JPH01283749A - 画像表示装置 - Google Patents
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- JPH01283749A JPH01283749A JP11154288A JP11154288A JPH01283749A JP H01283749 A JPH01283749 A JP H01283749A JP 11154288 A JP11154288 A JP 11154288A JP 11154288 A JP11154288 A JP 11154288A JP H01283749 A JPH01283749 A JP H01283749A
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、表面伝導形放出素子を電子源として用いた画
像表示装置に関する。
像表示装置に関する。
［従来の技術］
従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子として、
例えば、エム・アイ・エリンソン（Ｍ、Ｉ。
例えば、エム・アイ・エリンソン（Ｍ、Ｉ。
Ｅｌｉｎｓｏｎ）等によって発表された冷陰極素子が知
られている［ラジオ・エンジニアリング・エレクトロン
・フィシ４−／ス（Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ、 Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ。
られている［ラジオ・エンジニアリング・エレクトロン
・フィシ４−／ス（Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ、 Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ。
Ｐｂｙｓ、）第１０巻、 １２ｆ３０〜１２９Ｂ頁、
１９８５年］。
１９８５年］。
これは、基板上に形成された小面積の薄膜に。
ｌり面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ず
る現象を利用するもので、一般には表面伝導形放出素子
と呼ばれている。
る現象を利用するもので、一般には表面伝導形放出素子
と呼ばれている。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等に
より開発された５ｎ０２（Ｓｂ）薄膜を用いたものの他
、Ａｕ薄膜によるもの［ジー・ディトマー：°“スイン
・ソリド・フィルムス°’ （Ｇ、 Ｄｉｔｔｍｅｒ：
” Ｔｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ” ）、 ９巻
、３１７頁、 （１９７２年） ］ 、 ＩＴＯｆ）Ｉ
Ｉ’２によるもの［エム・ハートウェル・アンド・シー
・ジー・フォンスタッド： “アイ・イー・イー・イー
・トランス・イー・デイ−”コン７”（Ｍ、 Ｈａｒｔ
ｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ，Ｇ、 Ｆｏｎｓｔａｄ：” Ｔ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 ＥＤ Ｃａｎｔ、” ）５１９
頁、 （１９７５年月、カーボン薄膜によるもの［荒木
久他： °“真空″′。
より開発された５ｎ０２（Ｓｂ）薄膜を用いたものの他
、Ａｕ薄膜によるもの［ジー・ディトマー：°“スイン
・ソリド・フィルムス°’ （Ｇ、 Ｄｉｔｔｍｅｒ：
” Ｔｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ” ）、 ９巻
、３１７頁、 （１９７２年） ］ 、 ＩＴＯｆ）Ｉ
Ｉ’２によるもの［エム・ハートウェル・アンド・シー
・ジー・フォンスタッド： “アイ・イー・イー・イー
・トランス・イー・デイ−”コン７”（Ｍ、 Ｈａｒｔ
ｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ，Ｇ、 Ｆｏｎｓｔａｄ：” Ｔ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 ＥＤ Ｃａｎｔ、” ）５１９
頁、 （１９７５年月、カーボン薄膜によるもの［荒木
久他： °“真空″′。
第２６巻、第１号、２２頁、 （１９８３年）］等が報
告されている。
告されている。
これらの表面伝導層放出素子は、
１）高い電子放出効率が得られる、
２）構造が簡単であるため、製造が容易である、３）同
一基板上に多数の素子を配列形成できる、４）応答速度
が速い、 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
一基板上に多数の素子を配列形成できる、４）応答速度
が速い、 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
一方、面状に展開した複数の電子源と、この電子源から
の電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットとを
、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭５８
−２８４４５号で提案されている。
の電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットとを
、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭５８
−２８４４５号で提案されている。
この方式によれば、’Ｉｌｉ子ビームを偏向させる必要
がないため、一般のＣＲＴに比べて、奥ゆきの非常に小
さな画像表示装置の実現が期待できる。しかし、残念な
ことに、電子源としてコイル状ヒータ形式の熱カソード
を用いているため、電子放出効率が低く、シかも構造が
複雑化してしまい、装置の消費゛−［力や製造コストが
莫大なものとなることから、実用化されるまでには至っ
ていない。
がないため、一般のＣＲＴに比べて、奥ゆきの非常に小
さな画像表示装置の実現が期待できる。しかし、残念な
ことに、電子源としてコイル状ヒータ形式の熱カソード
を用いているため、電子放出効率が低く、シかも構造が
複雑化してしまい、装置の消費゛−［力や製造コストが
莫大なものとなることから、実用化されるまでには至っ
ていない。
そこで、上記コイル状ヒータ形式の熱カンードに代えて
、電子源として１１η記表面伝導形放出素子を使用する
ことにより、電子放出効率の向上並びに構造の簡素化を
図り、実用的な薄形の画像表示装置とすることが考えら
れるが、これには次のような問題がある。
、電子源として１１η記表面伝導形放出素子を使用する
ことにより、電子放出効率の向上並びに構造の簡素化を
図り、実用的な薄形の画像表示装置とすることが考えら
れるが、これには次のような問題がある。
従来の薄形表示装置では、面状に展開された電子源の各
々が放出する電子ビームを、核部の法線方向に飛翔させ
ている。しかし、表面伝導層放出素子の場合、素子自体
のもつ電位勾配のために、放出された電子ビームが基板
面の法線方向からはずれて飛翔する傾向があるので、表
面伝導層放出素子と蛍光体ターゲットを相対向させただ
けでは、各蛍光体に正しく電子ビームが照射されない問
題がある。
々が放出する電子ビームを、核部の法線方向に飛翔させ
ている。しかし、表面伝導層放出素子の場合、素子自体
のもつ電位勾配のために、放出された電子ビームが基板
面の法線方向からはずれて飛翔する傾向があるので、表
面伝導層放出素子と蛍光体ターゲットを相対向させただ
けでは、各蛍光体に正しく電子ビームが照射されない問
題がある。
上記問題点を解決するためには、補正用電極を用いて、
電子ビームの軌道を、基板面の法線方向に補正すること
が考えられる。
電子ビームの軌道を、基板面の法線方向に補正すること
が考えられる。
しかしながら、上記補正用電極を用いた場合、電子ビー
ムの一部が補正用電極に捕捉されて失われるうえに、各
表面伝導層放出素子について補正用電極を設けなければ
ならず、真空容器からの取出し線数が増えると共に、電
気回路の規模も大きくなり、製造コストのＬ昇原因とな
る。
ムの一部が補正用電極に捕捉されて失われるうえに、各
表面伝導層放出素子について補正用電極を設けなければ
ならず、真空容器からの取出し線数が増えると共に、電
気回路の規模も大きくなり、製造コストのＬ昇原因とな
る。
上記補正用電極以外には、電子レンズを設けて、基板面
の法線上の一点に電子ビームを集束させることも考えら
れるが、実際には、電子レンズの口径が大きくなり過ぎ
て、配列ピッチが大きくなり１画像表示装置として十分
な精細度を実現することが困難である。
の法線上の一点に電子ビームを集束させることも考えら
れるが、実際には、電子レンズの口径が大きくなり過ぎ
て、配列ピッチが大きくなり１画像表示装置として十分
な精細度を実現することが困難である。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、表面伝
導層放出素子から放出される電子ビームを、放出電子の
損失、製造コストの上昇並びに画像精細度低下を招くこ
となく、正しく対応する蛍光体ターゲットに照射できる
ようにすることをその解決すべき課題とするものである
。
導層放出素子から放出される電子ビームを、放出電子の
損失、製造コストの上昇並びに画像精細度低下を招くこ
となく、正しく対応する蛍光体ターゲットに照射できる
ようにすることをその解決すべき課題とするものである
。
［課題を解決するための手段］
本発明者等は、上述の問題点の原因が、熱カソードを電
子源として用いた従来の薄形の画像表示装置の構造を踏
襲したままで１表面伝導形放出素子を電子源として用い
ようとしていることにあるとの考えに基づき１表面伝導
形放出素子の特性に適した画像表示装置の構造を研究し
た結果、以下に述べる本発明を完成するに至ったもので
ある。
子源として用いた従来の薄形の画像表示装置の構造を踏
襲したままで１表面伝導形放出素子を電子源として用い
ようとしていることにあるとの考えに基づき１表面伝導
形放出素子の特性に適した画像表示装置の構造を研究し
た結果、以下に述べる本発明を完成するに至ったもので
ある。
前記課題を解決するために講じられた手段を、本発明の
一実施例に対応する第１図及び第２図で説明すると、本
発明では、基板１上に設けられた複数の表面伝導層放出
素子ｌＯと、対応する表面伝導層放出素子ｌＯからの電
子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲット８とを有
し、蛍光体ターゲット８が、対応する表面伝導層放出素
子ｌＯの電子放出部５を通る基板１面からの法線に対し
て、当該表面伝導形放出素子１０の正極３側に１度以上
４５度以下の範囲の方向に配置されている画像表示装置
とするという手段を講じているものである。
一実施例に対応する第１図及び第２図で説明すると、本
発明では、基板１上に設けられた複数の表面伝導層放出
素子ｌＯと、対応する表面伝導層放出素子ｌＯからの電
子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲット８とを有
し、蛍光体ターゲット８が、対応する表面伝導層放出素
子ｌＯの電子放出部５を通る基板１面からの法線に対し
て、当該表面伝導形放出素子１０の正極３側に１度以上
４５度以下の範囲の方向に配置されている画像表示装置
とするという手段を講じているものである。
本発明においては、第３図及び第４図に示されるように
、表面伝導形放出素子ｌＯと蛍光体ターゲット８の間に
制御電極９を設けることが好ましい。
、表面伝導形放出素子ｌＯと蛍光体ターゲット８の間に
制御電極９を設けることが好ましい。
［作 用］
本画像形成装置においては１表面伝導形放出素子ｌＯの
正極３と負極４間に電圧Ｖｆを印加すると共に、従来の
ものと同様に、蛍光体ターゲット８側の透明電極７に電
圧Ｖａを印加することにより、表面伝導形放出素子１０
の電子放出部５から電子ビームが放出され、蛍光体ター
ゲット８を照射するものである。
正極３と負極４間に電圧Ｖｆを印加すると共に、従来の
ものと同様に、蛍光体ターゲット８側の透明電極７に電
圧Ｖａを印加することにより、表面伝導形放出素子１０
の電子放出部５から電子ビームが放出され、蛍光体ター
ゲット８を照射するものである。
上記駆動の際の電子ビームの軌道は、電圧ｖｒあるいは
電圧Ｖａあるいは基板１と透明電極７間の距Ｒｆ！＋を
変化させると、それにつれて偏位する。
電圧Ｖａあるいは基板１と透明電極７間の距Ｒｆ！＋を
変化させると、それにつれて偏位する。
より詳しくは、表面伝導形放出素子ｌＯに印加する電圧
Ｖ「の最適値は、薄膜２を形成する材料や、その膜厚に
より異なる０例えば、膜厚１ｏｏｏＡのＩＴＯを用いた
場合には１５Ｖ前後の低電圧ですむが、膜厚１５００Ａ
の５ｎａ２を用いた場合には２００■前後の高電圧が必
要となる。
Ｖ「の最適値は、薄膜２を形成する材料や、その膜厚に
より異なる０例えば、膜厚１ｏｏｏＡのＩＴＯを用いた
場合には１５Ｖ前後の低電圧ですむが、膜厚１５００Ａ
の５ｎａ２を用いた場合には２００■前後の高電圧が必
要となる。
透明型８ｉ７に印加する電圧Ｖｄは、蛍光体ターゲット
８の材料により最適値が異なるが、例えば低速電子線用
蛍光体材料を用いた場合には、電圧Ｖａは５０Ｖ前後の
低電圧ですむが、高速電子線用蛍光体材料を用いた場合
には、ＩＫＶ〜２０ＫＶ程度の高電圧が必要となる。
８の材料により最適値が異なるが、例えば低速電子線用
蛍光体材料を用いた場合には、電圧Ｖａは５０Ｖ前後の
低電圧ですむが、高速電子線用蛍光体材料を用いた場合
には、ＩＫＶ〜２０ＫＶ程度の高電圧が必要となる。
電子放出素子ｌＯと透明電極７を隔てる距離ハは、装置
の薄形化という点では、５０＋＋ａ＋以下が望ましいが
、耐電圧性などの点からは１＋ａｍ以上必要である。
の薄形化という点では、５０＋＋ａ＋以下が望ましいが
、耐電圧性などの点からは１＋ａｍ以上必要である。
これらの諸条件を組み合せて実験した結果、 Ｖｆを大
きくするほど、Ｖａを小さくするほどまたはｆ！Ｉを大
きくするほど、第１図に示される角αと角βは大きくし
た方が良い傾向にあり、βの上限は４５度であった。逆
に、 Ｖｆを小さくするほど、 Ｖａを大きくするほど
または！！１を小さくするほど、αとβは小さくした方
が良い傾向にあり、αの下限は１度であった・ 従って１本発明においては、蛍光体ターゲット８を１度
を下限とし、４５度を上限とする範囲に置くことにより
、複雑な電子光学系を用いなくとも、電子ビームを効率
よく蛍光体ターゲット８に照射することが可能である。
きくするほど、Ｖａを小さくするほどまたはｆ！Ｉを大
きくするほど、第１図に示される角αと角βは大きくし
た方が良い傾向にあり、βの上限は４５度であった。逆
に、 Ｖｆを小さくするほど、 Ｖａを大きくするほど
または！！１を小さくするほど、αとβは小さくした方
が良い傾向にあり、αの下限は１度であった・ 従って１本発明においては、蛍光体ターゲット８を１度
を下限とし、４５度を上限とする範囲に置くことにより
、複雑な電子光学系を用いなくとも、電子ビームを効率
よく蛍光体ターゲット８に照射することが可能である。
また、請求項第２項の発明において、制御電極９は、表
面伝導形放出素子ｌＯから放出される電子ビームを、電
圧印加によって遮断する働きをなす。
面伝導形放出素子ｌＯから放出される電子ビームを、電
圧印加によって遮断する働きをなす。
［実施例］
第１図及び第２図において、１０は表面伝導形放出素子
で、例えばガラス、石英等の絶縁材料で形成された基板
ｌ上に、例えば金属酸化物、カーボン等を材料とする薄
膜２が設けられており、この薄膜２の一部には、従来公
知のフォーミング処理によって電子放出部５が形成され
ている。また、３と４は、薄膜２に電圧源１１から電圧
Ｖ「を印加するために設けられた電極で、３が正極、４
が負極である。
で、例えばガラス、石英等の絶縁材料で形成された基板
ｌ上に、例えば金属酸化物、カーボン等を材料とする薄
膜２が設けられており、この薄膜２の一部には、従来公
知のフォーミング処理によって電子放出部５が形成され
ている。また、３と４は、薄膜２に電圧源１１から電圧
Ｖ「を印加するために設けられた電極で、３が正極、４
が負極である。
６は１例えばガラス等の透明板で、その内面には電圧源
１２から電圧Ｖａが印加される透明電極７を介して蛍光
体ターゲット８が設けられている。この蛍光体ターゲッ
ト８は、電子放出部５と交わる基板１表面との法線に対
して、正極３側に角度がα以１でβ以内の範囲に設けら
れており、かつｌ°≦αとβ≦４５＠を満している。
１２から電圧Ｖａが印加される透明電極７を介して蛍光
体ターゲット８が設けられている。この蛍光体ターゲッ
ト８は、電子放出部５と交わる基板１表面との法線に対
して、正極３側に角度がα以１でβ以内の範囲に設けら
れており、かつｌ°≦αとβ≦４５＠を満している。
特に第２図に示されるように、Ｘ方向に伸びるＬｅの帯
状の部分が電子放出部５となっており、負極４と正極３
はＸ方向に沿って設けられている。
状の部分が電子放出部５となっており、負極４と正極３
はＸ方向に沿って設けられている。
また、蛍光体ターゲット８は、Ｘ方向についてはＬｅと
ほぼ等しいＬｐの長さにわたり、Ｘ方向については前述
した範囲で示される領域にわたり設けられている。
ほぼ等しいＬｐの長さにわたり、Ｘ方向については前述
した範囲で示される領域にわたり設けられている。
膜厚１０００１０００Ａ−ｃＬｅ＝１００ｕ ＩＴＯｔ
ｌ）薄膜２を用いた表面伝導形放出素子１０を電子ビー
ム源とし、蛍光体ターゲット８をα＝２° 、β＝４５
°＋ ｆ！１＝ ５ ｔａ■の位置に設けて、第１図及
び第２図で説明したような本画像表示装置とした。これ
をＶａ＝ＩＫＶ。
ｌ）薄膜２を用いた表面伝導形放出素子１０を電子ビー
ム源とし、蛍光体ターゲット８をα＝２° 、β＝４５
°＋ ｆ！１＝ ５ ｔａ■の位置に設けて、第１図及
び第２図で説明したような本画像表示装置とした。これ
をＶａ＝ＩＫＶ。
Ｖｒ＝１５Ｖで駆動したところ、蛍光体ターゲット８を
法線方向に配置して、補正電極で電子ビーム軌道の補正
を行う装置を同じ電圧で駆動した場合と比較して、約３
０％輝度を向上させることに成功した。これは、補正電
極を用いた装置では、電子ど−ム軌道の補正に伴ない、
電子ビームの一部が、補正電極に捕捉されて失われるが
１本装置ではほとんど損失なしに蛍光体ターゲット８に
照射できるためである。
法線方向に配置して、補正電極で電子ビーム軌道の補正
を行う装置を同じ電圧で駆動した場合と比較して、約３
０％輝度を向上させることに成功した。これは、補正電
極を用いた装置では、電子ど−ム軌道の補正に伴ない、
電子ビームの一部が、補正電極に捕捉されて失われるが
１本装置ではほとんど損失なしに蛍光体ターゲット８に
照射できるためである。
尚、この場合、電子ビームの照射位置は、実質的にはα
＝ ２６ 、β＝４５°よりも狭い範囲にあり。
＝ ２６ 、β＝４５°よりも狭い範囲にあり。
蛍光体ターゲット８をα＝１５° 、β＝２５＠の範囲
にまで狭めても１発光輝度はほとんど低下せず、むしろ
にじみのないシャープな発光点が得られるために、画質
が向上することがわかった。
にまで狭めても１発光輝度はほとんど低下せず、むしろ
にじみのないシャープな発光点が得られるために、画質
が向上することがわかった。
また、低速電子線用蛍光体を蛍光体ターゲット８の材ネ
１として用い、Ｖ３＝３００Ｖで駆動した場合には、α
＝３０° 、β＝４５＠で最適状態を得る苔ができた。
１として用い、Ｖ３＝３００Ｖで駆動した場合には、α
＝３０° 、β＝４５＠で最適状態を得る苔ができた。
第３図は本発明の他の実施例を示すもので。
１〜８及びｌＯ〜１２の各構成要素は前記第１図と同様
であり、蛍光体ターゲット８は、電子放出部５を通る基
板１の表面の法線に対して、前記αとβで規定される範
囲に設けられている。また、９は、表面伝導形放出素子
１０から放出される電子ビームの飛翔をルＪｕｌするた
めに設けられたｌ１ｍ電極で、薄板状の金属に、電子ビ
ームを通過させるための空孔１３が開けられている。
であり、蛍光体ターゲット８は、電子放出部５を通る基
板１の表面の法線に対して、前記αとβで規定される範
囲に設けられている。また、９は、表面伝導形放出素子
１０から放出される電子ビームの飛翔をルＪｕｌするた
めに設けられたｌ１ｍ電極で、薄板状の金属に、電子ビ
ームを通過させるための空孔１３が開けられている。
Ｓｌは１表面伝導形放出素子ｌＯを駆動するための印加
電圧ＶｒのＯＮ、 ＯＦＦを制御するスイー、チである
。また、１４はグリッド電極９に正電圧ＶＣ＋ を印加
するための電圧源、１５はグリッド電極９に負電圧ＶＧ
２を印加するための電圧源、ＳＧＩ とＳＧ２は、グリ
ッド電極９に接続する電圧源１４又は１５を選択するた
めのスイッチで、相互に逆動作をする。
電圧ＶｒのＯＮ、 ＯＦＦを制御するスイー、チである
。また、１４はグリッド電極９に正電圧ＶＣ＋ を印加
するための電圧源、１５はグリッド電極９に負電圧ＶＧ
２を印加するための電圧源、ＳＧＩ とＳＧ２は、グリ
ッド電極９に接続する電圧源１４又は１５を選択するた
めのスイッチで、相互に逆動作をする。
尚、前記Ｓｌ、 ＳＧＩ、 ＳＧ２の各スイッチは、機
械的スイッチに限らず、トランジスタの様なスイッチン
グ素子であってもよい。
械的スイッチに限らず、トランジスタの様なスイッチン
グ素子であってもよい。
発明者らが試作した第３図に示されるような装置の中か
ら一例を示せば、薄膜２として膜厚１０００Ａ前後のＩ
ＴＯ薄膜を形成した表面伝導形放出素子１０を、Ｖｒ＝
１８Ｖで駆動した時、制ｕ４電極９にＶＧ、 ＝４０Ｖ
を印加すれば、″ＦＬ子ビームは蛍光体ターゲット８を
照射するが、ＶＧ２＝−５Ｖを印加すれば、電子ビーム
は遮断される。各パラメータ値の一例をあげれば、！！
２＝ １１００ｐ 、 １３＝ ５ｔｓ。
ら一例を示せば、薄膜２として膜厚１０００Ａ前後のＩ
ＴＯ薄膜を形成した表面伝導形放出素子１０を、Ｖｒ＝
１８Ｖで駆動した時、制ｕ４電極９にＶＧ、 ＝４０Ｖ
を印加すれば、″ＦＬ子ビームは蛍光体ターゲット８を
照射するが、ＶＧ２＝−５Ｖを印加すれば、電子ビーム
は遮断される。各パラメータ値の一例をあげれば、！！
２＝ １１００ｐ 、 １３＝ ５ｔｓ。
Ｖａ＝２ＫＶで、グリッド９に設けられた空孔１３は、
直径Ｄ ＝ １１００ｐの円であり、蛍光体ターゲット
８の位置はα＝１０° 、β＝２０°の領域である。
直径Ｄ ＝ １１００ｐの円であり、蛍光体ターゲット
８の位置はα＝１０° 、β＝２０°の領域である。
次に、第４図に示すのは、前記第３図のユニットを複数
個並べ１表面伝導形放出素子ｌＯと制御電極９でｘＹマ
トリクスを構成した装置である。
個並べ１表面伝導形放出素子ｌＯと制御電極９でｘＹマ
トリクスを構成した装置である。
図において、表面伝導形放出素子ｌＯは、Ｘ方向に共通
配線され、一方制′４Ｂ電極９はＸ方向にストライブ状
に共通配線されている。また、３は各々共通配線された
正極、４は各々共通配線された負極、９は空孔１３を有
する制御電極、８は各表面伝導形放出素子ｌＯに対応し
て設けられた蛍光体ターゲットで、Ｘ方向の一列を共通
の色とし、Ｘ方向にレッド、グリーン、ブルーの順で塗
り分けられている。
配線され、一方制′４Ｂ電極９はＸ方向にストライブ状
に共通配線されている。また、３は各々共通配線された
正極、４は各々共通配線された負極、９は空孔１３を有
する制御電極、８は各表面伝導形放出素子ｌＯに対応し
て設けられた蛍光体ターゲットで、Ｘ方向の一列を共通
の色とし、Ｘ方向にレッド、グリーン、ブルーの順で塗
り分けられている。
第４図においては、３Ｘ２素子のみが示されているが、
実際には８４０Ｘ ６４０素子を１つの真空容器に納め
た装置を試作した。−列島だり６４０素子を共通配線し
た素子列を一利毎に順次駆動して行き、これと同期して
、各制御電極９に制御信号を印加することにより１画像
の１ラインを単位とするライン順次の走査を行なった。
実際には８４０Ｘ ６４０素子を１つの真空容器に納め
た装置を試作した。−列島だり６４０素子を共通配線し
た素子列を一利毎に順次駆動して行き、これと同期して
、各制御電極９に制御信号を印加することにより１画像
の１ラインを単位とするライン順次の走査を行なった。
毎秒６０画面の走査を行なったところ、最高輝度１００
ｆＬ以上の明るい画像を表示することができた。
ｆＬ以上の明るい画像を表示することができた。
［発明の効果］
以上説明したように、蛍光体ターゲット８を、表面伝導
形放出素子ｌＯの電子放出部５を通る基板１表面からの
法線に対して、１度以上４５度以下の範囲内で正極３側
に配置することにより、電子ビーム軌道の補正手段が不
要となり、装置の構造を簡単化することができる。その
ため、装置の製造コストを大幅に引下げることが可能と
なり、装置の薄形化もより一層容易になる。また、補正
手段で失われていた電子ビームも、有効に蛍光体ターゲ
ット８を照射するため、輝度の向上や、消費電力の低減
も可能となる。
形放出素子ｌＯの電子放出部５を通る基板１表面からの
法線に対して、１度以上４５度以下の範囲内で正極３側
に配置することにより、電子ビーム軌道の補正手段が不
要となり、装置の構造を簡単化することができる。その
ため、装置の製造コストを大幅に引下げることが可能と
なり、装置の薄形化もより一層容易になる。また、補正
手段で失われていた電子ビームも、有効に蛍光体ターゲ
ット８を照射するため、輝度の向上や、消費電力の低減
も可能となる。
更に請求項第２項の発明によれば、電子ビームの照射と
遮断を確実にすることができ、画像をより鮮明なものと
することができる。
遮断を確実にすることができ、画像をより鮮明なものと
することができる。
第１図は本発明の一実施に係る画像表示装置の一部断面
図、第２図はその一部の部材を省略した斜視図、第３図
は本発明の他の実施例の一部断面図、第４図はその斜視
図である。 ｌ二基板 ３：正極
図、第２図はその一部の部材を省略した斜視図、第３図
は本発明の他の実施例の一部断面図、第４図はその斜視
図である。 ｌ二基板 ３：正極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に設けられた複数の表面伝導形放出素子と、
対応する表面伝導形放出素子からの電子ビームの照射を
各々受ける蛍光体ターゲットとを有し、蛍光体ターゲッ
トが、対応する表面伝導形放出素子の電子放出部を通る
基板面からの法線に対して、当該表面伝導形放出素子の
正極側に１度以上４５度以下の範囲の方向に配置されて
いることを特徴とする画像表示装置。 ２）表面伝導形放出素子と蛍光体ターゲットとの間に制
御電極が設けられていることを特徴とする請求項第１項
記載の画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111542A JP2610160B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111542A JP2610160B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 画像表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283749A true JPH01283749A (ja) | 1989-11-15 |
| JP2610160B2 JP2610160B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=14564011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111542A Expired - Fee Related JP2610160B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 画像表示装置 |
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| JP (1) | JP2610160B2 (ja) |
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1988
- 1988-05-10 JP JP63111542A patent/JP2610160B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2610160B2 (ja) | 1997-05-14 |
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