KR950021005A - 반도체막 및 반도체막을 이용한 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체막 및 반도체막을 이용한 반도체장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950021005A
KR950021005A KR1019940039279A KR19940039279A KR950021005A KR 950021005 A KR950021005 A KR 950021005A KR 1019940039279 A KR1019940039279 A KR 1019940039279A KR 19940039279 A KR19940039279 A KR 19940039279A KR 950021005 A KR950021005 A KR 950021005A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor film
manufacturing
film
crystalline semiconductor
crystalline
Prior art date
Application number
KR1019940039279A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0156020B1 (ko
Inventor
다카시 후나이
나오키 마키타
요시타카 야마모토
다쯔오 모리타
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP5331626A external-priority patent/JP3041177B2/ja
Priority claimed from JP06144967A external-priority patent/JP3090847B2/ja
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Publication of KR950021005A publication Critical patent/KR950021005A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0156020B1 publication Critical patent/KR0156020B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02672—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using crystallisation enhancing elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/016—Catalyst

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체막과 이 반도체막을 구비한 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로 특히, 액티브매트릭스형 액정표시장치나 이미지센서 등에 이용되는 반도체막과 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 상기 반도체막의 제조방법은;(a)표면이 절연성을 띠는 기판상에 비정질반도체 막을 형성하는 공정;(b)상기 비정질반도체 막의 결정화를 조장하는 물질을 상기 비정질반도체 막의 적어도 일부분에 도입하는 공정;(c)상기 비정질반도체 막을 가열에 의해 결정화하여, 비정질반도체 막으로 부터 결정성반도체 막을 얻는 공정; 및 (d)상기 결정성반도체 막의 표면을 산화시켜, 결정성반도체 막의 표면에 결정화를 조장하는 물질의 일부를 함유한 반도체산화막을 형성하는 공정;으로 구성된다.

Description

반도체막 및 반도체막을 이용한 반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 실시예 1의 TFT 제조방법을 예시한 단면도.
제17a-17d도는 본 발명의 실시예 2의 반도체막 제조방법을 예시한 단면도.

Claims (31)

  1. (a)표면이 절연성을 띠는 기판상에 비정질반도체 막을 형성하는 공정; (b)상기 비정질반도체 막의 결정화를 조장하는 물질을 상기 비정질반도체 막의 적어도 일부분에 도입하는 공정; (c)상기 비정질반도체 막을 가열에 의해 결정화하여, 비정질반도체 막으로 부터 결정성반도체 막을 얻는 공정; 및 (d)상기 결정성반도체 막의 표면을 산화시켜, 결정성반도체 막의 표면에 결정화를 조장하는 물질의 일부를 함유한 반도체산화막을 형성하는 공정;을 포함하는 반도체막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정(d)후에 상기 결정성반도체 막에 고에너지광을 조사하는 공정(e)를 더 포함하는 반도체막의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체산화막을 제거하는 공정을 더 포함하는 반도체 막의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 공정들(d)및(e)중의 하나 이후에 상기 반도체산화막을 제거하는 공정을 더 포함하는 반도체막의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 공정(b)도중에, 상기 비정질반도체 막의 결정화를 조장하는 상기 물질을 표면 전체로 부터 비정질반도체 막에 도입하는 반도체막의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 결정성반도체 막의 결정성장방향이 상기 기판에 대해 실질적으로 평행한 반도체막의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 공정(d)도중에, 적어도 산소나 수증기를 함유한 분위기에서 상기 결정성반도체 막을 가열하는 반도체막의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 분위기가 질산개스, 할로겐 및 할로겐화 수소로 이루어진 군으로 부터 선택된 것을 더 함유하는 반도체막의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 결정성반도체 막이 상기 분위기중에서 650℃ 이하의 온도로 가열되는 반도체막의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 분위기가 25 atm 정도의 압력으로 유지되는 반도체막의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 분위기가 플라즈마 상태에 있는 반도체막의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 결정성반도체 막이 UV 선으로 더 조사되는 반도체막의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 공정(d)도중에, 황산 이온, 질산 이온, 아질산 이온, 과망간산 이온, 크롬산 이온, 염소 이온 및 차아염소산 이온으로 구성된 군으로 부터 선택된 이온들을 함유한 용액에 상기 결정성반도체막을 담그는 반도체막의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 결정화 조장물질이 Ni, Co, Pd, Pt, Fe, Cu, Ag, Au, In, Sn, P, As, Sb로 구성된 군으로 부터 선택된 것을 포함하는 반도체막의 제조방법.
  15. (a)표면이 절연성을 띠는 기판상에 비정질반도체 막을 형성하는 공정; (b)상기 비정질반도체 막의 결정화를 조장하는 물질을 상기 비정질반도체 막의 적어도 일부분에 도입하는 공정;(c)상기 비정질반도체 막을 가열에 의해 결정화하여, 비정질반도체 막으로 부터 결정성반도체 막을 얻는 공정; (d)상기 결정성반도체 막의 표면을 산화시켜, 결정성반도체 막의 표면에 결정화를 조장하는 물질의 일부를 함유한 반도체산화막을 형성하는 공정;및 (e)상기 결정성반도체 막중에 반도체소자영역을 배치하는 공정;을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 공정(d)와(e)사이에 상기 결정성반도체 막에 고에너지광을 조사하는 공정(f)를 더 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 공정(d)이후에 상기 반도체산화막을 제거하는 공정을 더 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 공정들(d) 및(f) 중의 하나 이후에 상기 반도체산화막을 제거하는 공정을 더 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 결정성반도체 막의 결정성장방향이 상기 기판에 대해 실질적으로 평행한 반도체장치의 제조방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 반도체소자영역에 있어서, 상기 결정성반도체 막의 캐리어 이동방향이 결정성반도체 막의 결정성장방향에 실질적으로 평행한 반도체장치의 제조방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 반도체소자영역에 있어서, 상기 결정성반도체 막의 캐리어 이동방향이 결정성 반도체 막의 결정성장방향에 실질적으로 수직인 반도체장치의 제조방법.
  22. 제15항에 있어서, 상기 반도체소자영역내에 채널이 있고, 상기 채널은 적어도 상기 결정성반도체 막의 상기 일부분 이외의 영역에 배치되는 반도체장치의 제조 방법.
  23. 제15항에 있어서, 상기 공정(b)도중에, 상기 비정질반도체 막의 결정화를 조장하는 상기 물질을 표면 전체로 부터 비정질반도체 막에 도입하는 반도체장치의 제조방법.
  24. 제15항에 있어서, 상기 공정(d)도중에, 적어도 산소나 수증기를 함유한 분위기에서 상기 결정성반도체 막을 가열하는 반도체장치의 제조방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 분위기가 질산개스, 할로겐 및 할로겐화 수소로 이루어진 군으로 부터 선택된 것을함유하는 반도체장치의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 결정성반도체 막이 상기 분위기중에서 650℃ 이하의 온도로 가열되는 반도체장치의 제조방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 분위기가 25 atm 정도의 압력으로 유지되는 반도체징치의 제조방법.
  28. 제24항에 있어서, 상기 분위기가 플라즈마 상태에 있는 반도체막의 제조방법.
  29. 제24항에 있어서, 상기 결정성반도체 막이 UV 선으로 더 조사되는 반도체장치의 제조방법.
  30. 제15항에 있어서, 상기 공정(d)도중에, 황산 이온, 질산 이온, 아질산 이온, 과망간산 이온, 크롬산 이온, 염소 이온 및 차아염소산 이온으로 구성된 군으로 부터 선택된 이온들을 함유한 용액에 상기 결정성반도체막을 담그는 반도체장치의 제조 방법.
  31. 제15항에 있어서, 상기 결정화 조장물질이 Ni, Co, Pd, Pt, Fe, Cu, Ag, Au, In, Sn, P, As, Sb로 구성된 군으로 부터 선택된 것을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940039279A 1993-12-27 1994-12-27 반도체막 및 반도체막을 이용한 반도체장치의 제조방법 KR0156020B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5331626A JP3041177B2 (ja) 1993-12-27 1993-12-27 半導体装置の製造方法
JP93-331626 1993-12-27
JP94-144967 1994-06-27
JP06144967A JP3090847B2 (ja) 1994-06-27 1994-06-27 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021005A true KR950021005A (ko) 1995-07-26
KR0156020B1 KR0156020B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=26476238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940039279A KR0156020B1 (ko) 1993-12-27 1994-12-27 반도체막 및 반도체막을 이용한 반도체장치의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5550070A (ko)
KR (1) KR0156020B1 (ko)
CN (1) CN1045688C (ko)
TW (1) TW279275B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100392120B1 (ko) * 1999-02-09 2003-07-22 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 다결정 실리콘 막의 형성 방법

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3562588B2 (ja) * 1993-02-15 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
US6413805B1 (en) 1993-03-12 2002-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device forming method
US6713330B1 (en) 1993-06-22 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor
US5488000A (en) 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
US5529937A (en) * 1993-07-27 1996-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating thin film transistor
US5985704A (en) * 1993-07-27 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
CN100358095C (zh) 1993-12-02 2007-12-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
US6798023B1 (en) 1993-12-02 2004-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising first insulating film, second insulating film comprising organic resin on the first insulating film, and pixel electrode over the second insulating film
US6162667A (en) * 1994-03-28 2000-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabricating thin film transistors
TW273639B (en) * 1994-07-01 1996-04-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk Method for producing semiconductor device
JPH0869967A (ja) * 1994-08-26 1996-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US5915174A (en) 1994-09-30 1999-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same
US6337229B1 (en) * 1994-12-16 2002-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making crystal silicon semiconductor and thin film transistor
JP3138169B2 (ja) * 1995-03-13 2001-02-26 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US5834327A (en) * 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
JP3306258B2 (ja) * 1995-03-27 2002-07-24 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
KR100265179B1 (ko) * 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
US6933182B1 (en) * 1995-04-20 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and manufacturing system thereof
US6337109B1 (en) * 1995-06-07 2002-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of producing crystalline semiconductor
JP4056571B2 (ja) 1995-08-02 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3295679B2 (ja) * 1995-08-04 2002-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6444506B1 (en) * 1995-10-25 2002-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing silicon thin film devices using laser annealing in a hydrogen mixture gas followed by nitride formation
TW319912B (ko) * 1995-12-15 1997-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6478263B1 (en) 1997-01-17 2002-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
US5985740A (en) 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
JP3645380B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置
JP3645378B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645379B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5888858A (en) 1996-01-20 1999-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6180439B1 (en) * 1996-01-26 2001-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device
US7056381B1 (en) 1996-01-26 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication method of semiconductor device
US6465287B1 (en) * 1996-01-27 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization
US6063654A (en) * 1996-02-20 2000-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor involving laser treatment
TW374196B (en) * 1996-02-23 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
TW317643B (ko) * 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW335503B (en) * 1996-02-23 1998-07-01 Semiconductor Energy Lab Kk Semiconductor thin film and manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method
US6100562A (en) 1996-03-17 2000-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6146928A (en) * 1996-06-06 2000-11-14 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing thin film transistor, liquid crystal display and electronic device both produced by the method
TW451284B (en) * 1996-10-15 2001-08-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4086925B2 (ja) * 1996-12-27 2008-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクスディスプレイ
JPH10198292A (ja) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JPH10200114A (ja) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜回路
JP3983334B2 (ja) * 1997-02-20 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6069053A (en) * 1997-02-28 2000-05-30 Micron Technology, Inc. Formation of conductive rugged silicon
US5937314A (en) * 1997-02-28 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Diffusion-enhanced crystallization of amorphous materials to improve surface roughness
JPH10282414A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Canon Inc ズームレンズ
US5937272A (en) * 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
JP3844561B2 (ja) * 1997-06-10 2006-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6326226B1 (en) 1997-07-15 2001-12-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method of crystallizing an amorphous film
JP3844566B2 (ja) * 1997-07-30 2006-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6199533B1 (en) * 1999-02-01 2001-03-13 Cummins Engine Company, Inc. Pilot valve controlled three-way fuel injection control valve assembly
US7166500B2 (en) * 1997-10-21 2007-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4068219B2 (ja) * 1997-10-21 2008-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6686623B2 (en) 1997-11-18 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile memory and electronic apparatus
US6025240A (en) * 1997-12-18 2000-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for using a spacer to offset implant damage and reduce lateral diffusion in flash memory devices
US6015736A (en) * 1997-12-19 2000-01-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for gate stack reoxidation control
KR100340124B1 (ko) 1998-02-10 2003-01-29 주승기 박막트랜지스터 제조방법
US6444390B1 (en) * 1998-02-18 2002-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for producing semiconductor thin film devices using group 14 element and high temperature oxidizing treatment to achieve a crystalline silicon film
US6312979B1 (en) 1998-04-28 2001-11-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of crystallizing an amorphous silicon layer
JP2000012864A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
KR100325066B1 (ko) * 1998-06-30 2002-08-14 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막트랜지스터의제조방법
US6524662B2 (en) * 1998-07-10 2003-02-25 Jin Jang Method of crystallizing amorphous silicon layer and crystallizing apparatus thereof
US6271101B1 (en) 1998-07-29 2001-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device
JP2000058839A (ja) 1998-08-05 2000-02-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
US6784034B1 (en) 1998-10-13 2004-08-31 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating a thin film transistor
US6558986B1 (en) 1998-09-03 2003-05-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Method of crystallizing amorphous silicon thin film and method of fabricating polysilicon thin film transistor using the crystallization method
JP4476390B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100317641B1 (ko) 1999-05-21 2001-12-22 구본준, 론 위라하디락사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US7023021B2 (en) 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6916693B2 (en) * 2000-03-08 2005-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7098084B2 (en) 2000-03-08 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
US6746901B2 (en) * 2000-05-12 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating thereof
US7045444B2 (en) * 2000-12-19 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device that includes selectively adding a noble gas element
US6858480B2 (en) 2001-01-18 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TW586141B (en) 2001-01-19 2004-05-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7115453B2 (en) 2001-01-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2002231627A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
US7141822B2 (en) 2001-02-09 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4993810B2 (ja) * 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6830994B2 (en) * 2001-03-09 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having a crystallized semiconductor film
JP4718700B2 (ja) 2001-03-16 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7052943B2 (en) * 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6812081B2 (en) 2001-03-26 2004-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co.,.Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR100426380B1 (ko) * 2001-03-30 2004-04-08 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조 방법
JP2003273016A (ja) * 2002-01-11 2003-09-26 Sharp Corp 半導体膜およびその形成方法、並びに、その半導体膜を用いた半導体装置、ディスプレイ装置。
KR100514179B1 (ko) * 2002-11-19 2005-09-13 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 사용하는 유기 전계 발광 소자
JP2003303770A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR100930362B1 (ko) 2002-11-04 2009-12-08 엘지디스플레이 주식회사 다결정 실리콘막 형성방법과 이를 포함한박막트랜지스터의 제조방법
US7374976B2 (en) 2002-11-22 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor
TW578310B (en) * 2003-04-02 2004-03-01 Au Optronics Corp Low temperature poly silicon thin film transistor and method of forming poly silicon layer of the same
US7250720B2 (en) * 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR100519948B1 (ko) * 2003-05-20 2005-10-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 비정질 실리콘의 결정화 공정 및 이를 이용한 스위칭 소자
JP4350465B2 (ja) * 2003-09-05 2009-10-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US7045771B2 (en) * 2004-03-16 2006-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light beam scanning apparatus and image forming apparatus
KR100685391B1 (ko) * 2004-05-18 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터와 그의 제조방법 및 박막 트랜지스터를포함하는 평판 표시 장치
TWI260702B (en) * 2004-12-10 2006-08-21 Au Optronics Corp Method of selective laser crystallization and display panel fabricated by using the same
US20060228492A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 Sumco Corporation Method for manufacturing SIMOX wafer
US20070026588A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Te-Hua Teng Method of fabricating a thin film transistor
FR2895419B1 (fr) * 2005-12-27 2008-02-22 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation simplifiee d'une structure epitaxiee
KR101274697B1 (ko) * 2006-12-08 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 실리콘 결정화 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터제조방법
KR20080065460A (ko) * 2007-01-09 2008-07-14 엘지전자 주식회사 수평 금속 유도 결정화를 이용한 저온 다결정 실리콘광기전력 변환소자의 제조방법
JP2010073551A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 Nippon Electric Glass Co Ltd 色素増感型太陽電池用基板および色素増感型太陽電池用酸化物半導体電極
JP2011077504A (ja) * 2009-09-02 2011-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
KR20140039863A (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 삼성디스플레이 주식회사 다결정 규소막 형성 방법, 다결정 규소막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 표시 장치
CN103904125A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜晶体管
JP2019207973A (ja) 2018-05-30 2019-12-05 東芝メモリ株式会社 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62122172A (ja) * 1985-11-21 1987-06-03 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH03290924A (ja) * 1990-03-22 1991-12-20 Ricoh Co Ltd 結晶性シリコン膜の製造方法および結晶性シリコン半導体の製造方法
US5147826A (en) * 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
US5112764A (en) * 1990-09-04 1992-05-12 North American Philips Corporation Method for the fabrication of low leakage polysilicon thin film transistors
JPH07118522B2 (ja) * 1990-10-24 1995-12-18 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 基板表面を酸化処理するための方法及び半導体の構造
JP3153911B2 (ja) * 1990-10-30 2001-04-09 ソニー株式会社 半導体装置の製法
JPH0555142A (ja) * 1991-08-22 1993-03-05 Sony Corp 非晶質半導体層の結晶化方法
JPH05136048A (ja) * 1991-11-13 1993-06-01 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
TW226478B (en) * 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP3662263B2 (ja) * 1993-02-15 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5275851A (en) * 1993-03-03 1994-01-04 The Penn State Research Foundation Low temperature crystallization and patterning of amorphous silicon films on electrically insulating substrates
JP3107941B2 (ja) * 1993-03-05 2000-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよびその作製方法
JP3359689B2 (ja) * 1993-03-12 2002-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路およびその作製方法
JP3193803B2 (ja) * 1993-03-12 2001-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100392120B1 (ko) * 1999-02-09 2003-07-22 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 다결정 실리콘 막의 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0156020B1 (ko) 1998-12-01
CN1045688C (zh) 1999-10-13
CN1109213A (zh) 1995-09-27
TW279275B (ko) 1996-06-21
US5550070A (en) 1996-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950021005A (ko) 반도체막 및 반도체막을 이용한 반도체장치의 제조방법
KR100287486B1 (ko) 반도체장치 제작방법 및 제작장치
US6316789B1 (en) Semiconductor device and method for producing the same
US5882960A (en) Method of preparing a semiconductor having a controlled crystal orientation
JP4083821B2 (ja) 半導体装置の作製方法
US5895933A (en) Semiconductor device and method for its preparation
EP1119053B1 (en) Method for fabricating TFT semiconductor device
US5893990A (en) Laser processing method
US6168980B1 (en) Semiconductor device and method for forming the same
US4409260A (en) Process for low-temperature surface layer oxidation of a semiconductor substrate
US5929527A (en) Electronic device
KR970060392A (ko) 반도체 박막 제작방법
US6337229B1 (en) Method of making crystal silicon semiconductor and thin film transistor
GB1563270A (en) Methods of forming oxide layers on semiconductor substrates
JP3041177B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20060019473A1 (en) Method of crystallizing amorphous Si film
KR100348780B1 (ko) 실리콘박막을결정화하는방법
KR101992480B1 (ko) 저온 용액공정을 이용한 산화물 반도체의 제조방법 및 산화물 반도체
FR2371777A1 (fr) Procede de fabrication d'une barriere de diffusion en nitrure de silicium sur un substrat de semiconducteur, en particulier du type iii-v
US6536237B1 (en) Laser annealing system
KR100284240B1 (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
JP3894969B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP3897836B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP4144907B2 (ja) 半導体装置の作製方法
KR20010008453A (ko) 반도체장치 제작방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110617

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee