KR960019426A - 전자 방출 소자, 전자원 및 화상 생성 장치의 제조 방법 - Google Patents
전자 방출 소자, 전자원 및 화상 생성 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960019426A KR960019426A KR1019950044597A KR19950044597A KR960019426A KR 960019426 A KR960019426 A KR 960019426A KR 1019950044597 A KR1019950044597 A KR 1019950044597A KR 19950044597 A KR19950044597 A KR 19950044597A KR 960019426 A KR960019426 A KR 960019426A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- electrically conductive
- conductive thin
- region
- metal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/027—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of thin film cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
본 발명의 목적은 한쌍의 소자 전극과 전기 전도성 박막을 갖고 있는 전자 방출 소자, 이러한 전자 방출 소자를 구비한 전자원 및 이러한 전자원을 구비한 화상 생성 장치를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 방법은 전기 전도성 박막을 변화시키는 단계와, 전기 전도성 박막에 전류를 흐르게 하는 단계를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 방법으로 제조된 표면 전도형 전자 방출 소자의 전자 방출 성능을 측정하는데 사용될 수 있는 계측 시스템의 개략적인 회로도,
제5도는 본 발명에 따른 방법으로 제조된 표면 전도형 전자 방출 소자의 소자 전압 Vf와 소자 전류 If 및, 소자 전압 Vf의 방출 전류 Ie간의 전형적인 관계를 나타내는 그래프,
제6도는 본 발명의 방법에 따라 제조된 단순 매트릭스형의 전자원에 대한 개략 평면도,
제7도는 본 발명에 따른 방법으로 제조된 단순 매트릭스형의 전자원을 갖는 표시 패널을 부분 절단한 개략 사시도.
Claims (26)
- 한쌍의 전극과, 상기 전극 간에 위치되는 전자 방출 영역을 포함한 전기 전도성 박막을 구비하는 전자 방출 소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 전자 방출 영역은, 상기 전기 전도성 박막 중 일부 영역의 조성물을 변화시키는 단계와, 상기 전기 전도성 박막에 전류를 흐르게 하는 단계에 의해 형성되어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막에 금속 영역과 상기 금속의 산화물인 다른 영역을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막 내의 금속 영역 부분을 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 금속 영역 부분을 산화시키는 상기 단계는 금속 영역 부분을 산화 분위기 중에서 가열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 가열 단계는 상기 전기 전도성 박막을 광으로 조사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 가열 단계는 상기 전기 전도성 박막에 전류를 흐르게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부 영역의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막 내의 금속 산화물 영역 부분을 환원시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 금속 산화물 영역 부분을 환원시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막의 금속 산화물 영역 부분을 전자 빔으로 조사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 금속 산화물 영역 부분을 환원시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막의 금속 산화물 영역 부분을 불활성 기체 또는 환원 기체 중에서 광에 의해 조사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부 영역의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 유기 금속 화합물로 이루어진 막에 금속 영역과 상기 금속의 산화물인 다른 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 유기 금속 화합물로 이루어진 막에 금속 영역과 상기 금속의 산화물인 다른 영역을 형성하는 상기 단계는 유기 금속 화합물로 이루어진 상기 막을 대기 또는 산소 중에서 상시 유기 금속 화합물을 금속으로 전환시키는 온도 이상과 상기 유기 금속 화합물을 금속 산화물로 전환시키는 온도 이하로 유지시키고 상기 유기 금속 화합물 영역을 자외선에 의해 조사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부 영역의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 금속과 반도체의 혼합물 영역과 상기 금속의 산화물과 상기 반도체의 혼합물인 다른 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부 영역의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막에 금속과 반도체의 혼합물 영역 부분을 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 금속과 반도체의 혼합물 영역 부분을 산화시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막 중 금속과 반도체의 혼합물 영역 부분을 산화 분위기 중에서 가열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부 영역의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막 중 금속 산화물과 반도체의 혼합물 영역 부분을 환원시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 금속 산화물과 반도체의 혼합물 영역 부분을 환원시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막 중 금속 산화물과 반도체의 혼합물 영역 부분을 가열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부 영역의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 금속 영역과 상기 금속의 질화물인 다른 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 일부 영역의 조성물을 변화시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막 중 금속 영역 부분을 질화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 전기 전도성 박막 중 금속 영역 부분을 질화시키는 상기 단계는 상기 전기 전도성 박막 중 금속 영역 부분을 가열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 제1 내지 19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
- 한쌍의 소자 전극 간에 전자 방출 영역을 각각 갖고 기판 상에 배열되어 있는 다수의 전자 방출 소자를 구비한 전자원을 제조하는 방법에 있어서, 상기 전자 방출 소자들은 제1 내지 19항 중의 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
- 한쌍의 소자 전극 사이에 전자 방출 영역을 각각 갖고 기판 상에 배열되어 있는 다수의 전자 방출 소자를 구비한 전자원과, 상기 전자원으로부터 방출된 전자 빔에 의해 조사됨으로써 화상을 생성시키는 화상 생성 부재를 포함하는 화상 생성 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 전자 방출 소자들은 제1 내지 19항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 화상 생성 장치의 제조 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 화상 생성 장치의 제조 방법.
- 제23항에 있어서, 상기 화상 생성 부재는 형광체인 것을 특징으로 하는 화상 생성 장치의 제조 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 화상 생성 부재는 형광체인 것을 특징으로 하는 화상 생성 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP94-317796 | 1994-11-29 | ||
JP31779694 | 1994-11-29 | ||
JP95-325299 | 1995-11-21 | ||
JP32527995A JP2916887B2 (ja) | 1994-11-29 | 1995-11-21 | 電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法 |
JP95-325279 | 1995-11-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960019426A true KR960019426A (ko) | 1996-06-17 |
KR100270498B1 KR100270498B1 (ko) | 2000-11-01 |
Family
ID=26569144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950044597A KR100270498B1 (ko) | 1994-11-29 | 1995-11-29 | 전자 방출 소자,전자원 및 화상 형성 장치의 제조 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5853310A (ko) |
EP (1) | EP0715329B1 (ko) |
JP (1) | JP2916887B2 (ko) |
KR (1) | KR100270498B1 (ko) |
CN (1) | CN1084040C (ko) |
DE (1) | DE69518057T2 (ko) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
KR100220133B1 (ko) * | 1995-03-13 | 1999-09-01 | 미따라이 하지메 | 전자 방출 소자, 전자원 및 화상 형성 장치와 그 제조방법 |
US7907319B2 (en) | 1995-11-06 | 2011-03-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with optical compensation |
JP3302278B2 (ja) | 1995-12-12 | 2002-07-15 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子の製造方法並びに該製造方法を用いた電子源及び画像形成装置の製造方法 |
US6231412B1 (en) * | 1996-09-18 | 2001-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing and adjusting electron source array |
JPH11213866A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Sony Corp | 電子放出装置及びその製造方法並びにこれを用いた表示装置 |
DE69919242T2 (de) * | 1998-02-12 | 2005-08-11 | Canon K.K. | Verfahren zur Herstellung eines elektronenemittierenden Elementes, Elektronenquelle und Bilderzeugungsgerätes |
DE69937074T2 (de) * | 1998-02-16 | 2008-05-29 | Canon K.K. | Verfahren zur Herstellung einer elektronenemittierenden Vorrichtung, einer Elektronenquelle und eines Bilderzeugungsgeräts |
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
US6213834B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for making electron emission device and image forming apparatus and apparatus for making the same |
CN1222975C (zh) * | 1999-01-19 | 2005-10-12 | 佳能株式会社 | 制造图像形成装置的方法 |
JP3323847B2 (ja) | 1999-02-22 | 2002-09-09 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法 |
EP1032013B1 (en) * | 1999-02-25 | 2007-07-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device |
WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
JP3688970B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2005-08-31 | 株式会社日立製作所 | 薄膜型電子源を用いた表示装置及びその製造方法 |
US6417062B1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-07-09 | General Electric Company | Method of forming ruthenium oxide films |
US6664728B2 (en) * | 2000-09-22 | 2003-12-16 | Nano-Proprietary, Inc. | Carbon nanotubes with nitrogen content |
US6730984B1 (en) * | 2000-11-14 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Increasing an electrical resistance of a resistor by oxidation or nitridization |
JP2003007792A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Seiko Epson Corp | 半導体解析装置、半導体解析方法及び半導体装置の製造方法 |
JP3535871B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2004-06-07 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源、画像表示装置及び電子放出素子の製造方法 |
TWI289708B (en) | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
US7342705B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-03-11 | Idc, Llc | Spatial light modulator with integrated optical compensation structure |
US7855824B2 (en) | 2004-03-06 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for color optimization in a display |
US7710632B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters |
US7807488B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display element having filter material diffused in a substrate of the display element |
US8362987B2 (en) | 2004-09-27 | 2013-01-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
US7525730B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-04-28 | Idc, Llc | Method and device for generating white in an interferometric modulator display |
US7928928B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-04-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing perceived color shift |
US8102407B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-01-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
US7911428B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-03-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
US7898521B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device and method for wavelength filtering |
US8004504B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reduced capacitance display element |
JP4539518B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
US8004743B2 (en) | 2006-04-21 | 2011-08-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for providing brightness control in an interferometric modulator (IMOD) display |
EP1943551A2 (en) | 2006-10-06 | 2008-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light guide |
EP2366945A1 (en) | 2006-10-06 | 2011-09-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Optical loss layer integrated in an illumination apparatus of a display |
US8072402B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-12-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics |
KR100927598B1 (ko) * | 2007-10-05 | 2009-11-23 | 한국전자통신연구원 | 광 게이팅 스위치 시스템 |
US8068710B2 (en) | 2007-12-07 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Decoupled holographic film and diffuser |
WO2009079279A2 (en) | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaics with interferometric back side masks |
US7928025B2 (en) * | 2008-10-01 | 2011-04-19 | Polymer Group, Inc. | Nonwoven multilayered fibrous batts and multi-density molded articles made with same and processes of making thereof |
JP2010244933A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Canon Inc | 画像表示装置 |
US8848294B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-09-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and structure capable of changing color saturation |
CN108031836B (zh) * | 2018-01-22 | 2019-12-03 | 北京大学 | 一种金属-金属氧化物纳米复合材料的制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3663857A (en) * | 1969-02-13 | 1972-05-16 | Avco Corp | Electron emitter comprising metal oxide-metal contact interface and method for making the same |
US3611077A (en) * | 1969-02-26 | 1971-10-05 | Us Navy | Thin film room-temperature electron emitter |
US4663559A (en) * | 1982-09-17 | 1987-05-05 | Christensen Alton O | Field emission device |
CA1272504A (en) * | 1986-11-18 | 1990-08-07 | Franz Prein | Surface for electric discharge |
JP2622838B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1997-06-25 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子の製造方法 |
JPS6419656A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Canon Kk | Manufacture of electron emitting element |
US5066883A (en) * | 1987-07-15 | 1991-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes |
JP3072795B2 (ja) * | 1991-10-08 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子と該素子を用いた電子線発生装置及び画像形成装置 |
JP2946153B2 (ja) * | 1993-02-03 | 1999-09-06 | キヤノン株式会社 | 電子放出膜及び電子放出素子の作製方法 |
ATE194727T1 (de) * | 1993-12-17 | 2000-07-15 | Canon Kk | Herstellungsverfahren einer elektronen emittierenden vorrichtung, einer elektronenquelle und eine bilderzeugungsvorrichtung |
-
1995
- 1995-11-21 JP JP32527995A patent/JP2916887B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-28 US US08/563,768 patent/US5853310A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-28 EP EP95308528A patent/EP0715329B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-28 DE DE69518057T patent/DE69518057T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-29 CN CN95121796A patent/CN1084040C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-29 KR KR1019950044597A patent/KR100270498B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5853310A (en) | 1998-12-29 |
JP2916887B2 (ja) | 1999-07-05 |
EP0715329A1 (en) | 1996-06-05 |
KR100270498B1 (ko) | 2000-11-01 |
EP0715329B1 (en) | 2000-07-19 |
JPH08212916A (ja) | 1996-08-20 |
CN1131756A (zh) | 1996-09-25 |
DE69518057T2 (de) | 2001-03-22 |
CN1084040C (zh) | 2002-05-01 |
DE69518057D1 (de) | 2000-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960019426A (ko) | 전자 방출 소자, 전자원 및 화상 생성 장치의 제조 방법 | |
US5597762A (en) | Field-enhanced diffusion using optical activation | |
KR100235504B1 (ko) | 전계 방출 디스플레이에서 접합 누설 방지하는 방법 | |
US5479069A (en) | Planar fluorescent lamp with metal body and serpentine channel | |
KR960005733A (ko) | 전자 방출 소자의 제조 방법, 전자 방출 소자를 이용한 전자원 및 화상 형성 장치 | |
KR960002458A (ko) | 집적 게터를 구비한 플랫 패널 디스플레이용 양극판 | |
DK0913849T3 (da) | Feltemissionselektronkilde, fremgangsmåde til fremstilling deraf og anvendelse deraf | |
KR970061011A (ko) | 발산광을 백색으로 조절하는 박막발광소자와 그 제조 방법 | |
KR20010020527A (ko) | 광자 리소그래피에 의한 프로그램 가능한 패턴 전송 | |
KR970050003A (ko) | 전자 발광 소자의 제조 방법, 이 방법을 이용한 전자원 및 화상 형성 장치의 제조 방법, 및 이들 방법에 이용되는 제조 장치 | |
KR950034365A (ko) | 평판 디스플레이의 애노드 플레이트 및 이의 제조 방법 | |
KR970060294A (ko) | 전자 발생 장치, 화상 형성 장치 및 이들의 제조 및 조정 방법 | |
KR20040078647A (ko) | 발광장치 및 발광방법 | |
DK1026721T3 (da) | Array af feltemissionselektronkilder og fremgangsmåde til fremstilling deraf | |
KR910007332A (ko) | 밀착형 이미지센서 | |
JP4170172B2 (ja) | 照明装置 | |
KR100622439B1 (ko) | 광 방사장치 및 방법 | |
ATE353163T1 (de) | Elektronenemissionsvorrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
JP2005183045A (ja) | 有機elパネルの製造方法 | |
US3312825A (en) | Panel using intrinsic or carrier-injection electroluminescence usable in an image converter | |
JPH10208620A (ja) | 薄膜電子源 | |
JPS58102487A (ja) | El表示装置の製造方法 | |
JP2005209503A (ja) | 高密度集積発光デバイスの作製方法、及び高密度集積発光デバイス | |
US7187124B2 (en) | Transparent electron source emitter device and method | |
KR970051639A (ko) | 전계 방사형 냉음극 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050722 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |