JP3000479B2

JP3000479B2 - 電子線発生装置及びそれを用いた画像形成装置と光信号供与装置

Info

Publication number: JP3000479B2
Application number: JP25681690A
Authority: JP
Inventors: 伸也三品; 俊彦武田; 一郎野村; 哲也金子; 治人小野; 英俊鱸
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-09-28
Filing date: 1990-09-28
Publication date: 2000-01-17
Anticipated expiration: 2015-01-17
Also published as: JPH04137423A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、電子ビームの変調あるいは偏向用電極の構
成に特徴を有した電子線発生装置及びそれを用いた画像
形成装置と光信号供与装置に関する。

［従来の技術］従来より、線状カソードと、この電子源からの電子ビ
ームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットとを、各々相
対向させた薄形の画像表示装置が存在している。

この電子線ディスプレイ装置は基本的に次の様な構造
からなる。

第８図は、従来の装置の概要を示すものである。本図
中、21は線状カソード、22は変調電極、23は偏向電極、
24は蛍光面付アノード（フェースプレート）である。

この電子線ディスプレイは、線状カソード21から発生
した電子線を加速させ蛍光面に衝突，発光させる。この
時、線状カソード（電子放出素子）の電子放出方向と反
対側に配置された変調電極22により外部情報信号に応じ
て、電子ビームを変調する。更に放出された電子ビーム
の偏向に関しては、線状カソード21とアノード24間に空
間を有して配置された偏向電極23により行われる。以上
の原理により、変調電極22と偏向電極23でXYマトリック
スを形成せしめて、蛍光面上に画像表示を行うものであ
る。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、上述従来例の原理に基づき、複数配置
された線状電子放出素子を用い、複数の変調電極と偏向
電極によりXYマトリクスを構成し、画像表示装置を形成
すると以下の様な問題点があった。

．偏向電極が電子放出素子の電子放出方向上部に配置
されるために、偏向電極と電子放出素子の位置合わせが
難しく、大画面で高精細，高輝度な画像表示装置が作製
し難い。

．電子放出素子と偏向電極が空間を有して相方配置さ
れるために、全ての電子放出素子と偏向電極の距離を揃
えることが難しく、大画面で高精細，高輝度な画像表示
装置が作製し難い。

．大画面で高精細，高輝度な画像表示装置を作製しよ
うとすると、表示画像の輝度むらが顕著となってしま
う。

すなわち、本発明の目的とするところは、上述のよう
な問題点を解消し得る電子線発生装置、及びそれを用い
た画像形成装置と光信号供与装置を提供することにあ
る。

［課題を解決するための手段及び作用］上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は、以
下の通りである。

すなわち、本発明の第１は、基板上に設けられた冷陰
極である電子放出素子と、該電子放出素子から放出され
る電子線を情報信号に応じて変調する変調電極と、該電
子線を偏向する偏向電極とを有する電子線発生装置にお
いて、前記電子放出素子が、前記変調電極上に絶縁層を
介して積層配置されており、かつ、前記偏向電極と前記
電子放出素子とが前記絶縁層の同一面上に配置されてい
ることを特徴とする電子線発生装置である。

上記本発明の第１の電子線発生装置は、さらにその特
徴として、前記電子放出素子の厚さが、100Å〜200μｍであるこ
と、前記電子放出素子が、基板面に沿って並設された電極
間に、該電極を介して電圧が印加される電子放出部を有
する電子放出素子であること、前記電子放出素子が、表面伝導形電子放出素子である
こと、前記電子放出素子が複数結線されて線状電子放出素子
を構成しており、該線状電子放出素子の複数と、前記変
調電極もしくは偏向電極の複数とがXYマトリクスを構成
していること、前記電子放出素子と前記変調電極もしくは偏向電極に
電圧を印加する電圧印加手段が、別個独立であること、
をも含む。

また、本発明の第２は、上記本発明の第１の電子線発
生装置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して画
像を形成する画像形成部材を設けたことを特徴とする画
像形成装置である。

さらに本発明の第３は、上記本発明の第１の電子線発
生装置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して発
光する発光体を設け、該発光体からの光を信号として用
い得る構成としたことを特徴とする光信号供与装置であ
る。

本発明者らは、高精細、高輝度な大画面画像形成装置
の実現を困難にしている前述の問題点が、主に偏向電極
と他の部材（電子放出素子及び変調電極）との位置合わ
せの困難性、互いの距離の不均一性によるものであるこ
とに着目し、電子放出素子を変調電極上に絶縁層を介し
て積層配置すると共に、偏向電極を電子放出素子と同じ
絶縁層上に空間を置かずに配置して集積化することによ
り、上記問題点を一挙に解消したものである。

以下、本発明の構成要素及び作用について詳述する。

本発明における電子放出素子としては冷陰極が用いら
れる。但し、冷陰極の中でも表面伝導形放出素子と呼ば
れる電子放出素子を用いた方が、本発明の電子線発生装
置及び画像形成装置にあっては、１）高い電子放出効率が得られる、２）構造が簡単であるため、製造が容易である、３）同一基板上に多数の素子を配列形成できる、４）応答速度が速い、５）輝度コントラストが優れている、等の利点を有するので特に好ましい。前記利点の中でも
とりわけ５）に関しては、表面伝導形電子放出素子が薄
膜素子であることに大きく起因している。即ち、本発明
に係る変調電極は、電子放出素子の電子放出側面と反対
側面（下方）に、或いは、電子放出素子と同一面等放出
部極く近傍に配置されるのが好ましいため、電子放出素
子の厚さ（電子ビームの放出方向での厚さ）が極端に厚
すぎると変調電極と電子放出素子の電子放出面との距離
が離れすぎて、放出される電子ビームの充分な変調がで
きなくなる為、輝度コントラストが悪くなる等の新たな
問題点を生じてしまう。従って、本発明に用いられる電
子放出素子は、その厚さが100Å〜200μｍであることが
好ましく、優れた輝度コントラストを得る為に特に好ま
しくは、100Å〜10μｍであることが望ましい。

ここで、表面伝導形電子放出素子とは、例えば、エム
・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）等によって発表さ
れた冷陰極素子［ラジオ・エンジニアリング・エレクト
ロン・フィジィッス（Radio Eng.Electron.Phys.）第1
0巻,1290〜1296頁,1965年］であり、これは、基板面上
に設けられた小面積の薄膜（電子放出部）を挟持した電
極（素子電極）間に電圧を印加して、該膜面に平行に電
流を流すことにより、電子の放出が生じる素子である。
尚、かかる素子は、前記エリンソン等により開発された
SnO₂（Sb）薄膜を用いたものの他、Au薄膜によるもの
［ジー・ディトマー：“スイン・ソリッド・フィルム
ス”（G.Dittmer:“Thin Solid Films",9巻,317頁，
（1972年）］、ITO薄膜によるもの［エム・ハートウェ
ル・アンド・シー・ジー・フォンスタッド：“アイー・
イー・イー・イー・トランス・イー・ディー・コンフ”
（M.Hartwell and C.G.Fonstad:“IEEE Trans.ED C
onf."）519頁，（1975年）］、カーボン薄膜によるもの
［荒木久他：“真空",第26巻，第１号,22頁，（1983
年）］等が報告されている。

また、我々は鋭意検討した結果、新型表面伝導形電子
放出素子を開示した。

本発明で使用できる表面伝導形電子放出素子は、上記
以外にもその電子放出部が金属微粒子分散によって形成
されているものであっても良い。

一般に表面伝導形電子放出素子とは、前記電極間距離
が0.01μｍ〜100μｍ、前記電子放出素子のシート抵抗
が10³Ω／□〜10⁹Ω／□のものをいう。

更に、本発明において変調電極とは、情報信号に応じ
て電圧を印加することにより、電子放出素子から放出さ
れる電子ビームの制御の為の電極であり、導電性材料で
あればいかなる材料から形成されていても良い。

更に、本発明において偏向電極とは、電子放出素子か
ら放出された電子線を偏向させるための電極であり、導
電性材料であればいかなる材料から形成されていてもよ
い。また、本発明において、変調電極と電子放出素子間
に介在される絶縁層は、絶縁性材料であればいかなる材
料から形成されていてもよい。

次に、図面を参照して、電子線発生装置を用いた画像
形成装置の原理を説明する。

第１図は電子線発生装置を用いた画像形成装置の原理
説明図で、１は絶縁性基板、２は素子電極、３は電子放
出部、４と４′は偏向電極を兼ねる変調電極、５は画像
形成部材でもあるアノードである。

アノード５に電圧を印加した状態で、素子電極２に、
電子が放出する電圧を印加する。この状態で、偏向電極
を兼ねる変調電極4,4′の両者にある電圧を印加するとO
FF制御となり、画像形成部材でもあるアノード５上のス
ポット光は消失する。次に、偏向電極を兼ねる変調電極
4,4′の両者に別の電圧を印加するとON制御となり、画
像形成部材であるアノード５上にスポット光が観察され
る。更に、偏向電極を兼ねる変調電極4,4′の電極４の
みを0Vとすると上述のスポット光が電極４′の方へずれ
る。また、逆を行うとスポット光が電極４の方へずれ
る。かかる現象の起因は、電子放出部３のごく近くの電
界が、偏向電極を兼ねる変調電極4,4′の電位により変
化しているためである。また、偏向電極を兼ねる変調電
極4,4′に1Hz〜100Hzのパルス電圧を順次かけていく
と、周波数に応じてスポットがスキャンする。この現象
から、ビームスキャンが可能なことが容易に理解され
る。また上記原理に基づき、１つの電子源によりビーム
をスキャンすることにより、複数画素例えばRGB対応が
可能になることはいうまでもない。更に、１つの画素に
複数の電子源から同時に電子ビームを照射することも、
外部制御（変調信号）により可能となることも明らかで
ある。

［実施例］以下、本発明を更に具体的に説明する。

参考例１本参考例では、電子ビームの変調と偏向の両機能を兼
備する電極と電子放出素子とを基板の同一面上に集積配
置した。第２図は本参考例の電子線発生装置を示す図で
あり、１は絶縁性基板、４と４′は偏向電極を兼ねる変
調電極（以下、本参考例においては「変調電極」と記述
する）、３は素子電極、３は電子放出部である。

第３図は、第２図のＡ−Ａにおける装置の断面図であ
る。

以下に、本装置の製造工程を詳述する。

．先ず、絶縁性基板１である石英ガラス（コーニング
社製）を中性洗剤によるこすり洗い，有機溶剤による超
音波洗浄等にて十分に洗浄した後、ホトリソグラフィー
技術によりレジストパターンを形成した。

．次に、抵抗加熱法により、密着性向上のための下引
き材であるTi〜50Åと素子電極材であるNi〜950Åをレ
ジストパターン上に全面に蒸着した後、リフトオフ法に
より素子電極パターン２を形成した。この時の素子電極
幅は15μm,電極ギャップは２μｍであった。

．次に、放出材料をパターニングするためのCrを、抵
抗加熱法により〜1000Å全面蒸着した。

．次に、ホトリソグラフィー技術を用い、放出部近傍
（25μｍ×150μｍ）のCrのみを除去するためのレジス
トパターンを形成した。

．次に、エッチングにより所望のCrを除去した。エッ
チャントには、硝酸セリウムアンモニウム，過塩素酸水
溶液を用いた。

．次に、放出材料であるパラジウム微粒子と酸化パラ
ジウム微粒子の混合微粒子たる有機パラジウム（奥野製
薬社製CCP−4230）を分散塗布し、その後大気中〜300℃
で12分間焼成し全面に形成した。

．次に、上記のエッチャントを用い放出材料パター
ニング用Crをエッチアウトした。

．次に、抵抗加熱法の代わりにEB蒸着法を用い、Cr50
Å,Cu1μｍを素子電極パターン形成と同様の方法で形成
した。この時、素子電極，変調電極間距離は25μｍとし
た。

上記手法により作製した電子線発生装置及び前記電子
線発生装置の基板上方5mmに配置された蛍光板と共に約
２×10^-6Torrの環境下において、外部より蛍光板に1kV
の電圧を印加し、素子電極２間に14Vの電圧パルスを印
加したところ、蛍光板に放出された電子ビームに対応す
るスポット光が観察された。

更に、変調電極4,4′両者に−30V〜＋20Vの電圧を印
加したところ、変調電圧に対応して電子ビーム量が連続
的に変化した。この時、変調電圧4,4′両者共−30V以下
でOFF制御、＋30V以上でON制御が可能であった。

次に、変調電極４のみに＋30V（４′は0V）を印加す
るとスポット光が変調電極４′側へ約1mmシフトした。
一方、変調電極４のみに＋30V（４′は0V）を印加する
とスポット光が変調電極４側へ約1mmシフトした。以上
の事実より、変調電極に偏向機能を持たせることが可能
であることが確認できた。

また、RGBに塗り分けられた蛍光体を用いて同様の実
験を行ったところ、画素（R,G,B）それぞれに対応する
個々の変調電極に印加する電圧により、スポット光を制
御することが可能であった。この際の変調電圧は、素子
に適切な値を選択すればよいことはいうまでもない。更
に、変調電圧としてある周波数のパルス電圧を印加した
ところ、その周波数に対応するスポット光のシフトが観
察された。

参考例２第４図は、参考例２に係る電子線発生装置を示す部分
斜視図である。同図において、１は絶縁性基板、２は素
子電極、4,4′は偏向電極、４″,4は変調電極、６は
４及び４″と４′及び４″の間を電気的に絶縁する絶縁
層、３は電子放出部である。

本参考例では、素子電極間に電圧を印加して電子放出
を生じせしめ、放出部３から放出された電子を、先ず偏
向電極4,4′で偏向させ、しかる後に変調電極４″,4
によって変調を行う電子線発生装置を作製した。

かかる電子線発生装置及び該装置上方5mmに配置され
た蛍光板を約２×10^-6Torrの真空容器中に入れ、素子電
極間に＋14V、ビーム成形用としての偏向電極4,4′をア
ース電位、ビーム変調用としての変調電極４″,4を−
40V〜＋30Vの範囲で変化させて、バイアス電圧1kVを印
加した蛍光板上の発光輝点及び蛍光板に到達する放出電
流を測定したところ、変調電極電圧によって到達電流
量，発光の輝度共に連続的に変化することが確認され
た。

次に、偏向電極4,4′に−20V〜＋20Vの電圧を印加し
た場合、上記と同一条件での測定では到達電流に変化は
なく、蛍光板上の発光形状に変化が生じた。偏向電極4,
4′に０〜−20Vの電圧を加えた場合には、印加される負
電圧が高くなるに従い輝点は小さくなり、かつ円形に近
づいた。また正電圧０〜20Vを印加した場合には、放出
部通電方向の輝点の広がりが見られた。この結果、通常
の平面グリッド素子にさらにビーム成形用としての電極
を付加し、負の電圧を印加することで更に集束性の良い
電子線発生装置が得られた。

また、偏向電極4,4′別々に独立の電圧を印加したと
ころ、実施例１と全く同様の効果が得られた。

更に、上層，下層の電極4,4′,4″,4に前述とは逆
の機能、つまり上層で偏向，下層で変調（ON/OFF）をも
たせても同様の効果が得られた。しかしながら、電子ビ
ームの偏向効率の点から考慮すると、ほぼ初速度のみし
かもっていない放出部近く近傍で偏向する前者がより好
ましい。

参考例３参考例１の変調電極4,4′を電子放出側面に対して反
対面に絶縁層を介して積層した以外は、実施例１と全く
同様の構成として検討を行った。

その結果、変調電圧の絶対値が参考例１より若干大き
くなる蛍光があるものの、参考例１と同等の効果を得る
ことができた。これは、放出部近傍の電界制御により、
変調電極を用いて偏向させることが可能である証しであ
る。

以上、電子放出素子と変調電極及び偏向電極の集積化
の３種類の例について述べたが、勿論これ以外の組み合
せでも、個々に適切な変調電圧を選択すれば同様の効果
がある。また、電子放出素子の形状に制限はない。

実施例１本実施例では、第５図に示すように、参考例１の変調
電極4,4′の片方のみを電子放出素子と同一面上に配置
し、他方を電子放出側面に対して反対面に絶縁層６を介
して配置した構成において、参考例１と同様の検討を行
った。

その結果、片側の変調電極のみでも−80V〜＋80Vの電
位を印加することによりビーム偏向が可能であった。

参考例４第６図は、参考例に係る電子線発生装置を用いた画像
表示装置の一実施形態を示す斜視図である。同図におい
て、１はガラス基板、２は素子電極、４と４′は変調電
極と偏向電極を兼ねる電極（以下においては「変調電
極」と記述する）、３は電子放出部、８は変調電極用配
線電極、13a,13bは素子配線電極、９はフェースプレー
ト基板、10はITO透明電極、11は蛍光体、12はメタルバ
ックである。

素子電極の幅は、高電位側，低電位側ともに25μｍで
あり、電極間ギャップは２μｍ、放出部幅ｌは300μｍ
とした。また、素子ピッチは2mmとして複数配列し、変
調電極をライン状電子源に対して直交するよう設けた。
さらに、素子配線電極をCu2μｍにて形成した。

次に、かかる電子線発生装置の上方に、5mm厚のガラ
ススペーサを介して、ITO電極10,蛍光体11及びメタルバ
ック12から成るフェースプレートを設け、フリットガラ
スによる封着を経て画像表示装置を完成した。

上記構成から成る画像表示装置内を約２×10^-6Torr程
度まで真空排気した後、蛍光体面に＋1.5KVの電圧を印
加し、素子電極間に14Vのパルス電圧を印加してライン
駆動を行った。

その結果、変調電極を常時−20Vとすることで充分集
束した輝点が観察され、隣接放出部とのクロストークも
生じなかった。また、ライン駆動と同時に変調電極に情
報信号電圧を印加することで画像表示が可能であった。
更に、変調電圧を先の参考例中で述べた様にマルチ化す
ることにより、同一素子より複数画素への電子ビーム照
射が可能となるため、外部制御により任意の位置，時間
で同一箇所に複数の電子源からの電子ビーム照射が可能
となり、画面輝度が更に向上した。

また、本参考例では面状電子源を用いたが、勿論変調
電極の偏向機能をフルに生かして、画面をセグメント化
し複数のライン分割を行い駆動しても同様の効果が得ら
れた。

実施例２次に、本発明に係る第２の実施例であるところの光信
号供与装置について説明する。ここで光信号供与装置と
は、電気信号を光信号に変換するデバイスであり、具体
的にはLED（Light Emitting Diode）アレイ、液晶シ
ャッター等のデバイスを指す。第９図に示すのは、LED
アレイの概略的説明図である。基板51上にLED52が一次
元的に配置され、かかるLEDは基板51上の電極53と結線
され、電極53に電圧を印加することによりLEDから光放
出させることができる。つまり、電気信号を電極53に入
力することにより、LEDアレイから光信号として出力で
きる。

第７図は、本発明の電子線発生装置を光信号供与装置
とした実施態様の図であり、本実施例は実施例１の画像
表示装置の一ラインの電子線発生装置と同様な構造を成
すものであり、デバイス構造及び作製方法は参考例１と
ほぼ同等なので説明を省略する。

次に、本実施例の光信号供与装置の駆動方法について
説明する。素子配線電極13a,13bに電圧を印加し、電子
放出部３より電子ビームを放出させる。予め蛍光体に所
定の電圧を印加し、変調信号に応じて変調電極4,4′に
電気信号を入力することにより電子ビームをON/OFF制御
する。制御された電子ビームは、蛍光体に衝突し光信号
として出力される。

本実施例の電子放出素子として、表面伝導形電子放出
素子を用いることで高輝度，高精細は言うまでもなく、
極めてスイッチングスピードの速い画期的な光信号供与
装置を作製することができた。

また、変調電極のマルチ化により、電子ビーム偏向機
能が付加されているので光信号受容体側の位置ずれ等の
バラツキも本発明の信号供与装置側で容易に補正するこ
とが可能であった。

［発明の効果］以上説明したように、本発明によれば以下の効果を奏
する。

1.電子放出素子と変調電極及び偏向電極とを、これらの
間に空間を有することなく配置するため、これらの位置
合わせ、距離の均一性の確保等が容易となり、大画面化
が図れる。

2.電子放出部の極く近傍に偏向電極を配置することがで
きるため、偏向効率の向上が図れる。

3.集積化された変調電極及び偏向電極の変調，偏向機能
により、個々の電子放出素子から放出される電子ビーム
のスキャンが可能となり、高精細化，高輝度化が図れ
る。

4.偏向電極も集積化されるため、電極構成の単純化が図
れる。

5.画面のセグメント化が可能となるため、ライン状電子
源の間隔を広くすることにより、基板面方向での配線抵
抗の低減が図れる。

6.集積化された変調電極及び偏向電極の変調，偏向機能
により、電子ビーム照射位置精度が向上し、高精細化が
図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、電子線発生装置を用いた画像形成装置の原理
説明図である。第２図は、本発明の第１の参考例を示す電子線発生装置
の斜視構成図である。第３図は、第２図のＡ−Ａ部の断面図である。第４図は、本発明の第２の参考例を示す電子線発生装置
の斜視構成図である。第５図は、本発明の第１の実施例を示す電子線発生装置
の断面図である。第６図は、本発明の第４の参考例を示す画像表示装置の
斜視構成図である。第７図は、本発明に係る第２の実施例を示す光信号供与
装置の斜視構成図である。第８図は、従来の画像表示装置の概略構成図である。第９図は、従来のLEDアレイの概略構成図である。１……絶縁性基板、２……素子電極３……電子放出部、4,4′４″,4……変調電極５……アノード、６……絶縁層８……変調電極用配線電極、９……フェースプレート基
板 10……ITO透明電極、11……蛍光体 12……メタルバック、13a,13b……素子配線電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｊ 29/74 Ｈ０１Ｊ 29/74 Ｚ 31/12 31/12 Ｃ (72)発明者金子哲也東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者小野治人東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者鱸英俊東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (56)参考文献特開昭58−121534（ＪＰ，Ａ) 特開平１−100842（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−6718（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−290053（ＪＰ，Ａ) 特開平１−100843（ＪＰ，Ａ) 特開平３−20941（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−54649（ＪＰ，Ａ) 特公平１−33893（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 1/30 H01J 31/12 - 31/15 H01J 29/04,29/52 H01J 29/74,3/08,3/30

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に設けられた冷陰極である電子放出
素子と、該電子放出素子から放出される電子線を情報信
号に応じて変調する変調電極と、該電子線を偏向する偏
向電極とを有する電子線発生装置において、前記電子放出素子が、前記変調電極上に絶縁層を介して
積層配置されており、かつ、前記偏向電極と前記電子放
出素子とが前記絶縁層の同一面上に配置されていること
を特徴とする電子線発生装置。
【請求項２】前記電子放出素子の厚さが、100Å〜200μ
ｍであることを特徴とする請求項１に記載の電子線発生
装置。
【請求項３】前記電子放出素子が、基板面に沿って並設
された電極間に、該電極を介して電圧が印加される電子
放出部を有する電子放出素子であることを特徴とする請
求項１又は２に記載の電子線発生装置。
【請求項４】前記電子放出素子が、表面伝導形電子放出
素子であることを特徴とする請求項３に記載の電子線発
生装置。
【請求項５】前記電子放出素子が複数結線されて線状電
子放出素子を構成しており、該線状電子放出素子の複数
と、前記変調電極もしくは偏向電極の複数とがXYマトリ
クスを構成していることを特徴とする請求項１〜４いず
れかに記載の電子線発生装置。
【請求項６】前記電子放出素子と前記変調電極もしくは
偏向電極に電圧を印加する電圧印加手段が、別個独立で
あることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の電
子線発生装置。
【請求項７】請求項１〜６いずれかに記載の電子線発生
装置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して画像
を形成する画像形成部材を設けたことを特徴とする画像
形成装置。
【請求項８】請求項１〜６いずれかに記載の電子線発生
装置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して発光
する発光体を設け、該発光体からの光を信号として用い
得る構成としたことを特徴とする光信号供与装置。