KR970071899A - 전자 방출 장치, 그것을 사용하는 화상 형성 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 전자 방출 장치는 전자 방출부를 갖는 도전성 막을 포함한 전자 방출 소자와, 전자를 흡인하는 흡인 전극으로 구성된다. 도전성 막에 전기적으로 절연된 연재 영역이 포함되어 도전성 막을 고전위 측과 저전위 측으로 분리한다. 절연 영역은 고전위 측에서 돌출하는 부분과 저전위 측에서 돌출하는 부분으로 형성되는 거의 주기적인 형상을 갖는다. 절연 영역의 한 주기에서 고전위 측에서 돌출하는 부분의 적어도 일부에 연속적으로 전자 방출부들이 형성된다.

Description

전자 방출 장치, 그것을 사용하는 화상 형성 장치 및 그 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제13A도 및 제13B도는 본 발명의 표면 전도형 전자 방출 소자의 기본 구조를 도시하는 도면, 제14A도, 제14B도 및 제14C도는 본 발명의 표면 전도형 전자 방출 소자를 제조하는 방법을 설명하는 단면도, 제15A, 제15B, 제15C도 및 제15D도는 본 발명의 표면 전도형 전자 방출 소자의 실시예들을 도시하는 도면들.

Claims (14)

1. 전자 방출부를 갖는 도전성 막을 포하만 전자 방출 소자와, 전자를 흡인하는 흡인 전극으로 구성된 전자방출 장치에 있어서, 상기 도전성 막에 전기적으로 절연된 연재 영역을 포함하여 상기 도전성 막을 고전위측과 저전위측으로 분리하고, 상기 절연 영역은 상기 고전위 측에서 돌출하는 부분과 상기 저전위 측에서 돌출하는 부분으로 형성되는 거의 주기적인 형상을 가지며, 상기 절연 영역의 한 주기에서 상기 고전위 측에서 돌출하는 상기 부분 중 적어도 일부에 연속적으로 전자 방출부들이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 전자 방출부 상에 또한 그 부근에 탄소 및/ 또는 탄소 화합물을 함유한 피착물이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 절연 영역의 한 주기에 포함된 상기 전자 방출부의 길이 ℓ_e, 상기 절연 영역의 주기 ℓ_p, 및 상기 절연 영역의 상기 고전위 측에서 돌출하는 상기 부분과 상기 저전위 측에서 돌출하는 상기 부분 간의 지그재그 거리 ℓ_a는, 5㎛≤ℓ_p≤80㎛, 1㎛≤ℓ_e≤40㎛,1㎛≤ℓ_a≤100㎛의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 대향하는 한 쌍의 소자 전극을 더 포함하고, 상기 도전성 막의 상기 고전위 측 상의 부분과 상기 저전위 측 상의 부분은 상기 소자 전극에 각각 접속되고, 상기 소자 전극에 의해 샌드위치된 영역은 상기 고전위 측에서 돌출하는 부분과 상기 저전위 측에서 돌출하는 부분으로 형성된 주기적인 형상을 가지며, 상기 조전성 막은 상기 소자 전극에 의해 샌드위치된 상기 영역의 상기 고전위 측에서 돌출하는 상기 부분에 주로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
6. 전자 방출구를 갖는 도전성 막을 포함한 전자 방출 소자와, 전자를 흡인하는 흡인 전극으로 구성된 전자 방출 장치에 있어서, 상기 도전성 막에 전기적으로 절연된 연재 영역을 포함하여 상기 도전성 막을 고전의 측과 저전위 측으로 분리하고, 상기 절연 영역은 상기 고정위 측에서 돌출하는 부분과 상기 저전위 측에서 돌출하는 부분으로 형성되는 거의 주기적인 형상을 가지며, 상기 절연 영역에 연속적인 선형 전자 방출부가 형성되며, 상기 절연 영역의 한 주기에 포함된 상기 고전위 측에서 돌출하는 상기 부분의 길이 ℓ_e, 상기 절연 영역의 주기 ℓ_p, 및 상기 절연 영역의 상기 고전위 측에서 돌출하는 상기 부분과 상기 저전위 측에서 돌출하는 상기 부분 간의 지그재그 거리 ℓ_a는, 5㎛≤ℓ_p≤80㎛, 1㎛≤ℓ_e≤40㎛,1㎛≤ℓ_a≤100㎛의 범위 내에 속하며, 상기 흡인 전극과 상기 저전위 측의 상기 도전성 막간의 전위차 V_a와, 상기 흡인 전극과 상기 전자 방출 소자간의 거리는 아래식 V_a/H≤0.5×10⁶[V/m]을 만족시키는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 대향하는 한쌍의 소자 전극을 더 포함하고, 상기 도전성 막의 상기 고전위 측 상의 부분과 상기 저전위 측 상의 부분은 상기 소자 전극에 각각 접속되고, 상기 소자 전극에 의해 샌드위치된 여역은 상기 고전위 측에서 돌출하는 부분과 상기 저전위 측에서 돌출하는 부분으로 형성된 주기적인 형상을 가지며, 상기 도전성 막은 상기 소자 전극에 의해 샌드위치된 상기 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
8. 제6항에 있어서, 상기 전자 방출부 상에 또한 그 부근에 탄소 및/또는 탄소화합물이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
9. 제6항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도형 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자 방출장치.
10. 전자 방출 장치에 있어서, 기판 상에 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 다른 전자 방출 장치를 구성하는 다수의 전자 방출 소자가 배열된 전자원과, 전자를 흡인하는 흡인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 장치.
11. 제10항에 있어서, 상기 전자원에 상기 전자 방출 소자에 전기 접속되는 배선을 매트릭스형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.
12. 제10항에 있어서, 상기 전자원에 상기 전자 방출 소자에 전기 접속되는 배선을 사다리형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자방출 장치.
13. 제10항에 따른 전자 방출 장치의 구성을 갖는 화상 형성 장치에 있어서, 상기 흡인 전극은 상기 전자원으로부터 방출된 전자 빔의 조사에 의해 광을 방출하여 화상을 형성하는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
14. 제1항에 따른 전자 방출 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 절연 영역에 상기 전자 방출부 이외의 부분을 형성하기 위해 집속 이온 빔, 레이저 처리, 및 포토리소그래피의 미이크로패터닝 기술 중 어느 하나에 의해 상기 도전성 막의 일부를 제거시키는 단계와, 상기 도전성 막에 전압을 인가하여 전류를 흐르게 함으로써, 상기 전자 방출부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 장치.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.