CN112563013A - 一种晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法。1)按下列质量百分比进行配料:Nd:20.0‑21.0%;La:0.1‑0.3%;Sm:0.1‑0.3%;Cu:0.1‑0.5%;Al:0.5‑0.9%;Co:1.3‑1.6%;Ti:0.1‑0.3%;B:5.5‑6.1%;Ga:0.1‑0.3%,其余为Fe,磁体通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备;2)制备无重稀土合金的涂层;3)将烧结后的磁体进行表面清洁处理;4)将无重稀土合金涂层均匀地形成于磁体表面,并在600‑1000℃的氩气气氛下对试样进行4‑10h的保温处理;5)磁体经晶界扩散后进行退火热处理。本发明所采用的晶界扩散无重稀土钕铁硼永磁材料的方法有效提高了磁体内禀矫顽力,而不显著降低剩磁与磁能积,从而制得高性能的烧结钕铁硼磁体。
Description
技术领域
本发明属于永磁材料制备技术领域,涉及一种晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法。
技术背景
钕铁硼磁体作为第三代稀土永磁材料,已经广泛应用于人们生活的方方面面,尤其是计算机磁盘驱动器、核磁共振仪、混合动力车辆和风力发电等高新技术产业。而这些领域需要钕铁硼永磁材料具有更高的内禀矫顽力,而磁体实际的内禀矫顽力仅为理论值的1/3左右。为了提高磁体的内禀矫顽力,通常采用的方法是在熔炼时掺杂Dy和Tb来取代Nd2Fe14B中的Nd,形成Dy2Fe14B、Tb2Fe14B来提高各向异性场,从而改善磁体的内禀矫顽力。但此种方法存在两个问题:一是使剩磁和磁能积有明显下降;二是Dy和Tb属于重稀土元素,使制备磁体的成本显著增加且造成资源枯竭。
最近十年,研究者发现在烧结钕铁硼的磁体表面附有无重稀土元素的合金粉或化合物,并经合适的热处理后,磁体表面的无重稀土元素会穿过烧结体的晶界进入烧结体内部,从晶界向主相Nd2Fel4B内部扩渗,并择优分布于主相晶粒边缘,改善不均匀区各向异性,使磁体的内禀矫顽力明显提高而剩磁不降低或降低很小,而且有利于稀土元素的合理利用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶界扩散制备高内禀矫顽力无重稀土钕铁硼永磁材料的方法,能够显著提高磁体的内禀矫顽力,而剩磁与磁能积降低很小或不降低。
本发明所采用的技术方案是,一种晶界扩散制备高内禀矫顽力无重稀土钕铁硼永磁材料的方法,实现对钕铁硼磁体磁性能的调控。按照以下步骤实施:
步骤1、按下列重量百分比进行配料:Nd:20.0-21.0%;La:0.1-0.3%;Sm:0.1-0.3%;Cu:0.1-0.5%;Al:0.5-0.9%;Co:1.3-1.6%;Ti:0.1-0.3%;B:5.5-6.1%;Ga:0.1-0.3%,其余为Fe,磁体通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备;
步骤2、制备无重稀土合金的涂层,涂层成分为RExNR100-x,其中,0<x<100,RE选自稀土元素La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm中的一种或几种,NR为Co、Fe、Al、Cu、Ga、Nb、Ni、Ti、Zr、V、Nb、F、O、H中的一种或几种;
步骤3、将烧结后的磁体进行表面清洁处理;
步骤4、将无重稀土合金涂层均匀地形成于磁体表面,晶界扩散时,在600-1000℃的氩气气氛下对试样进行4-10h的保温处理;
步骤5、磁体经晶界扩散后进行退火热处理。
本发明的有益效果在于:
1)磁体表面镀层均匀,结合强度高,有利于磁体微观组织及性能的均匀性;
2)通过晶界扩散的方法避免扩散源金属、合金的浪费,节约成本;
3)在本发明所采用的晶界扩散方法中,通过调控处理的温度与时间,使其扩散进入晶粒内部的稀土元素析出,使其主要集中分布在晶粒表层与晶界处,抑制稀土元素在晶粒芯部的扩散,从而减轻甚至消除由于稀土元素扩散所引起的磁体剩磁降低问题,从而获得有益的综合磁性能。
附图说明
图1为实施例3所获得磁体的扫描电镜图;
图2为实施例4所获得磁体的扫描电镜图;
图3为通过本申请的实施例制得的烧结钕铁硼磁体在室温下的磁性能。
具体实施方式
下面结合具体实例实施例对本发明的原理及特征进行详细描述,所举实例实施例仅用于解释本发明,并不限定于本发明的范围。
实施例1
步骤1、按下列质量百分比进行配料:Nd:20%;La:0.1%;Sm:0.1%;Cu:0.5%;Al:0.5%;Co:1.3%;Ti:0.1%;B:5.5%;Ga:0.1%,其余为Fe,通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备N45H钕铁硼磁体,其磁性能Br为1.337T,内禀矫顽力Hcj为1432kA/m,磁能积(BH)max为318.7kJ/m3,密度为7.52g/cm3。
步骤2、将氧化镨粉、无水乙醇按照一定的比例混合,再利用球磨机对混合后的溶液进行球磨搅拌,使溶液混合均匀。
步骤3、用线切割的方法将N45H磁体切割成Φ5×10的圆柱试样并对试样进行粗磨、细磨、抛光、酸洗、水洗等一系列处理。
步骤4、将表面清洁处理后的磁体放入含有氧化镨混合溶液中,彻底烘干,使磁体表面得到一层氧化镨涂层,放入真空烧结炉中。炉体的真空度达到10-2量级,以10℃/min升温至900℃,在氩气气氛中保温5h。
步骤5、对晶界扩散处理后的磁体在450℃下保温2h,测得试样的磁性能。
实施例2
步骤1、按下列质量百分比进行配料:Nd:20.3%;La:0.1%;Sm:0.1%;Cu:0.6%;Al:0.6%;Co:1.4%;Ti:0.2%;B:5.5%;Ga:0.1%,其余为Fe,通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备N45H钕铁硼磁体,其磁性能Br为1.355T,内禀矫顽力Hcj为1425kA/m,磁能积(BH)max为257.8kJ/m3,密度为7.52g/cm3。
步骤2、将氧化镨粉、无水乙醇按照一定的比例混合,再利用球磨机对混合后的溶液进行球磨搅拌,使溶液混合均匀。
步骤3、用线切割的方法将N45H磁体切割成Φ5×10的圆柱试样并对试样进行粗磨、细磨、抛光、酸洗、水洗等一系列处理。
步骤4、将表面清洁处理后的磁体放入含有氧化镨混合溶液中,彻底烘干,使磁体表面得到一层氧化镨涂层,放入真空烧结炉中。炉体的真空度达到10-2量级,以10℃/min升温至900℃,在氩气气氛中保温5h。
步骤5、对晶界扩散处理后的磁体在500℃下保温2h,测得试样的磁性能。
实施例3
步骤1、按下列质量百分比进行配料:Nd:20.5%;La:0.2%;Sm:0.2%;Cu:0.6%;Al:0.7%;Co:1.4%;Ti:0.2%;B:5.5%;Ga:0.1%,其余为Fe,通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备N45H钕铁硼磁体,其磁性能Br为1.336T,内禀矫顽力Hcj为1307kA/m,磁能积(BH)max为252.7kJ/m3,密度为7.45g/cm3。
步骤2、将氧化镨粉、无水乙醇按照一定的比例混合,再利用球磨机对混合后的溶液进行球磨搅拌,使溶液混合均匀。
步骤3、用线切割的方法将N45H磁体切割成Φ5×10的圆柱试样并对试样进行粗磨、细磨、抛光、酸洗、水洗等一系列处理。
步骤4、将表面清洁处理后的磁体放入含有氧化镨混合溶液中,彻底烘干,使磁体表面得到一层氧化镨涂层,放入真空烧结炉中。炉体的真空度达到10-2量级,以10℃/min升温至900℃,在氩气气氛中保温5h。
步骤5、对晶界扩散处理后的磁体在550℃下保温2h,测得试样的磁性能。
图1为实施例3所获得磁体的扫描电镜图。
实施例4
步骤1、按下列质量百分比进行配料:Nd:20.7%;La:0.1%;Sm:0.2%;Cu:0.6%;Al:0.6%;Co:1.4%;Ti:0.2%;B:5.5%;Ga:0.2%,其余为Fe,通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备N45H钕铁硼磁体,其磁性能Br为1.329T,内禀矫顽力Hcj为1305kA/m,磁能积(BH)max为259.6kJ/m3,密度为7.49g/cm3。
步骤2、将氧化镨粉、无水乙醇按照一定的比例混合,再利用球磨机对混合后的溶液进行球磨搅拌,使溶液混合均匀。
步骤3、用线切割的方法将N45H磁体切割成Φ5×10的圆柱试样并对试样进行粗磨、细磨、抛光、酸洗、水洗等一系列处理。
步骤4、将表面清洁处理后的磁体放入含有氧化镨混合溶液中,彻底烘干,使磁体表面得到一层氧化镨涂层,放入真空烧结炉中。炉体的真空度达到10-2量级,以10℃/min升温至900℃,在氩气气氛中保温5h。
步骤5、对晶界扩散处理后的磁体在600℃下保温2h,测得试样的磁性能。
图2为实施例4所获得磁体的扫描电镜图。
上述实施例制得的烧结钕铁硼永磁材料在室温下的磁性能如图3所示。
由图3所示的数据可看出,通过晶界扩散后的磁体内禀矫顽力有了明显的提高,在450℃退火处理后样品的内禀矫顽力提升效果最佳,从1007kA/m提高到1432kA/m,相应提高了29.7%。随着退火温度的升高,内禀矫顽力的提升幅度降低,在500℃退火后内禀矫顽力增加到1425kA/m,相应提高了29.4%。经过550℃退火处理后增加到1307kA/m,内禀矫顽力相应提高了23%,经过600℃退火处理后只增加到1305kA/m,内禀矫顽力相应提高了21%。对比退火前及不同温度下磁体的剩磁,发现剩磁变化并不显著。磁体的剩磁稳定在1.32-1.36T附近。对比不同温度下磁体的最大磁能积,发现磁体的最大磁能积有不同程度的降低,降幅不大。
Claims (4)
1.一种制备方法,是晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、按下列质量百分比进行配料:Nd:20.0-21.0%;La:0.1-0.3%;Sm:0.1-0.3%;Cu:0.1-0.5%;Al:0.5-0.9%;Co:1.3-1.6%;Ti:0.1-0.3%;B:5.5-6.1%;Ga:0.1-0.3%,其余为Fe,磁体通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备;
步骤2、制备无重稀土合金的涂层,涂层成分为RExNR100-x,其中,0<x<100,RE选自稀土元素La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm中的一种或几种,NR为Co、Fe、Al、Cu、Ga、Nb、Ni、Ti、Zr、V、Nb、F、O、H中的一种或几种;
步骤3、将烧结后的所述磁体进行表面清洁处理;
步骤4、将无重稀土合金涂层均匀地形成于所述磁体表面,晶界扩散时,在600-1000℃的氩气气氛下对试样进行4-10h的保温处理;
步骤5、所述磁体经晶界扩散后进行退火热处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤4中,采用涂覆、溅射、沉积、电泳方式将所述无重稀土合金涂层均匀地形成于磁体表面。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤4中,要使炉体的真空度达到10-2量级,升温速率为10℃/min,再升温到600-1000℃,保温4-10h,保温结束后充入Ar气冷却。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤5中,退火热处理的温度为400-600℃,保持该温度2-3h后充入氩气冷却到90℃以下。
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