KR100898286B1 - 다이오드 에미션을 방지하는 전계 방출 표시장치 - Google Patents

Abstract

고압의 애노드 전계에 의한 다이오드 에미션(diode emission)을 방지하여 화면의 표시 품위를 향상시키기 위한 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과; 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연층과; 절연층 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극의 일측 가장자리에 형성되는 에미터들과; 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과; 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들과; 에미터를 둘러싸며 캐소드 전극 위에 형성되어 에미터를 향한 애노드 전계의 영향을 차단하는 보호 전극을 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

전계방출, 캐소드, 애노드, 게이트, 에미터, 다이오드에미션, 카본나노튜브, 보호전극

Description

다이오드 에미션을 방지하는 전계 방출 표시장치{FIELD EMISSION DISPLAY FOR PREVENTING DIODE EMISSION}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 도 1의 A 화살표 방향에서 바라본 전계 방출 표시장치의 부분 결합 단면도이다.

도 3은 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도 4a는 보호 전극을 구비하지 않은 비교예의 전계 방출 표시장치에서 본 발명자의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 얻어진 등전위 분포를 나타낸 개략도이다.

도 4b는 보호 전극을 구비한 실시예의 전계 방출 표시장치에서 본 발명자의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 얻어진 등전위 분포를 나타낸 개략도이다.

도 5는 본 발명의 실시예에 대한 첫번째 변형예를 설명하기 위한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도 6은 도 5의 I-I선 단면도이다.

도 7은 본 발명의 실시예에 대한 두 번째 변형예를 설명하기 위한 후면 기판의 부분 절개 사시도이다.

본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 카본계 물질로 이루어진 전자 방출원과 더불어 전, 후면 기판 사이에 배치되는 그리드 플레이트를 구비한 전계 방출 표시장치에 관한 것이다.

최근의 전계 방출 표시장치(FED; field emission display) 분야에서는 저전압(대략 10∼100V) 구동 조건에서 전자를 양호하게 방출하는 카본계 물질을 이용하여 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 통해 전자 방출원인 에미터를 평탄하게 형성하는 기술을 연구 개발하고 있다.

지금까지의 기술 동향에 의하면, 평탄한 형상의 에미터에 적합한 카본계 물질로는 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 및 카본 나노튜브(CNT; carbon nanotube) 등이 알려져 있다. 이 가운데 특히 카본 나노튜브는 끝단의 곡률 반경이 수∼수십nm 정도로 극히 미세하여 1∼10V/㎛ 정도의 낮은 전계에서도 전자를 양호하게 방출함에 따라, 이상적인 전자 방출 물질로 기대되고 있다.

상기 카본 나노튜브를 이용한 전계 방출 표시장치와 관련한 종래 기술로는 미국특허 6,062,931호와 미국특허 6,097,138호에 개시된 냉음극 전계 방출 표시장치를 들 수 있다.

상기한 전계 방출 표시장치가 캐소드와 애노드 및 게이트 전극들을 구비하는 3극관 구조로 이루어질 때, 에미터가 배치되는 기판 상에 게이트 전극을 먼저 형성하고, 게이트 전극 위에 절연층과 캐소드 전극을 형성한 다음, 캐소드 전극의 가장 자리 위에 에미터를 배치함과 아울러, 형광막이 배치되는 기판 상에 투명한 애노드 전극을 형성한 구조가 공지되어 있다.

상기 구조는 제조 과정이 비교적 단순하고, 제조 과정 중 캐소드 전극과 게이트 전극이 단락될 우려가 거의 없는 큰 장점이 있다.

그러나 상기 구조에서는 캐소드 전극에 형성된 에미터들이 애노드 전극이 배치된 기판을 향해 노출되어 있기 때문에, 실질적인 구동시 게이트 전극과 캐소드 전극의 전압 차에 의해 에미터 주위에 전계가 형성되는 대신, 애노드 전극에 인가된 고전압에 의해 에미터 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되는 다이오드 에미션(diode emission)을 일으킬 수 있다.

이와 같이 다이오드 에미션이 발생하면, 형광막에 불필요한 발광이 일어나 화면의 표시 품위가 저하되고, 애노드 전극에 인가하는 전압을 높일 수 없어 고휘도 표현이 어려워진다. 또한 화면의 휘도를 높이기 위해서는 에미터의 전류 방출량을 늘려야 하지만, 이 경우에는 에미터 수명이 단축되는 단점이 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 불필요한 다이오드 에미션을 방지하여 화면의 표시 품위를 향상시키고, 애노드 전극에 보다 높은 전압을 인가하여 화면의 휘도를 높이며, 에미터의 적은 전류 방출량으로 고휘도 화면을 구현하여 에미터의 수명을 연장시킬 수 있는 전계 방출 표시장치를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연층과, 절연층 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극의 일측 가장자리에 형성되는 에미터들과, 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과, 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들과, 에미터를 둘러싸며 캐소드 전극 위에 형성되어 에미터를 향한 애노드 전계의 영향을 차단하는 보호 전극을 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

상기 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역마다 캐소드 전극의 일측 가장자리에는 에미터 수용부가 형성되고, 에미터 수용부 내에 상기 에미터가 배치되어 에미터와 캐소드 전극이 전기적으로 연결된다.

상기 에미터는 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.

바람직하게, 상기 절연층 위 각각의 캐소드 전극 사이에는 에미터와 임의의 간격을 두고 대향 전극이 위치하며, 대향 전극은 절연층에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 접촉하여 게이트 전극과 전기적으로 연결된다.

상기 보호 전극은 에미터의 상부 표면 일부를 덮으면서 위치하고, 캐소드 전극과 접촉하여 캐소드 전극과 동일 전위를 유지한다. 이 때, 보호 전극은 캐소드 전극보다 작은 폭을 가지면서 캐소드 전극과 동일한 방향을 따라 스트라이프 패턴 으로 형성될 수 있다.

또한 상기 보호 전극은 에미터 수용부를 제외한 캐소드 전극의 상부 표면 전체에 형성되어 에미터의 측면 윗부분을 둘러싸며 위치할 수 있다.

또한 상기 캐소드 전극과 보호 전극 사이에 보조 절연층이 위치하여 보호 전극이 캐소드 전극과 전기적으로 절연될 수 있으며, 이 경우 보호 전극에 캐소드 전극과 다른 전압을 인가할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 A 화살표 방향에서 바라본 전계 방출 표시장치의 부분 결합 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도시한 바와 같이, 전계 방출 표시장치는 내부 공간부를 갖도록 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판(이하, 편의상 '후면 기판'이라 한다)과 제2 기판(이하, 편의상 '전면 기판'이라 한다)을 포함하며, 후면 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이, 그리고 전면 기판(4)에는 전자에 의해 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.

보다 구체적으로, 후면 기판(2) 위에는 게이트 전극들(6)이 후면 기판(2)의 일방향(일례로 도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 게이트 전극들(6)을 덮으면서 후면 기판(2)의 전면에 절연층(8)이 위치한다. 그리고 절연층(8) 위에는 캐소드 전극들(10)이 게이트 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 X 방향)을 따 라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

본 실시예에서 전계 방출 표시장치의 화소 영역을 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 교차 영역으로 정의할 때, 캐소드 전극(10)의 일측 가장자리에는 각 화소 영역마다 전자 방출원인 에미터(12)가 위치하는데, 바람직하게 캐소드 전극(10)의 일측 가장자리에는 일종의 홈인 에미터 수용부(10a)가 형성되고, 에미터 수용부(10a) 내에 에미터(12)가 위치한다.

상기 에미터 수용부(10a)와 에미터(12)는 바람직하게 캐소드 전극 방향(도면의 X 방향)을 따라 긴 변을 갖는 횡장형으로 이루어진다. 이로서 에미터(12)는 세 측면이 캐소드 전극(10)에 둘러싸이면서 이 세 측면을 통해 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하여 이와 전기적으로 연결된다.

본 발명에서 상기 에미터(12)는 카본계 물질, 가령 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 또는 이들의 조합 물질로 이루어지며, 본 실시예에서는 카본 나노튜브를 적용하고 있다. 특히 본 실시예에서 상기 에미터(12)는 임의의 자체 저항, 바람직하게 0.01∼10¹⁰Ωcm의 비저항 값을 갖는다.

그리고 절연층(8) 위 각각의 캐소드 전극(10) 사이에는 에미터(12)와 임의의 간격을 두고 게이트 전극(6)의 전계를 절연층(8) 상부로 끌어올리는 대향 전극(14)이 위치한다. 대향 전극(14)은 절연층(8)에 형성된 비아 홀(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결된다.

상기 대향 전극(14)은 게이트 전극(6)에 소정의 구동 전압이 인가되어 에미터(12)와의 사이에 전자 방출을 위한 전계를 형성할 때, 게이트 전극(6)의 전압을 에미터(12) 주위로 끌어올려 에미터(12)에 보다 강한 전계가 인가되도록 함으로써 표시장치의 구동 전압을 낮추고, 에미터(12)로부터 양호하게 전자들을 방출시키는 역할을 한다.

또한 캐소드 전극(10) 위에는 임의의 두께를 갖는 보호 전극(16)이 캐소드 전극(10)의 상부 표면과 함께 에미터(12)의 상부 표면 일부를 덮으면서 위치한다. 상기 보호 전극(16)은 실질적인 전자 방출이 이루어지는 에미터(12)의 일측 가장자리를 제외한 에미터(12)의 상부 표면 대부분을 덮어 보호하며, 전면 기판(4)을 향해 노출되는 에미터(12)의 상부 표면적을 최소화한다.

이를 위하여 보호 전극(16)은 캐소드 전극(10)보다 작은 폭을 가지면서 캐소드 전극(10)과 동일한 방향(도면의 X 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극(10)에 소정의 구동 전압이 인가될 때에, 캐소드 전극(10)과의 접촉에 의해 캐소드 전극(10)과 동일 전위를 유지하여 에미터(12)의 상부 표면 위로 캐소드 전계를 인가시키는 역할을 한다.

한편, 후면 기판(2)에 대향하는 전면 기판(2)의 일면에는 투명한 애노드 전극(18)과 더불어 게이트 전극 방향(도면의 Y 방향)을 따라 R, G, B 형광막들(20)이 임의의 간격을 두고 위치하며, 각각의 R, G, B 형광막(20) 사이로 콘트라스트 향상을 위한 블랙 매트릭스막(22)이 위치한다.

더욱이 형광막(20)과 블랙 매트릭스막(22) 위에는 알루미늄 등으로 이루어진 금속 박막층(24)이 위치할 수 있는데, 이 금속 박막층(24)은 전계 방출 표시장치의 내전압 특성과 휘도 향상에 도움을 준다.

이와 같이 구성되는 전면 기판(4)과 후면 기판(2)은 캐소드 전극(10)과 형광막(20)이 직교하도록 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 실링 물질에 의해 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전계 방출 표시장치를 구성한다.

아울러, 전면 기판(4)과 후면 기판(2)이 형성하는 진공 용기 내부에는 다수의 홀(26a)을 갖는 메쉬 형태의 그리드(26)가 배치된다. 이 그리드(26)는 진공 용기 내에서 아킹이 발생하는 경우, 그 피해가 후면 기판(2)으로 향하지 않도록 하며, 에미터(12)에서 방출된 전자들을 집속시키는 역할을 한다.

이 때, 전면 기판(4)과 그리드(26) 사이의 비화소 영역에는 다수의 상부 스페이서(28)가 배치되어 전면 기판(4)과 그리드(26) 사이의 간격을 일정하게 유지시키고, 후면 기판(2)과 그리드(26) 사이의 비화소 영역에는 다수의 하부 스페이서(30)가 배치되어 후면 기판(2)과 그리드(26) 사이의 간격을 일정하게 유지시킨다.

상기한 전계 방출 표시장치는 외부로부터 게이트 전극(6), 캐소드 전극(10), 그리드(26) 및 애노드 전극(18)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 게이트 전극(6)에는 수∼수십V의 (+)전압이, 캐소드 전극(10)에는 수∼수십V의 (-)전압이, 그리드(26)에는 수십∼수백V의 (+)전압이, 그리고 애노드 전극(18)에는 수백∼수천V의 (+)전압이 인가된다.

이로서 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(12) 주위, 특히 대향 전극(14)과 마주하는 에미터(12)의 가장자리에 전계가 집중되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 그리드(26)에 인가된 (+)전압에 이끌려 전면 기판(4)으로 향하면서 그리드(26)의 홀(26a)을 통과하고, 애노드 전극(18)에 인가된 고전압에 이끌려 해당 화소의 형광막(20)에 충돌함으로써 이 형광막(20)을 발광시킨다.

이 때, 본 실시예에서 상기 에미터(12)는 세 측면이 캐소드 전극(10)에 둘러싸여 있음과 동시에 상부 표면이 보호 전극(16)에 덮혀 있으므로, 실질적으로 전자 방출이 이루어지는 에미터(12)의 일측 가장자리를 제외한 에미터(12)의 측면과 상부 표면에 캐소드 전계가 인가된다.

따라서 표시장치의 구동 과정에서 에미터(12) 주위에 형성되는 캐소드 전계가 에미터(12)에 미치는 고압의 애노드 전계를 차단하며, 그 결과 애노드 전극(18)에 인가되는 고전압에 의한 다이오드 에미션(diode emission)을 방지하여 불필요한 전자 방출을 억제한다.

도 4a는 보호 전극을 구비하지 않은 비교예의 전계 방출 표시장치에서 본 발명자의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 얻어진 등전위 분포를 나타낸 개략도이다. 도시한 바와 같이 고압의 애노드 전계가 에미터(12) 주위에 강하게 인가되어 에미터(12)의 전자 방출 특성에 큰 영향을 미치고 있음을 알 수 있다.

도 4b는 보호 전극을 구비한 실시예의 전계 방출 표시장치에서 본 발명자의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 얻어진 등전위 분포를 나타낸 개략도이다. 이 때, 보호 전극(16)에는 -100V의 전압이 인가되었다. 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는 보호 전극(16)이 고압의 애노드 전계를 차단하는 역할을 하므로, 에미터(12) 주위에 형성되는 전계가 비교예의 경우와 비교하여 효과적으로 약화되었음을 확인할 수 있다.

이상의 내용을 고려하여 볼 때, 본 실시예에서는 다이오드 에미션에 의한 불필요한 발광을 억제하여 화면의 표시 품위가 향상되고, 애노드 전극(18)에 보다 높은 전압을 인가할 수 있어 고휘도 화면을 구현하며, 에미터(12)의 적은 전류 방출량으로도 고휘도 화면을 구현하여 에미터(12)의 수명이 연장되는 장점이 예상된다.

한편, 각각의 에미터(12)에서 전자가 방출되는 부분을 에미션 사이트(emission site)라 할 때, 에미션 사이트는 에미터(12)의 가장자리를 따라 존재하며, 각각의 에미션 사이트는 그 형태에 있어 미소한 차이를 갖게 된다. 이 경우, 각각의 에미션 사이트에 동일한 전계가 인가되어도 형상 특성에 따라 전자 방출이 불균일하게 된다.

그러나 상기 에미터(12)가 전술한 범위의 비저항 값, 즉 0.01∼10¹⁰Ωcm의 비저항 값을 가짐에 따라, 에미터(12) 자체가 저항층의 역할을 수행한다고 볼 수 있다. 즉, 캐소드 전극(10)의 끝단에서 각각의 에미션 사이트까지 저항으로 연결되어 있다고 가정할 수 있다.

이로서 방출 전류가 많은 에미션 사이트에서는 전압 강하가 발생하여 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)간 전압 차가 줄어들게 되어 전자 방출량이 감소하고, 방출 전류가 적은 에미션 사이트에서는 전압 강하가 발생하지 않거나 적게 발생하여 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)간 전압 차가 유지됨에 따라 상대적으로 두 에미션 사이트간 전자 방출량 차이가 줄어들게 된다. 따라서 한 화소 내에 존재하는 많은 에미션 사이트에서 균일하게 전자를 방출할 수 있게 된다.

다음으로는 도 5∼도 7을 참고하여 본 발명의 실시예에 대한 변형예들에 대해 설명한다.

도 5와 도 6은 첫번째 변형예로서, 이 경우는 전술한 실시예의 구조를 기본으로 하면서 보호 전극(16)이 에미터(12)의 상부 표면을 덮지 않고, 에미터 수용부(10a)를 갖는 캐소드 전극(10) 형상을 따라 캐소드 전극(10)의 상부 표면 전체에 형성되어 에미터(12)의 측면 윗부분을 둘러싸며 위치한다.

즉, 본 변형예에서 보호 전극(16)은 캐소드 전극(10) 위에 대략 수백㎛ 두께로 형성되어 에미터(12)보다 수백㎛ 높은 위치에서 에미터(12)를 둘러싸게 된다. 이로서 실질적인 구동 과정에서 상기 보호 전극(16)에 의해 에미터(12) 주위에 캐소드 전계가 형성되며, 이러한 캐소드 전계가 에미터(12)에 미치는 애노드 전계를 차단하여 불필요한 다이오드 에미션을 방지한다.

도 7은 두번째 변형예로서, 이 경우는 전술한 첫번째 변형예의 구조를 기본으로 하면서 캐소드 전극(10)과 보호 전극(16) 사이에 임의의 두께를 갖는 보조 절연층(32)을 형성하여 전계 방출 표시장치를 구성한다.

상기 캐소드 전극(10)과 보호 전극(16) 사이에 보조 절연층(32)을 형성하면, 캐소드 전극(10)과 보호 전극(16)을 절연시킬 수 있어 보호 전극(16)에 캐소드 전 극(10)과 다른 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어 보호 전극(16)에 캐소드 전극(10)보다 낮은 전압, 일례로 0∼-수백V의 고정 전압을 인가하여 에미터(12)에 미치는 애노드 전계를 보다 효과적으로 차단할 수 있다.

더욱이 보호 전극(16)이 보조 절연층(32)의 두께 만큼 에미터(12) 위에 배치되어 애노드 전극(18)과의 거리가 단축됨에 따라, 애노드 전계를 차단하는데 보다 효과적인 기능을 발휘할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 따르면, 다이오드 에미션을 방지하여 불필요한 발광을 억제함으로써 화면의 표시 품위를 향상시키고, 애노드 전극에 보다 높은 전압을 인가할 수 있어 화면의 휘도를 높일 수 있다. 또한 에미터의 적은 전류 방출량으로도 고휘도 화면을 구현할 수 있으므로, 에미터의 수명을 연장시켜 전계 방출 표시장치의 신뢰성을 높일 수 있다.

Claims (10)

1. 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1, 2 기판과;

   상기 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과;

   상기 게이트 전극들을 덮으면서 상기 제1 기판의 전면에 형성되는 절연층과;

   상기 절연층 상에 상기 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과;

   상기 캐소드 전극의 일측 가장자리에 형성되는 에미터들과;

   상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과;

   상기 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들; 및

   상기 에미터를 둘러싸며 상기 캐소드 전극 위에 형성되어 에미터를 향한 애노드 전계의 영향을 차단하는 보호 전극

   을 포함하고,

   상기 보호 전극이 상기 캐소드 전극과 접촉하여 상기 캐소드 전극과 동일 전위를 유지하는, 전계 방출 표시장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역마다 상기 캐소드 전극의 일측 가장자리에 에미터 수용부가 형성되고, 에미터 수용부 내에 상기 에미터가 배치되는 전계 방출 표시장치.
3. 제 2항에 있어서,

   상기 에미터 수용부와 상기 에미터가 상기 캐소드 전극 방향을 따라 긴 장변을 갖는 횡장형으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 에미터가 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 절연층 위 상기 캐소드 전극들 사이에서 상기 에미터와 임의의 간격을 두고 대향 전극이 위치하는 전계 방출 표시장치.
6. 제 5항에 있어서,

   상기 대향 전극이 상기 절연층에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 접촉하여 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 전계 방출 표시장치.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 보호 전극이 상기 에미터의 상부 표면 일부를 덮으면서 위치하는 전계 방출 표시장치.
8. 제 7항에 있어서,

   상기 보호 전극이 상기 캐소드 전극보다 작은 폭을 가지면서 캐소드 전극과 동일한 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 전계 방출 표시장치.
9. 제 2항에 있어서,

   상기 보호 전극이 상기 에미터 수용부를 제외한 캐소드 전극의 상부 표면 전체에 형성되어 에미터의 측면 윗부분을 둘러싸는 전계 방출 표시장치.
10. 제 9항에 있어서,

    상기 캐소드 전극과 보호 전극 사이에 보조 절연층이 위치하여 보호 전극이 캐소드 전극과 전기적으로 절연되는 전계 방출 표시장치.

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