TW200804558A - Novel materials for organic electroluminescent devices - Google Patents

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TW200804558A
TW200804558A TW096109745A TW96109745A TW200804558A TW 200804558 A TW200804558 A TW 200804558A TW 096109745 A TW096109745 A TW 096109745A TW 96109745 A TW96109745 A TW 96109745A TW 200804558 A TW200804558 A TW 200804558A
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butyl
tert
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TW096109745A
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Philipp Stoessel
Holger Heil
Amir Parham
Horst Vestweber
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Merck Patent Gmbh
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Description

200804558 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關新穎之蒽衍生物、其於有機電發光裝置中 之用途且有關包含此等化合物之有機電發光裝置。 【先前技術】 有機半導體在許多不同應用中作爲功能性材料，該等 應用可視爲最廣義之電子工業。可發射可見光譜範圍之光 的有機電發光裝置之一般結構係描述於例如US 4539507、 US 5151629、EP 06764 6 1 及 WO 98/27136 中。 然而，此等裝置仍具有極需改善以使用於高品質全色 彩顯示器中的重要問題： 1 ·有機電發光裝置之效率、色彩及使用壽命仍不適 於高品質應用。 2 ·所使用之化合物經常未具有充分高之玻璃轉化溫 度。 3·目前所使用之氧化還原安定性（對電洞及電子之 安定性）仍然不足。 4·電荷載流子移動率，尤其是電子移動率，不足。 5 ·操作電壓應進一步降低，尤其是移動式應用。 可提及之最近先前技術係使用各種稠合芳族化合物， 尤其是蒽或芘衍生物，作爲主體材料，尤其是使用於發射 藍光之電發光裝置。根據先前技術已知9，10-雙（2-萘基 )蒽係作爲主體材料（US 5 93 5 72 1 )。其他適於作爲主體 200804558 (2) 材料之蒽衍生物係描述於WO 0 1 /076323、WO 0 1/02 1 729 、WO 04/0 1 3073、WO 04/0 1 85 88、WO 03/087023 或 WO 04/0 1 85 87中。以經芳基取代之芘及雇爲底的主體材料係 描述於 WO 04/01 6575 中。WO 03/095445 及 CN 1 362464 描述使用於OLED中之9,10-雙（1-萘基）蒽衍生物。 【發明內容】 φ 本發明之目的係提供具有改良之性質的化合物，尤其 是改良之主體材料。 驚異地發現包含9,10-位置經鄰位經取代之苯基所取 代且2,6-位置進一步經芳基或雜芳基所取代之蒽衍生物的 有機電發光裝置較先前技術大幅改善。本發明因此有關此 等化合物且有關其於OLED中之用途。 WO 03/060956 及 WO 05/097756 揭示 9，10-位置被鄰-聯苯基取代且2,6-位置進一步被含有苯并咪唑之芳基取代 φ 的蒽衍生物。此等化合物之正面效果係歸因於存在苯并咪 唑基團。 本發明有關式（1 )之化合物
-6 - 200804558 (3) 其中所使用之符號及標示係如以下所說明：
Ar 在每一次出現時係相同或相異地爲具有6至3 0個 芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經一或多 個基團R1所取代； R ’ R1在每一次出現時係相同或相異地爲f、C1、B r、I ' CN > N(Ar1)2 ' C( = 0)Ar1 ^ P(Ar1)2 ^ P( = 0)(Ar1)2 、Si(R2)3、N02、具有1至40個C原子之直鏈烷 φ 基、烷氧基或硫代烷氧基或具有3至40個C原子 之分支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫代烷氧基，其各 可經一或多個基團R2所取代，其中一或多個不相 鄰CH2基團可由以下基團所置換：-r2c==CR2-C三C-、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = Se 、C=NR2、-〇-、-S-、-N(R2)-或-CONR2-且其中一 或多個H原子可由F、Cl、Br、I、CN或N〇2所置 換；或具有5至3G個芳族環原子之芳族或雜芳族 # 環系統，其可經一或多個基團R2所取代；或具有 5至24個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基，其可 經一或多個基團R2所取代，或二、三、四或五個 此等系統之組合；此情況下之相鄰取代基R及R1 或相鄰取代基R1亦可彼此形成單環或多環脂族環 系統；
Ar1 在每一次出現時係相同或相異地爲具有5至3 〇個 芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經一或多 個非芳族基團R1所取代；此情況下之兩基團Ar〗 -7- 200804558 (4) 亦可藉單鏈或Ο、S、N(R2)或C(R2h基團彼此連 接； R2 在每一次出現時係相同或相異地爲 Η或具有1至 20個C原子之烴基，其可爲脂族或芳族或脂族與 芳族之組合且其亦可經F所取代；此情況下二或更 多個基團R2亦可彼此形成單環或多環、脂族或芳 族環系統； η 每一次出現係相同或相異地爲0、1、2或3 ; Ρ 每一次出現係相同或相異地爲0、1、2、3或4 ; 其限制條件爲取代基Ar並非經取代或未經取代之苯并咪 嗤且含有經取代或未經取代苯并咪唑之基團！^並未鍵結 於取代基A r。 就本發明之目的而言，芳基或雜芳基係用以表示個別 具有共用芳族π-電子系統之芳族基團或雜芳族基團。就本 發明之目的而言，此可爲單純碳環或雜環，例如苯、啦陡
等，或其可爲稠合芳基或雜芳基，其中至少兩個芳族或雜 芳族環（例如苯環）係稠合於另一者，即藉稠連而稠合於 另一者，即具有至少一個共同邊且因此亦具有共用之芳族 ^電子系統。此等芳基或雜芳基可經取代或未經取代；存 在之任何取代基亦可形成另一環系統。因此，例如，諸如 奈、恩、非、比等系統係視爲芳基’而喹啉、卩丫卩定、苯并 噻吩、㈣等係視爲雜芳基，就本發明之目的而言，例如 ’聯苯、莽、螺聯莽等並非芳基，因其包括分離之芳族電 子系統。 -8 - 200804558 (5) 就本發明之目的而言，芳族環系統之環系統中含有6 至40個C原子。就本發明之目的而言，雜芳族環系統之 環系統中含有2至40個C原子及至少一個雜原子，其限 制條件爲C原子及雜原子之總數至少爲5。該雜原子較佳 係選自N、〇及/或S。此等芳族及雜芳族環系統可經取代 或未經取代；存在之任何取代基亦可形成另一環系統。就 本發明之目的而言’芳族或雜芳族環系統係用以表示並非 φ 必然僅含芳基或雜芳基之系統，而是其中複數個芳基或雜 芳基亦可穿插有非芳族短單元（非Η之原子較佳係低於 10% )，諸如，例如SP3-混雜c、N或〇原子。因此，就 本發明之目的而言，例如，諸如9,9，-螺聯莽、莽、9,9-二 芳基莽、三芳基胺、二芳基醚等系統亦視爲芳族環系統。 此丨目況下之方族或雜方族ί哀系統中一部分亦可爲稠合基團 〇 就本發明之目的而言’環狀烷基係用以同時表示單環 φ 及雙環及多環烷基。 就本發明之目的而S ’ C!-至C4G·烷基（其中個別η 原子或CΗ?基團另可經前述基團所取代）特佳係用以表示 基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第 二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環 戊基、正己基、環己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛 基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基 、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基 、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙 -9- (6) (6)200804558 炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。C!-至Go-烷氧基特佳係用以表示甲氧基、三氟甲氧基、乙氧 基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁 氧基、第三丁氧基或2-甲基丁氧基。具有1至30芳族環 原子之芳族或雜芳族環系統（各亦可經前述基團R1及R2 所取代且可經由任何所需位置連接於該芳族或雜芳族基團 )係表示（尤其是）自以下者衍生之基團：苯、萘、蒽、 菲、芘、窟、茈、螢蒽、丁省、戊省、苯并芘、聯苯、伸 聯苯、聯三苯、伸聯三苯、莽、螺聯苐、三苄基苯、異三 苄基苯、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚并苐、呋 喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻 吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔 唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5，6 -喹啉、 苯并-6，7 -喹啉、苯并-7,8 -喹啉、吩噻嗪、吩噁嗪、吡唑、 吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪 唑、吡嗪并咪唑、喹噁啉并咪唑、噁唑、苯并噁唑、萘并 噁唑、蒽噁唑、菲并噁唑、異噁唑、1，2 -噻唑、1，3 -噻唑 、苯幷噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹噁啉 、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啉、 1，2,3·三唑、三唑、苯并三唑、；ι，2,3·噁二唑、；ι，2,4-噁二唑、1，2，5 -噁二唑、1，3，4 -噁二唑、1，2，3 -噻二唑、 1，2,4-噻二唑、噻二唑、13,4-噻二唑、1，3,5-三嗪、 1，2,4·三嗪、12,3-三嗪、四唑、1，2,4,5-四嗪、1，2,3,4-四 嗪、1，2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪、苯并噻二唑、 -10 - (7) 200804558 三苯基胺、二苯基萘基胺、二萘基苯基胺、二苯基醚、芪 及二苯乙炔。 式（1 )之化合物的較佳具體實施態樣係描述於下文 〇 較佳係符合以下條件之式（1 )化合物：符號Ar係表 示具有6至16芳族環原子之芳基或雜芳基，其可經Ri取 代。符號Ar特佳係表示苯基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡 啶基、卜萘基、2-萘基、2-蒽基、9-蒽基、2_菲基、3-菲 基、9-菲基、1-芘基或2-芘基。符號Ar極佳係表示苯基 、1-萘基、2-萘基或9-蒽基。 其中兩取代基Ar係選擇相同之式（1 )之化合物及其 中取代基Ar係相異之式（1 )之化合物兩者皆爲本發明。 本發明較佳具體實施態樣中，兩符號Ar係選擇相同。因 此特佳係爲式（2 ) 、（ 3 ) 、（ 4 )及（5 )之化合物
式（2) 式（3) (8) (8)200804558
其中R'R1、η及p具有如同前述之意義，且q係表 示 0、1、2、3、4或5。 式（1 )及（2 )至（5 )化合物中，位於蒽之9及！ 〇_ 位置上之苯基具有環繞蒽-苯基鍵結之受阻旋轉。就本發 明之目的而言，受阻旋轉係用以表示於室溫至少8 0仟焦 耳/莫耳，較佳至少100仟焦耳/莫耳，尤其是至少120仟 焦耳/莫耳之旋轉障壁。此旋轉障壁可藉溫度相依性NMR 測量實驗決定。若式（1 )及（2 )至（5 )化合物具有環 繞一或多個鍵結之滯轉異構化，則對應之單離或增濃之滯 轉異構物各亦可爲本發明標的物。此同時有關鏡像異構物 及非鏡像異構物。環繞蒽-苯基鍵結之受阻旋轉係由充分 大之取代基R所達成。 另外較佳化合物係符合以下條件之式（1 )及（2)至 (5 )化合物：符號 R 係表示 Si(R2)3、Ν(Α^)2、CpCOAr1 、P( = 0)(Ar1 )2、具有1至1〇個C原子之直鏈烷基或烷氧 -12· 200804558 (9) 基或具有3至10個C原子之分支鏈或環狀烷基或烷氧基 ，其各可經一或多個基團R2所取代，其中一或多個不相 鄰CH2基團可由以下基團所置換：-R2C = CR2-或-0-且其中 一或多個Η原子可由F所置換，或表示5至16個芳族環 原子之芳基或雜芳基，其可經一或多個基團R2所取代， 或二、三或四個此等系統之組合；相鄰取代基R及R1在 此亦可彼此形成卓〗哀或多環脂族環系統。R特佳係表示 φ Si (R2)3、具有1至4個C原子之直鏈烷基或具有3至5個 C原子之分支鏈烷基，其各可經一或多個基團R2所取代 ，其中一或多個Η原子可由F所置換，或表示6至14芳 族環原子之芳基或雜芳基，其可經一或多個基團R2所取 代，或二或三個此等系統之組合；相鄰取代基R及R1在 此亦可彼此形成單環或多環脂族環系統。 其中兩取代基R係選擇相同之式（1)及（2)至（5 )及其中兩取代基R係相異之式（1 )及（2 )至（5 )化 φ 合物兩者皆爲本發明。兩取代基R較佳係選擇相同。 另外較佳化合物係符合以下條件之式（1 )及（2 )至 (5 )化合物：符號R1每次出現係相同或相異且係表示 Si(R2)3、F、NaPh、具有1至6個C原子之直鏈烷基或 烷氧基或具有3至10個C原子之分支鏈或環狀烷基或烷 氧基，其中每一情況下各有一或多個CH2基團可由以下基 團所置換：_R2c = cr2-或-0-，且其中每一情況下各有一或 多個Η原子可由F所置換，或具有5至14個芳族環原子 之芳基或雜芳基，其可經一或多個基團R2所取代，或二 -13- (10) 200804558 或三個此等系統之組合；二或多個基團R1在此亦可彼此 或與相鄰基團R形成單環或多環脂族環系統。特佳基團 R1係選自Si(R2)3、F、具有1至4個C原子之直鏈烷基或 具有3至5個C原子之分支鏈烷基，其中每一情況下各有 一或多個Η原子可由F所置換，或具有6至10個芳族環 原子之芳基或雜芳基，或兩個此等系統之組合；二或更多 個相鄰基團R1在此亦可彼此或與相鄰基團R形成單環或 多環脂族環系統。 若基團R及/或R1係表示式NiAr1：^之基團，較佳係 表示式（6)或（7)之基團
其中R2具有前述意義且另外·· X 係表示單鏈、Ο、S、N(R2)或C(R2)2 ;
Ar1 每一次出現係相同或相異地爲具有5至20個芳族 環原子之芳基或雜芳基或具有15至30個芳族環原 子之三芳基胺基，其每一者各可經一或多個基團 R1所取代，較佳爲具有6至1 4個芳族環原子之或 具有18至26個芳族環原子之三芳基胺基，其各可 -14- (11) 200804558 經一或多個非芳族基團R1所取代，特佳爲苯基、 鄰-甲苯基、對·甲苯基、鄰-氟苯基、對_氟苯基、 卜萘基、2-萘基、三苯基胺或萘基二苯基胺； r 在每一次出現時係相同或相異地爲〇或1，較佳〇 〇 另外較佳化合物係符合以下條件之式（1 )及（2 )至 (5 )化合物’其中指數η係表示〇或i，特佳爲〇。 另外較ί土化口物係式（1 )及（2 )至（5 )化合物， 其中指數Ρ係表示0、1或2，特佳爲〇或1。 另外較佳化合物係符合以下條件之式（2 )化合物： 指數q係表示0、1、2或3，特佳爲〇、1或2，極佳係 爲0或1。 另外較佳化合物係分子量係介於5 00及2000克/莫耳 之間’特佳介於600及i 5 00克/莫耳之間的式（之化 合物。 較佳式（1 )之化合物的實例係爲以下化合物（1 )至 (50)〇
-15- (12) 200804558
-16- (13)200804558
-17- (14)200804558
-18- 200804558
19- (16)200804558
-20- (17)200804558
-21 - (35 ) (18)200804558
F
-22- (19)200804558
(43
44 )
-23- (20) 200804558
下表1顯示式（1 )之其他較佳結構。表中所使用之 符號及標示係如以下式（8 )所示：
A r在此係表示式（9 ) 、（ 1 0 )或（1 1 )之基團：
Rc 式（11) 式⑻ 式（10) -24- (21) 200804558 其中虛線鍵結係表示連接於蒽單元之鍵。 此外，表1中縮寫N(p-Tol) 2係表示雙（對-甲苯基 )胺基。
表1 :式（8 )之較佳結構 編號 Ar Ar Ra Rb Rc Rd 1 苯基 Η Η 甲基 H 2 苯基 Η Η 甲基 甲基 3 苯基 Η Η 甲基 第三丁基 4 苯基 Η Η 甲基 Si(Me)3 5 苯基 Η Η 甲基 N(p-Tol)2 6 苯基 Η Η 甲基 苯基 7 苯基 Η Η 第三丁基 Η 8 苯基 Η Η 第三丁基 甲基 9 苯基 Η Η 第三丁基 第三丁基 10 苯基 Η Η 第三丁基 Si(Me)3 11 苯基 Η Η 第三丁基 N(p-Tol)2 12 苯基 Η Η 第三丁基 苯基 13 苯基 Η Η Si(Me)3 Η 14 苯基 Η Η Si(Me)3 甲基 15 苯基 Η Η Si(Me)3 第三丁基 16 苯基 Η Η Si(Me)3 Si(Me)3 17 苯基 Η Η Si(Me)3 N(p-Tol)2 18 苯基 Η Η Si(Me)3 苯基 19 苯基 Η Η N(p-To1)2 Η 20 苯基 Η Η N(p-Tol)2 甲基 21 苯基 Η Η N(p-Tol)2 第三丁基 22 苯基 Η Η N(p-ToI)2 Si(Me)3 23 苯基 Η Η N(p-Tol)2 N(p-Tol)2 24 苯基 Η Η N(p-Tol)2 苯基 25 苯基 Η Η 苯基 Η 26 苯基 Η Η 苯基 甲基 -25- (22)200804558
27 苯基 Η Η 苯基 第三丁基 28 苯基 Η Η 苯基 Si(Me)3 29 苯基 Η Η 苯基 N(p-Tol)2 30 苯基 Η Η 苯基 苯基 31 苯基 Η 甲基 甲基 Η 32 苯基 Η 甲基 甲基 甲基 33 苯基 Η 甲基 甲基 第三丁基 34 苯基 Η 甲基 甲基 Si(Me)3 35 苯基 Η 甲基 甲基 N(p-Tol)2 36 苯基 Η 甲基 甲基 苯基 37 苯基 Η 甲基 第三丁基 Η 38 苯基 Η 甲基 第三丁基 甲基 39 苯基 Η 甲基 第三丁基 第三丁基 40 苯基 Η 甲基 第三丁基 Si(Me)3 41 苯基 Η 甲基 第三丁基 N(p-To1)2 42 苯基 Η 甲基 第三丁基 苯基 43 苯基 Η 甲基 Si(Me)3 Η 44 苯基 Η 甲基 Si(Me)3 甲基 45 苯基 Η 甲基 Si(Me)3 第三丁基 46 苯基 Η 甲基 Si(Me)3 Si(Me)3 47 苯基 Η 甲基 Si(Me)3 N(p-Tol)2 48 苯基 Η 甲基 Si(Me)3 苯基 49 苯基 Η 甲基 N(p-Tol)2 Η 50 苯基 Η 甲基 N(p-Tol)2 甲基 51 苯基 Η 甲基 N(p-Tol)2 第三丁基 52 苯基 Η 甲基 N(p-Tol)2 Si(Me)3 53 苯基 Η 甲基 N(p-To1)2 N(p-Tol)2 54 苯基 Η 甲基 N(p-Toi)2 苯基 55 苯基 Η 甲基 苯基 Η 56 苯基 Η 甲基 苯基 甲基 57 苯基 Η 甲基 苯基 第三丁基 58 苯基 Η 甲基 苯基 Si(Me)3 59 苯基 Η 甲基 苯基 N(p-Tol)2 60 本基 Η 甲基 苯基 苯基 61 苯基 Η 第三丁基 甲基 Η -26- (23) 62 苯基 Η 第三丁基 甲基 甲基 63 苯基 Η 第三丁基 甲基 第三丁基 64 苯基 Η 第三丁基 甲基 Si(Me)3 65 苯基 Η 第三丁基 甲基 N(p-To1)2 66 苯基 Η 第三丁基 甲基 苯基 67 苯基 Η 第三丁基 第三丁基 Η 68 苯基 Η 第三丁基 第三丁基 甲基 69 苯基 Η 第三丁基 第三丁基 第三丁基 70 苯基 Η 第三丁基 第三丁基 Si(Me)3 71 苯基 Η 第三丁基 第三丁基 N(p-Tol)2 72 苯基 Η 第三丁基 第三丁基 苯基 73 苯基 Η 第三丁基 Si(Me)3 Η 74 苯基 Η 第三丁基 Si(Me)3 甲基 75 苯基 Η 第三丁基 Si(Me)3 第三丁基 76 苯基 Η 第三丁基 Si(Me)3 Si(Me)3 77 苯基 Η 第三丁基 Si(Me)3 N(p-To1)2 78 苯基 Η 第三丁基 Si(Me)3 苯基 79 苯基 Η 第三丁基 N(p-Tol)2 Η 80 苯基 Η 第三丁基 N(p-To1)2 甲基 81 苯基 Η 第三丁基 N(p-Tol)2 第三丁基 82 苯基 Η 第三丁基 N(p-To1)2 Si(Me)3 83 苯基 Η 第三丁基 N(p-To1)2 N(p-To1)2 84 苯基 Η 第三丁基 N(p-Tol)2 苯基 85 苯基 Η 第三丁基 苯基 Η 86 苯基 Η 第三丁基 苯基 甲基 87 苯基 Η 第三丁基 苯基 第三丁基 88 苯基 Η 第三丁基 苯基 Si(Me)3 89 苯基 Η 第三丁基 苯基 N(p-Tol)2 90 苯基 Η 第三丁基 苯基 苯基 91 苯基 Η Si(Me)3 甲基 Η 92 苯基 Η Si(Me)3 甲基 甲基 93 苯基 Η Si(Me)3 甲基 第三丁基 94 苯基 Η Si(Me)3 甲基 Si(Me)3 95 苯基 Η Si(Me)3 甲基 N(p-Tol)2 96 苯基 Η Si(Me)3 甲基 苯基 -27- (24)200804558
97 苯基 Η Si(Me)3 第三丁基 Η 98 苯基 Η Si(Me)3 第三丁基 甲基 99 苯基 Η Si(Me)3 第三丁基 第三丁基 100 苯基 Η Si(Me)3 第三丁基 Si(Me)3 101 苯基 Η Si(Me)3 第三丁基 N(p-Tol)2 102 苯基 Η Si(Me)3 第三丁基 苯基 103 苯基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 Η 104 苯基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 甲基 105 苯基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 第三丁基 106 苯基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 Si(Me)3 107 苯基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 N(p-To1)2 108 苯基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 苯基 109 苯基 Η Si(Me)3 N(p-Tol)2 Η 110 苯基 Η Si(Me)3 N(p-Tol)2 甲基 111 苯基 Η Si(Me)3 N(p-Tol)2 第三丁基 112 苯基 Η Si(Me)3 N(p-Tol)2 Si(Me)3 113 苯基 Η Si(Me)3 N(p-Tol)2 N(p-Tol)2 114 苯基 Η Si(Me)3 N(p-Tol)2 苯基 115 苯基 Η Si(Me)3 苯基 Η 116 苯基 Η Si(Me)3 苯基 甲基 117 苯基 Η Si(Me)3 苯基 第三丁基 118 苯基 Η Si(Me)3 苯基 Si(Me)3 119 苯基 Η Si(Me)3 苯基 N(p-To1)2 120 苯基 Η Si(Me)3 苯基 苯基 121 苯基 Η N(p-Tol)2 甲基 Η 122 苯基 Η N(p-To1)2 甲基 甲基 123 苯基 Η N(p-Tol)2 甲基 第三丁基 124 苯基 Η N(p-Tol)2 甲基 Si(Me)3 125 苯基 Η N(p-Tol)2 甲基 N(p-Tol)2 126 苯基 Η N(p-Tol)2 甲基 苯基 127 苯基 Η N(p-Tol)2 第三丁基 Η 128 苯基 Η N(p-Tol)2 第三丁基 甲基 129 苯基 Η N(p-Tol)2 第三丁基 第三丁基 130 苯基 Η N(p-Tol)2 第三丁基 Si(Me)3 131 苯基 Η N(p-Tol)2 第三丁基 N(p-To1)2 -28- (25)200804558
132 苯基 Η N(p-Tol)2 第三丁基 苯基 133 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 Η 134 苯基 Η N(p-Toi)2 Si(Me)3 甲基 135 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 第三丁基 136 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 Si(Me)3 137 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 N(p-Tol)2 138 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 苯基 139 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 N(p-Tol)2 Η 140 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 N(p-Tol)2 甲基 141 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 N(p-Tol)2 第三丁基 142 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 N(p-To1)2 Si(Me)3 143 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 N(p-Tol)2 N(p-To1)2 144 苯基 Η Ν(ρ-ΤοΙ)2 N(p-Tol)2 苯基 145 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 苯基 Η 146 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 苯基 甲基 147 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 苯基 第三丁基 148 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 苯基 Si(Me)3 149 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 苯基 N(p-Tol)2 150 苯基 Η Ν(ρ-Το1)2 苯基 苯基 151 苯基 甲基 Η 甲基 Η 152 苯基 甲基 Η 甲基 甲基 153 苯基 甲基 Η 甲基 第三丁基 154 苯基 甲基 Η 甲基 Si(Me)3 155 苯基 甲基 Η 甲基 N(p-To1)2 156 苯基 甲基 Η 甲基 苯基 157 苯基 甲基 Η 第三丁基 Η 158 苯基 甲基 Η 第三丁基 甲基 159 苯基 甲基 Η 第三丁基 第三丁基 160 苯基 甲基 Η 第三丁基 Si(Me)3 161 苯基 甲基 Η 第三丁基 N(p-Tol)2 162 苯基 甲基 Η 第三丁基 苯基 163 苯基 甲基 Η Si(Me)3 Η 164 苯基 甲基 Η Si(Me)3 甲基 165 苯基 甲基 Η Si(Me)3 第三丁基 166 苯基 甲基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 -29- (26)200804558
167 苯基 甲基 Η Si(Me)3 N(p-Tol)2 168 苯基 甲基 Η Si(Me)3 苯基 169 苯基 甲基 Η Ν(ρ-Το1)2 H 170 苯基 甲基 Η Ν(ρ-Το1)2 甲基 171 苯基 甲基 Η Ν(ρ-Το1)2 第三丁基 172 苯基 甲基 Η Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 173 苯基 甲基 Η Ν(ρ-Το1)2 N(p-To1)2 174 苯基 甲基 Η Ν(ρ-Το1)2 苯基 175 苯基 甲基 Η 苯基 Η 176 苯基 甲基 Η 苯基 甲基 177 苯基 甲基 Η 苯基 第三丁基 178 苯基 甲基 Η 苯基 Si(Me)3 179 苯基 甲基 Η 苯基 N(p-Toi)2 180 苯基 甲基 Η 苯基 苯基 181 苯基 第三丁基 Η 甲基 Η 182 苯基 第三丁基 Η 甲基 甲基 183 苯基 第三丁基 Η 甲基 第三丁基 184 苯基 第三丁基 Η 甲基 Si(Me)3 185 苯基 第三丁基 Η 甲基 N(p-Tol)2 186 苯基 第三丁基 Η 甲基 苯基 187 苯基 第三丁基 Η 第三丁基 Η 188 苯基 第三丁基 Η 第三丁基 甲基 189 苯基 第三丁基 Η 第三丁基 第三丁基 190 苯基 第三丁基 Η 第三丁基 Si(Me)3 191 苯基 第三丁基 Η 第三丁基 N(p-Tol)2 192 苯基 第三丁基 Η 第三丁基 苯基 193 苯基 第三丁基 Η Si(Me)3 Η 194 苯基 第三丁基 Η Si(Me)3 甲基 195 苯基 第三丁基 Η Si(Me)3 第三丁基 196 苯基 第三丁基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 197 苯基 第三丁基 Η Si(Me)3 N(p_To1)2 198 苯基 第三丁基 Η Si(Me)3 苯基 199 苯基 第三丁基 Η N(p-Tol)2 Η 200 苯基 第三丁基 Η N(p-Tol)2 甲基 201 苯基 第三丁基 Η N(p-Tol)2 第三丁基 -30- (27)200804558
202 苯基 第三丁基 H N(p-Tol)2 Si(Me)3 203 苯基 第三丁基 H N(p-To1)2 N(p-Tol)2 204 苯基 第三丁基 H N(p-Tol)2 苯基 205 苯基 第三丁基 H 苯基 H 206 苯基 第三丁基 H 苯基 甲基 207 苯基 第三丁基 H 苯基 第三丁基 208 苯基 第三丁基 H 苯基 Si(Me)3 209 苯基 第三丁基 H 苯基 N(p-Tol)2 210 苯基 第三丁基 H 苯基 苯基 211 苯基 Si(Me)3 H 甲基 Η 212 苯基 Si(Me)3 H 甲基 甲基 213 苯基 Si(Me)3 H 甲基 第三丁基 214 苯基 Si(Me)3 H 甲基 Si(Me)3 215 苯基 Si(Me)3 H 甲基 N(p-Tol)2 216 苯基 Si(Me)3 H 甲基 苯基 217 苯基 Si(Me)3 H 第三丁基 Η 218 苯基 Si(Me)3 H 第三丁基 甲基 219 苯基 Si(Me)3 H 第三丁基 第三丁基 220 苯基 Si(Me)3 H 第三丁基 Si(Me)3 221 苯基 Si(Me)3 H 第三丁基 N(p-Tol)2 222 苯基 Si(Me)3 H 第三丁基 苯基 223 苯基 Si(Me)3 H Si(Me)3 Η 224 苯基 Si(Me)3 H Si(Me)3 甲基 225 苯基 Si(Me)3 H Si(Me)3 第三丁基 226 苯基 Si(Me)3 H Si(Me)3 Si(Me)3 227 苯基 Si(Me)3 H Si(Me)3 N(p-Tol)2 228 苯基 Si(Me)3 H Si(Me)3 苯基 229 苯基 Si(Me)3 H Si(Me)3 Η 230 苯基 Si(Me)3 H N(p-Tol)2 甲基 231 苯基 Si(Me)3 H N(p-ToI)2 第三丁基 232 苯基 Si(Me)3 H N(p-Tol)2 Si(Me)3 233 苯基 Si(Me)3 H N(p-To1)2 N(p-Tol)2 234 苯基 Si(Me)3 H N(p-Tol)2 苯基 235 苯基 Si(Me)3 H 苯基 Η 236 苯基 Si(Me)3 H 苯基 甲基 -31 - (28)200804558
237 苯基 Si(Me)3 H 苯基 第三丁基 238 苯基 Si(Me)3 H 苯基 Si(Me)3 239 苯基 Si(Me)3 H 苯基 N(p-Tol)2 240 苯基 Si(Me)3 H 苯基 苯基 241 苯基 N(p-Tol)2 H 甲基 Η 242 苯基 N(p-Tol)2 H 甲基 甲基 243 苯基 N(p-Tol)2 H 甲基 第三丁基 244 苯基 N(p-Tol)2 H 甲基 Si(Me)3 245 苯基 N(p-To1)2 H 甲基 Ν(ρ·Το1)2 246 苯基 N(p_To1)2 H 甲基 苯基 247 苯基 N(p-To1)2 H 第三丁基 Η 248 苯基 N(p-Tol)2 H 第三丁基 甲基 249 苯基 N(p-Tol)2 H 第三丁基 第三丁基 250 苯基 N(p-Tol)2 H 第三丁基 Si(Me)3 251 苯基 N(p-Tol)2 H 第三丁基 N(p-Tol)2 252 苯基 N(p-Tol)2 H 第三丁基 苯基 253 苯基 N(p-Tol)2 H Si(Me)3 Η 254 苯基 N(p-Tol)2 H Si(Me)3 甲基 255 苯基 N(p-Tol)2 H Si(Me)3 第三丁基 256 苯基 N(p-Tol)2 H Si(Me)3 Si(Me)3 257 苯基 N(p-Tol)2 H Si(Me)3 N(p-Tol)2 258 苯基 N(p-Tol)2 H Si(Me)3 苯基 259 苯基 N(p-Tol)2 H N(p-Tol)2 Η 260 苯基 N(p-Tol)2 H N(p-Tol)2 甲基 26! 苯基 N(p-Tol)2 H N(p-To1)2 第三丁基 262 苯基 N(p-To1)2 H N(p-Tol)2 Si(Me)3 263 苯基 N(p-Tol)2 H N(p_Tol)2 N(p-Tol)2 264 苯基 N(p-Tol)2 H N(p-Tol)2 苯基 265 苯基 N(p-To1)2 H 本基 Η 266 苯基 N(p-Tol)2 H 苯基 甲基 267 苯基 N(p-To1)2 H 苯基 第三丁基 268 苯基 N(p-To1)2 H 苯基 Si(Me)3 269 苯基 N(p_Tol)2 H 苯基 N(p_To1)2 270 苯基 N(p-Tol)2 H 苯基 苯基 271 苯基 苯基 H 甲基 Η -32- (29) 200804558 (29)
272 苯基 苯基 Η 甲基 甲基 273 苯基 苯基 Η 甲基 第三丁基 274 苯基 苯基 Η 甲基 Si(Me)3 275 苯基 苯基 Η 甲基 N(p-Tol)2 276 苯基 苯基 Η 甲基 苯基 277 苯基 苯基 Η 第三丁基 Η 278 苯基 苯基 Η 第三丁基 甲基 279 苯基 苯基 Η 第三丁基 第三丁基 280 苯基 苯基 Η 第三丁基 Si(Me)3 281 苯基 苯基 Η 第三丁基 N(p-Tol)2 282 苯基 苯基 Η 第三丁基 苯基 283 苯基 苯基 Η Si(Me)3 Η 284 苯基 苯基 Η Si(Me)3 甲基 285 苯基 苯基 Η Si(Me)3 第三丁基 286 苯基 苯基 Η Si(Me)3 Si(Me)3 287 苯基 苯基 Η Si(Me)3 N(p-To1)2 288 苯基 苯基 Η Si(Me)3 苯基 289 苯基 苯基 Η N(p-Tol)2 Η 290 苯基 苯基 Η N(p-To1)2 甲基 291 苯基 苯基 Η N(p-Tol)2 第三丁基 292 苯基 苯基 Η N(p-To1)2 Si(Me)3 293 苯基 苯基 Η N(p-Tol)2 N(p-To1)2 294 苯基 苯基 Η N(p-Tol)2 苯基 295 苯基 苯基 Η 苯基 Η 296 苯基 苯基 Η 苯基 甲基 297 苯基 苯基 Η 苯基 第三丁基 298 苯基 苯基 Η 苯基 Si(Me)3 299 苯基 苯基 Η 苯基 N(p-To1)2 300 苯基 苯基 Η 苯基 苯基 301 1-萘基 Η • 甲基 Η 302 1-萘基 Η - 甲基 甲基 303 1-萘基 Η 嶋 甲基 第三丁基 304 1-萘基 Η 甲基 Si(Me)3 305 1-萘基 Η 琴 甲基 N(p-To1)2 306 1-萘基 Η - 甲基 苯基 -33- (30)200804558
Ju / 1_蔡基 TT 瞧 第三丁基 Η 308 1-萘基 Η 第三丁基 甲基 309 1-萘基 Η 第三丁基 第三丁基 310 1-萘基 Η - 第三丁基 Si(Me)3 311 1-萘基 Η 賺 第三丁基 N(p-Tol)2 312 1-萘基 Η 第三丁基 苯基 313 1-萘基 Η Si(Me)3 Η 314 1·萘基 Η - Si(Me)3 甲基 315 1-萘基. Η - Si(Me)3 第三丁基 316 1-萘基 Η - Si(Me)3 Si(Me)3 317 1-萘基 Η Si (Me) 3 N(p-Tol)2 318 1-萘基 Η • Si(Me)3 N(p-Tol)2 319 1-萘基 Η - N(p-Tol)2 Η 320 1-萘基 Η 讚 N(p-Tol)2 甲基 321 1-萘基 Η • N(p-Tol)2 第三丁基 322 1-萘基 Η - N(p-Tol)2 Si(Me)3 323 1-萘基 Η • N(p-Tol)2 N(p-To1)2 324 1-萘基 Η N(p-Tol)2 苯基 325 1-萘基 Η 苯基 Η 326 1-萘基 Η - 苯基 甲基 327 1-萘基 Η • 苯基 第三丁基 328 1-萘基 Η 一 苯基 Si(Me)3 329 1-萘基 Η 苯基 N(p-Tol)2 330 1-萘基 Η 麵. 苯基 苯基 331 1-萘基 甲基 • 甲基 Η 332 1-萘基 甲基 甲基 甲基 333 1-萘基 甲基 丨 甲基 第三丁基 334 1-萘基 甲基 甲基 Si(Me)3 335 1-萘基 甲基 - 甲基 N(p-Tol)2 336 1·萘基 甲基 甲基 苯基 337 1-萘基 甲基 • 第三丁基 Η 338 1-萘基 甲基 • 第三丁基 甲基 339 1-萘基 甲基 第三丁基 第三丁基 340 1-萘基 甲基 丨 第三丁基 Si(Me)3 341 1-萘基 甲基 - 第三丁基 N(p-To1)2 -34- (31)200804558
342 1-萘基 t=n -t=f* Ψ莖 一 ΑΆ* --- —r^* -fcp 弟二」空 苯基 343 1-萘基 甲基 Si(Me)3 Η 344 1-萘基 甲基 • Si(Me)3 甲基 345 1-萘基 甲基 Si(Me)3 第三丁基 346 1-萘基 甲基 丨 Si(Me)3 Si(Me)3 347 1-萘基 甲基 一 Si(Me)3 N(p-To1)2 348 1-萘基 甲基 Si(Me)3 苯基 349 1-萘基 甲基 崎 N(p-Tol)2 Η 350 1-萘基 甲基 N(p-Tol)2 甲基 351 1-萘基 甲基 • N(p-Tol)2 第三丁基 352 1-萘基 甲基 - N(p-Tol)2 Si(Me)3 353 1-萘基 甲基 - N(p-Tol)2 N(p-To1)2 354 1-萘基 甲基 • N(p-To1)2 苯基 355 1-萘基 甲基 一 苯基 Η 356 1-萘基 甲基 苯基 甲基 357 1-萘基 甲基 苯基 第三丁基 358 1-萘基 甲基 画 苯基 Si(Me)3 359 1-萘基 甲基 苯基 N(p-Tol)2 360 1-萘基 甲基 • 苯基 苯基 361 2-萘基 甲基 Η 362 2-萘基 甲基 甲基 363 2-萘基 甲基 第三丁基 364 2-萘基 • - 甲基 Si(Me)3 365 2-萘基 - - 甲基 N(p-Tol)2 366 2-萘基 - - 甲基 苯基 367 2-萘基 - 第三丁基 Η 368 2-萘基 一 第三丁基 甲基 369 2-萘基 • - 第三丁基 第三丁基 370 2-萘基 - 第三丁基 Si(Me)3 371 2-萘基， - - 第三丁基 N(p-Tol)2 372 2-萘基 • • 第三丁基 苯基 373 2-萘基 • 着 Si(Me)3 Η 374 2-萘基 - • Si(Me)3 甲基 375 2-萘基 丨 ·. Si(Me)3 第三丁基 376 2-萘基 - - Si(Me)3 Si(Me)3 -35 - (32)200804558
377 2-萘基 一 Si(Me)3 N(p-Tol)2 378 2-萘基 _ • Si(Me)3 苯基 379 2-萘基 - N(p-Tol)2 H 380 2-萘基 - - N(p-Tol)2 甲基 381 2-萘基 一 - N(p-Tol)2 第三丁基 382 2_萘基 - N(p-Tol)2 Si(Me)3 383 2-萘基 • N(p-Tol)2 N(p-Tol)2 384 2-萘基 猶 N(p-Tol)2 苯基 385 2-萘基 苯基 Η 386 2_萘基 - 苯基 甲基 387 2-萘基 • • 苯基 第三丁基 388 2-萘基 • 苯基 Si(Me)3 389 2-萘基 - 苯基 N(p-Tol)2 390 2-萘基 - • 苯基 苯基 391 9-蒽基 1-萘基 • 甲基 Η 392 9-蒽基 1·萘基 - 甲基 甲基 393 9-蒽基 1-萘基 • 甲基 第三丁基 394 9-蒽基 1-萘基 • 甲基 Si(Me)3 395 9-蒽基 1-萘基 • 甲基 N(p-Tol)2 396 9-蒽基 1-萘基 甲基 苯基 397 9-蒽基 1-萘基 . 第三丁基 Η 398 9-蒽基 1-萘基 第三丁基 甲基 399 9_蒽基 1-萘基 第三丁基 第三丁基 400 9_蒽基 1-萘基 • 第三丁基 Si(Me)3 401 9-蒽基 1-萘基 • 第三丁基 N(p-Tol)2 402 9-蒽基 1-萘基 - 第三丁基 苯基 403 9-蒽基 1-萘基 嫌 Si(Me)3 Η 404 9-蒽基 1-萘基 • Si(Me)3 甲基 405 9-蒽基 1-萘基 - Si(Me)3 第三丁基 406 9_蒽基 1-萘基 Si(Me)3 Si(Me)3 407 9-恩基 1-萘基 - Si(Me)3 N(p-Tol)2 408 9-恩基 1-萘基 • Si(Me)3 苯基 409 9_恩基 1-萘基 • N(p-Tol)2 Η 410 9-蒽基 1-萘基 N(p-Tol)2 甲基 411 9-蒽基 1-萘基 N(p-Tol)2 第三丁基 -36- (33)200804558 412 9-蒽基 1-萘基 N(p-Tol)2 Si(Me)3 413 9-蒽基 1-萘基 一 N(p-Tol)2 N(p-Tol)2 414 9-蒽基 1-萘基 • N(p-Tol)2 苯某 415 9-蒽基 1-萘基 •丨 苯基 H 416 9-恩基 1-萘基 一 苯基 甲基 417 9-恩基 1-萘基 - 苯基 第三丁基 418 9-蒽基 1-萘基 苯基 Si(Me)3 419 9-蒽基 1-萘基 麵 苯基 N(p-Tol)2 420 9-恩基 1-萘基 苯基 苯基 421 9-蒽基 2-萘基 丨 甲基 Η 422 9-恩基 2-萘基 • 甲基 甲基 423 9-恩基 2-萘基 - 甲基 第三丁基 424 9-恩基 2-萘基 • 甲基 Si(Me)3 425 9-蒽基 2-萘基 甲基 N(p-Tol)2 426 9-蒽基 2-萘基 - 甲基 苯基 427 9-蒽基 2-萘基 • 第三丁基 Η 428 9-蒽基 2-萘基 • 第三丁基 甲基 429 9-蒽基 2-萘基 第三丁基 第三丁基 430 9-蒽基 2-萘基 • 第三丁基 Si(Me)3 431 9-蒽基 2-萘基 第三丁基 N(p-To1)2 432 9-蒽基 2·萘基 第三丁基 苯基 433 9-蒽基 2-萘基 • Si(Me)3 Η 434 9-恩基 2-萘基 - Si(Me)3 甲基 435 9-蒽基 2-萘基 着 Si(Me)3 第三丁基 436 9-蒽基 2-萘基 Si(Me)3 Si(Me)3 437 9-蒽基 2-萘基 _ Si(Me)3 N(p-Tol)2 438 9-蒽基 2-萘基 • Si(Me)3 苯基 439 9-蒽基 2-萘基 - N(p-To1)2 Η 440 9-息基 2-萘基 - N(p-To1)2 甲基 441 9-蒽基 2-萘基 靡 N(p-Tol)2 第三丁基 442 9-蒽基 2-萘基 - N(p-Tol)2 Si(Me)3 443 9-恩基 2-萘基 一 N(p-Tol)2 N(p-Tol)2 444 9-蒽基 2-萘基 • N(p-Tol)2 苯基 445 9-蒽基 2-萘基 苯基 Η 446 9-蒽基 2-萘基 - 苯基 甲基 -37- (34)200804558
447 9-蒽基 2-萘基 苯基 第三丁基 448 9-蒽基 2-萘基 苯基 Si(Me)3 449 9-蒽基 2-萘基 • 苯基 N(p-To1)2 450 9-蒽基 2-萘基 • 苯基 苯基 451 9-蒽基 N(p-To1)2 - 甲基 Η 452 9-蒽基 N(p-To1)2 傷 甲基 甲基 453 9-恩基 N(p_To1)2 甲基 第三丁基 454 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 - 甲基 Si(Me)3 455 9-恩基 Ν(ρ-Το1)2 甲基 N(p-Tol)2 456 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 - 甲基 苯基 457 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 - 第三丁基 Η 458 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 一 第三丁基 甲基 459 9-蒽基 Ν(ρ_Το1)2 • 第三丁基 第三丁基 460 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 一 第三丁基 Si(Me)3 461 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 誦 第三丁基 N(p-To1)2 462 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 • 第三丁基 苯基 463 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 麵 Si(Me)3 Η 464 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 甲基 465 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 - Si(Me)3 第三丁基 466 9-恩基 Ν(ρ-Το1)2 一 Si(Me)3 Si(Me)3 467 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 N(p-Tol)2 468 9-恩基 Ν(ρ-Το1)2 Si(Me)3 苯基 469 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 N(p-Tol)2 Η 470 9-恩基 Ν(ρ·Το1)2 - N(p-Tol)2 甲基 471 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 - N(p-Tol)2 第三丁基 472 9-恩基 Ν(ρ-Το1)2 麵 N(p-Tol)2 Si(Me)3 473 9-恩基 Ν(ρ-Το1)2 • N(p-ToI)2 N(p-To1)2 474 恩基 Ν(ρ-Το1)2 • N(p-To1)2 苯基 475 9-恩基 Ν(ρ-Το1)2 • 苯基 Η 476 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 苯基 甲基 477 9-恩基 Ν(ρ·Το1)2 - 苯基 第三丁基 478 9-恩基 Ν(ρ-Το1)2 - 苯基 Si(Me)3 479 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 • 苯基 N(p-Tol)2 480 9-蒽基 Ν(ρ-Το1)2 苯基 苯基 481 9-惠基 苯基 - 甲基 Η -38- (35) 200804558
482 9-蒽基 苯基 麵 甲基 甲基 483 9-蒽基 苯基 - 甲基 第三丁基 484 9-蒽基 苯基 龜 甲基 Si(Me)3 485 9-蒽基 苯基 - 甲基 N(p-ToI)2 486 9-蒽基 苯基 喝 甲基 苯基 487 9-蒽基 苯基 第三丁基 Η 488 9-蒽基 苯基 • 第三丁基 甲基 489 9-恩基 苯基 麵 第三丁基 第三丁基 490 9-蒽基 苯基 筆 第三丁基 Si(Me)3 491 9-蒽基 苯基 • 第三丁基 N(p-To1)2 492 9-恩基 苯基 - 第三丁基 苯基 493 9-蒽基 苯基 • Si(Me)3 Η 494 9-蒽基 苯基 Si(Me)3 甲基 495 9-蒽基 苯基 麵 Si(Me)3 第三丁基 496 9-蒽基 苯基 - Si(Me)3 Si(Me)3 497 9-蒽基 苯基 一 Si(Me)3 N(p-To1)2 498 9-蒽基 苯基 Si(Me)3 苯基 499 9-蒽基 苯基 N(p-Tol)2 Η 500 9-蒽基 苯基 N(p-Tol)2 甲基 501 9-蒽基 苯基 - N(p-Tol)2 第三丁基 502 9-蒽基 苯基 - N(p-Tol)2 Si(Me)3 503 9-蒽基 苯基 - N(p-Tol)2 N(p-Toi)2 504 9-蒽基 苯基 • N(p-Tol)2 苯基 505 9-恩基 苯基 腾 苯基 Η 506 9-蒽基 苯基 - 苯基 甲基 507 9-蒽基 苯基 丨 苯基 第三丁基 508 9-蒽基 苯基 - 苯基 Si(Me)3 509 9-蒽基 苯基 • 苯基 N(p-To1)2 510 9-蒽基 苯基 - 苯基 苯基 該等化合物可例如自2,6-二氯-或二溴蒽醌開始合成 。此係依Suzuki偶合與芳基硼酸反應產生對應之2,6-二 芳基蒽酿。此可於另一步驟中與芳族Grignard試劑反應， -39- (36) (36)200804558 且隨後與還原劑例如氯化錫（Π )反應，產生2,6,9,10_四 芳基蒽。 本發明因此另外有關一種製備式（1 )之化合物之方 法’其係使2,6-二鹵基蒽醌或類似磺酸衍生物與基團Ar 之硼酸衍生物於鈀催化下反應，之後與對應之鄰位經取代 有機金屬苯基衍生物反應及還原。 該方法係依以下流程圖進行：
Ar、R、R1、R2及P在此係具有如前文意義。Y係表 示氯、溴或碘，較佳爲溴’或爲式〇s〇2r2之基團。Μ係 表示陽電性金屬，尤其是鋰、鎂或鋅，且，若爲二價金屬 ，則亦含有另一有機基團或基團Υ。進行Suzuki偶合（第 一反應步驟）之方式及特別適合此目得之鈀觸媒係熟習有 -40- (37) 200804558 機合成技術者已知。第二反應步驟所採 爲氯化錫（II )。 該式（1 )之化合物可使用於有機 特別適於作爲螢光發光體使用之主體材 而亦可作爲發光體、作爲電洞傳送材料 料及/或作爲電子傳送材料。 本發明因此另外有關式（1 )之化 φ 置（尤其是有機電發光裝置）中之用途 材料、作爲發光體、作爲電洞傳送材料 料及/或作爲電子傳送材料。 本發明另外有關有機電子裝置，尤 置，其包含陽極、陰極及至少一層發光 係包含至少一種式（1 )之化合物。該4 物之層較佳係爲發光層、電洞傳送層、 阻隔層或電子傳送層。 • 除了陰極、陽極及發光層（或發光 機電發光裝置亦可包含其他層。此等層 射層、電洞傳送層、電洞阻隔層、電子 層及/或電荷生成層（T. Matsumoto Organic EL Device Having Charge IDMC 2003，Taiwan; Session 21 OLED 中之材料亦可經摻雜。此等層並非每一 當之電洞傳送材料有例如芳族胺，如先 亦可經摻雜。適當之電子傳送材料有例 用之還原劑較佳係 電發光裝置中。其 料，但視取代模式 、作爲電洞阻隔材 合物於有機電子裝 ，尤其是作爲主體 、作爲電洞阻隔材 其是有機電發光裝 層，其中至少一層 2含式（1 )之化合 電洞注射層、電洞 層等）之外，該有 可爲例如：電洞注 傳送層、電子注射 等 k ，Multiphoton Generation Layer， (5))。此等層 層皆必需存在。適 前技術一般使用且 如金屬鉗合劑錯合 -41 - (38) (38)200804558 物例如A1Q3 ’以缺電子雜環爲主之化合物，例如三嗪 衍生物’或含芳族羰基之化合物或膦氧化物，如例如 WO 05/08408 1及W〇 〇5/〇84〇82所述，其各亦可經卜摻雜 。適虽之電子注射材料有（尤其是）鹼金屬及鹼土金屬之 鼠化物及氧化物，例如NaF、BaF2、CaF2、LiF或Li20。 本發明較佳具體實施態樣中，式（1 )之化合物係作 爲主體材料’尤其是供螢光發光體使用，及/或作爲電子 傳送材料及/或作爲電洞阻隔材料。該化合物不含任何式 N(Ar1)2之取代基時尤其如此。 主體材料係用以表示在包含主體及摻雜劑之系統（二 元混合物）中存在較高比例之組份。在包含主體及複數種 摻雜劑之系統（三元及更多元混合物）中，主體係表示在 混合物中比例最高之組份。 式（1 )之主體材料於發光層中之比例係介於50.0及 99.9重量％之間，較佳介於80.0及99.5重量％之間，特佳 介於90.0及99.0重量％之間。因此，摻雜劑於發光層中 之比例係介於〇.1及50.0重量％之間，較佳介於0.5及 2 0.0重量％之間，特佳介於1.0及10.0重量％之間。 較佳摻雜劑係選自芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺 、芳族芘二胺、單苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、三苯乙烯 基胺、四苯乙烯基胺、苯乙烯基膦、苯乙烯基醚及芳基胺 。芳族蒽胺係用以表示一種其中二芳基胺基直接鍵結於蒽 基（較佳於9-位置）之化合物。芳族蒽二胺係用以表示一 種其中兩個二芳基胺基直接鍵結於恵基（較佳係爲9，10- -42- 200804558 (39) 位置）之化合物。芳族芘胺及苗二胺係類似定義，該二芳 基胺基較佳係鍵結於芘之1-位置或或位置。單苯乙缔 基胺係用以表示含有經取代或未經取代之苯乙烯基及至少 一個（較佳芳族）胺之化合物。二苯乙烯基胺係用以表示 含有兩個經取代或未經取代之苯乙烯基及至少一個（較佳 芳族）胺的化合物。三苯乙烯基胺係用以表示含有三個經 取代或未經取代之苯乙烯基及至少一個（較佳芳族）胺的 Φ 化合物。四苯乙烯基胺係用以表示含有四個經取代或未經 取代之本乙細基及至少一個（較佳芳族）胺的化合物。對 應之膦及醚係類似胺之定義。就本發明之目的而言，芳基 胺或芳族胺係用以表示含有三個直接鍵結於氮之經取代或 未經取代芳族或雜芳族環系統的化合物。此處至少一個芳 基係較佳具有至少三個環之稠合芳基。苯乙烯基特佳係爲 芪’其亦可進一步經取代。特佳之摻雜劑係選自三芪胺、 芳族芪二胺、蒽二胺及芘二胺。極佳摻雜劑係選自三苯乙 φ 烯基胺。此類摻雜劑之實例有經取代或未經取代之三芪胺 或 WO 06/000388、WO 06/058737 及 WO 06/000389 所述 之摻雜劑。 本發明另一具體實施態樣中，該有機電發光裝置係包 含複數層發光層，其中此等層中至少一層係包含至少一種 式（1 )之化合物。此等發光層特佳總共具有複數個介於 380奈米及75 0奈米之間的發光最大値，整體產生白色發 光，即該其他發光層（等）中使用至少一種其他發光化合 物，此化合物可爲螢光或磷光且發射黃光、橘光或紅光。 -43- 200804558 (40) 。較佳係爲三層系統，其中此等層中至少一層係包含至少 一種式（1 )之化合物，且其中該三層係發射藍光、綠光 及橘光或紅光（基本結構參見例如WO 05/01 1013 )。具 有寬譜發光帶且因此具有白光發射之發光體亦適用於白光 發射。 除了式（1 )之化合物及摻雜劑之外，發光層中亦可 存有其他物質，例如電洞或電子傳送材料。 φ 若符號R係表示N ( Ar1 ) 2基團且/或Ar基團上或另 一位置之至少一個取代基R1係表示N ( Ar1 ) 2基團，則 式（1 )之化合物係特別適於作爲發光化合物且/或作爲電 洞傳送材料，如下文所詳述。 若採用式（1 )化合物作爲電洞傳送材料，則其較佳 係使用於電洞傳送層及/或電洞注射層中。就本發明之目 的而言，電洞注射層係爲與陽極直接相鄰之層。就本發明 之目的而言，電洞傳送層係爲位於電洞注射層與發光層之 # 間的層。若使用式（1 )化合物作爲電洞傳送或電洞注射 材料，則可較佳地摻雜電子受體化合物，例如f4-tcnq 或EP 147688 1或EP 1 596445中所述之化合物。 若採用式（1 )化合物作爲發光化合物，則其較佳係 與主體材料組合使用。 發光性式（1 )化合物於發光層混合物中之比例係介 於〇·1及50·0重量％之間，較佳係介於0.5及20 ·0重量％ 之間，特佳介於1 · 0及1 0 · 0重量％之間。是故，主體材料 於該層中之比例係介於50.0及99.9重量％之間，較佳係 -44 - (41) 200804558 介於80·0及99.5重量％之間，特佳係介於90.0及99.0蔞 量％之間。 適當之主體材料係爲各種類型之物質。較佳主體材料 係選自寡聚伸芳基（例如ΕΡ 67646 1所述之2,2’，7,7\四 苯基螺聯莽或二萘基蒽），尤其是含有稠合芳族基團之寡 聚伸芳基，寡聚伸芳基伸乙烯基（例如ΕΡ 67646 1所述之 DPVBi或螺-DPVBi )、多足型金屬錯合物（例如 w〇 g 04/08 1 0 1 7所述）、電洞傳導性化合物（例如 w〇 0 4/05 89 1 1所述）、電子傳導性化合物，尤其是酮類、膦 氧化物、亞楓等（例如WO 05/084081或WO 05/084082所 述）、滯轉異構物（例如WO 06/048268所述）或硼酸衍 生物（例如WO G6/1 1 7052所述）。特佳之主體材料係選 自含有奈、恩及/或芘之寡聚伸芳基或此等化合物之滯轉 異構物’寡聚伸芳基伸乙烯基、酮類、膦氧化物及亞颯。 極佳之主體材料係選自含有蒽及/或芘之寡聚伸芳基或此 • 等化合物之滯轉異構物、膦氧化物及亞砸。 另外較佳者係爲一種有機電發光裝置，其特徵爲藉昇 華方法塗覆一或多層，其中該材料係於低於i 〇- 5毫巴，較 佳低於1〇笔巴，特佳低於10·7毫巴之壓力下在真空昇華 單元中氣相沈積。 亦佳者係爲一種有機電發光裝置，其特徵爲藉〇VpD (有機氣相沈積）或借助載體-氣體昇華塗覆一或多層， 其中該材料係於介於W毫巴及1E之間的壓力下施加。 另外較佳者係爲〜種有機電發光裝置，其特徵爲藉由 -45· 200804558 (42) 諸如例如旋塗法或藉任何所需之印刷法自溶液製得一或多 層，該印刷法係諸如例如網版印刷、柔性版印刷或膠版印 刷，但特佳爲LITI (光誘導熱成像、熱轉移印刷）或噴 墨印刷。此情況需要可溶性式（1 )之化合物。本發明化 合物因爲取代而於有機溶劑中具有極高溶解度，故極適用 於自溶液加工。. 本發明有機電發光裝置具有以下令人驚異性質： φ 1 ·本發明化合物具有高度熱安定性，尤其是高玻璃 轉化溫度。 2 ·本發明化合物在使用於OLED中時展現高效率、 良好使用壽命及良好之色彩座標。 3 ·本發明化合物於有機溶劑中具有良好溶解度，而 簡化此等化合物之製備及加工。 4 ·本發明化合物具有高度氧化還原安定性（對電洞 及電子具高度安定性）。 φ 5 ·本發明化合物之膜形成性極佳。 本案描述係針對於本發明化合物在OLED及對應之顯 示器中的用途。 儘管描述有此限制，但熟習此技術者可在不使用其他 發明性步驟的情況下，亦將本發明化合物使用於其他電子 裝置，例如僅舉例以下數種應用：有機場效電晶體（0-FET )、有機薄膜電晶體（Ο-TFT )、有機發光電晶體（ 〇_LET)、有機積體電路（0-IC)、有機太陽能電池（0-SC )、有機場淬滅裝置（0_FQD )、有機光受體、發光性 -46- 200804558 (43) 電化學構件（LEC)或有機雷射二極體（〇-雷射）。 本發明另外有關有機化合物於對應之裝置之用途及此 等裝置本身。 【實施方式】 藉以下實施例更詳細說明本發明，但不受其限制。 實施例： 以下合成係於保護性氣體環境下進行，除非另有陳述 。起始物質可購自 ALDRICH或 ABCR (乙酸鈀（II )、 三-鄰-甲苯基-膦、二-第三丁基氯膦，溴化物、胺、無機 物、溶劑）。2,6-二溴蒽醌係藉 Lee等人，Org. 2005，，323之方法製備；2-三甲基矽烷基溴苯係 藉 Klusener 等人，Org. C/zem. 1 990，55 ( 4 J ，1 3 1 1 之方 法製備；頻那基醇10- ( 4-甲基萘-1-基）蒽-9-硼酸酯係根 據EP 0 500 9643.7製備；1-溴-2- ( 1-甲基-1·苯基乙基）苯 係藉 Sigmundova 等人，Synth· C o mmun. 2004, 3 4 ( 20 )， 3667之方法製備。 實施例1 : 2,6,9，1〇-四-鄰-甲苯基蒽 a) 2,6-雙-鄰-甲苯基蒽醌
-47- 200804558 (44) 28·7克（100毫莫耳）之2,6_二溴蒽醌、32·6克（ 240笔旲耳）之鄰-甲苯基硼酸、89.2克（420毫莫耳）之 磷酸紳、1·8克（6毫莫耳）之三-鄰-甲苯基膦及225毫克 (1毫旲耳）之乙酸鈀（Π)於2〇〇毫升二噁烷、400毫升 甲苯及5 0 0毫升水之混合物中的懸浮液回流1 6小時。冷 卻後，抽氣濾出固體，以每次i 〇〇毫升水洗滌三次且以每 次100毫升乙醇洗滌三次，於真空中乾燥且隨之自DMF 鲁 再結晶兩次。產量：33·0克（85毫莫耳），84.9 %理論値 ，純度：根據NMR爲98%。 b) 2，6,9,10 -四-鄰-甲苯基蒽
對應之Griguard試劑係自3.7克（153毫莫耳）之鎂 及18.0毫升（150毫莫耳）之2-溴甲苯於500毫升之THF 中製備。將19.4克（50毫莫耳）之2,6-雙-鄰-甲苯基蒽 醌添加於該Griguard試劑。反應混合物隨之回流16小時 。冷卻後，添加3 〇毫升之乙醇，於真空中移除溶劑’殘 留物溶於300毫升之DMF中且溫至60°C，之後於劇烈擾 拌下分批添加8 · 9克（6 5毫莫耳）之氯化錫（11 )(注思 :放熱反應！）。混合物隨之於6 0 °C攪拌另外2小時。冷 -48- (45) 200804558 卻後，添加500毫升2.5 N鹽酸，抽氣濾出固體。固體以 每次各100毫升之2.5N鹽酸洗滌三次，每次各100毫升 之水洗滌三次且以每次1 00毫升乙醇洗滌三次，於真空中 乾燥，隨之自乙酸再結晶三次且自 DMF再結晶兩次。昇 華p=l X 10-5毫巴，T = 33 5 1：。產量：19.8克（37毫莫耳 )，73.5%理論値；純度：根據11?丄(：爲99.8%。根據111-NMR光譜爲兩滯轉異構物之混合物。 實施例2 : 2,6-雙-鄰-甲苯基-9，10-雙（2- ( 1·甲基-1-苯基 乙基）苯基）蒽
方法類似實施例1 b。不使用1 8.0毫升（1 5 0毫莫耳 )之2-溴甲苯，而使用41.3克（150毫莫耳）之1_溴- 2-(1_甲基- ；!_苯基乙基）苯。自二噁烷再結晶。昇華p=1 x 1 0·5 毫巴，T = 3 60°C。產量：22.6 克（3 0 毫莫耳），60.5% 理論値；純度：根據HPLC爲99.9%。根據1H-NMR光譜 爲滯轉異構純物質。 實施例3 : 2,6-雙-鄰-甲苯基_9，10_雙（2-聯苯）蒽 -49- (46) (46)200804558
方法類似實施例lb。不使用18.0毫升（150毫莫耳 )之2-溴甲苯，而使用25.9毫升（150毫莫耳）之2-溴 聯苯。自氯苯再結晶。昇華p=l X 1〇_5毫巴，T = 3 60t：。 產量：27.1克（41毫莫耳），81.7%理論値；純度：根據 HPLC爲99.9%。根據1H-NMR光譜爲滯轉異構純物質。 實施例4: 2,6-雙-鄰-甲苯基-9，10-雙（2-三甲基矽烷基苯 基）蒽
方法類似實施例1 b。不使用1 8.0毫升（1 5 0毫莫耳 )之2-溴甲苯，而使用34·4克（150毫莫耳）之2-三甲 基矽烷基溴苯。自二噁烷再結晶。昇華ρ = 1 X 1〇_5毫巴， T = 3 3 0°C。產量：21.9克（33毫莫耳），66· 8 %理論値； 純度：根據HPLC爲99.9%。根據1H-NMR光譜爲滯轉異 構純物質。 - 50 - (47) 200804558 實施例5 : 以下化合物係類似如實施例1 b、2、3及4而製備：
-51 - (48)200804558
-52- (49) 200804558
實施例13: 2,6-雙萘-1-基-9，10-雙-鄰-甲苯基蒽 a) 2,6-雙萘-1-基蒽醌
28.7克（100毫莫耳）之2,6-二溴蒽醌、44.7克（ 260毫莫耳）之1-萘基硼酸、89.2克（420毫莫耳）之磷 酸鉀、1.8克（6毫莫耳）之三-鄰-甲苯基膦及225毫克（ 1毫莫耳）之乙酸鈀（Π)於200毫升二噁烷、400毫升甲 苯及500毫升水之混合物中的懸浮液回流1 6小時。冷卻 後，抽氣濾出固體，以每次1 〇〇毫升水洗滌三次且以每次 1 〇〇毫升乙醇洗滌三次，於真空中乾燥且隨之自氯苯再結 晶兩次。產量：41.6克（90毫莫耳），90· 3 %理論値；純 度：根據NMR爲99%。 b) 2,6-雙萘-1-基-9，10-雙-鄰-甲苯基蒽 -53- (50) (50)200804558
方法類似實施例lb。自NMP再結晶。昇華p= 1 x 1〇·5 毫巴，T = 375 °C。產量：22.2 克（36 毫莫耳），72.7% 理論値；純度：根據HPLC爲99.9°/α。根據1H-NMR光譜 爲兩滯轉異構物之混合物。 實施例1 4 : 以下化合物係類似實施例1 3般製備：
-54 - (51) (51)200804558
實施例 18: 2,6-雙（9- (4 -甲基萘基）蒽-10-基）-9,10_ 雙-鄰-甲苯基蒽 a) 2,6-雙-(9- ( 4-甲基萘基）蒽-10-基）蒽醌
28.7克（100毫莫耳）之2,6-二溴蒽醌、133.3克（ 3 00毫莫耳）之頻那基醇10-(4-甲基萘-1-基）蒽-9-硼酸 酯、96.7克（600毫莫耳）之氟化鉀及1.2克（1毫莫耳 )之四-三苯膦基鈀（0)於500毫升之乙二醇二甲基醚、 200毫升之乙醇及400毫升之水的混合物中之懸浮液回流 3 6小時。冷卻後，抽氣濾出固體，以每次1 00毫升水洗滌 三次且以每次100毫升乙醇洗滌三次，於真空中乾燥且隨 之自鄰-二氯苯再結晶兩次。產量：66.9克（79毫莫耳） ，79.5%理論値；純度：根據NMR爲98%。 -55- (52) 200804558 0-雙- b) 2,6-雙-(9- (4-甲基萘基）蒽-10-基）-9,1 鄰-甲苯基蒽
方法類似實施例lb。不使用19.4克（50毫莫耳 2，6_雙-鄰-甲苯基蒽醌，而代之使用42.1克（50毫莫 之2,6-雙（9- ( 4-甲基萘基）蒽-10-基）蒽醌。添加 雙（9- ( 4-甲基萘基）蒽-10-基）蒽醌之後，將300 之甲苯添加於反應混合物。自鄰-二氯苯再結晶。昇華 X 1〇-5毫巴，T = 400°C。產量：27.5克（28毫莫耳 55.5%理論値；純度：根據HPLC爲99.9%。根據1H. 光譜爲兩滯轉異構物之混合物。 實施例19 : 2,6-雙（對-甲苯基胺基）-9,10-雙-鄰-甲 蒽 a) 2,6-二溴-9，10-雙-鄰-甲苯基蒽
)之 耳） 2,6- 毫升 p=i )， NMR 苯基
-56- 200804558 (53) 方法類似實施例1 b。不使用1 9 · 4克（5 0毫莫耳）之 2，6·雙·鄰-甲苯基蒽醌，而代之使用18.3克（50毫莫耳） 之2,6-二溴蒽醌。自甲苯再結晶。產量：12.3克（24毫 莫耳），47.6%理論値；純度：根據NMR爲97%。 b) 2,6-雙（二-對-甲苯基胺基苯基-4-基）-9,10-雙-鄰·甲苯基蒽
51.6克（1〇〇毫莫耳）之2,6 -二溴-9,10 -雙-鄰-甲苯 基蒽、82.5克（260毫莫耳）之二-對-甲苯基胺基苯基- 4-硼酸、89.2克（420毫莫耳）之磷酸鉀、1·8克（6毫莫耳 )之三·鄰·甲苯基膦及225毫克（1毫莫耳）之乙酸鈀（ Π )於200毫升二噁烷、400毫升甲苯及500毫升水之混 合物中的懸浮液回流1 6小時。冷卻後，抽氣濾出固體， 以每次各100毫升之水洗滌三次，以每次各100毫升之乙 醇洗滌三次，於真空中乾燥，自DMF再結晶五次，之後 於真空中昇華（ρ = 1 X 10·5毫巴，T = 3 65 °C)。產量：68·7 克（76毫莫耳），76.2%理論値；純度：根據HPLC爲 9 9.9% 〇 -57- (54) 200804558 實施例20 : 以下化合物係類似如實施例1 9而製備：
實施例 胺 產物 21 OH αχτ、 ό 2 2 OH 23 ό -58 - 200804558
-59、 (56) (56)200804558
實施例2 9 : 2，6 -雙萘-1 -基-9 -鄰-甲苯基-1 〇 - 2 -聯苯蒽
A 2-鋰聯苯於200毫升之THF的溶液（於-78°C自 11.7克（50毫莫耳）之2 -溴聯苯及20毫升（50毫莫耳） 之2.5N正丁基鋰製備）於劇烈攪拌下在- 78°C逐滴添加於 46.1克（100毫莫耳）之2,6·雙萘基蒽驅於500毫升之 T H F中的懸浮液中。混合物另外攪拌3 0分鐘。2 _鋰甲苯 於THF中之溶液（於-78°C自8.7克（50晕莫耳）之2 -溴 甲苯及2{)毫升（5〇毫莫耳）之2.5N正丁基鋰製備）隨之 添加於此懸浮液中，混合物另外攪拌3 0分鐘。反應混合 物溫至室溫，添加3 〇毫升之乙醇’於真空中移除溶劑。 殘留物溶於3 0 0毫升之D M F中且溫至6 0 ° c ’於劇烈攪拌 下分批添加1 7 · 7克（1 3 0毫莫耳）之氯化錫（II )(注意 :放熱反應！）。混合物隨之於60°C攪拌另外2小時。冷 -60- (57) 200804558 卻後，添加500毫升之2.5N鹽酸，抽氣濾出固體。此固 體以每次各100毫升之2.5N鹽酸洗滌三次，以每次各100 毫升之水洗滌三次且以每次1〇〇毫升乙醇洗滌三次，於真 空中乾燥，之後自乙酸再結晶一次且自二噁烷再結晶三次 。昇華 p=l X 1(Γ5 毫巴，T = 3 45 °C。產量：43·1 克（64 毫 莫耳），64.0%理論値；純度：根據HPLC爲99.9%。根據 iH-NMR光譜爲兩滯轉異構物之混合物。 實施例3 0 : 以下化合物係類似如實施例29而製備： 實施例 溴化物 產物 3 1 X1] 32 Br X χΛ -61 - (58) (58)200804558
實施例35 : OLED之製造 OLED係以WO 04/058911所述之一般方法製造，該 方法係於個別情況下依特定條件調整（例如層厚變化以達 到最佳效率或色彩）。 各種0 L E D之結果係呈現於以下眚施例3 6至4 8中
。塗覆有經結構化IΤ Ο (氧化銦鍚）之玻璃板形成〇 L E D 之基板。爲改善加工性，PEDOT (自水旋塗；購自H· C.
Starck，Goslar，Germany ;聚（3,4-伸乙二氧基-2,5-噻吩） )直接施加於該基板。該〇LED皆由以下層順序組成：基 -62- 200804558 (59) 板/PEDOT 20奈米/電洞注射層（HIL1) 20奈米/電洞傳 送層（HTM1) 20奈米/發光層（EML) 30奈米/電子傳送 層（ETM1 ) 20奈米及最後陰極。除PEDOT以外之材料係 於真空槽中熱氣相沈積。此處之EML皆由基質材料（主 體）及摻雜劑（客體）所組成，該客體係藉共同蒸發與該 主體摻合。該陰極係由1奈米之LiF薄層及沈積於頂層之 150奈米A1層形成。表2顯示用以構成OLED之材料的化 φ 學結構。 此等OLED藉標準方法定出特徵；就此而言，決定電 發光光譜、效率（以cd/A測量）、爲亮度函數之功率效 率（以lm/W測量）（自電流/電壓/照度特徵（IUL特徵） 計算）及使用壽命。使用壽命係定義爲起始照度自1000 cd/m2降低至一半的時間。 表3顯示某些OLED (實施例 36至48 )的結果。所 m 使用之對照例係爲先前技術之主體Η1。 -63- (60) 200804558 (60)
表2 :所使用之化合物 0^0 ο-ϊ-αρ-^-ο OjCH3j〇 ρ HIL1 ΗΤΜ1 坊] 3 000 oco ETM1 H 1 (對照例） Ά Υ a^J〇rX) D 1 D2 -64- 200804558
睬他f a a ί ο : e€ 於 1000 cd/m2之 使用壽命(小時） 4050 1200 6100 1800 5800 1600 6300 2200 7100 2000 4800 5300 5600 CIE m m ο 卜 ν·Η Ο X m 1 1-Η Ο X rn 1 卜 o >< 寸 〇 ik O >< m m 〇 ik 卜 o X 寸 〇 、^ τ-Η ο 'k (Ν m Ο ο 1—Η Ο >< ρ Η Ο ίο ο X cn m o L 卜 o >< 寸 r-H o in 〇 >< a\ 〇 t-H o >< ο Ο >< νο (Ν Ο ν〇 Ο X 於 1000 cd/m2 之電壓(V) ι> (Ν Ό* IT) 00 卜 ON 们· 寸 00 ιη in C\ ui m IT； m 最大效率 (cd/A) 〇\ Ον 寸 cn 10.5 00 cn 12.2 (Ν — rn m* 11.5 ^T) cn 00 2 m 〇〇· EML H1+5%D1 H1+5%D2 實施例1+5% D1 實施例1+5% D2 實施例3+5% D1 實施例3+5% D2 實施例9+5% D2 實施例9+5% D2 實施例17+5% D3 實施例17+5% D3 實施例9+5%實施例11 實施例9+5%實施例19 實施例17+7%實施例19 實施例 36(對照例） 37(對照例） 00 m ON m o r-H 5 -65 -

Claims (1)

  1. 200804558 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種式（1 )之化合物
    其中所使用之符號及標示係如以下所說明： Ar 在每一次出現時係相同或相異地爲具有6至3 0個 芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經一或多 個基團R1所取代； R，R1在每一次出現時係相同或相異地爲F、c 1、B r、I ^ CN ^ N(Ar1)2 ' C( = 0)Ar1 > P(Ar1)2 ' ?( = 〇)(Arl)2 、Si(R2)3、N〇2、具有1至40個C原子之直鏈烷 基、烷氧基或硫代烷氧基或具有3至40個C原子 之分支鍵或環狀垸基、院氧基或硫代院氧基’其各 可經一或多個基團R2所取代，其中一或多個不相 鄰ch2基團可由以下基團所置換：-R2c = cr2-、-C = C- ' Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、 C = Se、C=NR2、-O-、-S-、-N(R2)-或-CONR2-且其 中一或多個H原子可由F、Cl、Br、I、CN或N〇2 -66- (2) (2)200804558 所置換；或具有5至30個芳族環原子之芳族或雜 芳族環系統，其可經一或多個基團R2所取代；或 具有5至24個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基， 其可經一或多個基團R2所取代，或二、三、四或 五個此等系統之組合；此情況下之相鄰取代基R 及R1或相鄰取代基Ri亦可彼此形成單環或多環脂 族環系統； Ar1 在每一次出現時係相同或相異地爲具有5至30個 芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可經一或多 個非芳族基團R1所取代；此情況下之兩基團Ar1 亦可藉單鏈或0、S、N(R2)或C(R2)2基團彼此連 接； R2 在每一次出現時係相同或相異地爲 η或具有1至 20個C原子之烴基，其可爲脂族或芳族或脂族與 芳族之組合且其亦可經F所取代；二或更多個基團 R2在此亦可彼此形成單環或多環、脂族或芳族環 系統； η 每一次出現係相同或相異地爲0、1、2或3 ; Ρ 每一次出現係相同或相異地爲0、1、2、3或4; 其限制條件爲取代基Ar並非經取代或未經取代之苯并咪 唑且含有苯并咪唑之基團R1並未鍵結於取代基Ar。 2 ·如申請專利範圍弟1項之化合物，其中符號a Γ係 表示苯基、2-吡啶基、3-吡啶基、4·吡啶基、卜萘基、2- 萘基、2-蒽基、9-蒽基、2-菲基、3-菲基、9_菲基、^苑 -67- (3) 200804558 基或2-芘基。 3. 如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中兩取 代基Ar係選擇爲相同者。 4. 如申請專利範圍第1或2項之化合物，其係具有 式（2) 、 （ 3) 、 （ 4)及（5)
    其中R、R1、η及ρ係具有如同申請專利範圍第1項 -68- (4) (4)200804558 中所述之意義，且q係表示〇、1、2、3、4或5。 5. 如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中符號 R 係表示 Si(R2)3、Ν(Α,)2、<：( = 0)ΑΡ、Ρ( = 〇)(Α^)2、具 有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至1〇個 C原子之分支鏈或環狀烷基或烷氧基，其各可經一或多個 基團R2所取代，其中一或多個不相鄰CH2基團可由-R2C = CR2-或-0-所置換且其中一或多個Η原子可由F所置 換，或表示5至16個芳族環原子之芳基或雜芳基，其可 經一或多個基團R2所取代，或二、三或四個此等系統之 組合；相鄰取代基R及R1在此亦可彼此形成單環或多環 脂族環系統。 6. 如申請專利範圍第〗或2項之化合物，其中兩取 代基R係選擇爲相同者。 7·如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中標示n 係表示〇或1。 8·如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中標示ρ 係表不〇、1或2。 • 9·〜種製備申請專利範圍第1或2項之化合物的方 法’其係使2,6-位置經氯、溴、碘或磺酸衍生物取代之蒽 酸胃^ ® Ar之硼酸衍生物於鈀催化下反應，之後與對應 之g f立，經取代有機金屬苯基衍生物反應及還原。 1 1〜種申請專利範圍第1或2項之化合物的用途， 其係使用於有機電子裝置，尤其是有機電發光裝置。 U*〜種有機電子裝置，其係選自有機電發光裝置 -69- (5) (5)200804558 (OLED，PLED )，有機場效電晶體（〇 -FET )、有機薄 膜電晶體（O-TFT )、有機發光電晶體（O-LET )、有機 積體電路（0-IC)、有機太陽能電池（0-SC)、有機場淬 滅裝置（0-FQD )、有機光受體、發光性電化學構件（ LEC )及有機雷射二極體（0-雷射）所組成之群，尤其是 有機電發光裝置，其包含至少一種申請專利範圍第1或2 項之化合物。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之有機電發光裝置，其 包含陽極、陰極及至少一層發光層及選擇性地進一步包含 選自下列之層：電洞注射層、電洞傳送層、電洞阻隔層、 電子傳送層、電子注射層及/或電荷生成層。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之有機電發光裝置，其 中使用申請專利範圍第1至8項中一或多項之化合物作爲 螢光發光體之主體材料及/或作爲電子傳送材料及/或作爲 電洞阻隔材料。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之有機電發光裝置，其 中該摻雜劑係選自芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳 族苑二胺、單苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、三苯乙烯基 胺' 四苯乙烯基胺、苯乙烯基膦、苯乙烯基醚及芳基胺。 1 5 ·如申請專利範圍第1 2至1 4項中任一項之有機電 發光裝置，其中使用申請專利範圍第i至8項中一或多項 之化合物作爲發光層中之發光化合物及/或作爲電洞傳送 材料，尤其是使用於電洞傳送層或電洞注射層，特別是在 符號R係表示^(入一）2基團且/或取代基R1係表示N(Ari)2 -70- 200804558 200804558 七 明 說 單 簡 號 為符 圖件 表元 代之 定圖 指表 :案代 圖本本 表' ’ 代 定一二 指c C 無 無
    式（1)
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