KR960005733A - 전자 방출 소자의 제조 방법, 전자 방출 소자를 이용한 전자원 및 화상 형성 장치 - Google Patents

전자 방출 소자의 제조 방법, 전자 방출 소자를 이용한 전자원 및 화상 형성 장치 Download PDF

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Abstract

전자 방출 소자는 대향되게 배치된 한쌍의 전극 및 상기 전극들 사이에 배열된 전자 방출 영역을 포함하는 전기 전도막을 포함한다. 전기 전도막의 전기 저항은 전자 방출 소자의 제조 과정에서 전자 방출 영역을 형성한 후에 감소된다.

Description

전자 방출 소자의 제조방법, 전자 방출 소자를 이용한 전자원 및 화상 형성 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 생성된 표면 전도 전자 방출 소자의 개략적인 평면도및 소자를 구동시키기 위한 등가 회로를 도시한 도면이다.
제7A도 및 제7B도는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 생성된 표면 전도 전자 방출 소자의 평면도와 단면도를 각각 도시한 도면이다.
제9도는 전자 방출 소자의 단일 행렬 배열을 가지고 있는 전자원의 평면도를 도시한 도면이다.
제13A도 및 제13B도는 본 발명에 따른 전자원으로 전자 방출 소자의 두가지으 사다리형 배열을 도시한 도면이다.

Claims (24)

  1. 전극들 사이에 배열된 전자 방출 영역을 포함하는 전기 전도막 및 대향되게 배치된 한쌍의 전극들을 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 방법이 상기 전극들 사이에 배열된 전기 전도막의 전기 저항을 감소시키는 처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극들 사이에 배열된 상기 전기 전도막이 상기 전기 저항을 감소시키는 단계 이전에는 1개 이상의 산화물을 포함하고, 상기 전기 저항을 감소시키는 단계 이후에는 1개 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도막이 적어도 PdO, SnO2, In203, PdO, MoO 및 MoO2로부터 선택된 산화물 또는 Pd, Ru, Ag, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, W 및 Pd로부터 선택된 금속의 혼합물 및 상기 산화물 또는 산화물들로 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전극들 사이에 배열된 상기 전기 전도막의 전기 저항을 감소시키는 상기 처리 단계가 상기 전기 전도막을 화학적으로 환원시키는 단계인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 화학적 환원 단계가 진공에서 상기 전기 전도막을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 화학적 환원 단계가 환원 개스의 대기에서 상기 전기 전도막을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 환원 개스가 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 화학적 환원 단계가 환원 용액내에 상기 전기 전도막을 담그는(dipping)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 환원 용액이 포름산(formic acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극들 사이에 배열된 상기 전기 전도막의 전기 저항을 감소시키는 상기 처리 단계가 상기 전극들 사이에 배열된 상기 전기 전도막에 고저항 영역을 생성시키는 단계 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전기 전도막에 고저항 영역을 생성시키는 상기 단계가 상기 전극들 사이에 배열된 상기 전기 전도막을 전기적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  12. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기 전도막상에 탄소 또는 탄소 화합물들을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전극들 사이에 배열된 상기 전기 전도막의 전기 저항을 감소시키는 상기 처리 단계가 상기 전기 전도막상에 탄소 또는 탄소 화합물들을 증착하는 상기 단계 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 전기 전도막상에 탄소 또는 탄소 화합물을 증착하는 상기 단계가 상기 탄소 화합물의 대기에서 상기 전극들 사이에 배열된 상기 전기 전도막에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  15. 입력 신호에 따라 전자들을 방출하기 위한 전자 방출 소자를 포함하는 전자원에 있어서, 상기 전자 방출 소자가 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  16. 공통 배선에 접속된 한쌍의 단자를 각각 갖고 있는 전자 방출 소자들의 다수의 열과 입력 신호에 따라 상기 전자 방출 소자들로부터 방출된 전자 빔을 변조하기 위한 변조 수단을 포함하는 전자원에 있어서, 상기 전자 방출 소자들이 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
  17. 서로 전기적으로 절연된 m개의 X방향 배선들과 n개의 Y방향 배선들에 각각 접속되어 입력 신호에 따라 전자 빔을 방출하기 위한 다수의 전자 방출 소자들을 포함하는 전자원에 있어서, 상기 전자 방출 소자들이 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 전자원.
  18. 전자원 및 입력 신호에 따라 화상을 형성하기 위한 화상 형성 부재를 포함하는 화상 형성 장치에 있어서, 상기 전자원이 제15항에 따른 전자원인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 화상 형성 부재가 형광 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  20. 전자원 및 입력 신호에 따라 화상을 형성하기 위한 화상 형성 부재를 포함하는 화상 형성 장치에 있어서, 상기 전자원이 제16항에 따른 전자원인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 화상 형성 부재가 형광 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  22. 전자원 및 입력 신호에 따라 화상을 형성하기 위한 화상 형성 부재를 포함하는 화상 형성 장치에 있어서, 상기 전자원이 제17항에 따른 전자원인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 화상 형성 부재가 형광 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  24. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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