JP2001115054A - チタニルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

チタニルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体

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JP2001115054A
JP2001115054A JP29197499A JP29197499A JP2001115054A JP 2001115054 A JP2001115054 A JP 2001115054A JP 29197499 A JP29197499 A JP 29197499A JP 29197499 A JP29197499 A JP 29197499A JP 2001115054 A JP2001115054 A JP 2001115054A
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titanyl phthalocyanine
phthalocyanine
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chlorinated
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Toyoji Ohashi
豊史 大橋
Chiyoko Sato
ちよ子 佐藤
Mitsusachi Mimori
光幸 三森
Mamoru Rin
護 臨
Shuji Kagawa
修司 香川
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子写真感光体に適したチタニルフタロシア
ニンを提供する。 【解決手段】 塩素化チタニルフタロシアニンの割合が
無置換チタニルフタロシアニンに対してマススペクトル
強度比で0.015〜0.055であり、塩素含有量が
0.25〜0.6%であり、粒径が1μm以下であるチ
タニルフタロシアニン。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
適したチタニルフタロシアニン(オキシチタニウムフタ
ロシアニン)に関するものであり、特に、プリンター、
ファクシミリ、複写機に用いることができ、半導体レー
ザー及びLEDに対し高い感度、低い残留電位を示す電
子写真感光体を得るのに適したチタニルフタロシアニン
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、フタロシアニン化合物は良好
な光導電性を示し、例えば電子写真感光体などに使用さ
れている。また、近年、従来の白色光のかわりにレーザ
ー光を光源とし、高速化、高画質、ノンインパクト化を
メリットとしたレーザープリンターが広く普及するに至
り、その要求に耐えうる感光体の開発が盛んである。特
にレーザー光の中でも近年進展が著しい半導体レーザー
を光源とする方式が主流であり、その光源波長である7
80nm前後の長波長光に対して高感度な特性を有する
感光体が強く望まれている。このような状況の中、フタ
ロシアニン化合物は比較的容易に合成できること、
600nm以上の長波長域に吸収ピークを有すること、
中心金属や結晶形により分光感度が変化し、半導体レ
ーザーの波長域で高感度を示すものがいくつか発表され
ていることなどから、精力的に研究開発が行われてきて
いる。
【0003】その様な目的に対し、銅フタロシアニン、
無金属フタロシアニン、クロロインジウムフタロシアニ
ン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン等を用いた電子写真感光体が報告され
ているが、最も多く報告されているのがチタニルフタロ
シアニンである。特開昭61−23248、特開昭62
−67094、特開昭62−272272をはじめ現在
まで多くの技術開示がなされている。
【0004】チタニルフタロシアニンは一般にフタロジ
ニトリルや1,3−ジイミノイソインドリンと四塩化チ
タンを高沸点溶剤中、180℃以上の高温反応で得られ
る。フタロシアニンは高温度条件を必要とするために一
部塩素化の反応を伴い、結果として塩素化チタニルフタ
ロシアニンが含有される。例えば下記公開公報に開示さ
れたチタニルフタロシアニンの製造例における塩素含有
量の実測値を挙げると表1のようになる。
【0005】
【表1】 表1 ─────────────────────────────────── 公開公報 Clの元素分析値(wt%) ─────────────────────────────────── 特開昭61−109056 化合物1 0.49 化合物2 0.5 化合物3 5 特開昭61−171771 実施例1 0.87 実施例2 0.92 実施例3 0.87 特開昭62−67094 製造例1 0.49 製造例4 0.85 特開昭62−256865 実施例1 0.43 特開昭62−256866 実施例1 0.38 特開昭62−256867 実施例1 0.60 特開昭63−366 実施例1 0.58 特開昭63−37163 A型製造例 0.43 B型製造例 0.60 特開昭63−80263 製造例1 0.43 製造例2 0.60 製造例3 0.58 特開昭61−217050 製造例 M+=610含む 特開昭61−239248 製造例 M+=610含む ───────────────────────────────────
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
塩素量は特に塩素化チタニルフタロシアニンに着目した
ものでなく、あくまでも元素分析によるトータル塩素量
である。さらに、酸素が含有される理由としては、一部
加水分解されなかったTiCl2 Pcが残存していると
述べられている。また、反応溶剤は表1記載の全ての例
でα−クロロナフタレンを用いられており、α−クロロ
ナフタレンがフタロシアニン中に残存する可能性もあ
り、残存α−クロロナフタレンのClを含んだトータル
塩素量の可能性も否定できない。これに対し、特開昭6
1−217050、特開昭61−239248では塩素
化チタニルフタロシアニンをマススペクトルにより確認
しているが、最適含有量あるいはその効果においては何
も記載がない。
【0007】一方、特開平3−11358では塩素化チ
タニルフタロシアニンの含有量と電子写真感光体の特性
との関係を述べているが、塩素化チタニルフタロシアニ
ンが存在しないものが好ましいと述べており、存在して
も塩素量0.2wt%以下が良好であると述べている。
【0008】本発明者らは塩素化チタニルフタロシアニ
ンの含有率に着目し、鋭意検討を重ねた結果、塩素化チ
タニルフタロシアニンの含有は得られるチタニルフタロ
シアニンの粒径に深く関与するだけでなく、光電材料と
して用いた場合、特に光減衰曲線の裾切れの改良に効果
を見い出すことが明らかとなった。すなわち、本発明の
目的は、光電材料として光感度、耐久性、環境特性に優
れ、かつ光減衰曲線の裾切れが改良されたチタニルフタ
ロシアニン化合物及びそれを含有する電子写真感光体を
提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、塩素化チ
タニルフタロシアニンの割合が無置換チタニルフタロシ
アニンに対してマススペクトル強度比で0.015〜
0.055のチタニルフタロシアニンを用いた電子写真
感光が光感度、耐久性、環境特性、光減衰曲線の裾切れ
に優れていることを見い出し本発明に到達した。すなわ
ち、本発明は、塩素化チタニルフタロシアニンの割合が
無置換チタニルフタロシアニンに対してマススペクトル
強度比で0.015〜0.055であるチタニルフタロ
シアニン、及びそれを含有してなる電子写真感光体に係
わるものである。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のチタニルフタロシアニンは、下記構造式(1)
及び(2)で示されるチタニルフタロシアニンである。
【0011】
【化1】
【0012】さらに本発明のチタニルフタロシアニン
は、塩素化チタニルフタロシアニンの割合が無置換チタ
ニルフタロシアニンに対してマススペクトル強度比で
0.015〜0.055のチタニルフタロシアニンであ
り、更に好ましくはマススペクトル強度比で0.02〜
0.055のチタニルフタロシアニンである。マススペ
クトル強度比が0.015未満ではチタニルフタロシア
ニンの粒径が1μm以上と大きくなり、感光体とした場
合、感度、暗減衰、特に光減衰曲線の裾切れが悪くな
る。またマススペクトル強度比が0.055を越えても
感度、暗減衰、特に残留電位が悪くなる。なお、マスス
ペクトルでは塩素が二つ結合した2塩素化チタニルフタ
ロシアニンの存在も確認される。マススペクトルによる
塩素化チタニルフタロシアニンのスペクトル強度比は以
下の条件で測定した。
【0013】<マススペクトル測定条件> 1.試料の調整 チタニルフタロシアニン0.50gをガラスビース
(1.0〜1.4mmφ)30g、シクロヘキサノン1
0gとともに50mlガラス容器に入れ、ペイントシェ
ーカーで3時間処理し、チタニルフタロシアニン分散液
とした。この分散液を20mlサンプルビンに1μL採
取し、クロロホルム5mlを加えた。次に1時間超音波
により分散させ、測定用10ppm分散液を調整した。
【0014】2.測定装置:JEOL JMS−700 イオン化モード:DCI(−) 反応ガス:イソブタン(イオン化室圧力1×10-5To
rr) フィラメントレート:0→0.95A(1A/min) 加速電圧:8.0KV 質量分析能:2000 スキャン法:MF−Linear スキャン質量範囲:500 to 600 全質量範囲スキャン時間:0.8秒 繰り返し時間:0.5秒(スキャン時間0.05秒、待
ち時間0.45秒)
【0015】測定用分散液1μLをDCIプローブのフ
ィラメントに塗布し、マススペクトル測定を上記条件で
実施した。得られたマススペクトルにおいて、塩素化チ
タニルフタロシアニンの分子イオンに相当するm/z:
610及び無置換チタニルフタロシアニンの分子イオン
に相当するm/z:576のイオンクロマトから得られ
るピーク面積の比(「610」ピーク面積/「576」
ピーク面積)をスペクトル強度比として算出した。
【0016】さらに本発明のチタニルフタロシアニンの
塩素含有量は0.25%以上0.6%以下であり、更に
好ましくは塩素含有量が0.3%以上0.5%以下のチ
タニルフタロシアニンである。塩素含有量が0.25%
未満では粒径が1μm以上と大きくなり、感光体とした
場合、感度、暗減衰、特に光減衰曲線の裾切れが悪くな
る。塩素含有量が0.6%を越えても感度、暗減衰、特
に残留電位が悪くなる。塩素含有量は以下の条件で測定
した。
【0017】<塩素含有量測定条件>チタニルフタロシ
アニン約100mgを精秤、石英ボートにとり、三菱化
学社製昇温型電気炉QF−02にて完全燃焼し、燃焼ガ
スを水15mlに定量吸収させた。その吸収液を50m
lに希釈し、イオンクロマトグラフィー(Dionex
社製、DX−120)でCl分析を行った。下記にイオ
ンクロマトグラフィーの条件を示す。 カラム:Dionex IonPak AG12A+A
S12A 溶離液:2.7mM Na2 CO3 /0.3mM Na
HCO3 流量:1.3ml/min 注入量:50μL
【0018】本発明のチタニルフタロシアニンは、次の
ようにして製造することができる。フタロジニトリルと
高沸点溶剤中に四塩化チタンを添加し、高温下で数時間
反応を行う。その後、反応生成物をろ過、洗浄、精製
し、ジクロロチタンフタロシアニンを得る。これを熱水
処理あるいはアルカリ熱水処理等で加水分解し、さらに
アセトン、THF、N−メチルピロリドン、トルエン等
の有機溶剤で加熱することにより、本発明のチタニルフ
タロシアニンが生成する。あるいはジクロロチタンフタ
ロシアニンをN−メチルピロリドン等の有機溶剤で直接
処理することによっても本発明のチタニルフタロシアニ
ンが生成する。
【0019】ここで、高沸点溶剤としてはトリクロロベ
ンゼン、クロロナフタレン、メチルナフタレン、メトキ
シナフタレン、ブロモナフタレン、ジフェニルエーテ
ル、ジフェニルメタン、ジフェニルエタン、エチレング
リコールジアルキルエーテル、ジエチレングリコールジ
アルキルエーテル、トリエチレングリコールジアルキル
エーテル、スルホラン等の溶剤があげられるが、塩素化
チタニルフタロシアニンの含有量、あいはチタニルフタ
ロシアニン中の塩素含有量を制御するために非ハロゲン
化溶剤が好ましい。
【0020】また、チタン源としては四塩化チタン、三
塩化チタン、アルコキシチタン等が挙げられるが、塩素
化チタニルフタロシアニンの含有量、あるいはチタニル
フタロシアニン中の塩素含有量を制御するため、四塩化
チタン、三塩化チタン等の塩素化チタンが好ましい。ま
た、四塩化チタン等のチタン源の添加は反応系内温度1
60℃以下で添加することが好ましく、120℃以下で
の添加がより好ましく、100℃以下での添加がさらに
好ましい。180℃以上での添加では塩素化チタニルフ
タロシアニンの含有量が少なく、またチタニルフタロシ
アニン中の塩素含有量も少ない。四塩化チタン等は直接
添加しても、高沸点溶剤と混合して添加しても良い。
【0021】反応温度は通常150〜300℃、好まし
くは180〜250℃、さらにチタニルフタロシアニン
の含有量、あるいはチタニルフタロシアニン中の塩素含
有量を制御するために190〜230℃が好ましい。反
応温度に到達するための昇温時間は0.5〜4時間が好
ましく、さらにチタニルフタロシアニンの含有量、ある
いはチタニルフタロシアニン中の塩素含有量を制御する
ために0.5〜3時間が好ましい。
【0022】反応時間は、通常1〜10時間、好ましく
は2〜8時間であり、さらに好ましくは、塩素化チタニ
ルフタロシアニンの含有量、あるいはチタニルフタロシ
アニン中の塩素含有量を制御するために2〜6時間の範
囲である。このようにして処理されたチタニルフタロシ
アニンは、処理溶剤から単離、精製、乾燥することによ
り得られる。得られた本発明のチタニルフタロシアニン
の粒径は最適量な塩素化チタニルフタロシアニンを含有
しているため1μm以下に制御されている。
【0023】次に、本発明のチタニルフタロシアニンを
光導電材料として使用した電子写真感光体について説明
する。本発明の電子写真感光体において、導電性支持体
上に被覆される感光層は、単層型構造からなるものであ
っても、あるいは電荷発生層及び電荷輸送層からなる積
層型構造であっても良い。また、導電性支持体と感光層
との間に下引き層を形成してもよく、単層型構造では感
光層上に、積層型構造では電荷輸送層上に表面保護層を
設けていても良い。
【0024】導電性支持体としては、電子写真感光体と
して使用することができるものならばいかなるものでも
良い。具体的には例えば、アルミニウム、銅、ニッケル
等の金属ドラム、シートあるいはこれら金属箔のラミネ
ート物、蒸着物が挙げられる。さらに、金属粉末、カー
ボンブラック、ヨウ化銅、高分子電解質等の導電物質を
適当なバインダーとともに塗布して導電処理したプラス
ティックフィルム、プラスティックドラム、紙等が挙げ
られる。また、金属粉末、カーボンブラック、炭素繊維
等の導電性物質を含有し、導電性となったプラスティッ
クシートやドラムあるいは酸化スズ、酸化インジウム等
の導電性金属酸化物層を表面に有するプラスティックフ
ィルムなどが挙げられる。
【0025】下引き層は、導電性支持体からの不必要な
電荷の注入を阻止するために有効であり、感光層の帯電
を高める作用がある。さらに、感光層と導電性支持体と
の密着性を高める作用もある。下引き層を構成する材料
としては、アルミニウム陽極酸化皮膜、酸化アルミニウ
ム、水酸化アルミニウム、酸化チタン、表面処理酸化チ
タン等の無機物、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポ
リビニルピロリドン、ポリアクリル酸、セルロース類、
ゼラチン、デンプン類、ポリウレタン、ポリイミド、ポ
リアミド等の有機層、その他、有機ジルコニウム化合
物、チタニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシ
ド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング
剤等が挙げられる。下引き層の膜厚は0.1〜20μm
の範囲が好ましく、0.1〜10μmの範囲で使用する
のが最も効果的である。
【0026】電子写真感光体が積層型構造を有する場
合、電荷発生層は前記チタニルフタロシアニン及び結着
樹脂から構成される。本発明では前記チタニルフタロシ
アニンの他にさらに他の電荷発生物質を併用しても良
い。併用できる電荷発生物質は、ガリウムフタロシアニ
ン、インジウムフタロシアニン、シリコンフタロシアニ
ン、無金属フタロシアニン等が挙げられる。また、上記
以外のフタロシアニン系化合物、アゾ化合物、アントラ
キノン系化合物、ペリレン系化合物、多環キノン系化合
物、スクアリック酸メチン系化合物等が挙げられるが、
これらに制限されるものではない。
【0027】電荷発生層の結着樹脂は広範な絶縁性樹脂
から選択することができる。好ましい結着樹脂として
は、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデ
ン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アク
リルアミド、アクリロニトリル、ビニルアルコール、エ
チルビニルエーテル、ビニルピリジン等のビニル化合物
の重合体及び共重合体、フェノキシ樹脂、ポリスルホ
ン、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポ
リカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレ
タン、セルロースエステル、セルロースエーテル、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂、アルキッド樹脂、ポリアリレー
ト等が挙げられるが、これらに制限されるものではな
い。
【0028】電荷発生層は、上記結着樹脂を有機溶剤に
溶解した溶液に前記チタニルフタロシアニンを分散(一
部溶解しても良い)させて塗布液を調整し、それを導電
性支持体上に塗布し、乾燥することによって形成するこ
とができる。分散処理する方法としては、公知の方法、
例えば、ボールミル、サンドグラインドミル、遊星ミ
ル、ロールミル、ペイントシェーカー等の方法を用いる
ことができる。その場合、前記チタニルフタロシアニン
と結着樹脂との割合は、特に制限されないが、前記チタ
ニルフタロシアニン100重量部に対して結着樹脂1〜
1000重量部、好ましくは10〜400重量部の範囲
である。チタニルフタロシアニンの比率が高すぎる場合
には、塗布液の安定性が低下し、低すぎる場合は、残留
電位が高くなるので、組成比は上記範囲が適当である。
使用する有機溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエ
ーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハ
ロゲン化芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホル
ム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタン等
のハロゲン化脂肪族炭化水素、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸メチル、
酢酸エチル等のエステル類、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジ
メチルスルホキシド等のスルホキシド類等が挙げられ
る。塗布液は、ディップコーティング法、スプレーコー
ティング法、スピナーコーティング法、ビードコーティ
ング法、ワイヤーバーコーティング法、ブレードコーテ
ィング法、ローラーコーティング法、カーテンコーティ
ング法、リングコーティング法等のコーティング法によ
り塗布することができる。塗布後の乾燥は、25〜25
0℃の温度で5分〜3時間の範囲で静止または送風下で
行うことができる。また、形成される電荷発生層の膜厚
は、通常0.1〜5μmの範囲が適当である。
【0029】電荷輸送層は電荷輸送材料及び結着樹脂、
場合によって酸化防止剤等の添加物より構成される。電
荷輸送材料は一般に電子輸送材料とホール輸送材料の2
種に分類されるが、本発明の電子写真感光体はいずれも
使用することができ、また、その混合物も使用できる。
電子輸送材料としては、ニトロ基、シアノ基、エステル
基等の電子吸引性基を有する電子吸引性化合物、例え
ば、2,4,7−トリニトロフルオレノン、2,4,
5,7−テトラニトロフルオレノン等のニトロ化フルオ
レノン、テトラシアノキノジメタン、あるいはジフェノ
キノン等のキノン類が挙げられる。
【0030】また、ホール輸送材料としては、電子供与
性の有機光電性化合物、例えば、カルバゾール系、イン
ドール系、イミダゾール系、オキサゾール系、チアゾー
ル系、オキサジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン
系、チアジアゾール系、ベンゾオキサゾール系、ベンゾ
チアゾール系、ナフトチアゾール系等の複素環化合物、
ジフェニルメタンなどのジアリールアルカン誘導体、ト
リフェニルメタンなどのトリアリールアルカン誘導体、
トリフェニルアミンなどのトリアリールアミン誘導体、
フェニレンジアミン誘導体、N−フェニルカルバゾール
誘導体、スチルベンなどのジアリールエチレン誘導体、
ヒドラゾン系誘導体、ジアルキルアミノ基、ジフェニル
アミノ基のような置換アミノ基、あるいはアルコキシ
基、アルキル基などのような電子供与基、あるいはこれ
らの電子供与基が置換した芳香族環基が置換した電子供
与性の大きな化合物が挙げられる。また、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリグリシジルカルバゾール、ポリビニル
ピレン、ポリビニルフェニルアントラセン、ポリビニル
アクリジン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂等、上記化
合物からなる基を主鎖もしくは側鎖に有する重合体も挙
げられる。
【0031】また、結着樹脂としては、前記した電荷発
生層に使用されるものと同様の絶縁性樹脂が使用でき
る。電荷輸送材料と結着樹脂との割合は、特に制限され
ないが、前記電荷輸送材料100重量部に対して結着樹
脂20〜3000重量部、好ましくは50〜1000重
量部の範囲である。電荷輸送層は、上記電荷輸送材料及
び結着樹脂を前記した電荷発生層に使用されるものと同
様の有機溶剤を用いて塗布液を調整した後、前記と同様
の方法により塗布し、乾燥することによって形成するこ
とができる。また、電荷輸送層の膜厚は、通常5〜50
μmの範囲が適当である。
【0032】電子写真感光体が単層型構造を有する場合
は、感光層は前記チタニルフタロシアニン、電荷輸送材
料、結着樹脂から構成され、電荷輸送材料及び結着樹脂
は、前記と同様なものが使用される。感光層には必要に
応じて酸化防止剤、増感剤等の各種添加物を含んでいて
も良い。チタニルフタロシアニン及び電荷輸送材料と結
着樹脂との割合は、チタニルフタロシアニン及び電荷輸
送材料10重量部に対して結着樹脂2〜300重量部、
チタニルフタロシアニンと電荷輸送材料との割合は、チ
タニルフタロシアニン1重量部に対して電荷輸送材料
0.01〜100重量部の範囲が適当である。そして、
前記と同様に塗布液を調整した後、塗布、乾燥すること
によって感光層が得られる。
【0033】
【実施例】以下、実施例によって、本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明は、その要旨を越えない限り以
下の実施例によって制限されるものではない。 「実施例1」窒素雰囲気下、フタロジニトリル33.3
gをジフェニルメタン208ml中に分散し、40℃で
四塩化チタン12.5gを添加した。その後1時間かけ
て205〜210℃まで昇温し、205〜210℃で5
時間反応させた。生成物を130℃で熱ろ過し、ジフェ
ニルメタン、メタノールの順で洗浄した。次いで、N−
メチルピロリドン(NMP)300ml中で140〜1
50℃加熱撹拌を2回繰り返し、熱水縣洗、メタノール
縣洗後、乾燥してチタニルフタロシアニン26.9gを
得た。マススペクトルを図1に示すが、マススペクトル
ではm/z:576に無置換チタニルフタロシアニンの
ピーク、m/z:610は塩素化チタニルフタロシアニ
ンのピークが確認され、そのピーク強度比は3回測定し
0.042〜0.054であり、さらに塩素含有量は
0.40%であった。得られたチタニルフタロシアニン
の粒径のSEM写真を図2に示すが、平均粒径は1μm
以下である。
【0034】「実施例2」窒素雰囲気下、フタロジニト
リル33.3gをジフェニルメタン208ml中に分散
し、40℃で四塩化チタン12.5gを添加した。その
後3時間かけて205〜210℃まで昇温し、205〜
210℃で5時間反応させた。それ以降は実施例1と同
様に行い、チタニルフタロシアニン28.5gを得た。
マススペクトルを図3に示すが、マススペクトルではm
/z:576に無置換チタニルフタロシアニンのピー
ク、m/z:610は塩素化チタニルフタロシアニンの
ピークが確認され、そのピーク強度比は3回測定し0.
048〜0.050であり、さらに塩素含有量は0.4
1%であった。得られたチタニルフタロシアニンの粒径
のSEM写真を図4に示すが、平均粒径は1μm以下で
ある。
【0035】「実施例3」40℃で四塩化チタン12.
5gとジフェニルメタン8mlの混合液を添加した以外
は実施例1と同様に行い、チタニルフタロシアニン2
7.5gを得た。マススペクトルではm/z:576に
無置換チタニルフタロシアニンのピーク、m/z:61
0は塩素化チタニルフタロシアニンのピークが確認さ
れ、そのピーク強度比は3回測定し0.050であり、
さらに塩素含有量は0.43%であった。得られたチタ
ニルフタロシアニンの粒径のSEM写真を図5に示す
が、平均粒径は1μm以下である。
【0036】「実施例4」100℃で四塩化チタン1
2.5gとジフェニルメタン8mlの混合液を添加した
以外は実施例1と同様に行い、チタニルフタロシアニン
27.5gを得た。マススペクトルでのピーク強度比は
3回測定し0.032〜0.035であり、さらに塩素
含有量は0.37%であった。得られたチタニルフタロ
シアニンの粒径は実施例1と同様、平均粒径は1μm以
下である。
【0037】「実施例5」反応溶剤をメチルナフタレン
208mlに変更した他は実施例1と同様に行い、チタ
ニルフタロシアニン23.2gを得た。マススペクトル
でのピーク強度比は3回測定し0.047〜0.052
であり、さらに塩素含有量は0.49%であった。得ら
れたチタニルフタロシアニンの粒径は実施例1と同様、
平均粒径は1μm以下である。
【0038】「実施例6」反応溶剤をスルホラン208
mlに変更した他は実施例1と同様に行い、チタニルフ
タロシアニン16.7gを得た。マススペクトルでのピ
ーク強度比は3回測定し0.037〜0.042であ
り、さらに塩素含有量は0.31%であった。得られた
チタニルフタロシアニンの粒径は実施例1と同様、平均
粒径は1μm以下である。
【0039】「比較合成例1」200℃で四塩化チタン
12.5gとジフェニルメタン8mlの混合液を添加し
た以外は実施例1と同様に行い、チタニルフタロシアニ
ン25.3gを得た。しかし、マススペクトルを図6に
示すが、マススペクトルでのピーク強度比は3回測定し
0.009〜0.011と小さく、さらに塩素含有量も
0.077%と小であった。得られたチタニルフタロシ
アニンの粒径のSEM写真を図7に示すが、平均粒径は
1μm以上と大きな粒子である。
【0040】「比較合成例2」180℃で四塩化チタン
12.5gとジフェニルメタン8mlの混合液を添加し
た以外は実施例1と同様に行い、チタニルフタロシアニ
ン25.3gを得た。マススペクトルでのピーク強度比
は3回測定し0.0058〜0.0069と比較合成例
1と同様に小さく、さらに塩素含有量も0.068%と
小であった。得られたチタニルフタロシアニンの粒径の
SEM写真を図8に示すが、平均粒径は1μm以上と大
きな粒子である。
【0041】「比較合成例3」窒素雰囲気下、フタロジ
ニトリル33.3gをジフェニルメタン208ml中に
分散し、40℃で四塩化チタン12.5g添加した。そ
の後1時間かけて205〜210℃まで昇温し、205
〜210℃で12時間反応させた。それ以降は実施例1
と同様に行い、チタニルフタロシアニン28.1gを得
た。マススペクトルでのピーク強度比は3回測定し0.
0599〜0.0618と大きく、さらに塩素含有量は
0.66%と大であった。
【0042】「比較合成例4」窒素雰囲気下、フタロジ
ニトリル33.3gをジフェニルメタン208ml中に
分散し、40℃で四塩化チタン12.5g添加した。そ
の後5時間かけて205〜210℃まで昇温し、205
〜210℃で5時間反応させた。それ以降は実施例1と
同様に行い、チタニルフタロシアニン25.5gを得
た。マススペクトルでのピーク強度比は3回測定し0.
0659〜0.0696と大きく、さらに塩素含有量は
0.91%と大であった。
【0043】「比較合成例5」窒素雰囲気下、フタロジ
ニトリル33.3gとクロロフタロニトリル0.36g
をジフェニルメタン208ml中に分散し、40℃で四
塩化チタン12.5g添加した。それ以降は合成例1と
同様に行い、チタニルフタロシアニン27.2gを得
た。マススペクトルでのピーク強度比は3回測定し0.
0594〜0.0613と大きく、さらに塩素含有量は
0.69%と大であった。
【0044】「電子写真感光体の作成」 「実施例7」実施例1で製造したチタニルフタロシアニ
ン1.6gをジメトキシエタン30gに加え、サンドグ
ラインドミルで6時間粉砕、微粒子化分散処理を行っ
た。次に、ジメトキシエタン16gと4−メトキシ−4
−メチルペンタノン−2を6g加え希釈し、さらにポリ
ビニルブチラール(電気化学工業(株)製、デンカブチ
ラール#6000C)0.4gとフェノキシ樹脂(ユニ
オンカーバイド(株)製、UCAR)0.4gをジメト
キシエタン7gに溶解した液と混合し、分散液を得た。
この分散液をアルミニウム蒸着されたポリエステルフィ
ルム上に乾燥後の重量が0.4g/m2 になるようにワ
イヤーバーで塗布した後、乾燥して電荷発生層を形成さ
せた。次にこの電荷発生層の上に、下記に示すヒドラゾ
ン化合物5.6gと
【0045】
【化2】
【0046】下記に示すヒドラゾン化合物1.4g
【0047】
【化3】
【0048】及びポリカーボネート樹脂(三菱化学
(株)、ノバレックス7030A)10gをTHF62
gに溶解させた溶液をアプリケーターにより塗布し、乾
燥後の膜厚が20μmとなるように電荷輸送層を設け
た。
【0049】「実施例8」実施例1において用いたチタ
ニルフタロシアニンに代えて、実施例2で製造したチタ
ニルフタロシアニンを用いた他は実施例1と同様にして
電子写真感光体を作成した。 「実施例9」実施例1において用いたチタニルフタロシ
アニンに代えて、実施例3で製造したチタニルフタロシ
アニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感光
体を作成した。
【0050】「実施例10」実施例1において用いたチ
タニルフタロシアニンに代えて、実施例4で製造したチ
タニルフタロシアニンを用いた他は実施例1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。 「実施例11」実施例1において用いたチタニルフタロ
シアニンに代えて、実施例5で製造したチタニルフタロ
シアニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真感
光体を作成した。
【0051】「実施例12」実施例1において用いたチ
タニルフタロシアニンに代えて、実施例6で製造したチ
タニルフタロシアニンを用いた他は実施例1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。 「比較例1」実施例1において用いたチタニルフタロシ
アニンに代えて、比較合成例1で製造したチタニルフタ
ロシアニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真
感光体を作成した。
【0052】「比較例2」実施例1において用いたチタ
ニルフタロシアニンに代えて、比較合成例2で製造した
チタニルフタロシアニンを用いた他は実施例1と同様に
して電子写真感光体を作成した。 「比較例3」実施例1において用いたチタニルフタロシ
アニンに代えて、比較合成例3で製造したチタニルフタ
ロシアニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真
感光体を作成した。
【0053】「比較例4」実施例1において用いたチタ
ニルフタロシアニンに代えて、比較合成例4で製造した
チタニルフタロシアニンを用いた他は実施例1と同様に
して電子写真感光体を作成した。 「比較例5」実施例1において用いたチタニルフタロシ
アニンに代えて、比較合成例5で製造したチタニルフタ
ロシアニンを用いた他は実施例1と同様にして電子写真
感光体を作成した。
【0054】「評価」次にこれらの電子写真感光体を感
光体特性測定装置に装着して、表面電位が−700Vに
なるように帯電させた後、780nmの光を照射したと
きの半減露光量(E1/2 感度)、E1/5 感度(光減衰曲
線の裾切れの目安)を表す、さらに−700Vに帯電し
て5秒放置後の電荷保持率(DDR5)、660nmの
LED光除電後の残留電位を測定した。その結果を表2
に示す。
【0055】
【表2】 表2 ─────────────────────────────────── 実施例 E1/2 感度 E1/5 感度 DDR5 残留電位 (μJ/cm2 ) (μJ/cm2 ) (%) (−V) ─────────────────────────────────── 7 0.317 0.753 95.3 19 8 0.328 0.759 94.5 22 9 0.314 0.722 92.9 19 10 0.314 0.703 92.2 23 11 0.317 0.738 93.3 22 12 0.323 0.729 93.4 22 比較例 1 0.346 0.892 90.2 22 2 0.347 0.862 90.2 23 3 0.454 1.123 82.1 54 4 0.466 1.141 80.3 58 5 0.444 1.110 79.8 56 ───────────────────────────────────
【0056】上記結果から、塩素化チタニルフタロシア
ニンの割合がマススペクトル強度比0.015〜0.0
55であるチタニルフタロシアニンは感度、光減衰曲線
の裾切れ、電荷保持率のいずれの特性も良好である。特
に光減衰曲線の裾切れは画像の濃淡に影響し、E1/5
0.8μJ/cm2 以下であることが望ましい。本発明
のチタニルフタロシアニンを含有した電子写真感光体は
画像的にも優れた特性を有することがわかる。一方、マ
ススペクトル強度比が0.015未満では、比較例1,
2のように、特に光減衰曲線の裾切れが悪く、画像的に
問題となる。また、電荷保持率も悪目である。さらに、
マススペクトル強度比が0.055を越えると、比較例
3〜5のように、感度、光減衰曲線の裾切れ、電荷保持
率、残留電位ともに悪くなることがわかる。
【0057】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のチタニル
フタロシアニンは表2からも明らかなように、感度特
性、電荷保持性に優れており、特に光減衰曲線の裾切れ
が改良された感光体であり、プリンター、ファクシミ
リ、デジタル複写機に有効に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1で得られたチタニルフタロシアニンの
マススペクトル図を示す。
【図2】実施例1で得られたチタニルフタロシアニンの
SEM写真を示す。
【図3】実施例2で得られたチタニルフタロシアニンの
マススペクトル図を示す。
【図4】実施例2で得られたチタニルフタロシアニンの
SEM写真を示す。
【図5】実施例3で得られたチタニルフタロシアニンの
SEM写真を示す。
【図6】比較合成例1で得られたチタニルフタロシアニ
ンのマススペクトル図を示す。
【図7】比較合成例1で得られたチタニルフタロシアニ
ンのSEM写真を示す。
【図8】比較合成例2で得られたチタニルフタロシアニ
ンのSEM写真を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09B 67/20 C09B 67/20 G G03G 5/06 371 G03G 5/06 371 (72)発明者 三森 光幸 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 臨 護 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 香川 修司 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Fターム(参考) 2H068 AA19 BA38 BA39 FA19 FB07 FB08

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 塩素化チタニルフタロシアニンの割合が
    無置換チタニルフタロシアニンに対してマススペクトル
    強度比で0.015〜0.055であるチタニルフタロ
    シアニン。
  2. 【請求項2】 塩素含有量が0.25〜0.6%である
    請求項1に記載のチタニルフタロシアニン。
  3. 【請求項3】 粒径が1μm以下である請求項1または
    2に記載のチタニルフタロシアニン。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載のチタニ
    ルフタロシアニンを含有する電子写真感光体。
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