KR20140104449A - 도전 시트 및 터치 패널 - Google Patents

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Abstract

도전 시트는 제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 기판 (30); 및 기판 (30) 의 상기 제 1 주면 상에 배치되는 제 1 전극 패턴 (10) 을 포함한다.
상기 제 1 전극 패턴은, 금속 세선들로 구성되며, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 적어도 그 내부에, 제 1 도전 패턴으로부터 전기적으로 분리된 서브 비도통 패턴 (18) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 의 면적 A 와 각 서브 비도통 패턴 (18) 의 면적 B 가 5 % ＜ B / (A ＋ B) ＜ 97 % 의 관계를 만족한다. 따라서, 높은 검출 정밀도를 갖는 도전 시트와 터치 패널을 제안할 수 있다.

Description

도전 시트 및 터치 패널{CONDUCTIVE SHEET AND TOUCH PANEL}
본 발명은, 도전 시트 및 터치 패널에 관한 것이다.
최근, 휴대단말들과 컴퓨터들의 입력 장치들로서 터치 패널들이 자주 이용되고 있다. 이러한 터치 패널은, 디스플레이의 표면 상에 배치되어 손가락 등으로 접촉된 위치를 검출해, 입력 조작을 실시한다. 터치 패널에 대한 위치 검출 방법으로서 예를 들어, 저항막 방식 및 정전 용량식이 알려져 있다.
예를 들어, 정전 용량식의 터치 패널에서는, 시인성의 관점에서, 투명 전극 패턴의 재료로서 ITO (산화 인듐 주석) 가 이용된다. 그러나, ITO 가 높은 배선 저항을 갖고, 충분한 투명성을 갖지 않아서, 금속 세선들을 사용하여 형성된 투명 전극 패턴을 터치 패널에 사용하는 것이 검토되고 있다.
예를 들어, 특허문헌 1 및 2 로 개시되어 있는 바와 같이, 금속 세선들을 사용해 형성된 투명 도전막들에 대한 연구가, 계속되고 있다. 전극이 금속제의 세선들 (금속 세선들) 로 구성된 다수의 격자들을 배열하여 형성되는 경우, 표면 저항이 감소되어질 것으로 생각된다. 금속 세선들이 전극들을 형성하기 위해 사용되는 터치 패널로는, 예를 들어, 특허문헌 3 내지 8 이 알려져 있다.
특허문헌 9 는, 그물코 모양의 도전 배선들로 구성되고 일방향으로 병렬로 배치된 복수의 제 1 검출 전극들과; 그물코 모양의 도전 배선들으로 구성되고 제 1 검출 전극들과 직교하는 방향으로 병렬로 배치된 복수의 제 2 검출 전극들을 포함하는 터치 패널을 개시한다.
미국 특허출원공개 제 2004/0229028호 국제 공개 WO 2006/001461호 팜플렛 일본 공개특허공보 평5－224818호 국제 공개 WO 1995/27334호 팜플렛 미국 특허출원공개 제 2004/0239650호 미국 특허 제 7202859호 국제 공개 WO 1997/18508호 팜플렛 일본 공개특허공보 제 2003－099185호 일본 공개특허공보 제 2010－277392호
특허문헌 9 의 터치 패널에서, 터치 패널을 손가락으로 접촉하는 경우, 전극들에 발생하는 정전 용량의 변화가 결정되어, 손가락으로 접촉한 위치가 검출된다. 그러나, 특허문헌 1 의 터치 패널에서, 상부 전극이 균일한 도전 영역에서 구성되어 비도전 영역을 갖지 않는 경우에는, 손가락 등이 터치 패널에 접촉했을 경우에도, 방전된 전기력선들이 전극들간에 폐회로를 이루고, 손가락의 접촉의 검출 성능이 더 낮아지는 경우들이 있었다.
본 발명자들은 그물코 모양 전극들의 구성들을 여러가지 검토했다. 본 발명자들은, 단선부들이 그물코 모양 전극에 형성되는 경우, 단선부들은 단선부들의 위치들에 따라 눈에 띄는 것을 알았다. 예를 들어, 단선부들이 그물코 모양 전극을 형성하는 복수의 도전 배선들의 교차부들에 각각 형성되는 경우, 각 단선부의 개구부가 오픈되어 있는 그대로 보여질 수 있다. 이러한 개구부들 (단선부들) 이 직선상으로 배열되는 경우, 단선부들은 패턴으로서 인식되고, 그러므로 시인성이 불리하게 손상될 수도 있다.
이와 같은 과제를 고려해 만들어진 본 발명은, 터치 패널 상의 접촉 위치 (터치 위치) 의 높은 검출 정밀도를 갖고, 금속 세선들로 구성된 전극 패턴들을 포함하는 도전 시트 및 터치 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 시인성을 해치지 않는 도전 시트 및 정전 용량식 터치 패널을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 따른 도전 시트는, 제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 기판; 및 기판의 제 1 주면 상에 배치되는 제 1 전극 패턴을 포함한다. 제 1 전극 패턴은, 금속 세선들로 구성되고, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 도전 패턴들; 및 복수의 제 1 도전 패턴들과 전기적으로 분리된 복수의 제 1 비도전 패턴들을 교대로 포함한다. 제 1 도전 패턴들 각각은, 적어도 그 내부에, 제 1 도전 패턴과 전기적으로 분리된 서브 비도통 (sub-nonconduction) 패턴을 포함한다. 제 1 도전 패턴들 각각의 면적 A 와 각 서브 비도통 패턴의 면적 B 가 5 % ＜ B / (A ＋ B) ＜ 97 % 의 관계를 만족한다.
바람직하게는, 각 제 1 도전 패턴의 면적 A 와 각 서브 비도통 패턴의 면적 B 가 10 % ≤ B / (A ＋ B) ≤ 80 % 의 식을 만족한다.
바람직하게는, 각 제 1 도전 패턴의 면적 A 와 각 서브 비도통 패턴의 면적 B 가 10 % ≤ B / (A ＋ B) ≤ 60 % 의 식을 만족한다.
바람직하게는, 도전 시트에서, 각 서브 비도통 패턴은 제 1 방향으로 연장하는 슬릿상 형상을 갖고, 각 제 1 도전 패턴은 각 서브 비도통 패턴에 의해 분할되는 복수의 제 1 도전 패턴 열들을 포함하고, 각 제 1 도전 패턴의 면적 A1 과 각 서브 비도통 패턴의 면적 B1 이 40 % ≤ B1 / (A1 + B1) ≤ 60 % 를 만족한다.
바람직하게, 제 1 도전 패턴 열들의 폭들의 총 폭 Wa 와, 서브 비도통 패턴들의 폭들의 총 폭과 제 1 비도전 패턴의 폭과의 총 폭 Wb 가 하기 식들 (1) 및 (2) 의 관계를 만족한다.
(1) 1.0 ㎜ ≤ Wa ≤ 5.0 ㎜
(2) 1.5 ㎜ ≤ Wb ≤ 5.0 ㎜
바람직하게는, 도전 시트에서, 제 1 도전 패턴은, 순환 교차부들을 갖는 X 형상 구조들을 갖고, 제 1 도전 패턴의 면적 A2 와 서브 비도통 패턴의 면적 B2 가 20 % ≤ B2 / (A2 + B2) ≤ 50 % 의 관계를 만족하고, 30 % ≤ B2 / (A2 + B2) ≤ 50 % 의 관계를 만족하는 것이 보다 바람직하다.
바람직하게는, 도전 시트는 기판의 제 2 주면 상에 배치되는 제 2 전극 패턴을 더 포함한다. 제 2 전극 패턴은, 금속 세선들로 구성되고, 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 도전 패턴들을 포함한다.
바람직하게는, 도전 시트에서, 복수의 제 1 도전 패턴들이 균일한 형상들을 갖는 격자들로 형성되고, 격자들 각각은 250 ㎛ 이상 900 ㎛ 이하인 길이를 갖는 한변을 갖는다.
바람직하게는, 제 1 전극 패턴을 형성하는 각각의 금속 세선들 및/또는 제 2 전극 패턴을 형성하는 각각의 금속 세선들은, 30 ㎛ 이하의 선폭을 갖는다.
바람직하게, 도전 시트에서, 제 1 도전 패턴 열의 폭과 서브 비도통 패턴의 폭은 실질적으로 동등하다.
바람직하게, 도전 시트에서, 제 1 도전 패턴 열의 폭은 서브 비도통 패턴의 폭보다 더 작다.
바람직하게, 도전 시트에서, 제 1 도전 패턴 열의 폭은 서브 비도통 패턴의 폭보다 더 넓다.
바람직하게, 도전 시트에서, 제 1 전극 패턴은 복수의 제 1 도전 패턴 열들을 서로 전기적으로 접속하는 연결부를 포함한다.
바람직하게, 도전 시트에서, 제 1 도전 패턴 열들의 갯수가 10 개 이하이다.
바람직하게, 도전 시트에서, 서브 비도통 패턴은 복수의 변들로 둘러싸여 있고, 변들은 제 1 도전 패턴을 형성하는 복수의 격자들을, 격자들의 변들이 서로 접속된 상태로 선형적으로 배열하여 형성된다.
바람직하게, 도전 시트에서, 각 서브 비도통 패턴은 복수의 변으로 둘러싸여 있고, 변들은 제 1 도전 패턴을 형성하는 복수의 격자들을, 격자들의 변들이 서로 접속된 상태로, 다중 단들 (stages) 로, 선형적으로 배열하여 형성된다.
바람직하게, 도전 시트에서, 서브 비도통 패턴은 복수의 변들로 둘러싸여 있고, 변들 중 몇몇은, 제 1 도전 패턴을 형성하는 복수의 격자들을, 격자들의 변들이 서로 접속된 상태로 선형적으로 배열하여 형성되고, 변들 중 나머지 변들은 복수의 격자들을, 상기 격자들의 꼭지각들이 서로 접속된 상태로 선형적으로 배열하여 형성된다.
바람직하게, 도전 시트에서, 복수의 격자들로 형성되는 변들에 의해 정의되는 복수의 서브 비도통 패턴들은, 격자들의 꼭지각들이 서로 접속된 상태로 제 1 방향을 따라 배열된다.
바람직하게, 도전 시트에서, 제 1 방향을 따른 인접하는 서브 비도통 패턴들은, 서로 상이한 형상들을 갖는다.
바람직하게, 도전 시트에서, 서브 비도통 패턴을 정의하는 변들을 형성하는 복수의 격자들 각각은, 금속 세선으로 구성되는 돌출 배선을 추가로 포함한다.
바람직하게, 도전 시트에서, 제 1 도전 패턴은, 서브 비도통 패턴을 소정 간격으로 포함하여, 격자들이 순환 교차부들에 존재하지 않는 X 형상 구조들을 갖는다.
바람직하게, 도전 시트에서, 제 1 방향을 따른 인접하는 서브 비도통 패턴들은, 제 1 도전 패턴에서 서로 동일한 형상을 갖고, 서브 비도통 패턴들은 인접하는 제 1 도전 패턴들 사이에서 상이한 형상들을 갖는다.
본 발명의 다른 양태에 따른 터치 패널, 바람직하게는 정전 용량식 터치 패널, 보다 바람직하게는, 투영형 정전 용량식 터치 패널은, 본 발명의 도전 시트를 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트는, 제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 기판; 및 제 1 주면 상에 배치되는 제 1 전극 패턴을 포함한다. 제 1 전극 패턴은 서로 교차하는 복수의 금속 세선들로 구성된 복수의 격자들로 형성되고, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 도전 패턴들; 및 복수의 제 1 도전 패턴들을 전기적으로 서로 분리하는 복수의 제 1 비도전 패턴들을 교대로 포함한다. 제 1 비도전 패턴들 각각은 금속 세선들의 교차부들 이외의 부분들에 제 1 단선부들을 포함한다. 도전 시트는 제 2 주면 상에 배치되는 제 2 전극 패턴을 포함한다. 제 2 전극 패턴은 서로 교차하는 복수의 금속 세선들로 구성된 복수의 격자들로 형성되고, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 도전 패턴들; 및 복수의 제 2 도전 패턴들을 전기적으로 서로 분리하는 복수의 제 2 비도전 패턴들을 교대로 포함한다. 제 2 비도전 패턴들 각각은 금속 세선들의 교차부들 이외의 부분들에 제 2 단선부들을 포함한다. 상면시에서 복수의 제 1 도전 패턴들과 복수의 제 2 도전 패턴들이 서로 직교하도록, 그리고 상면시에서 제 1 전극 패턴의 격자들과 제 2 전극 패턴의 격자들이 소격자들을 형성하도록, 제 1 전극 패턴과 제 2 전극 패턴이 기판 상에 배치된다.
본 발명에 따른 다른 도전 시트는, 제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 제 1 기판; 및 제 1 기판의 제 1 주면 상에 배치되는 제 1 전극 패턴을 포함한다. 제 1 전극 패턴은 서로 교차하는 복수의 금속 세선들로 구성된 복수의 격자들로 형성되고, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 도전 패턴들과; 복수의 제 1 도전 패턴들을 전기적으로 서로 분리하는 복수의 제 1 비도전 패턴들을 교대로 포함한다. 제 1 비도전 패턴들 각각은 금속 세선들의 교차부들 이외의 부분들에서 제 1 단선부들을 포함한다. 도전 시트는, 제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 제 2 기판; 및 제 2 기판의 제 1 주면 상에 배치되는 제 2 전극 패턴을 포함한다. 제 2 전극 패턴은 서로 교차하는 복수의 금속 세선들로 구성된 복수의 격자들로 형성되고, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 도전 패턴들과; 복수의 제 2 도전 패턴들을 전기적으로 서로 분리하는 복수의 제 2 비도전 패턴들을 교대로 포함한다. 제 2 비도전 패턴들 각각은 금속 세선들의 교차부들 이외의 부분들에서 제 2 단선부들을 포함한다. 상면시에서 복수의 제 1 도전 패턴들과 복수의 제 2 도전 패턴들이 서로 직교하도록, 그리고 상면시에서 제 1 전극 패턴의 격자들과 제 2 전극 패턴의 격자들이 소격자들을 형성하도록, 제 1 기판과 제 2 기판이 배치된다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 바람직하게는, 제 1 단선부들은 제 1 비도전 패턴들의 금속 세선들의 교차부들과 교차부들 사이의 중심 부근에 각각 위치되고, 제 2 단선부들은 제 2 비도전 패턴들의 금속 세선들의 교차부들과 교차부들 사이의 중심 부근에 각각 위치한다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 바람직하게는, 제 1 단선부들 및 제 2 단선부들 각각은 금속 세선들 각각의 선폭을 초과하는 폭을 가지며, 50 ㎛ 이하이다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 바람직하게는, 상면시에서 제 2 도전 패턴들의 금속 세선들이 제 1 비도전 패턴들의 제 1 단선부들에 위치되고, 상면시에서 제 1 도전 패턴들의 금속 세선들이 제 2 비도전 패턴들의 제 2 단선부들에 위치된다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 바람직하게는, 제 1 도전 패턴들의 금속 세선들과 제 2 도전 패턴들의 금속 세선들 각각의 폭이 a 이고, 제 1 비도전 패턴들의 제 1 단선부들과 제 2 비도전 패턴들의 제 2 단선부들 각각의 폭이 b 인 것으로 추정하면, b － a ≤ 30 ㎛ 의 관계식을 만족한다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 바람직하게는, 제 1 도전 패턴들의 금속 세선들과 제 2 도전 패턴들의 금속 세선들 각각의 폭이 a 이고, 제 1 비도전 패턴들의 제 1 단선부들과 제 2 비도전 패턴들의 제 2 단선부들의 폭이 b 인 것으로 추정하면, (b － a) / a ≤ 의 관계식을 만족한다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 바람직하게는, 제 1 도전 패턴들의 금속 세선들 각각의 중심 위치와; 제 2 비도전 패턴들의 제 2 단선부들 각각의 중심 위치 사이의 위치 어긋남이 10 ㎛ 이하의 표준 편차를 갖고, 제 2 도전 패턴들의 금속 세선들 각각의 중심 위치와; 제 1 비도전 패턴들의 제 1 단선부들 각각의 중심 위치 사이의 위치 어긋남은 10 ㎛ 이하의 표준 편차를 갖는다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 제 1 전극 패턴의 격자들과 제 2 전극 패턴의 격자들이, 250 ㎛ 내지 900 ㎛ 의 격자 피치를, 바람직하게는 300 ㎛ 내지 700 ㎛ 의 격자 피치를 갖고, 소격자들은 125 ㎛ 내지 450 ㎛ 의 격자 피치를, 바람직하게는, 150 ㎛ 내지 350 ㎛ 의 격자 피치를 갖는다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 바람직하게는, 제 1 전극 패턴을 형성하는 각각의 금속 세선들과 제 2 전극 패턴을 형성하는 각각의 금속 세선들은, 30 ㎛ 이하의 선폭을 갖는다.
본 발명의 다른 양태에 따른 도전 시트에서, 바람직하게는, 제 1 전극 패턴의 각 격자들과 제 2 전극 패턴의 각 격자들은, 마름모꼴 형상을 갖는다.
본 발명에 따른 정전 용량식 터치 패널은, 상기 도전 시트들 중 임의의 하나를 포함한다.
상기 서술한 양태들에 따른 도전 시트들, 및 정전 용량식 터치 패널은, 시인성의 저하를 억제할 수가 있다.
본 발명에 의하면, 높은 검출 정밀도를 가지며, 금속 세선들로 구성된 전극 패턴들을 포함하는 도전 시트 및 터치 패널을 제공할 수 있다.
도 1 은 터치 패널용 도전 시트의 개략 평면도이다.
도 2 는 도전 시트의 개략 단면도이다.
도 3 은 본 실시형태의 도전 시트를 포함하는 터치 패널의 거동을 설명하는 설명도이다.
도 4 는 종래의 도전 시트를 포함하는 터치 패널의 거동을 설명하는 설명도이다.
도 5 는 제 1 실시형태의 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 6 은 제 1 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 7 은 제 1 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 8 은 제 1 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 9 는 제 1 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 10 은 제 1 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 11 은 제 1 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 12 는 제 2 실시형태의 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 13 은 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 14 는 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 15 는 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 16 은 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 17 은 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 18 은 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 19 는 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 20 은 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 21 은 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 22 는 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 23 은 본 실시형태의 제 2 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 24 는 제 1 전극 패턴과 제 2 전극 패턴을 서로 조합한 터치 패널용의 도전 시트의 예를 나타내는 평면도이다.
도 25 는 제 1 전극 패턴과 제 2 전극 패턴을 서로 조합한 터치 패널용의 다른 도전 시트의 예를 나타내는 평면도이다.
도 26 은 더미 패턴들을 포함하는 제 1 실시형태의 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 27 은 더미 패턴의 부분 확대도이다.
도 28 은 더미 패턴들을 포함하는 제 2 실시형태의 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 29 는 더미 패턴을 포함하는 제 2 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 30 은 더미 패턴의 부분 확대도이다.
도 31 은 제 1 전극 패턴과 제 2 전극 패턴을 서로 조합한 터치 패널용의 다른 도전 시트의 예를 나타내는 평면도이다.
도 32 는 제 1 전극 패턴과 제 2 전극 패턴을 서로 조합한 터치 패널용의 또 다른 도전 시트의 예를 나타내는 평면도이다.
도 33 은 다른 도전 시트의 개략 단면도이다.
도 34 는 터치 패널용 도전 시트를 일부 생략해 나타내는 분해 사시도이다.
도 35a 는 터치 패널용 도전 시트의 일례를 일부 생략해 나타내는 단면도이다.
도 35b 는 터치 패널용 도전 시트의 다른 예를 일부 생략해 나타내는 단면도이다.
도 36 은 제 1 도전 시트 상에 형성되는 제 1 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 37 은 제 2 도전 시트 상에 형성되는 제 2 전극 패턴의 예를 나타내는 평면도이다.
도 38 은 제 1 도전 시트와 제 2 도전 시트를 서로 조합하여 터치 패널용 도전 시트를 형성하는 예를 일부 생략해 나타내는 평면도이다.
도 39 는 금속 세선과 단선부 사이의 위치 관계를 나타내는 개략도이다.
도 40 은 금속 세선의 중심 위치와 단선부의 중심 위치 사이의 관계를 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태들이 첨부 도면들에 따라 설명된다. 본 발명은 다음의 바람직한 실시형태들에 의해 설명되지만, 본 발명의 범위를 벗어나지 않은, 많은 방법들을 따라 변경될 수 있다. 본 실시형태들 이외의 다른 실시형태들이 본 발명에 대해 채용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위 내에서의 모든 변경들이 특허 청구의 범위에 포함된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 수치 범위를 나타내는 "내지" 는, 수치 범위가 "내지" 전후에 기재되는 수치들을 하한치 및 상한치로서 포함하는 것을 의미하기 위해 사용된다는 점을 유의한다.
도 1 은, 터치 패널용 도전 시트 (1) 의 개략 평면도이다. 도전 시트 (1) 는, 금속 세선들로 구성되는 제 1 전극 패턴 (10) 과 금속 세선들로 구성되는 제 2 전극 패턴 (40) 을 포함한다. 제 1 전극 패턴 (10) 은, 제 1 방향 (X 방향) 으로 연장하며, 서로 병렬로 배열된 복수의 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 제 2 전극 패턴 (40) 은, 제 1 방향 (X 방향) 과 직교하는 제 2 방향 (Y 방향) 으로 연장하며, 서로 병렬로 배열된 복수의 제 2 도전 패턴들 (42) 을 포함한다.
각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 전극 단자 (14) 에 전기적으로 접속된 일단부를 갖는다. 또한, 각 제 1 전극 단자 (14) 는 도전성의 제 1 배선 (16) 에 전기적으로 접속된다. 각 제 2 도전 패턴 (42) 은, 제 2 전극 단자 (44) 에 전기적으로 접속된 일단부를 갖는다. 각 제 2 전극 단자 (44) 는 도전성의 제 2 배선 (46) 에 전기적으로 접속된다.
도 2 는, 본 실시형태에 따른 도전 시트 (1) 의 개략 단면도이다. 도전 시트 (1) 는, 제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 기판 (30); 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 배치되는 제 1 전극 패턴 (10); 및 기판 (30) 의 제 2 주면 상에 배치되는 제 2 전극 패턴 (40) 을 포함한다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 제 1 도전 패턴 (12) 을 포함하고, 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 제 1 도전 패턴 (12) 으로부터 전기적으로 분리된 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 도 2 의 실시형태에서, 인접하는 2 개의 제 1 도전 패턴들 (12) 이 도시되고, 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 2 개의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 그러나, 본 발명은 이 예로 한정되지 않는다.
도 3 은, 도 2 의 도전 시트 (1) 를 포함하는 터치 패널에 손가락 (500) 을 접촉시킨 상태의 도이다. 손가락 (500) 이 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하는 제 1 도전 패턴들 (12) 에 접촉하면, 제 2 도전 패턴들 (42) 로부터 방전된 전기력선들이 서브 비도통 패턴들 (18) 을 통과한다. 즉, 전기력선들이 제 1 도전 패턴들 (12) 과 제 2 도전 패턴들 (42) 사이에 닫혀지지 않는다. 그 결과, 손가락 (500) 의 접촉에 의해 생긴 정전 용량의 변화를 확실하게 인식할 수 있다.
도 4 는, 종래의 도전 시트 (101) 를 포함하는 터치 패널에 손가락 (500) 을 접촉시킨 상태의 도이다. 도전 시트 (101) 는, 제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 기판 (300); 기판 (300) 의 제 1 주면 상에 배치된 제 1 전극 패턴 (110); 및 기판 (300) 의 제 2 주면 상에 배치된 제 2 전극 패턴 (400) 을 포함한다. 제 1 전극 패턴 (110) 의 각 제 1 도전 패턴 (120) 은, 제 1 도전 패턴 (120) 으로부터 전기적으로 분리된 서브 비도통 패턴을 포함하지 않는다. 즉, 각 제 1 도전 패턴 (120) 은 균일한 도전 영역에서 구성된다. 그 결과, 제 2 도전 패턴들 (420) 로부터 방전된 전기력선들이, 제 1 도전 패턴들 (120) 과 제 2 도전 패턴들 (420) 사이에 닫혀지고, 손가락 (500) 의 접촉을 검출할 수 없는 경우들이 있다.
일 양태에 따른 도전 시트 (1) 에서, 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 그 내부에 제 1 도전 패턴 (12) 으로부터 전기적으로 분리된 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 또한, 각 제 1 도전 패턴 (12) 의 면적이 A 이고, 각 서브 비도통 패턴 (18) 의 면적이 B 인 것으로 추정했을 때, 5 % ＜ B / (A ＋ B) ＜ 97 % 의 관계를 만족한다. 면적 A 는, 하나의 제 1 도전 패턴 (12) 의 일단으로부터 타단까지의 전체의 면적이며, 면적 B 는, 하나의 제 1 도전 패턴 (12) 의 일단으로부터 타단까지 포함되는 서브 비도통 패턴 (18) 의 면적이다. 다른 실시형태에서는, 10 % ≤ B / (A ＋ B) ≤ 80 % 의 관계를 만족한다. 또 다른 실시형태에서는, 10 % ≤ B / (A ＋ B) ≤ 60 % 의 관계를 만족한다.
＜＜제 1 전극 패턴＞＞
＜제 1 실시형태＞
도 5 는, 일 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 포함하는 도전 시트 (1) 를 나타낸다. 도 5 에서, 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 2 종류의 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 복수의 격자들 (26) 은 대략 균일한 형상들이다. 여기서, 대략 균일하다란, 서로 완전히 일치하는 형상들뿐만 아니라, 격자들 (26) 의 형상들과 크기들이 겉보기에 서로 동일한 것을 의미한다.
각 제 1 도전 패턴 (12) 은 제 1 전극 단자 (14) 에 전기적으로 접속된 일단부를 갖는다. 각 제 1 전극 단자 (14) 는 각 제 1 배선 (16) 의 일단부에 전기적으로 접속된다. 각 제 1 배선 (16) 은, 단자 (20) 에 전기적으로 접속된 타단부를 갖는다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 제 1 비도전 패턴 (28) 에 의해 전기적으로 분리된다.
시인성이 요구되는 디스플레이의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 를 사용하는 경우에는, 후술되어질 단선부들을 포함하며 금속 배선들로 구성되는 더미 패턴이 제 1 비도전 패턴 (28) 으로서 형성된다. 한편, 시인성이 특별히 요구되지 않는 노트북 컴퓨터, 터치 패드 등의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 를 사용하는 경우에는, 금속 세선들로 구성되는 더미 패턴이 제 1 비도전 패턴 (28) 으로서 형성되지 않고, 제 1 비도전 패턴 (28) 이 스페이스 (블랭크) 로서 존재한다.
제 1 도전 패턴들 (12) 은 제 1 방향 (X 방향) 으로 연장되고, 병렬로 배열된다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 제 1 도전 패턴 (12) 으로부터 전기적으로 분리되는 슬릿상의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 서브 비도통 패턴들 (18) 에 의해 분할된 복수의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 을 포함한다.
시인성이 요구되는 디스플레이의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 를 사용하는 경우에는, 후술되어질 단선부들을 포함하며 금속 배선들로 구성되는 더미 패턴이 각 서브 비도통 패턴 (18) 으로서 형성된다는 점을 유의한다. 한편, 시인성이 특별히 요구되지 않는 노트북 컴퓨터, 터치 패드 등의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 를 사용하는 경우에는, 금속 세선들로 구성되는 더미 패턴이 각 서브 비도통 패턴 (18) 으로서 형성되지 않고, 각 서브 비도통 패턴 (18) 이 스페이스 (블랭크) 로서 존재한다.
도 5 의 상측에 나타내는 바와 같이, 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 은, 개방 (open) 된 타단부를 갖는 각각의 슬릿상 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 타단부들이 개방되어 있기 때문에, 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 은 빗 형상 구조를 갖는다. 본 실시형태에서, 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 은 2 개의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 3 개의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 이 형성된다. 제 1 도전 패턴 열들 (22) 은 제 1 전극 단자 (14) 에 각각 접속되어, 동전위를 갖는다.
도 5 의 하측에 나타내는 바와 같이, 또 다른 제 1 도전 패턴 (12), 즉 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 은, 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 가 형성되는 타단부를 갖는다. 슬릿상의 서브 비도통 패턴들 (18) 은 제 1 도전 패턴 (12) 내부에서 닫혀진다 (closed). 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 가 형성되는 경우, 제 1 도전 패턴 (12) 각각은 용이하게 검사될 수 있다. 본 실시형태에서는, 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 은 2 개의 닫혀진 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 3 개의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 이 제 1 도전 패턴에 형성된다. 제 1 도전 패턴 열들 (22) 각각은 제 1 전극 단자 (14) 와 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 에 접속되어, 동전위를 갖는다. 이러한 제 1 도전 패턴 열들은 빗 형상 구조의 변형예들 중 하나이다.
제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 수는 2 개 이상일 수도 있고, 10 개 이하, 바람직하게는 7 개 이하의 범위 내에서, 금속 세선들의 패턴 설계와 관계를 고려해 결정된다.
또한, 3 개의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 금속 세선들의 패턴 형상들은 서로 동일할 수도 있고, 서로 상이할 수도 있다. 도 5 에서는, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 형상들이 서로 상이하다. 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 에서, 3 개의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 중 가장 상측에 있는 제 1 도전 패턴 열 (22) 은, 인접하는 산형상의 금속 배선들을 서로 교차시켜, 제 1 방향 (X 방향) 을 따라 연장되도록 설계된다. 가장 상측의 제 1 도전 패턴 열 (22) 의 격자들 (26) 은 완전하지 않고, 즉, 각 격자 (26) 는 하측의 꼭지각을 갖지 않는다. 중심의 제 1 도전 패턴 열 (22) 은, 인접하는 격자들 (26) 의 변들이 서로 접촉하여, 제 1 방향 (X 방향) 을 따라 2 개 열들로 연장되도록 설계된다. 가장 하측의 제 1 도전 패턴 열 (22) 은, 인접하는 격자들 (26) 의 꼭지각들이 서로 접촉하고, 격자들 (26) 의 변들이 연장되어, 제 1 방향 (X 방향) 을 따라 연장되도록 설계된다.
제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 에서, 가장 상측의 제 1 도전 패턴 열 (22) 과 가장 하측의 제 1 도전 패턴 열 (22) 은 실질적으로 동일한 격자 형상이고, 따라서 인접하는 격자들 (26) 의 변들이 서로 접촉하여, 제 1 방향 (X 방향) 을 따라 2 개 열들로 연장되도록 설계된다. 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 에서, 중심의 제 1 도전 패턴 열 (22) 은, 인접하는 격자들 (26) 의 꼭지각들이 서로 접촉하고, 격자들 (26) 의 변들이 연장되어, 제 1 방향 (X 방향) 을 따라 연장되도록 설계된다.
일 실시형태에서, 각 제 1 도전 패턴 (12) 의 면적이 A1 이며, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 면적이 B1 인 것으로 추정했을 때, 10 % ≤ B1 / (A1 + B1) ≤ 80 % 를 만족하는 것이 바람직하고, 40 % ≤ B1 / (A1 + B1) ≤ 60 % 를 만족하는 것이 보다 바람직하다. 이 범위를 만족하면, 손가락이 도전 시트 (1) 에 접촉했을 때와, 손가락이 도전 시트 (1) 에 접촉하지 않을 때 사이의 정전 용량의 차이를 더 크게 할 수 있다. 즉, 손가락 접촉의 검출 정밀도를 개선할 수 있다.
각 면적은 다음과 같은 방식으로 구해질 수 있다는 점을 유의한다. 복수의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 과 접촉하는 가상선이 그어지고, 이 가상선으로 둘러싸인 제 1 도전 패턴 (12) 과 서브 비도통 패턴들 (18) 을 계산하고, 이로써 각 면적이 구해진다.
제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 폭들의 총 폭이 Wa 이고, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 폭들의 합과 제 1 비도전 패턴 (28) 의 폭과의 합이 Wb 인 것으로 추정했을 때, 하기 식 (W1－1) 의 조건을 만족하는 것이 바람직하고, 하기 식 (W1－2) 의 조건을 만족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 식 (W1－3) 의 조건을 만족하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 하기 식 (W2－1) 의 조건을 만족하는 것이 바람직하고, 하기 식 (W2－2) 의 조건을 만족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 식 (W2－3) 의 조건을 만족하는 것이 보다 바람직하다.
10 % ≤ (Wa / (Wa + Wb)) × 100 ≤ 80 % ...(W1－1)
10 % ≤ (Wa / (Wa + Wb)) × 100 ≤ 60 % ...(W1－2)
30 % ≤ (Wa / (Wa + Wb)) × 100 ≤ 55 % ...(W1－3)
Wa ≤ (Wa + Wb) / 2 .......................(W2－1)
(Wa + Wb) / 5 ≤ Wa ≤ (Wa + Wb) / 2 ......(W2－2)
(Wa + Wb) / 3 ≤ Wa ≤ (Wa + Wb) / 2 ......(W2－3)
제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 폭들의 합이 작으면, 전극 저항이 커지기 때문에 터치 패널의 응답이 더 늦어지는 경향이 있지만, 반면 정전 용량이 감소하기 때문에 접촉하는 손가락에 대한 인식 능력이 더 높아지는 경향이 있다. 한편, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 폭들의 합이 크면, 전극 저항이 감소하기 때문에 터치 패널의 응답이 더 빨라지는 경향이 있지만, 반면 정전 용량이 증가하기 때문에 접촉하는 손가락에 대한 인식 능력이 더 낮아지는 경향이 있다. 이들은 트레이드-오프하는 관계에 있지만, 상기 식들의 임의의 범위를 만족하면, 터치 패널의 응답과 손가락에 대한 인식 성능이 최적화될 수 있다.
여기서, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 폭들 (a1, a2 및 a3) 의 합이 Wa 에 대응하고, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 폭들 (b1 및 b2) 과 제 1 비도전 패턴 (28) 의 폭 (b3) 의 합이 Wb 에 대응한다.
도 5 는 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 를 포함하지 않는 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 과, 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 를 포함하는 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 이 동일면 상에 형성된 일 도전 시트 (1) 를 나타낸다. 그러나, 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 과 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 이 필수적으로 혼재되어 형성될 필요는 없고, 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 과 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 중 어느 하나만이 형성될 수도 있다.
다른 실시형태에서는, 더욱 바람직하게는, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 폭들의 총 폭이 Wa 이고, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 폭들의 합과 제 1 비도전 패턴 (28) 의 폭의 총 폭을 Wb 로 했을 때, 1.0 ㎜ ≤ Wa ≤ 5.0 ㎜, 및 1.5 ㎜ ≤ Wb ≤ 5.0 ㎜ 의 관계를 만족한다. 사람 손의 평균적인 크기를 고려하면, Wa 및 Wb 가 각각 이 범위들 내로 설정되면, 보다 정확하게 접촉 위치를 검출할 수 있다. 추가로, Wa 의 값에 대해, 1.5 ㎜ ≤ Wa ≤ 4.0 ㎜ 가 바람직하고, 2.0 ㎜ ≤ Wa ≤ 2.5 ㎜ 가 더욱 바람직하다. 또한, Wb 의 값에 대해, 1.5 ㎜ ≤ Wb ≤ 4.0 ㎜ 가 바람직하고, 2.0 ㎜ ≤ Wb ≤ 3.0 ㎜ 가 더욱 바람직하다.
제 1 전극 패턴 (10) 을 형성하는 금속 세선들 각각은, 예를 들어, 30 ㎛ 이하의 선폭을 갖는다. 제 1 전극 패턴 (10) 을 형성하는 금속 세선들은, 예를 들어, 금, 은, 및 구리 등의 금속 재료들과, 금속 산화물 등의 도전 재료들로 구성된다.
금속 세선 각각의 선폭은, 30 ㎛ 이하, 바람직하게는 15 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 9 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7 ㎛ 이하이며, 0.5 ㎛ 이상, 바람직하게는 1 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
제 1 전극 패턴 (10) 은 서로 교차하는 금속 세선들로 구성되는 복수의 격자들 (26) 을 포함한다. 각 격자 (26) 는 금속 세선들로 둘러싸이는 개구 영역을 포함한다. 각 격자 (26) 는 900 ㎛ 이하 250 ㎛ 이상의 길이의 한변을 갖는다. 그 한변의 길이는, 700 ㎛ 이하 300 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 제 1 도전 패턴들 (12) 에서, 가시광 투과율의 관점에서, 개구율은 85 % 이상인 것이 바람직하고, 90 % 이상인 것이 더욱 바람직하고, 95 % 이상인 것이 가장 바람직하다. 개구율은, 소정 영역에서 제 1 전극 패턴 (10) 의 금속 세선들을 제외한 투광성 부분이 전체에 차지하는 비율 (percentage) 에 상당한다.
상기 서술한 도전 시트 (1) 에서, 각 격자 (26) 는 대략 마름모꼴 형상을 가진다. 대안적으로, 각 격자 (26) 는 다른 다각 형상들을 가질 수도 있다. 또한, 각 격자 (26) 의 일변의 형상은 직선 형상 대신, 만곡 형상 또는 원호상일 수도 있다. 원호상인 경우에는, 예를 들어, 각 격자 (26) 의 대향하는 2 개의 변들이, 각각 바깥쪽으로 볼록한 원호상을 가질 수도 있고, 다른 대향하는 2 개의 변들이, 각각 안쪽으로 볼록한 원호상을 가질 수도 있다. 또한, 각 격자 (26) 의 각 변의 형상은, 바깥쪽으로 볼록한 원호와 안쪽으로 볼록한 원호가 교대로 연속되는 파선 (wavy) 형상일 수도 있다. 물론, 각 변의 형상이 사인 곡선일 수도 있다.
다음으로, 제 1 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴들의 예들이 도 6 내지 도 11 을 참고하여 설명된다.
도 6 은, 본 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 제 1 도전 패턴들 (12) 은 제 1 방향 (X 방향) 으로 연장된다. 각 제 1 도전 패턴은 제 1 도전 패턴 (12) 을 전기적으로 분리시키는 슬릿상의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 서브 비도통 패턴들 (18) 에 의해 분할된 복수의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 을 포함한다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 각 제 1 도전 패턴 열 (22) 은, 제 1 방향 (X 방향) 으로 일렬로 배열되는 복수의 격자들 (26) 로 형성된다. 제 1 도전 패턴 열들 (22) 은, 일단부에 배치되며 금속 세선들로 구성되는 다수의 격자들 (26) 에 의해 서로 전기적으로 접속된다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 은 각각, 일단부에 서 제 2 방향 (Y 방향) 으로 배열되는 5 개의 격자들 (26) 중, 1 번째 격자, 3 번째 격자 및 5 번째 격자로부터 제 1 방향 (X 방향) 으로 연장된다. 그 결과, 제 1 도전 패턴 (12) 의 폭들 (a1, a2 및 a3) 각각과, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 폭들 (b1 및 b2) 각각은, 거의 동일한 길이 (각 격자 (26) 의 대각선의 길이) 이다.
도 7 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들 또는 동일한 참조 문자들에 의해 지정되고, 그 설명은 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 제 1 도전 패턴들 (12) 은 제 1 방향 (X 방향) 으로 연장된다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 제 1 도전 패턴 (12) 을 전기적으로 분리하기 위한 슬릿상의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 각 제 1 도전 패턴 열 (22) 은, 제 1 방향 (X 방향) 으로 일렬로 배열되는 복수의 격자들 (26) 로 형성된다.
도 7 에서, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 은 각각, 제 2 방향 (Y 방향) 으로 배열된 6 개의 격자들 (26) 중, 1 번째 격자와, 3 번째 격자와 4 번째 격자의 사이와, 6 번째 격자로부터 제 1 방향 (X 방향) 으로 연장된다는 점이 도 6 과 상이하다. 즉, 도 6 과 비교해, 도 7 의 복수의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 은, 각 격자 (26) 크기의 반만큼 더 긴 피치로 배열된다. 그 결과, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 폭들 (b1 및 b2) 은, 제 1 도전 패턴 (12) 의 폭들 (a1, a2 및 a3) 보다 커진다. 서브 비도통 패턴들 (18) 의 폭들 (b1 및 b2) 은 각 격자 (26) 의 대각선보다 1.5 배 더 길며, 제 1 도전 패턴 (12) 의 폭들 (a1, a2 및 a3) 은 각 격자 (26) 의 대각선의 길이이다. 도 7 의 제 1 전극 패턴 (10) 에서, 각 서브 비도통 패턴 (18) 의 폭이 더 크다.
도 8 은, 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술된 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들 또는 동일한 참조 문자들에 의해 지정되고, 그 설명은 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 제 1 도전 패턴들 (12) 은 제 1 방향 (X 방향) 으로 연장된다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 제 1 도전 패턴 (12) 을 전기적으로 분리하기 위한 슬릿상의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 각 제 1 도전 패턴 열 (22) 은, 제 1 방향 (X 방향) 으로 2 개 열들로 배열되는 복수의 격자들 (26) 로 형성된다.
도 8 에서, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 은 각각, 제 2 방향 (Y 방향) 으로 배열된 6 개의 격자들 (26) 중, 1 번째 격자와, 3 번째 격자와 4 번째 격자, 5 번째 격자와 6 번째 격자로부터 제 1 방향 (X 방향) 으로 2 개 열들로 연장된다. 그 결과, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 폭들 (b1 및 b2) 은, 제 1 도전 패턴 (12) 의 폭들 (a1, a2 및 a3) 보다 더 짧아진다. 서브 비도통 패턴들 (18) 의 폭들 (b1 및 b2) 은 각 격자 (26) 의 대각선의 길이이며, 제 1 도전 패턴 (12) 의 폭들 (a1, a2 및 a3) 은 각 격자 (26) 의 대각선보다 1.5 배 더 길다. 도 8 의 제 1 전극 패턴 (10) 에서, 제 1 도전 패턴 (12) 의 폭이 더 크다.
도 9 는, 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술된 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들 또는 동일한 참조 문자들에 의해 지정되고, 그 설명은 생략될 수도 있다. 도 9 에 나타내는 제 1 전극 패턴 (10) 은 도 8 에 나타내는 제 1 전극 패턴 (10) 과 기본적으로 동일한 구조를 갖는다. 도 9 는 다음 점에서 도 6 과 상이하다. 도 9 에서, 각 제 1 도전 패턴 열들 (22) 을 서로 전기적으로 접속하는 연결부들 (27) 이, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 단부들 이외의 위치들에 제공된다. 연결부들 (27) 이 형성되기 때문에, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 이 더 길어지고, 배선 저항이 더 커져도, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 은 동전위로 유지될 수 있다.
도 10 은, 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술된 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들 또는 동일한 참조 문자들에 의해 지정되고, 그 설명은 생략될 수도 있다. 도 10 에 나타내는 제 1 전극 패턴 (10) 은 도 6 에 나타내는 제 1 전극 패턴 (10) 과 기본적으로 동일한 구조를 갖는다. 도 10 은, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 갯수가 3 열이 아니고 2 열인 점에서 도 6 과 상이이다. 제 1 전극 패턴 (10) 의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 갯수가 2 이상이면, 손가락의 검출 정밀도는 더 높아질 수 있다.
도 11 은, 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술된 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들 또는 동일한 참조 문자들에 의해 지정되고, 그 설명은 생략될 수도 있다. 도 11 에 나타내는 제 1 전극 패턴 (10) 은 도 6 에 나타내는 제 1 전극 패턴 (10) 과 기본적으로 동일한 구조를 갖는다. 도 11 은, 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 갯수가 3 이 아니고 4 인 점에서 도 6 과 상이이다. 제 1 전극 패턴 (10) 의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 의 갯수가 2 이상, 예를 들어 심지어 5 이상이면, 손가락의 검출 정밀도는 더 높아질 수 있다.
도 6 내지 도 11 에서, 각 면적은 다음의 방식으로 획득될 수 있다는 점을 유의한다. 복수의 제 1 도전 패턴 열들 (22) 과 접촉하는 가상선을 그어, 이 가상선으로 둘러싸인 제 1 도전 패턴 (12) 과 서브 비도통 패턴들 (18) 을 계산하여, 각 면적을 구할 수 있다.
＜제 2 실시형태＞
도 12 는, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 포함하는 도전 시트 (1) 를 나타낸다. 도 5 의 구성들과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들 또는 동일한 참조 문자들에 의해 지정되고, 그 설명은 생략될 수도 있다. 도 12 에서, 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 복수의 격자들 (26) 로 형성된 2 종류의 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 복수의 격자들 (26) 은 대략 균일한 형상들이다. 여기서, 대략 균일하다란, 서로 완전히 일치하는 형상들뿐만 아니라, 격자들 (26) 의 형상들과 크기들이 겉보기에 서로 동일한 것을 의미한다.
각 제 1 도전 패턴 (12) 은 제 1 전극 단자 (14) 에 전기적으로 접속된 일단부를 갖는다. 각 제 1 전극 단자 (14) 는 각 제 1 배선 (16) 의 일단부에 전기적으로 접속된다. 각 제 1 배선 (16) 은, 단자 (20) 에 전기적으로 접속된 타단부를 갖는다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 제 1 비도전 패턴 (28) 에 의해 전기적으로 분리된다.
시인성이 요구되는 디스플레이의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 가 사용되는 경우에는, 후술되어질 단선부들을 포함하며 금속 배선들로 구성되는 더미 패턴이 제 1 비도전 패턴 (28) 으로서 형성된다는 점을 유의한다. 한편, 시인성이 특별히 요구되지 않는 노트북 컴퓨터, 터치 패드 등의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 가 사용되는 경우에는, 금속 세선들로 구성되는 더미 패턴이 제 1 비도전 패턴 (28) 으로서 형성되지 않고, 제 1 비도전 패턴 (28) 이 스페이스 (블랭크) 로서 존재한다.
도 12 의 상측에 나타내는 바와 같이, 하나의 제 1 도전 패턴, 즉 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 은, 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 를 포함하지 않는다. 한편, 도 12 의 하측에 나타내는 바와 같이, 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 은, 또다른 제 1 도전 패턴, 즉 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 를 포함한다. 도 12 는, 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 를 포함하지 않는 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 과, 추가적인 제 1 전극 단자 (24) 를 포함하는 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 을 동일면 상에 형성한 일 도전 시트 (1) 를 나타낸다. 그러나, 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 과 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 은 필수적으로 혼재되어 형성될 필요가 없고, 제 1 의 제 1 도전 패턴 (12) 과 제 2 의 제 1 도전 패턴 (12) 중 임의의 어느 하나만이 형성될 수도 있다.
본 실시형태에서는, 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 순환 교차부들을 가진 X 형상의 구조들을 갖는다. 그 주기는 적절히 선택될 수 있다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 의 면적은 A2 이고, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 면적은 B2 인 것으로 추정하면, 10 % ≤ B2 / (A2 + B2) ≤ 80 % 의 관계를 만족한다. 다른 실시형태에서는, 20 % ≤ B2 / (A2 ＋ B2) ≤ 50 % 의 관계를 만족한다. 또 다른 실시형태에서는, 30 % ≤ B2 / (A2 ＋ B2) ≤ 50 % 의 관계를 만족한다.
각 면적은 다음의 방식으로 획득될 수 있다는 점을 유의한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 의 면적은, 각 격자 (26) 의 단위 면적 × 격자들 (26) 의 갯수로 계산하여 얻어진다. 서브 비도통 패턴들 (18) 의 면적은, 가상의 격자들 (26) 을 배치하고, 가상의 각 격자 (26) 의 단위 면적 × 격자들 (26) 의 갯수로 계산하여 얻어진다.
시인성이 요구되는 디스플레이의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 가 사용되는 경우에는, 후술되어질 단선부들을 포함하며 금속 배선들로 구성되는 더미 패턴이 각 서브 비도통 패턴 (18) 으로서 형성된다는 점을 유의한다. 한편, 시인성이 특별히 요구되지 않는 노트북 컴퓨터, 터치 패드 등의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 가 사용되는 경우에는, 금속 세선들로 구성되는 더미 패턴이 각 서브 비도통 패턴 (18) 으로서 형성되지 않고, 각 서브 비도통 패턴 (18) 이 스페이스 (블랭크) 로서 존재한다.
이 범위를 만족하면, 손가락이 도전 시트 (1) 에 접촉했을 때와 손가락이 도전 시트 (1) 에 접촉하지 않을 때 사이의 정전 용량의 차이를 크게 할 수 있다. 즉, 손가락으로 접촉하는 검출 정밀도를 개선할 수 있다.
제 1 전극 패턴 (10) 을 형성하는 금속 세선들의 선폭 및 그 재료는 도 5 의 제 1 실시형태에서와 실질적으로 같다. 또한, 제 1 전극 패턴 (10) 을 형성하는 금속 세선들의 격자들 (26) 은, 도 5 의 제 1 실시형태에서와 실질적으로 같다.
다음으로, 제 2 실시형태의 다른 제 1 전극 패턴들의 예들은 도면 13 내지 도 22 를 참조하여 설명된다.
도 13 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴을 도시한다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 갖는 X 형상의 구조들을 갖는다.
도 13 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 에서, 각 서브 비도통 패턴 (18) 은 4 개의 변들로 둘러싸여 정의된다. 4 개의 변들의 각각은, 격자들 (26) 의 인접하는 변들이 서로 접속된 상태로 복수의 격자들 (26) 을 선형적으로 배열하여 형성된다. 각 서브 비도통 패턴 (18) 은 선형적으로 배열된 복수의 격자들 (26) 에 의해 둘러싸여지고, 그럼으로써, 다이아몬드 패턴 (마름모꼴 패턴) 이 형성된다. 인접하는 다이아몬드 패턴들은 서로 전기적으로 접속된다. 도 13 에서, 인접하는 다이아몬드 패턴들은 격자들 (26) 의 변들을 개재하여 서로 전기적으로 접속된다.
도 14 는, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정하고, 그 설명을 생략할 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 갖는 X 형상의 구조들을 갖는다.
도 14 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 에서, 각 서브 비도통 패턴 (18) 은 4 개의 변들로 둘러싸여 정의된다. 4 개의 변들의 각각은, 격자들 (26) 의 인접하는 변들이 서로 접속된 상태로 복수의 격자들 (26) 을 복수단들로 선형적으로 배열하여 형성된다. 도 14 에서 4 개의 변들의 각각은 2 개의 단들로 형성되지만, 2 개의 단들로 한정되는 것은 아니다.
도 15 는, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 갖는 X 형상의 구조들을 갖는다.
도 15 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 에서, 각 서브 비도통 패턴 (18) 은 6 개의 변들로 둘러싸여 정의된다. 6 개의 변들 중 4 개의 변들은, 격자들 (26) 의 인접하는 변들이 서로 접속된 상태로 복수의 격자들 (26) 을 선형적으로 배열하여 형성된다. 6 개의 변들 중 2 개의 변들은, 격자들 (26) 의 꼭지각들이 서로 접속된 상태로 복수의 격자들 (26) 을 선형적으로 배열하여 형성된다.
도 16 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 갖는 X 형상의 구조들을 갖는다.
도 16 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 은, 도 13 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 으로서, 서브 비도통 패턴 (18) 각각의 형상과 동일하다. 그러나, 도 13 과 달리, 도 16 에서, 인접하는 다이아몬드 패턴들은 격자들 (26) 의 꼭지각들에, 즉, 한 점에, 서로 전기적으로 접속된다. 각 서브 비도통 패턴 (18) 의 형상은 다이아몬드 패턴으로 한정되는 것은 아니다.
도 17 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 갖는 X 형상의 구조들을 갖는다.
도 17 에서, 다이아몬드 패턴들의 형상들은 교대로 상이하고, 인접하는 서브 비도통 패턴들 (18) 의 크기들이 상이하다. 즉, 동일한 형상이 2 주기마다 나타난다. 그러나, 이 동일한 형상은 2 주기마다로 한정되지 않고, 3 주기마다 또는 4 주기마다 나타날 수도 있다.
도 18 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 갖는 X 형상의 구조들을 갖는다.
도 18 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 은, 기본적으로, 도 13 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 과 동일한 형상을 갖는다. 그러나, 다이아몬드 패턴의 각 꼭지각에 위치하는 격자 (26) 는, 금속 세선들로 구성된 돌출 배선들 (31) 로 형성된다.
도 19 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 갖는 X 형상의 구조들을 갖는다.
도 19 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 은, 기본적으로, 도 13 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 과 동일한 형상을 갖는다. 그러나, 다이아몬드 패턴의 각 변을 형성하는 격자들 (26) 은, 금속 세선들로 구성된 돌출 배선들 (31) 로 형성된다.
도 18 및 도 19 의 각각에 나타내는 제 1 전극 패턴 (10) 은, 돌출 배선들 (31) 로 형성되고, 그러므로 손가락 접촉을 검출하기 위한 센서 영역을 넓게 펼칠 수 있다.
도 20 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 교차점들에 격자들 (26) 을 갖지 않은 X 형상의 구조들을 갖는다. 도 20 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 에서, 복수의 격자들 (26) 은 지그재그로 배열된다. 지그재그 배열된 2 개의 격자군들은 서로 접촉하지 않도록 대향 배치되고, 교차점들을 갖지 않는 X 형상의 구조들이 형성된다. X 형상 구조들이 지그재그로 배열된 2 개의 격자군들으로 형성되기 때문에, 전극 패턴은 더 얇아지고, 손가락의 접촉 위치가 미세하게 검출될 수 있다.
도 21 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 교차점들에서 격자들 (26) 을 갖지 않은 X 형상의 구조들을 갖는다. 도 21 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 에서, 복수의 격자들 (26) 은, 도 20 에 나타내는 제 1 도전 패턴 (12) 과는 달리, 지그재그로 배열된 2 개의 격자군들이 서로 접근하는 각 코너부에 배치된다.
도 22 은, 다른 실시형태에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 을 나타낸다. 상기 서술한 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 구성들은 동일한 참조 숫자들과 참조 문자들로 지정되고, 그 설명이 생략될 수도 있다. 도 22 의 제 1 전극 패턴 (10) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들 (26) 로 형성된 2 개의 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 복수의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 가진 X 형상의 구조들을 갖는다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 상측의 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향 (X 방향) 을 따른 동일한 형상의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 또한, 도 22 에 나타내는 바와 같이, 하측의 제 1 도전 패턴 (12) 은, 제 1 방향을 따른 동일한 형상의 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함한다. 반면, 서브 비도통 패턴들 (18) 의 형상들은 상측의 제 1 도전 패턴 (12) 과 하측의 제 1 도전 패턴 (12) 사이에서 상이하다. 상이한 형상들을 갖는 제 1 도전 패턴들 (12) 이 교대로 배열된다. 상기 서술한 바와 같이 이러한 배열은, 제 1 전극 패턴 (10) 의 배열의 자유도를 확보한다.
도 13 내지 도 22 각각에 도시된 패턴에서, 각 제 1 도전 패턴 (12) 의 면적이 각 격자 (26) 의 단위 면적 × 격자들 (26) 의 갯수를 산출하여 획득된다. 서브 비도통 패턴들 (18) 의 면적은, 가상 격자들 (26) 을 배치해, 가상의 각 격자 (26) 의 단위면적 × 격자들 (26) 의 갯수를 산출해 획득된다.
<<제 2 전극 패턴>>
다음으로 제 2 전극 패턴이 도면들을 참고해 설명된다. 도 23 에 도시된 바와 같이, 제 2 전극 패턴 (40) 은 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들로 형성된다. 제 2 전극 패턴 (40) 은, 제 1 방향 (X 방향) 과 직교하는 제 2 방향 (Y 방향) 으로 연장되며, 병렬로 배열되는 복수의 제 2 도전 패턴들 (42) 을 포함한다. 각 제 2 도전 패턴 (42) 은, 제 2 비도전 패턴 (58) 에 의해 전기적으로 분리된다.
시인성이 요구되는 디스플레이의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 가 사용되는 경우에는, 금속 배선들로 구성되며 후술되어질 단선부들을 포함하는 더미 패턴이 제 2 비도전 패턴 (58) 으로서 형성되는 점을 유의한다. 한편, 시인성이 특별히 요구되지 않는 노트북 컴퓨터, 터치 패드 등의 전면측 상에 배치되는 투명 도전막으로서 도전 시트 (1) 가 사용되는 경우에는, 금속 세선들로 구성된 더미 패턴이 제 2 비도전 패턴 (58) 으로서 형성되지 않고, 제 2 비도전 패턴 (58) 이 스페이스 (블랭크) 로서 존재한다.
각 제 2 도전 패턴 (42) 은 제 2 전극 단자 (44) 에 전기적으로 접속된다. 각 제 2 전극 단자 (44) 는 도전 특성들을 갖는 각 제 2 배선 (46) 에 전기적으로 접속된다. 각 제 2 도전 패턴 (42) 은 제 2 전극 단자 (44) 에 전기적으로 접속된 일단부를 갖는다. 각 제 2 전극 단자 (44) 는 각 제 2 배선 (46) 의 일단부에 전기적으로 접속된다. 각 제 2 배선 (46) 은, 단자 (50) 에 전기적으로 접속된 타단부를 갖는다. 각 제 2 도전 패턴 (42) 은 제 2 방향을 따른 실질적으로 일정한 폭을 갖는 스트립 (strip) 형상 구조를 갖는다. 그러나, 각 제 2 도전 패턴 (42) 은 스트립 형상에 한정되지 않는다.
제 2 전극 패턴 (40) 은, 그 타단에 추가적인 제 2 전극 단자 (54) 로 형성될 수도 있다. 추가적인 제 2 전극 단자 (54) 가 형성되면, 각 제 2 도전 패턴 (42) 은 용이하게 검사될 수 있다.
도 23 은 추가적인 제 2 전극 단자 (54) 를 포함하지 않는 제 2 도전 패턴 (42) 과, 추가적인 제 2 전극 단자 (54) 를 포함하는 제 2 도전 패턴 (42) 이 동일 면 상에 형성된 일 도전 시트 (1) 를 도시한다. 그러나, 이러한 2 종류의 제 2 도전 패턴들 (42) 은 반드시 혼재되어 형성될 필요는 없고, 2 종류의 제 2 도전 패턴들 (42) 중 임의의 한 종류만이 형성될 수도 있다.
제 2 전극 패턴 (40) 을 형성하는 금속 세선들은, 제 1 전극 패턴 (10) 을 형성하는 금속 세선들과 실질적으로 동일한 선폭을 갖고, 실질적으로 동일한 재료로 구성된다. 제 2 전극 패턴 (40) 은 서로 교차하는 금속 세선들로 구성되는 복수의 격자들 (56) 을 포함하고, 각 격자 (56) 는 각 격자 (26) 의 형상과 실질적으로 동일한 형상을 갖는다. 각 격자 (56) 의 한변의 길이와, 각 격자 (56) 의 개구율은 각 격자 (26) 의 길이와 개구율과 동등하다.
<<조합 패턴>>
도 24 는, 빗 형상 구조의 제 1 도전 패턴들 (12) 각각을 포함하는 제 1 전극 패턴 (10) 과, 스트립 형상 구조의 제 2 도전 패턴들 (42) 각각을 포함하는 제 2 전극 패턴 (40) 이 대향하여 배치되는 도전 시트 (1) 의 평면도이다. 제 1 도전 패턴들 (12) 과 제 2 도전 패턴들 (42) 이 서로 수직이고, 제 1 전극 패턴 (10) 과 제 2 전극 패턴 (40) 은 조합 패턴 (70) 을 형성한다.
조합 패턴에서, 더미 패턴을 포함하지 않은 제 1 전극 패턴 (10) 과 더미 패턴을 포함하지 않은 제 2 도전 패턴들 (42) 이 서로 조합된다.
조합 패턴 (70) 에서, 상면시에서 격자들 (26) 과 격자들 (56) 이 소격자들 (76) 을 형성한다. 즉, 격자들 (26) 의 교차부들이 각각 격자들 (56) 의 개구 영역들의 거의 중심에 배치된다. 각 소격자 (76) 는, 125 ㎛ 이상, 450 ㎛ 이하의 길이의 한변을 갖고, 바람직하게는 150 ㎛ 이상, 350 ㎛ 이하의 길이의 한변을 갖는다는 점을 유의한다. 이것은 격자들 (26) 과 격자들 (56) 각각의 한변의 반의 길이에 상당한다.
도 25 는, X 형상 구조들의 제 1 도전 패턴들 (12) 각각을 포함하는 제 1 전극 패턴 (10) 과, 스트립 형상 구조의 제 2 도전 패턴들 (42) 각각을 포함하는 제 2 전극 패턴 (40) 이 대향하여 배치되는 도전 시트 (1) 의 평면도이다. 제 1 도전 패턴들 (12) 과 제 2 도전 패턴들 (42) 이 서로 수직이고, 제 1 전극 패턴 (10) 과 제 2 전극 패턴 (40) 은 조합 패턴 (70) 을 형성한다. 제 1 실시형태와 마찬가지로, 조합 패턴 (70) 에서, 격자들 (26) 과 격자들 (56) 이 소격자들 (76) 을 형성한다.
<<더미 패턴>>
도 26 은, 더미 패턴을 명시적으로 도시한 제 1 실시형태의 제 1 전극 패턴 (10) 의 예를 나타내는 평면도이다. 제 1 비도전 패턴 (28) 은 제 1 도전 패턴들 (12) 과 동일하게 금속 세선들로 구성되며 단선부들을 포함한다. 또한, 각 제 1 도전 패턴 (12) 에 형성되는 서브 비도통 패턴들 (18) 이 제 1 도전 패턴들 (12) 과 동일하게 금속 세선들로 구성되며 단선부들을 포함한다. 서브 비도통 패턴들 (18) 과 제 1 비도전 패턴 (28) 이 단선부들을 포함하는 금속 세선들로 구성되고, 따라서, 제 1 도전 패턴들 (12) 로부터 전기적으로 분리된 이른바 더미 패턴으로서 각각 형성된다. 더미 패턴이 형성되는 경우, 제 1 전극 패턴 (10) 은 등간격들로 배치된 금속 세선들의 격자들로 형성된다. 이것은 시인성의 감소를 방지할 수 있다. 도 26 에서, 더미 패턴들이 파선들에 의해 둘러싸여진 부분들이고, 서브 비도통 패턴들 (18) 과 제 1 비도전 패턴 (28) 에 각각 대응하는 위치들이라는 점을 유의한다.
도 27 는 도 26 의 원으로 둘러싸인 부분의 확대도이다. 도 27 에 나타내는 바와 같이, 제 1 비도전 패턴 (28) 및 서브 비도통 패턴 (18) 을 형성하는 금속 세선들은 단선부들 (29) 을 포함하고, 제 1 도전 패턴 (12) 으로부터 전기적으로 분리된다. 각 단선부 (29) 는 금속 세선들의 각 교차부 이외의 부분에 형성되는 것이 바람직하다.
도 27 에서는 제 1 도전 패턴 (12) 과, 제 1 비도전 패턴 (28) 과, 서브 비도통 패턴 (18) 을 명확하게 하기 위해, 제 1 도전 패턴 (12) 의 선폭을 과장되게 굵게 하고, 제 1 비도전 패턴 (28) 과 서브 비도통 패턴 (18) 의 선폭들을 과장되게 가늘게 한다.
제 1 비도전 패턴 (28) 과 서브 비도통 패턴 (18) 을 형성하는 모든 격자들 (26) 이 단선부들 (29) 을 필수적으로 포함할 필요는 없다. 각 단선부 (29) 의 길이는, 바람직하게는, 60 ㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 10 내지 50 ㎛ 이며, 15 내지 40 ㎛ 이며, 20 내지 40 ㎛ 이다. 이러한 더미 패턴들은 도 5 내지 도 11 에 도시된 제 1 실시형태의 제 1 전극 패턴 (10) 에 형성될 수 있다.
도 28 은 더미 패턴들을 포함하는 제 2 실시형태의 제 1 전극 패턴 (10) 의 예를 도시하는 평면도이다. 제 1 비도전 패턴 (28) 은 제 1 도전 패턴들 (12) 과 유사하게 금속 세선들로 구성된다. 또한, 각 제 1 도전 패턴 (12) 에 형성된 서브 비도통 패턴들 (18) 은 제 1 도전 패턴들 (12) 과 유사하게 금속 세선들로 구성된다. 서비 비도통 패턴들 (18) 과 제 1 비도전 패턴 (28) 은 금속 세선들로 구성되고, 따라서, 제 1 도전 패턴들 (12) 로부터 전기적으로 분리된 이른바 더미 패턴으로서 각각 형성된다. 도 28 에서 더미 패턴들은 굵은 솔리드 선들에 의해 둘러싸인 부분들이고, 서브 비도통 패턴들 (18) 과 제 1 비도전 패턴 (28) 에 각각 대응하는 위치들에 있다. 더미 패턴들이 형성되면, 제 1 전극 패턴 (10) 은 등간격들로 배치된 금속 세선들의 격자들에 의해 형성된다. 이것은 시인성 감소를 방지할 수 있다.
또한 도 28 에서, 제 1 비도전 패턴 (28) 과 서브 비도통 패턴들 (18) 로서 더미 패턴들을 형성하는 금속 배선들이 단선부들을 포함하고, 제 1 도전 패턴 (12) 으로부터 전기적으로 분리된다. 각 단선부가 금속 세선들의 각 교차부 이외의 부분에 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 더미 패턴들은 도 12 내지 도 22 에 도시된 제 1 실시형태의 제 1 전극 패턴 (10) 에 형성될 수 있다.
도 29 는, 더미 패턴을 포함하는 제 2 전극 패턴 (40) 의 예를 나타내는 평면도이다. 제 2 비도전 패턴 (58) 이 제 2 도전 패턴들 (42) 과 마찬가지로 금속 세선들로 구성되며, 단선부들을 포함한다. 제 2 비도전 패턴 (58) 이 금속 세선들로 구성되고, 따라서, 제 2 도전 패턴들 (42) 로부터 전기적으로 분리된 이른바 더미 패턴으로서 형성된다. 도 29 에서 더미 패턴들은 파선들에 의해 둘러싸인 부분들이고, 제 2 비도전 패턴 (58) 에 대응하는 위치에 있다. 더미 패턴들이 형성되면, 제 2 전극 패턴 (40) 은 등간격들로 배치된 금속 세선들의 격자들에 의해 형성된다. 이것은 시인성 감소를 방지할 수 있다.
도 30 은 도 29 에서 원으로 둘러싸인 부분의 확대도이다. 도 30 에 나타내는 바와 같이, 제 2 비도전 패턴 (58) 을 형성하는 금속 세선들은 단선부들 (59) 을 포함하고, 제 2 도전 패턴들 (42) 로부터 전기적으로 분리된다. 각 단선부 (59) 가 금속 세선들의 각 교차부 이외의 부분에 형성되는 것이 바람직하다.
도 30 에서 제 2 도전 패턴들 (42) 과 제 2 비도전 패턴 (58) 을 명확하게 하기 위해, 제 2 도전 패턴들 (42) 의 선폭들을 과장되게 굵게 하고, 제 2 비도전 패턴 (58) 의 선폭을 과장되게 가늘게 한다. 각 단선부 (59) 의 길이가 도 27 의 각 단선부 (29) 의 길이와 실질적으로는 동일하다는 점을 유의한다.
도 31 은 금속 세선들로 구성된 제 1 비도전 패턴 (28) 과 제 1 도전 패턴 (12) 을 명시적으로 도시한다. 또한, 단선부들이 제 1 도전 패턴들 (12) 사이에 형성되고, 금속 세선들로 구성된 더미 패턴들로서 형성된 서브 비도통 패턴들 (18) 이 명시적으로 도시된다. 도 31 에서, 더미 패턴들은 파선들에 의해 둘러싸인 부분들이고, 제 1 비도통 패턴들 (18) 과 제 2 비도전 패턴 (58) 에 각각 대응하는 위치들에 있다. 더미 패턴들이 형성되면, 제 1 전극 패턴 (10) 은 등간격들로 배치된 금속 세선들의 격자들로 형성된다. 이것은 시인성 감소를 방지할 수 있다. 이것은 도전 시트 (1) 가 시인성을 요구하는 디스플레이 등의 전면측 상에 위치되는 경우 특히 효과적이다.
마찬가지로, 제 2 비도전 패턴 (58) 은 제 2 도전 패턴들 (42) 과 유사한 금속 세선들로 구성된다. 제 2 비도전 패턴 (58) 은 금속 세선들로 구성되고, 따라서 제 2 도전 패턴들 (42) 로부터 전기적으로 분리된 이른바 더미 패턴으로서 형성된다. 더미 패턴들이 형성되면, 제 2 전극 패턴 (40) 은 등간격들로 배치된 금속 세선들의 격자들에 의해 형성된다. 이것은 시인성 감소를 방지할 수 있다. 금속 세선들로 구성된 더미 패턴은 단선부들을 포함하고, 제 1 도전 패턴들 (12) 과 제 2 도전 패턴들 (42) 로부터 전기적으로 분리된다.
도 32 는 더미 패턴들을 포함하는 제 1 전극 패턴 (10) 과 더미 패턴을 포함하는 제 2 전극 패턴 (40) 이, 제 1 도전 패턴들 (12) 과 제 2 도전 패턴들 (42) 이 서로 직교하도록 위치되는 도전 시트 (1) 의 평면도이다. 각 제 1 도전 패턴 (12) 은 소정의 간격들로, 제 1 방향을 따른 제 1 서브 비도통 패턴들 (18) 을 포함하여, 순환 교차부들을 갖는 X 형상 구조들을 가진다. 제 1 전극 패턴 (10) 과 제 2 전극 패턴 (40) 은 조합 패턴 (70) 을 형성한다. 제 1 비도전 패턴 (28), 서브 비도통 패턴들 (18), 및 제 2 비도전 패턴 (58) 은 금속 세선들로 구성된다. 도 32 에서 더미 패턴들은 굵은 솔리드 선들에 의해 둘러싸인 부분들이고, 제 1 비도전 패턴 (28), 서브 비도통 패턴들 (18), 및 제 2 비도전 패턴 (58) 에 각각 대응하는 위치들에 있다. 더미 패턴들이 형성되면, 제 1 전극 패턴 (10) 은 등간격들로 배치된 금속 세선들의 격자들로 형성된다. 이것은 시인성 감소를 방지할 수 있다.
다음으로, 도전 시트 (1) 의 제조 방법을 설명한다.
도전 시트 (1) 를 제조하는 경우에는, 예를 들어 투명 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 감광성 할로겐화 은을 함유하는 유제층을 갖는 감광 재료가 노광, 현상되고, 금속 은부 (금속 세선들) 및 광 투과성부 (개구 영역들) 각각이 노광부 및 미노광부에 형성되어, 제 1 전극 패턴 (10) 이 형성될 수도 있다. 또한, 금속 은부가 추가로 물리적으로 현상 및/또는 도금되어, 금속 은부가 도전성 금속을 담지시키도록 해도 된다는 점을 유의한다.
대안적으로, 레지스트 패턴이 투명 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 형성된 동박 상의 포토레지스트 막을 노광, 현상하여 형성되고, 레지스트 패턴 상에 노출된 동박이 에칭되어, 제 1 전극 패턴 (10) 이 형성될 수도 있다.
대안적으로, 금속 미립자들을 함유하는 페이스트가 투명 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 인쇄되고, 페이스트가 금속 도금되어, 제 1 전극 패턴 (10) 이 형성될 수도 있다.
제 1 전극 패턴 (10) 은 스크린 인쇄판 또는 그라비아 인쇄판을 사용해, 투명 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 인쇄되어 형성될 수도 있다. 대안적으로, 제 1 전극 패턴 (10) 은 잉크젯 처리에 따라, 투명 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 형성될 수도 있다.
제 2 전극 패턴 (40) 은, 제 1 전극 패턴 (10) 과 동일한 제조 방법에 따라 기판 (30) 의 제 2 주면 상에 형성될 수 있다.
제 1 전극 패턴 (10) 및 제 2 전극 패턴 (40) 은, 도금 전처리 재료를 사용해 투명 기판 (30) 상에 도금되어질 감광성 층을 형성하고; 형성된 층을 현상, 노광하고; 그 층을 도금하여, 노광부 및 미노광부에 각각 금속부 및 광 투과성부를 형성해, 형성될 수도 있다. 또한, 추가로 금속부가 물리적으로 현상 및/또는 도금될 수도 있어, 금속부가 도전성 금속을 담지시키도록 할 수 있다는 점을 유의한다. 또한, 보다 구체적인 내용은, 예를 들어 일본 공개특허공보 제 2003-213437호, 일본 공개특허공보 제 2006-64923호, 일본 공개특허공보 제 2006-58797호, 및 일본 공개특허공보 제 2006-135271호에 개시되어 있다는 점을 유의한다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 전극 패턴 (10) 이 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 형성되고, 제 2 전극 패턴 (40) 이 기판 (30) 의 제 2 주면 상에 형성되는 경우, 표준 제조 방법 (우선 제 1 주면이 노광되고, 그 후에, 제 2 주면이 노광된다) 이 채용하면, 원하는 패턴들을 갖는 제 1 전극 패턴 (10) 및 제 2 전극 패턴 (40) 을 얻을 수 없는 경우들이 있다.
상기 관점에서, 다음 제조 방법이 채용되는 것이 바람직하다.
즉, 기판 (30) 의 양면 상에 형성된 감광성 할로겐화 은 유제층 각각이 일괄 노광되어, 제 1 전극 패턴 (10) 이 기판 (30) 의 일주면 상에 형성되는 한편, 제 2 전극 패턴 (40) 이 기판 (30) 의 타주면 상에 형성된다.
도 1 내지 도 33 에 도시된 양태들에 따른 도전 시트를 제조하는 방법의 구체예를 설명한다.
먼저, 길이가 긴 감광 재료를 제작한다. 감광 재료는, 기판 (30); 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 형성된 감광성 할로겐화 은 유제층 (이하, 제 1 감광층이라고 한다); 및 기판 (30) 의 타주면 상에 형성된 감광성 할로겐화 은 유제층 (이하, 제 2 감광층이라고 한다) 을 포함한다.
다음으로, 감광 재료를 노광한다. 이 노광 처리는, 기판 (30) 이 광 조사되어, 제 1 감광층이 제 1 노광 패턴을 따라 노광되는, 제 1 감광층 상에 실시되는 제 1 노광 처리; 및 기판 (30) 이 광 조사되어, 제 2 감광층이 제 2 노광 패턴을 따라 노광되는, 제 2 감광층 상에 실시되는 제 2 노광 처리가 행해진다 (양면 동시 노광).
예를 들어, 길이가 긴 감광 재료를 일방향으로 반송하면서, 제 1 감광층에 제 1 광 (평행 광) 을 제 1 포토마스크를 개재하여 조사하는 한편, 제 2 감광층에 제 2 광 (평행 광) 을 제 2 포토마스크를 개재하여 조사한다. 제 1 광은, 제 1 광원으로부터 출사된 광을 도중의 제 1 콜리메이터 렌즈에 의해 평행 광으로 변환시켜 얻어진다. 제 2 광은, 제 2 광원으로부터 출사된 광을 도중의 제 2 콜리메이터 렌즈에 의해 평행 광으로 변환시켜 얻어진다.
상기의 설명에서는, 2 개의 광원들 (제 1 광원 및 제 2 광원) 을 사용했을 경우를 나타내고 있지만, 1 개의 광원으로부터 출사된 광을 광학계에 의해 제 1 광 및 제 2 광으로 분할할 수도 있고, 제 1 감광층 및 제 2 감광층을 제 1 광 및 제 2 광으로 조사할 수도 있다.
이어서, 노광 후의 감광 재료를 현상하여, 터치 패널용 도전 시트 (1) 를 제작한다. 터치 패널용 도전 시트 (1) 는, 기판 (30); 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 형성된 제 1 노광 패턴을 따른 제 1 전극 패턴 (10); 및 기판 (30) 의 타주면 상에 형성된 제 2 노광 패턴을 따른 제 2 전극 패턴 (40) 을 포함한다. 제 1 감광층 및 제 2 감광층의 노광 시간 및 현상 시간은, 제 1 광원 및 제 2 광원의 종류나 현상액의 종류 등에 따라 다양하게 변화될 수도 있다는 점을 유의한다. 그러므로, 바람직한 수치 범위들을 무조건적으로 결정할 수 없지만, 현상율이 100 % 가 되도록 노광 시간 및 현상 시간이 조정된다.
그리고, 본 실시형태의 제조 방법에 따라, 제 1 노광 처리에서, 제 1 감광층 상에 제 1 포토마스크를 예를 들어, 밀착 배치하고, 그 제 1 포토마스크에 대향되도록 배치된 제 1 광원으로부터 출사된 제 1 광으로 제 1 포토마스크를 조사하여, 제 1 감광층을 노광한다. 제 1 포토마스크는, 투명한 소다 유리로 형성된 유리 기판과, 그 유리 기판 상에 형성된 마스크 패턴 (제 1 노광 패턴) 을 포함한다. 따라서, 제 1 노광 처리에서, 제 1 감광층의 일부분이 노광되는데, 그 일부분은 제 1 포토마스크 상에 형성된 제 1 노광 패턴을 따른다. 제 1 감광층과 제 1 포토마스크 사이에 대략 2 내지 10 ㎛ 의 간극이 형성될 수도 있다.
마찬가지로, 제 2 노광 처리에서, 제 2 감광층 상에 제 2 포토마스크를 예를 들어, 밀착 배치하고, 제 2 포토마스크에 대향도록 배치된 제 2 광원으로부터 출사된 제 2 광으로 제 2 포토마스크를 조사하여, 제 2 감광층을 노광한다. 제 1 포토마스크와 마찬가지로, 제 2 포토마스크는, 투명한 소다 유리로 형성된 유리 기판과, 그 유리 기판 상에 형성된 마스크 패턴 (제 2 노광 패턴) 을 포함한다. 따라서, 제 2 노광 처리에서, 제 2 감광층의 일부분이 노광되는데, 그 일부분은 제 2 포토마스크 상에 형성된 제 2 노광 패턴을 따른다. 이 경우, 제 2 감광층과 제 2 포토마스크 사이에 대략 2 내지 10 ㎛ 의 간극이 형성될 수도 있다.
제 1 노광 처리 및 제 2 노광 처리에서, 제 1 광원으로부터의 제 1 광의 출사 타이밍과 제 2 광원으로부터의 제 2 광의 출사 타이밍은 서로 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다. 그 출사 타이밍들이 서로 동일하면, 한번의 노광 처리로, 제 1 감광층 및 제 2 감광층을 동시에 노광할 수 있고, 처리 시간을 짧게 할 수 있다. 반면, 제 1 감광층 및 제 2 감광층이 함께 분광적으로 감지되지 않는 경우, 감광 재료가 양측 모두에 대해 노광되면, 일방 측의 노광이 타방 측 (이면 측) 상의 화상 형성에 영향을 미치게 된다.
즉, 제 1 감광층에 도달한 제 1 광원으로부터의 제 1 광은, 제 1 감광층에 포함된 할로겐화 은 입자들에 의해 산란되고, 산란된 광으로서 기판 (30) 을 통해 전달되고, 그 산란된 광의 일부가 제 2 감광층에까지 도달한다. 그 결과, 제 2 감광층과 기판 (30) 사이의 경계 부분이 넓은 범위에 걸쳐서 노광되어 잠상이 형성된다. 그러므로, 제 2 감광층에서는, 제 2 광원으로부터의 제 2 광과 제 1 광원으로부터의 제 1 광 모두로 노광된다. 그 후의 현상 처리에서 터치 패널용 도전 시트 (1) 를 제조하는 경우에, 제 2 노광 패턴을 따른 도전 패턴 (제 2 전극 패턴 (40)) 에 추가로, 도전 패턴들 사이에 제 1 광원으로부터의 제 1 광에 의한 얇은 도전층이 형성되어, 원하는 패턴 (제 2 노광 패턴을 따른 패턴) 을 얻을 수 없다. 제 1 감광층에도 동일하게 적용된다.
이것을 회피하기 위해 예의 검토한 결과, 다음을 알아내었다. 즉, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 두께가 특정의 범위로 설정되거나 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각에 도포된 은량이 특정되면, 할로겐화 은 자신이 광을 흡수해, 이면에 대한 광 투과를 제한할 수 있다. 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 두께를 1 ㎛ 이상, 4 ㎛ 이하로 설정할 수 있다. 그 상한치는 바람직하게는 2.5 ㎛ 이다. 또한, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각에 도포된 은량을 5 내지 20 g/㎡ 로 규정한다.
상기 서술한 양면 밀착 접촉형 노광 방법으로는, 시트 표면에 부착된 먼지 등에 의한 노광 저해에 기인한 화상 결함이 문제가 된다. 이러한 먼지 부착을 방지하기 위해, 시트에 도전성 물질을 도포하는 것이 알려져 있지만, 금속 산화물 등은 처리 후에도 잔존해, 최종 제품의 투명성을 해치고, 도전성 폴리머들은 보존성 등에 문제를 갖는다. 상기의 관점에서 예의 검토한 결과, 대전 방지에 필요한 도전성이 감소된 바인더를 가진 할로겐화 은에 의해 얻어진다는 것을 알아내어, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 은/바인더의 체적비를 규정한다. 즉, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 은/바인더 체적비는 1/1 이상이며, 바람직하게는, 2/1 이상이다.
제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 두께, 도포된 은량, 및 은/바인더의 체적비가 상술된 바와 같이 설정되고 규정되면, 제 1 감광층에 도달한 제 1 광원으로부터의 제 1 광은, 제 2 감광층에 도달하지 않는다. 마찬가지로, 제 2 감광층에 도달한 제 2 광원으로부터의 제 2 광은, 제 1 감광층에 도달하지 않는다. 그 결과, 그 후의 현상 처리에서 도전 시트 (1) 를 제조하는 경우에, 제 1 노광 패턴에 따른 제 1 전극 패턴 (10) 만이 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 형성되고, 제 2 노광 패턴에 따른 제 2 전극 패턴 (40) 만이 기판 (30) 의 제 2 주면 상에 형성되어, 원하는 패턴들을 얻을 수 있다.
이와 같이, 상기 서술한 양면 일괄 노광을 이용한 제조 방법에 따라, 도전성과 양면 노광의 적성을 양립시킨 제 1 감광층 및 제 2 감광층을 얻을 수 있다. 또한, 동일 패턴이나 상이한 패턴들이, 기판 (30) 상에 한번의 노광 처리로 기판 (30) 의 양면 상에 임의로 형성될 수 있다. 이것은 터치 패널의 전극들을 용이하게 형성할 수 있고, 터치 패널의 두께 감소 (높이 감소) 를 도모할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 도전 시트 (1) 에 대해, 특히 바람직한 양태에 대응하는 할로겐화 은 사진 감광 재료를 사용하는 방법을 중심으로 설명한다.
본 실시형태에 따른 도전 시트 (1) 의 제조 방법은, 감광 재료와 현상 처리의 모드에 따라, 다음의 3 가지 양태들을 포함한다.
(1) 물리 현상핵을 포함하지 않는 할로겐화 은 흑백 감광 재료를 화학 현상 또는 열현상하고; 금속 은부를 그 감광 재료 상에 형성시키는 양태.
(2) 물리 현상핵을 할로겐화 은 유제층에 포함하는 할로겐화 은 흑백 감광 재료를 용해, 물리 현상하고; 금속 은부를 그 감광 재료 상에 형성시키는 양태.
(3) 물리 현상핵을 포함하지 않는 할로겐화 은 흑백 감광 재료와 물리 현상핵을 포함하는 비감광성층을 갖는 수상 시트 (image receiving sheet) 를 서로의 위에 놓아 (중첩해) 확산 전사 현상하고; 금속 은부를 비감광성 수상 시트 상에 형성시키는 양태.
통합된 (integrated) 흑백 현상 타입인 (1) 의 양태에 따라, 감광 재료 상에 광 투과성 도전막 등의 투광성 도전막이 형성된다. 얻어진 현상된 은은 화학 현상된 은 또는 열현상된 은이며, 얻어진 현상된 은은 고비표면의 필라멘트이기 때문에, 후속하는 도금 또는 물리 현상 처리에서 고활성이다.
(2) 의 양태를 따른 노광부에서는, 물리 현상핵 근처의 할로겐화 은 입자들이 용해되어 현상핵 상에 퇴적됨으로써, 감광 재료 상에 광 투과성 도전막 등의 투광성 도전막이 형성된다. 또한, 이 양태는 통합된 흑백 현상 타입이다. 현상 작용이, 물리 현상핵 상의 퇴적이므로, 고활성이 얻어지지만, 현상된 은은 작은 비표면의 구형을 갖는다.
(3) 의 양태를 따른 미노광부에서, 할로겐화 은 입자들이 용해되고 확산되어, 수상 시트 상의 현상핵 상에 퇴적됨으로써, 수상 시트 상에 광 투과성 도전막 등의 투광성 도전막이 형성된다. 이 양태는 이른바 세퍼레이트 타입이며, 사용을 위해 수상 시트가 감광 재료로부터 박리된다.
이들 양태들 중 임의의 하나에서, 네거티브 현상 처리 및 반전 현상 처리 모두가 선택될 수 있다 (확산 전사 방법의 경우에는, 감광 재료로서 오토포지티브 감광 재료의 사용은 네거티브 현상 처리를 가능하게 한다).
여기서, 본 실시형태에 따른 도전 시트 (1) 의 구성이 이하에 상세하게 설명된다.
［기판 (30)］
기판 (30) 은, 플라스틱 필름, 플라스틱 판, 유리 판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 플라스틱 필름 및 플라스틱 판의 원료의 예들은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 (PEN) 등의 폴리에스테르류； 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리스티렌 및 에틸렌 비닐 아세테이트 (EVA) / 시클로 올레핀 폴리머 (COP) / 시클로 올레핀 코폴리머 (COC) 등의 폴리올레핀류； 비닐계 수지； 폴리카보네이트 (PC); 폴리아미드; 폴리이미드; 아크릴 수지; 및 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) 를 포함한다. 특히, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 가 광 투과성, 가공성 등의 관점에서 바람직하다.
［은염 유제층］
제 1 도전 시트의 제 1 전극 패턴 (10) 및 제 2 전극 패턴 (40) 각각이 되는 은염 유제층은, 은염과 바인더에 추가로 용매나 염료 등의 첨가제들을 함유한다.
본 실시형태에 사용되는 은염의 예들은 할로겐화 은 등의 무기 은염 및 아세트산 은 등의 유기 은염을 포함한다. 본 실시형태에서, 광학 센서로서의 특성이 우수한 할로겐화 은을 사용하는 것이 바람직하다.
은염 유제층에 도포된 은량 (은염의 양) 은, 은으로 환산해, 1 내지 30 g/㎡ 가 바람직하고, 1 내지 25 g/㎡ 가 보다 바람직하고, 5 내지 20 g/㎡ 가 더욱 바람직하다. 이 도포된 은량을 이 범위 내로 설정하면, 터치 패널용 도전 시트 (1) 를 제작하는 경우에 원하는 표면 저항을 얻을 수 있다.
본 실시형태에 사용되는 바인더의 예들은, 젤라틴, 폴리비닐알코올 (PVA), 폴리비닐피롤리돈 (PVP), 전분 등의 다당류, 셀룰로오스 및 그 유도체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리비닐아민, 키토산, 폴리리신, 폴리아크릴산, 폴리알긴산, 폴리히알루론산, 및 카르복시셀룰로오스를 포함한다. 이 물질들 각각은, 그 관능기의 이온성에 따라 중성, 음이온성, 또는 양이온성을 나타낸다.
은염 유제층에서 바인더의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 분산성과 밀착성을 얻을 수 있는 범위에서 적절히 결정될 수가 있다. 은염 유제층에서 바인더의 함유량은, 은/바인더 체적비로 1/4 이상이 바람직하고, 1/2 이상이 보다 바람직하다. 은/바인더 체적비는, 100/1 이하가 바람직하고, 50/1 이하가 보다 바람직하고, 10/1 이하가 더욱 바람직하고, 6/1 이하가 특히 바람직하다. 또, 은/바인더 체적비는 1/1 내지 4/1 인 것이 더욱 바람직하다. 은/바인더 체적비는 1/1 내지 3/1 인 것이 가장 바람직하다. 은염 유제층에서 은/바인더 체적비를 이 범위로 설정하면, 도포된 은량을 조정했을 경우에서도 저항값의 편차를 억제해, 균일한 표면 저항을 갖는 터치 패널용 도전 시트를 얻을 수 있다. 은/바인더 체적비는, 원료의 할로겐화 은량/바인더량 (중량비) 을 은량/바인더량 (중량비) 로 변환하고, 또한 은량/바인더량 (중량비) 을 은량/바인더량 (체적비) 로 변환하여 얻을 수 있다는 점을 유의한다.
＜용매＞
은염 유제층을 형성하기 위해 사용되는 용매는, 특별히 한정되지 않으며, 그 예들은, 물, 유기 용매들 (예를 들어, 메탄올 등의 알코올류, 아세톤 등의 케톤류, 포름아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 아세트산에틸 등의 에스테르류, 및 에테르류), 이온성 액체들, 및 이 용매들의 혼합 용매를 포함한다.
본 실시형태의 은염 유제층을 형성하기 위해 사용되는 용매의 함유량은, 은염 유제층에 함유되는 은염, 바인더 등의 총 질량에 대해 30 내지 90 질량% 의 범위이며, 50 내지 80 질량% 의 범위인 것이 바람직하다.
＜그 밖의 첨가제들＞
본 실시형태에 사용되는 각종 첨가제는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 첨가제들이 바람직하게 사용될 수 있다.
［그 밖의 층 구성들］
보호층 (미도시) 이 은염 유제층 상에 형성될 수도 있다. 본 실시형태 에 있어서 "보호층" 은, 젤라틴과 폴리머들과 같은 바인더로 구성되는 층을 의미하고, 스크래치 방지나 역학 특성들을 개선하는 효과를 발현하기 위해서 감광성을 갖는 은염 유제층 상에 형성된다. 보호층의 두께는 0.5 ㎛ 이하가 바람직하다. 보호층의 도포 방법 및 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 도포 방법 및 공지된 형성 방법을 적절히 선택할 수 있다. 또한, 은염 유제층보다 아래에, 예를 들어 하도층을 형성할 수도 있다.
다음으로, 도전 시트 (1) 의 제작 방법의 단계들을 설명한다.
［노광］
본 실시형태는, 제 1 전극 패턴 (10) 및 제 2 전극 패턴 (40) 이 인쇄되어 형성되는 경우를 포함한다. 인쇄 이외에, 제 1 전극 패턴 (10) 및 제 2 전극 패턴 (40) 은 노광, 현상 등에 의해 형성된다. 즉, 기판 (30) 상에 형성된 은염 함유층을 갖는 감광 재료 또는 포토리소그래피용 포토폴리머를 도포한 감광 재료가 노광된다. 노광은, 전자파들을 이용해 실시할 수 있다. 전자파들의 예들은, 가시광선과 자외선 등의 광 및 X 선 등의 방사선을 포함한다. 추가로, 파장 분포를 갖는 광원이 노광용으로 사용될 수도 있고, 이를 위해 특정 파장의 광원이 사용될 수도 있다.
유리 마스크를 사용하는 방법과 레이저 묘화를 사용하는 패턴 노광 방법이 노광 방법으로 바람직하다.
［현상 처리］
본 실시형태에서, 유제층을 노광한 후, 현상 처리가 추가적으로 실시된다. 은염 사진 필름, 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀션 마스크 등에 사용되는 표준 현상 처리의 기법이 현상 처리에 대해 사용될 수 있다.
본 실시형태에서 현상 처리는 미노광 부분의 은염을 제거해 안정화시킬 목적으로 행해지는 정착 처리 (fixing process) 를 포함할 수 있다. 은염 사진 필름, 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀션 마스크 등에 사용되는 정착 처리의 기법이 본 발명에서 정착 처리에 대해 사용될 수 있다.
현상, 정착 처리를 한 감광 재료는, 경막 처리, 수세 처리, 및 안정화 처리가 되는 것이 바람직하다.
현상 처리 후의 노광부에 함유되는 금속 은의 질량은, 노광전의 노광부에 포함된 은의 질량에 대해 50 질량% 이상인 것이 바람직하고, 80 질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 노광부에 함유되는 은의 질량이 노광전의 노광부에 함유되어 있던 은의 질량에 대해 50 질량% 이상이면, 높은 도전성을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.
본 실시형태에서 현상 처리 후의 계조 (gradation) 는, 특별히 한정되지 않고, 4.0 을 초과하는 것이 바람직하다. 현상 처리 후의 계조가 4.0 을 초과하면, 광 투과성부의 투광성을 높게 유지한 채로, 도전성 금속부의 도전성을 개선할 수 있다. 계조를 4.0 이상으로 하는 수단의 예들은, 전술한 로듐 이온과 이리듐 이온의 도핑을 포함한다.
도전 시트가 이상의 단계들을 거쳐 얻어지고, 이 얻어진 도전 시트의 표면 저항은 100 Ω/sq. 이하가 바람직하고, 80 Ω/sq. 이하가 보다 바람직하고, 60 Ω/sq. 이하가 더욱 바람직하고, 40 Ω/sq. 이하가 보다 더 바람직하다. 표면 저항의 하한치는, 가능한 낮은 것이 이상적이다. 일반적으로, 그 하한치가 0.01 Ω/sq. 이면 충분하다. 용도에 따라, 0.1 Ω/sq. 또는 1 Ω/sq. 로서도 채용될 수 있다.
표면 저항이 이와 같은 범위로 조정되면, 위치 검출은, 면적이 10 ㎝ × 10 ㎝ 이상의 대형의 터치 패널에서도 얻을 수가 있다. 또한, 현상 처리 후의 도전 시트는, 추가로 캘린더 처리를 실시할 수도 있고, 표면 저항이 캘린더 처리에 의해 원하는 값으로 조정될 수 있다.
(현상 처리 후의 경막 처리)
은염 유제층에 대해 현상 처리를 실시한 후에, 경막제에 침지해 은염 유제층에 대한 경막 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 경막제의 예들은, 글루타르알데히드, 아디프알데히드, 및 2,3-디히드록시-1,4-디옥산 등의 디알데히드류; 및 붕산, 및 크롬 명반/칼륨 명반 등의 무기계 화합물 등을 포함하는데, 이는 일본 공개특허공보 평2－141279호에 기재되어 있다.
［물리 현상 및 도금 처리］
본 실시형태에서, 금속 은부에 도전성 금속 입자들을 담지시키기 위한 물리 현상 및/또는 도금 처리가, 노광 및 현상 처리에 의해 형성된 금속 은부의 도전성을 향상시킬 목적으로 수행될 수도 있다. 본 발명에서, 물리 현상 및 도금 처리 중 어느 하나만으로 금속 은부에 도전성 금속 입자들을 담지시킬 수도 있고, 물리 현상 및 도금 처리를 조합하여 금속 은부에 도전성 금속 입자들을 담지시킬 수도 있다. 또한, 물리 현상 및/또는 도금된 금속 은부가 "도전성 금속부" 로 칭해진다는 점을 유의한다.
［산화 처리］
본 실시형태에서, 현상 처리 후의 금속 은부와, 물리 현상 및/또는 도금 처리에 의해 형성된 도전성 금속부에, 산화 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 약간의 금속이 광 투과성부에 퇴적되는 경우, 산화 처리가 금속을 제거할 수 있고, 광 투과성부의 투과율을 거의 100 % 로 만들 수 있다.
［광 투과성부］
본 실시형태에서 "광 투과성부" 란, 도전 시트 (1) 중 제 1 전극 패턴 (10) 및 제 2 전극 패턴 (40) 이외의 투광성 부분을 의미한다. 상술한 바와 같이, 광 투과성부의 투과율은, 기판 (30) 의 광 흡수 및 반사에 대해 기여하는 것을 제외한 380 내지 780 nm 의 파장 영역에서의 투과율의 최소치로 나타나는 투과율의 관점에서, 90 % 이상, 바람직하게는 95 % 이상, 더욱 바람직하게는 97 % 이상이며, 한층 더 바람직하게는 98 % 이상이며, 가장 바람직하게는 99 % 이상이다.
［도전 시트 (1)］
본 실시형태에 따른 도전 시트 (1) 에서 기판 (30) 의 막두께는 5 내지 350 ㎛ 인 것이 바람직하고, 30 내지 150 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 그 막두께가 5 내지 350 ㎛ 의 범위로 설정되면, 원하는 가시광의 투과율을 얻을 수 있고 또한, 취급도 용이하다.
기판 (30) 상에 형성된 금속 은부의 두께가, 기판 (30) 상에 도포된 은염 함유층용 도료의 도포 두께에 따라 적절히 결정될 수 있다. 금속 은부의 두께는, 0.001 ㎜ 내지 0.2 ㎜ 에서 선택될 수 있고, 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.01 내지 9 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.05 내지 5 ㎛ 인 것이 가장 바람직하다. 또한, 금속 은부가 패터닝되는 것이 바람직하다. 금속 은부가 1 층 구조를 가질 수도 있고, 2 층 이상의 다중층 구조를 가질 수도 있다. 금속 은부가 패터닝되며, 2 층 이상의 다중층 구조를 갖는 경우, 금속 은부가 상이한 파장에 대해 잘 반응 (reactive) 할 수 있도록, 상이한 감광성 색들로 제공될 수 있다. 그 결과, 금속 은부가 상이한 파장들로 노광되면, 상이한 패턴들이 각 층들에 형성될 수 있다.
터치 패널의 용도로, 도전성 금속부의 더 작은 두께는, 표시 패널의 시야각이 넓어지기 때문에 더 바람직하다. 또한, 시인성의 향상의 점에서, 도전성 금속부의 박막화가 요구된다. 이와 같은 관점에서, 도전성 금속부에 담지된 도전성 금속으로 구성된 층의 두께는, 9 ㎛ 미만, 5 ㎛ 미만, 3 ㎛ 미만, 0.1 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
본 실시형태에서, 원하는 두께를 갖는 금속 은부가 은염 함유층의 도포 두께를 제어하여 형성될 수 있고, 도전성 금속 입자들로 구성된 층의 두께가, 물리 현상 및/또는 도금 처리에 의해 자유롭게 제어될 수 있다. 그러므로, 5 ㎛ 미만, 바람직하게는 3 ㎛ 미만의 두께를 갖는 도전 시트 (1) 는 용이하게 형성될 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 도전 시트의 제조 방법이, 도금 단계 등을 반드시 포함할 필요는 없다는 점을 유의한다. 이것은 본 실시형태에 따른 도전 시트 (1) 의 제조 방법이 은염 유제층의 도포된 은량 및 은/바인더 체적비를 조정하여 원하는 표면 저항을 얻을 수 있기 때문이다.
상기 서술한 제조 방법에 관해서, 기판 (30); 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 형성된 제 1 전극 패턴 (10); 및 기판 (30) 의 제 2 주면 상에 형성된 제 2 전극 패턴 (40) 을 포함하는 도전 시트 (1) 를 도 2 에 나타내어 설명한다. 대안으로, 도 33 에 나타내는 바와 같이, 기판 (30) 과, 기판 (30) 의 제 1 주면 상에 형성된 제 1 전극 패턴 (10) 을 포함하는 도전 시트 (1), 그리고 기판 (80) 과, 기판 (80) 의 제 1 주면 상에 형성된 제 2 전극 패턴 (40) 을 포함하는 도전 시트 (2) 가, 제 1 전극 패턴 (10) 과 제 2 전극 패턴 (40) 이 서로 직교하도록 서로의 위에 배치 (중첩) 될 수도 있다. 기판 (30) 및 제 1 전극 패턴에 적용되는 제조 방법이 기판 (80) 및 제 2 전극 패턴 (40) 에 대해 채용될 수 있다.
본 발명에 따른 도전 시트 및 터치 패널은, 상기 서술한 실시형태들에 한정하지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하는 일 없이, 다양한 구성들을 가질 수 있는 것은 물론이다. 또한, 본 발명에 따른 도전 시트 및 터치 패널은, 예를 들어 일본 공개특허공보 제 2011-113149호, 일본 공개특허공보 제 2011-129501호, 일본 공개특허공보 제 2011-129112호, 일본 공개특허공보 제 2011-134311호, 및 일본 공개특허공보 제 2011-175628호에 개시된 기술들과 적절히 조합하여 사용될 수 있다.
이후, 다른 실시형태에 따른 도전 시트와 정전 용량식 터치 패널을 도 34 내지 도 40 을 참고하여 설명한다. 본 명세서에 있어서, 수치 범위를 나타내는 "내지" 는, 수치 범위가 "내지" 전후에 기재되는 수치들을 하한치 및 상한치로서 포함하는 것을 의미하기 위해 사용된다는 점을 유의한다.
도 34 및 도 35a 에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 터치 패널용 도전 시트 (이하, 터치 패널용 도전 시트 (210) 로서 칭함) 는 제 1 도전 시트 (212A) 와 제 2 도전 시트 (212B) 를 적층하여 형성된다.
도 34 및 도 36 에 도시된 바와 같이, 제 1 도전 시트 (212A) 는 제 1 투명 기판 (214A) (도 35a 참조) 의 일 주면 상에 형성된 제 1 전극 패턴 (216A) 을 포함한다. 제 1 전극 패턴 (216A) 은, 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들로 형성된다. 제 1 전극 패턴 (216A) 은, 제 1 방향 (x 방향) 으로 연장하고, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향 (y 방향) 으로 배열된 2 이상의 제 1 도전 패턴들 (218A); 및 제 1 도전 패턴들 (218A) 을 서로 전기적으로 분리하는 제 1 비도전 패턴들 (220A) 을 포함한다. 제 1 비도전 패턴 (220A) 각각은 금속 세선들의 교차점들 이외의 부분들에 형성된 복수의 단선부들 (222A) (필요에 따라 제 1 단선부들 (222A) 라고 칭한다.) 을 포함한다. 제 1 도전 패턴들 (218A) 이 복수의 단선부들 (222A) 에 의해 서로로부터 전기적으로 분리된다.
제 1 전극 패턴 (216A) 을 형성하는 금속 세선들 각각은 0.5 ㎛ 내지 30 ㎛ 의 선폭을 갖는다. 각 금속 세선의 선폭은, 30 ㎛ 이하, 바람직하게는 15 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 9 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7 ㎛ 이하이며, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 도 36 에서 제 1 도전 패턴들 (218A) 과 제 1 비도전 패턴들 (220A) 이 실질적으로 동일한 선폭을 갖지만, 제 1 도전 패턴들 (218A) 과 제 1 비도전 패턴들 (220A) 을 명확하게 하기 위해, 각 제 1 도전 패턴 (218A) 의 선폭을 과장되게 굵게 하고, 각 제 1 비도전 패턴 (220A) 의 선폭을 과장되게 가늘게 한다는 점을 유의한다. 각 제 1 도전 패턴 (218A) 의 선폭과 각 제 1 비도전 패턴 (220A) 의 선폭은, 서로 동일할 수도 있고 서로 상이할 수도 있다. 바람직하게는, 양자의 선폭들은 서로 동일하다. 그 이유는, 두 선폭들이 서로 상이하다면, 시인성이 악화될 수도 있기 때문이다. 제 1 전극 패턴 (216A) 의 금속 세선들은, 금, 은 및 구리 등의 금속 재료들과 금속 산화물 등의 도전 재료들로 구성된다.
제 1 전극 패턴 (216A) 은 서로 교차하는 금속 세선들로 구성된 복수의 격자들 (224A) 을 포함한다. 격자들 (224A) 각각은 금속 세선들에 의해 둘러싸이는 개구 영역을 포함한다. 격자들 (224A) 은 250 ㎛ 내지 900 ㎛ 의 격자 피치 Pa를, 바람직하게는 300 ㎛ 내지 700 ㎛ 의 격자 피치 Pa 를 갖는다. 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 격자들 (224A) 과 제 1 비도전 패턴들 (220A) 의 격자들 (224A) 은 실질적으로 동일한 크기를 갖는다.
제 1 비도전 패턴들 (220A) 의 격자들 (224A) 은 금속 세선들의 교차부들 이외에 부분들에 단선부들 (222A) 을 포함한다. 제 1 비도전 패턴들 (220A) 을 형성하는 모든 격자들 (224A) 이 단선부들 (222A) 을 필수적으로 포함할 필요는 없다. 제 1 비도전 패턴들 (220A) 이, 인접하는 제 1 도전 패턴들 (218A) 사이의 전기적인 분리를 달성할 수 있으면 충분하다. 각 단선부 (222A) 의 길이는, 바람직하게는, 60 ㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 10 내지 50 ㎛ 이며, 15 내지 40 ㎛ 이며, 20 내지 40 ㎛ 이다. 또한, 단선부들 (222A) 의 형성 범위는, 예를 들어, 선밀도의 편차로 표현될 수 있다. 여기서, 선밀도의 편차는 단위 소격자들의 총 세선 길이의 편차를 의미하며, ±(총 세선 길이 최대치 - 총 세선 길이 최소치) / 총 세선 길이 평균치 / 2 (%) 로 정의될 수 있다. 단선부들 (222A) 을 형성하는 범위는, 선밀도의 편차로, 바람직하게는 ± 15 % 이며, 보다 바람직하게는 ± 10 %, 더욱 바람직하게는 ± 0.5 % 내지 ± 5 % 이다.
터치 패널용 도전 시트 (210) 에서, 각 격자 (224A) 는 대략 마름모꼴 형상을 갖는다. 여기서 대략 마름모꼴 형상이란, 대각선들이 실질적으로 직교하는 평행 사변형을 의미한다. 대안적으로, 각 격자 (224A) 는 다른 다각 형상들을 가질 수도 있다. 또한, 각 격자 (26) 의 일변의 형상은 직선 형상 대신, 만곡 형상 또는 원호상일 수도 있다. 원호상인 경우에는, 예를 들어, 각 격자 (224A) 의 대향하는 2 개의 변들이, 각각 바깥쪽으로 볼록한 원호상을 가질 수도 있고, 다른 대향하는 2 개의 변들이, 각각 안쪽으로 볼록한 원호상을 가질 수도 있다. 또한, 각 격자 (224A) 의 각 변의 형상은, 바깥쪽으로 볼록한 원호와 안쪽으로 볼록한 원호가 교대로 연속하는 파선 (wavy) 형상일 수도 있다. 물론, 각 변의 형상이 사인 곡선일 수도 있다.
각 제 1 도전 패턴 (218A) 은, 제 1 방향 (x 방향) 을 따라, 교대로 배치된 광폭 (wider) 부분들과 협폭 (narrower) 부분들을 포함한다. 마찬가지로, 각 제 1 비도전 패턴 (220A) 은, 제 1 방향 (x 방향) 을 따라, 교대로 배치된 광폭 부분과 협폭 부분을 포함한다. 각 제 1 도전 패턴 (218A) 의 광폭 부분들과 협폭 부분들의 순서는, 각 제 1 비도전 패턴 (220A) 의 광폭 부분들과 협폭 부분들의 순서와 반대이다.
각 제 1 도전 패턴 (218A) 은 제 1 단자 (260A) 를 통해 제 1 외부 배선 (262A) 에 전기적으로 접속된 일단부를 갖는다. 한편, 각 제 1 도전 패턴 (218A) 은 개방단인 타단부를 갖는다.
도 34 및 도 37 에 나타내는 바와 같이, 제 2 도전 시트 (212B) 는, 제 2 투명 기판 (214B) (도 35a 참조) 의 일 주면 상에 형성된 제 2 전극 패턴 (216B) 을 포함한다. 제 2 전극 패턴 (216B) 은, 금속 세선들로 구성된 다수의 격자들로 형성된다. 제 2 전극 패턴 (216B) 은, 제 2 방향 (y 방향) 으로 연장하고, 제 2 방향에 직교하는 제 1 방향 (x 방향) 으로 배열된 2 이상의 제 2 도전 패턴들 (218B); 및 제 2 도전 패턴들 (218B) 을 서로 전기적으로 분리하는 제 2 비도전 패턴들 (220B) 을 포함한다. 제 2 비도전 패턴 (220B) 각각은 금속 세선들의 교차점들 이외의 부분들에 형성된 복수의 단선부들 (222B) (필요에 따라 제 2 단선부들 (222B) 라고 칭한다.) 을 포함한다. 제 2 도전 패턴들 (218B) 이 복수의 단선부들 (222B) 에 의해 서로로부터 전기적으로 분리된다.
제 2 전극 패턴 (216B) 을 형성하는 금속 세선들 각각은 0.5 ㎛ 내지 30 ㎛ 의 선폭을 갖는다. 각 금속 세선의 선폭은, 30 ㎛ 이하, 바람직하게는 15 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 9 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7 ㎛ 이하이며, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 도 37 에서 제 2 도전 패턴들 (218B) 과 제 2 비도전 패턴들 (220B) 이 실질적으로 동일한 선폭을 갖지만, 제 2 도전 패턴들 (218B) 과 제 2 비도전 패턴들 (220B) 을 명확하게 하기 위해, 각 제 2 도전 패턴 (218B) 의 선폭을 과장되게 굵게 하고, 각 제 2 비도전 패턴 (220B) 의 선폭을 과장되게 가늘게 한다는 점을 유의한다. 각 제 2 도전 패턴 (218B) 의 선폭과 각 제 2 비도전 패턴 (220B) 의 선폭은, 서로 동일할 수도 있고 서로 상이할 수도 있다. 바람직하게는, 양자의 선폭들은 서로 동일하다. 그 이유는, 두 선폭들이 서로 상이하다면, 시인성이 악화될 수도 있기 때문이다. 제 1 전극 패턴 (216A) 의 금속 세선들은, 금, 은 및 구리 등의 금속 재료들과 금속 산화물 등의 도전 재료들로 구성된다.
제 2 전극 패턴 (216B) 은 서로 교차하는 금속 세선들로 구성된 복수의 격자들 (224B) 을 포함한다. 격자들 (224B) 각각은 금속 세선들에 의해 둘러싸이는 개구 영역을 포함한다. 격자들 (224B) 은 250 ㎛ 내지 900 ㎛ 의 격자 피치 Pb 를, 바람직하게는 300 ㎛ 내지 700 ㎛ 의 격자 피치 Pb 를 갖는다. 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 격자들 (224B) 과 제 2 비도전 패턴들 (220B) 의 격자들 (224B) 은 실질적으로 동일한 크기를 갖는다.
제 2 비도전 패턴들 (220B) 의 격자들 (224B) 은 금속 세선들의 교차부들 이외에 부분들에 단선부들 (222B) 을 포함한다. 제 2 비도전 패턴들 (220B) 을 형성하는 모든 격자들 (224B) 이 단선부들 (222B) 을 필수적으로 포함할 필요는 없다. 제 2 비도전 패턴들 (220B) 이, 인접하는 제 2 도전 패턴들 (218B) 사이의 전기적인 분리를 달성할 수 있으면 충분하다. 각 단선부 (222B) 의 길이는, 바람직하게는, 60 ㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 10 내지 50 ㎛ 이며, 15 내지 40 ㎛ 이며, 20 내지 40 ㎛ 이다. 또한, 단선부들 (22B) 의 형성 범위는, 예를 들어, 선밀도의 편차로 표현될 수 있다. 여기서, 선밀도의 편차는 단위 소격자들의 총 세선 길이의 편차를 의미하며, ± (총 세선 길이 최대치 - 총 세선 길이 최소치) / 총 세선 길이 평균치 / 2 (%) 로 정의될 수 있다. 단선부들 (222B) 을 형성하는 범위는, 선밀도의 편차로, 바람직하게는 ± 15 % 이며, 보다 바람직하게는 ± 10 %, 더욱 바람직하게는 ± 0.5 % 내지 ± 5 % 이다.
터치 패널용 도전 시트 (210) 에서, 각 격자 (224B) 는 대략 마름모꼴 형상을 갖는다. 여기서 대략 마름모꼴 형상이란, 대각선들이 실질적으로 직교하는 평행 사변형을 의미한다. 대안적으로, 각 격자 (224B) 는 다른 다각 형상들을 가질 수도 있다. 또한, 각 격자 (224B) 의 일변의 형상은 직선 형상 대신, 만곡 형상 또는 원호상일 수도 있다. 원호상인 경우에는, 예를 들어, 각 격자 (224B) 의 대향하는 2 개의 변들이, 각각 바깥쪽으로 볼록한 원호상을 가질 수도 있고, 다른 대향하는 2 개의 변들이, 각각 안쪽으로 볼록한 원호상을 가질 수도 있다. 또한, 각 격자 (224B) 의 각 변의 형상은, 바깥쪽으로 볼록한 원호와 안쪽으로 볼록한 원호가 교대로 연속하는 파선 (wavy) 형상일 수도 있다. 물론, 각 변의 형상이 사인 곡선일 수도 있다.
각 제 2 도전 패턴들 (218B) 은, 제 2 방향 (y 방향) 을 따라, 교대로 배치된 광폭 부분들과 협폭 부분들을 포함한다. 마찬가지로, 각 제 2 비도전 패턴 (220B) 은, 제 2 방향 (y 방향) 을 따라, 교대로 배치된 광폭 부분들과 협폭 부분들을 포함한다. 각 제 2 도전 패턴 (218B) 의 광폭 부분들과 협폭 부분들의 순서는, 각 제 2 비도전 패턴 (220B) 의 광폭 부분들과 협폭 부분들의 순서와 반대이다.
각 제 2 도전 패턴 (218B) 은 제 2 단자 (260B) 를 통해 제 2 외부 배선 (262B) 에 전기적으로 접속된 일단부를 갖는다. 한편, 각 제 2 도전 패턴 (218B) 은 개방단인 타단부를 갖는다.
그 후, 터치 패널용 도전 시트 (210) 가 예를 들어 제 2 도전 시트 (212B) 상에 제 1 도전 시트 (212A) 를 적층해 형성되는 경우, 도 38 에 나타내는 바와 같이, 제 1 전극 패턴 (216A) 과 제 2 전극 패턴 (216B) 이 서로 겹치지 않도록 배치된다. 이 때, 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 협폭 부분들이 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 협폭 부분들에 대향하고, 또한 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 협폭 부분들이 제 2 도전 패턴들 (218B) 과 교차하도록, 제 1 전극 패턴 (216A) 과 제 2 전극 패턴 (216B) 이 배치된다. 이 결과, 제 1 전극 패턴 (216A) 과 제 2 전극 패턴 (216B) 은, 조합 패턴 (270) 을 형성한다. 제 1 전극 패턴 (216A) 과 제 2 전극 패턴 (216B) 의 선폭들은 실질적으로 서로 동일하다는 점을 유의한다. 또한, 격자들 (224A) 과 격자들 (224B) 의 크기들은 실질적으로 서로 동일하다. 그러나, 도 38 에서 제 1 전극 패턴 (216A) 과 제 2 전극 패턴 (216B) 의 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 제 1 전극 패턴 (216A) 의 선폭을 제 2 전극 패턴 (216B) 의 선폭보다 굵게 만든다.
조합 패턴 (270) 에서, 상면시에서 격자들 (224A) 과 격자들 (224B) 은 소격자들 (276) 을 형성한다. 즉, 격자들 (224A) 의 교차부들이 각각 격자들 (224B) 의 개구 영역들에 배치된다. 소격자들 (276) 은, 격자들 (224A) 및 격자들 (224B) 의 각각의 격자 피치들 Pa 및 Pb 의 절반인 125 ㎛ 내지 450 ㎛ 의 격자 피치 Ps 를 갖고, 바람직하게는, 150 ㎛ 내지 350 ㎛ 의 격자 피치 Ps 를 갖는다.
제 1 비도전 패턴들 (220A) 의 단선부들 (222A) 은 격자들 (224A) 의 교차부들 이외의 부분들에 형성되고, 제 2 비도전 패턴들 (220B) 의 단선부들 (222B) 은 격자들 (224B) 의 교차부들 이외의 부분들에 형성된다. 그 결과, 단선부들 (222A) 과 단선부들 (222B) 에서 기인되는 시인성의 열화를 조합 패턴 (270) 에서 방지할 수 있다.
특히, 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들이 단선부 (222A) 에 대향된 위치들에 배치된다. 또한, 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들이 단선부 들 (222B) 에 대향하는 위치들에 배치된다. 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들이 단선부들 (222A) 을 마스크하고, 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들이 단선부들 (222B) 을 마스크한다. 따라서, 조합 패턴 (270) 에서, 상면시에서 단선부들 (222A) 과 단선부들 (222B) 이 시각적으로 관찰되기 어려우므로, 시인성을 향상시킬 수 있다. 시인성 향상을 고려하면, 각 단선부 (222A) 의 길이와 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들 각각의 선폭은, 선폭 × 1 ＜ 단선부 ＜ 선폭 × 10 의 관계식을 만족하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 각 단선부 (222B) 의 길이와 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들 각각의 선폭은, 선폭 × 1 ＜ 단선부 ＜ 선폭 × 10 의 관계식을 만족하는 것이 바람직하다.
다음으로, 제 2 단선부들 (222B) 과 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들과의 관계, 및 제 1 단선부들 (222A) 과 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들과의 관계가 설명된다. 도 39 는 금속 세선과 단선부 사이의 위치 관계를 나타내는 개략도이다. 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들과 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들 각각의 폭을 a 로 하고, 제 1 비도전 패턴들 (220A) 의 제 1 단선부들 (222A) 과 제 2 비도전 패턴들 (220B) 의 제 2 단선부들 (222B) 각각의 폭을 b 로 추정했을 때, b － a ≤ 30 ㎛ 의 관계식을 만족하는 것이 바람직하다. 이것은, 각 금속 세선의 폭과 각 단선부의 폭 사이의 차이가 작을수록, 금속 배선에 의해 차지되는 단선부의 부분이 더 커지고, 시인성의 열화를 더욱 방지할 수 있다는 것을 의미한다.
또한, 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들과 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들 각각의 폭을 a 로 하고, 제 1 비도전 패턴들 (220A) 의 제 1 단선부들 (222A) 과 제 2 비도전 패턴들 (220B) 의 제 2 단선부들 (222B) 각각의 폭을 b 로 추정했을 때, (b － a) / a ≤ 6 의 관계식을 만족하는 것이 바람직하다. 이것은, 제 2 비도전 패턴들 (220B) 의 제 2 단선부들 (222B) 각각의 폭이 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들과 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들 각각의 폭에 대해, 소정의 폭 이하인 것을 의미한다. 상기와 마찬가지로, 이것은 각 금속 세선에 의해 차지되는 단선부의 부분이 가능한 한 커지고, 시인성의 열화를 더욱 방지할 수 있다는 것을 의미한다.
다음으로, 각 금속 세선의 중심 위치와 각 단선부의 중심 위치 사이의 위치 어긋남이 설명된다. 도 40 은 금속 세선의 중심 위치와 단선부의 중심 위치 사이의 관계를 나타내는 개략도이다. 중심선 (CL1) 은, 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들 및 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들 각각의 중심 위치를 나타낸다. 중심선 (CL2) 은, 제 2 단선부들 (222B) 과 제 1 단선부들 (222A) 각각의 중심 위치를 나타낸다. 편차량 d 는 중심선 (CL1) 과 중심선 (CL2) 사이의 거리를 의미한다. 각 편차량이 d 이고, 편차량 d 의 평균치가 dAve. 인 것으로 추정하면, 표준 편차 σ 는 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 작은 표준 편차 σ 는, 중심선 (CL1) 과 중심선 (CL2) 사이의 편차량 d 의 편차들이 작다는 것을 의미한다. 각 금속 세선이 각 단선부의 중심에 가능한 가까이 위치되는 경우에, 제 1 도전 패턴들 (218A) 의 금속 세선들과 제 2 비도전 패턴들 (220B) 의 금속 세선들 사이의 간극들인 거리들 (L1 와 L2) 이 서로 더욱 동일하거나, 또는 제 2 도전 패턴들 (218B) 의 금속 세선들과 제 1 비도전 패턴들 (220A) 의 금속 세선들 사이의 간극들인 거리들 (L1 와 L2) 이 서로 더욱 동일하다. 이러한 대칭성은, 인간의 시인성과 관련하여 패턴들을 인식하기 어렵게 만들고, 결과적으로 시인성의 열화를 방지할 수 있다.
터치 패널용 도전 시트 (210) 를 터치 패널로서 사용하는 경우에는, 보호층 (미도시됨) 이 제 1 도전 시트 (212A) 상에 형성된다. 제 1 도전 시트 (212A) 의 다수의 제 1 도전 패턴들 (218A) 로부터 도출된 제 1 외부 배선들 (62A) 각각과, 제 2 도전 시트 (212B) 의 다수의 제 2 도전 패턴들 (218B) 로부터 도출된 제 2 외부 배선들 (262B) 각각이, 예를 들어 스캔을 제어하는 IC 회로에 접속된다.
터치 패널용 도전 시트 (210) 중, 액정 표시 장치의 표시 화면의 바깥에 외주 영역의 면적을 최소화하기 위해, 제 1 도전 패턴들 (218A) 과 제 1 외부 배선들 (262A) 사이의 각각의 접속부들이 선형적으로 배열되고, 제 2 도전 패턴들 (218B) 과 제 2 외부 배선들 (262B) 사이의 각각의 접속부들이 선형적으로 배열되는 것이 바람직하다.
손가락 끝을 보호층 상에 접촉시키는 경우, 손가락 끝에 대향하는 제 1 도전 패턴들 (218A) 과 제 2 도전 패턴들 (218B) 사이의 정전 용량이 변화한다. IC 회로는 이 변화량을 검출하고, 이 변화량에 기초하여 손가락 끝의 위치를 연산한다. 이러한 연산은 각각의 제 1 도전 패턴 (218A) 과 각각의 제 2 도전 패턴 (218B) 사이에서 실시한다. 따라서, 동시에 2 개 이상의 손가락 끝을 접촉시켜도, 각 손가락 끝의 위치를 검출할 수 있다.
이와 같이, 터치 패널용 도전 시트 (210) 가 예를 들어 투영형 정전 용량식의 터치 패널에 적용되는 경우, 터치 패널용 도전 시트 (210) 는, 그 표면 저항이 작기 때문에 응답 속도를 빨리 할 수가 있고, 터치 패널의 대사이즈화를 촉진시킬 수 있다.
다음으로, 제 1 도전 시트 (212A) 와 제 2 도전 시트 (212B) 를 제조하는 방법을 설명한다.
제 1 도전 시트 (212A) 나 제 2 도전 시트 (212B) 를 제조하는 경우에는, 예를 들어 감광성 할로겐화 은을 함유하는 유제층을 갖는 감광 재료를 각 제 1 투명 기판 (214A) 및 각 제 2 투명 기판 (214B) 상에서 노광 및 현상하고, 금속 은부 (금속 세선들) 및 광 투과성부 (개구 영역들) 각각을 노광부 및 미노광부에 형성하여, 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 를 형성할 수도 있다. 금속 은부가 추가적으로 물리 현상 및/또는 도금되어, 금속 은부가 도전성 금속을 담지시키도록 할 수도 있다는 점을 유의한다.
대안적으로, 각 제 1 투명 기판 (214A) 및 각 제 2 투명 기판 (214B) 상에 형성된 동박 상의 포토레지스트 막을 노광, 현상하여 레지스트 패턴이 형성되고, 레지스트 패턴 상에 노출된 동박을 에칭하여, 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 이 형성될 수도 있다.
대안적으로, 금속 미립자들을 함유하는 페이스트가 각 제 1 투명 기판 (214A) 및 각 제 2 투명 기판 (214B) 상에 인쇄되고, 페이스트가 금속으로 도금되어, 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 이 형성될 수도 있다.
제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 각각이 스크린 인쇄판 또는 그라비아 인쇄판을 사용하여, 제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214B) 상에 인쇄되어 형성될 수도 있다. 대안적으로, 잉크젯 처리에 따라, 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 각각이 제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214B) 상에 형성될 수도 있다.
도 35b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 전극 패턴 (216A) 이 제 1 투명 기판 (214A) 의 일주면 상에 형성되고, 제 2 전극 패턴 (216B) 이 제 1 투명 기판 (214A) 의 타주면 상에 형성되는 경우, 표준 제조 방법 (우선 일주면이 노광되고, 그 후에, 타주면이 노광된다) 이 채용하면, 원하는 패턴들을 갖는 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 을 얻을 수 없는 경우들이 있다.
상기 관점에서, 다음 제조 방법이 채용되는 것이 바람직하다.
즉, 제 1 투명 기판 (214A) 의 기판들의 양면 상에 각각 형성된 감광성 할로겐화 은 유제층이 일괄 노광되어, 제 1 전극 패턴 (216A) 이 제 1 투명 기판 (216A) 의 일주면 상에 형성되는 한편, 제 2 전극 패턴 (216B) 이 제 1 투명 기판 (214A) 의 타주면 상에 형성된다.
도 34 내지 도 40 에 도시된 양태들에 따른 도전 시트를 제조하는 방법의 구체예를 설명한다.
먼저, 길이가 긴 감광 재료를 제작한다. 감광 재료는, 제 1 투명 기판 (214A); 제 1 투명 기판 (214A) 의 일주면 상에 형성된 감광성 할로겐화 은 유제층 (이하, 제 1 감광층이라고 한다); 및 제 1 투명 기판 (214A) 의 타주면 상에 형성된 감광성 할로겐화 은 유제층 (이하, 제 2 감광층이라고 한다) 을 포함한다.
다음으로, 감광 재료를 노광한다. 이 노광 처리는, 제 1 투명 기판 (214A) 이 광 조사되어, 제 1 감광층이 제 1 노광 패턴을 따라 노광되는, 제 1 감광층 상에 실시된 제 1 노광 처리; 및 제 1 투명 기판 (214A) 이 광 조사되어, 제 2 감광층이 제 2 노광 패턴을 따라 노광되는, 제 2 감광층 상에 실시된 제 2 노광 처리를 포함한다 (양면 동시 노광).
예를 들어, 길이가 긴 감광 재료를 일방향으로 반송하는 상태에서, 제 1 감광층에 제 1 광 (평행 광) 을 제 1 포토마스크를 개재하여 조사하는 한편, 제 2 감광층에 제 2 광 (평행 광) 을 제 2 포토마스크를 개재하여 조사한다. 제 1 광은, 제 1 광원으로부터 출사된 광을 도중의 제 1 콜리메이터 렌즈에 의해 평행 광으로 변환시켜 얻어진다. 제 2 광은, 제 2 광원으로부터 출사된 광을 도중의 제 2 콜리메이터 렌즈에 의해 평행 광으로 변환시켜 얻어진다.
상기의 설명에서는, 2 개의 광원들 (제 1 광원 및 제 2 광원) 을 사용했을 경우를 나타내고 있지만, 1 개의 광원으로부터 출사된 광을 광학계에 의해 제 1 광 및 제 2 광으로 분할할 수도 있고, 제 1 감광층 및 제 2 감광층이 제 1 광 및 제 2 광으로 조사될 수도 있다.
이어서, 노광 후의 감광 재료를 현상하여, 터치 패널용 도전 시트 (210) 가 도 35b 에 도시된 바와 같이 제작된다. 터치 패널용 도전 시트 (210) 는, 제 1 투명 기판 (214A) ; 제 1 투명 기판 (214A) 의 제 1 주면 상에 형성된 제 1 노광 패턴을 따른 제 1 전극 패턴 (216A); 및 제 1 투명 기판 (214A) 의 타주면 상에 형성된 제 2 노광 패턴을 따른 제 2 전극 패턴 (216B) 을 포함한다. 제 1 감광층 및 제 2 감광층의 노광 시간 및 현상 시간은, 제 1 광원 및 제 2 광원의 종류나 현상액의 종류 등에 따라 다양하게 변화될 수도 있다는 점을 유의한다. 그러므로, 바람직한 수치 범위들을 무조건적으로 결정할 수 없지만, 현상율이 100 % 가 되도록 노광 시간 및 현상 시간이 조정된다.
그 후, 본 실시형태의 제조 방법에 따라, 제 1 노광 처리에서, 제 1 감광층 상에 제 1 포토마스크를 예를 들어, 밀착 배치하고, 그 제 1 포토마스크에 대향되도록 배치된 제 1 광원으로부터 출사된 제 1 광으로 제 1 포토마스크를 조사하여, 제 1 감광층을 노광한다. 제 1 포토마스크는, 투명한 소다 유리로 형성된 유리 기판과, 그 유리 기판 상에 형성된 마스크 패턴 (제 1 노광 패턴) 을 포함한다. 따라서, 제 1 노광 처리에서, 제 1 감광층의 일부분이 노광되는데, 그 일부분은 제 1 포토마스크 상에 형성된 제 1 노광 패턴을 따른다. 제 1 감광층과 제 1 포토마스크 사이에 대략 2 내지 10 ㎛ 의 간극이 형성될 수도 있다.
마찬가지로, 제 2 노광 처리에서, 제 2 감광층 상에 제 2 포토마스크를 예를 들어, 밀착 배치하고, 제 2 포토마스크에 대향되도록 배치된 제 2 광원으로부터 출사된 제 2 광으로 제 2 포토마스크를 조사하여, 제 2 감광층을 노광한다. 제 1 포토마스크와 마찬가지로, 제 2 포토마스크는, 투명한 소다 유리로 형성된 유리 기판과, 그 유리 기판 상에 형성된 마스크 패턴 (제 2 노광 패턴) 을 포함한다. 따라서, 제 2 노광 처리에서, 제 2 감광층의 일부분이 노광되는데, 그 일부분은 제 2 포토마스크 상에 형성된 제 2 노광 패턴을 따른다. 이 경우, 제 2 감광층과 제 2 포토마스크 사이에 대략 2 내지 10 ㎛ 의 간극이 형성될 수도 있다.
제 1 노광 처리 및 제 2 노광 처리에서, 제 1 광원으로부터의 제 1 광의 출사 타이밍과 제 2 광원으로부터의 제 2 광의 출사 타이밍은 서로 동일할 수도 있고, 서로 상이할 수도 있다. 그 출사 타이밍들이 서로 동일하면, 한번의 노광 처리로, 제 1 감광층 및 제 2 감광층을 동시에 노광할 수 있고, 처리 시간을 짧게 할 수 있다. 반면, 제 1 감광층 및 제 2 감광층이 함께 분광적으로 감지되지 않는 경우, 감광 재료가 양측 모두에 대해 노광되면, 일방 측의 노광이 타방 측 (이면 측) 상의 화상 형성에 영향을 미치게 된다.
즉, 제 1 감광층에 도달한 제 1 광원으로부터의 제 1 광은, 제 1 감광층에 함유된 할로겐화 은 입자들에 의해 산란되고, 산란된 광으로서 제 1 투명 기판 (214A) 을 통해 전달되고, 그 산란된 광의 일부가 제 2 감광층에까지 도달한다. 그 결과, 제 2 감광층과 제 1 투명 기판 (214A) 사이의 경계 부분이 넓은 범위에 걸쳐서 노광되어 잠상이 형성된다. 그러므로, 제 2 감광층에서는, 제 2 광원으로부터의 제 2 광과 제 1 광원으로부터의 제 1 광 모두로 노광된다. 그 후의 현상 처리에서 터치 패널용 도전 시트 (210) 를 제조하는 경우에, 제 2 노광 패턴을 따른 도전 패턴 (제 2 전극 패턴 (216B)) 에 추가로, 도전 패턴들 사이에 제 1 광원으로부터의 제 1 광에 기초한 얇은 도전층이 형성되어, 원하는 패턴 (제 2 노광 패턴을 따른 패턴) 을 얻을 수 없다. 제 1 감광층에도 동일하게 적용된다.
이것을 회피하기 위해 예의 검토한 결과, 다음을 알아내었다. 즉, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 두께가 특정의 범위 내로 설정되거나, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각에 도포된 은량이 특정되면, 할로겐화 은 자신이 광을 흡수해, 이면에 대한 광 투과를 제한할 수 있다. 본 실시형태에서, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 두께를 1 ㎛ 이상, 4 ㎛ 이하로 설정할 수 있다. 그 상한치는 바람직하게는 2.5 ㎛ 이다. 또한, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각에 도포된 은량을 5 내지 20 g/㎡ 로 규정했다.
상기 서술한 양면 밀착 접촉형 노광 방법에서, 시트 표면에 부착된 먼지 등에 의한 노광 저해에 기인한 화상 결함이 문제가 된다. 이러한 먼지 부착을 방지하기 위해, 시트에 도전성 물질을 도포하는 것이 알려져 있지만, 금속 산화물 등은 처리 후에도 잔존해, 최종 제품의 투명성을 해치고, 도전성 폴리머들은 보존성 등에 문제를 갖는다. 상기의 관점에서 예의 검토한 결과, 대전 방지에 필요한 도전성이 감소된 바인더를 가진 할로겐화 은에 의해 얻어진다는 것을 알아내어, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 은/바인더의 체적비를 규정한다. 즉, 제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 은/바인더 체적비는 1/1 이상이며, 바람직하게는, 2/1 이상이다.
제 1 감광층 및 제 2 감광층 각각의 두께, 도포된 은량, 및 은/바인더의 체적비가 상술된 바와 같이 설정되고 규정되면, 제 1 감광층에 도달한 제 1 광원으로부터의 제 1 광은, 제 2 감광층에 도달하지 않는다. 마찬가지로, 제 2 감광층에 도달한 제 2 광원으로부터의 제 2 광은, 제 1 감광층에 도달하지 않는다. 그 결과, 그 후의 현상 처리에서 터치 패널용 도전 시트 (210) 를 제조하는 경우에, 도 35b 에 도시된 바와 같이, 제 1 노광 패턴에 따른 제 1 전극 패턴 (216A) 만이 제 1 투명 기판 (214A) 의 일주면 상에 형성되고, 제 2 노광 패턴에 따른 제 2 전극 패턴 (216B) 만이 제 1 투명 기판 (214A) 의 타주면 상에 형성되어, 원하는 패턴들을 얻을 수 있다.
이와 같이, 상기 서술한 양면 일괄 노광을 이용한 제조 방법에 따라, 도전성과 양면 노광의 적성을 양립시킨 제 1 감광층 및 제 2 감광층을 얻을 수 있다. 또한, 동일 패턴이나 상이한 패턴들이, 제 1 투명 기판 (214A) 에 대한 한번의 노광 처리로 제 1 투명 기판 (214A) 의 양면 상에 임의로 형성될 수 있다. 이것은 터치 패널의 전극들을 용이하게 형성할 수 있고, 터치 패널의 두께 감소 (높이 감소) 를 도모할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 와 제 2 도전 시트 (212B) 에 대해, 특히 바람직한 양태에 대응하는 할로겐화 은 사진 감광 재료를 사용하는 방법을 중심으로 설명한다.
본 실시형태에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 와 제 2 도전 시트 (212B) 의 제조 방법은, 감광 재료와 현상 처리의 모드에 따라, 다음의 3 가지 양태들을 포함한다.
(1) 물리 현상핵을 포함하지 않는 할로겐화 은 흑백 감광 재료를 화학 현상 또는 열현상하고; 금속 은부를 그 감광 재료 상에 형성시키는 양태.
(2) 물리 현상핵을 할로겐화 은 유제층에 포함하는 할로겐화 은 흑백 감광 재료를 용해, 물리 현상하고; 금속 은부를 그 감광 재료 상에 형성시키는 양태.
(3) 물리 현상핵을 포함하지 않는 할로겐화 은 흑백 감광 재료와 물리 현상핵을 포함하는 비감광성층을 갖는 수상 시트 (image receiving sheet) 를 서로의 위에 놓아 (중첩해) 확산 전사 현상하고; 금속 은부를 비감광성 수상 시트 상에 형성시키는 양태.
통합된 흑백 현상 타입인 (1) 의 양태에 따라, 감광 재료 상에 광 투과성 도전막 등의 투광성 도전막이 형성된다. 얻어진 현상된 은은 화학 현상된 은 또는 열현상된 은이며, 얻어진 현상된 은은 고비표면의 필라멘트이기 때문에, 후속하는 도금 또는 물리 현상 처리에서 고활성이다.
(2) 의 양태를 따른 노광부에서는, 물리 현상핵 근처의 할로겐화 은 입자들이 용해되어 현상핵 상에 퇴적됨으로써, 감광 재료 상에 광 투과성 도전막 등의 투광성 도전막이 형성된다. 또한, 이 양태는 통합된 흑백 현상 타입이다. 현상 작용이, 물리 현상핵 상의 퇴적이므로, 고활성이 얻어지고, 현상된 은은 작은 비표면의 구형을 갖는다.
(3) 의 양태를 따른 미노광부에서, 할로겐화 은 입자들이 용해되고 확산되어, 수상 시트 상의 현상핵 상에 퇴적됨으로써, 수상 시트 상에 광 투과성 도전막 등의 투광성 도전막이 형성된다. 이 양태는 이른바 세퍼레이트 타입이며, 사용을 위해 수상 시트가 감광 재료로부터 박리된다.
이들 양태들 중 임의의 하나에서, 네거티브 현상 처리 및 반전 현상 처리 모두가 선택될 수 있다 (확산 전사 방법의 경우에는, 감광 재료로서 오토포지티브 감광 재료의 사용은 네거티브 현상 처리를 가능하게 한다).
상기 설명된 화학 현상, 열현상, 용해 물리 현상, 및 확산 전사 현상은, 당업계에서 통상 이용되는 각각의 용어들과 동일한 의미들을 갖고, 사진화학에 대한 일반 교과서, 예를 들어 키쿠치 신이치저 "사진화학 (Photographic Chemistry)" (교리츠 출판사, 1955년 간행), C.E.K.Mees 에 의해 편집된 "The Theory of Photographic Processes, 4th ed." (M㎝illan 사, 1977년 간행) 에 설명되어 있다. 상기의 설명은 액 처리에 관련된 발명이지만, 열현상 방법들을 채용한 기법들이 또한, 다른 현상 방법들로서 언급될 수 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 제 2004－184693호, 일본 공개특허공보 제 2004－334077호 및 일본 공개특허공보 제 2005－010752호, 및 일본 특허출원 제 2004－244080호 및 일본 특허출원 제 2004－085655호에 기재된 기술들이 적용될 수 있다.
여기서, 본 실시형태에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 의 층 구성들에 대해, 이하에 상세하게 설명한다.
［제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214B)］
제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214B) 은 각각 플라스틱 필름, 플라스틱 판, 유리 판 등을 사용하여 형성될 수 있다.
플라스틱 필름 및 플라스틱 판의 원료들의 예들은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 (PEN) 등의 폴리에스테르류； 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리스티렌 및 에틸렌 비닐 아세테이트 (EVA) / 시클로 올레핀 폴리머 (COP) / 시클로 올레핀 코폴리머 (COC) 등의 폴리올레핀류； 비닐계 수지； 폴리카보네이트 (PC); 폴리아미드; 폴리이미드; 아크릴 수지; 및 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) 를 포함한다.
제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214B) 각각은, 융점이 약 290 ℃ 이하인, PET (융점 ： 258 ℃), PEN (융점 ： 269 ℃), PE (융점 ： 135 ℃), PP (융점 ： 163 ℃), 폴리스티렌 (융점 ： 230℃), 폴리염화비닐 (융점 ： 180 ℃), 폴리염화비닐리덴 (융점 ： 212 ℃), 또는 TAC (융점 ： 290 ℃) 로 구성된 플라스틱 필름 또는 플라스틱 판을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. 특히, PET 가 광 투과성, 가공성 등의 관점에서 바람직하다. 터치 패널용 도전 시트 (210) 에 사용되는 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 와 같은 투명 도전성 필름은 투명성이 요구되기 때문에, 제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214B) 각각의 투명도는 높은 것이 바람직하다.
［은염 유제층］
제 1 도전 시트 (212A) 의 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 의 제 2 전극 패턴 (216B) 각각이 되는 은염 유제층은, 은염과 바인더에 추가로 용매나 염료 등의 첨가제들을 함유한다.
본 실시형태에 사용되는 은염의 예들은, 할로겐화 은 등의 무기 은염 및 아세트산 은 등의 유기 은염을 포함한다. 본 실시형태에서, 광학 센서로서의 특성이 우수한 할로겐화 은을 사용하는 것이 바람직하다.
은염 유제층에 도포된 은량 (은염의 양) 은, 은으로 환산해, 1 내지 30 g/㎡ 가 바람직하고, 1 내지 25 g/㎡ 가 보다 바람직하고, 5 내지 20 g/㎡ 가 더욱 바람직하다. 이 도포된 은량을 이 범위 내로 설정하면, 터치 패널용 도전 시트 (210) 를 제작하는 경우에 원하는 표면 저항을 얻을 수 있다.
본 실시형태에 사용되는 바인더의 예들은, 젤라틴, 폴리비닐알코올 (PVA), 폴리비닐피롤리돈 (PVP), 전분 등의 다당류, 셀룰로오스 및 그 유도체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리비닐아민, 키토산, 폴리리신, 폴리아크릴산, 폴리알긴산, 폴리히알루론산, 및 카르복시셀룰로오스를 포함한다. 이 물질들 각각은, 그 관능기의 이온성에 따라 중성, 음이온성, 또는 양이온성을 나타낸다.
은염 유제층에서 바인더의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 분산성과 밀착성을 얻을 수 있는 범위에서 적절히 결정될 수가 있다. 은염 유제층에서 바인더의 함유량은, 은/바인더 체적비로 1/4 이상이 바람직하고, 1/2 이상이 보다 바람직하다. 은/바인더 체적비는, 100/1 이하가 바람직하고, 50/1 이하가 보다 바람직하다. 또한, 은/바인더 체적비는 1/1 내지 4/1 인 것이 더욱 바람직하다. 은/바인더 체적비는 1/1 내지 3/1 인 것이 가장 바람직하다. 은염 유제층에서 은/바인더 체적비를 이 범위로 설정하면, 도포된 은량을 조정했을 경우에서도 저항값의 편차를 억제해, 균일한 표면 저항을 갖는 터치 패널용 도전 시트를 얻을 수 있다. 은/바인더 체적비는, 원료의 할로겐화 은량/바인더량 (중량비) 을 은량/바인더량 (중량비) 로 변환하고, 또한 은량/바인더량 (중량비) 을 은량/바인더량 (체적비) 로 변환하여 얻을 수 있다는 점을 유의한다.
＜용매＞
은염 유제층을 형성하기 위해 사용되는 용매는, 특별히 한정되지 않으며, 그 예들은, 물, 유기 용매들 (예를 들어, 메탄올 등의 알코올류, 아세톤 등의 케톤류, 포름아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 아세트산에틸 등의 에스테르류, 및 에테르류), 이온성 액체들, 및 이 용매들의 혼합 용매를 포함한다.
본 실시형태의 은염 유제층을 형성하기 위해 사용되는 용매의 함유량은, 은염 유제층에 함유되는 은염, 바인더 등의 총 질량에 대해 30 내지 90 질량% 의 범위 내이며, 50 내지 80 질량% 의 범위 내인 것이 바람직하다.
＜그 밖의 첨가제들＞
본 실시형태에 사용되는 각종 첨가제는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 첨가제들이 바람직하게 사용될 수 있다.
［그 밖의 층 구성들］
보호층 (미도시) 이 은염 유제층 상에 형성될 수도 있다. 본 실시형태 에 있어서 "보호층" 은, 젤라틴과 폴리머들과 같은 바인더로 구성된 층을 의미하고, 스크래치 방지나 역학 특성들을 개선하는 효과를 발현하기 위해서 감광성을 갖는 은염 유제층 상에 형성된다. 보호층의 두께는 0.5 ㎛ 이하가 바람직하다. 보호층의 도포 방법 및 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 도포 방법 및 형성 방법을 적절히 선택할 수 있다. 또한, 은염 유제층보다 아래에, 예를 들어 하도층을 형성할 수도 있다.
다음으로, 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 의 제작 방법의 단계들을 설명한다.
［노광］
본 실시형태는, 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 이 인쇄되어 형성되는 경우를 포함한다. 인쇄 이외에, 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 은 노광, 현상 등에 의해 형성된다. 즉, 각 제 1 투명 기판 (214A) 및 각 제 2 투명 기판 (214B) 상에 형성된 은염 함유층을 갖는 감광 재료 또는 포토리소그래피용 포토폴리머를 도포한 감광 재료가 노광된다. 노광은, 전자파들을 이용해 실시할 수 있다. 전자파들의 예들은, 가시광선과 자외선 등의 광 및 X 선 등의 방사선을 포함한다. 추가로, 파장 분포를 갖는 광원이 노광용으로 사용될 수도 있고, 이를 위해 특정 파장의 광원이 사용될 수도 있다.
유리 마스크를 사용하는 방법과 레이저 묘화를 사용하는 패턴 노광 방법이 노광 방법으로 바람직하다.
［현상 처리］
본 실시형태에서, 유제층을 노광한 후, 현상 처리가 추가적으로 실시된다. 은염 사진 필름, 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀션 마스크 등에 사용되는 표준 현상 처리의 기법이 현상 처리에 대해 사용될 수 있다. 현상액 은 특별히 한정되지 않지만, PQ 현상액, MQ 현상액, MAA 현상액 등을 사용할 수 있다. 사용 가능한 현상액들의 예들은, 시판품인, 예를 들어, CN－16, CR－56, CP45X, FD－3, 및 파피톨 (후지필름사 제조); C－41, E－6, RA－4, D－19, 및 D－72 (코닥사 제조); 및 그 키트에 포함되는 현상액들을 포함한다. 또한, 리스 (lith) 현상액이 사용될 수도 있다.
본 실시형태에서 현상 처리는 미노광 부분의 은염을 제거해 안정화시킬 목적으로 행해지는 정착 처리를 포함할 수 있다. 은염 사진 필름, 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀션 마스크 등에 사용되는 정착 처리의 기법이 본 실시형태에서의 정착 처리에 대해 사용될 수 있다.
정착 처리시 정착 온도는, 약 20 ℃ 내지 약 50 ℃ 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 25 ℃ 내지 45 ℃ 이다. 또, 정착 시간은 5 초 내지 1 분이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 7 초 내지 50 초이다. 정착액의 보충량은, 감광 재료의 처리량에 대해, 600 ㎖／㎡ 이하가 바람직하고, 500 ㎖／㎡ 이하가 더욱 바람직하고, 300 ㎖／㎡ 이하가 특히 바람직하다.
현상, 정착 처리가 된 감광 재료는, 수세 처리나 안정화 처리가 가해지는 것이 바람직하다. 수세 처리 또는 안정화 처리는, 감광 재료 ㎡ 당, 수세수량 20리터 이하에서 통상 실시되고, 심지어 3 리터 이하의 보충량 (0 도 포함하는, 즉 유익수 수세) 으로도 실시할 수도 있다.
현상 처리 후의 노광부에 함유되는 금속 은의 질량은, 노광전의 노광부에 함유되어 있던 은의 질량에 대해 50 질량% 이상인 것이 바람직하고, 80 질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 노광부에 함유되는 은의 질량이 노광전의 노광부에 함유되어 있던 은의 질량에 대해 50 질량% 이상이면, 높은 도전성을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.
본 실시형태에서 현상 처리 후의 계조는, 특별히 한정되지 않고, 4.0 을 초과하는 것이 바람직하다. 현상 처리 후의 계조가 4.0 을 초과하면, 광 투과성부의 투광성을 높게 유지한 채로, 도전성 금속부의 도전성을 개선할 수 있다. 계조를 4.0 이상으로 하는 수단의 예들은, 전술한 로듐 이온과 이리듐 이온의 도핑을 포함한다.
도전 시트가 이상의 단계들을 거쳐 얻어지고, 이 얻어진 도전 시트의 표면 저항은 100 Ω/sq. 이하가 바람직하고, 0.1 내지 100 Ω/sq. 의 범위 내이면 바람직하고, 1 내지 10 Ω/sq. 의 범위 내이면 더욱 바람직하다. 표면 저항이 이러한 범위로 조정되는 경우, 위치 검출은 10 ㎝ × 10 ㎝ 면적을 가진 대형 터치 패널에서도 가능하다. 또한, 현상 처리 후의 도전 시트는, 추가로 캘린더 처리를 실시할 수도 있고, 표면 저항이 캘린더 처리에 의해 원하는 값으로 조정될 수 있다.
［물리 현상 및 도금 처리］
본 실시형태에서, 금속 은부에 도전성 금속 입자들을 담지시키기 위한 물리 현상 및/또는 도금 처리가, 노광 및 현상 처리에 의해 형성된 금속 은부의 도전성을 향상시킬 목적으로 수행될 수도 있다. 본 발명에서, 물리 현상 및 도금 처리 중 어느 하나만으로 금속 은부에 도전성 금속 입자들을 담지시킬 수도 있고, 물리 현상 및 도금 처리를 조합하여 금속 은부에 도전성 금속 입자들을 담지시킬 수도 있다. 또한, 물리 현상 및/또는 도금된 금속 은부가 "도전성 금속부" 로 칭해진다는 점을 유의한다.
［산화 처리］
본 실시형태에서, 현상 처리 후의 금속 은부와, 물리 현상 및/또는 도금 처리에 의해 형성된 도전성 금속부에, 산화 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 약간의 금속이 광 투과성부에 퇴적되는 경우, 산화 처리가 금속을 제거할 수 있고, 광 투과성부의 투과율을 거의 100 % 로 만들 수 있다.
［전극 패턴들］
본 실시형태의 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 의 금속 세선들의 선폭은, 30 ㎛ 이하에서 선택될 수 있다. 터치 패널의 재료로서의 용도에 대해, 금속 세선들 각각은 0.5 ㎛ 내지 30 ㎛ 의 선폭을 갖는다. 각 금속 세선의 선폭은 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 바람직하게는 15 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 9 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7 ㎛ 이하이며, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상이다.
선간격 (격자 피치) 은 250 ㎛ 내지 900 ㎛ 인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 300 ㎛ 이상 700 ㎛ 이하이다. 또한, 각 금속 세선은, 접지 접속의 목적 및 다른 목적들을 위해, 200 ㎛ 보다 넓은 부분을 가질 수도 있다.
본 실시형태의 전극 패턴에서, 가시광 투과율의 관점에서 개구율은 85 % 이상인 것이 바람직하고, 90 % 이상인 것이 더욱 바람직하고, 95 % 이상인 것이 가장 바람직하다. 개구율은, 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 각각의 금속 세선들을 제외한 투광성 부분이 전체에 차지하는 비율이다. 예를 들어, 선폭 15 ㎛, 피치 300 ㎛ 를 갖는 정방형 격자들 (224A 및 224B) 인 경우, 개구율은 90 % 이다.
［광 투과성부］
본 실시형태에서 "광 투과성부" 란, 각 제 1 도전 시트 (212A) 및 각 제 2 도전 시트 (212B) 중, 제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B) 이외의 투광성 부분을 의미한다. 상술한 바와 같이, 광 투과성부에 있어서의 투과율은, 제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214B) 의 광 흡수 및 반사에 대해 기여하는 것을 제외한 380 내지 780 nm 의 파장 영역에서의 투과율의 최소치로 나타나는 투과율의 관점에서, 90 % 이상, 바람직하게는 95 % 이상, 더욱 바람직하게는97 % 이상이며, 한층 더 바람직하게는 98 % 이상이며, 가장 바람직하게는 99 % 이상이다.
［제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B)］
본 실시형태에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 에서 제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214B) 각각의 막두께는 5 내지 350 ㎛ 인 것이 바람직하고, 30 내지 150 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 그 막두께가 5 내지 350 ㎛ 의 범위 내로 설정되면, 원하는 가시광의 투과율을 얻을 수 있고 또한, 취급도 용이하다.
각 제 1 투명 기판 (214A) 및 각 제 2 투명 기판 (214B) 상에 형성된 금속 은부의 두께가, 각 제 1 투명 기판 (214A) 및 각 제 2 투명 기판 (214B) 상에 도포된 은염 함유층용 도료의 도포 두께에 따라 적절히 결정될 수 있다. 금속 은부의 두께는, 0.001 ㎜ 내지 0.2 ㎜ 에서 선택될 수 있고, 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.01 내지 9 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.05 내지 5 ㎛ 인 것이 가장 바람직하다. 또한, 금속 은부가 패터닝되는 것이 바람직하다. 금속 은부가 1 층 구조를 가질 수도 있고, 2 층 이상의 다중층 구조를 가질 수도 있다. 금속 은부가 패터닝되며, 2 층 이상의 다중층 구조를 갖는 경우, 금속 은부가 상이한 파장에 대해 잘 반응할 수 있도록, 상이한 감광성 색들로 제공될 수 있다. 그 결과, 금속 은부가 상이한 파장들로 노광되면, 상이한 패턴들이 각 층들에 형성될 수 있다.
터치 패널의 용도로, 도전성 금속부의 더 작은 두께는, 표시 패널의 시야각이 더 넓어지기 때문에 보다 바람직하다. 또한, 시인성의 향상의 관점에서, 도전성 금속부의 박막화가 요구된다. 이와 같은 관점에서, 도전성 금속부에 담지된 도전성 금속으로 구성된 층의 두께는, 9 ㎛ 미만인 것이 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 5 ㎛ 미만인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 3 ㎛ 미만인 것이 더욱 바람직하다.
본 실시형태에서, 원하는 두께를 갖는 금속 은부가 은염 함유층의 도포 두께를 제어하여 형성될 수 있고, 도전성 금속 입자들로 구성된 층의 두께가, 물리 현상 및/또는 도금 처리에 의해 자유롭게 제어될 수 있다. 그러므로, 5 ㎛ 미만, 바람직하게는 3 ㎛ 미만의 두께를 갖는 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 각각은 용이하게 형성될 수 있다.
본 실시형태에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 와 제 2 도전 시트 (212B) 의 제조 방법이, 도금 단계 등을 반드시 포함할 필요는 없다. 본 실시형태에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 를 제조하는 방법이 은염 유제층의 도포된 은량 및 은/바인더 체적비를 조정하는 것으로 원하는 표면 저항을 얻을 수 있기 때문이다. 필요에 따라 캘린더 처리 등을 실시할 수도 있다는 점을 유의한다.
(현상 처리 후의 경막 처리)
은염 유제층에 대해 현상 처리를 실시한 후에, 경막제에 침지해 은염 유제층에 대한 경막 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 경막제의 예들은, 글루타르알데히드, 아디프알데히드, 및 2,3-디히드록시-1,4-디옥산 등의 디알데히드류; 및 붕산, 크롬 명반/칼륨 명반 등의 무기계 화합물 등을 포함하는데, 이는 일본 공개특허공보 평2－141279호에 기재되어 있다.
본 발명은, 하기 표 1 및 표 2 에 기재된 일본 공개특허공보 및 국제 공개 팜플렛에 개시된 기술들과 적절히 조합하여 사용될 수 있다. "일본 공개특허공보 번호" 및 "국제 공개의 팜플렛 번호, WO" 와 같은 표기들은 생략된다.
Figure pct00001
Figure pct00002
실시예
이하에, 본 발명은 본 발명의 실시예를 들어 한층 더 구체적으로 설명된다. 또한, 이하의 실시예들에 설명된 재료들, 사용량, 비율, 처리 내용들, 처리 순서들 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 적절히 변경될 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 다음의 구체예들에 의해 한정적으로 해석되지 않아야 한다.
＜수준 1＞
(할로겐화 은 감광 재료)
물 매체 중의 Ag 150 g 에 대해 젤라틴 10.0 g 을 함유하고, 구상당 직경 평균 0.1 ㎛ 의 요오드브롬염화물 은 입자들 (I = 0.2 몰%, Br = 40 몰%) 를 함유하는 유제를 조제했다.
또한, K3Rh2Br9 및 K2IrCl6 가 농도 10－7 (몰/몰 은) 로 유제에 첨가되고, 브롬화 은 입자들에 Rh 이온들과 Ir 이온들을 도프했다. 이 유제에 Na2PdCl4 를 첨가하고, 추가로 염화금산과 티오황산 나트륨을 이용해 금-황 증감을 실시했다. 그 후, 젤라틴 경막제와 함께, 은 도포량 10 g/㎡ 에서, 이 유제를 기판 (30) (여기서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET)) 상에 도포했다. 이 때, Ag/젤라틴 체적비는 2/1 로 설정했다.
폭 30 ㎝ 의 PET 지지체 상에서 폭 25 ㎝ 및 길이 20 m 로 도포를 실시했다. 도포의 중심부 (24 ㎝) 를 남기도록 PET 지지체의 양 단들 모두를 각 단에 대해 3 ㎝ 씩 잘라, 롤상의 할로겐화 은 감광 재료를 얻었다.
(노광)
제 1 전극 패턴 (10) 에 대한 노광 패턴을, 제 1 전극 패턴 (10) 이 제 1 도전 패턴들 (12) 과 서브 비도통 패턴들 (18) 을 형성하여, 도 5 에 도시된 빗 형상 구조를 갖도록 형성했다. 제 2 전극 패턴 (40) 에 대한 노광 패턴을, 제 2 전극 패턴 (40) 이 도 7 에 도시된 스트립 형상 구조를 갖도록 형성했다. 상술된 바와 같이, 이러한 패턴을 갖는 포토마스크들을 개재하여 고압 수은 램프인 광원으로부터 출사된 평행 광을 이용해 노광했다.
(현상 처리)
·현상액 1L 처방
하이드로퀴논 20 g
아황산 나트륨 50 g
탄산칼륨 40 g
에틸렌디아민·4아세트산 2 g
브롬화 칼륨 3 g
폴리에틸렌 글리콜 2000 1 g
수산화 칼륨 4 g
pH 10.3 으로 조정
·정착액 1L 처방
티오 황산 암모늄액 (75%) 300 ml
아황산 암모늄·1수염 25 g
1,3－디아미노프로판·4아세트산 8 g
아세트산 5 g
암모니아수 (27%) 1 g
pH 6.2 으로 조정
상기 처리액들을 이용해, 노광된 감광 물질을 후지 필름사에 의해 제조된 자동 현상기 F-710PTS 로, 처리 조건： 현상에 대해 35 ℃, 30 초로, 정착에 대해 34 ℃, 23초로, 및 수세에 대해 흐르는 물 (5 L/분) 로 20 초간 처리했다.
B (비도전 패턴의 면적) /［A (제 1 도전 패턴의 면적) ＋ B (비도전 패턴의 면적)］= 5 % 로 설정했다. 각 금속 세선의 폭을 5㎛ 로 설정하고, 격자들 (26 및 46) 각각의 한변의 길이를 250 ㎛ 로 설정했다.
(수준 2 내지 9)
수준 1 과 동일한 방법에 따라, B /(A ＋ B) 의 상이한 값들을 갖는 복수의 도전 시트들 1 을 제작했다. 표 3 은 각 수준의 값들을 보여준다.
(수준 10 내지 20)
수준 1 과 동일한 방법에 따라, X 형상 구조들을 각각 갖는 제 1 도전 패턴들 (12) 을 포함하는 제 1 전극 패턴 (10); 및 스트립 형상 구조를 각각 갖는 제 2 도전 패턴들 (42) 을 포함하는 제 2 전극 패턴 (40) 을 각각 포함하는 도전 시트들 (1) 로서, B /(A ＋ B) 의 상이한 값들을 갖는 복수의 도전 시트들 (1) 을 제작했다. 표 1 은 각 수준의 값들을 보여준다.
Figure pct00003
(평가)
수준 1 내지 20 에 대해, 손가락을 접촉했을 때, 그 접촉을 감지할 수 있는지 여부를 판단했다. 손가락의 접촉이 충분히 감지됐을 경우를 A 로 했다. 그 접촉이 거의 문제없는 경우를 B 로 했다. 그 접촉이 안정적으로 감지되지 않는 경우를 C 로 했다. 그 접촉이 거의 감지되지 않는 경우를 D 로 했다.
빗 형상 구조를 갖는 각각의 제 1 도전 패턴들과, X 형상 구조들을 갖는 각각의 제 1 도전 패턴들에 대해, 5 % ＜ B / (A ＋ B) ＜ 97 % 의 범위에서 양호한 결과들을 얻었고, 10 % ≤ B / (A ＋ B) ≤ 80 % 의 범위에서 더욱 바람직한 결과들을 얻었다.
표 4 에 나타내는 바와 같이, 수준 21 내지 25 에 빗 형상 구조를 갖는 각각의 제 1 도전 패턴들에 대해, 40 % ≤ B /(A ＋ B) ≤ 60 % 의 범위에서 더욱 바람직한 결과들을 얻었다. X 형상 구조들을 갖는 각각의 제 1 도전 패턴들에 대해, 30 % ≤ B2 /(A2 ＋ B2) ≤ 50 % 의 범위에서 더욱 바람직한 결과들을 얻었고, 20 % ≤ B2 /(A2 ＋ B2) ≤ 50 % 의 범위에서 가장 바람직한 결과들을 얻었다.
Figure pct00004
(평가)
수준 21 내지 25 에서 빗 형상 구조를 갖는 각각의 제 1 도전 패턴들에 대해, 50 % ≤ B / (A ＋ B) ≤ 60 % 의 범위에서, (1) 1.0 ㎜ ≤ Wa ≤ 5.0 ㎜ 및 (2) 1.5 ㎜ ≤ Wb ≤ 5.0 ㎜ 의 조합인 경우에 가장 바람직한 결과들을 얻었다.
다음으로, 수준 26 내지 33 에 따른 적층 도전 시트에 대해, 표면 저항 및 투과율을 측정해, 무아레 패턴들 및 시인성을 평가했다. 수준 26 내지 33 의 상세, 측정 결과들 및 평가 결과들을 표 5 에 나타낸다.
＜수준 26 내지 33＞
(할로겐화 은 감광 재료)
물 매체 중의 Ag 150 g 에 대해 젤라틴 10.0 g 을 함유하고, 구상당 직경 평균 0.1 ㎛ 의 요오드브롬염화물 은 입자들 (I = 0.2 몰%, Br = 40 몰%) 를 함유하는 유제를 조제했다.
또한, K3Rh2Br9 및 K2IrCl6 를 농도 10-7 (몰/몰 은) 로 유제에 첨가하고, 브롬화 은 입자들에 Rh 이온들과 Ir 이온들을 도프했다. 이 유제에 Na2PdCl4 를 첨가하고, 추가로 염화금산과 티오황산 나트륨을 이용해 금-황 증감을 실시했다. 그 후, 젤라틴 경막제와 함께, 은 도포량 10 g/㎡ 에서, 이 유제를 각각의 제 1 투명 기판 (214A) 및 제 2 투명 기판 (214A) (여기서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET)) 상에 도포했다. 이 때, Ag/젤라틴 체적비는 2/1 로 설정했다.
폭 30 ㎝ 의 PET 지지체 상에서 폭 25 ㎝ 및 길이 20 m 로 도포를 실시했다. 도포의 중심부 (24 ㎝) 를 남기도록 PET 지지체의 양 단들 모두를 각 단에 대해 3 ㎝ 씩 잘라, 롤상의 할로겐화 은 감광 재료를 얻었다.
(노광)
제 1 도전 시트 (212A) 에 대한 노광 패턴은 도 34 및 도 36 에 나타낸 패턴이고, A4 크기 (210 ㎜ × 297 ㎜) 를 갖는 제 1 투명 기판 (214A) 상에 형성되었다. 제 2 도전 시트 (212B) 에 대한 노광 패턴은 도 34 및 도 37 에 나타낸 패턴이고, A4 크기 (210 ㎜ × 297 ㎜) 를 갖는 제 2 투명 기판 (214B) 상에 형성되었다. 상술된 바와 같이 이러한 패턴들을 갖는 포토마스크들을 개재하여 고압 수은 램프인 광원으로부터 출사된 평행 광을 이용해 노광했다.
(현상 처리)
·현상액 1L 처방
하이드로퀴논 20 g
아황산 나트륨 50 g
탄산 칼륨 40 g
에틸렌디아민·4아세트산 2 g
브롬화 칼륨 3 g
폴리에틸렌 글리콜 2000 1 g
수산화 칼륨 4 g
pH 10.3 으로 조정
·정착액 1L 처방
티오 황산 암모늄액 (75%) 300 ml
아황산 암모늄·1수염 25 g
1,3－디아미노프로판·4아세트산 8 g
아세트산 5 g
암모니아수 (27%) 1 g
pH 6.2 로 조정
상기 처리액들을 이용해, 노광된 감광 물질을 후지 필름사에 의해 제조된 자동 현상기 F-710PTS 로, 처리 조건： 현상에 대해 35 ℃, 30 초로, 정착에 대해 34 ℃, 23 초로, 및 수세에 대해 흐르는 물 (5 L/분) 로 20 초간 처리했다.
(수준 26)
제작한 제 1 도전 시트 (212A) 및 제작한 제 2 도전 시트 (212B) 의 도전부들 (제 1 전극 패턴 (216A) 및 제 2 전극 패턴 (216B)) 각각의 선폭은 1 ㎛ 로 설정되고, 격자들 (224A 및 224B) 각각의 한변의 길이는 50 ㎛ 로 설정되었다.
(수준 27)
각 도전부의 선폭을 3 ㎛ 로 설정하고, 격자들 (2224A 및 224B) 각각의 한변의 길이를 100 ㎛ 로 설정한 점 이외는, 수준 21 과 마찬가지로 방식으로, 수준 22 에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 를 제작했다.
(수준 28)
각 도전부의 선폭을 3 ㎛ 로 설정하고, 격자들 (224A 및 224B) 각각의 한변의 길이를 150 ㎛ 로 설정한 점 이외는, 수준 21 과 마찬가지로 방식으로, 수준 23 에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 를 제작했다.
(수준 29)
각 도전부의 선폭을 5 ㎛ 로 설정하고, 격자들 (224A 및 224B) 각각의 한변의 길이를 210 ㎛ 로 설정한 점 이외는, 수준 21 과 마찬가지로 방식으로, 수준 24 에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 를 제작했다.
(수준 30)
각 도전부의 선폭을 8 ㎛ 로 설정하고, 격자들 (224A 및 224B) 각각의 한변의 길이를 250 ㎛ 로 설정한 점 이외는, 수준 21 과 마찬가지로 방식으로, 수준 25 에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 를 제작했다.
(수준 31)
각 도전부의 선폭을 9 ㎛ 로 설정하고, 격자들 (224A 및 224B) 각각의 한변의 길이를 300 ㎛ 로 설정한 점 이외는, 수준 21 과 마찬가지로 방식으로, 수준 26 에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 를 제작했다.
(수준 32)
각 도전부의 선폭을 10 ㎛ 로 설정하고, 격자들 (224A 및 224B) 각각의 한변의 길이를 300 ㎛ 로 설정한 점 이외는, 수준 21 과 마찬가지로 방식으로, 수준 27 에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 를 제작했다.
(수준 33)
각 도전부의 선폭을 15 ㎛ 로 설정하고, 격자들 (224A 및 224B) 각각의 한변의 길이를 400 ㎛ 로 설정한 점 이외는, 수준 21 과 마찬가지로 방식으로, 수준 28 에 따른 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 를 제작했다.
(표면 저항 측정)
검출 정밀도가 충분한지의 여부를 확인하기 위해서, 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 각각의 표면 저항을 다이아 인스트루먼트사에 의해 제조된 로레스타 GP (모델 번호 MCP－T610), 4 탐침 프로브 어레이 (ASP) 를 이용하여 임의의 10 개소에서 측정된 값들의 평균치로서 구했다.
(투과율의 측정)
투명성이 충분한지의 여부를 확인하기 위해서, 제 1 도전 시트 (212A) 및 제 2 도전 시트 (212B) 각각의 투과율을, 분광 광도계를 이용해 측정했다.
(무아레 패턴 평가)
수준 26 내지 33 의 각각에서, 제 2 도전 시트 (212B) 상에 제 1 도전 시트 (212A) 를 적층해 적층 도전 시트를 제작했다. 그 후, 액정 표시 장치의 표시 화면에 적층 도전 시트를 부착해 터치 패널을 제조했다. 그 후, 터치 패널을 회전반 상에 설치하고, 액정 표시 장치를 구동해 백색을 표시시킨다. 그 상태에서, 회전반을 바이어스 각 ―45°내지 ＋45°의 사이로 회전시키고, 무아레 패턴들을 시각적으로 관찰 및 평가했다.
무아레 패턴들은, 액정 표시 장치의 표시 화면으로부터 관찰 거리 1.5 m 로 평가되었다. 무아레 패턴들이 명백하게 보이지 않았을 경우를 A 로 했다. 무아레 패턴들이 문제가 없는 레벨로 아주 조금 보인 경우를 B 로 했다. 무아레 패턴들이 명백하게 보였을 경우를 C 로 했다.
(시인성 평가)
상기 서술한 무아레 패턴의 평가에 앞서, 터치 패널을 회전반에 설치하고, 액정 표시 장치를 구동해 백색을 표시시켰을 때에, 두꺼운 라인들과, 검은 점들이 있는지 여부 및 제 1 도전 시트 (212A) 와 제 2 도전 시트 (212B) 의 단선부들이 눈에 띄는지 여부를 육안으로 확인했다.
Figure pct00005
이에 대하여, 수준 26 내지 33 중, 수준 26 내지 32 는, 도전성, 투과율, 무아레 패턴들, 및 시인성 모두가 양호했다. 수준 33 은 무아레 패턴의 평가 및 시인성의 평가에서 수준 26 내지 32 보다 뒤떨어지고 있지만, 수준 33 에서 무아레 패턴들은 문제가 없는 레벨로 경미하게 보여졌고, 표시 장치에 표시된 화상의 관찰을 저해하지 않았다.
또한, 수준 26 내지 33 각각에 따른 적층 도전 시트를 이용해, 투영형 정전 용량식의 터치 패널을 제작했다. 투영형 정전 용량식 터치 패널을 손가락으로 접촉해 조작했는데, 응답 속도가 빠르고, 검출 감도가 뛰어난 것을 알 수 있었다. 또한, 투영형 정전 용량식 터치 패널을 2 점 이상을 접촉해 조작했는데, 동일하게 양호한 결과를 얻을 수 있어, 멀티 터치에도 대응할 수 있는 것을 확인했다.
본 발명에 따른 터치 패널용 도전 시트 및 터치 패널은, 상기 서술한 실시형태에 한정하지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하는 일 없이, 여러 가지의 구성들을 가질 수 있는 것은 물론이다.
1…도전 시트,
10…제 1 전극 패턴,
12…제 1 도전 패턴,
14…제 1 전극 단자,
16…제 1 배선,
18…서브 비도통 패턴,
20…단자,
22…제 1 도전 패턴 열,
24…추가적인 제 1 전극 단자,
26…격자,
40…제 2 전극 패턴,
42…제 2 도전 패턴,
44…제 2 전극 단자,
46…제 2 배선,
50…단자,
54…추가적인 제 2 전극 단자,
56…격자,
70…조합 패턴,
76…소격자
210…터치 패널용 도전 시트,
212A…제 1 도전 시트,
212B…제 2 도전 시트,
214A…제 1 투명 기판,
214B…제 2 투명 기판,
216A…제 1 전극 패턴,
216B…제 2 전극 패턴,
218A…제 1 도전 패턴,
218B…제 2 도전 패턴,
220A…제 1 비도전 패턴,
220B…제 2 비도전 패턴,
222A…단선부,
222B…단선부,
224A…격자,
224B…격자,
270…조합 패턴,
276…소격자

Claims (24)

  1. 제 1 주면과 제 2 주면을 갖는 기판, 및
    상기 기판의 상기 제 1 주면 상에 배치되는 제 1 전극 패턴을 구비하고,
    상기 제 1 전극 패턴은, 금속 세선들로 구성되며, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 도전 패턴들과, 상기 복수의 제 1 도전 패턴들로부터 전기적으로 분리된 복수의 제 1 비도전 패턴들을 교대로 포함하고,
    상기 제 1 도전 패턴들 각각은, 적어도 그 내부에, 상기 제 1 도전 패턴으로부터 전기적으로 분리된 서브 비도통 (sub-nonconduction) 패턴을 포함하고,
    상기 제 1 도전 패턴 각각의 면적 A 와 상기 서브 비도통 패턴 각각의 면적 B 가 하기 식을 만족하는, 도전 시트.
    5 % ＜ B / (A ＋ B) ＜ 97 %
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴 각각의 면적 A 와 상기 서브 비도통 패턴 각각의 면적 B 가 하기 식을 만족하는, 도전 시트.
    10 % ≤ B / (A ＋ B) ≤ 80 %
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴 각각의 면적 A 와 상기 서브 비도통 패턴 각각의 면적 B 가 하기 식을 만족하는, 도전 시트.
    10 % ≤ B / (A ＋ B) ≤ 60 %
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브 비도통 패턴은 상기 제 1 방향으로 연장하는 슬릿상 형상을 갖고,
    상기 각 제 1 도전 패턴은 각 서브 비도통 패턴에 의해 분할되는 복수의 제 1 도전 패턴 열들을 포함하고,
    상기 제 1 도전 패턴 각각의 면적 A1 과 상기 서브 비도통 패턴 각각의 면적 B1 이 하기 식을 만족하는, 도전 시트.
    40 % ≤ B1 / (A1 + B1) ≤ 60 %
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴 열들의 폭들의 총 폭 Wa 와, 상기 서브 비도통 패턴들의 폭들의 총 폭과 상기 제 1 비도전 패턴의 폭과의 총 폭 Wb 가 하기 식들 (1) 및 (2) 의 관계를 만족하는, 도전 시트.
    (1) 1.0 ㎜ ≤ Wa ≤ 5.0 ㎜
    (2) 1.5 ㎜ ≤ Wb ≤ 5.0 ㎜
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴은, 순환 교차부들을 갖는 X 형상 구조들을 갖고,
    상기 제 1 도전 패턴의 면적 A2 와 상기 서브 비도통 패턴의 면적 B2 가 하기 식을 만족하는, 도전 시트.
    20 % ≤ B2 / (A2 + B2) ≤ 50 %
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴은, 순환 교차부들을 갖는 X 형상 구조들을 갖고,
    상기 제 1 도전 패턴의 면적 A2 와 서브 비도통 패턴의 면적 B2 가 하기 식 (1) 의 관계를 만족하는, 도전 시트.
    30 % ≤ B2 / (A2 + B2) ≤ 50 %
    30 % ≤ B2 / (A2 + B2) ≤ 50 %
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 제 2 주면 상에 배치되는 제 2 전극 패턴을 더 구비하고,
    상기 제 2 전극 패턴은, 금속 세선들로 구성되고, 또한, 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 도전 패턴들을 포함하는, 도전 시트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 도전 패턴들이 균일한 형상들을 갖는 격자들로 형성되고,
    상기 격자들 각각은 250 ㎛ 이상 900 ㎛ 이하인 길이를 갖는 한변을 갖는, 도전 시트.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 패턴을 형성하는 각각의 상기 금속 세선들 및/또는 상기 제 2 전극 패턴을 형성하는 각각의 상기 금속 세선들은, 30 ㎛ 이하의 선폭을 갖는, 도전 시트.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴 열의 폭과 상기 서브 비도통 패턴의 폭은 실질적으로 동등한, 도전 시트.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴 열의 폭은 상기 서브 비도통 패턴의 폭보다 더 작은, 도전 시트.
  13. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴 열의 폭은 상기 서브 비도통 패턴의 폭보다 더 넓은, 도전 시트.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 패턴은 복수의 상기 제 1 도전 패턴 열들을 서로 전기적으로 접속하는 연결부를 포함하는, 도전 시트.
  15. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴 열들의 갯수가 10 개 이하인, 도전 시트.
  16. 제 6 항에 있어서,
    상기 서브 비도통 패턴은 복수의 변들로 둘러싸여 있고,
    상기 변들은 상기 제 1 도전 패턴을 형성하는 복수의 격자들을, 상기 격자들의 변들이 서로 접속된 상태로 선형적으로 배열하여 형성되는, 도전 시트.
  17. 제 6 항에 있어서,
    상기 서브 비도통 패턴은 복수의 변으로 둘러싸여 있고,
    상기 변들은 상기 제 1 도전 패턴을 형성하는 복수의 격자들을, 상기 격자들의 변들이 서로 접속된 상태로, 다중 단들 (stages) 로, 선형적으로 배열하여 형성되는, 도전 시트.
  18. 제 6 에 있어서,
    상기 서브 비도통 패턴은 복수의 변들로 둘러싸여 있고,
    상기 변들 중 몇몇은, 상기 제 1 도전 패턴을 형성하는 복수의 격자들을, 상기 격자들의 변들이 서로 접속된 상태로 선형적으로 배열하여 형성되고,
    상기 변들 중 나머지 변들은 상기 복수의 격자들을, 상기 격자들의 꼭지각들이 서로 접속된 상태로 선형적으로 배열하여 형성되는, 도전 시트.
  19. 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 격자들로 형성되는 상기 변들에 의해 정의되는 복수의 상기 서브 비도통 패턴들은, 상기 격자들의 꼭지각들이 서로 접속된 상태로 상기 제 1 방향을 따라 배열되는, 도전 시트.
  20. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 방향을 따른 인접하는 상기 서브 비도통 패턴들은, 서로 상이한 형상들을 갖는, 도전 시트.
  21. 제 16 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브 비도통 패턴을 정의하는 상기 변들을 형성하는 상기 복수의 격자들 각각은, 금속 세선으로 구성되는 돌출 배선을 추가로 포함하는, 도전 시트.
  22. 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 도전 패턴은, 상기 서브 비도통 패턴을 소정 간격으로 포함하여, 상기 격자들이 순환 교차부들에 존재하지 않는 X 형상 구조들을 갖는, 도전 시트.
  23. 제 16 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 방향을 따른 인접하는 상기 서브 비도통 패턴들은, 제 1 도전 패턴에서 서로 동일한 형상을 가지고,
    상기 서브 비도통 패턴들은 인접하는 상기 제 1 도전 패턴들 사이에서 상이한 형상들을 갖는, 도전 시트.
  24. 제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 시트를 구비하는, 터치 패널.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016108531A1 (ko) * 2014-12-30 2016-07-07 엘지이노텍 주식회사 터치 패널
KR20200017998A (ko) * 2018-08-10 2020-02-19 일진디스플레이(주) 초박형 터치 패널의 적층 구조 및 그 제조 방법

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10299377B2 (en) 2011-12-22 2019-05-21 Fujifilm Corporation Conductive sheet and touch panel
JP2013149232A (ja) 2011-12-22 2013-08-01 Fujifilm Corp 導電シート及びタッチパネル
CN104160368B (zh) * 2012-03-06 2017-03-08 三菱电机株式会社 触摸屏、触摸面板、显示装置以及电子仪器
CN104520789B (zh) * 2012-07-31 2017-04-26 夏普株式会社 触摸面板基板和显示装置
US9268446B2 (en) * 2013-02-06 2016-02-23 Nanchang O-Film Tech. Co., Ltd. Monitor, touchscreen sensing module thereof, and method for manufacturing the touchscreen sensing module
KR102108846B1 (ko) * 2013-07-16 2020-05-11 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우
KR102053258B1 (ko) * 2013-07-16 2019-12-06 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우
WO2015045603A1 (ja) * 2013-09-25 2015-04-02 シャープ株式会社 導電シート、タッチパネル装置、表示装置、および、導電シート製造方法
JP6338138B2 (ja) * 2013-12-03 2018-06-06 大日本印刷株式会社 タッチパネル用電極基材、タッチパネル装置およびタッチパネル用電極基材の製造方法
KR101849149B1 (ko) * 2014-01-16 2018-04-16 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 광투과성 도전재료
KR102187680B1 (ko) * 2014-02-13 2020-12-07 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우
KR101527321B1 (ko) * 2014-02-26 2015-06-09 하이디스 테크놀로지 주식회사 터치 패널
CN104951116B (zh) * 2014-03-31 2018-08-31 宸盛光电有限公司 触控装置及其制造方法
CN108287637B (zh) * 2014-05-16 2021-12-14 群创光电股份有限公司 触控显示面板
KR102286730B1 (ko) * 2014-06-13 2021-08-09 미래나노텍(주) 비정형 센서 패턴을 구비한 터치 센서 및 이를 이용한 터치스크린 패널
CN106537303A (zh) * 2014-07-11 2017-03-22 Lg伊诺特有限公司 触摸窗
WO2016009829A1 (ja) * 2014-07-16 2016-01-21 富士フイルム株式会社 タッチパネルセンサー用導電性フィルム、タッチパネルセンサー、タッチパネル
KR102175973B1 (ko) * 2014-07-30 2020-11-09 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우
US9720551B2 (en) * 2014-07-30 2017-08-01 Lg Innotek Co., Ltd. Touch window
CN106489122B (zh) * 2014-07-31 2019-12-10 富士胶片株式会社 触控面板传感器用导电性层积体和其制造方法、触控面板传感器、触控面板
US9927939B2 (en) 2014-08-13 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Touch panel and display apparatus including the same
JP6418910B2 (ja) 2014-11-14 2018-11-07 三菱電機株式会社 タッチスクリーン、タッチパネル及び表示装置
WO2016080046A1 (ja) * 2014-11-21 2016-05-26 富士フイルム株式会社 導電性フィルム、及びこれを備えるタッチパネルセンサ
CN110794993B (zh) * 2015-02-16 2023-04-07 群创光电股份有限公司 触控面板及应用其的触控显示装置
JP2016206754A (ja) * 2015-04-16 2016-12-08 凸版印刷株式会社 タッチセンサ用電極、タッチパネル、および、表示装置
JP6377007B2 (ja) 2015-04-20 2018-08-22 富士フイルム株式会社 導電性フィルム、配線、およびタッチパネルセンサ
JP6421075B2 (ja) * 2015-05-11 2018-11-07 富士フイルム株式会社 現像装置、現像方法、パターン形成装置およびパターン形成方法
JP6421077B2 (ja) 2015-05-19 2018-11-07 富士フイルム株式会社 アンテナの製造方法およびタッチセンサ
JP6348874B2 (ja) 2015-05-19 2018-06-27 富士フイルム株式会社 タッチセンサパネル
CN107710128B (zh) * 2015-06-29 2021-01-08 三菱制纸株式会社 透光性导电材料
JP6694247B2 (ja) * 2015-07-09 2020-05-13 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置
GB2540560A (en) * 2015-07-21 2017-01-25 Peter Binstead Ronald Touch sensor
US10642426B2 (en) * 2015-12-23 2020-05-05 Lg Chem, Ltd. Touch screen sensor
WO2017111039A1 (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社フジクラ 配線基板の製造方法及び配線基板
EP3396500A4 (en) * 2015-12-25 2019-05-08 Fujikura Ltd. WIRING BODY, WIRING SUBSTRATE, AND TOUCH SENSOR
CN105589602B (zh) * 2016-02-02 2018-06-22 上海中航光电子有限公司 显示面板以及显示装置
JP2017162262A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 三菱製紙株式会社 光透過性導電材料積層体
JP6755000B2 (ja) * 2016-03-28 2020-09-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 タッチパネルセンサー用部材及びタッチパネル
JP6605383B2 (ja) * 2016-04-01 2019-11-13 株式会社Ｖｔｓタッチセンサー タッチセンサ用電極、タッチパネル、および、表示装置
CN106020532A (zh) * 2016-05-11 2016-10-12 业成光电（深圳）有限公司 触控面板及触控显示屏
JP6747084B2 (ja) * 2016-06-20 2020-08-26 大日本印刷株式会社 導電性パターン基板およびタッチ位置検出機能付き表示装置
CN105975141B (zh) * 2016-06-28 2019-03-29 业成光电（深圳）有限公司 触控面板及触控显示屏
US20190327829A1 (en) * 2016-07-12 2019-10-24 Fujikura Ltd. Stretchable board
US20180024667A1 (en) * 2016-07-22 2018-01-25 Tactual Labs Co. Hover-sensitive touchpad
KR101904969B1 (ko) 2016-07-29 2018-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN108062187A (zh) * 2016-11-07 2018-05-22 京东方科技集团股份有限公司 触控结构及其制作方法和触控装置
JP6740095B2 (ja) * 2016-11-16 2020-08-12 株式会社Ｖｔｓタッチセンサー タッチセンサ用電極、タッチパネル、および、表示装置
CN106775066B (zh) * 2016-11-29 2024-04-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 触摸屏及其制作方法、触控显示装置
JPWO2018123974A1 (ja) * 2016-12-28 2019-06-27 株式会社フジクラ 配線体、配線基板、及びタッチセンサ
WO2019021572A1 (ja) * 2017-07-27 2019-01-31 株式会社ワコム 位置検出センサ、位置検出装置および情報処理システム
CN110998496B (zh) * 2017-08-31 2023-11-21 富士胶片株式会社 触摸面板用导电部件及触摸面板
CN107765914B (zh) * 2017-10-11 2020-10-16 业成科技（成都）有限公司 触控面板结构
JP6932613B2 (ja) * 2017-10-30 2021-09-08 株式会社Ｖｔｓタッチセンサー タッチパネル及びそれを備えた表示装置
US11221716B2 (en) * 2017-11-09 2022-01-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Touch substrate and touch display apparatus with touch electrodes having zigzag boundaries
CN111279299B (zh) 2017-11-13 2023-12-01 富士胶片株式会社 导电部件及触摸面板
KR102411682B1 (ko) * 2017-11-16 2022-06-21 엘지디스플레이 주식회사 터치표시장치 및 패널
CN111373847A (zh) 2017-11-29 2020-07-03 大日本印刷株式会社 布线基板及布线基板的制造方法
CN109976566B (zh) * 2018-03-23 2021-05-18 京东方科技集团股份有限公司 触控结构、触控基板及其制作方法、显示装置
JP6658800B2 (ja) * 2018-06-12 2020-03-04 コニカミノルタ株式会社 機能性細線パターン、透明導電膜付き基材、デバイス及び電子機器
CN108874228B (zh) * 2018-07-03 2022-02-01 京东方科技集团股份有限公司 触控器件、触控显示基板及显示装置
KR102607494B1 (ko) * 2018-07-06 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시장치
CN110010668B (zh) * 2019-04-09 2021-07-27 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
TWI717984B (zh) * 2020-01-30 2021-02-01 友達光電股份有限公司 觸控基板
CN111522468B (zh) 2020-04-28 2021-11-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示装置
KR20210147150A (ko) 2020-05-27 2021-12-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
US11327619B2 (en) * 2020-09-22 2022-05-10 Elo Touch Solutions, Inc. Touchscreen device with non-orthogonal electrodes
CN112162657B (zh) * 2020-10-12 2024-04-12 昆山龙腾光电股份有限公司 触控面板和触控装置
US11620026B2 (en) * 2020-11-06 2023-04-04 Au Optronics Corporation Touch apparatus
KR20230108771A (ko) 2022-01-10 2023-07-19 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05224818A (ja) 1992-02-10 1993-09-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd タッチパネル装置
WO1995027334A1 (en) 1994-04-05 1995-10-12 Ronald Peter Binstead Multiple input proximity detector and touchpad system
WO1997018508A1 (en) 1995-11-13 1997-05-22 Synaptics, Inc. Pressure sensitive scrollbar feature
JP2003099185A (ja) 2001-09-20 2003-04-04 Alps Electric Co Ltd 入力装置
US20040229028A1 (en) 2002-12-27 2004-11-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing light-transmitting electromagnetic wave-shielding film, light-transmitting electromagnetic wave-shielding film and plasma display panel using the shielding film
US20040239650A1 (en) 2003-06-02 2004-12-02 Mackey Bob Lee Sensor patterns for a capacitive sensing apparatus
WO2006001461A1 (ja) 2004-06-23 2006-01-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. 透光性電磁波シールド膜およびその製造方法
US7202859B1 (en) 2002-08-09 2007-04-10 Synaptics, Inc. Capacitive sensing pattern
JP2010039537A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Gunze Ltd タッチパネル
JP2010061502A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Mitsubishi Electric Corp タッチスクリーン、タッチパネル及び表示装置
JP2010277392A (ja) 2009-05-29 2010-12-09 Mitsubishi Electric Corp タッチパネルおよびそれを備えた表示装置
KR20110051208A (ko) * 2008-07-31 2011-05-17 군제 가부시키가이샤 평면체 및 터치 스위치

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5224818A (en) 1975-08-22 1977-02-24 Kubota Ltd Rice transplanting machine
JP2933936B2 (ja) 1988-11-22 1999-08-16 富士写真フイルム株式会社 多色感熱記録材料
US6587160B2 (en) * 1997-10-14 2003-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays
JP3866579B2 (ja) 2002-01-25 2007-01-10 富士フイルムホールディングス株式会社 薄層金属膜
JP2004085655A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Asahi Kasei Aimii Kk 耐汚染性の含水ソフトコンタクトレンズ
JP4084645B2 (ja) 2002-12-03 2008-04-30 富士フイルム株式会社 熱現像感光材料
JP2004244080A (ja) 2003-02-17 2004-09-02 Maruha Corp 冷凍ころも付きえび用収納トレー
JP4322549B2 (ja) 2003-05-12 2009-09-02 富士フイルム株式会社 熱現像感光材料
JP2005010752A (ja) 2003-05-22 2005-01-13 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料及び画像形成方法
JP4684632B2 (ja) 2003-11-27 2011-05-18 富士フイルム株式会社 金属パターン形成方法、金属パターン及びプリント配線板
JP4420776B2 (ja) 2004-08-23 2010-02-24 富士フイルム株式会社 グラフトポリマーパターン形成方法、グラフトポリマーパターン材料、導電性パターン材料の製造方法、及び導電性パターン材料
JP4348256B2 (ja) 2004-08-26 2009-10-21 富士フイルム株式会社 導電性パターン材料の製造方法
TWI306668B (en) 2006-08-16 2009-02-21 Au Optronics Corp Display panel and method of manufacturing the same
JP2008290354A (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Panasonic Corp 導電シート及びその製造方法
TW200931633A (en) * 2008-01-03 2009-07-16 Yuan Lin Structure of LED substrate
JP2011517367A (ja) * 2008-02-28 2011-06-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 基材上に導電体をパターン化する方法
CN102016766B (zh) * 2008-02-28 2014-05-14 3M创新有限公司 具有低可见度导体的触屏传感器
US8284332B2 (en) 2008-08-01 2012-10-09 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor with low visibility conductors
EP3614418B1 (en) * 2008-02-28 2023-11-01 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
JP5430921B2 (ja) * 2008-05-16 2014-03-05 富士フイルム株式会社 導電性フイルム及び透明発熱体
DE102008032385B4 (de) * 2008-07-09 2018-03-29 Audi Ag Hochdruckeinspritzanordnung für eine direkteinspritzende Brennkraftmaschine
US8269744B2 (en) * 2008-09-05 2012-09-18 Mitsubishi Electric Corporation Touch screen, touch panel and display device
US9244568B2 (en) * 2008-11-15 2016-01-26 Atmel Corporation Touch screen sensor
KR100921709B1 (ko) * 2009-02-23 2009-10-15 (주)이엔에이치 정전용량 방식의 터치스크린 패널
WO2010117882A2 (en) * 2009-04-10 2010-10-14 Apple Inc. Improved touch sensor panel design
JP5366051B2 (ja) * 2009-04-20 2013-12-11 株式会社ジャパンディスプレイ 情報入力装置、表示装置
JP5287512B2 (ja) * 2009-05-29 2013-09-11 ブラザー工業株式会社 周辺装置、プログラム、及び、ネットワークシステム
CN101937278B (zh) * 2009-06-30 2012-10-03 宏达国际电子股份有限公司 非对称导电图案的触控面板及其相关装置与方法
US20110007011A1 (en) * 2009-07-13 2011-01-13 Ocular Lcd Inc. Capacitive touch screen with a mesh electrode
CN101996007A (zh) * 2009-08-18 2011-03-30 深圳欧菲光科技股份有限公司 电容式触摸屏导电线路布线方法
WO2011033907A1 (ja) * 2009-09-15 2011-03-24 シャープ株式会社 タッチパネルおよびこれを備えた表示装置
JP4820451B2 (ja) 2009-11-20 2011-11-24 富士フイルム株式会社 導電シート、導電シートの使用方法及びタッチパネル
JP2012014669A (ja) * 2009-11-20 2012-01-19 Fujifilm Corp 導電シート、導電シートの使用方法及び静電容量方式タッチパネル
JP2011113149A (ja) 2009-11-24 2011-06-09 Fujifilm Corp 導電シート、導電シートの使用方法及び静電容量方式タッチパネル
KR101660564B1 (ko) 2009-11-24 2016-09-27 후지필름 가부시키가이샤 도전 시트, 도전 시트의 사용 방법 및 정전용량 방식 터치 패널
KR20120117762A (ko) * 2009-11-27 2012-10-24 도판 인사츠 가부시키가이샤 투명 도전성 적층체 및 그의 제조 방법 및 정전 용량식 터치 패널
JP5123370B2 (ja) 2010-01-28 2013-01-23 富士フイルム株式会社 導電シート、導電シートの使用方法及び静電容量方式タッチパネル
JP5248653B2 (ja) * 2010-05-27 2013-07-31 富士フイルム株式会社 導電シート及び静電容量方式タッチパネル
JP2012004042A (ja) 2010-06-18 2012-01-05 Fujifilm Corp 透明導電性フイルム及び透明導電性フイルムの製造方法
JP2012182678A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Jvc Kenwood Corp 立体映像処理装置および立体映像処理方法
JP5670827B2 (ja) * 2011-05-13 2015-02-18 富士フイルム株式会社 導電シート及びタッチパネル
JP2013149232A (ja) 2011-12-22 2013-08-01 Fujifilm Corp 導電シート及びタッチパネル

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05224818A (ja) 1992-02-10 1993-09-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd タッチパネル装置
WO1995027334A1 (en) 1994-04-05 1995-10-12 Ronald Peter Binstead Multiple input proximity detector and touchpad system
WO1997018508A1 (en) 1995-11-13 1997-05-22 Synaptics, Inc. Pressure sensitive scrollbar feature
JP2003099185A (ja) 2001-09-20 2003-04-04 Alps Electric Co Ltd 入力装置
US7202859B1 (en) 2002-08-09 2007-04-10 Synaptics, Inc. Capacitive sensing pattern
US20040229028A1 (en) 2002-12-27 2004-11-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing light-transmitting electromagnetic wave-shielding film, light-transmitting electromagnetic wave-shielding film and plasma display panel using the shielding film
US20040239650A1 (en) 2003-06-02 2004-12-02 Mackey Bob Lee Sensor patterns for a capacitive sensing apparatus
WO2006001461A1 (ja) 2004-06-23 2006-01-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. 透光性電磁波シールド膜およびその製造方法
JP2010039537A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Gunze Ltd タッチパネル
KR20110051208A (ko) * 2008-07-31 2011-05-17 군제 가부시키가이샤 평면체 및 터치 스위치
JP2010061502A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Mitsubishi Electric Corp タッチスクリーン、タッチパネル及び表示装置
JP2010277392A (ja) 2009-05-29 2010-12-09 Mitsubishi Electric Corp タッチパネルおよびそれを備えた表示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016108531A1 (ko) * 2014-12-30 2016-07-07 엘지이노텍 주식회사 터치 패널
US10228580B2 (en) 2014-12-30 2019-03-12 Lg Innotek Co., Ltd. Touch panel
KR20200017998A (ko) * 2018-08-10 2020-02-19 일진디스플레이(주) 초박형 터치 패널의 적층 구조 및 그 제조 방법

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Publication number Publication date
CN107092408A (zh) 2017-08-25
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BR112014015319A2 (pt) 2017-06-13
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