JP6704739B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents
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Description
この要求に対して、従来から、電子写真感光体の表面層に耐摩耗性の高い樹脂(硬化性樹脂など)を用いるなどの改良技術が用いられている。
一方、電子写真感光体の表面の耐摩耗性を高めることによって生じる課題として、クリーニング性能の低下が挙げられる。
クリーニング性能を改善する技術として、特許文献1には、電子写真感光体の表面に特定の溝形状部を有する電子写真感光体が開示されている。
特許文献2には、トナー像担持体の外周面に特定の溝形状部を有するトナー像担持体が開示されている。
該溝形状部の幅をw(μm)としたとき、wは30μm以上100μm以下であり、
該溝形状部の深さをd(μm)としたとき、dは1μm以上5μm以下であり、
該山形状部が、電子写真感光体の周方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であることを特徴とする電子写真感光体である。
該山形状部は電子写真感光体の周方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であり、
隣り合う山形状部の上り勾配の少なくとも一方が電子写真感光体の軸方向に対して20μm以上ずれていることを特徴とする電子写真感光体である。
該電子写真感光体の表面が、該電子写真感光体の周方向に連続した山形状部及び溝形状部を該電子写真感光体の軸方向に対して交互に有し、
該溝形状部の幅をw(μm)としたとき、wは30μm以上100μm以下であり、
該溝形状部の深さをd(μm)としたとき、dは1μm以上5μm以下であり、
該山形状部が、電子写真感光体の回転方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
該電子写真感光体の表面が、該電子写真感光体の周方向に連続した山形状部及び溝形状部を該電子写真感光体の軸方向に対して交互に有し、
該山形状部は電子写真感光体の回転方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であり、
隣り合う山形状部の上り勾配の少なくとも一方が電子写真感光体の軸方向に対して20μm以上ずれていることを特徴とするプロセスカートリッジである。
電子写真感光体の表面における溝形状部の幅と深さが一定範囲内にあるとき、クリーニングブレードは溝形状部にも追従するが、溝形状部への当接圧は下がる。その結果、平均的な摩擦係数が低減することでクリーニングブレードの長手方向の大きなねじれや振動(ビビり)が抑制される。さらに、電子写真感光体の表面の山形状部が上り勾配および下り勾配を特定の距離内に有していることで、山形状部において当接圧が常に高い状態で保たれることが抑制される。その結果、山形状部におけるクリーニングブレードの変形やそれに伴うクリーニングブレードの振動が抑制され、ミクロな領域のクリーニングブレードの挙動がさらに均一化される。これにより、クリーニングブレードと電子写真感光体の摺擦状態の均一化が飛躍的に向上することで、電子写真感光体上への付着物や摺擦の不均一により生じるメモリーが抑制され、H/H初期スジの抑制効果が発現しているものと発明者らは考えている。
該溝形状部の幅をw(μm)としたとき、wは30μm以上100μm以下であり、
該溝形状部の深さをd(μm)としたとき、dは1μm以上5μm以下であり、
該山形状部が、電子写真感光体の周方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下である溝形状部および山形状部が設けられる。
該山形状部は電子写真感光体の周方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であり、
隣り合う山形状部の上り勾配の少なくとも一方が電子写真感光体の軸方向に対して20μm以上ずれている溝形状部および山形状部が設けられる。
(株)キーエンス製の超深度形状測定顕微鏡VK−8550、超深度形状測定顕微鏡VK−9000、超深度形状測定顕微鏡VK−9500、VK−X200、(株)菱化システム製の表面形状測定システムSurface Explorer SX−520DR型機、オリンパス(株)製の走査型共焦点レーザー顕微鏡OLS3000、レーザーテック(株)製のリアルカラーコンフォーカル顕微鏡オプリテクスC130。
(株)キーエンス製のデジタルマイクロスコープVHX−500、デジタルマイクロスコープVHX−200、オムロン(株)製の3DデジタルマイクロスコープVC−7700。
(株)キーエンス製の3Dリアルサーフェスビュー顕微鏡VE−9800、3Dリアルサーフェスビュー顕微鏡VE−8800、エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)製の走査型電子顕微鏡コンベンショナル/Variable Pressure SEM、(株)島津製作所製の走査型電子顕微鏡SUPERSCAN SS−550。
(株)キーエンス製のナノスケールハイブリッド顕微鏡VN−8000、エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)製の走査型プローブ顕微鏡NanoNaviステーション、(株)島津製作所製の走査型プローブ顕微鏡SPM−9600。
まず、電子写真感光体の表面を顕微鏡で拡大観察する。例えば、電子写真感光体が円筒状である場合のように電子写真感光体の表面(周面)が周方向に曲がった曲面となっている場合は、その曲面の断面プロファイルを抽出し、曲線(電子写真感光体が円筒状であれば円弧)をフィッティングする。図1に、フィッティングの例を示す。図1に示す例は、電子写真感光体が円筒状である場合の例である。図1中、実線の101は電子写真感光体の表面(曲面)の断面プロファイルであり、破線の102は断面プロファイル101にフィッティングした曲線である。その曲線102が直線になるように断面プロファイル101の補正を行い、得られた直線を電子写真感光体の長手方向(周方向に直交する方向)に拡張した面を基準面とする。電子写真感光体が円筒状でない場合も、円筒状である場合と同様にして基準面を得る。
得られた基準面の一辺500μmの正方形領域における、得られた基準面よりも上方に位置する部分を山形状部とする。基準面から山形状部の最高点までの距離を山形状部の高さとする。
図4(a)〜(h)に、山形状部の周方向の断面部の形状の例を示す。
本発明において、隣り合う山形状部の上り勾配の少なくとも一方は軸方向に対して20μm以上ずれていることがH/H初期スジの低減の点から好ましい。さらに、隣り合う山形状部の上り勾配の何れも軸方向に対して20μm以上ずれていることがより好ましい。
形成するべき溝形状部および山形状部に対応した山部および溝部を有するモールドを電子写真感光体の表面に圧接し、形状転写を行うことにより、電子写真感光体の表面に溝形状部および山形状部を形成することができる。
図5に、電子写真感光体の表面に溝形状部および山形状部を形成するための圧接形状転写加工装置の例を示す。
図5に示す圧接形状転写加工装置によれば、被加工物である電子写真感光体51を回転させながら、その表面(周面)に連続的にモールド52を接触させ、加圧することにより、電子写真感光体51の表面に溝形状部および山形状部を形成することができる。
なお、形状転写を効率的に行う観点から、モールド52や電子写真感光体51を100℃以上に加熱することが好ましい。
本発明の電子写真感光体は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する。
電子写真感光体の形状としては、例えば、円筒状、ベルト(エンドレスベルト)状、シート状などが挙げられる。
支持体の表面は、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制を目的として、切削処理、粗面化処理、アルマイト処理などを施してもよい。
導電層の膜厚は、0.2μm以上40μm以下であることが好ましく、1μm以上35μm以下であることがより好ましく、5μm以上30μm以下であることがさらにより好ましい。
導電性顔料および抵抗調節顔料としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、ニッケル、銀、ステンレスなどの金属(合金)の粒子や、これらをプラスチックの粒子の表面に蒸着したものなどが挙げられる。また、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズがドープされている酸化インジウム、アンチモンやタンタルがドープされている酸化スズなどの金属酸化物の粒子を用いることもできる。これらは、1種のみ用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。2種以上を組み合わせて用いる場合は、混合するだけでもよいし、固溶体や融着の形にしてもよい。
下引き層は、樹脂(結着樹脂)を溶剤に溶解させることによって得られる下引き層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
下引き層に用いられる樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリ−N−ビニルイミダゾール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、エチレン−アクリル酸共重合体、カゼイン、ポリアミド、N−メトキシメチル化6ナイロン、共重合ナイロン、にかわ、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。
金属酸化物粒子は、金属酸化物粒子の表面がシランカップリング剤などの表面処理剤で処理されている粒子であってもよい。
金属酸化物粒子の分散方法としては、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ロールミル、振動ミル、アトライター、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。
電荷発生物質と結着樹脂の質量比は、1:0.3〜1:4の範囲であることが好ましい。
分散処理方法としては、例えば、ホモジナイザー、超音波分散、ボールミル、振動ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルなどを用いる方法が挙げられる。
電荷輸送層の膜厚は、5〜50μmであることが好ましく、10〜35μmであることがより好ましい。
本発明においては、例えば、電荷発生層上の電荷輸送層を電子写真感光体の表面層として架橋有機高分子で構成することができる。また、電荷発生層上の電荷輸送層上に第二電荷輸送層または保護層として架橋有機高分子で構成された表面層を形成することができる。また、架橋有機高分子で構成された表面層に要求される特性は、膜の強度と電荷輸送能力の両立であり、その観点から、電荷輸送物質または導電性粒子と、架橋重合性のモノマー/オリゴマーとを用いて表面層を形成することが好ましい。
電荷輸送物質としては、上述の電荷輸送物質を用いることができる。また、導電性粒子としては、公知の導電性粒子を用いることができる。架橋重合性のモノマー/オリゴマーとしては、例えば、アクリロイルオキシ基やスチリル基などの連鎖重合性官能基を有する化合物や、水酸基、アルコキシシリル基、イソシアネート基などの逐次重合性官能基を有する化合物などが挙げられる。
また、膜の強度と電荷輸送能力の両立の観点から、同一分子内に電荷輸送性構造(好ましくは正孔輸送性構造)およびアクリロイルオキシ基の両方を有する化合物を用いることがより好ましい。
架橋硬化させる方法としては、例えば、熱、紫外線、放射線を用いる方法が挙げられる。
架橋有機高分子で構成された表面層の膜厚は、0.1〜30μmであることが好ましく、1〜10μmであることがより好ましい。
図6に、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の例を示す。
本発明は、放電を利用した帯電手段を用いた場合において、効果が特に大きい。
直径30mm、長さ357.5mmのアルミニウムシリンダーを支持体(円筒状支持体)とした。
この下引き層用塗布液を上記支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を40分間160℃で乾燥させて、膜厚が18μmの下引き層を形成した。
概ね図5に示す構成の圧接形状転写加工装置に、モールドとして概ね図7に示す形状のモールド(本例においては、表1に示すように、山形状の幅X:40μm、溝形状の幅:40μm、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離Y:80μm、上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離:80μm、高さH:2〜6μmの溝形状および山形状)を設置し、作製した溝形状部および山形状部形成前の電子写真感光体に対して表面加工を行った。加工時には、電子写真感光体の表面の温度が120℃になるように電子写真感光体およびモールドの温度を制御し、7.0MPaの圧力で電子写真感光体と加圧部材をモールドに押し付けながら、電子写真感光体を周方向に回転させて、電子写真感光体の表面(周面)の全面に溝形状部および山形状部を形成した。
このようにして、表面に溝形状部および山形状部を有する電子写真感光体を作製した。この電子写真感光体を「感光体−1」とする。
得られた電子写真感光体(感光体−1)の表面を、レーザー顕微鏡((株)キーエンス製、商品名:X−100)で50倍レンズにより拡大観察し、上述のようにして電子写真感光体の表面に設けられた溝形状部および山形状部の判定を行った。観察時には、電子写真感光体の長手方向に傾きが無いように、また、周方向については、電子写真感光体の円弧の頂点にピントが合うように、調整を行った。一辺500μmの正方形領域は、拡大観察を行った画像を画像連結アプリケーションによって連結して得た。また、得られた結果については、付属の画像解析ソフトにより、画像処理高さデータを選択し、フィルタタイプメディアンでフィルタ処理を行った。
上記観察によって溝形状部および山形状部の幅、溝形状部の深さ、上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離、上り勾配、下り勾配、隣合う山形状部の上り勾配のずれの有無、隣り合う山形状部の上り勾配のずれ幅、などを求めた。結果を表2に示す。
感光体−1の製造例において、モールドを表1に示したように変更した以外は、感光体−1の製造例と同様にして電子写真感光体を作製した。これらの電子写真感光体を「感光体−2〜感光体20」とする。感光体−1の製造例と同様にして、得られた電子写真感光体の表面観察を行った。結果を表2に示す。
(実施例1)
感光体−1を、評価装置であるキヤノン(株)製の電子写真装置(複写機)(商品名:iR−ADV C5255)の改造機のシアンステーションに装着し、以下のように試験および評価を行った。
30℃/80%RH環境下で、電子写真感光体の暗部電位(Vd)が−500V、明部電位(Vl)が−180Vになるように帯電装置および画像露光装置の条件を設定し、電子写真感光体の初期電位を調整した。
次に、硬度77°のポリウレタンゴム製クリーニングブレードを、電子写真感光体の表面に対して当接角28°、当接圧30g/cmとなるように設定した。電子写真感光体用のヒーター(ドラムヒーター)をONにした状態で、30℃/80%RH環境下で、A4横の1%印字画像の評価用チャートを連続で200枚出力した後、シアン濃度30%のスクリーン画像をハーフトーン画像として出力し、画像上のH/H初期スジを以下のように評価した。結果を表3に示す。
B:画像上にスジが疑われるような画像が得られるが明確にスジであるかどうかの判定ができないレベルである。
C:画像上に極軽微なスジがわずかに確認できるが画像上問題の無いレベルである。
D:画像上に軽微なスジが発生しているが、画像上許容できるレベルである。
E:画像上に明らかなスジが発生している。画像上許容できないレベルである。
電子写真感光体として表3に示すものを用いた以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体の実機評価を行った。結果を表3に示す。
感光体−1の製造例において、モールドを表4に示したように変更した以外は、感光体−1の製造例と同様にして電子写真感光体「感光体−101〜103」を作製した。感光体−1の製造例と同様にして、得られた電子写真感光体の表面観察を行った。結果を表5に示す。
電子写真感光体として表6に示すものを用いた以外は、実施例1と同様にして電子写真感光体の実機評価を行った。結果を表6に示す。
Claims (8)
- 電子写真感光体の表面に該電子写真感光体の周方向に連続した山形状部及び溝形状部を該電子写真感光体の軸方向に対して交互に有する電子写真感光体であって、
該溝形状部の幅をw(μm)としたとき、wは30μm以上100μm以下であり、
該溝形状部の深さをd(μm)としたとき、dは1μm以上5μm以下であり、
該山形状部が、電子写真感光体の周方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であることを特徴とする電子写真感光体。 - 電子写真感光体の表面に該電子写真感光体の周方向に連続した山形状部及び溝形状部を該電子写真感光体の軸方向に対して交互に有する電子写真感光体であって、
該山形状部は電子写真感光体の周方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であり、
隣り合う山形状部の上り勾配の少なくとも一方が電子写真感光体の軸方向に対して20μm以上ずれていることを特徴とする電子写真感光体。 - 前記隣り合う山形状部の上り勾配が何れも電子写真感光体の軸方向に対して20μm以上ずれていることを特徴とする請求項2に記載の電子写真感光体。
- 円筒状の支持体上に感光層を有する電子写真感光体及びクリーニングブレードを少なくとも有するプロセスカートリッジであって、
該電子写真感光体の表面が、該電子写真感光体の周方向に連続した山形状部及び溝形状部を該電子写真感光体の軸方向に対して交互に有し、
該溝形状部の幅をw(μm)としたとき、wは30μm以上100μm以下であり、
該溝形状部の深さをd(μm)としたとき、dは1μm以上5μm以下であり、
該山形状部が、電子写真感光体の回転方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であることを特徴とするプロセスカートリッジ。 - 請求項4に記載のプロセスカートリッジ、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
- 円筒状の支持体上に感光層を有する電子写真感光体及びクリーニングブレードを少なくとも有するプロセスカートリッジであって、
該電子写真感光体の表面が、該電子写真感光体の周方向に連続した山形状部及び溝形状部を該電子写真感光体の軸方向に対して交互に有し、
該山形状部は電子写真感光体の回転方向に対して上り勾配および下り勾配を有し、
該上り勾配を上り始めてから下り勾配を下りきるまでの距離が300μm以内であり、かつ、下り勾配を下り始めてから上り勾配を上りきるまでの距離が300μm以内であり、
該山形状部の最大上り勾配が、70‰以下であり、
隣り合う山形状部の上り勾配の少なくとも一方が電子写真感光体の軸方向に対して20μm以上ずれていることを特徴とするプロセスカートリッジ。 - 前記隣り合う山形状部の上り勾配が何れも電子写真感光体の軸方向に対して20μm以上ずれていることを特徴とする請求項6に記載のプロセスカートリッジ。
- 請求項6または7に記載のプロセスカートリッジ、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
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