JP3619240B2 - 電子放出素子の製造方法及びディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Description
0.005重量%以上1重量%以下の有機金属化合物と0.01重量%以上0.5重量%以下の重合度が400以上2000以下の水溶性高分子化合物とを少なくとも含む溶液を、電極上に付与することにより、電極上に、該有機金属化合物と水溶性高分子化合物とを含む塗膜を形成する工程と、
上記塗膜を加熱することにより、上記電極上に、上記有機金属化合物を構成する金属からなる多数の触媒粒子を形成する工程と、
炭素を含むガスを上記金属触媒粒子に接触させることによりカーボンファイバーを形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする。
前記水溶性高分子化合物がポリビニルアルコール、ポリアクリル酸類、ポリビニルピロリドンのいずれかである。
前記有機金属化合物を構成する金属がPd、Fe、Co、Niのいずれかである。
前記有機金属化合物が、有機金属錯体である。
前記触媒製造用インクの主溶媒が、水或いは有機溶剤である。
前記塗膜の加熱工程が、非酸化雰囲気中で行われる、或いは、酸化雰囲気中で該塗膜を焼成した後に、還元雰囲気中で加熱する。
前記炭素を含むガスが、炭化水素ガス、或いは、炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスである。
基板11を十分洗浄を行った後、第2電極12及び陰極13を形成するため、はじめに基板全体に、スパッタ法等により、不図示の厚さ500nmの電極層を形成する。
フォトリソグラフィー工程で、後の上部層リフトオフに用いるネガ型フォトレジストを用いてレジストパターン14を形成する〔図1(b)〕。
工程2でパターニングしたレジストの剥離液を用いて、レジストごとレジスト上の導電性材料層15及び触媒粒子16をリフトオフし、所望の領域に導電性材料層15及び触媒粒子16パターンを残す〔図1(d)〕。前記触媒製造用インクに更に感光性物質を添加した場合、あるいは、前記触媒製造用インクに含まれる水溶性高分子化合物に感光性を付与した場合は、予めパターニングされた導電性材料層を有する基板上に塗布後、マスクを用いて露光、現像、という一般的なフォトリソグラフィ技術を用いて、有機金属化合物と水溶性高分子化合物を含む所望のパターンの塗膜を得ることができる。そして、続いて、非酸化雰囲気中で加熱工程を行う、あるいは酸化雰囲気中で加熱工程を行い次いで還元雰囲気中で加熱工程を行う、ことにより所望の領域に触媒粒子パターンが得られる。上記加熱工程は非酸化雰囲気で行うこともできるが、水溶性高分子化合物の除去という観点からは酸化雰囲気で燃焼させたほうが好ましい。
続いて、炭素を含むガス気流中で加熱分解(熱CVD)処理をする。その後、走査電子顕微鏡で観察すると、多数のカーボンファイバーが形成されているのがわかる〔図1(e)〕。
図1の工程に沿って、電子放出素子を製造した。
基板11に石英基板を用い、十分洗浄を行った後、第2電極12及び陰極13を形成するため、はじめに基板全体に、スパッタ法により、不図示の厚さ5nmの下地Ti及び厚さ100nmのPtを連続的に蒸着を行なった。
フォトリソグラフィー工程で、後の上部層リフトオフに用いるネガ型フォトレジストを用いてレジストパターン14を形成した。次に、導電性材料層15として、TiN層を形成した。
工程2でパターニングしたレジストの剥離液を用いて、レジストごとレジスト上の導電性材料層15及び触媒粒子16をリフトオフし、所望の領域に導電性材料層15及び触媒粒子16パターンを残した。
続いて、エチレン気流中で加熱処理を行った。その後、走査電子顕微鏡で観察すると多数のカーボンファイバー17が形成されているのがわかった。
工程2を以下の様に行った以外は実施例1と同様にして電子放出素子の作製を行い、If、Ieの計測を行った。
フォトリソグラフィー工程で、後の上部層リフトオフに用いるネガ型フォトレジストを用いてレジストパターン14を形成した。次いで、導電性材料層15として、TiN層を形成した。
工程2を以下の様に行った以外は実施例1と同様にして電子放出素子の作製を行い、If、Ieの計測を行った。
フォトリソグラフィー工程で、後の上部層リフトオフに用いるネガ型フォトレジストを用いてレジストパターン14を形成した。次に、導電性材料層15として、TiN層を形成した。
工程2を以下の様に行った以外は実施例1と同様にして電子放出素子の作製を行い、If、Ieの計測を行った。
フォトリソグラフィー工程で、後の上部層リフトオフに用いるネガ型フォトレジストを用いてレジストパターン14を形成した。次に、導電性材料層15として、TiN層を形成した。
12 第2電極
13 陰極(カソード)
15 導電性材料層
16 触媒粒子
17 カーボンファイバー
30 陽極(アノード)
31 蛍光体
32 等電位線
33 カーボンファイバー
38 真空装置
39 真空排気装置
71 基板
72 引き出し電極(ゲート電極)
73 陰極(カソード)
74 絶縁層
75 エミッタ
76 陽極(アノード)
77 電子ビームの形状
Claims (11)
- 電極に接続された多数のカーボンファイバーを含む電子放出素子の製造方法であって、
0.005重量%以上1重量%以下の有機金属化合物と0.01重量%以上0.5重量%以下の重合度が400以上2000以下の水溶性高分子化合物とを少なくとも含む溶液を、電極上に付与することにより、電極上に、該有機金属化合物と水溶性高分子化合物とを含む塗膜を形成する工程と、
上記塗膜を加熱することにより、上記電極上に、上記有機金属化合物を構成する金属からなる多数の触媒粒子を形成する工程と、
炭素を含むガスを上記触媒粒子に接触させることによりカーボンファイバーを形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 前記水溶性高分子化合物が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸類、ポリビニルピロリドンであることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記有機金属化合物を構成する金属がPd、Fe、Co、Niのいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記有機金属化合物が、有機金属錯体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記溶液の主溶媒が、水であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記溶液の主溶媒が、有機溶剤であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記塗膜の加熱工程が、非酸化雰囲気中で行われることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記塗膜の加熱工程が、酸化雰囲気中で該塗膜を焼成した後に、還元雰囲気中で加熱する工程であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記炭素を含むガスが、炭化水素ガスであることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記炭素を含むガスが、炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- 複数の電子放出素子を用いたディスプレイの製造方法であって、該電子放出素子が請求項1〜11のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法により製造されることを特徴とするディスプレイの製造方法。
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Families Citing this family (44)
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---|---|---|---|---|
JP3625467B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2005-03-02 | キヤノン株式会社 | カーボンファイバーを用いた電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法 |
US7064475B2 (en) * | 2002-12-26 | 2006-06-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source structure covered with resistance film |
JP3907626B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2007-04-18 | キヤノン株式会社 | 電子源の製造方法、画像表示装置の製造方法、電子放出素子の製造方法、画像表示装置、特性調整方法、及び画像表示装置の特性調整方法 |
JP3697257B2 (ja) | 2003-03-25 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | カーボンファイバー、電子放出素子、電子源、画像形成装置、ライトバルブ、二次電池の製造方法 |
JP4324078B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 炭素を含むファイバー、炭素を含むファイバーを用いた基板、電子放出素子、該電子放出素子を用いた電子源、該電子源を用いた表示パネル、及び、該表示パネルを用いた情報表示再生装置、並びに、それらの製造方法 |
JP2005190889A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、画像表示装置およびこれらの製造方法 |
JP3935479B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2007-06-20 | キヤノン株式会社 | カーボンファイバーの製造方法及びそれを使用した電子放出素子の製造方法、電子デバイスの製造方法、画像表示装置の製造方法および、該画像表示装置を用いた情報表示再生装置 |
US7081421B2 (en) | 2004-08-26 | 2006-07-25 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide oxide dielectric layer |
US7588988B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition |
JP4596878B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2010-12-15 | キヤノン株式会社 | 構造体、電子放出素子、2次電池、電子源、画像表示装置、情報表示再生装置及びそれらの製造方法 |
JP4390693B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2009-12-24 | 富士通株式会社 | 燃料電池用触媒の製造方法および燃料電池の製造方法 |
US7662729B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer |
US7510983B2 (en) * | 2005-06-14 | 2009-03-31 | Micron Technology, Inc. | Iridium/zirconium oxide structure |
US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
WO2007024697A2 (en) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Nanosys, Inc. | Electronic grade metal nanostructures |
JP4977351B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-07-18 | 新潟県 | カーボンナノチューブの製造方法 |
KR101124505B1 (ko) | 2005-12-28 | 2012-03-15 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화학증착법에 의한 카본파이버의 제조방법 |
JP2007207568A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | カーボンナノチューブ含有ペーストとカーボンナノチューブ膜の製造方法及びカーボンナノチューブ膜並びに電界電子放出素子 |
JP2008027853A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源および画像表示装置、並びに、それらの製造方法 |
CN101205060B (zh) | 2006-12-20 | 2011-05-04 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的制备方法 |
CN101206979B (zh) * | 2006-12-22 | 2010-05-19 | 清华大学 | 场发射阴极的制备方法 |
CN101206980B (zh) * | 2006-12-22 | 2010-04-14 | 清华大学 | 场发射阴极的制备方法 |
US7678672B2 (en) * | 2007-01-16 | 2010-03-16 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. | Carbon nanotube fabrication from crystallography oriented catalyst |
JP2009037757A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Canon Inc | 導電性薄膜、電子放出素子及び画像表示装置 |
JP2009043568A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Canon Inc | 電子放出素子及び画像表示装置 |
KR101443222B1 (ko) * | 2007-09-18 | 2014-09-19 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 패턴 및 그의 형성방법 |
JP5629868B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2014-11-26 | 大陽日酸株式会社 | カーボンナノ構造物成長用触媒層形成方法、触媒層形成用液及びカーボンナノ構造物製造方法 |
KR101443219B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2014-09-19 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 쉘의 제조방법 및 이로부터 제조된 그라펜 쉘 |
EP2109131B1 (en) * | 2008-04-10 | 2011-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitter and electron beam apparatus and image display apparatus using said emitter |
EP2109132A3 (en) * | 2008-04-10 | 2010-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam apparatus and image display apparatus using the same |
JP2009277457A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Canon Inc | 電子放出素子及び画像表示装置 |
JP2009277460A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Canon Inc | 電子放出素子及び画像表示装置 |
JP4458380B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子およびそれを用いた画像表示パネル、画像表示装置並びに情報表示装置 |
US20110242310A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-10-06 | University Of Delaware | Apparatus and Method for Electrospinning Nanofibers |
CN101857461B (zh) * | 2010-06-15 | 2012-05-30 | 清华大学 | 一种半导体碳纳米管阵列的制备方法 |
RU2476268C2 (ru) * | 2010-06-15 | 2013-02-27 | Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр" | Способ получения металлоксидных катализаторов для выращивания углеродных нанотрубок из газовой фазы |
JP5787253B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-09-30 | 大陽日酸株式会社 | 高配向カーボンナノチューブの製造方法 |
TWI483896B (zh) | 2012-08-22 | 2015-05-11 | Univ Nat Defense | 螺旋奈米碳材製備方法、其螺旋奈米碳材層基板及其螺旋奈米碳材 |
TWI482192B (zh) * | 2012-08-22 | 2015-04-21 | Univ Nat Defense | 場發射陰極元件之製造方法、其場發射陰極元件及其場發射發光燈源 |
EP2743273A1 (de) | 2012-12-12 | 2014-06-18 | Umicore AG & Co. KG | Verfahren zur Herstellung wasserhaltiger Zubereitungen von Komplexen der Platingruppenmetalle |
RU2625978C1 (ru) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" | Способ получения углеродных нанотрубок методом газофазного химического осаждения |
JP6698241B2 (ja) * | 2016-11-25 | 2020-05-27 | 小林 博 | 触媒作用をもたらす塗料の製造方法と触媒作用を発揮する微粒子の集まりが積み重なった積層体の基材ないしは部品への形成方法 |
JP6762005B2 (ja) * | 2016-11-25 | 2020-09-30 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | カーボンナノチューブ集合体の製造方法 |
CN115652329B (zh) * | 2022-11-16 | 2024-04-12 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种铁氧化物基析氧电催化剂及其制备方法 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4904895A (en) | 1987-05-06 | 1990-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission device |
US4900483A (en) | 1987-10-29 | 1990-02-13 | Exxon Research And Engineering Company | Method of producing isotropically reinforced net-shape microcomposites |
JP3072825B2 (ja) | 1994-07-20 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源、及び、画像形成装置の製造方法 |
JP3332676B2 (ja) | 1994-08-02 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源及び画像形成装置と、それらの製造方法 |
US6246168B1 (en) | 1994-08-29 | 2001-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus as well as method of manufacturing the same |
EP0703594B1 (en) | 1994-09-22 | 2001-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device and method of manufacturing the same |
JP2903290B2 (ja) | 1994-10-19 | 1999-06-07 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子の製造方法、該電子放出素子を用いた電子源並びに画像形成装置 |
JP2932250B2 (ja) | 1995-01-31 | 1999-08-09 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法 |
JP3174999B2 (ja) | 1995-08-03 | 2001-06-11 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源、それを用いた画像形成装置、及びそれらの製造方法 |
JP3229223B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2001-11-19 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造法並びに電子放出素子製造用金属組成物 |
US5872422A (en) | 1995-12-20 | 1999-02-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon fiber-based field emission devices |
JP3740295B2 (ja) | 1997-10-30 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 |
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JP3102787B1 (ja) | 1998-09-07 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源、及び画像形成装置の製造方法 |
US6492769B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, electron source, image forming apparatus and producing methods of them |
JP2000200544A (ja) | 1999-01-08 | 2000-07-18 | Canon Inc | 電子放出素子の製造方法、および電子源と画像形成装置の製造方法 |
US6283812B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Process for fabricating article comprising aligned truncated carbon nanotubes |
JP2000243233A (ja) | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、画像形成装置、及びこれらの製造方法 |
JP2000311587A (ja) | 1999-02-26 | 2000-11-07 | Canon Inc | 電子放出装置及び画像形成装置 |
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AU2001264766A1 (en) | 2000-05-26 | 2001-12-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Catalytically grown carbon fiber field emitters and field emitter cathodes made therefrom |
JP3463091B2 (ja) | 2000-08-29 | 2003-11-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | カーボンナノチューブの製造方法 |
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US7335081B2 (en) * | 2000-09-01 | 2008-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing image-forming apparatus involving changing a polymer film into an electroconductive film |
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