로 서로 평행 하게 설치되는 제 3 코어전극과 제 4 코어전극의 중심사이의평행거리의 2 배 이하인 것을 특징으로 한다.

(7) 상기 (6)과 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 수직거리와 상기 수평거리의 각각은 상기 평행거리보다 작은 것을 특징으로 한다.

(8) 상기 (1)과 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 코어전극을 종방향보다는 횡방향에 많게 배치하여, 유도전기장의 폐회로가 타원형이 되도록 하는 것을특징으로 한다.

(9) 상기 (1)과 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 코어전극을 횡방향과 종방향에 동일하게 배치하여, 유도전기장의 폐회로가 원형이 되도록 하는 것을 특징으로 한다.

(10) 상기 (9)와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 코어전극을 십자형태 또는 방사선 형태로 배치하는 것을 특징으로 한다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 발생시키는 기판처리장치로 보다 구체적으로는 기판(s)의 상부에 균일한 플라즈마를 형성하기 위해 기판(s)의 상부에 배치되는 다수개의 토로이드형 페라이트 코어전극(이하 '코어전극')(130)의 배열에 관한 것이다.

일정한 반응공간을 형성하는 챔버(110)의 내부에 기판(s)을 안치하는 기판 안치대(120)가 설치되며, 챔버 리드(112)에는 플라즈마 발생에 필요한 RF전력을 공급받는 다수의 코어전극(130), 챔버리드(112)에 결합하는 가스분사장치(도시하지 않음), 챔버(110)의 측면 또는 하부에는 잔류가스를 배출하는 배기구(도시하지 않음)가 설치된다. 이때 가스분사장치와 챔버 리드(112), 가스분사장치와 코어전극(130)의 경계면에는 오링(도시하지 않음) 등을 이용하여 진공시일한다.

코어전극(130)에 전원을 공급하는 전원공급부(160)와 코어전극(130)과 전원공급부(160)사이에 사이에서 임피던스를 매칭하는 매칭회로(170)가 설치된다. 다수의 코어전극(130)에 대하여전원공급부(160)와 매칭회로(170)가 각각 설치되거나, 도 1에 도시한 바와 같이 하나의 전원공급부(160) 및 매칭회로(170)에 대하여 다수의 코어전극(130)을 병렬로 연결할 수 있다.

코어전극(130)은 페라이트 또는 아이언 파우더(iron powder) 재질의 토로이드형 코어에 유도코일을 연결한 것으로서, 토로이드형 코어가 유도코일에서 발생한 유도자기장의 자속(磁束)경로를 제공할 뿐만 아니라 챔버 내부에 위치함으로써 RF전력의 손실을 최소화하여 챔버 내부에 고밀도의 플라즈마를 발생시키는 역할을 한다. 한편 다수의 코어전극(130)의 개방부는 서로 평행 또는 수직되도록 하며, 공정의 특성이나 플라즈마 상태를 고려하여 임의의 각도로 회전시킬 수 있다. 이러한 회전은 수동으로 할 수도 있고, 플라즈마 파라미터를 지속적으로 체크한 후 시스템 제어부를 통해 자동으로 조작할 수도 있다.

또한 챔버(110)의 일 측벽에는 기판(s)이 출입하는 슬롯(도시하지 않음)을 형성하며, 공정조건에 따라 높이를 조절할 필요에 대비하여 측벽을 다단 구조로 형성할 수도 있다.

도 2를 참조하여 코어전극(130)의 구성을 보다 구체적으로 살펴보면, 토로이드형 코어(132), 상기 토로이드형 코어(132)를 고정하는 한편 플라즈마로부터 격리시키는 안테나 하우징(131), 상기 안테나 하우징(131)의 내부에서 상기 토로이드형 코어(132)와 결합하는 유도코일(139), 상기 안테나 하우징(131)의 상부에 결합하는 안테나 커버(137) 등으로 구성된다.

안테나 하우징(131)은 챔버 내부에서 공정가스와 접하는 부분이므로 내열성 및 내산화성이 뛰어난 알루미늄, 세라믹 또는 SUS 재질로 제작되며, 전체적으로 U형의 단면을 가진다. 또한 안테나 하우징(131)에는 토로이드형 코어(132)의 개방부로 삽입되는 안테나 개방부(150)가 형성된다.

안테나 하우징(131)의 내부는 플라즈마의 발생을 방지하기 위하여 대기압 상태를 유지하고, 안테나 하우징(131)의 외부는 고진공 상태인 챔버 내부 공간이므로 안테나 하우징(131)에는 진공시일이 설치되어야 한다. 안테나 개방부(150)의 외주면에는 원통형의 토로이드 고정단(133)이 형성되며, 토로이드형 코어(132)는 상기 토로이드 고정단(133)에 끼워져 고정된다. 안테나 하우징(131)의 측벽에는 냉매유로(135)가 형성되는데, 냉매유로(135)의 일단에는 냉매유입포트(136a)가 결합되고, 타단에는 냉매유출포트(136b)가 결합된다. 상기 냉매유입포트 및 냉매유출포트(136a,136b)는 각각 냉매유입관/유출관(미도시)을 통해 외부의 냉매저장부와 연결된다.

상기 냉매유로(135)를 지나는 냉매는 액체 또는 기체 중에서 임의로 선택될 수 있으나, 액체냉매인 경우에는 액체가 안테나 하우징(131)의 내부로 누설되지 않도록 냉매유로(135)가 폐경로로 제작되어야 한다. 안테나 하우징(131)의 상부에 결합하는 안테나 커버(137)는 하우징 내부의 토로이드형 코어(132)를 외부와 격리시켜 오염을 방지하며, RF전원공급단자(138a)와 접지단자(138b)가 설치된다. 상기 RF전원공급단자(138a)와 접지단자(138b)는 안테나 하우징(131)의 내부에서 토로이드형 코어(132)에 감긴 유도코일(139)의 일단 및 타단과 각각 연결되며, 안테나 하우징(131)의 외부에서 전원공급부(160)에 연결된 전원공급라인과 연결된다.

한편, 안테나 하우징(131)이 알루미늄 등 도전성 재질이므로, 유도코일(139)이나 전원공급라인이 안테나 하우징(131)과 절연될 수 있도록, 안테나 커버(137)는 절연재질로 제작된다. 안테나 하우징(131)의 상부에서 돌출되는 하우징 걸림턱(134)은 토로이드형 코어전극(130)을 챔버 리드(112)에 고정하기 위한 것이며, 하우징 걸림턱(134)의 주변부에는 볼트를 이용하여 챔버리드(112)에 고정하기 위한 관통홀(134a)이 형성된다. 안테나 하우징(131)과 챔버리드(112)의 사이에도 진공시일이 형성되어야 함은 물론이다.

도 3은 도 1의 A-A'을 기판(s)과 평행하게 절단한 단면도로, 챔버 리드(112)아래서 바라본 제1 내지 제6코어전극(130a ~ 130f)의 위치를 나타낸다.

제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)의 배치에 따라 중요한 공정요소인 플라즈마의 균일도가 변화될 수 있어, 기판(s)의 상부에 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위해서 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)의 적절한 배치가 필요하다. 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)에 RF전력이 인가되면, 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)의 주변으로 시변자기장이 발생하여 챔버(110) 내부에 유도전기장이 형성된다. 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)이 챔버(110)의 내부에 돌출되어 있으나, 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)은 챔버(110)의 내부에 노출되지 않고, 상압 상태로 유지되어, 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)의 주변에 형성된 유도전기장에 의해서 챔버(110)의 내부에 플라즈마가 형성된다. 그런데, 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)이 접지된 챔버(110)의 벽에 가까울수록 챔버(110)의 벽을 통해서 플라즈마가 손실되어 플라즈마의 발생효율을 저하시킨다

기판(s)의 상부에 수직으로 형성되는 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)은 기판(s)의 상부에 대해 수평인 유도전기장을 형성시켜서 고밀도 플라즈마를 형성하면서도 전기장의 방향이 기판(s)에 수직하지 않은 수평이므로, 기판(s) 상에 입사되는 가속된 입자에 의한 기판(s)의 물리적손상이 방지된다. 그리고 챔버(110)와 기판안치대(120)의 공간으로 챔버(110) 내부에 유입된 가스들이 유동하여 챔버(110)의 측면 또는 챔버(110)의 저부에 형성된 배기구(도시하지 않음)를 통해 배출된다.

제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)은 RF전원에 대해서 직렬연결 또는 병렬연결되거나, 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)에 독립적으로 RF전원이 연결될 수 있다. 그러나 어느 경우에서나 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130f)에 인가되는 RF전력의 위상은 동일한 것이 바람직하다. 동일 위상의 RF전력이 공급될 때, 제1 내지 제6 코어전극(130a ~ 130e)의 배치에서 형성되는 플라즈마는 제1 내지 제6 코 어전극(130a ~ 130e)의 개방부를 관통하는 폐회로를 중심으로 형성된다. 이러한 폐회로 형태의 플라즈마가 형성되면, 플라즈마의 손실을 최소화 할 수 있다.

도4는 코어전극(130)에 RF전력이 인가될 때, 발생되는 유도전기장(130)을 나타낸 도면으로, 코어전극(130)의 단면을 중심으로 개방부(150)를 통과하는 환상의 유도전기장(190) 형성된다.

도 3 에서, 횡방향으로 설치되어 있는 제1 및 제4코어전극(130a, 130d)의 중심에서 챔버(110)의 벽까지의 수직거리 C와 종방향으로 설치되어 있는 제3 및 제5코어전극(130c, 130e)의 중심에서 챔버(110)의 벽까지의 수평거리 D는 제1 내지 제6코어전극(130a ~ 130b) 각각의 두께 T와 비교하여, 적어도 2배 내지 10배가 적절하고, 바람직하게는 3배 내지 6배가 적당하다. 이는 제1 내지 제6코어전극(130a ~ 130f)에서 발생한 유도전기장의 크기와 플라즈마 발생영역에 따라 챔버(110)의 벽까지 일정한 거리가 유지되어야 한다.

제1 내지 제6코어전극(130a ~ 130f) 중 서로 인접하는 경우에 있어서, 제1 내지 제6코어전극(130a ~ 130f)의 각각에서 형성되는 유도전기장이 서로 연결된다. 이에 따라 도5 내지 도 8과 같은 폐회로 같은 유도전기장이 형성된다. 폐회로 형태의 유도전기장이 형성되는 경우는 폐회로 내부에 유도전기장이 외부로 손실되지 않기 때문에 플라즈마의 손실을 최소화 할 수 있다. 또한 플라즈마의 손실을 최소화하기 위해서 제1 내지 제6코어전극(130a ~ 130f)사이의 거리는 동일하게 유지하는 것이 바람직하다.

도3에서, 제2 및 제3코어전극(130b, 130c)과 같이 평행하게 인접하는 경우, 제2 및 제3코어전극(130b, 130c)의 중심사이의 평행거리E는 다른 평행하게 인접하는 제5, 제6코어전극(130e, 130f)의 중심사이의 평행거리와 동일하게 유지하는 것이 바람직하다. 한편 제1코어전극(130a)과 제2코어전극(130b) 각각의 중심을 연장하여 만나는 점에서 수직을 이루는 경우, 제1코어전극(130a)의 중심에서 제2코어전극(130b)의 중심까지 수직으로 연장한 수직거리 A와 제1코어전극(130a)에서 제2코어전극(130b)까지 수평으로 연장한 수평거리B에 있어서, A와 B의 합은 제2코어전극(130b)과 제3코어전극(130c)의 중심사이의 평행거리E의 2배를 넘지않고, 수직거리 A와 수평거리 B의 각각은 평행거리 E보다 작아야 한다.

도 5 내지 도 7은 코어전극 배치에 따른 유도전기장에 의한 폐회로를 나타낸 도면으로, 도5는 6개의 코어전극(130)을 종방향과 횡방향으로 챔버(110)의 상부에 배치하여 챔버(110)의 내부에 플라즈마를 형성시킬 때, 6개의 코어전극(130)을 관통하는 각각의 유도전기장이 타원형으로 서로 연결되는 것을 보여주고, 도 6은 4 개의 코어전극(130)을 십자형태로 배치하여 각각의 유도전기장이 원형으로 서로 연결되는 것을 보여주고, 도 7은 4 개의 코어전극(130)을 방사선 형태로 될수 있도록 코어전극(130)을 배열하여 각각의 유도전기장이 원형으로 서로 연결되는 것을 보여준다. 도 5 내지 도 7은 각각의 코어전극(130)에 형성되는 유도전기장이 연결되어 일종의 폐회로를 형성하게 되어, 플라즈마의 손실을 최소화할 수 있게 된다

본 발명의 실시예에 따르면, 챔버의 상부에 적절한 코어전극의 위치를 선정하여 배치하여 플라즈마의 손실을 최소화하고 기판 상부에 균일한 플라즈마의 형성이 가능해져 플라즈마 분포의 균일도에 영향을 받는 공정인자(Parameter)등이 개선되는 효과가 있다.

Claims (10)

1. 반응공간을 형성하며, 기판이 안치되는 기판안치대를 포함하는 챔버;

   상기 기판의 상부에 설치되며, 각각에서 발생하는 유도전기장이 폐회로를 이루는 다수의 코어전극;

   상기 챔버의 외부에 위치하며, 상기 다수의 코어전극에 전원을 공급하는 전원공급부;

   상기 챔버 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부;

   상기 챔버 내부의 잔류가스를 배출하는 배출부를 포함하고,

   상기 다수의 코어전극에 있어서, 횡방향으로 설치되는 제1코어전극의 중심에서 상기 챔버의 벽까지의 수직거리와 종방향으로 설치되는 제2코어전극의 중심에서 상기 챔버의 벽까지의 수평거리는, 상기 다수의 코어전극의 두께의 2배 내지 10배인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 수직거리와 수평거리는, 상기 다수의 코어전극의 두께의 3배 내지 6배 인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 다수의 코어전극 사이의 거리는 동일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 다수의 코어전극 중에서 서로 평행하게 인접하는 제2 및 3 코어전극의 중심 사이의 거리와 서로 평행하게 인접하는 제5 및 6 코어전극의 중심 사이의 거리는 동일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
6. 반응공간을 형성하며, 기판이 안치되는 기판안치대를 포함하는 챔버;

   상기 기판의 상부에 설치되며, 각각에서 발생하는 유도전기장이 폐회로를 이루는 다수의 코어전극;

   상기 챔버의 외부에 위치하며, 상기 다수의 코어전극에 전원을 공급하는 전원공급부;

   상기 챔버 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부;

   상기 챔버 내부의 잔류가스를 배출하는 배출부;

   를 포함하고,

   상기 다수의 코어전극 중에서 횡방향으로 설치되는 제1코어전극과 종방향으로 설치되는 제2코어전극에 있어서, 상기 제1코어전극의 중심에서 상기 제2코어전극의 중심의 연장선까지 수직으로 연장한 수직거리와 상기 제2코어전극의 중심에서 상기 제1코어전극의 중심의 연장선까지 수평으로 연장한 수평거리의 합은, 상기 다수의 코어전극 중에서 종방향으로 서로 평행하게 설치되는 상기 제2코어전극과 제3코어전극의 중심 사이의 평행거리의 2배 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 수직거리와 상기 수평거리의 각각은 상기 평행거리보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 다수의 코어전극을 종방향보다 횡방향에 많이 배치하여, 상기 유도전기장의 폐회로가 타원형이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 다수의 코어전극을 횡방향과 종방향에 동일하게 배치하여, 상기 유도전기장의 폐회로가 원형이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 다수의 코어전극을 십자 형태 또는 방사선 형태로 배치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.

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