JP2002341569A - 電子写真感光体及び電子写真装置 - Google Patents
電子写真感光体及び電子写真装置Info
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- JP2002341569A JP2002341569A JP2001142023A JP2001142023A JP2002341569A JP 2002341569 A JP2002341569 A JP 2002341569A JP 2001142023 A JP2001142023 A JP 2001142023A JP 2001142023 A JP2001142023 A JP 2001142023A JP 2002341569 A JP2002341569 A JP 2002341569A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下引き層を形成するに際し、膜厚むらや剥が
れを生じることなく下引き層の膜厚を増加すると共に抵
抗を低減することができ、接触帯電方式により帯電させ
た場合であってもかぶり等の画質欠陥を十分に防止する
ことが可能な電子写真感光体、並びにその電子写真感光
体を用いた電子写真装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の電子写真感光体は、導電層2、
下引き層4、感光層3がこの順序で積層された電子写真
感光体1であって、下引き層4が金属酸化物微粒子とシ
リコーンオイルと結着樹脂とを含有することを特徴とす
るものである。
れを生じることなく下引き層の膜厚を増加すると共に抵
抗を低減することができ、接触帯電方式により帯電させ
た場合であってもかぶり等の画質欠陥を十分に防止する
ことが可能な電子写真感光体、並びにその電子写真感光
体を用いた電子写真装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の電子写真感光体は、導電層2、
下引き層4、感光層3がこの順序で積層された電子写真
感光体1であって、下引き層4が金属酸化物微粒子とシ
リコーンオイルと結着樹脂とを含有することを特徴とす
るものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体及
び電子写真装置に関するものであり、詳しくは、導電層
と感光層との間に下引き層を備える電子写真感光体、並
びにその電子写真感光体を備える電子写真装置に関する
ものである。
び電子写真装置に関するものであり、詳しくは、導電層
と感光層との間に下引き層を備える電子写真感光体、並
びにその電子写真感光体を備える電子写真装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】電子写真方式は、高速で且つ高印字の品
質が得られることから、複写機、レーザービームプリン
ター等の電子写真装置に広く利用されている。このよう
な電子写真装置に用いられる電子写真感光体としては、
光導電性材料として有機材料を用いた有機感光体が主流
となっている。また、電子写真感光体の積層構造の点で
も、電荷発生材料と電荷輸送材料との双方を含有する層
を備える単層型感光体から、電荷発生材料を含有する層
と電荷輸送材料を含有する層とがそれぞれ別個に設けら
れた機能分離型感光体へと変遷しており、電子写真感光
体の性能の向上が図られている。
質が得られることから、複写機、レーザービームプリン
ター等の電子写真装置に広く利用されている。このよう
な電子写真装置に用いられる電子写真感光体としては、
光導電性材料として有機材料を用いた有機感光体が主流
となっている。また、電子写真感光体の積層構造の点で
も、電荷発生材料と電荷輸送材料との双方を含有する層
を備える単層型感光体から、電荷発生材料を含有する層
と電荷輸送材料を含有する層とがそれぞれ別個に設けら
れた機能分離型感光体へと変遷しており、電子写真感光
体の性能の向上が図られている。
【0003】これらの電子写真感光体の感光層はアルミ
ニウム基材等の導電層上に配置されるのが一般的である
が、特開昭61−204642号公報、特開昭63−1
31147号公報等に記載されているように、画質欠陥
の防止を目的として、導電層と感光層との間に下引き層
が更に配置される場合が多い。
ニウム基材等の導電層上に配置されるのが一般的である
が、特開昭61−204642号公報、特開昭63−1
31147号公報等に記載されているように、画質欠陥
の防止を目的として、導電層と感光層との間に下引き層
が更に配置される場合が多い。
【0004】すなわち、電子写真感光体の繰り返し安定
性や環境安定性は、電荷発生層や電荷輸送層の特性だけ
でなく下引き層の特性にも依存する傾向にある。従っ
て、繰り返し安定性や環境安定性を改善する際には、繰
り返し使用した場合でも、あるいは低温低湿、高温高湿
等の条件下でも、電荷蓄積性の低い下引層を設けること
が重要である。また、下引き層は、導電層表面の欠陥や
汚れ、感光層の塗膜欠陥やむらに起因する画質欠陥を抑
制する上で重要な役割を担っている。
性や環境安定性は、電荷発生層や電荷輸送層の特性だけ
でなく下引き層の特性にも依存する傾向にある。従っ
て、繰り返し安定性や環境安定性を改善する際には、繰
り返し使用した場合でも、あるいは低温低湿、高温高湿
等の条件下でも、電荷蓄積性の低い下引層を設けること
が重要である。また、下引き層は、導電層表面の欠陥や
汚れ、感光層の塗膜欠陥やむらに起因する画質欠陥を抑
制する上で重要な役割を担っている。
【0005】下引き層としては、例えば、酸化チタン等
の導電粉を結着樹脂中に分散させた層(導電粉分散層)
上に、光散乱剤等を含む樹脂層を積層した多層構造のも
のが挙げられる。このような下引き層において、導電粉
分散層は導電層(アルミニウム基体等)の表面形状を隠
蔽する機能及び抵抗調整層としての機能を有しており、
他方、樹脂層は感光層から導電層への電荷の流入を防止
するブロッキング機能を有している。
の導電粉を結着樹脂中に分散させた層(導電粉分散層)
上に、光散乱剤等を含む樹脂層を積層した多層構造のも
のが挙げられる。このような下引き層において、導電粉
分散層は導電層(アルミニウム基体等)の表面形状を隠
蔽する機能及び抵抗調整層としての機能を有しており、
他方、樹脂層は感光層から導電層への電荷の流入を防止
するブロッキング機能を有している。
【0006】また、導電粉分散層に光散乱剤等を更に含
有させて、1つの層に基材隠蔽機能、抵抗調整機能及び
ブロッキング機能を付与した下引き層(分散型下引き
層)も知られている。分散型下引き層は積層数が1つで
あるので、電子写真感光体の製造工程を簡略化やコスト
低減の点で有用である。
有させて、1つの層に基材隠蔽機能、抵抗調整機能及び
ブロッキング機能を付与した下引き層(分散型下引き
層)も知られている。分散型下引き層は積層数が1つで
あるので、電子写真感光体の製造工程を簡略化やコスト
低減の点で有用である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
写真装置においては、電子写真感光体の帯電工程におけ
るオゾンの発生を防止するために、コロトロンに代わっ
て接触帯電方式の帯電装置が用いられるようになってい
る。
写真装置においては、電子写真感光体の帯電工程におけ
るオゾンの発生を防止するために、コロトロンに代わっ
て接触帯電方式の帯電装置が用いられるようになってい
る。
【0008】ところが、感光層の塗膜欠陥が劣化した
り、導電性物質(カーボンファイバー、キャリア粉等)
が感光層に接触又は貫入すると、電子写真感光体に劣化
部が形成される場合がある。そして、このような電子写
真感光体を接触帯電方式により帯電させると、劣化部に
おける局所的な高電場の印加によって、電気的なピンホ
ール等のリーク点が形成されて感光体の帯電状態が不均
一となり、その結果、画質欠陥が発生しやすくなる。
り、導電性物質(カーボンファイバー、キャリア粉等)
が感光層に接触又は貫入すると、電子写真感光体に劣化
部が形成される場合がある。そして、このような電子写
真感光体を接触帯電方式により帯電させると、劣化部に
おける局所的な高電場の印加によって、電気的なピンホ
ール等のリーク点が形成されて感光体の帯電状態が不均
一となり、その結果、画質欠陥が発生しやすくなる。
【0009】そこで、電子写真感光体の電気特性を高水
準に維持しながら画質欠陥の発生を防止するための検討
がなされており、その一つとして、膜厚が厚く且つ抵抗
が低減された下引き層を備える電子写真感光体の使用が
提案されている。
準に維持しながら画質欠陥の発生を防止するための検討
がなされており、その一つとして、膜厚が厚く且つ抵抗
が低減された下引き層を備える電子写真感光体の使用が
提案されている。
【0010】しかしながら、所望の電気特性を得るため
に下引き層の抵抗を低減させると、導電層と感光層との
間のブロッキング機能が不十分となり、その結果、かぶ
り等の画質欠陥が生じやすくなる。
に下引き層の抵抗を低減させると、導電層と感光層との
間のブロッキング機能が不十分となり、その結果、かぶ
り等の画質欠陥が生じやすくなる。
【0011】また、従来の下引き層を成膜する際に用い
られる塗工液は成膜性が必ずしも十分とは言えず、従っ
て下引き層を厚膜化すると膜厚むらや剥がれが起こりや
すくなる。更に、下引き層中に含まれる導電粉の分散状
態が不均一であると、下引き層の電気特性や耐リーク性
が不均一となり、良好な画像品質が得られにくくなる。
られる塗工液は成膜性が必ずしも十分とは言えず、従っ
て下引き層を厚膜化すると膜厚むらや剥がれが起こりや
すくなる。更に、下引き層中に含まれる導電粉の分散状
態が不均一であると、下引き層の電気特性や耐リーク性
が不均一となり、良好な画像品質が得られにくくなる。
【0012】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みてなされたものであり、下引き層を形成するに際し、
膜厚むらや剥がれを生じることなく下引き層の膜厚を増
加すると共に抵抗を低減することができ、接触帯電方式
により帯電させた場合であってもかぶり等の画質欠陥を
十分に防止することが可能な電子写真感光体、並びにそ
の電子写真感光体を用いた電子写真装置を提供すること
を目的とする。
みてなされたものであり、下引き層を形成するに際し、
膜厚むらや剥がれを生じることなく下引き層の膜厚を増
加すると共に抵抗を低減することができ、接触帯電方式
により帯電させた場合であってもかぶり等の画質欠陥を
十分に防止することが可能な電子写真感光体、並びにそ
の電子写真感光体を用いた電子写真装置を提供すること
を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、電子写真感光体の
導電層と感光層との間に、金属酸化物微粒子とシリコー
ンオイルと結着樹脂とを含有する下引き層を設けること
によって上記課題が解決されることを見出し、本発明を
完成するに至った。
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、電子写真感光体の
導電層と感光層との間に、金属酸化物微粒子とシリコー
ンオイルと結着樹脂とを含有する下引き層を設けること
によって上記課題が解決されることを見出し、本発明を
完成するに至った。
【0014】すなわち、本発明の電子写真感光体は、導
電層、下引き層、感光層がこの順序で積層された電子写
真感光体であって、前記下引き層が金属酸化物微粒子と
シリコーンオイルと結着樹脂とを含有することを特徴と
するものである。
電層、下引き層、感光層がこの順序で積層された電子写
真感光体であって、前記下引き層が金属酸化物微粒子と
シリコーンオイルと結着樹脂とを含有することを特徴と
するものである。
【0015】また、本発明の電子写真装置は、上記本発
明の電子写真感光体と、前記電子写真感光体を帯電させ
る帯電手段と、前記電子写真感光体上に静電潜像を形成
する画像入力手段と、前記電子写真感光体上に形成され
た静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する
現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手
段と、前記電子写真感光体の表面に残存したトナーを除
去するクリーニング手段と、を備えることを特徴とする
ものである。
明の電子写真感光体と、前記電子写真感光体を帯電させ
る帯電手段と、前記電子写真感光体上に静電潜像を形成
する画像入力手段と、前記電子写真感光体上に形成され
た静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する
現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手
段と、前記電子写真感光体の表面に残存したトナーを除
去するクリーニング手段と、を備えることを特徴とする
ものである。
【0016】本発明においては、下引き層に金属酸化物
微粒子とシリコーンオイルと結着樹脂とを含有させるこ
とによって、膜厚むらや剥がれを生じることなく下引き
層の膜厚を増加すると共に抵抗を低減することができ
る。そして、このような下引き層を導電層と感光層との
間に配置することによって、電気特性、耐リーク性、機
械的強度の全てがバランスよく高められるので、かぶり
等の画質欠陥を生じることなく長期にわたって良好な画
像品質を得ることが可能となる。
微粒子とシリコーンオイルと結着樹脂とを含有させるこ
とによって、膜厚むらや剥がれを生じることなく下引き
層の膜厚を増加すると共に抵抗を低減することができ
る。そして、このような下引き層を導電層と感光層との
間に配置することによって、電気特性、耐リーク性、機
械的強度の全てがバランスよく高められるので、かぶり
等の画質欠陥を生じることなく長期にわたって良好な画
像品質を得ることが可能となる。
【0017】なお、金属酸化物微粒子とシリコーンオイ
ルと結着樹脂とを含有する下引き層を導電層と感光層と
の間に配置することによって電気特性、耐リーク性、機
械的強度の全てがバランスよく高められる理由は明確で
ないが、本発明者らは以下のように推察する。
ルと結着樹脂とを含有する下引き層を導電層と感光層と
の間に配置することによって電気特性、耐リーク性、機
械的強度の全てがバランスよく高められる理由は明確で
ないが、本発明者らは以下のように推察する。
【0018】すなわち、本発明においては、シリコーン
オイルが本来的に有する密着性や可とう性によって、下
引き層を形成する際の成膜性が向上し、膜厚むらや剥が
れの発生が十分に防止されると共に良好な耐リーク性が
達成されるものと考えられる。また、従来の電子写真感
光体においては、下引き層に含まれる金属酸化物微粒子
の分散状態が不均一であると十分な電気特性が得られな
い場合があるが、本発明においては、電荷輸送能を有す
るシリコーンオイルを金属酸化物微粒子と共存させるこ
とによって、下引き層における電荷の移動が十分に促進
されるので、良好な電気特性が達成されるものと考えら
れる。
オイルが本来的に有する密着性や可とう性によって、下
引き層を形成する際の成膜性が向上し、膜厚むらや剥が
れの発生が十分に防止されると共に良好な耐リーク性が
達成されるものと考えられる。また、従来の電子写真感
光体においては、下引き層に含まれる金属酸化物微粒子
の分散状態が不均一であると十分な電気特性が得られな
い場合があるが、本発明においては、電荷輸送能を有す
るシリコーンオイルを金属酸化物微粒子と共存させるこ
とによって、下引き層における電荷の移動が十分に促進
されるので、良好な電気特性が達成されるものと考えら
れる。
【0019】本発明においては、前記金属酸化物微粒子
が酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化スズからなる群より選
ばれる少なくとも1種であることが好ましい。このよう
な金属酸化物微粒子を用いると、より高い電気特性が得
られる傾向にある。
が酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化スズからなる群より選
ばれる少なくとも1種であることが好ましい。このよう
な金属酸化物微粒子を用いると、より高い電気特性が得
られる傾向にある。
【0020】また、本発明においては、前記金属酸化物
微粒子のBET比表面積(以下、場合によりBET値と
いう)が10m2/g以上であることが好ましく、10
〜60m2/gであることがより好ましい。金属酸化物
微粒子のBET値が前記の範囲内であると、分散性が向
上して膜厚むらや剥がれが生じにくくなる傾向にある。
なお、本発明にかかるBET値の測定は、例えば島津製
作所製フローソーブIIを用いて行うことができる。BE
T値の測定においては、測定用ガラスセル中に金属酸化
物微粒子200mgを入れ、このセルを150℃で30
分加熱してDegas処理が行われる。ついで、Deg
as処理後のセルを上記の装置に装着してBET値の測
定が行われる。
微粒子のBET比表面積(以下、場合によりBET値と
いう)が10m2/g以上であることが好ましく、10
〜60m2/gであることがより好ましい。金属酸化物
微粒子のBET値が前記の範囲内であると、分散性が向
上して膜厚むらや剥がれが生じにくくなる傾向にある。
なお、本発明にかかるBET値の測定は、例えば島津製
作所製フローソーブIIを用いて行うことができる。BE
T値の測定においては、測定用ガラスセル中に金属酸化
物微粒子200mgを入れ、このセルを150℃で30
分加熱してDegas処理が行われる。ついで、Deg
as処理後のセルを上記の装置に装着してBET値の測
定が行われる。
【0021】更に、本発明においては、前記下引き層の
膜厚が3〜30nmであることが好ましい。下引き層の
膜厚が前記の範囲内であると、かぶり等の画質欠陥をよ
り確実に防止できる傾向にある。
膜厚が3〜30nmであることが好ましい。下引き層の
膜厚が前記の範囲内であると、かぶり等の画質欠陥をよ
り確実に防止できる傾向にある。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、場合により図面を参照しつ
つ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
なお、図面中、同一又は相当部分については同一符号を
付することとする。
つ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
なお、図面中、同一又は相当部分については同一符号を
付することとする。
【0023】図1〜5はそれぞれ本発明の電子写真感光
体の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図1〜
3に示す電子写真感光体は、電荷発生材料を含有する層
(電荷発生層5)と電荷輸送材料を含有する層(電荷輸
送層6)とに機能が分離された感光層3を備えるもので
あり、図1に示す電子写真感光体1は、導電層2上に下
引き層4、電荷発生層5、電荷輸送層6が順次積層され
た構造;図2に示す電子写真感光体1は、導電層2上に
下引き層4、電荷発生層5、電荷輸送層6、保護層7が
順次積層された構造;図3に示す電子写真感光体1は、
導電層2上に下引き層4、電荷輸送層6、電荷発生層
5、保護層7が順次積層された構造;をそれぞれ有して
いる。また、図4〜5に示す電子写真感光体は電荷発生
物質と電荷輸送物質とを同一の層(単層型感光層8)に
含有するものであり、図4に示す電子写真感光体1は、
導電層2上に下引き層4、単層型感光層8が順次積層さ
れた構造;図5に示す電子写真感光体1は、導電層2上
に下引き層4、単層型感光層8、保護層7が順次積層さ
れた構造、をそれぞれ有している。
体の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図1〜
3に示す電子写真感光体は、電荷発生材料を含有する層
(電荷発生層5)と電荷輸送材料を含有する層(電荷輸
送層6)とに機能が分離された感光層3を備えるもので
あり、図1に示す電子写真感光体1は、導電層2上に下
引き層4、電荷発生層5、電荷輸送層6が順次積層され
た構造;図2に示す電子写真感光体1は、導電層2上に
下引き層4、電荷発生層5、電荷輸送層6、保護層7が
順次積層された構造;図3に示す電子写真感光体1は、
導電層2上に下引き層4、電荷輸送層6、電荷発生層
5、保護層7が順次積層された構造;をそれぞれ有して
いる。また、図4〜5に示す電子写真感光体は電荷発生
物質と電荷輸送物質とを同一の層(単層型感光層8)に
含有するものであり、図4に示す電子写真感光体1は、
導電層2上に下引き層4、単層型感光層8が順次積層さ
れた構造;図5に示す電子写真感光体1は、導電層2上
に下引き層4、単層型感光層8、保護層7が順次積層さ
れた構造、をそれぞれ有している。
【0024】導電層2としては、導電性を示すものであ
れば特に制限されないが、例えば、アルミニウム、銅、
鉄、ステンレス、亜鉛、ニッケル等の金属ドラム;シー
ト、紙、プラスチック又はガラス上にアルミニウム、
銅、金、銀、白金、パラジウム、チタン、ニッケル−ク
ロム、ステンレス鋼、銅−インジウム等の金属が蒸着さ
れたもの;シート、紙、プラスチック又はガラス上に酸
化インジウム・酸化スズ等の導電性金属化合物が蒸着さ
れたもの;シート、紙、プラスチック又はガラス上に上
記の金属からなる箔がラミネートされたもの;カーボン
ブラック、酸化インジウム、酸化スズ−酸化アンチモン
粉、金属粉、ヨウ化銅等を結着樹脂に分散した分散液を
シート、紙、プラスチック又はガラス上に塗布すること
によって導電処理が施されたドラム状、シート状又はプ
レート状の基体等を用いることができる。
れば特に制限されないが、例えば、アルミニウム、銅、
鉄、ステンレス、亜鉛、ニッケル等の金属ドラム;シー
ト、紙、プラスチック又はガラス上にアルミニウム、
銅、金、銀、白金、パラジウム、チタン、ニッケル−ク
ロム、ステンレス鋼、銅−インジウム等の金属が蒸着さ
れたもの;シート、紙、プラスチック又はガラス上に酸
化インジウム・酸化スズ等の導電性金属化合物が蒸着さ
れたもの;シート、紙、プラスチック又はガラス上に上
記の金属からなる箔がラミネートされたもの;カーボン
ブラック、酸化インジウム、酸化スズ−酸化アンチモン
粉、金属粉、ヨウ化銅等を結着樹脂に分散した分散液を
シート、紙、プラスチック又はガラス上に塗布すること
によって導電処理が施されたドラム状、シート状又はプ
レート状の基体等を用いることができる。
【0025】導電層として金属ドラムを用いる場合、そ
の金属ドラムを素管のまま用いてもよく、また、鏡面切
削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、
サンドブラスト、ウエットホーニング等の処理が施され
たものを用いてもよい。
の金属ドラムを素管のまま用いてもよく、また、鏡面切
削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、
サンドブラスト、ウエットホーニング等の処理が施され
たものを用いてもよい。
【0026】下引き層4は、前述の通り、金属酸化物微
粒子とシリコーンオイルと結着樹脂とを含むものであ
る。
粒子とシリコーンオイルと結着樹脂とを含むものであ
る。
【0027】本発明にかかる下引き層の抵抗は103〜
1013Ω・cmであることが好ましい。下引き層の抵抗
が前記下限値未満であるとブロッキング特性が不十分と
なり、特に電子写真装置の帯電手段として接触型帯電器
を用いた場合にかぶり等の画質欠陥を十分に防止するこ
とができなくなる傾向にある。他方、前記上限値を超え
ると残留電位の上昇が起こりやすくなり、繰り返し安定
性及び環境安定性が不十分となる傾向にある。下引き層
の抵抗値は、後述する金属酸化物微粒子の種類や添加量
を適宜選択することによって調整することができる。
1013Ω・cmであることが好ましい。下引き層の抵抗
が前記下限値未満であるとブロッキング特性が不十分と
なり、特に電子写真装置の帯電手段として接触型帯電器
を用いた場合にかぶり等の画質欠陥を十分に防止するこ
とができなくなる傾向にある。他方、前記上限値を超え
ると残留電位の上昇が起こりやすくなり、繰り返し安定
性及び環境安定性が不十分となる傾向にある。下引き層
の抵抗値は、後述する金属酸化物微粒子の種類や添加量
を適宜選択することによって調整することができる。
【0028】また、本発明にかかる下引き層の膜厚は3
〜30μmであることが好ましく、15〜25μmであ
ることがより好ましい。下引き層の膜厚が前記下限値未
満であるとブロッキング特性及び機械的強度が不十分と
なり、特に電子写真装置の帯電手段として接触型帯電器
を用いた場合に、感光層自体の劣化や導電性物質の接触
又は貫入によって耐リーク性が低下し、その結果、かぶ
り等の画質欠陥が生じやすくなる傾向にある。また、下
引き層の膜厚の増加に伴いブロッキング特性は向上する
傾向にあるが、前記上限値を超えると成膜性が不十分と
なり、更には電子写真プロセスにおいて下引き層に残留
する電荷が増加して、良好な画像品質が得られにくくな
る傾向にある。なお、リーク欠陥が発生する原因が懸念
されないような状況下においては、下引き層の膜厚を
0.1μm程度まで薄膜化することも可能である。
〜30μmであることが好ましく、15〜25μmであ
ることがより好ましい。下引き層の膜厚が前記下限値未
満であるとブロッキング特性及び機械的強度が不十分と
なり、特に電子写真装置の帯電手段として接触型帯電器
を用いた場合に、感光層自体の劣化や導電性物質の接触
又は貫入によって耐リーク性が低下し、その結果、かぶ
り等の画質欠陥が生じやすくなる傾向にある。また、下
引き層の膜厚の増加に伴いブロッキング特性は向上する
傾向にあるが、前記上限値を超えると成膜性が不十分と
なり、更には電子写真プロセスにおいて下引き層に残留
する電荷が増加して、良好な画像品質が得られにくくな
る傾向にある。なお、リーク欠陥が発生する原因が懸念
されないような状況下においては、下引き層の膜厚を
0.1μm程度まで薄膜化することも可能である。
【0029】更に、本発明にかかる下引き層のビッカー
ス硬度は30以上であることが好ましく、35〜200
であることが好ましい。下引き層のビッカース硬度が3
0以上であると、導電性物質の接触又は貫入が起こりに
くくなり、より高い耐リーク性が得られる傾向にある。
ス硬度は30以上であることが好ましく、35〜200
であることが好ましい。下引き層のビッカース硬度が3
0以上であると、導電性物質の接触又は貫入が起こりに
くくなり、より高い耐リーク性が得られる傾向にある。
【0030】本発明において用いられる金属酸化物微粒
子としては、具体的には、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化
スズ、酸化ケイ素、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化セ
リウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化マ
グネシウム、酸化銅、酸化マンガン等が挙げられるが、
中でも酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化スズのうちの少な
くとも1種を用いると、より高い電気特性が得られる傾
向にあるので好ましい。また、これらの金属酸化物微粒
子について、シランカップリング剤、チタンカップリン
グ剤、ジルコニウムカップリング剤等を用いて表面処理
を行うと、金属酸化物の分散性等の特性が向上する傾向
にあるので好ましい。
子としては、具体的には、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化
スズ、酸化ケイ素、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化セ
リウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化マ
グネシウム、酸化銅、酸化マンガン等が挙げられるが、
中でも酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化スズのうちの少な
くとも1種を用いると、より高い電気特性が得られる傾
向にあるので好ましい。また、これらの金属酸化物微粒
子について、シランカップリング剤、チタンカップリン
グ剤、ジルコニウムカップリング剤等を用いて表面処理
を行うと、金属酸化物の分散性等の特性が向上する傾向
にあるので好ましい。
【0031】これらの金属酸化物微粒子は従来の製造方
法によって得ることができる。例えば酸化亜鉛の場合
は、JIS K1410に記載されている間接法(フラ
ンス法)、直接法(アメリカ法)、湿式法等;酸化チタ
ンは、硫酸法、塩素法、フッ酸法、塩化チタンカリウム
法、四塩化チタン水溶液法等が挙げられる。また、後述
するアークプラズマ法により金属酸化物微粒子を得るこ
ともできる。
法によって得ることができる。例えば酸化亜鉛の場合
は、JIS K1410に記載されている間接法(フラ
ンス法)、直接法(アメリカ法)、湿式法等;酸化チタ
ンは、硫酸法、塩素法、フッ酸法、塩化チタンカリウム
法、四塩化チタン水溶液法等が挙げられる。また、後述
するアークプラズマ法により金属酸化物微粒子を得るこ
ともできる。
【0032】間接法は、金属亜鉛を加熱し(通常100
0℃程度)、亜鉛蒸気を熱空気によって酸化させて酸化
亜鉛とし、冷却後に粒子の大きさによって分別するもの
である。また、直説法は、亜鉛鉱石を培焼することによ
って得られる酸化亜鉛を石炭等で還元し、生じた亜鉛蒸
気を熱空気によって酸化させるか、又は亜鉛鉱石を硫酸
で浸出して得られる鉱滓にコークス等を加え、その混合
物を加熱して溶融した亜鉛を熱空気によって酸化させる
ものである。
0℃程度)、亜鉛蒸気を熱空気によって酸化させて酸化
亜鉛とし、冷却後に粒子の大きさによって分別するもの
である。また、直説法は、亜鉛鉱石を培焼することによ
って得られる酸化亜鉛を石炭等で還元し、生じた亜鉛蒸
気を熱空気によって酸化させるか、又は亜鉛鉱石を硫酸
で浸出して得られる鉱滓にコークス等を加え、その混合
物を加熱して溶融した亜鉛を熱空気によって酸化させる
ものである。
【0033】硫酸法は、鉱石と硫酸との反応による硫酸
塩溶液の調製、溶液の清澄、加水分解による含水酸化チ
タンの沈殿、洗浄、焼成、粉砕、表面処理といった工程
により酸化チタン微粒子を得るものである。また、塩素
法は、鉱石の塩素化により四塩化チタン溶液を調製し、
精留、燃焼により得られる酸化チタンを粉砕、後処理す
るものである。
塩溶液の調製、溶液の清澄、加水分解による含水酸化チ
タンの沈殿、洗浄、焼成、粉砕、表面処理といった工程
により酸化チタン微粒子を得るものである。また、塩素
法は、鉱石の塩素化により四塩化チタン溶液を調製し、
精留、燃焼により得られる酸化チタンを粉砕、後処理す
るものである。
【0034】アークプラズマ法としては、直流アークプ
ラズマ法、プラズマジェット法、高周波プラズマ法等が
挙げられる。例えば、直流アークプラズマ法において
は、金属原料を消費アノード電極とし、カソード電極か
らプラズマフレームを発生させて金属原料を加熱し蒸発
させて、金属蒸気を酸化させ、冷却することによって金
属酸化物微粒子が得られる。プラズマフレームを発生さ
せるに際し、アーク放電はアルゴン等の単原子分子ガス
や水素、窒素、酸素等の2原子分子ガス中で行われる
が、2原子分子の熱解離により生じるプラズマは単原子
分子ガス由来のプラズマ(アルゴンプラズマ等)に比べ
て反応性に富んでいるので、反応性アークプラズマと呼
ばれる。
ラズマ法、プラズマジェット法、高周波プラズマ法等が
挙げられる。例えば、直流アークプラズマ法において
は、金属原料を消費アノード電極とし、カソード電極か
らプラズマフレームを発生させて金属原料を加熱し蒸発
させて、金属蒸気を酸化させ、冷却することによって金
属酸化物微粒子が得られる。プラズマフレームを発生さ
せるに際し、アーク放電はアルゴン等の単原子分子ガス
や水素、窒素、酸素等の2原子分子ガス中で行われる
が、2原子分子の熱解離により生じるプラズマは単原子
分子ガス由来のプラズマ(アルゴンプラズマ等)に比べ
て反応性に富んでいるので、反応性アークプラズマと呼
ばれる。
【0035】本発明においては、上記製造方法の中でも
アークプラズマ法により得られる金属酸化物微粒子を用
いると、従来法で得られるものとは異なる形状、粒径
(例えば100nm以下)、諸物性の金属酸化物微粒子
が得られ、電機特性、分散性及び耐リーク性が向上する
ので好ましい。
アークプラズマ法により得られる金属酸化物微粒子を用
いると、従来法で得られるものとは異なる形状、粒径
(例えば100nm以下)、諸物性の金属酸化物微粒子
が得られ、電機特性、分散性及び耐リーク性が向上する
ので好ましい。
【0036】また、このようにして得られる金属酸化物
微粒子のBET値は、10m2/g以上あることが好ま
しく、10〜60m2/gであることがより好ましい。
金属酸化物微粒子のBET値が前記下限値未満である
と、分散均一性が低下し、金属酸化物微粒子の沈降や凝
集が起こりやすくなって均一な膜が得られにくくなる。
他方、BET値が前記上限値を超えると、金属酸化物微
粒子の凝集力が過剰に強くなって分散性が低下し、凝集
が起こりやすくなる傾向にある。
微粒子のBET値は、10m2/g以上あることが好ま
しく、10〜60m2/gであることがより好ましい。
金属酸化物微粒子のBET値が前記下限値未満である
と、分散均一性が低下し、金属酸化物微粒子の沈降や凝
集が起こりやすくなって均一な膜が得られにくくなる。
他方、BET値が前記上限値を超えると、金属酸化物微
粒子の凝集力が過剰に強くなって分散性が低下し、凝集
が起こりやすくなる傾向にある。
【0037】金属酸化物微粒子の配合量は、目的とする
下引き層の抵抗に応じて適宜選択されるが、下引き層中
の固形分全量を基準として10〜60体積%であること
が好ましく、20〜50体積%であることが好ましい。
金属酸化物微粒子の配合量が前記下限値未満であると、
下引き層の抵抗が十分に低減されず、電気特性が不十分
となる傾向にある。他方、金属酸化物微粒子の配合量が
前記上限値を超えると、下引き層の抵抗が過剰に小さく
なり、耐リーク性が不十分となる傾向にある。
下引き層の抵抗に応じて適宜選択されるが、下引き層中
の固形分全量を基準として10〜60体積%であること
が好ましく、20〜50体積%であることが好ましい。
金属酸化物微粒子の配合量が前記下限値未満であると、
下引き層の抵抗が十分に低減されず、電気特性が不十分
となる傾向にある。他方、金属酸化物微粒子の配合量が
前記上限値を超えると、下引き層の抵抗が過剰に小さく
なり、耐リーク性が不十分となる傾向にある。
【0038】本発明にかかるシリコーンオイルとして
は、具体的には、ジメチルシリコーンオイル、メチルフ
ェニルシリコーンオイル、メチルハイドロゲンシリコー
ンオイル等のストレートシリコーンオイル、アルキル基
変性シリコーンオイル、フッ素変性シリコーンオイル、
ポリエーテル変性シリコーンオイル、アルコール変性シ
リコーンオイル、アミノ変性シリコーンオイル、エポキ
シ変性シリコーンオイル、エポキシポリエーテル変性シ
リコーンオイル、フェノール変性シリコーンオイル、カ
ルボキシル変性シリコーンオイル、メルカプト変性シリ
コーンオイル等の変性シリコーンオイル等が挙げられ
る。
は、具体的には、ジメチルシリコーンオイル、メチルフ
ェニルシリコーンオイル、メチルハイドロゲンシリコー
ンオイル等のストレートシリコーンオイル、アルキル基
変性シリコーンオイル、フッ素変性シリコーンオイル、
ポリエーテル変性シリコーンオイル、アルコール変性シ
リコーンオイル、アミノ変性シリコーンオイル、エポキ
シ変性シリコーンオイル、エポキシポリエーテル変性シ
リコーンオイル、フェノール変性シリコーンオイル、カ
ルボキシル変性シリコーンオイル、メルカプト変性シリ
コーンオイル等の変性シリコーンオイル等が挙げられ
る。
【0039】これらの中でも、アミノ変性シリコーンオ
イルを用いると、電気特性、耐リーク性、成膜性の全て
がより高められるので好ましく、下記一般式(1)で表
されるアミノ変性シリコーンオイルがより好ましい。な
お、アミノ変性シリコーンオイルを用いた場合に上記の
効果が得られる理由は明確でないが、反応性基であるア
ミノ基が結着樹脂と反応することによって下引き層に機
械的強度が付与されること、並びにアミノ基の電子輸送
特性によって下引き層内に電荷が蓄積されにくくなるこ
とに起因するものと本発明者らは推察する。
イルを用いると、電気特性、耐リーク性、成膜性の全て
がより高められるので好ましく、下記一般式(1)で表
されるアミノ変性シリコーンオイルがより好ましい。な
お、アミノ変性シリコーンオイルを用いた場合に上記の
効果が得られる理由は明確でないが、反応性基であるア
ミノ基が結着樹脂と反応することによって下引き層に機
械的強度が付与されること、並びにアミノ基の電子輸送
特性によって下引き層内に電荷が蓄積されにくくなるこ
とに起因するものと本発明者らは推察する。
【0040】
【化1】 (式(1)中、R1〜R8は同一でも異なっていてもよ
く、それぞれアルキル基又はアミノアルキル基を表し、
m及びnはそれぞれ整数を表し、R1〜R8のうちの少な
くとも1つはアミノアルキル基である。) 上記式(1)で表されるアミノ変性シリコーンオイルが
有するアルキル基としては、具体的には、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基等が挙げられるが、これらの中でも炭素数1〜10の
アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数が前記上限
値を超えると、残留電位が高くなるなど電気特性が不十
分となる傾向にある。
く、それぞれアルキル基又はアミノアルキル基を表し、
m及びnはそれぞれ整数を表し、R1〜R8のうちの少な
くとも1つはアミノアルキル基である。) 上記式(1)で表されるアミノ変性シリコーンオイルが
有するアルキル基としては、具体的には、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基等が挙げられるが、これらの中でも炭素数1〜10の
アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数が前記上限
値を超えると、残留電位が高くなるなど電気特性が不十
分となる傾向にある。
【0041】また、上記式(1)で表されるアミノ変性
シリコーンオイルが有するアミノアルキル基としては、
具体的には、アミノメチル基、アミノエチル基、アミノ
プロピル基、アミノブチル基、アミノペンチル基、アミ
ノヘキシル基等が挙げられるが、これらの中でも炭素数
1〜10のアミノアルキル基が好ましく、下記一般式
(2)又は(3)で表されるアミノアルキル基がより好
ましい。
シリコーンオイルが有するアミノアルキル基としては、
具体的には、アミノメチル基、アミノエチル基、アミノ
プロピル基、アミノブチル基、アミノペンチル基、アミ
ノヘキシル基等が挙げられるが、これらの中でも炭素数
1〜10のアミノアルキル基が好ましく、下記一般式
(2)又は(3)で表されるアミノアルキル基がより好
ましい。
【0042】
【化2】 (式(2)中、R9は炭素数1〜20のアルキレン基を
表す。)
表す。)
【0043】
【化3】 (式(3)中、R10及びR11は同一でも異なっていても
よく、それぞれ炭素数1〜20のアルキレン基を表
す。) 上記式(1)中、アミノアルキル基の結合位置は特に制
限されず、当該アミノ変性シリコーンオイルは側鎖型、
片末端型、両末端型、側鎖両末端型のうちのいずれであ
ってもよいが、下記(i)〜(vi)に示すものが特に好
ましい。なお、(i)〜(vi)においては、アミノアル
キル基の結合位置を示したが、R1〜R8のうちのアミノ
アルキル基以外の基は全てアルキル基である。
よく、それぞれ炭素数1〜20のアルキレン基を表
す。) 上記式(1)中、アミノアルキル基の結合位置は特に制
限されず、当該アミノ変性シリコーンオイルは側鎖型、
片末端型、両末端型、側鎖両末端型のうちのいずれであ
ってもよいが、下記(i)〜(vi)に示すものが特に好
ましい。なお、(i)〜(vi)においては、アミノアル
キル基の結合位置を示したが、R1〜R8のうちのアミノ
アルキル基以外の基は全てアルキル基である。
【0044】(i)R5が上記式(2)で表されるアミノ
アルキル基であるアミノ変性シリコーンオイル; (ii)R5が上記式(3)で表されるアミノアルキル基
であるアミノ変性シリコーンオイル; (iii)R1が上記式(2)で表されるアミノアルキル基
であるアミノ変性シリコーンオイル; (iv)R1及びR8が上記式(2)で表されるアミノアル
キル基であるアミノ変性シリコーンオイル; (v)R1、R5及びR8が上記式(2)で表されるアミノ
アルキル基であるアミノ変性シリコーンオイル; (vi)R1及びR8が上記式(2)で表されるアミノアル
キル基であり、且つR 5が上記式(3)で表されるアミ
ノアルキル基であるアミノ変性シリコーンオイル。
アルキル基であるアミノ変性シリコーンオイル; (ii)R5が上記式(3)で表されるアミノアルキル基
であるアミノ変性シリコーンオイル; (iii)R1が上記式(2)で表されるアミノアルキル基
であるアミノ変性シリコーンオイル; (iv)R1及びR8が上記式(2)で表されるアミノアル
キル基であるアミノ変性シリコーンオイル; (v)R1、R5及びR8が上記式(2)で表されるアミノ
アルキル基であるアミノ変性シリコーンオイル; (vi)R1及びR8が上記式(2)で表されるアミノアル
キル基であり、且つR 5が上記式(3)で表されるアミ
ノアルキル基であるアミノ変性シリコーンオイル。
【0045】上記式(1)中、m及びnはそれぞれ−S
iR2R3−O−、−SiR4R5−O−で表される繰り返
し単位の繰り返し数(重合度)を表す整数であり、上記
式(1)で表されるアミノ変性シリコーンオイルの分子
量に関する因子である。上記式(1)で表されるアミノ
変性シリコーンオイルは、通常、重合度の異なる複数の
化合物の混合物として用いられるが、その平均分子量は
300〜20000であることが好ましく、500〜1
3000であることがより好ましい。当該平均分子量が
前記下限値未満であると、膜の強度が低下する傾向にあ
る。他方、当該平均分子量の増加に伴い膜の強度は向上
する傾向にあるが、当該平均分子量が前記上限値を超え
ると、電荷が膜中に蓄積されやすくなり残留電位の繰り
返し安定性が低下する傾向にある。
iR2R3−O−、−SiR4R5−O−で表される繰り返
し単位の繰り返し数(重合度)を表す整数であり、上記
式(1)で表されるアミノ変性シリコーンオイルの分子
量に関する因子である。上記式(1)で表されるアミノ
変性シリコーンオイルは、通常、重合度の異なる複数の
化合物の混合物として用いられるが、その平均分子量は
300〜20000であることが好ましく、500〜1
3000であることがより好ましい。当該平均分子量が
前記下限値未満であると、膜の強度が低下する傾向にあ
る。他方、当該平均分子量の増加に伴い膜の強度は向上
する傾向にあるが、当該平均分子量が前記上限値を超え
ると、電荷が膜中に蓄積されやすくなり残留電位の繰り
返し安定性が低下する傾向にある。
【0046】シリコーンオイルの配合量は特に制限され
ないが、下引き層中の固形分全量を基準として0.00
1〜3重量%であることが好ましく、0.001〜0.
5重量%であることがより好ましい。シリコーンオイル
の配合量が前記下限値未満であると、電気特性、耐リー
ク性、成膜性の全てをバランスよく満たすことが困難と
なる傾向にある。他方、シリコーンオイルの配合量が前
記上限値を超えると、膜が白濁したり残留電位が上昇し
やすくなって膜の強度が低下する傾向にある。
ないが、下引き層中の固形分全量を基準として0.00
1〜3重量%であることが好ましく、0.001〜0.
5重量%であることがより好ましい。シリコーンオイル
の配合量が前記下限値未満であると、電気特性、耐リー
ク性、成膜性の全てをバランスよく満たすことが困難と
なる傾向にある。他方、シリコーンオイルの配合量が前
記上限値を超えると、膜が白濁したり残留電位が上昇し
やすくなって膜の強度が低下する傾向にある。
【0047】上記の金属酸化物微粒子とシリコーンオイ
ルとは、通常、結着樹脂中に分散されて下引き層を構成
する。下引き層の結着樹脂としては、具体的には、ポリ
ビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロール樹
脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、
メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、
ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−ア
ルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムア
ルデヒド樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。特に、本
発明にかかるシリコーンオイルがアミノ変性シリコーン
オイルである場合、上記の結着樹脂の中でもポリビニル
ブチラール等のポリアセタール樹脂やフェノール樹脂を
用いると、電気特性、耐リーク性及び成膜性がより高め
られる傾向にあるので好ましい。
ルとは、通常、結着樹脂中に分散されて下引き層を構成
する。下引き層の結着樹脂としては、具体的には、ポリ
ビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロール樹
脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、
メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、
ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−ア
ルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムア
ルデヒド樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。特に、本
発明にかかるシリコーンオイルがアミノ変性シリコーン
オイルである場合、上記の結着樹脂の中でもポリビニル
ブチラール等のポリアセタール樹脂やフェノール樹脂を
用いると、電気特性、耐リーク性及び成膜性がより高め
られる傾向にあるので好ましい。
【0048】上述の通り、本発明にかかる下引き層は金
属酸化物微粒子とシリコーンオイルと結着樹脂とを含有
するものであるが、レーザー光の干渉を防止するために
当該下引き層は光散乱剤等の添加剤を含有してもよい。
光散乱剤としては、屈折率の異なる金属酸化物微粒子
(シリカ粒子、アルミナ粒子等)や有機化合物微粒子を
用いることができる。これらの光散乱剤の平均一次粒径
は好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上で
あるが、粒径が数百nm程度であっても、凝集効果によ
って光散乱剤として機能し得る。また、これらの光散乱
剤は、粒径によっては下引き層の粗面化にも寄与し得
る。
属酸化物微粒子とシリコーンオイルと結着樹脂とを含有
するものであるが、レーザー光の干渉を防止するために
当該下引き層は光散乱剤等の添加剤を含有してもよい。
光散乱剤としては、屈折率の異なる金属酸化物微粒子
(シリカ粒子、アルミナ粒子等)や有機化合物微粒子を
用いることができる。これらの光散乱剤の平均一次粒径
は好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上で
あるが、粒径が数百nm程度であっても、凝集効果によ
って光散乱剤として機能し得る。また、これらの光散乱
剤は、粒径によっては下引き層の粗面化にも寄与し得
る。
【0049】本発明にかかる下引き層は、金属酸化物微
粒子、シリコーンオイル及び結着樹脂、あるいは更に光
散乱剤等の添加剤を所定の溶剤に分散させた塗工液を導
電層上に塗布し、乾燥させることによって得ることがで
きる。塗工液に用いられる溶剤としては公知の有機溶
剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水
素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エ
ステル系等から任意で選択することができる。より具体
的には、メタノール、エタノール、n−プロパノール、
iso−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアル
コール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラ
ヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、ク
ロルベンゼン、トルエン等が挙げられる。これらの溶剤
は1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて
用いてもよい。また、上記の成分を混合する際に使用さ
れる溶剤としては、混合溶剤としてバインダー樹脂を溶
解し得るものであればいかなるものでも使用することが
できる。
粒子、シリコーンオイル及び結着樹脂、あるいは更に光
散乱剤等の添加剤を所定の溶剤に分散させた塗工液を導
電層上に塗布し、乾燥させることによって得ることがで
きる。塗工液に用いられる溶剤としては公知の有機溶
剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水
素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エ
ステル系等から任意で選択することができる。より具体
的には、メタノール、エタノール、n−プロパノール、
iso−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアル
コール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラ
ヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、ク
ロルベンゼン、トルエン等が挙げられる。これらの溶剤
は1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて
用いてもよい。また、上記の成分を混合する際に使用さ
れる溶剤としては、混合溶剤としてバインダー樹脂を溶
解し得るものであればいかなるものでも使用することが
できる。
【0050】また、これらの溶剤に金属酸化物微粒子、
シリコーンオイル、結着樹脂等を分散させる方法として
は、ロードミル、ボールミル、振動ボールミル、アトラ
イター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカ
ー等の方法を用いることができる。更に、上記の塗工液
を導電層上に塗布する方法としては、ブレードコーティ
ング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーテ
ィング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング
法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティン
グ法等が挙げられる。
シリコーンオイル、結着樹脂等を分散させる方法として
は、ロードミル、ボールミル、振動ボールミル、アトラ
イター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカ
ー等の方法を用いることができる。更に、上記の塗工液
を導電層上に塗布する方法としては、ブレードコーティ
ング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーテ
ィング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング
法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティン
グ法等が挙げられる。
【0051】なお、図1〜5に示す電子写真感光体は、
下引き層として金属酸化物微粒子とシリコーンオイルと
結着樹脂とを含有するものを1層有するものであるが、
本発明においては、金属酸化物微粒子とシリコーンオイ
ルと結着樹脂とを含有する下引き層(以下、場合により
「第一の下引き層」という)上に、金属酸化物微粒子と
シリコーンオイルとの双方を含有しない第二の下引き層
を更に設けてもよい。第一の下引き層上に第二の下引き
層を設けると、下引き層のブロッキング機能や、下引き
層上に感光層を形成させる際の濡れ性が向上する傾向に
ある。
下引き層として金属酸化物微粒子とシリコーンオイルと
結着樹脂とを含有するものを1層有するものであるが、
本発明においては、金属酸化物微粒子とシリコーンオイ
ルと結着樹脂とを含有する下引き層(以下、場合により
「第一の下引き層」という)上に、金属酸化物微粒子と
シリコーンオイルとの双方を含有しない第二の下引き層
を更に設けてもよい。第一の下引き層上に第二の下引き
層を設けると、下引き層のブロッキング機能や、下引き
層上に感光層を形成させる際の濡れ性が向上する傾向に
ある。
【0052】第二の下引き層の材料としては、具体的に
は、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビ
ニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セル
ロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニ
ル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル-酢酸
ビニル-無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコ
ーン-アルキッド樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹
脂、メラミン樹脂等の高分子樹脂化合物の他、ジルコニ
ウム原子、チタニウム原子、アルミニウム原子、マンガ
ン原子、シリコン原子等を含有する有機金属化合物等が
挙げられる。これらの化合物は単独にあるいは複数の化
合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができ
る。 中でも、ジルコニウム原子又はシリコン原子を含
有する有機金属化合物は、残留電位が低く、環境による
電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化
が少ないなど性能上優れている。
は、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビ
ニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セル
ロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニ
ル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル-酢酸
ビニル-無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコ
ーン-アルキッド樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹
脂、メラミン樹脂等の高分子樹脂化合物の他、ジルコニ
ウム原子、チタニウム原子、アルミニウム原子、マンガ
ン原子、シリコン原子等を含有する有機金属化合物等が
挙げられる。これらの化合物は単独にあるいは複数の化
合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができ
る。 中でも、ジルコニウム原子又はシリコン原子を含
有する有機金属化合物は、残留電位が低く、環境による
電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化
が少ないなど性能上優れている。
【0053】シリコン原子を含有する有機金属化合物と
しては、具体的には、ビニルトリメトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピル−トリス(β−メトキシエト
キシ)シラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノ
エチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N
−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルメ
トキシシラン、N,N−ビス(β−ヒドロキシエチル)
−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロル
プロピルトリメトキシシラン等が挙げられ、中でも、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(2−メトキシ
エトキシシラン)、3−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチ
ルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)3−
アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノ
エチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェ
ニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メ
ルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙
げられる。
しては、具体的には、ビニルトリメトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピル−トリス(β−メトキシエト
キシ)シラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノ
エチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N
−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルメ
トキシシラン、N,N−ビス(β−ヒドロキシエチル)
−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロル
プロピルトリメトキシシラン等が挙げられ、中でも、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(2−メトキシ
エトキシシラン)、3−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチ
ルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)3−
アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノ
エチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェ
ニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メ
ルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙
げられる。
【0054】ジルコニウム原子を含有する有機金属化合
物としては、具体的には、ジルコニウムブトキシド、ジ
ルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノ
ールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキ
シド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジル
コニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジル
コニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オク
タン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリ
ン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソス
テアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウム
ブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イ
ソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられ
る。
物としては、具体的には、ジルコニウムブトキシド、ジ
ルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノ
ールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキ
シド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジル
コニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジル
コニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オク
タン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリ
ン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソス
テアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウム
ブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イ
ソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられ
る。
【0055】チタン原子を含有する有機金属化合物とし
ては、具体的には、テトライソプロピルチタネート、テ
トラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイ
マー、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、チタ
ンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネ
ート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテー
トアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテー
トエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、
ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
ては、具体的には、テトライソプロピルチタネート、テ
トラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイ
マー、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、チタ
ンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネ
ート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテー
トアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテー
トエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、
ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【0056】アルミニウム原子を含有する有機金属化合
物としては、具体的には、アルミニウムイソプロピレー
ト、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、ア
ルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアル
ミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エ
チルアセトアセテート)等が挙げられる。
物としては、具体的には、アルミニウムイソプロピレー
ト、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、ア
ルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアル
ミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エ
チルアセトアセテート)等が挙げられる。
【0057】第二の下引き層は、その上に積層される層
(上層)の濡れ性改善の他に、電気的なブロキング層の
役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障
壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を
引き起こしやすくなる。従って、第二の下引層の膜厚は
0.1〜3μmの範囲内であることが好ましい。
(上層)の濡れ性改善の他に、電気的なブロキング層の
役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障
壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を
引き起こしやすくなる。従って、第二の下引層の膜厚は
0.1〜3μmの範囲内であることが好ましい。
【0058】本発明の電子写真感光体が有する感光層
は、図1〜3に示すように電荷発生層と電荷輸送層とに
機能が分離された機能分離型感光層であってもよく、図
4〜5に示すように電荷発生材料と電荷輸送材料とを含
有する単層型感光層であってもよい。
は、図1〜3に示すように電荷発生層と電荷輸送層とに
機能が分離された機能分離型感光層であってもよく、図
4〜5に示すように電荷発生材料と電荷輸送材料とを含
有する単層型感光層であってもよい。
【0059】先ず、機能分離型感光体を構成する層につ
いて説明する。
いて説明する。
【0060】本発明にかかる電荷発生層は、通常、電荷
発生材料と結着樹脂とを含有するものである。本発明に
おいて用いられる電荷発生材料としては、光を吸収して
高い確率で電荷担体を発生し得るものであれば特に制限
はないが、具体的には、非晶質セレン、結晶性セレン、
セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金、その他のセレ
ン化合物及びセレン合金、酸化亜鉛、酸化チタン等の無
機系光導電体、無金属フタロシアニン、チタニルフタロ
シアニン、銅フタロシアニン、錫フタロシアニン、ガリ
ウムフタロシアニン等の各種フタロシアニン顔料、スク
エアリウム系、アントアントロン系、ペリレン系、アゾ
系、アントラキノン系、ピレン系、ピリリウム塩、チア
ピリリウム塩等の各種有機顔料及び染料が用いられる。
また、これらの有機顔料は一般に数種の結晶型を有して
おり、特にフタロシアニン顔料ではα型、β型等をはじ
めとしてさまざまな結晶型が知られているが、目的にあ
った感度その他の特性が得られる顔料であるならば、こ
れらのいずれの結晶型でも用いることができる。
発生材料と結着樹脂とを含有するものである。本発明に
おいて用いられる電荷発生材料としては、光を吸収して
高い確率で電荷担体を発生し得るものであれば特に制限
はないが、具体的には、非晶質セレン、結晶性セレン、
セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金、その他のセレ
ン化合物及びセレン合金、酸化亜鉛、酸化チタン等の無
機系光導電体、無金属フタロシアニン、チタニルフタロ
シアニン、銅フタロシアニン、錫フタロシアニン、ガリ
ウムフタロシアニン等の各種フタロシアニン顔料、スク
エアリウム系、アントアントロン系、ペリレン系、アゾ
系、アントラキノン系、ピレン系、ピリリウム塩、チア
ピリリウム塩等の各種有機顔料及び染料が用いられる。
また、これらの有機顔料は一般に数種の結晶型を有して
おり、特にフタロシアニン顔料ではα型、β型等をはじ
めとしてさまざまな結晶型が知られているが、目的にあ
った感度その他の特性が得られる顔料であるならば、こ
れらのいずれの結晶型でも用いることができる。
【0061】本発明において、特に優れた性能が得られ
る電荷発生材料として以下の化合物が挙げられる。
る電荷発生材料として以下の化合物が挙げられる。
【0062】CuKα線を用いたX線回折スペクトルの
ブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも
7.4°、16.6°、25.5°、28.3°の位置
に回折ピークを有する結晶型に代表されるクロルガリウ
ムフタロシアニン;CuKα線を用いたX線回折スペク
トルのブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少な
くとも7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、
18.6°、25.1°、28.1°の位置に回折ピー
クを有する結晶型に代表されるヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン;CuKα線を用いたX線回折スペクトルの
ブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも
9.5°、11.7°、15.0°、24.1°、2
7.3°の位置に回折ピークを有する結晶型に代表され
るチタニルフタロシアニン。
ブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも
7.4°、16.6°、25.5°、28.3°の位置
に回折ピークを有する結晶型に代表されるクロルガリウ
ムフタロシアニン;CuKα線を用いたX線回折スペク
トルのブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少な
くとも7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、
18.6°、25.1°、28.1°の位置に回折ピー
クを有する結晶型に代表されるヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン;CuKα線を用いたX線回折スペクトルの
ブラッグ角度(2θ±0.2°)において、少なくとも
9.5°、11.7°、15.0°、24.1°、2
7.3°の位置に回折ピークを有する結晶型に代表され
るチタニルフタロシアニン。
【0063】電荷発生層に於ける結着樹脂としては、具
体的には、ビスフェノールAタイプあるいはビスフェノ
ールZタイプのポリカーボネート樹脂、ポリアリレート
樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニ
ルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹
脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコ
ーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−
ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール等が挙げられる。これらの
結着樹脂は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組
み合わせて用いてもよい。
体的には、ビスフェノールAタイプあるいはビスフェノ
ールZタイプのポリカーボネート樹脂、ポリアリレート
樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニ
ルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹
脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコ
ーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−
ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール等が挙げられる。これらの
結着樹脂は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組
み合わせて用いてもよい。
【0064】電荷発生材料と結着樹脂との配合比(重量
比)は、10:1〜1:10の範囲が望ましい。また、
電荷発生層の膜厚は、通常0.01〜5μm、好ましく
は0.05〜2.0μmである。
比)は、10:1〜1:10の範囲が望ましい。また、
電荷発生層の膜厚は、通常0.01〜5μm、好ましく
は0.05〜2.0μmである。
【0065】本発明にかかる電荷発生層は、電荷発生材
料と結着樹脂とを所定の溶剤に分散させて得られる塗工
液を所定の層(導電性基体、電荷輸送層、下引き層な
ど)上に塗布し、乾燥させることによって好適に得るこ
とができる。ここで、電荷発生層の形成に用いる有機溶
剤としては、具体的には、メタノール、エタノール、n
−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアルコー
ル、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、
酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メ
チレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、ト
ルエン等が挙げられる。これらの有機溶剤は1種を単独
で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよ
い。また、これらの有機溶剤に電荷発生材料と結着樹脂
とを分散させる方法としては、ボールミル分散法、アト
ライター分散法、サンドミル分散法等が挙げられるが、
この際、分散によって電荷発生材料の結晶型が変化しな
い条件で行うことが好ましい。また、上記の塗工液を塗
布する方法としては、ブレードコーティング法、マイヤ
ーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬
コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフ
コーティング法、カーテンコーティング法などが挙げら
れる。
料と結着樹脂とを所定の溶剤に分散させて得られる塗工
液を所定の層(導電性基体、電荷輸送層、下引き層な
ど)上に塗布し、乾燥させることによって好適に得るこ
とができる。ここで、電荷発生層の形成に用いる有機溶
剤としては、具体的には、メタノール、エタノール、n
−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアルコー
ル、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、
酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メ
チレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、ト
ルエン等が挙げられる。これらの有機溶剤は1種を単独
で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよ
い。また、これらの有機溶剤に電荷発生材料と結着樹脂
とを分散させる方法としては、ボールミル分散法、アト
ライター分散法、サンドミル分散法等が挙げられるが、
この際、分散によって電荷発生材料の結晶型が変化しな
い条件で行うことが好ましい。また、上記の塗工液を塗
布する方法としては、ブレードコーティング法、マイヤ
ーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬
コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフ
コーティング法、カーテンコーティング法などが挙げら
れる。
【0066】本発明にかかる電荷輸送層は、通常、電荷
輸送材料及び結着樹脂を含有するものである。ここで、
本発明において用いられる電荷輸送材料としては、電荷
を輸送する機能を有するものであれば特に制限されるも
のではないが、具体的には、2,5−ビス(p−ジエチ
ルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール等
のオキサジアゾール誘導体、1,3,5−トリフェニル
−ピラゾリン、1−[ピリジル−(2)]−3−(p−
ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
スチリル)ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェ
ニルアミン、トリ(p−メチル)フェニルアミン、N,
N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ビフェニル−4
−アミン、ジベンジルアニリン、9,9−ジメチル−
N,N−ジ(p−トリル)フルオレノン−2−アミン等
の芳香族第3級アミノ化合物、N,N’−ジフェニル−
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1−ビ
フェニル]−4,4’−ジアミン等の芳香族第3級ジア
ミノ化合物、3−(4’−ジメチルアミノフェニル)−
5,6−ジ−(4’−メトキシフェニル)−1,2,4
−トリアジン等の1,2,4−トリアジン誘導体、4−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニル
ヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−
1,1−ジフェニルヒドラゾン、[p−(ジエチルアミ
ノ)フェニル](1−ナフチル)フェニルヒドラゾン、
1−ピレンジフェニルヒドラゾン、9−エチル−3−
[(2メチル−1−インドリニルイミノ)メチル]カルバゾ
ール、4−(2−メチル−1−インドリニルイミノメチ
ル)トリフェニルアミン、9−メチル−3−カルバゾー
ルジフェニルヒドラゾン、1,1−ジ−(4,4’−メト
キシフェニル)アクリルアルデヒドジフェニルヒドラゾ
ン等のヒドラゾン誘導体、2−フェニル−4−スチリル
−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、6−ヒドロキシ−
2,3−ジ(p−メトキシフェニル)−ベンゾフラン等
のベンゾフラン誘導体、p−(2,2−ジフェニルビニ
ル)−N,N−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン
誘導体、エナミン誘導体、N−エチルカルバゾール等の
カルバゾール誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾール及
びその誘導体等の正孔輸送物質;クロラニル、ブロモア
ニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシア
ノキノジメタン系化合物、2,4,7−トリニトロフル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン等のフルオレノン化合物、2−(4−ビフェニ
ル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−
オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ナフチル)−
1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジ
エチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合
物、チオフェン化合物、3,3’,5,5’−テトラ−
t−ブチルジフェノキノン、3,5−ジメチル−3’,
5’−ジ−t−ブチル−4,4’−ジフェノキノン等の
ジフェノキノン化合物等の電子輸送物質;上記した化合
物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体、等が挙げ
られる。これらの電荷輸送材料は、1種を単独で使用し
てもよく、2種以上を組み合せて使用してもよい。
輸送材料及び結着樹脂を含有するものである。ここで、
本発明において用いられる電荷輸送材料としては、電荷
を輸送する機能を有するものであれば特に制限されるも
のではないが、具体的には、2,5−ビス(p−ジエチ
ルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール等
のオキサジアゾール誘導体、1,3,5−トリフェニル
−ピラゾリン、1−[ピリジル−(2)]−3−(p−
ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
スチリル)ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェ
ニルアミン、トリ(p−メチル)フェニルアミン、N,
N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ビフェニル−4
−アミン、ジベンジルアニリン、9,9−ジメチル−
N,N−ジ(p−トリル)フルオレノン−2−アミン等
の芳香族第3級アミノ化合物、N,N’−ジフェニル−
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1−ビ
フェニル]−4,4’−ジアミン等の芳香族第3級ジア
ミノ化合物、3−(4’−ジメチルアミノフェニル)−
5,6−ジ−(4’−メトキシフェニル)−1,2,4
−トリアジン等の1,2,4−トリアジン誘導体、4−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニル
ヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−
1,1−ジフェニルヒドラゾン、[p−(ジエチルアミ
ノ)フェニル](1−ナフチル)フェニルヒドラゾン、
1−ピレンジフェニルヒドラゾン、9−エチル−3−
[(2メチル−1−インドリニルイミノ)メチル]カルバゾ
ール、4−(2−メチル−1−インドリニルイミノメチ
ル)トリフェニルアミン、9−メチル−3−カルバゾー
ルジフェニルヒドラゾン、1,1−ジ−(4,4’−メト
キシフェニル)アクリルアルデヒドジフェニルヒドラゾ
ン等のヒドラゾン誘導体、2−フェニル−4−スチリル
−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、6−ヒドロキシ−
2,3−ジ(p−メトキシフェニル)−ベンゾフラン等
のベンゾフラン誘導体、p−(2,2−ジフェニルビニ
ル)−N,N−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン
誘導体、エナミン誘導体、N−エチルカルバゾール等の
カルバゾール誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾール及
びその誘導体等の正孔輸送物質;クロラニル、ブロモア
ニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシア
ノキノジメタン系化合物、2,4,7−トリニトロフル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン等のフルオレノン化合物、2−(4−ビフェニ
ル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−
オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ナフチル)−
1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジ
エチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合
物、チオフェン化合物、3,3’,5,5’−テトラ−
t−ブチルジフェノキノン、3,5−ジメチル−3’,
5’−ジ−t−ブチル−4,4’−ジフェノキノン等の
ジフェノキノン化合物等の電子輸送物質;上記した化合
物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体、等が挙げ
られる。これらの電荷輸送材料は、1種を単独で使用し
てもよく、2種以上を組み合せて使用してもよい。
【0067】なお、本発明の電子写真感光体が機能分離
型感光体である場合、電子写真感光体の帯電極性は電荷
輸送材料の電荷輸送極性によって異なる。すなわち、電
荷輸送材料として正孔輸送物質を用いた感光体は負帯電
で用いられ、また、電子輸送物質を用いた場合には正帯
電で用いられる。
型感光体である場合、電子写真感光体の帯電極性は電荷
輸送材料の電荷輸送極性によって異なる。すなわち、電
荷輸送材料として正孔輸送物質を用いた感光体は負帯電
で用いられ、また、電子輸送物質を用いた場合には正帯
電で用いられる。
【0068】本発明にかかる電荷輸送層に用いられる結
着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル
樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル
樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコー
ン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹
脂、スチレン−アルキッド樹脂や、ポリ−N−ビニルカ
ルバゾール、ポリシラン、ポリエステル系高分子電荷輸
送材料などの高分子電荷輸送材料を用いることができ
る。これらの結着樹脂は、1種を単独で用いてもよく、
2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの
結着樹脂の分子量は、感光層の膜厚や塗工液に用いる溶
剤の種類によって適宜選択されるが、粘度平均分子量が
3000〜30万であることが好ましく、2万〜20万
であることがより好ましい。
着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル
樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル
樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコー
ン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹
脂、スチレン−アルキッド樹脂や、ポリ−N−ビニルカ
ルバゾール、ポリシラン、ポリエステル系高分子電荷輸
送材料などの高分子電荷輸送材料を用いることができ
る。これらの結着樹脂は、1種を単独で用いてもよく、
2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの
結着樹脂の分子量は、感光層の膜厚や塗工液に用いる溶
剤の種類によって適宜選択されるが、粘度平均分子量が
3000〜30万であることが好ましく、2万〜20万
であることがより好ましい。
【0069】本発明にかかる電荷輸送層においては、必
要に応じて、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加
剤を添加することもできる。
要に応じて、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加
剤を添加することもできる。
【0070】酸化防止剤としては、具体的には、2,6
−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、スチレン化
フェノール、n−オクタデシル−3−(3’,5’−ジ
−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)−プロピオ
ネート、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−
t−ブチルフェノール)、2−t−ブチル−6−(3’
−t−ブチル−5’−メチル−2’−ヒドロキシベンジ
ル)−4−メチルフェニルアクリレート、4,4’−ブ
チリデン−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノ
ール)、4,4’−チオ−ビス−(3−メチル−6−t
−ブチルフェノール)、1,3,5−トリス(4−t−
ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル)
イソシアヌレート、テトラキス−[メチレン−3−
(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート]−メタン、3,9−ビス[2−
{3−(−3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチ
ルフェニル)プロピオニルオキシ}−1,1−ジメチル
エチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ
[5,5]ウンデカン等のフェノール系酸化防止剤;ビ
ス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)
セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル
−4−ピペリジル)セバケート、1−[2−{3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオニルオキシ}エチル]−4−[3−(3,5−
ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニ
ルオキシ]−2,2,6,6−テトラメチルピペリジ
ン、8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3
−オクチル−1,3,8−トリアザスピロ[4,5]ウ
ンデカン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−
2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジ
メチル−1−(2−ヒドロキシエチル)−4−ヒドロキ
シ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン重縮合
物、ポリ[{6−(1,1,3,3−テトラメチルブチ
ル)イミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジイミ
ル}{(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジ
ル)イミノ}ヘキサメチレン{(2,3,6,6−テト
ラメチル−4−ピペリジル)イミノ}]、2−(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−n
−ブチルマロン酸ビス(1,2,2,6,6−ペンタメ
チル−4−ピペリジル)、N,N’−ビス(3−アミノ
プロピル)エチレンジアミン−2、4−ビス[N−ブチ
ル−N−(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピ
ペリジル)アミノ]−6−クロロ−1,3,5−トリア
ジン縮合物等のヒンダードアミン系化合物;ジラウリル
−3,3’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−
3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,
3’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−
テトラキス−(β−ラウリルチオプロピオネート)、ジ
トリデシル−3,3’−チオジプロピオネート、2−メ
ルカプトベンズイミダゾール等の有機イオウ系酸化防止
剤;トリスノニルフェニル フォスフィート、トリフェ
ニル フォスフィート、トリス(2,4−ジ−t−ブチ
ル フェニル)−フォスフィート等の有機燐系酸化防止
剤等が挙げられる。
−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、スチレン化
フェノール、n−オクタデシル−3−(3’,5’−ジ
−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)−プロピオ
ネート、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−
t−ブチルフェノール)、2−t−ブチル−6−(3’
−t−ブチル−5’−メチル−2’−ヒドロキシベンジ
ル)−4−メチルフェニルアクリレート、4,4’−ブ
チリデン−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノ
ール)、4,4’−チオ−ビス−(3−メチル−6−t
−ブチルフェノール)、1,3,5−トリス(4−t−
ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル)
イソシアヌレート、テトラキス−[メチレン−3−
(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート]−メタン、3,9−ビス[2−
{3−(−3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチ
ルフェニル)プロピオニルオキシ}−1,1−ジメチル
エチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ
[5,5]ウンデカン等のフェノール系酸化防止剤;ビ
ス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)
セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル
−4−ピペリジル)セバケート、1−[2−{3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオニルオキシ}エチル]−4−[3−(3,5−
ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニ
ルオキシ]−2,2,6,6−テトラメチルピペリジ
ン、8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3
−オクチル−1,3,8−トリアザスピロ[4,5]ウ
ンデカン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−
2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジ
メチル−1−(2−ヒドロキシエチル)−4−ヒドロキ
シ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン重縮合
物、ポリ[{6−(1,1,3,3−テトラメチルブチ
ル)イミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジイミ
ル}{(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジ
ル)イミノ}ヘキサメチレン{(2,3,6,6−テト
ラメチル−4−ピペリジル)イミノ}]、2−(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−n
−ブチルマロン酸ビス(1,2,2,6,6−ペンタメ
チル−4−ピペリジル)、N,N’−ビス(3−アミノ
プロピル)エチレンジアミン−2、4−ビス[N−ブチ
ル−N−(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピ
ペリジル)アミノ]−6−クロロ−1,3,5−トリア
ジン縮合物等のヒンダードアミン系化合物;ジラウリル
−3,3’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−
3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,
3’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−
テトラキス−(β−ラウリルチオプロピオネート)、ジ
トリデシル−3,3’−チオジプロピオネート、2−メ
ルカプトベンズイミダゾール等の有機イオウ系酸化防止
剤;トリスノニルフェニル フォスフィート、トリフェ
ニル フォスフィート、トリス(2,4−ジ−t−ブチ
ル フェニル)−フォスフィート等の有機燐系酸化防止
剤等が挙げられる。
【0071】有機硫黄系及び有機燐系酸化防止剤は2次
酸化防止剤と呼ばれ、フェノール系又はアミン系酸化防
止剤等の1次酸化防止剤と併用することにより相乗効果
を得ることができる。
酸化防止剤と呼ばれ、フェノール系又はアミン系酸化防
止剤等の1次酸化防止剤と併用することにより相乗効果
を得ることができる。
【0072】また、光安定剤としては、2−ヒドロキシ
−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−
オクトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−
4−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系光安
定剤;2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニ
ル)ベンゾトリアゾール、2−[2’−ヒドロキシ−
3’−(3”,4”,5”,6”−テトラヒドロフタル
イミドメチル)−5’−メチルフェニル]ベンゾトリア
ゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−
5’−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾー
ル、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’
−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、
2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−t−ブチルフェ
ニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ
5’−t−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2
−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−アミルフ
ェニル)ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系
光安定剤;2,4−ジ−t−ブチルフェニル−3’,
5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシベンゾエー
ト、ニッケルジブチルジチオカルバメート等が挙げられ
る。
−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−
オクトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−
4−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系光安
定剤;2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニ
ル)ベンゾトリアゾール、2−[2’−ヒドロキシ−
3’−(3”,4”,5”,6”−テトラヒドロフタル
イミドメチル)−5’−メチルフェニル]ベンゾトリア
ゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−
5’−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾー
ル、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’
−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、
2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−t−ブチルフェ
ニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ
5’−t−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2
−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−アミルフ
ェニル)ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系
光安定剤;2,4−ジ−t−ブチルフェニル−3’,
5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシベンゾエー
ト、ニッケルジブチルジチオカルバメート等が挙げられ
る。
【0073】また感度の向上、残留電位の低減、繰り返
し使用時の疲労低減等を目的として少なくとも1種の電
子受容性物質を含有せしめることができる。本発明の感
光体に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無水
琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無
水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノ
エチレン、テトラシアノキノジメタン、o−ジニトロベ
ンゼン、m−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン
酸、o−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、フタル
酸等が挙げられる。これらのうち、フルオレノン系、キ
ノン系や、Cl、CN、NO2等の電子吸引性置換基を
有するベンゼン誘導体が特に好ましい。
し使用時の疲労低減等を目的として少なくとも1種の電
子受容性物質を含有せしめることができる。本発明の感
光体に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無水
琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無
水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノ
エチレン、テトラシアノキノジメタン、o−ジニトロベ
ンゼン、m−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン
酸、o−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、フタル
酸等が挙げられる。これらのうち、フルオレノン系、キ
ノン系や、Cl、CN、NO2等の電子吸引性置換基を
有するベンゼン誘導体が特に好ましい。
【0074】本発明にかかる電荷輸送層は、電荷輸送材
料及び結着樹脂、並びに必要に応じて配合される他の材
料を所定の溶剤に分散させて得られる塗工液を、所定の
層(導電性基体、下引き層、電荷発生層など)上に塗布
し、乾燥させることによって得ることができる。ここ
で、塗工液中の電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重
量比)は10:1〜1:5が好ましい。また、塗工液に
用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、
クロルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;アセトン、2
−ブタノンなどのケトン類;塩化メチレン、クロロホル
ム、塩化エチレンなどのハロンゲン化脂肪族炭化水素
類;テトラヒドロフラン、エチルエーテルなどの環状も
しくは直鎖状のエーテル類、など有機溶剤の1種を単独
で又は2種以上を混合して用いることができる。さら
に、塗工液の塗布方法としては、ブレードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティン
グ法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エ
アーナイフコーティング法、カーテンコーティング法な
どが挙げられる。このようにして得られる電荷輸送層の
厚みは好ましくは5〜50μm、より好ましくは10〜
30μmである。
料及び結着樹脂、並びに必要に応じて配合される他の材
料を所定の溶剤に分散させて得られる塗工液を、所定の
層(導電性基体、下引き層、電荷発生層など)上に塗布
し、乾燥させることによって得ることができる。ここ
で、塗工液中の電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重
量比)は10:1〜1:5が好ましい。また、塗工液に
用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、
クロルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;アセトン、2
−ブタノンなどのケトン類;塩化メチレン、クロロホル
ム、塩化エチレンなどのハロンゲン化脂肪族炭化水素
類;テトラヒドロフラン、エチルエーテルなどの環状も
しくは直鎖状のエーテル類、など有機溶剤の1種を単独
で又は2種以上を混合して用いることができる。さら
に、塗工液の塗布方法としては、ブレードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティン
グ法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エ
アーナイフコーティング法、カーテンコーティング法な
どが挙げられる。このようにして得られる電荷輸送層の
厚みは好ましくは5〜50μm、より好ましくは10〜
30μmである。
【0075】他方、図4〜5に示す電子写真感光体の単
層型感光層に用いる電荷発生材料、電荷輸送材料及び結
着樹脂としては、上記の電荷発生層及び電荷輸送層の説
明において例示された電荷発生材料、電荷輸送材料及び
結着樹脂が挙げられる。また、単層型感光層の成膜工程
においては、電荷発生層や電荷輸送層と同様にして塗工
液を調製し、その塗工液を塗布し、乾燥させることによ
って単層型感光層を形成することができる。ここで、電
荷発生材料の含有量は、単層型感光層中の固形分全量を
基準として10〜80重量%であることが好ましく、2
0〜50重量%であることがより好ましい。また、電荷
輸送材料の含有量は、単層型感光層中の固形分全量を基
準として1〜50重量%であることが好ましい。さら
に、単層型感光層の厚みは5〜50μmであることが好
ましく、10〜40μmであることがより好ましい。
層型感光層に用いる電荷発生材料、電荷輸送材料及び結
着樹脂としては、上記の電荷発生層及び電荷輸送層の説
明において例示された電荷発生材料、電荷輸送材料及び
結着樹脂が挙げられる。また、単層型感光層の成膜工程
においては、電荷発生層や電荷輸送層と同様にして塗工
液を調製し、その塗工液を塗布し、乾燥させることによ
って単層型感光層を形成することができる。ここで、電
荷発生材料の含有量は、単層型感光層中の固形分全量を
基準として10〜80重量%であることが好ましく、2
0〜50重量%であることがより好ましい。また、電荷
輸送材料の含有量は、単層型感光層中の固形分全量を基
準として1〜50重量%であることが好ましい。さら
に、単層型感光層の厚みは5〜50μmであることが好
ましく、10〜40μmであることがより好ましい。
【0076】本発明の電子写真感光体は、図2,3,5
に示すように保護層を備えることが好ましい。例えば金
属酸化物を分散した半導電性保護層は、絶縁性樹脂中に
半導電性微粒子を分散した層である。半導電性微粒子と
しては、電気抵抗が109Ω・cm以下で白色、灰色又
は青白色を呈する平均粒径0.3μm以下(好ましくは
0.1μm以下)の微粒子が適当であり、例えば、酸化
モリブデン、酸化タングステン、酸化アンチモン、酸化
錫、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫とアンチモン
あるいは酸化アンチモンとの固溶体の担体またはこれら
の混合物、あるいは単一粒子中にこれらの金属酸化物を
混合したものや被覆したものが挙げられる。中でも、酸
化錫、酸化錫とアンチモン又は酸化アンチモンとの固溶
体は電気抵抗を適切に調節することが可能であり、且つ
保護層を実質的に透明にすることが可能であるので、好
ましく用いられる。また、分散性向上のためにこれらの
粉体面上に他の金属酸化物層やシランカップリング剤な
どの表面コート層を形成してもよい。絶縁性樹脂として
は、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エポキ
シ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート等の縮合樹脂
や、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリアクリルア
ミド、ポリビニルブチラールのようなビニル重合体等が
挙げられる。
に示すように保護層を備えることが好ましい。例えば金
属酸化物を分散した半導電性保護層は、絶縁性樹脂中に
半導電性微粒子を分散した層である。半導電性微粒子と
しては、電気抵抗が109Ω・cm以下で白色、灰色又
は青白色を呈する平均粒径0.3μm以下(好ましくは
0.1μm以下)の微粒子が適当であり、例えば、酸化
モリブデン、酸化タングステン、酸化アンチモン、酸化
錫、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫とアンチモン
あるいは酸化アンチモンとの固溶体の担体またはこれら
の混合物、あるいは単一粒子中にこれらの金属酸化物を
混合したものや被覆したものが挙げられる。中でも、酸
化錫、酸化錫とアンチモン又は酸化アンチモンとの固溶
体は電気抵抗を適切に調節することが可能であり、且つ
保護層を実質的に透明にすることが可能であるので、好
ましく用いられる。また、分散性向上のためにこれらの
粉体面上に他の金属酸化物層やシランカップリング剤な
どの表面コート層を形成してもよい。絶縁性樹脂として
は、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エポキ
シ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート等の縮合樹脂
や、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリアクリルア
ミド、ポリビニルブチラールのようなビニル重合体等が
挙げられる。
【0077】表面保護層の膜厚は光透過率が低くならな
い程度、すなわち15μm以下にすることが好ましく、
0.5μm〜9μmがより好ましい。
い程度、すなわち15μm以下にすることが好ましく、
0.5μm〜9μmがより好ましい。
【0078】さらに、表面の潤滑性向上のために、表面
層としての電荷輸送層若しくは保護層中にポリテトラフ
ルオロエチレンのような離型性固体粒子を含有すること
も可能である。また、他の表面保護層の例としてポリマ
ー成分中に電荷輸送性機能を織り込んだ高分子電荷輸送
剤を用いることや、シリコーンハードコート剤等の強靭
なコート剤中に低分子の電荷輸送剤を分子分散させるな
どして電荷輸送機能機能をもたせた保護層も可能であ
る。ポリマー成分中に電荷輸送機能を織り込んだ保護層
の例としてシリコーンポリマー中に電荷輸送材料機能基
を織り込んだ保護層が挙げられる。
層としての電荷輸送層若しくは保護層中にポリテトラフ
ルオロエチレンのような離型性固体粒子を含有すること
も可能である。また、他の表面保護層の例としてポリマ
ー成分中に電荷輸送性機能を織り込んだ高分子電荷輸送
剤を用いることや、シリコーンハードコート剤等の強靭
なコート剤中に低分子の電荷輸送剤を分子分散させるな
どして電荷輸送機能機能をもたせた保護層も可能であ
る。ポリマー成分中に電荷輸送機能を織り込んだ保護層
の例としてシリコーンポリマー中に電荷輸送材料機能基
を織り込んだ保護層が挙げられる。
【0079】次に、本発明の電子写真装置について説明
する。
する。
【0080】図6は本発明の電子写真装置の好適な一実
施形態を示す概略構成図である。図6においては、本発
明の電子写真感光体1が支持体9によって保持されてお
り、電子写真感光体1は支持体9を中心として矢印の方
向に所定の回転速度で回転駆動される。この回転過程に
おいて、電源(図示せず)から電圧の供給を受けた帯電
部材10により、電子写真感光体体1はその周面に正ま
たは負の所定電位の均一帯電を受ける。次に、画像入力
手段11にて電子写真感光体1が光像露光を受け、電子
写真感光体1の周面に露光像に対応した静電潜像が形成
される。その後、現像手段12にて現像剤によりトナー
像が形成され、転写手段13にて前記トナー像が被転写
体Pに転写される。トナー像が転写された後の被転写体
Pは像定着手段14にて像定着を受けて複写物としてプ
リントアウトされる。転写工程後の電子写真感光体1は
クリーニング手段15にてその周面に残存したトナーの
除去を受けて清浄面化されて繰り返して像形成に使用さ
れる。
施形態を示す概略構成図である。図6においては、本発
明の電子写真感光体1が支持体9によって保持されてお
り、電子写真感光体1は支持体9を中心として矢印の方
向に所定の回転速度で回転駆動される。この回転過程に
おいて、電源(図示せず)から電圧の供給を受けた帯電
部材10により、電子写真感光体体1はその周面に正ま
たは負の所定電位の均一帯電を受ける。次に、画像入力
手段11にて電子写真感光体1が光像露光を受け、電子
写真感光体1の周面に露光像に対応した静電潜像が形成
される。その後、現像手段12にて現像剤によりトナー
像が形成され、転写手段13にて前記トナー像が被転写
体Pに転写される。トナー像が転写された後の被転写体
Pは像定着手段14にて像定着を受けて複写物としてプ
リントアウトされる。転写工程後の電子写真感光体1は
クリーニング手段15にてその周面に残存したトナーの
除去を受けて清浄面化されて繰り返して像形成に使用さ
れる。
【0081】ここで、本発明にかかる帯電手段として
は、例えばローラー状、ブラシ状、フィルム状又はピン
電極状の導電性又は半導電性の帯電部材を用いた接触型
帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコ
ロトロン帯電器などの非接触型帯電器などが挙げられ
る。
は、例えばローラー状、ブラシ状、フィルム状又はピン
電極状の導電性又は半導電性の帯電部材を用いた接触型
帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコ
ロトロン帯電器などの非接触型帯電器などが挙げられ
る。
【0082】本発明にかかる接触型帯電器としてローラ
ー状帯電部材を備えるものを用いる場合、ローラー状帯
電部材を電子写真感光体に接触させることによって、駆
動手段を設けることなくローラー状帯電部材を電子写真
感光体と同じ周速度で回転させることができる。また、
ローラー状帯電部材に所定の駆動手段を取り付け、電子
写真感光体の周速度と異なる周速度で回転させても良
い。ローラー状帯電部材の芯材としては、鉄、銅、真
鍮、ステンレス、アルミニウム、ニッケルなどの導電性
を有する材料や、導電性粒子等を分散した樹脂成形品な
どを用いることができる。また、ローラー状帯電部材の
弾性層の材料としては、EPDM、ポリブタジエン、天
然ゴム、ポリイソブチレン、SBR、CR、NBR、シ
リコンゴム、ウレタンゴム、エピクロルヒドリンゴム、
SBS、熱可塑性エラストマー、ノルボーネンゴム、フ
ロロシリコーンゴム、エチレンオキシドゴムなどのゴム
材に、カーボンブラック、亜鉛、アルミニウム、銅、
鉄、ニッケル、クロム、チタニウムなどの金属、ZnO
−Al2O3、SnO2−Sb2O3、In2O3−SnO2、
ZnO−TiO2、MgO−Al2O3、FeO−Ti
O2、TiO2、SnO2、Sb 2O3、In2O3、Zn
O、MgOなどの金属酸化物、等の導電性粒子あるいは
半導電性粒子を分散した材料が好ましく用いられる。さ
らに、ローラー状帯電部材の抵抗層及び保護層の材料と
しては、上記の導電性粒子あるいは半導電性粒子をアク
リル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、メトキシ
メチル化ナイロン、エトキシメチル化ナイロン、ポリウ
レタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニル樹脂、ポリアリレー
ト樹脂、ポリチオフェン樹脂、PFA、FEP、PET
などのポリオレフィン樹脂、スチレンブタジエン樹脂に
分散し、その抵抗を制御したものが好ましく用いられ
る。なお、抵抗層及び保護層の抵抗率は好ましくは10
3〜1014Ωcm、より好ましくは106〜1012Ωc
m、さらに好ましくは107〜1012Ωcmである。ま
た、抵抗層及び保護層の膜厚はそれぞれ好ましくは0.
01〜1000μm、より好ましくは0.1〜500μ
m、さらに好ましくは0.5〜100μmである。さら
に、抵抗層及び保護層には、必要に応じてヒンダードフ
ェノール、ヒンダードアミン等の酸化防止剤、クレー、
カオリン等の充填剤や、シリコーンオイル等の潤滑剤を
添加することができる。これらの層を形成する手段とし
てはブレードコーティング法、マイヤーバーコーティン
グ法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、
ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、
カーテンコーティング法等を用いることができる。
ー状帯電部材を備えるものを用いる場合、ローラー状帯
電部材を電子写真感光体に接触させることによって、駆
動手段を設けることなくローラー状帯電部材を電子写真
感光体と同じ周速度で回転させることができる。また、
ローラー状帯電部材に所定の駆動手段を取り付け、電子
写真感光体の周速度と異なる周速度で回転させても良
い。ローラー状帯電部材の芯材としては、鉄、銅、真
鍮、ステンレス、アルミニウム、ニッケルなどの導電性
を有する材料や、導電性粒子等を分散した樹脂成形品な
どを用いることができる。また、ローラー状帯電部材の
弾性層の材料としては、EPDM、ポリブタジエン、天
然ゴム、ポリイソブチレン、SBR、CR、NBR、シ
リコンゴム、ウレタンゴム、エピクロルヒドリンゴム、
SBS、熱可塑性エラストマー、ノルボーネンゴム、フ
ロロシリコーンゴム、エチレンオキシドゴムなどのゴム
材に、カーボンブラック、亜鉛、アルミニウム、銅、
鉄、ニッケル、クロム、チタニウムなどの金属、ZnO
−Al2O3、SnO2−Sb2O3、In2O3−SnO2、
ZnO−TiO2、MgO−Al2O3、FeO−Ti
O2、TiO2、SnO2、Sb 2O3、In2O3、Zn
O、MgOなどの金属酸化物、等の導電性粒子あるいは
半導電性粒子を分散した材料が好ましく用いられる。さ
らに、ローラー状帯電部材の抵抗層及び保護層の材料と
しては、上記の導電性粒子あるいは半導電性粒子をアク
リル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、メトキシ
メチル化ナイロン、エトキシメチル化ナイロン、ポリウ
レタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニル樹脂、ポリアリレー
ト樹脂、ポリチオフェン樹脂、PFA、FEP、PET
などのポリオレフィン樹脂、スチレンブタジエン樹脂に
分散し、その抵抗を制御したものが好ましく用いられ
る。なお、抵抗層及び保護層の抵抗率は好ましくは10
3〜1014Ωcm、より好ましくは106〜1012Ωc
m、さらに好ましくは107〜1012Ωcmである。ま
た、抵抗層及び保護層の膜厚はそれぞれ好ましくは0.
01〜1000μm、より好ましくは0.1〜500μ
m、さらに好ましくは0.5〜100μmである。さら
に、抵抗層及び保護層には、必要に応じてヒンダードフ
ェノール、ヒンダードアミン等の酸化防止剤、クレー、
カオリン等の充填剤や、シリコーンオイル等の潤滑剤を
添加することができる。これらの層を形成する手段とし
てはブレードコーティング法、マイヤーバーコーティン
グ法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、
ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、
カーテンコーティング法等を用いることができる。
【0083】上記の接触型帯電器を用いて電子写真感光
体を帯電させる場合、ローラー状帯電部材に電圧が印加
されるが、印加電圧は直流電圧又は直流電圧に交流電圧
を重畳したものが好ましい。電圧の範囲としては、直流
電圧は要求される感光体帯電電位に応じて正または負の
50〜2000Vであることが好ましく、100〜15
00Vであることがより好ましい。他方、直流電圧に交
流電圧を重畳する場合は、ピーク間電圧が400〜18
00Vであることが好ましく、800〜1600Vであ
ることがより好ましく、1200〜1600Vであるこ
とがさらに好ましい。また、重畳する交流電圧の周波数
は好ましくは50〜20000Hz、より好ましくは1
00〜5000Hzである。
体を帯電させる場合、ローラー状帯電部材に電圧が印加
されるが、印加電圧は直流電圧又は直流電圧に交流電圧
を重畳したものが好ましい。電圧の範囲としては、直流
電圧は要求される感光体帯電電位に応じて正または負の
50〜2000Vであることが好ましく、100〜15
00Vであることがより好ましい。他方、直流電圧に交
流電圧を重畳する場合は、ピーク間電圧が400〜18
00Vであることが好ましく、800〜1600Vであ
ることがより好ましく、1200〜1600Vであるこ
とがさらに好ましい。また、重畳する交流電圧の周波数
は好ましくは50〜20000Hz、より好ましくは1
00〜5000Hzである。
【0084】また、露光手段としては、前記電子写真感
光体表面に、半導体レーザー、LED(light e
mitting diode)、液晶シャッターなどの
光源を所望の像様に露光できる光学系装置等;現像手段
としては、一成分系、ニ成分系などの正規または反転現
像剤を用いた従来より公知の現像手段等;転写装置とし
ては、ベルト、ローラー、フィルム、ゴムブレード等を
用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロ
トロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げら
れる。
光体表面に、半導体レーザー、LED(light e
mitting diode)、液晶シャッターなどの
光源を所望の像様に露光できる光学系装置等;現像手段
としては、一成分系、ニ成分系などの正規または反転現
像剤を用いた従来より公知の現像手段等;転写装置とし
ては、ベルト、ローラー、フィルム、ゴムブレード等を
用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロ
トロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げら
れる。
【0085】なお、図6には示していないが、本発明の
電子写真装置は中間転写手段を備えるものであってもよ
い。本発明にかかる中間転写手段としては、導電性支持
体上にゴム、エラストマー、樹脂などを含む弾性層と少
なくとも1層の被服層とが積層された構造を有するもの
を使用することができ、その材料としては使用される材
料は、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリブタジエ
ン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、
ポリエチレン系樹脂、フッ素樹脂等の樹脂に対して、導
電性のカーボン粒子や金属粉等を分散混合させたもの等
が挙げられる。また、前記中間転写手段の形状として
は、ローラー状、ベルト状等が挙げられる。
電子写真装置は中間転写手段を備えるものであってもよ
い。本発明にかかる中間転写手段としては、導電性支持
体上にゴム、エラストマー、樹脂などを含む弾性層と少
なくとも1層の被服層とが積層された構造を有するもの
を使用することができ、その材料としては使用される材
料は、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリブタジエ
ン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、
ポリエチレン系樹脂、フッ素樹脂等の樹脂に対して、導
電性のカーボン粒子や金属粉等を分散混合させたもの等
が挙げられる。また、前記中間転写手段の形状として
は、ローラー状、ベルト状等が挙げられる。
【0086】さらに、本発明においては、上記本発明の
電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニン
グ手段からなる群より選ばれる少なくとも1種と、を備
える本発明のプロセスカートリッジを用いることによっ
て、プロセスカートリッジが備える所定の手段と電子写
真装置との脱着作業を効率且つ確実に行うことが可能と
なる。
電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニン
グ手段からなる群より選ばれる少なくとも1種と、を備
える本発明のプロセスカートリッジを用いることによっ
て、プロセスカートリッジが備える所定の手段と電子写
真装置との脱着作業を効率且つ確実に行うことが可能と
なる。
【0087】
【実施例】以下、場合により図面を参照しつつ本発明を
更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら
限定されるものではない。
更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら
限定されるものではない。
【0088】実施例1 (電子写真感光体の作製)ブチラール樹脂(BM−1、
積水化学社製)6重量部、ブロック化イソシアネート
(スミジュール3175、住友バイエルンウレタン社
製)12重量部、酸化亜鉛微粒子(MZ300、テイカ
社製、BET値:40m2/g)41重量部、シリコー
ンボール(トスパール120、東芝シリコーン社製)1
重量部、側鎖型アミノ変性シリコーンオイル(KF80
03、信越シリコーン社製)100重量ppm及びメチ
ルエチルケトン52重量部を混合し、バッチ式ミルで1
0時間の分散処理を行って塗工液を調製した。この塗工
液を導電層としての円筒状アルミニウム基材(外径:8
4mm、肉厚:1mm、長さ:340mm)に塗布し、
150℃で30分の乾燥硬化を行い、膜厚20μmの下
引き層を形成した。得られた下引き層の表面粗さは0.
125μmであった。
積水化学社製)6重量部、ブロック化イソシアネート
(スミジュール3175、住友バイエルンウレタン社
製)12重量部、酸化亜鉛微粒子(MZ300、テイカ
社製、BET値:40m2/g)41重量部、シリコー
ンボール(トスパール120、東芝シリコーン社製)1
重量部、側鎖型アミノ変性シリコーンオイル(KF80
03、信越シリコーン社製)100重量ppm及びメチ
ルエチルケトン52重量部を混合し、バッチ式ミルで1
0時間の分散処理を行って塗工液を調製した。この塗工
液を導電層としての円筒状アルミニウム基材(外径:8
4mm、肉厚:1mm、長さ:340mm)に塗布し、
150℃で30分の乾燥硬化を行い、膜厚20μmの下
引き層を形成した。得られた下引き層の表面粗さは0.
125μmであった。
【0089】次に、CuKα線を用いたX線回折スペク
トルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.4°、1
6.6°、25.5°、28.3°の位置に回折ピーク
を有する塩化ガリウムフタロシアニン15重量部、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂(VMCH、日本ユニ
カー社製)10重量部及びn−ブチルアルコール300
重量部を混合し、サンドミルで4時間の分散処理を行っ
て塗工液を調製した。この塗工液を上記の下引き層上に
塗布し、100℃で10分の乾燥を行い、膜厚0.2μ
mの電荷発生層を形成した。
トルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.4°、1
6.6°、25.5°、28.3°の位置に回折ピーク
を有する塩化ガリウムフタロシアニン15重量部、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂(VMCH、日本ユニ
カー社製)10重量部及びn−ブチルアルコール300
重量部を混合し、サンドミルで4時間の分散処理を行っ
て塗工液を調製した。この塗工液を上記の下引き層上に
塗布し、100℃で10分の乾燥を行い、膜厚0.2μ
mの電荷発生層を形成した。
【0090】更に、N,N’−ジフェニル−N,N’−
ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’]ビフェニル
−4,4’−ジアミン4重量部及びビスフェノールZポ
リカーボネート樹脂(平均分子量:40,000)6重
量部をクロロベンゼン80重量部に溶解して得られた塗
工液を上記の電荷発生層上に塗布し、130℃で40分
の乾燥を行い、膜厚25μmの電荷輸送層を形成して目
的の電子写真感光体を得た。
ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’]ビフェニル
−4,4’−ジアミン4重量部及びビスフェノールZポ
リカーボネート樹脂(平均分子量:40,000)6重
量部をクロロベンゼン80重量部に溶解して得られた塗
工液を上記の電荷発生層上に塗布し、130℃で40分
の乾燥を行い、膜厚25μmの電荷輸送層を形成して目
的の電子写真感光体を得た。
【0091】上記の電子写真感光体について、帯電装置
及び露光装置を有する電気特性試験機(EPA−810
0、川口電気社製)を用いて帯電電位及び残留電位の測
定を行った。得られた結果を表1に示す。
及び露光装置を有する電気特性試験機(EPA−810
0、川口電気社製)を用いて帯電電位及び残留電位の測
定を行った。得られた結果を表1に示す。
【0092】(電子写真装置の作製)上記の電子写真感
光体、接触型帯電器、露光手段、カラー用現像手段、中
間転写体を備える転写手段、定着手段及びクリーニング
を備えるフルカラープリンターを作製した。なお、得ら
れた電子写真装置の構成は、電子写真感光体以外は富士
ゼロックス社製フルカラープリンターDocu Pri
nt C620と同様である。
光体、接触型帯電器、露光手段、カラー用現像手段、中
間転写体を備える転写手段、定着手段及びクリーニング
を備えるフルカラープリンターを作製した。なお、得ら
れた電子写真装置の構成は、電子写真感光体以外は富士
ゼロックス社製フルカラープリンターDocu Pri
nt C620と同様である。
【0093】次に、得られた電子写真装置を用いて1万
枚連続プリント試験を行い、初期及び1万枚プリント時
の画像における黒点数を測定すると共に、リークの発生
の有無について評価した。得られた結果を表1に示す。
なお、表1中の黒点数は、10cm2の画像領域におけ
る個数を意味し、かぶり等の画質欠陥の指標となるもの
である(表2、3についても同様である)。
枚連続プリント試験を行い、初期及び1万枚プリント時
の画像における黒点数を測定すると共に、リークの発生
の有無について評価した。得られた結果を表1に示す。
なお、表1中の黒点数は、10cm2の画像領域におけ
る個数を意味し、かぶり等の画質欠陥の指標となるもの
である(表2、3についても同様である)。
【0094】実施例2〜8 実施例2〜8においては、それぞれ実施例1における側
鎖型アミノ変性シリコーンオイルの代わりに表1に示す
シリコーンオイルを用いたこと以外は実施例1と同様に
して、電子写真感光体を作製した。得られた電子写真感
光体の下引き層の表面粗さを表1に示す。
鎖型アミノ変性シリコーンオイルの代わりに表1に示す
シリコーンオイルを用いたこと以外は実施例1と同様に
して、電子写真感光体を作製した。得られた電子写真感
光体の下引き層の表面粗さを表1に示す。
【0095】次に、得られた電子写真感光体について、
実施例1と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行
った。得られた結果を表1に示す。
実施例1と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行
った。得られた結果を表1に示す。
【0096】更に、得られた電子写真感光体を用いたこ
と以外は実施例1と同様にして電子写真装置を作製し、
1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚プリ
ント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の有無
を表1に示す。
と以外は実施例1と同様にして電子写真装置を作製し、
1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚プリ
ント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の有無
を表1に示す。
【0097】比較例1 下引き層の形成工程においてシリコーンオイルを用いな
かったこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光
体を作製した。得られた電子写真感光体の下引き層の表
面粗さを表1に示す。
かったこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光
体を作製した。得られた電子写真感光体の下引き層の表
面粗さを表1に示す。
【0098】次に、得られた電子写真感光体について、
実施例1と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行
った。得られた結果を表1に示す。
実施例1と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行
った。得られた結果を表1に示す。
【0099】更に、得られた電子写真感光体を用いたこ
と以外は実施例1と同様にして電子写真装置を作製し、
1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚プリ
ント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の有無
を表1に示す。
と以外は実施例1と同様にして電子写真装置を作製し、
1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚プリ
ント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の有無
を表1に示す。
【0100】
【表1】
【0101】実施例9 (電子写真感光体の作製)ブチラール樹脂(BM−1、
積水化学社製)10重量部、ブロック化イソシアネート
(スミジュール3475、住友バイエルンウレタン社
製)10重量部、酸化チタン微粒子(E100、チタン
工業社製、BET値:30m2/g)35重量部、シリ
コーンボール(トスパール120、東芝シリコーン社
製)5重量部、側鎖型アミノ変性シリコーンオイル(K
F8003、信越シリコーン社製)0.1重量部及びメ
チルエチルケトン50重量部を混合し、バッチ式ミルで
2時間の分散処理を行って塗工液を調製した。この塗工
液を導電層としての円筒状アルミニウム基材(外径:8
4mm、肉厚:1mm、長さ:340mm)に塗布し、
150℃で30分の乾燥硬化を行い、膜厚20μmの下
引き層を形成した。得られた下引き層の表面粗さを表2
に示す。
積水化学社製)10重量部、ブロック化イソシアネート
(スミジュール3475、住友バイエルンウレタン社
製)10重量部、酸化チタン微粒子(E100、チタン
工業社製、BET値:30m2/g)35重量部、シリ
コーンボール(トスパール120、東芝シリコーン社
製)5重量部、側鎖型アミノ変性シリコーンオイル(K
F8003、信越シリコーン社製)0.1重量部及びメ
チルエチルケトン50重量部を混合し、バッチ式ミルで
2時間の分散処理を行って塗工液を調製した。この塗工
液を導電層としての円筒状アルミニウム基材(外径:8
4mm、肉厚:1mm、長さ:340mm)に塗布し、
150℃で30分の乾燥硬化を行い、膜厚20μmの下
引き層を形成した。得られた下引き層の表面粗さを表2
に示す。
【0102】次に、CuKα線を用いたX線回折スペク
トルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.5°、
9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、2
5.1°、28.1°の位置に回折ピークを有するヒド
ロキシガリウムフタロシアニン15重量部、ブチラール
樹脂(BM−1、積水化学社製)10重量部及びn−ブ
チルアルコール300重量部を混合し、サンドミルで4
時間の分散処理を行って塗工液を調製した。この塗工液
を上記の下引き層上に塗布し、100℃で10分の乾燥
を行い、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成した。
トルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.5°、
9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、2
5.1°、28.1°の位置に回折ピークを有するヒド
ロキシガリウムフタロシアニン15重量部、ブチラール
樹脂(BM−1、積水化学社製)10重量部及びn−ブ
チルアルコール300重量部を混合し、サンドミルで4
時間の分散処理を行って塗工液を調製した。この塗工液
を上記の下引き層上に塗布し、100℃で10分の乾燥
を行い、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成した。
【0103】更に、ジ(3,4−ジメチルフェニル)
(4−フェニル)アミン2重量部、N,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,
1’]ビフェニル−4,4’−ジアミン2重量部、ビス
フェノールZポリカーボネート樹脂(平均分子量:4
0,000)6重量部及び2,6−ジ−t−ブチル−4
−メチルフェノール0.2重量部をテトラヒドロフラン
80重量部に溶解して得られた塗工液を、上記の電荷発
生層上に塗布し、120℃で40分の乾燥を行い、膜厚
25μmの電荷輸送層を形成して目的の電子写真感光体
を得た。
(4−フェニル)アミン2重量部、N,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,
1’]ビフェニル−4,4’−ジアミン2重量部、ビス
フェノールZポリカーボネート樹脂(平均分子量:4
0,000)6重量部及び2,6−ジ−t−ブチル−4
−メチルフェノール0.2重量部をテトラヒドロフラン
80重量部に溶解して得られた塗工液を、上記の電荷発
生層上に塗布し、120℃で40分の乾燥を行い、膜厚
25μmの電荷輸送層を形成して目的の電子写真感光体
を得た。
【0104】得られた電子写真感光体について、実施例
1と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行った。
得られた結果を表2に示す。
1と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行った。
得られた結果を表2に示す。
【0105】(電子写真装置の作製)得られた電子写真
感光体を用いたこと以外は実施例1と同様にして電子写
真感光体を作製し、1万枚連続プリント試験を行った。
初期及び1万枚プリント時の画像における黒点数、並び
にリーク発生の有無を表2に示す。
感光体を用いたこと以外は実施例1と同様にして電子写
真感光体を作製し、1万枚連続プリント試験を行った。
初期及び1万枚プリント時の画像における黒点数、並び
にリーク発生の有無を表2に示す。
【0106】実施例10〜16 実施例10〜16においては、それぞれ実施例9におけ
る側鎖型アミノ変性シリコーンオイルの代わりに表2に
示すシリコーンオイルを用いたこと以外は実施例1と同
様にして、電子写真感光体を作製した。得られた電子写
真感光体の下引き層の表面粗さを表2に示す。
る側鎖型アミノ変性シリコーンオイルの代わりに表2に
示すシリコーンオイルを用いたこと以外は実施例1と同
様にして、電子写真感光体を作製した。得られた電子写
真感光体の下引き層の表面粗さを表2に示す。
【0107】次に、得られた電子写真感光体について、
実施例9と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行
った。得られた結果を表2に示す。
実施例9と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行
った。得られた結果を表2に示す。
【0108】更に、得られた電子写真感光体を用いたこ
と以外は実施例9と同様にして電子写真装置を作製し、
1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚プリ
ント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の有無
を表2に示す。
と以外は実施例9と同様にして電子写真装置を作製し、
1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚プリ
ント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の有無
を表2に示す。
【0109】比較例2 下引き層の形成工程においてシリコーンオイルを用いな
かったこと以外は実施例9と同様にして、電子写真感光
体を作製した。得られた電子写真感光体の下引き層の表
面粗さを表2に示す。
かったこと以外は実施例9と同様にして、電子写真感光
体を作製した。得られた電子写真感光体の下引き層の表
面粗さを表2に示す。
【0110】次に、得られた電子写真感光体について、
実施例9と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行
った。得られた結果を表2に示す。
実施例9と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行
った。得られた結果を表2に示す。
【0111】更に、得られた電子写真感光体を用いたこ
と以外は実施例9と同様にして電子写真装置を作製し、
1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚プリ
ント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の有無
を表2に示す。
と以外は実施例9と同様にして電子写真装置を作製し、
1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚プリ
ント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の有無
を表2に示す。
【0112】
【表2】
【0113】実施例17 (電子写真感光体の作製)ブチラール樹脂(BM−1、
積水化学社製)6重量部、ブロック化イソシアネート
(スミジュール3175、住友バイエルンウレタン社
製)10重量部、酸化スズ微粒子(Nanotek T
in Oxide、nanofine社製、BET値:
50m2/g)50重量部、シリコーンボール(トスパ
ール120、東芝シリコーン社製)2重量部、側鎖型ア
ミノ変性シリコーンオイル(KF8003、信越シリコ
ーン社製)0.1重量部及びn−ブチルアルコール50
重量部を混合し、バッチ式ミルで10時間の分散処理を
行って塗工液を調製した。この塗工液を導電層としての
円筒状アルミニウム基材(外径:84mm、肉厚:1m
m、長さ:340mm)に塗布し、150℃で30分の
乾燥硬化を行い、膜厚20μmの第一の下引き層を形成
した。得られた第一の下引き層の表面粗さを表1に示
す。
積水化学社製)6重量部、ブロック化イソシアネート
(スミジュール3175、住友バイエルンウレタン社
製)10重量部、酸化スズ微粒子(Nanotek T
in Oxide、nanofine社製、BET値:
50m2/g)50重量部、シリコーンボール(トスパ
ール120、東芝シリコーン社製)2重量部、側鎖型ア
ミノ変性シリコーンオイル(KF8003、信越シリコ
ーン社製)0.1重量部及びn−ブチルアルコール50
重量部を混合し、バッチ式ミルで10時間の分散処理を
行って塗工液を調製した。この塗工液を導電層としての
円筒状アルミニウム基材(外径:84mm、肉厚:1m
m、長さ:340mm)に塗布し、150℃で30分の
乾燥硬化を行い、膜厚20μmの第一の下引き層を形成
した。得られた第一の下引き層の表面粗さを表1に示
す。
【0114】次に、ポリビニルブチラール樹脂(エスレ
ックBM−S、積水化学社製)4重量部を溶解したn−
ブチルアルコール170重量部、有機ジルコニウム化合
物(アセチルアセトンジルコニウムブチレート)30重
量部及び有機シラン化合物(γ−アミノブロピルトリエ
トキシシラン)3重量部を攪拌混合して塗工液を得た。
この塗工液を上記の第一の下引き層上に塗布し、室温で
5分間風乾した後、50℃、85%RH(露点:47
℃)の恒温恒湿槽に入れて10分間加湿硬化促進処理を
行った。更に、熱風乾燥機を用いて135℃で10分間
乾燥させて膜厚1μmの第二の下引き層を形成した。
ックBM−S、積水化学社製)4重量部を溶解したn−
ブチルアルコール170重量部、有機ジルコニウム化合
物(アセチルアセトンジルコニウムブチレート)30重
量部及び有機シラン化合物(γ−アミノブロピルトリエ
トキシシラン)3重量部を攪拌混合して塗工液を得た。
この塗工液を上記の第一の下引き層上に塗布し、室温で
5分間風乾した後、50℃、85%RH(露点:47
℃)の恒温恒湿槽に入れて10分間加湿硬化促進処理を
行った。更に、熱風乾燥機を用いて135℃で10分間
乾燥させて膜厚1μmの第二の下引き層を形成した。
【0115】次に、CuKα線を用いたX線回折スペク
トルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.5°、
9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、2
5.1°、28.1°の位置に回折ピークを有するヒド
ロキシガリウムフタロシアニン15重量部、ブチラール
樹脂(BM−1、積水化学社製)10重量部及びn−ブ
チルアルコール300重量部を混合し、サンドミルで4
時間の分散処理を行って塗工液を調製した。この塗工液
を上記の第二の下引き層上に塗布し、100℃で10分
の乾燥を行い、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成し
た。
トルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.5°、
9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、2
5.1°、28.1°の位置に回折ピークを有するヒド
ロキシガリウムフタロシアニン15重量部、ブチラール
樹脂(BM−1、積水化学社製)10重量部及びn−ブ
チルアルコール300重量部を混合し、サンドミルで4
時間の分散処理を行って塗工液を調製した。この塗工液
を上記の第二の下引き層上に塗布し、100℃で10分
の乾燥を行い、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成し
た。
【0116】更に、ジ(3,4−ジメチルフェニル)
(4−フェニル)アミン2重量部、N,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,
1’]ビフェニル−4,4’−ジアミン2重量部、ビス
フェノールZポリカーボネート樹脂(平均分子量:4
0,000)2重量部及び2,6−ジ−t−ブチル−4
−メチルフェノール0.2重量部をテトラヒドロフラン
80重量部に溶解して得られた塗工液を、上記の電荷発
生層上に塗布し、120℃で40分の乾燥を行い、膜厚
25μmの電荷輸送層を形成して目的の電子写真感光体
を得た。
(4−フェニル)アミン2重量部、N,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,
1’]ビフェニル−4,4’−ジアミン2重量部、ビス
フェノールZポリカーボネート樹脂(平均分子量:4
0,000)2重量部及び2,6−ジ−t−ブチル−4
−メチルフェノール0.2重量部をテトラヒドロフラン
80重量部に溶解して得られた塗工液を、上記の電荷発
生層上に塗布し、120℃で40分の乾燥を行い、膜厚
25μmの電荷輸送層を形成して目的の電子写真感光体
を得た。
【0117】得られた電子写真感光体について、実施例
1と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行った。
得られた結果を表3に示す。
1と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を行った。
得られた結果を表3に示す。
【0118】(電子写真装置の作製)得られた電子写真
感光体を用いたこと以外は実施例1と同様にして電子写
真感光体を作製し、1万枚連続プリント試験を行った。
初期及び1万枚プリント時の画像における黒点数、並び
にリーク発生の有無を表3に示す。
感光体を用いたこと以外は実施例1と同様にして電子写
真感光体を作製し、1万枚連続プリント試験を行った。
初期及び1万枚プリント時の画像における黒点数、並び
にリーク発生の有無を表3に示す。
【0119】実施例18〜24 実施例18〜24においては、それぞれ実施例17にお
ける側鎖型アミノ変性シリコーンオイルの代わりに表3
に示すシリコーンオイルを用いたこと以外は実施例1と
同様にして、電子写真感光体を作製した。得られた電子
写真感光体の下引き層の表面粗さを表3に示す。
ける側鎖型アミノ変性シリコーンオイルの代わりに表3
に示すシリコーンオイルを用いたこと以外は実施例1と
同様にして、電子写真感光体を作製した。得られた電子
写真感光体の下引き層の表面粗さを表3に示す。
【0120】次に、得られた電子写真感光体について、
実施例17と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を
行った。得られた結果を表3に示す。
実施例17と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を
行った。得られた結果を表3に示す。
【0121】更に、得られた電子写真感光体を用いたこ
と以外は実施例17と同様にして電子写真装置を作製
し、1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚
プリント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の
有無を表3に示す。
と以外は実施例17と同様にして電子写真装置を作製
し、1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚
プリント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の
有無を表3に示す。
【0122】比較例3 下引き層の形成工程においてシリコーンオイルを用いな
かったこと以外は実施例17と同様にして、電子写真感
光体を作製した。得られた電子写真感光体の下引き層の
表面粗さを表3に示す。
かったこと以外は実施例17と同様にして、電子写真感
光体を作製した。得られた電子写真感光体の下引き層の
表面粗さを表3に示す。
【0123】次に、得られた電子写真感光体について、
実施例17と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を
行った。得られた結果を表3に示す。
実施例17と同様にして帯電電位及び残留電位の測定を
行った。得られた結果を表3に示す。
【0124】更に、得られた電子写真感光体を用いたこ
と以外は実施例17と同様にして電子写真装置を作製
し、1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚
プリント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の
有無を表3に示す。
と以外は実施例17と同様にして電子写真装置を作製
し、1万枚連続プリント試験を行った。初期及び1万枚
プリント時の画像における黒点数、並びにリーク発生の
有無を表3に示す。
【0125】
【表3】
【0126】表1〜3に示す結果からも明らかなよう
に、実施例1〜24においては、下引き層を形成する際
の成膜性が十分に高く、下引き層に適度の表面粗さを付
与することができた。また、得られた電子写真感光体は
いずれも電気特性試験において十分に高い帯電電位と十
分に低い残留電位を示した。更に、これらの電子写真感
光体を備える電子写真装置においては、1万枚プリント
時の画像であっても、かぶり等の画質欠陥を生じること
なく良好な画像品質が得られることが確認された。
に、実施例1〜24においては、下引き層を形成する際
の成膜性が十分に高く、下引き層に適度の表面粗さを付
与することができた。また、得られた電子写真感光体は
いずれも電気特性試験において十分に高い帯電電位と十
分に低い残留電位を示した。更に、これらの電子写真感
光体を備える電子写真装置においては、1万枚プリント
時の画像であっても、かぶり等の画質欠陥を生じること
なく良好な画像品質が得られることが確認された。
【0127】これに対して、比較例1〜3においては、
下引き層を形成する際の成膜性が不十分であり、下引き
層の表面粗さが過剰に大きくなった。また、得られた電
子写真感光体はいずれも電気特性試験において低い帯電
電位及び高い残留電位を示した。更に、これらの電子写
真感光体を備える電子写真装置においては、初期画像の
段階から多数の黒点が認められ、かぶり等の画質欠陥を
防止することができなかった。
下引き層を形成する際の成膜性が不十分であり、下引き
層の表面粗さが過剰に大きくなった。また、得られた電
子写真感光体はいずれも電気特性試験において低い帯電
電位及び高い残留電位を示した。更に、これらの電子写
真感光体を備える電子写真装置においては、初期画像の
段階から多数の黒点が認められ、かぶり等の画質欠陥を
防止することができなかった。
【0128】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の電子写真感
光体においては、下引き層を形成するに際し、膜厚むら
や剥がれを生じることなく下引き層の膜厚を増加すると
共に抵抗を低減することができる。従って、本発明の電
子写真感光体及び電子写真装置によって、接触帯電方式
により帯電させた場合であってもかぶり等の画質欠陥を
十分に防止することが可能となる。
光体においては、下引き層を形成するに際し、膜厚むら
や剥がれを生じることなく下引き層の膜厚を増加すると
共に抵抗を低減することができる。従って、本発明の電
子写真感光体及び電子写真装置によって、接触帯電方式
により帯電させた場合であってもかぶり等の画質欠陥を
十分に防止することが可能となる。
【図1】本発明の電子写真感光体の好適な一実施形態を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図2】本発明の電子写真感光体の他の好適な実施形態
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【図3】本発明の電子写真感光体の他の好適な実施形態
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【図4】本発明の電子写真感光体の他の好適な実施形態
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【図5】本発明の電子写真感光体の他の好適な実施形態
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【図6】本発明の電子写真装置の好適な一実施形態を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
1…電子写真感光体、2…導電層、3…感光層、4…下
引き層、5…電荷発生層、6…電荷輸送層、7…保護
層、8…単層型感光層、9…支持体、10…帯電手段、
11…画像入力手段、12…現像手段、13…転写手
段、14…像定着手段、15…クリーニング手段。
引き層、5…電荷発生層、6…電荷輸送層、7…保護
層、8…単層型感光層、9…支持体、10…帯電手段、
11…画像入力手段、12…現像手段、13…転写手
段、14…像定着手段、15…クリーニング手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 額田 秀美 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内 (72)発明者 中村 博史 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内 (72)発明者 上條 由紀子 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内 (72)発明者 山崎 一夫 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内 (72)発明者 岩崎 真宏 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内 Fターム(参考) 2H068 AA44 BB32 CA22 CA29 CA37
Claims (5)
- 【請求項1】 導電層、下引き層、感光層がこの順序で
積層された電子写真感光体であって、 前記下引き層が金属酸化物微粒子とシリコーンオイルと
結着樹脂とを含有することを特徴とする電子写真感光
体。 - 【請求項2】 前記金属酸化物微粒子が酸化亜鉛、酸化
チタン及び酸化スズからなる群より選ばれる少なくとも
1種であることを特徴とする、請求項1に記載の電子写
真感光体。 - 【請求項3】 前記金属酸化物微粒子のBET比表面積
が10m2/g以上であることを特徴とする、請求項1
又は2に記載の電子写真感光体。 - 【請求項4】 前記下引き層の膜厚が3〜30nmであ
ることを特徴とする、請求項1〜3のうちのいずれか一
項に記載の電子写真感光体。 - 【請求項5】 請求項1〜4のうちのいずれか一項に記
載の電子写真感光体と、 前記電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、 前記電子写真感光体上に静電潜像を形成する画像入力手
段と、 前記電子写真感光体上に形成された静電潜像をトナーに
より現像してトナー像を形成する現像手段と、 前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、 前記電子写真感光体の表面に残存したトナーを除去する
クリーニング手段と、を備えることを特徴とする電子写
真装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001142023A JP2002341569A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001142023A JP2002341569A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002341569A true JP2002341569A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=18988393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001142023A Pending JP2002341569A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 電子写真感光体及び電子写真装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002341569A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005115351A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-28 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP2007334340A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-12-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子写真感光体、画像形成装置及び電子写真カートリッジ |
US7598314B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Siloxane dispersant and nanoparticle paste composition comprising the same |
JP2011081073A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置 |
US8323861B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-12-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Electrophotographic photoreceptor, image-forming apparatus, and electrophotographic cartridge |
JP2016024404A (ja) * | 2014-07-23 | 2016-02-08 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
US10466604B2 (en) | 2017-07-04 | 2019-11-05 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, image forming apparatus, and process cartridge |
-
2001
- 2001-05-11 JP JP2001142023A patent/JP2002341569A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005115351A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-28 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
US7598314B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Siloxane dispersant and nanoparticle paste composition comprising the same |
JP2007334340A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-12-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子写真感光体、画像形成装置及び電子写真カートリッジ |
US8323861B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-12-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Electrophotographic photoreceptor, image-forming apparatus, and electrophotographic cartridge |
JP2011081073A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置 |
JP2016024404A (ja) * | 2014-07-23 | 2016-02-08 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
US10466604B2 (en) | 2017-07-04 | 2019-11-05 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, image forming apparatus, and process cartridge |
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