JP2610160B2 - 画像表示装置 - Google Patents
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- JP2610160B2 JP2610160B2 JP63111542A JP11154288A JP2610160B2 JP 2610160 B2 JP2610160 B2 JP 2610160B2 JP 63111542 A JP63111542 A JP 63111542A JP 11154288 A JP11154288 A JP 11154288A JP 2610160 B2 JP2610160 B2 JP 2610160B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子放出素子を電子源として用いた画像表
示装置に関する。
示装置に関する。
［従来の技術］ 従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子とし
て、例えば、エム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）
等によって発表された冷陰極素子が知られている［ラジ
オ・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス
（Radio Eng.Electron.Phys.）第10巻,1290〜1296頁,19
65年］。
て、例えば、エム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）
等によって発表された冷陰極素子が知られている［ラジ
オ・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス
（Radio Eng.Electron.Phys.）第10巻,1290〜1296頁,19
65年］。
この種の冷陰極素子は、基板上に形成された小面積の
薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出
が生ずる現象を利用するもので、一般には表面伝導放出
素子と呼ばれている。
薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出
が生ずる現象を利用するもので、一般には表面伝導放出
素子と呼ばれている。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等
により開発されたSnO2（Sb）薄膜を用いたものの他、Au
薄膜によるもの［ジー・ディトマー：“スイン・ソリド
・フィルムス”（G.Dittmer:“Thin Soldi Films"）,9
巻,317頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの［エム・
ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンスタッド：
“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・ディー・
コンフ“（M.Hartwell and C.G.Fonstad:“IEEE Trans.
ED Conf."519頁，（1975年）］、カーボン薄膜によるも
の［荒木久他：“真空",第26巻，第１号,22頁，（1983
年）］等が報告されている。
により開発されたSnO2（Sb）薄膜を用いたものの他、Au
薄膜によるもの［ジー・ディトマー：“スイン・ソリド
・フィルムス”（G.Dittmer:“Thin Soldi Films"）,9
巻,317頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの［エム・
ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンスタッド：
“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・ディー・
コンフ“（M.Hartwell and C.G.Fonstad:“IEEE Trans.
ED Conf."519頁，（1975年）］、カーボン薄膜によるも
の［荒木久他：“真空",第26巻，第１号,22頁，（1983
年）］等が報告されている。
これらの表面伝導形放出素子は、 １） 高い電子放出効率が得られる、 ２） 構造が簡単であるため、製造が容易である、 ３） 同一基板上に多数の素子を配列形成できる、 ４） 応答速度が速い、 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
る。
一方、面状に展開した複数の電子源と、この電子源か
らの電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットと
を、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭56
−28445号で提案されている。この方式によれば、電子
ビームを偏向させる必要がないため、一般のCRTに比べ
て、奥ゆきの非常に小さな画像表示装置の実現が期待で
きる。しかし、残念なことに、電子源としてコイル状ヒ
ータ形式の熱カソードを用いているため、電子放出効率
が低く、しかも構造が複雑化してしまい、装置の消費電
力や製造コストが莫大なものとなることから、実用化さ
れるまでには至っていない。
らの電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットと
を、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭56
−28445号で提案されている。この方式によれば、電子
ビームを偏向させる必要がないため、一般のCRTに比べ
て、奥ゆきの非常に小さな画像表示装置の実現が期待で
きる。しかし、残念なことに、電子源としてコイル状ヒ
ータ形式の熱カソードを用いているため、電子放出効率
が低く、しかも構造が複雑化してしまい、装置の消費電
力や製造コストが莫大なものとなることから、実用化さ
れるまでには至っていない。
そこで、上記コイル状ヒータ形式の熱カソードに代え
て、電子源として前記冷陰極素子を使用することによ
り、電子放出効率の向上並びに構造の簡素化を図り、実
用的な薄形の画像表示装置とすることが考えられるが、
これには次のような問題がある。
て、電子源として前記冷陰極素子を使用することによ
り、電子放出効率の向上並びに構造の簡素化を図り、実
用的な薄形の画像表示装置とすることが考えられるが、
これには次のような問題がある。
従来の薄形表示装置では、面状に展開された電子源の
各々が放出する電子ビームを、該面の法線方向に飛翔さ
せている。しかし、冷陰極素子として、例えば表面伝導
形放出素子のように基板上に設けられた電極間に電子放
出部を有する素子を用いた場合、素子自体のもつ電位勾
配のために、放出された電子ビームが基板面の法線方向
からはずれて飛翔する傾向があるので、表面伝導形放出
素子と蛍光体ターゲットを相対向させるだけでは、各蛍
光体に正しく電子ビームが照射されない問題がある。
各々が放出する電子ビームを、該面の法線方向に飛翔さ
せている。しかし、冷陰極素子として、例えば表面伝導
形放出素子のように基板上に設けられた電極間に電子放
出部を有する素子を用いた場合、素子自体のもつ電位勾
配のために、放出された電子ビームが基板面の法線方向
からはずれて飛翔する傾向があるので、表面伝導形放出
素子と蛍光体ターゲットを相対向させるだけでは、各蛍
光体に正しく電子ビームが照射されない問題がある。
上記問題点を解決するためには、補正用電極を用い
て、電子ビームの軌道を、基板面の法線方向に補正する
ことが考えられる。
て、電子ビームの軌道を、基板面の法線方向に補正する
ことが考えられる。
しかしながら、上記補正用電極を用いた場合、電子ビ
ームの一部が補正用電極に補足されて失われるうえに、
各表面伝導形放出素子について補正用電極を設けなけれ
ばならず、真空容器からの取出し線数が増えると共に、
電気回路の規模も大きくなり、製造コストの上昇原因と
なる。
ームの一部が補正用電極に補足されて失われるうえに、
各表面伝導形放出素子について補正用電極を設けなけれ
ばならず、真空容器からの取出し線数が増えると共に、
電気回路の規模も大きくなり、製造コストの上昇原因と
なる。
上記補正用電極以外には、電子レンズを設けて、基板
面の法線上の一点に電子ビームを集束させることも考え
られるが、実際には、電子レンズの口径が大きくなり過
ぎて、配列ピッチが大きくなり、画像表示装置として十
分な精細度を実現することが困難である。
面の法線上の一点に電子ビームを集束させることも考え
られるが、実際には、電子レンズの口径が大きくなり過
ぎて、配列ピッチが大きくなり、画像表示装置として十
分な精細度を実現することが困難である。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、表面
伝導形放出素子のように電位勾配を有する電子放出素子
から放出される電子ビームを、放出電子の損失、製造コ
ストの上昇並びに画像精細度低下を招くことなく、正し
く対応する蛍光体ターゲットに照射できるようにするこ
とをその解決すべき課題とするものである。
伝導形放出素子のように電位勾配を有する電子放出素子
から放出される電子ビームを、放出電子の損失、製造コ
ストの上昇並びに画像精細度低下を招くことなく、正し
く対応する蛍光体ターゲットに照射できるようにするこ
とをその解決すべき課題とするものである。
［課題を解決するための手段］ 前記課題を解決するために講じられた手段を、本発明
の一実施例に対応する第１図及び第２図で説明すると、
本発明では、基板１面に沿って並設された電極3,4間
に、該電極3,4を介して電圧が印加される電子放出部５
を有する電子放出素子10と、該電子放出素子10からの電
子ビームの照射を受ける蛍光体ターゲット８とを有し、
該蛍光体ターゲット８が、該電子放出素子10の電子放出
部５を通る基板１面からの法線に対して、前記並設され
た電極3,4の正極（電極３）側方向の１度以上45度以下
の範囲に配置されていることを特徴とする画像表示装置
としているものである。
の一実施例に対応する第１図及び第２図で説明すると、
本発明では、基板１面に沿って並設された電極3,4間
に、該電極3,4を介して電圧が印加される電子放出部５
を有する電子放出素子10と、該電子放出素子10からの電
子ビームの照射を受ける蛍光体ターゲット８とを有し、
該蛍光体ターゲット８が、該電子放出素子10の電子放出
部５を通る基板１面からの法線に対して、前記並設され
た電極3,4の正極（電極３）側方向の１度以上45度以下
の範囲に配置されていることを特徴とする画像表示装置
としているものである。
上記本発明においては、前記電子放出素子10、及び該
電子放出電子10に対応する蛍光体ターゲット８をそれぞ
れ複数有すること、電子放出素子10と蛍光体ターゲット
８との間に制御電極９（第３図及び第４図参照）が設け
られていること、蛍光体ターゲット８が低速電子線用蛍
光体を有すること、更には電子放出素子10が表面伝導形
放出素子であることが好ましい。
電子放出電子10に対応する蛍光体ターゲット８をそれぞ
れ複数有すること、電子放出素子10と蛍光体ターゲット
８との間に制御電極９（第３図及び第４図参照）が設け
られていること、蛍光体ターゲット８が低速電子線用蛍
光体を有すること、更には電子放出素子10が表面伝導形
放出素子であることが好ましい。
［作 用］ 第１図〜第４図に示す画像表示装置は、電子放出素子
10として表面伝導形放出素子を用いた例であり、本画像
表示装置においては、表面伝導形放出素子10の正極３と
負極４間に電圧Vfを印加すると共に、従来のものと同様
に、蛍光体ターゲット８側の透明電極７に電圧Vaを印加
することにより、表面伝導形放出素子10の電子放出部５
から電子ビームが放出され、蛍光体ターゲット８を照射
するものである。
10として表面伝導形放出素子を用いた例であり、本画像
表示装置においては、表面伝導形放出素子10の正極３と
負極４間に電圧Vfを印加すると共に、従来のものと同様
に、蛍光体ターゲット８側の透明電極７に電圧Vaを印加
することにより、表面伝導形放出素子10の電子放出部５
から電子ビームが放出され、蛍光体ターゲット８を照射
するものである。
上記駆動の際の電子ビームの軌道は、電圧Vfあるいは
電圧Vaあるいは基板１と透明電極７間の距離l1を変化さ
せると、それにつれて偏位する。
電圧Vaあるいは基板１と透明電極７間の距離l1を変化さ
せると、それにつれて偏位する。
より詳しくは、表面伝導形放出素子10に印加する電圧
Vfの最適値は、薄膜２を形成する材料や、その膜厚によ
り異なる。例えば、膜厚1000ÅのITOを用いた場合には1
5V前後の低電圧ですむが、膜厚1500ÅのSnO2を用いた場
合には200V前後の高電圧が必要となる。
Vfの最適値は、薄膜２を形成する材料や、その膜厚によ
り異なる。例えば、膜厚1000ÅのITOを用いた場合には1
5V前後の低電圧ですむが、膜厚1500ÅのSnO2を用いた場
合には200V前後の高電圧が必要となる。
透明電極７に印加する電圧Vaは、蛍光体ターゲット８
の材料により最適値が異なるが、例えば低速電子線用蛍
光体材料を用いた場合には、電圧Vaは50V前後の低電圧
ですむが、高速電子線用蛍光体材料を用いた場合には、
1KV〜20KV程度の高電圧が必要となる。
の材料により最適値が異なるが、例えば低速電子線用蛍
光体材料を用いた場合には、電圧Vaは50V前後の低電圧
ですむが、高速電子線用蛍光体材料を用いた場合には、
1KV〜20KV程度の高電圧が必要となる。
電子放出素子10と透明電極７を隔てる距離l1は、装置
の薄形化という点では、50mm以下が望ましいが、耐電圧
性などの点からは1mm以上必要である。
の薄形化という点では、50mm以下が望ましいが、耐電圧
性などの点からは1mm以上必要である。
これらの諸条件を組み合せて実験した結果、Vfを大き
くするほど、Vaを小さくするほどまたはl1を大きくする
ほど、第１図に示される角αと角βは大きくした方が良
い傾向にあり、βの上限は45度であった。逆に、Vfを小
さくするほど、Vaを大きくするほどまたはl1を小さくす
るほど、αとβは小さくした方が良い傾向にあり、αの
下限は１度であった。
くするほど、Vaを小さくするほどまたはl1を大きくする
ほど、第１図に示される角αと角βは大きくした方が良
い傾向にあり、βの上限は45度であった。逆に、Vfを小
さくするほど、Vaを大きくするほどまたはl1を小さくす
るほど、αとβは小さくした方が良い傾向にあり、αの
下限は１度であった。
逆に、本発明においては、蛍光体ターゲット８を１度
を下限とし、45度を上限とする範囲に置くことにより、
複雑な電子光学系を用いなくとも、電子ビームを効率よ
く蛍光体ターゲット８に照射することが可能である。
を下限とし、45度を上限とする範囲に置くことにより、
複雑な電子光学系を用いなくとも、電子ビームを効率よ
く蛍光体ターゲット８に照射することが可能である。
また、第３図及び第４図において、制御電極９は、表
面伝導形放出素子10から放出される電子ビームを、電圧
印加によって遮断する働きをなす。
面伝導形放出素子10から放出される電子ビームを、電圧
印加によって遮断する働きをなす。
［実施例］ 第１図及び第２図において、10は表面伝導形放出素子
で、例えばガラス、石英等の絶縁材料で形成された基板
１上に、例えば金属酸化物、カーボン等を材料とする薄
膜２が設けられており、この薄膜２の一部には、従来公
知のフォーミング処理によって電子放出部５が形成され
ている。また、３と４は、薄膜２に電圧源11から電圧Vf
を印加するために設けられた電極で、３が正極、４が負
極である。
で、例えばガラス、石英等の絶縁材料で形成された基板
１上に、例えば金属酸化物、カーボン等を材料とする薄
膜２が設けられており、この薄膜２の一部には、従来公
知のフォーミング処理によって電子放出部５が形成され
ている。また、３と４は、薄膜２に電圧源11から電圧Vf
を印加するために設けられた電極で、３が正極、４が負
極である。
６は、例えばガラス等の透明板で、その内面には電圧
源12から電圧Vaが印加される透明電極７を介して蛍光体
ターゲット８が設けられている。この蛍光体ターゲット
８は、電子放出部５と交わる基板１表面との法線に対し
て、正極３側に角度がα以上でβ以内の範囲に設けられ
ており、かつ１゜≦αとβ≦45゜を満している。
源12から電圧Vaが印加される透明電極７を介して蛍光体
ターゲット８が設けられている。この蛍光体ターゲット
８は、電子放出部５と交わる基板１表面との法線に対し
て、正極３側に角度がα以上でβ以内の範囲に設けられ
ており、かつ１゜≦αとβ≦45゜を満している。
特に第２図に示されるように、ｙ方向に伸びるLeの帯
状の部分が電子放出部５となっており、負極４と正極３
はｘ方向に沿って設けられている。また、蛍光体ターゲ
ット８は、ｙ方向についてはLeとほぼ等しいLpの長さに
わたり、ｘ方向については前述した範囲で示される領域
にわたり設けられている。
状の部分が電子放出部５となっており、負極４と正極３
はｘ方向に沿って設けられている。また、蛍光体ターゲ
ット８は、ｙ方向についてはLeとほぼ等しいLpの長さに
わたり、ｘ方向については前述した範囲で示される領域
にわたり設けられている。
膜厚1000ÅでLe＝100μｍのITOの薄膜２を用いた表面
伝導形放出素子10を電子ビーム源とし、蛍光体ターゲッ
ト８をα＝２゜，β＝45゜,l1＝5mmの位置に設けて、第
１図及び第２図で説明したような本画像表示装置とし
た。これをVa＝1KV,Vf＝15Vで駆動したところ、蛍光体
ターゲット８を法線方向に配置して、補正電極で電子ビ
ーム軌道の補正を行う装置を同じ電圧で駆動した場合と
比較して、約30％輝度を向上させることに成功した。こ
れは、補正電極を用いた装置では、電子ビーム軌道の補
正に伴ない、電子ビームの一部が、補正電極に捕捉され
て失われるが、本装置ではほどんど損失なしに蛍光体タ
ーゲット８に照射できるためである。
伝導形放出素子10を電子ビーム源とし、蛍光体ターゲッ
ト８をα＝２゜，β＝45゜,l1＝5mmの位置に設けて、第
１図及び第２図で説明したような本画像表示装置とし
た。これをVa＝1KV,Vf＝15Vで駆動したところ、蛍光体
ターゲット８を法線方向に配置して、補正電極で電子ビ
ーム軌道の補正を行う装置を同じ電圧で駆動した場合と
比較して、約30％輝度を向上させることに成功した。こ
れは、補正電極を用いた装置では、電子ビーム軌道の補
正に伴ない、電子ビームの一部が、補正電極に捕捉され
て失われるが、本装置ではほどんど損失なしに蛍光体タ
ーゲット８に照射できるためである。
尚、この場合、電子ビームの照射位置は、実質的には
α＝２゜，β＝45゜よりも狭い範囲にあり、蛍光体ター
ゲット８をα＝15゜，β＝25゜の範囲にまで狭めても、
発光輝度はほとんど低下せず、むしろにじみのないシャ
ープな発光点が得られるために、画質が向上することが
わかった。
α＝２゜，β＝45゜よりも狭い範囲にあり、蛍光体ター
ゲット８をα＝15゜，β＝25゜の範囲にまで狭めても、
発光輝度はほとんど低下せず、むしろにじみのないシャ
ープな発光点が得られるために、画質が向上することが
わかった。
また、低速電子線用蛍光体を蛍光体ターゲット８の材
料として用い、Va＝300Vで駆動した場合には、α＝30
゜，β＝45゜で最適状態を得る事ができた。
料として用い、Va＝300Vで駆動した場合には、α＝30
゜，β＝45゜で最適状態を得る事ができた。
第３図は本発明の他の実施例を示すもので、１〜８及
び10〜12の各構成要素は前記第１図と同様であり、蛍光
体ターゲット８は、電子放出部５を通る基板１の表面の
法線に対して、前記αとβで規定される範囲に設けられ
ている。また、９は、表面伝導形放出素子10から放出さ
れる電子ビームの飛翔を制御するために設けられた制御
電極で、薄板状の金属に、電子ビームを通過させるため
の空孔13が開けられている。
び10〜12の各構成要素は前記第１図と同様であり、蛍光
体ターゲット８は、電子放出部５を通る基板１の表面の
法線に対して、前記αとβで規定される範囲に設けられ
ている。また、９は、表面伝導形放出素子10から放出さ
れる電子ビームの飛翔を制御するために設けられた制御
電極で、薄板状の金属に、電子ビームを通過させるため
の空孔13が開けられている。
S1は、表面伝導形放出素子10を駆動するための印加電
圧VfのON,OFFを制御するスイッチである。また、14はグ
リッド電極９に正電圧VG1を印加するために電圧源、15
はグリッド電極９に負電圧V2を印加するための電圧源、
SG1とSG2は、グリッド電極９に接続する電圧源14又は15
を選択するためのスイッチで、相互に逆動作をする。
尚、前記S1,SG1,SG2の各スイッチは、機械的スイッチに
限らず、トランジスタの様なスイッチング素子であって
もよい。
圧VfのON,OFFを制御するスイッチである。また、14はグ
リッド電極９に正電圧VG1を印加するために電圧源、15
はグリッド電極９に負電圧V2を印加するための電圧源、
SG1とSG2は、グリッド電極９に接続する電圧源14又は15
を選択するためのスイッチで、相互に逆動作をする。
尚、前記S1,SG1,SG2の各スイッチは、機械的スイッチに
限らず、トランジスタの様なスイッチング素子であって
もよい。
発明者らが試作した第３図に示されるような装置の中
から一例を示せば、薄膜２として膜厚1000Å前後のITO
薄膜を形成した表面伝導形放出素子10を、Vf＝18Vで駆
動した時、制御電極９にVG1＝40Vを印加すれば、電子ビ
ームは蛍光体ターゲット８を照射するが、VG2＝−5Vを
印加すれば、電子ビームは遮断される。各パラメータ値
の一例をあげれば、l2＝100μm,l3＝5mm,Va＝ZKVで、グ
リッド９に設けられた空孔13は、直径Ｄ＝100μｍの円
であり、蛍光体ターゲット８の位置はα＝10゜，β＝20
゜の領域である。
から一例を示せば、薄膜２として膜厚1000Å前後のITO
薄膜を形成した表面伝導形放出素子10を、Vf＝18Vで駆
動した時、制御電極９にVG1＝40Vを印加すれば、電子ビ
ームは蛍光体ターゲット８を照射するが、VG2＝−5Vを
印加すれば、電子ビームは遮断される。各パラメータ値
の一例をあげれば、l2＝100μm,l3＝5mm,Va＝ZKVで、グ
リッド９に設けられた空孔13は、直径Ｄ＝100μｍの円
であり、蛍光体ターゲット８の位置はα＝10゜，β＝20
゜の領域である。
次に、第４図に示すのは、前記第３図のユニットを複
数個並べ、表面伝導形放出素子10と制御電極９でXYマト
リクスを構成した装置である。
数個並べ、表面伝導形放出素子10と制御電極９でXYマト
リクスを構成した装置である。
図において、表面伝導形放出素子10は、ｙ方向に供給
配線され、一方制御電極９はｘ方向にストライプ状に共
通配線されている。また、３は各々共通配線された正
極、４は各々共通配線された負極、９は空孔13を有する
制御電極、８は各表面伝導形放出素子10に対応して設け
られた蛍光体ターゲットで、ｘ方向の一列を共通の色と
し、ｙ方向にレッド、グリーン、ブルーの順で塗り分け
られている。
配線され、一方制御電極９はｘ方向にストライプ状に共
通配線されている。また、３は各々共通配線された正
極、４は各々共通配線された負極、９は空孔13を有する
制御電極、８は各表面伝導形放出素子10に対応して設け
られた蛍光体ターゲットで、ｘ方向の一列を共通の色と
し、ｙ方向にレッド、グリーン、ブルーの順で塗り分け
られている。
第４図においては、３×２素子のみが示されている
が、実際には640×640素子を１つの真空容器に納めた装
置を試作した。一列あたり640素子を共通配線した素子
列を一列毎に順次駆動して行き、これと同期して、各制
御電極９に制御信号を印加することにより、画像の１ラ
インを単位とするライン順次の走査を行なった。毎秒60
画面の走査を行なったところ、最高輝度100fL以上の明
るい画像を表示することができた。
が、実際には640×640素子を１つの真空容器に納めた装
置を試作した。一列あたり640素子を共通配線した素子
列を一列毎に順次駆動して行き、これと同期して、各制
御電極９に制御信号を印加することにより、画像の１ラ
インを単位とするライン順次の走査を行なった。毎秒60
画面の走査を行なったところ、最高輝度100fL以上の明
るい画像を表示することができた。
［発明の効果］ 以上説明したように、蛍光体ターゲット８を、電子放
出素子10の電子放出部５を通る基板１表面からの法線に
対して、１度以上45度以下の範囲内で正極３側に配置す
ることにより、電子ビーム軌道の補正手段が不要とな
り、装置の構造を簡単化することができる。そのため、
装置の製造コストを大幅に引下げることが可能となり、
装置の薄形化よりも一層容易になる。また、補正手段で
失われていた電子ビームも、有効に蛍光体ターゲット８
を照射するため、輝度の向上や、消費電力の低減も可能
となる。
出素子10の電子放出部５を通る基板１表面からの法線に
対して、１度以上45度以下の範囲内で正極３側に配置す
ることにより、電子ビーム軌道の補正手段が不要とな
り、装置の構造を簡単化することができる。そのため、
装置の製造コストを大幅に引下げることが可能となり、
装置の薄形化よりも一層容易になる。また、補正手段で
失われていた電子ビームも、有効に蛍光体ターゲット８
を照射するため、輝度の向上や、消費電力の低減も可能
となる。
更に電子放出素子10と蛍光体ターゲット８との間に制
御電極９を設けた場合には、電子ビームの照射と遮断を
確実にすることができ、画像をより鮮明なものとするこ
とができる。
御電極９を設けた場合には、電子ビームの照射と遮断を
確実にすることができ、画像をより鮮明なものとするこ
とができる。
第１図は本発明の一実施に係る画像表示装置の一部断面
図、第２図はその一部の部材を省略した斜視図、第３図
は本発明の他の実施例の一部断面図、第４図はその斜視
図である。 1:基板、3:正極 4:負極、5:電子放出部 8:蛍光体ターゲット、10:表面伝導形放出素子
図、第２図はその一部の部材を省略した斜視図、第３図
は本発明の他の実施例の一部断面図、第４図はその斜視
図である。 1:基板、3:正極 4:負極、5:電子放出部 8:蛍光体ターゲット、10:表面伝導形放出素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇田 芳己 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 柿本 誠治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 村 一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−87731（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−100842（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−100843（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−283750（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−283751（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】基板面に沿って並設された電極間に、該電
極を介して電圧が印加される電子放出部を有する電子放
出素子と、該電子放出素子からの電子ビームの照射を受
ける蛍光体ターゲットとを有し、該蛍光体ターゲット
が、該電子放出素子の電子放出部を通る基板面からの法
線に対して、前記並設された電極の正極側方向の１度以
上45度以下の範囲に配置されていることを特徴とする画
像表示装置。 - 【請求項２】前記電子放出素子、及び該電子放出素子に
対応する蛍光体ターゲットをそれぞれ複数有する請求項
１に記載の画像表示装置。 - 【請求項３】電子放出素子と蛍光体ターゲットとの間に
制御電極が設けられている請求項１又は２の画像表示装
置。 - 【請求項４】蛍光体ターゲットが低速電子線用蛍光体を
有する請求項１〜３いずれかの画像表示装置。 - 【請求項５】電子放出素子が表面伝導形放出素子である
請求項１〜４いずれかの画像表示装置。
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| JP63111542A JP2610160B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 画像表示装置 |
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1988
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