JPH10260545A

JPH10260545A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH10260545A
Application number: JP6297397A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Osada; 卓博長田; Kaname Makino; 牧野　　要; Terunori Senokuchi; 輝紀瀬ノ口
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1997-03-17
Filing date: 1997-03-17
Publication date: 1998-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】電荷発生層の電荷発生材料の主成分がアゾ顔
料の場合でも、低温低湿においても残留電位が小さく、
暗減衰も小さく安定した電気特性を示し、高温高湿下で
も、オゾン曝露を行っても微小白点のない良好な画像が
得られる電子写真感光体の提供。【解決手段】導電性基体上に少なくとも下引き層、電
荷発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体におい
て、該下引き層が少なくとも平均一次粒子径が２５ｎｍ
以下の酸化チタン粒子とポリアミド樹脂からなり、該電
荷発生層の電荷発生材料がアゾ顔料を主成分とすること
を特徴とする電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
関するものである。詳しくは、特定の下引き層を有する
電荷写真感光体に関するものである。本発明の電子写真
感光体は非常に優れた性能を有している。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術は、即時性、高品質の画像
が得られること等から、近年では複写機の分野に留ら
ず、各種プリンターの分野でも広く使われ応用されてき
ている。電子写真技術の中核となる感光体については、
その光導電材料として従来からのセレニウム、ヒ素−セ
レニウム合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛といった無機
系の光導電体から、現在では有機系の光導電材料を使用
した感光体が主流となっている。

【０００３】一般に電子写真感光体は、アルミニウム等
の導電性基体上にこの様な感光層を設けて形成される
が、実際の電子写真プロセスで使用する上で基体表面が
及ぼす影響は非常に大きい。例えば、基体表面に存在す
る汚れや異物の付着、傷等は多かれ少なかれ電気特性に
悪影響を及ぼし、結果的に画像欠陥として現れる。この
様な基体表面の欠陥はなるべく除去するためには感光体
のコストアップに繋がる切削加工や鏡面研磨等の二次加
工及び精密な洗浄が必要となる。一方、このような工程
を経ず均一で清浄な基体表面を得る手段として基体と感
光層の間に下引き層を設けることが公知の技術として知
られている。

【０００４】下引き層としては、例えばアルミニウム陽
極酸化被膜、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム等
の無機層、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリビニ
ルピロリドン、ポリアクリル酸、セルロース類、ゼラチ
ン、デンプン、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド
等の有機層、及び無機粒子及び有機顔料と有機バインダ
ーの混合層が知られている。

【０００５】ところで、下引き層に要求される特性とし
ては先ず第一に電気特性が挙げられる。即ち、電子写真
特性に影響を及ぼさないことが必要である。このために
は、電気抵抗が低いこと（低温下においても）が必要で
ある。また、感光層に対してキャリアーの注入性がない
ことも必要である。感光層に対しキャリアーの注入性の
ある下引き層を用いると帯電電位を減少させ、結果的に
画像のコントラストを低下させたり、黒地中の微小白点
の原因となる。更に感光体の電気特性を阻害しない範囲
で基体表面の様々な欠陥を被覆するため、なるべくその
膜厚が厚くできることも必要である。この様な要求特性
に対し、本発明者等は、先に平均一次粒子径が１００ｎ
ｍ以下の酸化チタン粒子と下記一般式（Ｖ）で表わされ
るジアミン成分を構成成分として有する共重合ポリアミ
ドを含むことを特徴とする下引き層を提案した（特願平
８−２２５００２号明細書）。

【０００６】

【化４】

【０００７】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅及
びＲ₆は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基又は
アルコキシ基を示す）

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この下
引き層は、電荷発生層の電荷発生剤の主成分がアゾ顔料
の場合、電気特性の中で特に低温低湿下での残留電位の
上昇が大きく、通常のチタニア粒子ではその悪化を防ぐ
のが困難であることが判明した。本発明の目的は、電荷
発生剤の主成分がアゾ顔料の場合でも前記要求特性を満
足できる下引き層を有する電子写真感光体を提供するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、少なくとも平均粒
子径が２５ｎｍ以下の酸化チタン粒子と前記ポリアミド
を含む下引き層が非常に効果的であることを見い出し、
本発明を完成するに至った。

【００１０】即ち、本発明の要旨は、導電性基体上に少
なくとも下引き層、電荷発生層及び電荷輸送層を有する
電子写真感光体において、該下引き層が少なくとも平均
一次粒子径が２５ｎｍ以下の酸化チタン粒子とポリアミ
ド樹脂からなり、該電荷発生層の電荷発生材料がアゾ顔
料を主成分とすることを特徴とする電子写真感光体にあ
る。以下、本発明を詳細に説明する。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の感光体は導電性基体上に
設けられる。導電性基体としては、例えばアルミニウ
ム、ステンレス鋼、銅、ニッケル等の金属材料、表面に
アルミニウム、銅、パラジウム、酸化錫、酸化インジウ
ム等の導電性層を設けたポリエステルフィルム、紙、ガ
ラス等の絶縁性基体が使用される。中でもアルミニウム
等の金属のエンドレスパイプが望ましい基体である。

【００１２】導電性基体と感光層の間に本発明の下引き
層が設けられる。下引き層には、バインダー樹脂として
ポリアミド樹脂が用いられるが、下記一般式（Ｖ）で表
わされるジアミンを構成成分として含む共重合ポリアミ
ドが、特性及び液安定性の面から好ましい。

【００１３】

【化５】

【００１４】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅及
びＲ₆は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基又は
アルコキシ基を示す）

【００１５】また、重合に際して酢酸や安息香酸等の一
塩基酸或いはヘキシルアミン、アニリン等の一酸塩基を
分子量調節剤として加えることも何ら差支えない。次に
亜リン酸ソーダ、次亜リン酸ソーダ、亜リン酸、次亜リ
ン酸やヒンダードフェノールに代表される熱安定剤やそ
の他の重合添加剤を加えることも可能である。

【００１６】次に、もう一つの成分である酸化チタン粒
子については、平均一次粒子型としては、２５ｎｍ以下
であるが、下限としては１０ｎｍ以上のものが液安定性
の面から好ましい。結晶型としては、アモルファス、ア
ナターゼ、ルチル及びブルッカイトの各結晶型を使用す
ることが出来るが、ルチルが一般的である。また、分散
性を向上させるため及び電気抵抗を調節するため及び湿
度依存性を改良するために種々の表面処理を行っても良
い。

【００１７】チタニア粒子と共重合ポリアミドの比率は
任意に選ぶことが出来るが、液の安定性及び特性面から
共重合ポリアミド１重量部に対して酸化チタン粒子０．
５〜４重量部の範囲が好ましい。下引き層には、必要に
応じて各種の添加剤を加えることが出来る。添加剤とし
ては、酸化アルミニウム、酸化珪素、チタン酸カルシウ
ム、チタン酸ストロンチウム、酸化錫、酸化亜鉛等の金
属酸化物微粒子やカーボンブラックや有機シリケート化
合物や有機ジルコニウム化合物を、塗布性を改良するた
めに例えばシリコンオイルやフッ素系界面活性剤を用い
ることが出来る。

【００１８】下引き層の膜厚は、０．０５〜１０μｍ、
好ましくは０．２〜５μｍの範囲で使用されるのが最も
効果的である。電荷発生層に使用される電荷発生材料と
しては、主成分として、アゾ顔料が用いられるが、その
中でも、アゾ顔料として下記一般式（Ｉ）

【００１９】

【化６】Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ｄ−Ｎ＝Ｎ−Ｂ（Ｉ）

【００２０】［式中、Ａは下記一般式（II）で示される
カップラーの残基を示し、ＢはＡとは同一でもよいフェ
ノール性水酸基を有するカップラーの残基を示し、Ｄ
は、アゾ基が結合している炭素原子が二重結合を形成す
るＳＰ²型の炭素原子である二価の基を示す。

【００２１】

【化７】

【００２２】（式中、Ｑは置換基を有していてもよい芳
香族炭化水素の二価の基、又は置換基を有していてもよ
い複素環の二価の基を示す）］で表わされるアゾ化合物
が電気特性の面から好ましい。

【００２３】このアゾ化合物を詳細に説明すると、上記
一般式（Ｉ）において、アゾ基に結合するＡとＢとは相
異なるカップラー残基を示す。Ａは一般式（II）のカッ
プラーがジアゾニウム塩とカップリング反応により結合
したカップラー残基を示し、一般式（II）において、Ｑ
は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素の二価の基
又は置換基を有していてもよい複素環の二価の基を示
す。

【００２４】芳香族炭化水素の二価の基としては、例え
ばｏ−フェニレン基等の単環式芳香族炭化水素の二価の
基、ｏ−ナフチレン基、１，８−ナフチレン基、１，２
−アントラキノニレン基、９，１０−フェナントリレン
基等の縮合多環式芳香族炭化水素の二価の基等が挙げら
れる。また、複素環の二価の基としては、例えば、３，
４−ピラゾールジイル基、２，３−ピリジンジイル基、
３，４−ピリジンジイル基、４，５−ピリミジンジイル
基、６，７−インダゾールジイル基、５，６−ベンズイ
ミダゾールジイル基、５，６−キノリンジイル基等の複
素環の二価の基等が挙げられる。

【００２５】これら芳香族炭化水素の二価基及び複素環
の二価基は置換基を有していてもよい。かかる置換基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｎ
−ヘキシル基等のアルキル基；トリフルオルメチル基；
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等
のアルコキシ基；ヒドロキシル基；ニトロ基；シアノ
基；アミノ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
ジベンジルアミノ基等の置換アミノ基；弗素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；カルボ
キシル基；エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボ
ニル基；カルバモイル基；アセチル基、ベンゾイル基等
のアシル基；フェノキシ基等のアリーロキシ基；ベンジ
ルオキシ基等のアリールアルコキシ基；フェニロキシカ
ルボニル基等のアリーロキシカルボニル基等が挙げられ
る。中でもアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロ
ゲン原子、ヒドロキシル基、カルバモイル基、特に、メ
チル基、メトキシ基、ニトロ基、塩素原子、ヒドロキシ
ル基が好適である。

【００２６】ＢはＡとは同じでも異なっていてもよいフ
ェノール性水酸基を有するカップラーの残基を示し、ジ
アゾニウム塩とカップリング反応するカップラーはいず
れでも用いることができる。フェノール性水酸基とは、
芳香族炭化水素環に置換した水酸基のことであり、この
芳香族炭化水素環に更に、炭化水素環或いは複素環が縮
合してもよい。Ｂとしては、Ａと同じでも異なってもよ
い一般式（II）のカップラーを用いることもできるが、
特に下記一般式（IV−ａ）〜（IV−ｉ）で示されるカッ
プラーの残基が好ましい。

【００２７】

【化８】

【００２８】（式中、Ｙ₁及びＹ₂は、それぞれ独立し
て水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい
アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アラルキルオキシ基、カルボキシル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、置換又は無置換のカルバモイル基、置換又は無置
換のヒドラジノカルボニル基、アシル基、アシルアミノ
基を示す）

【００２９】

【化９】

【００３０】（式中、Ｙ₃は、水素原子、ハロゲン原
子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール
基、複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラ
ルキルオキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニ
ル基、アリールオキシカルボニル基又はアシル基を示
し、Ｚはベンゼン環と縮合して、芳香族炭化水素環又は
複素環となるのに要する二価の基を示す）

【００３１】

【化１０】

【００３２】（式中、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立し
て水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル
基、アリール基又は複素環基を示し、Ｒ₁とＲ₂は互い
に結合して環を形成していてもよい。Ｚは前記一般式
（IV−ｂ）におけると同じである）

【００３３】

【化１１】

【００３４】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂及びＺは、前記一般式
（IV−ｃ）におけると同じである）

【００３５】

【化１２】

【００３６】（式中、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ独立し
て水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置
換基を有していてもよい不飽和アルキル基、アリール
基、複素環基、置換基を有していてもよいビニル基、又
は置換基を有していてもよいブタジエニル基、を示し、
Ｒ₃とＲ₄は互いに結合して環を形成してもよい。Ｚは
前記一般式（IV−ｂ）におけると同じである）

【００３７】

【化１３】

【００３８】（式中、Ｒ₁及びＲ₃は、前記一般式（IV
−ｃ）及び一般式（IV−ｅ）におけると同じである）

【００３９】

【化１４】

【００４０】（式中、Ｒ₁及びＺは、前記一般式（IV−
ｃ）及び（IV−ｂ）におけると同じである）

【００４１】

【化１５】

【００４２】（式中、Ｒ₅は、置換基を有していてもよ
いアルキル基若しくは不飽和アルキル基又はアリール基
を示す）

【００４３】

【化１６】

【００４４】［式中、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈及びＲ₉は、そ
れぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、置換基を有し
ていてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいビ
ニル基、置換アミノ基又はアリール基を表わし、Ｒ₆は
この他に、

【００４５】

【化１７】

【００４６】（但し、Ｒ₁₀は、置換基を有していてもよ
いアルキル基、アリール基、複素環基、置換基を有して
いてもよいビニル基、置換基を有していてもよいアミノ
基又はアルコキシ基を示す）を示す］

【００４７】これらの一般式（IV−ａ）〜（IV−ｉ）に
おける置換基の具体例を幾つか示すと；ハロゲン原子と
しては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
が挙げられる。置換基を有していてもよいアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキ
シル基、ｎ−オクチル基、ベンジル基、ｐ−メチルベン
ジル基、ｐ−クロルベンジル基、２−フェニルエチル
基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、ア
リル基、２−ヒドロキシエチル基、２−メトキシエチル
基、３−モルホリノプロピル基、２−ジエチルアミノエ
チル基、３−カルバゾリルメチル基等が挙げられ、これ
らの中で、低級アルキル基は、通常炭素原子数が１〜６
のアルキル基を示す。

【００４８】アリール基としては、フェニル基、ナフチ
ル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントリル基、
アントラキノリル基、アセナフチル基、フルオレニル
基、ビフェニリル基、ｐ−ターフェニリル基、ｐ−スチ
リルフェニル基等の芳香族炭化水素基が挙げられ、これ
らの置換基としては、メチル基、エチル基、ブチル基等
のアルキル基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲ
ン原子；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等のアル
コキシ基；フェノキシ基等のアリーロキシ基；ヒドロキ
シ基；ニトロ基；シアノ基；アミノ基；ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基等の置換ア
ミノ基；カルボキシル基；エトキシカルボニル基等のア
ルコキシカルボニル基；フェニロキシカルボニル基等の
アリーロキシカルボニル基；アセトキシ基、ベンゾイル
オキシ基等のアシロキシ基；アセチル基、ベンゾイル基
等のアシル基；カルバモイル基、ジメチルアミノカルボ
ニル基、フェニルアミノカルボニル基等の置換アミノカ
ルボニル基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等
のアリールアルコキシ基等が挙げられる。

【００４９】複素環基としては、フリル基、チエニル
基、チアゾリル基、インドリル基、ピロリル基、カルバ
ゾリル基、ピリジル基、モルホリノ基、キノリル基、イ
ミダゾリル基、オキサゾリル基、トリアゾリル基、ピペ
リジル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル
基、ベンゾチアゾリル基、アクリジル基、キサンテニル
基、フエナジニル基、フエノチアジニル基、クマリニル
基等が挙げられ、アリール基と同様の置換基を有してい
てもよい。

【００５０】アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキ
シ基等が挙げられ、アリールオキシ基としては、フェノ
キシ基、ｐ−クロロフェノキシ基、ｐ−メチルフェノキ
シ基、１−ナフトキシ基等が挙げられ、アラルキルオキ
シ基としては、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基
等が挙げられる。

【００５１】アルコキシカルボニル基としてはメトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられ、ア
リールオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボ
ニル基、１−ナフトキシカルボニル基等が挙げられる。

【００５２】Ｚとしては、ベンゼン環と縮合してナフタ
リン環、アントラセン環、カルバゾール環、ベンゾカル
バゾール環、ジベンゾフラン環等の芳香族炭化水素又は
複素環となるのに要する二価の基が挙げられる。

【００５３】Ｒ₁及びＲ₂の中で、これらが互いに結合
して環を形成する基の例としては、シクロヘキシリデン
基、インデニリデン基、フルオレニリデン基、ペンタメ
チレン基等が挙げられる。不飽和アルキル基の例として
は、アリル基、３−ブテニル基、シンナミル基等が挙げ
られる。

【００５４】一般式（Ｉ）におけるＤは、アゾ基が結合
している炭素原子が二重結合を形成するＳＰ²型の炭素
原子である二価の基であり、具体的には、芳香族炭化水
素環又は芳香族複素環の二価の基或いは、これらが直接
結合したものや、縮合して、縮合環を形成したもの、或
いは結合基や芳香族炭化水素環、脂肪族炭化水素環、複
素環等により結合した二価の基が挙げられる。

【００５５】代表的な例としては、芳香族炭化水素環の
二価の基としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセ
ン、ピレン、フルオレノン、アントラキノン、フェナン
トレン、ビフェニレン、トリフェニレン、ペリレン等か
ら導かれた二価の基が挙げられ、芳香族複素環の二価の
基としては、Ｎ−エチルカルバゾール、アクリジン、キ
サントン、フェナジン、ジベンゾチオフエン、ジベンゾ
フラン等から導かれる二価の基が挙げられる。

【００５６】更に、これら芳香族炭化水素塩又は芳香族
複素環の二価の基が直接結合したり、縮合環を形成した
ものから導かれる二価の基の具体例の一部は、下記表１
に示される。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【００５９】また、炭化水素環や複素環の例としては、
ベンゼン、ナフタリン、アセナフテン、アントラセン、
ピレン、フルオレン、フルオレノン、フェナントレン、
ナフトキノン、アントラキノン、シクロヘキサン、シク
ロヘキサノン、ピペラジン、ピロール、フラン、チオフ
エン、オキサゾール、チアゾール、ピラゾール、ピラゾ
リン、イミダゾール、イミダゾリジン、オキサジアゾー
ル、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、インド
ール、キノリン、カルバゾール、キサンテン、クマリ
ン、キサントン、フエノチアジン等が挙げられ、Ｄは、
これら炭化水素環又は複素環と上記結合基を組合せて得
られる。これらの炭化水素環、複素環は置換基を有して
いてもよい。そして、アゾ顔料として下記（VI）の構造
の骨格を有するアゾ化合物が電気特性の面から特に好ま
しい。

【００６０】

【化１８】

【００６１】また、副成分として、フタロシアニン顔
料、キナクリドン顔料、インジゴ顔料、ペリレン顔料、
多環キノン顔料、アントアントロン顔料、ベンズイミダ
ゾール顔料等の有機顔料等が使用されていても良い。こ
れらの微粒子を例えば、ポリエステル樹脂、ポリビニル
アセテート、ポリアクリル酸エステル、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリビニルアセトアセタール、ポリ
ビニルプロピオナール、ポリビニルブチラール、フェノ
キシ樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、セルロースエ
ステル等の各種バインダー樹脂で結着した形で使用され
る。この場合の使用比率は、バインダー樹脂１００重量
部に対して３０〜５００重量部の範囲より使用され、そ
の膜厚は、通常０．１〜１μｍ、好ましくは、０．３〜
０．８μｍが好適である。

【００６２】電荷移動層の電荷移動材料としては、例え
ば、２，４，７−トリニトロフルオレノン、テトラシア
ノキノジメタン等の電子吸引性物質、カルバゾール、イ
ンドール、イミダゾール、オキサゾール、ピラゾール、
オキサジアゾール、ピラゾリン、チアジアゾール等の複
素環化合物、アニリン誘導体、或いはこれらの化合物か
らなる基を主鎖若しくは側鎖に有する重合体等の電子供
与性物質が挙げられる。これらの電荷移動材料と共に必
要に応じてバインダー樹脂が配合される。好ましいバイ
ンダー樹脂としては、例えばポリメチルメタクリレー
ト、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等のビニル重合体及
びその共重合体、ポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リエステルカーボネート、ポリスルホン、ポリイミド、
フェノキシ、エポキシ、シリコーン樹脂等が挙げられ、
また、これらの部分的架橋硬化物も使用できる。また、
電荷移動層には、必要に応じて酸化防止剤、増感剤等の
各種添加剤を含んでいてもよい。電荷移動層の膜厚は、
１０〜４０μｍ、好ましくは、１３〜３５μｍの厚みで
使用されるのがよい。

【００６３】

【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により更に
詳細に説明するが、本発明は、その要旨を越えない限り
これらの実施例に限定されるものではない。

【００６４】下引き層塗布液１調液方法共重合ポリアミドＡ（構造：下記参照）を溶解した混合
アルコール（メタノール／ｎ−プロパノール＝７／３）
溶液に、予めボールミルにより分散したチタニア［テイ
カ（株）製：ＭＴ−１５０Ｗ：平均一次粒子径、１５ｎ
ｍ］の混合アルコール溶液を混合し、更に超音波で分散
処理を行い、ＭＴ−１５０Ｗ／ナイロン＝１．５／１組
成（重量比）で、固型分濃度１２．５％の下引き層塗布
液１を調液した。

【００６５】

【化１９】

【００６６】下引き層塗布液２調液方法共重合ポリアミドＡを溶解した混合アルコール（メタノ
ール／ｎ−プロパノール＝７／３）溶液に、予めボール
ミルにより分散したチタニア［石原産業（株）製：ＴＴ
０５５Ｎ：平均一次粒子径が、３５ｎｍ］の混合アルコ
ール溶液を混合し、更に超音波で分散処理を行い、ＴＴ
０５５Ｎ／ナイロン＝１．５／１組成（重量比）で、固
型分濃度１１．２５％の下引き層塗布液２を調液した。

【００６７】下引き層塗布液３調液方法共重合ポリアミドＡを溶解した混合アルコール（メタノ
ール／ｎ−プロパノール＝７／３）溶液に、予めボール
ミルにより分散したチタニア［石原産業（株）製：ＴＴ
０５５Ｎ：平均一次粒子径が、３５ｎｍ］の混合アルコ
ール溶液を混合し、更に超音波で分散処理を行い、ＴＴ
０５５Ｎ／ナイロン＝２／１組成（重量比）で、固型分
濃度１５％の下引き層塗布液３を調液した。

【００６８】下引き層塗布液４調液方法共重合ポリアミドＡを溶解した混合アルコール（メタノ
ール／ｎ−プロパノール＝７／３）溶液に、予めボール
ミルにより分散したチタニア［石原産業（株）製：ＴＴ
０５５Ｎ：平均一次粒子径が、３５ｎｍ］の混合アルコ
ール溶液を混合し、更に超音波で分散処理を行い、ＴＴ
０５５Ｎ／ナイロン＝３／１組成（重量比）で、固型分
濃度１７．５％の下引き層塗布液４を調液した。

【００６９】ＣＧＬ塗布液１調液方法下記に示す構造のアゾ顔料１０重量部に、ポリビニルブ
チラール（電気化学工業（株）製：デンカブチラール＃
６０００−Ｃ）５重量部とフェノキシ樹脂２．５重量部
に１，２−ジメトキシエタン１００重量部を加え、サン
ドグラインドミルで粉砕、分散処理を行ってＣＧＬ塗布
液１を調液した。

【００７０】

【化２０】

【００７１】ＣＴＬ塗布液１次に示す電荷輸送剤Ａ８９重量部と

【００７２】

【化２１】

【００７３】次に示す電荷輸送剤Ｂ１４重量部、

【００７４】

【化２２】

【００７５】及び下記のシアノ化合物０．５重量部

【００７６】

【化２３】

【００７７】及び下記に示すポリカーボネート樹脂１０
０重量部それにシリコーンオイル“ＫＦ−９６”０．０
５重量部、酸化防止剤“Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６”８
部、トリベンジルアミン０．１部を１，４−ジオキサン
１０００重量部に溶解させた液

【００７８】

【化２４】

【００７９】実施例−１下引き層塗布液１に、外径６５ｍｍφ、長さ３４８ｍ
ｍ、厚み１ｍｍのアルミシリンダーに浸漬し、引き上げ
ることにより乾燥後の膜厚が１μｍとなるように下引き
層を設けた。次にこのシリンダーを、ＣＧＬ塗布液１に
浸漬塗布し、乾燥後の着量が０．３７ｇ／ｍ²になるよ
うに電荷発生層を設けた。更にこのシリンダーをＣＴＬ
塗布液１に浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が２７μｍとなる
ように電荷移動層を設けた。この様にして得られたドラ
ムを感光体Ａとする。

【００８０】実施例−２下引き層の膜厚を２μｍとする以外は、感光体Ａを作製
するのと全く同じ（シリンダー、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜
厚等総て）ようにして、作製したドラムを感光体Ｂとす
る。

【００８１】実施例−３下引き層の膜厚を３μｍとする以外は、感光体Ａを作製
するのと全く同じ（シリンダー、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜
厚等総て）ようにして、作製したドラムを感光体Ｃとす
る。

【００８２】比較例−１下引き層塗布液として、下引き層塗布液２を用いる以外
は、感光体Ａを作製するのと全く同じ（シリンダー、下
引き層膜厚、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜厚等総て）ようにし
て、作製したドラムを感光体Ｄとする。

【００８３】比較例−２下引き層塗布液として、下引き層塗布液３を用いる以外
は、感光体Ａを作製するのと全く同じ（シリンダー、下
引き層膜厚、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜厚等総て）ようにし
て、作製したドラムを感光体Ｅとする。

【００８４】比較例−３下引き層塗布液として、下引き層塗布液３を用いる以外
は、感光体Ｂを作製するのと全く同じ（シリンダー、下
引き層膜厚、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜厚等総て）ようにし
て、作製したドラムを感光体Ｆとする。

【００８５】比較例−４下引き層塗布液として、下引き層塗布液３を用いる以外
は、感光体Ｃを作製するのと全く同じ（シリンダー、下
引き層膜厚、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜厚等総て）ようにし
て、作製したドラムを感光体Ｇとする。

【００８６】比較例−５下引き層塗布液として、下引き層塗布液４を用いる以外
は、感光体Ａを作製するのと全く同じ（シリンダー、下
引き層膜厚、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜厚等総て）ようにし
て、作製したドラムを感光体Ｈとする。

【００８７】比較例−６下引き層塗布液として、下引き層塗布液４を用いる以外
は、感光体Ｂを作製するのと全く同じ（シリンダー、下
引き層膜厚、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜厚等総て）ようにし
て、作製したドラムを感光体Ｉとする。

【００８８】比較例−７下引き層塗布液として、下引き層塗布液４を用いる以外
は、感光体Ｂを作製するのと全く同じ（シリンダー、下
引き層膜厚、ＣＧＬ着量、ＣＴＬ膜厚等総て）ようにし
て、作製したドラムを感光体Ｊとする。

【００８９】比較例−８（下引き層無し）下引き層を塗布しないことを除いて、感光体Ａを作製す
るのと全く同じ（シリンダー、下引き層膜厚、ＣＧＬ着
量、ＣＴＬ膜厚等総て）ようにして、作製したドラムを
感光体Ｋとする。

【００９０】次に感光体Ａ〜Ｆを感光体特性測定機に装
着して、各環境下（５℃／１０％、２５℃／５０％、３
５℃／８５％）で、回転数３０ｒｐｍで、表面電位がコ
ロトロンで−７００Ｖになるように帯電させた後、７８
０ｎｍの光を照射し、６６０ｎｍのＬＥＤ光除電後の残
留電位を測定した。次にこれらの感光体をオゾン濃度３
００ｐｐｍで、１２時間曝露させた後、市販の複写機
（シャープ（株）ＳＦ−２０４０）に装着し、黒地画像
を出し、画質を目視で評価した。

【００９１】この評価は、１０ｃｍ四方の領域の中に存
在する白点（約０．１ｍｍから１ｍｍの径の大きさのも
の：通常では、１ｍｍ以上の白点は殆んど無い）の数で
行った。（画質評価１：白点５個以下（実際は３個以
下）、２：白点５個以上２０個以下、３：白点２０個以
上１００個以下、４：白点１００個以上、５：非常に悪
いレベル、白点の数が多いだけで無く、１ｍｍ以上の非
常に大きな白点も多い）表２にこれらの結果を示す。

【００９２】

【表２】

【００９３】表２では、低温低湿下の残留電位の値と、
オゾン曝露後の画質のデータしか示していないが、電気
特性については、常温常湿、高温高湿では、甘くなる方
向で、低温低湿でＯＫなら他の条件でも良好であり、
又、オゾン曝露の無い場合は、殆んどのＵＣＬで、画質
レベルは１である。

【００９４】感光体Ｂ及びＣ（実施例）は、残留電位に
ついても下引き層の無い感光体Ｋと比較して、大きな上
昇は無く、又、オゾン曝露後の画質も良好であった。感
光体Ａ（実施例）は、ややオゾン曝露後の画質が悪い
が、実用上問題の無いレベルであった。下引き層に平均
一次粒子径が、３５ｎｍとやや大きな酸化チタン粒子を
用いた場合、膜厚及びチタニア／ナイロン比率をいろい
ろ変更しても、（感光体Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ及びＧ
（比較例））は、低温低湿の残留電位が大きいか、又は
オゾン曝露後の画質が悪くなり、両方を満足させうる膜
厚、組成はなかった。また、下引き層の無い感光体Ｋ
は、残留電位は良好であるが、オゾン曝露後の画質は非
常に悪いレベルであった。以上の結果から、本発明の電
子写真感光体は非常に優れた性能を有していると判断で
きる。

【００９５】

【発明の効果】本発明における平均一次粒子径が２５ｎ
ｍ以下の酸化チタン粒子とポリアミドを含む下引き層
は、電荷発生層の電荷発生材料の主成分がアゾ顔料の場
合でも、低温低湿においても、残留電位が小さく、暗減
衰も小さく安定した電気特性を示す。また、高温高湿下
でも、オゾン曝露を行っても微小白点のない良好な画像
が得られる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基体上に少なくとも下引き層、電
荷発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体におい
て、該下引き層が少なくとも平均一次粒子径が２５ｎｍ
以下の酸化チタン粒子とポリアミド樹脂からなり、該電
荷発生層の電荷発生材料がアゾ顔料を主成分とすること
を特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】該アゾ顔料が下記一般式（Ｉ）で表わさ
れるアゾ化合物であることを特徴とする請求項１に記載
の電子写真感光体。【化１】下記一般式（Ｉ）Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ｄ−Ｎ＝Ｎ−Ｂ（Ｉ）［式中、Ａは下記一般式（II）で示されるカップラーの
残基を示し、ＢはＡとは同一でもよいフェノール性水酸
基を有するカップラーの残基を示し、Ｄは、アゾ基が結
合している炭素原子が二重結合を形成するＳＰ²型の炭
素原子である二価の基を示す。【化２】（式中、Ｑは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素
の二価の基、又は置換基を有していてもよい複素環の二
価の基を示す）］で表わされるアゾ化合物。
【請求項３】該アゾ顔料が下記一般式（III)で表わさ
れるアゾ化合物であることを特徴とする請求項１又は２
に記載の電子写真感光体。【化３】