KR950002019A - 기생 캐패시터의 영향을 감소시킬 수 있는 반도체 회로 소자 - Google Patents

기생 캐패시터의 영향을 감소시킬 수 있는 반도체 회로 소자 Download PDF

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Abstract

반도체 기판 위에 형성되고 제1, 제 2 입력 단자부를 포함하는 차동증폭기 회로 반도체 기판위에 형성되어 있으며 제1, 제 2 입력단자부 중의 하나에 연결된 회로 요소를 포함하는 반도체 회로 소자에 있어서, 의사회로 요소는 의사 회로 요소와 반도체 기판 사이에서 회로 요소와 반도체 기판 사이에 형성된 기생 패캐시터와 등가인 의사 기생 캐패시터를 형성하기 위해 회로 요소가 인접하도록 반도체 기판 위에 형성되어 있다. 의사 회로 요소는 제1, 제 2 입력 단자부 중의 다른 하나에 연결되어 있다.

Description

기생 캐패시터의 영향을 감소시킬 수 있는 반도체 회로 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 7 도는 본 발명의 첫번째 실시예에 의해서 기준 전압 발생 회로에 포함된 제1, 제 2 저항기를 형성하기 위한 방법을 묘사하는 평면도.

Claims (8)

  1. 반도체 기판과 상기 반도체 기판 위에 형성되어 있고 제1, 제 2 입력 단자부, 및 출력단자부를 포함하는 차동증폭기 회로로 구성되어 있고, 상기 차동 증폭기 회로는 제 1 입력 단자부에 연결된 제 1 저항기를 통해 입력 신호를 공급받고 상기 출력 단자부를 통해 출력 신호를 발생하며, 상기 제 2 입력 단자부와 상기 출력단자부 사이에 연결된 제 2 저항기를 통하여 상기 출력 신호를 공급받으며, 상기 반도체 기판과 상기 제 1 저항기 사이에 형성된 제 1 기생 캐패시터와 상기 반도체 기판과 상기 제 2 저항기 사이에 형성된 제 2 기생 캐패시터를 가지고 있는 반도체 회로 소자에 있어서, 각각의 상기 제1, 제 2 저항기를 배선 패턴에 의해 만들어지고 상기 제1, 제 2 기생 캐패시터가 서로 등가가 되도록 상기 반도체 기판위에 형성된 배선층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판이 상기 제1, 제 2 저항기 밑에서 형성된 확산층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 다른 배선 패턴이 상기 배선층 위에 형성되고, 상기 다른 배선 패턴과 제1, 제 2 저항기 사이에 형성된 도전막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 소자.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 확산층과 상기 도전막은 제 1 접촉구를 통해서 연결되고, 상기 도전막과 상기 다른 배선 패턴은 제 2 접촉구를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 소자.
  5. 반도체 기판과 상기 반도체 기판위에 형성되고 제1, 제 2 입력 단자부를 포함하는 차동증폭기 회로, 상기 반도체 기판위에 형성되고 상기 제1, 제 2 입력 단자부 중의 하나에 연결되어 있는 회로 요소를 포함하고, 상기 회로 요소와 반도체 기판 사이에 형성된 제 1 기생 캐패시터가 있는 반도체 회로 소자에 있어서, 상기 반도체 회로 소자는 의사 회로 소자와 상기 반도체 기판 사이에 상기 제 1 기생 캐패시터와 등가인 제 2 기생캐패시터를 형성하기 위해서 상기 회로 요소에 인접되도록 상기 반도체 기판위에 형성된 의사 회로 요소를 더 포함하고 상기 의사 요소는 상기 제1, 제 2 입력 단자부중 다른 하나에 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 회로 소자.
  6. 제 5 항에 있어서 상기 회로 요소가 선정된 단면형과 선정된 평면형을 가지고 있고, 상기 의사 회로 요소가 상기 선정된 단면형과 상기 선정된 평면형 각각과 유사한 규정된 단면형과 규정된 평면형을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 소자.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 회로 요소가 저항기, 캐패시터와 트랜지스터 중의 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 회로 소자.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 회로 요소가 상기 저항기이고, 상기 저항기가 확산층에 의해 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 회로 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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