KR100869791B1 - 전계 방출 표시장치 - Google Patents

Abstract

전자 방출에 기여하는 에미터의 면적을 최대화하여 화면의 휘도를 향상시키는 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과; 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과; 절연막 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과; 게이트 전극과 캐소드 전극의 교차 영역에서 캐소드 전극과 절연막을 관통하는 관통부와; 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 연결 설치되어 가장자리 전체가 게이트 전극에 대향하는 에미터와; 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과; 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들을 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

전계방출, 캐소드, 애노드, 게이트, 대향전극, 에미터, 형광막, 휘도

Description

전계 방출 표시장치{FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1과 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.

도 2는 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도 4는 관통부와 에미터의 변형예를 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도 5와 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.

도 6는 도 5에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도 8과 도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.

도 9는 도 8에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에미터의 전자 방출 면적을 최대화하여 전자 방출량 증가에 따른 화면의 휘도 향상을 도모하는 전계 방출 표시장치에 관한 것이다.

최근의 전계 방출 표시장치(FED; field emission display)는 저전압(대략, 10∼100V) 구동 조건에서 전자를 방출하는 카본계 물질, 특히 카본 나노튜브(CNT; carbon nanotube)를 이용하여 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 통해 전자 방출원인 에미터를 평탄하게 형성하는 기술을 적용하고 있다.

상기한 전계 방출 표시장치가 캐소드와 애노드 및 게이트 전극을 구비하는 3극관 구조로 이루어질 때, 통상의 전계 방출 표시장치는 후면 기판 상에 캐소드 전극을 먼저 형성하고, 캐소드 전극 상에 에미터를 배치한 다음, 에미터 위로 게이트 전극을 배치함과 아울러, 후면 기판에 대향하는 전면 기판 상에 투명한 애노드 전극을 배치한 구성으로 이루어진다.

그러나 전술한 구조는 게이트 전극 및 게이트 전극 하부에 배치된 절연층에 형성된 홀 안으로 에미터를 양호하게 형성하기 어려운 문제점이 있으며, 특히 홀 안으로 에미터 물질을 채워넣는 과정에서 전도성의 에미터 물질이 캐소드 전극과 게이트 전극에 걸쳐 형성되어 두 전극간 쇼트를 유발하는 경우가 있다.

더욱이 통상의 3극관 구조에서는 게이트 전극에 에미터의 전자 방출을 유도하는 데이터 전압이 인가되는데, 이러한 게이트 전극과 마주하는 전자 방출원의 면적이 제한적이므로, 에미터에서 나오는 전자 방출량에 한계가 있어 화면의 휘도가 충분하지 못한 단점이 있다.

이러한 휘도상의 문제점은 본 발명의 출원인에 의해 제안된 미국특허 6,420,726호에 개시하고 있는 전계 방출 표시장치에서와 같이, 게이트 전극을 캐소드 전극 아래에 배치하고, 캐소드 전극 위에 에미터를 형성한 구조에서도 일어날 가능성이 많아진다.

이는 전술한 전계 방출 표시장치에서는 에미터가 주로 캐소드 전극의 일측 가장자리에 위치하고, 캐소드 전극과 게이트 전극의 전압 차에 의해 에미터의 특정 부위, 보다 구체적으로 에미터의 가장자리에 전계가 집중되어 이 가장자리로부터 전자가 방출되므로, 전자 방출에 기여하는 에미터의 면적이 제한적이기 때문이다.

따라서 종래의 전계 방출 표시장치에서는 구동 전압을 높여 목적하는 휘도를 구현할 수 있으나, 이는 표시장치의 소비 전력을 상승시키고, 에미터의 수명 특성을 저하시키는 단점을 안고 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전자 방출에 기여하는 에미터의 면적을 최대화하여 화면의 휘도를 향상시키는 전계 방출 표시장치를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과, 절연막 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과, 게이트 전극과 캐소드 전극의 교차 영역에서 캐소드 전극과 절연막을 관통하는 관통부와, 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 연결 설치되어 가장자리 전체가 게이트 전극에 대향하는 에미터와, 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과, 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들을 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

상기 에미터는 관통부의 둘레를 따라 절연막에 마련된 에미터 수용부에 형성되거나, 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 마련된 에미터 수용부에 형성되어 캐소드 전극과 전기적으로 연결된다. 그리고 상기 관통부와 에미터는 각 화소마다 하나 또는 2개 이상의 복수개로 구비된다.

또한 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과, 절연막 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되며 게이트 전극과의 교차 영역에 관통부를 형성하여 절연막을 노출시키는 캐소드 전극들과, 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와, 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과, 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들을 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

상기 에미터는 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 마련된 에미터 수용부에 형성되거나, 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극 위에 형성되어 캐소드 전극과 전기적으로 연결된다.

또한 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과, 절연막 상에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되며 게이트 전극과의 교차 영역에 관통부를 형 성하는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극과의 임의의 간격을 가지며 관통부 내에 형성되는 대향 전극과, 대향 전극과 마주하는 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와, 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과, 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들을 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

상기 대향 전극은 절연막에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 접촉하여 게이트 전극과 전기적으로 연결된다. 상기 에미터는 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 마련된 에미터 수용부에 형성되거나, 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극 위에 형성되어 캐소드 전극과 전기적으로 연결된다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

도시한 바와 같이, 전계 방출 표시장치는 내부 공간부를 갖도록 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판(이하, 편의상 '후면 기판'이라 한다)과 제2 기판(이하, 편의상 '전면 기판'이라 한다)을 포함하며, 후면 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이, 그리고 전면 기판(4)에는 전자에 의해 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.

보다 구체적으로, 후면 기판(2) 위에는 게이트 전극들(6)이 후면 기판(2)의 일방향(도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 게이트 전극들(6)을 덮으면서 후면 기판(2) 전면에 절연막(8)이 위치하며, 절연막(8) 위에는 캐소드 전극들(10)이 게이트 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

본 실시예에서 전계 방출 표시장치의 화소 영역을 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 교차 영역으로 정의할 때, 각 화소마다 캐소드 전극(10)과 절연막(8)을 관통하는 하나 이상의 관통부(12)(도면에서는 일례로 하나의 관통부를 도시하였다)가 형성되어 게이트 전극(6)을 노출시키며, 관통부(12)의 둘레를 따라 전자 방출원인 에미터(14)가 캐소드 전극(10)에 연결 설치된다.

상기 에미터(14)는 도 1에 도시한 바와 같이, 관통부(12)의 둘레를 따라 절연막(8)에 마련된 에미터 수용부(8a)에 형성되어 에미터(14)의 윗면이 캐소드 전극(10)의 아랫면과 접촉하도록 할 수 있으며, 다른 실시예로서 도 3에 도시한 바와 같이, 관통부(12)의 둘레를 따라 캐소드 전극(10)에 마련된 에미터 수용부(10a)에 형성되어 에미터(14)의 측면이 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하도록 할 수 있다.

이와 같이 에미터(14)가 관통부(12)의 둘레를 따라 형성됨으로써 에미터(14)는 관통부(12)의 둘레 길이에 해당하는 에미터(14)의 가장자리 전체가 에미터(14)의 전자 방출을 유도하는 게이트 전극(6)과 대향하게 된다. 따라서 전계 방출 표시장치 구동시, 게이트 전극(6)에 대향하는 에미터(14)의 가장자리 전체로부터 전자를 방출하여 전자 방출이 가능한 에미터(14)의 대향 면적을 최대화한다.

이 때, 상기 관통부(12)는 도 4에 도시한 바와 같이 각 화소마다 2개 이상의 복수개로 구비될 수 있으며, 원형 이외에 다각형 등 여러 형상으로 이루어질 수 있다. 모든 경우, 상기 에미터(14)는 관통부(12)의 둘레를 따라 캐소드 전극(10)에 연결 설치되어 게이트 전극(6)과의 대향 면적을 최대화한다.

본 발명에서 상기 에미터(14)는 카본계 물질, 일례로 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 또는 이들의 조합 물질로 이루어지며, 본 실시예에서는 카본 나노튜브를 적용하고 있다.

한편, 후면 기판(2)에 대향하는 전면 기판(4)의 일면에는 투명한 애노드 전극(16)과 더불어 게이트 전극 방향(도면의 Y 방향)을 따라 R, G, B 형광막들(18)이 임의의 간격을 두고 위치하며, 각각의 R, G, B 형광막(18) 사이로 콘트라스트 향상을 위한 블랙 매트릭스막(20)이 위치한다.

더욱이 형광막(18)과 블랙 매트릭스막(20) 위에는 알루미늄 등으로 이루어진 금속 박막층(22)이 위치할 수 있으며, 이 금속 박막층(22)은 전계 방출 표시장치의 내전압 특성과 휘도 향상에 도움을 주는 역할을 한다.

이와 같이 구성되는 전면 기판(4)과 후면 기판(2)은, 캐소드 전극(10)과 형광막(18)이 직교하도록 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 실링 물질에 의해 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전계 방출 표시장치를 구성하게 된다.

상기한 전계 방출 표시장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 외부로부터 게이트 전극(6), 캐소드 전극(10) 및 애노드 전극(16)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는 데, 일례로 게이트 전극(6)에는 수∼수십V의 (+)전압이, 캐소드 전극(10)에는 수∼수십V의 (-)전압이, 그리고 애노드 전극(16)에는 수백∼수천V의 (+)전압이 인가된다.

이로서 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(14) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되는데, 본 실시예에서 에미터(14)는 관통부(12)의 둘레를 따라 형성되어 에미터(14)의 가장자리 전체가 게이트 전극(6)에 대향 배치되므로, 전자 방출이 가능한 에미터(14)의 대향 면적이 최대화되어 전자 방출량이 증가한다.

따라서 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 전자 방출량 증가에 따라 화면의 휘도가 향상되며, 구동 전압을 높이지 않고도 목적하는 고휘도를 용이하게 구현할 수 있다.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

본 실시예에서는 각 화소마다 캐소드 전극(10)을 관통하는 하나 이상의 관통부(24)(도면에서는 일례로 하나의 관통부를 도시하였다)가 형성되어 캐소드 전극(10) 하부의 절연막(8)을 노출시키며, 관통부(24)의 둘레를 따라 전자 방출원인 에미터(14)가 캐소드 전극(10)에 연결 설치된다.

이와 같이 절연막(8)이 게이트 전극(6)을 둘러싸는 구조에서는 표시장치 제작 과정에서 발생할 수 있는 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)간 단락을 미연에 방지하는 효과를 가지며, 표시장치 구동시 절연막(8)을 통해 게이트 전극(6)의 전 계가 에미터(14) 주위에 형성되어 에미터(14)의 전자 방출을 유도한다.

본 실시예에서 에미터는 도 5에 도시한 바와 같이, 관통부(24)의 둘레를 따라 캐소드 전극(10)에 마련된 에미터 수용부(10a)에 형성되어 에미터(14)의 측면이 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하도록 할 수 있으며, 다른 실시예로서 도 7에 도시한 바와 같이, 관통부(24)의 둘레를 따라 캐소드 전극(10) 위에 형성되어 에미터(14)의 아랫면이 캐소드 전극(10)의 윗면과 접촉하도록 할 수 있다.

이로서 상기 에미터(14)는 전술한 실시예와 마찬가지로 관통부(24)의 둘레 길이에 대향하는 에미터(14)의 가장자리 전체가 에미터(14)의 전자 방출을 유도하는 게이트 전극(6)과 대향하게 된다. 그 결과 전계 방출 표시장치 구동시, 게이트 전극(6)에 대향하는 에미터(14)의 가장자리 전체로부터 전자를 방출하여 화면의 휘도를 향상시킨다.

이 때, 상기 관통부(24) 또한 각 화소마다 2개 이상의 복수개로 구비될 수 있으며, 원형 이외에 다각형 등 여러 형상으로 이루어질 수 있다. 모든 경우, 상기 에미터(14)는 도 5 또는 도 7에 도시한 바와 같이 관통부(24)의 둘레를 따라 캐소드 전극(10)에 연결 설치되어 게이트 전극(6)과의 대향 면적을 최대화한다.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이고, 도 9는 도 8에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.

본 실시예에서는 각 화소마다 캐소드 전극(10)을 관통하는 하나 이상의 관통부(26)(도면에서는 일례로 하나의 관통부를 도시하였다)가 형성되어 캐소드 전극(10) 하부의 절연막(8)을 노출시키며, 관통부(26) 내부에 게이트 전극(6)의 전 계를 절연막(8) 상부로 끌어올리는 대향 전극(28)이 위치하고, 대향 전극(28)과 마주하는 관통부(26)의 둘레를 따라 전자 방출원인 에미터(14)가 캐소드 전극(10)에 연결 설치된다.

상기 대향 전극(28)은 절연막(8)에 형성된 비아 홀(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결되며, 게이트 전극(6)에 소정의 구동 전압이 인가되어 에미터(14)와의 사이에 전자 방출을 위한 전계를 형성할 때, 에미터(14) 주위로 게이트 전극(6)의 전계를 인가하여 에미터(14)로부터 양호하게 전자를 방출시키는 역할을 수행한다.

본 실시예에서 에미터(14)는 도 8에 도시한 바와 같이, 관통부(26)의 둘레를 따라 캐소드 전극(10) 위에 형성되어 에미터(14)의 아랫면이 캐소드 전극(10)의 윗면과 접촉하도록 할 수 있으며, 다른 실시예로서 도 10에 도시한 바와 같이 관통부(26)의 둘레를 따라 캐소드 전극(10)에 마련된 에미터 수용부(10a)에 형성되어 에미터(14)의 측면이 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하도록 할 수 있다.

이 때, 대향 전극(28)은 캐소드 전극(10) 및 에미터(14)와 단락이 일어나지 않도록 이들 부재들과 3㎛ 이상의 간격을 유지한다.

이로서 상기 에미터(14)는 관통부(26)의 둘레 길이에 대향하는 에미터(14)의 가장자리 전체가 에미터(14)의 전자 방출을 유도하는 대향 전극(28)과 마주하게 된다. 따라서 본 실시예는 전계 방출 표시장치 구동시, 대향 전극(28)과 마주하는 에미터(14)의 가장자리 전체로부터 전자를 방출하여 전자 방출량을 증가시키고, 화면의 휘도를 향상시킨다.

여기서, 상기 관통부(26)와 대향 전극(28)은 각 화소마다 2개 이상의 복수개로 구비될 수 있으며, 원형 이외에 다각형 등 여러 형상으로 이루어질 수 있다. 모든 경우, 상기 에미터(14)는 도 8 또는 도 10에 도시한 바와 같이 대향 전극(28)과 마주하는 관통부(26)의 둘레를 따라 캐소드 전극(10)에 연결 설치되어 대향 전극(28)과의 대향 면적을 최대화한다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 따르면, 게이트 전극 또는 대향 전극과 마주하는 에미터의 면적을 최대화하여 전자 방출에 기여하는 에미터의 면적을 증가시킨다. 따라서 본 발명은 에미터에서 나오는 전자 방출량을 증가시켜 화면의 휘도를 향상시키며, 구동 전압을 높이지 않고도 목적하는 휘도를 용이하게 구현할 수 있다.

Claims (16)

1. 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1, 2 기판과;

   상기 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과;

   상기 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과;

   상기 절연막 상에 상기 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들과;

   상기 게이트 전극과 캐소드 전극의 교차 영역에서 상기 캐소드 전극과 절연막을 관통하는 관통부와;

   상기 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 연결 설치되어 가장자리 전체가 게이트 전극에 대향하는 에미터와;

   상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극; 및

   상기 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들

   을 포함하는 전계 방출 표시장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 에미터가 관통부의 둘레를 따라 절연막에 마련된 에미터 수용부에 형성되어 에미터의 윗면과 캐소드 전극의 아랫면이 접촉하는 전계 방출 표시장치.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 에미터가 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 마련된 에미터 수용부에 형성되어 에미터의 측면과 캐소드 전극의 측면이 접촉하는 전계 방출 표시장치.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 에미터가 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 관통부와 상기 에미터가 각 화소마다 2개 이상으로 구비되는 전계 방출 표시장치.
6. 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1, 2 기판과;

   상기 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과;

   상기 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과;

   상기 절연막 상에 상기 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되며, 게이트 전극과의 교차 영역에 관통부를 형성하여 절연막을 노출시키는 캐소드 전극들과;

   상기 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와;

   상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극; 및

   상기 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들

   을 포함하는 전계 방출 표시장치.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 에미터가 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 마련된 에미터 수용부에 형성되어 에미터의 측면과 캐소드 전극의 측면이 접촉하는 전계 방출 표시장치.
8. 제 6항에 있어서,

   상기 에미터가 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극 위에 형성되어 에미터의 아랫면과 캐소드 전극이 윗면이 접촉하는 전계 방출 표시장치.
9. 제 6항에 있어서,

   상기 에미터가 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
10. 제 6항에 있어서,

    상기 관통부와 상기 에미터가 각 화소마다 2개 이상으로 구비되는 전계 방출 표시장치.
11. 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1, 2 기판과;

    상기 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과;

    상기 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판의 전면에 형성되는 절연막과;

    상기 절연막 상에 상기 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되며, 게이트 전극과의 교차 영역에 관통부를 형성하는 캐소드 전극들과;

    상기 캐소드 전극과의 임의의 간격을 가지며 상기 관통부 내에 형성되는 대향 전극과;

    상기 대향 전극과 마주하는 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 연결 설치되는 에미터와;

    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극; 및

    상기 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들

    을 포함하는 전계 방출 표시장치.
12. 제 11항에 있어서,

    상기 대향 전극이 절연막에 형성된 비아 홀을 통해 게이트 전극과 접촉하여 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 전계 방출 표시장치.
13. 제 11항에 있어서,

    상기 에미터가 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극에 마련된 에미터 수용부에 형성되어 에미터의 측면과 캐소드 전극의 측면이 접촉하는 전계 방출 표시장치.
14. 제 11항에 있어서,

    상기 에미터가 관통부의 둘레를 따라 캐소드 전극 위에 형성되어 에미터의 아랫면과 캐소드 전극의 윗면이 접촉하는 전계 방출 표시장치.
15. 제 11항에 있어서,

    상기 에미터가 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
16. 제 11항에 있어서,

    상기 관통부와 대향 전극 및 에미터가 각 화소마다 2개 이상으로 구비되는 전계 방출 표시장치.

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