JPS59185432A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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- JPS59185432A JPS59185432A JP58059816A JP5981683A JPS59185432A JP S59185432 A JPS59185432 A JP S59185432A JP 58059816 A JP58059816 A JP 58059816A JP 5981683 A JP5981683 A JP 5981683A JP S59185432 A JPS59185432 A JP S59185432A
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- photodiode
- noise
- capacitor
- receiving circuit
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Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
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- Optical Communication System (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバイアス電圧に混入して受信信号に悪影響を及
ぼす雑音をキャンセルあるいは低減することができる光
受信回路に関する。
ぼす雑音をキャンセルあるいは低減することができる光
受信回路に関する。
第１図は従来の受光回路を示す図である。１は受光用フ
ォトダイオード、２は差動増幅器、６はノイズフィルタ
である。受光用フォトダイオード１を動作させるために
バイアス電圧ｖｂを印加することが必要であるが、実際
に受光用フォトダイオード１を動作させると第１図（ａ
）に例示するような波形の雑音がバイアス電圧Ｖｂに重
畳してしまうことが多い。この雑音はフォトダイオード
１の有する６ｐＦ 程歴の容量成分Ｃｔを通して差動増
幅器２の入力端に現われ、受信光信号と共に差動増幅器
２により増幅されて出力されるので、フォトダイオード
１の受信した光信号の検波に悪い影響を与える。この容
量成分Ｃ５を介して流れる雑音電流は、例えば雑音電圧
が１０ｍＶでフォトダイオードの寄生容量Ｃｔが３ｐＦ
の場合には約１．８μＡとなる。通常、受信信号電流が
光入力１μＷの時に０．６μＡであることを考えると、
この雑音電流は信号電流に比べて非常に大きな値でおる
ことがわかる。このため、従来の受光回路は雑音の混入
を防止するために第１図（ｂ）に例示するバイアス回路
用ノイズフィルタ６を介してバイアス電圧ｖ５を印加す
る必要があった。
ォトダイオード、２は差動増幅器、６はノイズフィルタ
である。受光用フォトダイオード１を動作させるために
バイアス電圧ｖｂを印加することが必要であるが、実際
に受光用フォトダイオード１を動作させると第１図（ａ
）に例示するような波形の雑音がバイアス電圧Ｖｂに重
畳してしまうことが多い。この雑音はフォトダイオード
１の有する６ｐＦ 程歴の容量成分Ｃｔを通して差動増
幅器２の入力端に現われ、受信光信号と共に差動増幅器
２により増幅されて出力されるので、フォトダイオード
１の受信した光信号の検波に悪い影響を与える。この容
量成分Ｃ５を介して流れる雑音電流は、例えば雑音電圧
が１０ｍＶでフォトダイオードの寄生容量Ｃｔが３ｐＦ
の場合には約１．８μＡとなる。通常、受信信号電流が
光入力１μＷの時に０．６μＡであることを考えると、
この雑音電流は信号電流に比べて非常に大きな値でおる
ことがわかる。このため、従来の受光回路は雑音の混入
を防止するために第１図（ｂ）に例示するバイアス回路
用ノイズフィルタ６を介してバイアス電圧ｖ５を印加す
る必要があった。
本発明の目的は、バイアス電圧に混入しフォトダイオー
ドの寄生容量を介して光受信回路に侵入する雑音をキャ
ンセルしあるいは低減できる光受信回路を提供すること
である。
ドの寄生容量を介して光受信回路に侵入する雑音をキャ
ンセルしあるいは低減できる光受信回路を提供すること
である。
以下に図面を参照して本発明について詳細に説明する。
第２図は本発明の光受信回路の実施例を示す図であるっ
この実施例では、フォトダイオード１の容量成分Ｃｔと
はソ等価な容量のコンデンサＣ□がフォトダイオード１
に並列に設けられ差動増幅器２の逆相入力に接続されて
いる。これによって、バイアス電圧Ｖｂ に混入した雑
音は、フォトダイオード１の容量成分Ｃｔを介して差動
増幅器２の１方の入力端に導かれるが同時にコンデンサ
Ｃ工により差動増幅器２の他方の入力端にも導かれる。
この実施例では、フォトダイオード１の容量成分Ｃｔと
はソ等価な容量のコンデンサＣ□がフォトダイオード１
に並列に設けられ差動増幅器２の逆相入力に接続されて
いる。これによって、バイアス電圧Ｖｂ に混入した雑
音は、フォトダイオード１の容量成分Ｃｔを介して差動
増幅器２の１方の入力端に導かれるが同時にコンデンサ
Ｃ工により差動増幅器２の他方の入力端にも導かれる。
従って、差動増幅器２の同相入力除去比ＣＭＲＲが完全
でありかつコンデンサＣ□の容量もフォトダイオードの
容量成分Ｃ０に等しければ、バイアス電圧■５に重畳し
た雑音は完全にキャンセルすることができ、差動増幅器
２から出力されない。実際には、差動増幅器２の同相入
力除去比ＣＭＲＲは直流領域では８０ｄＢ程度あるが、
高周波領域では劣化し１０ＭＨｚでは２０ｄＢ程度にな
ってしまうことが多い。しかし高周波領域でも雑音は２
０ ｄＢつまり ”／１ｏ のレベルに低減させること
ができ、前述の雑音電流１．８μＡを０１８μＡに低減
させることができる。
でありかつコンデンサＣ□の容量もフォトダイオードの
容量成分Ｃ０に等しければ、バイアス電圧■５に重畳し
た雑音は完全にキャンセルすることができ、差動増幅器
２から出力されない。実際には、差動増幅器２の同相入
力除去比ＣＭＲＲは直流領域では８０ｄＢ程度あるが、
高周波領域では劣化し１０ＭＨｚでは２０ｄＢ程度にな
ってしまうことが多い。しかし高周波領域でも雑音は２
０ ｄＢつまり ”／１ｏ のレベルに低減させること
ができ、前述の雑音電流１．８μＡを０１８μＡに低減
させることができる。
このように、本発明は雑音電流を著しく低減させること
ができるので受信感匿を大きく向上させることができる
。つま９、信号を受信するには雑音電圧より十分大きい
信号電圧が必要であるが、本発明の光受信回路では必要
な信号電圧の値を１桁下０ることができるＯこれはと９
もなおさず受信感度を１桁向上させることができること
を意味する。例えば、負荷抵抗を５０にΩとすると前述
の雑音電流が１．８μＡの場合には雑音電圧は従来の受
光回路においては９０ｍＶであるが本発明の光受信回路
では９ｍＶに減少する。
ができるので受信感匿を大きく向上させることができる
。つま９、信号を受信するには雑音電圧より十分大きい
信号電圧が必要であるが、本発明の光受信回路では必要
な信号電圧の値を１桁下０ることができるＯこれはと９
もなおさず受信感度を１桁向上させることができること
を意味する。例えば、負荷抵抗を５０にΩとすると前述
の雑音電流が１．８μＡの場合には雑音電圧は従来の受
光回路においては９０ｍＶであるが本発明の光受信回路
では９ｍＶに減少する。
第６図は本発明の光受信回路の別の実施例を示す図であ
る。この実施例では主増幅器として差動増幅器２の代わ
りにコンパレータ４が使用されている。この実施例にお
いてもフォトダイオード１の入力端の逆相にコンデンサ
Ｃ□を接続することによりバイアス電圧ｖ５に混入した
雑音をキャンセルあるいは低減させることができる。
る。この実施例では主増幅器として差動増幅器２の代わ
りにコンパレータ４が使用されている。この実施例にお
いてもフォトダイオード１の入力端の逆相にコンデンサ
Ｃ□を接続することによりバイアス電圧ｖ５に混入した
雑音をキャンセルあるいは低減させることができる。
第４図は本発明の光受信回路の更に別の実施例を示す図
である。この実施例では、実際には光信号を受信しない
ようにされているダミーフォトダイオード１′ がフォ
トダイオード１に並列に設けられている。このダミーフ
ォトダイオード１′ がフォトダイオード１と同一の特
性を有していればその寄生ｇｔも同じでみるから、バイ
アス電圧ｖｂに混入した雑音を完全にキャンセルするこ
とができ、第２図及び第６図に示したコンデンサＣ１を
用いた方式よりも良好な出力特性が得られる。しかし、
コスト、実装スペース等の実用性の観点からはコンデン
サＣ□ を用いる方式が有利である。
である。この実施例では、実際には光信号を受信しない
ようにされているダミーフォトダイオード１′ がフォ
トダイオード１に並列に設けられている。このダミーフ
ォトダイオード１′ がフォトダイオード１と同一の特
性を有していればその寄生ｇｔも同じでみるから、バイ
アス電圧ｖｂに混入した雑音を完全にキャンセルするこ
とができ、第２図及び第６図に示したコンデンサＣ１を
用いた方式よりも良好な出力特性が得られる。しかし、
コスト、実装スペース等の実用性の観点からはコンデン
サＣ□ を用いる方式が有利である。
本発明の効果は、光受信回路においてバイアス電圧に重
畳した雑音をキャンセルあるいは低減できることが挙げ
られる。
畳した雑音をキャンセルあるいは低減できることが挙げ
られる。
第１図は従来の受光回路を示す図、第２図ないし第４図
はそれぞれ本発明の光受信回路の実施例を示す図である
。 １：受光用フォトダイオード １′：ダミーフォトダイオード ２：差動増幅器６：ノ
イズフィルタ ４：コンパレータＣ□：コンデ
ンサ Ｒ□：抵抗特許出願人 住友電気工
業株式会社 （外４名） ＃／図 （０） ｒ−−−’１ 襄４図 手続補正書 昭和３年メ７カβ日 特許庁長官 若杉゛和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第５９８１６ 号２、発明の名称 光受信回路 ６補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 （２１３）住友電気工業株式会社４代理人 ５補正の対象 明細書の〔特許請求の範囲〕の欄 （別紙） 〔特許請求の範囲〕を一ト記の通りに抽圧する。 「（１）光（、ｊ列を受信し電気信月に変換するフォト
ダイオードゝと、該）第１・ダイオードからの信号を１
方の入力端、に受信し増幅する〕、、増幅器と、Ａ′ｌ
Ｊ記主増１！＋！ 器の１Ｗ力の入力端へ接続され、前
記フォトダイオードの寄生容量を介して電源から混入す
る雑音を打消す容；け手段とから成ることを％徴とする
光受信回路。 （２、特許請求の範囲第１項におし・て、前記ｉ＝増幅
器が差動増’！’ｊ（ｊ ｋあるいはコン・ｇレータか
ら成ることを髄徴とする先受イβ回路。。 （３）特許請求の範囲第１項において、前記容：１：。 手段が、前記フォトダイオード゛の寄生容１４七に”２
ｊシリ・容量値を有するコンデンサ、あるいは前記フォ
トダイオードと同じ寄生容ｆｉｔ値を有するフォトダイ
オードから成ることを特徴とする光受信回路、≦以
上
はそれぞれ本発明の光受信回路の実施例を示す図である
。 １：受光用フォトダイオード １′：ダミーフォトダイオード ２：差動増幅器６：ノ
イズフィルタ ４：コンパレータＣ□：コンデ
ンサ Ｒ□：抵抗特許出願人 住友電気工
業株式会社 （外４名） ＃／図 （０） ｒ−−−’１ 襄４図 手続補正書 昭和３年メ７カβ日 特許庁長官 若杉゛和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第５９８１６ 号２、発明の名称 光受信回路 ６補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 （２１３）住友電気工業株式会社４代理人 ５補正の対象 明細書の〔特許請求の範囲〕の欄 （別紙） 〔特許請求の範囲〕を一ト記の通りに抽圧する。 「（１）光（、ｊ列を受信し電気信月に変換するフォト
ダイオードゝと、該）第１・ダイオードからの信号を１
方の入力端、に受信し増幅する〕、、増幅器と、Ａ′ｌ
Ｊ記主増１！＋！ 器の１Ｗ力の入力端へ接続され、前
記フォトダイオードの寄生容量を介して電源から混入す
る雑音を打消す容；け手段とから成ることを％徴とする
光受信回路。 （２、特許請求の範囲第１項におし・て、前記ｉ＝増幅
器が差動増’！’ｊ（ｊ ｋあるいはコン・ｇレータか
ら成ることを髄徴とする先受イβ回路。。 （３）特許請求の範囲第１項において、前記容：１：。 手段が、前記フォトダイオード゛の寄生容１４七に”２
ｊシリ・容量値を有するコンデンサ、あるいは前記フォ
トダイオードと同じ寄生容ｆｉｔ値を有するフォトダイ
オードから成ることを特徴とする光受信回路、≦以
上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）光信号を受信し電気信号に変換するフォトダイオ
ードと、該フォトダイオードからの信号を１方の入力端
に受信し増幅する主増幅器と、前記フォトダイオードの
入力端の逆相端子に前記主増幅器へ接続され、前記フォ
トダイオードの寄生容量を介して電源から混入する雑音
を打消す容量手段とから成ることを特徴とする光受信回
路。 （２、特許請求の範囲第１項において、前記主増幅器が
差動増幅器あるいはコンパレータから成ることを特徴と
する光受信回路。 （３）特許請求の範囲第１項において、前記容量手段が
、前記フォトダイオードの寄生容量に等しい容量値を有
するコンデンサ、あるいは前記フォトダイオードと同じ
寄生容量値を有するフォトダイオードから成ることを特
徴とする光受信回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059816A JPS59185432A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 光受信回路 |
| EP84103653A EP0127743A3 (en) | 1983-04-05 | 1984-04-03 | Light detecting circuit |
| CA000451249A CA1223938A (en) | 1983-04-05 | 1984-04-04 | Light detecting circuit |
| US06/596,751 US4626678A (en) | 1983-04-05 | 1984-04-04 | Light detecting circuit |
| DK178684A DK178684A (da) | 1983-04-05 | 1984-04-04 | Lysdetekterende kobling |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059816A JPS59185432A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59185432A true JPS59185432A (ja) | 1984-10-22 |
Family
ID=13124126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059816A Pending JPS59185432A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 光受信回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4626678A (ja) |
| EP (1) | EP0127743A3 (ja) |
| JP (1) | JPS59185432A (ja) |
| CA (1) | CA1223938A (ja) |
| DK (1) | DK178684A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0638932A2 (en) * | 1993-06-25 | 1995-02-15 | Nec Corporation | Semiconductor circuit device capable of reducing influence of a parasitic capacitor |
| JP2008028473A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Nec Electronics Corp | 半導体受光装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0732261B2 (ja) * | 1985-04-11 | 1995-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体受光装置 |
| US4913150A (en) * | 1986-08-18 | 1990-04-03 | Physio-Control Corporation | Method and apparatus for the automatic calibration of signals employed in oximetry |
| US4819646A (en) * | 1986-08-18 | 1989-04-11 | Physio-Control Corporation | Feedback-controlled method and apparatus for processing signals used in oximetry |
| US10361802B1 (en) | 1999-02-01 | 2019-07-23 | Blanding Hovenweep, Llc | Adaptive pattern recognition based control system and method |
| US8352400B2 (en) | 1991-12-23 | 2013-01-08 | Hoffberg Steven M | Adaptive pattern recognition based controller apparatus and method and human-factored interface therefore |
| US5504456A (en) * | 1994-02-09 | 1996-04-02 | Psc, Inc. | Low noise wide band amplifier |
| JP3680303B2 (ja) * | 1994-11-08 | 2005-08-10 | 住友電気工業株式会社 | 光電変換モジュール |
| US5763873A (en) * | 1996-08-28 | 1998-06-09 | Patchen, Inc. | Photodetector circuit for an electronic sprayer |
| US7904187B2 (en) | 1999-02-01 | 2011-03-08 | Hoffberg Steven M | Internet appliance system and method |
| US6751583B1 (en) | 1999-10-29 | 2004-06-15 | Vast Systems Technology Corporation | Hardware and software co-simulation including simulating a target processor using binary translation |
| JP4187376B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2008-11-26 | ローム株式会社 | 受光増幅装置 |
| US9064981B2 (en) | 2013-03-26 | 2015-06-23 | Excelitas Canada, Inc. | Differential optical receiver for avalanche photodiode and SiPM |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207445A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-20 | Hitachi Ltd | Environmental noise compensating system for optical receiver |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1024239A (en) * | 1972-04-17 | 1978-01-10 | Rca Limited | Low noise detector amplifier |
| US3978343A (en) * | 1975-06-30 | 1976-08-31 | National Semiconductor Corporation | Optically coupled isolator circuit having increased common mode rejection |
-
1983
- 1983-04-05 JP JP58059816A patent/JPS59185432A/ja active Pending
-
1984
- 1984-04-03 EP EP84103653A patent/EP0127743A3/en not_active Withdrawn
- 1984-04-04 DK DK178684A patent/DK178684A/da not_active Application Discontinuation
- 1984-04-04 CA CA000451249A patent/CA1223938A/en not_active Expired
- 1984-04-04 US US06/596,751 patent/US4626678A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207445A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-20 | Hitachi Ltd | Environmental noise compensating system for optical receiver |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0638932A2 (en) * | 1993-06-25 | 1995-02-15 | Nec Corporation | Semiconductor circuit device capable of reducing influence of a parasitic capacitor |
| EP0638932A3 (en) * | 1993-06-25 | 1995-05-03 | Nippon Electric Co | Semiconductor circuit component with reduced influence of parasitic capacitances. |
| US5479044A (en) * | 1993-06-25 | 1995-12-26 | Nec Corporation | Semiconductor circuit device capable of reducing influence of a parasitic capacitor |
| US5479045A (en) * | 1993-06-25 | 1995-12-26 | Nec Corporation | Semiconductor circuit device capable of reducing influence of a parasitic capacitor |
| EP0886314A1 (en) * | 1993-06-25 | 1998-12-23 | Nec Corporation | Semiconductor circuit device capable of reducing influence of a parasitic capacitor |
| JP2008028473A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Nec Electronics Corp | 半導体受光装置 |
| JP4611255B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2011-01-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体受光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1223938A (en) | 1987-07-07 |
| EP0127743A3 (en) | 1987-02-25 |
| US4626678A (en) | 1986-12-02 |
| DK178684A (da) | 1984-10-06 |
| EP0127743A2 (en) | 1984-12-12 |
| DK178684D0 (da) | 1984-04-04 |
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