KR20230164225A - 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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KR20230164225A
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KR
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transistor
wiring
electrode
additionally
pixel
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KR1020237040176A
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스스무 가와시마
나오또 구스모또
Original Assignee
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

화상 품질을 높일 수 있는 표시 장치를 제공한다. 제 1 회로, 화소, 및 배선을 가진다. 제 1 회로는 배선에 데이터를 공급하는 기능, 및 배선을 부유 상태로 하여 상기 데이터를 유지하는 기능을 가진다. 화소는 배선으로부터 데이터를 2번 취득하여 가산하는 기능을 가지고, 배선에 데이터가 공급되어 있는 기간에 1번째의 데이터의 기록을 수행하고, 배선에 상기 데이터가 유지되어 있는 기간에 2번째의 상기 데이터의 기록을 수행할 수 있다. 따라서, 소스선에 대한 데이터의 충전 한 번으로, 소스 드라이버의 출력 전압 이상의 데이터 전위를 표시 소자에 공급할 수 있다.

Description

표시 장치 및 전자 기기{DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명의 일 형태는 표시 장치에 관한 것이다.
또한 본 발명의 일 형태는 상기 기술분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에서 개시(開示)하는 발명의 일 형태의 기술분야는 물건, 방법, 또는 제조 방법에 관한 것이다. 또는, 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 따라서, 더 구체적으로 본 명세서에서 개시하는 본 발명의 일 형태의 기술분야로서는 반도체 장치, 표시 장치, 액정 표시 장치, 발광 장치, 조명 장치, 축전 장치, 기억 장치, 촬상 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법을 일례로서 들 수 있다.
또한 본 명세서 등에서 반도체 장치란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리킨다. 트랜지스터, 반도체 회로는 반도체 장치의 일 형태이다. 또한 기억 장치, 표시 장치, 촬상 장치, 전자 기기는 반도체 장치를 가지는 경우가 있다.
트랜지스터에 적용 가능한 반도체 박막으로서 실리콘계 반도체 재료가 널리 알려져 있지만, 그 외의 재료로서 산화물 반도체가 주목되고 있다. 산화물 반도체로서는, 예를 들어 산화 인듐, 산화 아연 등의 단성분계 금속의 산화물뿐만 아니라, 다원계 금속의 산화물도 알려져 있다. 다원계 금속의 산화물 중에서도 특히 In-Ga-Zn 산화물(이하, IGZO라고도 부름)에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
IGZO에 관한 연구에 의하여, 산화물 반도체에서 단결정도 비정질도 아닌 CAAC(c-axis aligned crystalline) 구조 및 nc(nanocrystalline) 구조가 발견되었다(비특허문헌 1 내지 비특허문헌 3 참조). 비특허문헌 1 및 비특허문헌 2에서는, CAAC 구조를 가지는 산화물 반도체를 사용하여 트랜지스터를 제작하는 기술도 개시되어 있다. 또한 CAAC 구조 및 nc 구조보다 결정성이 낮은 산화물 반도체이더라도, 미소한 결정을 가지는 것이 비특허문헌 4 및 비특허문헌 5에 나타나 있다.
또한 IGZO를 활성층으로서 사용한 트랜지스터는 매우 낮은 오프 전류를 가지고(비특허문헌 6 참조), 그 특성을 이용한 LSI 및 디스플레이가 보고되어 있다(비특허문헌 7 및 비특허문헌 8 참조).
또한 오프 전류가 매우 낮은 트랜지스터를 메모리 셀에 사용하는 구성의 기억 장치가 특허문헌 1에 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 특개2011-119674호
S. Yamazaki et al., "SID Symposium Digest of Technical Papers", 2012, volume 43, issue 1, p.183-186 S. Yamazaki et al., "Japanese Journal of Applied Physics", 2014, volume 53, Number 4S, p.04ED18-1-04ED18-10 S. Ito et al., "The Proceedings of AM-FPD'13 Digest of Technical Papers", 2013, p.151-154 S. Yamazaki et al., "ECS Journal of Solid State Science and Technology", 2014, volume 3, issue 9, p.Q3012-Q3022 S. Yamazaki, "ECS Transactions", 2014, volume 64, issue 10, p.155-164 K. Kato et al., "Japanese Journal of Applied Physics", 2012, volume 51, p.021201-1-021201-7 S. Matsuda et al., "2015 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers", 2015, p.T216-T217 S. Amano et al., "SID Symposium Digest of Technical Papers", 2010, volume 41, issue 1, p.626-629
표시 장치에서는 고해상도화가 진행되어, 8K4K(화소수: 7680×4320) 해상도 또는 그 이상의 해상도로 표시를 수행할 수 있는 하드웨어가 개발되고 있다. 또한 휘도 조정으로 화상 품질을 높이는 HDR(하이 다이내믹 레인지) 표시 기술의 도입도 진행되고 있다.
명료한 계조 표시를 수행하기 위해서는, 표시 소자에 공급할 수 있는 데이터 전위의 폭을 넓게 하는 것이 요망된다. 한편, 예를 들어 액정 표시 장치용 소스 드라이버의 출력 전압은 15V 정도이고, 그 이상의 전압을 표시 소자에 공급하기 위해서는 고출력의 소스 드라이버를 사용할 필요가 있다. 고출력의 소스 드라이버는 소비전력도 높고, 새로운 드라이버 IC를 개발할 필요가 있는 경우도 있다.
또한 동영상을 더 미끄럽게 표시하기 위해서는 프레임 주파수를 높이는 것이 요구되지만, 화소수가 증가되면 수평 기간은 짧아지기 때문에, 프레임 주파수를 높이는 것은 어렵다. 프레임 주파수를 높이기 쉬운 구성이 실현되면, 필드 시퀀셜 액정 방식의 표시 장치 등에도 적용하기 쉬워진다.
따라서, 본 발명의 일 형태에서는 화상 품질을 높일 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는, 소스 드라이버의 출력 전압 이상의 전압을 표시 소자에 공급할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는, 표시 화상의 휘도를 높일 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는, 프레임 주파수를 높일 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.
또는, 저소비전력의 표시 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는, 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 신규 표시 장치 등을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는, 상기 표시 장치의 구동 방법을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 신규 반도체 장치 등을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.
또한 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 과제의 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한 이들 이외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 이외의 과제를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 화상 품질을 높일 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 형태는 제 1 회로, 화소, 및 배선을 가지고, 제 1 회로는 배선에 데이터를 공급하는 기능, 및 배선을 부유 상태로 하여 데이터를 유지하는 기능을 가지고, 화소는 배선으로부터 데이터를 2번 취득하여 가산하는 기능을 가지고, 화소는 배선에 데이터가 공급되어 있는 기간에 1번째의 데이터의 기록을 수행하고, 화소는 배선에 데이터가 유지되어 있는 기간에 2번째의 데이터의 기록을 수행할 수 있는 표시 장치이다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 1 회로, 제 1 화소, 제 2 화소, 제 1 배선, 및 제 2 배선을 가지고, 제 1 회로는 제 1 배선에 제 1 데이터를 공급하는 기능, 및 제 1 배선을 부유 상태로 하여 제 1 데이터를 유지하는 기능을 가지고, 제 1 회로는 제 2 배선에 제 2 데이터를 공급하는 기능, 및 제 2 배선을 부유 상태로 하여 제 2 데이터를 유지하는 기능을 가지고, 제 1 화소는 제 1 배선으로부터 제 1 데이터를 2번 취득하여 가산하는 기능을 가지고, 제 2 화소는 제 2 배선으로부터 제 2 데이터를 2번 취득하여 가산하는 기능을 가지고, 제 1 화소는 제 1 배선에 제 1 데이터가 공급되어 있는 기간에 1번째의 제 1 데이터의 기록을 수행하고, 제 1 화소는 제 1 배선에 제 1 데이터가 유지되어 있는 기간에 2번째의 제 1 데이터의 기록을 수행하고, 제 2 화소는 제 2 배선에 제 2 데이터가 공급되어 있는 기간에 1번째의 제 2 데이터의 기록을 수행하고, 제 2 화소는 제 2 배선에 제 2 데이터가 유지되어 있는 기간에 2번째의 제 2 데이터의 기록을 수행하고, 제 1 화소가 2번째의 제 1 데이터의 기록을 수행하는 기간과, 제 2 화소가 1번째의 제 2 데이터의 기록을 수행하는 기간을 겹치게 할 수 있는 표시 장치이다.
제 3 배선, 제 4 배선, 및 제 5 배선을 더 가지고, 제 3 배선은 제 1 화소를 선택하는 신호 전위를 공급하는 기능을 가지고, 제 4 배선은 제 1 화소를 선택하는 신호 전위를 공급하는 기능을 가지고, 제 4 배선은 제 2 화소를 선택하는 신호 전위를 공급하는 기능을 가지고, 제 5 배선은 제 2 화소를 선택하는 신호 전위를 공급하는 기능을 가져도 좋다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 제 1 회로, 제 1 화소, 제 2 화소, 제 1 배선, 제 2 배선, 제 3 배선, 제 4 배선, 및 제 5 배선을 가지고, 제 1 회로는 제 1 배선과 전기적으로 접속되고, 제 1 회로는 제 2 배선과 전기적으로 접속되고, 제 1 화소 및 제 2 화소는 제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 제 3 트랜지스터, 제 1 용량 소자, 및 회로 블록을 가지고, 제 1 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽은 제 2 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되고, 제 2 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽은 제 1 용량 소자의 한쪽 전극과 전기적으로 접속되고, 제 1 용량 소자의 다른 쪽 전극은 제 3 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되고, 제 3 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽은 회로 블록과 전기적으로 접속되고, 제 1 화소에서, 제 1 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 제 1 배선과 전기적으로 접속되고, 제 3 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 제 1 배선과 전기적으로 접속되고, 제 1 트랜지스터의 게이트는 제 4 배선과 전기적으로 접속되고, 제 2 트랜지스터의 게이트는 제 3 배선과 전기적으로 접속되고, 제 3 트랜지스터의 게이트는 제 3 배선과 전기적으로 접속되고, 제 2 화소에서, 제 1 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 제 2 배선과 전기적으로 접속되고, 제 3 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 제 2 배선과 전기적으로 접속되고, 제 1 트랜지스터의 게이트는 제 5 배선과 전기적으로 접속되고, 제 2 트랜지스터의 게이트는 제 4 배선과 전기적으로 접속되고, 제 3 트랜지스터의 게이트는 제 4 배선과 전기적으로 접속되고, 회로 블록은 표시 소자를 가지는 표시 장치이다.
제 2 용량 소자 및 제 3 용량 소자를 더 가지고, 제 2 용량 소자의 한쪽 전극을 제 1 배선과 전기적으로 접속하고, 제 3 용량 소자의 한쪽 전극을 제 2 배선과 전기적으로 접속하여도 좋다.
제 1 회로는 소스 드라이버에 전기적으로 접속될 수 있다. 또한 제 3 배선 내지 제 5 배선은 게이트 드라이버에 전기적으로 접속될 수 있다.
제 1 회로는 제 4 트랜지스터 및 제 5 트랜지스터를 가지고, 제 4 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽은 제 1 배선과 전기적으로 접속되고, 제 5 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽은 제 2 배선과 전기적으로 접속되고, 제 4 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽 및 제 5 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 전기적으로 접속될 수 있다.
회로 블록은 제 6 트랜지스터, 제 7 트랜지스터, 제 4 용량 소자, 및 표시 소자로서 유기 EL 소자를 가지고, 유기 EL 소자의 한쪽 전극은 제 7 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되고, 제 7 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 제 4 용량 소자의 한쪽 전극과 전기적으로 접속되고, 제 4 용량 소자의 한쪽 전극은 제 6 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되고, 제 6 트랜지스터의 게이트는 제 4 용량 소자의 다른 쪽 전극과 전기적으로 접속되고, 제 4 용량 소자의 다른 쪽 전극은 제 1 용량 소자의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에서, 제 6 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 제 2 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽과 전기적으로 접속될 수 있다.
또한 회로 블록은 제 8 트랜지스터, 제 5 용량 소자, 및 표시 소자로서 액정 소자를 가지고, 액정 소자의 한쪽 전극은 제 5 용량 소자의 한쪽 전극과 전기적으로 접속되고, 제 5 용량 소자의 한쪽 전극은 제 8 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되고, 제 8 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 제 1 용량 소자의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된 구성으로 하여도 좋다.
상기 구성에서, 제 5 용량 소자의 다른 쪽 전극은 제 2 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽과 전기적으로 접속될 수 있다.
액정 소자에는, 한 쌍의 전극 사이에 수지부 및 액정부를 가지는 광 산란형 액정 소자를 사용할 수 있다.
액상 소자를 가지는 경우에는, 적색(R)을 발하는 발광 소자, 녹색(G)을 발하는 발광 소자, 및 청색(B)을 발하는 발광 소자를 더 가지고, 각 발광 소자를 순차적으로 점멸시켜, 액정 소자를 통하여 외부로 사출함으로써 표시를 수행하여도 좋다.
제 3 트랜지스터는 채널 형성 영역에 금속 산화물을 가지고, 금속 산화물은 In, Zn, 및 M(M은 Al, Ti, Ga, Sn, Y, Zr, La, Ce, Nd, 또는 Hf)을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태를 사용함으로써, 화상 품질을 높일 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는, 소스 드라이버의 출력 전압 이상의 전압을 표시 소자에 공급할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는, 표시 화상의 휘도를 높일 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는, 프레임 주파수를 높일 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
또는, 저소비전력의 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는, 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 신규 표시 장치 등을 제공할 수 있다. 또는, 상기 표시 장치의 구동 방법을 제공할 수 있다. 또는 신규 반도체 장치 등을 제공할 수 있다.
도 1은 표시 장치를 설명하는 도면.
도 2는 표시 장치를 설명하는 도면.
도 3은 표시 장치의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 4는 회로 블록을 설명하는 도면.
도 5는 회로 블록을 설명하는 도면.
도 6은 화소 회로를 설명하는 도면.
도 7은 표시 장치를 설명하는 도면.
도 8은 표시 장치의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 9는 시뮬레이션에 사용하는 표시 장치의 구성을 설명하는 도면.
도 10은 시뮬레이션에 사용하는 타이밍 차트.
도 11은 시뮬레이션의 결과를 설명하는 도면.
도 12는 시뮬레이션의 결과를 설명하는 도면.
도 13은 표시 장치를 설명하는 도면.
도 14는 터치 패널을 설명하는 도면.
도 15는 표시 장치를 설명하는 도면.
도 16은 표시 장치를 설명하는 도면.
도 17은 표시 장치를 설명하는 도면.
도 18은 표시 장치를 설명하는 도면.
도 19는 표시 장치를 설명하는 도면.
도 20은 트랜지스터를 설명하는 도면.
도 21은 트랜지스터를 설명하는 도면.
도 22는 트랜지스터를 설명하는 도면.
도 23은 트랜지스터를 설명하는 도면.
도 24는 전자 기기를 설명하는 도면.
실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 통상의 기술자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하에 기재된 실시형태의 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한 이하에서 설명하는 발명의 구성에서 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분에는 동일한 부호를 다른 도면 간에서 공통적으로 사용하고, 그 반복 설명은 생략하는 경우가 있다. 또한 도면을 구성하는 같은 요소의 해칭을 다른 도면 간에서 적절히 생략 또는 변경하는 경우도 있다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 표시 장치에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명의 일 형태는 화소 내에서 화상 데이터를 가산하는 기능을 가지는 표시 장치이다. 각 화소에는 기억 노드가 제공되고, 먼저 상기 기억 노드에 제 1 화상 데이터를 유지한다. 다음으로, 제 2 화상 데이터를 용량 결합으로 상기 기억 노드에 부가하여 표시 소자에 공급한다. 즉, 소스 드라이버의 출력 전압 이상의 데이터 전위를 표시 소자에 공급할 수 있다.
상기 표시 장치에서는, 제 1 화상 데이터 및 제 2 화상 데이터에 같은 데이터를 사용하는 것을 전제로 한다. 우선, 화상 데이터가 소스선에 공급되어 있는 기간에 1번째의 기록을 수행하고, 상기 화상 데이터가 소스선에 유지되어 있는 기간에 2번째의 기록을 수행한다. 따라서, 소스선에 대한 데이터의 충전을 1회로 할 수 있어 저소비전력화할 수 있다. 또한 소스선을 2개로 하고, 2개의 화소에 대한 기록을 병행함으로써 기록 속도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 설명하는 도면이다. 표시 장치는 화소(10), 회로(11), 소스 드라이버(12), 및 게이트 드라이버(13)를 가진다.
화소(10)는 화상 데이터를 상이한 경로로 2번 취득하는 기능을 가진다. 따라서, 하나의 화소(10)는 2개의 배선을 통하여 하나의 소스선과 전기적으로 접속된다.
소스선은 열마다 2개(제 1 소스선, 제 2 소스선) 제공되고, 행마다 번갈아 화소(10)와 전기적으로 접속된다. 예를 들어, 1번째 행의 화소(10)는 제 1 소스선과 전기적으로 접속되고, 2번째 행의 화소(10)는 제 2 소스선과 전기적으로 접속되고, 3번째 행의 화소(10)는 제 1 소스선과 전기적으로 접속된다.
회로(11)는 소스 드라이버(12) 및 상기 2개의 소스선과 전기적으로 접속되고, 소스 드라이버(12)로부터 공급된 화상 데이터를 제 1 소스선 또는 제 2 소스선에 공급할 수 있다. 또한 회로(11)는 상기 2개의 소스선을 부유 상태로 할 수 있어, 제 1 소스선 및 제 2 소스선에 화상 데이터를 유지할 수 있다.
화상 데이터를 소스선에 유지하는 것은, 소스선에 용량 소자를 전기적으로 접속함으로써 더 안정적으로 수행할 수 있다. 상기 용량 소자는 하나에 한정되지 않고, 복수로 병렬 접속되어도 좋다. 또한 소스선의 배선 용량(기생 용량)이 하나의 화소(10)의 데이터 유지 용량보다 충분히 큰 경우에는 상기 용량 소자를 제공하지 않아도 된다.
하나의 화소(10)는 2개의 게이트선과 전기적으로 접속되고, 1번째의 화상 데이터의 기록과 2번째의 화상 데이터의 기록이 상이한 타이밍에 수행되도록 제어된다. 여기서, n번째 행(n은 1 이상의 자연수)의 화소(10)의 2번째의 화상 데이터의 기록 타이밍과, n+1번째 행의 화소(10)의 1번째의 화상 데이터의 기록 타이밍을 겹치게 할 수 있기 때문에, n번째 행의 화소(10)와 n+1번째 행의 화소(10)에서 하나의 게이트선이 공유될 수 있다.
따라서, 1번째 행과 마지막 행의 화소(10)가 전기적으로 접속되는 게이트선은 1.5개(1개+0.5개)로 계산되지만, 그 외의 화소(10)가 전기적으로 접속되는 게이트선은 1개(0.5개+0.5개)로 계산된다. 즉, 하나의 화소(10)를 실질적으로 1개의 게이트선으로 제어할 수 있기 때문에, 화상 데이터를 기록하기 위한 신호 수를 적게 할 수 있다. 또한 복잡한 제어가 필요한 게이트 드라이버도 불필요하게 된다. 또한 게이트선의 수가 적어지기 때문에 화소(10)의 개구율을 향상시킬 수도 있다.
화소(10)에 대한 데이터의 기록은 소스선에 화상 데이터가 공급되어 있는 기간에 1번째를 수행하고, 같은 소스선에 화상 데이터가 유지되어 있는 기간에 2번째를 수행한다. 따라서, 소스선에 대한 화상 데이터의 충전은 한 번으로 완료된다. 또한 상술한 바와 같이 소스선을 2개로 함으로써, n번째 행의 화소(10)와 n+1번째 행의 화소(10)의 병렬 동작이 가능해지므로, 화상 데이터의 기록을 고속화할 수 있다.
도 2에 회로(11), 및 m번째 열, n번째 행 내지 n+2번째 행(m, n은 1 이상의 자연수)에서의 화소(10)의 구체적인 예를 도시하였다.
회로(11[m])는 트랜지스터(107) 및 트랜지스터(108)를 가지는 구성으로 할 수 있다. 트랜지스터(107)의 게이트는 배선(124)과 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(108)의 게이트는 배선(123)과 전기적으로 접속된다. 또한 트랜지스터(107)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 배선(125[m])과 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(108)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 배선(126[m])과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(107)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽 그리고 트랜지스터(108)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 소스 드라이버(12)의 m번째 열용의 출력선과 전기적으로 접속된다.
배선(123) 및 배선(124)은 트랜지스터(108) 또는 트랜지스터(107)의 도통을 제어하기 위한 신호선으로서의 기능을 가진다. 배선(125[m]) 및 배선(126[m])은 소스선으로서의 기능을 가진다.
배선(125[m])에는 용량 소자(105)의 한쪽 전극이 전기적으로 접속된다. 또한 배선(126[m])에는 용량 소자(106)의 한쪽 전극이 전기적으로 접속된다. 용량 소자(105)의 다른 쪽 전극 및 용량 소자(106)의 다른 쪽 전극은 고정 전위가 공급되는 배선(135)과 전기적으로 접속된다. 또한 상술한 바와 같이 용량 소자(105) 및 용량 소자(106)는 복수로 병렬 접속되어도 좋다. 또한 용량 소자(105) 및 용량 소자(106)를 제공하지 않는 구성으로 하여도 좋다.
트랜지스터(107)가 도통될 때, 소스 드라이버(12)로부터 출력된 화상 데이터(DATA)는 배선(126[m])에 출력된다. 트랜지스터(108)가 도통될 때, 소스 드라이버로부터 출력된 화상 데이터(DATA)는 배선(125[m])에 출력된다. 또한 상술한 화상 데이터의 출력 후, 트랜지스터(107)를 비도통으로 하면 배선(126[m])은 부유 상태가 되어 배선(126[m])에 화상 데이터(DATA)가 유지된다. 트랜지스터(108)를 비도통으로 하면 배선(125[m])은 부유 상태가 되어 배선(125[m])에 화상 데이터(DATA)가 유지된다.
또한 상술한 회로(11)의 구성의 설명은 일례이고, 배선(125) 및 배선(126)에 대하여 선택적으로 데이터를 공급하는 기능, 그리고 배선(125) 및 배선(126)을 부유 상태로 하는 기능을 가지기만 하면, 다른 구성이어도 좋다.
화소(10)는 트랜지스터(101), 트랜지스터(102), 트랜지스터(103), 용량 소자(104), 및 회로 블록(110)을 가진다. 회로 블록(110)은 트랜지스터, 용량 소자, 및 표시 소자 등을 가질 수 있고, 자세한 사항은 후술한다.
트랜지스터(101)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 트랜지스터(102)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(102)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 용량 소자(104)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된다. 용량 소자(104)의 다른 쪽 전극은 트랜지스터(103)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(103)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 회로 블록(110)과 전기적으로 접속된다.
여기서 트랜지스터(103)의 소스 및 드레인 중 한쪽, 용량 소자(104)의 다른 쪽 전극, 및 회로 블록이 접속되는 배선을 노드(NM)로 한다. 회로 블록(110)이 가지는 표시 소자는 노드(NM)의 전위에 따라 동작한다. 또한 노드(NM)와 접속되는 회로 블록(110)의 요소는 노드(NM)를 부유 상태로 할 수 있다.
n번째 행의 화소(10[n,m])에서 트랜지스터(101)의 게이트는 배선(121[n+1])과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(102)의 게이트 및 트랜지스터(103)의 게이트는 배선(121[n])과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(101)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽 및 트랜지스터(103)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 배선(125[m])과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(102)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 특정 전위 "Vref"를 공급할 수 있는 배선과 전기적으로 접속된다.
또한 n+1번째 행의 화소(10[n+1,m])에서는 트랜지스터(101)의 게이트는 배선(121[n+2])과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(102)의 게이트 및 트랜지스터(103)의 게이트는 배선(121[n+1])과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(101)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽 및 트랜지스터(103)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 배선(126[m])과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(102)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 특정 전위 "Vref"를 공급할 수 있는 배선과 전기적으로 접속된다.
배선(121)은 게이트선으로서의 기능을 가지고, 게이트 드라이버(13)(도 1 참조)와 전기적으로 접속된다.
상술한 바와 같이, 화소(10)는 행마다 번갈아 상이한 소스선(배선(125) 또는 배선(126))과 접속된다. 또한 게이트선(배선(121))은 열 방향에서 인접한 2개의 화소(10)와 전기적으로 접속된다.
"Vref"를 공급할 수 있는 배선으로서는, 예를 들어 회로 블록(110)의 요소와 전기적으로 접속되는 전원선 등을 사용할 수 있다.
또한 추후에 설명하는 용량 결합 동작을 수행하기 위해서는, 화소(10)에 대하여, 1번째로 공급하는 데이터와 "Vref"를 같은 기간에 공급할 필요가 있다. 그러므로, "Vref"를 소스선으로부터 공급하는 경우에는, 데이터를 공급하는 소스선과, "Vref" 또는 2번째의 데이터를 공급하기 위한 소스선이 적어도 필요하다.
본 발명의 일 형태에서는 "Vref"의 공급을 전원선 등으로부터 수행하기 때문에, 타이밍을 전환함으로써 1번째의 데이터의 공급 및 2번째의 데이터의 공급을 하나의 소스선으로부터 수행할 수 있다. 즉, 적은 배선 수로 표시 장치를 구성할 수 있다.
노드(NM)는 기억 노드이고, 트랜지스터(103)를 도통시킴으로써, 배선(125) 또는 배선(126)에 공급된 데이터를 노드(NM)에 기록할 수 있다. 또한 트랜지스터(103)를 비도통으로 함으로써 상기 데이터를 노드(NM)에 유지할 수 있다. 트랜지스터(103)에 오프 전류가 매우 낮은 트랜지스터를 사용함으로써, 노드(NM)의 전위를 장시간 유지할 수 있게 된다. 상기 트랜지스터에는, 예를 들어 금속 산화물을 채널 형성 영역에 사용한 트랜지스터(이하, OS 트랜지스터)를 사용할 수 있다.
또한 트랜지스터(103)뿐만 아니라, 화소(10)를 구성하는 기타 트랜지스터에 OS 트랜지스터를 적용하여도 좋다. 또한 회로(11)를 구성하는 트랜지스터에 OS 트랜지스터를 적용하여도 좋다. 또한 화소(10) 및 회로(11)에, Si을 채널 형성 영역에 가지는 트랜지스터(이하, Si 트랜지스터)를 적용하여도 좋다. 또는, OS 트랜지스터와 Si 트랜지스터의 양쪽을 사용하여도 좋다. 또한 상기 Si 트랜지스터로서는, 비정질 실리콘을 가지는 트랜지스터, 결정성 실리콘(대표적으로는 저온 폴리실리콘, 단결정 실리콘)을 가지는 트랜지스터 등을 들 수 있다.
OS 트랜지스터에 사용하는 반도체 재료로서는, 에너지 갭이 2eV 이상, 바람직하게는 2.5eV 이상, 더 바람직하게는 3eV 이상인 금속 산화물을 사용할 수 있다. 대표적으로는, 인듐을 포함하는 산화물 반도체 등이고, 예를 들어 후술하는 CAAC-OS 또는 CAC-OS 등을 사용할 수 있다. CAAC-OS는 결정을 구성하는 원자가 안정적이고, 신뢰성을 중시하는 트랜지스터 등에 적합하다. 또한 CAC-OS는 고이동도 특성을 나타내므로, 고속 구동을 수행하는 트랜지스터 등에 적합하다.
OS 트랜지스터는 에너지 갭이 크기 때문에 매우 낮은 오프 전류 특성을 나타낸다. 또한 OS 트랜지스터는 임팩트 이온화, 애벌란시(avalanche) 항복, 및 단채널 효과 등이 일어나지 않는다는 등, Si 트랜지스터와는 상이한 특징을 가지고, 신뢰성이 높은 회로를 형성할 수 있다.
OS 트랜지스터가 가지는 반도체층은, 예를 들어 인듐, 아연, 및 M(알루미늄, 타이타늄, 갈륨, 저마늄, 이트륨, 지르코늄, 란타넘, 세륨, 주석, 네오디뮴, 또는 하프늄 등의 금속)을 포함하는 In-M-Zn계 산화물로 표기되는 막으로 할 수 있다.
반도체층을 구성하는 산화물 반도체가 In-M-Zn계 산화물인 경우, In-M-Zn 산화물을 성막하기 위하여 사용되는 스퍼터링 타깃의 금속 원소의 원자수비는 In≥M, Zn≥M을 만족시키는 것이 바람직하다. 이러한 스퍼터링 타깃의 금속 원소의 원자수비로서 In:M:Zn=1:1:1, In:M:Zn=1:1:1.2, In:M:Zn=3:1:2, In:M:Zn=4:2:3, In:M:Zn=4:2:4.1, In:M:Zn=5:1:6, In:M:Zn=5:1:7, In:M:Zn=5:1:8 등이 바람직하다. 또한 성막되는 반도체층의 원자수비는 각각, 상기 스퍼터링 타깃에 포함되는 금속 원소의 원자수비의 ±40%의 변동을 포함한다.
반도체층으로서는, 캐리어 밀도가 낮은 산화물 반도체를 사용한다. 예를 들어, 반도체층에는 캐리어 밀도가 1×1017/cm3 이하, 바람직하게는 1×1015/cm3 이하, 더 바람직하게는 1×1013/cm3 이하, 더 바람직하게는 1×1011/cm3 이하, 더 바람직하게는 1×1010/cm3 미만이고, 1×10-9/cm3 이상인 산화물 반도체를 사용할 수 있다. 이러한 산화물 반도체를 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성인 산화물 반도체라고 부른다. 상기 산화물 반도체는 불순물 농도가 낮고, 안정된 특성을 가지는 산화물 반도체라고 할 수 있다.
또한 이들에 한정되지 않고, 필요로 하는 트랜지스터의 반도체 특성 및 전기 특성(전계 효과 이동도, 문턱 전압 등)에 따라 적절한 조성의 것을 사용하면 좋다. 또한 필요로 하는 트랜지스터의 반도체 특성을 얻기 위하여, 반도체층의 캐리어 밀도나 불순물 농도, 결함 밀도, 금속 원소와 산소의 원자수비, 원자간 거리, 밀도 등을 적절한 것으로 하는 것이 바람직하다.
반도체층을 구성하는 산화물 반도체에서, 14족 원소의 하나인 실리콘이나 탄소가 포함되면, 산소 결손이 증가되어 n형화된다. 그러므로, 반도체층에서의 실리콘이나 탄소의 농도(이차 이온 질량 분석법에 의하여 얻어지는 농도)를 2×1018atoms/cm3 이하, 바람직하게는 2×1017atoms/cm3 이하로 한다.
또한 알칼리 금속 및 알칼리 토금속은 산화물 반도체와 결합하면 캐리어를 생성하는 경우가 있고, 트랜지스터의 오프 전류가 증대되는 경우가 있다. 그러므로, 반도체층에서의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 농도(이차 이온 질량 분석법에 의하여 얻어지는 농도)를 1×1018atoms/cm3 이하, 바람직하게는 2×1016atoms/cm3 이하로 한다.
또한 반도체층을 구성하는 산화물 반도체에 질소가 포함되어 있으면, 캐리어인 전자가 발생하고 캐리어 밀도가 증가되어 n형화되기 쉽다. 이 결과, 질소가 포함된 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터는 노멀리 온 특성이 되기 쉽다. 그러므로 반도체층에서의 질소 농도(이차 이온 질량 분석법에 의하여 얻어지는 농도)는 5×1018atoms/cm3 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한 반도체층은 예를 들어 비단결정 구조이어도 좋다. 비단결정 구조는, 예를 들어 c축으로 배향된 결정을 가지는 CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor), 다결정 구조, 미결정 구조, 또는 비정질 구조를 포함한다. 비단결정 구조에서, 비정질 구조는 결함 준위 밀도가 가장 높고, CAAC-OS는 결함 준위 밀도가 가장 낮다.
비정질 구조의 산화물 반도체막은 예를 들어 원자 배열이 무질서하며 결정 성분을 가지지 않는다. 또는, 비정질 구조의 산화물막은 예를 들어 완전한 비정질 구조이며, 결정부를 가지지 않는다.
또한 반도체층이 비정질 구조의 영역, 미결정 구조의 영역, 다결정 구조의 영역, CAAC-OS의 영역, 단결정 구조의 영역 중 2종류 이상을 가지는 혼합막이어도 좋다. 혼합막은 예를 들어 상술한 영역 중 어느 2종류 이상의 영역을 포함하는 단층 구조 또는 적층 구조를 가지는 경우가 있다.
이하에서는, 비단결정의 반도체층의 일 형태인 CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS의 구성에 대하여 설명한다.
CAC-OS란, 예를 들어 산화물 반도체를 구성하는 원소가 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 2nm 이하, 또는 그 근방의 크기로 편재한 재료의 한 구성이다. 또한 이하에서는 산화물 반도체에서, 하나 또는 그 이상의 금속 원소가 편재하고, 상기 금속 원소를 가지는 영역이 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 2nm 이하, 또는 그 근방의 크기로 혼합된 상태를 모자이크상 또는 패치상이라고도 한다.
또한 산화물 반도체는 적어도 인듐을 포함하는 것이 바람직하다. 특히 인듐 및 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 또한 이들에 더하여 알루미늄, 갈륨, 이트륨, 구리, 바나듐, 베릴륨, 붕소, 실리콘, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 및 마그네슘 등에서 선택된 1종류 또는 복수 종류가 포함되어도 좋다.
예를 들어, In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS(CAC-OS 중에서도 In-Ga-Zn 산화물을 특히 CAC-IGZO라고 불러도 좋음)란, 인듐 산화물(이하, InOX1(X1은 0보다 큰 실수(實數))로 함) 또는 인듐 아연 산화물(이하, InX2ZnY2OZ2(X2, Y2, 및 Z2는 0보다 큰 실수)로 함)과, 갈륨 산화물(이하, GaOX3(X3은 0보다 큰 실수)으로 함) 또는 갈륨 아연 산화물(이하, GaX4ZnY4OZ4(X4, Y4, 및 Z4는 0보다 큰 실수)로 함) 등으로 재료가 분리됨으로써 모자이크상이 되고, 모자이크상의 InOX1 또는 InX2ZnY2OZ2가 막 내에 균일하게 분포된 구성(이하, 클라우드상이라고도 함)이다.
즉, CAC-OS는 GaOX3이 주성분인 영역과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역이 혼합되는 구성을 가지는 복합 산화물 반도체이다. 또한 본 명세서에서 예를 들어 제 1 영역의 원소 M에 대한 In의 원자수비가 제 2 영역의 원소 M에 대한 In의 원자수비보다 큰 것을, 제 1 영역은 제 2 영역과 비교하여 In의 농도가 높다는 것으로 한다.
또한 IGZO는 통칭이며, In, Ga, Zn, 및 O로 이루어지는 하나의 화합물을 말하는 경우가 있다. 대표적인 예로서, InGaO3(ZnO)m1(m1은 자연수) 또는 In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1≤x0≤1, m0은 임의의 수)으로 나타내어지는 결정성 화합물을 들 수 있다.
상기 결정성 화합물은 단결정 구조, 다결정 구조, 또는 CAAC 구조를 가진다. 또한 CAAC 구조란, 복수의 IGZO의 나노 결정이 c축 배향을 가지고 또한 a-b면에서는 배향하지 않고 연결된 결정 구조이다.
한편, CAC-OS는 산화물 반도체의 재료 구성에 관한 것이다. CAC-OS란 In, Ga, Zn, 및 O를 포함한 재료 구성에서, 일부에 Ga을 주성분으로 하는 나노 입자상으로 관찰되는 영역과, 일부에 In을 주성분으로 하는 나노 입자상으로 관찰되는 영역이 각각 모자이크상으로 무작위로 분산되어 있는 구성을 말한다. 따라서, CAC-OS에서 결정 구조는 부차적인 요소이다.
또한 CAC-OS는 조성이 상이한 2종류 이상의 막의 적층 구조를 포함하지 않는 것으로 한다. 예를 들어, In을 주성분으로 하는 막과, Ga을 주성분으로 하는 막의 2층으로 이루어지는 구조를 포함하지 않는다.
또한 GaOX3이 주성분인 영역과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역에서는, 명확한 경계를 관찰할 수 없는 경우가 있다.
또한 갈륨 대신에, 알루미늄, 이트륨, 구리, 바나듐, 베릴륨, 붕소, 실리콘, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 또는 마그네슘 등에서 선택된 1종류 또는 복수 종류가 포함되어 있는 경우, CAC-OS는 일부에 상기 금속 원소를 주성분으로 하는 나노 입자상으로 관찰되는 영역과, 일부에 In을 주성분으로 하는 나노 입자상으로 관찰되는 영역이 각각 모자이크상으로 무작위로 분산되어 있는 구성을 말한다.
CAC-OS는 예를 들어 기판을 의도적으로 가열하지 않는 조건에서 스퍼터링법에 의하여 형성할 수 있다. 또한 CAC-OS를 스퍼터링법으로 형성하는 경우, 성막 가스로서 불활성 가스(대표적으로는 아르곤), 산소 가스, 및 질소 가스 중에서 선택된 어느 하나 또는 복수를 사용하면 좋다. 또한 성막 시의 성막 가스의 총유량에 대한 산소 가스의 유량비는 낮을수록 바람직하고, 예를 들어 산소 가스의 유량비를 0% 이상 30% 미만, 바람직하게는 0% 이상 10% 이하로 하는 것이 바람직하다.
CAC-OS는 X선 회절(XRD: X-ray diffraction) 측정법의 하나인 Out-of-plane법에 의한 θ/2θ 스캔을 사용하여 측정하였을 때 명확한 피크가 관찰되지 않는다는 특징을 가진다. 즉, X선 회절 측정으로부터 측정 영역의 a-b면 방향 및 c축 방향의 배향이 보이지 않는 것을 알 수 있다.
또한 CAC-OS는, 프로브 직경이 1nm인 전자선(나노 빔 전자선이라고도 함)을 조사함으로써 얻어지는 전자선 회절 패턴에서, 링 형상으로 휘도가 높은 영역과, 상기 링 영역에 복수의 휘점이 관측된다. 따라서, 전자선 회절 패턴으로부터 CAC-OS의 결정 구조가 평면 방향 및 단면 방향에서 배향성을 가지지 않는 nc(nano-crystal) 구조를 가지는 것을 알 수 있다.
또한 예를 들어 In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS에서는, 에너지 분산형 X선 분광법(EDX: Energy Dispersive X-ray spectroscopy)을 사용하여 취득한 EDX 매핑에 의하여, GaOX3이 주성분인 영역과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역이 편재되고 혼합된 구조를 가지는 것을 확인할 수 있다.
CAC-OS는 금속 원소가 균일하게 분포된 IGZO 화합물과는 상이한 구조이고, IGZO 화합물과 상이한 성질을 가진다. 즉, CAC-OS는 GaOX3 등이 주성분인 영역과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역으로 서로 상분리(相分離)되어, 각 원소를 주성분으로 하는 영역이 모자이크상인 구조를 가진다.
여기서, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역은 GaOX3 등이 주성분인 영역과 비교하여 도전성이 높은 영역이다. 즉, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역을 캐리어가 흐름으로써, 산화물 반도체로서의 도전성이 발현된다. 따라서, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역이 산화물 반도체 내에 클라우드상으로 분포됨으로써 높은 전계 효과 이동도(μ)를 실현할 수 있다.
한편, GaOX3 등이 주성분인 영역은 InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1이 주성분인 영역과 비교하여 절연성이 높은 영역이다. 즉, GaOX3 등이 주성분인 영역이 산화물 반도체 내에 분포됨으로써 누설 전류가 억제되어 양호한 스위칭 동작을 실현할 수 있다.
따라서, CAC-OS를 반도체 소자에 사용한 경우, GaOX3 등에 기인하는 절연성과, InX2ZnY2OZ2 또는 InOX1에 기인하는 도전성이 상보적으로 작용함으로써, 높은 온 전류(Ion) 및 높은 전계 효과 이동도(μ)를 실현할 수 있다.
또한 CAC-OS를 사용한 반도체 소자는 신뢰성이 높다. 따라서, CAC-OS는 다양한 반도체 장치의 구성 재료로서 적합하다.
도 3에 도시된 타이밍 차트를 사용하여, 2개의 화상 데이터를 가산하는 동작의 일례에 대하여 설명한다. 또한 이하의 설명에서는 고전위를 "H", 저전위를 "L"로 나타낸다. 또한 1번째 행의 화소에 기록할 때 공급하는 화상 데이터를 "D1", 2번째 행의 화소에 기록할 때 공급하는 화상 데이터를 "D2", 3번째 행의 화소에 기록할 때 공급하는 화상 데이터를 "D3"으로 한다. "Vref"로서는 예를 들어 0V, GND 전위 또는 특정의 기준 전위를 사용할 수 있다.
우선, n번째 행의 화소(10[n,m])의 노드(NM[n,m])에 "D1"을 기록하는 동작에 대하여 설명한다. 또한 여기서는 전위의 분배, 결합, 또는 손실에서 회로의 구성이나 동작 타이밍 등에 기인하는 자세한 변화는 감안하지 않는다. 또한 용량 결합에 의한 전위의 변화는 공급 측과 피공급 측의 용량비에 의존하지만, 설명을 명료화하기 위하여, 노드(NM)의 용량값은 충분히 작은 값으로 가정한다.
우선, 시각(T1)에 배선(123)의 전위를 "H", 배선(124)의 전위를 "L"로 하여, 배선(125[m])에 "D1"이 공급되도록 트랜지스터(108)를 도통시킨다.
또한 시각(T1)에 배선(121[n])의 전위를 "H"로 하면, 화소(10[n, m])에서 트랜지스터(102)가 도통되고, 용량 소자(104)의 한쪽 전극의 전위는 "Vref"가 된다. 상기 동작은 추후의 가산 동작(용량 결합 동작)을 수행하기 위한 리셋 동작이다. 또한 트랜지스터(103)가 도통되고, 노드(NM[n, m])에 배선(125[m])의 전위가 기록된다. 상기 동작은 1번째의 기록 동작이고, 노드(NM[n, m])의 전위는 "D1"이 된다.
그 후, 배선(121[n])의 전위를 "L"로 하면, 트랜지스터(102) 및 트랜지스터(103)가 비도통이 되어 노드(NM[n, m])에 "D1"이 유지된다. 또한 용량 소자(104)에는 "D1-Vref"가 유지된다.
여기까지가 화소(10[n, m])에서의 "D1"의 기록 동작이다. 다음으로 화소(10[n, m])에서의 "D1"의 가산 및 화소(10[n+1, m])에서의 "D2"의 기록 동작에 대하여 설명한다.
시각(T2)에 배선(123)의 전위를 "L", 배선(124)의 전위를 "H"로 하고, 배선(125[m])을 부유 상태로 하여 "D1"을 유지시킨다. 또한 배선(126[m])에 "D2"가 공급되도록 트랜지스터(107)를 도통시킨다.
또한 시각(T2)에 배선(121[n+1])의 전위를 "H"로 하면, 화소(10[n, m])에서 트랜지스터(101)가 도통되고, 용량 소자(104)의 용량 결합에 의하여 노드(NM[n,m])의 전위에, 배선(125[m])에 유지되어 있는 전위 "D1"이 부가된다. 상기 동작은 2번째의 기록 동작이고, 노드(NM[n, m])의 전위는 "D1-Vref+D1"이 된다. 이때 "Vref"=0이면 노드(NM[n, m])의 전위는 "D1+D1"이 된다. 즉, 소스선에 공급되고 유지된 데이터를 화소 내에서 가산할 수 있다.
또한 화소(10[n+1, m])에서 트랜지스터(102)가 도통되고, 용량 소자(104)의 한쪽 전극의 전위는 "Vref"가 된다. 또한 트랜지스터(103)가 도통되고, 노드(NM[n+1, m])에 배선(126[m])의 전위가 기록된다. 상기 동작은 1번째의 기록 동작이고, 노드(NM[n+1, m])의 전위는 "D2"가 된다.
여기까지가 화소(10[n, m])에서의 "D1+D1"의 기록 동작, 및 화소(10[n+1, m])에서의 "D2"의 기록 동작이다. 다음으로 화소(10[n+1, m])에서의 "D2"의 가산 및 화소(10[n+2, m])에서의 "D3"의 기록 동작에 대하여 설명한다.
시각(T3)에 배선(123)의 전위를 "H", 배선(124)의 전위를 "L"로 하고, 배선(126)을 부유 상태로 하여 "D2"를 유지시킨다. 또한 배선(125[m])에 "D3"이 공급되도록 트랜지스터(108)를 도통시킨다.
또한 시각(T3)에 배선(121[n+2])의 전위를 "H"로 하면, 화소([n+1, m])에서 트랜지스터(101)가 도통되고, 용량 소자(104)의 용량 결합에 의하여 노드(NM[n+1,m])의 전위에, 배선(126[m])에 유지되어 있는 전위 "D2"가 부가된다. 상기 동작은 2번째의 기록 동작이고, 노드(NM[n+1, m])의 전위는 "D2-Vref+D2"가 된다. 이때 "Vref"=0이면 노드(NM[n+1, m])의 전위는 "D2+D2"가 된다.
또한 화소(10[n+2, m])에서 트랜지스터(102)가 도통되고, 용량 소자(104)의 한쪽 전극의 전위는 "Vref"가 된다. 또한 트랜지스터(103)가 도통되고, 노드(NM[n+2, m])에 배선(125[m])의 전위가 기록된다. 상기 동작은 1번째의 기록 동작이고, 노드(NM[n+2, m])의 전위는 "D3"이 된다.
여기까지가 화소(10[n+1, m])에서의 "D2+D2"의 기록 동작, 및 화소(10[n+2, m])에서의 "D3"의 기록 동작이다. 화소(10[n+2, m])에서는 도 3에 도시된 타이밍 차트에 따라 상술한 것과 같은 동작을 수행함으로써 "D3+D3"을 기록할 수 있다.
이상의 설명과 같이 본 발명의 일 형태에서는 2개의 화상 데이터를 가산하는 동작을 고속으로 수행할 수 있다. 화상 데이터를 가산함으로써 소스 드라이버의 최대 출력 전압 이상의 전위를 표시 소자에 공급할 수 있고, 표시 휘도의 향상이나 다이내믹 레인지의 확대 등에 기여할 수 있다. 또한 표준적인 표시를 수행하는 경우에는, 소스 드라이버의 출력 전압을 약 절반으로 할 수도 있고, 소비전력을 삭감할 수도 있다.
또한 n번째 행의 화소와 n+1번째 행의 화소에 대한 기록 동작을 병행할 수 있기 때문에 프레임 주파수를 높일 수 있다. 따라서 화소수 증대에 의하여 수평 기간이 짧은 경우에도 프레임 주파수를 높이기 쉬워진다. 또한 본 발명의 일 형태는 고속 동작이 필요한 필드 시퀀셜 액정 표시 장치에도 적합하다.
도 4의 (A) 내지 (C)는 회로 블록(110)에 적용할 수 있고, 표시 소자로서 EL 소자를 포함하는 구성의 예이다.
도 4의 (A)에 도시된 구성은 트랜지스터(111), 용량 소자(113), 및 EL 소자(114)를 가진다. 트랜지스터(111)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 EL 소자(114)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된다. EL 소자(114)의 한쪽 전극은 용량 소자(113)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된다. 용량 소자(113)의 다른 쪽 전극은 트랜지스터(111)의 게이트와 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(111)의 게이트는 노드(NM)와 전기적으로 접속된다.
트랜지스터(111)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 배선(128)과 전기적으로 접속된다. EL 소자(114)의 다른 쪽 전극은 배선(129)과 전기적으로 접속된다. 배선(128, 129)은 전원을 공급하는 기능을 가진다. 예를 들어 배선(128)은 고전위 전원을 공급할 수 있다. 또는 배선(129)은 저전위 전원을 공급할 수 있다.
여기서 도 2에 도시된 "Vref"를 공급하기 위한 트랜지스터(102)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 배선(128)과 전기적으로 접속될 수 있다. "Vref"는 0V, GND 또는 저전위인 것이 바람직하기 때문에 배선(128)은 적어도 이들 전위 중 어느 것을 공급하는 기능도 가진다. 배선(128)에는 노드(NM)에 데이터를 기록하는 타이밍에 "Vref"를 공급하고, EL 소자(114)를 발광시킨 타이밍에는 고전위 전원을 공급하면 좋다. 또한 트랜지스터(102)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 "Vref"를 공급하는 공통 배선과 전기적으로 접속되어도 좋다.
도 4의 (A)에 도시된 구성에서는, 노드(NM)의 전위가 트랜지스터(111)의 문턱 전압 이상이 되었을 때 EL 소자(114)에 전류가 흐른다. 따라서 도 3의 타이밍 차트에 나타낸 1번째의 기록 단계에서 EL 소자(114)의 발광이 시작되는 경우가 있어, 용도가 한정되는 경우가 있다.
도 4의 (B)는 도 4의 (A)의 구성에 트랜지스터(112)를 부가한 구성이다. 트랜지스터(112)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 트랜지스터(111)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(112)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 EL 소자(114)와 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(112)의 게이트는 배선(127)과 전기적으로 접속된다. 배선(127)은 트랜지스터(112)의 도통을 제어하는 신호선으로서의 기능을 가질 수 있다.
상기 구성에서는 노드(NM)의 전위가 트랜지스터(111)의 문턱 전압 이상이고 트랜지스터(112)가 도통되었을 때 EL 소자(114)에 전류가 흐른다. 따라서 도 3의 타이밍 차트에 나타낸 2번째의 기록 이후에 EL 소자(114)의 발광을 시작할 수 있다.
도 4의 (C)는 도 4의 (B)의 구성에 트랜지스터(115)를 부가한 구성이다. 트랜지스터(115)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 트랜지스터(111)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(115)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 배선(130)과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(115)의 게이트는 배선(131)과 전기적으로 접속된다. 배선(131)은 트랜지스터(115)의 도통을 제어하는 신호선으로서의 기능을 가질 수 있다.
배선(130)은 기준 전위 등의 특정 전위의 공급원과 전기적으로 접속될 수 있다. 배선(130)으로부터 트랜지스터(111)의 소스 및 드레인 중 한쪽에 특정 전위를 공급함으로써, 화상 데이터의 기록을 안정화시킬 수도 있다.
또한 배선(130)은 회로(120)와 접속될 수 있고, 모니터선으로서의 기능을 가질 수도 있다. 회로(120)는 상기 특정 전위의 공급원, 트랜지스터(111)의 전기 특성을 취득하는 기능, 및 보정 데이터를 생성하는 기능 중 하나 이상을 가질 수 있다.
도 5의 (A) 내지 (C)는 회로 블록(110)에 적용할 수 있고, 표시 소자로서 액정 소자를 포함하는 구성의 예이다.
도 5의 (A)에 도시된 구성은 용량 소자(116) 및 액정 소자(117)를 가진다. 액정 소자(117)의 한쪽 전극은 용량 소자(116)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된다. 용량 소자(116)의 한쪽 전극은 노드(NM)에 전기적으로 접속된다.
용량 소자(116)의 다른 쪽 전극은 배선(132)과 전기적으로 접속된다. 액정 소자(117)의 다른 쪽 전극은 배선(133)과 전기적으로 접속된다. 배선(132, 133)은 전원을 공급하는 기능을 가진다. 예를 들어, 배선(132, 133)은 GND나 0V 등의 기준 전위나 임의의 전위를 공급할 수 있다.
여기서 도 2에 도시된 "Vref"를 공급하기 위한 트랜지스터(102)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 배선(132)과 전기적으로 접속될 수 있다. 또한 트랜지스터(102)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 "Vref"를 공급하는 공통 배선과 전기적으로 접속되어도 좋다.
상기 구성에서는 노드(NM)의 전위가 액정 소자(117)의 동작 문턱값 이상으로 되었을 때 액정 소자(117)의 동작이 시작된다. 따라서 도 3의 타이밍 차트에 나타낸 1번째의 기록 단계에서 표시 동작이 시작되는 경우가 있어, 용도가 한정되는 경우가 있다. 다만, 투과형 액정 표시 장치의 경우에는 도 3의 타이밍 차트에 나타낸 2번째의 기록까지 백라이트를 소등하는 등의 동작을 병용함으로써, 불필요한 표시 동작이 수행되어도 시인을 억제할 수 있다.
도 5의 (B)는 도 5의 (A)의 구성에 트랜지스터(118)를 부가한 구성이다. 트랜지스터(118)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 용량 소자(116)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(118)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 노드(NM)와 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(118)의 게이트는 배선(127)과 전기적으로 접속된다. 배선(127)은 트랜지스터(118)의 도통을 제어하는 신호선으로서의 기능을 가질 수 있다.
상기 구성에서는 트랜지스터(118)의 도통에 따라 액정 소자(117)에 노드(NM)의 전위가 인가된다. 따라서 도 3에 도시된 타이밍 차트의 2번째의 기록 이후에 액정 소자의 동작을 시작할 수 있다.
또한 트랜지스터(118)가 비도통인 상태에서는 용량 소자(116) 및 액정 소자(117)에 공급된 전위가 계속 유지되므로, 화상 데이터를 재기록하기 전에 용량 소자(116) 및 액정 소자(117)에 공급된 전위를 리셋하는 것이 바람직하다. 상기 리셋은, 예를 들어 화소가 접속되는 소스선(배선(125) 또는 배선(126))에 리셋 전위를 공급하고, 트랜지스터(102) 및 트랜지스터(118)를 동시에 도통시키면 좋다.
도 5의 (C)는 도 5의 (B)의 구성에 트랜지스터(119)를 부가한 구성이다. 트랜지스터(119)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 액정 소자(117)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(119)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 배선(130)과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(119)의 게이트는 배선(131)과 전기적으로 접속된다. 배선(131)은 트랜지스터(119)의 도통을 제어하는 신호선으로서의 기능을 가질 수 있다.
배선(130)과 전기적으로 접속되는 회로(120)는 상술한 도 4의 (C)의 설명과 마찬가지이고, 또한 용량 소자(116) 및 액정 소자(117)에 공급된 전위를 리셋하는 기능을 가져도 좋다.
또한 도 4, 도 5에서는 "Vref"를 전원선으로부터 공급하는 예를 나타내었지만, 게이트선으로부터 공급할 수도 있다. 예를 들어 도 6의 (A)에 도시된 바와 같이 화소(10[n,m])에서는 배선(121)으로부터 "Vref"를 공급하여도 좋다. 도 3에 나타낸 바와 같이 "D1"의 기록 시(트랜지스터(103)의 도통 시)에 배선(121[n+1])은 "L"에 상당하는 전위가 공급되어 있기 때문에 상기 전위를 "Vref"로서 이용할 수 있다.
또한 도 6의 (B), (C)에 도시된 바와 같이 트랜지스터(101, 102, 103)는 백 게이트를 제공한 구성이어도 좋다. 도 6의 (B)는 백 게이트가 프런트 게이트와 전기적으로 접속된 구성을 도시한 것이고, 온 전류를 높이는 효과를 가진다. 도 6의 (C)는 백 게이트가 정전위를 공급할 수 있는 배선(134)과 전기적으로 접속된 구성을 도시한 것이고, 트랜지스터의 문턱 전압을 제어할 수 있다. 또한 도 4의 (A) 내지 (C) 및 도 5의 (A) 내지 (C)에 도시된 회로 블록(110)이 가지는 트랜지스터에도 백 게이트를 제공하여도 좋다.
소스선에 데이터를 유지하고, 상기 데이터를 가산 동작에 사용하는 화소를 가지는 표시 장치로서는 도 7에 도시된 구성이어도 좋다.
도 7에 도시된 표시 장치에서 화소의 기본 구성은 도 2에 도시된 표시 장치와 같지만, 소스선이 열마다 하나 제공되는 것, 게이트선이 행마다 2개 제공되는 점이 상이하다. 또한 회로(11) 대신에 회로(14)가 제공된다.
게이트선으로서는 배선(121) 및 배선(122)이 제공된다. 배선(121)에는 트랜지스터(102)의 게이트 및 트랜지스터(103)의 게이트가 전기적으로 접속된다. 배선(122)에는 트랜지스터(101)의 게이트가 전기적으로 접속된다.
회로(14)는 트랜지스터(109)를 가진다. 트랜지스터(109)의 게이트는 배선(123)과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(109)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 배선(125)(소스선)에 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 소스 드라이버(12)와 전기적으로 접속된다. 따라서, 트랜지스터(109)의 도통을 제어함으로써 배선(125)에 화상 데이터(DATA)를 공급 또는 유지할 수 있다.
도 7에 도시된 구성에서도 소스선에 화상 데이터가 공급될 때 1번째의 기록을 수행하고, 소스선에 화상 데이터를 유지할 때 2번째의 기록을 수행한다. 다만, 열 방향의 모든 화소가 하나의 소스선에 접속되기 때문에, 병렬 동작에 의한 기록 속도의 향상을 수행할 수는 없다. 한편, 소스선에 화상 데이터를 유지할 때 소스 드라이버 내의 출력 회로에서 파워 게이팅을 수행하고, 누설 전류 등으로 인한 소비전력을 저감할 수 있다.
도 8에 도시된 타이밍 차트를 사용하여, 2개의 화상 데이터를 가산하는 동작 및 소스 드라이버의 파워 게이팅의 일례에 대하여 설명한다.
우선, n번째 행의 화소(10[n,m])의 노드(NM[n,m])에 화상 데이터 "D1"을 기록하는 동작에 대하여 설명한다. 또한 여기서는 전위의 분배, 결합, 또는 손실에서 회로의 구성이나 동작 타이밍 등에 기인하는 자세한 변화는 감안하지 않는다.
시각(T1)에 배선(123)의 전위를 "H"로 하여, 배선(125[m])에 "D1"이 공급되도록 트랜지스터(109)를 도통시킨다.
또한 시각(T1)에 배선(121[n])의 전위를 "H"로 하면, 화소(10[n, m])에서 트랜지스터(103)가 도통되고, 용량 소자(104)의 한쪽 전극의 전위는 "Vref"가 된다. 상기 동작은 추후의 가산 동작(용량 결합 동작)을 수행하기 위한 리셋 동작이다. 또한 트랜지스터(102)가 도통되고, 노드(NM[n, m])에 배선(125[m])의 전위가 기록된다. 상기 동작은 1번째의 기록 동작이고, 노드(NM[n, m])의 전위는 "D1"이 된다.
시각(T2)에 배선(121[n])의 전위를 "L", 배선(123)의 전위를 "L"로 하면, 트랜지스터(102) 및 트랜지스터(103)가 비도통이 되어 노드(NM[n, m])에 "D1"이 유지된다. 또한 용량 소자(104)에는 "D1-Vref"가 유지된다. 또한 배선(125[m])이 부유 상태가 되어 "D1"이 유지된다.
여기까지가 화소(10[n, m])에서의 "D1"의 기록 동작이다. 다음으로 화소(10[n, m])에서의 "D1"의 가산 동작에 대하여 설명한다.
시각(T2)에 배선(122[n])의 전위를 "H"로 하면, 화소(10[n, m])에서 트랜지스터(101)가 도통되고, 용량 소자(104)의 용량 결합에 의하여 노드(NM[n,m])의 전위에, 배선(125[m])에 유지되어 있는 전위 "D1"이 부가된다. 상기 동작은 2번째의 기록 동작이고, 노드(NM[n, m])의 전위는 "D1-Vref+D1"이 된다. 이때 "Vref"=0이면 노드(NM[n, m])의 전위는 "D1+D1"이 된다. 즉, 소스선에 공급되고 유지된 데이터를 화소 내에서 가산할 수 있다.
시각(T3) 이후에는, 상기와 같은 동작을 반복함으로써, 다음 행 이후의 화소(10)에 대한 화상 데이터(DATA)의 기록이 수행된다.
여기서, 시각(T2) 내지 시각(T3)의 기간에서는 소스선에 데이터가 유지되어 있기 때문에, 소스 드라이버(12)의 출력 동작은 불필요하다. 따라서, 상기 기간에 소스 드라이버(12)의 출력 회로의 동작을 정지할 수 있다. 상기 기간은 최대로 화소(10)에 대한 화상 데이터의 기록 기간의 약 절반이 되므로 소비전력을 크게 삭감할 수 있다.
다음으로, 도 2에 도시된 표시 장치의 화소(10)에 도 5의 (A)에 도시된 회로 블록을 적용한 구성(도 9 참조)의 시뮬레이션 결과에 대하여 설명한다. 파라미터는 다음과 같다. 트랜지스터 크기는 L/W=4μm/200μm(회로(11)가 가지는 트랜지스터), L/W=4μm/4μm(화소(10)가 가지는 트랜지스터), 소스선의 저항값은 1kΩ(회로(11)와 각 화소 사이의 저항값에 상당함), 용량 소자(Csl)의 용량값은 100pF(소스선에 접속되는 100fF의 용량 소자 1000개에 상당함), 용량 소자(C1)의 용량값은 500fF, 용량 소자(Cs)의 용량값은 100fF, 액정 소자(Clc)의 용량값은 40fF, 화상 데이터(DATA)는 최대 5V, "Vref"는 0V, 공통 전극(CsCOM 및 TCOM)은 0V로 하였다. 또한 트랜지스터의 게이트에 인가하는 전압은 "H"로서 +20V, "L"로서 -20V로 하였다. 또한 회로 시뮬레이션 소프트웨어로서는 SPICE를 사용하였다.
도 9에 도시된 회로를 도 10에 도시된 타이밍 차트에 따라 동작시킨 경우의 시뮬레이션 결과를 도 11에 도시하였다. SMP1, SMP2는 회로(11)의 동작을 제어하는 게이트선이다. SL1은 화소(10[n])와 접속되는 소스선, SL2는 화소(10[n+1])와 접속되는 소스선이다. GL[n]은 화소(10[n])와 접속되는 게이트선, GL[n+2]는 화소(10[n+1])와 접속되는 게이트선, GL[n+1]은 화소(10[n]) 및 화소(10[n+1])와 접속되는 게이트선이다. D1은 화소(10[n])에 공급되는 화상 데이터(DATA)에 상당하고, D2는 화소(10[n+1])에 공급되는 화상 데이터(DATA)에 상당하고, D3은 화소(10[n+2])(미도시)에 공급되는 화상 데이터(DATA)에 상당한다.
도 11은 화상 데이터(DATA)로서 +5V를 입력하였을 때의 노드(NM[n]) 및 노드(NM[n+1])에서의 전압의 시뮬레이션 결과이다. 노드(NM[n])에서는 GL[n]을 "H"로 한 타이밍에 1번째의 기록이 수행되고, GL[n+1]을 "H"로 한 타이밍에 2번째의 기록이 수행되고, 화상 데이터(DATA)가 가산되어 있는 것이 확인되었다. 노드(NM[n+1])도 마찬가지이다.
도 12는 화상 데이터(DATA)로서 -5V 내지 +5V를 입력하였을 때의 노드(NM[n]) 및 노드(NM[n+1])에서의 전압의 시뮬레이션 결과이다. 어느 경우에서도 화상 데이터(DATA)가 가산되어 있는 것이 확인되었다.
이상의 시뮬레이션 결과로부터, 소스선의 용량에 유지된 전위를 화소에 대한 데이터 전압으로서 부가할 수 있는 것이 확인되었다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는 소스 드라이버로부터 화소로의 기록 기간을 1수평 기간에 실질적으로 1회로 할 수 있기 때문에, 고속 동작이 필요한 표시 장치에 적용하는 것이 바람직하다.
본 실시형태는 다른 실시형태 등에 기재된 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 액정 소자를 사용한 표시 소자의 구성예와, EL 소자를 사용한 표시 장치의 구성예에 대하여 설명한다. 또한 본 실시형태에서는 실시형태 1에서 설명한 표시 장치의 요소, 동작, 및 기능의 설명은 생략한다.
도 13의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 일 형태를 사용할 수 있는 표시 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 13의 (A)에서, 제 1 기판(4001) 위에 제공된 표시부(215)를 둘러싸도록 밀봉재(4005)가 제공되고, 밀봉재(4005) 및 제 2 기판(4006)으로 표시부(215)가 밀봉되어 있다.
표시부(215)에는 실시형태 1에서 설명한 화소(10) 등을 제공할 수 있다. 또한 이하에서 설명하는 주사선 구동 회로는 게이트 드라이버에 상당하고, 신호선 구동 회로는 소스 드라이버에 상당한다.
도 13의 (A)에서는 주사선 구동 회로(221a), 신호선 구동 회로(231a), 신호선 구동 회로(232a), 및 공통선 구동 회로(241a)는 각각이 인쇄 기판(4041) 위에 제공된 집적 회로(4042)를 복수로 가진다. 집적 회로(4042)는 단결정 반도체 또는 다결정 반도체로 형성되어 있다. 공통선 구동 회로(241a)는 실시형태 1에 나타낸 배선(128, 129, 132, 133, 135) 등에 소정의 전위를 공급하는 기능을 가진다.
주사선 구동 회로(221a), 공통선 구동 회로(241a), 신호선 구동 회로(231a), 및 신호선 구동 회로(232a)에 공급되는 각종 신호 및 전위는 FPC(Flexible printed circuit)(4018)를 통하여 공급된다.
주사선 구동 회로(221a) 및 공통선 구동 회로(241a)가 가지는 집적 회로(4042)는 표시부(215)에 선택 신호를 공급하는 기능을 가진다. 신호선 구동 회로(231a) 및 신호선 구동 회로(232a)가 가지는 집적 회로(4042)는 표시부(215)에 화상 데이터를 공급하는 기능을 가진다. 집적 회로(4042)는 제 1 기판(4001) 위의 밀봉재(4005)로 둘러싸여 있는 영역과는 다른 영역에 실장되어 있다.
또한 집적 회로(4042)의 접속 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 와이어 본딩법, COG(Chip On Glass)법, TCP(Tape Carrier Package)법, COF(Chip On Film)법 등을 사용할 수 있다.
도 13의 (B)는 신호선 구동 회로(231a) 및 신호선 구동 회로(232a)에 포함되는 집적 회로(4042)를 COG법으로 실장하는 예를 도시한 것이다. 또한 구동 회로의 일부 또는 전체를 표시부(215)와 같은 기판 위에 일체로 형성하여, 시스템 온 패널(system-on-panel)을 형성할 수 있다.
도 13의 (B)에서는 주사선 구동 회로(221a) 및 공통선 구동 회로(241a)를 표시부(215)와 같은 기판 위에 형성하는 예를 도시하였다. 구동 회로를 표시부(215) 내의 화소 회로와 동시에 형성함으로써 부품 점수를 삭감할 수 있다. 따라서 생산성을 높일 수 있다.
또한 도 13의 (B)에서는 제 1 기판(4001) 위에 제공된 표시부(215)와, 주사선 구동 회로(221a) 및 공통선 구동 회로(241a)를 둘러싸도록, 밀봉재(4005)가 제공되어 있다. 또한 표시부(215), 주사선 구동 회로(221a), 및 공통선 구동 회로(241a) 위에 제 2 기판(4006)이 제공되어 있다. 따라서 표시부(215), 주사선 구동 회로(221a), 및 공통선 구동 회로(241a)는 제 1 기판(4001)과 밀봉재(4005)와 제 2 기판(4006)에 의하여, 표시 소자와 함께 밀봉되어 있다.
또한 도 13의 (B)에서는 신호선 구동 회로(231a) 및 신호선 구동 회로(232a)를 별도로 형성하고 제 1 기판(4001)에 실장한 예를 도시하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 주사선 구동 회로 또는 공통선 구동 회로를 별도로 형성하고 실장하여도 좋다. 또한 신호선 구동 회로의 일부, 주사선 구동 회로의 일부, 또는 공통선 구동 회로의 일부를 별도로 형성하고 실장하여도 좋다. 또한 도 13의 (C)에 도시된 바와 같이, 신호선 구동 회로(231a) 및 신호선 구동 회로(232a)를 표시부(215)와 같은 기판 위에 형성하여도 좋다.
또한 표시 장치는 표시 소자가 밀봉된 상태인 패널과, 상기 패널에 컨트롤러를 포함하는 IC 등이 실장된 상태인 모듈을 포함하는 경우가 있다.
또한 제 1 기판 위에 제공된 표시부 및 주사선 구동 회로는 트랜지스터를 복수로 가진다. 상기 트랜지스터로서, 상기 실시형태에서 나타낸 트랜지스터를 적용할 수 있다.
주변 구동 회로가 가지는 트랜지스터와, 표시부의 화소 회로가 가지는 트랜지스터의 구조는 같아도 좋고, 상이하여도 좋다. 주변 구동 회로가 가지는 트랜지스터는 모두 같은 구조의 트랜지스터이어도 좋고, 2종류 이상의 구조의 트랜지스터를 가져도 좋다. 마찬가지로 화소 회로가 가지는 트랜지스터는 모두 같은 구조의 트랜지스터이어도 좋고, 2종류 이상의 구조의 트랜지스터를 가져도 좋다.
또한 제 2 기판(4006) 위에는 입력 장치를 제공할 수 있다. 도 13의 (A) 내지 (C)에 도시된 표시 장치에 입력 장치(4200)를 제공한 구성은 터치 패널로서 기능시킬 수 있다.
본 발명의 일 형태의 터치 패널이 가지는 검지 소자(센서 소자라고도 함)에 한정은 없다. 손가락이나 스타일러스 등의 피검지체의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있는 다양한 센서를 검지 소자로서 적용할 수 있다.
센서의 방식으로서는, 예를 들어 정전 용량 방식, 저항막 방식, 표면 탄성파 방식, 적외선 방식, 광학 방식, 감압 방식 등 다양한 방식을 사용할 수 있다.
본 실시형태에서는 정전 용량 방식의 검지 소자를 가지는 터치 패널을 예로 들어 설명한다.
정전 용량 방식으로서는 표면형 정전 용량 방식, 투영형 정전 용량 방식 등이 있다. 또한 투영형 정전 용량 방식으로서는 자기 용량 방식, 상호 용량 방식 등이 있다. 상호 용량 방식을 사용하면, 동시 다점 검지가 가능하므로 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 터치 패널은 따로 제작된 표시 장치와 검지 소자를 접합시키는 구성, 표시 소자를 지지하는 기판 및 대향 기판 중 한쪽 또는 양쪽에 검지 소자를 구성하는 전극 등을 제공하는 구성 등 다양한 구성을 적용할 수 있다.
도 14의 (A), (B)에 터치 패널의 일례를 도시하였다. 도 14의 (A)는 터치 패널(4210)의 사시도이다. 도 14의 (B)는 입력 장치(4200)의 사시 개략도이다. 또한 명료화를 위하여 대표적인 구성 요소만을 도시하였다.
터치 패널(4210)은 따로 제작된 표시 장치와 검지 소자를 접합시킨 구성이다.
터치 패널(4210)은 입력 장치(4200)와 표시 장치를 가지고, 이들이 중첩되어 제공되어 있다.
입력 장치(4200)는 기판(4263), 전극(4227), 전극(4228), 복수의 배선(4237), 복수의 배선(4238), 및 복수의 배선(4239)을 가진다. 예를 들어 전극(4227)은 배선(4237) 또는 배선(4239)과 전기적으로 접속될 수 있다. 또한 전극(4228)은 배선(4239)과 전기적으로 접속될 수 있다. FPC(4272b)는 복수의 배선(4237), 복수의 배선(4238), 및 복수의 배선(4239)의 각각과 전기적으로 접속된다. FPC(4272b)에는 IC(4273b)를 제공할 수 있다.
또는 표시 장치의 제 1 기판(4001)과 제 2 기판(4006) 사이에 터치 센서를 제공하여도 좋다. 제 1 기판(4001)과 제 2 기판(4006) 사이에 터치 센서를 제공하는 경우에는 정전 용량 방식의 터치 센서 외에, 광전 변환 소자를 사용한 광학식의 터치 센서를 적용하여도 좋다.
도 15의 (A), (B)는 도 13의 (B)에서 N1-N2의 쇄선으로 나타낸 부분의 단면도이다. 도 15의 (A), (B)에 도시된 표시 장치는 전극(4015)을 가지고, 전극(4015)은 이방성 도전층(4019)을 통하여 FPC(4018)가 가지는 단자와 전기적으로 접속된다. 또한 도 15의 (A), (B)에서는 전극(4015)은 절연층(4112), 절연층(4111), 및 절연층(4110)에 형성된 개구에서 배선(4014)과 전기적으로 접속된다.
전극(4015)은 제 1 전극층(4030)과 같은 도전층으로 형성되고, 배선(4014)은 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011)의 소스 전극 및 드레인 전극과 같은 도전층으로 형성되어 있다.
또한 제 1 기판(4001) 위에 제공된 표시부(215)와 주사선 구동 회로(221a)는 트랜지스터를 복수로 가지고, 도 15의 (A), (B)에는 표시부(215)에 포함되는 트랜지스터(4010) 및 주사선 구동 회로(221a)에 포함되는 트랜지스터(4011)를 예시하였다. 또한 도 15의 (A), (B)에서는 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011)로서 보텀 게이트형 트랜지스터를 예시하였지만, 톱 게이트형 트랜지스터이어도 좋다.
도 15의 (A), (B)에서는 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011) 위에 절연층(4112)이 제공되어 있다. 또한 도 15의 (B)에서는 절연층(4112) 위에 격벽(4510)이 형성되어 있다.
또한 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011)는 절연층(4102) 위에 제공되어 있다. 또한 트랜지스터(4010) 및 트랜지스터(4011)는 절연층(4111) 위에 형성된 전극(4017)을 가진다. 전극(4017)은 백 게이트 전극으로서 기능할 수 있다.
또한 도 15의 (A), (B)에 도시된 표시 장치는 용량 소자(4020)를 가진다. 용량 소자(4020)는 트랜지스터(4010)의 게이트 전극과 같은 공정으로 형성된 전극(4021)과, 소스 전극 및 드레인 전극과 같은 공정으로 형성된 전극을 가진다. 각각의 전극은 절연층(4103)을 개재(介在)하여 중첩되어 있다.
일반적으로, 표시 장치의 화소부에 제공되는 용량 소자의 용량은 화소부에 배치되는 트랜지스터의 누설 전류 등을 고려하여 전하가 소정의 기간 동안 유지될 수 있도록 설정된다. 용량 소자의 용량은 트랜지스터의 오프 전류 등을 고려하여 설정하면 좋다.
표시부(215)에 제공된 트랜지스터(4010)는 표시 소자와 전기적으로 접속된다. 도 15의 (A)는 표시 소자로서 액정 소자를 사용한 액정 표시 장치의 일례이다. 도 15의 (A)에서 표시 소자인 액정 소자(4013)는 제 1 전극층(4030), 제 2 전극층(4031), 및 액정층(4008)을 포함한다. 또한 배향막으로서 기능하는 절연층(4032), 절연층(4033)이 액정층(4008)을 끼우도록 제공되어 있다. 제 2 전극층(4031)은 제 2 기판(4006) 측에 제공되고, 제 1 전극층(4030)과 제 2 전극층(4031)은 액정층(4008)을 개재하여 중첩된다.
또한 스페이서(4035)는 절연층을 선택적으로 에칭함으로써 얻어지는 주(柱)상의 스페이서이고, 제 1 전극층(4030)과 제 2 전극층(4031)의 간격(셀 갭)을 제어하기 위하여 제공되어 있다. 또한 구(球)상의 스페이서를 사용하여도 좋다.
또한 필요에 따라, 블랙 매트릭스(차광층), 착색층(컬러 필터), 편광 부재, 위상차 부재, 반사 방지 부재 등의 광학 부재(광학 기판) 등을 적절히 제공하여도 좋다. 예를 들어, 편광 기판 및 위상차 기판에 의한 원편광을 사용하여도 좋다. 또한 광원으로서 백라이트, 사이드 라이트 등을 사용하여도 좋다. 또한 상기 백라이트 및 사이드 라이트로서 마이크로 LED 등을 사용하여도 좋다.
도 15의 (A)에 도시된 표시 장치에서는, 제 2 기판(4006)과 제 2 전극층(4031) 사이에 차광층(4132), 착색층(4131), 절연층(4133)이 제공되어 있다.
차광층으로서 사용할 수 있는 재료로서는 카본 블랙, 타이타늄 블랙, 금속, 금속 산화물, 복수의 금속 산화물의 고용체를 포함하는 복합 산화물 등을 들 수 있다. 차광층은 수지 재료를 포함하는 막이어도 좋고, 금속 등의 무기 재료의 박막이어도 좋다. 또한 차광층에 착색층의 재료를 포함하는 막의 적층막을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 어떤 색의 광을 투과시키는 착색층에 사용하는 재료를 포함하는 막과, 다른 색의 광을 투과시키는 착색층에 사용하는 재료를 포함하는 막의 적층 구조를 사용할 수 있다. 착색층과 차광층의 재료를 공통화함으로써, 장치를 공통화할 수 있을 뿐만 아니라 공정도 간략화할 수 있어 바람직하다.
착색층에 사용할 수 있는 재료로서는 금속 재료, 수지 재료, 안료 또는 염료가 포함된 수지 재료 등을 들 수 있다. 차광층 및 착색층은 예를 들어 잉크젯법 등을 사용하여 형성할 수 있다.
또한 도 15의 (A), (B)에 도시된 표시 장치는 절연층(4111)과 절연층(4104)을 가진다. 절연층(4111)과 절연층(4104)으로서 불순물 원소를 투과시키기 어려운 절연층을 사용한다. 절연층(4111)과 절연층(4104) 사이에 트랜지스터의 반도체층을 끼우면, 외부로부터의 불순물 침입을 방지할 수 있다.
또한 표시 장치에 포함되는 표시 소자로서 일렉트로루미네선스를 이용하는 발광 소자(EL 소자)를 적용할 수 있다. EL 소자는 한 쌍의 전극 사이에 발광성 화합물을 포함하는 층('EL층'이라고도 함)을 가진다. EL 소자의 문턱 전압보다 큰 전위차를 한 쌍의 전극 사이에 발생시키면, EL층에 양극 측으로부터 정공이 주입되고, 음극 측으로부터 전자가 주입된다. 주입된 전자와 정공은 EL층에서 재결합하고, EL층에 포함되는 발광성 화합물이 발광한다.
또한 EL 소자는 발광 재료가 유기 화합물인지, 무기 화합물인지에 따라 구별되고, 일반적으로 전자(前者)는 유기 EL 소자, 후자(後者)는 무기 EL 소자라고 불린다.
유기 EL 소자에서는 전압을 인가함으로써, 한쪽 전극으로부터 전자가, 다른 쪽 전극으로부터 정공이 각각 EL층에 주입된다. 그리고, 이들 캐리어(전자 및 정공)가 재결합함으로써, 발광성 유기 화합물이 여기 상태를 형성하고, 이 여기 상태가 기저 상태로 되돌아갈 때 발광한다. 이와 같은 메커니즘 때문에 이와 같은 발광 소자는 전류 여기형 발광 소자라고 불린다.
또한 EL층은 발광성 화합물 외에, 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 블록 재료, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 또는 양극성 물질(전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 물질) 등을 가져도 좋다.
EL층은 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법, 인쇄법, 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성될 수 있다.
무기 EL 소자는 그 소자 구성에 따라 분산형 무기 EL 소자와 박막형 무기 EL 소자로 분류된다. 분산형 무기 EL 소자는 발광 재료의 입자를 바인더 내로 분산시킨 발광층을 가지는 것이며, 발광 메커니즘은 도너 준위와 억셉터 준위를 이용하는 도너-억셉터 재결합형 발광이다. 박막형 무기 EL 소자는 발광층을 유전체층 사이에 끼우고, 또한 그것을 전극 사이에 끼운 구조를 가지고, 발광 메커니즘은 금속 이온의 내각 전자 전이(inner-shell electron transition)를 이용하는 국재형 발광이다. 또한 여기서는, 발광 소자로서 유기 EL 소자를 사용하여 설명한다.
발광 소자는 발광을 추출하기 위하여, 적어도 한 쌍의 전극 중 한쪽이 투명하면 좋다. 그리고, 기판 위에 트랜지스터 및 발광 소자를 형성하고, 상기 기판과는 반대쪽의 면으로부터 발광을 추출하는 상면 사출(top emission) 구조나, 기판 측의 면으로부터 발광을 추출하는 하면 사출(bottom emission) 구조나, 양쪽 면으로부터 발광을 추출하는 양면 사출(dual emission) 구조의 발광 소자가 있고, 어느 사출 구조를 가지는 발광 소자이든 적용할 수 있다.
도 15의 (B)는 표시 소자로서 발광 소자를 사용한 발광 표시 장치("EL 표시 장치"라고도 함)의 일례이다. 표시 소자인 발광 소자(4513)는 표시부(215)에 제공된 트랜지스터(4010)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한 발광 소자(4513)의 구성은 제 1 전극층(4030), 발광층(4511), 제 2 전극층(4031)의 적층 구조이지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 발광 소자(4513)로부터 추출되는 광의 방향 등에 따라 발광 소자(4513)의 구성은 적절히 변경할 수 있다.
격벽(4510)은 유기 절연 재료 또는 무기 절연 재료를 사용하여 형성한다. 특히 감광성 수지 재료를 사용하여 제 1 전극층(4030) 위에 개구부를 형성하고 그 개구부의 측면이 연속한 곡률을 가지도록 형성되는 경사면이 되는 것이 바람직하다.
발광층(4511)은 단층으로 구성되어도 좋고, 복수의 층이 적층되도록 구성되어도 좋다.
발광 소자(4513)의 발광색은 발광층(4511)을 구성하는 재료에 따라 백색, 적색, 녹색, 청색, 시안, 마젠타, 또는 황색 등으로 할 수 있다.
컬러 표시를 실현하는 방법으로서는, 발광색이 백색인 발광 소자(4513)와 착색층을 조합하는 방법과, 화소마다 발광색이 상이한 발광 소자(4513)를 제공하는 방법이 있다. 전자의 방법은 후자의 방법보다 생산성이 높다. 한편, 후자의 방법에서는 화소마다 발광층(4511)을 따로 형성할 필요가 있으므로 전자의 방법보다 생산성이 떨어진다. 다만, 후자의 방법은 전자의 방법보다 색 순도가 높은 발광색을 얻을 수 있다. 후자의 방법에 더하여 발광 소자(4513)에 마이크로캐비티 구조를 부여함으로써 색 순도를 더 높일 수 있다.
또한 발광층(4511)은 퀀텀닷(quantum dot) 등의 무기 화합물을 가져도 좋다. 예를 들어, 퀀텀닷을 발광층에 사용함으로써 발광 재료로서 기능시킬 수도 있다.
산소, 수소, 수분, 이산화탄소 등이 발광 소자(4513)에 들어가지 않도록, 제 2 전극층(4031) 및 격벽(4510) 위에 보호층을 형성하여도 좋다. 보호층으로서는 질화 실리콘, 질화산화 실리콘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 산화질화 알루미늄, 질화산화 알루미늄, DLC(Diamond-Like Carbon) 등을 형성할 수 있다. 또한 제 1 기판(4001), 제 2 기판(4006), 및 밀봉재(4005)로 밀봉된 공간에는 충전재(4514)가 제공되어 밀봉되어 있다. 이와 같이, 외기에 노출되지 않도록, 기밀성이 높고 탈가스가 적은 보호 필름(접합 필름, 자외선 경화 수지 필름 등)이나 커버재로 패키징(봉입)하는 것이 바람직하다.
충전재(4514)로서는 질소나 아르곤 등의 불활성 기체 외에, 자외선 경화 수지 또는 열 경화 수지를 사용할 수 있고, PVC(폴리바이닐클로라이드), 아크릴계 수지, 폴리이미드, 에폭시계 수지, 실리콘(silicone)계 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄), 또는 EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 등을 사용할 수 있다. 또한 충전재(4514)에 건조제가 포함되어도 좋다.
밀봉재(4005)에는 유리 프릿 등의 유리 재료나, 2액 혼합형 수지 등의 상온에서 경화되는 경화 수지, 광 경화성 수지, 열 경화성 수지 등의 수지 재료를 사용할 수 있다. 또한 밀봉재(4005)에 건조제가 포함되어도 좋다.
또한 필요에 따라 발광 소자의 사출면에 편광판 또는 원 편광판(타원 편광판을 포함함), 위상차판(λ/4판, λ/2판), 컬러 필터 등의 광학 필름을 적절히 제공하여도 좋다. 또한 편광판 또는 원 편광판에 반사 방지막을 제공하여도 좋다. 예를 들어, 표면의 요철에 의하여 반사광을 확산시켜, 글레어(glare)를 저감할 수 있는 안티글레어 처리를 수행할 수 있다.
또한 발광 소자를 마이크로캐비티 구조로 함으로써, 색 순도가 높은 광을 추출할 수 있다. 또한 마이크로캐비티 구조와 컬러 필터를 조합함으로써, 글레어가 저감되어 표시 화상의 시인성을 높일 수 있다.
표시 소자에 전압을 인가하는 제 1 전극층 및 제 2 전극층(화소 전극층, 공통 전극층, 대향 전극층 등이라고도 함)에서는, 추출하는 광의 방향, 전극층이 제공되는 장소, 및 전극층의 패턴 구조에 따라 투광성, 반사성을 선택하면 좋다.
제 1 전극층(4030), 제 2 전극층(4031)에는, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화 타이타늄을 포함하는 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물, 산화 타이타늄을 포함하는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 실리콘을 첨가한 인듐 주석 산화물 등의 투광성을 가지는 도전성 재료를 사용할 수 있다.
또한 제 1 전극층(4030), 제 2 전극층(4031)은 텅스텐(W), 몰리브데넘(Mo), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 크로뮴(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 금속, 또는 그 합금, 또는 그 금속 질화물로부터 1종류 이상을 사용하여 형성될 수 있다.
또한 제 1 전극층(4030), 제 2 전극층(4031)은 도전성 고분자(도전성 폴리머라고도 함)를 포함하는 도전성 조성물을 사용하여 형성될 수 있다. 도전성 고분자로서는 소위 π전자 공액 도전성 고분자를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리아닐린 또는 그 유도체, 폴리피롤 또는 그 유도체, 폴리싸이오펜 또는 그 유도체, 혹은 아닐린, 피롤, 및 싸이오펜 중 2종류 이상으로 이루어지는 공중합체 또는 그 유도체 등을 들 수 있다.
또한 트랜지스터는 정전기 등으로 인하여 파괴되기 쉽기 때문에, 구동 회로 보호용 보호 회로를 제공하는 것이 바람직하다. 보호 회로는 비선형 소자를 사용하여 구성되는 것이 바람직하다.
또한 도 16에 도시된 바와 같이, 트랜지스터나 용량 소자가 높이 방향으로 중첩되는 영역을 가지는 적층 구조로 하여도 좋다. 예를 들어, 구동 회로를 구성하는 트랜지스터(4011) 및 트랜지스터(4022)를 중첩시켜 배치하면, 슬림 베젤의 표시 장치로 할 수 있다. 또한 화소 회로를 구성하는 트랜지스터(4010), 트랜지스터(4023), 용량 소자(4020) 등이 일부라도 중첩되는 영역을 가지도록 배치하면 개구율이나 해상도를 향상시킬 수 있다. 또한 도 16에는 도 15의 (A)에 도시된 액정 표시 장치에 적층 구조를 응용한 예를 도시하였지만, 도 15의 (B)에 도시된 EL 표시 장치에 응용하여도 좋다.
또한 화소 회로에서 전극이나 배선에 가시광에 대한 투광성이 높은 투광성 도전막을 사용함으로써, 화소 내의 광의 투과율을 높일 수 있어, 실질적으로 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한 OS 트랜지스터를 사용하는 경우에는 반도체층도 투광성을 가지기 때문에 개구율을 더 높일 수 있다. 이들은 트랜지스터 등을 적층 구조로 하지 않는 경우에서도 유효하다.
또한 액정 표시 장치와 발광 장치를 조합하여 표시 장치를 구성하여도 좋다.
발광 장치는 표시면의 반대쪽 또는 표시면의 단부에 배치된다. 발광 장치는 표시 소자에 광을 공급하는 기능을 가진다. 발광 장치는 백라이트라고도 부를 수 있다.
여기서 발광 장치는 판상 또는 시트상의 도광부(도광판이라고도 함)와, 다른 색의 광을 나타내는 복수의 발광 소자를 가질 수 있다. 상기 발광 소자를 도광부의 측면 근방에 배치하면 도광부 측면으로부터 내부로 광을 발할 수 있다. 도광부는 광로를 변경하는 기구(광 추출 기구라고도 함)를 가지고, 이에 의하여 발광 장치는 표시 패널의 화소부에 광을 균일하게 조사할 수 있다. 또는 도광부를 제공하지 않고 화소 직하에 발광 장치를 배치하는 구성으로 하여도 좋다.
발광 장치는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3색의 발광 소자를 가지는 것이 바람직하다. 또한 백색(W)의 발광 소자를 가져도 좋다. 이들 발광 소자로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 발광 소자는 그 발광 스펙트럼의 반치전폭(FWHM: Full Width at Half Maximum)이 50nm 이하, 바람직하게는 40nm 이하, 더 바람직하게는 30nm 이하, 더욱 바람직하게는 20nm 이하인, 색 순도가 매우 높은 발광 소자인 것이 바람직하다. 또한 발광 스펙트럼의 반치전폭은 작으면 작을수록 좋지만, 예를 들어 1nm 이상으로 할 수 있다. 이에 의하여, 컬러 표시를 수행할 때, 색 재현성이 높고 선명한 표시를 수행할 수 있다.
또한 적색의 발광 소자에는 발광 스펙트럼의 피크 파장이 625nm 이상 650nm 이하의 범위 내에 위치하는 소자를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 녹색의 발광 소자에는 발광 스펙트럼의 피크 파장이 515nm 이상 540nm 이하의 범위 내에 위치하는 소자를 사용하는 것이 바람직하다. 청색의 발광 소자에는 발광 스펙트럼의 피크 파장이 445nm 이상 470nm 이하의 범위 내에 위치하는 소자를 사용하는 것이 바람직하다.
표시 장치는 3색의 발광 소자를 순차적으로 점멸시키면서, 이와 동기시켜 화소를 구동하고, 계시 가법 혼색법에 의거하여 컬러 표시를 수행할 수 있다. 상기 구동 방법은 필드 시퀀셜 구동이라고도 부를 수 있다.
필드 시퀀셜 구동에서는 선명한 컬러 화상을 표시할 수 있다. 또한 매끄러운 동영상을 표시할 수 있다. 또한 상기 구동 방법을 사용함으로써, 하나의 화소를 복수의 상이한 색의 부화소로 구성할 필요가 없고, 하나의 화소의 유효 반사 면적(유효 표시 면적, 개구율이라고도 함)을 크게 할 수 있어 밝은 표시를 수행할 수 있다. 또한 화소에 컬러 필터를 제공할 필요가 없기 때문에 화소의 투과율도 향상시킬 수 있어 더 밝은 표시를 수행할 수 있다. 또한 제작 공정을 간략화할 수 있어 제작 비용을 저감할 수 있다.
도 17의 (A), (B)는 필드 시퀀셜 구동이 가능한 표시 장치의 단면 개략도의 일례이다. 상기 표시 장치의 기판(4001) 측에는 RGB 각 색의 발광이 가능한 백라이트 유닛이 제공된다. 또한 필드 시퀀셜 구동에서는 RGB 각 색의 시분할 발광으로 색을 표현하기 때문에 컬러 필터는 불필요하다.
도 17의 (A)에 도시된 백라이트 유닛(4340a)은 화소 직하에 확산판(4352)을 개재하여 발광 소자(4342)가 복수로 제공된 구성이다. 확산판(4352)은 발광 소자(4342)로부터 기판(4001) 측으로 사출된 광을 확산시키고 표시부 면내의 휘도를 균일화하는 기능을 가진다. 발광 소자(4342)와 확산판(4352) 사이에는 필요에 따라 편광판을 제공하여도 좋다. 또한 확산판(4352)은 불필요하면 제공하지 않아도 된다. 또한 차광층(4132)을 생략한 구성으로 하여도 좋다.
백라이트 유닛(4340a)은 표시부 직하에 배치할 수 있기 때문에 발광 소자(4342)를 많이 탑재할 수 있어 밝은 표시가 가능해진다. 또한 도광판은 불필요하고 발광 소자(4342)의 광 효율이 저하되기 어려운 이점이 있다. 또한 필요에 따라 발광 소자(4342)에 광 확산용의 렌즈(4344)를 제공하여도 좋다.
도 17의 (B)에 도시된 백라이트 유닛(4340b)은 화소 직하에 확산판(4352)을 개재하고 도광판(4341)이 제공된 구성이다. 도광판(4341)의 단부에는 발광 소자(4342)가 복수로 제공된다. 도광판(4341)은 확산판(4352)과는 반대쪽으로 요철 형상을 가지고, 도파한 광을 상기 요철 형상으로 산란시키고 확산판(4352)의 방향으로 사출할 수 있다.
발광 소자(4342)는 인쇄 기판(4347)에 고정할 수 있다. 또한 도 17의 (B)에서는 RGB 각 색의 발광 소자(4342)가 중첩되도록 도시되었지만 깊이 방향으로 RGB 각 색의 발광 소자(4342)를 나란히 배치할 수도 있다. 또한 도광판(4341)에서 발광 소자(4342)와는 반대쪽의 측면에는 가시광을 반사하는 반사층(4348)을 제공하여도 좋다.
백라이트 유닛(4340b)은 발광 소자(4342)를 적게 할 수 있기 때문에, 비용이 적고 또한 얇게 할 수 있다.
또한 액정 소자에는 광 산란형 액정 소자를 사용하여도 좋다. 광 산란형 액정 소자로서는 액정과 고분자의 복합 재료를 가지는 소자를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 고분자 분산형 액정(PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)) 소자를 사용할 수 있다. 또는 고분자 네트워크형 액정(PNLC(Polymer Network Liquid Crystal)) 소자를 사용하여도 좋다.
광 산란형 액정 소자는 한 쌍의 전극에 끼워지는 수지부의 3차원 네트워크 구조 내에 액정부가 제공된 구조이다. 액정부에 사용하는 재료로서는 예를 들어 네마틱 액정을 사용할 수 있다. 또한 수지부로서는 광 경화 수지를 사용할 수 있다. 광 경화 수지는, 예를 들어 아크릴레이트, 메타크릴레이트 등의 단관능(單官能) 모노머, 다이아크릴레이트, 트라이아크릴레이트, 다이메타크릴레이트, 트라이메타크릴레이트 등의 다관능 모노머, 또는 이들을 혼합시킨 중합성 화합물을 사용할 수 있다.
광 산란형 액정 소자는 액정 재료의 굴절률의 이방성을 이용하여 광을 투과 또는 산란시킴으로써 표시를 수행한다. 또한 수지부도 굴절률의 이방성을 가져도 좋다. 광 산란형 액정 소자에 인가되는 전압에 따라 액정 분자가 일정 방향으로 배열될 때 액정부와 수지부의 굴절률의 차이가 작아지는 방향이 발생되고, 상기 방향을 따라 입사하는 광은 액정부에서 산란되지 않고 투과한다. 따라서, 광 산란형 액정 소자는 상기 방향으로부터는 투명한 상태로 시인된다. 한편, 인가되는 전압에 따라 액정 분자의 배열이 무작위로 될 때 액정부와 수지부의 굴절률의 차이에 큰 변화가 생기지 않으므로 입사광은 액정부에서 산란된다. 따라서, 광 산란형 액정 소자는 시인 방향에 상관없이 불투명한 상태가 된다.
도 18의 (A)는 도 17의 (A)의 표시 장치의 액정 소자(4013)를 광 산란형 액정 소자(4016)로 바꾼 구성이다. 광 산란형 액정 소자(4016)는 액정부 및 수지부를 가지는 복합층(4009), 그리고 전극층(4030, 4031)을 가진다. 필드 시퀀셜 구동에 관한 요소는 도 17의 (A)와 동일하지만, 광 산란형 액정 소자(4016)를 사용하는 경우에는 배향막 및 편광판이 불필요하다. 또한 스페이서(4035)는 구상 형태로 도시되었지만 주상이어도 좋다.
도 18의 (B)는 도 17의 (B)의 표시 장치의 액정 소자(4013)를 광 산란형 액정 소자(4016)로 바꾼 구성이다. 도 18의 (B)의 구성에서는 광 산란형 액정 소자(4016)에 전압을 인가하지 않는 경우에 광을 투과시키고, 전압을 인가한 경우에 광을 산란시키는 모드로 동작하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 상기 구성으로 함으로써 노멀 상태(표시시키지 않는 상태)에서 투명한 표시 장치로 할 수 있다. 이 경우에는 광을 산란시키는 동작을 수행하였을 때 컬러 표시를 수행할 수 있다.
도 18의 (B)에 도시된 표시 장치의 변형예를 도 19의 (A) 내지 (E)에 도시하였다. 또한 도 19의 (A) 내지 (E)에서는 명료화를 위하여 도 18의 (B)의 일부 요소를 사용하고 다른 요소를 생략하여 도시하였다.
도 19의 (A)는 기판(4001)이 도광판으로서의 기능을 가지는 구성이다. 기판(4001)의 외측 면에는 요철 형상을 제공하여도 좋다. 상기 구성에서는 도광판을 별도로 제공할 필요가 없기 때문에 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한 상기 도광판에 의한 광의 감쇠도 없어져 발광 소자(4342)가 사출하는 광을 효율적으로 이용할 수 있다.
도 19의 (B)는 복합층(4009)의 단부 근방으로부터 광을 입사하는 구성이다. 복합층(4009)과 기판(4006)의 계면, 및 복합층(4009)과 기판(4001)의 계면에서의 전반사를 이용하여 광 산란형 액정 소자로부터 외부로 광을 사출할 수 있다. 복합층(4009)의 수지부에는 기판(4001) 및 기판(4006)보다 굴절률이 큰 재료를 사용한다.
또한 발광 소자(4342)는 표시 장치의 1변에 제공할 뿐만 아니라 도 19의 (C)에 도시된 바와 같이 대향하는 2변에 제공하여도 좋다. 또한 3변 또는 4변에 제공하여도 좋다. 발광 소자(4342)를 복수의 변에 제공함으로써 광의 감쇠를 보완할 수 있고, 대면적 표시 소자에도 대응할 수 있다.
도 19의 (D)는 발광 소자(4342)로부터 사출되는 광이 미러(4345)를 통하여 표시 장치에 도광되는 구성이다. 상기 구성에 의하여 표시 장치에 대하여 일정 각도로부터의 도광을 수행하기 쉬워지기 때문에 전반사광(total reflection light)을 효율적으로 얻을 수 있다.
도 19의 (E)는 복합층(4009) 위에 층(4003)과 층(4004)의 적층을 가지는 구성이다. 층(4003) 및 층(4004) 중 한쪽은 유리 기판 등의 지지체이고, 다른 쪽은 무기막, 유기 수지의 코팅막 또는 필름 등으로 형성할 수 있다. 복합층(4009)의 수지부에는 층(4004)보다 굴절률이 큰 재료를 사용한다. 또한 층(4004)에는 층(4003)보다 굴절률이 큰 재료를 사용한다.
복합층(4009)과 층(4004) 사이에는 1번째의 계면이 형성되고, 층(4004)과 층(4003) 사이에는 2번째의 계면이 형성된다. 상기 구성에 의하여, 1번째의 계면에서 전반사되지 않고 투과한 광을 2번째의 계면에서 전반사시켜 복합층(4009)으로 되돌릴 수 있다. 따라서, 발광 소자(4342)가 사출하는 광을 효율적으로 이용할 수 있다.
또한 도 18의 (B) 및 도 19의 (A) 내지 (E)에서의 구성은 서로 조합할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태 등에 기재된 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 위의 실시형태에 나타낸 각 트랜지스터 대신에 사용할 수 있는 트랜지스터의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 보텀 게이트형 트랜지스터나 톱 게이트형 트랜지스터 등 다양한 형태의 트랜지스터를 사용하여 제작할 수 있다. 따라서, 기존의 제조 라인에 맞추어, 사용되는 반도체층의 재료나 트랜지스터 구조를 용이하게 치환할 수 있다.
[보텀 게이트형 트랜지스터]
도 20의 (A1)은 보텀 게이트형 트랜지스터의 일종인 채널 보호형 트랜지스터(810)의 채널 길이 방향의 단면도이다. 도 20의 (A1)에서, 트랜지스터(810)는 기판(771) 위에 형성된다. 또한 트랜지스터(810)는 기판(771) 위에 절연층(772)을 개재하여 전극(746)을 가진다. 또한 전극(746) 위에 절연층(726)을 개재하여 반도체층(742)을 가진다. 전극(746)은 게이트 전극으로서 기능할 수 있다. 절연층(726)은 게이트 절연층으로서 기능할 수 있다.
또한 반도체층(742)의 채널 형성 영역 위에 절연층(741)을 가진다. 또한 반도체층(742)의 일부와 접하여 절연층(726) 위에 전극(744a) 및 전극(744b)을 가진다. 전극(744a)은 소스 전극 및 드레인 전극 중 한쪽으로서 기능할 수 있다. 전극(744b)은 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 쪽으로서 기능할 수 있다. 전극(744a)의 일부 및 전극(744b)의 일부는 절연층(741) 위에 형성된다.
절연층(741)은 채널 보호층으로서 기능할 수 있다. 채널 형성 영역 위에 절연층(741)을 제공함으로써, 전극(744a) 및 전극(744b)의 형성 시에 일어나는 반도체층(742)의 노출을 방지할 수 있다. 따라서, 전극(744a) 및 전극(744b)의 형성 시에 반도체층(742)의 채널 형성 영역이 에칭되는 것을 방지할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 전기 특성이 양호한 트랜지스터를 실현할 수 있다.
또한 트랜지스터(810)는 전극(744a), 전극(744b), 및 절연층(741) 위에 절연층(728)을 가지고, 절연층(728) 위에 절연층(729)을 가진다.
반도체층(742)에 산화물 반도체를 사용하는 경우, 전극(744a) 및 전극(744b)에서 적어도 반도체층(742)과 접하는 부분에, 반도체층(742)의 일부로부터 산소를 빼앗아 산소 결손을 발생시킬 수 있는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 반도체층(742)에서 산소 결손이 생긴 영역은 캐리어 농도가 증가되고, 상기 영역은 n형화되어 n형 영역(n+층)이 된다. 따라서, 상기 영역은 소스 영역 또는 드레인 영역으로서 기능할 수 있다. 반도체층(742)에 산화물 반도체를 사용하는 경우, 반도체층(742)으로부터 산소를 빼앗아 산소 결손을 발생시킬 수 있는 재료의 일례로서 텅스텐, 타이타늄 등을 들 수 있다.
반도체층(742)에 소스 영역 및 드레인 영역이 형성됨으로써, 전극(744a) 및 전극(744b)과 반도체층(742)의 접촉 저항을 저감할 수 있다. 따라서, 전계 효과 이동도나 문턱 전압 등의 트랜지스터의 전기 특성을 양호한 것으로 할 수 있다.
반도체층(742)에 실리콘 등의 반도체를 사용하는 경우에는, 반도체층(742)과 전극(744a) 사이 및 반도체층(742)과 전극(744b) 사이에, n형 반도체 또는 p형 반도체로서 기능하는 층을 제공하는 것이 바람직하다. n형 반도체 또는 p형 반도체로서 기능하는 층은 트랜지스터의 소스 영역 또는 드레인 영역으로서 기능할 수 있다.
절연층(729)은 외부로부터 트랜지스터로의 불순물 확산을 방지하거나 저감하는 기능을 가지는 재료를 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한 필요에 따라 절연층(729)을 생략할 수도 있다.
도 20의 (A2)에 도시된 트랜지스터(811)는, 절연층(729) 위에 백 게이트 전극으로서 기능할 수 있는 전극(723)을 가지는 점이 트랜지스터(810)와 다르다. 전극(723)은 전극(746)과 같은 재료 및 방법으로 형성할 수 있다.
일반적으로, 백 게이트 전극은 도전층으로 형성되고, 게이트 전극과 백 게이트 전극으로 반도체층의 채널 형성 영역을 개재하도록 배치된다. 따라서, 백 게이트 전극은 게이트 전극과 마찬가지로 기능시킬 수 있다. 백 게이트 전극의 전위는 게이트 전극과 동일한 전위로 하여도 좋고, 접지 전위(GND 전위)나 임의의 전위로 하여도 좋다. 또한 백 게이트 전극의 전위를 게이트 전극과 연동시키지 않고 독립적으로 변화시킴으로써, 트랜지스터의 문턱 전압을 변화시킬 수 있다.
전극(746) 및 전극(723)은 양쪽 모두 게이트 전극으로서 기능할 수 있다. 따라서, 절연층(726), 절연층(728), 및 절연층(729)은 각각이 게이트 절연층으로서 기능할 수 있다. 또한 전극(723)은 절연층(728)과 절연층(729) 사이에 제공하여도 좋다.
또한 전극(746) 및 전극(723) 중 한쪽을 "게이트 전극"이라고 하는 경우, 다른 쪽을 "백 게이트 전극"이라고 한다. 예를 들어, 트랜지스터(811)에서 전극(723)을 "게이트 전극"이라고 하는 경우에는 전극(746)을 "백 게이트 전극"이라고 한다. 또한 전극(723)을 "게이트 전극"으로서 사용하는 경우에는 트랜지스터(811)를 톱 게이트형 트랜지스터의 일종이라고 생각할 수 있다. 또한 전극(746) 및 전극(723) 중 어느 한쪽을 "제 1 게이트 전극"이라고 하고, 다른 쪽을 "제 2 게이트 전극"이라고 하는 경우가 있다.
반도체층(742)을 사이에 두고 전극(746) 및 전극(723)을 제공함으로써, 또한 전극(746) 및 전극(723)을 동일한 전위로 함으로써, 반도체층(742)에서 캐리어가 흐르는 영역이 막 두께 방향에서 더 커지기 때문에, 캐리어의 이동량이 증가된다. 이 결과, 트랜지스터(811)의 온 전류가 커짐과 함께, 전계 효과 이동도가 높아진다.
따라서, 트랜지스터(811)는 점유 면적에 대하여 큰 온 전류를 가지는 트랜지스터이다. 즉, 요구되는 온 전류에 대하여 트랜지스터(811)의 점유 면적을 작게 할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 트랜지스터의 점유 면적을 작게 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 형태에 따르면, 집적도가 높은 반도체 장치를 실현할 수 있다.
또한 게이트 전극과 백 게이트 전극은 도전층으로 형성되기 때문에, 트랜지스터의 외부에서 생기는 전계가 채널이 형성되는 반도체층에 작용하지 않도록 하는 기능(특히 정전기 등에 대한 전계 차폐 기능)을 가진다. 또한 백 게이트 전극을 반도체층보다 크게 형성하고, 백 게이트 전극으로 반도체층을 덮음으로써, 전계 차폐 기능을 높일 수 있다.
또한 백 게이트 전극을 차광성을 가지는 도전막으로 형성함으로써, 백 게이트 전극 측으로부터 반도체층에 광이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 반도체층의 광 열화를 방지하고, 트랜지스터의 문턱 전압이 시프트되는 등의 전기 특성의 열화를 방지할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 신뢰성이 양호한 트랜지스터를 실현할 수 있다. 또한 신뢰성이 양호한 반도체 장치를 실현할 수 있다.
도 20의 (B1)은, 도 20의 (A1)과는 다른 구성의 채널 보호형 트랜지스터(820)의 채널 길이 방향의 단면도이다. 트랜지스터(820)는 트랜지스터(810)와 거의 같은 구조를 가지지만, 절연층(741)이 반도체층(742)의 단부를 덮는 점이 다르다. 또한 반도체층(742)과 중첩되는 절연층(741)의 일부를 선택적으로 제거하여 형성한 개구부에서, 반도체층(742)과 전극(744a)이 전기적으로 접속된다. 또한 반도체층(742)과 중첩되는 절연층(741)의 일부를 선택적으로 제거하여 형성한 다른 개구부에서, 반도체층(742)과 전극(744b)이 전기적으로 접속된다. 절연층(741)에서 채널 형성 영역과 중첩되는 영역은 채널 보호층으로서 기능할 수 있다.
도 20의 (B2)에 도시된 트랜지스터(821)는 절연층(729) 위에 백 게이트 전극으로서 기능할 수 있는 전극(723)을 가지는 점이 트랜지스터(820)와 다르다.
절연층(741)을 제공함으로써, 전극(744a) 및 전극(744b)의 형성 시에 일어나는 반도체층(742)의 노출을 방지할 수 있다. 따라서, 전극(744a) 및 전극(744b)의 형성 시에 반도체층(742)의 박막화를 방지할 수 있다.
또한 트랜지스터(820) 및 트랜지스터(821)는 전극(744a)과 전극(746) 사이의 거리와 전극(744b)과 전극(746) 사이의 거리가 트랜지스터(810) 및 트랜지스터(811)보다 길다. 따라서, 전극(744a)과 전극(746) 사이에 발생하는 기생 용량을 작게 할 수 있다. 또한 전극(744b)과 전극(746) 사이에 발생하는 기생 용량을 작게 할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 전기 특성이 양호한 트랜지스터를 실현할 수 있다.
도 20의 (C1)은 보텀 게이트형 트랜지스터의 하나인 채널 에칭형 트랜지스터(825)의 채널 길이 방향의 단면도이다. 트랜지스터(825)는 절연층(741)을 사용하지 않고 전극(744a) 및 전극(744b)을 형성한다. 이 때문에, 전극(744a) 및 전극(744b)의 형성 시에 노출되는 반도체층(742)의 일부가 에칭되는 경우가 있다. 한편, 절연층(741)을 제공하지 않기 때문에, 트랜지스터의 생산성을 높일 수 있다.
도 20의 (C2)에 도시된 트랜지스터(826)는 절연층(729) 위에 백 게이트 전극으로서 기능할 수 있는 전극(723)을 가지는 점이 트랜지스터(825)와 다르다.
도 21의 (A1) 내지 (C2)에 트랜지스터(810, 811, 820, 821, 825, 826)의 채널 폭 방향의 단면도를 각각 도시하였다.
도 21의 (B2), (C2)에 도시된 구조에서는, 게이트 전극과 백 게이트 전극이 접속되고, 게이트 전극과 백 게이트 전극의 전위는 동일한 전위가 된다. 또한 반도체층(742)은 게이트 전극과 백 게이트 전극 사이에 끼워져 있다.
게이트 전극 및 백 게이트 전극의 각각의 채널 폭 방향의 길이는 반도체층(742)의 채널 폭 방향의 길이보다 길고, 반도체층(742)의 채널 폭 방향 전체는 절연층(726, 741, 728, 729)을 개재하여 게이트 전극 또는 백 게이트 전극으로 덮인 구성이다.
상기 구성으로 함으로써, 트랜지스터에 포함되는 반도체층(742)을 게이트 전극 및 백 게이트 전극의 전계에 의하여 전기적으로 둘러쌀 수 있다.
트랜지스터(821) 또는 트랜지스터(826)와 같이, 게이트 전극 및 백 게이트 전극의 전계에 의하여, 채널 형성 영역이 형성되는 반도체층(742)을 전기적으로 둘러싸는 트랜지스터의 디바이스 구조를 Surrounded channel(S-channel) 구조라고 부를 수 있다.
S-channel 구조로 함으로써, 게이트 전극 및 백 게이트 전극 중 한쪽 또는 양쪽에 의하여 채널을 유발시키기 위한 전계를 효과적으로 반도체층(742)에 인가할 수 있으므로, 트랜지스터의 전류 구동 능력이 향상되어, 높은 온 전류 특성을 얻을 수 있다. 또한 온 전류를 높게 할 수 있으므로, 트랜지스터를 미세화하는 것이 가능하다. 또한 S-channel 구조로 함으로써, 트랜지스터의 기계적 강도를 높일 수 있다.
[톱 게이트형 트랜지스터]
도 22의 (A1)에 예시된 트랜지스터(842)는 톱 게이트형 트랜지스터의 하나이다. 전극(744a) 및 전극(744b)은 절연층(728) 및 절연층(729)에 형성한 개구부에서 반도체층(742)과 전기적으로 접속된다.
또한 전극(746)과 중첩되지 않는 절연층(726)의 일부를 제거하고, 전극(746)과 잔존한 절연층(726)을 마스크로서 사용하여 불순물을 반도체층(742)에 도입함으로써, 반도체층(742) 내에 자기정합(셀프 얼라인먼트)적으로 불순물 영역을 형성할 수 있다. 트랜지스터(842)는 절연층(726)이 전극(746)의 단부를 넘어 연장되는 영역을 가진다. 반도체층(742)의 절연층(726)을 통하여 불순물이 도입된 영역의 불순물 농도는, 절연층(726)을 통하지 않고 불순물이 도입된 영역보다 작다. 반도체층(742)에는 전극(746)과 중첩되지 않는 영역에 LDD(Lightly Doped Drain) 영역이 형성된다.
도 22의 (A2)에 도시된 트랜지스터(843)는 전극(723)을 가지는 점이 트랜지스터(842)와 다르다. 트랜지스터(843)는 기판(771) 위에 형성된 전극(723)을 가진다. 전극(723)은 절연층(772)을 개재하여 반도체층(742)과 중첩되는 영역을 가진다. 전극(723)은 백 게이트 전극으로서 기능할 수 있다.
또한 도 22의 (B1)에 도시된 트랜지스터(844) 및 도 22의 (B2)에 도시된 트랜지스터(845)와 같이, 전극(746)과 중첩되지 않는 영역의 절연층(726)을 모두 제거하여도 좋다. 또한 도 22의 (C1)에 도시된 트랜지스터(846) 및 도 22의 (C2)에 도시된 트랜지스터(847)와 같이 절연층(726)을 잔존시켜도 좋다.
트랜지스터(843) 내지 트랜지스터(847)에서도, 전극(746)을 형성한 후에, 전극(746)을 마스크로서 사용하여 불순물을 반도체층(742)에 도입함으로써, 반도체층(742) 내에 자기정합적으로 불순물 영역을 형성할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 전기 특성이 양호한 트랜지스터를 실현할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태에 따르면, 집적도가 높은 반도체 장치를 실현할 수 있다.
도 23의 (A1) 내지 (C2)에 트랜지스터(842, 843, 844, 845, 846, 847)의 채널 폭 방향의 단면도를 각각 도시하였다.
트랜지스터(843), 트랜지스터(845), 및 트랜지스터(847)는 각각 상술한 S-channel 구조이다. 다만, 이에 한정되지 않고, 트랜지스터(843), 트랜지스터(845), 및 트랜지스터(847)를 S-channel 구조로 하지 않아도 된다.
본 실시형태는 다른 실시형태 등에 기재된 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 4)
본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 사용할 수 있는 전자 기기로서 표시 기기, 퍼스널 컴퓨터, 기록 매체를 구비한 화상 기억 장치 또는 화상 재생 장치, 휴대 전화, 휴대용을 포함하는 게임기, 휴대 정보 단말기, 전자책 단말기, 비디오 카메라, 디지털 카메라 등의 카메라, 고글형 디스플레이(헤드 마운트 디스플레이), 내비게이션 시스템, 음향 재생 장치(카 오디오, 디지털 오디오 플레이어 등), 복사기, 팩시밀리, 프린터, 프린터 복합기, 현금 자동 입출금기(ATM), 자동 판매기 등을 들 수 있다. 이들 전자 기기의 구체적인 예를 도 24에 도시하였다.
도 24의 (A)는 디지털 카메라이고, 하우징(961), 셔터 버튼(962), 마이크로폰(963), 스피커(967), 표시부(965), 조작 키(966), 줌 레버(968), 렌즈(969) 등을 가진다. 표시부(965)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용함으로써, 다양한 화상의 표시를 수행할 수 있다.
도 24의 (B)는 디지털 사이니지이고, 대형의 표시부(922)를 가진다. 예를 들어 기둥(921)의 측면에 장착된다. 표시부(922)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용함으로써, 다양한 화상의 표시를 수행할 수 있다.
도 24의 (C)는 휴대 전화기의 일례이고, 하우징(951), 표시부(952), 조작 버튼(953), 외부 접속 단자(954), 스피커(955), 마이크로폰(956), 카메라(957) 등을 가진다. 상기 휴대 전화기는 표시부(952)에 터치 센서를 구비한다. 전화를 걸거나, 또는 문자를 입력하는 등의 모든 조작은 손가락이나 스타일러스 등으로 표시부(952)를 터치함으로써 수행할 수 있다. 또한 하우징(901) 및 표시부(952)는 가요성을 가지고, 도시된 바와 같이 굴곡시켜 사용할 수 있다. 표시부(952)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용함으로써, 다양한 화상의 표시를 수행할 수 있다.
도 24의 (D)는 비디오 카메라이고, 제 1 하우징(901), 제 2 하우징(902), 표시부(903), 조작 키(904), 렌즈(905), 접속부(906), 스피커(907) 등을 가진다. 조작 키(904) 및 렌즈(905)는 제 1 하우징(901)에 제공되고, 표시부(903)는 제 2 하우징(902)에 제공된다. 표시부(903)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용함으로써, 다양한 화상의 표시를 수행할 수 있다.
도 24의 (E)는 텔레비전이고, 하우징(971), 표시부(973), 조작 키(974), 스피커(975), 통신용 접속 단자(976), 광 센서(977) 등을 가진다. 표시부(973)에는 터치 센서가 제공되고, 입력 조작을 수행할 수도 있다. 표시부(973)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용함으로써, 다양한 화상의 표시를 수행할 수 있다.
도 24의 (F)는 휴대 정보 단말기이고, 하우징(911), 표시부(912), 스피커(913), 카메라(919) 등을 가진다. 표시부(912)가 가지는 터치 패널 기능에 의하여 정보의 입출력을 수행할 수 있다. 표시부(912)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 사용함으로써, 다양한 화상의 표시를 수행할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태 등에 기재된 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
10: 화소, 11: 회로, 12: 소스 드라이버, 13: 게이트 드라이버, 14: 회로, 101: 트랜지스터, 102: 트랜지스터, 103: 트랜지스터, 104: 용량 소자, 105: 용량 소자, 106: 용량 소자, 107: 트랜지스터, 108: 트랜지스터, 109: 트랜지스터, 110: 회로 블록, 111: 트랜지스터, 112: 트랜지스터, 113: 용량 소자, 114: EL 소자, 115: 트랜지스터, 116: 용량 소자, 117: 액정 소자, 118: 트랜지스터, 119: 트랜지스터, 120: 회로, 121: 배선, 122: 배선, 123: 배선, 124: 배선, 125: 배선, 126: 배선, 127: 배선, 128: 배선, 129: 배선, 130: 배선, 131: 배선, 132: 배선, 133: 배선, 134: 배선, 135: 배선, 215: 표시부, 221a: 주사선 구동 회로, 231a: 신호선 구동 회로, 232a: 신호선 구동 회로, 241a: 공통선 구동 회로, 723: 전극, 726: 절연층, 728: 절연층, 729: 절연층, 741: 절연층, 742: 반도체층, 744a: 전극, 744b: 전극, 746: 전극, 771: 기판, 772: 절연층, 810: 트랜지스터, 811: 트랜지스터, 820: 트랜지스터, 821: 트랜지스터, 825: 트랜지스터, 826: 트랜지스터, 842: 트랜지스터, 843: 트랜지스터, 844: 트랜지스터, 845: 트랜지스터, 846: 트랜지스터, 847: 트랜지스터, 901: 하우징, 902: 하우징, 903: 표시부, 904: 조작 키, 905: 렌즈, 906: 접속부, 907: 스피커, 911: 하우징, 912: 표시부, 913: 스피커, 919: 카메라, 921: 기둥, 922: 표시부, 951: 하우징, 952: 표시부, 953: 조작 버튼, 954: 외부 접속 단자, 955: 스피커, 956: 마이크로폰, 957: 카메라, 961: 하우징, 962: 셔터 버튼, 963: 마이크로폰, 965: 표시부, 966: 조작 키, 967: 스피커, 968: 줌 레버, 969: 렌즈, 971: 하우징, 973: 표시부, 974: 조작 키, 975: 스피커, 976: 통신용 접속 단자, 977: 광 센서, 1000: 용량 소자, 4001: 기판, 4003: 층, 4004: 층, 4005: 밀봉재, 4006: 기판, 4008: 액정층, 4009: 복합층, 4010: 트랜지스터, 4011: 트랜지스터, 4013: 액정 소자, 4014: 배선, 4015: 전극, 4016: 광 산란형 액정 소자, 4017: 전극, 4018: FPC, 4019: 이방성 도전층, 4020: 용량 소자, 4021: 전극, 4022: 트랜지스터, 4023: 트랜지스터, 4030: 전극층, 4031: 전극층, 4032: 절연층, 4033: 절연층, 4035: 스페이서, 4041: 인쇄 기판, 4042: 집적 회로, 4102: 절연층, 4103: 절연층, 4104: 절연층, 4110: 절연층, 4111: 절연층, 4112: 절연층, 4131: 착색층, 4132: 차광층, 4133: 절연층, 4200: 입력 장치, 4210: 터치 패널, 4227: 전극, 4228: 전극, 4237: 배선, 4238: 배선, 4239: 배선, 4263: 기판, 4272b: FPC, 4273b: IC, 4340a: 백라이트 유닛, 4340b: 백라이트 유닛, 4341: 도광판, 4342: 발광 소자, 4344: 렌즈, 4345: 미러, 4347: 인쇄 기판, 4348: 반사층, 4352: 확산판, 4510: 격벽, 4511: 발광층, 4513: 발광 소자, 4514: 충전재

Claims (3)

  1. 표시 장치로서,
    하우징과,
    가요성을 갖는 표시부
    를 가지고,
    상기 가요성을 갖는 표시부는,
    제1 내지 제3 화소와,
    제1 및 제2 소스선과,
    제1 및 제2 배선
    을 가지고,
    상기 제1 화소와 상기 제3 화소는, 상기 제1 소스선과 항상 도통하고,
    상기 제2 화소는, 상기 제2 소스선과 항상 도통하고,
    상기 제1 화소와 상기 제2 화소는, 상기 제1 배선과 항상 도통하고,
    상기 제2 화소와 상기 제3 화소는, 상기 제2 배선과 항상 도통하고,
    상기 제1 내지 제3 화소 각각은, Si를 채널 형성 영역에 갖는 트랜지스터를 가지는, 표시 장치.
  2. 표시 장치로서,
    하우징과,
    가요성을 갖는 표시부
    를 가지며,
    상기 가요성을 갖는 표시부는,
    제1 내지 제3 화소와,
    제1 및 제2 소스선과,
    제1 및 제2 게이트선
    을 가지고,
    상기 제1 화소와 상기 제3 화소는, 상기 제1 소스선과 항상 도통하고,
    상기 제2 화소는, 상기 제2 소스선과 항상 도통하고,
    상기 제1 화소와 상기 제2 화소는, 상기 제1 게이트선과 항상 도통하고,
    상기 제2 화소와 상기 제3 화소는, 상기 제2 게이트선과 항상 도통하고,
    상기 제1 내지 제3 화소 각각은, Si를 채널 형성 영역에 갖는 트랜지스터를 가지는, 표시 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 화소 각각은, 발광 소자를 가지는, 표시 장치
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7246365B2 (ja) 2018-03-06 2023-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
CN115527508A (zh) 2018-07-05 2022-12-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
CN113615320A (zh) * 2019-03-29 2021-11-05 索尼集团公司 发光装置、显示器和电子设备
KR20210027110A (ko) 2019-08-29 2021-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN112349250B (zh) * 2020-11-20 2022-02-25 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板以及驱动方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011119674A (ja) 2009-10-30 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置

Family Cites Families (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6587086B1 (en) * 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
JP2001282201A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 表示装置、液晶表示パネル、液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法
US7180496B2 (en) * 2000-08-18 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
JP4982014B2 (ja) 2001-06-21 2012-07-25 株式会社日立製作所 画像表示装置
US8633878B2 (en) 2001-06-21 2014-01-21 Japan Display Inc. Image display
US8415208B2 (en) * 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP4149168B2 (ja) * 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100864918B1 (ko) * 2001-12-26 2008-10-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 데이터 구동 장치
JP4197287B2 (ja) * 2003-03-28 2008-12-17 シャープ株式会社 表示装置
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
US7595775B2 (en) 2003-12-19 2009-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device with reverse biasing circuit
JP4860143B2 (ja) 2003-12-19 2012-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100584716B1 (ko) * 2004-04-06 2006-05-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구동회로 일체형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
US20060056267A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Driving unit and display apparatus having the same
JP4842537B2 (ja) * 2004-12-03 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7646367B2 (en) * 2005-01-21 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic apparatus
KR101209289B1 (ko) * 2005-04-07 2012-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널과, 이를 구비한 표시 장치 및 구동 방법
US8847861B2 (en) * 2005-05-20 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device, method for driving the same, and electronic device
TWI270922B (en) * 2005-06-08 2007-01-11 Au Optronics Corp A display panel and a rescue method thereof
JP5100993B2 (ja) * 2005-09-09 2012-12-19 ティーピーオー、ホンコン、ホールディング、リミテッド 液晶駆動回路およびこれを有する液晶表示装置
JP4623464B2 (ja) * 2005-09-26 2011-02-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
EP1998375A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
US9922600B2 (en) * 2005-12-02 2018-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI274931B (en) * 2005-12-16 2007-03-01 Quanta Display Inc Circuit for amplifying a display signal to be sent to a repair line by using a non-inverting amplifier
JP5034251B2 (ja) 2006-02-06 2012-09-26 セイコーエプソン株式会社 画素回路の駆動方法
JP5116277B2 (ja) * 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5403860B2 (ja) * 2006-10-10 2014-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ カラー液晶表示装置
TWI442368B (zh) * 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
JP5216204B2 (ja) * 2006-10-31 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
JP4438790B2 (ja) * 2006-11-17 2010-03-24 ソニー株式会社 画素回路および表示装置、並びに画素回路の製造方法
TW200827888A (en) * 2006-12-29 2008-07-01 Innolux Display Corp Liquid crystal display
KR101337256B1 (ko) * 2007-02-14 2013-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2008241832A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Seiko Epson Corp 液晶装置、画素回路、アクティブマトリクス基板、および電子機器
JP5116359B2 (ja) * 2007-05-17 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2008146423A1 (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
TWI642113B (zh) * 2008-08-08 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5015887B2 (ja) * 2008-09-16 2012-08-29 株式会社日立製作所 画像表示装置
TWI606520B (zh) * 2008-10-31 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI443629B (zh) 2008-12-11 2014-07-01 Sony Corp 顯示裝置、其驅動方法及電子設備
US9741309B2 (en) * 2009-01-22 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device including first to fourth switches
US8872751B2 (en) * 2009-03-26 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having interconnected transistors and electronic device including the same
KR101752640B1 (ko) * 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR102526493B1 (ko) * 2009-07-31 2023-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
TWI420493B (zh) * 2009-12-17 2013-12-21 Au Optronics Corp 閘極驅動電路
KR101900662B1 (ko) 2009-12-18 2018-11-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101783066B1 (ko) 2010-01-20 2017-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동방법
WO2011096153A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101210146B1 (ko) * 2010-04-05 2012-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2012032559A1 (ja) 2010-09-06 2012-03-15 パナソニック株式会社 表示装置およびその駆動方法
US8647919B2 (en) * 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US9443984B2 (en) * 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5784479B2 (ja) * 2010-12-28 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012168226A (ja) 2011-02-10 2012-09-06 Seiko Epson Corp 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置及び電子機器
JP5804732B2 (ja) * 2011-03-04 2015-11-04 株式会社Ｊｏｌｅｄ 駆動方法、表示装置および電子機器
TW202230814A (zh) * 2011-05-05 2022-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
EP2945147B1 (en) * 2011-05-28 2018-08-01 Ignis Innovation Inc. Method for fast compensation programming of pixels in a display
JP5794013B2 (ja) * 2011-07-22 2015-10-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
WO2013105393A1 (ja) * 2012-01-12 2013-07-18 シャープ株式会社 画素回路及び表示装置
WO2013179922A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6228753B2 (ja) * 2012-06-01 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器
DE112013003609B4 (de) * 2012-07-20 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät, das die Anzeigevorrichtung beinhaltet
JP6220597B2 (ja) * 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN104603685B (zh) * 2012-09-04 2017-04-19 夏普株式会社 液晶显示装置
KR101972077B1 (ko) * 2012-09-28 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN110137181A (zh) * 2012-12-28 2019-08-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
TWI614813B (zh) * 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9041453B2 (en) * 2013-04-04 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse generation circuit and semiconductor device
KR20140132504A (ko) 2013-05-08 2014-11-18 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR20150006145A (ko) 2013-07-08 2015-01-16 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR102218573B1 (ko) * 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN105612608B (zh) * 2013-10-09 2019-12-20 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
TWI741298B (zh) * 2013-10-10 2021-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102151235B1 (ko) * 2013-10-14 2020-09-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치
KR102123589B1 (ko) * 2013-11-27 2020-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102123979B1 (ko) * 2013-12-09 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치
US9806098B2 (en) * 2013-12-10 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR20150146409A (ko) * 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
JP6375165B2 (ja) * 2014-07-23 2018-08-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102281755B1 (ko) * 2014-09-16 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
US9773832B2 (en) * 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN104637445B (zh) * 2015-02-03 2017-03-08 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
CN113341624A (zh) * 2015-02-12 2021-09-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR102302275B1 (ko) * 2015-02-28 2021-09-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102546189B1 (ko) * 2015-04-13 2023-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10460984B2 (en) * 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
KR102332255B1 (ko) * 2015-04-29 2021-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104777692B (zh) * 2015-05-08 2018-09-04 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、触控显示面板
KR102319315B1 (ko) * 2015-05-14 2021-10-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20240014632A (ko) * 2015-05-22 2024-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
TWI548923B (zh) * 2015-06-16 2016-09-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其畫素陣列
US10140940B2 (en) 2015-07-24 2018-11-27 Japan Display Inc. Display device
JP2017027012A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10553690B2 (en) * 2015-08-04 2020-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102500271B1 (ko) * 2015-08-19 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102392471B1 (ko) * 2015-10-16 2022-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2017068478A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device including the semiconductor device
TWI562120B (en) * 2015-11-11 2016-12-11 Au Optronics Corp Pixel circuit
WO2017081579A1 (en) * 2015-11-13 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP7023114B2 (ja) * 2015-11-20 2022-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール、電子機器
JPWO2017085591A1 (ja) * 2015-11-20 2018-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、及び該半導体装置を有する電子機器
US10714633B2 (en) * 2015-12-15 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR102447828B1 (ko) * 2015-12-22 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102431047B1 (ko) * 2015-12-22 2022-08-11 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시패널 및 표시장치
KR102515807B1 (ko) * 2016-01-11 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102447451B1 (ko) * 2016-01-20 2022-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108496244B (zh) * 2016-01-27 2021-04-13 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
US10700212B2 (en) * 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
JP6995481B2 (ja) * 2016-01-29 2022-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 ソースドライバ
CN108475700B (zh) * 2016-01-29 2022-01-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
JP6796086B2 (ja) * 2016-02-05 2020-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6677386B2 (ja) * 2016-02-16 2020-04-08 天馬微電子有限公司 表示装置および表示装置の製造方法
JP2017173976A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社ジャパンディスプレイ センサ及びセンサ付き表示装置
US10528165B2 (en) * 2016-04-04 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JPWO2017195486A1 (ja) * 2016-05-11 2019-03-07 ソニー株式会社 複合型トランジスタ
WO2017208109A1 (en) * 2016-06-03 2017-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor
JP2017224508A (ja) * 2016-06-16 2017-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6763703B2 (ja) * 2016-06-17 2020-09-30 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR102330605B1 (ko) * 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN106168865B (zh) * 2016-06-28 2019-11-26 京东方科技集团股份有限公司 内嵌式触摸屏及其制作方法、显示装置
TWI737665B (zh) * 2016-07-01 2021-09-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
KR102559544B1 (ko) * 2016-07-01 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7007080B2 (ja) * 2016-07-19 2022-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ Ｔｆｔ回路基板
DE112017004423T5 (de) * 2016-09-02 2019-06-19 Sharp Kabushiki Kaisha Aktivmatrixsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2018043426A1 (ja) * 2016-09-05 2018-03-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
CN109643713A (zh) * 2016-09-05 2019-04-16 夏普株式会社 半导体装置
CN107818986A (zh) * 2016-09-14 2018-03-20 天马日本株式会社 半导体装置及其制造方法和显示设备及其制造方法
JP6756560B2 (ja) * 2016-09-27 2020-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN109791892A (zh) * 2016-09-27 2019-05-21 夏普株式会社 有源矩阵基板及其制造方法
JP2018054733A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及びカラーフィルタ基板
US20200035719A1 (en) * 2016-09-28 2020-01-30 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film transistor substrate, method for manufacturing thin-film transistor substrate, and display device
TW201817014A (zh) * 2016-10-07 2018-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
WO2018069785A1 (en) * 2016-10-12 2018-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and system using the same
JP6815159B2 (ja) * 2016-10-14 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106504699B (zh) * 2016-10-14 2019-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled像素驱动电路及驱动方法
KR102591549B1 (ko) * 2016-10-19 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2018074324A1 (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
KR20180052805A (ko) * 2016-11-10 2018-05-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6998652B2 (ja) * 2016-11-11 2022-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN206248976U (zh) * 2016-12-05 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
KR102590316B1 (ko) * 2016-12-05 2023-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102594020B1 (ko) * 2016-12-07 2023-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180079503A (ko) * 2016-12-30 2018-07-11 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴 및 이를 구비하는 표시 장치
JP2018116107A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2018138604A1 (en) * 2017-01-27 2018-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
WO2018138619A1 (en) * 2017-01-30 2018-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2018124437A (ja) * 2017-02-01 2018-08-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107068057B (zh) * 2017-02-14 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素驱动电路、其驱动方法及显示面板
WO2018182666A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Intel Corporation Gate for a transistor
CN106935659B (zh) * 2017-05-11 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置
JP7134981B2 (ja) 2017-09-14 2022-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池の異常検知システム及び二次電池の異常検出方法
US11302278B2 (en) * 2017-09-15 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel and electronic device
JP6437697B1 (ja) * 2017-09-20 2018-12-12 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の駆動方法
US10741635B2 (en) * 2017-09-28 2020-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, display device manufacturing method, and display device manufacturing apparatus
CN111149146B (zh) * 2017-09-28 2021-12-07 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
WO2019066926A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Intel Corporation PATTERNED INVERTERS OF SPACING ELEMENTS BASED ON THIN FILM TRANSISTORS
WO2019087010A1 (ja) * 2017-11-02 2019-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 給電装置及び電子機器、並びに給電装置の動作方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011119674A (ja) 2009-10-30 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K. Kato et al., "Japanese Journal of Applied Physics", 2012, volume 51, p.021201-1-021201-7
S. Amano et al., "SID Symposium Digest of Technical Papers", 2010, volume 41, issue 1, p.626-629
S. Ito et al., "The Proceedings of AM-FPD'13 Digest of Technical Papers", 2013, p.151-154
S. Matsuda et al., "2015 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers", 2015, p.T216-T217
S. Yamazaki et al., "ECS Journal of Solid State Science and Technology", 2014, volume 3, issue 9, p.Q3012-Q3022
S. Yamazaki et al., "Japanese Journal of Applied Physics", 2014, volume 53, Number 4S, p.04ED18-1-04ED18-10
S. Yamazaki et al., "SID Symposium Digest of Technical Papers", 2012, volume 43, issue 1, p.183-186
S. Yamazaki, "ECS Transactions", 2014, volume 64, issue 10, p.155-164

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