TW200947790A - Dye-sensitized photoelectric conversion element module, manufacturing method thereof, photoelectric conversion element module, and manufacturing method thereof, as well as electronic apparatus - Google Patents

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Description

200947790 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 此發明乃關於色素增感光電變換元件模組及其製造方 法，以及光電變換元件模組及其製造方法以及電子機器’ 對於例如使用載持色素之半導體微粒子所成之色素增感半 導體層之色素增感太陽能電池模組及各種電子機器，適用 且最佳之構成。 ❹ 【先前技術】 作爲能源而使用石碳或石油等之石化燃料的情況，因 其結果產生的二氧化碳，將招致地球的暖化。另外，對於 使用原子能的情況係伴隨有經由放射線的污染之危險性。 就談論環境問題的現在，依存於此等能源之情況係有許多 重大問題。 另一方面，將太陽光變換成電量之光電變換裝置的太 〇 陽能電池，係將太陽光作爲能量源之故，對於地球環境的 影響極小，期待有更進一層的普及。 作爲太陽能電池之材質係有各式各樣，但市售多爲使 用矽之構成’而此等係大略區分爲使用單結晶或多結晶的 矽之結晶矽系太陽電池，和使用非晶質（非晶形）矽系太 陽能電池。以往，對於太陽能電池，係多採用單結晶或多 結晶的矽，即結晶矽。 但是’在結晶砂系太陽能電池中，顯示將光（太陽） 能變換爲電能之性能的光變換效率，比較於非晶形矽太陽 -5- 200947790 能電池雖高’但對於結晶成長需許多的能量和時間之故， 生產性會變低，在成本面上不利。 另外’非晶質矽系太陽能電池，係有較結晶矽系太陽 能電池光吸收性高，基板的選擇範圍廣，大面積化容易等 之特徵’但光變換效率乃較結晶矽系太陽能電池爲低。更 且’非晶質砂系太陽能電池’生產性較結晶砂系太陽能電 池爲高，但與結晶矽系太陽能電池同樣地，在製造時需要 真空處理，在設備面上的負擔仍舊相當大。。 另一方面，朝向太陽能電池之更低成本化，硏究許多 取代矽系材料而使用有機材料之太陽能電池。但，其太陽 能電池的光變換效率係1 %以下非常的低，而對於耐久性 亦有問題。 在如此作爲中，報告有使用經由色素加以增感之半導 體爲例子的廉價之太陽能電池（参照Nature, 3 53，p.737-740， 1991) 。 此太陽 能電池 乃將對 於增感 色素使 用釕複 合物而作爲分光增感的氧化鈦多孔質薄膜，作爲光電極之 濕式太陽能電池，即電性化學光電池。其色素增感太陽能 電池的優點係可採用廉價之氧化鈦，可實現增感色素的光 吸收遍佈至8 00nm爲止之寬廣可視光波長域者，和光電 變換的量子效率爲高，高能量變換效率者。另外，對於製 造無需真空處理之故，而無需大型的設備等。更且’其色 素增感太陽能電池係具有「透視」、「可撓性」、「鮮豔 」等，對於以往之矽系太陽能電池無構思之故’在世界上 成爲注目。 -6- 200947790 近年，開發色素增感太陽能電池模組的動作處於活躍 化。在其色素增感太陽能電池模組之中，特別是活躍地進 行作爲支撐基材，使用塑料基板之可撓性太陽能電池模組 的開發。但，在一般的色素增感太陽能電池模組之製造工 程，爲了形成使用於色素增感半導體層之多孔質半導體層 的燒成處理乃必要，但如上述，作爲支撐基材而使用塑料 基板之情況，由於塑料基板的耐熱溫度（玻璃轉移溫度） @ 之關係，只能將燒成實之加熱溫度提昇至150°C程度者。 因此，所得到之多孔質半導體層的結晶性或粒子間的結合 狀態變差，並在如此狀態下，電子導電性爲低之故，使用 塑料基板之色素增感太陽能電池模組的發電效率係對於使 用玻璃基板者而言，下降一半以上乃爲現狀。 因此，作爲欲解決此發明之課題，係提供可以輕量且 薄形而構成而構成可撓性，並且可得到高發電效率之色素 增感太陽能電池模組等之色素增感光電變換元件模組及其 φ 製造方法，以及使用上述之優越色素增感光電變換元件模 組之電子機器。 作爲欲解決此發明之課題，係對於更一般而言，提供 可以輕量且薄形而構成而構成可撓性，並且可得到高發電 效率之包含色素增感太陽能電池模組或矽系太陽能電池等 之各種太陽能電池模組等之光電變換元件模組及其製造方 法，以及使用上述之優越光電變換元件模組之電子機器。 【發明內容】 200947790 爲了解決上述課題，第1發明乃屬於 於支撐基材上，具有複數之色素增感光電變換元件之 色素增感光電變換元件模組，其特徵乃 作爲上述支撐基材而使用厚度爲〇.2mm以下之薄膜 玻璃基板，且於上述色素增感光電變換元件模組之至少一 方的面，黏接有具有上述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹 脂系的保護薄膜者。 在其第1發明，經由作爲支撐基材而使用薄膜玻璃基 板者，在使用於色素增感半導體層之多孔質半導體層的形 成時，例如可以500°C程度之高溫，進行燒成處理之故， 多孔質半導體層的結晶性或粒子的結合狀態乃變爲良好， 從可得到高電子傳導性之情況，可得到高發電效率。另外 ，厚度爲0.2mm以下之薄膜玻璃基板係與塑料基板同樣 地，可容易地彎曲，不只是可撓性，且爲輕量。薄膜玻璃 基板係厚度越小越容易彎曲，雖亦關連於輕量化，但厚度 過小時，機械強度乃變爲過低之故，從此等觀點，存在有 理想的厚度，具體而言，0.01〜0.2 mm爲佳。其厚度爲 0.2mm以下之薄膜玻璃基板係亦可經由根據硏磨薄化更厚 之玻璃基板者而製作’亦可從最初使用製作爲其厚度之薄 膜玻璃基板。其薄膜玻璃基板的材質係特別無加以限制， 可使用以往公知之各種者，從其中做適當的選擇。其薄膜 玻璃基板係因應必要’亦可經由強化玻璃化而增加機械強 度者。 另一方面，當厚度爲0.2mm以下時，薄的薄膜玻璃 -8- 200947790 基板係於表面或端面，存在有微小的龜裂產生或傷等時， 有容易產生斷裂。即，薄膜玻璃基板之機械強度係依存於 其薄膜玻璃基板之表面或端面之平滑性也不爲過。因此， 爲了防止薄膜玻璃基板之斷裂，進而防止色素增感光電變 換元件模組的防止，於色素增感光電變換元件模組之至少 一方的面，期望爲兩面，黏接具有其薄膜玻璃基板大小以 上尺寸之樹脂系的保護薄膜。經由將色素增感光電變換元 φ 件模組之至少一方的面之全面，經由其保護薄膜加以被覆 者，可謀求對於其色素增感光電變換元件模組的彎曲之機 械性強度之大幅提昇，可使薄膜玻璃基板的斷裂飛躍地減 少，進而可防止色素增感光電變換元件模組之破壞者。爲 了謀求對於彎曲之色素增感光電變換元件模組之機械性強 度之更一層提昇，經由其保護薄膜，被覆薄膜玻璃基板之 端面之至少一部分，最佳爲盡可能爲多的部份爲佳。因此 ，對於僅於色素增感光電變換元件模組之一方的面黏接保 〇 護薄膜之情況，將其保護薄膜摺疊而被覆薄膜玻璃基板之 端面者爲佳，對於於色素增感光電變換元件模組之兩面黏 接保護薄膜之情況，將此等保護薄膜之間，在從薄膜玻璃 基板露出的部份加以接合，被覆薄膜玻璃基板之端面爲佳 。薄膜玻璃基板之端面的保護係對於其薄膜玻璃基板之外 週全體而言進行爲佳，薄膜玻璃基板乃多角形，對於彎曲 的邊乃1邊以上決定之情況，作爲至少呈被覆其1邊以上 的端面者爲佳。作爲黏接於色素增感光電變換元件模組之 光入射側的面之保護薄膜及黏接劑，係使用透明的構成° -9- 200947790 在其色素增感光電變換元件模組’典型而言，於薄膜 玻璃基板上之複數的範圍，各具有透明導電層’於其透明 導電層上，依序層積色素增感半導體層5多孔質絕緣層及 對極，構成色素增感光電變換元件，於色素增感光電變換 元件模組之色素增感光電變換元件側的面’黏接保護薄膜 ，經由其保護薄膜而被覆色素增感光電變換元件。對於相 互地電性串連連接薄膜玻璃基板上之複數色素增感光電變 換元件之情況，在相互鄰接之2個之色素增感光電變換元 件之間的部份，相互電性連接1個之色素增感光電變換元 件的透明導電層，和另1個之色素增感光電變換元件的對 極。對於色素增感半導體層及多孔質絕緣層，典型而言， 加上於色素增感半導體層及多孔質絕緣層，對於對極亦浸 含有電解質。形成於薄膜玻璃基板之複數的範圍之透明導 電層係亦可在層積色素增感半導體層、多孔質絕緣層及對 極之前，作爲圖案化，亦可在層積色素增感半導體層、多 孔質絕緣層及對極之後，作爲圖案化。其圖案化係可經由 以往公知之各種蝕刻法，雷射切割，物理性硏磨加工等而 進行者。 形成於薄膜玻璃基板之透明導電層的表面阻抗（薄片 阻抗）係越低爲佳。具體而言，透明導電層之表面阻抗乃 5 00 Ω/ □以下爲佳，而1〇〇 Ω/ □爲更佳。作爲其透明 導電層之材料乃可使用公知的材料，具體而言可列舉銦-錫複合氧化物（ITO)、摻雜氟之Sn02(FT0)、摻雜銻 之 Sn02(AT0) 、Sn02、ZnO、銦·鋅複合氧化物（IZO) 200947790 等，但並不限定於此等，另外，而亦可將此等組合2種以 上而使用。另外，以降低形成透明導電層於其薄膜玻璃基 板之透明導電性基板的表面阻抗，使集電效率提昇之目的 ，於其薄膜玻璃基板上，亦可另外設置導電性高之金屬等 或碳等之導電材料所成之配線。對於使用於其配線之導電 材料'雖未特別加以限制，以耐蝕性、耐氧化性高，導電材 料本身之漏電流爲低者爲佳。 Q 色素增感半導體層係典型而言，載持色素之半導體微 粒子所成之多孔質半導體層。做爲半導體微粒子之材料， 除了矽爲代表之元素半導體材料之外，可使用各種之化合 物半導體，具有鈣鈦礦構造之化合物等。此等之半導體材 料乃在光激發下，傳導帶電子呈載體，產生陽極電流之η 型半導體者爲佳。此等半導體係當具體例示時，爲Ti02 、ZnO、W03 ' Nb205、TiSr03、Sn02 等，在此等之中， 銳鈦礦型之Ti〇2乃特別理想。半導體的種類係並無限定 Φ 於此等，另外，亦可將此等作爲混合2種以上地加以使用 。又，半導體微粒子乃依需要可呈粒狀、管狀、棒狀等之 各種形態。 對於半導體微粒小之粒徑，雖未特別加以限制，一次 粒子之平均粒徑爲1〜200nm爲佳，尤以5〜100nm更佳 。另外，亦可於其平均粒徑的半導體微粒子，混合較其平 均粒徑爲大之平均粒徑的半導體微粒子，經由平均粒徑大 之半導體微粒子，使入射光散亂，而可提升量子產率。此 情況，另外混合之半導體微粒子之平均粒徑爲20〜500nm -11 - 200947790 爲佳。 半導體微粒子所成之半導體層之製膜方法雖未特別加 以限定，考量物性、方便性、製造成本等之時，以濕式製 膜者爲佳’以調製將半導體微粒子之粉末或溶膠均勻分散 於水或有機溶媒等之溶劑，塗佈於透明導電性基板上之方 法爲佳。塗佈係對於其方法無特別加以限制，可依照公知 的方法加以進行’例如可使用浸漬法、噴霧法、環棒式塗 佈法、旋塗法、輥塗佈法、刮刀塗佈、照相凹版塗佈法等 _ ，又做爲濕式印刷方法，例如可經由凸版、膠版、照相凹 版、凹版印刷法、橡膠版及網版印刷法等各種方法而進行 。作爲半導體爲例子的材料而使用結晶氧化鈦之情況，其 結晶型係銳鈦礦型乃從光觸媒活性的點爲佳。銳鈦礦型氧 化鈦乃可爲市售之粉末狀、溶膠狀或淤漿狀，或經由加水 分解氧化鈦醇鹽等之分知方法，形成特定之粒徑者亦可。 使用市售之粉末時，解除粒子之二次凝聚者爲佳，於塗佈 液之調製時，使用乳鉢或球磨機或超音波分散裝置等，進 q 行粒子之粉碎爲佳。此時，爲防止解除二次凝聚之粒子的 再度凝聚，可添加乙醯丙酮、鹽酸、硝酸、界面活性劑及 螯合劑等。又，爲增加之黏性，可添加多聚氧化乙烯或聚 乙烯醇等之高分子，纖維素系之增黏劑等之各種增黏劑等 〇 由半導體微粒子所成之半導體層，換言之，半導體微 粒子層係呈可吸付多的增感色素地，表面積爲大之構成者 爲佳。爲此，將半導體微粒子層塗設於支撐體上之狀態的 -12- 200947790 表面積乃對於投影面積而言，爲10倍以上者爲佳，更且 爲1 00倍以上者更佳。此上限雖無特別加以限制，但通常 爲1 000倍之程度。半導體微粒子係一般而言，其厚度越 增加，對每單位投影面積之載持色素量越增加之故，光的 擷取率則變高，但所注入之電子的擴散距離增加之故，經 由電荷再結合之損失亦變大。隨之，對於半導體微粒子層 雖存在較佳之厚，但其厚度一般而言，爲0.1〜100/zm， 更佳爲1〜50"m，尤其更佳爲3〜30/zm。半導體微粒子 層係在塗不虞支撐體之後，使粒子之間做電子性接觸，爲 使膜強度提昇或提昇與基板的密著性，進行燒成者爲佳。 燒成溫度之範圍雖未特別加以限制，溫度過高之時，基板 之電阻會變高，更且，有熔融之情形，通常以40°C〜700 °C爲佳，更佳爲40°C〜650°C。又，燒成時間雖亦無特別 限制，通常爲10分〜10小時程度。燒成後，在增加半導 體微粒子層之表面積，爲提高半導體微粒子間之頸縮之下 〇 目的下，例如可進行使用四氯化鈦水溶液之化學電鍍，或 使用三氯化钛水溶液之頸縮處理，或直徑l〇nm以下之半 導體氧化鈦超微粒子溶膠的浸漬處理。 例如做爲載持於半導體層之色素，如爲顯示增感作用 之構成，並無特別加以限制，但可列舉若丹明B、玫瑰紅 、曙红、红霉素等之氧雜蔥系色素、部花青、隱花青等花 青系色素、酚藏花红、卡布利藍、硫代西涅、亞甲基藍等 之鹽基性染料、葉綠素、鋅卟啉、鎂卟啉等之卟咻系化合 物，作爲其他之構成，可舉出偶氮色素、酞花青系化合物 -13- 200947790 、香豆素系化合物、Ru聯吡啶錯化合物、Ru三聯吡啶錯 化合物、蒽醌系色素、多環醌系色素、方酸鎗等。此等之 中，尤以Ru聯吡啶錯化合物係量子產率爲高，特別理想 。但，增感色素係並無限定於此等，另外，亦可將此等增 感色素作爲混合2種以上地加以使用。 對於係吸付於色素之半導體層之方法，雖未特別加以 限制，亦可將上述之增感色素以例如溶解於醇類、腈類、 硝基甲烷、鹵化碳化氫、醚類、二甲亞碾、醯胺類、N-甲 υ 基吡咯烷酮、1，3-二甲基咪唑啉二酮、3-甲基噁唑烷酮、 酯類、碳酸酯類、酮類、碳化氫、及水等溶劑，於此浸漬 半導體層，或將色素溶液塗佈於半導體層上。另外，對於 使用酸性度高之色素情況，以減少色素間之會合，亦可添 加脫氧膽酸等。 在吸付增感色素之後，以促進過度吸附之增感色素的 除去爲目的，亦可使用胺類，處理半導體電極之表面。做 爲胺類之例，可列舉吡啶、4-特-丁基吡啶、聚乙烯吡咯 〇 烷酮等，此等乃液體之情況係亦可直接使用，亦可溶解於 有機溶劑而使用。。 多孔質絕緣層之材料係如爲未具導電性之材料’並無 特別加以限制，但特別使用包含選自Zr、Al、Ti、Si、Zn 、评及Nb所成的群之中至少1種以上的元素之氧化物， 其中，使用之氧化物，其中’使用氧化鉻，氧化鋁’二氧 化鈦，二氧化矽等者爲佳，典型來說矽使用其氧化物之微 粒子。其多孔質絕緣層之空孔率乃1 0%以上者爲佳。對於 -14- 200947790 空孔率的上限雖無限制，從其多孔質絕緣層之物理性的強 度之觀點’通常乃10〜80 %程度爲佳。當空孔率乃10 %以 下時’對於電解質之擴散帶來影響’顯著地使色素增感光 電變換元件模組之特性下降。另外，其多孔質絕緣層的細 孔徑乃1〜l〇〇〇nm爲佳。當細孔徑乃未達lnm時，對於 電解質之擴散或色素帶來影響，使色素增感光電變換元件 模組之特性下降。更且，細孔徑乃較lOOOnm爲大時，於 φ 多孔質絕緣層中侵入有對極之觸媒粒子之故，有產生短路 之虞。對於其多孔質絕緣層之製造方法雖無限制，但上述 氧化物粒子的燒結體者爲佳。 對於對極的材料並無特別加以限制，具有觸媒活性之 物質本身乃如具有導電性，可直接使用，對於觸媒本身未 具有導電性之情況，亦可組合導電性物質與具有觸媒活性 之物質而使用者。對極係具體而言，例如含有選自Pt、 Ru、Ir及C所成的群之至少一種以上的元素者爲佳，其 ❹ 中，包含Pt或C者爲佳，特別包含C之材料的炭黑乃爲 廉價之故而爲理想。 對極係於金屬或合金所成的箔之多孔質絕緣層側的單 面，具有觸媒層者，或經由具有觸媒能之材料所成的箔而 構成亦可。經由如此作爲，可薄化構成對極之故，可進行 色素增感光電變換元件模組的薄型化及輕量化。另外’構 成對極之金屬或合金所成的箔之材料及具有觸媒層之材料 係選擇幅度，無在對極的材料面之限制。更且，色素增感 半導體層與對極係由多孔質絕緣層所間隔之故，可防止色 -15- 200947790 素增感半導體層的色素乃附著對極者，不會產生特性的劣 化。構成其對極之金屬或合金所成的箔係使用含有選自 Ti、Ni、Cr、Fe、Nb、Ta、W、Co及Zr所成的群之至少 1種類以上元素之金屬或合金所成的箔者爲佳。設置於金 屬或合金所成的箔之多孔質絕緣層側的單面之觸媒層，或 具有觸媒層之材料乃包含選自Pt、Ru、Ir及C所成的群 之至少1種以上元素者爲佳。從色素增感光電變換元件模 組的薄型化觀點，對極的厚度，即金屬或合金所成的箔與 觸媒層的厚度之合計或具有觸媒層之材料所成的箔之厚度 乃0.1mm以下者爲佳。對於於金屬或合金所成的箔之上 方載持觸媒層，係可使用濕式塗佈含有觸媒或觸媒之前驅 體之溶液的方法，或濺鍍法，真空蒸鍍法，化學氣相成長 (CVD )等之乾式法等。此情況，對極與透明導電層係亦 可相互直接接合，亦可藉由導電材料加以接合。後者之情 況，具體而言，將對極與透明導電層，例如經由導電性黏 接劑或融點爲3 00 °C以下之低融點金屬或合金相互加以接 合。作爲導電性黏接劑，可使用市售的銀，碳，鎳，銅膠 漿等之外，亦可使用異向性導電性黏接劑或薄膜狀之構成 。另外，亦可使用可接合於透明導電層之In或In-Sn系 焊料等各種低融點金屬或合金。另外，對於對極與透明導 電層之接合部與電解質直接接觸之情況，亦可作爲由樹脂 等保護接合部而防止與電解質之接觸。 保護薄膜的材質係如爲樹脂系，並無特別加以限定， 但最佳係使用具有高氣體阻障性之材料，具體而言，例如 200947790 使用氧透過度爲100 ( CC/ m2/ day / atm )以下、水蒸氣 透過度乃100 ( g/m2/day)以下者。作爲其保護薄膜， 係例如使用由食品外裝薄膜等所代表之氣體阻障性薄膜， 最佳係使用層積選自鋁，二氧化矽及氧化鋁所成的群之至 少1種類以上之氣體阻障材料之氣體阻障性薄膜等。其保 護薄膜係最佳爲使用適當之黏接劑，在減壓下或不活性氣 體環境中加以密封。經由將如此的保護薄膜，設置於色素 φ 增感光電變換元件模組之色素增感光電變換元件側的面或 薄膜玻璃基板之背面側之時，因可防止從外部浸透氧等之 氣體或水蒸氣等於色素增感光電變換元件模組的內部，故 可抑制光電變換效率等之特性的劣化，進而可謀求色素增 感光電變換元件模組之耐久性的提升。使用於保護薄膜的 黏接之黏接層的材質係並無特別加以限定，但使用氣體阻 障性高，對於化學性不活性，電性絕緣性之材料爲佳，具 體而言，可使用樹脂，玻璃料等，更具體而言，例如可使 〇 用環氧樹脂’胺甲酸乙酯樹脂，聚矽氧樹脂，丙烯酸樹脂 等之各種紫外線（UV)硬化型樹脂，各種熱硬化型樹脂 ’熱熔樹脂’低熔點玻璃料等。其黏接層係與保護薄膜作 爲一體化者爲佳，但並不限定於此。 電解質係除了碘（12)與金屬碘化物或有機碘化物之 組合’溴（Br2 )與金屬溴化物或有機溴化物之組合以外 ’可使用亞鐵化氰酸鹽/鐵氰酸鹽或二茂鐵/鐵錫離子等 之金屬複合物，聚硫化鈉，烷基硫醇基/烷基二硫化物等 之硫化合物’紫羅城色素，對苯二酚/醌等。作爲金屬化 -17- 200947790 合物之陽離子乃Li、Na、K、Mg、Ca、Cs等，作爲有機化 合物之陽離子乃四烷基銨基類，啦啶類，咪唑類等之4級銨 化合物爲佳，但並不限於此等，另外亦可將此等做2種以 上混合使用。其中，組合12與Lil、Nal或咪唑碘鹽等之 4級銨化合物之電解質爲佳。電解質鹽之濃度乃對於溶媒 而言，較佳爲0.05M〜10M、更佳爲0.2M〜3M。12或Br2 之濃度，較佳爲 0.0005M〜1M、更佳爲 0.001M〜0.3M。 另外，提升開放電壓爲目的下，可加上4-特-丁基吡啶所 _ 代表之氨系化合物所成之添加劑。 做爲構成電解液之溶媒，雖可列舉水、醇類、醚類、 酯類、碳酸酯類、內酯類、羧酸酯、磷酸三酯類、雜環化 合物類、腈類、酮類、胺類、硝基甲烷、鹵素化碳化氫、 二甲亞楓、環丁碾、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基咪唑啉 二酮、3 -甲基噁唑烷酮、碳化氫等，但非限定於此，亦可 將此等做混合2種以上加以使用。更且，做爲溶媒’亦可 使用四烷基系、吡啶系、咪唑系第4級銨鹽之離子性液體 ❹ 〇 爲減少色素增感型光電變換元件之漏液、電解液之揮 發之目的下，於上述電解質構成物，溶解凝膠劑、聚合物 或交聯單體等之外，亦可使無機陶瓷粒子分散’做爲凝膠 狀電解質加以使用。凝膠矩陣與電解質組成物的比率乃如 電解質組成物爲多時’離子導電率變高’但機械性強度下 降，相反地，如電解質組成物過少時’機械性強度爲大’ 但離子導電率下降之故’電解質組成物係期望爲凝膠狀電 • 18 - 200947790 解質之50〜99wt%，而更佳爲80〜97wt%。另外，由將上 述電解質與可塑劑溶解於聚合物，揮發可塑劑加以除去， 亦可實現全固體型之色素光增感光電變換元件模組。 色素光增感光電變換元件模組的製造方法並無特別加 以限定，但考慮各層的厚度，生產性，圖案精確度等時， 對於在吸付色素前之半導體層，多孔質絕緣層，對極及接 觸層，更且對極乃具有觸媒層者之情況，其觸媒層係全部 0 經由網版印刷或噴墨塗佈等之濕式塗佈法而形成者爲佳， 特別是經由網版印刷而形成者爲佳。在吸付色素前之半導 體層及多孔質絕緣層係經由含有構成各個層之粒子的塗漿 的塗佈，燒成而形成者爲佳。各自的空孔率係經由塗漿的 黏合成分與粒子的比而加以決定。對極亦同樣地經由塗漿 的塗佈，燒成而形成者爲佳，但對於對極之色素附著乃對 於特性有影響之情況，在形成至半導體層及多孔質絕緣層 的階段，於半導體層吸付色素，之後於多孔質絕緣層上形 〇 成對極亦可。經由於金屬或合金所成的箔之多孔質絕緣層 側的單面具有觸媒層者，構成對極之情況，係將其金屬或 合金所成的箔上之觸媒層’朝向多孔質絕緣層，與旁邊的 色素增感光電變換元件之透明導電層接合。爲使電解質含 於各色素增感光電變換元件之色素增感半導體層或多孔質 絕緣層等之電解質的塡充’例如可使用酚配器或印刷’噴 墨等之方法而進行。但’在串連地連接複數之色素增感光 電變換元件之色素增感光電變換元件模組中’經由流出有 電解質者而在色素增感光電變換元件間產生短路之故’添 -19- 200947790 加浸含於各色素增感光電變換元件之色素增感半導體層或 多孔質絕緣層等之量以上的量之電解質者爲佳。 色素增感光電變換元件模組乃對應於該用途，可以各 種形狀加以製作，該形狀則未特別加以限定。色素增感光 電變換元件模組乃對於最典型而言，作爲色素增感太陽能 電池模組而加以構成。但，色素增感光電變換元件模組乃 除色素增感太陽能電池模組之外，例如亦可爲色素增感光 感測器。 0 第2發明， 屬於於支撐基材上，具有複數之色素增感光電變換元 件之色素增感光電變換元件模組之製造方法，其特徵乃具 有： 作爲上述支撐基材而使用厚度爲0.2mm以下之薄膜 玻璃基板，於其薄膜玻璃基板上形成上述複數之色素增感 光電變換元件，形成色素增感光電變換元件模組的工程， 和於上述色素增感光電變換元件模組之至少一方的面 Q ，黏接有具有上述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹脂系的 保護薄膜的工程者。 在其色素增感光電變換元件模組之製造方法，典型而 言，於透明導電層上，依序層積色素增感半導體層，多孔 質絕緣層及對極而形成色素增感光電變換元件時，在相互 鄰接之2個之色素增感光電變換元件之間的部份，相互電 性連接1個之色素增感光電變換元件的透明導電層，和另 1個之色素增感光電變換元件的對極。 -20- 200947790 在第2發明，上述以外的情況係在不違反其性質，關 連於第1發明而說明者乃成立° 第3發明， 針對使用色素增感光電變換元件模組之電子機器， 上述色素增感光電變換元件模組乃屬於 於支撐基材上，具有複數之色素增感光電變換元件之 色素增感光電變換元件模組，其特徵乃 @ 作爲上述支撐基材而使用厚度爲0.2mm以下之薄膜 玻璃基板，且於上述色素增感光電變換元件模組之至少一 方的面，黏接有具有上述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹 脂系的保護薄膜者。 電子機器係基本尙上可爲任何構成，包含攜帶型之構 成和放置型之構成雙方，但舉出具體例時，有行動電話， 移動機器，機器人，個人電腦，車載機器，各種家庭電器 製品等。此情況，色素增感光電變換元件模組係例如作爲 Φ 此等電子機器之電源所使用之色素增感太陽能電池模組。 在第3發明，上述以外的情況係在不違反其性質，關 連於第1發明而說明者乃成立。 第4發明， 一種於支撐基材上，具有複數之光電變換元件之光電 變換元件模組，其特徵乃 作爲上述支撐基材而使用厚度爲〇.2mm以下之薄膜 玻璃基板，且於上述色素增感光電變換元件模組之至少一 方的面，黏接有具有上述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹 -21 - 200947790 脂系的保護薄膜者。 第5發明， 一種於支撐基材上，具有複數之光電變換元件之光電 變換元件模組之製造方法，其特徵乃具有： 作爲上述支撐基材而使用厚度爲〇.2mm以下之薄膜 玻璃基板，於其薄膜玻璃基板上形成上述複數之光電變換 元件，形成上述光電變換元件模組的工程， 和於上述光電變換元件模組之至少一方的面，黏接有 q 具有上述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹脂系的保護薄膜 的工程者。 第6發明， 針對使用光電變換元件模組之電子機器， 上述光電變換元件模組乃屬於 於支撐基材上，具有複數之光電變換元件之光電變換 元件模組，其特徵乃作爲上述支撐基材而使用厚度爲 0.2mm以下之薄膜玻璃基板，且於上述光電變換元件模組 0 之至少一方的面，黏接有具有上述薄膜玻璃基板大小以上 尺寸之樹脂系的保護薄膜者。 在第4〜第6發明，對於光電變換元件，不只色素增 感太陽能電池等之色素增感光電變換元件，亦包含有矽系 太陽能電池等之以往公知的光電變換元件。 在第4〜第6發明，上述以外的情況係在不違反其性 質，關連於第1〜第3發明而說明者乃成立。 在如以上所構成之此發明，作爲支撐基材所使用之厚 -22- 200947790 度乃0.2mm以下薄的薄膜玻璃基板乃可撓性，且輕量。 另外，經由黏接於色素增感光電變換元件模組或光電變換 元件模組之至少一方的面，具有薄膜玻璃基板大小以上尺 寸之樹脂系的保護薄膜，可謀求色素增感光電變換元件模 組或光電變換元件模組之機械性強度的提升。加上，其薄 膜玻璃基板係亦可承受在500 °C程度之溫度的加熱。因此 ，在色素增感光電變換元件中，在使用於色素增感半導體 層之多孔質半導體層的形成時，例如可以500°C程度之高 溫，進行燒成處理之故，多孔質半導體層的結晶性或粒子 的結合狀態乃變爲良好，從可得到高電子傳導性之情況’ 進而可得到高發電效率。另外，在矽系光電變換元件中， 可將矽膜的成膜或熱處理等之處理，在至500°C程度之高 溫度進行之故，可得到良質的矽膜’進而可得到高發電效 率。 如根據此發明，可實現以輕量且薄型構成爲可撓性’ 且可得到高發電效率之色素增感光電變換元件模組或光電 變換元件模組。並且，可使用其優越之色素增感光電變換 元件模組或光電變換元件模組之而實現高性能之電子機器 【實施方式】 以下，對於本發明之實施形態，參照圖面同時加以說 明。然而，在以下的實施型態，對於同一或對應之部分則 附上同一符號。 -23- 200947790 圖1〜圖3乃顯示根據本發明之第1實施形態之色素 增感光電變換元件模組。在此，圖1乃其色素增感光電變 換元件模組之剖面圖，圖2乃其色素增感型光電變換元件 模組之要部剖面圖，圖3乃其色素增感光電變換元件模組 之平面圖。圖1乃相當於沿著圖3之X-X線之剖面圖， 圖2係相當於沿著圖3之X-X線之一部分擴大剖面圖。 如圖1〜圖3所示，在其色素增感型光電變換元件模 組，於絕緣性，且透明之薄膜玻璃基板1上，複數，相互 _ 平行地設置條紋狀之透明導電層。其薄膜玻璃基板1之厚 度係作爲〇.2mm以下，最佳爲〇.〇1〜〇.2mm。對於各透明 導電層2上，依序層積各延伸存在於與透明導電層2同一 方向之條紋狀的色素增感半導體層3，多孔質半導體層4 及對極5，構成色素增感光電變換元件。至少於色素增感 半導體層3及多孔質絕緣層4之全體，典型而言，於此等 色素增感半導體層3及多孔質絕緣層4與對極5之全體， 浸含有電解質。此情況，色素增感半導體層3的寬度乃較 0 透明導電層2爲小，鄰接於透明導電層2之長度方向的一 邊之部分則露出。多孔質絕緣層4之寬度乃較色素增感半 導體層3的寬度爲大，呈被覆色素增感半導體層3之全體 地加以設置。多孔質絕緣層4之一端係沿著色素增感半導 體層3之一方的側面而延伸存在，與薄膜玻璃基板1接合 ，另一端係沿著色素增感半導體層3之另一方的側面而延 伸存在，與透明導電層2接合。另外，1個之色素增感光 電變換元件的對極5之一端係與鄰接之色素增感光電變換 -24- 200947790 元件之透明導電層2加以接合。由此，相互電性串連地連 接複數之色素增感光電變換元件。在圖1及圖3，圖示有 串連地連接8個色素增感光電變換元件之情況，但串連地 連接之色素增感光電變換元件的數量係因應於必要而加以 選擇，當然並不限定於8個。對於形成有此等之串聯連接 之複數色素增感光電變換元件之一端的色素增感光電變換 元件之透明導電層2，係連接有取出電極6，對於鄰接於 φ 形成有另一端之色素增感光電變換元件之透明導電層2加 以形成，連接其色素增感光電變換元件之對極5的一端之 透明導電層2，係連接取出電極7。於各色素增感光電變 換元件之間的對極5與多孔質絕緣層4之間的部份及對極 5的全面，設置黏接層8，於其黏接層8的全面，黏接較 薄膜玻璃基板1尺寸爲大之樹脂系的保護薄膜9。另一方 面，於薄膜玻璃基板1背面之全體，設置黏接層1〇，於 其黏接層10的全面，黏接較薄膜玻璃基板1尺寸爲大之 〇 樹脂系的保護薄膜11。並且，保護薄膜9與保護薄膜11 係在從薄膜玻璃基板1露出的部份相互加以接合，由此， 薄膜玻璃基板1的端面，亦經由保護薄膜9加以被覆。作 爲黏接於光入射面側之保護薄膜11及保護薄膜9,係使 用透明之構成，但作爲保護薄膜9及黏接層8係亦可使用 透明之構成，並非如此構成亦可。於圖4顯示擴大多孔質 絕緣層4，對極5及黏接層8之一部分（以圖3之一點虛 線圍住的部份）之平面圖。 做爲色素增感半導體層3，使用於半導體微粒子層或 -25- 200947790 多孔質半導體層，載持色素者。對於保護薄膜9，11的至 少一方係最佳爲由氣體阻障材料所成之樹脂系的箔膜，例 如使用氧透過度爲100 ( cc/ m2/ day/ atm )以下、水蒸 氣透過度乃100 ( g/m2/day)以下者。另外，作爲光入 射側之保護薄膜1 1，最佳係爲了控制經由反射的入射光 之光量損失，使用無反射（AR)薄膜。 薄膜玻璃基板1，透明導電層2，色素增感半導體層 3，多孔質絕緣層4，對極5及黏接層8，10係從既已舉 出的構成中，可使用因應必要所選擇者。 接著，對於其色素增感光電變換元件模組之製造方法 加以說明。 首先，如圖5的A所示，準備薄膜玻璃基板1，於其 薄膜玻璃基板1的全面，形成透明導電層2之後，將其透 明導電層2，經由蝕刻而圖案化爲條紋狀。在此，作爲薄 膜玻璃基板1，從最初厚度爲〇.2mm以下之構成亦可，亦 可使用厚度較〇.2mm爲大之構成。對於後者之情況，之 後將薄膜玻璃基板1，經由硏磨等而加以薄化，作爲 0.2mm以下的厚度。接著，於各透明導電層2上，將分散 有半導體微粒子之塗漿，塗佈爲特定之間隔。接著，將薄 膜玻璃基板1加熱爲特定溫度，燒結半導體微粒子，形成 半導體微粒子燒結體所成之多孔質半導體層。 接著，於全面形成多孔質絕緣層4之後，將其多孔質 絕緣層4，經由蝕刻而圖案化爲條紋狀。接著，於其多孔 質絕緣層4之全面形成對極5，將其對極5的一端，與各 -26- 200947790 透明導電層2接合。 接著，將半導體微粒子燒結體所成之多孔質半導體層 ，形成有多孔質絕緣層4及對極5之薄膜玻璃基板1，作 爲浸漬於色素溶液等，於構成多孔質半導體層之半導體微 粒子，載持增感用之色素，形成色素增感半導體層3。 接著，對於對極5側之表面，塗佈電解質，將其電解 質，至少浸含於色素增感半導體層3及多孔質絕緣層4之 @ 全體，典型而言，浸含於此等色素增感半導體層3及多孔 質絕緣層4與對極5之全體。 接著，於鄰接於形成有一端之色素增感光電變換元件 之透明導電層2及形成有另一端之色素增感光電變換元件 之透明導電層2所形成之透明導電層2，接合各取出電極 6，7 〇 接著，如圖5的B所示，於對極5側之表面，藉由黏 接層8而黏接保護薄膜9。 Q 接著，對於作爲薄膜玻璃基板1而使用厚度較0.2mm 爲大之構成情況，將薄膜玻璃基板1，經由硏磨等而加以 薄化，將厚度作爲0.2mm以下。 之後，於薄膜玻璃基板1的背面，藉由黏接層10而 黏接保護薄膜11，在從薄膜玻璃基板1露出的部份，接 合其保護薄膜11與保護薄膜9，將薄膜玻璃基板1的端 面，經由保護薄膜9加以被覆。如以上作爲，製造圖1〜 圖3所示之色素增感光電變換元件模組。 接著，對於其色素增感光電變換元件模組之動作加以 -27- 200947790 說明。 從薄膜玻璃基板1側透過其薄膜玻璃基板1而入射的 光，係激發色素增感半導體層3的色素而產生電子。其電 子乃迅速從色素引渡至色素增感半導體層3之半導體微粒 子。另一方面，失去電子的色素乃從浸含於色素增感半導 體層3及多孔質絕緣層4的全體之電解質的離子，接受電 子，引渡電子之分子乃再次在對極5的表面，接受電子。 經由其一連串的反應，於與色素增感半導體層3電性連接 之透明導電層2與對極5之間，產生起電力。由此進行光 電變換。此情況，於連接於串聯連接之複數色素增感光電 變換元件之一端的色素增感光電變換元件之透明導電層2 的取出電極6與連接於另一端的色素增感光電變換元件之 透明導電層2的取出電極7之間，產生各色素增感光電變 換元件之起電力的合計起電力。 如根據其第1實施型態，因作爲支撐基材，使用厚度 爲0.2 mm以下，最佳爲〇.〇1〜〇.2mm之薄膜玻璃基板1， 色素增感光電變換元件側之全面及薄膜玻璃基板1的端面 乃經由保護薄膜9加以被覆，薄膜玻璃基板1之背面的全 體乃經由保護薄膜11加以被覆之故，可將色素增感光電 變換元件模組，以輕量且薄型而構成爲可撓性，亦可充分 地確保色素增感光電變換元件模組之機械性強度者。另外 ’因作爲支撐基材而使用薄膜玻璃基板1，故可將使用於 色素增感半導體層3之多孔質半導體層的形成時之燒成處 理’由500°C程度之溫度進行，經由此可將多孔質半導體 200947790 層之結晶性或粒子的結合狀態作爲良好，進而可將電子傳 導性作爲良好者。因此’可提昇色素增感光電變換元件模 組之發電效率。更且，經由作爲保護薄膜9，11而使用由 氣體阻障材料所成之薄膜者，可防止從外部，氧等之氣體 或水蒸氣等浸透於模組內部，進而可防止光電變換效率等 之特性的劣化。因此，可實現可維持長期優越特性之耐久 性高的色素增感光電變換元件模組。另外，色素增感半導 體層3與對極5係由多孔質絕緣層4所間隔之故，可防止 色素增感半導體層3的色素附著對極5者，從不會產生特 性的劣化，可實現具有與Z型構造之色素增感太陽能電池 模組同等之發電性能的色素增感光電變換元件模組。 對於其色素增感光電變換元件模組之實施例加以說明 實施例1 準備於尺寸爲6 0 m m X 4 6 m m，厚度爲4 m m之玻璃基板 上，形成有FTO膜之日本板硝子製非晶形太陽能電池用 FTO玻璃基板（薄片阻抗1〇Ω / □) ’將其FTO膜’經 由蝕刻加以圖案化’於之間呈形成0.5 m m寬度的間隙地 形成9條條紋狀的圖案。之後’依序使用丙酮’醇’ _系 洗淨液，超純水，進行超音波洗淨’使其充分乾燥。 於除了其FTO玻璃基板上之9條FTO膜之中的末端 的1條之8條的FTO膜上’將Solaronix製氧化鈦塗獎’ 以寬度5mm ’長度40mm之條紋狀’ 8條（總面積16cm 2 -29- 200947790 )、由網版印刷機加以塗佈。塗漿係從玻璃機板側，依序 使透明之Ti-Nanoxide TSP塗漿，層積厚度7#m、使含 有散亂粒子之Ti-Nanoxide DSP，層積厚度13 a m，得到 合計20ym之厚度的多孔質Ti02膜。將其多孔質Ti02膜 ，以50(TC，30分鐘由電器爐加以燒成，放冷後，浸漬於 0.1mol/L之TiCl4水溶液中，以70°C進行30分鐘保持 ，充分地以純水及乙醇洗淨，乾燥後，再次以500°C，30 分鐘由電器爐加以燒成。如此作爲，製作Ti02燒結體。 接著，將使用市售的Ti02粒子（粒徑20〇nm)，萜 品醇及乙基纖維素而調製之網版印刷用Ti02塗漿，以長 度41mm、寬度5.5mm、厚度10#m塗佈於上述Ti02燒 結體上。使其Ti02塗漿乾燥，將作爲對極而使用市售之 碳黑與石墨粒子，萜品醇及乙基纖維素而調製之網版印刷 用Ti02塗漿，以長度40mm、寬度6mm、厚度30#m塗 佈於上述Ti02層上，在使其塗漿乾燥後，以450°C，30 分鐘由電器爐加以燒成。如此作爲而形成多孔質絕緣層及 多孔質的對極。 接著，於0.5mM順式雙（異氰硫基）-N，N-雙（2,2’-吡啶-4,4’-二羧酸）釕（II)二四丁基銨鹽（N719色素） 之tert-丁醇/乙腈混合溶劑（體積比1:1)，室溫下， 進行48小時浸漬，於Ti〇2燒結體，載持色素。將由如此 作爲載持色素之Ti02燒結體，乙腈加以洗淨，在暗處使 其乾燥。如此作爲，製作色素增感Ti02燒結體。 於r-丁内酯 3g，溶解碘化鈉（Nal) 0.045g、1-丙 200947790 基-2,3-二甲基咪唑碘化物l.llg、碘（I2) 〇.lig、4-特-丁 基吡啶0.081g，調製電解質組成物。 接著，將由如此作爲所調製之電解質組成物，使用分 配器而塗佈於對極側的表面全面，浸含於其對極，多孔質 絕緣層及色素增感半導體層的內部，從此等對極，多孔質 絕緣層及色素增感半導體層滲出之多餘的電解質組成物係 乾淨地擦拭。 ϋ 接著，於設置在由F TO玻璃基板的兩端之FTO膜所 成之透明導電層上的取出電極接合部分，將尺寸爲60mm x3mm，厚度爲30/zm之鈦箔，經由超音波焊接法加以接 合，作爲取出電極6，7。 接著，於蒸鍍鋁之氣體阻障薄膜之貼合面，將作爲黏 接層而接合熱熔樹脂之保護薄膜，切割成 70mmx56mm 的 尺寸，經由將此，於色素增感光電變換元件側的面，在減 壓下進行熱壓之時，得到色素增感型光電變換裝置。 Φ 接著，將由如此作爲形成色素增感光電變換元件模組 之厚度4mm之玻璃基板的背面，經由面模硏磨及光學硏 磨加以依序硏磨，作爲厚度0.1mm之薄膜玻璃基板。 接著，於色素增感光電變換元件模組的光入射側的面 ’即薄膜玻璃基板的背面，貼上切割成70mmx56mm之尺 寸的旭硝子製AR薄膜（商品名「ARCTOP」），在從薄 膜玻璃基板露出的部份，與黏接於色素增感光電變換元件 側之上述保護薄膜，經由熱壓而接合，被覆薄膜玻璃基板 -31 - 200947790 經由以上的工程，得到作爲目的之色素增感光電變換 元件模組。其色素增感光電變換元件模組乃8條串聯地連 接5mmx40mm之尺寸的色素增感光電變換元件者。 實施例2 使用於作爲強化玻璃處理之厚度0.1mm之薄膜玻璃 基板上，將與實施例1之FTO膜同樣圖案之ITO (厚度 4 50nm ) / ΑΤΟ (厚度50nm )之透明導電層，經由濺鍍而 形成者，除未進行薄膜玻璃基板的背面硏磨以外，係與實 施例1同樣作爲而製作色素增感光電變換元件模組。 (比較例1 ) 除未進行玻璃基板的背面硏磨，而將玻璃基板的厚度 維持作爲0.4mm之情況以外，係與實施例1同樣作爲而 製作色素增感光電變換元件模組。 (比較例2) 未於薄膜玻璃基板的背面，作爲保護薄膜而形成AR 薄膜，而於厚度0.1mm之薄膜玻璃基板上，被覆相同厚 度0.1mm之薄膜玻璃基板，對於色素增感光電變換元件 側的面，亦未形成保護薄膜之外，係與實施例2樣作爲而 製作色素增感光電變換元件模組。 (比較例3) -32- 200947790 作爲透明導電性基板而使用於聚對苯二甲酸二乙酯（ PEN)薄膜上，蒸鍍ITO膜之塑料薄膜（薄片阻抗20Ω / □，尺寸爲 60mmx46mm，厚度 0· 125mm)，將其 ITO 膜，經由蝕刻加以圖案化，於之間呈形成〇.5mm寬度的 間隙地形成9條條紋狀的圖案。之後，依序使用丙酮，醇 ，鹼系洗淨液，超純水，進行超音波洗淨，使其充分乾燥 〇 0 於除了其PEN/ITO基板之9條ITO膜之中的末端的 1條之8條的ITO膜上，作爲氧化鈦塗漿，使用低溫成膜 用氧化鈦塗漿（Peccell Technologies製），以寬度5mm ，長度40mm之條紋狀，8條（總面積16cm2)、由刮塗 法加以塗佈。將此膜乾燥後，以150°C 30分鐘保持在加熱 板上。由如此作爲，多孔質Ti02層。 接著，將使用市售的Ti02粒子（粒徑200nm)，萜 品醇及乙基纖維素而調製之網版印刷用Ti02塗漿，以長 φ 度41mm、寬度 5.5mm、厚度10"m塗佈於上述多孔質 Ti〇2層上。使其Ti〇2塗漿乾燥，將作爲對極而使用市售 之碳黑與石墨粒子，萜品醇及乙基纖維素而調製之網版印 刷用塗獎，以長度40mm、寬度6mm、厚度30//m塗佈於 上述Ti02層上，在使其塗漿乾燥後，以450°C，30分鐘 由電器爐加以燒成。使其Ti02塗漿乾燥，將作爲對極而 使用巾售之碳黑與石墨粒子’ 15品醇及乙基纖維素而調製 之網版印刷用塗漿，以長度40mm、寬度 6mm、厚度 3 0 /z m 塗佈於上述Ti〇2層上，在使其塗漿乾燥後，以15CTC， -33- 200947790 3 0分鐘由電器爐加以燒成。如此作爲而形成多孔質絕緣 層及多孔質的對極。 接著，於0_5mM順式雙（異氰硫基）-Ν，Ν-雙（2,2’-吡啶-4,4’-二羧酸）釕（II)二四丁基銨鹽（Ν719色素） 之tert-丁醇/乙腈混合溶劑（體積比1:1)，室溫下， 進行48小時浸漬，於多孔質Ti02層，載持色素。將由如 此作爲載持色素之多孔質Ti02層，以乙腈加以洗淨，在 暗處使其乾燥。由如此作爲，製作色素增感多孔質Ti02 層。 於r -丁内酯3g，溶解碘化鈉（Nal ) 0.045g、1-丙 基-2,3-二甲基咪唑碘化物l.llg、碘（I2) O.llg、4-特-丁 基吡啶0.081g，調製電解質組成物。 接著，將由如此作爲所調製之電解質組成物，使用分 配器而塗佈於對極側的表面全面，浸含於其對極，多孔質 絕緣層及色素增感半導體層的內部，從此等對極，多孔質 絕緣層及色素增感半導體層滲出之多餘的電解質組成物係 乾淨地擦拭。 接著，於設置在由PEN/ ITO基板的兩端之ITO膜所 成之透明導電層上的取出電極接合部分，將尺寸爲60mm x3mm，厚度爲30//m之鈦箔，經由超音波焊接法加以接 合，作爲取出電極。 接著，於蒸鍍鋁之氣體阻障薄膜之貼合面，將作爲黏 接層而接合熱熔樹脂之保護薄膜，切割成70mmx56mm的 尺寸，經由將此，於色素增感光電變換元件側的面，在減 -34- 200947790 壓下進行熱壓之時，將色素增感光電變換元件模組之色素 增感光電變換元件側的表面，經由保護薄膜而完全被覆。 經由以上的工程，得到作爲目的之色素增感光電變換 元件模組。其色素增感光電變換元件模組乃8條串聯地連 接5mmx40min之尺寸的色素增感光電變換元件者。 對於如以上製作之實施例1〜2及比較例1〜3之色素 增感型光電變換元件模組，測定在AM 1.5 ( 1 sun)照射條 〇 件下之光電變換效率。另外，進行測定結束後之色素增感 光電變換元件模組的彎曲試驗，算出產生斷裂前之曲率半 徑。將其結果示於表1。 [表1] 光電變換效率X 最小曲率半徑（mm) 實施例1 6.71 7.3 1.69 實施例2 6.55 5.9 1.72 實施例3 6.65 7.5 1.20 比較例1 6.80 未彎曲之故無法測定 28.6 比較例2 6.66 23.1 1.45 比較例3 1.29 3.1 (產生薄膜的剝離） 1.50 比較例4 6.51 9.8 1.14 *資料係全由樣品數5而製作的的平均値 從表1知道實施例1，2之色素增感光電變換元件模 組，光電變換效率優越，最小曲率半徑小，輕量者。比較 例1係玻璃基板的厚度爲4mm厚之故，光電變換效率爲 高，但色素增感光電變換元件模組未彎曲，曲率半徑係無 法測定之外，重量極重。比較例2係光電變換效率爲高， 但比較於實施例1，2，曲率半徑極大。比較例3乃未使 -35- 200947790 用薄膜玻璃基板，而使用PEN/ ITO基板，製作色素增感 光電變換元件模組的例，於多孔質Ti〇2層之形成時，未 歷經500°C之燒成工程之故，光電變換效率極低。 接著，對於根據本發明之第2實施型態的色素增感光 電變換元件模組加以說明。 如圖6所示，在其色素增感光電變換元件模組，係於 薄膜玻璃基板1的背面未黏接有保護薄膜11，而將黏接 於色素增感光電變換元件的面之保護薄膜9，折回在薄膜 玻璃基板1之端面，接合於薄膜玻璃基板1的背面。其色 素增感光電變換元件模組之其他的構成係與根據第1實施 型態之色素增感光電變換元件模組同樣。 其色素增感光電變換元件模組之製造方法，係除了於 薄膜玻璃基板1的背面未黏接有保護薄膜11，而將保護 薄膜9，折回在薄膜玻璃基板1之端面情況以外，與根據 第1實施型態之色素增感光電變換元件模組之製造方法同 樣。 如根據其第2實施形態，可得與第1實施形態相同的 優點。 _ 對於其色素增感光電變換元件模組之實施例加以說明 實施例3 於薄膜玻璃基板的背面未黏接有AR薄膜，而將黏接 於色素增感光電變換元件側的面之保護薄膜，折回在薄膜 -36- 200947790 玻璃基板之端面，接合於薄膜玻璃基板的背面之情況以外 ，係與實施例1同樣作爲而製作色素增感光電變換元件模 組。 (比較例4 ) 將黏接於色素增感光電變換元件側的面之保護薄膜的 尺寸，作爲較薄膜玻璃基板尺寸（60mmx46mm)爲小之 0 58mmx44mm，而薄膜玻璃基板的端面呈露出地黏接其保 護薄膜情況以外，係與實施例3同樣作爲而製作色素增感 光電變換元件模組。 對於如以上製作之實施例3及比較例4之色素增感型 光電變換元件模組，測定在AM 1.5 ( 1 sun )照射條件下之 光電變換效率。另外，進行測定結束後之色素增感光電變 換元件模組的彎曲試驗’算出產生斷裂前之曲率半徑。將 其結果示於表1。 Q 從表1知道實施例3之色素增感光電變換元件模組， 光電變換效率優越，最小曲率半徑小，輕量者。比較例4 係光電變換效率高，保護薄膜的尺寸乃較薄膜玻璃基板的 尺寸爲小，薄膜玻璃基板的端面，因未經由保護薄膜所被 覆之故，比較於實施例3，曲率半徑爲大。 接著’對於根據本發明之第3實施型態的色素增感光 電變換元件模組加以說明。 如圖7所示’對於其色素增感光電變換元件模組，對 極5係於包含選自丁丨、>1丨、（：]"、？6、]^1)、丁&、1、（：〇及 -37- 200947790
Zr所成的群之至少1種類以上元素的金屬或合金所成的 箔之多孔質絕緣層4側的單面，設置包含選自Pt、Ru、Ir 及C所成的群之至少1種類以上元素之觸媒層的構成，或 包含選自Pt、Ru、Ir及C所成的群之至少1種類以上元 素之材料所成的箔而成。並且，1個之色素增感型光電變 換元件的對極5之一端係藉由導電材料12，與鄰接之色 素增感型光電變換元件之透明導電層2加以接合。其色素 增感光電變換元件模組之其他的構成係與根據第1實施型 態之色素增感光電變換元件模組同樣。 接著，對於其色素增感光電變換元件模組之製造方法 加以說明。 首先，與第1實施型態同樣地進行工程，形成至多孔 質絕緣層4之後，於各透明導電層2上之對極5的接合部 ，形成導電材料12，於特定形狀之金屬或合金所成的涪 之單面，形成具有觸媒層，或具有觸媒能之材料所成的箔 而成之對極5，與其導電材料12接合。 接著’由與第1實施形態同樣作爲，形成取出電極6 ，Ί。 接著’除了對各色素增感光電變換元件預先形成注液 口之部分’於各色素增感光電變換元件之間的對極5與多 孔質絕緣層4之間的部份及對極5的全面，形成黏接層8 〇 接著’從對各色素增感光電變換元件預先形成注液口 ，將電解液注液’至少對於色素增感半導體層3及多孔質 -38 · 200947790 絕緣層4之全體，典型而言，浸含電解質於此等色素增感 半導體層3及多孔質絕緣層4與對極5之全體。 之後，與第1實施形態同樣地進行保護薄膜9之黏接 以後的工程，製造色素增感光電變換元件模組。 如根據其第3實施形態，加上於與第1實施形態相同 的優點，可得到如以下的優點。即，經由對極5係於金屬 或合金所成的箔之上方，具有觸媒層者，或具有觸媒能之 〇 材料所成的箔而成之故而可薄化構成對極5者，可薄型化 及輕量化色素增感光電變換元件模組。另外，構成對極5 之金屬或合金所成的箔及觸媒層之材料或具有觸媒能之材 料係選擇幅度廣，無在對極的材料面之限制。更且，色素 增感半導體層3與對極5係由多孔質絕緣層4所間隔之故 ’可防止色素增感半導體層3的色素附著對極5者，從不 會產生特性的劣化，可實現具有與Z型構造之色素增感太 陽能電池模組同等之發電性能的色素增感光電變換元件模 ❹ 組。 對於其色素增感光電變換元件模組之實施例加以說明 實施例4 使用FTO玻璃基板，與實施例1同樣地進行工程， 製作色素增感Ti02燒結體之後，將向異性導電塗漿，以 0.5mm寬度，於條紋狀的色素增感Ti02燒結體，呈成爲 平行地加以塗部而使其乾燥。 -39- 200947790 接著，於厚度〇.〇5mm之鈦箔的單面，將0.05mM之 氯化白金酸的異丙醇（IPA )溶液進行噴塗，將以3 85 °C 燒成之對極切割成6mmx40mm的尺寸，將噴塗氯化白金 酸的面，朝向色素增感Ti02燒結體側，進行位置配合之 後，經由熱壓著接合上述之向異性導電塗漿。 於FTO玻璃基板上，殘留住液用之直徑1mm的圖案 ，呈完全被覆各色素增感光電變換元件地，以網版印刷而 塗佈UV硬化型黏接劑。塗佈後，氣泡完全消失後，以輸 g 送帶式之UV曝光機，於UV硬化型黏接劑照射紫外光而 使其硬化。 接著，與實施例1同樣地，將調製之電解質組成物， 如上述從所準備之直徑1 mm之注液口，在減壓下進行注 入後，在0.4MPa之加壓下進行30分鐘保持，使電解液完 全地浸透於各色素增感光電變換元件內。由如此，於色素 增感Ti02燒結體及多孔質絕緣層，浸含電解質。 接著，將上述之電解液的注液口，經由UV硬化型黏 0 接劑進行密封之後，由與實施例1同樣作爲，於色素增感 光電變換元件側黏接保護薄膜之同時’硏磨玻璃基板，作 爲厚度0.1mm之薄膜玻璃基板之後，於其薄膜玻璃基板 的背面，黏接保護薄膜，在從薄膜玻璃基板露出之部分， 接合此等保護薄膜’得到色素增感光電變換元件模組。接 著，對於根據本發明之第4實施型態的色素增感光電變換 元件模組加以說明。 對於此色素增感光電變換元件模組’在根據第1實施 -40- 200947790 型態之色素增感光電變換元件模組，電解質乃包含碘，且 包含至少具有1個異氰酸酯基（-NCO )之化合物，最佳 係更且，其化合物乃於相同分子內，除異氰酸酯基以外至 少含有1個含氮官能基，或除其化合物以外，更包含至少 具有1個以上含氮官能基之化合物的電解質組成物所成。 對於至少具有1個以上異氰酸酯基（-NCO )之化合物， 並無特別加以限定，但與電解質的溶劑或電解質鹽，其他 p 的添加劑相溶者爲佳。至少具有1個以上含氮官能基之化 合物係最佳爲胺系化合物，但並不限定於此。對於胺系化 合物，並無特別加以限定，但與電解質的溶劑或電解質鹽 ，其他的添加劑相溶者爲佳。對於如此至少具有1個以上 異氰酸酯基之化合物，使含氮官能基共存時，特別對於色 素增感光電變換元件模組之開放電壓的增加有大的貢獻。 至少具有1個以上異氰酸酯基之化合物係具體而言，例如 異氰酸苯基，異氰酸2-氯乙基，異氰酸m-氯苯胂，異氰 H 酸環己基，異氰酸0-甲苯基，異氰酸P-甲苯基，異氰酸 η-己基，2,4-二異氰酸甲代苯撑，二異氰酸環己烷，4,4’· 二異氰酸亞甲基二苯基等，但並不限定於此。另外，胺系 化合物係具體而言，例如有4-特-丁基吡啶、苯胺、Ν，Ν_ 二甲基苯胺、Ν-甲基苯并咪唑等，但並不限定於此。 上述以外的構成係與根據第1實施型態之色素增感光 電變換元件模組同樣。 如根據第4實施型態，加上於與第1實施型態同樣的 優點，電解質乃經由包含至少具有1個以上異氰酸酯基之 -41 - 200947790 化合物的電解質組成物所成者’可使短路電流及開放電壓 的雙方增加，由此可得到光電變換效率極高，高色素增感 光電變換元件模組之優點。對於其色素增感光電變換元件 模組之實施例加以說明。 實施例5 在實施例1，於調製電解質組成物時，於r-丁内酯 3g，力□上於碘化鈉（Nal) 0.045g、1-丙基-2,3-二甲基咪 唑碘化物l.llg、碘（I2) O.llg、4-特-丁基吡啶〇.〇81g， 溶解異氰酸苯基0.071g(0.2mol/L)。其他與實施例 1 同樣’得到色素增感光電變換元件模組。 以上’對於本發明之實施型態及實施例做了具體說明 ’但本發明非限定於上述之實施型態及實施例，依據本發 明之技術性思想，可進行各種之變形。 例如’在上述之實施型態及實施例所舉出之數値，構 造’形狀’材料，原料，處理等不過爲例子，而亦可因應 必要而使用與此等相異之數値，構造，形狀，材料，原料 ，處理等。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕圖1乃顯示根據本發明之第1實施形態之色 素增感型光電變換元件模組之剖面圖。 〔圖2〕圖2乃顯示根據本發明之第1實施形態之色 素增感型光電變換元件模組之要部的擴大剖面圖。 -42- 200947790 〔圖3〕圖3乃顯示根據本發明之第1實施形態之色 素增感型光電變換元件模組之平面圖。 〔圖4〕圖4乃顯示根據本發明之第1實施形態之色 素增感型光電變換元件模組之要部的擴大平面圖。 〔圖5〕圖5乃爲了說明根據本發明之第1實施形態 之色素增感型光電變換元件模組之製造方法的剖面圖。 〔圖6〕圖6乃顯示根據本發明之第2實施形態之色 φ 素增感型光電變換元件模組之剖面圖。 〔圖7〕圖7乃顯示根據本發明之第3實施形態之色 素增感型光電變換元件模組之要部的擴大剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :薄膜玻璃基板 2 :透明導電層 3 :色素增感半導體層 〇 4:多孔質絕緣層 5 :對極 6 :取出電極 8 :黏接層 9 :保護薄膜 1〇 :黏接層 U :保護薄膜 -43-

Claims (1)

  1. 200947790 十、申請專利範園 κ一種色素增感光電變換元件模組，屬於於支撐基材 i ’具有複數之色素增感光電變換元件之色素增感光電變 換元件模組，其特徵乃 作爲前述支撐基材而使用厚度爲0.2mm以下之薄膜 玻璃基板，且於前述色素增感光電變換元件模組之至少一 方的面，黏接有具有前述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹 脂系的保護薄膜者。 _ 2. 如申請專利範圍第1項記載之色素增感光電變換元 件模組，其中，經由前述保護薄膜，被覆前述薄膜玻璃基 板之端面之至少一部分者。 3. 如申請專利範圍第2項記載之色素增感光電變換元 件模組，其中，經由前述保護薄膜，被覆前述薄膜玻璃基 板之至少一邊以上的端面者。 4. 如申請專利範圍第3項記載之色素增感光電變換元 件模組，其中，於前述薄膜玻璃基板上之複數的範圍，各 ❹ 具有透明導電層，於前述透明導電層上，依序層積色素增 感半導體層，多孔質絕緣層及對極，構成前述色素增感光 電變換元件，於前述色素增感光電變換元件模組之前述色 素增感光電變換元件側的面，黏接前述保護薄膜，經由前 述保護薄膜而被覆前述色素增感光電變換元件者。 5. 如申請專利範圍第4項記載之色素增感光電變換元 件模組，其中，在相互鄰接之2個之前述色素增感光電變 換元件之間的部份，相互電性連接1個之色素增感光電變 -44- 200947790 換元件的前述透明導電層’和另1個之色素增感光電變換 元件的前述對極者° 6. 如申請專利範圍第5項記載之色素增感光電變換元 件模組，其中，至少於前述色素增感半導體層及前述多孔 質絕緣層，浸含有電解質者。 7. 如申請專利範圍第6項記載之色素增感光電變換元 件模組，其中，前述電解質乃包含至少具有1個以上異氰 Q 酸鹽基之化合物的電解質組成物所成。 8. 如申請專利範圍第4項記載之色素增感光電變換元 件模組，其中，前述對極係於金屬或合金所成的箱之前述 多孔質絕緣層側的單面’具有觸媒層者，或具有觸媒能之 材料所成的箔而成。 9. 一種色素增感光電變換元件模組之製造方法，屬於 於支撐基材上，具有複數之色素增感光電變換元件之色素 增感光電變換元件模組之製造方法，其特徵乃具有： 〇 作爲前述支撐基材而使用厚度爲0.2mm以下之薄膜 玻璃基板，於其薄膜玻璃基板上形成前述複數之色素增感 光電變換元件，形成前述色素增感光電變換元件模組的工 程， 和於前述色素增感光電變換元件模組之至少一方的面 ’黏接有具有前述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹脂系的 保護薄膜的工程者。 10. —種電子機器，在使用色素增感光電變換元件模 組之電子機器， -45- 200947790 前述色素增感光電變換元件模組乃屬於 於支撐基材上，具有複數之色素增感光電變換元件之 色素增感光電變換元件模組，其特徵乃 作爲前述支撐基材而使用厚度爲0.2mm以下之薄膜 玻璃基板，且於前述色素增感光電變換元件模組之至少一 方的面，黏接有具有前述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹 脂系的保護薄膜者。 11. —種光電變換元件模組，屬於於支撐基材上，具 有複數之光電變換元件之光電變換元件模組，其特徵乃 作爲前述支撐基材而使用厚度爲0.2mm以下之薄膜 玻璃基板，且於前述光電變換元件模組之至少一方的面， 黏接有具有前述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹脂系的保 護薄膜者。 12. —種光電變換元件模組之製造方法，屬於支撐基 材上’具有複數之光電變換元件之光電變換元件模組之製 造方法，其特徵乃具有： 作爲前述支撐基材而使用厚度爲0.2 mm以下之薄膜 玻璃基板’於其薄膜玻璃基板上形成前述複數之光電變換 元件’形成前述光電變換元件模組的工程， 和於前述光電變換元件模組之至少一方的面，黏接有 具有前述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹脂系的保護薄膜 的工程者。 13· —種電子機器，在使用光電變換元件模組之電子 機器， -46- 200947790 前述光電變換元件模組乃屬於 於支撐基材上，具有複數之光電變換元件之光電變換 元件模組，其特徵乃 作爲前述支撐基材而使用厚度爲〇.2mm以下之薄膜 玻璃基板，且於前述光電變換元件模組之至少一方的面， 黏接有具有前述薄膜玻璃基板大小以上尺寸之樹脂系的保 護薄膜者。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI553892B (zh) * 2015-12-31 2016-10-11 台灣中油股份有限公司 具鈣鈦礦施體層之太陽能電池模組
TWI644448B (zh) * 2017-10-18 2018-12-11 台灣中油股份有限公司 鈣鈦礦太陽能電池模組及其製備方法

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5007784B2 (ja) * 2006-01-30 2012-08-22 ソニー株式会社 光電変換装置
JP2007234580A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Sony Corp 色素増感型光電変換装置
JP2007280906A (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Sony Corp 機能デバイス及びその製造方法
JP5023866B2 (ja) * 2007-07-27 2012-09-12 ソニー株式会社 色素増感光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP2009099476A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Sony Corp 色素増感光電変換素子およびその製造方法
JP2010003468A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Sony Corp 色素増感太陽電池およびその製造方法
JP2010010191A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp 電子装置
JP2010009769A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp 光電変換素子の製造方法
JP2010092762A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Sony Corp 機能性デバイス及びその製造方法
US20110048525A1 (en) * 2008-11-26 2011-03-03 Sony Corporation Functional device and method for producing the same
JP5428555B2 (ja) * 2009-06-08 2014-02-26 ソニー株式会社 色素増感光電変換素子の製造方法
JP5334708B2 (ja) * 2009-06-29 2013-11-06 株式会社Ｎｓｃ 太陽電池の製造方法
EP2457243A1 (en) * 2009-07-23 2012-05-30 Tata Steel UK Limited A method of manufacturing working electrodes for dye sensitised solar cells
JP2011044357A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Sony Corp 光電池モジュール及び光電池モジュールの製造方法
JP5824809B2 (ja) * 2010-02-10 2015-12-02 日本電気硝子株式会社 シール材及びそれを用いたシール方法
JP5582821B2 (ja) * 2010-02-25 2014-09-03 日新製鋼株式会社 色素増感型太陽電池モジュールの製造法
JP2011204662A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP5621488B2 (ja) * 2010-03-17 2014-11-12 ソニー株式会社 光電変換装置
JP2011216190A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Sony Corp 光電変換装置及びその製造方法
CN104331199A (zh) * 2010-06-12 2015-02-04 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控电路图形结构及制造方法、触控面板及触控显示屏
CN102279678A (zh) * 2010-06-12 2011-12-14 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控电路图形结构及制造方法、触控面板及触控显示屏
JP2012014849A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法
JP5912316B2 (ja) * 2010-08-04 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 電気二重層キャパシタ、又は太陽光発電装置
JP5744570B2 (ja) 2011-03-02 2015-07-08 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム
CN102315335A (zh) * 2011-04-13 2012-01-11 东旭集团有限公司 一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺
KR101281216B1 (ko) 2011-11-03 2013-07-02 현대하이스코 주식회사 유연성 기판을 이용한 염료감응 태양전지 및 그 제조방법
WO2013145975A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社フジクラ 色素増感太陽電池
JP5933013B2 (ja) * 2012-09-01 2016-06-08 株式会社フジクラ 低照度用色素増感太陽電池素子
EP2892106B1 (en) 2012-09-01 2022-05-04 Fujikura Ltd. Dye-sensitized solar cell element for low luminance
EP2894708B1 (en) * 2012-09-07 2017-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element, method for producing same, photoelectric conversion element module, and method for manufacturing photoelectric conversion element module
US20170338050A1 (en) * 2012-12-14 2017-11-23 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element
WO2016017353A1 (ja) * 2014-07-30 2016-02-04 シャープ株式会社 光電変換素子およびこれを含む光電変換素子モジュール
EP3496120B1 (en) * 2016-08-02 2023-05-03 Zeon Corporation Solar cell module, and method for producing solar cell module
KR20190040964A (ko) * 2016-09-06 2019-04-19 니폰 제온 가부시키가이샤 태양 전지 모듈
JP2019145663A (ja) * 2018-02-20 2019-08-29 株式会社フジクラ 光電変換素子
JP7063454B2 (ja) * 2018-03-30 2022-05-09 太陽誘電株式会社 色素増感太陽電池及びその製造方法
CN110047959B (zh) * 2019-04-26 2021-08-06 圣晖莱南京能源科技有限公司 柔性太阳能薄膜电池的封装结构、封装工装及封装方法
US11522495B2 (en) * 2019-05-31 2022-12-06 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion module and photoelectric conversion module array

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5507880A (en) * 1992-06-08 1996-04-16 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Amorphous solar module having improved passivation
JP3132608B2 (ja) * 1993-04-07 2001-02-05 富士電機株式会社 光電変換装置
JP3222361B2 (ja) * 1995-08-15 2001-10-29 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール
AU728725B2 (en) * 1995-10-31 2001-01-18 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne A battery of photovoltaic cells and process for manufacturing the same
JPH10112549A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Canon Inc 太陽電池モジュール
JP2997773B1 (ja) * 1998-07-15 2000-01-11 工業技術院長 増感剤として有用な金属錯体、酸化物半導体電極及び太陽電池
JP2000031509A (ja) * 1998-07-16 2000-01-28 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池モジュール
EP1013413B1 (en) * 1998-12-21 2004-11-17 Chi Mei Optoelectronics Corporation Electroconductive glass laminate
AUPP953999A0 (en) * 1999-03-30 1999-04-29 Sustainable Technologies Australia Limited Methods to manufacture single cell and multi-cell regenerative photoelectrochemical devices
AUPP967799A0 (en) * 1999-04-09 1999-05-06 Sustainable Technologies Australia Ltd Methods to implement sealing and electrical connections to single cell and multi-cell regenerative photovoltaic photoelectrochemical devices
SE521683C2 (sv) * 2000-06-14 2003-11-25 Ivf Industriforskning Och Utve Metod för tillverkning av förseglade monolitiska elektrokemiska system och förseglat monolitiskt elektrokemiskt system
US7202412B2 (en) * 2002-01-18 2007-04-10 Sharp Kabushiki Kaisha Photovoltaic cell including porous semiconductor layer, method of manufacturing the same and solar cell
JP4010170B2 (ja) * 2002-04-11 2007-11-21 ソニー株式会社 光電変換素子の製造方法
JP4221643B2 (ja) * 2002-05-27 2009-02-12 ソニー株式会社 光電変換装置
JP4462187B2 (ja) * 2002-08-13 2010-05-12 株式会社ブリヂストン 色素増感型太陽電池及びその電解質
JP4570867B2 (ja) * 2003-12-25 2010-10-27 株式会社フジクラ 光電変換素子
JP4635473B2 (ja) * 2004-05-13 2011-02-23 ソニー株式会社 光電変換素子の製造方法及び半導体電極の製造方法
JP4635474B2 (ja) * 2004-05-14 2011-02-23 ソニー株式会社 光電変換素子、及びこれに用いる透明導電性基板
KR100661116B1 (ko) * 2004-11-22 2006-12-22 가부시키가이샤후지쿠라 전극, 광전 변환 소자 및 색소 증감 태양 전지
US20070224464A1 (en) * 2005-03-21 2007-09-27 Srini Balasubramanian Dye-sensitized photovoltaic cells
JP2007053049A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Mazda Motor Corp 色素増感太陽電池付き車両用ガラス及びその車両取付構造
JP2007055861A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Nippon Sheet Glass Co Ltd 色素増感太陽電池用導電膜付き車載用ガラスの曲げ成形方法及び色素増感太陽電池用導電膜付き車載用ガラス
JP5007784B2 (ja) * 2006-01-30 2012-08-22 ソニー株式会社 光電変換装置
JP2007234580A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Sony Corp 色素増感型光電変換装置
JP2007280906A (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Sony Corp 機能デバイス及びその製造方法
US8581094B2 (en) * 2006-09-20 2013-11-12 Dow Global Technologies, Llc Electronic device module comprising polyolefin copolymer
JP5106876B2 (ja) * 2007-01-31 2012-12-26 藤森工業株式会社 色素増感型太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5158561B2 (ja) * 2007-04-13 2013-03-06 日本電気硝子株式会社 積層体及びそれを用いた太陽電池
JP5023866B2 (ja) * 2007-07-27 2012-09-12 ソニー株式会社 色素増感光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP5192769B2 (ja) * 2007-10-12 2013-05-08 古河電気工業株式会社 色素増感型太陽電池
JP2009099476A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Sony Corp 色素増感光電変換素子およびその製造方法
JP2009110796A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Sony Corp 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
JP2010003468A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Sony Corp 色素増感太陽電池およびその製造方法
JP2010009769A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp 光電変換素子の製造方法
JP2010010191A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp 電子装置
JP2010092762A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Sony Corp 機能性デバイス及びその製造方法
US20110048525A1 (en) * 2008-11-26 2011-03-03 Sony Corporation Functional device and method for producing the same
JP5428555B2 (ja) * 2009-06-08 2014-02-26 ソニー株式会社 色素増感光電変換素子の製造方法
JP2011204662A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP5621488B2 (ja) * 2010-03-17 2014-11-12 ソニー株式会社 光電変換装置
JP2011216190A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Sony Corp 光電変換装置及びその製造方法
JP2011216189A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Sony Corp 光電変換装置及び光電変換装置モジュール
JP2011238472A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Sony Corp 光電変換装置
JP2012014849A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI553892B (zh) * 2015-12-31 2016-10-11 台灣中油股份有限公司 具鈣鈦礦施體層之太陽能電池模組
TWI644448B (zh) * 2017-10-18 2018-12-11 台灣中油股份有限公司 鈣鈦礦太陽能電池模組及其製備方法

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