TW201903222A - 半導體燒結體、電氣電子構件、以及半導體燒結體的製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 174
- YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N magnesium silicide Chemical compound [Mg]=[Si]=[Mg] YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 147
- 229910021338 magnesium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 147
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 69
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 64
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 63
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 16
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 12
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 31
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 18
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 17
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DFXIVBPJAOWKEQ-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)B Chemical compound C(CCCCCCCCC)B DFXIVBPJAOWKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 3
- -1 magnesium-silicon-germanium Chemical compound 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- NPVASHFELHRKPC-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Si].[Sn] Chemical compound [Mg].[Si].[Sn] NPVASHFELHRKPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000009768 microwave sintering Methods 0.000 description 2
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 2
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XZQYTGKSBZGQMO-UHFFFAOYSA-I Rhenium(V) chloride Inorganic materials Cl[Re](Cl)(Cl)(Cl)Cl XZQYTGKSBZGQMO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QORIDDWXQPAYGJ-UHFFFAOYSA-N [AsH3].[AsH3] Chemical compound [AsH3].[AsH3] QORIDDWXQPAYGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical compound [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004715 keto acids Chemical class 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N methylphosphonic acid Chemical compound CP(O)(O)=O YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXMRNSHDSCDMLG-UHFFFAOYSA-J tetrachlororhenium Chemical compound Cl[Re](Cl)(Cl)Cl UXMRNSHDSCDMLG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- CMHHITPYCHHOGT-UHFFFAOYSA-N tributylborane Chemical compound CCCCB(CCCC)CCCC CMHHITPYCHHOGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N triethylphosphine Chemical compound CCP(CC)CC RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F3/1003—Use of special medium during sintering, e.g. sintering aid
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
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- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/06—Metal silicides
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/856—Thermoelectric active materials comprising organic compositions
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/857—Thermoelectric active materials comprising compositions changing continuously or discontinuously inside the material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
- C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/60—Compounds characterised by their crystallite size
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Abstract
一種半導體燒結體,包括多晶體,該多晶體包括矽化鎂、或含有矽化鎂的合金,構成該多晶體的晶粒的平均粒徑為1μm以下,該半導體燒結體的電導率為10,000S/m以上。
Description
本發明係關於一種半導體燒結體、電氣電子構件、以及半導體燒結體的製造方法。
已知半導體每單位溫差的電動勢(塞貝克係數)較大,該半導體可被用作用於熱電發電的熱電材料。其中,由於毒性較低、因低成本而能夠獲得、以及電氣特性較容易控制等原因,近年來矽基合金材料受到關注。 為了使熱電材料具有較高的熱電性能,需要提高材料的電導率,並降低熱導率。然而,由於矽基合金的熱導率較大,因此矽基合金材料的熱電性能並不足夠。 對此,近年來已知一種技術,其藉由利用對奈米尺寸的矽顆粒進行燒結等方式使矽奈米結構化,從而降低熱導率(專利文獻1、非專利文獻1)。另外,針對作為矽基合金的矽化鎂亦進行了使其變為奈米顆粒後進行燒結的嘗試(非專利文獻2)。 <先前技術文獻> <專利文獻> 專利文獻1:美國專利申請公開第2014/0360546號說明書 <非專利文獻> 非專利文獻1:Bux et al, Adv. Funct. Mater., 2009, 19, pp. 2445-2452 非專利文獻2:Arai et al, MRS Proceedings, 2013, 1490, pp. 63-68
<發明所欲解決之問題> 藉由專利文獻1及非專利文獻1、2中所記載的奈米結構化,能夠降低材料的熱導率。然而,在各情況中,均由於奈米結構化會使電導率亦降低,因此矽基奈米結構化材料的熱電性能並不足夠。 鑑於上述問題,本發明的一個實施方式的目的在於提供一種半導體材料,其藉由在具有較低熱導率的同時提高電導率,從而提高熱電性能。 <用於解決問題之手段> 在本發明的一個實施方式中,提供一種半導體燒結體,包括多晶體,該多晶體包括矽化鎂、或含有矽化鎂的合金,構成該多晶體的晶粒的平均粒徑為1μm以下,該半導體燒結體的電導率為10,000S/m以上。 <發明之功效> 依據本發明的一個實施方式,能夠提供一種半導體材料,其藉由在具有較低熱導率的同時提高電導率,從而提高熱電性能。
以下對本發明的實施方式具體進行說明。然而,本發明並不限定於在此描述的實施方式,在不脫離本發明的技術思想的範圍內可適當地進行組合或改進。 (半導體燒結體) 本發明的一個實施方式中的半導體燒結體係包括多晶體的半導體燒結體,多晶體包括矽化鎂、或含有矽化鎂的合金,構成多晶體的晶粒的平均粒徑為1μm以下,半導體燒結體的電導率為10,000S/m以上。此外,本發明的一個實施方式中的半導體燒結體係包括矽化鎂或含有矽化鎂的合金的多晶體,構成多晶體的晶粒的平均粒徑為1μm以下,其電導率為10,000S/m以上。 當對熱電材料的熱電性能(亦稱為熱電轉換性能)進行評價時,一般使用無因次的熱電性能指數ZT[-]。ZT係根據以下公式求出。 ZT=α2
σT/κ (1) 在公式(1)中,α[V/K]為塞貝克係數,σ[S/m]為電導率(在單位“S/m”中,“S”為西門子,“m”為公尺),κ[W/(mK)]表示熱導率,T表示絕對溫度[K]。塞貝克係數α是指每單位溫度差產生的電位差。另外,熱電性能指數ZT越大,則熱電轉換性能越優異。從公式(1)可以看出,為了提高熱電轉換性能ZT,希望塞貝克係數α及電導率σ較大,熱導率κ較小。 已知矽化鎂基材料、亦即矽化鎂材料或含有矽化鎂的合金材料的塞貝克係數α較高。並且根據本實施方式中的上述構成能夠獲得熱導率κ較低且電導率σ較高的半導體燒結體,因此,能夠提高公式(1)中的熱電性能指數ZT。另外,與Bi2
Te3
或PbTe等材料相比,矽化鎂的毒性較小且能夠以較低成本獲得。因此,藉由使用本實施方式中的半導體燒結體,從而能夠以較低成本來提供環保型的熱電轉換元件(熱電發電元件)以及熱電發電裝置。再有,包括矽化鎂或含有矽化鎂的合金的材料具有與例如矽化鍺材料等矽材料或其他矽化物材料相比輸出因子(塞貝克係數的平方與電導率之積、以上公式(1)中的α2
σ)較大的優點。 (多晶體的構成) 本發明的一個實施方式中的半導體燒結體係包括矽化鎂或含有矽化鎂的合金的多晶體。具體而言,係由鎂、矽以及其他元素組成的多晶體。該多晶體優選為矽化鎂基多晶體、亦即包含矽化鎂基材料作為的主晶的多晶體。主晶是指在XRD圖譜等中析出比例最大的晶體,優選是指占全部多晶體之中55質量%以上的晶體。 對於多晶體(半導體燒結體),可以藉由以熔點以上的溫度使原料元素的單質的混合物、包含原料元素的化合物及其混合物的一種以上熔融後進行冷卻、或者在加壓下使其升溫至未熔融程度的高溫從而使其固相擴散反應而得到。在前者的手法中可以使用電弧熔融或高頻熔融裝置,在後者的手法中可以優選使用惰性氣氛爐、放電電漿燒結機、加壓燒結機、熱均壓燒結(HIP)機等。 在半導體燒結體為包括含有矽化鎂的合金的多晶體的情況下,可以係矽化鎂與其他元素的固溶體、共晶體或金屬間化合物。關於含有矽化鎂的合金中包含的鎂和矽以外的元素,只要其不妨礙在維持燒結體的較低的熱導率的同時提高電導率的本發明的效果則並無特別限定,可舉出Ge、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、Mn、Mo、W、Ni、Ti、Zr、Hf、Co、Ir、Pt、Ru、Ba、C、Sn等。可以在含有矽化鎂的合金中包含該些元素的一種或兩種以上。另外,作為含有矽化鎂的合金,優選含有2~20質量%的一種或兩種以上的上述矽和鎂以外的元素。另外,作為矽化鎂合金的具體示例,優選鎂-矽-鍺合金、鎂-矽-錫合金、鎂-矽-鍺-錫合金。其中,從電氣特性和熱導率的觀點來看,更優選鎂-矽-錫合金。 半導體燒結體係構成多晶體的晶粒的平均粒徑為1μm以下的具有所謂的奈米結構的多晶體。另外,晶粒的平均粒徑優選小於1μm,更優選為800nm以下,進一步優選為500nm以下,進一步優選為300nm以下,進一步優選為150nm以下。藉由將晶粒的粒徑設為上述範圍,使得晶粒的大小充分地小於多晶體中的聲子的平均自由行程,因此能夠利用界面處的聲子散射使熱導率降低。 另外,對於晶粒的平均粒徑的下限,只要沒有製造上的限制則並無特別限定。雖然若沒有製造上的限制則可以為1nm以下,但是可以為1nm以上。 需要說明的是,在本說明書中,晶粒的平均粒徑是指利用掃描電子顯微鏡(Scaning Electron Microscope(SEM))或透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope(TEM))等顯微鏡進行直接觀察而測定出的構成晶體的各個晶粒的最長直徑的中位值。 半導體燒結體的電導率為10,000S/m以上,優選為15,000S/m,更優選為20,000S/m以上,更優選為30,000S/m以上,進一步優選為40,000S/m以上。上述電導率可以為27℃下的值。如此一來,藉由具有提高的電導率,從而能夠提高熱電性能。另外,關於半導體燒結體的電導率的上限,在27℃下可以為1,000,000S/m以下,可以為500,000S/m以下。關於熱電性能ZT,例如在527℃下可以設為0.5以上,優選設為1.0以上,進一步可以設為1.5以上。 本實施方式中的半導體燒結體的熱導率優選為10W/m.K以下,更優選為5W/m.K以下。上述熱導率可以為27℃下的值。另外,半導體燒結體的塞貝克係數的絕對值優選為50~150μV/K,更優選為80~120μV/K。上述值可以為27℃下的值。 (摻雜物) 本實施方式的半導體燒結體可以根據用途包含n型或p型的摻雜物。摻雜物優選均勻地分散在整個燒結體中。作為n型的摻雜物,優選單獨地含有磷、鋁、砷、銻、鉍之中的一種或組合地含有磷、鋁、砷、銻、鉍之中的兩種以上。另外,作為p型的摻雜物,優選單獨地含有鋰、硼、鋁、鎵、銦、鉈之中的一種或組合地含有鋰、硼、鋁、鎵、銦、鉈之中的兩種以上。另外,作為p型的摻雜物,更優選單獨地含有鋰、硼、鎵、銦、鉈之中的一種或組合地含有鋰、硼、鎵、銦、鉈之中的兩種以上。需要說明的是,上述摻雜物元素的導電型為示例,對於摻雜物元素起到n型和p型中何種類型的摻雜物的作用,隨著所得到的燒結體中的構成母晶體的元素種類、晶體結構等而不同。 對於燒結體中的摻雜物濃度,在n型摻雜物的情況下,以[1020
原子數/cm3
]為單位優選為0.1~10,更優選為0.5~5。另外,對於燒結體中的摻雜物濃度,在p型摻雜物的情況下,以[1020
原子數/cm3
]為單位優選為0.1~10,更優選為0.5~5。雖然藉由增大摻雜物濃度能夠提高電導率使得熱電性能ZT提高,但是若摻雜物濃度變得過大則會使塞貝克係數降低並使熱導率增大,因而會使熱電性能ZT降低。然而,藉由將摻雜物濃度設為上述範圍,能夠提高熱電性能ZT。 另外,優選以半導體燒結體的塞貝克係數為-185~-60μV/K的濃度來含有n型摻雜物,優選以半導體燒結體的塞貝克係數為60~185μV/K的濃度來含有p型摻雜物。 (電氣電子構件) 如上所述,根據本實施方式,能夠獲得在維持較低熱導率的同時提高了電導率的半導體燒結體。因此,能夠用作電氣電子構件,特別是能夠用作熱電元件。其中,能夠良好地用於利用散熱的發電裝置,例如安裝在汽車或船舶等的發動機及散熱系統中的發電裝置、安裝在用於工業的加熱爐的散熱系統中的發電裝置等。 (半導體燒結體的製造方法) 本實施方式中的半導體燒結體的製造方法包括:準備包括矽化鎂或含有矽化鎂的合金、並且平均粒徑為1μm以下的顆粒的顆粒準備步驟;在顆粒的表面形成包括摻雜物元素的有機化合物或有機類混合物的皮膜的皮膜形成步驟;以及對在表面形成有皮膜的顆粒進行燒結,以獲得半導體燒結體的燒結步驟。 上述顆粒準備步驟包括藉由以熔點以上的溫度使原料元素的單質的混合物、包含原料元素的化合物及其混合物的一種以上熔融後進行冷卻、或者在加壓下使其升溫至未熔融程度的高溫從而使其固相擴散反應從而得到固體。在前者的手法中可以使用電弧熔融或高頻熔融裝置,在後者的手法中可以優選使用惰性氣氛爐、放電電漿燒結機、加壓燒結機、熱均壓燒結(HIP)機等。後者的手法由於能夠獲得均勻的組成因而較佳。 顆粒準備步驟進一步包括藉由利用公知的粉碎方法對所得到的固體進行粉碎,從而準備平均粒徑1μm以下的顆粒(粉末)。另外,可以利用化學氣相生長法(CVD)等公知的晶體生長法,由矽化鎂或含有矽化鎂的合金的原料來合成顆粒(粉末)。 在顆粒準備步驟中所得到的顆粒的平均粒徑優選小於1μm,更優選為800nm,進一步優選為500nm,進一步優選為300nm。另外,顆粒的D90優選為1μm以下,更優選為500nm以下,進一步優選為200nm以下。藉由將燒結前的顆粒的粒徑設為上述範圍,從而能夠得到具有1μm以下粒徑的晶粒、且適度地被緻密化的燒結體。需要說明的是,對於在顆粒準備步驟中準備的顆粒的平均粒徑的下限並無特別限定,從製造上的限制的觀點來看優選為10nm以上。需要說明的是,在本說明書中,顆粒的平均粒徑可以係利用雷射繞射式粒度分布測量裝置所測量出的基於體積的粒徑中位值。 接著,進行在由上述顆粒準備步驟所得到的顆粒的表面形成包括摻雜物元素的有機化合物的皮膜的皮膜形成步驟。該皮膜形成步驟可以藉由使在顆粒準備步驟中所得到的顆粒分散在溶劑中後,添加上述包括摻雜物元素的有機化合物或有機類混合物(包含含有摻雜物元素的有機化合物的混合物),並利用珠磨機等進行混合處理來進行。之後,可以藉由利用減壓等將溶劑除去並進行乾燥,從而得到在表面形成有包含摻雜物元素的有機化合物的皮膜的顆粒。在該情況下,皮膜的厚度可以為0.5~5nm,優選為有機化合物的單分子膜。或者,亦可以利用不使用溶劑而是以構成顆粒所存在的氣氛的氣體為單質使有機分子擴散的手法來形成皮膜。 在有機化合物或有機類混合物中所含有的摻雜物元素可以根據用途使用n型或p型的上述摻雜物元素。作為n型的摻雜物元素,可以為磷、鋁、砷、銻、鉍之中的一種或兩種以上。作為p型的摻雜物元素,可以為鋰、硼、鎵、銦、鉈之中的一種或兩種以上。 另外,含有摻雜元素的有機化合物可以為高分子亦可以為低分子。作為有機化合物,可以為含有摻雜元素的氫化物、氧化物、含氧酸(oxo acid)等。另外,有機類混合物可以為含有摻雜元素的有機化合物和其他有機化合物的混合物、或者含有摻雜元素的無機化合物和有機化合物的混合物。 在使用磷作為n型摻雜物元素的情況下,作為有機化合物,可以使用磷酸、烷基膦酸(alkylphosphonic acid)、烷基次膦酸(alkylphosphinic acid)及其酯、聚乙烯膦酸(polyvinylphosphonic acid)、膦(phosphine)、三乙基膦(triethylphosphine)、三丁基膦(tributylphosphine)等三烷基膦(trialkylphosphine)等。另外,可以使用含有膦酸的聚合物(膦酸聚合物)。在使用砷作為摻雜物元素的情況下,可以使用胂(arsine)等,在使用銻的情況下,可以使用三氧化銻等,在使用鉍的情況下,可以使用鉍酸。 在使用硼作為p型摻雜物元素的情況下,可以使用癸硼烷、鄰癸硼烷(ortho-decaborane)等硼烷簇(borane cluster)、或三氟化硼等。另外,在使用鋁作為摻雜物元素的情況下,可以使用三氯化鋁、三甲基鋁等,在使用鎵的情況下,可以使用三氯化鎵、三甲基鎵等,在使用銦的情況下,可以使用三氯化銦等,在使用鉈的情況下,可以使用氯化鉈等。 對於上述化合物,可以單獨使用或組合使用兩種以上。另外,在上述化合物為無機物的情況下,可以使用該無機物和有機化合物的混合物。 在皮膜形成步驟中,優選相對於在顆粒準備步驟中所準備的顆粒100質量份添加3~60質量份的含有摻雜物元素的有機化合物,更優選添加10~30質量份的含有摻雜物元素的有機化合物。 燒結步驟只要係能夠對上述原料顆粒(粉末)進行燒結的方法便無特別限定,可舉出放電電漿燒結法(Spark Plasma Sintering(SPS))、常壓燒結法(Two Step Sintering)、加壓燒結法(Hot Pressing)、熱均壓法(Hot Isostatic Pressing(HIP))、微波燒結法(Microwave Sintering)等。其中,優選使用能夠獲得更小晶粒的放電電漿燒結法。 對於燒結步驟中的燒結溫度,可以根據作為矽化鎂或含有矽化鎂的合金的主晶的組成來選擇,優選為500℃以上,更優選為600℃以上。另外,燒結溫度優選為900℃以下,更優選為800℃以下。藉由設為上述範圍,能夠促進燒結體的緻密化,並且能夠將多晶體的晶粒的平均粒徑維持在1μm以下。 另外,燒結步驟中的升溫速度優選為10~100℃/分,更優選為20~60℃/分。藉由將升溫速度設為上述範圍,能夠促進均勻的燒結,同時能夠抑制過於急速的晶粒生長並將多晶體的晶粒的平均粒徑維持在1μm以下。 在燒結步驟中,優選進行加壓。在該情況下,加壓壓力優選為10~120MPa,更優選為30~100MPa。 另外,本實施方式中的半導體燒結體係藉由準備包括矽化鎂或含有矽化鎂的合金、並且平均粒徑為1μm以下的顆粒,在顆粒的表面形成包括摻雜物元素的有機化合物的皮膜,並對在表面形成有皮膜的顆粒進行燒結以獲得半導體燒結體而製造的半導體燒結體。該半導體燒結體在維持較低熱導率的同時具有較高的電導率。因此,能夠提供具有較高熱電性能ZT的半導體燒結體。 如上所述,若對在表面形成有含有摻雜物元素的皮膜的顆粒進行燒結(燒製),則在燒結時摻雜元素從顆粒的界面向顆粒的內部熱擴散。藉由如此利用從顆粒界面進行的熱擴散所帶來的摻雜,從而能夠使所得到的燒結體的電導率提高。另外,在與雖具有同等的摻雜物濃度但未利用從顆粒界面進行的熱擴散所摻雜的燒結體相比的情況下,利用本實施方式中的方法所得到的半導體燒結體可顯示出較高的電導率。 需要說明的是,如上所述,在本實施方式的方法中,在皮膜形成步驟中,使皮膜含有摻雜物元素,在燒結步驟中藉由從顆粒界面使其熱擴散從而進行摻雜。然而,可以在顆粒準備步驟的階段預先在顆粒內使其含有摻雜物,再進行上述皮膜形成步驟。例如,可以藉由在對作為主晶的矽化鎂或含有矽化鎂的合金的材料進行熔融的階段,混合摻雜物元素單質或其化合物,並對所得到的熔融物進行冷卻、粉碎,從而準備含有摻雜物的顆粒(粉末)。或者,可以藉由對在加壓下以不會熔融程度的高溫使矽化鎂或含有矽化鎂的合金的粉體和摻雜物元素的單質或化合物的粉體固相擴散反應而得到的塊狀物進行粉碎來進行準備。另外,在使用化學氣相生長法(CVD)等來準備顆粒的情況下,可以在氣相狀態下對矽化鎂或含有矽化鎂的合金的原料與摻雜物元素的單質或化合物進行混合並使其凝結,從而準備包含摻雜物的顆粒。 如此一來,藉由在顆粒準備步驟的階段使其含有摻雜物,並利用皮膜形成步驟及燒製步驟使摻雜物從顆粒表面向顆粒內進一步熱擴散,從而能夠實現更高濃度的摻雜。 [實施例] [n型半導體燒結體] <實施例1> (矽化鎂顆粒的調製) 將23g的矽化鎂(純度99.99%以上)及1.9g的鉍(純度99.9%)裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置在氬氣氛下以50MPa、700℃的條件進行加壓和加熱處理10分鐘,之後冷卻。利用錘式破碎機和行星式球磨機,將所得到的塊狀物粗粉碎至45μm以下。進一步利用珠磨機將其粉碎至D90為大約150nm。此時,使用異丙醇作為介質,使用直徑為0.05mm的氧化鋯珠作為珠。進行減壓從所得到的漿料中除去異丙醇,進一步進行乾燥從而得到摻雜有鉍的矽化鎂的顆粒。 (顆粒的被覆) 將所得到的矽化鎂顆粒分散在庚烷中,將針對5.0g的矽化鎂顆粒添加有0.4g的聚乙烯膦酸(Sigma-Aldrich公司製、No. 661740)的混合物放入上述珠磨機中,進行300分鐘的混合處理。之後,減壓除去庚烷,進一步進行乾燥從而得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 將上述實施了單分子膜被覆的矽化鎂顆粒裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置使其升溫至750℃,得到燒結體。此時,將加壓壓力設定為50MPa,並將升溫速率設定為50℃/分來進行。對所得到的燒結體的外表面進行粗研磨,以除去源自石墨等的雜質層。進一步使用切割鋸進行切割,得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構(圖1)。 燒結體在27℃下的電導率為1.1×105
S/m,熱導率為8.5W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-101.1μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.86。 <實施例2> (矽化鎂顆粒的調製) 與實施例1同樣地調製矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 除了使用添加有0.7g的三丁基膦來代替0.4g的聚乙烯膦酸的混合物以外,與實施例1同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例1同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂顆粒進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.0×105
S/m,熱導率為8.0W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-100.9μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.87。 <實施例3> (矽化鎂顆粒的調製) 與實施例1同樣地調製矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 除了使用添加有0.4g的甲基膦酸來代替0.4g的聚乙烯膦酸的混合物以外,與實施例1同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例1同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂顆粒進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.2×105
S/m,熱導率為8.5W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-101.5μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.88。 <實施例1A> (矽化鎂顆粒的調製) 與實施例1同樣地調製矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 除了使用添加有0.5g的膦酸聚合物混合物(磷含有率22重量%、日東電工(株)開發產品、No. DB81)來代替0.4g的聚乙烯膦酸的混合物以外,與實施例1同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例1同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂顆粒進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.4×105
S/m,熱導率為8.3W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-98.1μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為1.1。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.89。 <實施例4> (矽化鎂顆粒的調製) 除了使用1.1g的銻(純度99.9%)來代替1.0g的鉍(純度99.9%)以外,與實施例1同樣地得到矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 與實施例1同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例1同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂顆粒進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.0×105
S/m,熱導率為9.0W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-99.5μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.80。 <實施例5> (矽化鎂顆粒的調製) 除了使用0.7g的砷(純度99.9%)來代替1.0g的鉍(純度99.9%)以外,與實施例1同樣地得到矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 與實施例1同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例1同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂顆粒進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.0×105
S/m,熱導率為8.6W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-99.9μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.81。 <實施例6> (矽化鎂基合金顆粒的調製) 將15g的鎂(純度99.99%以上)、3.4g的矽(純度99.99%以上)、21g的錫(純度99.99%以上)及1.9g的鉍(純度99.9%)裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置在氬氣氛下以50MPa、700℃的條件進行加壓和加熱處理10分鐘,之後冷卻。利用錘式破碎機和行星式球磨機,將所得到的塊狀物粗粉碎至45μm以下。進一步利用珠磨機將其粉碎至D90為大約150nm。此時,使用異丙醇作為介質,使用直徑為0.05mm的氧化鋯珠作為珠。進行減壓從所得到的漿料中除去異丙醇,進一步進行乾燥從而得到摻雜有鉍的矽化鎂基合金的顆粒。 (顆粒的被覆) 將所得到的矽化鎂基合金的顆粒分散在庚烷中,將針對5.0g的該顆粒添加有0.4g的聚乙烯膦酸(Sigma-Aldrich公司製)的混合物放入上述珠磨機中,進行300分鐘的混合處理。之後,減壓除去庚烷,進一步進行乾燥從而得到由單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒。 (燒結) 將上述實施了單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置使其升溫至750℃,得到燒結體。此時,將加壓壓力設定為50MPa,並將升溫速率設定為50℃/分來進行。對所得到的燒結體的外表面進行粗研磨,以除去源自石墨等的雜質層。進一步使用切割鋸進行切割,得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為作為基礎的矽化鎂基合金的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.4×105
S/m,熱導率為5.5W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-119.2μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為2.6。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為1.22。 <實施例6A> (矽化鎂顆粒的調製) 與實施例6同樣地調製矽化鎂基合金顆粒。 (顆粒的被覆) 除了使用添加有0.5g的膦酸聚合物混合物(磷含有率22重量%、日東電工(株)開發產品、No. DB81)來代替0.4g的聚乙烯膦酸的混合物以外,與實施例6同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂基合金顆粒。 (燒結) 與實施例6同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂基合金顆粒進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為作為基礎的矽化鎂基合金的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.6×105
S/m,熱導率為5.3W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-106.1μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為2.6。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為1.31。 <實施例7> (矽化鎂基合金顆粒的調製) 將15g的鎂(純度99.99%以上)、3.4g的矽奈米顆粒(XRD晶體直徑18nm)、21g的錫(純度99.99%以上)及1.9g的鉍(純度99.9%)裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置在氬氣氛下進行加壓和加熱處理,之後冷卻。利用錘式破碎機和行星式球磨機,將所得到的塊狀物粗粉碎至45μm以下。進一步利用珠磨機將其粉碎至D90為大約150nm。此時,使用異丙醇作為介質,使用直徑為0.05mm的氧化鋯珠作為珠。進行減壓從所得到的漿料中除去異丙醇,進一步進行乾燥從而得到摻雜有鉍的矽化鎂基合金的顆粒。 (顆粒的被覆) 將所得到的矽化鎂基合金的顆粒分散在庚烷中,將針對5.0g的該顆粒添加有0.4g的聚乙烯膦酸(Sigma-Aldrich公司製)的混合物放入上述珠磨機中,進行300分鐘的混合處理。之後,減壓除去庚烷,進一步進行乾燥從而得到由單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒。 (燒結) 將上述實施了單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置使其升溫至750℃,得到燒結體。此時,將加壓壓力設定為50MPa,並將升溫速率設定為50℃/分來進行。對所得到的燒結體的外表面進行粗研磨,以除去源自石墨等的雜質層。進一步使用切割鋸進行切割,得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為作為基礎的矽化鎂基合金的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.5×105
S/m,熱導率為3.8W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-120.4μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為2.2。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為1.31。 <實施例8> (矽化鎂基合金顆粒的調製) 將15g的鎂(純度99.99%以上)、6.0g的矽-鍺合金(純度99.99%以上)、21g的錫(純度99.99%以上)及1.9g的鉍(純度99.9%)裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置在氬氣氛下進行加壓和加熱處理,之後冷卻。利用錘式破碎機和行星式球磨機,將所得到的塊狀物粗粉碎至45μm以下。進一步利用珠磨機將其粉碎至D90為大約150nm。此時,使用異丙醇作為介質,使用直徑為0.05mm的氧化鋯珠作為珠。進行減壓從所得到的漿料中除去異丙醇,進一步進行乾燥從而得到摻雜有鉍的矽化鎂基合金的顆粒。 (顆粒的被覆) 將所得到的矽化鎂基合金的顆粒分散在庚烷中,將針對5.0g的該顆粒添加有1.0g的聚乙烯膦酸(Sigma-Aldrich公司製)的混合物放入上述珠磨機中,進行300分鐘的混合處理。之後,減壓除去庚烷,進一步進行乾燥從而得到由單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒。 (燒結) 將上述實施了單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置使其升溫至750℃,得到燒結體。此時,將加壓壓力設定為50MPa,並將升溫速率設定為50℃/分來進行。對所得到的燒結體的外表面進行粗研磨,以除去源自石墨等的雜質層。進一步使用切割鋸進行切割,得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為作為基礎的矽化鎂基合金的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.3×105
S/m,熱導率為4.8W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(-120.4μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為2.2。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為1.18。 [p型半導體燒結體] <實施例9> (矽化鎂顆粒的調製) 將23g的矽化鎂(純度99.99%以上)及0.3g的鋰(純度99.9%)裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置在氬氣氛下進行加壓和加熱處理,之後冷卻。利用錘式破碎機和行星式球磨機,將所得到的塊狀物粗粉碎至45μm以下。進一步利用珠磨機將其粉碎至D90為大約150nm。此時,使用異丙醇作為介質,使用直徑為0.05mm的氧化鋯珠作為珠。進行減壓從所得到的漿料中除去異丙醇,進一步進行乾燥從而得到摻雜有鋰的矽化鎂的顆粒。 (顆粒的被覆) 將所得到的矽化鎂顆粒分散在庚烷中,將針對5.0g的矽化鎂顆粒添加有0.3g的癸硼烷的混合物放入上述珠磨機中,進行300分鐘的混合處理。之後,減壓除去庚烷,進一步進行乾燥從而得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 將上述實施了單分子膜被覆的矽化鎂粉末裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置使其升溫至750℃,得到燒結的固體。此時,將加壓壓力設定為50MPa,並將升溫速率設定為50℃/分來進行。對所得到的燒結體的外表面進行粗研磨以除去源自石墨等的雜質層。進一步使用切割鋸進行切割,得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.1×105
S/m,熱導率為8.6W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(99.2μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.77。 <實施例10> (矽化鎂顆粒的調製) 與實施例9同樣地調製矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 除了使用添加有1.0g的三丁基硼烷來代替0.3g的癸硼烷的混合物以外,與實施例9同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例9同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂顆粒進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.0×105
S/m,熱導率為9.0W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(100.5μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.81。 <實施例11> (矽化鎂顆粒的調製) 除了使用0.6g的鎵(純度99.9%)來代替0.3g的鋰(純度99.9%)以外,與實施例9同樣地得到矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 與實施例9同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例9同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂粉末進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.0×105
S/m,熱導率為7.9W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(100.1μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.85。 <實施例12> (矽化鎂顆粒的調製) 除了使用1.7g的銦(純度99.9%)來代替0.3g的鋰(純度99.9%)以外,與實施例9同樣地得到矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 與實施例9同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例9同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂粉末進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.2×105
S/m,熱導率為7.9W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(99.7μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.82。 <實施例13> (矽化鎂顆粒的調製) 除了使用1.8g的鉈(純度99.9%)來代替0.3g的鋰(純度99.9%)以外,與實施例9同樣地得到矽化鎂顆粒。 (顆粒的被覆) 與實施例9同樣地得到由單分子膜被覆的矽化鎂顆粒。 (燒結) 與實施例9同樣,對實施了單分子膜被覆的矽化鎂粉末進行燒結而得到燒結體,並進一步得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為純矽化鎂的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的矽化鎂晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.1×105
S/m,熱導率為8.0W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(99.3μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為0.78。 <實施例14> (矽化鎂合金顆粒的調製) 將15g的鎂(純度99.99%以上)、3.4g的矽(純度99.99%以上)、21g的錫(純度99.99%以上)及0.3g的鎵(純度99.9%)裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置在氬氣氛下進行加壓和加熱處理,之後冷卻。利用錘式破碎機和行星式球磨機,將所得到的塊狀物粗粉碎至45μm以下。進一步利用珠磨機將其粉碎至D90為大約150nm。此時,使用異丙醇作為介質,使用直徑為0.05mm的氧化鋯珠作為珠。進行減壓從所得到的漿料中除去異丙醇,進一步進行乾燥從而得到摻雜有鎵的矽化鎂基合金的顆粒。 (顆粒的被覆) 將所得到的矽化鎂基合金的顆粒分散在庚烷中,將針對5.0g的該顆粒添加有0.5g的癸硼烷的混合物放入上述珠磨機中,進行300分鐘的混合處理。之後,減壓除去庚烷,進一步進行乾燥從而得到由單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒。 (燒結) 將上述實施了單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置使其升溫至750℃,得到燒結體。此時,將加壓壓力設定為50MPa,並將升溫速率設定為50℃/分來進行。對所得到的燒結體的外表面進行粗研磨,以除去源自石墨等的雜質層。進一步使用切割鋸進行切割,得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為作為基礎的矽化鎂基合金的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.1×105
S/m,熱導率為5.5W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(101.5μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為1.11。 <實施例15> (矽化鎂合金顆粒的調製) 將15g的鎂(純度99.99%以上)、3.4g的矽奈米顆粒(XRD晶體直徑18nm)、21g的錫(純度99.99%以上)及0.3g的鎵(純度99.9%)裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置在氬氣氛下進行加壓和加熱處理,之後冷卻。利用錘式破碎機和行星式球磨機,將所得到的塊狀物粗粉碎至45μm以下。進一步利用珠磨機將其粉碎至D90為大約150nm。此時,使用異丙醇作為介質,使用直徑為0.05mm的氧化鋯珠作為珠。進行減壓從所得到的漿料中除去異丙醇,進一步進行乾燥從而得到摻雜有鎵的矽化鎂基合金的顆粒。 (顆粒的被覆) 將所得到的矽化鎂基合金的顆粒分散在庚烷中,將針對5.0g的該顆粒添加有0.5g的癸硼烷的混合物放入上述珠磨機中,進行300分鐘的混合處理。之後,減壓除去庚烷,進一步進行乾燥從而得到由單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒。 (燒結) 將上述實施了單分子膜被覆的矽化鎂基合金的顆粒裝入石墨製的模具/沖壓夾具內,利用放電電漿燒結裝置使其升溫至750℃,得到燒結體。此時,將加壓壓力設定為50MPa,並將升溫速率設定為50℃/分來進行。對所得到的燒結體的外表面進行粗研磨,以除去源自石墨等的雜質層。進一步使用切割鋸進行切割,得到長方體狀的切片。 (結構和特性) 利用阿基米德法測量出的燒結體的密度為作為基礎的矽化鎂基合金的98.5%。另外,利用透射電子顯微鏡(TEM)對燒結體的剖面進行觀察,觀察到平均粒徑100nm的晶粒緊密結合的結構。 燒結體在27℃下的電導率為1.0×105
S/m,熱導率為4.8W/m.K。根據燒結體的塞貝克係數(102.3μV/K)對摻雜物濃度進行計算,以[1020
原子數/cm3
]為單位為0.8。另外,527℃下的熱電性能指數ZT為1.30。 從實施例1~15可以看出,在n型和p型的任意半導體晶體中均顯現出低熱導率、高電導率,由此能夠獲得顯現出較高熱電性能的材料。特別係,在作為包括含有錫的合金的燒結體的實施例6~8、14、15中,得到了顯現出超過1的較高熱電性能的材料。 本申請案係主張基於2017年5月19日向日本國特許廳申請的日本專利申請案第2017-100107號、2017年5月19日向日本國特許廳申請的日本專利申請案第2017-100108號、2017年10月13日向日本國特許廳申請的日本專利申請案第2017-199057號的優先權,其全部內容係藉由參照而併入本申請中。
圖1表示在實施例1中所得到的半導體燒結體的剖面TEM圖像。
Claims (10)
- 一種半導體燒結體,包括多晶體, 該多晶體包括矽化鎂、或含有矽化鎂的合金, 構成該多晶體的晶粒的平均粒徑為1μm以下, 該半導體燒結體的電導率為10,000S/m以上。
- 根據請求項1所述的半導體燒結體,其中,該半導體燒結體含有選自磷、鋁、砷、銻、鉍的一種以上的摻雜物。
- 根據請求項1所述的半導體燒結體,其中,該半導體燒結體含有選自鋰、硼、鋁、鎵、銦、鉈的一種以上的摻雜物。
- 根據請求項1至3中任一項所述的半導體燒結體,其中,該半導體燒結體的塞貝克係數為-150~50μV/K。
- 一種電氣電子構件,包括根據請求項1至4中任一項所述的半導體燒結體。
- 一種半導體燒結體的製造方法,包括: 準備包括矽化鎂或含有矽化鎂的合金、並且平均粒徑為1μm以下的顆粒的顆粒準備步驟; 在該顆粒的表面形成包括摻雜物元素的有機化合物的皮膜的皮膜形成步驟;以及 對在表面形成有該皮膜的顆粒進行燒結,以獲得半導體燒結體的燒結步驟。
- 根據請求項6所述的半導體燒結體的製造方法,其中,該摻雜物元素包括選自磷、砷、銻、鉍的一種以上。
- 根據請求項6所述的半導體燒結體的製造方法,其中,該摻雜物元素包括選自硼、鋁、鎵、銦、鉈的一種以上。
- 根據請求項6至8中任一項所述的半導體燒結體的製造方法,其中,以600℃以上的溫度進行該燒結步驟。
- 根據請求項6至9中任一項所述的半導體燒結體的製造方法,其中,該燒結步驟包括進行放電電漿燒結。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-100107 | 2017-05-19 | ||
JP2017100107 | 2017-05-19 | ||
JP2017100108 | 2017-05-19 | ||
JP2017-100108 | 2017-05-19 | ||
JP2017199057 | 2017-10-13 | ||
JP2017-199057 | 2017-10-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201903222A true TW201903222A (zh) | 2019-01-16 |
TWI802573B TWI802573B (zh) | 2023-05-21 |
Family
ID=64273988
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107117013A TWI776897B (zh) | 2017-05-19 | 2018-05-18 | 半導體燒結體、電氣電子構件、以及半導體燒結體的製造方法 |
TW107117012A TWI802573B (zh) | 2017-05-19 | 2018-05-18 | 半導體燒結體、電氣電子構件、以及半導體燒結體的製造方法 |
TW107117015A TWI822679B (zh) | 2017-05-19 | 2018-05-18 | 半導體燒結體、電氣電子構件、以及半導體燒結體的製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107117013A TWI776897B (zh) | 2017-05-19 | 2018-05-18 | 半導體燒結體、電氣電子構件、以及半導體燒結體的製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107117015A TWI822679B (zh) | 2017-05-19 | 2018-05-18 | 半導體燒結體、電氣電子構件、以及半導體燒結體的製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11404620B2 (zh) |
EP (3) | EP3627573B1 (zh) |
JP (3) | JP2019068037A (zh) |
KR (3) | KR102579986B1 (zh) |
CN (3) | CN110622326B (zh) |
TW (3) | TWI776897B (zh) |
WO (3) | WO2018212297A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7010474B2 (ja) * | 2018-01-10 | 2022-02-10 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 断熱材料、その製造方法および内燃機関 |
KR102183258B1 (ko) | 2019-04-18 | 2020-11-26 | 주식회사 티씨케이 | SiC 소재 및 이의 제조방법 |
JP7506388B2 (ja) | 2019-12-18 | 2024-06-26 | 株式会社テックスイージー | 熱電素子の製造方法 |
JP7449549B2 (ja) | 2019-12-25 | 2024-03-14 | 株式会社テックスイージー | 熱電素子及びその製造方法 |
CN117069500A (zh) * | 2023-08-14 | 2023-11-17 | 陕西科技大学 | 一种硅化镁热电半导体材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5941562B2 (ja) * | 1977-06-23 | 1984-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 赤外線フイルタ |
JPH0738156A (ja) | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Materials Corp | 熱発電材料およびその製造方法 |
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-
2018
- 2018-05-17 WO PCT/JP2018/019161 patent/WO2018212297A1/ja active Application Filing
- 2018-05-17 US US16/613,561 patent/US11404620B2/en active Active
- 2018-05-17 US US16/612,466 patent/US11508893B2/en active Active
- 2018-05-17 WO PCT/JP2018/019160 patent/WO2018212296A1/ja active Application Filing
- 2018-05-17 CN CN201880031777.0A patent/CN110622326B/zh active Active
- 2018-05-17 US US16/612,850 patent/US11616182B2/en active Active
- 2018-05-17 WO PCT/JP2018/019159 patent/WO2018212295A1/ja active Application Filing
- 2018-05-17 JP JP2018095172A patent/JP2019068037A/ja active Pending
- 2018-05-17 CN CN201880031803.XA patent/CN110622328B/zh active Active
- 2018-05-17 JP JP2018095173A patent/JP2019068038A/ja active Pending
- 2018-05-17 JP JP2018095174A patent/JP7137963B2/ja active Active
- 2018-05-17 EP EP18803228.8A patent/EP3627573B1/en active Active
- 2018-05-17 CN CN201880031799.7A patent/CN110622327B/zh active Active
- 2018-05-17 EP EP18802437.6A patent/EP3627571B1/en active Active
- 2018-05-17 KR KR1020197033739A patent/KR102579986B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-17 KR KR1020197033738A patent/KR102579525B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-17 KR KR1020197033740A patent/KR102579987B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-17 EP EP18803227.0A patent/EP3627572B1/en active Active
- 2018-05-18 TW TW107117013A patent/TWI776897B/zh active
- 2018-05-18 TW TW107117012A patent/TWI802573B/zh active
- 2018-05-18 TW TW107117015A patent/TWI822679B/zh active
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