TW200809437A - Electrographic photoreceptor, image forming apparatus, and electrographic cartridge - Google Patents

Electrographic photoreceptor, image forming apparatus, and electrographic cartridge Download PDF

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layer
metal oxide
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Teruyuki Mitsumori
Kozo Ishio
Hiroe Fuchigami
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Mitsubishi Chem Corp
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200809437 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 接用i月係關於一種具有底塗層之電子照片感光體、以及 ，用其之圖像形成裝置及電子照片E者。 【先前技術】 等二=技術因具有即時性、且可獲得高品質之圖像 表機領域中。至Mm w H之應用於各種印 體〔以下、益/ 片技術核心之電子照片感光 #墓币、虽早獨稱為「感光體」），開發有使用與益機孚 光導電材料作為/光t雷^、易於製造等優點之有機系 … 乍為八先^電材料的有機感光體。 成通In 有機感光體係於導電性支持體上形成感光層而 解或八:二:體之類型’已知有：具有使光導電性材料溶 =1:劑樹脂中之單層感光層(單層型感光層) =斤：：層型感光體;具有包含將含有電荷產生物質之電 ^的^含有電荷傳輸㈣之電荷傳輪層積層而成之複 二：：二層(積層型感光層)的所謂積層型感先體等。 =枝感光體中，由於感光體之使用環境之變化或因反 二"5ί:之電氣特性等之變化，有時會於使用該感光 肢而形成之圖像上發現各種缺陷。作為改善其之技術之 二光穩定且良好之圖像，而於導電性基板與 心《間6又置3有黏合劑樹脂及氧化鈦粒子之底涂声 的方法（例如，參照專利文獻J)。 - 土 Μ 有機感光體所具有之層，通常自其生產性高低考慮，可 312ΧΡ’發明說明書(捕件)/96-09/96117796 5 200809437 藉由將於各種溶劑中溶解或分散有材料之塗佈液進行汾 佈、乾燥而形成。此時，於含有氧化鈦粒子及黏合劑= 、之底塗層中，氧化鈦粒子及黏合劑樹脂於底塗層中以不相 、容之狀態存在，因此該底塗層形成用塗佈液由分散有氧2 、 鈦粒子之塗佈液形成。 習知，如此之塗佈液通常係藉由將氧化鈦粒子，長時間 以球磨機、砂磨機、行星式軋機、輥磨機等眾所周^之^ 籲械性粉碎裝置，濕式分散於有機溶劑中而製造（例如，參 照專利文獻1)。並且，揭示有··於使用分散介質將底塗 層形成用塗佈液中之氧化鈦粒子進行分散之情況，藉由將 分散介質之材質設為氧化鈦或氧化鍅，可提供即使於低溫 低濕ir、件下Y電曝光重複特性亦優異的電子照片感光體 (例如，參照專利文獻2)。 又，對長波長之光具有高靈敏度之光導電特性的酞菁 類’作為優異之光導電性材料而得到業者積極研究。酞菁 籲類尤其可適用於電子照片感光體、藉由電子照片方式之製 版材料、影像感測器（lmage sensor)等之光電轉換材料， 例如了用作長波長之半導體雷射或發光二極體用電子照 片感光體之電荷產生物質。 已知酞月類之吸收光譜、光導電性等物性不僅因中心金 •屬之種類而不同，且物性亦因結晶型而發生大變化。例 ‘如，於酞菁類中，尤其是酞菁氧鈦（oxytitanium
Phthal〇Cyanine)及羥基鎵酞菁（hydroxy gallium phthalocyanine)具有高靈敏度之光導電特性，已知有各 312XP/發明說明書(補件)/96·09/96117796 200809437 種結晶型者。 已▲知彼等中，於對Cu Κα特性χ射線之粉末X射 射光譜中’於布拉格角（2 0 ±〇· 2。）27。〜29。附、斤目 凡 波峰之v龍基賴m型之結晶型酞錢鈦H 靈敏度方面尤其優異（例如，參照專利文獻3、4)。 又’已知尤其是所謂D型之結晶型酞菁氧鈦，在靈敏产 方面尤其優異（例如，參照專利文獻3)。 又 已知D型酞魏鈦之湘CU Κα特性X射線之 "X曰射線繞射光譜中，於布拉格角(2θ±0 2β)9 〇、 U處頒示強繞射波蜂（例如，參照專利文獻5〜7)·。 有=Γ:Γ’有時使用鈦氣化物’或者使用氯化 果，有時於所得之酞菁氧鈦結晶中 專利文獻1 專利文獻2 專利文獻3 專利文獻4 專利文獻5 專利文獻6 專利文獻7 專利文獻8 3有軋（例如，參照專利文獻8)。 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 進一步要求圖像形成梦 取衣置之咼晝質化、高壽命化時，於 312XP/^^^^e(M#)/96-09/96117796 曰本專利特開平U-202519號公報 日本專利特開平6-273962號公報 曰本專利特開平10-67946號公報 曰本專利特開平2-8256號公報 曰本專利第2881921號公報 日本專利第2502404號公報 曰本專利特開2000-7933公報 日本專利特開2001-115054號公報 7 200809437 如專利文獻1、2所揭示之習知技術中，產生黑點、灰霧 之圖像缺陷之程度、重複使用時之圖像缺陷的增加等。 、 另一方面，專利文獻3〜8中所揭示之具有結晶構造之 駄月’可用作電子照片感光體用電荷產生物質。尤其是已 、知一般稱為D型之於粉末X射線繞射光譜中之布拉格角 (2 0 ±〇· 2 )27· 3附近具有清晰繞射波峰之結晶構造的酞 菁氧鈦，於用於電子照片感光體之感光層之情況，可賦予 ⑩在靈敏度方面尤其優異之感光體。然而，於使用有該等酞 月之電子照片感光體中，存在隨著重複使用該電昭 光體，帶魏降低之情況。 尤其於反轉顯影（reversal devel〇pment)圖像形成裝 .置中=用上述電子照片感光體之情況，灰霧或黑點增加， ，故伴隨近年來圖像形成速度之高速化、高畫質化，要求提 高電氣特性之穩定性、及晝質等（例如，黑點、灰霧之減 少，重複穩定性等）時，存在無法充分滿足該要求之情況。 • 本發明係為解決上述問題而發明者，其目的在於提供一 種電氣特性優異、可形成高晝質圖像之電子照片感光體， 以及使用該電子照片感光體之圖像形成裝置及電子昭片 匣。 …、 (解決問題之手段） * 本么明者等人著眼於底塗層與酞菁之組合，進行積極研 、究i結果發現，於將特定之底塗層、及於粉末X射線繞射 =譜中布拉格角（2 Θ ±0,2。）27. 0。至29.0。處顯示至少一 it·、主要清.晰之繞射波峰的酞菁並用之情況，可獲得在靈敏 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 % 200809437 度、殘餘電位（residual pQtentiai)、及重複特性方面尤 ，其優異，且於圖像缺陷方面優異之感光體，從而完成本發 明。 \即’本發明之要旨係-種電子照片感光體，其係於導電 性支持體上，具有含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底 塗層 '及形成於該底塗層上之感光層者，其特徵在於：將 該底塗層分散於以7: 3之重量比混合有甲醇及卜丙醇之 溶劑中而得之液體中的該金屬氧化物粒子之以動態光散 =則定之體積平均粒徑為ο·1㈣以下，且累積m粒 住為0.3㈣以下，於該感光層中含有結晶型敵菁，該結 晶型酞菁於X射線繞射光譜中布拉格角（20±〇.2。）27.〇。 至29.0處具有一條以上主要清晰之燒射波
*範圍第1項）。 丫月寻才J 此¥，本發明之電子照片感光體較佳為於該感光層中含 有酞菁氧鈦，純魏鈦於χ射線繞射光射布拉 赢（2 0 ±0· 2。）27. 3。處呈右古 i、主 μ > a Α •範圍第2項)。-^晰之繞射波峰(申請專利 又’本發明之電子照片感光體較佳為於該感光層中含有 酞菁氧鈦，該酞菁氧鈦於x射線繞射光譜中布拉格角 =±〇.2。）9.0。處具有清晰之繞射波峰（申請專利範圍第 、進而’本發明之f子照片感光體較佳為於該感光層中含 有料氧鈦，該酞錢鈦於X射線繞射光譜巾布拉格角 (2Θ±0·2°)9.6°處具有清晰之繞射波峰（巾請專利範圍第 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 Λ 200809437 4項）。 本I明之電子照片感光體較 菁9氧鈦於X射線繞射光譜= n該酞菁氧鈦較佳為其氣含4為丨
请專利範圍第6項）。 、T 又該酞青氧鈦中之氯化酞菁氧鈦之含量，較佳為相舒 =取代…氧鈦，以質譜強度比；二: (申请專利範圍第7項）。 、而柄又明之電子照片感光體較佳為於該感光層中含 ^化下^式⑴所表示之化合物（申請專利範圍第8項）。
^式⑴中’ Ar1〜Ar6分別獨立表示可具有取代基之芳 香族殘基，X表示可具有取代基之有機殘基，Rl〜R4分別 獨立表示可具有取代基之不飽和基，⑴表示i & 2，η。及 Π2〜ru表示〇〜2之整數。） 又，於上述式（I)中，較佳為Arl〜Ar6均為苯殘基（申請 專利範圍第9項）。 (I) 進而，於上述式（1)中，較佳為R1〜R4以下述式（II)表 312XP/發明說明書(補件)/96-〇9/96117796 10 200809437 示（申請專利範圍第ίο項）。 [化2]
(Π) (於式（II)中，R〜R分別獨立表示氫原子、或者可具有 取代基之烧基或芳基，n?表示〇〜5之整數。） φ 本發明之其他要旨係一種圖像形成裝置，其特徵在於具 備：上述電子照片感光體、使該電子照片感光體帶電之帶 電手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光以形成 靜電潛像（electrostatic latent image)之圖像曝光手 段、以碳粉使上述靜電潛像顯影之顯影手段、及將上述碳 粉轉印於被轉印體上之轉印手段（申請專利範圍第i1 項）。 本叙明之另一個其他要旨係一種電子照片匣，其特徵在 ⑩於具備上述電子照片感光體，以及以下手段中至少一種·· 使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照 片感光體進行圖像曝光以形成靜電潛像之圖像曝光手 段、以碳粉使上述靜電潛像顯影之顯影手段、將上述碳粉 轉印於被轉印體上之轉印手段、使轉印於被轉印體上之碳 '粉固定之固定手段、及將附著於該電子照片感光體之碳粉 i 回收之清潔手段（申請專利範圍第12項）。 (發明效果） 依據本發明，可提供一種電氣特性優異、可形成高畫質 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 11 200809437 圖像之電子照片感光體，以及使用該電子照片感光體之圖 像形成裝置及電子照片匣。 【實施方式】 以下，就本發明之實施形態加以詳細說明，以下所述構 、成必要條件之說明係本發明實施形態之代表例，可於不脫 _本叙明主旨之範圍内，任意變更而實施。 _本發明之電子照片感光體，係於導電性支持體上，具有 鲁含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層、及形成於該 底塗層上之感光層而構成者。又，於本發明之電子照片感 光體中使用含有具有既定粒徑分布之金屬氧化物粒子者 作為底塗層，Μ光層含有特定之結晶型再者，此 處所謂結晶型駄菁之術語，係表示具有結晶性之耿菁。 [I ·導電性支持體] 對導電性支持體並無特別限制，例如主要使用：鋁、銘 :金、不銹鋼、銅、鎳等金屬材料；將金屬、碳、氧化錫 專導電性粉體混合而賦予導電性 丁♦毛f生之树脂材料；將鋁、鎳、 m 化鍚合金）料電性材料聽或塗佈於其表 面之树脂、玻璃、紙等。 狀二：為等Γ'生支持體之形態，例如可使用鼓狀、片材 者。又，為控制導電性·表面性等、或 缺’可於金>1材敎㈣性纟持 阻值之導電性材料。 1 ±佈具有適當電 進而，於使隸合金等金屬材料作為 況，可實施陽極氧化處理後使用。於實施陽極氧化處理! 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 \2 200809437 情況，較f想為利用眾所周知之方法實施封孔處理。 ，如’藉由在㈣、硫酸、乙二酸、硼酸、績胺酸等酸 =中’進彳τ陽極氧化處理而形成陽極氧化被膜，該等酸 化中’尤其疋硫酸中之陽極氧化處理可獲得更良好之結 於硫酸中進行陽極氧化之情況，較佳為將硫酸濃度設 =1〇〇〜_ g/L(克/升’以下有時將「升」適當簡記 -’將轉喊度設定於2〜15 g/L，㈣溫設定於 ^SOC，將電解電壓設定於1〇〜2〇y，將電流密度設 疋於0.5〜2 A/dm2之範圍内，但並不限定於上述條件。 L為對以如此方式形成之陽極氧化被膜進行封孔處 。封孔處理若以眾所周知之方法進行即可，例如，較佳 ^實^浸潰於含有氣化錄作為主成分之水溶液中的低溫 沾處理、或者㈣於含有乙_作為主成分之水溶液中 的向溫封孔處理。 曲=上述低溫封孔處理之情況所使用之氟化錄水溶液的 擇，於3〜6g/L之範圍内使用之情況，可 溫度較佳為，通常為饥以上、較佳為3(rc21理 通常為靴以下、較佳為饥以下之範圍。X， 觀點考慮，氟化鎳水溶液pH較佳為，通常於4. 5以上: 較佳為5· 5以上，又，通常於6· 5以下、較 之範圍内處理。作為pH調節劑，例如可使用：乙：二了 硼酉夂、曱酸、乙酸、氳氧化鈉、乙酸鈉、氨水等。又· 312XIV發明說明書(補件)/96·〇親117796 理時間較佳為每1 膜厚之被膜，進行丨〜3分鐘之$ 13 200809437 圍内之處理。再者，為進一步改良被膜物性，例如可使氟 ΐ錄: = 化銘、乙酸銘、硫酸鎳、界面活性劑 寺、、k而進仃水洗、乾燥而結束低溫封孔處理。 另方Φ 4乍為進行上述高溫封孔處理情況下之封孔 :，例如可使用：乙酸鎳、乙酸始、乙酸錯 ;=屬鹽水溶液等，尤佳為使用乙_二 吏用乙㈣水溶液之情況之濃度較佳為於5〜 Q圍内使用。處理溫度較佳為，通常為m：以上、較= 90 C以上，又，通當盘】Λη。 季乂 4土為 ⑦為100 C以下、較佳為98t以下之範 圍，又，乙酸鎳水溶液之邱較佳為於5 〇〜6.〇 進行處理。此處，作為pH調節劑 ^ :物性，例如亦可使乙酸錄水溶液為 而進…或尚溫水蒸汽進行處理。繼 而進仃水洗、乾燥而結束高溫封孔處理。 平均膜厚較厚之情況，有 里而需要嚴格之封孔條件。 痕、污垢、二b之表差’並且於被膜表面易於產生斑 艮π垢叔化之表面缺陷之情況。白‘ 極氧化被膜之平均膜厚通常較 心=慮，陽 為以7 ρ以下形成。 W 20 以下、尤佳 導電性支持體之表面可為平滑，亦可藉由使用特殊之切 312处/發明說明書(補件)/96-09/96117796 u 200809437 ::二行研磨處理而粗面化。又，亦可藉由將適
MfMb 合於構成支㈣之材料中而粗面化。又， =拉2:實: 體之情況，藉由户理tT、引縮加工等非切削銘支持 物、小表面之污垢或異物等附著 佳。 &、/失，可獲得均勻且潔淨之支持體，因此較 [11 ·底塗層] 底塗層係含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹腊之層。又， 只，不明顯損害本發明之效果，底塗層可含有其他成分。 么明之底塗層設置於導電性支持體與感光層之間，具 之I之至少任一種：改善導電性支持體與感光層 、隱藏導電性支持體之污垢或損傷等、防止由雜 /面物丨生之不均質化引起之載子注人、改良電氣特性 不均一性、防止由重複使用引起之表面電位降低、防止 成為晝質缺陷原因之局部性表面電位變動等，並非表現光 電特性所必需之層。 金屬氧化物粒子] [11 -1 -1 ·金屬氧化物粒子之種類] 作為本發明之金屬氧化物粒子，可使用可用於電子照片 感光體之任何金屬氧化物粒子。 。若舉出形成金屬氧化物粒子之金屬氧化物之具體例，則 可舉出：氧化鈦、氧化鋁、氧化矽、氧化錘、氧化鋅、氧 化鐵等含有1種金屬元素之金屬氧化物；鈦酸鈣、鈦酸 3l2XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 15 200809437 錄、鈦酸鋇等含有複數種金屬元素之金屬氧化物等。該等 ，中’較佳為含有能帶隙為2〜4巧之金屬氧化物之金屬氧 .化物粒子。其原因在於：若能帶隙過小，則變得易於產生 自導電性支持體之載子注人，且變得易於產生黑點或色點 等圖像缺陷。又，若能帶隙過大，則存在由於電子之_ 而引起電荷之移動受阻，電氣特性惡化之可能性。 再者，金屬氧化物粒子可僅使用一種粒子，亦可以任意 •組合及比率並用複數種粒子。又，金屬氧化物粒子可使^ 僅由1種金屬氧化物形成者，亦可為以任意組合及比率並 用2種以上金屬氧化物而形成者。 上述形成金屬氧化物粒子之金屬氧化物 錄、氧化銘、氧切及氧化辞，更佳為氧化欽及氧^化 尤佳為氧化鈦。 又，只要不明顯損害本發明之效果，金屬氧化物粒子之 結晶型為任意。例如，對使用氧化鈦作為金屬氧化物之金 籲屬氧化物粒子（即，氧化鈦粒子）之結晶型並未限制，可使 用至紅石型、銳鈦礦型、板鈦礦型、非晶型中之任一種。 =’氧化鈦粒子之結晶型可自上述不同之結晶狀態者，含 有複數種結晶狀態者。 進而’金屬氧化物粒子可於其表面進行各種表面處理。 如可利用氧化錫、氧仙、氧化録、氧化錯、氧化石夕等 :、4物 < 者十八酸、多元醇、有機石夕化合物等有機物等 處理劑進行處理。 、 尤其於使用氧化鈦粒子作為金屬氧化物粒子之情況，較 312XP/發明說明書(補件)/96·〇9/96ι ip% 200809437 佳為利用有機矽化合物 .^ .物，例如可舉出·· -甲^1處作為有機石夕化合 聚石夕氧、減、氧燒等 •機石夕炫.丄田苴" 一本基一甲乳基矽烷等有 • ，/、甲基一矽虱烷等矽氮烷；乙婦基三甲氧 焼、r-毓基丙基：甲M其# r虱基矽 r耸石…人一甲基矽7_胺基丙基三乙氧基矽 烷寺矽烷偶合劑等。 土’ 又’金屬氧化物粒子尤料町述式⑴ 之矽烷處理劑進行虛疎。兮坊化各 舟I听表不 • ^ ^ w進仃處理。該矽烷處理劑與金屬氧化物粒子 之反應性亦優良，係良好之處理劑。 [化3]
Ra1
H—Si—〇Ra2 Ra3 上述式（1 )中，Ral及Ra2分別獨立表示烷基◊對Rai及 #，碳數並無限制，通常為i以上，又，通常為18以下， 較佳為10以下’更佳為6以下。若舉出Ral及Ra2中之 合者’則可舉出甲基、乙基等。 、，又’上述式⑴中’ Ra3表示燒基或烧氧基。對Ra3之碳數 亚無限制’通常為i以上，又’通常為18以下，較佳為 * 1〇以下’更佳為6以下。若舉出Ra3中之適合者，則可舉 :出曱基、乙基、曱氧基、乙氧基等。 .若Ral〜Ra3之碳數過多，則存在與金屬氧化物粒子之反 應性降低，或者處理後之金屬氧化物粒子於底塗層形成用 312XP/發明說明書(補件 y96-〇9/96117796 17 200809437 塗佈液中之分散穩定性降低之可能性。 木再者’該等經表面處理之金屬氧化物粒子之最表面，通 吊以^上所述之處理劑進行處理。此時，上述表面處理可 ^進仃1種表面處理，亦可以任意組合進行2種以上之表 面處理。例如’可於以上述式⑴所表示之料處理劑進 仃表面處理H氧化、氧切或氧化料處理 進仃處理。又，亦可以任意之組合及比率，並用實施有不 同表面處理之金屬氧化物粒子。 舉出t發明之金屬氧化物粒子中經商品化者。但本發明 之金屬氧化物粒子並不限定於以下所例示之商品。 作為氧化鈦粒子之具體商品之例，可舉出：未實施表面 處理之超微粒子氧化鈦「TT〇—55(N)」；實施有Ah〇3包覆 之超微粒子氧化鈦「TT〇—55(A)」、「TT〇-55(B)」；以十八 酉文貝施表面處理之超微粒子氧化鈦「TT〇—55(c)」；以A1心 ^有機矽氧烷實施表面處理之超微粒子氧化鈦 「ΤΤ0-55(S)」；高純度氧化鈦「CR-EL」；硫酸法氧化鈦 U50」、「R—58〇」、「R-63()」、「r—67()」、「r—68〇」、 「R—780」、「A-100」、rA—22〇」、「w—1〇」；氯化法氧化鈦 「CR-50」、「CR—58」、「CR—60」、「CR—6〇_2」、「CR—67」；· 電性氧化鈦「SN-100P」、「SN-100D」、「ET_300W」；（以上， 石原產業股份有限公司製造）等。又，以「R_6〇」、「A—11〇」、 「A-150」等氧化鈦為代表，亦可舉出··實施有Ah〇3包覆 之「SR-1」、「R-GL」、「R-5N」、「R-5N—2」、「R-52N」、「RK-1」、 「A-SP」；實施有Si〇2、Ah〇3包覆之「r-gX」、「R-7E」； 312χΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 18 200809437 實施有ZnO、Si〇2、Al2〇3包覆之「r-650」；實施有Zr〇2、 Ah〇3包覆之「R—61N」；（以上，堺化學工業股份有限公司 •製造）等。進而，亦可舉出：以Si〇2、Al2〇3進行表面處理 之TR 700」，以ZnO、SiCh、Al2〇3進行表面處理之 ‘ 「TR-84〇」、「TA-500」，以及「TA]00」、r TA一2〇〇」、「TA-3〇〇」 等表面未經處理之氧化鈦；以AhO3實施表面處理之 「TA-400」（以上，富士鈦工業股份有限公司製造）；未實 施表面處理之「MT-150W」、「MT - 500B」；似Si〇2、人12〇3進 行表面處理之「MT-1〇〇3Α」、「ΜΤ-500SA」；以 Si〇2、Al2〇3 及有機矽氧烷進行表面處理之rMT_1〇〇SAS」、「MT-5〇〇SAs」 (Tayca股份有限公司製造）等。 又，作為氧化鋁粒子之具體商品之例，可舉出「氧化鋁 C」（曰本Aerosil公司製造）等。 進而，作為氧化矽粒子之具體商品之例，可舉出 「200CF」、「R972」（日本 Aer〇sil 公司製造），「KEp_3〇」 φ (日本觸媒股份有限公司製造）等。 又，作為氧化錫粒子之具體商品之例，可舉出「邡_1〇〇?」 (石原產業股份有限公司製造）等。 進而，作為氧化鋅粒子之具體商品之例，可舉出 「MZ - 305S」（Tayca股份有限公司製造）等。 • [H — 1 —2·金屬氧化物粒子之物性] ··關於本發明之金屬氧化物粒子之粒徑分布，以下必要條 •件成立。即，將本發明之底塗層分散於以7:3之重量比 混合有曱醇及卜丙醇之溶财而得之㈣（町適當稱為 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 1 〇 200809437 「底塗層測定用分散液」
綠射法測定之體積平均粒，且W 90%粒位為〇· 3 /Z m以下。 、 以下’就該方面加以詳細說明。 [關於金屬氧化物粒子之體積平均粒护] 二:之金屬氧化物粒子於底塗；測定用分散液中以 動怨光政射法敎之體積平均粒徑為Q i㈣以下，較佳 ,95 nm以下’更佳為9〇⑽以下。又對上述體積平均 !徑之下限並無限制’通常為2〇nm以上。藉由滿足上述 範I本發明之電子照片感光體於低溫低濕下之曝光一帶 %重稷特性缺’可抑制於所得圖像上產生黑點、色點等 圖像缺陷。 [關於金屬氧化物粒子之累積9〇%粒徑] fI明之金屬氧化物粒子於底塗層測定用分散液中以 動態光散射法測定之累積9G%粒徑為G.3 ”以下，較佳 為〇·25 以下，更佳為〇·2 μιη以下。又，對上述累 # 90〇/〇^#^TFr.ii^PMiI ^itf ^ 10 . 20 nm以上，更佳為5〇 nm以上。於習知之電子照片感光 ，中、’底塗層中含有藉由金屬氧化物粒子凝集而成之可貫 穿底塗層表裏大小的金屬氧化物粒子凝集體，由於該大金 屬氧化物粒子凝集體，存在圖像形成時產生缺陷之可能 ί±、進而，於使用接觸式者作為帶電手段之情況，亦存在 於感光層上進行帶電時，電荷經由該金屬氧化物粒子而自 感光層移動至導電性支持體，變得無法正確進行帶電之可 31發明說明書(補件)/96-09/96117796 20 200809437 能性。然而，於本發明夕雷主 〜感光體中，累積90%粒 仏I、’故如上所述成為缺陷原因之大金屬氧化物粒子 變得非常少。其結果為’於本發明之電子照片感光體中， 可抑制產生缺陷及無法正_進行帶電，可形成高品質之圖 像。 [體和平均粒径及累積9 〇 %粒徑之測定方法] 本發明之金屬氧化物粒子之上述體積平均粒徑及上述 累積90%粒徑，係藉由將底塗層分散於以7 : 3之重量比 混合有？醇及卜丙醇之混合溶劑（其成為粒度測定時之分 散介質）中，製備底塗層測定用分散液，以動態光散射法
測定該底塗層測定用分散液中之金屬氧化物粒子之粒产 分布而得之值。 X 動態光散射法，係對粒子照射雷射光，檢測與微小分散 之粒子的布朗運動之速度相應之相位不同之光的散射（都 普勒平移），求出粒度分布者。底塗層測定用分散液中之 _金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積9〇%粒徑之值，係 於底塗層測疋用分散液中金屬氧化物粒子穩定分散時之 值’並非表示底塗層形成後之底塗層内之粒徑。於實際測 定中’關於上述體積平均粒徑及累積9〇%粒徑，具體而言， 係使用動態光散射方式粒度分析儀（曰機裝公司製造， • MICROTRAC UPA model : 9340-UPA，以下簡稱為 UPA)，以 ； 下述設定進行者。具體之測定操作基於上述粒度分析儀之 • 使用說明書（日機裝公司製造，文件Νο·Τ15-490A00，修 訂No· E)而進行。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 21 200809437 儀之設定 •動態光散射方式粒度分析 測定上限：5· 9978 測定下限·· 0. 0035 通道數：44 測定時間·· 300 sec. 粒子透過性：吸收 粒子折射率：N/A(不適用） 粒子形狀：非球形 禮、度：4· 20 g/cm3( * ) 分散介質種類：曱醇/丨〜丙醇=7/3 分散介質折射率：1. 35 下1*用H之值為二氧化鈦粒子之情況’其他粒子之情況 下使用上述操作使用說明書中所記载之數值。
再者，作為分散介質的曱醇與卜丙醇之混合溶劑（重量 比：曱醇/卜丙醇=7/3;折射率=135)之使用量，設為 作為试料之底塗層測定时散液之樣品濃度指數（謂AL LEVEL)成為〇· 6〜〇· 8之量。 又，利用動態光散射進行之粒度測定設為於25χ：下進 行者。 所謂本發明之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積 _ 90%粒徑，係於如上所述以動態光散射法測定粒度分布之 '情況，將金屬氧化物粒子之總體積設為1〇〇g/q，以上述動 •態光散射法自小粒徑側求出體積粒度分布之累積曲線 時，將該累積曲線成為50%之點的粒徑作為體積平均粒徑 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 22 200809437 (中徑：median diameter)，將累積曲線成為 粒徑作為累積90%粒徑。[其他物性] 90%之點的 制 發 上 70 對本發明之金屬氧化物粒子之平均一次粒徑並無限 ’只要不明顯損害本發明之效果，則為任意。其中，本 明之金屬氧化物粒子之平均一次粒徑通常$ ^⑽以 ’較佳為5 nm以上；
nm以下，更佳為50 nm以下。 又’通常為100 nm以下，較佳為
再者’該平均-次粒徑’可根據以穿透式電子顯微鏡 aransmission electron micr〇sc〇pe，以下適當稱為 「TEM」）直接觀察之粒子直徑的算術平均值而求出。 又，對本叙明之金屬氧化物粒子之折射率亦無限制，若 為可用於電子照片感光體者，則可使用任意者。本發明之 金屬氧化物粒子之折射率通常為h 3以上，較佳為14以 上，又，通常為3 · 0以下，較佳為2 · 9以下，更佳為2 8 以下。 再者，金屬氧化物粒子之折射率可使用各種出版物中所 έ己載之文獻值。例如，若根據填料活用辭典（填料研究會編（filler Society of Japan)，大成公司，1994)，則成 為如下述表1所示。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 23 200809437 [表1] 折射f 一·" 氧化鈦（金紅石型） 2. 76 ~~~一-- 鈦酸鉛 2.70 - 鈦酸鉀 2. 68 ~ -- 氧化鈦（銳鈦礦型） 2. 52 ^^-- 氧化鍅 2. 40~~— 硫化鋅 2 · 3 7 氧化鋅 2.01〜ΠΓ~·一- 氧化鎂 1.64^Τ77Ι~^ 硫酸鋇（沈降性） 1. 65^' -- 硫酸鈣 1. 57〜iTTi 氧化鋁 1. 56~~~ 氫氧化鎂 1. 54 -- 碳酸#5 1. 57〜1 · fin --- 石英玻璃 1. 46 人 1 、丄 4 β ^~----- 人β 又卜乃顯損害本發明之效果， j氧化物粒子與黏合劑樹脂之使用比率為任意。1中， 底塗層+ ’相對於1重量份之黏合劑樹脂，金 屬乳化物粒子通常於〇·5重量份以上，較佳為G 7重量份 =更佳為U重量份以上，又，通常於4重量份以下， =為U重量份以下’更佳為35重量份以下之範圍内 t曰^金屬氧化物粒子相對於黏合劑樹脂過少，則存在 7 %子照片感光體之電氣特性惡化，尤其是殘餘電位上 :之可能性；若過多，則存在使㈣電子㈣感光體而形 之圖像上黑點或色點等圖像缺陷增加之可能性。 ΠΙ—2·黏合劑樹脂] 作為於本發明之底塗層中所使用之黏合劑樹脂，只要不 害本發明之效果，可使用任意者。通常使用可溶於 欲粆/谷劑等溶劑中，且底塗層不溶於用於感光層形成用塗 液之有機溶劑等溶劑中，或者溶解性低、實質上未混合 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 24 200809437 者。 作為如此黏合劑樹脂，例如，苯氧、環氡、聚乙烯吡咯 •啶酮、聚乙烯醇、酪蛋白、聚丙烯酸、纖維素類、明膠、 澱粉、聚胺酯、聚醯亞胺、聚醯胺等樹脂可單獨或者與硬 ^化劑一同以硬化之形式使用。其中，醇可溶性之共聚^聚 醢胺、改質聚醯胺等聚醯胺樹脂表現出良好之分散性及塗 佈性，故較佳。 土 _ 作為聚醯胺樹脂，例如可舉出：使6—尼龍、66 —尼龍、 610-尼龍、11-尼龍、12 —尼龍等共聚合之所謂共聚合尼 龍；如N-烷氧基曱基改質尼龍、N—烷氧基乙基改質尼龍 之使尼龍化學改質之類型等之醇可溶性尼龍樹脂等。作為 具體商品，例如可舉出··「CM4000」、「CM8000」（以上，東 麗製造），「F-30K」、「MF-30」、「EF-30T」（以上，長瀨化 成股份有限公司製造）等。 該等聚醯胺樹脂中，尤佳為使用含有與下述式（i i)所表 馨示之二胺對應之二胺成分（以下適當稱為「與式（ii)對應 之二胺成分」）作為構成成分之共聚合聚醯胺樹脂。 [化4]
312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 25 200809437 於上述式（ii)中’ Ra4〜Ra7表示氫原子或有機取代基。 m、η分別獨立表示〇〜4之整數。再者，於具有複數個取 代基之情況，彼等取代基相互間可相同，亦可不同。 右舉出適合者作為F4〜Ra7所表示之有機取代基，則可 舉出可含有雜原子之烴基。其中作為較佳者，例如可舉 出.甲基、乙基、正丙基、異丙基等烷基；甲氧基、乙氧 f、正丙氧基、異丙氧基等烧氧基；苯基、萘基、蒽基、 祐基等芳基，更較佳為烧基、或絲基。尤佳為甲基、乙 基。 又，只要不明顯損害本發明之效果，Γ4〜Γ?所表示之 有機取代基之碳數為任意，通常2〇為以下，較佳為Μ以 下’更佳為12以下；又，通常為i以上。若碳數過大， 則準備底塗層形成用塗佈料，對溶劑之溶解性惡化， 又，即使可溶解，亦表現出作為底塗層形成用塗佈液之保
存穩定性惡化之傾向D 含有與上述式（ii)對應之二胺成分作為構成成分之丑 聚合聚醯胺樹脂，亦可含有除與式（ii)對應之二胺成分2 外之構成成分（以下適當僅稱為「其他聚醯胺構成成分」） 作為構成單位。作為其他聚醯胺構成成分，例如可舉出」： r-丁内醯胺、ε-己内醯胺、十二内醯胺等内酿胺類]扣 丁烧二甲酸、U2一十二燒二甲酸、UO — 二十炫二甲酸等 二甲酸類’· U 4一丁二胺、16-己二胺、1，8-辛二胺、 十二烷二胺等二胺類；哌啡等。此時，上述共聚合聚醯胺 樹脂’例如可舉出使其構成成分共聚合為二元、三元、四 312XP/發明說明書(補件)/96·09/9611779ό 26 200809437 元等者 於含有與上述式（i i)對應之二胺成分作為構戍 共5^合t胺树曰含有其他聚酷胺構成成分作為、之 位之情況，對與式（i i)對應之二胺成分於總構成^分成單 占之比例並無限制，通常為5 m〇1%以上，較佳為中所 以上，更佳為15 mol%以上；又，通常為4〇 m〇1%以m〇1% 較佳為30 mol%以下。若與式（丨丨）對應之二胺成分過夕 則存在底塗層形成用塗佈液之穩定性變差之可能性；=舄 少，則存在高溫高濕度條件下之電氣特性變化變大，電= 特性對環境變化之穩定性變差之可能性。 “氣 將上述共聚合聚醯胺樹脂之具體例表示如下。其中，具 體例中，共聚合比率表示單體之投入比率（莫耳比率）。 [化5 ] > 〇 /CHs 〇 ο 〇 Ο
對上述共聚合聚醯胺之製造方法並無特別限制，可適當 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 27 200809437 =通縮合方法。例如可適當應用熔融聚 日;二 界面聚合法等聚縮合方法。又，聚合 #，例如可使聚合系中含有乙酸或苯甲^ 胺、苯胺等—元驗等作為分子量調節劑。 再者，黏合劑樹脂可單獨使用1種，亦可以任咅组Α及 比率並用2種以上。 j以任忍組合及 制二：本發明之黏合劑樹脂之數量平均分子量亦並無限 ’於使用共聚合聚醯胺作為黏合劑樹腊之情況， 二r胺之數量平均分子量通常為10_以上，較佳 :曰，又’通常為50000以下，較佳為35000以 均分子量過小、或過大，均變得難以保持底塗 層之均勻性。 i [π-3·其他成分] 只要不明顯損害本發明之效果，本發明之底塗層可含有 矛、上述金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂以外之齡。例如， 書可使底塗層中含有添加劑作為其他成分。 作為添加劑’例如可舉出：以亞磷酸鈉、次翁納、亞 ★-人碟酸或文㈣為代表之熱穩定劑，其他聚合添加 劑、抗氧化劑等。再者，添加劑可單獨使用i種，亦可以 任意組合及比率並用2種以上。 • [ 11-4·底塗層之物性] :[膜厚] 底塗層之膜厚為任意，自提高本發明之電子照片感光體 之感光體特性及塗佈性之觀點考慮，較佳為，通常為Q i 312XP/發明說明書(補件)/%·〇9/96117796 28 200809437 "以上’較佳為0.3，以上，更佳為〇· 5㈣以上； 又’通常為20 "以下，較佳為15 “以下，更佳為 10 // m以下之範圍。 [表面粗度] 本發明之底塗層，對其表面形狀並無限制，但通常於面 内均方根粗度（RMS)、面内算術平均粗度（Ra)、面内最大 粗度（p-v)方面具有特徵。再者，該等數值係jisb 〇6〇1 : 2001規格中之均方根高度、算術平均高度、最大高度的 ^準長度於基準面上擴張而得之數值，使用作為基準面之 高度方向之值Z(x)，面内均方根粗度（RMS)表示ζ(χ)之均 方根，面内异術平均粗度（Ra)表示ζ(χ)之絕對值的平均 2，面内最大粗度（p-v)表示ζ(χ)的峰高度之最大值與谷 珠度之最大值之和。 本發明之底塗層之面内均方根粗度（RMS)，通常於1〇㈣ =上、較佳為2〇韻以上，又，通常於1〇〇⑽以下、較 ⑩佺為50 nm以下之範圍内。若面内均方根粗度（RMS)過小， 則存在與上層之接著性惡化之可能性，若過大，則存在導 致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能性。 本發明之底塗層之面内算術平均粗度（Ra)，通常於1〇 nm以上，又’通常於50 nm以下之範圍。若面内算術平 •均粗度（Ra)過小，則存在與上層之接著性惡化之可能性， •若過大，則存在導致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能 .性。 本發明之底塗層之面内最大粗度（p —v)，通常於1〇〇 nm 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 29 200809437 以上、較佳為300 nm以上，又，通常於1000 nm以下、 ，較佳為800 nra以下之範圍内。若面内最大粗度（P-V)過 a 小，則存在與上層之接著性惡化之可能性，若過大，則存 在導致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能性。 再者，上述與表面形狀相關之指標（RMS、Ra、P-V)之數 值’若利用可高精度測定基準面内之凹凸的表面形狀分析 襄置進行測定，則可利用任何表面形狀分析裝置進行測 @ 定’較佳為利用使用光干涉顯微鏡，將高精度相移檢測法 與干涉條紋之級數加以組合，而檢測試料表面凹凸之方法 $行測定。更具體而言，較佳為使用菱化系統股份有限公 司之Micromap，利用干涉條紋定址（addressing)方式， 以波型（wave mode)進行測定。 [製成分散液之情況之吸光度] x ’本發明之底塗層，於分散於可將黏結該底塗層之黏 $劑樹脂溶解之溶劑中而製成分散液（以下適當稱為「吸 _光度測定用分散液」）之情況，通常該分散液之吸光度顯 示特定之物性。 吸光度測定用分散液之吸光度，可利用通常已知之分光 光度計（absorption spectrophotometer)進行測定。測定 吸光度時之槽尺寸、試料濃度等條件，隨所使用之金屬氧 :=物粒子之粒徑、折射率等物性而變化，因此通常於欲測 二^之波長區域（於本發明，為400 nm〜1000 nm)中，適當 调整試料濃度以不超過檢娜器之測定界限。 又，測定時之槽尺寸（光徑長度）使用 10 mm者。所使用 12XP/發日月說明書(補件)/96-09/96117796 200809437 之槽若為於40〇nm〜1〇〇〇111„之範圍内實質上透明者，則 使用任意者，較佳為使用石英槽，尤佳為使用試料槽盘 ··標準槽之透過率特性之差在特定範圍内之匹配槽。 士於分散本發明之底塗層而製成吸光度㈣定用分散液 犄’可藉由黏結底塗層之黏合劑樹脂實質不溶解、可溶解 :成' 底塗層上之感光層等的溶劑溶解除去底塗層上之 2後，將黏結底塗層之黏合劑樹脂溶解於溶劑中，藉此而 衣成，光度測定用分散液。此時，作為可溶解底塗層之溶 d，右使用於400 nm〜1〇〇〇 nm之波長區域中光吸收量不 大的溶劑即可。 右舉出可溶解底塗層之溶劑之具體例，則可使用甲醇、 乙醇丙醇、2—丙醇等醇類，尤其可使用曱醇、乙醇、 1丙醇。又，該等可單獨使用丨種，亦可以任意組合及比 率並用2種以上。 尤其疋利用以7 : 3之重量比混合有甲醇及丨—丙醇之溶 #劑，分散本發明之底塗層而得之吸光度測定用分散液的對 波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1〇〇〇 nm之光的 吸光度之差（吸光度差）如下所述。即，於金屬氧化物粒子 之折射率為2. 0以上之情況，上述吸光度差通常為 〇.3(Abs)以下，較佳為〇2(Abs)以下。又，於金屬氧化 .物粒子之折射率未滿2 〇之情況，通常為〇 〇2(Abs)以 .下’較佳為0.01 (Abs)以下。 再者，吸光度之值依據所測定之液體之固形分濃度。因 此，於進行吸光度測定之情況，上述分散液中之金屬氧化 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 200809437 物粒子較佳為以濃度成為0·003重量％〜 •範圍之方式進行分散。 里 • [底塗層之正反射率] 4本發明之底塗層之正反射率通常於本發明中顯示特定 值所明本發明之底塗層之正反射率，係表示導電性支持 體上之底塗層相對於導電性支持體之正反射率。該底塗層 之正反射率隨底塗層之膜厚而變化，故此處規定為將底塗 _層之膜厚設為2 // m之情況之反射率。 :本發明之底塗層，於底塗層所含金屬氧化物粒子之折射 ;;為·0以上之障況，換异為該底塗層為2以瓜之情況下 的遠底塗層對波長為48〇 nm之光之正反射相對於該導電 性支持體對波長為480 nm之光之正反射的比，通常為5〇% 以上。 另一方面，於底塗層所含金屬氧化物粒子之折射率未滿 .〇之N况，換异為該底塗層為2 之情況下的該底塗 籲層對波長為400 1^之光之正反射相對於該導電性支持體 對波長為400 nm之光之正反射的比，通常為5〇%以上。 "此處，於該底塗層含有複數種折射率為2.0以上之金屬 氧化物粒子之情況，及含有複數種折射率未滿2.0之金屬 氧化物粒子之情況，較佳的均為與上述相同之正反射。 '又，於该底塗層同時含有折射率為2· 0以上之金屬氧化物 '粒子、及折射率未滿2· 0之金屬氧化物粒子之情況，與含 ’有折，率為2.0以上之金屬氧化物粒子之情況相同，較佳 為換异為該底塗層為2 am之情況下的該底塗層對波長為 312XP/胃 Μ 說明書(補件)/%·09/96117796 32 200809437 480 nffl之光之正反射相對於該導電性支持體對波長為48〇 • nm之光之正反射的比，為上述範圍（5〇%以上）。 .. 以上，就底塗層之膜厚為2 /ζπι之情況加以詳細說明， 於本舍月之皂子如片感光體中，底塗層之膜厚並不限定為 2 // m，可為任意膜厚。於底塗層之膜厚為以外之 厚度之情況，可使用形成該底塗層時所使用之底塗層形成 用塗佈液（後述），於與該電子照片感光體相同之導電性支 _持體上，塗佈形成膜厚為2 之底塗層，對該底塗層測 疋正反射率。又，作為其他方法，有測定該電子照片感光 體之底塗層之正反射率，換算為其膜厚為2 “mi情況的 方法。 以下，就其換算方法加以說明。 於特定單色光通過底塗層，於導電性支持體上正反射， 再次通過底塗層進行檢測之情況，假定為垂直於光之厚度 為dL之薄層。 又 • 一般認為通過厚度為dL之薄層後之光的強度之減少量 -dl，與通過上述層前之光的強度！、及層之厚度乩成比 例，若以式表現，則可記為如下（k為常數）。 - dI = kIdL (A) 若將式（A )變形，則成為如下。 . - dI/I = kdL (β) : 若將式（Β)之兩邊，分別於1()至卜〇至L之區間進行積 .分，則獲得以下之式。再者，Iq表示入射光之強度。貝 log(I〇/I) = kL (〇 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 33 200809437 式⑹與溶液系中稱為Umbm 於本發明之反射率测定中。 、』有相同，亦可應用 若將式（C )變形，則成為 I = I〇exp(-kL) (D)， 以式（D)表示入射光到達導電 態。 人付胺表面為止之狀 另-方面’正反射率以入射光對導 為分母’因此認為素管表面 f體之反射先 表示反射光之強度。 反射率1^1"1。。此處，丨1 然後’根據式（D) ’料導電性支持體表面之光乘以反 射率R後進行正反射，再錢過光徑長度L射出底塗層 面。即，成為 1= I〇exp(-kL).R.exp(—kL) (E)， 代入R — 11/1 g ’進一步變形，可獲得如下關係式： I/Ii= exp(-2kL) (f)。 其係對底塗層之反射率相對於對導電性支持體之反射 率的值，將其定義為正反射率。 如上所述，於2 //m之底塗層中，光徑長度往返為4 //m，任意導電性支持體上之底塗層之反射率卩為底塗層 之膜厚L(此_光徑長度成為2L)之函數，表示為t(L)。 根據式（F)，下式成立 T(L)= I/Ii= exp(-2kL) (G)。 另一方面，欲知值為T(2)，因此於式（G)中代入l=2， 成為 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 34 200809437 Τ(2)= Ι/Ιι = exp(-4k) (Η)， 若使式（G)與式（η)聯立而消去k，則成為 T(2) = T(L)2/l ⑴。 · 即，底塗層之臈厚為L(Am)時，藉由測定該底塗層之 反射率τα)’可以相當高之準確度估算底塗層為2㈣ ，情況之反射率Τ(2)。底塗層之膜厚L之值可以粗度計 等任意膜厚計測裝置進行計測。 [ΠΙ·底塗層之形成方法] 對本發明之底塗層之形成方法並無限制。而通常係將含 有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層幵》成用塗佈液 k佈於導電性支持體之表面，使其乾燥而獲得底塗層。 [π 1-1·底塗層形成用塗佈液] 本發明之底塗層形成用塗佈液係用以形成底塗層者，含 有金屬氧化物粒子、及黏合劑樹脂。又，通常本發明之底 塗層形成用塗佈液含有溶劑。進而，本發明之底塗層形成 用塗佈液，可於不明顯損害本發明效果之範圍内含有其他 成分。 [III-1-1·金屬氧化物粒子] 金屬氧化物粒子與作為底塗層中所含之金屬氧化物粒 子加以說明者相同。 其中，關於本發明之底塗層形成用塗佈液中的金屬氧化 物粒子之粒徑分布，通常，以下必要條件成立。即，本發 明之底塗層形成用塗佈液中的签屬氧化物粒子之以動態 光政射法測定之體積平均粒徑及累積90%粒徑，分別與上 312XP/發明說明書(補件)/96-09/961177% 35 200809437 f底塗層，用分散液中的金屬氧化物粒子之以動態光 政射法測定之體積平均粒徑及累_⑽粒徑相同。 因此，於本發明之底塗層形成用塗佈液中，金屬氧化物 粒子之體積平均粒控通常為G. i "以下（參照[關於金屬 氧化物粒子之體積平均粒徑])。 於本舍明之底塗層形成用塗佈液中，較理想為金屬氧化 物粒子作為-次粒子存在。然而，通常如此情況較少，多 數情況下產生凝集而作為凝集體二次粒子存在，或者二者 此合存在。因此，該狀態下之粒度分布如何非常重要。 因此，於本發明之底塗層形成用塗佈液中，藉由將底塗 層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑設 為上述範圍(0.1 ”以下），而減少底塗層形成用塗佈液 :之沈殿或黏性變化。藉此，結果可使底塗層形成後之膜 厚及表面性均勻。另一方面，於金屬氧化物粒子之體積平 均粒徑變得過大之情況（超過01P之情況），反而是底 a ^成用塗佈液中之沈殿或黏性變化變大，結果底塗層 形成後之臈厚及表面性變得不均勻，因此存在對其上層 (私荷產生層等）之品質亦造成不良影響之可能性。 又，於本發明之底塗層形成用塗佈液中，金屬氧化物粒 子之累積90%粒徑通常為〇. 3私m以下（參照[關於金屬氧 化物粒子之累積90%粒徑])。 若本發明之金屬氧化物粒子於底塗層形成用塗佈液中 作為球形一次粒子存在，則其為理想之情況。然而，如此 金屬氧化物粒子於實際應用上非常難獲得。本發明者等人 312XP/發明說明書(補件)/96-_6117796 36 200809437 則你么广各a ^體S若累積9〇%粒徑為〇· 3 以下， •.期：ί成用塗佈液’凝膠化或黏性變化少，可長 ‘ ’另二：’結+果為底塗層形成後之膜厚及表面性變得均勻。 大，則底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子過 凝膠化或黏性變化大，結果為底塗層形成 產生得不均勾，因此存在對其上層（電荷 ⑩ 曰4)之°口貝亦造成不良影響之可能性。 體二述底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之 累積9⑽粒徑的測定方法，並非測定底塗 二=刀放液中之金屬氧化物粒子者，而為直接測定底 =1用塗佈f者’於以下方面，與上述底塗層測定用 句广〜之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積90%粒 Π:方法不同。再者，除以下方面之外，上述底塗層 形成用㈣液中之金屬氧化物粒子之 積_粒徑的測定方法，與底塗層測定用分散液中之金屬 =化物粒子之體積平均粒徑及累積9n粒經的測定方法相 同0 即，於測定底塗層形成用塗佈?夜中之金屬氧化物粒子之 體牙貝平均粒徑及累積90%粒徑時，分散介質種類為底塗層 .形成用塗佈液中所使用之溶劑，分散介質折射率採用底塗 .層形成用塗佈液中所使用之溶劑之折射率。又，於底塗層 形成用塗佈液過濃，其濃度成為測定裝置之可測定範圍外 之f月況’將底塗層形成用塗佈液以甲醇與卜丙醇之混合 312XP/發明說明書(補件)/96·09/96117796 37 200809437 溶劑（重量比：甲醇/1-丙醇=7/3,折射率= 1·35)進行稀 •釋，以將該底塗層形成用塗佈液之濃度限制於測定裝置可 ·.測定之範圍内。例如，於上述UPA之情況，以曱醇與1-丙醇之混合溶劑稀釋底塗層形成用塗佈液，使適於測定之 、樣品濃度指數（SIGNAL LEVEL)成為0.6〜0.8。一般認為， 即使以如此方式進行稀釋，底塗層形成用塗佈液中之金屬 氧化物粒子之體積粒徑亦不變化，因此將進行上述稀釋後 _測定之體積平均粒徑及累積9〇%粒徑，作為底塗層形成用 塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積平均粒徑及累積9〇%粒 徑。 ，又本叙明之底塗層形成用塗佈液之吸光度，可利用通 常已知之分光光度計（absorption spectrophotometer) 進打測定。測定吸光度時之槽尺寸、試料濃度等條件，隨 所使用之金屬氧化物粒子之粒徑、折射率等物性而變化， 因此，通常於欲測定之波長區域（於本發明中，為400 nm #〜lJJOOmn)中，適當調整試料濃度，使其不超過檢測器之 測定界限。於本發明中，調整試料濃度，使底塗層形成用 塗佈液中之金屬氧化物粒子之量成為〇·〇〇75重量％〜 0 · 012重里％用以调整試料濃度之溶劑，通常使用作為 底塗層形成用塗佈液之溶劑而使用之溶劑，但若為與底塗 •層形成用塗佈液之溶劑及黏合劑樹脂具有相容性，於混合 ，之炀况不產生混濁等，於400 nm〜1000 nm之波長區域中 ，光吸收量不大者，則可使用任意者。若舉出具體例，則可 使用·甲醇、乙醇、卜丙醇、2一丙醇等醇類；甲苯、二甲 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 〇〇 200809437 苯等烴類；四氫呋喃等醚類；甲基乙基酮、曱基異丁基酮 等酮類等。 又’測定時之槽尺寸（光徑長度）使用10_者。所使用 之槽，若為於400 nm〜1000 nm之範圍内實質上透明者， 則可使用任意者，較佳為使用石英槽，尤佳為使用試料槽 與標準槽之透過率特性之差在特定範圍内之匹配槽。
將本發明之底塗層形成用塗佈液分散於以7 ·· 3之重量 比此&有曱醇及1 _丙醇之溶劑中而得之液體的對波長為 400 run之光之吸光度與對波長為丨⑽〇 nm之光之吸光度 的差，於金屬氧化物粒子之折射率為2 〇以上之情況，較 4為l.O(Abs)以下，於金屬氧化物粒子之折射率為2 〇 以下情況，較佳為（K〇2(Abs)以下。 Π Π-1-2·黏合劑樹脂] 底塗層形成用塗佈液中所含之黏合劑樹脂，與作為底塗 層中所含之黏合劑樹脂加以說明者相同。 其中’只要不明顯損害本發明之效果，底塗層形成用塗 佈液中之黏合劑樹脂之含有率為任意，通常於0.5重量% :上、較佳為1重量%以上’又，通常於20重量%以下、° 較佳為10重量％以下之範圍内使用。 [III -1 - 3 ·溶劑] 作為本發明之底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑（底 =劑）’若為可溶解本發明之黏合_脂者，則可 使用任意者。料該㈣，通f使用 劑之例’則可舉出：曱醇、乙醇、異丙醇或:1丙; 312XP/發明說明書(補件)/96-〇9/96117796 39 200809437 為，以下之醇類；氯仿、U—二氯乙烧、二氯甲燒 乙烯四氯化奴、1，2-二氯丙烷等鹵化烴類； 胪 胺等含氛有機溶劑類；甲苯、二甲笨等芳香族煙類等 =述溶劑可單獨使用！種，亦可以任意組合及比率 亚用2種以上。進而，即使單獨為並不溶解本發 劑樹歡溶劑，若藉由製成與其他溶劑（例如，上述 之有機办劑等）之混合溶劑而可溶解黏合劑樹脂，則亦可 使用。—般而言，使肖混合溶劑可減少、塗佈不均。 於本發明之底塗層形成用塗佈液中，溶劑與金屬氧化物 粒子、黏合劑樹腊等固形分之量比，因底塗層形成用塗佈 液之塗佈方法而不同，可適當變更以實現於所應用之塗佈 方法中’可形成均勻之塗膜。若舉出具體範圍，則'自底塗 層形成用塗佈液之穩定性及塗佈性方面考慮，底塗層形成 用塗佈液中之固形分濃度較佳為，通常為i重量％以上， 較佳為2重量%以上；又，通常3〇重量%以下，較佳為25 重量％以下。 [III-1-4·其他成分] 底塗層形成用塗佈液中所含之其他成分，與作為底塗層 中所含之其他成分而加以說明者相同。 [III-1-5·底塗層形成用塗佈液之優點] 本發明之底塗層形成用塗佈液之保存穩定性高。作為保 存穩疋性之指標，有各種指標，例如，本發明之底塗層形 成用塗佈液之製作時與室溫下保存天後之黏度變化 率（即，將保存120天後之黏度與製作時之黏度差，除以 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 40 200809437 製作時之黏度而得之值）通常為20%以下，較佳為15%以 下，更佳為10%以下。再者，黏度可使用E型黏度計（東 機美克公司製造，製品名ED)，以依據JIS Z 8803之方 法進行測定。 又，若使用本發明之底塗層形成用塗佈液，則可高品 質、且高效地製造電子照片感光體。 [ΠΙ-2.底塗層形成用塗佈液之製造方法] 對本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法並無限 制。其中，本發明之底塗層形成用塗佈液係如上所述含有 金屬氧化物粒子者，金屬氧化物粒子分散存在於底塗層形 成用塗佈液中。因此’本發明之底塗層形成用塗佈液之製 造方法，通常具有使金屬氧化物粒子分散之分散步驟。 為使金屬氧化物粒子分散，例如，若以球磨機、砂磨機、 行星式軋機（planetary mill)、輥磨機等眾所周知之機械 性粉碎裝置（分散裝置），於溶劑（以下將分散時所使用之 溶劑適當稱為「分散溶劑」）中進行濕式分散即可。一般 ，為’藉由該分散步驟’本發明之金屬氧化物粒子進行^ 散，成為具有上述既定之粒徑分布者。又，分散溶劑可^ 用底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑，亦可使用其以 之溶劑。其中’於使用除底塗層形成用塗佈液中所使 溶劑以外之溶劑作為分散溶劑之情況，分散後將金屬氧化 物粒子與用於底塗層形成用塗佈液之溶劑進行 溶劑交換，此時，較佳為一面防止金屬氧化㈣ = 不具有既^之粒徑分布，—面進行上述混合或溶劑= 312XP/發明說明書(補件)/96·〇9/96117796 41 200809437 等。 於濕式分散之方法中，尤佳為利用分散介質進行分散 者0 作為利用分散介質進行分散之分散裝置，可使用眾所周 知之任一種分散裝置進行分散。若舉出利用分散介質進行 分散之分散裝置之例，則可舉出：卵石磨機（pebble mill)、球磨機、砂磨機、篩磨機（3(：1^郎1^11)、凹口研 磨機（gap mill)、振磨機、塗料振盪器、磨碎機等。該等 中，較佳為可使金屬氧化物粒子循環分散者。又，自分散 效^、到達粒徑之細度、連續運轉之簡易度等方面考慮， 尤佳為例如砂磨機、篩磨機、凹口研磨機等濕式攪拌球磨 機再者，上述之該等研磨機，可為縱型、橫型中任一種。 又’研磨機之圓盤形狀，可使用平板型、垂直銷型、水平 銷型等任意者。較佳為使用液體循環型砂磨機。 種以ί· ί等刀政裝置可僅以1種實施，亦可任意組合2 ?里Μ上而貫施。 均:徑質進行分散時:可藉由使用具有既定平 化物粒早麟”貝而將底塗層形成用塗佈液中之金屬氧 範圍内。積平均粒徑及上述累積_粒徑限制於上述 在渴式二H之底塗層形成用塗佈液之製造方法中，於 常為5二之/球磨機之分散介質，使用平均粒徑通 312ΧΡ/發明說明書(補件)編9/96117796 ’車父佳為10㈣以上，又，通常為200㈣ 42 200809437 ::二較佳為ι00…下之分散介質。小粒徑之分散介 貝存在可以短時間製作均勻分散液之傾向，但若粒徑變得 過小’則分散介質之質量變得過小，存在無法高效分散之 可能性。 又’ &5忍為’使用上述平均粒徑之分散介質，係可藉 由上述製造方法，而將底塗層形成用塗佈液中之金屬氧^ 物粒子之體和平均粒徑及累積9()%粒徑限制於所需範圍内 的，，们原□目此’使用於濕式攪拌球磨機中使用具有上 述平均粒徑之分散介質進行分散的金屬氧化物粒子 造之底塗層形成用塗佈液，良好滿足本發明之底塗層形成 用塗佈液之必要條件。 取 分散介質通常為接近於圓球之形狀，故例如可藉 z隨：觸等t所揭示之利用筛進行筛分之方法、或 以圖像分析進行測定而求出平均粒徑，可藉由阿基求德法 測疋雄度。具體而言，例如可利用以他比〇(股）製造之 LUZEX5G料代表之目像分析裝置，敎分散 粒徑及圓球度。 、Π i 對分散介質之密度並無限制，通常使用55 g/cm3以上 者，較佳為使用5.9g/cm3以上者，更佳為使用6〇_3 以上者。-般而言，使用密度更高之分散介質進行分散， 存在可以短時間製作均勻分散液之傾向。作為分散介質之 圓球度，較佳為U以下者，更佳為使用具有U7以下 之圓球度之分散介質。 作為分散介質之材質，若為不溶於上述㈣所含之分散 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 43 200809437 溶=，且比重大於上述漿料者，不與漿料反應，或不使聚 料變質者，則可使用眾 H所周知之任何分散介質。作為1 例’可舉出.鉻球（球軸承用鋼球）、碳球（碳鋼球）等 不銹鋼球；氮化石夕、碳化石夕、氧化結、氧化I呂等陶竟球 2化鈦氮化鈦等膜包覆之球等。該等中，較佳為陶 “，尤佳為氧化錘锻燒球。更具體而言，尤佳為使用專 利第麵836號公報中所揭示之氧化㈣燒珠。專 並=種！^介質可僅使用1種，亦可以任意組合及比率 者又球磨機i尤佳為使用具傷如下 /疋子，°又於疋子一端之漿料供給口；設於定子另 一端之漿料排出口；將填奋於〜 、卞另 給口供給之漿料攪拌混合轉 自么 ¥ m 〈锝千，連接於排出口，並且設 置為可㈣，心制離心力作料 離，使漿料自排出口排出的分離器。 …“4刀 此處，漿料至少含有金屬氧化物粒子及分散溶劑。 =下m式婦球磨機之構成加料細說明。 疋子係内部具有中空部芮 口口、认* & | &冋开/ (通常為圓筒形狀）容 口口 。、一 &开》成漿料供給口，於立另_被y an α, 口。進而，於内部之中空部填二：另㈣成漿料排出 介質，將漿料中之全屬氧政介質，利用該分散 M — 1 金屬乳化物粒子進行分散。又，自供认 口向定子内供給漿料，宗工命 > 政 曰1…，口 外。 枓疋子内之漿料自排出口排出定子 轉子认於疋子内部，係將上述分散介質及漿料擾摔 312XP/發明說明書(補件)/96_09/96117796 ^ 200809437 混合者。再者，作為 等，可使用任-種類=例如有銷、因盤、環型 連2:=係將分散介質與聚料分離者。該分離器以 分散介質八離，口之方式設置。並且以將定子内之漿料及 方式構成。 排出口达出於定子外部之 此處所㈣之分離器係設置成^^ 者，利用由分離器之旋轉而產生之離心力;用:: 分散介質與漿料分離。 力作用將 再者，分離器可設置成與上述轉 可與轉子分別獨立旋轉。 成為體而凝轉’亦 軸較佳為具備成為上述分離器之旋轉 之中空排出、雨政 該轴之轴心，形成與排出口相通 二、。即，以至少具備如下構 式攪拌球磨機：圓筒形定子 牛之方式構成濕 設於定子另一端之漿料排二 政介質以及自供給口供給之漿_拌混 = :!口’並且設置為可旋轉，用以利用離心力作二接： 介質與漿料分離，使漿料自排出口二:用、將刀， :為分離器之旋轉軸之軸;進而較佳為於軸::離:’ 與排出口相同之，空排出通路。 所形叙上述排“路，連通分㈣ 自分散介質分離之聚料被送出至=通二利用分離器 却至排出口，自排出口排出定 312XP/發明說明書(補件)/96_〇9/96117796 45 200809437 P此日守，上述排出通路通過軸之軸心，軸心中並無 •離心力作肖，因此漿料以不具有動能之狀態排出。因此並 •未浪費地放出動能，未消耗無用之動力。 •=此濕式攪拌球磨機可為橫向，但為提高分散介質之填 充率，較佳為縱向。此時，排出口較佳為設於研磨機上端。 進而，此時，較理想為分離器亦設於分散介質填充高度上 方。 肇 於將排出口設於研磨機上端之情況，將供給口設於研磨 機底部。該情況下，作為更佳之態樣，供給口係以閥座， 以及以可升降之方式嵌合於閥座，且可與閥座之邊緣進行 線接觸之v形、梯形或圓錐狀之閥體構成。藉此，可於閥 座之k緣與閥體之間形成分散介質無法通過之環狀狹 缝口此，可於供給口供給襞料，又可防止分散介質之落 入。又，可藉由使閥體上升，而擴大狹縫以排出分散介質， 或者可藉由使閥體下降，而封閉狹缝以密封研磨機。進 馨而，因狹縫形成於閥體與閥座之邊緣，故漿料中之粗粒子 (金屬氧化物粒子）難以卡入，即使卡入亦易於上下脫離而 難以產生堵塞。 又，若利用振動手段使閥體上下振動，則可使卡入狹縫 之粗粒子自狹缝脫離，因此卡入本身難以產生。並且，藉 ^由閥體振動而對漿料施加剪力以降低黏度，可增加漿料於 : 上述狹縫中之通過量（即，供給量）。對使閥體振動之振動 ， 手段並無限制，例如，除振動器等機械手段之外，可使用 使作用於與閥體成為一體之活塞的壓縮空氣之壓力變動 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117,796 46 200809437 riu列如彺復式壓縮機、切換壓縮空氣之吸排的電磁 切換閥等。 r〜％磁 、於如此濕式授拌球磨機中，又，較佳為於底部設置 2介質之篩、及漿料取出口，以使分散結束後，可：出 Μ式攪拌球磨機内所殘留之漿料。 山又、’將濕式㈣球磨機縱向設置，將軸支持於 t亚且於疋子±端的支承轴之軸承部，設置及且 3環封’進而，於轴承部形成0環所嵌二環 盖、4狀溝安裝0環，於該情況下，較 狀溝之下側部’形成向下方張開之錐狀切:二 係具備如下者而構成：圓筒形之縱型 之裝料供給口，設於定子上端之⑽排出口，支 將填充於疋子内之分散介質以及自供认 口供給之漿料授拌混合之銷、圓盤或環型轉子，設於排： 口附近、自Ε料中分離分散介質之分離器，設於定子上端 ==的軸承部之機械轴封;並且較佳為於與機械軸封 之0環嵌合的環狀溝之下侧部，形成向下方張 開之錐狀切入。 八==濕式攪拌球錢，藉由將機械細設置於分散 W貝，水料幾乎不具有動能之軸心部，並且設置於彼等之 人、慧欠準上方之疋子上端，可於機械輛封之靜環與0環嵌 &溝下側部之間，大幅減少分散介質或裝料進入。 而且，〇環所嵌合之環狀溝之下側部，藉由切入而向下 312χρ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 47 200809437 :^’間隙擴大’因此難以產生隨料或分散介質進入 利人或111化而51起之堵塞’靜環對密封環之追隨順 :’而維持機械軸封之功能。再者，〇環所嵌合之嵌 ;溝=部形成剖面V形’整體並不薄，故並不損害強 度，亦未損害〇環之保持功能。 片之山為’上述分離器具備：於對向之内侧面具備葉 溝之兩片圓盤、礙合於上述嵌合溝且介於圓盤間 h错#自兩侧夾持使葉片介於中間之上述圓盤的支持手 椹# •…即’作為上㉛濕式授拌球磨機係具備以下者而 .筒形定子，設於上述定子一端之漿料之供給口，設 ^述定子之另一端之上述漿料排出口，將填充於上述定 曰：之上述分散介質以及自上述供給口供給之漿料攪拌 轉子’連接於上述排出口並且於上述定子内設置成 用以利用離心力作用將上述分散介質與上述漿料 7 、使上述漿料自上述排出口排出的分離器；並且較佳 =上述㈣n中’具備於對向之内侧面具備葉片之嵌合 、之兩片圓盤、肷合於上述嵌合溝且介於上述圓盤間之上 二葉片自兩側夾持使上述葉片介於中間之上述圓盤的支 夕^又。此時’於較佳態樣中，支持手段包括形成分格轴 之釉的格子、嵌合於轴而按壓圓盤之圓筒狀按壓手段，以 =用軸之格子及按壓手段自兩側夾持使葉片介於中間之 圓盤而支持之方式構成。利用如此濕式授拌球磨機，可易 於將底塗層中之金屬氧化物粒子限制於上述體積平均粒 徑及累積90%粒徑範圍内。又，此處，分離器較佳為苹輪 312χρ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 48 200809437 型構成。 • ’為更具體地說明上述縱型濕式攪拌球磨機之構 .·成’而舉出濕式攪拌球磨機之-實施形態進行說明。其 中，用以製造本發明之底塗層用塗佈液的授摔裝置，並不 _ 限定於此處所例示者。 二丄係示意性表示該實施形態之濕式授拌球磨機之構 成的紙剖面圖。於圖1中，毅料（圖示省略）以如下方式進 粉碎：供給至縱型濕式__機中，以該研磨機 與分散介質（圖示省略）一同#姓 八雜八#s 门攪拌而叙碎後，以分離器14 ::刀政介質，通過形成於軸15之軸心的排出通路19排 出後，沿返迴路徑（圖示省略）返回。 ^路19排 縱型濕式祕球磨機如圖i詳細所示，包括 其係縱向圓筒形，且其具備用以冷卻研磨機之冷卻水所通 :之套管16;軸15’其位於定子17之轴心二㈣ 式轴承’並且於軸承部具有圖、_ 、且將上側部之軸心作為中空之排出ϋ 路19;銷或圓盤狀轉子21，其於工之排出通 ^ ^ 24 ^ J: ® ^ ^ , 下端部徑向突出 ，月獅μ具固者於軸15之上部，扁、土 旋轉接頭25,其安裝於… Μ傳達驅動力； ★八稍i a上鳊之開口端•八 其係於定子17内之上部跗近固著於 ’刀離益14 ’ 質；漿料供給口 26，1盥軸&山 ，用以分離介 π之底部，·分離分散介質之篩28 :置於疋子 27上，該筛支架27設置於設於定子、17::子狀筛支架 之漿料取出口 29。 W底部之偏心位置 312XP/發明說明書(補件)/96·〇9/96117796 49 200809437 分離器14包括以一定間隔而固著於轴15上之一對圓般 31、及連結兩圓盤31之葉片32，構成葉輪，與軸15: 同旋轉而賦予進入圓盤31之間之分散介質及漿料以離心 力，利用其比重差使分散介質於徑向上向外飛出，另一方 面，通過軸15之軸心的排出通路19排出漿料。 ，料之供給σ 26包括以可升降之方式嵌合於形成於定 底部之閥座的倒梯形閥體35、及自定子17底部向 35大貝底圓筒體％，若為供給裝料而向上推閥體 早：座之間形成環狀狹縫(未圖示），藉此漿料供給 王疋于17内0 供：：供f:夺之閥體35 ’利用送入圓筒體36内之漿料的 抗研磨機内之I力而上升，於閥座之間形成狹 y除狹縫處之堵塞’反覆進行㈣35 S::置之上下振動，可消除卡入。該間趙= 行:又亦行可Λ可於-浆料中含有大量粗粒子之情況下進 連動而進行。、而5丨起漿料之供㈣上升時’與其 側細所示，利用彈*m之作用將定子 17盥 者於固定於軸U之密封環100上，定子 7靜：101之密封，係藉由嵌合於定子側 ： =:而進行者’於圖2中，於〇環嵌合溝⑽之： u向下張開之錐狀切 下側部與靜環⑼之間的間隙最小部分之長度口「f」f窄之 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 5〇 200809437 因此不產生以下情況··介質或漿料進入而固化，使靜環 • 101之活動受阻，與密封環100之間之密封受損。 又 於上述實施形態中，轉子21與分離器14固定於相同之 軸15上，於其他實施形態中固定於配置於同軸上之不同 *轴’各自進行旋轉驅動。於將轉子及分離器安裝於相同轴 上之上述圖示之實施形態中，驅動裝置只要一個即可，因 此構造簡單，與此相對，於將轉子及軸安裝於不同軸，以 不同驅動裝置進行旋轉驅動之後者實施形態中，可分別以 最佳旋轉數使轉子與分離器驅動。 圖3所示之球磨機，係將軸⑽設為分格軸，自軸下端 嵌插分離器106,繼而交替嵌插分隔件m及圓盤或銷狀 轉子108後，於軸下端以螺_ 11〇固定塞子1〇9,以軸1〇5 之格子105a及塞子109夹入分離器，1〇6、分隔件1〇7及 轉子108而連結固定，分離器1〇6如圖4所示，包括：於 對向内側之面上分別形成葉片嵌合溝114之一對圓般 # 115、介於兩圓盤間而嵌合於葉片嵌合溝ιΐ4之葉片uf 及使兩圓盤115維持一定間隔且形成通往排出通路⑴之 孔112的環狀分隔件113,構成葉輪。 球本“&形態中所例示之構造的濕式攪拌 、4機’，、體而β，|列如可舉出壽工業股份有限公司製造 之 Ultra Apex Mi 11。 、° 本實施形態之濕錢拌球磨機以如上方式 行裝料分散時，根據以下順序進行。^於形= 濕式㈣球磨機之定子17内填充分散介 : 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 200809437 將卜：動力驅動’轉子21及分離器14旋轉驅動，另一方面， Ϊ缘量輸送至供給口 26°藉此，通過形成於閥座 邊、=《體35之間之狹縫（未圖示）向定子7内供給衆料。 介=由=之旋轉而混合定子7内之漿料及分散 入仃漿枓之粉碎。又，藉由分離器14之旋轉，進 广14内之分散介質及漿料因比重差而分離，比重 二 =介質於徑向上向外飛出，與此相對，比重較輕 過形成於轴15之軸心的排出通路19排出，_ 粉碎進行到一定程度之階段，適當測定漿料 =度’右達所需粒度，則暫且停止原料果，繼而停止研 磨機之運轉，結束粉碎。 又’於使_式_球磨顧金屬氧化物粒子分散 二對懦球磨機内之分散介質的填充率並無 分布，則為r意屬具有所需之粒度 之八巧入填充於濕式擾掉球磨機内 通常為5°%以上，較佳為顧上， 更二:;又，通常_以下，較佳為95%以下， 更佳為90%以下。 氧化物粒子分散之濕式授拌球磨機，分離 社氣㈣W 所述，較理想為葉輪型者，較 土為縱t。#父理想為濕錢拌球磨機為 設置於研磨機上部，尤其若將分散介質之填充=二 述範圍内’則可進行最有效之粉碎，且可使分離器位於介 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 52 200809437 質填充水準上方，亦有可防 出之效果。 欣貝附者於分離器而排 又’適用於分散金屬氧化物粒 轉條件’影響底塗層形成用塗佈液中機的運 體積平均粒徑及累積9_ 开子的 :、：=塗層形成用塗佈液而形成之底塗層的表面 電子昭:ΛΤ底塗層形成用塗饰液而形成之底塗層的 子之㈣ΐΐ 性。尤討舉μ料供料度、及轉 子之旋轉逮度作為影響較大者。 右：料之(、給速度與濕式攪拌球磨機中漿料滯留之時間 二因此受研磨機之容積及其形狀之影響，於通常= 2 /子之障況’每1 L之濕式攪拌球磨機容積，通常為 、*以上、較佳為30kg/hr以上，又通常為㈣ 以下、較佳為7〇 kg/hr以下之範圍。 鄉轉子之方疋轉速度受轉子形狀或與定子之間隙等參數 2曰，於通常所使用之定子及轉子之情況，轉子前端部 ，周逮度通常為5 m/sec以上、較佳為8 m/sec以上、 更佳為ίο m/sec以上，又，通常為2〇 m/sec以下、較佳 為15 m/sec以下、更佳為12 m/sec以下之範圍。 進而，對分散介質之使用量並無限制。其中，分散介質 通常相對於⑽，以容積比計使用卜5❺。除分散介質 以外，亦可並用分散後可易於除去之分散助劑而實施。作 為分散助劑之例，可舉出食鹽、芒硝等。 又，金屬氧化物粒子之分散較佳為於分散溶劑之共存下 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 53 200809437 m進行。χ，只要可適當分散金屬氧化物粒子，則可 吏除分政溶劑以外之成分共存。作為如此可共存八， 列如可舉出黏合劑樹脂或各種添加劑等。 刀 用劑，並未特別限制，若使用上述底塗層形成 步^，^2使用之溶劑，則分散後無需經過溶劑交換等 ' 軚么。该等分散溶劑可單獨使用任1種，亦可以 任意組合及比率並用2種以上，用作混合溶劑。
自生產性之觀點考慮，分散溶劑之使用量相對於1 份成為分散對象之金屬氧化物，通常為0.1重量份以上、 =佳為1重量份以上，X，通常為500重量份以下、較佳 為100重量份以下之範圍。 ，作為機械性分散時之溫度，可於溶劑（或混合溶劑） 之凝固點以上、沸點以下之溫度下進行，自製造時之安全 眭方面考慮，通常於10°c以上、200°c以下之範圍内進行。 較於使用分散介質之分散處理後，自漿料中分離· 除，刀散介質，進而實施超音波處理。超音波處理係對金 屬氧化物粒子施加超音波振動者。 a對振動頻率專超音波處理時之條件並無特別限制，以通 系為1 〇 kHz以上、較佳為15 kHz以上，又，通常為40 kHz 乂下較佳為35 kHz以下之頻率的振盪器施加超音波振 動。 又’對超音波振盪機之輸出功率並無特別限制，通常使 用100 W〜5 kW者。 進而’通常，與以藉由大輸出功率超音波振盪機之超音 12XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 54 200809437 超立：水料相比’以藉由小輪出功率超音波振盡機之 免曰波處理少量漿料時的分散 漿料量m 1 τ、 -次處理之 以F · f 1以上，較佳為5 L·以上，更佳為10 2〇 L ’以又下’通f 5G L以下，較佳為⑽L以下，更佳為 H川:w。X ’該情況之超音波振盪機之輸出功率，較 土 .、、、i 〇Wm上’更佳為3〇〇w以上，更佳為5〇”以上； 、車又仏為3 kW以下，更佳為2 kW以下，更佳為i 5 kw 以下。
對孟屬氧化物粒子施加超音波振動的#法並無特別限 ^例如可舉出：於容納漿料之容器中直接浸潰超音波振 盟幾之方使容納漿料之容器外壁接觸超音波振盪機之 方法、於藉由超音波振盪機而產生振動之液體中浸潰容納 κ料=谷的方法等。該等方法中，較適合的是使用於藉 由超音波振盪機而產生振動之液體中浸潰容納漿料之容 器的方法。 _ 上这隋况下，對藉由超音波振盪機而產生振動之液體並 無限制，例如可舉出：水；曱醇等醇類；甲苯等芳香族烴 類，聚矽氧油等油脂類。其中，若自製造上之安全性、成 本、清洗性等方面考慮，則較佳為使用水。 於藉由超音波振盪機而產生振動之液體中浸潰容納漿 •料之容器的方法中，由該液體之溫度引起超音波處理之效 : 率變化，因此較佳為將該液體之溫度保持恆定。存在由於 • 所施加之超音波振動而使產生振動之液體的溫度上升之 情況。該液體之溫度較佳為於通常為51以上、較佳為 312XP/發明說明書(補件)/96·09/96117796 55 200809437 10 C以上、更佳為15〇c以上，又，通常為以下、較 佳為5GWF、更料机以下之溫度範_進行超音 波處理。 對超音波處理時容納裝料之容器並無限制。例如，若為 通常用於裝入用於形成電子照片感光體用感光層之底塗 層形成用塗佈液的容器，則可使用任一種容器。若舉出具 體例’則可舉出.聚乙稀、聚丙稀等樹脂製容器，或者玻 璃製容器、金屬製罐等。該等中較佳為金屬製罐，尤其適 合使用JIS Z 1602中所規定之18升之金屬製罐。其原因 在於，難以被有機溶劑侵蝕，且耐衝擊。 為除去粗大粒子，分散後m或超音波處理後 之水料視需要於過濾後使用。作為該情況下之過濾介質， =常可使用用以過滤之纖維素纖維、樹脂纖維、玻璃纖維 ^任種過滤材料。作為過攄介質之形態，根據過遽面積 =率l等理由’較佳為於芯材上捲有各種纖維之所謂 ::式過滤器(wind filter)。作為芯材，可使用先前眾 =周知之任一種芯材’可舉出：不錄鋼芯材、聚丙稀等不 岭於上述漿料或聚料所含溶劑中的樹脂製芯材等。 以如此方式獲得之襞料，可視需要而使其進一步含有溶 劑樹脂（黏結劑）、其他成分（助劑等）等，製成底 :層形成用塗佈液。再者，金屬氧化物粒子可於上述分散 ,超音波處理之步驟前、步驟中及步驟後之任一階段中， j塗層形成用塗佈液用溶劑及黏合劑樹脂、以及視需要 斤使用之其他成分混合。因此，金屬氧化物粒子與溶劑、 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 56 200809437 黏合劑樹脂、其他成分等之混合未必於分散或超音波處理 後進行。 根據以上所說明之本發明之底塗層形成用塗佈液之製 造方法，可高效生產本發明之底塗層形成用塗佈液，並且 獲得保存穩定性更高之底塗層形成用塗佈液。因此，可高 效獲得更高品質之電子照片感光體。 [III-3.底塗層之形成]
可藉由將本發明之底塗層形成用塗佈液塗佈於導電性 支持體上進行乾燥，而形成本發明之底塗層。對塗佈本發 月之底'k層形成用塗佈液之方法並無限制，例如可舉出： 次潰塗佈、喷射塗佈、喷嘴塗佈、螺旋塗佈、環塗佈、棒 式^佈鞑式塗佈、亂刀塗佈等。再者，該等塗佈法可僅 實施1種，亦可任意組合2種以上而實施。 ，作為噴射塗佈法’例如有：空氣喷射法、無氣噴射法、 靜電空氣喷射法、靜電無氣翁法、旋轉霧化式靜電喷射 法熱11法、熱無氣喷射法等。又，若考慮用以獲得均句 膜厚之微粒化度、附著效率等，較佳為於旋轉霧化式靜電 賀射法中，實施日本專利再公表平丨一㈣^⑽號公報中所 揭不之搬送方法，’-邊使圓筒狀工件旋轉，一面於1 軸方向上無間隔地連續搬送。藉此，綜合而言，可以高附 者效率獲得底塗層之膜厚均勻性優異之電子照片感光體。 作為螺旋塗佈法’有日本專利特開昭52_1 19651號公報 t所揭示之使餘液㈣機或轉式㈣機之方法、日本 專利特開平卜23薦號公報中所揭示之使塗料自微小開 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 57 200809437 口部以條狀連續飛射 辦八方法、日本專利特開平3-193161 “報中所揭示之使用多嘴嘴體之方法等。 於浸潰塗佈法之愔況，、g A .. lil#八、、曲#、SA 通吊，底塗層形成用塗佈液之總 π 里％以上、較佳為Μ重量％以上， 通吊设於5 0重晋％ LV ΠΓ 4.^ >, ^ Λ 下、杈仏為35重量％以下之範圍内， 將黏度设於較佳為〇〗 U 1 CPS以上’又’較佳為刚CPS以 、塗佈後，乾燥塗佈膜，較佳為調整乾燥溫度、時間，以 進行必需且充分之乾燥。乾燥溫度通常為1GG°C以上、較 佳為11G°C以上、更㈣115ΐ以上，又，通常為2赃 =:、較佳為17旳以下、更佳4 140Ϊ以下之範圍。對 Α方法並無限制’例如可使用熱風乾燥機、蒸汽乾燥 钱、紅外線乾燥機及遠紅外線乾燥機等。 [IV·感光層] 下之靶圍内。再者，J cps=lxl0_3 Pa s。
感光層之構成可採用可應用於眾所周知之電子照片感 修光體的任何構成。若舉出具體例，則可舉出：具有使光導 2性材料溶解或分散於黏合劑樹脂中之單層感光層（即， =層型感光層)的所謂單層型感光體；具有包括將含有電 何產生物質之電荷產生層、及含有電荷傳輸物質之電荷傳 2層積層而成之複數層的感光層（即’積層型感光層）之所 •明積層型感光體等。已知一般而言，光導電性材 :單層型抑或積層型，於功能方面可表現同等性能。…… •本發明《電子照片Μ體所具有之感光層可為眾所周 知之任一種形態，自感光體之機械物性、電氣特性、製造 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 200809437 穩疋性等方面综合考慮，較佳為積層型感光體。尤其是更 么，於導電性支持體上依序積層有底塗層、電荷產生層及 %街傳輸層之順積層型感光體。 本發月之感光層含有結晶型敵菁，該結晶型酞菁於 X射線繞射光譜中布拉格角⑽±01)27.0。至29.〇。處 具有一條以上主要清晰之繞射波峰。此處，所謂「主要」， 表示4波峰之強度大於總波峰強度之平均值的波♦。 [IV-1·結晶型酞菁]
本毛月之感光層含有結晶型酞菁，該結晶型駄菁於利用
Cu Κα特性X射線之X射線繞射光譜中布拉格角 (2Θ±0.2 )27.G至29.G。處具有—條以上主要清晰之繞 射波峰（以下適當稱為「本發明之結晶_菁」）。該本發 明之結晶魏㈣於感光層中，作為電荷產生 功能者。 若舉出本發明之結晶型崎中較適合者，例如自高靈敏 #度之觀點考慮’可舉出於對Cu Κα特性χ射線之粉末X 射線繞射光譜中，於布拉格角（20 ±〇. 2。）27。〜29。附近具 有清，波峰之酖菁氧鈦、經基鎵酞菁等。尤佳為ν型經基 鎵酞菁、及D型結晶型酞菁氧鈦等。 以下’就作為本發明之結晶魏菁中較適合之例的駄菁 • 氧鈦及經基鎵酜菁分別加以說明。 .[IV-1-1·酞菁氧鈦] .本發明线絲鈦係於利用eu Κα特性χ射線之粉末 X射線繞射光譜中，於布拉格角（20±〇 2。）27 3。處具有 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 59 200809437 主要清晰之繞射波峰去。^ 、 考即’本發明之感光體較佳為於感 光層中含有酞菁氧鈦， 口亥駄月軋鈦於X射線繞射光譜中布 拉格角（20 ±0· 2。）27 3。声目士 · 0處具有主要清晰之繞射波峰。藉 此’可使感光體具有高靈敏度。 再者’利用Cu K ck特极γ 4 ^ Λ λ 陡Χ射線之粉末X射線繞射光譜， 可根據通常用於測定固辟+ t 彳疋固體之粉末X射線繞射之方法進行 剩疋。 2明之酞青減較佳為於仙u K性 〜U處具有清晰之繞射波 拉格角(2㈣.2。)9.0。、9 fi、二體而°半乂仫為於布 峰者。 9·6或9.5°及9.7。等處具有波 本&明之醜青氧鈦較佳為於利用Cu Κα特性X射 線之粉末X射線繞射光詳中， m 冷且亡+热太 曰中於布拉格角（2(9 ±0· 2。）9· 0〇 佈液之穩定性良好。 精此’可使感先層形成用塗 末月之醜菁氧鈦於利用c…特性X射線之粉 =射：繞射光譜中’於布拉袼角㈤±〇r)9· 可祛π丄碰 错此’於使用環境變化之情況， 了使感光體之電氣特性之穩定性良好。 進而，本發明之酞菁氧欽 扒士 ν Α 銥於利用Cu Κα特性χ射線之 境變==有射波峰亦較佳。藉此，於使用環 化之^，可絲光體之電氣特性之穩定性良好。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 60 200809437 =，本發明之酞脊氡鈦較佳為於 (2㈣.2。)訂處不具有清晰之繞射波峰者。藉此，】 光層形成用塗佈液中之該酞菁氧鈦 " 使感光趙之電氣特性之穩定性=，結晶性優異’並且可 進而’本發明之«氧鈦有時於結晶内含有氣。該情況 立j不明顯損害本發明之效果，上述氯之含量為任 思。其中，本發明之酞菁氧鈦的氯含量較佳為i 5重量％ 此’可獲得製造多個電子照片感光體時之感光體 斗寸丨生的再現性優異之優點。 中再上述本發明之駄菁氧鈦之氯含量由元素分析求 出，尤，、適合之量亦由製造法決定，錢為以下範圍。 1.於d型化結晶轉變用溶劑中不使用齒化有機化合物之 十月況] m本七月之駄青氧欽之製造時，不使用鹵化有機化合物 _ D型化結晶轉變用溶劑（即，將該酞菁氧鈦之結晶型 D型之步驟中所使用之溶劑)之情況，上述本發明 之酞青氧鈦的氣含量之較適合範圍如下所述。 例如，於將酞菁氧鈦之結晶型轉變為〇型之前所進行之 2質化中使用酸糊法之情況，本發明之欧菁氧欽的氯含 里幸乂佳為0.4重量%以下，更佳為〇·2 ^量%以下。 又=如，於上述非晶質化中使用乾磨法之情況，本發 月之酞青氧鈦的氯含量較佳為〇·8重量％以下。又，下限 值通系為0·2重量％以上，較佳為〇·3重量％以上。 [2·於D型化結晶轉變用溶劑中使用豳化有機化合物之情 312Χ?/發明說明書(補件)/96-09/96117796 61 200809437 況] 於本發明之耿菁氧鈦之製造時，使用齒化有機化 為D型化結晶轉變用溶劑 口乍 的氣含量之較適合範園如下所述。 酞月乳鈦 於^述非晶質財使用酸糊法之情況，本發明之 詈〇/以下▽ ^土為0.9重篁％以下，更佳為0.7重 =以下。X，下限值通常為〇·2重量％以± 重量％以上。 f乂 1土马〇· 3 明二：：:二士述非晶質化中使用乾磨法之情況，林 重=下又含量較佳為“重量%以下，更佳為！ 重里4以下。又，下限值通常為〇.4重 .3 〇· 6重量％以上。 里。以上，較佳為 >又’：本發明之酞菁氧鈦結晶内，下述式 氯化駄青氧鈦的比例，相對於下述式 、不之 代之酞菁氧鈦，以質譜強产比呼，、g # 士斤表不之未經取 佳為。，以下，更佳 非晶質化中使用乾磨法之情況，上述比例較佳:造二於 上，又，於非晶質化中使用酸糊法之二·以 為0. 03以下。再者，氣取《曰 / ’述比例較佳 「行可乳取代1可基於b士宙 讀-⑽54號公報中所揭示之方法進行測曰定本專利特開 M2XP/發明說明書(補件)/96_09/961π796 62 (2) 200809437 [化6]
(l) mfz ： 6i〇
®/z：576 本發明之酞魏鈦之粒#因製法 為不同，作為-次粒徑，若数方&荨而大 右考慮分散性，則較祛盔ςηη 以下，自塗佈成膜性方面考 ^ ^ . 〇 乜為500 nm 回号慮，較佳為300 nm以下。 又，本發明之酞菁氧鈦，除 一下。 子、硝芙、《'、虱原子以外，例如可被氟原 于？基氰基4取代基取代。或者亦可含 代基取代之各種酞菁氧鈦衍生物。 土 [IV-1-2.酞菁氧鈦之製造方法] 對本电明之酜青氧鈦的製造方法並無限制，例如可藉由 以下操作而製造：以鄰笨-_ 占 ^ 本一腈及鹵化鈦為原料合成二氯化 鈦酞月後，猎由水解精製該二氯化鈦酞菁而製造酞菁氧鈦 組成物中間體’使將所得之酞菁氧鈦組成物中間體非晶質 化而獲得之非晶質化酞菁氧鈦組成物，於溶劑中社Β曰曰化 (結晶轉變）。 、口日曰 以下，就該製造方法加以說明。 只要可獲得本發明之酞菁氧鈦，鹵化鈦為任意，其中， 較佳為鈦氯化物。作為鈦氯化物，例如可舉出四氯化鈦、 三氯化欽等，尤佳為四氯化鈦。若使用四氯化鈦，則可易 於控制所得酞菁氧鈦組成物中所含之氯化酞菁氧鈦的含 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 63 200809437 量。 再者，鹵化鈦可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率 並用2種以上。 以鄰苯二腈及自化鈦為原料合成二氯化鈦酞菁時，只要 •可進行反應，反應溫度為任意，通常為15〇°c以上，較佳 為180X：以上。進而，於使用鈦氯化物作為鹵化鈦之情況， 為控制氯化酞菁氧鈦之含量，更佳為丨⑽它以上，通常於 30(TC以下、較佳為25(TC以下、更佳為23〇。(：以下進行。 _ 通系，鈦氯化物相對於鄰苯二腈與反應溶劑之混合體而 混合。此時之鈦氯化物，若為其沸點以下，則可直接混合， 亦可與沸點為150°C以上之高沸點溶劑混合後混合。另一 方面，於鈦氯化物沸點以上之溫度下混合之情況，通常， 與上述高沸點溶劑混合後，混合於鄰苯二腈與反應溶劑之 混合體中。若舉出具體範圍，則鈦氯化物之混合較佳為將 其一部分於鄰苯二腈與反應溶劑之混合體的溫度為 _以下時混合，更佳為於120°C以下時混合，更佳為於1〇〇。〇 以下時混合。 例如，於使用二芳基烷作為反應溶劑，使用鄰苯二腈及 四氣化鈦製造酞菁氧鈦之情況，可藉由以l〇〇°C以下之低 溫及180°C以上之高溫分割四氯化鈦後混合於鄰苯二腈 • 中，而適宜進行酞菁氧鈦之製造。 ; 用以到達反應溫度之升溫時間通常為0· 5小時以上， - 又，通常為4小時以下，較佳為3小時以下。又，反應持 續時間通常為1小時以上，較佳為2小時以上，又，通常 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 64 200809437 $上〇小時以下’較佳為8小時以下，更佳為6小時以下。 -k等之較佳範圍於圖像特性方面效果顯著。 ·· 、行所彳于一氯化鈦酿菁之加熱水解處理，進行精製後， '行所得酞青氧鈦組成物中間體之非晶化。對非晶化之方 去限制’例如藉由以下方法進行非晶質化：藉由塗料 /辰=器、球磨機、砂磨機等眾所周知之機械性粉碎裝置進 6卒或者溶解於濃硫酸後於冷水中等作為固體庐得之 •=謂酸糊法等。其中’若馨於暗衰減（darkdecay)r則較 t為機械性粉碎，自靈敏度、環境依賴之觀时慮，較佳 為酸糊法。 ，由使用幕所周知之溶劑（D型化結晶轉變用溶劑），使 所得=非晶質酞菁氧鈦組成物結晶化，而獲得含有本發明 之酞青氧鈦的組成物（酞菁氧鈦组成物）。作為此時所使用 2!劑，例如較適合為使用：鄰二氯苯、氯苯、氯萘等齒 二:q無L溶劑，氯仿、二氯乙烧等鹵系烴溶劑；甲基萘、 •甲f、二甲苯等芳香族烴溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁醋等醋 糸溶劑；甲基乙基酮、丙酮等酮溶劑；甲醇、乙醇、丁醇、 丙醇等醇；乙趟、㈣、丁_等1€系溶劑；1,4(8)-對蓋二 烯（terpin〇lene)、蘋烯等單箱系烴溶劑；液態石蠟等。 ί中，較佳為鄰二氯苯、甲笨、曱基萘、乙酸乙S旨、丁醚、 _ 蘋烯等。 • 再者，用於結晶化之溶劑可單獨使用1種，亦可以任咅
• 組合及比率並用2種以上。 W
[IV-1-3·羥基鎵酞菁] 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 65 200809437 本發明之羥基鎵酞菁 ::布拉格角(2㈣.2。财處具二:::::: 下又較==徑並無限制’通常為 ο Γ重而:。對羥基鎵酞菁之氣含量亦無限制’較佳為通常為 u.i重以下，較佳為實質上不含氯。
[IV-1-4.羥基鎵酞菁之製造方法] 對本發明之經基絲菁之製造方法並無限制，例如，可 利用具有處理_化鎵酞菁而獲得水合羥基鎵酞菁之+ I冷康錢上述水合祕鎵酞㈣獲得低結晶性經基錄 酞青之步驟、及研磨處理上述低結晶性羥基鎵酞菁之步驟 的方法進行製造。又，較佳為於處理鹵化鎵酞菁而獲得水 合經基鎵酞菁之步驟中，使用酸糊。 以下’就该製造方法加以說明。 首先，以酸糊法處理齒化鎵酞菁而獲得糊狀水合羥基鎵 酞月。此％ ’作為鹵化鎵酞菁，例如可使用氯鎵駄菁、溴 嫁敝菁、礙鎵酞菁等。又，鹵鎵酞菁可單獨使用1種，亦 可以任意組合及比率並用2種以上。 其次，冷凍乾燥該水合羥基鎵酞菁而製成低結晶性羥基 在豕駄青。 使用例如乙醯胺、N，N-二曱基曱醯胺、N，N-二甲基乙醯 胺、N-曱基曱醯胺、N一曱基乙醯胺、N一甲基丙醯胺、甲醯 胺等醯胺系溶劑作為分散劑，對所得之低結晶羥基鎵酞菁 312XP/發明說明書(補件)/96·〇9/96117796 66 200809437 所明此處所進行之研磨虛 氧化铭球等分散介^ΓΓ]如與玻璃珠、鋼珠、 置進行之卢if 使用砂磨機、球磨機等研磨裝 不同：：時間因所使用之研磨裝置而有所 二二:可一概而論，較佳為4〜24小時左右。若過 :、Ί:成本發明之經基鎵醜菁。其中較佳方法係每 ’取樣品以確認布拉格角。研磨處理中所使 用之/刀散劑之量，較佳為以重量 敗菁之H)〜5Q倍。 $里基準和為低結晶羥基鎵 上述經基鎵酞菁之製造方法之特徵之一在於冷珠乾焊 菁广：若無冷咖㈣^ ^ ~j * . 1亚不成為最大波峰（主要繞射波峰）。 於上“造法中’推測藉由冷象乾燥使水合經基鎵駄菁中 ^含之水昇#’藉此可獲得具有目標結晶型之經基鎵酞 月。因此’冷4乾燥之條件為水昇華之條件。例如，若使 水合經基鎵酞菁冷象’進而減壓至4 T〇rr以下， 於室溫下亦昇華。 八 右舉出可於上述製造方法中使用之裝置之例，則可將於 金田理化製造之冷;東乾職置KFD]上連接有真空栗者 用於冷;東乾燥。於難置中，可將水讀部之溫度調整於 ’〜-liot：之範圍内。此時’若舉出所使用之真空果之 例，則可使用排氣量為100 L/min、極限真空為1〇_4 T〇rr 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 67 200809437 者。 [IV-2·電荷產生層] 包荷產生層係含有電荷產生物質之層。 於電子照片感光體之電組物質，使用=二: 酞菁。 j、、'、口日日型 ^ ’只要不明顯損害本發明之效果，亦可將除本發明之 …晶型料料之電荷產生物質（町適當稱為「可並用 I之，荷產生物質」）與本發明之結晶魏菁並用。 人右舉出可亚用之電荷產生物質之例，則可舉出··砸及1 一51、硫化料無機系料電材料旧菁顏料、偶氮顏料、、 二&酮料开料顏料、三十碳六埽（角請）顏料、喧。丫 疋酮顏料、靛監顏料、茈顏料、多環醌顏料、花蒽酮 ar^oanthrQne)顏料、苯并㈣顏料等有機顏料等各種 电材料。其中，尤佳為有機顏料，更佳為酞菁顏料、 偶氮顏料。 其中’若舉出可並用之酞菁顏料之具體例，則可舉出： :屬酞菁、銅、銦、鎵、錫、鈦、鋅、釩、矽、鍺等金 f〆其氧化物、鹵化物、氫氧化物、烧氧化物等配位之酞 ::的口種結晶型等。尤其適合的為·作為高靈敏度之結 ☆ 51之X型、Γ型無金屬酞菁，A型（別稱石型）、B型（別 ，α型上、D -(別稱γ型)等之氧鈦酞菁(別稱··酞菁氧 、太一、酞青氧鈒、氯銦酞菁，π型等之氯鎵酞菁，ν型等 之經基錄駄箐，G划、ϊ剂榮> ^ I 1等之#〜酮基-鎵酞菁二聚物， 尘等之酮基-鋁酞菁二聚物。再者，該等酞菁顏料 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 68 200809437 11型氯鎵酞菁、 〜酮基-鎵酞菁二 中’尤佳為A型（沒型）、B型（α型）、 11型氯鎵酞菁、V型羥基鎵酞菁、g型 聚物等。 认 又，上述酞菁顏料可為混晶狀態。 或結晶狀離之、、曰人处地 F馬此處之醜菁顏料 用，；可於之後混合各個構成要素而使 2 :可於合成、顏料化、結晶化等駄菁顏料之製造.處 乂驟中產生混合狀態。作為如此處 ϊ? . ^ < 例，已知酸糊處
磨坪處理.溶劑處理等。為產生混晶狀態，可舉出如曰 =利^平1G-48859號公報所記载，將2種結晶混合 後進仃機械性磨碎，不定形化後’藉由溶劑處理而轉 特疋結晶狀態之方法。 … 又’可並用之偶氮顏料中，若舉出較適合者之例，則可 舉出各種眾所周知之雙偶氮顏料、三偶氮顏料等。 以下’舉出較佳偶氮顏料之例。再者，於下述構造式中， Cp1、Cp2及Cp3分別獨立表示偶合基。 _ [化 7]
Cp1-N=N—N: 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 69 200809437 再者，作為偶合基Cp、 構造。 [化8]
Cp及Cp3，較佳為表示為以下
亦可以任意組合及 晶型酞菁及可並用 ’亦可以任意組合 又’電荷產生物質可單獨使用1種， 比率並用2種以上。因此，本發明之結 之電荷產生物質，分別可單獨使用1種 及比率並用2種以上。 進而， 於使用可並用 之包荷產生物質之情況，只要不明 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 70 200809437 f損害本發明之效果，本發明之結晶型酞菁與可並用之電 •何產生物質之比率為任意，本發明之結晶型醜菁於總電荷 .產生物質中所占之比例’通常為6〇重量％以上較佳為 80+重里％以上，更佳為9〇重量％以上。若本發明之結晶型 酞青過少，則存在感光體之電氣特性惡化之情況，尤其存 在靈敏度降低之情況。 又，於包荷產生層中，電荷產生物質於以黏合劑樹脂黏 結之狀態下形成電荷產生層。此處，作為電荷產生層之黏 •合劑樹脂，只要不明顯損害本發明之效果，可使用任^者"。 若舉出可用於電荷產生層之黏合劑樹脂之例，則可舉 出：聚乙烯丁醛樹脂、聚乙烯甲醛樹脂、丁縮醛之一部分 被曱縮醛或乙縮醛等改質之部分縮醛化聚乙烯丁醛樹脂 等聚乙烯縮醛系樹脂、聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酯 樹月曰、改質醚系聚酯樹脂、苯氧基樹脂、聚氯乙烯樹脂、 聚偏二氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、 籲丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、聚 醯胺樹脂、聚乙烯吡啶樹脂、纖維素系樹脂、聚胺酯樹脂、 環氧樹脂、聚矽氧樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯吼咯啶酮 樹脂、酪蛋白或氯乙烯—乙酸乙烯酯共聚物、羥基改質氯 乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、羧基改質氯乙烯—乙酸乙烯酯共 • 聚物、氣乙烯-乙酸乙烯酯-順丁烯二酸酐共聚物等氯乙烯 ；—乙酸乙烯酯系共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙 ， 烯-丙稀腈共聚物、苯乙烯-醇酸樹脂、石夕-醇酸樹脂、苯 酚-曱醛樹脂等絕緣性樹脂或者聚_N-乙烯咔唑、聚乙烯 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 71 200809437 悤、聚乙烯茈等有機光導電性聚合物等。 再者，於電荷產生層中，黏合劑樹脂可單獨使用i種， 亦可以任意組合及比率並用2種以上。 又、’/、要不明顯損害本發明之效果，電荷產生物質之使 用！為任意。其中，電荷產生物質之量，較理想為相對於 10^重1份之電荷產生層内之黏合劑樹脂，通常設為1〇 重=份以上，較佳為3〇重量份以上；又，通常設為 • 2量份以下，較佳為_重量份以下。若電荷產生物質之 里過夕，則存在無法獲得充分之靈敏度的情況，若過多， 貝J存在電荷產生物質凝集，電荷產生層之形成時所使用之 塗佈液之穩定性降低之情況。 進而’對電荷產生層之膜厚並無限制，較適合為，通常 為〇· 1 // m以上，較佳為η ] ς ,, m ,、，， 私仏為0·15心以上，又’通常為4 乂下’較佳為〇 · 6 // m以下。 你X電荷產生物質於其形成時’分散於感光層形成用塗 對°亥为散之方法並無限制，例如可舉出：超音波 =法、球磨機分散法、磨碎機分散法、砂磨機分散法等。 “寺’將電荷產生物質之粒徑微細化為通常為〇·5 “以 下、較佳為0·3 以下、更佳為〇 μ 尺寸時有效。 更“ ⑽以下之粒子 又’只要不明顯損害本發明之效果，電荷產生層中可含 有任思成分。例如’電荷.產生層可含有添加劑。 加 :係用以提高成膜性、可撓性、塗佈性、抗汙性、耐氣：： 耐先性等者。若舉出其例，則可舉出··抗氧化劑、可塑劑、 312Χρ/發明說明書(補件)/96-09/96117790 72 200809437 紫外線吸收劑、吸電子性化合物、句 增感劑、染料、顏料、界面活性劑y見光遮光劑、 可舉出受阻紛化合物、受阻胺化合物等乍劑之例， "面活性劑之例，可舉出聚石夕氧油、氟系油等。、為 再者，添加劑可單獨使用丨種， 並用2種以上。 冗了以任忍組合及比率 [IV 3.電何傳輸層] 併电何傳輸層係含有電荷傳輸物質之層，為電荷傳輸物 貝’只要不明顯損害本發明之效果，可使用任意物質。 一其中，作為電荷傳輸物質，較佳為使用下述式（1)'所表 不之化合物（適當稱為「本發明之芳胺化合物」）。因此， 於本發明之感光體中，較佳為感光層中含有本發明之芳胺 化合物。 [化9]
• 香族殘基，X表示可具有取代基之有機殘基，R1〜R4分別 : 獨立表示可具有取代基之不飽和基，ηι表示1或2，n。及 • n2〜ne表示〇〜2之整數。） 於式（I)中，Ar1〜Ar6分別獨立表示可具有取代基之芳香 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 73 200809437 族殘基。此處，A r1〜A r 6之價數係式（ 立之價數，具體而言，^〜Αι^ 表H冓造可成
Ar6為2價基。 、戍2 -基，Ar及 若舉出成為Ar1〜Ar6 t u 苯、举、苗、κ、莊Λ方香無殘基之例，則可舉出： 咯、咔唑、啐唑策婪耒a 卞万日敎焱殘基；噻吩、吡 卞主水上荨方香族雜環殘基等。 又’只要不明顯損害本發明之效果… 香族殘基之碳數為任意，通常為20以下，二〜二之下方 更佳為10以下。若碳數過大 仏為16以下’ 化人物之韁宗唿你尺 、j有守式（I)所表示之芳胺 化口物之知疋性降低，會由氧化性氣體 =咖之可能性…存在圖像形 ΓΓ 重影現象的可能性。又，自電氣射= 考慮，下限通常為5以上，較佳為6以上。 之硯』 自上述觀點考慮，上述芳香族殘基中，作為Ar!〜Ar6， ^圭6為芳香族烴殘基，更佳為苯殘基。尤其是尤佳為p 〜Ar均為笨殘基。 〜Ar6所具有之 則可舉出：甲基、 甲氧基、乙氧基、 苊基、菲基、芘基 又’只要不明顯損害本發明之效果 取代基為任意。若舉出該取代基之例 乙基、丙基、異丙基、烯丙基等烷基 丙氧基等烷氧基；苯基、茚基、萘基 等芳基；吲哚基、喹啉基、咔唑基等雜環基等。又，該等 取代基亦可由連結基形成環或直接鍵結形成環。 上述取代基藉由導入而具有調節本發明之芳胺化合物 之分子内電荷，使電荷遷移率增大之效果，另一方面，若 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 74 200809437 體積變得過大’則存在因分子内之共輛面之變形、分子間 立體排斥，反而降低電荷遷移率之情況^此，上述取代 基之碳數通常為1以上，又，通常為6以下，較佳為4以 下，更佳為2以下。 進而，上述取代基可以1個取代，亦可以2個以上取代。 又，上述取代基可僅以i種取代，亦可將2種以上以任咅 組合及比率進行取代。其中，若具有複數個取代基，則^ 抑制本發明之芳胺化合物之結晶析出的效果，因此較佳， 若取代基過多，神在因分子内之共輛面之變形、分子間 立體排斥，反而降低電荷遷移率之情況。因此，較佳為 “〜V所具有之取代基數量，每—個環上通常為 下。 “進而作為Ar〜Ar所具有之取代基，為提高本發明之 方胺化合物之感光層中的穩定性’且提高電氣特性，較佳 ^立體體積不大者。自該等觀點考慮1於Arl〜A〆所具 =取代基中舉出較適合者之例，則可舉出甲基、乙基、 丁基、異丙基、甲氧基等。 =其於P〜苯殘基之情況，較佳為具有 3況下’作為較佳取代基之例，可舉出縣，其中，作 為尤佳者之例，可舉出甲基。 例又可：出AT6為笨殘基之情況，作為較佳取代基之 1夕J可舉出甲基、甲氧基。 ，而於式⑴中，較佳為紅中至 構造。此時，作為該轉造，若於其f架内之至少二^ 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 乃 200809437 構造即可。藉此，可獲得電荷遷料高、高速應答 - 杈二、且殘餘電位低之電子照片感光體。
' ⑴中’ X表示可具有取代基之有機殘基。此處，X .貝西係式（I)所表示之構造可成立之價數，具體而言， 2、、^戈3價。又，於式⑴中，於以為2之情況（即，有 ' 之情況）’ X可相同，.亦可不同。 如舉出X之例’則可舉出：可具有取代基之芳香族殘 • 飽和脂肪族殘基、雜環殘基、具有醚構造之有機基、 〃有一乙烯基構造等之有機殘基等。 只要不明顯損害本發明之效果，成為k有機殘基之碳 數為任意，通常為！以上、15以下。其中，作為X，較佳 為方香族殘基或飽和脂肪族殘基。於x為芳香族殘基之情 況，該芳香族殘基之碳數較佳為6以上，又，較佳為14 以下，更佳為10以下。更具體而言，較佳為伸苯基、伸 萘基等伸芳基。另-方面，於X為飽和脂肪族殘基之情 馨況，該飽和脂肪族殘基之碳數較佳為1〇以下，更佳為8 以下。 … 又，X可具有取代基。只要不明顯損害本發明之效果， X所具有之取代基為任意。若舉出該取代基之例，則可舉 出· f基、乙基、丙基、異丙基、烯丙基等烷基；甲氧基、 ’乙氧基、丙氧基等烧氧基；苯基、茚基、萘基、危基、菲 •基、芘基等芳基；吲哚基、喹啉基、咔唑基等雜環基等。 其中，較佳為芳基，尤佳為苯基。其原因在於，藉由使用 該等，感光體之電氣特性變得良好。x，為提高電荷遷移 312χΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 76 200809437 率，較佳為烧基，尤佳為甲基或乙基。又，該等取代基可 _由連結基形成環或直接鍵結形成環。 ； 又^要不明顯損害本發明之效果，X所具有之取代基 4數亦為任意，通f為}以上；又，通常為ι〇以下， 車仏為6以下，更佳為3以下。自該觀點考慮，若於X所 有之取代基中舉出較適合者之例，則可舉出甲基、乙 基、丁基、異丙基、曱氧基等。 φ 進而X所具有之取代基可以1個取代，亦可以2個以 上取代。又，上述取代基可僅以丨種取代，亦可將2種以 上以任意組合及比率進行取代。其中，若具有複數個取代 基，則有抑制本發明之芳胺化合物之結晶析出的效果，因 此較佳，若取代基過多，則存在因分子内之共軛面之變 形、分子間立體排斥，反而降低電荷遷移率之情況。因此， 較佳為X所具有之取代基數量，每一個環上通常為2個以 下。 • 於式中，Rl〜R4分別獨立表示可具有取代基之不飽和 基。所謂不飽和基，表示構成不飽和化合物之基。具體而 言，所謂不飽和化合物，係指有機化合物中，含有碳原子 間之雙鍵、或二鍵之化合物。其中，並不將芳香族性雙鍵 當作不飽和性雙鍵。 . 只要不明顯損害本發明之效果，作為成為f〜R4之不飽 : 和基為任意，較佳為下述式（II)所表示之基。 •[化 10] 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 77 200809437
(工工） (於式[II)中，R5〜R9分別獨立表示 取代基之絲衫基，n7表示〇〜5 47。'^者可具有 於上述式⑴）中U分別獨立表i示氯原子、 具有取代基之烷基或芳基。 只要不明顯損害本發明之效果’成為r5〜r、 數為任意’通常為10以下，較佳為6以下，更“ 3二 下。若舉出成為R5〜R9之烷基之例，則可舉出甲基、乙美、 丙基、丁基、己基、十八烧基等，其中，較佳為土甲基：、 又，只要不明顯損害本發明之效果，成為rS〜r9之芳旯 之碳數亦為任意，通常為16以下，較佳為1〇以下更^ 為6以下。料出成為r5〜r9之芳基之例，則可舉出苯基二 茚基、萘基、苊基、菲基、芘基等。 又，上述烷基、芳基，亦可被取代基取代。只要不明顯 損害本發明之效果，R5〜!^所具有之取代基為任意。若舉 出該取代基之例，則可舉出：曱基、乙基、丙基、異丙基、 稀丙基等烧基；曱氧基、乙氧基、丙氧基等烧氧基；苯基、 茚基奈基、苊基、菲基、芘基等芳基；,σ朵基、喧琳基、 咔唑基等雜環基等。 又，該等取代基可由連結基形成環或直接鍵結形成環。 進而，只要不明顯損害本發明之效果，R5〜R9所具有之取 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 78 200809437 代基之碳數為任意， 、隹品备人 通吊為10以下。 . 進而，於上述式（11)中，n7 較佳為2以下之整數。 又不以上，又，5以下、 於上述式(I)中，ηι表示工 、— •又，於上述式⑴中，η。及…分別猶上為表示卜 較佳為表示〇或丨。其刀別獨立表示〇〜2之整數， 進而，於上述式⑴、中，’於Π°為0之情況，ηι為卜 數。 及114分別獨立表示0〜2之整 又，於上述式（I)中 於之情況，表*0〜2之整數。再者， Ar、Ar6直接鍵結):：鍵結⑷咖bonding)(即’ 於μ-…之L 之情況，較佳為〇。 具有趟構造之基。 k佳為亞絲、伸芳基、或 例，可舉出笨基亞甲基+甲基亞丙基、 甲基亞丁基、亞環己基等作為 •之例，可舉出伸苯基、伸笼作為伸方基 響 1甲$基等作為杈佳者。進而，作為 ，、有鱗構造之基之例，可舉出錢|等作為較佳者。 又’於上述式⑴中，於减之情況，Ar5較 佳為苯殘基或第殘基。其中，於紅5為苯殘基之情況，較 佳為該苯殘基被烷基、烷氧基等有機基取代，其中，較佳 為被甲基、曱氧基取代。尤佳為該有機基於氣原子之對位 上取代。 進而，於上述式（I)中，於以為2之情況，χ較佳為 殘基。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 79 200809437 於上述式（i)中，將no〜 m之具體組合之例示於表2中。 [表2 ] [表 2 ·· 之組合之例]
、 -------v 丨 u U 〇 以下，舉出本發明之芳胺化合物之較佳構造的具體例。 再者，於以下所例示之芳胺化合物之構造式中，R表示氮 原子或任意取代基。其巾，R分別可相$，亦可不同。又二， 作為成為R之上述取代I，例如較佳為⑥基、⑬氧基 基等有機基’尤其是更佳為甲基、笨基。又 之整數。
312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 8〇 200809437 [化 11]
312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 81 200809437 [化 13]
右牛出I發明之芳胺化合 例，則可舉出：？7 _ 卜的甩何傳輪物質之 ，4，7 -二石肖基薙|同等芳采姑由 四氰對醒二甲烧箄訇篡乂人4 曰、土化ό物、 、虱基化&物、聯苯醌等醌化合物等吸電 子性物質L生物、❹衍生物、㈣衍生物、。等唾 衍生物、吡唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并呋喃衍生物等 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 82 200809437 雜環化合物、苯胺衍生物、腙衍生物、芳香族胺衍生物 衍生物、丁二嫦衍生物、稀胺衍生物及複數種該 專化合物鍵結而成者，或者於主鏈或側鏈上具有含有該等 化合物之基的聚合物等供電子性物質等。 〜該等中，較佳為衍生物、芳香族胺衍生物、二苯乙 =丁生物、丁二烯衍生物、烯胺街生物、及複數種該等化
&物鍵結而成者。再者，電荷傳輸物質可單獨使用任！ 種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。 以下舉出電荷傳輸物質之較佳構造之具體例。其中，該 具體例係用以例示而舉出者，只要不脫離本發明之主 ’則可使用任何眾所周知之電荷傳輸物質。 等
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[化 16] R
N
R R
作為該取代基，較佳為烷基、烷氧基、苯基等有機基。尤 佳為曱基。又，n為〇〜2之整數。再者，R可相同’亦可 分別不同。 又，於並用本發明之芳胺化合物及除此以外之電荷產生 物質作為電荷產生物質之情況，本發明之芳胺化合物於電 荷產生物質總體中所占之比例，通常為6〇重量％以上，較 佳為80重量％以上，更佳為9〇重量％以上。若本發明之芳 版化s物過 >、，則存在感光體之抗記憶性降低，具有易於 產生重影玉見象之可能性。再者，上限為1〇〇重量％。、 又’於電荷傳輸層巾’電荷傳輸物質於_合劑樹脂黏 結之狀態下形成電荷傳輪層。黏合劑樹脂係用以確保膜強 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 85 200809437 度者。 此處，作為電荷產生層之黏合劑樹脂，例如可舉出：丁 .二烯樹脂、苯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯樹脂、 丙烯酸酯樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂、乙烯醇樹脂、乙基乙 •烯醚等乙烯化合物之聚合物及共聚物、聚乙烯丁醛樹脂、 聚乙烯甲醛樹脂、部分改質聚乙烯縮醛、聚碳酸酯樹脂、 聚酯樹脂、聚芳酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚胺酯樹脂、纖維 素酯樹脂、苯氧基樹脂、矽樹脂、矽—醇酸樹脂、聚-n — 鲁乙烯基咔唑樹脂等。又，黏合劑樹脂可以矽試劑等修飾。 上述黏合劑樹脂中，尤佳為聚碳酸酯樹脂、聚芳酯樹 月曰。進而，聚碳酸酯樹脂、聚芳酯樹脂中，自靈敏度、殘 餘電位方面考慮，較佳為含有具有下述構造式之雙酚成分 或聯苯酚成分之聚碳酸酯樹脂、聚芳酯樹脂。其中，自遷 移率方面考慮，更佳為聚碳酸酯樹脂。 以下，將與可較佳用於聚碳酸酯樹脂之雙酚成分及聯苯 _盼成分對應之單體的構造例示如下。其中，本例示係為明 確主旨而進行者，只要不脫離本發明之要旨，則本發明並 不限定於以下所例示之構造。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 86 200809437 [化 17]
尤其疋為進一步發揮本發明之效果，較佳為含有與以下
構&所不之雙酚衍生物對應的雙酚成分之聚碳酸酯樹脂。 [化 18]
為提高機械特性 又 τ，較佳為# mu + 4為使用聚方酯樹脂，該情況 下权仫為使用與下述構造式所表示之# + 齡成分。 斤表不之早體對應者作為雙 [化 19]
HsCl H PH3
進而，作為酸成分，較佳為使 3 單體對應者。 攻構造式所表示之 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 87 200809437 [化 20]
H〇-1QJ_〇h H〇J1^i〇H 再者，於電荷傳輸層中，黏合劑樹脂可單獨使用丨種， 亦可以任意組合及比率並用2種以上。 只要不明顯損害本發明之效果，電荷傳輸層中所使用之 黏合劑樹脂與電荷傳輸物質之比例為任意。其中，電荷傳 輪物質相對於100重量份之黏合劑樹脂，通常為2〇重量 =以上，又，自殘餘電位降低之觀點考慮，較佳為重 畺知以上，進一步自重複使用時之穩定性、電荷遷移率之 觀點考慮，更佳為40重量份以上。又，另一方面，自感 光層之熱穩定性觀點考慮，通常為15〇重量份以下，進一 步自電荷傳輸物質與黏合劑樹脂之相容性觀點考慮，較佳 為120重量份以下，進一步自耐印力（print Hfe)之觀點 考慮，更佳為100重量份以下，自耐損傷性之觀點考慮， 尤佳為8 0重量份以下。 又，對電荷傳輸層之膜厚並無限制，通常為5 μιη以上， 自使用壽命長、圖像穩定性之觀點考慮，較佳為1〇 以上，又，通常為50从m以下，自使用壽命長、圖像穩 疋性之觀點考慮，較佳為45 以下，自高解析度之觀 點考慮’更佳為3 0 // m以下。 進而，電荷產生層與電荷傳輸層同樣地，只要不明顯損 害本發明之效果，可含有任意成分。例如，可含有添加劑 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 200809437 [IV-4·單層型感光層] 單層型感光層係於如上述調配比之電荷傳輸層中，使上 述電荷產生物質分散而構成。 於單層型感光層中，電荷傳輸物質及黏合劑樹脂之種類 以及該等之使用比例，與對電荷傳輸層加以說明者相同。 因此’較佳為於單層型感光層中含有本發明之芳胺化合 物。 又’電荷產生物質之種類亦如上所述。其中，該情況下， 較理想為電荷產生物質之粒徑充分小。具體而言，通常為 0.5 以下，較佳為〇·3 以下，更佳為〇. 15以瓜 以下。 進而，若分散於感光層内之電荷產生物質的量過少，則 存在無法獲得充分之靈敏度的可能性，若過多，則存在帶 包，降低、靈敏度降低等弊病。因此，單層型感光層内之 電街產生物貝的里，通常設為〇 · 1重量％以上，較佳為1 里X以上，又，通系设為5〇重量％以下，較佳為2〇重量 %以下。 ^ ’單層型感光層之臈厚為任意v通常為5⑽以上， 為10 V m以上，又，通常100以m以下，較佳為⑽ # m以下。 進而’只要不明顯損害本發明之效果，單層型感光層中 =含有任意成分。例如’可與電荷產生層同樣地含有添 [IV〜5·感光層之形成方法] 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 89 200809437 對構成感光層之各層（電荷產生層、電荷傳輪層、單層 型感光層）的形成方法並無限制’通常係藉由將含有構成 各層之材料的塗佈液（電荷產生層用塗佈液、電荷傳輸層 用塗佈液、單層型感光層用塗佈液），使用眾所周知之塗 佈方法，對各層重複進行塗佈·乾燥步驟，依序塗佈於^ 塗層上而形成。 例如，電荷產生層，可將電荷產生物質、黏合劑樹脂及 其他成分溶解或分散於溶劑中以製作塗佈液，於順積層型 感光層之情況下將其塗佈於底塗層上，又，於逆積^感 光層之情況下塗佈於電荷傳輸層上，加以乾燥而獲^ 又，例如，電荷傳輸層，可將電荷傳輪物質、點^漸丨樹 脂及其他成分溶解或分散於溶劑中以製作塗佈液，二; 層型感光層之情況下將其塗佈於電荷產生層上，又，、於二 :層型感光層之情況下塗佈於底塗層上，加以乾燥而: 進而，單層型感光層，可將電荷產生物質、 1、黏合_脂及其他成分溶解或分散於溶劑中以製:涂 佈液’將其塗佈於底塗層上，加以乾燥而獲得。 土 此時，只要不明顯損害本發明之效果， 解、用於制/Mr备/士 V» 黏&裔丨樹脂溶 用於I作塗佈液之溶劑（或者分散介質） 。若舉出其例’則可舉出：戊燒、己燒、辛貌、+， 飽和脂肪族系溶劑；甲苯、__ f ^ 儿 烷等 劑;氯苯、二氣苯、I:等：=本甲鍵等芳香族系溶 醯胺、"美、2 香族系溶劑；二甲基甲 甲基_2比咯啶酮等醯胺系溶劑；甲醇、乙醇、 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 9〇 200809437 異丙醇、正丁醇、苄醇等醇系溶劑 肪族多元醇類，·丙獅p 3 Λ 〇—知导月曰 甲Α-2—=1 同、甲基乙基酮、4巧氧基-4- 土 ° :鏈狀、支鏈狀、及環狀鲷系溶劑，·甲酸甲 曰二酸乙酯^酸正丁醋等醋系溶劑，·二氯甲貌、氯仿、 ’ 裁1乙貌專齒化煙系泡為丨· - 7 Λ , 工糸/合,一乙醚、二甲氧基乙烷、 虱夫喃、1,4-二啰烷、甲基赛路蘇 及環狀_系溶劑；乙腈、一甲亞石風路*.、禾專鍵狀、 三醯胺裳非…， 展丁砜、六甲基磷酸 :專非貝子性極性溶劑;正丁胺、異丙醇胺、二乙胺、 :,m:胺1三土乙胺等含氮化合物；石油英等礦物 /、，較佳為使用並不溶解底塗層者。 再者，該等溶劑可單猸# 率並用2種以上 種’亦可以任意組合及比 =成用塗佈液係單層型感光體及電荷傳輸層用塗佈 2情況，較佳為於固形分濃度通常為5重量％以上、較 仏為10重量％以上，又，通常為4〇重量％以下、 匕重量%以下之範圍内使用。進而，較佳為上述塗佈液： 4占度叹為通常1 0 mpa . S以上、較佳為 為50mpa.s以上，又， 通吊500咖.3以下，較佳為彻mpa s以下之範圍。 固二 :：二=電荷產生層用塗佈液之情況，較佳為於 以上、較佳為1重量%以上， 又’通㊉為15重㈤以下、較佳為1()重量％以下 使用。進*，較佳為於㈣液之#度設騎f q 以上、較佳為O.lmPa.s以上，又，通常2〇mPa s 較佳為10 mPa · s以下之範圍内使用。 312XP/發明說明書(補件y96撕96117796 91 200809437 對塗佈液之塗佈方法並無限制，例如， 佈法、噴射塗佈法、旋轉塗佈法 广心 佈法（如barc〇at⑽1刀塗棒式塗 佈= 簾幕式塗佈法等’亦可使料他眾知之塗孔佈刀法塗 “=之〜==較佳為於室溫之指觸乾 Η “ 亚度觀圍内’於1分鐘至2小時之 下使其加熱乾燥。又，加熱咖 疋亦了於乾燥時一面使其變更一面進行。 [V·其他層] 於本發明之電子昭片 以外之層。體中，可形成底塗層及感光層 等所產4為防止感光層之損耗，或者防止.減輕由帶電哭 生之放電物質等引起的感先層之劣化，可於：：； 中：二護層。保護層例如可使適當之黏合樹脂 ' 料而形成，或者可使用如曰本專利特開平 10-252377 之共聚物。 月木等具有電荷傳輸能力的化合物 =為上述導電性材料，可使用TPD(N，N，_ =間甲苯基）聯苯胺）等芳香族胺基化合物、氧’ 化錫、氧化鈦、氧化錫-氧化銻、氧化&、氧； 辞專i屬氧化物等，但並不限定於該 f 枓可單獨使用1種、亦可以任意組合及比率並用2種以上材 又’作為用於保護層之黏合劑樹脂，例如可使用··聚醯 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 92 200809437 ?胺§日樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、聚酮樹脂、 脂、聚乙烯酮樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚丙烯醯 ::月曰、石夕氧燒樹脂等眾所周知之樹脂…亦可使用如 曰本專利特㈣9_19嶋號公報、日本專利 Γ12Γ號公報中所揭示之三苯胺骨架等具有電荷傳輸 :二二與上述樹脂之共聚物。再者’該黏合劑樹脂可單 種’亦可以任意組合及比率並用2種以上。 進而’上述保護層較佳為以電阻成為1G9〜1G14 Ω .cm =方：：成。若電阻高於1〇、，，則存在殘餘電位上 2，成為灰霧較多之圖像的情況m若低於W cm ’則存在圖像模糊、解析度降低之情況。 又’保護層必須構成為實質上並不阻礙圖像曝光時照射 之光的透過。 ^，為降低感光體表面之摩擦阻力、或磨耗，提高碳粉 2感光體轉印至轉印帶、紙之轉印效率等，可使表面層含 有齓糸樹脂、矽樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等。又， 亦可含有包含該等樹狀粒子或無機化合物之粒子。 再者，對除該等底塗層犮感光層以外之層的形成方法並 …、限制’通ί藉由以與上述感光層相同之方式，將含有構 成各層之材料的塗佈液，使用眾所周知之塗饰方法，對各 層重複進行塗佈.乾燥步驟，依序塗佈而形成。 [VI.本發明之電子照片感光體之優點] 丄本發明之電子照片感光體，其電氣特性優異。具體而 吕，靈敏度高’殘餘電位低。又，通常亦可獲得暗衰減優 3 GXP/發明說明書(補件)/96-09/96117790 93 200809437 異’反覆使用後暗衰減之增加少，即使反覆使用電子照片 感光體’電氣特性亦穩定之優點。 因此’若使用本發明之電子照片感光體形成圖像，則於 初期及耐印後，可形成黑點或灰霧等較少之高晝質圖像， 並且晝質之穩定性亦良好。 進而，本發明之電子照片感光體，於感光層中含有本發 明之芳胺化合物的情況，即使溫度或濕度等環境變化，靈 敏度或殘餘電位等電氣特性亦良好。因此，該情況下，可 於各種環境下實現良好之圖像形成。以下，就該優點，一 面對比習知技術一面加以說明。 習知，於有機感光體中，作為電荷傳輸物質之電洞傳輸 物質，已知有例如腙化合物、三苯胺化合物、聯苯胺化合 物、二苯乙烯化合物、丁二烯化合物等，作為電荷傳輸物 貝之電子傳輸物質，已知有例如聯苯醌化合物等。 、電荷傳輸物質根據對感光體所要求之特性加以選擇。作 _為對感光體所要求之特性，例如可舉出：（1)於暗處，藉 由電暈放電之電荷帶電性高；⑵於暗處，藉由電晕放^ 而帶電之電荷之衰減少；⑻藉由光照射，電荷快速散逸； ⑷光照射後之殘留電荷少；⑸反覆使料，殘餘電位之 增加或初始電位之減少較少；⑻由氣溫及濕度等環境變 動所引起的電子照片特性之變化少等。 目前，為提高上述特性，於電荷傳輸物質令以腙化合物 為代表，提出有各種電荷傳輸物質（例如，曰本專利 平U-202519號公報、曰本專利特開平㈣繼號公報、 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 〇4 200809437 55-42380 #u公報、曰本專利特開昭61-295558號公報、 日本專利㈣㈤58-1_43號公報、日本專利特公平 5-4= 1號公報、日本專利特公平？_2丨_號公報等）。 隨著近年來圖像形成裝置之小型化、低成本化、高速 化’多數情況下並不使用用以將感光體溫度保持恆定而使 用之加熱器等。於如此圖像形成裝置中所使用之感光體中 (尤八於t色;^巾），為保持高晝質m於任何環境下 均可保持焉應答性。 上述習知之電荷傳輸物質係可用作電子照片感光體用 之電洞傳輸劑者，尤其於將具有二苯乙稀骨架之電洞傳輸 诏用於電子知片感光體之感光層中之情況，尤其存在可製 這應合性等優異之感光體的可能性。當然，於將具有二苯 乙烯骨架之電洞傳輸劑用於電子照片感光體之感光層中 之If况，雖減輕低溫下之應答性惡化所引起之圖像惡化， _但隨著近年來圖像形成裝置之高速化、圖像品質要求之提 高，存在無法充分滿足其要求之情況。 對此，若使感光體中含有本發明之芳胺化合物，則可於 各種裱境下發揮高靈敏度且低殘餘電位之電氣特性，可形 成同畫質圖像。 • [νπ·圖像形成裝置] . 其次’就使用本發明之電子照片感光體的圖像形成裝置 •(本發明之圖像形成裝置）之實施形態，使用表示裝置主要 部分構成之圖5加以說明。其中，實施形態並不限定於以 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 95 200809437 下說明，只要不脫離本發明之要旨，可任意變形後實施 2圖5所不’圖像形成裝置係具傷電子照片感光體卜 ^«置（帶電手段）2、曝光裝置（曝光手段；圖像曝 奴）3、顯影裝置（顯影手段）4及轉印裝置（轉印手段宂 ，成’進而，視需要設置清潔裝置（清潔手段）6 二 置（固定手段）7。 衣 又，於本發明之圖像形成裝置中，具備上述本發明 φ子照片感光體作為感光體i。即，本發明之圖像形成裝置， 係具備電子照片感光體、使該電子照片感光體帶電之帶電 手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光以形 旦電潛像之圖像曝光手段、以碳粉使上述靜電潛像顯影之顯 衫手段、將上述碳粉轉印於被轉印體上之轉印手段的圖像 $成裝置；料上述該電子照片感錢，係於導電性支持 體上’、具有含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層、 及形成於=底塗層上之感光層者，將該底塗層分散於以 藝7 . 3之重罝比混合有甲醇及卜丙醇之溶劑中而得之液體 中的該金屬氧化物粒子之以動態光散射法測定之體積平 均粒徑為0.1 以下，且累積9〇%粒徑為〇·3 以下， 該感光層中含有結晶型駄菁，該結晶型献菁於乂射線繞射 光譜中布拉格角（2 0±〇.2。）27.〇。至29〇。處具有一條以 上主要清晰之繞射波峰。 電子妝片感光體1若為上述本發明之電子照片感光 體1則無特別限制’於圖5中作為其一例，舉出於圓筒狀 V电〖生支持體之表面形成上述感光層之鼓狀感光體。沿該 312Xp/發明說明書(補件)/96-09/961177½ 96 200809437 電子照片感光體i之外周面，分別配置帶電裝置2、曝光 • 裝置3、顯影裝置4、轉印裝置5及清潔裝置6。 - 帶電裝置2係使電子照片感光體1帶電者，其使電子照 片感光體1之表面均勻帶電至既定電位。為有效應用本發 明之效果，較佳為帶電裝置與電子照片感光體丨接觸配 置。於圖5中，舉出輥型帶電裝置(帶電輥)作為帶電裝置 2之一例’此外常使用c〇r〇tr〇n(電暈器）或sc〇r〇计⑽（柵 _控電暈器）等電暈帶電裝置、帶電刷等接觸型帶電裝置等。 再者’電子照片感紐i及帶電裝置2於多數情況下， 作為具備該二者之E (以下適當稱為感光體昆），設計成可 自圖像形成I置之本體卸除。因此，例如於電子照片感光 體或帶電裝置2劣化之情況，可自圖像形成裝置本體却 $該感光體H，將其他新感㈣£安裝於圖像形成裝置本 y又’後述碳粉於多數情況下，積存於碳粉匡中，設計 成可自圖像形成裝置本體卸除，於所使用之碳粉g中之碳 •㈣完之情況，可自圖像形成裝置本體卸除該碳粉匣，安 ”他新碳粉E。進而，亦可使用電子照片感光體卜帶 电衣置2、碳粉全部具備之匣。 曝光裝置3若為可對電子照片感光體i進行曝光（圖像 ;先)以於電子照片感光體1之感光面形成靜電潛像者， 其種類並無特職制。作為具體例，可舉出：自素燈、 燈、半㈣雷射或He_Ne f射等雷射、頌發光二極 撰：±又亦可以感光體内部曝光方式進行曝光。進行 *、之光為任意’例如’若以波長為780 nm之單色光、 312XP/發明說明書(補件)/9⑽舰17796 97 200809437 波長為600 nm〜700 ηιπ之稍偏短波長之單色光、波長為 380 Μ〜600 nm之短波長單色光等進行曝光即可。該等 中，較佳為以波長為35〇 nm〜6〇〇 nm之短波長單色光等 進行曝光，更佳為以波長為380 nm〜50G nm之單色光進 行曝光。 顯影裝置4係將±述靜電潛像卿者。對其種類並無特 ^限制’可使用：乾粉顯影、單組分導電碳粉顯影、雙組 :磁刷顯衫等乾式顯影方^或濕式顯影方式等之任意裝 /於圖5巾，顯影裝置4包括顯影槽4卜授拌器42、 供給輕4 3、顯寻彡如yl rr m 於顯3梓4Γ肉、及控制構件45，成為碳粉了積存 附册、索έ!山φ 之構成。又’視需要，可使顯影裝置4 為粉T之補給裝置（未圖示）。該補 為可自瓶、E等容器中補給碳粉T。 構成 供給親43由導電性海缔望 不_、銘、錄等金屬 脂、胺醋樹腊、氟樹脂等之樹二达：屬輥上包覆石夕樹 輥44之表面進行平滑加工或粗曰面^視需要對該顯影 顯影輥44配置於雷早昭y β 分別抵接於電作片 <光體/光體1與供給輥43之間， 顯衫輥44藉由旋轉驅動機構 供、-輥43及 載有所積存之碳粉T，供給至顯J二疋軲。供給輥43負 有由供給輥43供給之碳粉/: :: °顯影輥44負載 之表面接觸。 ’使八與電子照片感光體1 控制構件4 5由發樹炉弋… "&酯樹脂等樹脂葉片，不銹 312XP/發明說明書(補件y96-〇9/96117796 98 200809437 黃鋼、填青銅等金屬葉片，或者於上述金屬 Λ脂之葉片等形成。該控制構件45抵接於顯 等以岐力向顯影輥44側擠壓（一般 . ^5〇° §/Cm)〇 肴猎由與MT之摩擦帶電而使碳粉T帶電之功能。 、，攪拌“2藉由旋轉驅動機構分別旋轉，以攪拌碳粉T， 並且將n T搬送至供給輥43侧。攪拌器42可改變翼之 形狀、大小等，設置複數種。 、 …火私T之種類為任意，除粉狀碳粉以外，可使用利用懸 =聚合法或乳化聚合法等之聚合碳粉等。尤其是於使用g “炭，之情況，較佳為粒徑4〜8 "m左右之小粒徑者， 又粉之粒子形狀亦可使用自接近於球形者至馬铃著狀 之不符合球形者的各種形狀。聚合碳粉之帶f均勻性、轉 印性優異’適用於高晝質化。 1 P衣置5，對其種類並無特別限制，可使用··利用電 • ^轉印、輥轉印、帶轉印等靜電轉印法，廢力轉印法，黏 著轉印法等任意方式之裝置。此處，轉印裝置5係由與電 子照片感光體1對向配置之轉印充電器、轉印輥、轉印帶 等構成者。該轉印裝置5，係以與碳粉τ之帶電電位相反 之極性施加既定電壓值（轉印電壓），將形成於電子照片感 光體1上之碳粉像轉印至轉印材料（被轉印體、紙張、介 質）Ρ上者。於本發明中，於轉印裝置5經由轉印材料而 接觸配置於感光體之情況下有效。 對清潔裝置6並無特別限制，可使用清潔刷、磁力清潔 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 99 200809437 :。=裝：:倍=、”輕、清潔葉片等任意之清潔裝 碳粉二收殘留構=除附著於感光體1之殘留 碳粉少，或幾乎::=。：中,於殘留於感光體表面之 …、之匱况，亦可無清潔裝置6。 構=固裝ϋ包括上部固定構件（以輥）η及下部固定 =再疋:，於固定構件71或72之内部具備加熱裝 且備二署Γ圖5中，舉出於上部固定構件71之内部 ΐ使用〜=之例。上部及下部之各固定構件7卜72 Γ二r二料之金屬素管上包覆㈣之固定 二脂包覆之固定親、固定板等眾所周知之熱 # ，為提尚脫模性，各固定構件71、72可 二/、、，、δ聚矽乳油等脫模劑之構成，亦可設為以彈箬等相 互強制性施加壓力之構成。 〃、 ，印至記錄紙Ρ上之碳粉，通過加熱至既^溫度之上部 與下部固定構件72之間時，碳粉被熱加熱至 義’通過後加以冷卻而將碳粉固定至記錄紙Ρ上。 所：：：!於固定裝置，亦對其種類無特別限定，以此處 ^用者為代表，可設置熱_定、閃光ϋ定、熱熔固定、 加壓固定等藉由任意方式之固定裝置。 疋 於以如上所述之方式構成之電子照片I置卜以如下方 首先感光體1之表面(感光面) 猎由π電衣置2而▼電至既定電位（例如—刪ν)。此時， 、==而使其帶電，亦可將交流電壓重疊於直 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-〇9/96117796 100 200809437 繼而，蔣器發# , 以曝光裝置3! 1之感光面，根據欲記錄之圖像， w ,仃曝光，於感光面形成靜電潛像。繼而， 像：;行形成於該感光體1之感光面上的靜電潛 影葉片二5置二將ί供給輥43供給之碳粉T，以控制構件(顯 處與感光體r之帶電電位為相二二::Γ_: 負輥44 一面搬送’使其與感光體1之表面接觸。 右.14 44所負载之帶電碳粉τ與感光體i之表面接 觸’則與靜電潛像對應之碳粉像形成於感光體丨 面=塵而該碳粉像由轉印裝置5轉印至記錄紙p上。其後， = >廣裝置6除去未轉印而殘留於感光體i之感光面的碳 厌私像轉印至§己錄紙p上後，使其通過固定裝置7 碳粉像熱固定至記錄紙P上，藉此獲得最終圖像。、 、，者:圖像形成裝置除上述構成以外，亦可設為例如可 進仃去靜電步驟之構成。去靜電步驟係藉由對電子照片减 光體進行曝光而進行電子照片感光體之去靜電的步驟^ 為去靜電裝置，可使用營光燈、LED等。又 中所使用之光’多數情況下為強度方面具有曝光之電光;驟3 倍以上曝光能量的光。 又，圖像形成裝置亦可進-步變形而構成，例如， 可進行前曝光步驟、辅助帶電步驟等步驟之構成，或=設 為進行平版印刷之構成，進而亦可設為使用複數種碳粉2 312Xp/發明說明書(補件)/96-09/96117796 101 200809437 全色串聯方式的構成。 . 再者，感光體1於以上述方式與帶電裝置2組合而構成 :匡之情況，更佳為具備顯影裝置4而構成。進而，除上述 感光體1以外，可視需要，與帶電裝置2、曝光裝置3、 •顯影裝置4、轉印裝置5、清潔裝置6、及固定裝置7中工 個或2個以上組合，構成一體型匣（電子照片匣），亦可將 該電子照片匣構成為可對複印機或雷射束印表機等電子 照片裝置本體裝卸之構成。即，本發明之電子照片匣係具 備.電子照片感光體以及使該電子照片感光體帶電之帶電 手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光以形成靜 電潛像之圖像曝光手段、以碳粉使上述靜電潛像顯影之顯 影手段、將上述碳粉轉印於被轉印體上之轉印手段、使轉 印於被轉印體上之碳粉固定之固定手段、將附著於該電子 妝片感光體之碳粉回收之清潔手段中之至少一個的電子 照片匣，較佳為具備以下電子照片感光體作為上述電子照 ⑩片感光體··該電子照片感光體係於導電性支持體上，具有 含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底塗層、及形成於該 底塗層上之感光層之電子照片感光體，將該底塗層分散於 以7 : 3之重量比混合有曱醇及〗一丙醇之溶劑中而得之液 體中的該金屬氧化物粒子之以動態光散射法測定之體積 . 平均粒徑為H从m以下，且累積90%粒徑為〇· 3 # m以 ； 下，該感光層中含有結晶型酞菁，該結晶型酞菁於X射線 • 繞射光譜中布拉格角（20 ±〇· 2。）27· 0。至29· 0。處具有一 條以上主要清晰之繞射波峰。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 102 200809437 該It况下，以與上述實施形態中所說明之匣相 圖像St電子照片感光體1或其他構件劣化之情況，自 置本體卸除該電子照片昆’將其他新的電子昭 益女衣於圖像形成裝置本體，藉此圖像形成 養·管理變得容易。 之保 質=本：:之圖像形成裝置及電氣照片e，可形成高品 +所；初d耐印後，黑點少，又，耐印後之灰霧顯著少， 旦質及晝質之穩定性優異。 又，習知，於轉印裝置5經由轉印材料而接觸配置於 光體之情況，易於產生圖像之品質劣化，但本發明之圖像 形成裝置及電氣照片匣產生如此品質劣化之可能 此有效。 進而’於使用本發明之芳胺化合物之情況，若利用本發 ，之圖像形成裝置及電氣照片Ε，則可於各種環境下形成 高品質圖像。gp ’本發明之電子照片感光體並不依賴溫度 或濕度等環境’可發揮高靈敏度且低殘餘電位之優異電氣 特性，因此若利用本發明之圖像形成裝置及電氣照片匣， 則不論環境條件如何，均可進行抑制圖像缺陷等之高品質 圖像形成。 ' (實施例） 以下，就本發明，舉出實施例及比較例加以進一步具體 說明，本發明只要不脫離其主旨，並不限定於該等。再/者， 於實施例之說明中，若無特別說明，則「份」表示「重量 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 103 200809437 份」。 [實施例群l] [酞菁氧鈦之製造] [製造例1 -1] 於虱軋裱境下，使66.6 g之来η 吐， 一贫田ρ Λ g之#本二腈懸浮於353 mL之 一本甲烷中，於4(rc下添
之-菜15.〇 δ之四氯化鈦與25 mL I 一本T烷的混合液。以約〗 1小日守升溫至205〜2HTC後， 滴下10.0 g之四氯化鈦與1
认one：…。 ib mL之二苯曱烷的混合液， 於205〜210C下使盆反靡ς + ’、μ 小柃。將產物於130〜140°C 下熱過濾後，依序以N-甲其灿々^ / 「MMP 、 T基吡咯啶酮（以下適當稱為 NMP」）、正丁醇清洗。繼 匕叩，於6〇〇此之正丁醇中加 熱回流後，進行NMP、水、甲醆轉、办、主、▲ & τ私懸汙清洗，乾燥而獲得47 0 g之Β型酞菁氧鈦。 X亍 將20.0g之該β型酞菁氧鈦，與l2〇mL之玻璃珠⑷〇 mm〜扎4襲）-同於塗料振盪器中振盪25小時，以甲醇 洗出酞菁氧鈦，過濾'而獲得無定型酞菁氧鈦、使該駄菁氧 鈦懸浮於210 mL之水中後，進—步添加4()社之甲苯， 於60°C下㈣1小時’以傾析法廢棄水後’進行甲醇懸 汁清洗後，加以過濾、乾燥，藉由上述結晶轉變操作，而 獲付19 · 0 g之目標D型酞菁氧鈦。 於所得D型酞菁氧鈦之X射線繞射光譜中，於布拉格角 (2 0±〇.2°)9.6'27.3°處觀察到清晰之繞射波峰。^布 拉格角（2 β ±〇·2。）26· 3。處並不具有清晰之繞射波峰。 於質缙中，於ra/z : 576處觀察到未經取代之酞菁氧鈦 312Χρ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 104 200809437 的波峰，於m/z ·· 610處觀察到氯化酞菁氧鈦之波峰，測 定氣化酞菁氧鈦之波峰強度相對於未經取代之酞菁氧欽 之波峰強度的比，結果為0.027。又，藉由元素分析，發 現氯含量為〇· 65重量0/〇。 ^ '[製造例1-2] 於氮氣環境下，將66· 6 g之鄰苯二腈溶解於436此之 卜氣萘中，於200°C下滴下25.0 g之四氯化鈦與21社 之1-氯萘’的混合液。於205〜21(TC下使其反應5小時後， 將產物於130〜14(TC下熱過濾。繼而，於58〇 mL之正丁 醇中加熱回流後，進行水、NMP、甲醇懸浮清洗，乾燥而 獲得48· 7 g之B型酞菁氧鈦。 將30·0 g之該B型酞菁氧鈦與2〇〇虬之玻璃珠 咖〜¢1.4 _)一同於塗料振盪器中振盪2〇小時，以甲醇 洗出酞菁氧鈦，過濾而獲得無定型酞菁氧鈦。使該酞菁氧 鈦懸浮於625 mL之水中後，進而添加48mL之鄰二氯苯， 籲於至/亚下攪拌1小日守，以傾析法廢棄水後，進行曱醇懸浮 /月洗加以過濾、乾爍，藉由上述結晶轉變操作，而獲得 29·0 g之目標D型酞菁氧鈦組成物。 於所得D型酞菁氧鈦之X射線繞射光譜中，於布拉格角 (2 0 ±0· 2 )9· 6 、27· 3°處觀察到清晰之繞射波峰。於布 拉格角（20±〇·2 )26.3處並不具有清晰之繞射波峰。 :於該駄菁氧鈦之質譜中，m/z: 61〇處之氯化酿菁氧欽 t的波峰強度相對於m/z: 576處之未經取代之酞菁氧鈦的 波峰強度之比為〇· 056。又，藉由元素分析，發現氯含量 312XP/發明說明書(補件)/96-〇9/961177% 105 200809437 為1· 41重量％。 [製造例1 - 3] 將29· 2 g之1，3-二亞胺基異吲哚啉與2〇〇乩之環丁 礙混合，添加17.0 g之四異丙醇欽，於氣氣環境、 下使其反應2小時。放置冷卻後濾取析出物，以氯仿清 洗，以2%-鹽酸水溶液清洗，水洗，以f醇清洗，乾燥後 獲付25.5 g(88.8%)之酞菁氧鈦。 繼而，使該結晶溶解於濃硫酸中，一面攪拌一面滴下至 20°C之去離子水中，使其再析出，進行過濾，充分水洗後， 獲得^晶質之酞菁氧鈦。將4.〇§以如此方式獲得之非晶 質酞青氧鈦，於曱醇100 mL中室溫（2yc )下，懸浮攪拌 處理8小時’過渡分離，減㈣燥而獲得低結晶性酞菁氧 鈦0 繼而，於2.0 g之該酞菁氧鈦中添加4〇汕之正丁醚， 與1 min0之玻璃珠一同於室溫（22。〇下進行2〇小時研磨
處理。自該为散液中取出固形分，以甲醇、繼而以水充分 清洗，乾燥而獲得目標])型敝菁氧鈦。 於所得D型酞菁氧鈦之χ射線繞射光譜中，於布拉格角 (2Θ±0·2 )9·0 、27·3°處觀察到清晰之繞射波峰。於布 拉格角（2 Θ ±0· 2。）26· 3。處並不具有清晰之繞射波峰。 於该酞青氧鈦之質譜中，m/z ·· 610處之氯化酞菁氧鈦 的波峰強度相對於m/z·· 576處之未經取代之酞菁氧鈦的 波峰強度之比為檢測界限以下（〇〇〇〇3以下）。又，藉由 π素分析，發現氯含量為檢測界限以下（〇· 〇1重量％以下）。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96必/96117796 106 200809437 [製造例1 - 4] 將29· 2 g之1，3-二亞胺基異口引蜂 編、曰人％上 木琳與200 mL之環丁 風此&，添加π· 0 g之四異丙醇鈇，
π你甘π ▲ 〇 於鼠氣環境、140〇C 下使/、反應2小時。放置冷卻後潰 咮1V 〇〇/ ^ 更，慮取析出物，以氯仿清 洗，以2/G-鹽酸水溶液清洗，水洗 〇r r r M甲醇清洗，乾燥後 獲侍25.5 g(88· 8%)之酞菁氧鈦。 將產物溶解於2G倍量之濃硫酸中，倒至ι⑽倍量之水 中，其析出，餘後，將㈣餅以二氯甲燒處理後，以甲 “理，乾燥而獲得結晶’將該結晶以塗料調節器(pa-Conditioner)裝置（Red Uvel , t ^ 心^衣化），於曱基乙基酮 中’與直控為1腿之玻璃珠一同 …n ,务 双两砵冋進仃研磨處理，藉此獲 付D型酞菁氧鈦。 於所付D型酞青氧鈦之χ射線繞射光譜巾，於布拉格角 (2Θ 士0·2。)9.5。、9. Π 3。處觀察到清晰之繞射波峰。 於布拉格角（20+〇 20N)?R 9。余ι > β να -υ· z )Zb· 3處亚不具有清晰之繞射波 峰。 於该酞青氧鈦之質譜中，m/z : 61()處之氯化酞菁氧欽 的波峰強度相對於m/z : 576處之未經取代之駄菁氧欽的 波峰強度之比為檢測界限以下（〇〇〇〇3以下）。又，藉由 兀素分析，發現氯含量為檢測界限以下（〇· 〇1重量％以下 [製造例1-5] ♦ 於25C下添加5.0 g之四氯化鈦與16 mL之卜氯萘的 此合液，將於200°C下滴下之四氯化鈦與〗_氯萘混合液的 量設為20.0 g之四氣化鈦與託此之卜氯萘，除此以外， 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 107 200809437 以與製造例i —2相同之方式，獲得49 g之B型酞菁氧鈦。 除使用四氫呋喃(以下適當稱&「爾」）作為溶劑以外， =如g之該B型酞菁氧鈦以與製造例1-2相同之結晶 、欠刼作進行處理’結果為於利用Cu Κα特性X射線之粉 末X射線繞射光譜中’於布拉格角（2㈣r)27.3。處觀 察到最大繞射波峰（26. 3。、28 6。處之波峰亦同時存在）， 獲得28 g之酞菁氧鈦。 於该酞青氧鈦組成物之粉末χ射線繞射光譜中， 处之波峰相對於27· 3處之波峰，以波峰強度計存在3%， 26.3°處之波峰相對於27.3。處之波峰，以波峰強度計 在 1%。 . 产又，於所得酞菁氧鈦組成物之質譜中，m/z : 610處之 氯化，菁氧鈦的波峰強度相對於m/z: 576處之未經取代 之酞青氧鈦的波峰強度之比為〇 〇75。又，藉由元素分析， 發現氣含量為0.81重量％。 _ [比較製造例1-1] 於氮氣％境下’將66· 6 g之鄰苯二腈溶解於436 mL之 卜氣萘中，於200。(：下滴下25〇 g之四氯化鈦與21址 之卜氯萘的混合液。於2〇5〜21(rc下使其反應5小時後， 將產物於130〜14〇°C下熱過濾。繼而，於58〇 mL之正丁 •醇中加熱回流後，進行水、丽p、曱醇懸浮清洗，乾燥而 :獲得48· 7 g之、B型酞菁氧鈦。 ♦ [比較製造例1 - 2] 根據日本專利特開昭62 —67〇94號公報中所揭示之製造 312XP/發明說明書(補件)/96-09/961177% 108 200809437 例，獲得酞菁氧鈦A型。 [羥基鎵酞菁之製造] [製造例1-6] 使73 g之鄰苯二腈、25 g之三氣化鎵、4〇〇扎之q 一 氯萘於氮氣環境、2〇(TC下反應4小時後，於13(rc下將 產物過濾。使用N，N-二曱基甲醯胺，將所得產物於i3〇<t 下分散清洗1小時後，過濾，以甲醇清洗後加以乾燥，獲 得30 g之氯鎵酞菁。 使10 g之所得氯鎵酞菁溶解於400 §之1(rc濃硫酸中， 一面攪拌一面滴下至3 kg冰水中，使其再析出，進行過 濾。以離子交換水充分清洗後，以1%氨水分散清洗後， 以_子父換水再次充分清洗。其後於室溫下乾燥，獲得非 結晶性羥基鎵酞菁。 繼而，將7 g之所得羥基鎵酞菁、21〇 §之N，N_二曱基 曱醯胺，與300 g的1 mm0之玻璃珠一同於室溫（2〇。〇 下，以砂磨機進行6小時之研磨處理。自該分散液中取出 固形分，以甲醇充分清洗，乾燥而獲得5 g本發明之新穎 的結晶形羥基鎵酞菁。 、 於所得酞菁之X射線繞射光譜中’於布拉格角 (2 0 ±0. 2° )28. 1。處觀察到清晰之繞射波峰。 於該酞菁之質譜中，確認m/z : 598。 [實施例1-1] [底塗層用塗佈液] 將平均一次粒徑為40 nm之金紅石型氧化鈦（石原產業 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 109 200809437
公司製造之「TTG55N」）、及相對於該氧化 <甲基二甲氧基矽烷（東芝有機矽公 「TSL8117 丨)，w ^ 人 A , J 衣 」；M予舍爾混合機混合而獲得表面處理氧化 2將5〇份之所得之表面處理氧化鈦，與120份之甲醇 口形成原!^漿料，將1 kg之該原料漿料’以直徑約為 、乂 之氧化鍅珠（Nikkato股份有限公司製造之γτζ) 為分散介質’使用研磨機容積㈣G l5 l 有限&司製造之Ultra Apex Mill(UAM-015型）’於轉子 圓：速度為1〇 ra/sec、液體流量為1〇竑加之液體循環 狀恶下分散處理1小時，以製作氧化鈦分散液。
將上述氧化鈦分散液與曱醇丙醇/甲苯之混人 劑、以，包含卜己内醯胺[下述式(Α)所表示之化合：;/ 雙胺基-3-曱基環己基）甲烧[下述式⑻所表示之化合 物]/1,6-己二胺[下述式（c)所表示之化合物]/ία—癸二 酸[下述式⑻所表示之化合物]L十八二酸[下述式 =)所表示之化合物]的組成莫耳比率為 60%/15%/5%/15_的共聚合聚醯胺之顆粒，—面加熱一 面攪拌、混合，使聚醯胺顆粒溶解後，利用輸出功率為 1200 W之超音波振㈣進们小時之超音波分散處理， ，而利用孔徑為5 _之PTFE製薄膜過濾器㈤痛加 4造之Mitex IX)過渡，獲得表面處理氧化鈦/共聚合聚 醯胺之重量比為3/卜曱醇/卜丙醇/甲笨混合溶劑之重量 比為7Λ/2、且所含固形分之濃度為18 ()重量％的底塗層 形成用塗佈液1-A。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 11〇 200809437 關於該底塗層形成用塗佈液Η，將使 之粒度分布示於表3中。 k附劂疋 [化 21] *
A Η .Ν' Β H^-θΓ H3Cx ch \ /UH3 CH—CH2 H2C—CH h2n-ch ch-c-ch ch^mh2 H2C—CH2 2 H^C—ch2 c h2n
D
E
货叫 H。-!神，HO-C^r〇H 層形成用塗佈液卜A，浸潰塗饰於未經陽極氧 t之1呂筒^徑為/〇随，長度為_.5賴，厚度為u關） 以乾燦後之膜厚成為15 之方式設置底塗層。 將94.2W之該底塗層，浸潰於7〇g之甲醇、3〇宮之 ^醇=合溶液中，以輸出功率為_W之超音波振盈 ^進仃h鐘之超音波處理而獲得底塗層分散液，以上述 帆敎該分散液中之金屬氧化物粒子的粒 體财均粒徑為U9 ，累謂粒徑為〇12二果 、鼯而將20伤之作為電荷產生物質而於製造例η中 所=之駄菁氧鈦與28〇份之1>2_二？氧基乙烧混合，以 兮磨機粉碎2小時進行微粒化分散處理。 =而於該微域處理液中，將使聚乙烯丁以電氣化學 乂（股）衣造，商品名「Denka Butyral」# 6000C)溶解 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 111 200809437 於253份之1，2-二甲氧基乙烷與85份之4-曱氧基-4-甲 基-2-戊酮的混合液中而得之黏合劑液、及230份之1，2-二曱氧基乙烧混合，以製備分散液（電荷產生材料）。 於該分散液（電荷產生材）中，浸潰塗佈於設有底塗層之 上述鋁筒上，以乾燥後之膜厚成為0.3 3 g/m2)之 方式製作電荷產生層。 繼而，將使50份作為電荷傳輸物質之下述化合物ct-1、 [化 22] 100份作為黏合劑樹脂之具有下述構造作為重複單位之 聚石反酸S旨（PC 1 ··黏度平均分子量約為3 0，0 0 0，m : η = 1 : 1)、 [化 23]
8份具有下述構造之抗氧化劑、 [化 24] 312ΧΡ/發明說明書(補件y9卜〇9/96丨}7796 Π2 200809437
工辈二=之聚石夕氧油(商品名KF96,信越化學 八：(:))洛解於640份之四氫呋喃/甲苯(重量比8/2)混 寻之液體，以乾燥後之膜厚成為18 "之方 式次 >貝塗佈於上述電荷產生層上獾 之感光體鼓卜E1。生層上獲件具有積層型感光層
將队2㈣2所得感光體卜E1之感光層，浸潰於1〇(W 之四虱呋喃中’以輪出功率為_W之超音波振盪器進行 5分鐘之超音波處㈣解除錢，將該部分錢於70 g 之甲醉:3Gg^-丙醇的混合溶液中，以輸出功率為_ W之超日波㈣ϋ進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層 分散液，以上述UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的 粒度分布，結果體積平均粒徑為〇 〇8 "，累積_粒徑 為 0· 11 # m 〇 [實施例1-2] 使用製造例1-2中製】生夕减望_ & ,, 衣k之酞月乳鈦，代替使用製造例 Η中製造找菁氧鈦，作為電荷產生物質，除此以外， 以與實施例η相同之方式獲得感光體卜Ε2。 [實施例1一3] 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 113 200809437 使用製造例1〜3中製迕 1 ! 士制、止夕敲望"衣铯之酞青虱鈦，代替使用製造例 1 1中衣k之酞月氧鈇，作為 卜馬尾何產生物質，除此以外， 以與實施例1-1相同之方彳被〜 J <方式獲得感光體1-Ε3。 [實施例1-4] 使用製造例1〜4中费拌夕糾堂" 一 衣&之酿青氧鈦，代替使用製造例 1 -1中製造之醜菁氧敍，从达 μ 、’ 作為龟何產生物質，除此以外， 以與實施例1 -1相同之方女禮π β t从 u <万式獲得感光體1—E4。 [實施例1-5] 使用製造例1 -5中势gt & 衣w之酞月虱鈦，代替使用製造例 Η中製造之酞菁氧鈦，作為f荷產生物質，除此以外， 以與實施例η相同之方式獲得感光體卜£5。 [實施例1 - 6 ] 使用直徑約為50㈣之氧化錯珠（Nikkat〇股份有限公 司衣le之YTZ) ’作為以Ultra Apex Mill分散時之分散 ;丨貝除此以外，以與實施例1 -1相同之方式製作底塗層 形成用塗⑽1-B，以與實施例η相同之方式測定物 性。將結果示於表3中。 將底塗層形成用塗佈液丨—β，浸潰塗佈於未經陽極氧化 之鋁筒（外徑為30 mm，長度為260·5 mm，厚度為1〇随) 上，以乾煉後之膜厚成為1 · 5 # m之方式設置底塗層。 將94· 2 cm2之該底塗層，浸潰於7〇 g之甲醇、3〇容之 1-丙醇的混合溶液中，以輸出功率為6〇〇 w之超音波振盪 益進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層分散液，以與實 施例1-1相同之UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒^二 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 114 200809437 1Γ刀布結果體積平均粒徑為〇.08"m ’累積9〇%粒徑 4 0. 11 # m。 ，所得底塗層上’以與實施例卜丨相同之方式形成電荷 產生層及電荷傳輸層’獲得感光體1—E6。 將f4.2cm2所得感光體卜E6之感光層，浸潰於1〇〇cm3 風咬π南中’以輸出功率為6〇"之超音波振盡器進行 /刀鐘之超音波處理溶解除去後，將該部分浸潰於7〇 g ^甲酵、30 g之卜丙醇的混合溶液中，以輸出功率為_ 八音波振㈣進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層 :以與實施例Η相同之UPA測定該分散液中之金 屬氧化物粒子的粒度分布，結果體積平均粒徑為中〇〇金8 ’累積90%粒徑為0.^ Am。 [實施例1 - 7 ] 將以Ultra ApexMill分散時之轉子圓料度設為12 m/=，除此以外，以與實施例卜6相同之方式製作底塗 ^形成用塗佈液卜C’以與實施例Η相同之方式測定物 性。將結果不於表3中。 使用該底塗層形成用塗佈液卜d與實施们 之方式浸潰塗佈於鋁筒上，以設置底塗層。 ° 將94.2 cm2之該底塗層，浸潰於7〇 /之甲醇、3 卜丙醇的混合溶液中，卩輸出功率^ _w之 器進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層分散^以 施例1 - U目同之U P A測定該分散液中之金屬氧化 粒度分布，結果體積平均粒徑為U8 “，累積咖粒徑 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 ι15 200809437 為 0 · 11 V m 〇 •繼，’除使用底塗層形成用塗佈液κ :例Η相同之方式獲得感光體卜Ε7。 八、^ -之四^所侍感光體1~Ε7之感光層，浸潰於100 cm3 5分二之超音=輸!/力率為6G"之超音波減器進行 之甲醇、如曰"处理洛解除去後’將該部分浸潰於70忌 w妒立之卜丙醇的混合溶液中，以輸出功率為600 W之超音波振盪器進扞5八 八 、 仃5刀釦之超音波處理而獲得底塗層 刀政液’以與貫施例1 一 Ί如问 屬氧化物粒子的赤分散液中之金 卞的拉度分布，結果體積平均粒徑為〇 〇8 # m，累積90%粒徑為〇· u “ m。 [實施例1 - 8 ] 使用η例Η中製造线菁’代替使用製造例卜 製造之酞菁氧鈦，作兔φ^ # 作為電何產生物質，除此以外，以盥實 施例1-1相同之方式獲得感光體1-Ε8。 、、 [比較例1-1] 使用比^4例1-1中製造之醜菁氧鈦，代替使用製造 例Η中製造之醜菁氧鈇，作為電荷產生物質，除此以 外，以與實施例1]相同之方式獲得感光體卜^。 [比較例1 - 2] 使用比較製造例卜2中製造之醜菁氧鈦，代替使用製造 例1-1中製造之駄菁氧鈦，作為電荷產生物質，除此以 外，以與實施例1-U目同之方式獲得感光體卜仏 [比較例1-3] 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 116 200809437 將平均一次粒徑為4〇 nm 公司製造之「TT〇55N )、3 h石型氧化鈦（石原產業 之甲美二甲气翼」 相對於該氧化鈦為3重量％ 料“後，：二:二::磨:混合而獲得聚料’將該漿 鈦，磨機使該疏水得;= A滚南丨Φ八典 ^ 干。…从么γ咚/ 1 -丙醇之混 :二散：二猎此成為疏水化處理氧化鈦之分散漿料， 與甲醇/卜丙醇/甲苯(重量比7/1/2)之混合 产;β /有卜己内酿胺/雙（4-胺基-3-甲基環己基）甲. 烧/u-己二胺/uo-癸二酸/1>18n酸⑽成 見―犯〇使來醯胺顆粒溶解後，進行超音波分散處 ^藉此製作以重量比3/1含有疏水性處理氧化鈦/共聚 合聚酿胺之固形公：塗诤&、。 形刀/辰度為18·〇%之底塗層用形成用塗佈液 1 一D 〇 使用該底塗層形成諸佈液卜D，以與實施例卜1相同 _之方式’文，貝塗佈於鋁筒上，以設置底塗層。 將94.2 cm2之該底塗層，浸潰於7〇 g之甲醇、3〇忌之 丙醇的混合溶〉夜中，以輸出功率為600 W之超音波振靈 =進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層分散液，以與實 施例1 1相同之UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的 粒度分布，結果體積平均粒徑為〇· u ，累積9〇%粒徑 •為 〇· 20 从 πι。 、 而’除使用上述底塗層用塗佈液1 -D以外，以與實施 例1-1相同之方式獲得感光體卜以。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 117 200809437 將94· 2 cm2所得感朵辦！ DO # 于Q先體卜以之感光層，浸潰於l〇〇cm3 之四風17夫喃中，以輪屮A杳& 力率為600W之超音波振盪器進行 1之超音波處理溶解除去後，將該部分浸潰於70 g W甲：立l〇g, : 6醇的混合溶液中’以輪出功率為600 、之超日5分鐘之超音波處理㈣得底塗層 分散液’以與實施例卜14目同之upA敎該分散液中之全 屬氧化物粒子的粒度分布，結果體積平均粒徑為Ο』 # m，累積90%粒徑為〇. 18 # m。 [比較例1-4] 吏用衣以例1-3中製造之酞菁氧鈦，代替使用製造例 卜1中製造之醜菁氧鈦，作為電荷傳輸物f，除此以外， 以與比較例1-3相同之方式獲得感光體卜p4。 [比較例1 - 5] 使用製造例卜4中製造之酞菁氧鈦，代替使用製造例 1-1中製造之酞菁氧鈦，作為電荷傳輸物質，除此以外， 籲以與比較例1-3相同之方式獲得感光體卜P5。 [電氣特性之評價] 將實施例及比較例中製作之電子照片感光體，安裝於根 據電子照片學會標準製作之電子照片特性評價裝置（記载 於、、、貝笔子知片技術之基礎及應用，電子照片學合編， _ Corona公司，第404〜405頁），按以下順序，進行利用 ：帶電（陰極性）、曝光、電位測定、去靜電之循環的電氣特 ^ 性之評價。 使感光體γ電使其初始表面電位達—7 〇 〇 V，照射以干♦ 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 118 200809437 “n使鹵素燈之域為78G nm之單色光者，測定表面 電位達-350 V時之照射能量(半衰曝光能量)作為靈敏度 (El,/2)UJ/cm2)。又，測定以1〇 MW之強度照射該 曝光之光10〇1113後之曝光後表面電位(^1^)(1)。又，初 始表面電位成為-700 V後，測定於暗處放置5秒鐘後之 表面電位，將其差作為暗衰減（DD)。 又，將該利用帶電（陰極性）、曝光、電位測定、去靜電 之循環的電氣特性之評價重複1萬次後，以相同方式測定 電氣特性。將該等結果歸納於表4中。 再者，於表4(及下述表5)之電荷產生物質攔中，r D」 表示D型酞菁氧鈦，「B」表示B型酞菁氧鈦，「a」表示酞 菁氧鈦A型。又，於底塗層攔中，「α」表示上述底塗層 形成用塗佈液1 -A、1 -Β或1-C，「/3」表示底塗層用塗佈 液 1 一 D 〇 [表3] 塗佈液 艚積平均粒徑（从瓜）-- 累積90%般經（μ m) 實施例1-1 1-A ----09 0. 13 實施例1-6 1 - B --〇7〇8 0. 12 實施例1-7 ~l^c~~ —"^όΤ〇8 0· 11 — 比較例1-3 卜D "^1713 ----- 0. 20 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 200809437 [表4] 感光體 感光覺 l規格 電氣特性f初期 ) 電氣特相 電荷產 生物質 底塗層 E1/2 (β J/cm2) VL1 (-V) DD ⑺― E1/2 (u J/cm2) "vlT (-V) DD 一 (V\ 實施例1 -1 1-E1 D a 0.088 68 33 0. 089 68 v v ; QC 實施例1-2 1-E2 D a 0.090 72 35 0.092 75 0 0 q 7 實施例1 -3 1-E3 D a 0. 085 82 38 0. 088 85 o ( C C 實施例1 -4 1-E4 D a 0. 088 82 41 0.091 84 0 D A 7 實施例1-5 1-E5 D a 0.091 90 39 0. 093 93 4 I AQ 實施例1-6 1 - E6 D a 0. 088 69 32 0.090 69 气0 Q/1 實施例1-7 1-E7 D a 0. 089 67 33 0.091 68 〇 4： Q Q 實施例1-8 1-E8 GaOHPc a 0. 12 76 50 0.12 79 〇 o Π Q 比較例1-1 1-P1 B a 0.30 70 42 0. 35 76 0〇 An 比較例1-2 1-P2 A a 0.41 80 51 0· 44 一 DU R A 比較例1-3 1-P3 D β 0. 088 68 41 0. 090 69^ 〇 4： ς π 比較例1-4 1-P4 D β 0. 087 82 46 0. 093 85 0 U a c 比較例1-5 1-P5 D β 0. 089 82 47 0. 094 82 0 D 59 [圖像評價] 於實施例及比較例中所獲得之電子照片感光體（選擇靈 敏度超過0.15 /zJ/cm之感光體）上安裝齒輪，搭載於輸 出為每分鐘33張A4紙之黑白頁式印表機（惠普 (Hewlett-Packard)公司製造之「Laser Jet 4200」）之鼓 馨匣（具有接觸帶電輥構件、葉片清潔構件、及顯影構件， 作為一體型匣）上’由市場購入環保碳粉，安裝後印出圖 像，進行圖像形成評價試驗。 繼而，對連續印出1萬張5%印製圖像後之圖像加以評 價。 . 將結果示於表5中。再者，於表5中，「〇」表示完全 ； 未觀察到與各欄對應之缺陷，「△」表示於在使用上可容 - 許之範圍内觀祭到與各棚對應之缺陷，「X」表示於在使用 上無法容許之程度觀察到與各攔對應之缺陷。再者，以「一 120 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 200809437 連接者’表不彼專之中間 [表5]
比較例1 -3 比較例1 -4 比較例1 -5 由以上結果可知，~~--— 、月之感光體的電氣特性優里 其是重複使用後暗衰減之増加少。又，可知，=/、尤 本發明之感光體的圖像形成裝置，則獲得於：期、：; 後’黑點少’ X，耐印後之灰霧顯著少之優點。 [實施例群2] [實施例2-1] 0 [底塗層用塗佈液] 以與實施例Η相同之方式，獲得與底塗層形成用塗佈 液1 -Α相同之底塗層形成用塗佈液2—Α。 關於該底塗層形成用塗佈液2Α，將使用上述υρΑ 之粒度分布示於表6中。 “ • 將該底塗層形成用塗佈液2-A ’浸潰塗佈於未經陽極氧 ：化之铭筒（外徑為30咖，長度為260· 5 mm，厚度為1 〇_) ^上，以乾燥後之膜厚成為1.5 之方式設置底塗層。 將94· 2 cm2之該底塗層，浸潰於7〇 g之曱醇、3〇 S之 3 ΠΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 121 200809437 丙醇的混合溶液中，以輪出功率為_w之超音波振盪 益進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層分散液，以上述 UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的粒度分布，結果 體積平均粒徑為0.09 累積9〇%粒徑為〇12从瓜。 :繼而’將2G份之料電荷產生物質之D魏菁氧鈦與 280份之1，2-二曱氧基乙烷混合，以砂磨機粉碎2小時進 行微粒化分散處理。 鲁 繼而，於該微細化處理液中，將使聚乙烯丁醛（電氣化 本工業（月又）製造，商品名「Denka Butyral」#6〇〇〇c)溶 解於253份之1，2-二曱氧基乙烷與85份之4—曱氧基一4一 甲基-2-戊酮的混合液中而得之黏合劑液、及23〇份之 1，2-二曱氧基乙烷混合，以製備分散液（電荷產生材料）。 於該分散液（電荷產生材料）中，浸潰塗佈設有底塗層之 上述銘筒，以乾燥後之膜厚成為〇·3 μπι(〇·3 g/m2)之方 式製作電荷產生層。 _ 繼而，使用下述化合物（CT-2)作為電荷傳輸物質，並將 乾煉後之膜厚設為2 0 # m，除此以外，以與實施例1〜1 相同之方式，於電荷產生層上形成電荷傳輸層，獲得具有 積層型感光層之感光體鼓2-E1。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 122 200809437 [化 25]
將％ 2 cm2所得感光體2_E1之感光層 之四氫呋喃中，w认 又/貝於100 cm 5八力㈣6GGW之超音波振盪器進行 刀、:之超曰波處理溶解除去後，將該部分浸潰於 之甲醇、30 g之卜丙醇的混合溶液中，以輸出功率為_ ::二音波振盈器進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層 刀月沒U上述UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的 粒度分布，結果體積平均粒徑為U8 ，累冑9〇%粒徑 為 〇 · 11 # m 〇 [實施例2-2] 使用下述化合物（CT-3)，代替使用化合物（CT—2)，作為 ⑩電荷傳輸物質，除此以外，以與實施例24相同之方式獲 得感光體2-E2。 & [化 26]
[實施例2-3] 使用下述化合物（CT-4)，代替使用化合物（CT-2)，作為 3nXP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 123 200809437 電荷傳輸物質，除此以外，以與實施例2-1相同之方式獲 • 得感光體2-E3。 [化 27]
[實施例2-4] 使用日本專利特開2002-080432號公報之實施例1中所 揭示之以下述構造式所代表之芳胺系化合物組成物 (CT-5)，代替使用化合物（CT-2)，作為電荷傳輸物質，除 此以外’以與實施例2 —丨相同之方式獲得感光體2—E4。 [化 28]
[實施例2-5] 形成用塗佈液2-B，以與實施例 使用直徑約為50 之氧化锆珠（Nikkato股份有限公 司製造之YTZ)，作為以Ultra Apex Mill分散時之分散 介質，除此以外，以與實施例2_1相同之方式製作底=層 1相同之方式測定物 性。將結果示於表6中。 將底塗層形成用塗佈液2-B，浸潰塗佈於未經陽極氧化 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 124 200809437 H =為3Gmm，長度為亂5随，厚度W) 將^"後之膜厚成為之方式設置底塗層。 、▲ ·⑽之該底塗層，浸潰於7〇 g之甲醇、3〇 卜丙醇的混合溶液中， 55 I# i- R V ^ 乂輸出功率為600 W之超音波振盪 刀〃里之超9波處理而獲得底塗層分散液，以與實 :子的二同之方式以UPA測定該分散液中之金屬氧化物 果體積平均粒徑為Q.G8wm,累積 ::得底塗層上，以與實施例2-1相同之方式形成電荷 產生層及電荷傳輸層，獲得感光體2-E5。 將队2 cm2所得感光體2_E5之感光層，浸潰於i〇〇 ^ 虱呋喃中’以輸出功率為_w之超音波振盪器進行 为鐘之超音波處理溶解除去後，將該部分浸潰於7〇 g :曱醇、30 g之卜丙醇的混合溶液中，以輸出功率為_ 之超音波振盪器進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層 分散液，以與實施例2_丨相同之υρΑ測定該分散液中之金 屬氧化物粒子的粒度分布，結果體積平均粒徑為〇 〇8 # m ’累積9〇〇/0粒徑為〇· 12 # m。 [實施例2 - 6 ] 將以Ultra Apex Mill分散時之轉子圓周速度設為12 m/sec，除此以外，以與實施例2_5相同之方式製作底塗 層形成用塗佈液2-C，以與實施例2-丨相同之方式測定物 性。將結果示於表β中。 使用該底塗層形成用塗佈液2-C，以與實施例2 — J相同 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 125 200809437 之方式浸潰塗佈於鋁筒上，以設置底塗層。 將94. 2 cm2之該底塗層，浸潰於7〇 g之甲醇、 =醇=合溶液中，以輸出功率為議w之超音波 :仃5分鐘之超音波處理而獲得底塗層分散液，以與每 加例2 1相同之UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的 分布，結果體積平均粒徑為〇〇8累積9〇%粒徑 為 〇· 11 // m 〇 繼而，除使用底塗層形成用塗佈液2—c以外，以盥每 鲁例^相同之方式獲得感光體2_E6。 …貝知 將M.2Cm2所得感光體2_E6之感光層，浸潰於丄⑽⑽3 之2咬喃中，以輸出功率為_w之超音波振盡器進行 5分鐘之超音波處理溶解除去後，將該部分浸潰於7〇 g 之甲醇、30 g之卜丙醇的混合溶液中，以輸出功率為_ 之超音波振盪器進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層 分散液，以與實施例2-1相同之UPA測定該分散液中之金 籲屬氧化物粒子的粒度分布，結果體積平均粒徑為 〇· 08// m，累積 90%粒徑為 〇· Π # m。 [實施例2-7] 使用下述化合物（CT-6)，代替使用化合物（CT一2)，作為 電荷傳輸物質，除此以外，以與實施例2 —丨相同之方式獲 .得感光體2-P1。 3 UXP/發明說明書(補件)/96_09/96117796 200809437 [化 29] p
[貫施例2 - 8 ] 使用下述化合物（CT-7)，代替使用化合物（CT - 2)，作為 電荷傳輸物質，除此以外，以與實施例2-1相同之方式獲 ®得感光體2-P2。 [化 30] -Ο \hTVT Qr Vi/ ύ饭 CT-7 I~\ b [比較例2-1] 將平均一次粒徑為40 nm之金紅石型氧化鈦（石原產業 公司製造「TT055N」）與相對於該氧化鈦為3重量％之甲基 一甲氧基矽烷以球磨機混合而得漿料，將該漿料乾燥後， 進而以甲醇/月洗’乾燥而獲得疏水性處理氧化鈦，將該疏 水性處理氧化鈦於甲醇〜丙醇之混合溶劑中以球磨機分 散’藉此成為疏水化處理氧化鈦之分散漿料，將該分散漿 料與甲醇/卜丙醇/甲苯（重量比7/1/2)之混合溶劑、及含 有 ε-己内醯胺/譬η脸：a 〇 一 耿又U胺基甲基環己基）甲烷/1，6-己 一胺癸二酸/1丄 文/1，18-十八二酸（組成莫耳％ : 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 127 200809437 60/15/5/15/5)的共聚合聚醯胺之顆粒，一面加熱一面攪 -拌、混合’使聚醯胺顆粒溶解後，進行超音波分散處理, :藉此製作以重量比3/1含有疏水性處理氧化鈦/共聚合聚 I胺之固形分浪度為18. 〇%之底塗層形成用塗佈液。 . 使用該底塗層形成用塗佈液2-D，以與實施例2—丨相同 之方式浸潰塗佈於鋁筒上，以設置底塗層。 將94· 2 cm2之該底塗層，浸潰於7〇 g之曱醇、茗之 ^丙醇的混合溶液中’以輸出功率為咖¥之超音波振置 器進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層分散液，以與實 轭例2-1相同之UPA敎該分散液中之金屬氧化物粒子的 1度刀布果體積平均粒徑為〇 . i j以爪，累積9 為 0.20 #ιη。 者繼而，除使用上述底塗層形成用塗佈液2_D以外，以與 實施例2-1相同之方式獲得感光體2-P3。 ” 將f4.2cm2所得感光體之感光層，浸潰於100cm3 呋喃中’以輸出功率為_w之超音波振盪器進行 刀知之超曰波處理溶解除去後，將該部分浸潰於忌 =甲醇、30 g之卜丙醇的混合溶液中，以輸出功率為_ 八^音波振盪器進行5分鐘之超音波處理而獲得底塗層 X心以與實施例2—i相同之齡測定該分散液中之金 蜀氣化物粒子的粒度分布，結果體積平均粒徑為m # m，累積90%粒徑為〇· 18 # m。 [比較例2-2] 使用化合物（α-4) ’代替使用化合物（α_2)，作為電荷 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 128 200809437 傳輸物質，除此以外，以與比較例2-1相同之方式獲得减 • 光體2-P4 〇 又 之 [電氣特性之評價] 將實施例及比較例中製作之電子照片感光體，安裝於根 • 據電子照片學會標準製作之電子照片特性評價裝置（記載 於續電子照片技術之基礎及應用，電子照片學會編，
Corona公司，第404〜405頁），按以下次序，進行利用 帶電（陰極性）、曝光、電位測定、去靜電之循環的電氣特 馨性之評價。 於溫度為25°C、濕度為50%之環境下，以及溫度為5。〇、 濕度為10%之環境下，使感光體帶電至初始表面電位達 - 700 V，照射以干涉濾光器使鹵素燈之光成為780 nm之 單色光者，測定表面電位達—350 V時之照射能量（半衰曝 光此1 )作為靈敏度（El/2)(/z J/cm2)。又，測定以1 · 〇 // J/cm2之強度照射該曝光之光時1 〇〇 ms後之曝光後表面 ⑩電位（VL1)(-V)。又，將初始表面電位設為—7〇〇 v後，測 定於暗處放置5秒鐘後之表面電位，將其差作為暗衰減 (DD) 〇 將結果記於表7A(溫度25°C、濕度50%)及表7B(溫度 5°C、濕度10%)中。再者，於表7A、7B之底塗層欄中，「α」 -表示上述底塗層形成用分散液2-A、2-Β或2-C，「召」表 ^ 示底塗層用分散液2-D。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 200809437 [表6] 塗佈液 體積平均粒徑m) 累積90%粒徑（“ m) 實施例2 -1 2-A 0. 09 0. 13 實施例2-5 2-B 0. 08 0. 12 實施例2-6 2-C 0. 08 0. 11 比較例2-1 2-D 0. 13 _ 0.20 [表7] [表7A :溫度25°C、濕度50%之評價結果] 感光體 感光體規格 電i M寺性 電荷傳輸物質 底塗層 El/2(/z J/cm2) VL1(-V) DD(V) 實施例2-1 2-E1 CTM a 0. 093 55 38 實施例2-2 2-E2 CT-2 a 0. 098 63 39 實施例2-3 2 - E3 CT-3 a 0. 101 1 64 36 實施例2 - 4 2 - E4 CT-4 a 0. 091 49 34 實施例2-5 2 - E5 CT-1 a 0. 092 56 35 實施例2 - 6 2-E6 CT-1 a 0.094 58 38 實施例2-7 2-P1 CT - 5 a 0. 128 138 52 實施例2 - 8 2 - P2 CT - 6 a 0. 098 67 38 比較例2-1 2-P3 CT-1 β 0. 095 60 46 比較例2-2 2 - P4 CT-3 β 0. 102 72 49 [表7B :溫度5°C、濕度10%之評價結果] 感光體 感光體規格 _ 電氣特性 電荷傳輸物質 底塗層 El/2(/z J/cm2) VLl(-V) DD(V) 實施例2-1 Γ~2-Ε1 CT-1 a 0. 107 96 30 實施例2-2 2 - Ε2 CT - 2 a 0. 116 108 O 1/ 31 實施例2 - 3 2-Ε3 CT - 3 a 0. 118 111 29 實施例2-4 2 - Ε4 CT-4 a 0. 103 85 27 實施例2 - 5 2 - Ε5 CT -1 a 0. 106 96 28 寳施例2 - 6 2 - Ε6 CT -1 a 0. 109 98 Qf) 實施例2 7 2 - Ρ1 CT - 5 a 無法測定 356 O \J 32 實施例2-8 2 - Ρ2 CT - 6 a 0. 129 184 iJ 比較例2-1 比較例2- 2 - Ρ3 ~2^Ρ4~ _CT-1 CT - 3 0. 110 0. 119 109 121 ~~ u O _37 39 由表6、7A、7B之結果可知，本發明之感光體於常溫下
保持高應答性，故電氣特性之變化較少。又，可知，於感 光層含有本發明之芳胺化合物之情況 ，即使於低溫下，亦 因保持南應答性，而使電氣特性之變化較少。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 130 200809437 [圖像之評價] 於實施例及比較例中製作之電子照片 :、搭載於輸出為每分鐘3 3張A 4紙之心頁式印表機(惠 音公司製造之「Laser Jet 42〇〇」）的鼓匣上，自市場購 入環保碳粉’安震後印出圖像，目視評價純黑部之圖像濃 度及純黑圖像、純白圖像之圖像缺陷。 將結果示於表8中。 [表8]
比較例2-1 比較例21
成之^之結果可知，於使用本發明之感光體進^圖像形 =情：，於常溫環境下，可形成無灰霧或黑點之高品質 二:可知，於感光層含有本發明之芳胺化合物的 ίί品質圖=及低溫兩㈣境下，可形成無灰霧或黑點之 (產業上之可利用性） =發明可用於產#上之任意領域中，尤其可適用於電子 照片方式之印表機、傳真機、複印機等。 、 以上，使用特定態樣就本發明加以詳細說明，本業者明 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 131 200809437 瞭可於不脫離本發明之意圖及範圍之情況下，進行各種變 更0 再者，本申請係基於2006年5月18日提出申請之曰本 專利申請案（特願2006-139529號）、及20〇6年5月18曰 申請之日本專利申請（特願2006-139533號），藉由引用 援用其整體。 【圖式簡單說明】 圖1係不意性表示本發明之一實施形態之濕式攪拌球 磨機之構成的縱剖面圖。 圖2係示意性表示本發明之一實施形態之濕式攪拌球 磨機中所使用之機械軸封的放大縱剖面圖。 圖3係示意性表示本發明之一實施形態之濕式攪拌球 磨機之其他例的縱剖面圖。 圖4係不意性表示圖3中所示之濕式攪拌球磨機之分離 器的橫剖面圖。 圖5係表不具備本發明之電子照片感光體之圖像形成 裝置的一實施態樣之主要部分構成的概略圖。 【主要元件符號說明】 1 感光體 2 帶電裝置（帶電輥） 3 曝光裝置 4 顯影裝置 5 轉印裝置 6 清潔裝置 312χΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 132 200809437
7 固定裝置 14 、 106 分離器 15 、 105 軸 16 夾套 17 定子 19、111 排出通路 21、108 轉子 24 滑輪 25 旋轉接頭 26 原料漿料之供給口 27 篩支架 28 Ιφ 29 製品漿料取出口 31 ^ 115 圓盤 32、116 葉片 35 閥體 36 圓筒體 41 顯影槽 42 攪拌器 43 供給輥 44 顯影輥 45 控制構件 71 上部固定構件（固定輥） 72 下部固定構件（固定輥） 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 133 200809437
73 加熱裝置 100 密封環· 101 靜環 102 彈簧 103 嵌合溝 104 0環 105a 格子 107 、 113 分隔件 109 塞子 110 螺釘 112 孔 114 葉片嵌合溝 T 碳粉 P 轉印材料（紙張 介質）
312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 134

Claims (1)

  1. 200809437 十、申請專利範園： 性支持體上，具有 塗層、及形成於該 1. 一種電子照片感光體，其係於導電 含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之底 底塗層上之感光層者； 其特徵在於：將該底塗層分散於以7 : 3之重量比混合 有甲醇及1-丙醇之溶劑中而得之液體中的該金屬氧化物 粒子之以動態光散射法測定之體積平均粒徑為G i “以 下’且累積90%粒徑為〇· 3 # m以下， 该感光層中含有結晶型酞菁，該結晶型酉太菁於χ射線繞 射光譜中布拉格角（20±〇.2。）27.〇。至29.0。處具有一條 以上主要清晰之繞射波峰。 2·如申請專利範圍第1項之電子照片感光體，其中，該 感光層中含有酞菁氧鈦，該酞菁氧鈦於\射線繞射光譜中 布拉格角（20±〇·2 )27.3處具有主要清晰之繞射波峰。 、3·如申請專利範圍第2項之電子照片感光體，其中，該 _感光層中含有酞青氧鈦，該酞菁氧鈦於χ射線繞射光譜中 布拉格角（2 0 ±0· 2 )9· 〇處具有清晰之繞射波峰。 4·如申請專利範圍第2項之電子照片感光體，其中，該 感光層中含有酜青氧鈇，該酜菁氧鈦於X射線繞射光譜中 布拉格角（2 Θ ±0.2° )9· 6。處具有清晰之繞射波峰。 ， 5·如申請專利範圍第2項之電子照片感光體，其中，該 :感光層中含有酞菁氧鈦，該酞菁氧鈦於X射線繞射光譜中 •布拉格角（2 0±〇.2°)9.5。及9.7。處分別具有清晰之繞射 波峰。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96117796 135 200809437 6.如申請專利範圍第2至5項中杯 τΞ ^ , ^ ^ 喝〒任一項之電子照片感光 體，其中，該酜菁氧鈦之氯含量為15重量％以下。 7·如巾請專利範圍第2至6項中任—項之電子照片感光 體’其中’該酞菁氧鈦中之氯化酞菁氣鈦之含量，相對於 未f取代之㈣氧m譜強纽計為um。 =中請專利範圍第項中任—項之電子照片感光 體、、中’該感光層中含有下述式⑴所表示之化合物， L化1 ]
    (於式（I)中’ Ar1〜Ar6分別獨立表 香族殘基，X表示可具有取代基之有 獨立表示可具有取代基之不飽和基，
    m〜n6表示〇〜2之整數）。 示可具有取代基之芳 機殘基，R1〜R4分另小 ni表示1或2，n〇及 於 =申請專利範圍第8項之電子照片感光體，其中 上迷式⑴中，Arl〜Ar6均為笨殘基。 w中請專利範圍第8或9項之電子照片感光體，其 ⑴中m以下述式⑽表示， 312XIV發明說明書(補件)抓_6117796 (II) 200809437 [化2]
    (於式(II)中，R5〜r9分別獨立表*氫原子、或者可具有 響取代基之烷基或芳基，m表示〇〜5之整數）。 a 11· 一種圖像形成裝置，其特徵在於具備： 申明專利範圍第1至1 〇項中任一項之電子照片感光體， 使該電子照片感光體帶電之帶電手段， 對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光以形成靜電 潛像之圖像曝光手段， 以碳粉使上述靜電潛像顯影之顯影手段，以及 馨 將上述碳粉轉印於被轉印體上之轉印手段。 12·種電子照片匣’其特徵在於：具備申請專利範圍 第1至1 0項中任一項之電子照片感光體， 以及以下手段中之至少一種：使該電子照片感光體帶電 之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行圖像曝光以 开> 成靜電潛像之圖像曝光手段、以碳粉使上述靜電潛像顯 • 影之顯影手段、將上述碳粉轉印於被轉印體上之轉印手 •段、使轉印於被轉印體上之碳粉固定之固定手段、及將附 著於该電子照片感光體之碳粉回收之清潔手段。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96117796 137
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