JP4977351B2 - カーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents

カーボンナノチューブの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4977351B2
JP4977351B2 JP2005283409A JP2005283409A JP4977351B2 JP 4977351 B2 JP4977351 B2 JP 4977351B2 JP 2005283409 A JP2005283409 A JP 2005283409A JP 2005283409 A JP2005283409 A JP 2005283409A JP 4977351 B2 JP4977351 B2 JP 4977351B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon nanotube
compound
substrate
paste
amino
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005283409A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007091530A (ja
Inventor
健 佐藤
明人 吉井
昌広 北村
憲一 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Namics Corp
Niigata Prefecture
Original Assignee
Namics Corp
Niigata Prefecture
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Namics Corp, Niigata Prefecture filed Critical Namics Corp
Priority to JP2005283409A priority Critical patent/JP4977351B2/ja
Publication of JP2007091530A publication Critical patent/JP2007091530A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4977351B2 publication Critical patent/JP4977351B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

本発明は、カーボンナノチューブの製造方法に関し、詳しくは基板の所望の位置に低コストでカーボンナノチューブを製造する方法に関する。
カーボンナノチューブは、ディスプレイ、ナノデバイス、センサー等数多くの製品への応用が期待されている材料である。特にカーボンナノチューブをデバイスに応用する目的で用いる場合は、シリコン等の基板に、触媒を所望の位置で付着させ、プラズマCVDや熱CVD等の方法で、メタンやCOといった原料ガスを分解させ、カーボンナノチューブを基板上に成長させる気相法が、頻繁に採用されている。
カーボンナノチューブの成長作用をもつ触媒として、種々の遷移金属が使用されているが、得られるカーボンナノチューブの直径は、触媒金属の粒径によって影響を受けるので、触媒金属の大きさをナノサイズのレベルで制御することが、カーボンナノチューブの直径制御のための重要な要素となる。
例えば、特許文献1では、あらかじめ基板に、蒸着やスパッタリング等の方法で触媒薄膜を形成しておき、その後の加熱過程で触媒薄膜を微粒子化し、次いで熱CVD等の方法でカーボンナノチューブを気相成長させる方法が提案されている。この方法では、スパッタリングした触媒薄膜の厚さにより、微粒化した際の触媒金属の粒径が決定されるので、薄膜の厚さを制御することで、所望のカーボンナノチューブの直径が得られる。しかしながら、この方法は、スパッタリングのための高価な薄膜形成装置を必要とし、その結果、製造されるカーボンナノチューブを用いたデバイスも高コストなものとならざるを得ない。さらに基板の所望の位置に触媒を付着させるには、フォトリソグラフィー等の方法でパターニングする必要があるため、製造工程が煩雑となり、このための製造設備もまた高価である。
また、近年ではナノテクノロジーの進展に伴って、さまざまな金属微粒子の製造方法が提案されている。一般的にはCVD等の気相法や、適切な還元剤を用いて液体中で金属を析出させる液相法等が用いられており、これらの方法を用いて作製された触媒金属の微粒子を基板上に付着させ、カーボンナノチューブを成長させることも可能である。しかしながら、このような微粒子は、気相、液相にかかわらず製造工程の点から高コストになるという問題がある。さらに微粒子を基板に付着させるには、これらを分散させた液体を吹き付けるといった方法が用いられるが、そもそもこれらの微粒子はナノレベルであり、活性が高く、容易に凝集を起こしてしまう。よって、液体中に高濃度で分散状態を維持することが困難であり、所望の位置にカーボンナノチューブを形成するためのパターニングには不向きである。
特開2004−67413公報
以上述べたように、カーボンナノチューブの製造方法はいくつか提案されているものの、従来の方法では、カーボンナノチューブの成長位置を制御することが困難である上に、高コストである。そこで本発明は、カーボンナノチューブを基板上の所望の位置に成長させることを可能とする、カーボンナノチューブの製造方法を提供することを目的とし、また低コスト化を実現しようというものである。
本発明は、カーボンナノチューブの成長触媒金属の有機金属化合物並びにアルコール化合物及び/又はアミノ化合物を配合してなるペーストを用いて、カーボンナノチューブの成長触媒を基板上に供給することを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法に関する。
本発明の方法によれば、カーボンナノチューブの成長触媒を所望の位置に供給することが容易にでき、ひいてはカーボンナノチューブを所望の位置に成長させることが可能となる。すなわち、本発明の方法では、カーボンナノチューブの成長触媒金属の有機金属化合物並びにアルコール化合物及び/又はアミノ化合物を配合してなるペーストを用いるため、印刷等の簡易な方法で、基板の所望の位置に、所望の形状で、成長触媒を供給することができる。また、本発明の方法によれば、特殊な化合物や合成法を使用する必要もなく、また汎用性が高く安価な有機金属化合物を用いることができるため、低コスト化を実現することもできる。
本発明に用いられるペーストには、カーボンナノチューブの成長触媒金属の有機金属化合物が配合される。触媒金属は通常、遷移金属であり、例えばFe、Ni、Co、Mo、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Y、Zr、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta等が挙げられる。特に好ましいのは、Fe、Ni、Coである。
触媒金属の有機金属化合物としては、具体的には、上記金属のギ酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩、アセチルアセトナト錯体等が挙げられ、好適には、ギ酸ニッケル、ギ酸コバルト等のギ酸塩、酢酸ニッケル、酢酸コバルト、酢酸鉄等の酢酸塩、シュウ酸ニッケル、シュウ酸コバルト、シュウ酸鉄等のシュウ酸塩、アセチルアセトナトニッケル、アセチルアセトナトコバルト、アセチルアセトナト鉄等のアセチルアセトナト錯体が挙げられる。なお、触媒金属の有機金属化合物は、水和物であってもよく、具体的には、酢酸ニッケル4水和物、ギ酸ニッケル2水和物が挙げられる。一般に、触媒金属の有機金属化合物は常温で固体である。
触媒金属の有機金属化合物は、1種類でもよく、また2種以上を組み合わせてもよい。
本発明に用いられるペーストには、アルコール化合物及び/又はアミノ化合物が配合される。これらの化合物は触媒金属の有機金属化合物をペースト化しうるものであれば、限定されない。
アルコール化合物としては、具体的には、メタノール、エタノール等の一価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール等の二価アルコール、グリセリン等の三価以上の多価アルコール等を挙げることができ、なかでも二価アルコールが好ましい。
特に、一般式(I):
(式中、mは、1〜4の整数であり、Rは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す)で示される二価アルコールが好ましい。一般式(I)において、炭素数1〜4のアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。特に、メチル基が好ましい。
式(I)の二価アルコールとしては、具体的には、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール等が挙げられる。
アミノ化合物は、アミノ基(−NH)を有する化合物であり、モノアミノ化合物、ジアミノ化合物又はアミノ基を複数含む化合物のいずれであってもよいが、好ましくモノアミノ化合物又はジアミノ化合物である。また脂肪族アミノ化合物又は芳香族アミノ化合物のいずれでもよい
特に、一般式(II):
(式中、Rは、水素原子又は炭素数1〜8の線状若しくは炭素数3〜8の環状の炭化水素基を表し、Rは、−O−及び/又は−NH−で中断されていてもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す)で示されるアミノ化合物が好ましい。
一般式(II)において、炭素数1〜8の線状の炭化水素基としてのR2としては、炭素数1〜8のアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。アルキル基は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。炭素数3〜8の環状炭化水素基としては、炭素数3〜8のシクロアルキル基が挙げられ、具体的にはシクロヘキシル基が挙げられる。Rとしては、特に水素原子、メチル基又はエチル基が好ましい。
アルキレン基としてのRとしては、例えば、炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が挙げられ、なかでも炭素数1〜5の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、2−メチル−プロピレン基等が挙げられる。対応する式(II)の第一級アミノ化合物としては、2−メトキシエチルアミン、3−メトキシプロピルアミン、2−エトキシエチルアミン、3−エトキシプロピルアミン、2―アミノ―1−プロパノール、1―アミノ―2−プロパノール、2―アミノ―2―メチル―1−プロパノール等が挙げられる。
また、−O−で中断されているアルキレン基としてのRとしては、例えば、−(CHCHO)CHCH− (yは、1〜5の数)又は−(CHCHCHO)zCHCHCH−(zは、1〜5の数)が挙げられる。対応する式(II)の第一級アミノ化合物としては、2−(2−アミノエトキシ)エタノール等が挙げられる。
また、−NH−で中断されているアルキレン基としてのRとしては、例えば、−R−NH−R−(ここで、R及びRは、メチレン基又はエチレン基である)が挙げられる。対応する式(II)の第一級アミノ化合物としては、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール等が挙げられる。
ジアミノ化合物も好ましく用いることができ、例えば1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,3−ジアミノシクロヘキサン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,3−ジアミノプロパン、1,2−フェニレンジアミン、1,4−フェニレンジアミン等が挙げられ、特に好ましくは1,2−ジアミノシクロヘキサンである。これらは、特に式(II)のアミノ化合物、とりわけ3−メトキシプロピルアミンとの併用が好ましい。
アルコール化合物及び/又はアミノ化合物は、1種類でもよく、また2種以上を組み合わせてもよい。
本発明に用いるペーストは、触媒金属の有機金属化合物100質量部に対して、アルコール化合物及び/又はアミノ化合物が50〜300質量部であることが好ましく、より好ましくは65〜200質量部である。
本発明に用いるペーストはまた、N−メチルエタノールアミン、1−ピペリジンエタノール等の第二級アミンを含むことができる。これらは、アミノ化合物との併用が好ましい。第二級アミンは、触媒金属の有機金属化合物100質量部に対して、60質量部以下で使用することが好ましい。
本発明で用いられるペーストは、本発明の効果を損なわない範囲で、ケトン、エーテル系の溶剤等の他の成分を含んでもよい。
本発明におけるペーストは、触媒金属の有機金属化合物、アルコール化合物及び/又はアミノ化合物、並びに場合によりその他の成分を混合した後、常温〜130℃で加熱しながら、1〜12時間程度撹拌することにより、調製することができる。
本発明で用いられるペーストは、アルコール化合物及び/又はアミノ化合物の選択や濃度調整により、印刷に適した粘度に調整することができ、基板上の所望の位置に、所望の形状に塗布することができる。また、スパッタリング等の高価な装置を使用することなく、また安価で汎用的な原料を使用して行なうことができるので、コスト面でも有利である。
本発明の方法は、上記のペーストを用いて、カーボンナノチューブの成長触媒を基板上に供給することを特徴とする。詳細には、上記ペーストを基板に塗布した後、これを加熱してペーストを基板上で熱分解させることにより、触媒金属のナノ粒子が析出し、これが熱CVD等の気相法で触媒として機能すると考えられる。ナノ粒子の粒子径は通常、20nm以下、例えば1〜10nmである。得られるカーボンナノチューブは通常、単層であり、数nmの直径のもの、例えば1〜5nmのものを得ることができる。
本発明の方法は、具体的には以下のように実施することができる。
(1)カーボンナノチューブの成長触媒金属の有機金属化合物並びにアルコール化合物及び/又はアミノ化合物を配合してなるペーストを基板に塗布する;
(2)不活性ガス雰囲気下で基板を加熱する;そして
(3)カーボンナノチューブの原料ガスを供給して基板上で熱分解させる。
工程(1)において、基板は公知のものを使用することができ、具体的にはシリコン基板、アルミナ、シリカガラス、ジルコン等が挙げられる。ペーストの塗布方法は、特に限定されず、スクリーン印刷、ディスペンス、グラビア印刷などが挙げられる。例えば、スクリーン印刷ではペーストの粘度を10〜100Pas、ディスペンスでは0.01〜5Pasとすることが好ましいが、本発明に用いられるペーストは、アルコール化合物及び/又はアミノ化合物の選択、濃度調整により、粘度を調整することができるので、本発明の方法においては、基板の所望の位置に、スクリーン印刷やディスペンス等の簡易な方法により、所望の形状で塗布することができ、便利である。ペーストの付着厚みは、例えば、3〜8μmとすることができる。
工程(2)において、不活性ガスは 特に限定されず、アルゴンガス、窒素ガスなどが挙げられる。加熱により、ペーストが熱分解し、触媒金属の有機金属化合物に含まれる金属がナノ粒子とし析出する。加熱温度は、250℃以上が好ましく、例えば250〜1200℃とすることができ、より好ましくは、300〜1000℃である。また、300〜500℃で加熱してもよい。加熱時間は、30分〜2時間が好ましく、より好ましくは45分〜1時間である。
工程(3)において、原料ガスを熱分解させる方法としては、公知の方法を用いることができる。原料ガスとしては、具体的にはメタン、エチレン、アセチレン、一酸化炭素、アルコール(例えば、メタノール、エタノール)等が挙げられる。これらは水素との混合ガスとして使用してもよい。熱分解温度は、500〜1200℃が好ましく、より好ましくは800〜1000℃である。
本発明の方法において、工程(2)と工程(3)を同時に行なうこともできるが、好ましくは工程(2)の後に、工程(3)を行なう。工程(2)の後、一旦、常温まで冷却して触媒担持基板を得た後、これを工程(3)に付すこともできるし、工程(2)と工程(3)を連続して行なうこともできる。
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
実施例1
容量100mlの反応フラスコに、酢酸ニッケル4水和物20質量部とテトラエチレングリコール20質量部を混合し、120℃で1時間撹拌して有機ニッケル化合物を含有するペーストを得た。さらに、このペーストをスクリーン印刷機で、シリコン基板上に印刷した。このときの印刷幅は200μm、付着厚みは5μmであった。この印刷基板を室温から900℃までアルゴンガス雰囲気下で加熱した。900℃でアルゴンを止め、メタン/水素混合ガス(メタン:水素の割合5:1、ガスの導入量1200cm/分)を流して、10分間反応させた後、再びアルゴン雰囲気中で室温にまで冷却した。
反応後に走査型電子顕微鏡で観察したところ、粒子状物からカーボンナノチューブが成長していることが確認された。結果を図1に示す。
また、このカーボンナノチューブをラマン分光分析した。比較のために、市販品の単層のカーボンナノチューブ(粉体、直径1〜2nm、入手先:マイクロフェーズ社、Sタイプ)についても同様にラマン分光分析をした。結果を図2に示す。
図2に示すように、実施例1で、単層カーボンナノチューブの存在を示すG−bandが測定された。また、実施例1では、市販品よりも、RBM−モードが低波数側で測定されていることから、単層カーボンナノチューブの直径が、市販品よりも大きいと考えられる。なお、実施例1では、D−bandが比較的大きいが、これはペーストの焼成物を検出しているためである。
実施例2
容量100mlの反応フラスコに、酢酸ニッケル4水和物20質量部とトリエチレングリコール20質量部を混合し、100℃で1時間撹拌して有機ニッケル化合物含有ペーストを得た。さらに、このペーストをスクリーン印刷機で、シリコン基板上に印刷した。このときの印刷幅は200μm、付着厚みは5μmであった。この印刷基板を、室温から900℃までアルゴンガス雰囲気下で加熱した。900℃でアルゴンを止め、実施例1と同様にメタン/水素混合ガスを流して、10分間反応させた後、再びアルゴン雰囲気中で室温にまで冷却した。
反応後に走査型電子顕微鏡で観察したところ、粒子状物からカーボンナノチューブが成長していることが確認された。また、このカーボンナノチューブをラマン分光分析した結果、単層のカーボンナノチューブであることが確認された。
実施例3
容量100mlの反応フラスコに、ギ酸ニッケル2水和物10質量部、3−メトキシプロピルアミン5質量部、N−メチルエタノールアミン2質量部、1−ピペリジンエタノール3質量部、2―(2−アミノエチルアミノ)エタノール2質量部を混合し、110℃で1時間撹拌して有機ニッケル化合物含有ペーストを得た。さらに、このペーストをスクリーン印刷機で、シリコン基板に印刷した。このときの印刷幅は200μm、付着厚みは5μmであった。この印刷基板を、室温から900℃までアルゴンガス雰囲気下で加熱した。900℃でアルゴンを止め、実施例1と同様にメタン/水素混合ガスを流して、10分間反応させた後、再びアルゴン雰囲気中で室温にまで冷却した。
反応後に走査型電子顕微鏡で観察したところ、粒子状物からカーボンナノチューブが成長していることが確認された。また、このカーボンナノチューブをラマン分光分析した結果、単層のカーボンナノチューブであることが確認された。
実施例1のカーボンナノチューブの走査型電子顕微鏡である 実施例1及び市販のカーボンナノチューブのラマン分光分析の結果である

Claims (5)

  1. カーボンナノチューブの成長触媒金属の有機金属化合物並びに一般式(I)

    (式中、mは、1〜4の整数であり、R は、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す)で示される二価アルコール化合物及び/又はアミノ化合物を配合してなり、前記有機金属化合物100質量部に対して、二価アルコール化合物及び/又はアミノ化合物が65〜200質量部であるペーストを用いて、カーボンナノチューブの成長触媒を基板上に供給することを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法。
  2. カーボンナノチューブの成長触媒金属の有機金属化合物並びにアルコール化合物及び/又はアミノ化合物を配合してなるペーストを基板に塗布した後、不活性ガス雰囲気下で基板を加熱し、次いで、カーボンナノチューブの原料ガスを供給して基板上で熱分解させることを含む、請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法。
  3. 前記有機金属化合物が、Fe、Ni又はCoを含む、請求項1又は2記載のカーボンナノチューブの製造方法。
  4. 前記有機金属化合物が、ギ酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩又はアセチルアセトナト錯体である、請求項1〜3のいずれか1項記載のカーボンナノチューブの製造方法。
  5. 前記アミノ化合物が、一般式(II):

    (式中、Rは、水素原子又は炭素数1〜8の線状若しくは炭素数3〜8の環状の炭化水素基を表し、Rは、−O−及び/又は−NH−により中断されていてもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す)で示されるアミノ化合物である、請求項1〜のいずれか1項記載のカーボンナノチューブの製造方法。
JP2005283409A 2005-09-29 2005-09-29 カーボンナノチューブの製造方法 Expired - Fee Related JP4977351B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005283409A JP4977351B2 (ja) 2005-09-29 2005-09-29 カーボンナノチューブの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005283409A JP4977351B2 (ja) 2005-09-29 2005-09-29 カーボンナノチューブの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007091530A JP2007091530A (ja) 2007-04-12
JP4977351B2 true JP4977351B2 (ja) 2012-07-18

Family

ID=37977661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005283409A Expired - Fee Related JP4977351B2 (ja) 2005-09-29 2005-09-29 カーボンナノチューブの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4977351B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9309123B2 (en) 2007-09-21 2016-04-12 Taiyo Nippon Sanso Corporation Process for producing a carbon nanostructure
JP5266889B2 (ja) * 2008-06-04 2013-08-21 ソニー株式会社 光透過性導電体の製造方法
CN101857461B (zh) * 2010-06-15 2012-05-30 清华大学 一种半导体碳纳米管阵列的制备方法
JP6240528B2 (ja) * 2014-02-18 2017-11-29 東ソー株式会社 ニッケルインク組成物

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3438041B2 (ja) * 1999-08-31 2003-08-18 独立行政法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ合成用触媒液
JP3463092B2 (ja) * 2001-03-27 2003-11-05 独立行政法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ作製用触媒パターン
JP2004115959A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Canon Inc カーボンファイバーの製造方法及びそれを使用した電子放出素子の製造方法、ディスプレイの製造方法、これら製造方法に用いる触媒製造用インク
JP3619240B2 (ja) * 2002-09-26 2005-02-09 キヤノン株式会社 電子放出素子の製造方法及びディスプレイの製造方法
JP2004292227A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Mitsubishi Electric Corp カーボンナノチューブの製造方法、およびそれを用いた冷陰極型画像表示装置とその製造方法
JP2005306643A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Konica Minolta Holdings Inc ナノ構造炭素材料の製造方法、それにより形成されたナノ構造炭素材料及び基板
KR20060002476A (ko) * 2004-07-02 2006-01-09 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브 제조용 촉매 베이스의 제조 방법 및 이를이용한 탄소나노튜브 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007091530A (ja) 2007-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8163263B2 (en) Catalyst for the growth of carbon single-walled nanotubes
US7135159B2 (en) Synthesis of nanoscaled carbon materials
EP1481946B1 (en) Process for producing single-walled carbon nanotube, single-walled carbon nanotube, and composition containing single-walled carbon nanotube
JP5156383B2 (ja) 単層カーボンナノチューブ合成用触媒
JP5550833B2 (ja) 高品質単層カーボンナノチューブ成長の方法および装置
JP5475457B2 (ja) カーボンナノチューブ合成用大量エアロゾル粉末噴射装置
JP5456309B2 (ja) ナノ構造型コンポーネントの製造およびコーティング方法
US20070202304A1 (en) Nanoparticle colloid, method for its production and its use in the growth of carbon nanotubes
EP3235781A1 (en) Synthesis of small and narrow diameter distributed carbon single-walled nanotubes
JP2015057367A (ja) 高品質なカーボン単層ナノチューブの合成
JP4977351B2 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
WO2007088829A1 (ja) カーボンナノホーン担持体とカーボンナノチューブの合成方法
US8388923B2 (en) Combination catalysts based on iron for the substantial synthesis of multi-walled carbon nanotubes by chemical vapor deposition
EP1782884A1 (en) Catalyst based on MgO or alumina nanoporous support and preparation of the same
JP4459212B2 (ja) 単層カーボンナノチューブ含有組成物
KR20180132655A (ko) 탄소 나노 구조체 집합물의 제조 방법 및 탄소 나노 구조체 집합물
US20140066299A1 (en) Particles Containing One Or More Multi-Layered Dots On Their Surface, Their Use, and Preparation of Such Particles
EP2590765B1 (en) Metal nanoparticles
JP3837541B2 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
Geng et al. A dendrimer-based Co32 nanocluster: Synthesis and application in diameter-controlled growth of single-walled carbon nanotubes
Esquenazi Catalytic Growth of Carbon Nanotubes Using a Single Molecule Catalyst Precursor
KR100864418B1 (ko) 기상 성장 탄소섬유 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080909

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080909

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120327

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4977351

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees