JP2009110796A - 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 144
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 37
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- -1 that is Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfoxide Natural products CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- ISHFYECQSXFODS-UHFFFAOYSA-M 1,2-dimethyl-3-propylimidazol-1-ium;iodide Chemical compound [I-].CCCN1C=C[N+](C)=C1C ISHFYECQSXFODS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWIIJDNADIEEDB-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1,3-oxazolidin-2-one Chemical compound CN1CCOC1=O VWIIJDNADIEEDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 2
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- DGTNSSLYPYDJGL-UHFFFAOYSA-N phenyl isocyanate Chemical compound O=C=NC1=CC=CC=C1 DGTNSSLYPYDJGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- BCMYXYHEMGPZJN-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-isocyanatoethane Chemical compound ClCCN=C=O BCMYXYHEMGPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHIRBXHEYVDUAM-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-isocyanatobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(N=C=O)=C1 HHIRBXHEYVDUAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGYADSCZTQOAFK-UHFFFAOYSA-N 1-methylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2N(C)C=NC2=C1 FGYADSCZTQOAFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBOIAZWJIACNJF-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole;hydroiodide Chemical compound [I-].[NH2+]1C=CN=C1 JBOIAZWJIACNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dipyridin-2-ylpyridine Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=N1 JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJWJFWRFHDYQCN-UHFFFAOYSA-J 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylate;ruthenium(2+);tetrabutylazanium;dithiocyanate Chemical compound [Ru+2].[S-]C#N.[S-]C#N.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C([O-])=O)=C1.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C([O-])=O)=C1 JJWJFWRFHDYQCN-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1 FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAYMIYBJLRRIFR-UHFFFAOYSA-N 2-tolyl isocyanate Chemical compound CC1=CC=CC=C1N=C=O VAYMIYBJLRRIFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IICCLYANAQEHCI-UHFFFAOYSA-N 4,5,6,7-tetrachloro-3',6'-dihydroxy-2',4',5',7'-tetraiodospiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one Chemical compound O1C(=O)C(C(=C(Cl)C(Cl)=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 IICCLYANAQEHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGYGFNQQGAQEON-UHFFFAOYSA-N 4-tolyl isocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 MGYGFNQQGAQEON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical group COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical compound [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical group CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 239000000981 basic dye Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012018 catalyst precursor Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 1
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 1
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical compound C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- CEJANLKHJMMNQB-UHFFFAOYSA-M cryptocyanin Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CC)C=CC1=CC=CC1=CC=[N+](CC)C2=CC=CC=C12 CEJANLKHJMMNQB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- KQWGXHWJMSMDJJ-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl isocyanate Chemical compound O=C=NC1CCCCC1 KQWGXHWJMSMDJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N deoxycholic acid Chemical compound C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N 0.000 description 1
- 229960003964 deoxycholic acid Drugs 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N deoxycholic acid Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- IINNWAYUJNWZRM-UHFFFAOYSA-L erythrosin B Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(I)C(=O)C(I)=C2OC2=C(I)C([O-])=C(I)C=C21 IINNWAYUJNWZRM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004174 erythrosine Substances 0.000 description 1
- 229940011411 erythrosine Drugs 0.000 description 1
- 235000012732 erythrosine Nutrition 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- YAGKRVSRTSUGEY-UHFFFAOYSA-N ferricyanide Chemical compound [Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] YAGKRVSRTSUGEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANJPRQPHZGHVQB-UHFFFAOYSA-N hexyl isocyanate Chemical compound CCCCCCN=C=O ANJPRQPHZGHVQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- UETZVSHORCDDTH-UHFFFAOYSA-N iron(2+);hexacyanide Chemical compound [Fe+2].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] UETZVSHORCDDTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002540 isothiocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- KIQQAJNFBLKFPO-UHFFFAOYSA-N magnesium;porphyrin-22,23-diide Chemical compound [Mg+2].[N-]1C(C=C2[N-]C(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 KIQQAJNFBLKFPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910001509 metal bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001511 metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M methylene blue Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Substances OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 229940081623 rose bengal Drugs 0.000 description 1
- 229930187593 rose bengal Natural products 0.000 description 1
- STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N rose bengal A Natural products O1C(=O)C(C(=CC=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N safranin O Chemical compound [Cl-].C12=CC(N)=CC=C2N=C2C=CC(N)=CC2=[N+]1C1=CC=CC=C1 SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- HYHCSLBZRBJJCH-UHFFFAOYSA-N sodium polysulfide Chemical compound [Na+].S HYHCSLBZRBJJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008279 sol Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G9/20—Light-sensitive devices
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Abstract
【課題】薄型化および軽量化が可能であり、対極の材料面での制約がなく、しかもZ型構造の色素増感太陽電池モジュールと同等の発電性能を有する色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板1上に形成した透明導電層2上に色素増感半導体層3、多孔質絶縁層4および対極5を順次積層して色素増感光電変換素子を構成する。対極5は金属または合金からなる箔の多孔質絶縁層4側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔により形成する。隣接する2つの色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の透明導電層2ともう1つの色素増感光電変換素子の対極5とを互いに電気的に接続する。色素増感半導体層3および多孔質絶縁層4に電解質を含浸させる。各色素増感光電変換素子を封止層7により覆う。
【選択図】図1
【解決手段】透明基板1上に形成した透明導電層2上に色素増感半導体層3、多孔質絶縁層4および対極5を順次積層して色素増感光電変換素子を構成する。対極5は金属または合金からなる箔の多孔質絶縁層4側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔により形成する。隣接する2つの色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の透明導電層2ともう1つの色素増感光電変換素子の対極5とを互いに電気的に接続する。色素増感半導体層3および多孔質絶縁層4に電解質を含浸させる。各色素増感光電変換素子を封止層7により覆う。
【選択図】図1
Description
この発明は、色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器に関し、例えば、色素を担持した半導体微粒子からなる色素増感半導体層を用いた色素増感太陽電池モジュールおよび各種の電子機器に適用して好適なものである。
エネルギー源として石炭や石油などの化石燃料を使用する場合、その結果発生する二酸化炭素のために、地球の温暖化をもたらすと言われている。また、原子力エネルギーを使用する場合には、放射線による汚染の危険性が伴う。環境問題が取り沙汰される現在、これらのエネルギーに依存していくことは大変問題が多い。
一方、太陽光を電気エネルギーに変換する光電変換素子である太陽電池は太陽光をエネルギー源としているため、地球環境に対する影響が極めて少なく、より一層の普及が期待されている。
一方、太陽光を電気エネルギーに変換する光電変換素子である太陽電池は太陽光をエネルギー源としているため、地球環境に対する影響が極めて少なく、より一層の普及が期待されている。
太陽電池の材質としては様々なものがあるが、シリコンを用いたものが多数市販されており、これらは大別して単結晶または多結晶のシリコンを用いた結晶シリコン系太陽電池と、非晶質(アモルファス)シリコン系太陽電池とに分けられる。従来、太陽電池には、単結晶または多結晶のシリコン、すなわち結晶シリコンが多く用いられてきた。
しかしながら、結晶シリコン系太陽電池では、光(太陽)エネルギーを電気エネルギーに変換する性能を表す光電変換効率が、アモルファスシリコン系太陽電池に比べて高いものの、結晶成長に多くのエネルギーと時間とを要するため生産性が低く、コスト面で不利であった。
しかしながら、結晶シリコン系太陽電池では、光(太陽)エネルギーを電気エネルギーに変換する性能を表す光電変換効率が、アモルファスシリコン系太陽電池に比べて高いものの、結晶成長に多くのエネルギーと時間とを要するため生産性が低く、コスト面で不利であった。
また、アモルファスシリコン系太陽電池は、結晶シリコン系太陽電池と比べて光吸収性が高く、基板の選択範囲が広い、大面積化が容易であるなどの特徴があるが、光電変換効率が結晶シリコン系太陽電池より低い。さらに、アモルファスシリコン系太陽電池は、生産性は結晶シリコン系太陽電池に比べて高いが、結晶シリコン系太陽電池と同様に製造に真空プロセスが必要であり、設備面での負担は未だに大きい。
一方、太陽電池のより一層の低コスト化に向けて、シリコン系材料に代えて有機材料を用いた太陽電池が多く研究されてきた。しかしながら、この太陽電池の光電変換効率は1%以下と非常に低く、耐久性にも問題があった。
こうした中で、色素によって増感された半導体微粒子を用いた安価な太陽電池が報告された(非特許文献1参照。)。この太陽電池は、増感色素にルテニウム錯体を用いて分光増感した酸化チタン多孔質薄膜を光電極とする湿式太陽電池、すなわち電気化学光電池である。この色素増感太陽電池の利点は、安価な酸化チタンを用いることができ、増感色素の光吸収が800nmまでの幅広い可視光波長域にわたっていること、光電変換の量子効率が高く、高いエネルギー変換効率を実現できることである。また、製造に真空プロセスが必要ないため、大型の設備なども必要ない。
こうした中で、色素によって増感された半導体微粒子を用いた安価な太陽電池が報告された(非特許文献1参照。)。この太陽電池は、増感色素にルテニウム錯体を用いて分光増感した酸化チタン多孔質薄膜を光電極とする湿式太陽電池、すなわち電気化学光電池である。この色素増感太陽電池の利点は、安価な酸化チタンを用いることができ、増感色素の光吸収が800nmまでの幅広い可視光波長域にわたっていること、光電変換の量子効率が高く、高いエネルギー変換効率を実現できることである。また、製造に真空プロセスが必要ないため、大型の設備なども必要ない。
近年、色素増感太陽電池モジュールを開発する動きが活発化してきている。この色素増感太陽電池モジュールの構造としてZ型構造が知られている。このZ型構造の色素増感太陽電池モジュールは、2枚の基板間に複数の色素増感太陽電池を形成し、これらの色素増感太陽電池を基板内部で電気的に直列に接続したものであり、発電効率が高いことが知られている。
Nature,353,p.737-740,1991
Nature,353,p.737-740,1991
しかしながら、Z型構造の色素増感太陽電池モジュールでは、基板を2枚用いる必要があるため、薄型化や軽量化には不向きであった。基板1枚で作製可能なモノリシック構造の色素増感太陽電池モジュールも知られているが、このモノリシック構造の色素増感太陽電池モジュールでは、対極の材料に制限が多い上、構造上対極への色素吸着を防ぐことができないため、特性面でZ型構造の色素増感太陽電池モジュールに劣るというデメリットがあった。
そこで、この発明が解決しようとする課題は、基板を1枚用いるだけで済み、対極を薄く構成することができることにより薄型化および軽量化が可能であり、対極の材料面での制約がなく、しかもZ型構造の色素増感太陽電池モジュールと同等の発電性能を有する色素増感太陽電池モジュールなどの色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに上記の優れた色素増感光電変換素子モジュールを用いた電子機器を提供することである。
上記課題を解決するために、第1の発明は、
互いに電気的に直列に接続された複数の色素増感光電変換素子を有する色素増感光電変換素子モジュールであって、
透明基板上の複数の領域にそれぞれ透明導電層を有し、
上記透明導電層上に色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極が順次積層されて上記色素増感光電変換素子が構成され、
上記対極は金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔からなり、
互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とが互いに電気的に接続され、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質が含浸され、
それぞれの上記色素増感光電変換素子は封止層により覆われている
ことを特徴とするものである。
互いに電気的に直列に接続された複数の色素増感光電変換素子を有する色素増感光電変換素子モジュールであって、
透明基板上の複数の領域にそれぞれ透明導電層を有し、
上記透明導電層上に色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極が順次積層されて上記色素増感光電変換素子が構成され、
上記対極は金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔からなり、
互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とが互いに電気的に接続され、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質が含浸され、
それぞれの上記色素増感光電変換素子は封止層により覆われている
ことを特徴とするものである。
対極を構成する金属または合金からなる箔は、Ti、Ni、Cr、Fe、Nb、Ta、W、CoおよびZrからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含む金属または合金からなる箔を用いるのが好ましい。この金属または合金からなる箔の多孔質絶縁層側の片面に設ける触媒層、または、触媒能を有する材料は、Pt、Ru、IrおよびCからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含むことが好ましい。色素増感光電変換素子モジュールの薄型化の観点からは、対極の厚さ、すなわち金属または合金からなる箔と触媒層との厚さの合計または触媒能を有する材料からなる箔の厚さは0.1mm以下であることが好ましい。金属または合金からなる箔の上に触媒層を担持させるには、触媒または触媒の前駆体を含む溶液を湿式コートする方法や、スパッタリング法、真空蒸着法、化学気相成長(CVD)法などの乾式法などを用いることができる。
対極と透明導電層とは、互いに直接接合してもよいし、導電材料を介して接合してもよい。後者の場合、具体的には、対極と透明導電層とを例えば導電性接着剤または融点が300℃以下の低融点金属または合金によって互いに接合する。導電性接着剤としては、市販の銀、カーボン、ニッケル、銅ペーストなどを使用可能であるほか、異方導電性接着剤やフィルム状のものも使用可能である。また、透明導電層に接合可能なInやIn−Sn系はんだなどの各種の低融点金属または合金も使用可能である。さらに、対極と透明導電層との接合部が電解質と直接接触する場合には、接合部を樹脂などで保護して電解質との接触を防止するようにしてもよい。
封止層の材質は特に限定されないが、ガスバリア性が高く、化学的に不活性で電気的に絶縁性の材料を用いることが好ましく、具体的には、樹脂、各種接着剤、ガラスフリットなど、より具体的には、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などの各種の紫外線(UV)硬化型樹脂、各種の熱硬化樹脂、ホットメルト樹脂、低融点ガラスフリットなどを用いることができる。
封止層上には外装材を設けるのが好ましい。この外装材には、好適には、高いガスバリア性を有する材料が用いられ、具体的には、例えば、酸素透過度が100(cc/m2 /day/atm)以下、水蒸気透過度が100(g/m2 /day)以下であるものが用いられる。この外装材としては、例えば、食品の外装フィルムなどに代表されるガスバリア性フィルムが用いられ、好適には、アルミニウム、シリカおよびアルミナからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のガスバリア性材料が積層されたガスバリア性フィルムなどが用いられる。この外装材は、好適には、封止層の最外周を覆う形でこの封止層と一体に設けられ、減圧下または不活性ガス雰囲気中でシールされる。このような外装材を封止層上に設けることにより、色素増感光電変換素子モジュールの内部に外部から酸素などのガスや水蒸気などが浸透するのを防止することができるので、光電変換効率などの特性の劣化を抑えることができ、色素増感光電変換素子モジュールの耐久性の向上を図ることができる。
透明基板上の複数の領域に形成する透明導電層は、色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極を積層する前にパターニングしてもよいし、これらの色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極を積層した後にパターニングしてもよい。このパターニングは、従来公知の各種のエッチング法、レーザスクライブ、物理的な研磨加工などによって行うことができる。
透明基板上に形成する透明導電層の表面抵抗(シート抵抗)は低いほど好ましい。具体的には、透明導電層の表面抵抗は500Ω/□以下が好ましく、100Ω/□がさらに好ましい。この透明導電層の材料としては公知のものを使用可能であり、具体的には、インジウム−スズ複合酸化物(ITO)、フッ素ドープSnO2 (FTO)、アンチモンドープSnO2 (ATO)、SnO2 、ZnO、インジウム−亜鉛複合酸化物(IZO)などが挙げられるが、これらに限定されるものではなく、また、これらを2種類以上組み合わせて用いることもできる。また、この透明基板上に透明導電層を形成した透明導電性基板の表面抵抗を低減し、集電効率を向上させる目的で、この透明基板上に、導電性の高い金属などやカーボンなどの導電材料からなる配線を別途設けてもよい。この配線に用いる導電材料に特に制限はないが、耐食性、耐酸化性が高く、導電材料自体の漏れ電流が低いことが望ましい。
透明基板の材質は特に制限されず、透明であれば種々の基材を用いることができる。この透明基板は、色素増感光電変換素子外部から侵入する水分やガスの遮断性、耐溶剤性、耐候性などに優れているものが好ましく、具体的には、石英、サファイア、ガラスなどの透明無機基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフッ化ビニリデン、テトラアセチルセルロース、ブロム化フェノキシ、アラミド類、ポリイミド類、ポリスチレン類、ポリアリレート類、ポリスルフォン類、ポリオレフィン類などの透明プラスチック基板が挙げられ、これらの中でも特に可視光領域の透過率が高い基板を用いるのが好ましいが、これらに限定されるものではない。この透明基板としては、加工性、軽量性などを考慮すると透明プラスチック基板を用いるのが好ましい。また、この透明基板の厚さは特に制限されず、光の透過率、色素増感光電変換素子の内部と外部との遮断性などによって自由に選択することができる。
色素増感半導体層は、典型的には、色素を担持した半導体微粒子からなる多孔質半導体層である。半導体微粒子の材料としては、シリコンに代表される元素半導体のほかに、各種の化合物半導体、ペロブスカイト構造を有する化合物などを使用することができる。これらの半導体は、光励起下で伝導帯電子がキャリアーとなり、アノード電流を与えるn型半導体であることが好ましい。これらの半導体は、具体的に例示すると、TiO2 、ZnO、WO3 、Nb2 O5 、TiSrO3 、SnO2 などであり、これらの中でもアナターゼ型のTiO2 が特に好ましい。半導体の種類はこれらに限定されるものではなく、また、これらを2種類以上混合して用いることもできる。さらに、半導体微粒子は粒子状、チューブ状、棒状など必要に応じて様々な形態を取ることが可能である。
半導体微粒子の粒径に特に制限はないが、一次粒子の平均粒径で1〜200nmが好ましく、特に好ましくは5〜100nmである。また、この平均粒径の半導体微粒子にこの平均粒径より大きい平均粒径の半導体微粒子を混合し、平均粒径の大きい半導体微粒子により入射光を散乱させ、量子収率を向上させることも可能である。この場合、別途混合する半導体微粒子の平均粒径は20〜500nmであることが好ましい。
半導体微粒子からなる半導体層の作製方法に特に制限はないが、物性、利便性、製造コストなどを考慮した場合には湿式製膜法が好ましく、半導体微粒子の粉末あるいはゾルを水や有機溶媒などの溶媒に均一分散したペーストを調製し、透明導電性基板上に塗布する方法が好ましい。塗布は、その方法に特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法としては、例えば、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷など様々な方法により行うことができる。半導体微粒子の材料として結晶酸化チタンを用いる場合、その結晶型はアナターゼ型が光触媒活性の点から好ましい。アナターゼ型酸化チタンは市販の粉末、ゾル、スラリーでもよいし、あるいは、酸化チタンアルコキシドを加水分解するなどの公知の方法によって所定の粒径のものを作ってもよい。市販の粉末を使用する際には粒子の二次凝集を解消することが好ましく、塗布液調製時に乳鉢やボールミルや超音波分散装置などを使用して粒子の分散を行うことが好ましい。このとき、二次凝集が解かれた粒子が再度凝集するのを防ぐため、アセチルアセトン、塩酸、硝酸、界面活性剤、キレート剤などを添加することができる。また、増粘の目的でポリエチレンオキシドやポリビニルアルコールなどの高分子、セルロース系の増粘剤など、各種の増粘剤を添加することもできる。
半導体微粒子からなる半導体層、言い換えると半導体微粒子層は多くの増感色素を吸着することができるように、表面積の大きいものが好ましい。このため、半導体微粒子層を支持体上に塗設した状態での表面積は、投影面積に対して10倍以上であることが好ましく、100倍以上であることがより好ましい。この上限に特に制限はないが、通常1000倍程度である。半導体微粒子層は一般に、その厚さが増大するほど単位投影面積当たりの担持色素量が増えるため光の捕獲率が高くなるが、注入した電子の拡散距離が増すため電荷再結合によるロスも大きくなる。従って、半導体微粒子層には好ましい厚さが存在するが、その厚さは一般的には0.1〜100μmであり、1〜50μmであることがより好ましく、3〜30μmであることが特に好ましい。半導体微粒子層は支持体に塗布した後に粒子同士を電子的にコンタクトさせ、膜強度の向上や基板との密着性を向上させるために、焼成することが好ましい。焼成温度の範囲に特に制限はないが、温度を上げ過ぎると基板の抵抗が高くなってしまい、溶融することもあるため、通常は40〜700℃であり、より好ましくは40〜650℃である。また、焼成時間も特に制限はないが、通常は10分〜10時間程度である。焼成後、半導体微粒子層の表面積を増大させたり、半導体微粒子間のネッキングを高めたりする目的で、例えば四塩化チタン水溶液を用いた化学めっきや三塩化チタン水溶液を用いたネッキング処理や直径10nm以下の半導体超微粒子ゾルのディップ処理などを行ってもよい。透明導電性基板の支持体にプラスチック基板を用いる場合は、結着剤を含むペーストを基板上に塗布し、加熱プレスによる基板への圧着を行うことも可能である。
半導体層に担持させる色素としては、増感作用を示すものであれば特に制限はないが、例えば、ローダミンB、ローズベンガル、エオシン、エリスロシンなどのキサンテン系色素、メロシアニン、キノシアニン、クリプトシアニンなどのシアニン系色素、フェノサフラニン、カブリブルー、チオシン、メチレンブルーなどの塩基性染料、クロロフィル、亜鉛ポルフィリン、マグネシウムポルフィリンなどのポルフィリン系化合物が挙げられ、その他のものとしてはアゾ色素、フタロシアニン化合物、クマリン系化合物、Ruビピリジン錯化合物、Ruターピリジン錯化合物、アントラキノン系色素、多環キノン系色素、スクアリリウムなどが挙げられる。これらの中でも、Ruビピリジン錯化合物は量子収率が高く特に好ましい。ただし、増感色素はこれらのものに限定されるものではなく、また、これらの増感色素を2種類以上混合して用いてもよい。
色素の半導体層への吸着方法に特に制限はないが、上記の増感色素を例えばアルコール類、ニトリル類、ニトロメタン、ハロゲン化炭化水素、エーテル類、ジメチルスルホキシド、アミド類、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチルイミダゾリジノン、3−メチルオキサゾリジノン、エステル類、炭酸エステル類、ケトン類、炭化水素、水などの溶媒に溶解させ、これに半導体層を浸漬させたり、色素溶液を半導体層上に塗布したりすることができる。また、酸性度の高い色素を用いる場合には、色素分子同士の会合を低減する目的でデオキシコール酸などを添加してもよい。
増感色素を吸着させた後に、過剰に吸着した増感色素の除去を促進する目的で、アミン類を用いて半導体電極の表面を処理してもよい。アミン類の例としてはピリジン、4−tert−ブチルピリジン、ポリビニルピリジンなどが挙げられ、これらが液体の場合はそのまま用いてもよいし、有機溶媒に溶解して用いてもよい。
増感色素を吸着させた後に、過剰に吸着した増感色素の除去を促進する目的で、アミン類を用いて半導体電極の表面を処理してもよい。アミン類の例としてはピリジン、4−tert−ブチルピリジン、ポリビニルピリジンなどが挙げられ、これらが液体の場合はそのまま用いてもよいし、有機溶媒に溶解して用いてもよい。
多孔質絶縁層の材料は導電性を持たない材料であれば特に制限はないが、特にZr、Al、Ti、Si、Zn、WおよびNbからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含む酸化物、中でもジルコニア、アルミナ、チタニア、シリカなどを用いるのが望ましく、典型的にはこの酸化物の微粒子を用いる。この多孔質絶縁層の空孔率は10%以上であることが好ましい。空孔率の上限に制限はないが、この多孔質絶縁層の物理的強度の観点から、通常は10〜80%程度が好ましい。空孔率が10%以下であると、電解質の拡散に影響を及ぼし、色素増感光電変換素子モジュールの特性を著しく低下させてしまう。また、この多孔質絶縁層の細孔径は1〜1000nmが好ましい。細孔径が1nm未満であると、電解質の拡散や色素の含浸に影響を及ぼし、色素増感光電変換素子モジュールの特性を低下させてしまう。さらに、細孔径が1000nmより大きいと多孔質絶縁層中に対極の触媒粒子が侵入するためショートする恐れが生じる。この多孔質絶縁層の製造方法に制限はないが、上記酸化物粒子の焼結体であることが好ましい。
電解質は、ヨウ素(I2 )と金属ヨウ化物もしくは有機ヨウ化物との組み合わせ、臭素(Br2 )と金属臭化物あるいは有機臭化物との組み合わせのほか、フェロシアン酸塩/フェリシアン酸塩やフェロセン/フェリシニウムイオンなどの金属錯体、ポリ硫化ナトリウム、アルキルチオール/アルキルジスルフィドなどのイオウ化合物、ビオロゲン色素、ヒドロキノン/キノンなどを用いることができる。上記金属化合物のカチオンとしてはLi、Na、K、Mg、Ca、Csなど、上記有機化合物のカチオンとしてはテトラアルキルアンモニウム類、ピリジニウム類、イミダゾリウム類などの4級アンモニウム化合物が好ましいが、これらに限定されるものではなく、また、これらを2種類以上混合して用いることもできる。この中でも、I2 とLiI、NaIやイミダゾリウムヨーダイドなどの4級アンモニウム化合物とを組み合わせた電解質が好ましい。電解質塩の濃度は溶媒に対して0.05〜5Mが好ましく、さらに好ましくは0.2〜3Mである。I2 やBr2 の濃度は0.0005〜1Mが好ましく、さらに好ましくは0.001〜0.3Mである。また、開放電圧を向上させる目的で4−tert−ブチルピリジンに代表されるアミン系化合物からなる添加剤を加えてもよい。
上記電解質組成物を構成する溶媒として水、アルコール類、エーテル類、エステル類、炭酸エステル類、ラクトン類、カルボン酸エステル類、リン酸トリエステル類、複素環化合物類、ニトリル類、ケトン類、アミド類、ニトロメタン、ハロゲン化炭化水素、ジメチルスルホキシド、スルフォラン、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチルイミダゾリジノン、3−メチルオキサゾリジノン、炭化水素などが挙げられるが、これらに限定されるものではなく、また、これらを2種類以上混合して用いることもできる。さらに、溶媒としてテトラアルキル系、ピリジニウム系、イミダゾリウム系4級アンモニウム塩のイオン液体を用いることも可能である。
色素増感光電変換素子の漏液、電解質の揮発を低減する目的で、上記電解質組成物へゲル化剤、ポリマー、架橋モノマーなどを溶解させるほか、無機セラミック粒子を分散させてゲル状電解質として使用することも可能である。ゲルマトリクスと電解質組成物との比率は、電解質組成物が多ければイオン導電率は高くなるが、機械的強度は低下し、逆に電解質組成物が少なすぎると機械的強度は大きいがイオン導電率は低下するため、電解質組成物はゲル状電解質の50〜99wt%が望ましく、80〜97wt%がより好ましい。また、上記電解質と可塑剤とをポリマーに溶解させ、可塑剤を揮発除去することで全固体型の色素増感光電変換素子モジュールを実現することも可能である。
色素増感光電変換素子モジュールの製造方法は特に限定されないが、各層の厚さ、生産性、パターン精度などを考慮すると、色素を吸着させる前の半導体層、多孔質絶縁層、対極の触媒層および封止層は全てスクリーン印刷やスプレー塗布などの湿式塗布法によって形成するのが好ましく、特にスクリーン印刷によって形成するのが好ましい。色素を吸着させる前の半導体層および多孔質絶縁層は、それぞれの層を構成する粒子を含むペーストの塗布、焼成によって形成するのが好ましい。それぞれの空孔率はペーストのバインダー成分と粒子の比によって決められる。対極は、金属または合金からなる箔上の触媒層を多孔質絶縁層側へ向け、隣の色素増感光電変換素子の透明導電層と接合する。半導体層への色素の吸着は、対極を透明導電層と接合する前に行うことが好ましいが、接合した後に行っても構わない。対極を接合した後、色素増感光電変換素子全体を封止層で覆うように固定する。このとき、電解質を導入するための注液口を残しておくことが好ましい。この注液口から封止層内部に電解質を封入したら外装材を被せ、減圧下、もしくは不活性雰囲気中でシールするのが好ましい。
色素増感光電変換素子モジュールはその用途に応じて様々な形状で作製することが可能であり、その形状は特に限定されない。
色素増感光電変換素子モジュールは、最も典型的には、色素増感太陽電池モジュールとして構成される。ただし、色素増感光電変換素子モジュールは、色素増感太陽電池モジュール以外のもの、例えば色素増感光センサーなどであってもよい。
色素増感光電変換素子モジュールは、最も典型的には、色素増感太陽電池モジュールとして構成される。ただし、色素増感光電変換素子モジュールは、色素増感太陽電池モジュール以外のもの、例えば色素増感光センサーなどであってもよい。
第2の発明は、
互いに電気的に直列に接続された複数の色素増感光電変換素子を有する色素増感光電変換素子モジュールの製造方法であって、
透明基板上の複数の領域にそれぞれ形成された透明導電層上に色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極を順次積層して上記色素増感光電変換素子を構成し、この際、上記対極を金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔により形成するとともに、互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とを互いに電気的に接続する工程と、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質を含浸させる工程と、
それぞれの上記色素増感光電変換素子を封止層により覆う工程とを有する
ことを特徴とするものである。
互いに電気的に直列に接続された複数の色素増感光電変換素子を有する色素増感光電変換素子モジュールの製造方法であって、
透明基板上の複数の領域にそれぞれ形成された透明導電層上に色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極を順次積層して上記色素増感光電変換素子を構成し、この際、上記対極を金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔により形成するとともに、互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とを互いに電気的に接続する工程と、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質を含浸させる工程と、
それぞれの上記色素増感光電変換素子を封止層により覆う工程とを有する
ことを特徴とするものである。
少なくとも色素増感半導体層および多孔質絶縁層に電解質を含浸させる工程とそれぞれの色素増感光電変換素子を封止層により覆う工程との順序は問わず、いずれの工程を先に行ってもよい。
第2の発明においては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
第2の発明においては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
第3の発明は、
色素増感光電変換素子モジュールを用いた電子機器において、
上記色素増感光電変換素子モジュールが、
透明基板上の複数の領域にそれぞれ透明導電層を有し、
上記透明導電層上に色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極が順次積層されて上記色素増感光電変換素子が構成され、
上記対極は金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔からなり、
互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とが互いに電気的に接続され、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質が含浸され、
それぞれの上記色素増感光電変換素子は封止層により覆われているものである
ことを特徴とするものである。
色素増感光電変換素子モジュールを用いた電子機器において、
上記色素増感光電変換素子モジュールが、
透明基板上の複数の領域にそれぞれ透明導電層を有し、
上記透明導電層上に色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極が順次積層されて上記色素増感光電変換素子が構成され、
上記対極は金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔からなり、
互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とが互いに電気的に接続され、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質が含浸され、
それぞれの上記色素増感光電変換素子は封止層により覆われているものである
ことを特徴とするものである。
電子機器は、基本的にはどのようなものであってもよく、携帯型のものと据え置き型のものとの双方を含むが、具体例を挙げると、携帯電話、モバイル機器、ロボット、パーソナルコンピュータ、車載機器、各種家庭電気製品などである。この場合、色素増感光電変換素子モジュールは、例えばこれらの電子機器の電源として用いられる色素増感太陽電池モジュールである。
第3の発明においては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
第3の発明においては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
上述のように構成されたこの発明によれば、基板を1枚用いるだけで済み、しかも対極は金属または合金からなる箔の上に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔からなるため対極を薄く構成することができることにより、色素増感光電変換素子モジュールの薄型化および軽量化が可能である。また、対極を構成する金属または合金からなる箔の材料および触媒能を有する材料は選択の幅が広く、対極の材料面での制約がない。さらに、色素増感半導体層と対極とは多孔質絶縁層で隔てられているため、色素増感半導体層の色素が対極に吸着するのを防止することができ、特性の劣化が生じない。
この発明によれば、薄型化および軽量化が可能であり、対極の材料面での制約がなく、しかもZ型構造の色素増感太陽電池モジュールと同等の発電性能を有する色素増感光電変換素子モジュールを実現することができる。そして、この優れた色素増感光電変換素子モジュールを用いて高性能の電子機器を実現することができる。
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1および図2はこの発明の第1の実施形態による色素増感光電変換素子モジュールを示し、図1は要部断面図、図2Aは平面図である。図1は図2AのX−X線に沿っての拡大断面図に相当する。
図1および図2Aに示すように、この色素増感光電変換素子モジュールにおいては、絶縁性の透明基板1上にストライプ状の透明導電層2が複数、互いに平行に設けられている。各透明導電層2上には、それぞれ透明導電層2と同一方向に延在するストライプ状の色素増感半導体層3、多孔質絶縁層4および対極5が順次積層されて色素増感光電変換素子が構成されている。少なくとも色素増感半導体層3および多孔質絶縁層4の全体に電解質が含浸されている。対極5は、Ti、Ni、Cr、Fe、Nb、Ta、W、CoおよびZrからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含む金属または合金からなる箔の多孔質絶縁層4側の片面にPt、Ru、IrおよびCからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含む触媒層が設けられたもの、または、Pt、Ru、IrおよびCからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含む材料からなる箔からなる。この場合、色素増感半導体層3の幅は透明導電層2よりも小さく、透明導電層2の長手方向の1辺に隣接する部分が露出している。多孔質絶縁層4の幅は色素増感半導体層3の幅よりも大きく、色素増感半導体層3の全体を覆うように設けられている。多孔質絶縁層4の一端は色素増感半導体層3の一方の側面に沿って延在して透明基板1と接しており、他端は色素増感半導体層3の他方の側面に沿って延在して透明導電層2と接している。また、1つの色素増感光電変換素子の対極5の一端は、導電材料6を介して、隣接する色素増感光電変換素子の透明導電層2と接合されている。これによって、複数の色素増感光電変換素子が互いに電気的に直列に接続されている。直列に接続する色素増感光電変換素子の数は必要に応じて選ばれる。各色素増感光電変換素子の間の対極5と多孔質絶縁層4との間の部分および対極5の全面に封止層7が設けられており、この封止層7により各色素増感光電変換素子が封止されている。さらに、この封止層7の全面にガスバリア材料からなる外装フィルム8(外装材)が接着されている。図2Bに多孔質絶縁層4、対極5および封止層7の一部分(図2Aの一点鎖線で囲んだ部分)を拡大した平面図を示す。
図1および図2はこの発明の第1の実施形態による色素増感光電変換素子モジュールを示し、図1は要部断面図、図2Aは平面図である。図1は図2AのX−X線に沿っての拡大断面図に相当する。
図1および図2Aに示すように、この色素増感光電変換素子モジュールにおいては、絶縁性の透明基板1上にストライプ状の透明導電層2が複数、互いに平行に設けられている。各透明導電層2上には、それぞれ透明導電層2と同一方向に延在するストライプ状の色素増感半導体層3、多孔質絶縁層4および対極5が順次積層されて色素増感光電変換素子が構成されている。少なくとも色素増感半導体層3および多孔質絶縁層4の全体に電解質が含浸されている。対極5は、Ti、Ni、Cr、Fe、Nb、Ta、W、CoおよびZrからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含む金属または合金からなる箔の多孔質絶縁層4側の片面にPt、Ru、IrおよびCからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含む触媒層が設けられたもの、または、Pt、Ru、IrおよびCからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含む材料からなる箔からなる。この場合、色素増感半導体層3の幅は透明導電層2よりも小さく、透明導電層2の長手方向の1辺に隣接する部分が露出している。多孔質絶縁層4の幅は色素増感半導体層3の幅よりも大きく、色素増感半導体層3の全体を覆うように設けられている。多孔質絶縁層4の一端は色素増感半導体層3の一方の側面に沿って延在して透明基板1と接しており、他端は色素増感半導体層3の他方の側面に沿って延在して透明導電層2と接している。また、1つの色素増感光電変換素子の対極5の一端は、導電材料6を介して、隣接する色素増感光電変換素子の透明導電層2と接合されている。これによって、複数の色素増感光電変換素子が互いに電気的に直列に接続されている。直列に接続する色素増感光電変換素子の数は必要に応じて選ばれる。各色素増感光電変換素子の間の対極5と多孔質絶縁層4との間の部分および対極5の全面に封止層7が設けられており、この封止層7により各色素増感光電変換素子が封止されている。さらに、この封止層7の全面にガスバリア材料からなる外装フィルム8(外装材)が接着されている。図2Bに多孔質絶縁層4、対極5および封止層7の一部分(図2Aの一点鎖線で囲んだ部分)を拡大した平面図を示す。
色素増感半導体層3としては、半導体微粒子層に色素を担持させたものが用いられる。封止層7としては、例えば樹脂やガラスフリットなどが用いられる。外装フィルム8としては、好適には、酸素透過度が100(cc/m2 /day/atm)以下、水蒸気透過度が100(g/m2 /day)以下であるものが用いられる。
透明基板1、透明導電層2、色素増感半導体層3、多孔質絶縁層4および対極5は、すでに挙げたものの中から、必要に応じて選択されたものを用いることができる。
透明基板1、透明導電層2、色素増感半導体層3、多孔質絶縁層4および対極5は、すでに挙げたものの中から、必要に応じて選択されたものを用いることができる。
次に、この色素増感光電変換素子モジュールの製造方法について説明する。
まず、図3Aに示すように、透明基板1を用意し、この透明基板1の全面に透明導電層2を形成した後、この透明導電層2をエッチングによりストライプ状にパターニングする。次に、各透明導電層2上に、半導体微粒子が分散されたペーストを所定のギャップに塗布する。次に、透明基板1を所定温度に加熱して半導体微粒子を焼結し、半導体微粒子焼結体からなる半導体層を形成する。次に、半導体微粒子焼結体からなる半導体層が形成された透明基板1を色素溶液に浸漬するなどして半導体微粒子に増感用の色素を担持させる。こうして各透明導電層2上に色素増感半導体層3が形成される。次に、全面に多孔質絶縁層4を形成した後、この多孔質絶縁層4をエッチングによりストライプ状にパターニングする。次に、各透明導電層2上の対極5の接合部に導電材料6を形成した後、所定の形状の金属または合金からなる箔の片面に触媒層を有するか、触媒能を有する材料からなる箔からなる対極5を形成し、導電材料6と接合する。
まず、図3Aに示すように、透明基板1を用意し、この透明基板1の全面に透明導電層2を形成した後、この透明導電層2をエッチングによりストライプ状にパターニングする。次に、各透明導電層2上に、半導体微粒子が分散されたペーストを所定のギャップに塗布する。次に、透明基板1を所定温度に加熱して半導体微粒子を焼結し、半導体微粒子焼結体からなる半導体層を形成する。次に、半導体微粒子焼結体からなる半導体層が形成された透明基板1を色素溶液に浸漬するなどして半導体微粒子に増感用の色素を担持させる。こうして各透明導電層2上に色素増感半導体層3が形成される。次に、全面に多孔質絶縁層4を形成した後、この多孔質絶縁層4をエッチングによりストライプ状にパターニングする。次に、各透明導電層2上の対極5の接合部に導電材料6を形成した後、所定の形状の金属または合金からなる箔の片面に触媒層を有するか、触媒能を有する材料からなる箔からなる対極5を形成し、導電材料6と接合する。
次に、図3Bに示すように、各色素増感光電変換素子毎の注液口(図2Aにおいて符号8で示す)を形成する部分を除いて、各色素増感光電変換素子の間の対極5と多孔質絶縁層4との間の部分および対極5の全面に封止層7を形成する。
次に、各色素増感光電変換素子毎にあらかじめ形成された注液口9から電解液を注液し、色素増感半導体層3および多孔質絶縁層4の全体に電解質を含浸させる。
次に、この封止層7の全面に外装フィルム8を接着する。
以上のようにして、図1および図2Aに示す色素増感光電変換素子モジュールが製造される。
次に、各色素増感光電変換素子毎にあらかじめ形成された注液口9から電解液を注液し、色素増感半導体層3および多孔質絶縁層4の全体に電解質を含浸させる。
次に、この封止層7の全面に外装フィルム8を接着する。
以上のようにして、図1および図2Aに示す色素増感光電変換素子モジュールが製造される。
次に、この色素増感光電変換素子モジュールの動作について説明する。
透明基板1側からこの透明基板1を透過して入射した光は、色素増感半導体層3の色素を励起して電子を発生する。この電子は、速やかに色素から色素増感半導体層3の半導体微粒子に渡される。一方、電子を失った色素は、色素増感半導体層3および多孔質絶縁層4の全体に含浸された電解質のイオンから電子を受け取り、電子を渡した分子は再び対極5の表面で電子を受け取る。この一連の反応により、色素増感半導体層3と電気的に接続された透明導電層2と対極5との間に起電力が発生する。こうして光電変換が行われる。この場合、直列接続された複数の色素増感光電変換素子の一端の色素増感光電変換素子の透明導電層2と他端の色素増感光電変換素子の対極5との間に各色素増感光電変換素子の起電力の合計の起電力が発生する。
透明基板1側からこの透明基板1を透過して入射した光は、色素増感半導体層3の色素を励起して電子を発生する。この電子は、速やかに色素から色素増感半導体層3の半導体微粒子に渡される。一方、電子を失った色素は、色素増感半導体層3および多孔質絶縁層4の全体に含浸された電解質のイオンから電子を受け取り、電子を渡した分子は再び対極5の表面で電子を受け取る。この一連の反応により、色素増感半導体層3と電気的に接続された透明導電層2と対極5との間に起電力が発生する。こうして光電変換が行われる。この場合、直列接続された複数の色素増感光電変換素子の一端の色素増感光電変換素子の透明導電層2と他端の色素増感光電変換素子の対極5との間に各色素増感光電変換素子の起電力の合計の起電力が発生する。
この第1の実施形態によれば、基板として透明基板1を用いるだけで済み、しかも対極5は金属または合金からなる箔の上に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔からなるものであるため対極5を薄く構成することができることにより、色素増感光電変換素子モジュールの薄型化および軽量化が可能である。また、対極5を構成する金属または合金からなる箔および触媒層の材料または触媒能を有する材料は選択の幅が広く、対極の材料面での制約がない。さらに、色素増感半導体層3と対極5とは多孔質絶縁層4で隔てられているため、色素増感半導体層3の色素が対極5に吸着するのを防止することができ、特性の劣化が生じないことから、Z型構造の色素増感太陽電池モジュールと同等の発電性能を有する色素増感光電変換素子モジュールを実現することができる。加えて、各色素増感光電変換素子が封止層7により封止され、しかもこの封止層7の全面にガスバリア材料からなる外装フィルム8が接着されているので、外部から酸素などのガスや水蒸気などがモジュール内部に浸透するのを防止することができ、光電変換効率などの特性の劣化を防止することができる。このため、長期間優れた特性を維持することができる耐久性の高い色素増感光電変換素子モジュールを実現することができる。
色素増感光電変換素子モジュールの実施例について説明する。
実施例1
ガラス基板上にFTO膜を形成した後、このFTO膜をエッチングによりパターニングして、間に0.5mm幅の隙間が形成されるように8本のストライプ状のパターンを形成した。その後、アセトン、アルコール、アルカリ系洗浄液、超純水を順に用いて超音波洗浄を行い、十分に乾燥させた。
このガラス基板上へSolaronix 製酸化チタンペーストを5mm幅、長さ40mmのストライプ状で8本(総面積16cm2 )、スクリーン印刷機で塗布した。ペーストはガラス基板側より透明なTi-Nanoxide TSPペーストを厚さ7μm、散乱粒子を含むTi-Nanoxide DSPを厚さ13μm順次積層させ、合計20μmの厚さの多孔質TiO2 膜を得た。この多孔質TiO2 膜を500℃で30分間電気炉で焼成し、放冷後、0.1mol/LのTiCl4 水溶液中に浸漬させ、70℃で30分間保持し、十分に純水およびエタノールで洗浄し、乾燥後、再び500℃で30分間電気炉で焼成した。こうしてTiO2 焼結体を作製した。
実施例1
ガラス基板上にFTO膜を形成した後、このFTO膜をエッチングによりパターニングして、間に0.5mm幅の隙間が形成されるように8本のストライプ状のパターンを形成した。その後、アセトン、アルコール、アルカリ系洗浄液、超純水を順に用いて超音波洗浄を行い、十分に乾燥させた。
このガラス基板上へSolaronix 製酸化チタンペーストを5mm幅、長さ40mmのストライプ状で8本(総面積16cm2 )、スクリーン印刷機で塗布した。ペーストはガラス基板側より透明なTi-Nanoxide TSPペーストを厚さ7μm、散乱粒子を含むTi-Nanoxide DSPを厚さ13μm順次積層させ、合計20μmの厚さの多孔質TiO2 膜を得た。この多孔質TiO2 膜を500℃で30分間電気炉で焼成し、放冷後、0.1mol/LのTiCl4 水溶液中に浸漬させ、70℃で30分間保持し、十分に純水およびエタノールで洗浄し、乾燥後、再び500℃で30分間電気炉で焼成した。こうしてTiO2 焼結体を作製した。
次に、市販のジルコニア分散液を用い、テルピネオールへ溶媒置換した後、エチルセルロースにて所定の粘度に調整したスクリーン印刷用ジルコニアペーストを長さ41mm、5.5mm幅、厚さ10μmで上記TiO2 焼結体上に塗布した。このジルコニアペースト膜を乾燥させた後、500℃で30分間電気炉で焼成した。こうして多孔質絶縁層が形成された。
次に、0.5mMシス−ビス(イソチオシアナート)−N,N−ビス(2,2' −ジピリジル−4,4' −ジカルボン酸)−ルテニウム(II)ジテトラブチルアンモニウム塩(N719色素)のtert−ブチルアルコール/アセトニトリル混合溶媒(体積比1:1)に室温下、48時間浸漬させてTiO2 焼結体に色素を担持させた。こうして色素を担持させたTiO2 焼結体をアセトニトリルで洗浄し、暗所で乾燥させた。こうして色素増感TiO2 焼結体を作製した。
次に、異方導電性ペーストを0.5mm幅でストライプ状の色素増感TiO2 焼結体に平行になるように塗布して乾燥させた。
次に、厚さ0.05mmのチタン箔の片面に0.05mMの塩化白金酸のイソプロピルアルコール(IPA)溶液をスプレーコートし、385℃にて焼成した対極を6mm×40mmの大きさに切り出し、塩化白金酸をスプレーした面を色素増感TiO2 焼結体側に向け、位置合わせを行った後に、上記の異方導電性ペーストと対極とを熱圧着によって接合した。
次に、厚さ0.05mmのチタン箔の片面に0.05mMの塩化白金酸のイソプロピルアルコール(IPA)溶液をスプレーコートし、385℃にて焼成した対極を6mm×40mmの大きさに切り出し、塩化白金酸をスプレーした面を色素増感TiO2 焼結体側に向け、位置合わせを行った後に、上記の異方導電性ペーストと対極とを熱圧着によって接合した。
上記ガラス基板上に、外装フィルムの接着面と集電端子を接続する部分、さらに注液用の直径1mmのパターンを残し、各色素増感光電変換素子を全て覆うようにスクリーン印刷にてUV硬化型接着剤を塗布した。塗布後、気泡が完全に抜けたらコンベア式のUV露光機にてUV硬化型接着剤に紫外光を照射して硬化させた。
メトキシアセトニトリル3gにヨウ化ナトリウム(NaI)0.045g、1−プロピル−2.3−ジメチルイミダゾリウムヨーダイド1.11g、ヨウ素(I2 )0.11g、4−tert−ブチルピリジン0.081gを溶解させ、電解質組成物を調製した。
次に、こうして調製した電解質組成物を上記のように準備された直径1mmの注液口から減圧下で注入した後、0.4MPaの加圧下で30分間保持し、電解液を各色素増感光電変換素子内に完全に浸透させた。こうして、色素増感TiO2 焼結体および多孔質絶縁層に電解質が含浸された。
次に、こうして調製した電解質組成物を上記のように準備された直径1mmの注液口から減圧下で注入した後、0.4MPaの加圧下で30分間保持し、電解液を各色素増感光電変換素子内に完全に浸透させた。こうして、色素増感TiO2 焼結体および多孔質絶縁層に電解質が含浸された。
次に、上記の電解液の注液口をUV硬化型接着剤により封止し、市販のアルミラミネートフィルムの接着面にホットメルト接着フィルムを接合させた外装フィルムを準備し、減圧下で透明基板の最外周部分にヒートシーラーにて融着させ、色素増感光電変換素子モジュールを得た。この色素増感光電変換素子モジュールは、5mm×40mmの大きさの色素増感光電変換素子が8本直列に接続されたものである。
実施例2
対極をカーボンペーストで箔状に作製したこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例3
対極を白金担持カーボンペーストで箔状に作製したこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例4
対極を厚さ0.05mmの白金箔で作製し、触媒層を設けなかったこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例5
対極を厚さ0.05mmのカーボンペーパーで箔状に作製し、触媒層を設けなかったこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例6
対極を厚さ0.05mmのカーボンペーパーで箔状に作製し、塩化白金酸で触媒層を設けたこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例7
異方導電性ペーストの代わりにInペーストを用い、電解液と接する面を樹脂で被覆したこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例8
異方導電性ペーストの代わりに室温硬化Agペーストを用い、電解液と接する面を樹脂で被覆したこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
比較例1
対極基板にFTO基板を用い、触媒層は実施例1と同様に塩化白金酸のIPA溶液のスプレーコートにて形成し、両端を樹脂で被覆したAgペーストの集電電極によって上下の基板を接合したZ型構造の色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
対極をカーボンペーストで箔状に作製したこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例3
対極を白金担持カーボンペーストで箔状に作製したこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例4
対極を厚さ0.05mmの白金箔で作製し、触媒層を設けなかったこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例5
対極を厚さ0.05mmのカーボンペーパーで箔状に作製し、触媒層を設けなかったこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例6
対極を厚さ0.05mmのカーボンペーパーで箔状に作製し、塩化白金酸で触媒層を設けたこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例7
異方導電性ペーストの代わりにInペーストを用い、電解液と接する面を樹脂で被覆したこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
実施例8
異方導電性ペーストの代わりに室温硬化Agペーストを用い、電解液と接する面を樹脂で被覆したこと以外は実施例1と同様に色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
比較例1
対極基板にFTO基板を用い、触媒層は実施例1と同様に塩化白金酸のIPA溶液のスプレーコートにて形成し、両端を樹脂で被覆したAgペーストの集電電極によって上下の基板を接合したZ型構造の色素増感光電変換素子モジュールを作製した。
以上のように作製した実施例1〜8および比較例1の色素増感光電変換素子モジュールにおいて、擬似太陽光(AM1.5、100mW/cm2 )の照射下における光電変換効率を測定するとともに、これらの色素増感光電変換素子モジュールの最大突起部分の厚さをデジタルノギスで測定した。その結果を表1に示す。
表1から実施例1〜8の色素増感光電変換素子モジュールは発電性能が優れ、しかも比較例1に比べて大幅に薄型化されていることが分かる。
さらに、以上のように作製した実施例1〜8の色素増感光電変換素子モジュールにおいて、60℃下、擬似太陽光(AM1.5、100mW/cm2 )を1000時間照射(耐久加速試験)後における光電変換効率を測定したところ、これらの色素増感光電変換素子モジュールは耐久性が極めて優れていることが分かった。
さらに、以上のように作製した実施例1〜8の色素増感光電変換素子モジュールにおいて、60℃下、擬似太陽光(AM1.5、100mW/cm2 )を1000時間照射(耐久加速試験)後における光電変換効率を測定したところ、これらの色素増感光電変換素子モジュールは耐久性が極めて優れていることが分かった。
次に、この発明の第2の実施形態による色素増感光電変換素子モジュールについて説明する。
この色素増感光電変換素子モジュールにおいては、第1の実施形態による色素増感光電変換素子モジュールにおいて、電解質が、ヨウ素を含み、かつイソシアネート基(−NCO)を少なくとも1つ有する化合物を含み、好適にはさらに、この化合物が同じ分子内にイソシアネート基以外に窒素含有官能基を少なくとも1つ以上含み、あるいは、この化合物以外に窒素含有官能基を少なくとも1つ以上有する化合物をさらに含む電解質組成物からなる。イソシアネート基(−NCO)を少なくとも1つ以上有する化合物に特に制限はないが、電解質の溶媒や電解質塩、その他の添加剤と相溶していることが好ましい。窒素含有官能基を少なくとも1つ以上有する化合物は、好適には、アミン系化合物であるが、これに限定されるものではない。このアミン系化合物に特に制限はないが、電解質の溶媒や電解質塩、その他の添加剤と相溶していることが好ましい。このようにイソシアネート基を少なくとも1つ以上有する化合物に窒素含有官能基を共存させると、特に色素増感光電変換素子モジュールの開放電圧の増加に大きく寄与する。イソシアネート基を少なくとも1つ以上有する化合物は、具体的には、例えば、イソシアン酸フェニル、イソシアン酸2−クロロエチル、イソシアン酸m−クロロフェニル、イソシアン酸シクロヘキシル、イソシアン酸o−トリル、イソシアン酸p−トリル、イソシアン酸n−ヘキシル、2,4−ジイソシアン酸トリレン、ジイソシアン酸ヘキサメチレン、4,4’−ジイソシアン酸メチレンジフェニルなどであるが、これに限定されるものではない。また、アミン系化合物は、具体的には、例えば、4−tert−ブチルピリジン、アニリン、N,N−ジメチルアニリン、N−メチルベンズイミダゾールなどであるが、これに限定されるものではない。
上記以外のことは、第1の実施形態による色素増感光電変換素子モジュールと同様である。
この色素増感光電変換素子モジュールにおいては、第1の実施形態による色素増感光電変換素子モジュールにおいて、電解質が、ヨウ素を含み、かつイソシアネート基(−NCO)を少なくとも1つ有する化合物を含み、好適にはさらに、この化合物が同じ分子内にイソシアネート基以外に窒素含有官能基を少なくとも1つ以上含み、あるいは、この化合物以外に窒素含有官能基を少なくとも1つ以上有する化合物をさらに含む電解質組成物からなる。イソシアネート基(−NCO)を少なくとも1つ以上有する化合物に特に制限はないが、電解質の溶媒や電解質塩、その他の添加剤と相溶していることが好ましい。窒素含有官能基を少なくとも1つ以上有する化合物は、好適には、アミン系化合物であるが、これに限定されるものではない。このアミン系化合物に特に制限はないが、電解質の溶媒や電解質塩、その他の添加剤と相溶していることが好ましい。このようにイソシアネート基を少なくとも1つ以上有する化合物に窒素含有官能基を共存させると、特に色素増感光電変換素子モジュールの開放電圧の増加に大きく寄与する。イソシアネート基を少なくとも1つ以上有する化合物は、具体的には、例えば、イソシアン酸フェニル、イソシアン酸2−クロロエチル、イソシアン酸m−クロロフェニル、イソシアン酸シクロヘキシル、イソシアン酸o−トリル、イソシアン酸p−トリル、イソシアン酸n−ヘキシル、2,4−ジイソシアン酸トリレン、ジイソシアン酸ヘキサメチレン、4,4’−ジイソシアン酸メチレンジフェニルなどであるが、これに限定されるものではない。また、アミン系化合物は、具体的には、例えば、4−tert−ブチルピリジン、アニリン、N,N−ジメチルアニリン、N−メチルベンズイミダゾールなどであるが、これに限定されるものではない。
上記以外のことは、第1の実施形態による色素増感光電変換素子モジュールと同様である。
この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点に加えて、電解質層7が、イソシアネート基を少なくとも1つ以上有する化合物を含む電解質組成物からなることにより、短絡電流および開放電圧の双方を増加させることができ、これによって光電変換効率が極めて高い色素増感光電変換素子モジュールを得ることができるという利点を得ることができる。
実施例9
実施例1において、電解質組成物の調製に際し、プロピレンカーボネート3gにヨウ化ナトリウム(NaI)0.045g、1−プロピル−2.3−ジメチルイミダゾリウムヨーダイド1.11g、ヨウ素(I2 )0.11g、4−tert−ブチルピリジン0.081gに加えてイソシアン酸フェニル0.071g(0.2mol/L)を溶解させる。その他は実施例1と同様と同様にして色素増感光電変換素子モジュールを得た。
実施例1において、電解質組成物の調製に際し、プロピレンカーボネート3gにヨウ化ナトリウム(NaI)0.045g、1−プロピル−2.3−ジメチルイミダゾリウムヨーダイド1.11g、ヨウ素(I2 )0.11g、4−tert−ブチルピリジン0.081gに加えてイソシアン酸フェニル0.071g(0.2mol/L)を溶解させる。その他は実施例1と同様と同様にして色素増感光電変換素子モジュールを得た。
以上、この発明の実施形態および実施例について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値、構造、形状、材料、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、形状、材料、原料、プロセスなどを用いてもよい。
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値、構造、形状、材料、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、形状、材料、原料、プロセスなどを用いてもよい。
1…透明基板、2…透明導電層、3…色素増感半導体層、4…多孔質絶縁層、5…対極、6…導電材料、7…封止層、8…外装フィルム、9…注液口
Claims (9)
- 互いに電気的に直列に接続された複数の色素増感光電変換素子を有する色素増感光電変換素子モジュールであって、
透明基板上の複数の領域にそれぞれ透明導電層を有し、
上記透明導電層上に色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極が順次積層されて上記色素増感光電変換素子が構成され、
上記対極は金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔からなり、
互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とが互いに電気的に接続され、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質が含浸され、
それぞれの上記色素増感光電変換素子は封止層により覆われている
ことを特徴とする色素増感光電変換素子モジュール。 - 上記金属または合金からなる箔はTi、Ni、Cr、Fe、Nb、Ta、W、CoおよびZrからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含むことを特徴とする請求項1記載の色素増感光電変換素子モジュール。
- 上記触媒層または上記触媒能を有する材料はPt、Ru、IrおよびCからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素を含むことを特徴とする請求項2記載の色素増感光電変換素子モジュール。
- 上記対極と上記透明導電層とは導電性接着剤または融点が300℃以下の低融点金属または合金によって互いに接合されていることを特徴とする請求項3記載の色素増感光電変換素子モジュール。
- 上記封止層上にガスバリア性材料からなる外装材が設けられていることを特徴とする請求項1記載の色素増感光電変換素子モジュール。
- 上記ガスバリア性材料は酸素透過度が100(cc/m2 /day/atm)以下、水蒸気透過度が100(g/m2 /day)以下であることを特徴とする請求項5記載の色素増感光電変換素子モジュール。
- 上記外装材はアルミニウム、シリカおよびアルミナからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のガスバリア性材料が積層されたフィルムであることを特徴とする請求項6記載の色素増感光電変換素子モジュール。
- 互いに電気的に直列に接続された複数の色素増感光電変換素子を有する色素増感光電変換素子モジュールの製造方法であって、
透明基板上の複数の領域に透明導電層、色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極を順次積層して上記色素増感光電変換素子を構成し、この際、上記対極を金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔により形成するとともに、互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とを互いに電気的に接続する工程と、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質を含浸させる工程と、
それぞれの上記色素増感光電変換素子を封止層により覆う工程とを有する
ことを特徴とする色素増感光電変換素子モジュールの製造方法。 - 色素増感光電変換素子モジュールを用いた電子機器において、
上記色素増感光電変換素子モジュールが、
透明基板上の複数の領域にそれぞれ透明導電層を有し、
上記透明導電層上に色素増感半導体層、多孔質絶縁層および対極が順次積層されて上記色素増感光電変換素子が構成され、
上記対極は金属または合金からなる箔の上記多孔質絶縁層側の片面に触媒層を有するもの、または、触媒能を有する材料からなる箔からなり、
互いに隣接する2つの上記色素増感光電変換素子の間の部分において1つの色素増感光電変換素子の上記透明導電層ともう1つの色素増感光電変換素子の上記対極とが互いに電気的に接続され、
少なくとも上記色素増感半導体層および上記多孔質絶縁層に電解質が含浸され、
それぞれの上記色素増感光電変換素子は封止層により覆われているものである
ことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007281670A JP2009110796A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器 |
CN200880014076A CN101675554A (zh) | 2007-10-30 | 2008-10-15 | 染料增感光电转换元件模块及其制造方法以及电子设备 |
PCT/JP2008/068614 WO2009057445A1 (ja) | 2007-10-30 | 2008-10-15 | 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器 |
US12/451,164 US20100108135A1 (en) | 2007-10-30 | 2008-10-15 | Dye-sensitized photoelectric conversion element module and a method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
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KR1020097018653A KR20100074086A (ko) | 2007-10-30 | 2008-10-15 | 색소증감 광전변환 소자 모듈 및 그 제조 방법 및 전자 기기 |
TW097140198A TW200943605A (en) | 2007-10-30 | 2008-10-20 | Dye-sensitized photoelectric conversion element module, its manufacturing method, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007281670A JP2009110796A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009110796A true JP2009110796A (ja) | 2009-05-21 |
Family
ID=40590837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007281670A Pending JP2009110796A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100108135A1 (ja) |
EP (1) | EP2214249A1 (ja) |
JP (1) | JP2009110796A (ja) |
KR (1) | KR20100074086A (ja) |
CN (1) | CN101675554A (ja) |
TW (1) | TW200943605A (ja) |
WO (1) | WO2009057445A1 (ja) |
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CN101675554A (zh) | 2010-03-17 |
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KR20100074086A (ko) | 2010-07-01 |
EP2214249A1 (en) | 2010-08-04 |
US20100108135A1 (en) | 2010-05-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |