JP6645306B2 - R−t−b系焼結磁石 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態に係るR−T−B系焼結磁石について説明する。図1に示すように本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石は、R−T−B系化合物からなる主相結晶粒子1と、主相結晶粒子1の間に存在する粒界2からなり、粒界2は二個の主相結晶粒子により囲まれて構成される二粒子粒界3と三個以上の主相結晶粒子により囲まれて構成されNリッチ相を有しない粒界多重点4と、三個以上の主相結晶粒子により囲まれて構成されNリッチ相5を有する粒界多重点6からなる。
上述したような構成を有する本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石を製造する方法の一例について図面を用いて説明する。図2は、本発明の実施形態に係るR−T−B系焼結磁石を製造する方法の一例を示すフローチャートである。図2に示すように、本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石を製造する方法は以下の工程を有する。
(B)第1合金と第2合金とを粗粉砕し、第1粗粉と第2粗粉を得る粗粉砕工程(ステップS12)
(C)第2粗粉の一部を窒化雰囲気で加熱し第3粗粉を得る窒化工程(ステップS13)
(D)第1粗粉と第2粗粉と第3粗粉を混合する混合工程(ステップS14)
(E)混合した粗粉を微粉砕し微粉を得る微粉砕工程(ステップS15)
(F)得られた微粉を成形し成形体を得る成形工程(ステップS16)
(G)得られた成形体を焼結し、R−T−B系焼結磁石を得る焼結工程(ステップS17)
(H)得られたR−T−B系焼結磁石を時効処理する時効処理工程(ステップS18)
(I)得られたR−T−B系焼結磁石を任意の形状に加工する加工工程(ステップS19)
(J)R−T−B系焼結磁石の粒界中に重希土類元素を拡散させる粒界拡散工程(ステップS20)
(K)R−T−B系焼結磁石に表面処理を行う表面処理工程(ステップS21)
本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石における主に主相を構成する元となる組成の合金(第1合金)と粒界相を構成する元となる組成の合金(第2合金)とを準備する。この工程では本実施形態に係るR−T−B系焼結磁石の組成に対応する原料金属を、真空またはArガスなどの不活性雰囲気中で溶解した後、これを用いて鋳造を行うことによって所望の組成を有する第1合金および第2合金を作製する。なお、本実施形態では、第1合金と第2合金の2種類の合金を用いる場合におけるR−T−B系焼結磁石の作製方法について説明するが、焼結体組織におけるNリッチ相を有する粒界多重点の個数割合を制御することが出来るなら1合金法によるR−T−B系焼結磁石作製方法でもよい。
粗粉砕工程は、第1合金及び第2合金を平均粒子径が数百μmから数mmにまで細かくする工程である。100℃以下で合金に水素を吸蔵させたのち800℃以下で脱水素することにより粗粉砕を行う(水素吸蔵粉砕)のが一般的であるが、平均粒子径が数百μmから数mmのサイズまで粉砕できるのであれば、水素吸蔵粉砕に限定されない。この工程によって合金のサイズが小さくなるため、後の微粉砕工程での粉砕助剤がより均一に混合され粉砕効率が向上する。この粗粉砕工程ではロータリーキルンを用いるとより粗粉が均一に微細化され微粉砕効率が上がるためより好ましい。
粗粉砕工程で得られた第2粗粉の一部をN2ガスやNH3ガスなどの窒化雰囲気で加熱しながら窒化処理を行い、窒素を多く含有する第3粗粉を得る。この加熱条件は、400℃から700℃で1時間から5時間であることが好ましい。
混合工程は、粗粉砕工程と窒化工程で得られた第1粗粉、第2粗粉、第3粗粉を不活性雰囲気下で任意の割合に混合し、微粉砕を行うための粗粉を準備する工程である。窒素を多く含有する第3粗粉の混合割合を変えることによって、最終的に得られるR−T−B系焼結磁石においてNリッチ相を有する粒界多重点の個数比率を制御することが出来る。
混合工程で得られた粗粉を平均粒子径が数μm程度になるまで微粉砕を行い、微粉を得る。この微粉砕は粉砕時間や処理に要するエネルギーやメディア種やメディア径を適宜調整しながらジェットミル、ボールミル、振動ミル、湿式アトライター等の微粉砕機を用いて粗粉のさらなる粉砕を行うことで実施される。この微粉砕工程ではN量をコントロールするためにArなどの不活性雰囲気で処理を行うことが好ましい。
微粉砕工程で得られた微粉を目的の形状に成形する。この工程では微粉砕工程にて得られた微粉を電磁石間に配置された金型内に充填して加圧することによって、微粉を任意の形状に成形する。成形は電磁石に電流を流すことで磁場を印加しながら行う。この磁場印加によって微粉に所定の配向を生じさせ、結晶軸を配向させた状態で磁場中成形する。これによって得られた成形体は、特定方向に配向するので、より磁性の強い異方性を有するR−T−B系焼結磁石が得られる。
成形工程で得られた成形体を真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結し、R−T−B系焼結磁石を得る。焼結は、組成、粉砕方法、粒径、粒度分布など、諸条件により調整する必要があるが、成形体に対して1000℃以上1200℃以下で1時間以上48時間以下の条件で行うことが出来る。これにより、焼結中に成形体内で液相が生じる液相焼結を行うことが出来るため、主相体積比率が向上したR−T−B系焼結磁石を得ることが出来る。また、生産性の観点から焼結体は急冷することが好ましい。
焼結工程ののち、得られたR−T−B系焼結磁石に対して焼結時より低温で保持するなどの時効処理を行う。時効処理は例えば700℃以上900℃以下の温度で1時間から3時間加熱する二段階加熱や、600℃付近の温度で1時間から3時間加熱する1段階加熱等、R−T−B系焼結磁石の組成や焼結温度などによって適宜条件を調整する。このような時効処理によってR−T−B系焼結磁石の磁気特性を向上させることが出来る。また、時効処理工程は、加工工程(ステップS18)や粒界拡散工程(ステップS19)の後に行ってもよい。また、この時効処理を施した後は、生産性の観点から急冷することが好ましい。
得られたR−T−B系焼結磁石を、必要に応じて所望の形状に加工する。加工方法は例えば、ワイヤーソーや円周刃を用いた切断加工やバーチカル装置を用いた研削加工、バレル研磨などの面取り加工などが挙げられる。
加工されたR−T−B系焼結磁石の粒界に対して、さらに重希土類元素を拡散させる工程を有してもよい。粒界拡散は、塗布または蒸着等により重希土類元素を含む化合物をR−T−B系焼結磁石の表面に付着させた後、熱処理を行うことや、重希土類元素の蒸気を含む雰囲気中でR−T−B系焼結磁石に対して熱処理を行うことにより実施することが出来る。これにより、R−T−B系焼結磁石の保磁力をさらに向上させることが出来る。
以上の工程により得られたR−T−B系焼結磁石は、めっきや樹脂被膜や酸化処理、化成処理などの表面処理を施してもよい。これにより耐食性をさらに向上させることが出来る。
まず、表1に示す組成でストリップキャスティング法(SC法)により、第1合金(a−1)と第2合金(a−2)を準備した。第1合金は主に焼結体の主相となるような組成で作製し、第2合金は主に焼結体の粒界相を形成するような組成で作製した。
上記の第1粗粉と第2粗粉を90:10で混合し微粉砕での分級条件を変え主相結晶粒子の平均粒径が3.5μmとなるよう微粉粒径の制御を行い、成型条件、焼結条件、時効条件は実験例1〜5と同じくし、実験例6のR−T−B系焼結磁石を得た。
表1に示した組成の第1合金(b−1)と第2合金(b−2)を準備し、表2に示す配合比率で粗粉を混合し、焼結後の主相結晶粒子の平均粒径が2.0μmとなるよう微粉砕工程における分級条件を変えた点以外は実験例1〜5と同様にすることで、実験例7〜10のR−T−B系焼結磁石を作製した。
表1に示した組成の第1合金(c−1)と第2合金(c−2)を準備し、表2に示す配合比率で粗粉を混合し、焼結後の主相結晶粒子の平均粒径が1.0μmとなるよう微粉砕工程における分級条件を変えた点以外は実験例1〜5と同様にすることで、実験例11〜14のR−T−B系焼結磁石を作製した。
表1に示した組成の第1合金(d−1)と第2合金(d−2)を準備し、表2に示す配合比率で粗粉を混合し、焼結後の主相結晶粒子の平均粒径が0.8μmとなるよう微粉砕工程における分級条件を変えた点以外は実験例1〜5と同様にすることで、実験例15〜18のR−T−B系焼結磁石を作製した。また、今回の実験では微粉砕での分級条件を制御しても主相結晶粒子の平均粒径が0.8μm未満となるR−T−B系焼結磁石を得られなかった。
実験例1〜18にて得られたR−T−B系焼結磁石について、蛍光X線分析法、不活性ガス融解−非分散型赤外線吸収法、酸素気流中燃焼−赤外線吸収法、不活性ガス融解−熱伝導度法及びICP−MS法により組成分析を行った。この結果を表2に示す。
実験例1〜18にて得られたR−T−B系焼結磁石について、主相結晶粒子の配向方向に垂直な断面を慎重に加工速度を制御しながら切り出し、その切断面をバフ研磨した後イオンミリングで削り、最表面の酸化等の影響を除いた後、SEM(走査型電子顕微鏡)で断面内の任意の5か所の50μm角の領域の観察を行った。SEMで撮影した反射電子像の画像を所定レベルで2値化し、主相結晶粒子と粒界を特定し、観察範囲内の全ての主相結晶粒子の面積をそれぞれ画像解析により算出した。個々の主相結晶粒子の面積を有する円の直径(円相当径)を、それぞれの主相結晶粒子の粒径とし、主相結晶粒子の平均粒径を求めた。この結果も表3に合わせて示す。なお、2値化は反射電子像の信号強度を基準に行った。反射電子像の信号強度は原子番号が大きい元素の含有量が多いほど強くなることが知られている。粒界部分には、原子番号の大きい希土類元素が主相部分よりも多く存在しており、所定レベルで2値化して主相結晶粒子と粒界とを特定することは一般的に行われる方法である。
実験例1〜18にて得られたR−T−B系焼結磁石の加工性の評価を行った。方法として、R−T−B系焼結磁石を、内周刃で6mm/min、10mm/min、12mm/minと3種類の速度で10.00mm×10.00mm×10.00mmのサイズに加工し、それぞれの加工面を3点ずつマイクロメータで測定し、それらの平均値を出し加工寸法精度を調べた。加工の際、火花、カケが発生し加工できないもの、又は加工寸法が10.00mmから0.05mm以上がずれたものは×、加工寸法が10.00mmから0.05mm未満のズレであれば○とした。この結果も表3に示す。加工速度が6mm/min以上で加工可能であればR−T−B系焼結磁石の生産が可能であるが、6mm/minで加工不可能であればR−T−B系焼結磁石の生産性が著しく悪いため、R−T−B系焼結磁石の生産が不可能であると判断した。この結果から主相結晶粒子の平均粒径が3.5μmであればNリッチ相を有する粒界多重点の個数比率が70%未満であっても良好な加工性を有し、主相結晶粒子の平均粒径が2.8μmのR−T−B系焼結磁石においてNリッチ相を有する粒界多重点の個数比率が70%以上であれば内周刃での加工が可能であることが分かった。 また、Nリッチ相を有する粒界多重点の個数比率が80%以上であれば、さらに内周刃加工速度を高めても加工が可能であり、さらに加工性が向上することが分かった。
内周刃加工したR−T−B系焼結磁石を高さ1000mmからコンクリートに落下させカケを確認する自由落下試験をそれぞれ10個ずつ行い、試験前後のR−T−B系焼結磁石の重量を比較した。(重量変化が0.1%以下の磁石の個数)/10の値について表3に示す。その結果、Nリッチ相を有する粒界多重点の個数比率が90%を超えると機械強度がやや低下し、95%を超えるとさらに低下する傾向があることが判明した。
実験例1〜18のR−T−B系焼結磁石の磁気特性をB−Hトレーサーを用いて測定した。各R−T−B系焼結磁石の残留磁束密度(Br)と保磁力(HcJ)の値も表3に示す。
2 粒界
3 二粒子粒界
4 Nリッチ相を有しない粒界多重点
5 Nリッチ相
6 Nリッチ相を有する粒界多重点
Claims (2)
- 希土類元素(R)、FeまたはFeおよびCoを必須とする少なくとも一種以上の鉄族元素(T)およびホウ素(B)を主成分とするR−T−B系化合物からなる主相結晶粒子と、粒界を有するR−T−B系焼結磁石であって、前記R−T−B系焼結磁石は0.11質量%以上0.20質量%以下の窒素(N)を含み、前記主相結晶粒子の平均粒径が2.8μm以下であり、三個以上の主相結晶粒子により囲まれて構成される粒界多重点中に、前記主相結晶粒子よりも、Nの原子濃度が高いNリッチ相を有し、前記R−T−B系焼結磁石の切断面における粒界多重点の個数のうち、Nリッチ相を有する粒界多重点の個数比率が70%以上であることを特徴とするR−T−B系焼結磁石。
- 前記Nリッチ相を有する粒界多重点の個数比率が70%以上90%以下である請求項1に記載のR−T−B系焼結磁石。
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