KR100903611B1 - 전계 방출 표시장치 - Google Patents

Abstract

그리드 전극과 애노드 전극의 통전을 유발하지 않으면서 그리드 전극을 전면 기판에 양호하게 지지하는 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서,

전계 방출 표시장치는 제1 기판 상에서 서로 절연 상태로 마련되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과; 캐소드 전극에 위치하는 전자 방출원과; 제2 기판 상에 형성되는 적, 녹, 청 형광막들을 구비하는 형광면과; 형광면의 적어도 어느 일면에 형성되는 애노드 전극과; 애노드 전극으로부터 제2 기판의 가장자리를 향해 연장되는 애노드 입력 단자와; 형광면을 둘러싸도록 제2 기판에 고정되는 지지체에 의해 제2 기판에 지지됨과 아울러 제1, 2 기판 사이에 배치되는 그리드 전극을 포함하며, 그리드 전극의 지지체는 애노드 입력 단자와 대응하는 위치에 절개부를 형성하여 절개부를 통해 애노드 입력 단자와 절연된다.

전계방출, 애노드전극, 형광면, 캐소드전극, 게이트전극, 그리드전극, 지지체, 애노드입력단자

Description

전계 방출 표시장치 {FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 정면도이다.

도 2는 도 1에 도시한 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이다.

도 3은 도 2에 도시한 그리드 전극과 지지체의 분해 사시도이다.

도 4는 도 1의 A-A선 단면도이다.

도 5는 도 1에 도시한 애노드 입력 단자의 다른 구성예를 설명하기 위한 개략도이다.

도 6은 본 발명의 실시예에 대한 첫번째 변형예에 따른 전계 방출 표시장치의 정면도이다.

도 7은 본 발명의 실시예에 대한 첫번째 변형예에 따른 그리드 전극과 지지체의 분해 사시도이다.

도 8은 도 6의 B-B선 단면도이다.

도 9는 본 발명의 실시예에 대한 두번째 변형예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.

도 10은 종래 기술에 의한 전계 방출 표시장치의 정면도이다.

본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자빔의 이동 경로를 제어하는 그리드 전극과, 그리드 전극을 전면 기판에 양호하게 지지하기 위한 지지체를 구비하는 전계 방출 표시장치에 관한 것이다.

통상의 전계 방출 표시장치(FED; field emission display)는 전면 기판과 후면 기판으로 구성되며, 후면 기판의 내면에는 캐소드 전극과 게이트 전극이 절연 상태로 배치되고, 캐소드 전극 상의 소정 위치에 전자 방출원인 에미터가 위치한다. 그리고 전면 기판의 내면에는 형광면과 더불어 형광면에 애노드 전압을 인가하기 위한 애노드 전극이 위치한다.

상기 애노드 전극은 전면 기판과 형광면 사이에 위치하는 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명한 도전막이거나, 형광면 위에 형성되는 알루미늄과 같은 금속 박막일 수 있다. 애노드 전극이 금속 박막으로 이루어지는 경우, 금속 박막의 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 향상시킬 수 있다.

그리고 전면 기판과 후면 기판 사이에는 전자빔 통과공을 형성하는 메쉬 형태의 그리드 전극이 위치한다. 그리드 전극은 전자빔의 이동 경로를 제어하여 색순도를 향상시키고, 캐소드 전극과 애노드 전극 사이의 내전압 특성을 좋게 하는 역할을 한다. 상기 그리드 전극과 관련한 종래 기술로는 일본 특허공개 2000-268704호에 개시된 전계 방출형 표시소자를 들 수 있다.

그러나 상기 그리드 전극은 전계 방출 표시장치의 구조 특성상 통상의 스페이서 또는 글래스 바(glass bar)에 의해 국부적으로 지지되는 형태를 취하게 되는 데, 그 결과 종래의 그리드 전극은 지지력이 취약하여 봉착과 배기 등의 열공정에서 위치 변형이 심하게 일어날 수 있는 문제점이 있다.

따라서 그리드 전극 전체를 전면 기판 또는 후면 기판에 양호하게 지지하기 위한 구조가 요구되지만, 도 10에 도시한 바와 같이 통상의 전계 방출 표시장치에서는 후면 기판(1)의 세 가장자리에 걸쳐 캐소드 입력 패드부(3)와 게이트 입력 패드부(5)가 마련되기 때문에 후면 기판(1)에는 그리드 전극 지지체를 설치할 공간이 없는 실정이다.

그리고 전면 기판(7) 또한 전면 기판(7)의 일측 가장자리에 애노드 입력 단자(9)가 마련되므로, 그리드 전극 지지체를 전면 기판(7)에 설치할 경우, 그리드 전극 지지체가 애노드 입력 단자(9)와 접촉하여 그리드 전극과 애노드 전극이 통전되는 문제를 안고 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 그리드 전극과 애노드 전극의 통전을 유발하지 않으면서 그리드 전극 전체를 전면 기판에 양호하게 지지할 수 있는 지지체를 구비하는 전계 방출 표시장치를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 기판 상에서 서로 절연 상태로 마련되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과, 캐소드 전극에 위치하는 전자 방출원과, 제2 기판 상에 형성되는 적, 녹, 청 형광막들을 구비하는 형광면과, 형광면의 적어도 어느 일면에 형성되는 애노드 전극과, 애노드 전극으로부터 제2 기판의 가장자리를 향해 연장되는 애노드 입력 단자와, 형광면을 둘러싸도록 제2 기판에 고정되는 지지체에 의해 제2 기판에 지지됨과 아울러 제1, 2 기판 사이에 배치되는 그리드 전극을 포함하며, 그리드 전극의 지지체가 애노드 입력 단자와 대응하는 위치에 절개부를 형성하여 절개부를 통해 애노드 입력 단자와 절연되는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

상기 지지체는 그리드 전극의 네 가장자리에 대응하는 한쌍의 장변부와 한쌍의 단변부를 구비하는 금속의 지지체로 이루어지고, 장변부와 단변부 중 어느 한 곳에 상기 절개부가 위치한다. 바람직하게 절개부의 폭은 애노드 입력 단자의 폭보다 크게 이루어지며, 애노드 입력 단자 위에는 절연막이 형성된다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 기판 상에서 서로 절연 상태로 마련되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과, 캐소드 전극에 위치하는 전자 방출원과, 제2 기판 상에 형성되는 적, 녹, 청 형광막들을 구비하는 형광면과, 형광면의 적어도 어느 일면에 형성되는 애노드 전극과, 애노드 전극과 전기적으로 연결되면서 형광면 주위의 비발광 영역에 형성되는 애노드 입력 단자와, 형광면과 애노드 입력 단자를 둘러싸도록 제2 기판에 고정되는 지지체에 의해 제2 기판에 지지되는 그리드 전극과, 제1 기판과 그리드 전극을 관통하여 진공 용기 내부에 장착되고, 일단이 애노드 입력 단자와 접촉하여 애노드 전압을 인가하는 커넥터를 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

상기 지지체가 그리드 전극의 네 가장자리에 대응하는 한쌍의 장변부와 한쌍 의 단변부를 구비하는 금속의 지지체로 이루어지며, 상기 그리드 전극은 커넥터의 직경보다 큰 직경의 홀을 형성하여 이 홀을 통해 커넥터를 관통시킨다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 정면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이다.

도면을 참고하면, 전계 방출 표시장치는 내부 공간부를 갖도록 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판(이하, 편의상 '후면 기판'이라 한다)과 제2 기판(이하, 편의상 '전면 기판'이라 한다)을 포함하며, 후면 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이, 그리고 전면 기판(4)에는 전자에 의해 발광하여 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.

보다 구체적으로, 후면 기판(2) 위에는 게이트 전극들(6)이 후면 기판(2)의 일방향(일례로 도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 게이트 전극들(6)을 덮으면서 후면 기판(2)의 내면 전체에 절연층(8)이 위치한다. 그리고 절연층(8) 위에는 캐소드 전극들(10)이 게이트 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

본 실시예에서 전계 방출 표시장치의 화소 영역을 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 교차 영역으로 정의할 때, 각 화소 영역마다 캐소드 전극(10)의 일측 가장자리에 일종의 홈인 에미터 수용부(10a)가 형성되며, 에미터 수용부(10a)에 전자 방출원인 에미터(12)가 위치한다. 또한 캐소드 전극들(10) 사이에서 각각의 에 미터(12)와 임의의 간격을 두고 게이트 전극(6)의 전계를 절연층(8) 위로 끌어올리는 대향 전극(14)이 위치한다.

상기 대향 전극(14)은 절연층(8)에 형성된 비아 홀(via hole)(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결된다. 이로서 대향 전극(14)은 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(6)에 소정의 구동 전압이 인가되어 에미터(12) 주위로 전자 방출을 위한 전계를 형성할 때에, 에미터(12) 주위에 보다 강한 전계가 인가되도록 하여 에미터(12)로부터 양호하게 전자들을 방출시키는 역할을 한다.

본 발명에서 에미터(12)는 카본계 물질, 가령 카본 나노튜브(CNT; carbon nanotube), 흑연(graphite), 다이아몬드, 다이아몬드상 카본(DLC; diamond liked carbon), C₆₀(fulleren) 또는 이들의 조합으로 이루어지며, 본 실시예에서는 카본 나노튜브를 적용하고 있다.

그리고 후면 기판(2)에 대향하는 전면 기판(4)의 일면에는 애노드 전극으로 기능하는 투명 도전막(16)(일례로 ITO 박막)과 더불어 전면 기판(4)의 일방향, 일례로 게이트 전극 방향(도면의 Y 방향)을 따라 적, 녹, 청 형광막들(18)이 임의의 간격을 두고 위치하고, 각각의 적, 녹, 청 형광막(18) 사이로 콘트라스트 향상을 위한 블랙 매트릭스막(20)이 위치하여 형광면(22)을 구성한다.

또한 형광면(22) 위에는 형광면(22)보다 큰 면적을 갖는 알루미늄 등으로 이루어진 금속 박막층(24)이 위치할 수 있는데, 이 금속 박막층(24)은 메탈 백 효과에 의해 화면의 휘도를 향상시키며, 전계 방출 표시장치의 내전압 특성을 높이는 역할을 한다.

이 때, 전면 기판(4)의 일측에는 형광면(22)으로부터 전면 기판(4)의 가장자리를 향해 연장된 애노드 입력 단자(26)가 형성되는데, 애노드 입력 단자(26)는 일례로 애노드 전극을 구성하는 투명 도전막(16)이 전면 기판(4)의 가장자리를 향해 연장된 구조로 이루어지며, 형광면(22) 위에 금속 박막층(24)이 위치할 때에 금속 박막층(24)이 애노드 입력 단자(26)의 일부를 덮도록 형성된다(도 4 참고).

상기한 전면 기판(4)과 후면 기판(2)은 캐소드 전극(10)과 형광막(18)이 직교하도록 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 프릿(frit)과 같은 밀봉재(28)에 의해 가장자리가 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전계 방출 표시장치를 구성한다.

아울러, 진공 용기 내부에는 다수의 홀(30a)을 갖는 메쉬 형태의 그리드 전극(30)이 위치한다. 이 그리드 전극(30)은 에미터(12)에서 방출된 전자들의 이동 경로를 제어하여 전자들을 집속시키며, 진공 용기 내에서 아킹이 발생한 경우, 그 피해가 후면 기판(2)으로 향하지 않도록 하는 역할을 한다.

여기서, 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 그리드 전극(30) 전체를 전면 기판(4)에 양호하게 지지하는 지지 구조를 구비한다. 도 3은 그리드 전극과 지지체의 분해 사시도이고, 도 4는 도 1의 A-A선 단면도이다.

도면을 참고하면, 상기 지지체(32)는 그리드 전극(30)의 네 가장자리에 대응하는 한쌍의 장변부(32a)와 한쌍의 단변부(32b)로 이루어진 금속의 지지체로서, 전면 기판(4)과 그리드 전극(30)간 사이 간격에 해당하는 높이를 갖는다. 이러한 지 지체(32)는 형광면(22)을 둘러싸도록 형광면(22)과 밀봉재(28) 사이에 고정되고, 애노드 입력 단자(26)와 대응하는 위치에 애노드 입력 단자(26)보다 큰 폭을 갖는 절개부(34)를 형성하여 절개부(34)를 통해 애노드 입력 단자(26)가 지나가도록 한다.

이로서 지지체(32)는 애노드 전극과 통전되는 일 없이 전면 기판(4)에 그리드 전극(30)을 양호하게 지지하는 역할을 한다. 이러한 그리드 전극(30) 구조는 전면 기판(4)에 지지체(32)를 먼저 고정시키고, 그리드 전극(30)에 소정의 인장력 또는 열을 가한 상태에서 그리드 전극(30)을 스폿 용접 또는 레이저 용접 등으로 지지체(32)에 고정시키는 과정을 통해 완성될 수 있다.

또한, 도 5에 도시한 바와 같이 절개부(34)를 지나는 애노드 입력 단자(26) 위에 절연 테이프와 같은 절연막(36)을 형성할 수 있으며, 이 경우 그리드 전극(30)과 애노드 전극 사이의 통전을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.

한편, 전면 기판(4)과 그리드 전극(30) 사이의 비화소 영역에는 다수의 상부 스페이서(38)가 배치되어 전면 기판(4)과 그리드 전극(30) 사이의 간격을 일정하게 유지시키고, 후면 기판(2)과 그리드 전극(30) 사이의 비화소 영역에는 다수의 하부 스페이서(40)가 배치되어 그리드 전극(30)과 후면 기판(2) 사이의 간격을 일정하게 유지시킨다.

참고로, 도 1에서 부호 42는 게이트 전극들(6)에 구동 전압을 인가하는 게이트 입력 패드부를 나타내고, 부호 44는 캐소드 전극들(10)에 구동 전압을 인가하는 캐소드 입력 패드부를 나타낸다.

이와 같이 구성되는 전계 방출 표시장치는 외부로부터 게이트 전극(6), 캐소드 전극(10), 애노드 전극 및 그리드 전극(30)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 게이트 전극(6)에는 수∼수십 볼트의 (+)전압이, 캐소드 전극(10)에는 수∼수십 볼트의 (-)전압이, 애노드 전극에는 수백∼수천 볼트의 (+)전압이, 그리고 그리드 전극(30)에는 수십∼수백 볼트의 (+)전압이 인가된다.

이로서 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 그리드 전극(30)에 인가된 (+)전압이 이끌려 전면 기판(4)으로 향하면서 그리드 전극(30)의 홀(30a)을 통과한 다음, 투명 도전막(16)과 금속 박막층(24)에 인가된 고전압에 이끌려 해당 화소의 형광막(18)에 충돌함으로써 이 형광막(18)을 발광시켜 소정의 이미지를 구현한다.

이 때, 전자들의 이동 경로를 제어하는 그리드 전극(30)은 지지체(32)를 통해 지지력이 강화되어 봉착과 배기 등의 열공정에 의해서도 위치 변형이 일어나지 않는 장점이 있으며, 지지체(32)에 형성된 절개부(34)를 통해 애노드 전극과 양호한 절연 상태를 유지하는 장점을 갖는다.

다음으로는 도 6∼도 9를 참고하여 본 발명의 실시예에 대한 변형예들에 대해 설명한다.

도 6∼도 8은 첫번째 변형예로서, 이 경우는 애노드 입력 단자(26')가 밀봉재(28) 내부, 특히 그리드 전극(30')의 지지체(32') 내부에 한해 형성되며, 후면 기판(2)과 그리드 전극(30)을 관통하면서 진공 용기 내부에 설치되는 커넥터(46)가 애노드 입력 단자(26')와 접촉하여 커넥터(46)를 통해 후면 기판(2)의 외부로부터 애노드 전압(Va)을 인가하는 구조로 이루어진다.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 전면 기판(4)의 내면에는 적, 녹, 청 형광막(18)과 블랙 매트릭스막(20)으로 이루어지는 형광면(22)이 형성되고, 형광면(22) 주위의 비발광 영역에 애노드 입력 단자(26')가 형성된다. 본 변형예에서 애노드 입력 단자(26')는 크롬 박막 또는 흑연층으로 이루어질 수 있으며, 형광면(22) 전체와 애노드 입력 단자(26')의 일부 위로 금속 박막층(24)을 형성하여 금속 박막층(24)이 애노드 전극으로 기능하도록 한다.

그리고 형광면(22)과 애노드 입력 단자(26')를 둘러싸도록 형광면(22)과 밀봉재(28) 사이에 지지체(32')를 고정하고, 지지체(32')에 그리드 전극(30')을 고정하여 그리드 전극(30') 구조를 완성한다. 이 때, 본 변형예에서 지지체(32')는 앞선 실시예와 달리 절개부를 형성하지 않으며, 애노드 입력 단자(26')에 대향하는 그리드 전극(30')에는 커넥터(46) 관통을 위한 홀(30b)이 마련된다.

또한, 애노드 입력 단자(26')에 대향하는 후면 기판(2)에는 후면 기판(2)을 관통하는 임의 직경의 홀(2a)이 형성되고, 도전성의 커넥터(46)가 후면 기판(2)의 홀(2a)과 그리드 전극(30)의 홀(30b)을 통해 진공 용기 내부로 삽입된다. 따라서 커넥터(46)는 일단이 전면 기판(4)의 애노드 입력 단자(26')와 접촉하면서 다른 일단이 후면 기판(2)에 고정된다.

이 때, 그리드 전극(30)은 커넥터(46)와 안정적인 절연 상태를 유지하기 위하여, 커넥터(46)의 직경보다 큰 직경의 홀(30b)을 형성함으로써 커넥터(46)와 일 정 간격을 유지한다.

이와 같이 본 변형예에서는 후면 기판(2)에 고정된 커넥터(46)를 통해 애노드 전압(Va)을 인가하기 때문에, 앞선 실시예와 같이 애노드 입력 단자를 형성하기 위해 전면 기판의 일측을 후면 기판으로 돌출시킬 이유가 없으므로, 유효 화면(여기서는 형광면을 의미한다) 이외의 불필요한 공간을 최소화하는 장점을 갖는다.

한편, 전술한 실시예에서 애노드 전극과 애노드 입력 단자의 구성은 전술한 변형예의 것과 동일하게 이루어질 수 있으며, 전술한 변형예에서 애노드 전극과 애노드 입력 단자의 구성 또한 전술한 실시예의 것과 동일하게 이루어질 수 있다.

도 9는 두번째 변형예로서, 이 경우는 전술한 실시예와 변형예의 구조를 기본으로 하면서 후면 기판(2) 위에 캐소드 전극들(10)이 일방향(일례로 도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(10)을 덮으면서 후면 기판(2)의 내면 전체에 절연층(8)이 위치하며, 절연층(8) 위에는 게이트 전극들(6)이 캐소드 전극(10)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

그리고 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(6)의 교차 영역에는 게이트 전극(6)과 절연층(8)을 관통하는 홀들(6a, 8b)이 형성되어 캐소드 전극(10) 표면을 노출시키며, 노출된 캐소드 전극(10) 표면으로 전자 방출원인 에미터(12)가 위치한다.

상기 구성 또한 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(6)의 전압 차를 이용해 에미터(12)로부터 전자를 방출시키는 과정과, 에미터(12)에서 방출된 전자들이 그리드 전극(30)을 통해 형광막(18)에 도달하여 형광막(18)을 발광시키는 과정이 전술한 실시예의 것과 동일하므로, 여기서는 자세한 설명은 생략한다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 따르면, 그리드 전극과 애노드 전극의 통전을 유발하지 않으면서 그리드 전극 전체를 전면 기판에 양호하게 지지할 수 있다. 따라서 본 발명에 의한 전계 방출 표시장치는 그리드 전극의 지지력을 강화시켜 봉착과 배기 등의 열공정에 일어날 수 있는 그리드 전극의 위치 변형을 방지한다.

Claims (20)

1. 임의의 간격을 두고 대향 배치되며, 밀봉재에 의해 접합되어 진공 용기를 구성하는 제1 및 제2 기판과;

   상기 제1 기판 상에서 절연층에 의해 서로 절연 상태로 마련되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과;

   상기 캐소드 전극에 위치하는 전자 방출원과;

   상기 제2 기판 상에 형성되는 적, 녹, 청 형광막들을 구비하는 형광면과;

   상기 형광면의 적어도 어느 일면에 형성되는 애노드 전극과;

   상기 애노드 전극으로부터 상기 제2 기판의 가장자리를 향해 연장되어 애노드 전극에 애노드 전압을 인가하기 위한 애노드 입력 단자; 및

   상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고, 상기 형광면을 둘러싸도록 제2 기판에 고정되는 지지체에 의해 제2 기판에 지지되는 그리드 전극을 포함하며,

   상기 그리드 전극의 지지체가 상기 애노드 입력 단자와 대응하는 위치에 절개부를 형성하여 절개부를 통해 애노드 입력 단자와 절연되는 전계 방출 표시장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 지지체가 상기 그리드 전극의 네 가장자리에 대응하는 한쌍의 장변부와 한쌍의 단변부를 구비하는 금속의 지지체로 이루어지고, 장변부와 단변부 중 어느 한 곳에 상기 절개부가 위치하는 전계 방출 표시장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 절개부의 폭이 상기 애노드 입력 단자의 폭보다 크게 이루어지는 전계 방출 표시장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 전계 방출 표시장치가, 상기 애노드 입력 단자 위에 형성되는 절연막을 더욱 포함하는 전계 방출 표시장치.
5. 임의의 간격을 두고 대향 배치되며, 밀봉재에 의해 접합되어 진공 용기를 구성하는 제1 및 제2 기판과;

   상기 제1 기판 상에서 절연층에 의해 서로 절연 상태로 마련되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과;

   상기 캐소드 전극에 위치하는 전자 방출원과;

   상기 제2 기판 상에 형성되는 적, 녹, 청 형광막들을 구비하는 형광면과;

   상기 형광면의 적어도 어느 일면에 형성되는 애노드 전극과;

   상기 애노드 전극과 전기적으로 연결되면서 상기 형광면 주위의 비발광 영역에 형성되는 애노드 입력 단자와;

   상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고, 상기 형광면과 애노드 입력 단자를 둘러싸도록 제2 기판에 고정되는 지지체에 의해 제2 기판에 지지되는 그리드 전극; 및

   상기 제1 기판과 그리드 전극을 관통하여 상기 진공 용기 내부에 장착되고, 일단이 상기 애노드 입력 단자와 접촉하여 애노드 전압을 인가하는 커넥터

   를 포함하는 전계 방출 표시장치.
6. 제5항에 있어서,

   상기 지지체가 상기 그리드 전극의 네 가장자리에 대응하는 한쌍의 장변부와 한쌍의 단변부를 구비하는 금속의 지지체로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
7. 제5항에 있어서,

   상기 그리드 전극이 상기 커넥터의 직경보다 큰 직경의 홀을 형성하여 이 홀을 통해 커넥터를 관통시키는 전계 방출 표시장치.
8. 제1항 또는 제5항에 있어서,

   상기 전자 방출원이 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
9. 제1항 또는 제5항에 있어서,

   상기 게이트 전극들이 상기 제1 기판 위에서 제1 기판의 일방향을 따라 형성 되고, 상기 절연층이 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판 전체에 형성되며, 상기 캐소드 전극들이 절연층 위에서 게이트 전극과 직교하는 방향을 따라 형성되는 전계 방출 표시장치.
10. 제9항에 있어서,

    상기 캐소드 전극의 일측 가장자리에 에미터 수용부가 형성되고, 에미터 수용부에 상기 전자 방출원이 위치하는 전계 방출 표시장치.
11. 제9항에 있어서,

    상기 전계 방출 표시장치가, 상기 캐소드 전극들 사이에서 상기 절연층에 형성된 비아 홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하여 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 대향 전극을 더욱 포함하는 전계 방출 표시장치.
12. 제1항 또는 제5항에 있어서,

    상기 캐소드 전극들이 상기 제1 기판 위에서 제1 기판의 일방향을 따라 형성되고, 상기 절연층이 캐소드 전극들을 덮으면서 제1 기판 전체에 형성되며, 상기 게이트 전극들이 절연층 위에서 캐소드 전극과 직교하는 방향을 따라 형성되고, 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역에 게이트 전극과 절연층을 관통하는 홀들이 형성되는 전계 방출 표시장치.
13. 제12항에 있어서,

    상기 홀들에 의해 노출된 캐소드 전극 표면에 상기 전자 방출원이 위치하는 전계 방출 표시장치.
14. 제1항 또는 제5항에 있어서,

    상기 애노드 전극이 상기 제2 기판과 형광면 사이에 위치하는 투명 도전막으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
15. 제14항에 있어서,

    상기 애노드 입력 단자가 상기 투명 도전막이 연장된 것으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
16. 제15항에 있어서,

    상기 전계 방출 표시장치가, 상기 형광면 전체와 상기 애노드 입력 단자의 일부를 덮는 금속 박막층을 더욱 포함하는 전계 방출 표시장치.
17. 제1항 또는 제5항에 있어서,

    상기 애노드 전극이 상기 형광면 위에 형성되는 금속 박막층으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
18. 제17항에 있어서,

    상기 애노드 입력 단자가 상기 형광면과 나란하게 형성되는 크롬 박막 또는 흑연층으로 이루어지고, 상기 금속 박막층이 형광면 전체와 애노드 입력 단자의 일부를 덮으면서 위치하는 전계 방출 표시장치.
19. 제1항 또는 제5항에 있어서,

    상기 그리드 전극이 인장력 또는 열이 가해진 상태에서 상기 지지체에 고정되는 전계 방출 표시장치.
20. 제19항에 있어서,

    상기 그리드 전극이 스폿 용접 또는 레이저 용접으로 상기 지지체에 고정되는 전계 방출 표시장치.

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