TW201435094A - 稀土經燒結之磁石及製造方法 - Google Patents

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Abstract

含有比Nd2Fe14B的化學計量過量之釹的條帶鑄造合金經HDDR處理及擴散處理，產生大小為0.1至1 μm之主相晶粒被寬度為2至10 nm之富釹細粒邊界相圍繞的微晶性合金粉末。該粉末經微細粉末化、緊壓及燒結，產生具有高矯頑力之經燒結的磁石。

Description

稀土經燒結之磁石及製造方法
本發明關於具有極小含量之昂貴的鋱和鏑之高效能稀土經燒結之磁石，及其製備方法。
這幾年，Nd-Fe-B經燒結之磁石找到越來越大之應用範圍，包括硬碟驅動器、空調機、工業馬達、電力產生器及混合車和電動車輛之驅動馬達。當用於空調機壓縮機馬達、車輛相關組件及其他預期會有未來發展之應用時，該磁石將暴露於提高之溫度。因此該磁石必須具有於提高溫度下之穩定性質，也就是，耐熱性。鏑和鋱的添加對此目的係不可或缺的，而當考慮到緊張的資源之問題時節省鏑和鋱是重要的議題。關於預期能找到越來越多應用的那些相關組成之磁石，吾人所欲為將鏑或鋱之量減至極少程度或甚至0。
關於以Nd2Fe14B晶粒之磁力控制主相(magnetism-governing major phase)為基礎的相關磁石，Nd2Fe14B晶粒之界面處創造出逆磁化之小域，習稱為逆磁域。當這些域 成長時，磁化現象逆轉。理論上，最大之矯頑力等於Nd2Fe14B化合物之各向異性磁場(6.4MA/m)。然而，由於細粒邊界附近之晶體構造混亂所造成之各向異性磁場降低及形態學等所造成之漏磁場影響，實際上可利用之矯頑力僅為該各向異性磁場之約15%(1MA/m)。儘管此矯頑力屬於低值，但是圍繞晶粒之富釹相存在對發展此矯頑力之值是必要的。因此，在製備經燒結之磁石時，使用含有超過Nd2Fe14B化合物之化學計量釹含量(11.76原子%)之稀土元素的合金組合物。儘管過量之稀土元素有一部分扮作氧和其他在製備過程中伴隨引進之雜質元素的吸氣劑，但是大部分圍繞主相晶粒作為富釹相並助於矯頑力之發展。再者，因為該富釹相於燒結溫度下係為液體，所以相關組成磁石經由液相燒結進行進一步之強化。這表示於較低溫下之可燒結性，且細粒邊界處存在異質相(hetero-phase)能有效抑制主相晶粒生長。
從經驗得知以上組成之磁石係藉由縮減作為主相之Nd2Fe14B粒子的大小同時保持該組合物之晶體形態學提高矯頑力。製備經燒結之磁石的方法包括微細粉末化之步驟，磁石材料通常通過該步驟磨成平均粒徑約3至5μm之粉末。若該粒徑減至1至2μm，則該燒結體中之晶粒的大小也縮小。結果，將矯頑力提高至約1.6MA/m。參見非專利文件1。
事實上，除了該經燒結之磁石以外，經由熔融物淬冷法或HDDR(加氫-歧化-解吸-再結合)方法所製備之Nd- Fe-B磁石粉末係由粒徑達1μm之次微米晶粒構成。當與該不含鏑或鋱之組合物比較時，其中有些顯示比該經燒結之磁石高的矯頑力。從此事實可知晶粒之大小縮減導致矯頑力提高。
使至今已經發現之經燒結的磁石獲得此次微米晶粒之唯一手段係在非專利文件1所記載之微細粉末化的步驟時減小粉末粒徑。若將Nd-Fe-B合金微細粉末化，該粉末由於高活性釹而易於氧化，甚至有點燃之危險性。當在此情況下進行磁石製造以便具有3至5μm之平均粒徑時，在該微細粉末化之步驟至該燒結步驟之期間採取適當措施。例如，環境填滿惰性氣體以避免該粉末與氧氣接觸，或將微細粉末與油混合以避免粉末與周遭空氣接觸。然而，微細粉末化能達到之粒徑限於1μm之等級，且在此技藝中無法取得用於獲得比此極限更細之晶體粒子的指標。
另一方面，上述HDDR方法打算藉由下述方式得到矯頑力，於氫氣氛中於700至800℃下加熱鑄成之Nd-Fe-B合金，且後續於真空中熱處理，藉以從該鑄造合金中具有數百微米(μm)大小之晶粒將合金構造換成大小為0.2至1μm之一系列次微米晶粒。在該HDDR方法中，作為主相之Nd2Fe14B化合物利用該氫氣氛中之氫進行歧化反應，藉以使其歧化成三個相，NdH2、Fe及Fe2B。經由用於氫脫附之後續真空熱處理，使該三個相再結合成原始之Nd2Fe14B化合物。在此過程期間，可獲得具有達大小為1μm之次微米晶粒。另外，該HDDR方法能依據特定組成 或加工條件使大小縮減，同時使次微米晶粒之結晶取向實質上維持與初始粗製晶粒之結晶取向相同。由此可獲得具有高磁力之各向異性粉末。然而，一般比一定值(例如，至少2nm之寬度)寬之異質相(異質組成之化合物相)不會存在於次微米晶粒間。若用於再結合之熱處理溫度僅稍高，這將使細粒生長輕易發生。於是無法得到高矯頑力。儘管該HDDR粉末通常與樹脂混合以形成黏合之磁石，但是有人試圖製成全稠密性磁石(full-dense magnet)以產生等同於經燒結之磁石的高磁力。大部分研究工作利用緊壓該粉末同時於與HDDR程序溫度實質上相同之溫度下施熱之熱壓步驟，如專利文件1所述。然而，由於極低之生產力在此產業中已經不用此方法。
其他嘗試由非專利文件2得知，例如，經由電導燒結之短暫燒結及在迴轉煅造機(rotary forging machine)中燒結將該HDDR粉末緊壓所獲得之緻密塊。據稱，該電導燒結造成燒結體之密度變化，且該煅造/燒結法能產生顯著之細粒生長。因此咸信藉由燒結該HDDR粉末難以形成全稠密性磁石。
引文一覽表
專利文件1：JP-A 2012-049492
非專利文件1：Une and Sagawa, “Enhancement of Coercivity of Nd-Fe-B Sintered Magnets by Grain Size Reduction,” J. Japan Inst. Metals, Vol. 76, No. 1, pp. 12-16 (1012)
非專利文件2：Wilson, Williams, Manwarning, Keegan, and Harris, “The Rapid Heat Treatment of HDDR Compacts,” The proceedings of 13th Int. Workshop on RE Magnets & Their Applications, pp. 563-572 (1994)
非專利文件3：Xiao, Liu, Qiu and Lis, “The Study of Phase Transformation During HDDR Process in Nd14Fe73Co6B7, “The proceedings of 12th Int. Workshop on RE Magnets & Their Applications, pp. 258-265 (1992)
非專利文件4：Burkhardt, Steinhorst and Harris, “Optimisation of the HDDR processing temperature for co-reduced Nd-Fe-B powder with Zr additions,” The proceedings of 13th Int. Workshop on RE Magnets & Their Applications, pp. 473-481 (1994)
非專利文件5：Gutfleisch, Martinez, and Harris, “Electron Microscopy Characterisation of a Solid-HDDR Processed Nd16Fe76B8 Alloy,” The proceedings of 8th Int. Symposium on Magnetic Anisotropy and Coercivity in Rare Earth-Transition Metal Alloys, pp. 243-252 (1994)
本發明的目的在於提供一種製備R-Fe-B型稀土經燒結之磁石(其中R係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有Nd及/或Pr) 之方法，該磁石具有極小或0含量之極稀有的鋱和鏑及高耐熱性；及該方法所製備之稀土經燒結之磁石。
非專利文件3記載在稀疏分佈於該鑄造合金中之富釹相附近進行含有化學計量過量之釹的鑄造合金之HDDR處理時，富釹相之構成成分進行，不過是部分地，細粒邊界擴散以圍繞幾近經燒結之磁石的細粒邊界相之形態學的Nd2Fe14B次微米晶粒。類似之結構形態學記載於非專利文件4和5。
在Nd-Fe-B型合金中，鑄造構造假定小量富釹相存在於粒徑介於50μm至數百微米之Nd2Fe14B粗粒之間的結構形態，但是取決於鑄造時之冷卻速率。所以，只有稀疏分佈於該鑄造合金中之富釹相附近假設經過該HDDR處理之後該富釹相沿著細粒邊界圍繞Nd2Fe14B細粒之形態學。另外，該鑄造構造中可能有留下初晶α-Fe，造成磁性降低。因此，該鑄造合金係於800至1,000℃下進行均質處理以消除α-Fe。因為Nd2Fe14B相及富釹相之細粒生長在該處理時發生，所以富釹相之偏析變得顯著。
另一方面，藉由條帶鑄造製備合金之方法係用於增進經燒結之磁石的效能。該條帶鑄造法涉及將金屬熔融物澆注在旋轉銅輥上以便淬冷，獲得呈0.1至0.5mm厚之細帶形式的鑄塊。因為該合金非常脆，所以實際上獲得薄合金片。由此方法所製得之合金與普通鑄造合金相比具有非常微細之構造，及精細分散之富釹相。這改善該磁石燒結步驟時之液相分散度且因此導致磁性增強。
發明人發現當含有超過Nd2Fe14B之化學計量的釹之組合物的條帶鑄造合金係施以HDDR處理以將該合金轉化為各向異性多晶性粉末，且該粉末係維持於接近該HDDR處理溫度之溫度時，微細分散之富釹相的組成成分在Nd2Fe14B晶粒四周進行均勻之細粒邊界擴散；且當該粉末係經微細粉末化，於磁場中緊壓及燒結時，能製成由次微米晶粒組成且具有高矯頑力之經燒結的磁石，因為主相晶粒被富釹相圍繞，該富釹相將抑制顯著之細粒生長。本發明係根據此發現。
在一方面中，本發明提供一種製備包含Nd2Fe14B晶相為主相之R-Fe-B稀土經燒結的磁石之方法，其中R係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有Nd及/或Pr。該方法包含 步驟(A)：製備微晶性合金粉末，步驟(A)包括 子步驟(a)：將具有R1 aTbMcAd組成之合金鑄造成條帶，其中R1係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有Nd及/或Pr，T係Fe或Fe和Co，M係選自由Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、Si、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W所組成的群組之二或多種元素的組合且基本上含有Al和Cu，A係B(硼)或B和C(碳)，表示該合金中之原子百分比的"a"至"d"係於下述範圍：12.5a18，0.2c10，5d10，且剩餘部分為b，且該合金基本上由Nd2Fe14B晶相之晶粒及富R1相 之沉澱細粒組成，該富R1相之細粒係依照沉澱細粒間之平均距離達20μm之分佈沉澱， 子步驟(b)：在氫氣氛中於700至1,000℃下加熱該條帶鑄造合金以引發歧化反應以使該Nd2Fe14B晶相歧化成R1氫化物、Fe和Fe2B，隨後在降低之氫分壓下於700至1,000℃下加熱該合金使彼等再結合成Nd2Fe14B晶相，藉以形成平均粒徑為0.1至1μm之次微米晶粒的HDDR處理， 子步驟(c)：在真空或惰性氣體氣氛中於600至1,000℃之溫度下加熱該經HDDR處理之合金達1至50小時，藉以製備微晶性合金粉末的擴散處理，該微晶性合金粉末基本上由平均粒徑為0.1至1μm之Nd2Fe14B晶相的次微米晶粒及超越2至10nm之平均寬度且圍繞該次微米晶粒之富R1細粒邊界相組成， 步驟(B)：將該微晶性合金粉末粉末化成微細粉末， 步驟(C)：在磁場中將該微細粉末緊壓成壓坯，及 步驟(D)：在真空或惰性氣體氣氛中於900至1,100℃下加熱該壓坯以進行燒結，藉以產生平均粒徑為0.2至2μm之R-Fe-B稀土經燒結之磁石。
在一較佳具體實施例中，該方法另包含介於步驟(A)與(B)之間的步驟(A’)：混合多於0重量%至15重量%之輔助合金粉末與步驟(A)之微晶性合金粉末。該輔助合金具有組成R2 eKf，其中R2係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有至少一 種選自Nd、Pr、Dy、Tb和Ho之元素，K係選自由Fe、Co、Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、Si、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta、W、H和F所組成的群組之一或二或多種該元素之組合，表示該合金中之原子百分比的e和f係於下述範圍：20e95及剩餘部分為f。在此具體實施例中，步驟(B)係將該微晶性合金粉末和該輔助合金粉末之混合物粉末化成微細粉末。
較佳地，該微晶性合金粉末組成中之R1含有以所有R1為基準計至少80原子%之Nd及/或Pr；且該微晶性合金粉末組成中之T含有以所有T為基準計至少85原子%之Fe。明顯地，“at%”係原子百分比。
較佳地，該燒結步驟(D)之後可接著於比該燒結溫度低之溫度的熱處理。
在此也考慮由以上定義之方法所製備的稀土經燒結之磁石。
根據本發明，獲得具有極少或0含量之鋱和鏑的經R-Fe-B型稀土燒結之磁石，該磁石之特徵為高效能。
第1圖為顯示製備本發明第一具體實施例之稀土經燒結之磁石的方法之流程圖。
第2圖以圖例示根據本發明之條帶鑄造合金的晶體構造。
第3圖以圖例示根據本發明擴散處理之合金的晶體構造。
第4圖為顯示製備本發明第二具體實施例之稀土經燒結之磁石的方法之流程圖。
第5圖為顯示實施例1和3之HDDR和擴散處理的熱處理曲線之圖形。
第6圖為顯示實施例2和比較例2之HDDR和擴散處理的熱處理曲線之圖形。
第7圖為顯示比較例3之HDDR處理的熱處理曲線之圖形。
現在描述的是如何製備根據本發明之稀土經燒結之磁石。本發明關於一種製備包含Nd2Fe14B晶相為主相之經R-Fe-B型稀土燒結的磁石之方法，其中R係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有Nd及/或Pr。該方法以製備微晶性合金粉末之步驟(A)開始。步驟(A)包括提供含有超過R2Fe14B之化學計量的R之組合物的條帶鑄造合金(也稱作母合金)，對該條帶鑄造合金施以HDDR處理並接著擴散熱處理。依此方式，獲得該微晶性合金粉末，其中有富R細粒邊界相存在以便圍繞具有0.1至1μm平均粒徑之R2Fe14B主相的次 微米晶粒。接著對該微晶性合金粉末施以粗磨、細磨、緊壓及燒結之步驟，藉以生產具有0.2至2μm平均粒徑之經R-Fe-B型稀土燒結的磁石。該方法較佳分兩個具體實施例實行。
第一具體實施例
第1圖為顯示如何製備本發明第一具體實施例之稀土經燒結之磁石的方法之流程圖。在第1圖所示之第一具體實施例中，製備稀土經燒結之磁石之方法涉及步驟(A)：經由條帶鑄造之子步驟(a)、HDDR處理之子步驟(b)和擴散處理之子步驟(c)製備微晶性合金粉末；步驟(B)：將該微晶性合金粉末粉末化成微細粉末；步驟(C)：在磁場中將該微細粉末緊壓成壓坯；及步驟(D)：燒結該壓坯。這些步驟係詳細描述於下文。
步驟(A)：製備微晶性合金粉末
步驟(A)係為了經由下述步驟製備微晶性合金粉末，子步驟(a)：將具有R1 aTbMcAd組成之合金鑄造成條帶(其中R1係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有Nd及/或Pr，T係Fe或Fe和Co，M係選自由Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、Si、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W所組成的群組之二或多種元素的組合且基本上含有Al和Cu，A係B(硼)或B和C(碳)，表 示該合金中之原子百分比的"a"至"d"係於下述範圍：12.5a18，0.2c10，5d10，且剩餘部分為b)；子步驟(b)：對該條帶合金施以HDDR處理；子步驟(c)：於不高於該HDDR處理溫度下對該經HDDR處理之合金施以擴散處理，藉以製備基本上由平均粒徑為0.1至1μm之Nd2Fe14B晶相的次微米晶粒及超越2至10nm之平均寬度且圍繞該次微米晶粒之富R1細粒邊界相組成之微晶性合金粉末。在此揭示內容中，該條帶鑄造合金也被稱作“母合金”。
在該母合金組成中，R1係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合，明確地說選自由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb及Lu所組成的群組，且基本上含有Nd及/或Pr。重要的是包括Sc和Y在內之多種稀土元素的含量係高於作為主相之R2Fe14B化合物的化學計量中之R含量(=11.765原子%)的量，較佳為12.5至18原子%之含量，更佳為該合金之13至16原子%。也較佳的是，R1含有以所有R1為基準，至少80原子%，更佳至少85原子%之Nd及/或Pr。
T係Fe或Fe和Co之混合物。較佳地，T含有以所有T為基準計至少85原子%，更佳至少90原子%之Fe。
M係選自由Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、Si、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W所組成的群組之二或多種元素的組 合且基本上含有Al和Cu。M較佳係以整個合金之0.2至10原子%，更佳0.25至4原子%的量存在。
A係B(硼)或B(硼)和C(碳)之混合物。A較佳係以整個合金之5至10原子%，更佳5至7原子%的量存在。較佳地，A含有以所有A為基準計至少60原子%，更佳至少80原子%之B(硼)。
要注意該合金組合物之剩餘部分由伴隨之雜質例如N(氮)、O(氧)、F(氟)及H(氫)組成。
子步驟(a)：條帶鑄造
該母合金係藉由下述方式獲得：在真空中或在惰性氣體中，較佳為Ar氣氛，將原料金屬或依據上述合金組成之合金熔融，並藉由條帶鑄造法鑄造該熔融物。該條帶鑄造法涉及將合金熔融物澆注在銅冷卻輥上以便淬冷，獲得薄合金帶。由此方法所獲得之薄合金片具有結晶性構造，其中含有超過R1 2Fe14B化合物之化學計量的R1之富R1相的沉澱細粒微細分散於R1 2Fe14B主相之晶粒間。較佳地該富R1相之相鄰沉澱細粒之間的距離平均達20μm，更佳達10μm，且又更佳達5μm。根據本發明之條帶鑄造合金之結晶性構造係以第2圖之示意圖例示。在此示意圖中，將該R1 2Fe14B化合物描繪成灰色對比區，而該富R1相之沉澱細粒描繪成白色對比區。
要注意沉澱細粒間之平均距離係藉由下述方式測定：拍攝該條帶鑄造合金之鏡面加工截面的反射電子影像，測 量從鮮明對比區描繪之富R1細粒邊界相的沉澱細粒挑選50至200對大部分毗鄰細粒之間的距離，並計算平均值。這也適用於後文所述之實施例。
在該母合金中，富R1相沉澱細粒之分散狀態係重要的，因為其影響接在HDDR處理之後的後續擴散處理所達成之富R1相擴散狀態。例如，在平模或書型鑄模中鑄造該熔融物之習用熔融鑄造法中，緩慢冷卻速率導致小程度之過冷及少許核生成。因為這些核長成粗製細粒，所以富R1相沉澱細粒之擴散狀態係粗糙的。因此富R1相沉澱細粒之間的距離平均約50至200μm。若富R1相沉澱細粒之間的平均距離超過50μm，則該富R1相在那上面之細粒邊界擴散程度或距離有限，且結果，留下該富R1細粒邊界相不存在於沉澱細粒間之主相晶粒邊界處的區域(也就是說，細粒邊界相之寬度窄到使主相晶粒相互接近)。此區域在該燒結步驟時發生細粒生長。於是無法製造出此處所欲之高效能的經燒結之磁石。再者，因為該R1量較小，主晶體α-Fe更有可能留下，導致磁性降低。此時，若於800至1,000℃下進行均質處理以消除α-Fe，主相晶粒及富R1相之沉澱細粒進行細粒生長，且結果，沉澱細粒之間的距離變成只要300至1,000μm。因為在該燒結步驟時發生主相晶粒之進一步細粒生長，所以難以製造出高效能之經燒結之磁石。相對地，該條帶鑄造法確保富R1相之相鄰沉澱細粒之間的距離平均達20μm。在此分散狀態下之富R1相沉澱細粒能透過擴散處理轉化成超越2至 10nm之平均寬度且圍繞次微米晶粒之富R1細粒邊界相。結果，能抑制在該燒結步驟時之主相晶粒的細粒生長。要注意儘管該熔融物紡絲法並不適合較高冷卻速率，因為在普通冷卻條件下，該紡絲產物具有達100μm之平均粒徑及不規則結晶取向的等向性體，該向性體無法在隨後於磁場中緊壓之步驟時在磁場中對齊，造成具有低殘磁性(磁餘磁通密度)之磁石。
因為這些理由，必須實行本發明以藉由該條帶鑄造法製備該母合金。
子步驟(b)：HDDR處理
該母合金係透過該HDDR處理、後續氫脫附及再結合反應轉化成平均粒徑為0.1至1μm之次微米晶粒，該HDDR處理涉及在氫氣氛中於該母合金上之歧化反應。儘管該HDDR處理之曲線(包括溫度及氣氛條件)可能如常，但是吾人所欲為挑選能產生各向異性細粒之條件。這是因為若再結合所得之次微米晶粒係等向性，則其無法在隨後於磁場中緊壓之步驟時在磁場中定向。下文將描述一個實施例。
首先，將該條帶鑄造合金(母合金)置於氣氛可能是真空或惰性氣體氣氛例如氬之爐中，屆時將合金從室溫加熱至300℃。若該氣氛含有在此溫度範圍中之氫，氫原子將會帶到R2Fe14B化合物晶格之間，使該磁石之體積膨脹，並使該合金中發生不必要之爆裂(disruption)。該真空或惰 性氣體氣氛能有效預防此爆裂。若吾人所欲為利用此爆裂改善後續微細粉末化步驟之效率，該氣氛可具有約100kPa之氫分壓。
接下來，在300℃至處理溫度(700至1,000℃)之溫度範圍中，加熱較佳在低於100kPa之氫分壓下進行，其取決於該合金組成及加熱速率。該壓力因為以下理由而受限。若加熱在超過100kPa之氫分壓下進行，則R2Fe14B化合物之歧化反應在該加熱步驟(於600至700℃，取決於該磁石組成)時開始。隨著溫度升高，經歧化之構造長成粗製球狀構造。這可藉著在後續氫脫附處理時再結合成R2Fe14B化合物而預防各向異性轉化。
一旦達到該處理溫度，將該氫分壓提高至或高於100kPa，其取決於該磁石組成。使該磁石保持於這些條件經過10分鐘至10小時以引起歧化反應變成該R2Fe14B化合物。至於限制時間的理由，設為至少10分鐘之時間，要不然歧化反應無法完全進行而使反應之粗製R2Fe14B化合物與產物RH2、Fe及Fe2B一同留下。設定達10小時之時間係因為若熱處理持續一段長時間，將發生不可避免之氧化而降低磁性。較佳為30分鐘至5小時之時間。在該恆溫處理時，較佳為逐步提高該氫分壓。若該氫分壓筆直提高而非逐步，則反應進行太快以致於該經歧化之構造變得不均勻，且使該粒徑接著由於在後續氫脫附時再結合成R2Fe14B化合物而變得不均勻，造成矯頑力或方正度(squareness)下降。
隨後，將該爐中之氫分壓降至或低於10kPa以便從該合金內脫附氫。該氫分壓係藉由降低容量之真空泵的連續抽空或藉由添加氬氣流調整。此時，R2Fe14B相係形成於RH2相與α-Fe相之間且具有與原始粗製R2Fe14B相相同之結晶取向的界面處。較佳為進行溫和反應同時保持該氫分壓超過先前提過之某個範圍。若該壓力筆直降至該真空泵滿額量(full capacity)，則再結合反應之驅動力變得太強，藉以太多具有不規則晶體取向之R2Fe14B相核生成，且使該集合構造(collective structure)之定向度降低。最後由於若氫最終留於該合金中，將使後續擴散步驟時由於液體量不足而抑制擴散的緣故而將該氣氛切換成抽真空之氣氛(等於或低於1Pa)。
在減壓氫氣氛及抽真空氣氛中之總處理時間較佳為5分鐘至49小時。少於5分鐘時，再結合反應無法完成。若該時間超過49小時，則磁性由於長期熱處理造成氧化而降低。
在這些處理當中，氫脫附處理可於介於700至1,000℃且高於在氫中熱處理之溫度的溫度下進行，以達成減短處理時間之目的。或者，氫脫附處理可於低於在氫中熱處理之溫度的溫度下進行，以達成促成較溫和再結合反應之目的。
子步驟(c)：擴散處理
隨後對上述經HDDR處理之合金施以富R1相之擴散 處理。該熱處理係於600至1,000℃之溫度下在真空或惰性氣體例如氬中進行1至50小時。
關於該處理溫度，若該溫度低於600℃，該富R1相仍為固相所以有少許擴散發生。於等於或高於600℃之溫度下，該富R1相變成液相，讓該富R1相沿著次微米R2Fe14B晶粒之細粒邊界擴散。另一方面，若該溫度超過1,000℃，該富R1相中之Fe固體溶液量將迅速增加，藉以使該R2Fe14B相溶掉且使該富R1相之體積迅速增加。儘管這可能暗示更有效率之擴散，其中細粒之溶解加寬擴散之路徑並增加擴散物之量，事實上，並未促成擴散至細粒邊界，因為從構造觀察之結果見到此狀態有助於富R1相之凝聚。因此，處理溫度之上限為1,000℃。
關於處理時間，若該時間短於1小時，擴散無法完全進行。若該時間超過50小時，則磁性由於長期熱處理造成氧化而降低。慮及氧化之衝擊，較佳為先前抽真空時間(5分鐘至49小時)加擴散處理總共不超過50小時。
由此所獲得之微晶性合金具有由具有0.1至1μm之平均粒徑和對齊晶體取向之R2Fe14B細粒(主相晶粒)及超越2至10nm，較佳4至10nm，之平均寬度且圍繞該細粒之富R1相組成之結構形態學。經過普通HDDR處理(也就是說，藉由習用鑄造法所鑄造之母合金的HDDR處理)之後，僅局部生成以上界定之結構形態學，且細粒邊界相具有小於2nm之寬度或不存在於大部分部位。也就是說，若使用此含有平均寬度小於2nm之富R1細粒邊界相 的合金製造經燒結之磁石，將無法獲得由次微米晶粒組成之燒結體，因為該細粒邊界相多個部位變成細粒生長之起始點。即使是當高細粒邊界相之平均寬度大於2nm，吾人所欲為那些寬度小於2nm之局部部位儘可能少一些。另一方面，有效結果可由達1,000nm之平均寬度獲得，但是其難以達於富R1細粒邊界相之平均寬度超過10nm之本發明的技術範圍以內。當吾人所欲為獲得超越此限制之平均寬度時，該合金組成中之R1含量必定得提高超過本發明之組成範圍。然而，提高之R1含量由於殘磁性及最大能量產物相伴滑落而不合適。
要注意該平均粒徑係依下述方式測定。首先，將一片微晶性合金(或磁石)拋光成鏡面並以蝕刻劑蝕刻以提供具有對比(升高及凹陷部位)之細粒邊界。在掃描式電子顯微鏡(SEM)底下拍攝任意視野中之合金片影像。測量個別細粒之面積。假定等效圓之直徑是個別細粒之大小。描繪指示細粒大小分佈之直方圖，其中相對於某個細粒大小範圍，標出該範圍中之晶粒所佔據之面積的比例，而非該範圍中之晶粒的數目。將由此直方圖所測定之面積中線粒徑定義成平均粒徑。這也適用於後述之實施例。
依下述方式測定該富R1相平均寬度。等到藉由機械拋光或離子研磨加工微晶性合金薄片之後，在穿透式電子顯微鏡(TEM)底下拍攝任意視野中之合金片影像。測量除了細粒邊界相從三個方向聚在一起之三重態以外之任意數目(10至20個)的細粒邊界相片段之寬度。從彼等算出平 均值，其指示該富R1相之平均寬度。這也適用於後述之實施例。第3圖以圖例示經過擴散處理之後的合金之顯微構造及細粒邊界相。
之後，將該微晶性合金粗糙粉末化成重量平均粒徑為0.05至3mm，尤其是0.05至1.5mm，之微晶性合金粉末。該粗糙粉末化步驟利用針磨機(pin mill)或氫爆裂之機械粉末化作用。
步驟(B)：將該微晶性合金粉末粉末化成微細粉末
隨後將該微晶性合金粉末，例如，靠使用高壓氮之噴射式磨機(jet mill)，細磨成重量平均粒徑為1至30μm，尤其是1至5μm，之各向異性多晶性微細粉末。
步驟(C)：在磁場中將該微細粉末緊壓成壓坯
將由此獲得之微晶性合金微細粉末引進壓緊機，在磁場中將該微晶性合金微細粉末壓塑成壓坯。
步驟(D)：燒結該壓坯
將該壓坯置於燒結爐中，通常於900至1,100℃，較佳950至1,050℃，之溫度下在真空或惰性氣體氣氛中燒結該壓坯。
該經燒結之磁石由60至99體積%，較佳80至98體積%之正方晶系R2Fe14B化合物為主相及剩餘部分組成，該剩餘部分由0.5至20體積%之富R相、0至10體積% 之富B相和0.1至10體積%之R氧化物及伴隨雜質之碳化物、氮化物、氫氧化物和氟化物之至少一者或其混合物或複合物組成。該磁石具有0.2至2μm之平均粒徑之主相晶粒的晶體構造。
在該燒結步驟(D)之後，可於比該燒結溫度低之溫度下進行熱處理。也就是說，等到該燒結體任意機械加工成預定外形以後，可藉由眾所周知之技術進行擴散處理。另外，必要的話可進行表面處理。
由此獲得之該稀土經燒結之磁石可當具有極少量或0含量昂貴之鋱和鏑的高矯頑力且高效能永久磁石使用。
第二具體實施例
下述的是用於製備根據本發明之稀土經燒結之磁石的方法之第二具體實施例。該第二具體實施例係藉由將所謂之二合金法應用於該第一具體實施例達到以達成改良可燒結性之目的，明確地說藉由製備含有20至95原子%之指定稀土元素之輔助合金，粗糙粉碎該輔助合金，混合該母合金之粗製粉末與該輔助合金之粗製粉末，將該混合物磨細，緊壓及燒結。
第4圖為顯示製備本發明第二具體實施例之稀土經燒結之磁石的方法之流程圖，其與該第一具體實施例之流程圖(第1圖)不同之處在於步驟(A)與(B)之間包括混合輔助合金粉末之步驟(A’)。
步驟(A’)：混合輔助合金粉末
該方法涉及於步驟(A)與(B)之間混合多於0重量%至15重量%之輔助合金粉末與步驟(A)之微晶性合金粉末的步驟(A’)。該輔助合金具有組成R2 eKf，其中R2係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有至少一種選自Nd、Pr、Dy、Tb和Ho之元素，K係選自由Fe、Co、Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、Si、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta、W、H和F所組成的群組之一或二或多種該元素之組合，表示該合金中之原子百分比的e和f係於下述範圍：20e95及剩餘部分為f。
較佳為該輔助合金組成中之R2含有以所有R2為基準計至少80原子%，尤其是至少85原子%之Nd及/或Pr。K係依據該經燒結之磁石之所欲磁性和其他性質及粉碎性適當選擇。在該輔助合金中，伴隨雜質例如N(氮)和O(氧)可內含0.01至3原子%之量。
為了製備該輔助合金，該條帶鑄造和熔融物淬冷法與普通熔融和鑄造法一樣適用。在K係H(氫)之情況下，氫係藉由將該合金暴露於氫氣氛中且於100至300℃下任意加熱吸收於該鑄造合金。
將該輔助合金粗糙粉碎成粉末之步驟可靠針磨機等或氫爆裂進行機械粉碎。在K含有氫之情況下，上述氫吸收處理也擔任氫爆裂之任務。依此方式，將該輔助合金粗糙粉碎成0.05至3mm，尤其是0.05至1.5mm之重量平均 粒徑。
將該輔助合金粉末與量達15重量%之步驟(A)的微晶性合金粉末混合。若所混合之輔助合金粉末量超過15重量%，表示該磁石之非鐵磁性組分增加，所以磁性可能降低。據了解若該微晶性合金係衍生自該母合金組合物以確保包括充裕富稀土相，則不需要添加該輔助合金。
接下來將該微晶性合金粉末與輔助合金粉末之混合物細磨成微細粉末。細磨可以，例如，靠使用高壓氮之噴射式磨機，按照第一具體實施例進行，且較佳磨成重量平均粒徑為1至30μm，尤其是1至5μm，之各向異性多晶性微細粉末。若該微晶性合金粉末與輔助合金粉末之間的研磨難易度大大不同，彼等可分開研磨且之後混在一起。
之後，進行與第一具體實施例相同之步驟以製造平均粒徑為0.2至2μm之R-Fe-B經燒結之磁石。
實施例
下文提供實施例以便進一步例示本發明，但是本發明不限於此。
實施例1及比較例1
按照下述製備稀土經燒結之磁石。
基本上由14.5原子% Nd、0.5原子% Al、0.2原子% Cu、0.1原子% Ga、0.1原子% Zr、6.2原子% B及剩餘部分之Fe組成的帶狀母合金係藉由條帶鑄造技術製備，明 確地說藉由使用純度為至少99重量%之Nd、Al、Cu、Zr和Fe金屬，純度為99.9999重量%之Ga及硼鐵合金，在Ar氣氛中高頻加熱以便熔融，並將該熔融物澆鑄於銅製單冷卻輥上。在由此獲得之母合金中，沉澱細粒(細粒邊界相)之間的距離係平均4μm。
依據第5圖所示之曲線對該母合金施以HDDR和擴散處理。明確地說，將該母合金置於氣氛被抽空至1Pa或更低之真空度之爐中，並同時開始加熱。當達到300℃時，將氫及氬之混合物供入該爐以便建立10kPa之氫分壓PH2。將該爐進一步加熱至850℃。接下來，如加氫處理，保持該溫度，將氫及氬之混合物供入該爐以便建立50kPa之氫分壓PH2(在30分鐘內)，且接著僅將氫供入該爐以便建立100kPa之氫分壓PH2(在1小時內)。接下來，如氫脫附，將溫度提高並維持於870℃，將氫及氬之混合物供入該爐以便建立5kPa之氫分壓PH2(在1小時內)，且之後，中斷氣體供料，抽空至1Pa或更低之真空度(在1小時內)。隨後，如擴散處理，持續在真空中於850℃下加熱經過200分鐘。接著，在真空中將該合金冷卻至300℃，且最後，供入氬氣，冷卻至室溫。
這一系列熱處理產生主相晶粒具有0.3μm之平均粒徑且該細粒邊界相具有6nm之平均寬度的微晶性合金。
接下來，使該合金暴露於室溫下之0.11MPa的氫氣氛以便使氫吸收，加熱達500℃同時真空泵抽以便使氫部分脫附，冷卻，並篩分，收集在50個篩目以下之粗製粉 末為微晶性合金粉末。
靠著使用高壓氮氣之噴射式磨機將該微晶性合金粉末微細粉末化成重量平均粒徑4μm之微細粉末。該微細粉末係於50kOe之脈衝磁場中磁化並在約1ton/cm2之壓力下於氮氣氛中緊壓，同時在15kOe之磁場中定向。隨後將該壓坯置於燒結爐中使彼在氬氣氛中於1,050℃燒結經過1小時。該壓坯進一步於550℃下熱處理1小時，產生經燒結之磁塊T1。
在比較例1中，省略第5圖之HDDR和擴散處理。該條帶鑄造合金依照實施例1之後續步驟處理，產生普通經燒結之磁塊S1。
表1表列室溫下之磁性及這些磁塊之平均粒徑。利用最大外加磁場為1,989kA/m之BH示蹤器測定磁性。該平均粒徑由該磁塊截面之SEM影像算出。
已經證實憑藉著主相晶粒藉由該HDDR處理先微米化成0.3μm之晶粒微米化效應，且彼等在後續燒結步驟時之生長完全受到該擴散處理所創造之6nm平均寬度之細粒邊界相限制，磁塊T1產生比習用經燒結之磁石製造方法所得到的磁塊S1高之矯頑力。
實施例2及比較例2
按照下述製備稀土經燒結之磁石。
基本上由12原子% Nd、2.5原子% Pr、0.3原子% Al、0.15原子% Cu、0.05原子% Ga、0.08原子% Zr、6.1原子% B及剩餘部分之Fe組成的帶狀母合金係藉由條帶鑄造技術製備，明確地說藉由使用純度為至少99重量%之Nd、Pr、Al、Cu、Zr和Fe金屬，純度為99.9999重量%之Ga及硼鐵合金，在Ar氣氛中高頻加熱以便熔融，並將該熔融物澆鑄於銅製單冷卻輥上。在由此獲得之母合金中，沉澱細粒(細粒邊界相)之間的距離係平均3.7μm。
依據第6圖所示之曲線對該母合金施以HDDR和擴散處理。明確地說，將該母合金置於氣氛被抽空至1Pa或更低之真空度之爐中，並同時開始加熱。當達到300℃時，將氫及氬之混合物供入該爐以便建立10kPa之氫分壓PH2。將該爐進一步加熱至850℃。接下來，如加氫處理，保持該溫度，將氫及氬之混合物供入該爐以便建立50kPa之氫分壓PH2(在30分鐘內)，且接著僅將氫供入該爐以便建立100kPa之氫分壓PH2(在1小時內)。接下來，如氫脫附，將溫度保持於850℃，將氫及氬之混合物供入該爐以便建立5kPa之氫分壓PH2(在1小時內)，且之後，中斷氣體供料，抽空至1Pa或更低之真空度(在1小時內)。隨後，如擴散處理，持續在真空中於870℃下加熱經過200分鐘。接著，在真空中將該合金冷卻至300℃，且最後，供入氬氣，冷卻至室溫。
這一系列熱處理產生主相晶粒具有0.25μm之平均粒徑且該細粒邊界相具有6nm之平均寬度的微晶性合金。
接下來，使該合金暴露於室溫下之0.11MPa的氫氣氛以便使氫吸收，加熱達500℃同時真空泵抽以便使氫部分脫附，冷卻，並篩分，收集在50個篩目以下之粗製粉末為微晶性合金粉末。
靠著使用高壓氮氣之噴射式磨機將該微晶性合金粉末微細粉末化成重量平均粒徑4.5μm之微細粉末。該微細粉末係於50kOe之脈衝磁場中磁化並在約1ton/cm2之壓力下於氮氣氛中緊壓，同時在15kOe之磁場中定向。隨後將該壓坯置於燒結爐中使彼在氬氣氛中於1,050℃下燒結經過1小時。該壓坯進一步於550℃下熱處理1小時，產生經燒結之磁塊T2。
在比較例2中，將上述組合物之起始材料高頻熔融並澆鑄於平模中。對該鑄造合金施以第6圖之HDDR和擴散處理、粉末化、緊壓、燒結及燒結後熱處理，產生經燒結之磁塊S2。
表2表列室溫下之磁性及這些磁塊之平均粒徑。測量方法與實施例1相同。
該磁塊T2顯示高矯頑力及最大能量產物。儘管除了該鑄造步驟以外組成相同且處理歷史相同，但是該磁塊S2顯示低矯頑力及低值之最大能量產物，反映出差的方正度。理由是該習用鑄造步驟所獲得之合金構造具有寬廣之粒徑分佈及富稀土相之沉澱細粒之間的長距離，其防止細粒邊界相均勻形成以便在該HDDR處理之後的擴散處理時圍繞主相晶粒，且結果，一些次微米細粒在該燒結步驟時進行細粒生長。已經證實該鑄造步驟所產生之結構形態學對製造在本發明範疇以內之經燒結之磁石很重要。
實施例3及比較例3
按照下述製備稀土經燒結之磁石。
基本上由13原子% Nd、0.5原子% Al、0.3原子% Cu、0.1原子% Ga、0.07原子% Nb、6.1原子% B及剩餘部分之Fe組成的帶狀母合金係藉由條帶鑄造技術製備，明確地說藉由使用純度為至少99重量%之Nd、Al、Cu、Nb和Fe金屬，純度為99.9999重量%之Ga及硼鐵合金，在Ar氣氛中高頻加熱以便熔融，並將該熔融物澆鑄於銅製單冷卻輥上。在由此獲得之母合金中，沉澱細粒(細粒邊界相)之間的距離係平均4μm。
依據第5圖所示之曲線對該母合金施以HDDR和擴散處理，產生主相晶粒具有0.3μm之平均粒徑且該細粒邊界相具有6nm之平均寬度的微晶性合金。
接下來，使該合金暴露於室溫下之0.11MPa的氫氣 氛以便使氫吸收，加熱達500℃同時真空泵抽以便使氫部分脫附，冷卻，並篩分，收集在50個篩目以下之粗製粉末為微晶性合金粉末A3。
單獨地，基本上由30原子% Nd、25原子% Fe及剩餘部分之Co組成的合金係藉由稱取純度為至少99重量%之Nd、Fe及Co金屬，在Ar氣氛中高頻加熱以便熔融，並將該熔融物澆鑄於平模中製備。使該合金暴露於室溫下之0.11MPa的氫以便使氫吸收，並篩分，收集在50個篩目以下之粗製粉末。經吸收氫之合金具有由16.6原子% Nd、13.8原子% Fe、24.9原子% Co及44.8原子% H(氫)所組成之組成。將此標註成輔助合金粉末B3。
接下來，依照90重量%和10重量%之量稱取微晶性合金粉末A3和輔助合金粉末B3，並在經氮洗淨之V形攪拌器中混合30分鐘。靠著使用高壓氮氣之噴射式磨機將該粉末混合物微細粉末化成重量平均粒徑4μm之微細粉末。該微細粉末係於50kOe之脈衝磁場中磁化並在約1ton/cm2之壓力下於氮氣氛中緊壓，同時在15kOe之磁場中定向。隨後將該壓坯置於燒結爐中使彼在氬氣氛中於1,060℃下燒結經過1小時。該壓坯進一步於550℃下熱處理1小時，產生磁塊T3。
在比較例3中，按照下述製備磁塊S3。依據第7圖所示之曲線對該條帶鑄造合金僅施以HDDR處理。明確地說，將該母合金置於氣氛被抽空至1Pa或更低之真空度之爐中，並同時開始加熱。當達到300℃時，將氫及氬之 混合物供入該爐以便建立10kPa之氫分壓PH2。將該爐進一步加熱至850℃。接下來，如加氫處理，保持該溫度，將氫及氬之混合物供入該爐以便建立50kPa之氫分壓PH2(在30分鐘內)，且接著僅將氫供入該爐以便建立100kPa之氫分壓PH2(在1小時內)。接下來，如氫脫附，將溫度提高並維持於870℃，將氫及氬之混合物供入該爐以便建立5kPa之氫分壓PH2(在1小時內)，且之後，中斷氣體供料，抽空至1Pa或更低之真空度(在1小時內)。之後，在真空中將該合金冷卻至300℃，且最後，供入氬氣，冷卻至室溫。
這一系列熱處理產生主相晶粒具有0.3μm之平均粒徑且該細粒邊界相具有1.8nm之平均寬度的微晶性合金。對此合金施以上述之氫爆裂，產生微晶性合金粉末P3。
接下來，依照90重量%和10重量%之量稱取微晶性合金粉末P3和輔助合金粉末B3，並在經氮洗淨之V形攪拌器中混合30分鐘。後續步驟與實施例3相同。依此方式，使用HDDR處理之後沒進行擴散處理之合金製造經燒結之磁塊S3。
表3表列室溫下之磁性及這些磁塊之平均粒徑。測量方法與實施例1相同。
與發明性磁塊T3相比時，HDDR處理之後沒進行擴散處理之磁塊S3具有約50kA/m之較低值矯頑力及45kJ/m3之較低值最大能量產物。在磁塊S3中，因為有些主相晶粒經歷大到數十微米之不正常細粒生長，所以主相晶粒具有12.8μm之平均粒徑，比普通經燒結之磁石大。隨著比較例3中僅進行HDDR處理，細粒邊界相沒形成足夠之寬度，且主相晶粒傾向在該燒結步驟時進行細粒生長。已經證實次微米主相晶粒在該燒結步驟以前被足夠寬度之細粒邊界相均勻圍繞的結構形態學對製造在本發明範疇以內之經燒結之磁石很重要。
儘管本發明已經參照較佳具體實施例描述過，但是咸了解熟悉此技藝者將會明白可以完成許多變化且可以等效物取代其元件而不會悖離本發明之範疇。因此，預期本發明不限於預料能用於進行本發明之最佳模式所揭露的特定具體實施例，但是本發明能包括所有落在後附之申請專利範圍之範疇以內的所有具體實施例。

Claims (6)

  1. 一種製備包含Nd2Fe14B晶相為主相之R-Fe-B稀土經燒結的磁石之方法，其中R係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有Nd及/或Pr，該方法包含步驟(A)：製備微晶性合金粉末，該步驟(A)包括子步驟(a)：將具有R1 aTbMcAd組成之合金鑄造成條帶，其中R1係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有Nd及/或Pr，T係Fe或Fe和Co，M係選自由Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、Si、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W所組成的群組之二或多種元素的組合且基本上含有Al和Cu，A係B(硼)或B和C(碳)，表示該合金中之原子百分比的"a"至"d"係於下述範圍：12.5a18，0.2c10，5d10，且剩餘部分為b，且該合金基本上由Nd2Fe14B晶相之晶粒及富R1相之沉澱細粒組成，該富R1相之細粒係依照沉澱細粒間之平均距離達20μm之分佈沉澱，子步驟(b)：在氫氣氛中於700至1,000℃下加熱該條帶鑄造合金以引發歧化反應以使該Nd2Fe14B晶相歧化成R1氫化物、Fe和Fe2B，隨後在降低之氫分壓下於700至1,000℃下加熱該合金以使彼等再結合成Nd2Fe14B晶相，藉以形成平均粒徑為0.1至1μm之次微米晶粒的HDDR處理， 子步驟(c)：在真空或惰性氣體氣氛中於600至1,000℃之溫度下加熱該經HDDR處理之合金達1至50小時，藉以製備微晶性合金粉末的擴散處理，該微晶性合金粉末基本上由平均粒徑為0.1至1μm之Nd2Fe14B晶相的次微米晶粒及超越2至10nm之平均寬度且圍繞該次微米晶粒之富R1細粒邊界相組成，步驟(B)：將該微晶性合金粉末粉末化成微細粉末，步驟(C)：在磁場中將該微細粉末緊壓成壓坯，及步驟(D)：在真空或惰性氣體氣氛中於900至1,100℃下加熱該壓坯以進行燒結，藉以產生平均粒徑為0.2至2μm之R-Fe-B稀土經燒結之磁石。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其另包含介於步驟(A)與(B)之間的步驟(A’)：混合多於0重量%至15重量%之輔助合金粉末與步驟(A)之微晶性合金粉末，該輔助合金具有組成R2 eKf，其中R2係選自包括Sc和Y在內之多種稀土元素之一或二或多種該元素之組合且基本上含有至少一種選自Nd、Pr、Dy、Tb和Ho之元素，K係選自由Fe、Co、Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、Si、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta、W、H和F所組成的群組之之一或二或多種該元素之組合，表示該合金中之原子百分比的e和f係於下述範圍：20e95及剩餘部分為f，步驟(B)包括將該微晶性合金粉末和該輔助合金粉末之混合物粉末化成微細粉末。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該微晶性合金粉末組成中之R1含有以所有R1為基準計至少80原子%之Nd及/或Pr。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該微晶性合金粉末組成中之T含有以所有T為基準計至少85原子%之Fe。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該燒結步驟(D)之後，於比該燒結溫度低之溫度下進行熱處理。
  6. 一種稀土經燒結之磁石，其係藉由如申請專利範圍第1項之方法製備。
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