KR100622439B1 - 광 방사장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 마이크로 전자공학분야, 의료분야 및 조명장치의 제조분야에 사용될 수 있다. 본 발명의 방법 및 장치는 저전압 전력공급장치에 의해 공급된 방사광원의 밝기를 증가시키기 위해 사용된다. 광의 방사는 전자의 방출과 방사의 여기작용에 의해 생성된다. 전자들은 캐소드의 표면으로부터의 방출되어 생성되는 반면, 방사의 여기는 가스상의 공간내에서 전자를 가스 방사레벨의 여기에너지를 초과하는 에너지까지 가속시키는 것으로 이루어진다. 이러한 목적을 위해, 캐소드와 애노드 사이에 전압이 인가되는데, 여기서 상기 전압은 자체보유 방전의 발화전압을 초과하지는 않는다. 본 발명의 장치는 방사를 위해 투명한 표면을 갖는 전극 뿐만 아니라 챔버를 구비한다. 챔버내 가스압력은 전자가 이동하는 에너지상 길이와 상기 전극들 사이의 거리와의 평형조건에 의해 결정된다.

광 방사, 저전압, 캐소드, 애노드, 여기

Description

광 방사장치 및 방법{Method and device for generating optical radiation}

광원(light source)은 산업계에서 널리 사용된다. 특히, 진공 자외선 방사법은 마이크로 전자공학분야에서의 내식각용 또는 의약분야에서의 소모재료, 장치 및 장비의 살균 및 소독에 사용된다. 다양한 스펙트럼의 가시광원은 조명기구와 여러 다른 종류의 정보기기용 디스플레이에 존재한다. 광방사를 위하여 가장 흔히 사용되는 방법 및 장치중 하나는 가스방전 광원이다. 예를 들면, 가시광선을 생성하는 냉광램프(luminescent lamp)가 널리 사용된다. 이러한 램프들은 낮은 압력의 불활성가스속에서의 가스방전에 기초하는 것으로 수은과 혼합된 속에서 인에 의해 가시광선이 방사된다.

동일한 원리가 플라즈마 디스플레이 생산에도 사용되는데, 여기서는 높은 가스압력을 쓰고 수은이 없이 하지만 동일한 형태의 방전방식이 사용된다. 그러한 폭 넓은 사용은 효과적이고도 콤팩트한 가시광원의 확보를 더욱 중요하게 만드는 것이다.

낮은 압력의 형광가스 방전램프에 사용되는 광방사법이 알려져 있다 [Rokhlin G.N. Discharge light sources, Energoatomizdat, 1991, p.392]. 이러한 방법들은 효과적이기는 하지만 배제할 수 없는 여러가지 단점을 내포하고 있다. 예를 들면, 만일 램프가 깨진다면 수은에 의한 환경오염을 유발할 수 있다는 것 등이다.

전자관의 캐소드에서 나온 전자들이 여기에 가해진 전압에 의해 진공 갭속에서 가속되어 음극선 형광체의 광방사를 일으키는 현상에 기초한 광 방사방법과 장치가 알려져 있다 [Dobretsov L.N., Gamaiunova M.V.《Emission electronics》, Moscow, Nauka, 1966, p.245]. 이러한 방법에 기초한 광원의 주요한 단점은 특히 저전압에서의 음극선 냉광의 효율이 낮다는 것이다.

가스방전 갭으로부터 방사와 전자들을 생성하는 방법과 이를 수행하는 장치가 알려져 있는데, 상기 장치는 발광가스로 채워진 챔버(chamber)와 적어도 두개의 전극, 캐소드와 애노드를 더 구비하며 이들은 서로 대향하여 배치되며 그 적어도 하나는 방사를 위해 투명한 구조로 제작된다 [Displays, ed. by J. Pankov, Moscow, Mir, 1982, pp.123-126]. 광 방사는 방전에서 가스 여기의 결과로서 생성된다. 이러한 방법과 이 방법을 수행하는 장치는 전력을 광방사로 전환하는 효율이 낮은 단점을 가진다.

따라서, 본 발명의 주요 목적은 저전압에서도 전력을 광방사로 전환함에 있어 효율성을 높이는 것이다.

본 발명에 따른 광 방사법은 캐소드 표면으로부터 전자가 방출되도록 하여 전자빔을 형성하는 단계와; 가스의 방출 에너지 레벨의 임계 여기 값보다는 높고 가스의 자체 방전파괴 전압보다는 낮도록 가스갭 내의 캐소드와 애노드 사이에 인가되는 전계에 의해 전자빔의 전자들을 가속시키는 것에 의해 광을 방출시키는 단계;로 이루어진다.
즉, 광을 방출시키는 단계는 가스 이온화가 가스갭 내에 존재하는 이온들과 관련된 특정의 제한을 유도하는 중요한 요소가 될 때의 값보다는 낮은 에너지로 상기 캐소드와 애노드 사이에 전계를 인가하고, 인가된 전계에 의해 가스 갭내의 전자들을 가속화시켜 광을 방출한다. 상기한 이온들과 관련된 특정의 제한은 이후 형성된 전극층에 잉여전력의 손실이 발생하고, 고에너지 이온들이 캐소드에 충돌함에 의해 광원의 수명이 단축되는 것을 방지하기 위한 제한들을 말한다.
구체적으로 설명하면 기술적으로 캐소드와 애노드 사이에 인가되는 전압을 가스 원자 또는 분자들의 이온화 전위보다 낮은 전압으로 채택함으로써 이온화가 방지될 수 있다. 즉, 가스갭 내에서의 전자의 생성 및 가속화는 I/e 보다 낮은 전압에 의하여 제공되는데, 여기서 I는 가스 원자 또는 분자의 이온화 전위이고, e는 전하를 의미한다.

광 방사장치는 발광가스, 예를들면 불활성가스로 채워진 챔버와 적어도 두 개의 전극인 캐소드와 애노드를 포함하는데, 상기 전극들은 서로 마주보게 배치되며 그 중 적어도 하나는 광 방사를 위하여 투명하게 만들어진다. 가스압력은 전극사이의 갭의 선택에 의해 결정되는데, 그 갭은 대략 전자에너지 완화거리에 상당하여야 한다.

가스입자들의 여기에 의해 생성된 방사는 투명한 전극들을 통하여 달아나거나 또는 형광체의 방출상태의 여기를 통해 다른 스펙트럼범위의 방사로 전환될 수 있다. 형광체는 전극의 투명부분을 포함하는 전극표면의 내부 및 외부 모두에 배치될 수 있으며, 이는 각각의 독립된 지점을 커버하는 RGB 삼원색조합의 형태로 침적 될 수 있다. 캐소드는 포토캐소드(photocathode), 써모캐소드(thermocathode) 또는 자동방출캐소드(autoemission cathode)로서 제조될 수 있다. 자동방출 캐소드는 다이아몬드-카본 또는 카본박막의 전자방출부가 코팅된 기판을 갖는 저온방출 박막캐소드로서 제조될 수 있다. 전류의 부가적인 제어를 위해, 적어도 하나의 그리드 (grid)가 캐소드와 애노드 사이에 배치될 수 있다.

자동방출 박막캐소드는 평행한 전도성 스트립(strips) 형태로 제조될 수 있는데, 그 폭(d)은 조건식 Ed=U에 의해 결정된다. 여기서 E는 요구되는 자동방출을 가능하게 하기에 충분한 정도의 캐소드 스트립 표면근처의 전계의 세기를 나타낸다. 스트립 사이의 간격은 가스압력을 변화시킴에 의해 선택되는 전자에너지 완화거리(electron energy relaxation length)와 동일한 조건으로부터 결정된 전극간 갭(L)의 폭보다 크거나 같다. 한편, 상기 U는 캐소드(cathod)와 애노드(Anode) 사이에 인가되는 전압으로서 가스 원자 또는 분자들의 이온화 전위(I/e : I는 가스 원자 또는 분자의 이온화 전위, e는 전하) 보다 낮은 값을 가진다.

본 발명은 첨부된 도면에 의거 보다 잘 이해될 수 있다.

도 1은 자동방출 박막캐소드를 포함하는 광 방사장치를 개략적으로 도시한 도면으로서, 상기 장치는 전원공급장치(1), 가스가 채워진 챔버(2), 선형캐소드 (4)와 애노드(5) 및 형광체(6)가 배치된 전극표면(3)을 포함하며, 캐소드 스트립(4)은 최대 전자방출효율을 갖는 재료로 만들어진다.

캐소드의 작동 파라미터들을 적절히 선택함으로써, 전류는 소정 크기로 유지될 수 있다. 전자들은 캐소드(4)와 애노드(5) 사이에 인가된 전계내에서 이동되며, 챔버(2)를 채운 가스의 여기 및 자외선방사를 일으키며 그후 형광체(6)를 여기시킨다.

직류(DC) 또는 펄스 전계가 전원공급장치(1)에 의해 공급된다. 작동전압 범위는 수 볼트에서 수십볼트까지 변화시킬 수 있다. 최소전압은 좀 더 낮은 방출상태에서의 여기에너지의 한계치에 의해 결정되는데, 이는 크세논(xenon) 8.5 eV에 상당한다. 최대전압은 자체보유 방전의 발화를 위한 조건에 의하여 결정된다.

광원의 밝기는 전극간의 전압을 증가시킴에 따라 증가한다. 만일 전압을 고정시키면, 전압은 갭내의 전계를 증가시킴에 따라 증가한다. 펄스 전압의 경우, 밝기는 펄스 반복율과 펄스 지속시간을 변화시킴에 의해 제어될 수 있다.

캐소드로부터의 필요 전자방출율은 다양한 수단에 의해 제공될 수 있다. 자동방출캐소드의 경우, 전계강도는 소정의 자동방출전류가 유발될 정도로 충분히 높아야 한다(저온방출 박막캐소드의 경우 E∼2-10V/micron).

써모캐소드의 경우, 가스압력과 방전전압은 가스의 이온화가 없다는 조건과, 캐소드를 가열하면서도 형광체의 과열을 방지하는 수준의 적절한 전력손실의 필요성을 만족시키는 정도로만 제한된다. 이러한 손실을 최소화하기 위하여는, 챔버내에 설치된 저온 열방사캐소드를 사용해야 하고 크세논과 같이 열전도성이 좋지 않은 가스를 사용해야 한다.

포토캐소드의 경우, 최대 방전전압 U의 크기에 제한이 따른다. 이는 전극간 갭에서의 이온화가 일어나지 않으면서도 캐소드로부터 나온 전자들이 충분히 사진방사되도록 하여 선택된다: U＞βε/ηγ_ph, 여기서 γ_ph는 캐소드로부터의 사진방사 계수이고, γ_ph＝0.1은 최적 포토캐소드이며, ε은 하나의 광자를 생성하는데 필요한 전압에서의 평균에너지이고, η는 장치에 공급된 전력을 광 방사에너지로 전환시키는 효율이며, β는 기하학적 인자이다. 예를 들면, 크세논에 있어 감소된 전계의 최적크기에서 β＝2라면, η＝0.9, ε＝9eV 그리고 U＞130V 의 결과를 얻을 수 있다.

본 발명의 방법을 실행하기 위한 광방사장치는 밝기 조절이 가능한 다양한 스펙트럼의 광원들을 장착한 의료분야로부터 고도기술분야에 까지 폭 넓게 이용될 수 있다. 본 발명의 방사장치는 프로젝터와, 액정표시장치용 백라이트 램프와, 뛰어난 밝기가 필요한 옥외스크린 장치와, 저전압의 사용이 바람직한 컴팩트한 자체보유 광원장치에 적용될 수 있다. 또한, 상기 방사장치는 개구가 큰 광원을 구비하는 것이 중요한 다른 응용기기에 사용될 수 있다.

Claims (11)

1. 캐소드 표면으로부터의 방출에 의해 전자를 생성하는 단계와;

   가스의 방출상태의 에너지보다 높은 에너지까지 그러나 자체보유 방전의 파괴전압보다는 낮은 에너지를 갖는 캐소드와 애노드 사이에 인가된 전압에 의해 가스 갭내에서 전자를 가속화시킴에 의해 가스로부터 나온 방사를 여기시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 방사방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 전자의 생성단계와 가스갭내에서의 전자의 가속화단계는 상기 가스 원자 또는 분자들의 이온화 전위( I/e : I는 가스 원자 또는 분자의 이온화 전위, e는 전하) 보다 작은 크기의 전압에 의해 행해짐을 특징으로 하는 광 방사방법.
3. 발광가스로 채워진 챔버와,서로 대향하여 배치된 적어도 두개의 전극인 캐소드 및 애노드를 포함하며, 상기 전극들이 배치된 전극표면의 적어도 하나는 방사를 위해 투명한 구조를 가지며, 상기 발광가스의 압력은 전극들 사이의 갭이 대략 전자에너지 완화거리가 되도록 선택하는 조건에 의해 결정됨을 특징으로 하는 광 방사장치.
4. 제 3항에 있어서, 상기 캐소드는 포토캐소드로 제조됨을 특징으로 하는 광 방사장치.
5. 제 3항에 있어서, 상기 캐소드는 써모캐소드로 제조됨을 특징으로 하는 광 방사장치.
6. 제 3항에 있어서, 상기 캐소드는 자동방출캐소드(autoemission cathod)로 제조됨을 특징으로 하는 광 방사장치.
7. 제 6항에 있어서, 상기 자동방출캐소드는 다이아몬드-카본 또는 카본박막 전자방출부가 코팅된 기판을 포함하는 저온방출 박막캐소드 형태로 제조됨을 특징으로 하는 광 방사장치.
8. 제 7항에 있어서, 상기 캐소드는 평행한 전도성 스트립 형태로 제조되고, 상기 스트립의 폭(d)은 조건식 Ed = U로부터 결정되며, 상기 E는 요구되는 자동방출을 가능하게 하기에 충분한 정도의 캐소드 스트립 표면근처의 전계의 세기를 나타내며, 스트립 사이의 간격은 가스압력을 변화시킴에 의해 선택되는 전자에너지 완화거리(electron energy relaxation length)와 동일한 조건으로부터 결정된 전극간 갭(L)의 폭보다 크거나 같고, 상기 U는 상기 캐소드(cathod)와 애노드(Anode) 사이에 인가되는 전압으로서 가스 원자 또는 분자들의 이온화 전위(I/e : I는 가스 원자 또는 분자의 이온화 전위, e는 전하) 보다 낮은 값을 가지는 것 을 특징으로 하는 광 방사장치.
9. 제 3항 내지 제 8항중 어느 한 항에 있어서, 가스의 방사를 위해 투명한 구조를 가지며 그 위에 전극들이 배치되어 있는 상기 전극들의 표면을 포함한 적어도 상기 전극들의 외측면에는 형광체층이 코팅되어 있거나, 또는 형광체의 가시적인 방사를 위해 투명한 구조를 가지며 그 위에 전극들이 배치되어 있는 상기 전극들의 표면을 포함한 적어도 상기 전극들의 내측면에는 형광체층이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 광 방사장치.
10. 제 9항에 있어서, 상기 형광체는 각각 독립된 지점을 커버하는 RGB 삼원색 조합의 형태로 침적된 것을 특징으로 하는 광 방사장치.
11. 제 3항 내지 제 8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐소드와 애노드 사이에 적어도 하나의 부가적인 그리드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 방사장치.

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