CN114068169B - 一种节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,包括:步骤一、制备扩散剂:合金粉Ⅰ为TbH3粉、TbF3粉或TbAlCuGa合金粉中的一种,合金粉Ⅰ与HoH3粉、无水乙醇、固化液混合;步骤二、将扩散剂涂覆于基材表面;于真空度下,150℃保温1~2 h;350~550℃保温1~2 h;750~870℃,真空度保持在5.0×10‑2~1.0×10‑1 Pa之间,保温;抽真空,900~1000℃,保温10~20 h;真空度85~100 Kpa,冷却。本发明具有减少Dy和Tb的用量且提高永磁体矫顽力的有益效果。本发明公开了一种永磁体,具有Dy和Tb的用量少,且矫顽力高的有益效果。
Description
技术领域
本发明涉及烧结钕铁硼材料应用领域。更具体地说,本发明涉及一种节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体及其制备方法。
背景技术
但是Dy、Tb稀土是战略性资源,存储有限,价格昂贵,目前的扩散技术,大量的在使用Tb、Dy,造成Dy、Tb的效能发挥有限,因此,设计研究减少Tb、Dy的使用量,但又能够显示提升钕铁硼磁体矫顽力的方法是值得探索的。
发明内容
本发明的一个目的是解决至少上述问题,并提供至少后面将说明的优点。
本发明提供一种节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的方法,包括以下步骤:
步骤一、制备扩散剂:
合金粉Ⅰ与HoH3粉按质量比为1~3:1混合得合金粉Ⅱ,40~70wt%的合金粉Ⅱ、28~58wt%的无水乙醇、1~5wt%固化液混合,于无氧环境放置8 h以上;
步骤二、在氧含量低于0.02%的密闭环境中,将扩散剂涂覆于切片的烧结磁体渗透基材表面;
于真空度为1.0×10-2 Pa以下,升温至150℃,保温1~2 h;
继续升温至350~550℃保温1~2 h;
继续升温至750~870℃,并充入氩气或氦气,使真空度保持在5.0×10-2~1.0×10-1Pa之间,保温3~10 h;
抽真空使真空度为1.0×10-2 Pa以下,继续升温至900~1000℃,保温10~20 h;
充入氩气或氦气至85~100 KPa,冷却即得扩散磁体。
R:28.5 ~32.5 wt%;
B:0.80 ~1.05 wt%;
M:0 ~3 wt%,剩余部分为T和杂质;
其中,R为Pr、Nd中的至少一种,其占比为90~100 wt%,其余为La、Ce、Tb、Dy、Gd中的至少一种,其占比为0~10 wt%;
M为Cu、Al、Ga、Nb、Ti、Zr中的至少一种;
T为Fe或Fe和Co的组合,其中,Co的含量为0~5 wt%。
优选的是,烧结磁体渗透基材的制备方包括以下步骤:
将上述的原料按质量百分比配好,合金化制备得SC铸片,然后破碎、混合、再次粉碎至平均粒度至3~5 μm的粉末,混合均匀;
然后进行充磁取向压成密度3.8~4.2 g/cm³的生坯,冷等静压压实;
然后于真空环境中,于1040~1080℃下烧结,得毛胚,即得烧结磁体渗透基材。
优选的是,烧结磁体渗透基材的切片的尺寸为39 mm×10.7 mm×1.85 mm的长方体形。
优选的是,将扩散剂涂覆于烧结磁体渗透基材前,对将烧结磁体渗透基材表面打磨,然后放入除油剂溶液中进行超声波清洗,再依次经过酸洗、水洗、醇洗、第二次超声波清洗,烘干备用。
优选的是,烘干温度为55~75℃。
优选的是,固化液为PVB与硅烷偶联剂按质量比为9:1混合制得,除油剂溶液为1~5wt%的金属清洗剂水溶液,酸洗的材料为体积百分比为3~5的硝酸溶液,醇洗的材料为无水乙醇。
优选的是,采用丝网印刷或滚镀设备涂覆。
优选的是,采用电磁感应甩带炉的合金化制备出SC铸片,采用旋转式氢碎炉进行破碎,采用流化床式气流磨设备进行粉碎。
提供一种基于上述的任一项的方法制备得到的产品。
本发明至少包括以下有益效果:本发明的制备方法,可以减少Dy和Tb的用量且提高永磁体矫顽力的作用。本发明的制备方法制备得到的扩散磁体,具有Dy和Tb的用量少,且矫顽力高的有益效果。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
需要说明的是,下述实施方案中所述实验方法,如无特殊说明,均为常规方法,所述试剂和材料,如无特殊说明,均可从商业途径获得。
<原料准备>
R:28.5~32.5 wt%;
B:0.80~1.05 wt%;
M:0~3 wt%;
剩余部分为T和杂质;
其中,R为Pr、Nd中的至少一种,其占比为90~100 wt%,其余为La、Ce、Tb、Dy、Gd中的至少一种,其占比为0~10 wt%;
M为Cu、Al、Ga、Nb、Ti、Zr中的至少一种;
T为Fe或Fe和Co的组合,其中,Co的含量为0~5 wt%。
其于上述配方范围,选择制备了基材Ⅰ~Ⅴ的配方,具体如下:
基材Ⅰ的配方为:PrNd 31.8 wt%、Nd 11 wt%、Dy 0.5 wt%、Fe 66 wt%、Al 0.5wt%、Zr 0.25 wt%、B 0.95 wt%;
基材Ⅱ的配方为:Nd 29.8 wt%、Fe 69 wt%、Al 0.1 wt%、Cu 0.1 wt%、B 1 wt%;
基材Ⅲ的配方为:Pr 18 wt%、Nd 13 wt%、Fe 67 wt%、Al 0.4 wt%、Cu 0.1 wt%、Co0.6 wt%、B 0.9 wt%;
基材Ⅳ的配方为:Nd 15 wt%、Pr 14.8 wt%、Fe 68.5 wt%、Co 0.1 wt%、Cu 0.4wt%、Ga 0.3 wt%、B 0.9 wt%;
基材Ⅴ的配方为:PrNd 29.5 wt%、Fe 67.5 wt%、Co 1.5 wt%、Cu 0.25 wt%、Ti0.3 wt%、B 0.95 wt%。
基材Ⅰ~基材Ⅴ采用下述制备方法制备,包括以下步骤:
将上述原料按质量百分比配好,采用电磁感应甩带炉合金化制备得到SC铸片,然后SC铸片经过旋转式氢碎炉粗破碎得粗粉,然后粗粉经三位混粉机混合均匀,然后使用流化床式气流磨设备再次粉碎,至平均粒度为5 μm的粉末,然后再经过锥形混粉机混合均匀;
将粉末置于自动压机充磁取向压成密度为4 g/cm³的生坯,然后冷等静压机进一步压实生坯,将生坯装入真空烧结炉,在1050℃温度进行液相烧结致密化,得到毛坯,即得对应的基材Ⅰ~基材Ⅴ。
2、涂覆渗透前准备
将基材Ⅰ~基材Ⅴ进行切片处理,切成尺寸为39 mm×10.7 mm×1.85 mm的长方体形,然后对烧结磁体渗透基材表面打磨,放入除油剂溶液(2 wt%的金属清洗剂水溶液)中进行超声波清洗(频率为40 KHz,清洗90 s),再依次经过酸洗(体积百分比为5%的硝酸溶液流动冲洗30 s)、水洗(去离子水流动冲洗30 s)、醇洗(无水乙醇流动冲洗30 s)、第二次超声波清洗(频率为40 KHz,清洗90 s),烘干备用,其中,烘干温度为75℃。
<实施例1>
节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的方法,包括以下步骤:
步骤一、制备扩散剂:
合金粉Ⅰ为TbH3;
合金粉Ⅰ与HoH3粉按质量比为1:1混合得合金粉Ⅱ,40 wt%的合金粉Ⅱ、58 wt%的无水乙醇、2 wt%固化液混合,于无氧环境放置8 h,其中,固化液为PVB与硅烷偶联剂按质量比为9:1混合制得;
步骤二、将扩散剂和切片的基材Ⅰ置于氧含量低于0.02%的手套箱中,采用丝网印刷涂覆将扩散剂涂覆于基材Ⅰ表面;
于真空度为1.0×10-2 Pa,升温至150℃,保温1 h;
继续升温至350℃保温1 h;
继续升温至750℃,并充入氩气,使真空度保持在5.0×10-2Pa之间,保温3 h;
抽真空使真空度为1.0×10-2 Pa,继续升温至900℃,保温10 h;
充入氩气至85 Kpa,开风机冷却至80℃出炉,即得扩散磁体。
<实施例2>
节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的方法,包括以下步骤:
步骤一、制备扩散剂:
Al 20 wt%和Tb 80wt%混合得合金粉Ⅰ;
合金粉Ⅰ与HoH3粉按质量比为3:1混合得合金粉Ⅱ,67 wt%的合金粉Ⅱ、28 wt%的无水乙醇、5wt%固化液混合,于无氧环境放置8 h,其中,固化液为PVB与硅烷偶联剂按质量比为9:1混合制得;
步骤二、将扩散剂和切片的基材Ⅱ置于氧含量低于0.02%的手套箱中,采用丝网印刷涂覆将扩散剂涂覆于基材Ⅰ表面;
于真空度为1.0×10-2 Pa,升温至150℃,保温2 h;
继续升温至550℃保温2 h;
继续升温至870℃,并充入氩气,使真空度保持在1.0×10-1 Pa之间,保温10 h;
抽真空使真空度为1.0×10-2 Pa,继续升温至1000℃,保温20 h;
充入氩气至100 Kpa,开风机冷却至80℃出炉,即得扩散磁体。
<实施例3>
节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的方法,包括以下步骤:
步骤一、制备扩散剂:
Al为10 wt%、Cu 为10 wt%、Tb为 80wt%,混合得合金粉Ⅰ;
合金粉Ⅰ与HoH3粉按质量比为2:1混合得合金粉Ⅱ,60 wt%的合金粉Ⅱ、39 wt%的无水乙醇、1 wt%固化液混合,于无氧环境放置8 h,其中,固化液为PVB与硅烷偶联剂按质量比为9:1混合制得;
步骤二、将扩散剂和切片的基材Ⅲ置于氧含量低于0.02%的手套箱中,采用丝网印刷涂覆将扩散剂涂覆于基材Ⅰ表面;
于真空度为1.0×10-2 Pa,升温至150℃,保温1.5 h;
继续升温至400℃保温1.5 h;
继续升温至800℃,并充入氩气,使真空度保持在1.0×10-1 Pa之间,保温7 h;
抽真空使真空度为1.0×10-2 Pa,继续升温至950℃,保温15 h;
充入氩气至90 Kpa,开风机冷却至80℃出炉,即得扩散磁体。
<实施例4>
节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的方法,包括以下步骤:
步骤一、制备扩散剂:
合金粉Ⅰ为TbF3;
合金粉Ⅰ与HoH3粉按质量比为2:1混合得合金粉Ⅱ,50 wt%的合金粉Ⅱ、47 wt%的无水乙醇、3 wt%固化液混合,于无氧环境放置8 h,其中,固化液为PVB与硅烷偶联剂按质量比为9:1混合制得;
步骤二、将扩散剂和切片的基材Ⅳ置于氧含量低于0.02%的手套箱中,采用丝网印刷涂覆将扩散剂涂覆于基材Ⅰ表面;
于真空度为1.0×10-2 Pa,升温至150℃,保温1.5 h;
继续升温至400℃保温1.5 h;
继续升温至800℃,并充入氩气,使真空度保持在5.0×10-2 Pa之间,保温7 h;
抽真空使真空度为1.0×10-2 Pa,继续升温至1000℃,保温15 h;
充入氩气至90 Kpa,开风机冷却至80℃出炉,即得扩散磁体。
<实施例5>
节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的方法,包括以下步骤:
步骤一、制备扩散剂:
Al为10 wt%、Ga为10 wt%、 Tb为80wt%,混合得合金粉Ⅰ;
合金粉Ⅰ与HoH3粉按质量比为2:1混合得合金粉Ⅱ,70 wt%的合金粉Ⅱ、28 wt%的无水乙醇、2 wt%固化液混合,于无氧环境放置8 h,其中,固化液为PVB与硅烷偶联剂按质量比为9:1混合制得;
步骤二、将扩散剂和切片的基材Ⅴ置于氧含量低于0.02%的手套箱中,采用丝网印刷涂覆将扩散剂涂覆于基材Ⅰ表面;
于真空度为1.0×10-2 Pa以下,升温至150℃,保温2 h;
继续升温至400℃保温2 h;
继续升温至800℃,并充入氩气,使真空度保持在5.0×10-2 Pa之间,保温8 h;
抽真空使真空度为1.0×10-2 Pa,继续升温至1000℃,保温15 h;
充入氩气至100 Kpa,开风机冷却至80℃出炉,即得扩散磁体。
<对比例1>
将基材Ⅰ~Ⅴ分别对应采用实施例1~5的扩散工艺进行扩散,其中,不同的是,扩散剂中未添加HoH3。
<对比例2>
将基材Ⅰ~Ⅴ采用传统扩散工艺进行扩散,扩散剂分别对应与实施例1~5相同,其中不同的是:
步骤二、将扩散剂和切片的基材Ⅰ~Ⅴ置于氧含量低于0.02%的手套箱中,采用丝网印刷涂覆将扩散剂涂覆于基材Ⅰ表面;
于真空度为1.0×10-2 Pa,升温至150℃,保温2 h;
继续升温至550℃保温2 h;
继续升温至1000℃,保温20 h;
充入氩气至100 Kpa,开风机冷却至80℃出炉,即得扩散磁体。
<对比例3>
所用基材和扩散方法同实施例5,其中,不同的是步骤二中,继续升温至800℃,未充入气体,真空度保持在1.0×10-2 Pa,保温8 h。
<对比例4>
所用基材和扩散方法同实施例5,其中,不同的是步骤二中,继续升温至800℃,未充入气体,使真空度为1.0×10-2 Pa,保温8 h;
继续升温至1000℃,并充入氩气,使真空度保持在5.0×10-2Pa之间保温15 h。
<性能检测>
1、对实施例1~5和对比例1~4扩散处理得到的扩散磁体进行性能检测,结果如表1所示:
表1 常温20℃磁性能
通过对比例1的数据与实施例1~5的数据可以看出,通过加入钬可以显著减少Dy和Tb的用量,并且不会影响Hcj增量,甚至还可以获得更多的Hcj增量,达到节约Dy和Tb的用量的目的。
通过对比例2的数据与实施例1~5的数据可以看出,即使加入了钬原料,若是扩散工艺未改进,获得的Hcj增量十分有限,并不能够提升Hcj增量的效果。
通过对比例2、3、4的数据可以看出,能够显著提升Hcj增量的扩散工艺中的一个关键因素在于750~870℃和真空度保持在5.0×10-2~1.0×10-1 Pa之间保温3~10 h的处理,二者结合可以使钬在扩散顺位中,优先进入主相,从而降低Dy、Tb进入主相的趋势,利于Dy、Tb在主相表层积累更高的浓度,以更少的Dy、Tb用量,提高更多的Hcj。
2、将实施例1~5和对比例1~4扩散处理得到的扩散磁体置于140℃下处理2 h,检测热减磁率。
本发明的方法取代传统式大量地使用用昂贵重稀土Tb、Dy元素扩散,来制备双高磁性能烧结Nd-Fe-B永磁体的方法,不仅可以获得等价甚至更高的矫顽力增量,而且在成本上可以实现大幅度降低。
表2热减磁率
由表2中,对比例1与实施例1~5的数据可以发现,添加了钬,减少了Dy和Tb的用量还具有热磁稳定性。
进一步探索(对比例2、3、4)发现,扩散工艺对热磁稳定性的作用比添加钬的作用贡献更大,即750~870℃和真空度保持在5.0×10-2~1.0×10-1 Pa之间保温3~10 h的处理,可以显著增强扩散磁体的热磁稳定性。
综上所述,表面涂覆具有钬的扩散剂的扩散方法,在常温磁性能上,与传统扩散方法相比就具备获得更高矫顽力的优势,同时在其高温性能上也发挥出独特的优势,提高永磁体在高温工作环境中的稳定性。
尽管本发明的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用,它完全可以被适用于各种适合本发明的领域,对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的实施例。
Claims (10)
1.节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、制备扩散剂:
准备合金粉Ⅰ,合金粉Ⅰ为TbH3粉、TbF3粉或TbAlCuGa合金粉中的一种,其中,TbAlCuGa合金粉中Al为10~30 wt%、Cu 为0~30 wt%、Ga为0~30 wt%,其余为Tb;
合金粉Ⅰ与HoH3粉按质量比为1~3:1混合得合金粉Ⅱ,40~70wt%的合金粉Ⅱ、28~58wt%的无水乙醇、1~5wt%固化液混合,于无氧环境放置8 h以上,即得所述扩散剂;
步骤二、在氧含量低于0.02%的密闭环境中,将扩散剂涂覆于切片的烧结磁体渗透基材表面;
于真空度为1.0×10-2 Pa以下,升温至150℃,保温1~2 h;
继续升温至350~550℃保温1~2 h;
继续升温至750~870℃,并充入氩气或氦气,使真空度保持在5.0×10-2~1.0×10-1 Pa之间,保温3~10 h;
抽真空使真空度为1.0×10-2 Pa以下,继续升温至900~1000℃,保温10~20 h;
充入氩气或氦气至85~100 Kpa,冷却即得扩散磁体。
2.如权利要求1所述的节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,烧结磁体渗透基材为R-T-B系烧结磁体渗透基材,包括以下质量百分比的原料:
R:28.5~32.5wt%;
B:0.80~1.05wt%;
M:0~3wt%,剩余部分为T和杂质;
其中,R为Pr、Nd中的至少一种,其占比为90~100wt%,其余为La、Ce、Tb、Dy、Gd中的至少一种,其占比为0~10wt%;
M为Cu、Al、Ga、Nb、Ti、Zr中的至少一种;
T为Fe或Fe和Co的组合,其中,Co的含量为0~5 wt%。
3.如权利要求2所述的节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,烧结磁体渗透基材的制备方法 包括以下步骤:
将权利要求2中的原料按质量百分比配好,合金化制备得SC铸片,然后破碎、混合、再次粉碎至平均粒度至3~5 μm的粉末,混合均匀;
然后进行充磁取向压成密度3.8~4.2 g/cm³的生坯,冷等静压压实;
然后于真空环境中,于1040~1080℃下烧结,得毛胚,即得烧结磁体渗透基材。
4.如权利要求3所述的节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,烧结磁体渗透基材的切片的尺寸为39 mm×10.7 mm×1.85 mm的长方体形。
5.如权利要求3所述的节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,将扩散剂涂覆于烧结磁体渗透基材前,将烧结磁体渗透基材表面打磨,然后放入除油剂溶液中进行超声波清洗,再依次经过酸洗、水洗、醇洗、第二次超声波清洗,烘干备用。
6.如权利要求5所述的节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,烘干温度为55~75℃。
7.如权利要求5所述的节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,固化液为PVB与硅烷偶联剂按质量比为9:1混合制得,除油剂溶液为1~5 wt%的金属清洗剂水溶液,酸洗的材料为体积百分比为3~5的硝酸溶液,醇洗的材料为无水乙醇。
8.如权利要求1所述的节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,采用丝网印刷或滚镀设备涂覆。
9.如权利要求3所述的节约Dy和Tb且提高永磁体矫顽力的永磁体的制备方法,其特征在于,采用电磁感应甩带炉的合金化制备出SC铸片,采用旋转式氢碎炉进行破碎,采用流化床式气流磨设备进行粉碎。
10.基于权利要求1~9任一项所述的制备方法制备的永磁体。
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