KR20110139771A - 전자 사진 감광체의 제조 방법 - Google Patents

전자 사진 감광체의 제조 방법 Download PDF

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아끼라 시마다
마사따까 가와하라
하루노부 오오가끼
아쯔시 오오찌
아끼오 마루야마
교오이찌 데라모또
도시히로 기꾸찌
아끼오 고가네이
다까유끼 스미다
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 클리닝성의 향상을 목적으로 한 전자 사진 감광체의 표면 형상을 최적화시킬 수 있는 전자 사진 감광체의 제조 방법을 제공한다. 이러한 방법은 원통 형상 지지체 상에 적어도 전하 수송층을 갖는 전자 사진 감광체의 표면과, 미세한 요철 형상을 갖는 몰드를 서로 가압 접촉시킴으로써, 상기 미세한 요철 형상을 상기 전자 사진 감광체의 표면에 전사한다. 상기 전하 수송층의 유리 전이 온도를 T1(℃), 상기 몰드의 온도를 T2(℃), 상기 지지체의 온도를 T3(℃)라 했을 때, T3 < T1 < T2이 되도록 상기 몰드 및 상기 지지체의 온도를 제어한다.

Description

전자 사진 감광체의 제조 방법 {METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR}
본 발명은 전자 사진 감광체의 제조 방법에 관한 것이고, 보다 구체적으로는, 우수한 클리닝 성능의 전자 사진 감광체를 얻기 위한 전자 사진 감광체의 표면형상 제어 방법에 관한 것이다.
전자 사진 감광체로서는, 저가격 및 고생산성의 이점으로부터, 유기 전자 사진 감광체가 보급되어 있으며, 이 유기 전자 사진 감광체는 광도전성 물질(전하 발생 물질 및 전하 수송 물질)로서 유기 재료를 이용한 감광층(유기 감광층)이 지지체 상에 제공되며 지지체를 가지는 전자 사진 감광체이다. 유기 전자 사진 감광체로서는, 고감도 및 재료 설계의 다양성의 이점으로부터, 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층과, 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층을 적층하여 이루어지는 적층형 감광층을 갖는 전자 사진 감광체가 주류를 이루고 있다. 또한, 전하 발생 물질로서는, 광도전성 염료나 광도전성 안료를 포함할 수 있다. 전하 수송 물질로서는, 광도전성 폴리머나 광도전성 저분자 화합물을 포함할 수 있다.
전자 사진 감광체는, 화상 형성 프로세스에 있어서, 대전, 노광, 현상, 전사, 클리닝 및 제전의 반복 사이클 하에서 이용될 수 있다. 특히 전사 공정 후의 전자 사진 감광체 상의 잔존 토너를 제거하는 클리닝 공정은, 선명한 화상을 얻기 위한 중요한 공정이다. 이 클리닝의 방법으로서는, 고무 형상의 클리닝 블레이드를 전자 사진 감광체에 압접 하고, 토너를 긁어내는 방법이 일반적이다.
그러나, 우수한 클리닝성을 보이는 클리닝 블레이드는 마찰력이 커서, 구동 토크의 증대, 클리닝 블레이드의 미소 진동에 의한 토너의 미끄러짐 이탈 및 더 나아가 클리닝 블레이드의 반전의 문제가 발생하기 쉽다. 또한, 최근의 고화질의 흐름을 고려할 때, 토너의 소입경화 및 고 기능화에 의해 클리닝 성능이 영향을 받는 것이 문제로서 거론되고 있다.
상술한 문제점을 극복하는 방법으로서, 감광체 표면을 적절하게 조면화함으로써, 감광체 표면과 클리닝 블레이드와의 접촉 면적을 감소시켜, 마찰력을 저감시키는 방법이 제안되어 있다. 예를 들어, 감광층을 형성할 때의 건조 조건을 제어 함으로써, 감광층 표면을 유자(orange) 피부 형상으로 조면화하는 방법이 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제S53-092133호 참조). 이 방법은, 통상의 감광층 형성 공정에서 조면화가 이루어지기 위해서, 기본적으로는 특수한 설비투자가 불필요하다는 이점이 있다. 한편, 이 방법은 건조시의 온도, 습도 및 시간, 분위기의 균일성, 용제의 종류 등, 제어해야 할 인자가 많다는 점에서 불리하다.
또한, 표면층에 미리 분말 입자를 첨가하는 것에 의한 조면화 방법도 알려져 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제S52-026226호 참조). 그러나, 일반적으로 감광체에 분말을 첨가할 경우, 분말의 재질, 분산성 및 액안정성에 있어서 감광체에 적합한 것은 적다. 또한, 상기 분말은 첨가량에 따라서 감광체 특성에 악영향을 부여할 수 있기 때문에, 분말 첨가의 자유도는 그다지 크지 않다. 또한, 도포시의 레벨링 효과에 의해 원하는 표면 특성이 얻기 어려운 등의 단점이 있다.
이상과 같은 도포 공정에서의 조면화에 대하여, 보다 표면 형상을 제어하기 쉬운 방법으로서, 예를 들어 기계적인 조면화 방법으로서, 금속제 와이어 브러시를 이용하여 감광체 표면을 연마하는 방법이 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제S57-094772호 참조). 이 방법에서는, 브러시를 연속적으로 사용했을 경우에, 브러시의 모 선단부의 열화, 모 선단부로의 연마분의 부착에 의해, 재현성을 얻기 힘들다는 단점이 있다.
또한, 다른 기계적인 조면화 방법으로서, 필름 형상 연마재로 감광체 표면을 연마하는 방법을 들 수 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제H02-150850호 참조). 이 방법에서는, 필름의 권취 장치에 의해, 필름 형상 연마재의 새로운 면을 항상 연마에 사용할 수 있다. 이로써, 조면화의 재현성을 얻는 것이 가능하다. 필름 형상 연마재는 고비용이라는 단점이 있지만, 이 방법은 종래부터 간단하고 유효한 방법으로 생각되어 왔다. 그러나, 감광층 표면을 연마하는, 즉 기계적으로 파괴하는 것에 의한 감광층의 마모분이나, 필름 유래의 연마재가 문제가 될 수 있다.
또한, 다른 기계적인 조면화 방법으로서, 블라스트 처리에 의해 전자 사진 감광체의 둘레면을 조면화하는 기술이 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제H02-150850호 참조). 이 방법에서는, 연마 입경의 크기나 종류 및 블라스트 조건을 제어함으로써, 소정 범위로 표면 형상을 제어할 수 있다는 이점이 있는 한편, 생산성이나 비용의 관점에서 문제가 될 수 있다.
즉, 종래 기술에서는, 전자 사진 감광체의 표면을 소정 정도로 조면화할 수 있어, 일정한 효과를 얻을 수 있었다. 하지만, 보다 나은 성능 및 생산성의 향상을 위해서, 보다 미세하고 제어된 표면 형상의 가공 방법은 확립되어 있지 않은 것이 현 상태이다.
한편, 이상의 기계적 조면화 방법에 대하여, 비 파괴 방식으로 보다 표면 형상을 미세하게 제어할 수 있는 방법으로서, 표면에 요철 형상을 갖는 터치 롤이나 스탬퍼(금형)를 전자 사진 감광체의 표면에 접촉시켜 압축 성형하는 방법이 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2001-066814호 참조). 상기 특허 문헌에 따르면, 프리즘 및 파형 표면 형상을 갖는 SUS304 스테인레스 강으로 이루어진 터치 롤을 2 x 10-4N의 압력으로 전자 사진 감광체와 접촉시켜, 예를 들어 평균 피치 5㎛, 평균 깊이 5㎛의 파형 형상을 전자 사진 감광체의 표면에 형성한다. 상기 실시예가 상기 특허 문헌에 개시되어 있다. 또한, 1변 당 평균 길이 100nm 및 평균 깊이 100nm의 우물형 표면 형상이 피치간 거리 100nm 로 형성된 스탬퍼를 이용하여, 0.8N의 압력으로 전자 사진 감광체의 표면에 2분간 압축한 실시예가 개시되어 있다. 그 결과, 1변 당 평균 길이 70nm, 깊이 30nm의 우물형 표면 형상이 피치간 거리 120nm로 전자 사진 감광체 표면에 형성된 것이 개시되어 있다. 또한, 상기 표면 가공시의 전자 사진 감광체 및 스탬퍼를 가열함으로써 성형 정밀도를 향상시킬 수 있는 것이나, 감광체의 진원도를 유지하기 위해서 표면 가공 압력을 1Ｎ 이하로 하는 것이 개시되어 있다.
상기 압축 성형 가공 기술은, 종래로부터 알려져 있는 것과 같은, 수지 제품 등의 표면 요철 가공 방법인 엠보스 가공 기술, 혹은 최근에 미세 표면 가공 기술로서 적극적으로 연구가 진척되어 있는 나노 임프린팅 기술을 전자 사진 감광체에 응용한 것이다.
일반적으로, 수지 필름이나 몰딩된 수지 성형품의 표면에 요철 표면 가공을 실시하는 상기 종래 기술은 이하와 같은 공정에 의해 행해진다(예를 들어, 일본 특허 공개 2004-288784호 참조).
(1) 표면 가공되는 수지를, 수지의 유리 전이 온도 이상으로 가열한다(상기 수지가 열변형 하기 쉽게 연화시키는 공정),
(2) 스탬퍼(스템핑 금형)를, 상기 수지의 유리 전이 온도 이상으로 가열하고, 수지와 가압 접촉시킨다(상기 수지가 스탬퍼의 미세 표면 형상 내부로 침입하는 공정),
(3) 일정 시간 경과 후, 수지 및 스탬퍼를 유리 전이 온도 이하로 냉각한다(미세 표면 형상을 고정화하는 공정),
(4) 스탬퍼를 수지 제품으로부터 이격한다.
상기 공정에 따르면, 스탬퍼의 면적에 따라 미세 표면 형상의 일괄 전사가 가능해서, 각종 표면 가공 대상물을 상기 공정에 따라 개별적으로 가공(배치(batch) 방식)할 수 있다. 또한, 시트 형상의 표면 가공 대상물의 경우에는, 가공 대상물을 이동시키면서, 스탬퍼 면적에 따른 표면 형상 전사를 반복(스텝 앤 리피트 방식)하여 실행할 수 있다. 상기 공정에 있어서, 가열 및 냉각 공정은 매우 중요하다. 가열 온도가 낮을 경우에는 충분한 표면 형상 전사를 할 수 없다. 냉각이 불충분할 경우에는, 전사된 표면 형상이 변형될 수 있다. 상기 문제가 발생하기 쉽기 때문에, 수지의 다양한 특성에 따라 상세한 최적화가 요구된다.
또한, 스탬퍼 면적 내의 압력이나 온도 불균일에 의한 표면 가공 불균일성이 형성될 수 있기 때문에, 스탬퍼 전면을 가압할 필요가 있다. 그로 인해, 사용하는 압력이 높게 설정되어야 하며, 또한 가열과 냉각 공정을 반복할 필요가 있어 생산성이 저하됨에 따라 장치 구성 상의 문제점이 남게 된다. 그래서, 당해 과제를 해결하기 위해서 각종 고안이나 개량이 시도되어 왔다.
또한, 일반적으로 표면 가공 대상물은 평판 형상이나 굴곡가능한 재질을 상정하고 있으며, 본원의 원통 형상 전자 사진 감광체와 같이, 곡률을 갖거나, 탄성 변형량이 작게, 경도가 있는 지지체 상에 형성된 수 미크론으로부터 몇십 미크론의 수지층을 가공하는 대상물에 대해서는, 그 표면과 스탬퍼의 접촉을 정밀도 있게 행하는 것이 어렵다. 따라서, 면적 내의 압력 균일성의 관점에서 표면 가공 균일성을 얻는 것이 매우 곤란하다고 상정된다.
이상으로부터, 배치(batch) 방식, 스텝 앤 리피트 방식에 의한 원통 형상 전자 사진 감광체의 표면 가공에는 많은 문제점이 존재하고 있는 것이 현 상황이다.
한편으로, 가공 대상물을 이동시키면서 연속적으로 표면 가공 대상물의 표면을 요철 가공하는 방법으로서, 엠보싱 시트의 표면 가공 방법이 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제H08-118469호 및 일본 특허 공개 제H11-207913호 참조). 이 방법에서는, 우선 가공 대상물인 수지 시트를 가열, 연화되게 해 두고, 이것을 가압 롤과 형 롤(엠보싱 롤) 사이에 연속적으로 삽입 및 가압함으로써 형상 전사를 행하고, 그 후 냉각 공정을 거쳐 엠보싱 처리된 가공 물품을 얻는 것이 일반적이다(롤 방식). 이때, 가압 롤과 형 롤 사이에 온도 조절 기구를 설치하여, 가압에 의한 형상 전사와 동시에 형상 고정화를 위한 냉각을 행하는 것이 통상이다. 이 방법에 따르면, 가공 대상물은 상기 일련의 흐름에 따라 연속적으로 생산성 있게 엠보싱 가공하는 것이 가능해서, 주로 몇십 미크론 이상의 필름 형상의 표면 형상 가공 방법으로서 유용하다.
여기서, 원통 형상 전자 사진 감광체의 둘레면에, 소정의 표면 형상을 부형 하는 방법으로서, 상기 가공 방법을 적용하려고 했을 경우, 이하의 문제가 발생할 가능성이 있다. 즉, 원통 형상 전자 사진 감광체의 표면은 연속한 둘레면으로 구성되어 있다. 그로 인해, 둘레면 전체에 가공을 실시하려고 하면, 최종적으로 표면 가공이 종료되는 시점에서, 최초 가공된 영역이 가압 롤과 형 롤로 형성되는 닙부 근방에 도달할 수 있다. 그 결과, 최초에 표면 형상이 부형된 영역이, 다시 가열되어, 표면 형상이 변형될 가능성이 있다. 또 지지체 상에 형성된 연속 수지 박막에 대하여, 가압 가공 영역 전후에서의 가열 및 냉각의 온도 제어를 행하는 것은 매우 곤란하다. 따라서, 이는 실용적이지 않다고 생각된다.
또한, 대상물을 이동시키면서 연속적으로 표면 가공하는 방법으로서, 광학 소자의 요철 마이크로 패턴 가공을 목적으로 하는 롤 엠보싱에 의한 제조 방법이 개시되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2002-214414호 참조). 이 방법에 따르면, 기판 상의 수지 박막에 3차원 형상을 정밀도 있게 전사할 수 있다고 기재되어 있다. 구체적으로는, 이동 가능한 전사 스테이지 상에 평판 형상의 가공 대상물을 설치하고, 마이크로 패턴을 표면에 갖는 롤 형상의 형재를 가압하면서, 상기 전사 스테이지를 이동시킴으로써, 연속적으로 기판 상의 수지 박막에 표면 형상을 전사한다. 또한, 전사 스테이지 및 롤 형상의 형재를 가열하거나, 가압 전후에 히터를 설치함으로써, 수지 박막을 가열해 연화시켜, 패턴 성형성을 향상시킬 수 있다고 기재되어 있다. 여기서, 본원의 원통 형상 전자 사진 감광체에 있어서, 상기 둘레면이 균일하게 연속 전면 가공되도록 상기 표면 가공 방법을 적용하려고 했을 경우, 이하의 문제점이 발생한다.
이 경우에 있어서, 기판에 상당하는 지지체 및 기판상의 수지 박막에 상당하는 감광층 및 보호층은 외부 수단에 의해 상시 가열된다. 즉, 상기 엠보싱 시트의 표면 가공법의 적용 시에 문제된 바와 같이, 표면 가공 전과 표면 가공 후의 영역이 연속하고 있기 때문에, 일단 전사된 표면 형상이 변형되는 문제가 발생할 수 있다. 특히, 전자 사진 감광체에 이용된 감광층에 표면 형상을 전사할 경우, 일반적인 열가소성 수지에 비해서, 전하 수송 재료를 다량에 포함한다는 점에서, 상기 표면 형상이 변형되는 문제는 보다 현저해지기 쉽다.
이상과 같이, 전자 사진 감광체에서의 압축 성형 가공 기술의 적용은 매우 유용하다고 추측되지만, 그 제조 방법은 충분히 확립되고 있지 않고, 새로운 개량의 여지가 남겨져 있는 것이 현 상황이다.
우리들은, 전자 사진 감광체 표면의 미세한 형상을 고정밀도로 제어하기 위한 방법을 상세하게 검토해 왔다. 이러한 검토 도중, 상기 형상의 다양성, 제어성 및 비 파괴 표면 가공의 관점에 기초로 하고, 소정의 표면 형상을 갖는 몰드를 전자 사진 감광체의 표면에 가압 접촉시켜, 미세 요철 형상을 상기 표면에 전사하는 표면 가공 방법을 검토해 왔다. 당초, 본 발명자는 전술한 일본 특허 공개 제2001-066814호를 포함한 종래 기술을 고려해 볼 때, 적당한 가압력 및 성형 온도를 설정함으로써 형상의 전사가 용이하게 일어날 것으로 예상하였다. 그러나, 결과는 상반되었고, 예상 이상의 가압력 및 온도 제어가 필요하다는 것이 시사되었다. 특히, 가압 후의 온도에 의한 형상 변형의 문제점의 중요성이 시사되었다. 또한, 전자 사진 감광체의 재료, 층 구성 및 물성의 차이에 의해, 그 가공 방법에 대한 최적 조건이 필요하다는 것이 시사되었다.
즉, 전자 사진 감광체의 표면 형상을 미세하게 제어하기 위한 표면 가공 방법은 아직 만족스런 제조 방법으로서 제시되지 않고 있었다. 또한, 생산성 및 품질안정성을 고려한 제조 방법이 제시되지 않고 있었다.
본 발명은, 클리닝성의 향상을 목적으로 하여 전자 사진 감광체의 표면 형상을 최적화하기 위해서, 전자 사진 감광체를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자 등은, 상기 소정 표면 형상을 갖는 몰드를 전자 사진 감광체의 표면에 가압 접촉시켜, 미세 요철 형상을 상기 표면에 전사하는 표면 가공 방법을 검토하기 위해서, 상기 몰드 및 상기 전자 사진 감광체의 지지체의 온도를 정밀하게 제어함으로써, 상기 전자 사진 감광체의 표면에, 고정밀도 및 높은 생산성을 갖는 제조 방법으로 미세한 요철 형상을 전사할 수 있는 것을 발견하였다. 따라서, 본 발명자는 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 원통 형상 지지체와, 이 원통 형상 지지체 상에 제공된 전하 수송층을 적어도 포함하는 전자 사진 감광체의 표면과, 미세한 요철 형상을 갖는 몰드를 서로 가압 접촉시킴으로써, 상기 미세한 요철 형상을 상기 전자 사진 감광체의 표면에 전사하는 공정을 포함하는 전자 사진 감광체의 제조 방법이며, 상기 전하 수송층의 유리 전이 온도를 T1(℃), 상기 몰드의 온도를 T2(℃), 상기 원통 형상 지지체의 온도를 T3(℃)라 했을 때, T3 < T1 < T2가 되도록 상기 몰드 및 상기 원통 형상 지지체의 온도를 제어하는 전자 사진 감광체의 제조 방법이다.
보다 바람직하게, 본 발명은 상기 전자 사진 감광체의 표면과 상기 몰드 사이의 가압 접촉부에서의 상기 전하 수송층 온도의 최대값을 T4(℃)라 했을 때, T1 < T4의 관계가 유지되는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 전하 수송층이 적어도 바인더 수지 및 전하 수송 물질을 함유하는 도포액의 도포 공정 및 상기 도포액의 건조 공정에 의해 형성되고, 상기 건조 공정에서의 전하 수송층 온도의 최대값을 T5(℃)라 했을 때, T5 < T4의 관계가 유지되는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 전자 사진 감광체의 표면과 상기 몰드 사이의 가압 접촉부 이외의 부분에서의 상기 전하 수송층 온도의 최대값을 T6(℃)라 했을 때, T6 < T1의 관계가 유지되는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 전하 수송 물질의 융점을 T7(℃)라 했을 때, T4 < T7의 관계가 유지되는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 원통 형상 지지체보다 열용량이 큰 부재를 상기 원통 형상 지지체의 내부에 삽입하는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 열용량이 큰 부재가 상기 원통 형상 지지체의 온도를 제어하는 기구를 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 열용량이 큰 부재가 냉각 기구를 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 미세한 요철 형상을 상기 전자 사진 감광체 표면에 둘레 방향으로 연속적으로 전사하는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
또한, 본 발명은 원통 형상 지지체와 이 원통 형상 지지체 상에 제공된 유리 전이 온도 T1(℃)를 가지는 전하 수송층을 포함하며, 요철 형상을 표면에 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법이며, 상기 요철 형상에 대응하는 요철 형상을 갖고, 또한, 온도 T2(℃)의 몰드를 전자 사진 감광체의 둘레면에 가압 접촉시켜, 상기 몰드 및 상기 전자 사진 감광체의 적어도 한쪽을 회전시켜서 상기 전자 사진 감광체의 둘레면에 상기 몰드의 요철 형상을 전사하는 공정을 포함하며, 상기 공정을, T3 < T1 < T2 의 부등식(단, 상기 부등식 중, T3은 상기 원통 형상 지지체의 온도를 의미한다)으로 나타낸 관계를 유지시키면서 행하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법일 수 있다.
본 발명에 따르면, 전자 사진 감광체의 표면 형상을 다양하게, 또한 우수한 제어성으로, 생산성을 향상시킨 제조 방법으로 형성할 수 있다. 이러한 방식으로 제조된 상기 전자 사진 감광체는 우수한 클리닝 성능을 발휘한다.
도1a는 본 발명의 표면 형상 가공 장치의 예를 나타내는 것으로, 장치의 전방면으로부터 본 구조도.
도1b은 도1a에 도시한 표면 형상 가공 장치를 그 옆면으로부터 본 도면.
도2a는 본 발명의 표면 형상 가공 장치의 다른 예를 나타내는 것으로, 장치의 전방면으로부터 본 구조도.
도2b은 도2a에 도시한 표면 형상 가공 장치를 그 옆면으로부터 본 도면.
도2c는 도2a에 도시한 표면 형상 가공 장치를 그 전방면으로부터 본 도면.
도3a는 본 발명의 몰드의 예를 나타내는 평면도.
도3b은 도3a에 도시한 몰드를 도시하는 상부 사시도.
도3c은 도3a에 도시하는 몰드를 도시하는 측면도다.
도4a는 본 발명의 표면 형상 가공 장치의 다른 예를 더 나타내는 것으로, 장치의 상부로부터 비스듬하게 본 구조도.
도4b은 도4a에 도시한 표면 형상 가공 장치를 나타내는 것으로, 장치의 옆면으로부터 본 구조도.
도4c은 본 발명의 표면 형상 가공 장치의 다른 예를 나타내는 것으로, 장치의 상부로부터 비스듬하게 본 구조도.
도4d는 도4c에 도시한 표면 형상 가공 장치를 나타내는 것으로, 장치의 옆면으로부터 본 구조도.
도5는 H100V(Fischer사 제조)의 출력 차트를 개략적으로 도시하는 그래프.
도6은 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 전자 사진 감광체를 측정 대상으로 할 때의 FISCHER SCOPE H100V(Fischer사 제조)의 출력 차트의 예를 나타내는 그래프.
도7a는 본 발명에서 롤 타입의 가압 부재를 갖는 표면 가공 장치를 이용했을 경우의 표면 형상 가공 공정의 예를 나타내는 개념도.
도7b은 본 발명에서 롤 타입의 가압 부재 표면에 몰드를 설치한 표면 가공 장치를 이용했을 경우의 표면 형상 가공 공정의 예를 나타내는 개념도.
도7c은 평판 타입의 가압 부재를 갖는 가공 장치를 본 발명에 이용했을 경우의 표면 형상 가공 공정의 예를 나타내는 개념도.
도8은 도7c의 표면 형상 가공 공정을 상세하게 설명하는 개념도.
도9a는 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 전자 사진 감광체의 구성예를 나타내는 도면.
도9b은 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 전자 사진 감광체의 구성예를 나타내는 도면.
도9c은 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 전자 사진 감광체의 구성예를 나타내는 도면.
도9d는 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 전자 사진 감광체의 구성예를 나타내는 도면.
도10는 본 발명에 의해 제조된 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략 구성 예를 나타내는 개략도.
도11a는 본 발명의 실시예15에 사용된 몰드의 표면 형상을 나타내는 것으로, 몰드 상부로부터 본 도면.
도11b은 도 11a에 도시한 몰드의 표면 형상을, 옆에서 본 도면.
도12a는 본 발명의 실시예16에 사용된 몰드의 표면 형상을 나타낸 것으로, 몰드의 상부로부터 본 도면.
도12b은 도12a에 도시한 몰드의 표면 형상을 옆에서 본 도면.
도13a는 본 발명의 실시예17에 사용된 몰드의 표면 형상을 나타낸 것으로, 몰드의 상부로부터 본 도면.
도13b은 도13a에 도시한 몰드의 형상을 옆에서 본 도면.
이하, 본 발명을 이하에서 상세하게 설명한다.
<표면 가공 장치>
우선 처음으로, 본 발명에 이용된 표면 형상 가공 장치의 특정 예를 도1a 및 도1b에 개략적으로 도시한다.
도1a 및 도1b에 도시된 장치에서, 롤 타입의 가압 부재(1-1)와 원통 형상의 전자 사진 감광체(1-2)의 사이에 소정의 표면 형상을 갖는 몰드(1-3)가 설치된다. 이러한 장치에서는, 가압 부재(1-1)와 원통 형상의 전자 사진 감광체(1-2)의 쌍방을 회전시키면서, 연속적으로 몰드의 상부면을 가압한다. 이에 의해, 몰드의 표면 형상을 전자 사진 감광체(1-2)에 전사한다.
롤 타입의 가압 부재(1-1) 및 원통 형상의 전자 사진 감광체(1-2)는 각각 지지 부재(1-4 및 1-5)에 의해 유지되고, 베이스판(1-7 및 1-8)에 고정되어 있다. 좌우의 고정 조정 기구로서의 지지 부재는, 도시한 것 같이 동일한 베이스판 위에 고정되어도 좋고, 경우에 따라서는, 좌우 각각을 독립 베이스판에 고정해도 좋다.
베이스판(1-7 및 1-8)의 어느 일 측 또는 양측으로부터 가압하고, 동시에 가압 부재(1-1) 및 전자 사진 감광체(1-2)를 회전시킴으로써, 상기 전자 사진 감광체의 둘레면에 몰드(1-3)의 표면 형상이 전사될 수 있다.
가압 부재의 재질로서는, 임의의 금속, 금속 산화물, 플라스틱, 유리를 이용할 수 있다. 특히, 기계적 강도, 치수 정밀도, 내구성의 관점에서 SUS 스테인레스 강을 이용하는 것이 바람직하다. 가압 부재(1-1, 가압 롤러)는 표면 가공 압력에 따른 중실 원통 형상 또는 중공 형상이어도 좋다. 가압 부재(1-1)는 지지 부재(1-4)에 의해 유지된다. 가압 부재는 미도시의 가압 시스템에 의해 전자 사진 감광체와 소정의 압력으로 접촉된 후, 구동 혹은 종동 이동에 의해 회전한다. 좌우의 가압 밸런스는 제어될 수 있다. 본 장치 예에서와 같이, 가압 부재(1-1)의 좌우 양측에서 지지 부재(1-4)에 의해 유지될 때에는, 표면 가공 압력에 따라서 양단부와 중앙부 부근의 압력 불균형이 발생할 수 있다. 그러한 경우에는, 길이 방향의 압력 균일성을 확보하기 위해서, 압력 조정용 백업 롤(1-6)을 병용하거나, 가압 부재(1-1) 자체의 형상을 크라운 형상으로 가공하거나, 표면 층에 고무의 탄성층을 더 설치하는 것도 가능하다. 또한, 백업 롤(1-6)의 크기나 개수, 위치 등은 적절하게 조정 가능하다.
또한, 도1a 및 도1b에 도시한 방법 이외에도, 도2a, 도2b 및 도2c와 같이 가압 부재(1-1) 및 전자 사진 감광체(1-2)의 길이 방향 전면 혹은 일부를 직접 가압하는 것도 가능하다.
또한, 회전 방향의 압력 불균형을 해소하기 위한 목적으로, 로드셀에 의한 압력 모니터를 병용하면서, 표면 가공시의 압력을 수시 조절하는 기구를 설치할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 후술하는 몰드의 온도를 제어하는 것이 가공 프로세스를 최적화하기 위해서 중요하다. 몰드 온도를 제어하기 위해서는, 몰드 자체를 외부 혹은 내부의 가열 또는 냉각 수단에 의해 직접적으로 가열 또는 냉각시킬 수 있다. 특히, 몰드를 설치하는 가압 부재를 온도 제어함으로써, 몰드의 온도를 제어하는 것이 바람직하다. 가압 부재(1-1)를 온도 제어하는 방법으로서는, 가압 부재의 내부에 각종 히터를 설치하는 방법 및 외부에서 가압 부재를 가열하는 방법 등을 이용할 수 있다. 가열 수단으로서는, 세라믹 히터, 원적외선 히터, 할로겐 히터, 카트리지 히터 및 전자 유도 가열 히터와 같은 공지의 기술이 적용가능하다. 냉각 수단으로서는, 수냉 또는 공냉의 공지의 기술이 적용가능하다. 또 열전대를 이용한 온도 조절기와 같은 온도 컨트롤 장치를 병용함으로써, 온도의 균일성을 확보하는 것이 바람직하다. 또 압력 균일성이나 온도 균일성을 향상시키기 위해서, 가압 부재의 직경은 폐해가 없는 범위에서 큰 편이 바람직하다.
전자 사진 감광체는, 지지 부재에 의해 유지되고, 구동 혹은 종동 이동에 의해 회전한다. 전자 사진 감광체는 일반적으로 중공의 원통형 지지체 상에 형성된다. 상기 지지체에 표면 가공 압력에 의한 변형이 예상될 경우에는, 원통형 지지체의 내부를 통하여 SUS 스테인레스 강과 같은 금속으로 제작된 원통 형상의 유지 가이드를 관통시키는 것도 유효하다. 또한, 압력 불균형을 해소하기 위해서, 백업롤 등의 병용도 가능하다. 단, 전자 사진 감광체 표면에 직접 접촉하는 것에 의한 스크레치(scratch) 등의 발생에는 주의가 필요하며, 따라서 이에 따른 재질이 선택될 수 있다. 또한, 백업롤과 전자 사진 감광체 표면 사이에 고무나 수지와 같은 완충재를 설치하는 것도 가능하다. 또한, 가압 부재와 마찬가지로, 내부 혹은 외부의 가열 수단 및 냉각 수단을 병용하고, 전자 사진 감광체 자체를 직접 온도 제어하는 것이 가능하다. 또한, 상기 유지 가이드의 온도를 제어함으로써, 간접적으로 전자 사진 감광체의 온도를 제어하는 것도 가능하다. 이때, 온도의 균일성이나 안정성을 향상시키기 위해서, 유지 가이드는 충분한 열용량을 갖는 것이 바람직하다. 전자 사진 감광체의 온도 제어에 대해서는, 전자 사진 감광체의 층 구성도 포함하여 이하에서 상세하게 설명한다. 또한, 전자 사진 감광체를 가압 부재에 대하여 가압하는 방법에 대해서는, 전술한 가압 부재의 가압 방법과 동일한 방법을 이용할 수 있다.
몰드는, 소정 형상이 표면에 형성된 굴곡 가능한 시트 형상 혹은 판 형상 부재이다. 몰드의 재질은 미세 표면 가공된 금속, 유리, 수지, 실리콘 웨이퍼의 표면에 레지스트에 의해 패터닝을 한 것, 미립자가 분산되어진 수지 필름, 소정의 미세 표면 형상을 갖는 수지 필름에 금속 코팅된 것을 포함하는 재질일 수 있다. 일반적으로는, 실리콘 웨이퍼 위에 포토리소그래피(photolithography)나 전자선에 의해 미세 표면 형상을 묘사한 후, 필요한 에칭 처리를 행한 것이나, 폴리이미드와 같은 수지에 레이저 가공 등에 의해 미세 표면 형상을 묘사한 것을 모형(마스터)으로 한 Ni 전기 주조법에 의해 얻을 수 있는 몰드가 널리 이용되고 있다. 본 장치예에서는, 가압 부재와 전자 사진 감광체의 사이에 시트 혹은 판 형상으로 몰드를 끼워 표면 가공을 실행하는 예를 나타낸다. 굴곡성이 있는 몰드의 경우에는, 가압 부재에 권취한 상태에서 사용하는 것도 가능하다. 또한, 가압 부재 표면 자체를 미세가공 함으로써, 그 자체를 몰드로서 사용하는 것도 가능하다. 도3a, 도3b 및 도3c은, 원통 형상의 필러(pillar, 돌출부)가 격자상으로 독립 배열된 몰드의 확대도의 예를 나타낸다. 원통의 직경(Y), 높이(Z), 피치(중심 간 거리, X)를 적절하게 설계하는 것이 가능하다. 또한, 각각의 필러(pillar, 돌출부) 형상은, 원통 형상의 기타, 4각 기둥, 3각 기둥, 6각 기둥 등의 다각 기둥, 타원 기둥, 완만한 곡선을 포함하는 돌출형, 마이크로렌즈 배열 형상 등과 같이 자유 설계가 가능하다. 또한, 그 배열이나 개개의 크기, 형상의 다른 것이 혼재해도 좋다. 또한, 각종 형상의 구멍(오목부)도 가능하다.
본 표면 가공 장치에서의 연속 생산은, 예를 들어 전자 사진 감광체가 유지 부재와 함께 표면 가공 전후에 순차 이동하는 형태, 혹은 가압 부재와 유지 부재가 동축 선상에 고정된 채, 전자 사진 감광체가 가압 부재로부터 연속적으로 설치 및 해제되는 형태 등이 고려될 수 있다.
다음에, 본 발명에 이용된 표면 형상 가공 장치의 다른 구체적인 예를 도4a, 도4b, 도4c 및 도4d에 개략적으로 도시한다.
도4a, 도4b, 도4c 및 도4d에 도시된 각각의 장치는, 평판 타입의 가압 부재(1-1)와 전자 사진 감광체(1-2) 사이에 소정의 표면 형상을 갖는 몰드(1-3)를 설치한 것이다. 이러한 장치에 따르면, 전자 사진 감광체(1-2)를 회전시키면서, 연속적으로 그 둘레면을 가압한다. 이로써, 몰드(1-3)의 표면 형상을 전자 사진 감광체(1-2)의 외주 표면에 전사할 수 있다.
가압 부재의 재질로서는, 도1a 및 도1b에 도시된 가압 부재와 마찬가지로, 임의의 금속, 금속 산화물, 플라스틱, 유리를 이용할 수 있다. 기계적 강도, 치수 정밀도, 내구성의 관점에서는 SUS 스테인레스 강을 이용하는 것이 바람직하다. 가압 부재는 가공 압력 및 가공 면적에 따른 사이즈 및 형상의 설계가 가능하다. 상면에 몰드가 설치된 가압 부재는 가압 부재의 하면측에 제공된 미도시의 지지 부재 및 가압 시스템에 의해 소정의 압력에서 전자 사진 감광체와 접촉하게 되며, 상기 전자 사진 감광체는 지지 부재(1-5)에 의해 유지된다. 이로써, 표면 형상이 전사될 수 있다. 또한, 도1a 및 도1b에 도시된 장치 예와 마찬가지로, 전자 사진 감광체를 유지하는 지지 부재를 상기 가압 부재에 대하여 압박함으로써 가압하는 방법 또한 사용될 수 있다. 또한, 이 모두로 동시에 가압을 행하는 것도 가능하다.
도4a 및 도4b에서는, 전자 사진 감광체(1-2)를 유지시키는 지지 부재(1-5)가 이동함으로써 전자 사진 감광체가 종동 이동 혹은 구동 회전하면서 그 표면 가공을 연속적으로 행하는 예를 나타낸다. 대신에, 도4c 및 도4d에 도시한 바와 같이, 지지 부재(1-5)를 고정해 가압 부재(1-1)를 이동시키는 것도 가능하다. 또한, 전자 사진 감광체와 가압 부재의 양자를 동시에 이동시키는 것도 가능하다.
또한, 본 장치 예에서도, 전자 사진 감광체에 대한 길이 방향 및 둘레 방향에서의 압력 불균형이 발생할 수 있다. 그러한 경우에는, 가압 부재의 하면에 설치한 미도시의 지지 부재를 위치 조정하거나, 상기 지지 부재를 여러 지지 지점에서 지지하거나, 가압 부재 자체의 형상을 가공하여 조절할 수 있다. 또한, 가압 부재의 표면에 고무나 수지층과 같은 탄성층을 설치하는 것도 가능하다. 또한, 압력 불균형을 해소하기 위해서, 로드셀에 의한 압력 모니터를 병용하면서, 표면 가공시의 압력을 수시 조절하는 기구를 설치할 수 있다. 또한, 가압 부재를 온도 제어하는 방법으로서, 평판 내부에 각종 히터를 설치하는 방법, 외부에서 평판을 가열하는 방법을 선택할 수 있다. 또한, 압력 균일성이나 온도 균일성을 향상시키기 위해서, 가압 부재의 두께는 폐해가 없는 범위에서 두꺼운 것이 바람직하다.
전자 사진 감광체는, 도1a 및 도1b에 도시된 장치 예와 마찬가지로, 지지 부재(1-5)에 의해 유지되고, 구동 혹은 종동 이동에 의해 회전한다. 또한, 전자 사진 감광체의 변형을 방지하기 위해서, 원통형 지지체의 내에 SUS 스테인레스 강과 같은 금속으로 제조된 원통 형상의 유지 가이드를 관통시키는 것도 유효하다. 또한, 압력 불균형을 해소하기 위해서, 백업롤의 병용도 가능하다. 또한, 내부 혹은 외부에서의 가열 및 냉각 수단을 병용하여, 온도 제어하는 것도 가능하다.
몰드는 전술한 바와 같다. 도4a, 도4b, 도4c 및 도4d에 도시된 장치는, 몰드를 가압 부재 상에 설치한다는 관점으로 볼 때, 그 설치의 자유도가 높다는 것과, 가압 부재의 가열 시스템에 의해 몰드 자체의 가열이 용이하다는 것의 이점이 있다.
또한, 연속 생산의 관점으로 보면, 가압 부재에 대하여 복수의 지지 부재에 고정된 전자 사진 감광체가 가압되면서 상대적으로 회전 이동한다. 이로써, 양산성의 확보가 가능하다.
<전자 사진 감광체>
본 발명의 제조 방법을 구체적으로 설명하기 전에, 전자 사진 감광체의 재료, 층 구성, 물성에 대해서 설명한다.
본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 전자 사진 감광체는 지지체와, 이 지지체에 설치된 유기 감광층(이하, 단순히 「감광층」이라 함)을 갖는다. 본 발명에 의한 전자 사진 감광체는 일반적으로 원통 형상 지지체에 감광층을 형성한 원통 형상 유기 전자 사진 감광체가 널리 이용될 수 있지만, 벨트 형상 혹은 시트 형상 등의 형상에 대하여도 응용이 가능하다.
감광층은, 전하 수송 물질과 전하 발생 물질을 동일한 층에 함유하는 단층형 감광층이어도, 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층과 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층으로 분리된 적층형(기능 분리형) 감광층이어도 좋다. 본 발명에 의한 전자 사진 감광체는, 전자 사진 특성의 관점으로 볼 때, 적층형 감광층이 바람직할 수 있다. 또한, 적층형 감광층에는, 지지체 측으로부터 전하 발생층, 전하 수송층의 순서로 적층한 순층형 감광층이어도, 지지체 측으로부터 전하 수송층, 전하 발생층의 순서로 적층한 역층형 감광층이어도 좋다. 본 발명에 의한 전자 사진 감광체에서, 적층형 감광층을 채용할 경우, 전하 발생층을 적층 구조로 해도 되고, 전하 수송층을 적층 구성으로 해도 좋다. 또한, 내구 성능 향상 등을 위해서 감광층에 보호층을 설치하는 것도 가능하다.
지지체로서는, 적어도 도전성을 가지는 것(도전성 지지체) 이면 된다. 예를 들어, 철, 동, 금, 은, 알루미늄, 아연, 티탄, 납, 니켈, 주석, 안티몬, 인듐, 크롬, 알루미늄 합금, 스테인레스 강과 같은 금속(합금)으로 이루어진 지지체를 들 수 있다. 또한, 알루미늄, 알루미늄 합금, 산화 인듐-산화 주석 합금 등의 진공 증착에 의해 피막 형성한 층을 갖는 상기 금속제 지지체나 플라스틱제 지지체를 이용할 수도 있다. 또한, 카본블랙, 산화 주석입자, 산화 티탄 입자, 은 입자와 같은 도전성 입자를 적당한 바인더 수지와 함께 플라스틱이나 종이에 함침한 지지체나, 도전성 바인더 수지를 갖는 플라스틱제의 지지체를 이용할 수도 있다.
지지체의 표면은, 레이저광의 산란에 의한 간섭무늬(interference fringe)의 방지를 위해서, 절삭 처리, 조면화 처리, 알루마이트 처리를 실시해도 좋다.
지지체와, 후술의 중간층 또는 감광층(전하 발생층, 전하 수송층)의 사이에는, 레이저 광의 산란에 의한 간섭무늬를 방지하거나, 지지체의 스크레치를 피복하기 위한 도전층을 형성해도 된다.
도전층은, 카본 블랙, 도전성 안료나 저항 조절 안료를 바인더 수지에 분산 및/또는 용해시킨 도전층용 도포액을 이용해서 형성되어도 좋다. 도전층용 도포액에는, 가열 또는 방사선 조사에 의해 경화 중합하는 화합물을 첨가해도 좋다. 도전성 안료나 저항 조절 안료가 분산된 도전층은, 그 표면이 조면화되는 경향이 있다.
도전층의 막 두께는, 0.2㎛ 이상, 40㎛ 이하인 층 두께를 가지는 것이 바람직하며, 1㎛ 이상, 35㎛ 이하인 것이 보다 바람직하며, 5㎛ 이상, 30㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
도전층에 이용할 수 있는 바인더 수지는, 예컨대, 스티렌, 아세트산 비닐, 염화비닐, 아크릴레이트, 메타아크릴레이트, 불화 비닐리덴, 트리 플루오로에틸렌과 같은 비닐 화합물의 중합체/공중합체, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 아세탈, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리설폰, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리우레탄, 셀룰로스 수지, 페놀수지, 멜라민수지, 규소 수지 및 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
도전성 안료 및 저항 조절 안료는, 예컨대, 알루미늄, 아연, 동, 크롬, 니켈, 은, 스테인레스 강과 같은 금속(합금)의 입자와, 이들을 플라스틱의 입자의 표면에 증착한 것을 포함할 수 있다. 또한, 산화 아연, 산화 티탄, 산화 주석, 산화안티몬, 산화 인듐, 산화 비스무트, 주석을 도핑한 산화 인듐, 안티몬이나 탄탈을 도핑한 산화 주석의 금속산화물의 입자이어도 좋다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상을 병용하는 경우에는, 단순히 혼합하여도 좋고, 고용체나 융착의 형태이어도 좋다.
지지체 또는 도전층과 감광층(전하 발생층, 전하 수송층)의 사이에는, 배리어 기능이나 접착 기능을 갖는 중간층을 형성해도 된다. 중간층은, 예컨대, 감광층의 접착성 개량, 도포성 개량, 지지체로부터의 전하 주입성 개량, 감광층의 전기적 파괴에 대한 보호를 위하여 형성된다.
중간층의 재료는 폴리비닐 알코올, 폴리-N-비닐이미다졸, 폴리에틸렌 옥시드, 에틸 셀룰로오스, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 카세인, 폴리아미드, N-메톡시 메틸화 6 나일론, 공중합체 나일론, 접착제(glue) 및 젤라틴을 포함할 수 있다. 중간층은 이들의 재료를 용제에 용해시킴으로써 얻을 수 있는 중간층용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
중간층의 막 두께는 0.05㎛ 이상, 7㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.1㎛ 이상, 2㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 본 발명에서의 감광층에 대해서 설명한다.
본 발명의 감광 부재에 이용되는 전하 발생 물질은 피릴륨, 티아피릴륨계(thiapyrylium) 염료, 각종 중심(central) 금속 및 각종 결정계(α, β, γ, ε 및 X형 등)을 갖는 프탈로시아닌 안료, 안탄트론(anthanthrone) 안료, 디벤즈피렌키논 안료, 피렌트롬 안료, 모노아조, 디스아조, 트리스(tris)아조와 같은 아조 안료, 인디고 안료, 퀴나크리돈 안료, 비대칭 퀴노시아닌 안료, 퀴노시아닌 안료, 비정질 실리콘을 포함할 수 있다. 이들 전하 발생 물질은 1종만 사용해도 좋고, 2종 이상 사용해도 좋다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 이용할 수 있는 전하 수송 물질은 피렌 화합물, N-알킬칼바졸 화합물, 히드라존 화합물, N, N-디알킬아닐린 화합물, 디페닐아민 화합물, 트리페닐아민 화합물 등을 포함할 수 있다. 또한, 트리페닐메탄 화합물, 피라졸린 화합물, 스티릴 화합물, 스틸벤 화합물도 이용할 수 있다.
감광층을 전하 발생층과 전하 수송층으로 기능 분리할 경우, 전하 발생층은 이하의 방법으로 형성될 수 있다. 즉, 우선, 전하 발생 물질을 0.3 내지 4배량(질량비)의 바인더 수지 및 용제와 함께, 호모지나이저, 초음파 분산기, 볼 밀, 진동 볼 밀, 샌드 밀, 아토라이터(attritor) 또는 롤 밀을 이용하여 분산시킨다. 분산되어서 얻은 전하 발생층용 도포액을 도포한다. 이것을 건조시킴으로써 전하 발생층을 형성할 수 있다. 또한, 전하 발생층은 전하 발생 물질의 증착막으로서도 좋다.
전하 수송층은 전하 수송 물질과 바인더 수지를 용제에 용해시킴으로써 얻을 수 있는 전하 수송층용 도포액을 도포하고, 이를 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 또한, 상기 전하 수송 물질 중 단독으로 성막성을 갖는 것은, 바인더 수지를 이용하지 않고 그 단독으로 성막하여, 전하 수송층으로 할 수도 있다.
전하 발생층 및 전하 수송층에 이용하는 바인더 수지는 스티렌, 아세트산 비닐, 염화비닐, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 불화 비닐리덴, 트리플루오로에틸렌과 같은 비닐 화합물의 중합체 및 공중합체, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 아세탈, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리우레탄, 셀룰로스 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 규소 수지 및 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
전하 발생층의 막 두께는 0.01㎛ 이상, 5㎛ 이하가 바람직하며, 0.1㎛ 이상, 2㎛ 이하가 보다 바람직할 수 있다.
전하 수송층의 막 두께는 5㎛ 이상, 50㎛ 이하가 바람직하며, 10㎛ 이상, 35㎛ 이하가 보다 바람직할 수 있다.
전자 사진 감광체에 요구되는 특성의 하나인 내구 성능의 향상을 위해서, 상술의 기능분리형 감광체의 경우에, 표면층이 되는 전하 수송층의 재료 설계가 중요하다. 그 예로서는, 고강도의 바인더 수지를 이용하거나, 가소성을 보이는 전하 수송 물질과 바인더 수지와의 비율을 컨트롤하거나, 고분자 전하 수송 물질을 사용하는 등을 들 수 있다. 보다 내구 성능을 발현되게 하기 위해서는 표면층을 경화계 수지로 구성하는 것이 유효하다.
본 발명에서는, 전하 수송층 자체를 경화계 수지로 구성하는 것이 가능하다. 또한, 상술의 전하 수송층 상에 제2 전하 수송층 혹은 보호층으로서 경화계 수지층을 형성하는 것이 가능하다. 경화계 수지층에 요구되는 특성은, 막의 강도와 전하 수송 능력의 양립이며, 상기 층은 중합성 또는 가교성 모노머나 올리고머로 구성되는 것이 일반적이다. 또한, 경우에 따라서는, 전하 수송 능력을 부여하기 위해서, 저항 제어된 도전성 미립자의 이용도 가능하다.
전하 수송 재료로서는, 공지의 정공 수송성 화합물 또는 전자 수송성 화합물을 이용할 수 있다. 중합성 혹은 가교성 모노머나 올리고머는, 아크릴로닐 옥시 기나 스티렌기를 갖는 연쇄 중합계의 재료, 수산기나 알콕시 실릴기, 이소시아네이트기를 갖는 일련의 중합계 재료를 포함할 수 있다. 최종 전자 사진 특성, 범용성, 재료 설계 및 제조 안정성의 관점에서, 정공 수송성 화합물과 연쇄 중합계 재료의 조합이 바람직하다. 또한, 정공 수송성기 및 아크릴로닐옥시기의 양자를 분자 내에 갖는 화합물을 경화시키는 계가 특히 바람직하다.
경화 수단으로서는, 열, 광, 방사선을 이용하는 공지의 수단을 이용할 수 있다.
경화층의 막 두께는, 전하 수송층의 경우에는 상기와 같은 5㎛ 이상, 50㎛ 이하가 바람직하며, 10㎛ 이상, 35㎛ 이하가 보다 바람직할 수 있다. 제2 전하 수송층 혹은 보호층의 경우에는, 0.1㎛ 이상, 20㎛ 이하가 바람직하며, 1㎛ 이상, 10㎛ 이하가 보다 바람직할 수 있다.
본 발명의 전자 사진 감광체의 각 층에는 각종 첨가제를 첨가할 수 있다. 첨가제는 산화 방지제나 자외선 흡수제와 같은 열화 방지제나, 불소 원자 함유 수지 입자 및 아크릴 수지 입자와 같은 유기 수지 입자, 실리카, 산화 티탄과 같은 무기 입자 및 알루미나 입자를 포함할 수 있다.
본 발명은, 클리닝 성능의 향상을 목적으로 한 전자 사진 감광체의 표면 형상의 최적화를 위해서, 그 전자 사진 감광체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 전자 사진 감광체의 제조 방법은, 전자 사진 감광체 표면에 소정의 표면 형상을 갖는 몰드를 가압하여 접촉시킴으로써, 그 표면 형상을 전자 사진 감광체 표면에 전사하는 공정을 갖는다. 그로 인해, 전자 사진 감광체의 전하 수송층이나 보호층의 기계적 물성은 특히 중요하다. 더 구체적으로는, 전하 수송층이나 보호층의 기계적 부하에 대한 경도, 탄성 변형, 소성 변형의 파라미터나, 구성 재료의 유리 전이 현상이나 융해의 열적 물성과, 제조 조건 및 가공 공정의 최적화가 매우 중요하다.
본 발명에서, 전자 사진 감광체 표면층의 기계적 부하에 대한 경도, 탄성 변형, 소성 변형의 파라미터는, 전자 사진 감광체 표면의 유니버설 경도값(HU) 및 탄성 변형율에 의해 수치화가 가능하다. 이러한 값은 25℃/50% RH 환경에서 미소 경도 측정 장치 FISCHER SCOPE H100V(Fischer사 제조)를 이용해서 측정할 수 있다. 이 FISCHER SCOPE H100V는 측정 대상(전자 사진 감광체의 둘레면)에 압자를 접촉하고, 이 압자에 연속적으로 하중을 걸고, 하중 하에서의 압입 깊이를 직독함으로써 연속적으로 경도가 구해질 수 있는 장치이다.
본 발명에서는, 압자로서 대면각 136°의 버커스 4각추 다이아몬드 압자를 이용했다. 그리고, 상기 압자를 전자 사진 감광체의 둘레면에 대하여 누른다. 압자에 연속적으로 걸리는 하중의 마지막 하중(최종 하중)을 6mN로 하며, 압자에 최종 하중 6mN을 건 상태를 유지하는 시간(유지 시간)을 0.1초로 하였다. 또한, 273 지점에서 측정하였다.
FISCHER SCOPE H100V(Fischer사 제조)의 개략의 출력 차트를 도5에 도시한다. 또한, 본 발명의 전자 사진 감광체를 측정 대상으로 삼았을 때의 FISCHER SCOPE H100V(Fischer사 제조)의 출력 차트의 일례를 도6에 도시한다. 도5, 도6에서, 종축은 압자에 걸리는 하중F(mＮ)을, 횡축은 압자의 압입 깊이h(㎛)를 도시한다. 도5는 압자에 걸리는 하중(F)를 단계적으로 증가시켜 하중이 최대가 된(Ａ→Ｂ) 후, 단계적으로 하중을 감소시켰을(Ｂ→C) 때의 결과를 나타낸다. 도6은, 압자에 걸리는 하중(F)을 단계적으로 증가시켜 최종적으로 하중을 6mN로 하고, 그 후, 단계적으로 하중을 감소시켰을 때의 결과를 나타낸다.
유니버설 경도값(HU)은 최종 하중 6mN을 걸었을 때의 압입 깊이로부터 하기식에 의해 구할 수 있다. 또한, 하기식 중, Ff는 최종 하중을 의미하고, Sf는 최종 하중을 걸었을 때의 압자가 압입된 부분의 표면적을 의미하고, hf는 최종 하중을 걸었을 때의 압자의 압입 깊이를 의미한다.
HU = Ff[N]/Sf[㎟] = 6 x 10-3/26.43 x (hf x 10-3)2
또한, 탄성 변형율은 압자가 측정 대상(전자 사진 감광체의 둘레면)에 대하여 행한 일량(에너지), 즉, 압자의 측정 대상(전자 사진 감광체의 둘레면)에 대한 하중의 증감에 의한 에너지의 변화로부터 구할 수 있다. 구체적으로는, 탄성 변형 일량(We)을 전체 일량(Wt)으로 나눈 값(We/Wt)이 탄성 변형율이다. 또한, 전체 일량(Wt)은 도5에서 A-B-D-A로 둘러싸여지는 영역의 면적이며, 탄성 변형 일량(We)은 도5에서 C-B-D-C로 둘러싸여지는 영역의 면적이다.
본 발명에서의 전자 사진 감광체의 표면층은 전술한 전하 수송층 혹은 보호층이다. 열가소성 수지 및 전하 수송 재료로부터 형성되는 일반적인 전하 수송층의 구성 및, 경화층으로서 형성되는 전하 수송층 혹은 보호층의 구성에 있어서, 표면은 150 ~ 350 N/㎟의 범위의 유니버설 경도값(HU) 및 40 ~ 70%의 범위의 탄성 변형율을 갖는 것이 바람직하다.
전하 수송층 및 보호층의 열적 물성값은 층이 구성되는 열가소성 수지 및 전하 수송 재료의 유리 전이 온도, 전하 수송 재료의 융점, 또는 전하 수송층 및 보호층의 유리 전이 온도로 측정될 수 있다. 이들 유리 전이 온도와 융점은 40℃ ~ 300℃의 범위에 있을 수 있다. 또한, 유리 전이 온도 및 융점은, 예를 들어, 세이코 전자공업(주) 제조의 SSC5200H와 같은 열분석 장치를 이용해서 측정될 수 있다. 구체적으로는, 20℃로부터 280℃까지 10℃/min의 승온 속도로 측정을 행한다. 얻어진 차트의 고체측의 접선과 전이 온도 영역의 급격한 위치의 접선과의 교점을 융점 또는 유리 전이점이라 하였다.
<표면 형상의 제어 방법>
다음으로, 도7a, 도7b 및 도7c를 이용해서 표면 가공 공정을 더 상세하게 설명한다.
도7a 및 도7b는, 도1a 및 도1b의 롤 타입의 가압 부재를 갖는 표면 가공 장치의 예에서의 가압 부재와 전자 사진 감광체의 위치 관계를, 양자의 회전 방향과 평행한 단면으로부터 본 도면이다.
도7a는 가압 부재(1-1)와 전자 사진 감광체(1-2) 사이에 몰드(1-3)를 설치하고, 가압 부재(1-1) 및 전자 사진 감광체(1-2)를 화살표의 방향으로 회전시키면서, 전자 사진 감광체의 표면에 몰드 표면 형상을 전사하는 프로세스를 나타낸다. 도7a에서, 도면부호 "II"는 전자 사진 감광체의 표면과 몰드가 소정의 닙폭을 갖고서 가압하여 접촉 공정이 행하여지는 영역을 나타낸다. 또한, 도면부호 "I" 및 "III"는 각각 가압 접촉 전 및 가압 접촉 후의 공정이 행하여지는 영역을 도시하고 있다. 본 발명에 있어서, 전자 사진 감광체의 표면에 이들 I, II 및 III의 각각의 영역에서 전자 사진 감광체 표면에 각 공정을 연속적으로 행함으로써, 고정밀한 요철 형상의 전사가 가능하다.
도7b는 가압 부재(1-1)의 표면에 몰드(1-3)가 설치된 장치에서의 표면 가공 프로세스를 나타낸다. 도7a와 마찬가지로, 전자 사진 감광체 표면이 Ⅰ, II 및 III의 각각의 영역의 각각의 공정에 연속적으로 이르게 됨으로써, 표면으로의 표면 형상 전사가 가능하다.
도7c은, 도4a, 도4b, 도4c 및 도4d의 평판 타입의 가압 부재를 갖는 표면 가공 장치의 예에서의 가압 부재와 전자 사진 감광체 사이의 위치 관계를, 전자 사진 감광체의 회전 방향에 평행한 단면으로부터 본 도면이다. 이러한 도7c는, 가압 부재(1-1)와 전자 사진 감광체(1-2)의 사이에 몰드(1-3)를 설치하고, 전자 사진 감광체(1-2)를 화살표 방향으로 회전시키면서, 전자 사진 감광체의 표면에 몰드 표면 형상을 전사하는 표면 가공을 나타낸다. 도7a 및 도7b와 마찬가지로, 전자 사진 감광체 표면이 Ⅰ, II 및 III의 영역의 각각의 공정에 연속적으로 이르게 됨으로써, 표면에 대한 표면 형상 전사가 가능하다.
또한, 도7c에 도시된 가공 닙부의 일부를 더 확대한 도8 및 전자 사진 감광체의 구성을 도시한 도9a, 도9b, 도9c 및 도9d에 의해 표면 가공을 설명한다. 도8에서, 도면부호 "1-1"은 가압 부재, 도면부호 "1-2"은 전자 사진 감광체, 도면부호 "1-3"은 몰드, 도면부호 "1-5"은 전자 사진 감광체의 지지체, 도면부호 "1-11"은 전자 사진 감광체의 표면층(예를 들어, 전하 수송층 또는 보호층), 도면부호 "1-12"은 지지체의 내부, 도면부호 "1-13"은 가압 부재의 내부에 설치된 온도 제어 부재를 나타낸다.
본 발명은, 원통 형상 지지체 상에 적어도 전하 수송층을 갖는 전자 사진 감광체의 표면과, 미세한 요철 형상을 갖는 몰드를 가압하여 서로 접촉시킴으로써, 상기 미세한 요철 형상을 상기 전자 사진 감광체의 표면에 전사하는 전자 사진 감광체의 제조 방법에 관한 것이다. 그리고, 상기 전하 수송층의 유리 전이 온도를 T1(℃), 상기 몰드의 온도를 T2(℃), 상기 지지체의 온도를 T3(℃)라 했을 때, T3 < T1 < T2이 되도록 상기 몰드 및 상기 지지체의 온도를 제어하는 것을 특징으로 한다.
원통 형상 지지체 상에 적어도 전하 수송층을 갖는 전자 사진 감광체의 구성은 구체적으로, 도9a, 도9b, 도9c 및 도9d의 구성예로 도시되며, 전술한 바와 같이, 상기 전하 수송층이 표면층인 경우 및 상기 전하 수송층 상에 보호층이 더 형성된 경우를 포함한다.
도9a, 도9b 및 도9c에 도시한 바와 같이, 본 발명에서의 전하 수송층(93)이 표면층인 경우에, 전하 수송층(93)은, 예를 들어 이하의 구성으로 될 수 있다.
전하 수송 물질 및 열가소성 수지로 이루어지는 구성,
열가소성 수지 대신에 경화성 수지로 이루어지는 구성,
전하 수송 물질 자체가 경화성 반응기를 갖고 있어, 그 자신 단독으로 경화 막을 형성하는 구성,
다른 경화성 수지와 함께 경화 막을 형성하는 구성.
상기 가열 및 가압에 의한 표면 형상의 가공을 행하기 위해서, 상기 전하 수송층(93)은 50℃ 이상, 200℃ 이하의 유리 전이 온도를 갖는 것이 바람직하다. 유리 전이 온도가 50℃ 미만일 경우에는, 그 유동성의 문제로 인하여, 표면 가공 후에 표면 형상을 유지하는 것이 곤란한 경향이 있다. 한편, 200℃를 초과할 경우에는, 표면 가공시의 열에 의한 전자 사진 특성 악화의 영향이 있기 때문에 바람직하지 못하다.
또한, 도9d에 도시한 바와 같이, 보호층(96)이 표면층인 경우에, 그 하층에 존재하는 전하 수송층은 전술한 구성의 어느 하나를 취할 수 있다. 보호층(96)은, 전술한 전하 수송층(93)과 동일한 구성인 제2 전하 수송층으로서 기능 할 경우, 전하 수송 물질 및 열가소성 수지로 이루어지는 구성, 열가소성 수지 대신에 경화성 수지로 이루어지는 구성, 전하 수송 물질 자체가 경화성 반응기를 갖고 있어, 그 자신 단독으로 경화 막을 형성하는 구성, 혹은 다른 경화성 수지와 함께 경화 막을 형성하는 구성을 취할 수 있다. 이 경우, 전하 수송층(93)과 보호층(96)인 제2 전하 수송층의 구성은 유사하거나 상이해도 된다. 또한, 보호층(96)은 전하 수송 물질을 사용하지 않고, 열가소성 수지 혹은 경화성 수지로 이루어지는 구성을 취할 수도 있다. 또한, 전기 특성을 향상시키기 위해서, 도전성 재료를 첨가하는 것도 가능하다. 또한, 도9a, 도9b, 도9c 및 도9d에서, 도면부호 "91"은 지지체, 도면부호 "92"는 전하 발생층, 도면부호 "94"는 중간층, 도면부호 "95"는 기초층이다.
본 발명에서, 보호층이 표면층일 경우, 보호층은 유리 전이 온도를 갖고 있어도, 혹은 갖지 않아도 좋다. 보호층이 유리 전이 온도를 갖지 않을 경우, 혹은 유리 전이 온도가 200℃를 초과하는 것 같은 고온의 경우에는, 주로 하층에 가해지는 전하 수송층의 가압 압축에 의한 변형에 의해, 전자 사진 감광체의 표면 형상 가공이 가능하다. 이때, 전하 수송층 자체의 형상 변화가 관측된다. 상층의 경화성 표면층은 하층의 전하 수송층에 거의 추종하는 형태로 변형한다. 이 경우, 경화성 표면층의 기계적 물성, 주로, 탄성 변형 물성이 형상 전사에 영향을 줄 수 있다. 즉, 열가소물성으로서 변형된 전하 수송층의 형상이, 내부 응력에 의한 완화, 즉, 형상 변형되는 방향으로 향할 경우가 있다. 따라서, 표면 가공 공정에서의 각종 조건에 주의가 필요하다.
본 발명에서는, 원통 형상 전자 사진 감광체의 둘레면에 미세한 요철 형상을 전사함에 있어서, 상기 전사 공정에서의 상기 전하 수송층의 유리 전이 온도를 T1(℃), 상기 몰드의 온도를 T2(℃), 상기 지지체의 온도를 T3(℃)라 했을 때, T3 < T1 < T2의 관계를 충족시키도록 온도 제어를 행하면서 표면 가공한다. 이러한 조건하에서, 전자 사진 감광체의 표면과 몰드를 가압하여 서로 접촉시킨다. 이는 상기 전하 수송층 온도의 승온 및 강온을 연속적으로 효율적으로 행할 수 있어, 표면 형상의 변형이나, 가공면의 주름이나 물결 무늬, 전하 수송 물질의 석출의 문제를 억제할 수 있다. 이로써, 미세한 요철 형상이 전사될 수 있다.
구체적으로, 이 공정은, 도7a, 도7b 및 도7c 또는 도8에서 도면 부호 I, II, III 순으로 나타낸 영역에서, 전자 사진 감광체와 몰드 사이의 접촉 닙 부분의 통과 과정에 있어 연속적으로 행하여진다. 우선, 도면 부호 "I"는 전자 사진 감광체와 미세한 요철 형상을 갖는 몰드가 대향 위치에 배치되고 있는 영역을 도시하고, 이로부터 가공되는 전자 사진 감광체의 표면 부분과 몰드가 서로 접촉하기 전의 상태에 있다. 이러한 영역에서는, 본질적으로 전자 사진 감광체와 몰드는 접촉하지 않고 있다. 도면 부호 "II"는 I의 상태로부터 전자 사진 감광체가 회전하여, 몰드의 이동과 함께 가압, 접촉하여 닙 부분을 형성하는 영역을 도시한다. 또한, 도면 부호 "III"는 전자 사진 감광체가 몰드와 접촉하여 닙 부분을 형성한 상태로부터 더 회전하고, 몰드가 이동함으로써, 몰드와 전자 사진 감광체가 서로 이격하는 영역을 도시한다. 상기 전하 수송층의 온도는 영역 I로부터 영역 II로 급속하게 승온 하고, 또한 영역 II로부터 영역 III로 급속하게 강온 한다. 즉, 영역 II에서 전자 사진 감광체 표면과 몰드가 서로 접촉시에, 상기 전하 수송층의 온도는 최대가 되며, 동시에 표면 형상 전사를 행할 수 있다. 본 발명에서는, 상기와 같이 영역 I로부터 영역III에서 실시되는 가공이 전자 사진 감광체의 둘레면에서 연속적으로 진행하도록 한다. 본 발명에서는, 전자 사진 감광체 둘레면에 대하여, 표면 형상 연결부의 제어성의 관점으로부터, 영역I로부터 영역III로의 표면 가공의 공정을 반복 행하는 것도 가능하다.
상기 공정에 있어서, 상기 전하 수송층의 온도는, 몰드의 온도, 전자 사진 감광체의 온도 및 표면 가공의 속도 및 시간에 의해 최적화된다. 몰드의 온도 T2는, 전하 수송층의 표면 형상 변형을 쉽게 하기 위해서, 전하 수송층의 유리 전이 온도 T1을 초과하는 값으로 설정할 필요가 있다.
이때, 양호한 표면 형상 전사를 행하기 위해서는, 영역II에서, 전하 수송층의 승온을 충분히 행하는 것이 필요하다. 표면 가공 속도가 빠를 경우에는, 전하 수송층의 승온이 불충분해져, 상기 전하 수송층의 유리 전이 온도에 도달하지 않을 경우가 있다. 이러한 조건에서는, 표면 가공을 실행하기 위한 압력이 증가하는 경향을 보이는 것은 바람직하지 못하다. 따라서, 몰드의 온도 T2를 충분히 높은 온도에 설정해 두거나, 혹은, 전하 수송층의 온도를 미리 승온시켜 놓거나, 혹은 이들의 양자를 병용할 필요가 있다. 그 수단으로서, 전자 사진 감광체의 지지체의 온도를 T3 < T1 이 되는 범위에서 온도 제어하는 것이 가능하다.
일반적으로 전자 사진 감광체에 사용되는 지지체는, 상층의 감광층에 비하여, 열전도율 및 열용량이 크기 때문에, 온도의 제어성이 양호해진다. 따라서, 이의 온도가 잘 제어될 수 있고, 상기 지지체의 온도와 전하 수송층의 온도 간의 온도 구배를 유효하게 이용하는 것이 가능하다. 또한, 지지체 내부는 중공이기 때문에, 온도의 제어성을 보다 높이기 위해서, 지지체보다 열용량이 큰 부재를 지지체의 내부에 삽입하는 것이 바람직하다. 이 경우, 지지체보다 열용량이 큰 부재는 지지체와 같은 소재이어도 좋고, 달라도 상관없다. 구체적으로는, 예를 들어, 지지체가 알루미늄의 미처리(unprocessed) 관일 경우, 원통 형상의 알루미늄이나, 보다 열용량이 큰 SUS 스테인레스 강 또는 구리와 같은 금속류, 세라믹류 등이 가능하다. 또한, 누수 처리를 실시한 뒤에서, 온수 등의 이용도 가능하다. 또한, 이들 열용량이 큰 부재를 온도 제어하는 것도 가능하다. 단, 전자 사진 감광체의 둘레면의 표면 가공이 모두 종료할 때까지, 지지체의 온도 T3가 T1을 초과하지 않도록 제어하는 것이 중요하다.
한편, 표면 가공 속도가 느릴 경우에는, 전하 수송층의 승온은 충분히 행하는 것이 가능하지만, 전하 수송층의 온도가 지나치게 높아지는 경향에 있어, 상기 영역 II로부터 영역 III에 이르는 과정에 있어서의 강온이 충분히 행하여지지 않아, 전술한 바와 같이 형상 변형 등의 문제가 발생하기 쉽다. 또한, 전자 사진 감광체의 둘레면 가공이 모두 종료할 때까지 시간이 많이 소요되기 때문에, 지지체의 온도 T3가 T1을 초과하는 경향이 있다. 따라서, 가열 및 냉각에 의한 지지체의 온도 제어는 매우 중요하다. 이 경우에서도, 전술한 바와 같이, 온도의 제어성을 향상시키기 위해서, 지지체보다 열용량이 큰 부재를 지지체의 내부에 삽입하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 부재에 지지체의 온도를 제어하는 기구를 설치함으로써, 지지체의 온도를 제어하는 것이 바람직하다. 또한, 과도의 승온을 제어하기 위해서, 냉각 기구를 제공하는 것도 유효하다.
이상과 같이, 영역 I에서의 전하 수송층의 온도는, 상기 전하 수송층의 유리전이 온도 이하로 유지되어, 영역 II의 닙 부분 통과 시에 몰드를 사이에 끼우는 가압 부재에 의해 가열과 동시에 가압된 후, 압력을 제거함과 동시에 냉각되어, 영역 III에서는 다시 유리 전이 온도 이하로 유지되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 간의 가압 접촉부에서의 전하 수송층 온도의 최대값을 T4(℃)라 했을 때, T1 < T4 이 되도록, 지지체의 온도, 몰드의 온도 및 표면 가공 속도를 제어하는 것이 바람직하다. 충분한 표면 형상 전사 재현성을 얻기 위해서, 가공 압력을 대폭으로 증대시키는 것이 불필요하게 되며, 전자 사진 감광체의 변형에 의한 정밀도 저하나 제조 장치의 대형화를 회피할 수 있다.
또한, 상기 전하 수송층이 적어도 바인더 수지 및 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층용 도포액의 도포 공정 및 건조 공정에 의해 형성되고, 상기 건조 공정에서의 전하 수송층 온도의 최대값을 T5(℃)라 했을 때, T5 < T4이 되도록, 지지체의 온도, 몰드의 온도 및 표면 가공 속도를 제어하는 것이 보다 바람직하다. 또한, T5와 T4의 온도차가 클수록, 표면 형상 전사 재현성이 양호해지는 경향이 있다.
본 발명에서는 또한, 상기 전자 사진 감광체의 표면과 상기 몰드 간의 가압 접촉부 이외에서의 상기 전하 수송층 온도의 최대값을 T6(℃)라 했을 때, T6 < T1이 되도록 온도를 제어하는 것이 더 바람직하다. 이 방법에 따르면, 이미 표면 가공된 영역의 전하 수송층의 온도는 유리 전이 온도 이하로 유지되면서, 원통 형상 전자 사진 감광체의 둘레면으로 미가공 영역의 형상 전사가 가능하다. 따라서, 종래 기술에서 문제가 되었던 일단 가공된 표면 형상 변형을 대폭으로 해소할 수 있다. 특히, 일반적인 열가소성 수지의 표면 가공에 비하여, 바인더 수지 및 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층을 가지는 전자 사진 감광체의 표면 가공은 표면 형상 변형이 발생하기 쉽다. 따라서, 상기 조건이 특히 바람직하다.
한편, 상기 전하 수송층의 전하 수송 물질의 융점을 T7(℃)라 했을 때, T4 < T7이 되도록 온도를 제어하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 간의 가압 접촉부에서의 전하 수송층 온도의 최대값 T4(℃)이 상기 전하 수송 물질의 융점 T7(℃)보다 낮아질 수 있도록, 지지체의 온도, 몰드의 온도 및 가공 속도를 제어하는 것이 바람직하다. 이는, 전사된 표면의 형상 변형, 피가공면의 주름이나 물결 모양, 전하 수송 물질의 석출 등의 문제점을 효과적으로 억제하기 위해서이다.
이상과 같이, 지지체의 온도, 몰드의 온도 및 표면 가공 속도를 제어함으로써, 양호한 형상의 전사가 가능하다. 또한, 온도 T3(℃)를 실온 이하로 제어함으로써, 보다 양호한 표면 형상 전사가 가능하다. 즉, 구체적으로는, 원통형 지지체보다 열용량이 큰 부재를 원통형 지지체의 내부에 삽입하고, 상기 열 용량이 큰 부재에 지지체의 온도를 실온 이하로 제어하는 기구를 설치한다. 그래서, 표면 가공 프로세스 동안의 지지체의 온도 T3(℃)가 실온 이하로 유지될 수 있도록, 몰드의 온도 및 가공 시간을 제어할 수 있다. 이때, 상기 열용량이 큰 부재에 냉각 기구를 병용하고, 지지체의 승온을 억제하는 것도 가능하다.
다음으로, 본 발명에서의 전자 사진 감광체 표면층에 대한 몰드의 가압력에 대해서 설명한다. 본 발명에서는, 상태 II에서 전자 사진 감광체 표면에 가해지는 압력을, 0.1MPa 이상 50MPa 이하로 함으로써, 소정의 표면 형상을 고정밀도로 전사하는 것이 가능하다. 상기 범위 내에서의 구체적인 압력은 사용되는 전자 사진 감광체의 재료, 층 구성 및 몰드의 패턴 형상에 따라서 적절하게 선택될 수 있다. 압력의 측정은 시판의 감압 시트로 측정 가능하다.
다음으로, 본 발명에서의 가공 프로세스 시간에 대해서 설명한다. 본 발명에서는, 원통 형상 전자 사진 감광체가 원주 방향으로 회전함으로써, 전자 사진 감광체 표면의 둘레 방향에 대하여 연속적으로 미세한 요철 형상을 전사하여, 전자 사진 감광체의 둘레면에 연속적으로 표면 가공을 실시하는 것이 바람직하다. 이 때의 회전 속도는 상기 온도 제어 및 가압력과 함께 최적화된다. 대략, 전자 사진 감광체의 표면 이동 속도로서, 1mm/초 ~ 200mm/초의 범위에서 조정될 수 있다. 이때, 상기 영역 II에서의 닙 통과 시간은 장치 구성이나 전자 사진 감광체의 층 구성, 상기 온도 및 가압력에 의해 변화되는 닙폭에 따르지만, 대략 몇 밀리 초로부터 몇 초의 범위 이내이다. 이 시간 동안에, 상기 가열, 가압, 냉각의 일련의 프로세스가 행하여진다.
<표면 형상의 관찰 방법>
본 발명에서, 표면 가공된 전자 사진 감광체 표면의 관찰은, 시판의 레이저 현미경, 광학 현미경, 전자 현미경 혹은 원자력 현미경에 의해 가능하다.
레이저 현미경으로서는, 예를 들어, 이하의 기기가 이용가능하다. 초심도 형상 측정 현미경 VK-8550, 초심도 형상 측정 현미경 VK-9000 및 초심도 형상 측정 현미경 VK-9500(이 모두 Keyence사에 의해 제조), 표면 형상 측정 시스템 SURFACE EXPLORER SX-520DR 모형기(Ryoka System사에 의해 제조), 주사형 공용 초점 레이저 현미경 OLS3000(Olympus사에 의해 제조), 리얼 컬러 공용 초점 현미경 OPTELICS C130(Lasertec사에 의해 제조).
광학 현미경으로서는, 예를 들어, 이하의 기기가 이용가능하다. 디지털 마이크로스코프 VHX-500 및 디지털 마이크로스코프 VHX-2000(이 모두 Keyence사에 의해 제조), 3D 디지털 마이크로스코프 VC-7700(Omron사에 의해 제조).
전자 현미경으로서는, 예를 들어, 이하의 기기가 이용가능하다. 3D 리얼 표면 시점 현미경 VE-9800 및 3D 리얼 표면 시점 현미경 VE-8800(이 모두 Keyence사에 의해 제조), 주사형 전자 현미경 통상/가변 압력 SEM(SII Nano Technology사에 의해 제조), 주사형 전자 현미경 SUPER SCAN SS-550(Shimadzu사에 의해 제조).
원자력 현미경으로서는, 예를 들어, 이하의 기기가 이용가능하다. 나노스케일 하이브리드 현미경 VN-8000(Keyence사에 의해 제조), 주사형 프로브 현미경 NanoNavi Station(SII Nano Technology사에 의해 제조), 주사형 프로브 현미경 SPM-9600(Shimadzu사에 의해 제조).
상기 현미경을 이용하여, 소정의 배율에 의해, 측정 시야 내의 표면 형상을 관찰하여 표면 형상 및 요철의 크기나 깊이를 측정할 수 있다. 또한, 해석 소프트에 의한 자동 계산도 가능하다.
일례로서, Surface Explorer SX-520DR형 기기에 의한 해석 프로그램을 이용한 측정예에 대해서 설명한다. 측정 대상의 전자 사진 감광체를 워크 거치대에 설치한다. 틸트 조정하여 수평을 일치시키고, 웨이브 모드의 해석기에서 전자 사진 감광체의 둘레면의 3차원 형상 데이터를 받아들인다. 그 때, 100㎛ x 100㎛(10000μ㎡)의 시야 관찰하에서 대물렌즈의 배율을 50배로 설정하여도 좋다.
다음으로, 데이터 해석 소프트 중의 입자 해석 프로그램을 이용해서 전자 사진 감광체 표면의 등고선 데이터를 표시한다.
오목 형상부의 형상, 요철의 크기, 오목부의 깊이와 같은 오목 형상부의 구멍 해석 파라메터는 형성된 오목 형상부에 의해 각각 최적화될 수 있다. 예를 들어, 장축 직경이 약 10㎛인 오목 형상부를 관찰 및 측정할 경우, 장축 직경 상한을 15㎛, 장축 직경 하한을 1㎛, 깊이 하한을 0.1㎛ 및 체적 하한을 1μ㎥ 이상으로 하여 요철의 크기나 깊이의 평균치의 계측이 가능할 수 있다.
<전자 사진 장치>
도10에, 본 발명에 의해 제조된 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 구성의 일례의 개략을 도시한다.
도10에서, 도면부호 "1"은 원통 형상의 전자 사진 감광체이며, 축(2)을 중심으로 하여 화살표 방향으로 소정의 둘레 속도로 회전 구동된다.
회전 구동되는 전자 사진 감광체(1)의 표면은, 대전 수단(대전 롤러와 같은 1차 대전 수단, 3)에 의해, 양 또는 음의 소정 전위에 균일하게 대전된다. 그래서, 전자 사진 감광체는 슬릿 노광이나 레이저 빔 주사 노광의 노광 수단(미도시)으로부터 출력되는 노광 광(화상 노광 광, 4)을 받는다. 이렇게 해서, 전자 사진 감광체(1)의 둘레면에, 원하는 화상에 대응한 정전 잠상이 순차 형성된다. 또한, 대전 수단(3)은, 도10에 도시된 것과 같은 대전 롤러를 이용한 접촉 대전 수단에 한정되지 않고, 코로나 대전기를 이용한 코로나 대전 수단이어도 좋고, 그 밖의 방식의 대전 수단이어도 좋다.
전자 사진 감광체(1)의 둘레면에 형성된 정전 잠상은 현상 수단(5)의 토너에 의해 현상되어서 토너 상을 형성한다. 계속해서, 전자 사진 감광체(1)의 둘레면에 형성 담지되는 토너 상이, 전사 수단(전사 롤러 등, 6)으로부터의 전사 바이어스에 의해, 전자 사진 감광체(1)의 회전과 동기하는 방식으로, 전사재 공급 수단(미도시)으로부터 전자 사진 감광체(1)와 전사 수단(6)과의 사이(접촉부)로 급송된 전사재(보통지, 코팅지 등, P)에 순차 전사된다. 또한, 전사재 대신에, 일단 중간 전사체나 중간 전사 벨트에 토너 상을 전사한 후, 전사재에 더 전사하는 시스템도 가능하다.
토너 상의 전사를 받은 전사재(P)는, 전자 사진 감광체(1)의 둘레면으로부터 분리되어서 정착 수단(8)에 도입되며, 상 정착됨에 따라 화상 형성물(프린트, 카피)로서 장치 외부로 프린트 아웃 된다.
토너 상을 전사한 후의 전자 사진 감광체(1)의 둘레면은, 클리닝 수단(블레이드와 같은 클리닝 수단, 7)에 의해 전사 잔여 토너가 제거된다. 그래서, 표면이 깨끗해 진다. 또한, 예비 노광 수단(미도시)으로부터 방출된 예비 노광 광(미도시)에 의해 제전 처리된 후, 반복 화상 형성에 사용된다.
또한, 도10에 도시한 바와 같이, 대전 수단(3)이 대전 롤러를 이용한 접촉 대전 수단인 경우에는, 예비 노광이 반드시 필요한 것은 아니다.
상술의 전자 사진 감광체(1), 대전 수단(3), 현상 수단(5), 전사 수단(6) 및 클리닝 수단(7)의 구성 요소 중, 복수의 구성 요소를 용기에 수납해서 프로세스 카트리지로서 일체로 결합해서 구성하고, 이 프로세스 카트리지를 복사기나 레이저 빔 프린터와 같은 전자 사진 장치 본체에 착탈 가능하게 구성해도 좋다. 도10에는, 전자 사진 감광체(1)와, 대전 수단(3), 현상 수단(5) 및 클리닝 수단(7)을 일체로 지지해서 카트리지를 형성하고, 전자 사진 장치 본체에 제공된 레일 등의 안내 수단(10)을 이용해서 전자 사진 장치 본체에 착탈 가능한 프로세스 카트리지(9)로 하고 있다.
실시예
이하에, 구체적인 실시예를 들어서 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 또한, 실시예중의 「부」는「중량부」를 의미한다.
(실시예1)
직경 30mm, 길이 357.5mm, 벽 두께 1mm의 알루미늄 실린더를 지지체(원통 형상 지지체)로 사용하였다.
다음으로, 산화 주석의 피복층을 갖는 황산 바륨 입자로 이루어진 분말(상품명: PASTRAN PC1; Mitsui Mining & Smelting사 제조)의 60부, 산화 티탄(상품명: TITANIX JR; Tayca사 제조) 15부, 레졸형 페놀수지(상품명: PHENOLITE J-325, Dainippon Ink & Chemicals사 제조; 고형분 70%) 43부, 실리콘 오일(상품명: SH28PA, Toshiba Silicone사 제조) 0.015부, 실리콘 수지(상품명: TOSPEARL 120, Toshiba Silicone사 제조) 3.6부, 2-메톡시-1-프로판올의 50부 및 메탄올 50부에서 이루어진 용액을 약 20시간, 볼밀에 의해 분산시켜 도전층용 도료를 준비하였다. 이와 같이 하여 준비한 도전층용 분산액을 알루미늄 실린더 상에 침지법에 의해 도포하고, 140℃의 온도로 오븐에서 1시간 가열 경화함으로써, 막 두께가 15㎛인 수지층을 형성하였다.
다음으로, 공중합체 나일론 수지(상품명: AMILAN CM8000, Toray Industries사 제조) 10부와 메톡시 메틸화 6 나일론 수지(상품명: TORESIN EF-30T, Teikoku Chemical Industry사 제조) 30부를, 메탄올 400부 및 n-부탄올 200부의 혼합 용매에 용해한 용액을, 상기 수지층 위에 침지 도포하고, 온도 100℃의 오븐에서 30분간 가열 건조함으로써, 막 두께가 0.45㎛의 중간층을 형성하였다.
다음으로, CuKα 특성 X선 회절의 Bragg 각도 2θ±0.2°의 7.4° 및 28.2°에서 강한 피크를 갖는 하이드록시갈륨 프탈로시아닌 20부, 하기 화학식(1)으로 표현되는 카리엑실렌(carixarene) 0.2부,
Figure pat00001
폴리비닐 부티랄(상품명: S-LEC BX-1, Sekisui Chemical사 제조) 10부 및 시클로헥사논 600부를, 직경 1mm 글라스 비드(glass bead)를 이용한 샌드밀 장치로 4시간 분산한 후, 아세트산 에틸 700부를 더해서 전하 발생층용 분산액을 준비하였다. 이를 침지 코팅법으로 도포하고, 온도 80℃의 오븐에서 15분간 가열 건조함으로써, 막 두께가 0.170㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
다음으로, 하기 화학식(2)으로 표현된 정공 수송성 화합물 70부
Figure pat00002
및 폴리카보네이트 수지(상품명: IUPILON Z400, Mitsubishi Engineering Plastics사 제조) 100부를, 모노클로로벤젠 600부 및 메티롤(methylol) 200부의 혼합 용매에 용해하여 전하 수송층 분산액을 준비하였다. 딥 코팅 후, 온도 100℃의 오븐에서 30분간 가열 건조함으로써, 전하 발생층에 상기 전하 수송층 도료가 도포되어, 막 두께가 15㎛인 전하 수송층을 형성하였다.
다음으로, 분산제로서, 불소 원자 함유 수지(상품명: GF-300, Toagosei Chemical사 제조) 0.5부를, 1, 1, 2, 2, 3, 3, 4-헵타플루오르싸이클로펩탄(heptafluorocyclopentane) (상품명: ZEOROLA H, Nippon Zeon사 제조) 30부 및 1-프로판올 30부의 혼합 용매에 용해한 후, 윤활제로서 테트라플루오르에틸렌 수지분말(상품명: LUBRON L-2, Daikin Industries사 제조) 10부를 더해, 고압 분산기(상품명: MICROFLUIDIZER M-110EH, 미국 Microfluidics사 제조)에 의해 600kgf/㎠의 압력으로 4회 처리를 실시하여 균일하게 분산되게 하였다. 이것을 Polyfron filter(상품명: PF-040, Advantec사 제조)로 여과하여 윤활제 분산액을 준비하였다. 그 후, 하기 식(3)으로 표현되는 정공 수송성 화합물 90부, 1, 1, 2, 2, 3, 3, 4-헵타플루오르싸이클로펩탄 60부 및 1-프로판올 60부를, 윤활제 분산액에 더해, Polyfron filter(상품명: PF-020, Advantec사 제조)로 여과하여 보호층용 도료를 준비하였다.
Figure pat00003
이 도료를 이용하여, 상기 전하 수송층 상에 보호층을 도포한 후, 50℃의 온도로 유지된 오븐 분위기에서 10분간 건조하였다. 그 후, 질소 분위기에서 가속 전압 150kV, 빔 전류 3.0mA의 조건에서 실린더를 200 rpm으로 회전시키면서 1.6초 동안 전자선 조사를 행하였다. 계속해서, 질소 중에서, 25℃로부터 125℃ 까지 30초에 걸쳐 온도를 승온시켜 경화 반응시켰다. 또한, 이때의 전자선 흡수선 량을 측정한 바, 15KGy 이었다. 또한, 전자선 조사 및 가열 경화 반응 분위기에서의 산소 농도는 15 ppm 이하이었다. 그 후, 대기 중에서 최종 전자 사진 감광체를 온도 25℃까지 자연 냉각하고, 온도 100℃로 유지된 오븐 분위기에서 30분 동안 후 가열 처리(post-heat-treatment)를 행하여, 막 두께 5㎛의 경화성 보호층을 형성하였다. 그래서, 전자 사진 감광체를 얻었다.
이로써 얻어진 전자 사진 감광체를, 실온 25℃의 환경에서, 도4c 및 도4d에 도시한 표면 형상 가공 장치에 설치하였다. 가압 부재는 재질을 SUS 스테인레스 강으로 하며, 내부에 가열용의 히터를 설치하였다. 몰드는 도3a, 도3b 및 도3c에 나타나 있는 바와 같은 원통 표면 형상을 갖는 두께 50㎛의 니켈 재질의 몰드를 사용하고, 상기 가압 부재 상에 고정하였다. 또한, 원통의 직경 Y는 5㎛이며, 높이 Z는 2㎛이며, 피치는 7.5㎛ 이었다. 전자 사진 감광체의 원통형 지지체의 내부에는, 지지체의 내경과 거의 동일한 직경을 갖는 원통 형상의 SUS 스레인레스 강의 유지 부재를 삽입하였다. 이때, 가압 부재는 온도 제어되지 않았다. 이상과 같은 구성의 장치를 이용하여, 표1에 도시된 조건 하에서 전자 사진 감광체를 표면 가공하였다. 표1에는, 별도 측정한 전하 수송층의 유리 전이 온도 T1, 전하 수송 물질의 융점 T7을 함께 기재하였다. 또한, 지지체의 온도 T3에 대해서, 온도 제어를 행하지 않은 것에 대해서는, 표면 가공 프로세스를 개시할 때 및 종료할 때의 온도를 기재하였다.
또한, 각종의 온도 측정은 이하의 방법으로 실행된다. 몰드의 온도 T2는, 테이프 접촉형의 열전대(Anritsu Meter사에 의해 제조된 ST-14K-008-TS
1.5-ANP)를 몰드 표면에 접촉시킴으로써 측정되었다. 지지체의 온도 T3는, 지지체 내면에 테이프 접촉형의 열전대를 미리 설치해 둠으로써 측정되었다.
표면 가공 프로세스에 있어서, 전자 사진 감광체의 전하 수송층 온도를 측정하기 위해서, 온도 측정용의 전자 사진 감광체를 별도 제작하였다. 온도 측정용의 전자 사진 감광체를 이하와 같이 제작하였다.
우선, 표면 형상 가공용의 전자 사진 감광체와 마찬가지로, 막 두께가 15㎛의 전하 수송층을 형성한 후, 선단부 직경 25㎛의 극세 열전대(Anbe SMT사에 의해 제조된 KFT-25-100)를 전하 수송층 표면의 4 지점(원통 형상 전자 사진 감광체의 길이 방향으로 4등분)에 은 페이스트로 고정하였다. 그 열전대 상에 별도 제작한 5㎛의 막 두께를 갖는 경화성 보호층의 단독막(1cm 정사각형)을 씌운 후 고정하였다. 이를 온도 측정용 전자 사진 감광체로 사용하였다.
또한, 경화성 보호층의 단독막은, 직경 30mm, 길이 357.5mm, 두께 1mm의 알루미늄 실린더 상에, 막 두께 5㎛의 경화성 보호층을 직접 형성한 것으로부터, 1cm의 정사각형의 보호층을 잘라내어 준비하였다.
이상과 같이 얻어진 온도 측정용의 전자 사진 감광체를 사용하여, 표면 가공 프로세스를 실제로 실행하면서, 표면 가공 프로세스 동안의 온도 변화를 모니터함으로써 온도를 측정하였다. 또한, 전자 사진 감광체의 표면과 몰드와의 가압 접촉부에서의 전하 수송층의 온도 T4를, 상기 닙부 통과시(영역 II)에서의 그 최대값으로 하였다. 또한, 전자 사진 감광체의 표면과 몰드의 가압 접촉부 이외의 전하 수송층의 온도 T6를 가압 접촉부 이외의 온도에서의 최대값으로 하였다.
얻어진 전자 사진 감광체 표면은 레이저 현미경 VK8500(Keyence사 제조)에 의해 관찰되었으며, 오목부 형상 및 직경(장축 직경), 깊이(오목부의 깊이)의 측정을 행했다. 직경(장축 직경) 및 깊이의 측정은 100㎛ 정사각형 당의 관찰의 평균치로 하였다. 형상 전사성의 평가는 이하와 같이 하였다.
A: 몰드에 대한 요철 형상의 직경은 98% 이상의 재현성, 깊이는 60% 이상의 재현성 있음.
B: 몰드에 대한 요철 형상의 직경은 95% 이상의 재현성, 깊이는 45% 이상의 재현성 있음.
C: 몰드에 대한 요철 형상의 직경은 90% 이상의 재현성, 깊이는 25% 이상의 재현성 있음.
D: 몰드에 대한 요철 형상의 직경은 60% 이상의 재현성, 깊이는 10% 이상의 재현성 있음.
E: 몰드에 대한 요철 형상의 직경은 60% 미만의 재현성, 깊이는 10% 미만의 재현성 있음.
결과를 표1에 도시한다. 본 실시예의 제조 방법은 양호한 형상 전사성을 보였다.
Figure pat00004
(실시예2 ~ 실시예4)
실시예1에서, 표1에 도시한 조건에 의해 표면 형상의 가공을 행한 이외에는 실시예1과 동일한 방식으로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 동일한 방식으로 이루어졌다.
(실시예5)
실시예1에서, 지지체 내부의 유지 부재의 재질을 SUS 스테인레스 강으로부터 알루미늄으로 변경한 것 이외는, 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 동일한 방식으로 이루어졌다. 그 결과, 지지체의 온도 상승이 관측되어, 형상 재현성이 조금 저하하는 경향이 있었다.
(실시예6)
실시예1에 있어서, 몰드의 온도를 135℃에서 100℃로 변경하고, 표면 가공 압력을 8MPa에서 30Mpa로 변경한 이외는, 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 표면 가공 프로세스 동안에 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부의 전하 수송층의 온도가 유리 전이 온도보다도 낮기 때문에, 형상 재현성이 저하하는 경향이 있었다.
(실시예7)
실시예1에 있어서, 지지체 내부에 삽입한 유지 부재를 표면 가공 프로세스 동안 45℃로 유지하도록 온도 제어를 행하고, 표1에 도시한 조건에 의해 표면 형상의 가공을 행한 것 이외에는 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 대부분의 표면 형상 재현성은 양호했지만, 지극히 일부에 있어 부분적인 형상 재현성의 저하가 보여졌다. 이는, 표면 가공 프로세스 동안에, 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부의 전하 수송층의 온도가, 전하 수송 물질의 융점을 초과했기 때문이라고 생각된다.
(실시예8)
실시예1에 있어서, 알루미늄 실린더의 벽 두께를 1mm에서 3mm로 변경하고, 지지체 내부에 유지 부재를 삽입하지 않고, 가공 조건을 표1과 같이 변경하여 표면 형상 가공을 행한 것 이외에는 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 지지체가 온도 상승하였고, 형상 재현성이 뒤떨어지는 경향이 있었다.
(실시예9)
실시예7에 있어서, 지지체의 유지 온도를 45℃에서 25℃로 변경하고, 가공 조건을 표1과 같이 변경하여 표면 형상 가공을 실행한 것 이외에는, 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 양호한 형상 재현성을 얻을 수 있었다.
(실시예10 ~ 실시예12)
실시예9에 있어서, 지지체의 유지 온도 및 표면 가공 조건을 표1과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예9와 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 매우 양호한 형상 재현성을 얻을 수 있었다.
(실시예13)
실시예1에 있어서, 전하 수송층의 건조 온도를 120℃로 한 것 이외는, 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 형상 재현성이 약간 저하하는 경향이 있었다. 이것은, 표면 가공 프로세스 동안에, 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부의 전하 수송층의 온도가, 전하 수송층의 건조 온도보다도 낮았기 때문이라고 생각된다.
(실시예14)
실시예13에 있어서, 전하 수송층의 건조 온도를 140℃로 하고, 표면 가공시의 몰드 온도를 160℃로 한 것 이외에는, 실시예13과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 형상 재현성이 약간 저하하는 경향이 있었다. 이것은, 가공 프로세스 동안에 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부의 전하 수송층의 온도가, 전하 수송층의 건조 온도보다도 낮았기 때문이라고 생각된다.
(실시예15)
실시예1에 있어서, 정공 수송성 화합물(2)을 하기 화학식(4)의 화합물로 변경한 것 이외에는, 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였고, 표1에 도시하는 조건 하에서 표면 형상 가공을 행했다. 그 결과, 양호한 형상 재현성을 얻었다.
Figure pat00005
(실시예16)
실시예12에 있어서, 지지체의 온도를 45℃로 제어한 것 이외에는, 실시예12와 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 매우 양호한 형상 재현성을 얻을 수 있었다.
(실시예17)
실시예16에 있어서, 몰드의 온도를 175℃에서 200℃로 변경한 것 이외에는, 실시예16과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 대부분의 표면 형상의 재현성은 양호했지만, 지극히 일부에 있어 부분적인 형상 재현성의 저하가 보여졌다. 이것은, 표면 가공 프로세스 동안에 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부의 전하 수송층의 온도가, 전하 수송 물질의 융점을 초과했기 때문이라고 생각된다.
(실시예18)
실시예16에 있어서, 사용한 몰드를 도11a 및 도11b에 도시한 몰드(몰드의 표면 형상: 6각 기둥, 각각의 기둥의 장축 직경 Rpc: 1.0㎛, 6각 기둥 간의 간격(D): 0.5㎛, 각각의 기둥의 높이(F): 1.0㎛)로 변경한 것 이외에는, 실시예16과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 매우 양호한 형상 재현성을 얻을 수 있었다.
(실시예19)
실시예16에 있어서, 사용한 몰드를 도12a 및 도12b에 도시한 몰드(몰드의 표면 형상: 산형, 각각의 산형 장축 직경 Rpc: 10.0㎛, 산형 간격 간격(D): 3.0㎛, 각각의 산형 높이(F): 2.0㎛)로 변경한 것 이외에는, 실시예16과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 매우 양호한 형상 재현성을 얻을 수 있었다.
(실시예20)
실시예16에 있어서, 사용한 몰드를 도13a 및 도13b에 도시한 몰드(몰드의 표면 형상: 원통, 각각의 원통의 장축 직경 Rpc: 2.0㎛, 원통 간의 간격(D): 0.5㎛, 각각의 원통의 높이(F): 5.0㎛)로 변경한 것 이외에는, 실시예16과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 양호한 형상 재현성을 얻을 수 있었다.
(실시예21)
실시예20에 있어서, 전하 수송층의 건조 온도를 155℃로 한 것 이외에는, 실시예20과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 형상 전사성이 저하하는 경향이 있었다. 이것은, 표면 가공 프로세스 동안에 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부의 전하 수송층의 온도가, 전하 수송층의 건조 온도보다도 낮았기 때문이라고 생각된다.
(실시예22)
실시예1과 마찬가지로 전하 수송층까지 형성하고, 경화성 보호층을 갖지 않는 전자 사진 감광체를 제작했다. 그 후, 지지체의 온도를 35℃로 제어한 것 이외에는 실시예1과 마찬가지로 표면 형상의 가공을 행하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 실시예1에 비하여, 특히, 깊이 방향의 형상 재현성이 향상되었다. 이것은, 열가소성 수지와 전하 수송 물질을 포함하는 전하 수송층의 표면 형상 가공에 있어서, 보호층의 내부 응력에 의한 형상 변화가 없는 것에 의한 것으로 추측된다.
(실시예23)
실시예22에 있어서, 폴리카보네이트 수지(상품명: IUPILON Z400, Mitsubishi Engineering-Plastics사 제조)를 하기 화학식(5)의 수지로 변경하고, 표1에 도시하는 조건으로 표면 형상 가공을 행한 이외에는, 실시예22과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 매우 양호한 형상 재현성을 얻을 수 있었다.
Figure pat00006
(공중합체 비 m:n = 7:3, 중량 평균 분자량: 130,000)
(실시예24)
실시예23에서, 표1에 도시한 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예23과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 표면 형상 전사는 되었지만, 형상 재현성이 저하하는 경향에 있었다. 이것은, 표면 가공 프로세스 동안에 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부의 전하 수송층의 온도가, 전하 수송층의 건조 온도보다도 낮았기 때문이라고 생각된다.
(실시예25)
실시예23에서, 표1에 도시한 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예23과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 실시예23에서 보다 깊이 방향의 양호한 형상 재현성을 얻을 수 있었다. 이것은 표면 가공 프로세스 동안에 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부의 전하 수송층의 온도가, 전하 수송층의 건조 온도보다 높아졌기 때문이라고 생각된다.
(실시예26)
실시예23에서, 지지체의 온도 제어를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예23와 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 양호한 형상 전사성을 얻을 수 있었다.
(비교예1)
실시예1에서, 지지체 내부에 삽입한 유지 부재를 가공 프로세스 동안에 85℃로 유지하도록 온도 제어한 것 이외에는, 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 가공 프로세스 동안에 지지체의 온도가 유리 전이 온도보다 높은 것에 의한 대폭적인 형상 변형이 관측되었다. 그래서, 충분한 형상 재현성이 얻어질 수 없었다.
(비교예2)
실시예1에서, 지지체 내부에 삽입한 유지 부재를 가공 프로세스 동안 100℃로 유지하도록 온도 제어를 한 것 이외에는, 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 표면 가공 프로세스 동안의 지지체의 온도가, 유리 전이 온도보다 높은 것에 의한 대폭적인 형상 변형이 관측되었다. 그래서, 충분한 형상 재현성이 얻어질 수 없었다.
(비교예3)
실시예1에서, 지지체 내부에 삽입한 유지 부재를 표면 가공 프로세스 동안에 25℃로 유지하도록 온도 제어를 행하고, 표1에 도시한 가공 조건으로 변경한 것 이외에는 실시예1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 표면 가공 프로세스 동안에 전자 사진 감광체의 표면과 몰드 사이의 가압 접촉부에서의 전하 수송층의 온도가 유리 전이 온도보다도 대폭으로 낮기 때문에, 표면 형상 전사를 할 수 없었다.
(비교예4)
실시예8에서, 표1에 도시한 가공 조건으로 변경한 것 이외에는 실시예8와 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 충분한 형상 재현성이 얻어질 수 없었다. 이것은, 표면 가공 프로세스 동안의 지지체의 온도가 전하 수송층의 유리 전이 온도를 초과한 것에 의한 것으로 생각된다.
(비교예5)
실시예22에서, 지지체의 온도를 85℃로 제어한 것 이외에는, 실시예22와 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제작하였다. 평가 또한 마찬가지로 이루어졌다. 그 결과, 표면 가공 프로세스 동안의 지지체의 온도가 유리 전이 온도보다 높은 것에 의한 대폭적인 형상 변형이 관측되었다. 따라서, 충분한 형상 재현성이 얻어질 수 없었다.
이 출원은 2006년 1월 31일에 출원된 일본특허 출원 번호 제2006-022896, 2006년 1월 31일에 출원된 일본특허 출원 번호 제2006-022898, 2006년 1월 31일에 출원된 일본특허 출원 번호 제2006-022899 및 2007년 1월 26일에 출원된 일본특허 출원 번호 제2007-016218을 우선권 주장하며, 그 내용을 인용하여 본 출원의 일부로 한다.
1-1: 가압 부재
1-2: 전자 사진 감광체
1-3: 몰드
1-4 및 1-5: 지지 부재
1-6: 백업 롤
1-7 및 1-8: 베이스판

Claims (10)

  1. 원통 형상 지지체에 적어도 전하 수송층을 갖는 전자 사진 감광체의 표면과, 미세한 요철 형상을 갖는 몰드를 가압 접촉시킴으로써, 상기 미세한 요철 형상을 상기 전자 사진 감광체의 표면에 전사하는 공정을 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법이며,
    상기 전하 수송층의 유리 전이 온도를 T1℃, 상기 몰드의 온도를 T2℃, 상기 지지체의 온도를 T3℃라 했을 때, T3 < T1 < T2가 되도록 상기 몰드 및 상기 지지체의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전자 사진 감광체의 표면과 상기 몰드의 가압 접촉부에서의 상기 전하 수송층의 온도의 최대값을 T4℃라 했을 때, T1 < T4가 되는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전하 수송층이, 적어도 바인더 수지 및 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층용 도포액의 도포 공정 및 건조 공정에 의해 형성되고, 상기 건조 공정에서의 전하 수송층의 온도의 최대값을 T5℃라 했을 때, T5 < T4가 되는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전자 사진 감광체의 표면과 상기 몰드의 가압 접촉부 이외에서의 상기 전하 수송층의 온도의 최대값을 T6℃라 했을 때, T6 < T1가 되는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 전하 수송 물질의 융점을 T7℃라 했을 때, T4 < T7가 되는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 원통 형상 지지체보다 열용량이 큰 부재를 상기 원통 형상 지지체의 내부에 삽입하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 열용량이 큰 부재가 상기 원통 형상 지지체의 온도를 제어하는 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열용량이 큰 부재가 냉각 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전자 사진 감광체의 표면의 둘레 방향에 대하여 연속적으로 상기 미세한 요철 형상을 전사하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  10. 원통 형상 지지체와, 이 원통 형상 지지체 상의 유리 전이 온도 T1℃의 전하 수송층을 갖으며, 또한, 미세한 요철 형상을 표면에 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법이며,
    상기 요철 형상에 대응하는 요철 형상을 갖고, 또한, 온도 T2℃의 몰드를 전자 사진 감광체의 둘레면에 가압 접촉시켜, 상기 몰드 및 상기 전자 사진 감광체의 적어도 한쪽을 회전시켜서 상기 전자 사진 감광체의 둘레면에 상기 몰드의 요철 형상을 전사하는 공정을 가지며,
    상기 공정을, 하기의 부등식으로 나타낸 관계를 유지시키면서 행하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체의 제조 방법
    T3 < T1 < T2
    (단, 상기 부등식 중, T3은 상기 원통 형상 지지체의 온도를 나타낸다).
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4041921B1 (ja) * 2007-01-26 2008-02-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体製造方法
JP4235673B2 (ja) * 2007-07-17 2009-03-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
WO2009049299A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Liquidia Technologies, Inc. System and method for producing particles and patterned films
JP4590484B2 (ja) 2008-12-08 2010-12-01 キヤノン株式会社 電子写真装置およびプロセスカートリッジ
JP2010160184A (ja) 2009-01-06 2010-07-22 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
EP2391925B1 (en) 2009-01-30 2018-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP4663819B1 (ja) 2009-08-31 2011-04-06 キヤノン株式会社 電子写真装置
JP5318204B2 (ja) 2009-12-04 2013-10-16 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5629588B2 (ja) * 2010-01-15 2014-11-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4940370B2 (ja) 2010-06-29 2012-05-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
CN103109236B (zh) 2010-09-14 2015-03-25 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和制造电子照相感光构件的方法
JP4948670B2 (ja) 2010-10-14 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP5036901B1 (ja) 2010-10-29 2012-09-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP4959022B2 (ja) 2010-10-29 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4975185B1 (ja) 2010-11-26 2012-07-11 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面層の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面層の表面に凸凹形状が形成された円筒状電子写真感光体を製造する方法
JP4959024B1 (ja) 2010-12-02 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5089816B2 (ja) 2011-04-12 2012-12-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5697527B2 (ja) * 2011-04-20 2015-04-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体の表面加工方法、および電子写真感光体の製造方法
US8628823B2 (en) * 2011-06-16 2014-01-14 Xerox Corporation Methods and systems for making patterned photoreceptor outer layer
JP5827612B2 (ja) 2011-11-30 2015-12-02 キヤノン株式会社 ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、及び該ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法を用いた電子写真感光体の製造方法
JP6071439B2 (ja) 2011-11-30 2017-02-01 キヤノン株式会社 フタロシアニン結晶の製造方法、および電子写真感光体の製造方法
JP5993720B2 (ja) 2011-11-30 2016-09-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5884459B2 (ja) * 2011-12-15 2016-03-15 三菱化学株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP6105974B2 (ja) 2012-03-15 2017-03-29 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法、および電荷輸送層用乳化液
JP5921471B2 (ja) 2012-04-17 2016-05-24 キヤノン株式会社 電子写真感光体の表面加工方法、および電子写真感光体を製造する方法
US9404198B2 (en) * 2012-07-30 2016-08-02 Rayton Solar Inc. Processes and apparatuses for manufacturing wafers
US9499921B2 (en) 2012-07-30 2016-11-22 Rayton Solar Inc. Float zone silicon wafer manufacturing system and related process
WO2014088107A1 (ja) * 2012-12-06 2014-06-12 Ｓｃｉｖａｘ株式会社 ローラ式加圧装置、インプリント装置、ローラ式加圧方法
JP6212350B2 (ja) * 2013-10-16 2017-10-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体の表面加工方法、及び電子写真感光体の製造方法
JP6282130B2 (ja) * 2014-02-10 2018-02-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面に凸凹形状を有する電子写真感光体を製造する方法
JP6317597B2 (ja) * 2014-02-27 2018-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体の表面加工方法、および表面に凹凸形状を有する電子写真感光体の製造方法
WO2015186736A1 (ja) * 2014-06-03 2015-12-10 Ｓｃｉｖａｘ株式会社 ローラ式加圧装置、インプリント装置およびローラ式加圧方法
JP6588731B2 (ja) 2015-05-07 2019-10-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6541429B2 (ja) * 2015-05-22 2019-07-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
MX371240B (es) * 2015-05-27 2020-01-16 Landa Labs 2012 Ltd Dispositivo de proyeccion de imagen.
JP6639256B2 (ja) 2016-02-10 2020-02-05 キヤノン株式会社 電子写真装置、およびプロセスカートリッジ
JP6842984B2 (ja) * 2016-06-17 2021-03-17 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面加工方法、及び円筒状電子写真感光体の製造方法
JP6921612B2 (ja) 2017-05-02 2021-08-18 キヤノン株式会社 画像形成装置
US10268132B2 (en) 2017-06-15 2019-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Charging roller, cartridge, image forming apparatus and manufacturing method of the charging roller
KR20190038976A (ko) * 2017-10-02 2019-04-10 삼성전자주식회사 임프린트 장치
JP7240124B2 (ja) 2017-10-16 2023-03-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7046571B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7187270B2 (ja) 2017-11-24 2022-12-12 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7057104B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-19 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置
KR20200037703A (ko) * 2018-10-01 2020-04-09 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 전자사진 감광체, 및 이 전자사진 감광체를 포함하는 전자사진 카트리지 및 전자사진 화상형성장치
JP7222670B2 (ja) 2018-11-16 2023-02-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP7171395B2 (ja) * 2018-11-30 2022-11-15 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面に凹凸形状を形成する方法および円筒状電子写真感光体の製造方法
JP7269111B2 (ja) 2019-06-25 2023-05-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7353824B2 (ja) 2019-06-25 2023-10-02 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7305458B2 (ja) 2019-06-25 2023-07-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US11126097B2 (en) 2019-06-25 2021-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US11320754B2 (en) 2019-07-25 2022-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
US11573499B2 (en) 2019-07-25 2023-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7413115B2 (ja) 2020-03-26 2024-01-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609259B2 (ja) 1975-08-23 1985-03-08 三菱製紙株式会社 電子写真用感光材料
JPS5392133A (en) 1977-01-25 1978-08-12 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photosensitive material
JPS5794772A (en) 1980-12-03 1982-06-12 Ricoh Co Ltd Polishing method of surface of organic electrophotographic photoreceptor
JPH02150850A (ja) 1988-12-02 1990-06-11 Canon Inc 電子写真感光体の表面粗面化法
JPH08118469A (ja) 1994-10-21 1996-05-14 Dainippon Printing Co Ltd エンボスシートの製造方法及び製造装置
JPH10104988A (ja) * 1996-10-02 1998-04-24 Canon Inc 金属円周面の加工方法及びその加工品
JPH11207913A (ja) 1998-01-26 1999-08-03 Dainippon Printing Co Ltd エンボス化粧シートの製造装置
JP2001066814A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、その製造方法、電子写真プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2002214414A (ja) 2001-01-22 2002-07-31 Omron Corp マイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、該光学素子の製造方法及び装置
JP2002251801A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Sony Corp ディスク状記録媒体の製造方法及び信号転写装置
JP3876631B2 (ja) * 2001-03-01 2007-02-07 オムロン株式会社 マイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、反射板の製造方法及び装置
JP3925163B2 (ja) * 2001-11-08 2007-06-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 電子写真装置
JP2003156870A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Konica Corp 電子写真装置
JP4220282B2 (ja) 2003-03-20 2009-02-04 株式会社日立製作所 ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
JP2005173558A (ja) * 2003-11-21 2005-06-30 Seiko Epson Corp 円周面の加工方法、現像ローラ及び感光ドラムの製造方法並びに現像ローラ及び感光ドラム
JP2005199455A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Meiki Co Ltd 光学製品の転写成形装置および転写成形方法
JP4027407B2 (ja) * 2004-03-26 2007-12-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
WO2005093518A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Canon Kabushiki Kaisha 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4569185B2 (ja) * 2004-06-15 2010-10-27 ソニー株式会社 フィルム構造体の形成方法及びフィルム構造体
JP4169726B2 (ja) * 2004-06-25 2008-10-22 株式会社リコー 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP2006017810A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Canon Inc 定着装置
JP2006022898A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Bridgestone Corp Ｅａ材及びその取付構造
JP4286735B2 (ja) 2004-07-08 2009-07-01 シャープ株式会社 携帯機器
JP2006022896A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Daido Metal Co Ltd 複層軸受材料およびその製造方法
JP4963877B2 (ja) 2005-06-10 2012-06-27 日本合成化学工業株式会社 合成樹脂エマルジョン組成物の再分散性粉末

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