KR970706383A - 기체의 표면처리 방법 및 그에 사용되는 표면처리 조성물(method for treating surface of substrate and surface treatment composition therefor) - Google Patents

기체의 표면처리 방법 및 그에 사용되는 표면처리 조성물(method for treating surface of substrate and surface treatment composition therefor) Download PDF

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Abstract

표면 처리 조성물로써 물질의 표면을 처리하는 방법, 이때 표면 처리 조성물은 금속 침전 방지제로서 착화제를 함유하는 액체매질로 이루어지며, 상기 착화제는 하기로부터 선택된 하나 이상의 원으로 이루어진다 : (군 A) 착화제 및 하기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원 : (군 B1 내지 B6) 착화제 : 그의 분자 구조에서 방향족 탄화수소 고리를 갖는 (군 A) 착화제 및 OH기 및/또는 고리로 이루어진 탄소원자에 직접 결합된 O기; (군 B1) 그의 분자 구조에서 공여 원자로서 질소원자를 갖는 착화제; (군 B2) 그의 분자 구조에서 할로겐, 황 및 탄소원자로부터 선택된 하나 이상의 공여원자를 갖는 착화제; (군 B3) 그의 분자 구조에서 공여 원자로서 산소원자를 갖는 착화제; (군 B4) 그의 분자 구조에서 카르복실기를 갖는 카르복실산 착화제; (군 B5) 그의 분자 구조에서 4개 이하의 히드록실기를 갖는 히드록시 모노- 또는 디카르복실산 착화제; 및 (군 B6) 그의 분자 구조에서 카르보닐기를 갖는 착화제.

Description

기체의 표면처리 방법 및 그에 사용되는 표면처리 조성물(METHOH FOR FREATING SURFACE OF SUBSTRATE AND SURFACE TREATMENT COMPOSITION THEREFOR)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (47)

  1. 표면처리 조성물을 사용하여 기체의 표면을 처리하는 방법에 있어서, 이 표면처리 조성물이 액체매질중에 금속부착 방지제로서 착화제를 함유하는 조성물이며, 이 착화제가 하기 (A 군)에서 선발된 1종 이상 및 하기 (B1 군)∼(B6 군)의 어느 군중에서 선발된 1종 이상의 착화제로 이루어진 방법.
    (A 군) 분자 구조중에 방향족, 탄화수소환을 가지며 또는 이 환을 구성하는 탄소원자에 직접 결합한 OH기 및/또는 O-기를 1개 이상 가지는 착화제.
    (B1 군) 분자 구조중에 공여 원자인 질소원자를 1개 이상 가지는 착화제.
    (B2 군) 분자 구조중에 공여 원자인 할로겐원자, 황원자 또는 탄소원자에서 선발되는 1종 이상의 원자를 1개 이상 가지는 착화제.
    (B3 군) 분자 구조중에 공여 원자인 산소원자를 1개 이상 가지나 카르보닐 및 카르복실기를 가지지 아니하고 또한 공여원자인 질소원자, 할로겐원자, 황원자 및 탄소원자의 어느 것도 가지지 아니하는 착화제.
    (B4 군) 분자 구조중에 카르복실사기를 1개 이상 가지나 공여원자인 질소원자, 할로겐원자, 황원자 또는 탄소 원자를 가지지 아니하고 또한 카르보닐기 및 수산기를 가지지 않는 카르분산계 착화제.
    (B5 군) 분자 구조중에 4개 이하의 수산기를 가지나 공여원자인 질소원자, 할로겐원자, 황원자 및 탄소원자 및 카르보닐기를 함유하지 않는 히드록시모노 또는 디카르본산계 착화제.
    (B6 군) 분자 구조중에 카르보닐기를 1개 이상 가지는 착화제.
  2. 제1항에 있어서, 전기 (B1 군)에 있어서, 공여 원자인 질소원자를 1개 이상 가지는 착화제가 아미노기, 이미노기, 니트리로기(제3질소원자) 티오시아네이트기, 히드록시아미노기, 히드록시아미노기, 니트로기, 니트로소기, 히드라디노기, 히드라조노기, 히드라조기, 4조기, 아조키시기, 디아조늄기 및 아시드기에서 선발되는 1종 이상의 배치기를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 전기 (B1 군)의 착화제가 아미노 카르본산기 또는 복소환식 다환 아미노기를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 전기 (B2 군)에 있어서, 공여 원자인 할로겐 원자를 가지는 착화제가 불화수소산, 염산, 브롬화 수소 또는 요오드화 수소 또는 그들의 염인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 전기 (B2 군)에 있어서, 공여 원자인 황원자를 가지는 착화제가 식 HS-, S2-, S2O3 2-, RS-, R-COS-, R-CSS-, 또는 CS3 2-로 표시되는 기의 적어도 1종의 배위기를 가지나 또는 RSH, R′2S 또는 R2C=S로 표시되는 티올, 술피드 또는 티오카르보닐 화합물에서 선발되는 것을 특징으로 하는 방법(단 전기식 중 R은 알킬기를 표시하며, Ri는 알킬기 또는 알케닐기를 표시하며 다시 서로 연결하여 황원자를 포함한 환을 형성해도 된다.)
  6. 제1항에 있어서, 전기 (B2 군)에 있어서, 공여 원자인 탄소원자를 가지는 착화제가 식 NC-, RNC 또는 RCC-로 표시되는 기의 적어도 1종의 배위기를 가지는 것을 특징으로 하는 방법(단, 식중 R은 알킬기를 표시한다).
  7. 제1항에 있어서, 전기 (B3 군)의 착화제가 수산기, 포스폰산기, 술폰산기 및 엣르기에서 선발되는 적어도 1종의 배위를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 전기 (B3 군)의 착화제가 옥소산 또는 그의 염 또는 에테르인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 옥소산, 황산, 인산, 축합인산, 붕산, 규산, 탄산, 질산, 아질산, 과염소산, 염소산, 아염소산 또는 차아염소산인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 전기 (B4 군)의 착화제는 탄소수 2∼3의 포화 지방족 모노 또는 디카르본산 또는 그의 염에서 선발되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 전기 (B5 군)의 착화제는 분자 구조중에 1 또는 2개의 수산기를 가지는 히드록시모노 또는 디카르본산인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 전기 (B6 군)의 착화제는 분자구조중에 공여 원자인 질소원자, 할로겐원자, 황원자 및 탄소원자의 어느 원자도 함유치 않는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항에 있어서, 전기 (B6 군)의 착화제는 분자구조중에 2개의 카르보닐기를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항에 있어서, 전기 (A 군)의 착화제는 분자 구조중에 OH기 및/또는 O-기를 2개 이상 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 금속부착 방지제의 함유량이 10-7∼2중량%인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, 금속부착 방지제의 함유량이 10-6∼0.5중량%인 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제1항에 있어서, 액메채가 알칼리성 수용액인 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 알칼리성 수용액이 암모니아 및 과산화수소를 함유하여 이룬 방법.
  19. 액체매질중에 금속부착 방지제로서 착화제를 함유하는 표면처리 조성물이며 이 착화제가 하기 (A 군)에서 선발된 1종 이상 및 하기 (B1 군)∼(B6 군)의 어느 군중에서 선발된 1종 이상의 착화제에서 이룬 표면 처리조성물.
    (A 군) 분자 구조중에 방향족, 탄화수소환을 가지고 또한 이 환을 구성하는 탄소원자에 직접 결합한 OH기 및/또는 O-기를 1개 이상 가지는 착화제.
    (B1 군) 분자 구조중에 공여 원자인 질소원자를 1개 이상 가지는 착화제.
    (B2 군) 분자 구조중에 공여 원자인 할로겐원자, 황원자 또는 탄소원자에서 선발되는 1종 이상의 원자를 1개 이상 가지는 착화제.
    (B3 군) 분자 구조중에 공여 원자인 산소원자를 1개 이상 가지나 카르보닐기 및 카르복실기를 가지지 아니하고 또한 공여원자인 질소원자, 할로겐원자, 황원자 및 탄소원자의 어느 것도 갖지 않는 착화제.
    (B4 군) 분자 구조중에 카르복실사기를 1개 이상 가지나 공여원자인 질소원자, 할로겐원자, 황원자 및 탄소원자를 가지지 아니하고 또한 카르보닐기 및 수산기를 가지지 않는 카르분산계 착화제.
    (B5 군) 분자 구조중에 4개 이하의 수산기를 가진 공여원자인 질소원자, 할로겐원자, 황원자 및 탄소원자 및 카르보닐기를 함유하지 않는 히드록시모노 또는 디카르본산계 착화제.
    (B6 군) 분자 구조중에 카르보닐기를 1개 이상 가지는 착화제.
  20. 표면처리 조성물을 사용하여 기체의 표면을 처리하는 방법에 있어서 이 표면 처리 조성물의 액체매질중에 금속 부착 방지제로서 에틸렌디아민디올트히드록시페닐아세트산, 2-히드록시-1-(2-히드록시-5-메틸페닐아조)-4-나프탈렌술폰산, 4,4′-비스(3,4-디히드록시페닐아조)-2,2′-스틸벤디술폰산이 암모늄, 피로카테콜바이올렛, O, O′-디히드록시아조벤젠, 1,2-디히드록시-5-니트로-1,2′-아조나프탈렌-4-술폰산, N,N′-비스(2-히드록시벤질)에틸렌 디아민-N,N′-이 아세트산에서 선발된 1종 이상의 착화제를 함유하는 방법.
  21. 제19항에 있어서, 금속부착 방지제가 에틸렌 디아민 디올트히드록시페닐 아세트산인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  22. 제19항에 있어서, 금속부착 방지제의 함유량이 10-7∼2중량%인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  23. 제19항에 있어서, 액체매질이 알칼리성 수용액인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  24. 제22항에 있어서, 알칼리성 수용액이 암모니아 및 과산화수소를 함유하여 이룬 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  25. 액체매질 중에 금속부착 방지제로서 에틸렌 디아민디올트 히드록시페닐 아세트산, 2-히드록시-1-(2-히드록시-5-메틸페닐아조)-4-나프탈렌술폰산, 4,4′-비스(3,4-디히드록시페닐아조)-2,2′-스틸벤디술폰산이 암모늄, 피로카테콜바이올렛, O,O′-디히드록시아조벤젠, 1,2-디히드록시-5-니트로-1,2′-아조나프탈렌-4-술폰산, N,N′-비스(92-히드록시벤질)에틸렌디아민-N,N′-이 아세트산에서 선발되는 1종 이상이 착화제를 함유하는 표면처리 조성물.
  26. 제24항에 있어서, 금속부착 방지제가 에틸렌 디아민디올트 히드록시페닐 아세트산인 것을 특징으로 하는 표면처리 조성물.
  27. 표면처리 조성물을 사용하여 기체의 표면을 처리하는 방법에 있어서 이 표면처리 조성물이 액체매질 중에 방향족 탄화수소기에 직접 결합한 OH기를 가지는 유기 착화제 및 산화제를 함유하는 조성물에 있어서 산화제의 농도가 1중량ppm 이상, 3중량% 이하인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  28. 제26항에 있어서, 유기 착화제가 1분자중에 방향족 탄화수소기에 직접 결합한 OH기를 2개 이상 가지는 착화제인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  29. 제26항에 있어서, 액체매질중에 2종 이상의 착화제를 함유하여 이 착화제 중 적어도 1종은 분자중에 방향족 탄화수소기에 직접 결합한 OH기를 가지지 않는 착화제인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  30. 제28항에 있어서, 방향족 탄화수소기에 직접 결합한 OH기를 가지지 않는 착화제가 (B1 군)∼(B6 군) 어느 군중에서 선발된 착화제인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  31. 제26항에 있어서, 산화제가 100중량ppm 이상, 3중량% 이하의 과산화 수소인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  32. 제26항에 있어서, 액체매질이 3중량% 이하의 암모니아를 함유하는 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  33. 액체매질 중에 방향족 탄화수소기에 직접 결합한 OH기를 가지는 유기 착화제 및 산화제를 함유하는 표면처리 조성물에 있어서, 산화제의 농도가 1중량ppm 이상, 3중량% 이하인 것을 특징으로 하는 표면처리조성물.
  34. 액체매질 중에 암모니아, 물 및 금속부착, 방지제로서 분자 구조중에 환상 골격을 가지고 또는 이 환을 구성하는 탄소원자에 결합한 OH기 및/또는 O-기를 1개 이상 가지는 유기 착화제를 함유하는 알칼리성 표면처리 조성물을 사용하여 기체의 표면 처리를 행할 때 증발한 암모니아분을 당해 유기 착화제를 함유하는 암모니아 수용액으로 보충하는 표면 처리방법.
  35. 제33항에 있어서, 액체매질중의 암모니아 농도가 0.1∼35중량% 유기 착화제 농도가 10-7∼2중량%인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  36. 제33항에 있어서, 액체매질 중에 다시 과산화 수소가 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  37. 제35항에 있어서, 과산화수소의 농도가 100중량ppm 이상, 3중량% 이하인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  38. 제33항에 있어서, 유기 착화제가 분자 구조중에 환상골격을 가지며 또한 이 환을 구성하는 탄소원자에 결합한 OH 기 및/또는 O-기를 2개 이상 가지는 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  39. 제33항에 있어서, 보충하는 암모니아 수용액이 암모니아 농도가 0.1∼35중량% 유기 착화제 농도가 10-7∼5중량%, 금속 불순물 농도가 각 금속당 10-4중량% 이하인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  40. 제33항에 있어서, 유기 착화제로서 다시 상기 (B1 군)∼(B6 군)에서 이룬 군중에서 선발된 유기 착화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  41. 표면처리 조성물을 사용하여 기체의 표면을 처리하는 방법에 있어 이 표면처리 조성물이 액체매질 중에 금속부착 방지제로서 Fe, Al, Zn 중 1개 이상의 금속원소의 함유량이 5ppm 이하인 고순도 에틸렌디아민디올트 히드록시페닐아세트산 또는 그의 암모늄염을 첨가하여 수득되는 조성물인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  42. 제40항에 있어서, 고순도 에틸렌디아민디올트히드록시페닐아세트산 또는 그의 암모늄염 중의 Fe 함유량이 5ppm 이하 Al 함유량이 2ppm 이하, Zn 함유량이 2ppm 이하인 것을 특징으로 하는 표면 처리방법.
  43. Fe, Al, Zn 중의 1개 이상의 금속원소의 함유량이 5ppm 이하인 고순도 에틸렌디아민 디올트히드록시페닐아세트산 또는 그의 암모늄염.
  44. 제42항에 있어서, 고순도 에틸렌디아민디올트히드록시페닐 아세트산 및 그의 암모늄염을 함유하는 표면처리 조성물.
  45. 제43항에 있어서, 에틸렌디아민디올트히드록시페닐아세트산이 10-7∼5중량%, 암모니아가 0.1∼35중량% 함유하며 또한 Fe, Al, Zn 중 1개 이상의 금속원소의 함유량이 5ppb 이하인 것을 특징으로 하는 조성물.
  46. 산성 또는 알칼리성 용액에 에틸렌디아민디올트히드록시페닐아세트산 또는 그의 염을 용해한 후 불용성 불순물을 로과분리하여 제거하고 재차 중화하여 에틸렌 디아민 디올트 히드록시페닐 아세트산의 결정을 석출시켜 이 결정을 액과 분리하여 수득하는 것을 특징으로 하는 고순도 에틸렌디아민 디올트 히드록시페닐 아세트산 또는 그의 암모늄염의 정제방법.
  47. 제45항에 있어서, 불용성 불순물의 로과분리가 개구경 0.5㎛ 이하의 필터에 의하여 행하여지는 것을 특징으로 하는 정제방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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