KR100587688B1 - 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

화학 기상 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100587688B1
KR100587688B1 KR1020040058969A KR20040058969A KR100587688B1 KR 100587688 B1 KR100587688 B1 KR 100587688B1 KR 1020040058969 A KR1020040058969 A KR 1020040058969A KR 20040058969 A KR20040058969 A KR 20040058969A KR 100587688 B1 KR100587688 B1 KR 100587688B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
vapor deposition
chemical vapor
shutter
heater
Prior art date
Application number
KR1020040058969A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060010313A (ko
Inventor
서정훈
박영욱
홍진기
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040058969A priority Critical patent/KR100587688B1/ko
Priority to US11/155,206 priority patent/US20060021578A1/en
Publication of KR20060010313A publication Critical patent/KR20060010313A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100587688B1 publication Critical patent/KR100587688B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Abstract

본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 프로세스 챔버의 내부에서 하부에는 웨이퍼가 안치되는 히터를 구비하고, 상기 히터의 상부에는 반응 가스 분사용 샤워헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버(10)의 일측에서 외측으로 구비되는 셔터 챔버(20)와; 상기 셔터 챔버(20)의 내부에 구비되어 구동 수단(32)에 의해서 선단부측 블레이드(31)를 상기 프로세스 챔버(10)측으로 직선 왕복이동시키는 이송 로봇(30)과; 상기 이송 로봇(30)의 블레이드(31)에 안치되어 상기 이송 로봇(30)에 의해 상기 프로세스 챔버(10)의 히터(12)에 안치되면서 상기 히터(12)측 복사열이 상기 샤워헤드(13)로 전달되지 않도록 하는 셔터 디스크(40)를 포함하는 구성으로 이루어지도록 하는 것인 바 반응실(11)의 아이들 또는 러닝 상태로의 상호 전환 시 반응실(11)내를 항상 러닝 분위기로 유지한 상태에서 러닝 타임을 보다 연장시키는 동시에 파티클 생성을 보다 억제시키면서 생산성을 대폭적으로 향상시키게 되는 특징이 있다.
화학 기상 증착, 히터, 샤워헤드, 파티클

Description

화학 기상 증착 장치{Apparatus for chemical vapor deposition}
도 1은 종래의 화학 기상 증착 장치용 프로세스 챔버를 도시한 수직단면도,
도 2는 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치를 도시한 평면도,
도 3은 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치에서 구동 수단에 의해 셔터 디스크가 이동되는 상태를 도시한 평면도,
도 4는 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치의 사용 상태를 도시한 수직단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 프로세스 챔버 11 : 반응실
12 : 히터 13 : 샤워헤드
20 : 셔터 챔버 21 : 슬릿
22 : 슬릿 도어 30 : 구동 수단
31 : 블레이드 40 : 셔터 디스크
본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 프로세스 챔버의 일측으로 구비되는 셔터 챔버로부터 셔터 디스크를 로딩/언로딩되게 하여 공정의 아이들 중에는 러닝 분위기를 그대로 유지하면서 단순히 히터로부터 샤워헤드로의 열전달이 방지되도록 하여 공정 수행 시 파티클의 저감과 제품 생산성이 보다 향상되도록 하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하는데 있어서 금속 배선을 형성하는 과정에 베리어메탈로 주로 이용되는 Ti/TiN 막은 스퍼터링 또는 화학 기상 증착(CVD)에 의해서 증착되도록 하고 있다.
Ti/TiN 막은 TiCl4와 NH3의 반응에 의해서 형성되는 것으로 이러한 공정 수행에 있어 증착 재현성과 파티클 관리의 측면에서 온도 관리는 매우 중요한 변수로서 작용하게 되는데, 특히 공정의 러닝(running) 상태일 때와 아이들(idle) 상태일 때의 온도 관리가 대단히 중요하다.
통상적인 화학 기상 증착 장치은 도 1에서와 같이 프로세스 챔버(10)의 내부에 반응실(11)을 구비하고, 이 반응실(11)의 하부에는 웨이퍼가 안착되는 히터(12)가 구비되고, 이 히터(12)의 직상부에는 히터(12)에 안착되는 웨이퍼에 증착할 막질의 반응 가스를 분사하는 샤워헤드(13)가 구비되도록 하고 있다.
프로세스 챔버(10)에서 반응 가스를 분사하는 샤워헤드(13)나 챔버벽(10a)은 러닝 시 약 150~250℃를 유지하는 것이 가장 안정적이나 만일 온도가 150℃ 이하가 되면 NH4Cl이 생성되고, 그보다 낮은 50℃이하에서는 TiCl4의 응결을 초래하게 되며, 또한 온도가 250℃ 이상으로 되면 TiXNCly의 부산물을 생성하게 되므로 일정한 온도를 유지되도록 하는 것이 대단히 중요하다.
특히 TiCl4와 H2의 반응에 의해서 증착되는 Ti는 플라즈마에 의해 증착하게 되므로 샤워헤드의 온도를 약 150~250℃로서 유지하여야 하나 이를 위해서는 프로세스 챔버의 내부 온도가 400℃ 이하로 떨어지지 않도록 함으로써 TiClX의 증착이나 파티클 유발이 방지되도록 해야만 한다.
따라서 무엇보다 샤워헤드(13)의 온도 관리는 설비의 유지 및 운전에 매우 중요한 역할을 하게 되므로 공정의 러닝 상태와 아이들 상태일 때의 온도를 각각 독립적으로 관리해야만 한다.
한편 공정의 러닝 중에는 웨이퍼가 히터에 얹혀져 있게 되는데 반해 아이들 상태에서는 웨이퍼가 제거되어 직접 히터(12)와 샤워헤드(13)가 서로 마주보게 되는 상태가 되므로 아이들 상태에서 히터(12)의 복사열에 의해 샤워헤드(13)의 온도 상승을 초래하게 되므로 공정을 진행하는 과정에서 웨이퍼의 매수가 증가함에 따라 증착 특성이 달라지게 되는 원인이 되곤 한다.
또한 아이들 시 복사열에 의하여 온도가 상승되어 있는 상태에서 러닝이 수행되면 반응 가스가 샤워헤드(13)로부터 분사되면서 파티클을 다량 생성하게 되는 폐단이 있다.
이를 위해서 아이들 시에는 히터의 온도를 약 300℃ 정도로 낮게 유지되도록 하고, 공정을 수행하게 될 때에는 약 600~700℃로 상승시키도록 하고 있으나 히터의 온도는 통상 5℃/min의 속도로 상승하게 되므로 러닝 온도가 되게 하기 위해서는 최소한 1시간 이상을 공정 수행을 지체시켜야 하는 비경제적인 문제가 있다.
따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 주된 목적은 샤워헤드의 온도를 아이들 시나 러닝 시 동일하게 유지되게 함으로써 공정 수행 중 파티클 생성이 방지되도록 하는 화학 기상 증착 장치를 제공하는데 있다.
또한 본 발명은 히터의 온도를 아이들 시나 러닝 시 동일하게 유지되게 함으로써 불필요한 공정 지연을 방지시켜 생산성이 대폭 향상되도록 하는 화학 기상 증착 장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 프로세스 챔버의 내부에서 하부에는 웨이퍼가 안치되는 히터를 구비하고, 상기 히터의 상부에는 반응 가스 분사용 샤워헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 일측에서 외측으로 구비되는 셔터 챔버와; 상기 셔터 챔버의 내부에 구비되어 구동 수단에 의해서 선단부측 블레이드를 상기 프로세스 챔버측으로 직선 왕복이동시키는 이송 로봇과; 상기 이송 로봇의 블레이드에 안치되어 상기 이송 로봇에 의해 상기 프로세스 챔버의 히터에 안치되면서 상기 히터측 복사열이 상기 샤워헤드로 전달되지 않도록 하는 셔터 디스크를 포함하는 구성이다.
또한 본 발명은 상기의 구성에서 프로세스 챔버로부터 상기 셔터 챔버측으로 연결되는 슬릿의 외측단부를 승강 가능하게 도어에 의해 개폐되게 할 수도 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하기로 하며, 도면에서 종전과 동일한 구성에는 동일 부호를 적용하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 실시예 구성을 도시한 것으로서, 프로세스 챔버(10)의 내부에는 반응실(11)이 구비되고, 이 반응실(11)의 하부에는 웨이퍼가 안착되면서 소정의 온도로 가열되도록 하는 히터(12)가 구비되며, 이 히터(12)의 상부에는 히터(12)에 안착되는 웨이퍼에 증착시키고자 하는 막질의 소스 가스인 반응 가스를 분사하는 샤워헤드(13)가 구비되도록 하고 있는 바 이와 같은 구성은 종전의 화학 기상 증착 장치와 대동소이하다.
상기의 구성에서 본 발명은 프로세스 챔버(10)의 일측으로 외측에 셔터 챔버(20)를 형성하고, 이 셔터 챔버(20)에는 이송 로봇(30)이 내장되며, 이송 로봇(30)에 의해서는 셔터 디스크(40)가 프로세스 챔버(10)의 히터(12)에 안치될 수 있도록 하는 것이다.
즉 셔터 챔버(20)는 프로세스 챔버(10)의 일측에서 외측으로 구비되도록 하는 구성으로, 내부는 비고 외부와는 긴밀하게 실링이 이루어지도록 하며, 프로세스 챔버(10)와는 소정의 크기로 챔버벽(10a)을 관통한 슬릿(21)에 의해 연통되도록 한다.
이때 슬릿(21)은 셔터 챔버(20)측의 챔버벽(10a)의 외측으로 승강 가능하게 구비되도록 한 도어(22)에 의해 프로세스 챔버(10)와 셔터 챔버(20)간이 차폐될 수 있도록 한다.
한편 셔터 챔버(20)는 프로세스 챔버(10)의 웨이퍼가 로딩/언로딩되는 슬릿(미도시)과는 반대측 외벽으로 형성되도록 하는 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 이송 로봇(30)은 셔터 챔버(20)의 내부에 구비되면서 프로세스 챔버(10)측의 선단에는 블레이드(31)를 구비하고, 블레이드(31)는 구동 수단(32)에 의해서 프로세스 챔버(10)의 반응실(11)측으로 직선 왕복 운동하도록 하고 있는 바 이때의 구동 수단(32)에 의해서 블레이드(31)는 셔터 챔버(20)로부터 프로세스 챔버(10)의 히터(12) 상부에까지 이동하게 된다.
이러한 이송 로봇(30)의 구동 수단(32)는 실린더 어셈블리를 이용할 수도 있고, 도 3에서와 같이 모터를 이용할 수도 있는 바 특히 모터(320)를 이용할 때에는 블레이드(31)와 로봇 암(321)에 의해 연결되게 하는 것이 보다 바람직하다.
한편 셔터 디스크(40)는 셔터 챔버(20)의 내부에서 항상 이송 로봇(30)의 블레이드(31)에 안치되어 있다 이송 수단(30의 구동 수단(32)에 의해 프로세스 챔버(10)측 히터(12)의 상부면에 안치되도록 하는 구성이다.
셔터 디스크(40)는 히터(12)의 상부면에서 히터(12)로부터 발산되는 복사열이 프로세스 챔버(10)의 반응실(11) 상부에 구비되는 샤워헤드(13)에 전달되지 않도록 하는 열차단 작용을 하도록 구비된다.
따라서 셔터 디스크(40)는 히터(12)의 상부면보다는 같거나 큰 외경을 갖도 록 하는 것이 가장 바람직하나 미세하게 작게 형성할 수도 있다.
또한 셔터 디스크(40)는 히터(12)에 밀착되므로 히터(12)로부터의 열 전달 효율이 작으면서도 열변형에는 강한 재질로서 구비되도록 하고, 이러한 재질로는 AlN 이나 Al2O3이 가장 적절하다.
특히 셔터 디스크(40)는 표면이 비교적 밝은 경면(鏡面)즉 반사면으로 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하다.
한편 전기한 구성에서 프로세스 챔버(10)는 챔버벽(11)을 니켈(Ni)을 코팅한 알루미늄이나 니켈을 사용하며, 이러한 니켈 재질은 셔터 디스크(40)의 재질로도 사용이 적합하다.
이와 같은 구성에 따른 본 발명의 작용에 대해서 살펴보면 다음과 같다.
본 발명은 프로세스 챔버(10)의 일측으로 프로세스 챔버(10)와 연통되는 셔터 챔버(20)가 구비되어 연결되도록 하여 이 셔터 챔버(20)로부터 일정한 시점마다 셔터 디스크(40)를 프로세스 챔버(20)로 로딩시켜 프로세스 챔버(20)의 히터(12) 상부면으로 셔터 디스크(40)가 얹혀질 수 있도록 하는 것이다.
즉 프로세스 챔버(10)에서의 공정 수행 중에는 셔터 챔버(20)는 도어(22)에 의해서 프로세스 챔버(10)와는 단절되는 상태로서 유지되며, 이때 양 챔버간은 긴밀한 실링에 의해서 차단되도록 한다.
이러한 공정 수행이 완료되거나 카세트 교체를 위해 공정 수행이 잠시 중단되는 아이들 상태가 되면 그 즉시 도어(22)가 개방되는 동시에 셔터 챔버(20)로부 터 이송 로봇(30)의 작동에 의해서 도 3에서와 같이 셔터 디스크(40)를 프로세스 챔버(10)의 히터(12) 상부로 로딩시키게 되며, 이때 히터(12)에서는 리프트 핀(미도시)들을 승강시킴과 동시에 이송 로봇(30)의 셔터 디스크(40)를 안착시켰던 블레이드(31)는 다시 셔터 챔버(20)의 내부로 리턴시키면서 셔터 디스크(40)를 히터(12)의 상부면으로 안착시키게 된다.
이때 블레이드(31)가 셔터 챔버(20)로 되돌아가게 되면 도 4에서와 같이 도어(22)에 의해서 프로세스 챔버(10)와 셔터 챔버(20)간은 재차 차폐되는 상태가 된다.
히터(12)의 리프트 핀들에 의해 히터(12)의 상부면으로 안착되는 셔터 디스크(40)는 히터(12)와 접촉되어 있기는 하지만 전술한 바와 같이 재질적으로 셔터 디스크(40)는 열전달이 잘 이루어지지 않는 재질로 형성되므로 히터(12)로부터 발생되는 열이 더이상 그 상부의 샤워헤드(13)로 전달되지 않게 된다.
따라서 샤워헤드(13)를 아이들 상태에서 열화되지 않도록 하면 히터(12)의 온도를 러닝 시와 동일한 조건으로서 유지시킬 수가 있으므로 아이들 조건에서 러닝 조건으로 전환될 때 단순히 셔터 디스크(40)만을 셔터 챔버(20)로 이동시키기만 하면 공정을 그 상태 그대로 안정적으로 수행할 수가 있으므로 공정 분위기 특히 히터(12)의 온도 상승에 따른 공정 시간의 지연 문제를 간단히 해결할 수가 있게 된다.
다시 말해 종전과 같이 아이들 조건에서는 히터(12)의 온도를 300℃까지 하강시켰다 증착 공정이 수행되도록 하기 위해서는 히터(12)의 온도를 600~700℃로 올려야 하므로 이러한 히터(12)의 온도 상승을 위해서는 일정 시간 이상 공정 수행을 지연시켜야 하였으나 이러한 공정 지연을 생략할 수가 있다.
즉 반응실(11)을 공정이 수행되던 분위기와 동일한 조건에서 단순히 셔터 디스크(40)를 히터(12)의 상부면으로 안착시키기만 하면 프로세스 챔버(10)의 아이들 조건으로 유지가 가능하며, 다시 셔터 디스크(40)를 히터(12)로부터 제거하여 셔터 챔버(20)로 이동시키면 웨이퍼를 히터(12)에 안착시켜 증착 공정을 안정적으로 수행할 수가 있다.
한편 본 발명에서와 같이 프로세스 챔버(10)의 일측 특히 웨이퍼가 로딩되는 방향에 반대 방향으로 셔터 챔버(20)가 구비되도록 하면 멀티 챔버 타입의 설비에서도 적용이 가능하다.
이와 같이 본 발명은 러닝 상태에서 아이들 상태로 전환 시 셔터 디스크(40)를 셔터 챔버(20)로부터 프로세스 챔버(10)의 히터(12)에 안착시키면서 공정 분위기는 그대로 유지할 수 있도록 하고, 웨이퍼 및 웨이퍼 카세트가 로드락 위치에 구비되면 셔터 디스크(40)를 셔터 챔버(20)의 내부로 수용되도록 함으로써 프로세스 챔버(10)의 반응실(11)을 러닝 시와 동일한 상태로 되게 하여 공정 진행의 연속성이 유지될 수 있도록 함과 아울러 샤워헤드(13)의 지나친 열화에 따른 반응 가스의 도입 시 파티클의 생성을 방지할 수가 있게 한다.
따라서 아이들 분위기에서 러닝 분위기로 전환하는 시간을 최대한 단축시켜 공정을 조기에 수행할 수 있게 하므로 보다 많은 제품을 생산할 수 있도록 한다.
한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발 명의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.
따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 프로세스 챔버(10)의 일측으로 셔터 챔버(20)가 연결되도록 하면서 이 셔터 챔버(20)의 내부에 구비되는 셔터 디스크(40)를 이송 로봇(30)을 이용하여 직선 이동시켜 셔터 챔버(20)와 프로세스 챔버(10)의 히터(12) 상부간을 왕복 이동할 수 있도록 하고, 반응실(11)이 아이들 상태와 러닝 상태로의 상호 전환 시 셔터 디스크(40)가 히터(12)의 상부면으로 로딩 및 언로딩되게 하는 간단한 작용에 의해서 반응실(11)내를 항상 러닝 분위기로 유지한 상태에서 러닝 타임을 보다 연장시키게 되는 동시에 파티클 생성을 보다 억제시키면서 생산성을 대폭적으로 향상시키는 매우 유용한 효과를 제공하게 된다.

Claims (11)

  1. 프로세스 챔버의 내부에서 하부에는 웨이퍼가 안치되는 히터를 구비하고, 상기 히터의 상부에는 반응 가스 분사용 샤워헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치에 있어서,
    상기 프로세스 챔버의 일측에서 외측으로 구비되는 셔터 챔버와;
    상기 셔터 챔버의 내부에 구비되어 구동 수단에 의해서 선단부측 블레이드를 상기 프로세스 챔버측으로 직선 왕복이동시키는 이송 로봇과;
    상기 이송 로봇의 블레이드에 안치되어 상기 이송 로봇에 의해 상기 프로세스 챔버의 히터에 안치되면서 상기 히터측 복사열이 상기 샤워헤드로 전달되지 않도록 하는 셔터 디스크;
    를 포함하는 화학 기상 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 셔터 챔버는 상기 프로세스 챔버와 소정의 크기로 챔버벽을 관통시킨 슬릿에 의해 연통되도록 하는 화학 기상 증착 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 셔터 챔버의 슬릿은 상기 챔버벽의 외측으로 승강 가능하게 구비되도록 한 도어에 의해 개폐되도록 하는 화학 기상 증착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 셔터 챔버는 상기 프로세스 챔버의 웨이퍼가 로딩/언로딩되는 슬릿과는 반대측 외벽에 구비되는 화학 기상 증착 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 이송 로봇의 구동 수단은 실린더로 이루어지는 화학 기상 증착 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 이송 로봇의 구동 수단은 모터로 이루어지는 화학 기상 증착 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 모터는 로봇 암의 일단이 연결되고, 상기 로봇 암의 타단은 상기 블레이드의 일단에 연결되어 상기 블레이드를 직선 이동시키도록 하는 화학 기상 증착 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 셔터 디스크는 상기 프로세스 챔버의 히터의 외경보다 큰 외경으로 형성되도록 하는 화학 기상 증착 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 셔터 디스크는 재질이 AlN으로 이루어지는 화학 기상 증착 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 셔터 디스크는 재질이 Al2O3로 이루어지는 화학 기상 증착 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 셔터 디스크는 표면이 반사면으로 이루어지는 화학 기상 증착 장치.
KR1020040058969A 2004-07-28 2004-07-28 화학 기상 증착 장치 KR100587688B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040058969A KR100587688B1 (ko) 2004-07-28 2004-07-28 화학 기상 증착 장치
US11/155,206 US20060021578A1 (en) 2004-07-28 2005-06-16 Chemical vapor deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040058969A KR100587688B1 (ko) 2004-07-28 2004-07-28 화학 기상 증착 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060010313A KR20060010313A (ko) 2006-02-02
KR100587688B1 true KR100587688B1 (ko) 2006-06-08

Family

ID=35730741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040058969A KR100587688B1 (ko) 2004-07-28 2004-07-28 화학 기상 증착 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060021578A1 (ko)
KR (1) KR100587688B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102021521A (zh) * 2009-09-09 2011-04-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 真空溅射装置
CN104342751B (zh) * 2013-08-02 2017-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔和mocvd设备
US20160002775A1 (en) * 2014-07-02 2016-01-07 Rolls-Royce Corporation Multilayer liner for chemical vapor deposition furnace
US20220081758A1 (en) * 2020-09-14 2022-03-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ deposition monitoring
US11827970B2 (en) * 2021-07-22 2023-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Shutter disc for a semiconductor processing tool

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4709655A (en) * 1985-12-03 1987-12-01 Varian Associates, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US5223112A (en) * 1991-04-30 1993-06-29 Applied Materials, Inc. Removable shutter apparatus for a semiconductor process chamber
JPH0945624A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の熱処理装置
US6098637A (en) * 1998-03-03 2000-08-08 Applied Materials, Inc. In situ cleaning of the surface inside a vacuum processing chamber
US6331212B1 (en) * 2000-04-17 2001-12-18 Avansys, Llc Methods and apparatus for thermally processing wafers
US6440879B1 (en) * 2001-01-05 2002-08-27 Integrated Device Technology, Inc. Physical vapor deposition apparatus with modified shutter disk and cover ring
US6669829B2 (en) * 2002-02-20 2003-12-30 Applied Materials, Inc. Shutter disk and blade alignment sensor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060010313A (ko) 2006-02-02
US20060021578A1 (en) 2006-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110634767B (zh) 衬底处理系统
US8133323B2 (en) Film forming apparatus and method, gas supply device and storage medium
KR100915252B1 (ko) 샤워 헤드 구조체 및 그의 의한 성막 방법과, 가스 처리 장치
KR101017170B1 (ko) 백 메탈 공정챔버
US20090250008A1 (en) Gas treatment apparatus
US9963784B2 (en) Film forming method and film forming apparatus
KR102029538B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
KR100587688B1 (ko) 화학 기상 증착 장치
EP3174089B1 (en) Semiconductor manufacturing device, and method of manufacturing semiconductor
KR20070076955A (ko) 박막 형성 방법
US9236272B2 (en) Etching apparatus and etching method
CN112513324B (zh) 成膜装置和成膜方法
US6197118B1 (en) Thin film deposition apparatus
KR20100058210A (ko) 기판처리장치
KR100722848B1 (ko) 박막증착장치
KR101175677B1 (ko) 퍼니스형 반도체 설비 및 그 설비를 사용한 기판 처리 방법
KR102349330B1 (ko) 박막 캡슐화 처리 시스템 및 프로세스 키트
KR100517550B1 (ko) 원자층 증착 장치
JPH09143691A (ja) 成膜・熱処理装置
WO2000075971A1 (fr) Appareil de formation de film
CN112786425A (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
KR100724283B1 (ko) 박막증착장치
KR102489560B1 (ko) 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법
KR100444147B1 (ko) 박막증착장치
US20150191821A1 (en) Substrate processing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120531

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee