KR20110036778A - 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조 - Google Patents

접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20110036778A
KR20110036778A KR1020117006617A KR20117006617A KR20110036778A KR 20110036778 A KR20110036778 A KR 20110036778A KR 1020117006617 A KR1020117006617 A KR 1020117006617A KR 20117006617 A KR20117006617 A KR 20117006617A KR 20110036778 A KR20110036778 A KR 20110036778A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
adhesive composition
particle
insulating
connection
Prior art date
Application number
KR1020117006617A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101139984B1 (ko
Inventor
다까시 다츠자와
고지 고바야시
도오루 후지나와
나오끼 후꾸시마
Original Assignee
히다치 가세고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 filed Critical 히다치 가세고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20110036778A publication Critical patent/KR20110036778A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101139984B1 publication Critical patent/KR101139984B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29393—Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01061—Promethium [Pm]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10336—Aluminium gallium arsenide [AlGaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10349—Aluminium gallium indium phosphide [AlGaInP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles

Abstract

본 발명은 접착제 성분과, 도전 입자와, 절연 입자를 함유하고, 도전 입자의 평균 입경 Rc에 대한 절연 입자의 평균 입경 Ri의 비(Ri/Rc)가 120 내지 300％인 접착제 조성물에 관한 것이다.

Description

접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조{ADHESIVE COMPOSITION, CIRCUIT CONNECTING MATERIAL AND CONNECTING STRUCTURE OF CIRCUIT MEMBER}
본 발명은 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조에 관한 것이다.　
종래, 서로 대향하는 회로를 가열 및 가압하여 가압 방향의 전극 간을 전기적으로 접속시키는 회로 접속용 접착 필름이 알려져 있다.　 그와 같은 회로 접속용 접착 필름으로서는, 예를 들면, 소위 이방 도전성 접착 필름을 들 수 있다.　 공지된 이방 도전성 접착 필름 중에서도 대표적인 것은 에폭시계 접착제 또는 아크릴계 접착제 등의 접착제 성분 내에 도전 입자를 분산시켜 이루어진다.　 이러한 이방 도전성 접착 필름은, 예를 들면, 액정 디스플레이(이하, 「LCD」라고 표기함)를 구동시키는 반도체가 탑재된 TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip On Flex)와 LCD 패널의 전기적 접속에 이용되고 있다.　 또는, 이방 도전성 접착 필름은, TCP 또는 COF와 인쇄 배선판의 전기적 접속에도 널리 채용되고 있다.
또한, 반도체를 페이스다운으로 직접 LCD 패널이나 인쇄 배선판에 실장하는 경우, 종래에는 와이어 본딩법이 채용되었다. 그러나 최근에는, 이러한 반도체의 실장에는 박형화나 협피치 접속에 유리한 플립 칩 실장이 채용된다. 이 플립 칩 실장에 있어서도, 상술한 이방 도전성 접착 필름이 회로 접속용 접착 필름으로서 이용되고 있다(이상, 특허 문헌 1 내지 4 참조).　
그런데, 최근 들어, LCD 모듈의 COF화 및 파인피치화가 더욱 진행되었다. 그 때문에, 회로 접속용 접착 필름을 이용했을 때에, 인접하는 전극 간의 단락이 보다 발생되기 쉬워졌다.　 그 대응책으로서는, 예를 들면 특허 문헌 5 내지 9에 기재되어 있는 절연 입자를 접착제 성분 내에 분산시켜 단락을 방지하는 수단이 생각된다.　 이들 특허 문헌에 의하면, 도전 입자보다도 작은 입경을 갖는 절연 입자가 이용되고 있다.　
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (소)59-120436호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (소)60-191228호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 (평)1-251787호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 (평)7-90237호 공보
[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 (소)51-20941호 공보
[특허 문헌 6] 일본 특허 공개 (평)3-29207호 공보
[특허 문헌 7] 일본 특허 공개 (평)4-174980호 공보
[특허 문헌 8] 일본 특허 제3048197호 공보
[특허 문헌 9] 일본 특허 제3477367호 공보
여기서, LCD 패널과 COF의 접속에 관해서 도면을 참조하면서 상술한다.　 도 5는 LCD 패널과 COF가 접속되는 양태를 모식적으로 도시하는 단면 공정도이고, 도 6은 이들이 접속된 후의 접속 부분을 확대한 단면 모식도이다.　 LCD 패널 (100)은 LCD 패널 기판 (103)과, 그 위에 설치된 액정 표시부 (104)와 회로 전극 (102)를 구비하고 있다(도 5의 (a) 참조).　 LCD 패널 기판 (103)의 접속부 엣지에는 모따기가 실시되고, 그에 따라 모따기부 (109)가 형성된다.　 한편, COF (200)은 COF용 필름 (205)와, 그 위에 설치된 회로 전극 (206)과 레지스트 (207)을 구비하고 있다(도 5의 (a) 참조).　 또한, 회로 전극 (102) 상에는 도전 입자를 함유하는 회로 접속용 접착 필름 (101)이 구비되어 있다.　 이들 LCD 패널 (100)과 COF (200)은 각각이 구비하고 있는 회로 전극 (102 및 206)을 대향시켜 배치되고, 또한 적층된다.　 이어서, 회로 접속용 접착 필름 (101)을 개재하여 회로 전극 (102 및 206)이 접속되도록, 이들의 적층 방향 F로 가압 및 가열되어, 회로 접속용 접착 필름이 유동 및 경화한다(도 5의 (b) 참조).　 회로 접속용 접착 필름에는 도전 입자가 함유되기 때문에, 그 도전 입자에 의해서 LCD 패널 (100) 및 COF가 전기적으로 접속된다.　
본 발명자들은 이 접속 시에, LCD 패널 기판 (103)의 모따기부 (109)와 레지스트 (207)이 접하도록 배치되기 때문에, 회로 접속용 접착 필름의 경화물 (111)의, LCD 패널 기판 (103)과 회로 전극 (102)와 레지스트 (207)로 포위된 부분에, 용융된 회로 접속용 필름의 유동에 수반하여 이동하여 온 도전 입자 (108)이 응집되어 가득 차는 것을 발견하였다(도 6 참조).　 그 결과, 상술한 바와 같이 인접하는 전극 간의 단락이 발생하기 쉬워진다.　
따라서, COF화 및 파인피치화, 및, LCD 패널의 접속부 엣지에 있어서의 도전 입자의 응집에 기인한 인접하는 전극 간의 단락을 방지할 수 있는 회로 접속용 접착 필름이 필요해진다.　 나아가서는, 그와 같은 전극 간의 단락의 양태를 금속 현미경 등을 이용하여 충분히 시인할 수 있는 회로 접속용 접착 필름이 개발되면, 수율, 신뢰성 검사 등 측면에서 매우 유용하다.　
본 발명의 목적은, 종래의 회로 접속용 접착 필름을 구성하는 접착제 조성물에 비교하여, COF화 및 파인피치화에 대응하여, LCD 패널의 접속부 엣지에 있어서의 도전 입자의 응집을 충분히 억제하는 결과, 인접하는 전극 간의 단락을 충분히 방지할 수 있고, 또한, 접속 신뢰성도 충분히 우수한 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조를 제공하는 데에 있다.　
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 접착제 성분과, 도전 입자와, 절연 입자를 함유하고, 도전 입자의 평균 입경 Rc에 대한 절연 입자의 평균 입경 Ri의 비(Ri/Rc)가 120 내지 300％인 접착제 조성물을 제공한다.　
본 발명의 접착제 조성물에서는 절연 입자가 도전 입자 사이에 개재한다.　 이 절연 입자가 도전 입자보다도 작은 평균 입경을 갖는 경우, 복수의 도전 입자가 응집했을 때에, 절연 입자는 이들 도전 입자 사이에 존재하는 공극을 충전할 뿐이다.　 따라서, 이 경우, 접착제 조성물이 절연 입자를 함유하고 있더라도, 도전 입자의 응집을 유효하게 저지할 수 없어, 인접하는 전극 등의 사이의 단락을 충분 방지할 수 없다.　 그런데, 본 발명의 접착제 조성물에서는, 절연 입자의 평균 입경 Ri가 도전 입자의 평균 입경 Rc보다도 1.2 내지 3배 커져 있다.　 그 때문에, 응집된 복수의 도전 입자 사이에 생기는 공극을 절연 입자가 충전한다기 보다도, 복수의 절연 입자에 의해서 형성되는 공극에 도전 입자가 존재하는 상태로 되어 있어, 도전 입자의 응집이 충분유효하게 억제되어 있다.　 그 때문에, COF화 및 파인피치화가 진행되어도, 이 접착제 조성물을 이용하여 전극이나 접속 단자의 사이를 접속했을 때에, 인접하는 전극 간에서의 단락은 충분히 방지할 수 있다.　
또한, 종래와 같이, 도전 입자보다도 평균 입경이 작은 절연 입자를 이용할 때, 인접하는 전극 등의 단락을 방지하기 위해서, 접착제 조성물 내의 도전 입자의 함유량을 적게 하는 수단도 생각된다.　 그러나, 단락을 충분히 방지할 수 있는 정도까지 도전 입자를 적게 하면, 대향하는 전극 등의 사이의 전기적 접속이 불충분해지게 되어, 접속 신뢰성이 낮아진다.　 그런데, 본 발명의 접착제 조성물에서는, 종래와 달리 절연 입자의 평균 입경 Ri가 도전 입자의 평균 입경 Rc보다도 1.2 내지 3배 커져 있다.　 그 때문에, 대향하는 전극 등의 사이의 전기적 접속을 충분히 확보한 상태에도, 인접하는 전극 등의 단락을 충분히 방지하는 것이 가능해진다.　
게다가, 절연 입자 및 도전 입자 사이의 콘트라스트가 명확하기 때문에, 전극 간이 단락되어 있는지의 여부를 용이하게 시인하는 것이 가능하다.　 그리고, 대향하는 전극이나 접속 단자 간의 전기적 접속은 도전 입자에 의해서 확보되기 때문에, 충분히 우수한 접속 신뢰성이 얻어진다.　 또한, 도전 입자의 평균 입경 Rc가 절연 입자의 평균 입경 Ri보다도 작음에도 불구하고, 충분히 우수한 접속 신뢰성이 얻어지는 것은, 절연 입자가 유연하여 접속시의 가열 및 가압에 의해 대향하는 전극 등의 사이의 도통을 저해하지 않을 정도까지 변형(편평)되기 때문이라고 생각된다.　 다만, 요인은 이것에 한정되지 않는다.　
또한, 본 명세서에 있어서, 도전 입자 및 절연 입자의 평균 입경은 하기와 같이 하여 도출되고 정의되는 것이다.　 우선, 주사 전자 현미경(SEM: 본 발명에서는 히타치 세이사꾸쇼사 제조, 상품명 「S800」)에 의해 3000배의 입자상을 관찰하여, 복수개의 입자를 임의로 선택한다.　 이 때, 정확을 기하기 위해서 30개 이상의 입자를 선택하지만, 입자가 30개를 채우지 않는 경우에는 이것에 한하지 않는다.　 이어서, 선택한 복수개의 입자 각각에 대하여 최대 입경과 최소 입경을 측정한다.　 그리고, 이들 최대 입경 및 최소 입경의 곱의 평방근을 산출하고, 이것을 입자 1개의 입경으로 한다.　 선택한 복수개의 입자 전부에 관해서, 이렇게 해서 입자 1개의 입경을 구한 후, 이들의 입경의 합을 측정된 입자의 개수로 제산하여 도출한 것을 평균 입경으로서 정의한다.　
본 발명의 접착제 조성물은 접착제 성분 100 질량부에 대하여, 절연 입자를 1 내지 20 질량부 함유하는 것이 바람직하다.　 이에 따라, 인접하는 전극 간의 단락 방지 및 우수한 접속 신뢰성의 확보라는 양쪽의 효과를 보다 균형있게 발휘할 수 있다.　
본 발명은 상술한 접착제 조성물을 함유하고, 회로 전극을 갖는 회로 부재끼리를 각각의 회로 부재에 있는 회로 전극끼리가 전기적으로 접속되도록 접착시키기 위해서 이용되는 회로 접속 재료를 제공한다.　 이러한 회로 접속 재료는 본 발명의 접착제 조성물을 함유하기 때문에, 인접하는 전극 간의 단락을 충분히 방지할 수 있고, 접속 신뢰성도 충분히 우수한 것으로 된다.　
본 발명의 회로 접속 재료는 필름 형상으로 형성되어 이루어지는 것이면 바람직하다.　 이에 따라, 회로 접속 재료는 취급성이 우수한 것으로 되기 때문에 한층 편리하다.　
본 발명은 제1 회로 기판의 주면 상에 제1 회로 전극이 형성된 제1 회로 부재와, 제2 회로 기판의 주면 상에 제2 회로 전극이 형성된 제2 회로 부재와, 제1 회로 기판의 주면과 제2 회로 기판의 주면 사이에 설치되고, 제1 회로 전극과 제2 회로 전극을 대향 배치시킨 상태로 전기적으로 접속시키는 회로 접속 부재를 구비하고, 회로 접속 부재는, 상기 회로 접속 재료의 경화물인 회로 부재의 접속 구조를 제공한다.　 이에 따라, 본 발명의 회로 부재의 접속 구조는 회로 접속 부재가 본 발명의 회로 접속 재료의 경화물로 이루어지기 때문에, 인접하는 회로 전극 간의 단락을 충분히 방지할 수 있고, 그 효과의 확인이 충분히 용이하고, 또한, 접속 신뢰성도 충분히 우수한 것으로 된다.　
본 발명은 반도체 소자와, 반도체 소자를 탑재하는 기판과, 반도체 소자 및 기판 사이에 설치되고, 반도체 소자 및 기판을 전기적으로 접속시키는 반도체 소자 접속 부재를 구비하고, 반도체 소자 접속 부재는 상술한 접착제 조성물의 경화물인 반도체 장치를 제공한다.　 이러한 반도체 장치는 반도체 소자 접속 부재가 본 발명의 접착제 조성물의 경화물이기 때문에, 반도체 소자 또는 기판에 있어서의 인접하는 전극 간의 단락을 충분히 방지할 수 있고, 그 효과의 확인이 충분히 용이하고, 또한, 반도체 소자 및 기판 사이의 접속 신뢰성도 충분히 우수한 것으로 된다.
본 발명에 따르면, 종래의 회로 접속용 접착 필름을 구성하는 접착제 조성물에 비교하여, COF화 및 파인피치화에 대응하여, LCD 패널의 접속부 엣지에 있어서의 도전 입자의 응집을 충분히 억제하는 결과, 인접하는 전극 간의 단락을 충분히 방지할 수 있고, 또한, 접속 신뢰성도 충분히 우수한 접착제 조성물을 제공할 수 있다.　
도 1은 본 발명에 따른 회로 부재의 접속 구조의 한 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.　
도 2는 본 발명에 따른 회로 부재의 접속 방법의 한 실시 형태를 개략 단면도에 의해 도시하는 공정도이다.　
도 3은 본 발명의 반도체 장치의 한 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 실시예에 있어서의 회로 부재의 접속 구조의 금속 현미경 사진이다.
도 5는 LCD 패널과 COF와의 접속 공정을 모식적으로 도시하는 단면 공정도이다.　
도 6은 도 5의 (b)의 부분 확대도이다.　
도 7은 본 발명에 의한 LCD 패널과 COF와의 접속 구조를 도시하는 부분 단면도이다.　
도 8은 종래 기술에 의한 LCD 패널과 COF와의 접속 구조를 도시하는 부분 단면도이다.　
<부호의 설명>
1: 회로 부재의 접속 구조
2…반도체 장치
5: 접착제 조성물
7, 108, 307: 도전 입자
8, 308: 절연 입자
10: 회로 접속 부재
11: 절연층
20: 제1 회로 부재
21: 제1 회로 기판
21a: 제1 회로 기판 주면
22: 제1 회로 전극
30: 제2 회로 부재
31: 제2 회로 기판
31a: 제2 회로 기판 주면
32: 제2 회로 전극
40: 회로 접속 재료
50: 반도체 소자
60: 기판
60a: 기판 주면
61: 회로 패턴
65: 반도체 소자 탑재용 기판
70: 밀봉재
80: 반도체 소자 접속 부재
100: LCD 패널
101: 회로 접속용 접착 필름
102, 206: 회로 전극
103: LCD 패널 기판
104: 액정 표시부
109: 모따기부
111: 회로 접속용 접착 필름의 경화물
115: 접착제 조성물의 경화물
200: COF
205: COF용 필름
207: 레지스트
이하, 필요에 따라서 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 관해서 상세히 설명한다.　 또한, 도면 중, 동일 요소에는 동일 부호를 붙이는 것으로 하여 중복하는 설명은 생략한다.　 또한, 상하좌우 등의 위치 관계는 특별히 언급하지 않는 한 도면에 나타내는 위치 관계에 기초하는 것으로 한다.　 또한, 도면의 치수 비율은 도시된 비율에 한정되는 것은 아니다.　 또한, 본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴산」이란 「아크릴산」 및 그것에 대응하는 「메타크릴산」을 의미하고, 「(메트)아크릴레이트」란 「아크릴레이트」 및 그것에 대응하는 「메타크릴레이트」를 의미하고, 「(메트)아크릴옥시기」란 「아크릴옥시기」 및 그것에 대응하는 「메타크릴옥시기」를 의미하고, 「(메트)아크릴로일기」란 「아크릴로일기」 및 그것에 대응하는 「메타크릴로일기」를 의미한다.　
본 발명의 바람직한 실시 형태에 관한 접착제 조성물은, 접착제 성분과, 도전 입자와, 절연 입자를 함유한다.　
접착제 성분은 접착성을 나타내는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 (a) 열경화성 수지와 (b) 그 경화제를 함유하는 것이면, 상술한 본 발명에 의한 효과를 한층 유효하게 발휘할 수 있다.　
(a) 열경화성 수지로서는 에폭시 수지가 바람직하다.　 에폭시 수지는 1분자 내에 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 각종 에폭시 화합물 등을 단독으로, 또는, 그 2종 이상을 혼합하여 이용된다.　 구체적으로는, 에피클로로히드린과 비스페놀 A나 F, AD 등으로부터 유도되는 비스페놀형 에폭시 수지, 에피클로로히드린과 페놀노볼락이나 크레졸노볼락으로부터 유도되는 에폭시노볼락 수지나 나프탈렌환을 포함한 골격을 갖는 나프탈렌계 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다.　 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　 에폭시 수지는, 불순물 이온(Na+, Cl- 등) 및 가수분해성 염소 등을 300 ppm 이하로 감소시킨 고순도품인 것이 전자 마이그레이션 방지를 위해 바람직하다.　
(b) 열경화성 수지의 경화제는 보다 긴 가용 시간을 얻는 관점에서, 잠재성 경화제가 바람직하다.　 열경화성 수지가 에폭시 수지인 경우, 잠재성 경화제로서, 이미다졸계, 히드라지드계, 삼불화붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 폴리아민의 염, 디시안디아미드를 들 수 있다.　 또한, 가용 시간을 연장하는 관점에서, 이들 경화제를 폴리우레탄계, 폴리에스테르계의 고분자 물질 등으로 피복하여 마이크로 캡슐화한 것을 이용하면 바람직하다.　 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수가 있고, 분해촉진제, 억제제 등을 병용할 수도 있다.　
접착제 성분은, (c) 가열 또는 광에 의해서 유리 라디칼을 발생하는 경화제(이하, 「유리 라디칼 발생제」라고도 함) 및 (d) 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 것일 수도 있다.　 이러한 접착제 성분을 이용하더라도, 상술한 본 발명에 의한 효과를 한층 유효하게 발휘할 수 있다.　
(c) 유리 라디칼 발생제로서는, 과산화 화합물(유기 과산화물), 아조계 화합물 또는 광개시제와 같은, 가열 및 광조사 중 적어도 어느 하나의 처리에 의해 활성 라디칼을 발생시키는 화합물이 이용된다.　
유기 과산화물 및 아조계 화합물은 주로 가열에 의해 활성 라디칼을 발생한다.　 이들 화합물을 유리 라디칼 발생제로서 이용하는 경우, 유기 과산화물 및/또는 아조계 화합물로부터 1종 또는 2종 이상을 목적으로 하는 접속 온도, 접속 시간, 가용 시간 등에 따라 적절하게 선택한다.　
유기 과산화물은 높은 반응성과 긴 가용 시간을 양립하는 관점에서, 반감기 10 시간의 온도가 40℃ 이상, 또한, 반감기 1분의 온도가 180℃ 이하인 것이 바람직하고, 반감기 10시간의 온도가 60℃ 이상, 또한, 반감기 1분의 온도가 170℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.　 또한, 유기 과산화물은 회로 부재의 회로 전극(접속 단자)의 부식을 방지하기 위해서, 염소 이온이나 유기산의 함유량이 5000 ppm 이하인 것이 바람직하고, 또한, 가열 분해 후에 발생하는 유기산이 적은 것이 보다 바람직하다.　
(c) 유리 라디칼 발생제는 접착제 성분의 전량에 대하여 0.05 내지 10 질량％ 배합되는 것이 바람직하고, 0.1 내지 5 질량％ 배합되는 것이 보다 바람직하다.
유기 과산화물로서는, 구체적으로는, 디아실퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 퍼옥시디카르보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드 및 실릴퍼옥사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하게 이용된다.　 이 중에서는, 회로 부재의 접속 구조나 반도체 장치에 있어서의 접속 단자의 부식을 더욱 억제하기 위해서, 퍼옥시에스테르, 디알킬퍼옥사이드 및 하이드로퍼옥사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하다.　 나아가서는, 보다 높은 반응성이 얻어지는 점에서, 퍼옥시에스테르가 더욱 바람직하다.　
디아실퍼옥사이드로서는, 예를 들면, 이소부틸퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥사이드, 옥타노일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 스테아로일퍼옥사이드, 숙시닉퍼옥사이드, 벤조일퍼옥시톨루엔 및 벤조일퍼옥사이드를 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
디알킬퍼옥사이드로서는, 예를 들면, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥산 및 t-부틸쿠밀퍼옥사이드를 들 수 있다.　
퍼옥시디카르보네이트로서는, 예를 들면, 디-n-프로필퍼옥시디카르보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카르보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트, 디-2-에톡시메톡시퍼옥시디카르보네이트, 비스(2-에틸헥실퍼옥시)디카르보네이트, 디메톡시부틸퍼옥시디카르보네이트 및 비스(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카르보네이트를 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
퍼옥시에스테르로서는, 예를 들면, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카르보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트 및 비스(t-부틸퍼옥시)헥사히드로테레프탈레이트를 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
퍼옥시케탈로서는, 예를 들면, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸 및 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)데칸을 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
하이드로퍼옥사이드로서는, 예를 들면, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드 및 쿠멘하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
실릴퍼옥사이드로서는, 예를 들면, t-부틸트리메틸실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디메틸실릴퍼옥사이드, t-부틸트리비닐실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디비닐실릴퍼옥사이드, 트리스(t-부틸)비닐실릴퍼옥사이드, t-부틸트리알릴실릴퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디알릴실릴퍼옥사이드 및 트리스(t-부틸)알릴실릴퍼옥사이드를 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
이들 유기 과산화물 및 아조계 화합물은, 단독으로 또는 복수종을 혼합하여 사용할 수 있다.　 또한, 분해촉진제, 억제제 등을 병용할 수도 있다.　 또한, 이들 화합물을 폴리우레탄계, 폴리에스테르계의 고분자 화합물 등으로 피복하여 마이크로 캡슐화한 것은 긴 가용 시간이 얻어지기 때문에 바람직하다.　
광개시제로서는, 예를 들면, 벤조인에틸에테르, 이소프로필벤조인에테르 등의 벤조인에테르, 벤질, 히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 벤질케탈, 벤조페논, 아세토페논 등의 케톤류 및 그 유도체, 티오크산톤류, 및, 비스이미다졸류가 바람직하게 이용된다.　
광개시제를 이용하는 경우, 이용하는 광원의 파장이나 원하는 경화 특성 등에 따라서 최적의 광개시제가 선택된다.　 또한, 광개시제는 필요에 따라서, 아민류, 황 화합물, 인 화합물 등의 증감제를 임의의 비율로 병용할 수도 있다.　
증감제로서는, 지방족 아민, 방향족 아민, 질소 함유 환상 구조를 갖는 피페리딘 등의 환상 아민, o-톨릴티오요소, 나트륨디에틸디티오포스페이트, 방향족 술핀산의 가용성염, N,N'-디메틸-p-아미노벤조니트릴, N,N'-디에틸-p-아미노벤조니트릴, N,N'-디(β-시아노에틸)-p-아미노벤조니트릴, N,N'-디(β-클로로에틸)-p-아미노벤조니트릴, 트리-n-부틸포스핀 등이 바람직하다.　
또는, 프로피오페논, 아세토페논, 크산톤, 4-메틸아세토페논, 벤조페논, 플루오렌, 트리페닐렌, 비페닐, 티오크산톤, 안트라퀴논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 페난트렌, 나프탈렌, 4-페닐아세토페논, 4-페닐벤조페논, 1-요오드나프탈렌, 2-요오드나프탈렌, 아세나프텐, 2-나프토니트릴, 1-나프토니트릴, 크리센, 벤질, 플루오란텐, 피렌, 1,2-벤조안트라센, 아크리딘, 안트라센, 페릴렌, 테트라센, 2-메톡시나프탈렌 등의 비색소계 증감제, 티오닌, 메틸렌블루, 루미플라빈, 리보플라빈, 루미크롬, 쿠마린, 소랄렌, 8-메톡시소랄렌, 6-메틸쿠마린, 5-메톡시소랄렌, 5-히드록시소랄렌, 쿠마릴피론, 아크리딘오렌지, 아크리플라빈, 프로플라빈, 플루오레세인, 에오신 Y, 에오신 B, 에리트로신, 로즈벤갈 등의 색소계 증감제가 이용될 수도 있다.
(c) 유리 라디칼 발생제로서, 이상과 같은 광개시제와, 유기화 산화물, 아조계 화합물 등의 주로 열에 의해 라디칼을 발생하는 화합물이 병용될 수도 있다.
(d) 라디칼 중합성 화합물은 활성 라디칼에 의해서 중합되는 관능기를 갖는 것이고, 예를 들면, (메트)아크릴산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물이 바람직하게 이용된다.　 이 라디칼 중합성 화합물은 중합성 단량체 및 중합성 올리고머 중의 어느 것일 수도 있다.　 중합성 올리고머는 일반적으로 고점도이기 때문에, 중합성 올리고머를 이용하는 경우, 저점도의 중합성 다관능 (메트)아크릴레이트 단량체 등의 중합성 단량체를 병용하여 점도 조정하는 것이 바람직하다.　
(메트)아크릴산에스테르 화합물로서는, 에폭시(메트)아크릴레이트올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트올리고머, 폴리에테르(메트)아크릴레이트올리고머, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트올리고머 등의 중합성 올리고머나, (메트)아크릴레이트 등의 중합성 단량체가 이용된다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
(메트)아크릴산에스테르 화합물의 구체예로서는, 우레탄(메트)아크릴레이트, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디(메트)아크릴옥시프로판, 2,2-비스〔4-((메트)아크릴옥시메톡시)페닐〕프로판, 2,2-비스〔4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐〕프로판, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메트)아크릴레이트, 비스((메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스((메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 및 트리스((메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트를 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
이들 중에서도, 접착성을 보다 향상시키는 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트가 바람직하다.　 또한, 이것 외에, 본 실시 형태의 접착제 성분은, 내열성을 향상시키기 위해서 이용하는 상술한 유기 과산화물에 의해 가교된 후, 단독으로 100℃ 이상의 Tg를 나타내는 라디칼 중합성 화합물을 추가로 배합하는 것이 특히 바람직하다.　 이러한 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면, 디시클로펜테닐기를 갖는 것, 트리시클로데카닐기를 갖는 것, 및/또는 트리아진환을 갖는 것을 들 수 있다.　 이들 중에서는, 특히, 트리시클로데카닐기 및/또는 트리아진환을 갖는 라디칼 중합성 화합물이 바람직하게 이용된다.　
(메트)아크릴산에스테르 화합물로서는, 상술한 것 외에, 금속 등의 무기물 표면에서의 접착 강도를 향상시키기 위해서, (메트)아크릴레이트기를 갖는 인산에스테르 화합물이 바람직하게 이용된다.　 이 인산에스테르 화합물로서는, 예를 들면, 무수인산과 2-히드록실(메트)아크릴레이트를 통상법에 의해 반응시켜 얻어지는 생성물을 들 수 있다.　
보다 구체적으로는, 상기 인산에스테르 화합물로서, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이 바람직하다.　 화학식 1에서, n은 1 내지 3의 정수를 나타내고, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.　 화학식 1로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)액시드포스페이트, 디(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)액시드포스페이트를 들 수 있다.　 이 인산에스테르 화합물은, 예를 들면, 무수인산과 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트와의 반응에 의해 합성된다.
Figure pat00001
이러한 인산에스테르 화합물은 접착제 성분의 전량 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부 배합되면 바람직하고, 0.5 내지 5 질량부 배합되면 보다 바람직하다.　
말레이미드 화합물로서는, 분자 중에 말레이미드기를 적어도 2개 이상 갖는 것이 바람직하다.　 분자 중에 말레이미드기를 2개 이상 갖는 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면, 1-메틸-2,4-비스말레이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스말레이미드, N,N'-p-페닐렌비스말레이미드, N,N'-m-톨루일렌비스말레이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디메틸-비페닐렌)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디메틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3'-디에틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스말레이미드, N,N'-3,3'-디페닐술폰비스말레이미드, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-s-부틸-4,8-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 1,1-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스[1-(4-말레이미드페녹시)-2-시클로헥실]벤젠, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　 또는, 이들은, 알릴페놀, 알릴페닐에테르 또는 벤조산알릴 등의 알릴 화합물과 병용될 수도 있다.　
또한, 필요에 따라서, 접착제 성분에, 하이드로퀴논, 메틸에테르하이드로퀴논류 등의 중합 금지제를 적절하게 배합할 수도 있다.　
본 실시 형태에 있어서 상술한 라디칼 중합성 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　 이들 라디칼 중합성 화합물 중, 본 실시 형태의 접착제 성분은 접속 공정성의 향상 측면에서, 25℃에서의 점도가 100000 내지 1000000 mPa·s인 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 25℃에서의 점도가 100000 내지 500000 mPa·s인 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 것이 보다 바람직하다.　 또한, 라디칼 중합성 화합물의 점도의 측정은 시판되고 있는 E형 점도계를 이용하여 측정할 수 있다.　
또한, 본 실시 형태에 관한 접착제 성분은 필름 형상으로 형성하고 나서 이용하는 것도 가능하다.　 이 경우, 접착제 성분이 필름 형성성 고분자를 함유할 수도 있다.　 필름 형성성 고분자로서는, 예를 들면, 폴리스티렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐포르말 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리페닐렌옥사이드 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 크실렌 수지, 폴리이소시아네이트 수지, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 및 전술한 것 이외의 폴리에스테르 수지를 들 수 있다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
이들 그중에서도, 수산기 등의 관능기를 갖는 수지는 접착성이 향상되기 때문에 보다 바람직하다.　 또한, 이들 고분자를 라디칼 중합성의 관능기로 변성한 것도 필름 형성성 고분자로서 사용할 수 있다.　 이들 고분자의 중량 평균 분자량은 10000 이상이면 바람직하다.　 또한, 그 중량 평균 분자량은 접착제 성분에 있어서의 다른 배합물과의 혼합성을 더욱 양호하게 하기 위해서, 1000000 미만인 것이 바람직하다.　
또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 분석에 의해 하기 조건으로 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산함으로써 구해진다.　
(GPC 조건)
사용 기기: 히타치 L-6000형((주)히따찌 세이사꾸쇼 제조, 상품명)
검출기: L-3300RI((주)히따찌 세이사꾸쇼 제조, 상품명)
칼럼: 겔팩 GL-R420+겔팩 GL-R430+겔팩 GL-R440(계 3개)(히타치 가세이 고교(주) 제조, 상품명)
용리액: 테트라히드로푸란
측정 온도: 40℃
유량: 1.75 ml/분
본 실시 형태의 접착제 조성물은 도전 입자를 함유함으로써, 접착제 조성물에 도전성을 부여할 수 있다.　 이에 따라, 본 실시 형태의 접착제 조성물은 회로 전극이나 반도체 등의 전기 공업이나 전자 공업의 분야에서 회로 접속 재료 등의 도전성 접착제로서 이용하는 것이 가능해진다.　
도전 입자는 전기적 접속을 얻을 수 있는 도전성을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않는다.　 이 도전 입자로서는, 예를 들면, Au, Ag, Ni, Cu 및 땜납 등의 금속 입자, 또는 카본 입자 등을 들 수 있다.　 또한, 도전 입자는 핵이 되는 입자를 1층 또는 2층 이상의 층으로 피복하고, 그 최외층이 도전성을 갖는 것일 수도 있다.　 이 경우, 보다 우수한 가용 시간을 얻는 관점에서, 최외층이, Ni, Cu 등의 전이 금속보다도, Au, Ag 및/또는 백금족 금속 등의 귀금속을 주성분으로 하는 것이 바람직하고, 이들 귀금속의 1종 이상을 포함하는 것이 보다 바람직하다.　 이들 귀금속의 중에서는, Au가 가장 바람직하다.　
도전 입자는 핵으로서의 전이 금속을 주성분으로 하는 입자 또는 핵을 피복한 전이 금속을 주성분으로 하는 층의 표면을, 나아가서는 귀금속을 주성분으로 하는 층으로 피복하여 이루어지는 것일 수도 있다.　 또한, 도전 입자는, 비도전성의 유리, 세라믹, 플라스틱 등을 주성분으로 하는 절연 입자를 핵으로 하여, 이 핵의 표면에 상기 금속 또는 카본을 주성분으로 하는 층으로 피복한 것일 수도 있다.　
도전 입자가 절연 입자인 핵을 도전층으로 피복하여 이루어지는 것인 경우, 절연 입자가 플라스틱을 주성분으로 하는 것이고, 최외층이 귀금속을 주성분으로 하는 것이면 바람직하다.　 이에 따라, 접착제 조성물을 회로 접속 재료 등의 전기적 접속 재료로서 이용한 경우, 도전 입자가 가열 및 가압에 대하여 양호하게 변형할 수 있다.　 게다가, 회로 등의 접속 시에, 도전 입자의 전극이나 접속 단자와의 접촉 면적이 증가한다.　 그 때문에, 전기적 접속 재료의 접속 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있고, 같은 관점에서, 도전 입자가 상기 가열에 의해 용융되는 금속을 주성분으로서 포함하는 입자이면 바람직하다.　
도전 입자가 절연 입자인 핵을 도전층으로 피복하여 이루어지는 것인 경우, 한층더 양호한 도전성을 얻기 위해서, 도전층의 두께는 100Å(10 ㎚) 이상이면 바람직하다.　 또한, 접착제 성분이 라디칼 중합계이고, 또한, 도전 입자가 핵으로서의 전이 금속을 주성분으로 하는 입자의 표면, 또는 핵을 피복한 전이 금속을 주성분으로 하는 층의 표면을, 추가로 귀금속을 주성분으로 하는 층으로 피복하여 이루어지는 것인 경우, 최외층이 되는 상기 귀금속을 주성분으로 하는 층의 두께는 300Å(30 ㎚) 이상이면 바람직하다.　 이 두께가 300Å을 하회하면 최외층이 파단되기 쉬워진다.　 그 결과, 노출된 전이 금속이 접착제 성분과 접촉하여, 전이 금속에 의한 산화환원 작용에 의해 유리 라디칼이 발생되기 쉬워지기 때문에, 가용 시간이 용이하게 저하되는 경향이 있다.　
이 도전 입자의 평균 입경 Rc는 회로 간을 접속하는 경우, 회로의 전극 높이 보다도 낮게 하면 인접하는 전극 간의 단락이 감소하는 등 측면에서, 1 내지 20 ㎛인 것이 바람직하고, 1.5 내지 15 ㎛인 것이 보다 바람직하고, 2 내지 10 ㎛인 것이 더욱 바람직하다.　 또한, 도전 입자는, 그 10％ 압축 탄성률(K치)이 100 내지 1000 kgf/㎟의 것으로부터 적절하게 선택하여 사용될 수도 있다.　
또한, 도전 입자의 배합 비율은, 특별히 제한은 받지 않지만, 접착제 성분 100 체적부에 대하여, 0.1 내지 30 체적부인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10 체적부인 것이 보다 바람직하다.　 이 값이, 0.1 체적부 미만이면 양호한 도전성이 얻어지기 어려워지는 경향이 있고, 30 체적부를 초과하면 회로 등의 단락이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.　 또한, 도전 입자의 배합 비율(체적 기준)은 23℃에서의 접착제 조성물을 경화시키는 전의 각 성분의 체적에 기초하여 결정된다.　 각 성분의 체적은 비중을 이용하여 질량으로부터 체적으로 환산하는 방법이나, 그 성분을 용해하거나 팽윤시키거나 하지 않고, 그 성분을 잘 적시는 적당한 용매(물, 알코올 등)를 넣은 메스실린더 등의 용기에 그 성분을 투입하고, 증가한 체적로부터 산출하는 방법에 의해서 구할 수 있다.　
절연 입자는 복수의 도전 입자와 접촉한 경우에, 이들 도전 입자 사이의 전기적 도통을 저지할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다.　 이 절연 입자로서는, 절연성의 수지를 주성분으로서 함유하는 입자가 바람직하다.　 절연성의 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, (메트)아크릴 수지, 스티렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등의 (메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 등의 (메트)아크릴산 공중합체, 스티렌-디비닐벤젠 공중합체, 스티렌-부타디엔 공중합체, 디비닐벤젠 수지, 스티렌-이소부틸렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-부틸렌 공중합체, 페녹시 수지, 고형 에폭시 수지 및 실리콘 수지를 들 수 있다.　 이 중에서는, 유연성이 보다 우수한 관점에서 실리콘 수지가 바람직하다.　 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용된다.　
절연 입자는 상술한 절연성의 수지를 주성분으로 하는 절연성 재료를 포함하는 입자일 수도 있고, 절연성 또는 도전성의 핵이 되는 입자를 1층 또는 2층 이상의 절연층 또는 도전층으로 피복하고, 그 최외층이 절연성을 갖는 것일 수도 있다.
도전 입자의 평균 입경 Rc에 대한 절연 입자의 평균 입경 Ri의 비(Ri/Rc)는, 120 내지 300％, 즉, 1.20 내지 3.00배의 크기이다.　 이 Ri/Rc가 120％ 이상이 됨으로써, 그것보다도 작아지는 경우와 비교하여, 도전 입자의 응집을 충분유효하고 또한 확실하게 방지할 수 있다.　 이 경향은, 특히 절연 입자의 배합 비율이 적어질수록 현저해진다.　 이 점에 관해서, 도면을 참조하면서, 상세히 더 설명한다.　
도 7은 본 발명에 의한, 즉 Ri/Rc가 120 내지 300％인 경우의, LCD 패널과 COF의 접속 구조에 있어서의 도전 입자 및 절연 입자의 응집 상태를 모식적으로 도시한 부분 단면도이다.　 또한, 도 8은 도전 입자의 평균 입경 Rc보다도 절연 입자의 평균 입경 Ri가 작은 경우의, LCD 패널과 COF의 접속 구조에 있어서의 도전 입자 및 절연 입자의 응집 상태를 모식적으로 도시한 부분 단면도이다.　
도 7에서는 LCD 패널에 설치된 회로 전극 (102) 간의 피치, 및, 회로 전극 (102)의 단부와 COF에서의 레지스트 (207)과의 사이에 접착제 조성물의 경화물 (115)가 충전되어 있다.　 접착제 조성물의 경화물 (111) 내에는 도전 입자 (7) 및 절연 입자 (8)이 함유되어 있다.　 특히, 회로 전극 (102)의 단부와 레지스트 (207)의 사이에는 이들의 입자가 다수 응집되어 있다.　 다수의 입자가 응집된 부분은 보다 많은 입자를 소정 체적의 공간 내에 수용하기 위해서, 보다 입경이 큰 입자가 서로 인접하고, 그 입경이 큰 복수의 입자 사이의 공극에 의해 입경이 작은 입자가 충전되는 경향이 있다.　 즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 절연 입자 (8)의 입경이 도전 입자 (7)의 입경보다도 커지면, 절연 입자 (8)이 서로 인접하고, 그 절연 입자 (8)의 사이의 공극에, 도전 입자 (7)이 충전한 상태가 된다고 생각된다.　 본 발명에 있어서 인접하는 회로 전극 (102) 사이의 단락을 충분히 억제할 수가 있는 것은, 이와 같이 도전 입자 (7)끼리가 서로 인접하는 것을 방지하고 있기 때문이라고 추측된다.　
한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 절연 입자 (308)의 입경이 도전 입자 (307)의 입경보다도 작아지면, 도전 입자 (307)이 서로 인접하고, 그 도전 입자 (307) 사이의 공극에, 절연 입자 (308)이 충전한 상태가 된다고 생각된다.　 그 때문에, 도전 입자 (307)에 의한 인접하는 회로 전극 (102) 사이의 단락을 절연 입자 (308)에 의해서 충분히 방지하는 것은 곤란해질 것으로 추측된다.　
또한, 상기 Ri/Rc가 300％ 이하가 됨으로써, 그것보다도 커지는 경우와 비교하여, 도전 입자에 의한 대향하는 전극이나 접속 단자 간의 접속이 충분해진다.　 이들에 의해, 본 실시 형태의 접착제 조성물을 이용하여 대향하는 전극이나 접속 단자 간을 접속했을 때에, 인접하는 전극이나 접속 단자 간의 피치가 짧아지더라도, 이들의 사이에서의 단락은 충분히 방지할 수 있다.　 나아가서는, 절연 입자 및 도전 입자 사이의 콘트라스트가 명확하기 때문에, 전극이나 접속 단자 사이가 단락하였는지 여부를 용이하게 시인하는 것이 가능하다.　 그리고, 대향하는 전극이나 접속 단자 간의 전기적 접속은 도전 입자에 의해서 확보되기 때문에, 충분히 우수한 접속 신뢰성이 얻어진다.　 동일한 관점에서, 절연 입자의 평균 입경 Ri는, 도전 입자의 평균 입경 Rc에 대하여 130 내지 200％이면 바람직하다.　 또한, 절연 입자의 평균 입경 Ri는, 예를 들면, 1.2 내지 20 ㎛일 수도 있다.　
또한, 상술한 Ri/Rc가 120％를 하회하는 경우, 절연 입자의 배합량이 많아지면 접착제 조성물의 유동성이 낮아지기 때문에, 회로 접속성이 저하된다.　
절연 입자는, 10％ 압축 탄성률(K치)이 도전 입자의 K치 이하인 것이 바람직하다.　 이에 따라, 절연 입자의 유연성이 향상되어, 도전 입자에 의한 대향하는 전극이나 접속 단자 간의 도통이 절연 입자에 의해 저해되는 것을 한층 유효하게 방지할 수 있다.　 예를 들면, 절연 입자는 10％ 압축 탄성률(K치)이 1 내지 1000 kgf/㎟인 것일 수도 있다.　 다만, 도전 입자에 의한 도통의 확보는, 도전 입자의 재료, 절연 입자의 재료, 본 압착시의 가열 및 가압의 조건 등을 조정함으로써도 가능하기 때문에, 절연 입자의 K치는 상기 범위에 한정되지 않는다.　
절연 입자의 배합 비율은, 특별히 제한은 받지 않지만, 단락의 방지 및 전기적 접속성을 균형있게 양립하는 관점에서, 접착제 성분 100 질량부에 대하여, 0.1 내지 20 질량부인 것이 바람직하고, 5 내지 10 질량부인 것이 보다 바람직하다.　 이 값이 0.1 질량부 미만이면, 도전 입자에 의한 인접하는 전극이나 접속 단자 간의 단락이 발생하기 쉬워지는 경향이 있고, 20 질량부를 초과하면, 대향하는 회로나 접속 단자 간의 접속성이 저하되는 경향이 있다.　
또한, 본 발명에 의한 상술한 효과를 한층 유효하게 발휘하는 관점에서, 도전 입자 100 체적부에 대한 절연 입자의 배합 비율은, 50 내지 300 체적부가 바람직하고, 100 내지 200 체적부이면 보다 바람직하다.　
본 실시 형태의 접착제 조성물은, 상술한 것 이외에, 사용 목적에 따라서 별도의 재료를 첨가할 수 있다.　 예를 들면, 이 접착제 조성물에, 커플링제 및 밀착성 향상제, 레벨링제 등의 접착 보조제를 적절하게 첨가할 수도 있다.　 이에 따라, 더욱 양호한 밀착성이나 취급성을 부여할 수가 있게 된다.　 또한, 본 실시 형태의 접착제 조성물은, 고무를 함유할 수도 있다.　 이에 따라, 응력의 완화 및 접착성의 향상이 가능해진다.　 나아가서는, 이 접착제 조성물에는, 경화 속도의 제어나 저장 안정성을 부여하기 위해서, 안정화제를 첨가할 수 있다.　 또한 본 실시 형태에 관한 접착제 조성물에는, 충전재, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제, 난연화제, 틱소트로픽제, 페놀 수지, 멜라민 수지, 이소시아네이트류 등을 배합할 수도 있다.　
본 실시 형태의 접착제 조성물은 상온(25℃)에서 액상인 경우에는 페이스트상으로 사용할 수 있다.　 상온에서 고체인 경우에는, 가열하여 페이스트화하는 외에, 용제를 사용하여 페이스트화할 수도 있다.　 사용할 수 있는 용제로서는, 접착제 조성물과 반응하지 않고, 또한 충분한 용해성을 나타내는 것이면, 특별히 제한은 받지 않지만, 상압에서의 비점이 50 내지 150℃인 것이 바람직하다.　 비점이 50℃ 미만인 경우, 실온(25℃)에서 방치하면 용제가 휘발하여 버리기 때문에, 개방계에서의 사용이 제한된다.　 또한, 비점이 150℃를 초과하면, 용제를 휘발시키기가 어려워, 접착 후의 신뢰성에 악영향을 미치는 경향이 있다.　
본 실시 형태의 접착제 조성물은, 상술한 바와 같이 필름 형상으로 형성하고 나서 이용하는 것도 가능하다.　 이 필름 형상 접착제는, 접착제 조성물에 필요에 따라 용제 등을 추가한 혼합액을, 불소 수지 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 이형지 등의 박리성 기재 상에 도포하거나, 또는 부직포 등의 기재에 상기 혼합액을 함침시켜 박리성 기재 상에 재치하고, 가열에 의해서 용제 등을 제거함으로써 얻을 수 있다.　 이와 같이 접착제 조성물을 필름 형상으로 하면, 취급성이 우수하고 한층 편리하다.　
필름 형상 접착제를 회로 접속 재료로서 이용하는 경우, 그 회로 접속 재료는, 대향하는 1쌍의 회로 부재끼리 사이에 끼워진 상태로 가열 및 가압되었을 때에, 우선 용융 유동하여 대치하는 회로 전극끼리를 전기적으로 접속한다.　 그 후, 경화하여 접착 강도를 발현한다.　 따라서, 회로 접속 재료의 유동성은 중요하다.　 구체적으로는, 유동성의 지표 (B)/(A)의 값이, 1.3 내지 3.0인 것이 바람직하고, 1.5 내지 2.5인 것이 보다 바람직하다.　 유동성의 지표 (B)/(A)의 값은 필름 형상의 회로 접속 재료(두께 35 ㎛, 5 ㎜×5 ㎜)를, 2장의 유리판(두께 0.7 ㎜, 15 ㎜×15 ㎜)의 사이에 끼운 상태로, 170℃, 2 ㎫, 10초의 가열 및 가압을 행한 때에, 회로 접속 재료의 초기의 면적 (A)와 가열 및 가압 후의 면적 (B)를 이용하여 표시된다.　 (B)/(A)의 값이 1.3 미만이면 유동성이 부족하여 양호한 접속이 얻어지지 않게 되는 경향이 있고, 3.0을 초과하면 기포가 발생하여 신뢰성이 저하되는 경향이 있다.　
필름 형상 접착제는 통상 1층만이지만, 본 실시 형태의 필름 형상 접착제는, 이것 대신에, 조성이 서로 다른 복수의 층을 갖는 필름에 성형된 상태로 이용할 수도 있다.　 예를 들면, 필름 형상 접착제를, 유리 라디칼 발생제를 함유하는 층과, 도전 입자를 함유하는 층을 따로따로 갖는 다층의 필름으로 하는 것이 바람직하다.　 또는, 필름 형상 접착제를 열경화성 수지를 함유하는 층과, 경화제를 함유하는 층을 따로따로 갖는 다층의 필름으로 하는 것이 바람직하다.　 이들에 의해, 한층 더한 파인피치화 등에 따라서도 인접하는 전극 등의 사이의 단락을 방지할 수 있고, 더구나, 보다 긴 가용 시간이 얻어진다.　 이들의 경우, 절연 입자는 각 층에 함유되어 있을 수도 있고, 어느 한 층에만 함유되어 있을 수도 있다.　 다만, 도전 입자에 의한 단락을 더욱 효과적으로 방지하는 관점에서, 도전 입자를 함유하는 층에 절연 입자가 포함되어 있는 것이 바람직하다.　
본 실시 형태의 접착제 조성물은, 가열 및 가압을 병용하여 피착체를 접착시킬 수 있다.　 가열 온도는, 특별히 제한은 받지 않지만, 100 내지 250℃의 온도가 바람직하다.　 압력은 피착체에 손상을 주지 않는 범위이면 특별히 제한은 받지 않지만, 일반적으로는 0.1 내지 10 ㎫가 바람직하다.　 이들 가열 및 가압은 0.5초 내지 120초간의 범위에서 행하는 것이 바람직하다.　 예를 들면, 온도 140 내지 200℃, 압력 1 내지 3 ㎫의 조건 하에서, 2 내지 5초간 가열 및 가압을 행함으로써 접착제 조성물과 피착체를 접착시키는 것도 가능하다.　
본 실시 형태의 접착제 조성물은, 서로 다른 이종의 피착체, 예를 들면, 반도체칩, 저항체칩, 컨덴서칩 등의 칩 부품이나, 인쇄 기판 등과 같은 회로 부재끼리를 접속하는 회로 접속 재료로서 사용할 수 있다.　 구체적으로는, 이방 도전 접착제로 대표되는 전술된 그리고 후에 상술하는 것과 같은 회로 접속 재료 외에, CSP용 엘라스토머, CSP용 언더 필름재, LOC 테이프 등으로 대표되는 반도체 소자 접착 재료로서 사용할 수 있다.　
도 1은 본 발명에 따른 회로 부재의 접속 구조의 한 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.　 도 1에 도시하는 접속 구조 (1)은 서로 대향하는 제1 회로 부재 (20) 및 제2 회로 부재 (30)을 구비하고, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30)의 사이에는, 이들을 접속하는 회로 접속 부재 (10)이 설치된다.　
제1 회로 부재 (20)은 제1 회로 기판 (21)과, 제1 회로 기판 (21)의 주면 (21a) 상에 형성된 제1 회로 전극 (22)를 갖는다.　 제2 회로 부재 (30)은 제2 회로 기판 (31)과, 제2 회로 기판 (31)의 주면 (31a) 상에 형성된 제2 회로 전극 (32)를 갖는다.　 제1 회로 기판 (21)의 주면 (21a) 상, 및 제2 회로 기판 (31)의 주면 (31a) 상에는, 경우에 따라 절연층(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수도 있다.
제1 및 제2 회로 기판 (21, 31)로서는, 반도체, 유리, 세라믹 등의 무기물, TCP, FPC, COF로 대표되는 폴리이미드 기재, 폴리카보네이트, 폴리에스테르술폰 등의 유기물, 이들 무기물이나 유기물을 복합화한 재료를 포함하는 기판을 들 수 있다.　
제1 및 제2 회로 부재 (20, 30)의 구체예로서는, 액정 디스플레이에 이용되고 있는, ITO 등으로 회로 전극이 형성된 유리 기판 또는 플라스틱 기판이나, 인쇄 배선판, 세라믹 배선판, 연성 배선판, 반도체 실리콘칩 등을 들 수 있다.　 이들은 필요에 따라서 조합하여 사용된다.　
회로 접속 부재 (10)은 도전 입자 및 절연 입자를 함유하는 상기 접착제 조성물을 포함하는 회로 접속 재료의 경화물로 형성되어 있다.　 회로 접속 부재 (10)은 절연층 (11)과, 절연층 (11) 내에 분산되어 있는 도전 입자 (7) 및 절연 입자 (8)로 구성된다.　 회로 접속 부재 (10) 내의 도전 입자 (7)은 대향하는 제1 회로 전극 (22)와 제2 회로 전극 (32)의 사이뿐만아니라, 주면 (21a)와 주면 (31a) 사이에도 배치되어 있다.　 또한, 절연 입자 (8)은 주면 (21a)와 주면 (31a) 사이에 배치되어 있다.　 또한, 회로 접속 부재 (10)의 40℃에서의 저장 탄성률은 100 내지 3000 ㎫인 것이 바람직하고, 500 내지 2000 ㎫인 것이 보다 바람직하다.　
접속 구조 (1)에 있어서는, 도전 입자 (7)이 제1 및 제2 회로 전극 (22, 32)의 쌍방에 직접 접촉하고 있다.　 이에 따라, 제1 및 제2 회로 전극 (22, 32)가 도전 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다.　 이 때문에, 제1 회로 전극 (22) 및 제2 회로 전극 (32) 사이의 접속 저항이 충분히 감소된다.　 따라서, 제1 및 제2 회로 전극 (22, 32)의 사이의 전류의 흐름을 원활히 할 수 있어, 회로가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다.　 또한, 제1 회로 전극 (22)와 제2 회로 전극 (32)가 직접 접촉하여 전기적으로 접속되는 부분도 존재할 수 있다.　
또한, 절연 입자 (8)은 인접하는 제1 회로 전극 (22) 사이, 및 인접하는 제2 회로 전극 (32) 사이에 존재하여, 도전 입자 (7)의 응집을 유효하게 억제하고 있다.　 이에 따라, 도전 입자 (7)에 의한 이들이 인접하는 회로 전극 간의 단락이 충분히 방지된다.　 이것은, 절연 입자 (8)의 평균 입경 Ri가 도전 입자 (7)의 평균 입경 Rc보다도 1.2 내지 3배 큰 것에 의한다. 즉, 절연 입자 (8)과 도전 입자 (7)이 이러한 상관을 나타내면, 주면 (21a, 31a) 사이에서는, 응집한 도전 입자 (7)이 형성하는 공극에 절연 입자 (8)이 존재하는 것이 아니라, 오히려, 응집한 절연 입자 (8)이 형성하는 공극에 도전 입자 (7)이 존재하고 있다.　 이에 따라, 도전 입자 (7)의 응집이 충분히 저지된다.　 그 결과, 회로 접속 부재 (10)은 소위 이방 도전성막으로서 유효하게 기능하여, 그 접속 신뢰성은 충분히 높은 것으로 된다.　
또한, 접속 구조 (1)이 LCD 패널 기판과 COF의 접속 구조인 경우, LCD 패널 기판의 모따기 부분(도시하지 않음)과 COF의 솔더 레지스트부(도시하지 않음)와의 사이에서의 도전 입자 (7)의 응집을 충분 방지할 수 있다.　 그와 같은 관점으로부터도, 도전 입자 (7)에 의한 인접하는 회로 전극 간의 단락이 충분히 방지된다.　
나아가서는, 이 접속 구조 (1)은 도전 입자 (7)과 절연 입자 (8)의 콘트라스트가 명확하기 때문에, 인접하는 회로 전극 (22) 사이, 회로 전극 (32) 사이에서 단락되어 있는지 여부를 충분히 용이하게 시인하는 것이 가능하다.　
도 2는 본 발명에 따른 회로 부재의 접속 방법의 한 실시 형태를 개략 단면도에 의해 도시하는 공정도이다.　
본 실시 형태에서는, 우선, 상술한 제1 회로 부재 (20)과, 필름 형상의 회로 접속 재료 (40)을 준비한다.　 회로 접속 재료 (40)은 도전 입자 (7) 및 절연 입자 (8)을 함유하는 상기 접착제 조성물로 이루어진다.　
회로 접속 재료 (40)의 두께는 5 내지 50 ㎛인 것이 바람직하다.　 회로 접속 재료 (40)의 두께가 5 ㎛ 미만이면, 제1 및 제2 회로 전극 (22, 32) 사이에 회로 접속 재료 (40)이 충전 부족이 되는 경향이 있다.　 한편, 회로 접속 재료 (40)의 두께가 50 ㎛을 초과하면, 제1 및 제2 회로 전극 (22, 32) 사이의 도통의 확보가 곤란해지는 경향이 있다.　
다음으로, 회로 접속 재료 (40)을 제1 회로 부재 (20)의 회로 전극 (22)가 형성되어 있는 면 상에 싣는다.　 그리고, 회로 접속 재료 (40)을 도 2의 (a)의 화살표 A 및 B 방향으로 가압하여, 회로 접속 재료 (40)을 제1 회로 부재 (20)에 가접속한다(도 2의 (b) 참조).　
이 때의 압력은 회로 부재에 손상을 제공하지 않는 범위이면 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 0.1 내지 30 ㎫로 하는 것이 바람직하다.　 또한, 가열하면서 가압할 수도 있고, 가열 온도는 회로 접속 재료 (40)이 실질적으로 경화하지 않는 온도로 한다.　 가열 온도는 일반적으로는 50 내지 190℃로 하는 것이 바람직하다.　 이들 가열 및 가압은 0.5 내지 120초간의 범위에서 행하는 것이 바람직하다.　
또한, 가접속하고 나서 후술하는 본 접속까지의 사이에서의 회로 접속 재료 (40)의 열화를 보다 유효하게 방지하기 위해서, 제1 회로 전극 (22)는 그 표면이 금, 은, 주석 및 백금족 금속으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.　
이어서, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 회로 부재 (30)을, 제2 회로 전극 (32)를 제1 회로 부재 (20)의 측으로 향하도록 하여 회로 접속 재료 (40) 상에 싣는다.　 또한, 회로 접속 재료 (40)이 지지체(도시하지 않음) 상에 설치되는 경우에는, 지지체를 박리하고 나서 제2 회로 부재 (30)을 필름 형상 회로 접속 재료 (40) 상에 싣는다.　 그리고, 회로 접속 재료 (40)을 가열하면서, 도 2의 (c)의 화살표 A 및 B 방향으로 전체를 가압한다.　 이 때의 가열 온도는, 예를 들면, 유리 라디칼 발생제가 라디칼을 발생할 수 있는 온도로 한다.　 이에 따라, 유리 라디칼 발생제에 있어서 라디칼이 발생하여, 라디칼 중합성 화합물의 중합이 개시된다.　
가열 온도는, 예를 들면, 90 내지 200℃로 하고, 접속 시간은 예를 들면 1초 내지 10분으로 한다.　 이들 조건은, 사용하는 용도, 접착제 조성물, 회로 부재에 의해서 적절하게 선택되고, 필요에 따라서, 후경화를 행할 수도 있다.　
회로 접속 재료 (40)의 가열에 의해, 제1 회로 전극 (22)와 제2 회로 전극 (32)의 사이의 거리를 충분히 작게 한 상태로 회로 접속 재료 (40)이 경화하여, 제1 회로 부재 (20)과 제2 회로 부재 (30)이 회로 접속 부재 (10)을 통해 견고하게 접속(본 접속)된다.　
회로 접속 재료 (40)의 경화에 의해 회로 접속 부재 (10)이 형성되어, 도 1에 도시한 바와 같은 회로 부재의 접속 구조 (1)이 얻어진다.　 또한, 접속의 조건은 사용하는 용도, 접착제 조성물, 회로 부재에 따라서 적절하게 선택된다.　
본 실시 형태에 따르면, 얻어지는 접속 구조 (1)에 있어서, 도전 입자 (7)을 대향하는 제1 및 제2 회로 전극 (22, 32)의 쌍방에 접촉시키는 것이 가능해져, 제1 및 제2 회로 전극 (22, 32) 사이의 접속 저항을 충분히 감소시킬 수 있다.　 그리고, 회로 접속 부재 (10)이 절연 입자 (8)도 함유하는 상기 접착제 조성물을 포함하는 회로 접속 재료의 경화물에 의해 구성되어 있기 때문에, 인접하는 회로 전극 (22) 사이, 및 회로 전극 (32) 사이의 단락을 충분히 유효하게 방지할 수 있다.　
도 3은 본 발명의 반도체 장치의 한 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.　 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태의 반도체 장치 (2)는 반도체 소자 (50)과, 반도체의 지지 부재가 되는 기판 (60) 및 기판 (60) 상에 설치된 회로 패턴 (61)을 갖는 반도체 소자 탑재용 기판 (65)를 구비하고 있다.　 반도체 소자 (50) 및 반도체 소자 탑재용 기판 (65) 사이에는, 이들을 전기적으로 접속시키는 반도체 소자 접속 부재 (80)이 설치된다.　 또한, 반도체 소자 접속 부재 (80)은 기판 (60)의 주면 (60a) 상에 적층되고, 반도체 소자 (50)은 그 반도체 소자 접속 부재 (80)에 추가로 적층되어 있다.　
기판 (60)은 회로 패턴 (61)을 구비하고, 회로 패턴 (61)은, 기판 (60)의 주면 (60a) 상에서 반도체 접속 부재 (80)을 통해 또는 직접 반도체 소자 (50)과 전기적으로 접속되어 있다.　 그리고, 이들이 밀봉재 (70)에 의해 밀봉되어 반도체 장치 (2)가 형성된다.　
반도체 소자 (50)의 재료로서는 특별히 제한되지 않지만, 실리콘, 게르마늄의 4족의 반도체 소자, GaAs, InP, GaP, InGaAs, InGaAsP, AlGaAs, InAs, GaInP, AlInP, AlGaInP, GaNAs, GaNP, GaInNAs, GaInNP, GaSb, InSb, GaN, AlN, InGaN, InNAsP 등의 III-V족 화합물 반도체 소자, HgTe, HgCdTe, CdMnTe, CdS, CdSe, MgSe, MgS, ZnSe, ZeTe 등의 II-VI족 화합물 반도체 소자, 그리고, CuInSe(CIS) 등의 다양한 것을 사용할 수 있다.　
반도체 소자 접속 부재 (80)은 절연층 (11)과, 절연층 (11) 내에 분산되어 있는 도전 입자 (7) 및 절연 입자 (8)을 함유하고 있다.　 또한, 반도체 소자 접속 부재 (80)의 40℃에서의 탄성률은 100 내지 3000 ㎫인 것이 바람직하고, 500 내지 2000 ㎫인 것이 보다 바람직하다.　
도전 입자 (7)은 반도체 소자 (50)과 회로 패턴 (61)의 사이뿐만아니라, 반도체 소자 (50)과 주면 (60a)의 사이에도 배치되어 있다.　 또한, 절연 입자 (8)은 반도체 소자 (50)과 주면 (60a)의 사이에 배치되어 있다.　
본 실시 형태의 반도체 장치 (2)에 있어서는, 반도체 소자 (50)과 회로 패턴 (61)이 도전 입자 (7)을 통해 전기적으로 접속되어 있다.　 이 때문에, 반도체 소자 (50) 및 회로 패턴 (61) 사이의 접속 저항이 충분히 감소된다.　 따라서, 반도체 소자 (50) 및 회로 패턴 (61) 사이의 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있어, 반도체가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다.　 또한, 이 도전 입자 (7)을 상술한 배합 비율로 함으로써 전기적인 접속의 이방성을 보다 양호하게 나타내는 것도 가능하다.　 또한, 반도체 소자 (50)과 회로 패턴 (61)이 직접 접촉하여 전기적으로 접속되는 부분도 존재할 수 있다.　
반도체 소자 접속 부재 (80)은 도전 입자 및 절연 입자를 포함하는 상기 접착제 조성물의 경화물에 의해 구성되어 있다.　 이 때문에, 절연 입자 (8)이 도전 입자 (7)의 응집을 유효하게 억제하고 있기 때문에, 인접하는 회로 패턴 (61) 사이나, 반도체 소자 (50)의 인접하는 접속 단자(도시하지 않음) 사이의 도전 입자 (7)에 의한 단락은 충분히 방지된다.　
나아가서는, 이 반도체 장치 (2)는, 도전 입자 (7)과 절연 입자 (8)의 콘트라스트가 명확하기 때문에, 인접하는 회로 패턴 (61) 사이, 및 반도체 소자 (50)에 있어서의 접속 단자 사이에서 단락되어 있는지 여부를 충분히 용이하게 시인하는 것이 가능하다.　
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 관해서 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.　 본 발명은, 그 요지를 일탈하지 않은 범위에서 다양한 변형이 가능하다.　
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.　
(실시예 1)
[접착제 조성물의 제조]
라디칼 중합성 화합물로서, 우레탄아크릴레이트(신나카무라 가가꾸 고교사 제조, 상품명 「UA-5500T」) 10 질량부, 비스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트(도아 고세이사 제조, 상품명 「M-215」) 25 질량부, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트(교에이샤 가가꾸사 제조, 상품명 「DCP-A」) 10 질량부 및 모노(2-메타크릴로일옥시에틸)액시드포스페이트(교에이샤 가가꾸사 제조, 상품명 「P-2M」) 1 질량부, 유리 라디칼 발생제로서 2,5-디메틸-2,5-비스(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산의 50 질량％ 탄화수소 희석 용액(니혼 유시사 제조, 상품명 「퍼헥사25O」) 4 질량부를 준비하였다.　 또한, 폴리에스테르우레탄 수지(도요 보우세끼사 제조, 상품명 「UR8200」)를 톨루엔/메틸에틸케톤=50/50(질량비)의 혼합 용제에 용해하여 얻어진 고형분 40 질량％의 폴리에스테르우레탄 수지 용액 80 질량부를 준비하였다.　 상술한 라디칼 중합성 화합물 및 유리 라디칼 발생제를, 상기 폴리에스테르우레탄 수지 용액에 혼합한 후, 균일하게 교반하여 접착제 성분을 얻었다.　
다음으로, 핵이 되는 폴리스티렌을 포함하는 입자의 표면에, 두께 0.2 ㎛의 니켈층을 설치하고, 이 니켈층의 외측에, 두께 0.04 ㎛의 금층을 설치한 평균 입경 4 ㎛의 도전 입자를 준비하였다.　 이 도전 입자의 10％ 압축 탄성률(K치)을 측정한 바, 410 kgf/㎟였다.　 또한, 폴리스티렌-디비닐벤젠 공중합체를 포함하는 평균 입경 6 ㎛의 절연 입자를 준비하였다.　 이 절연 입자의 10％ 압축 탄성률(K치)을 측정한 바, 320 kgf/㎟이었다.　 상술한 도전 입자를, 상기 접착제 성분 100 체적부에 대하여 3 체적부가 되도록 그 접착제 성분에 배합하여 분산하였다.　 또한, 거기에, 접착제 성분 100 질량부에 대하여 10 질량부가 되도록 상기 절연 입자를 배합하여 분산하였다.　 이렇게 해서, 접착제 조성물을 얻었다.　
얻어진 접착제 조성물을, 두께 75 ㎛의 한쪽면을 표면 처리한 PET 필름에 도공 장치를 이용하여 도포하였다.　 다음으로, 도포한 접착제 조성물을 70℃로 10분간 열풍에 의해 가열하고, 두께 20 ㎛의 필름 형상 접착제를 포함하는 접착층과 상기 PET 필름을 적층하여 이루어지는 접착 시트(폭 15 ㎝, 길이 60 m)를 얻었다.　 얻어진 접착 시트를 1.5 ㎜ 폭으로 재단하고, 내경 40 ㎜, 외경 48 ㎜의 플라스틱제 릴의 측면(두께 1.5 ㎜)에 접착층측을 릴을 향하여 50 m 감았다.　
[회로 부재의 접속 구조의 제조]
상술한 바와 같이 하여 얻어진 접착 시트(폭 1.5 ㎜, 길이 3 ㎝)를, 접속부가 모따기된 ITO 코팅 유리 기판(15Ω□) 상에, 기판과 접착층이 접촉하도록 재치하여 적층체를 얻었다.　 얻어진 적층체에 대하여, 이들의 적층 방향으로 가열 온도 70℃, 가압 압력 1 ㎫의 조건으로 2초간 가열 및 가압을 실시하여 접착층을 기판에 접착하였다.　 그 후, PET 필름을 접착층으로부터 박리하였다.　
이어서, 회로 전극으로서의 주석 도금 구리 회로(라인폭 25 ㎛, 피치 50 ㎛, 두께 8 ㎛) 600개가 폴리이미드 필름 상에 형성되어 이루어지고, 라인 사이 및 라인의 일부를 덮도록 형성된 솔더 레지스트를 구비하는 연성 회로판(FPC)을 준비하였다.　 다음으로, 접착층 상에 기판의 모따기 부분과 FPC의 솔더 레지스트가 중첩되도록 FPC를 재치하였다.　 계속해서, 이들에 대하여, 가열 온도 24℃, 가압 압력 0.5 ㎫의 조건으로 1초간 적층 방향으로 가열 및 가압을 실시하여 가접속을 행하였다.
다음으로, 가접속 후의 기판, 접착층 및 FPC를 포함하는 적층체를 본 압착 장치에 설치하였다.　 이어서, 히트툴을 이용하여 가열 온도 180℃, 가압 압력 3 ㎫의 조건으로, 5초간, 적층체를 그 적층 방향으로 가열 및 가압하고, 폭 1.5 ㎜에 걸쳐 본 접속을 행하였다.　 이 때, 150 ㎛ 두께의 폴리테트라플로로에틸렌제의 쿠션재를 FPC의 접착층과는 반대측에 배치하고, 이 쿠션재와 함께 상기 적층체를 가압하였다.　 이에 따라, 기판에 있어서의 접속부의 모따기 부분과 FPC의 솔더 레지스트의 사이에 존재하는 접착층을 쿠션재가 외측으로부터 가압하도록 하였다.　 이렇게 해서 회로 부재의 접속 구조를 얻었다.　
[접속 저항의 측정]
제조한 직후의 회로 부재의 접속 구조에 관해서, FPC의 인접하는 회로 전극사이의 저항(초기 접속 저항)을 멀티미터(어드밴티스트사 제조, 상품명 「TR6845」)으로 측정하였다.　 저항치의 측정은 인접하는 회로 전극 사이 40점에서 행하고, 얻어진 저항치의 상가평균치를 구하였다.　 그 결과, 접속 구조의 초기 접속 저항치는 1.5Ω이 되어, 양호한 접속 특성을 나타내었다.　
[접착력의 측정]
제조한 직후의 회로 부재의 접속 구조에 관해서, FPC의 90° 박리 시험을 박리 속도 50 ㎜/분으로 행하고, 그 때의 최대 하중을 측정하여 접착력으로 하였다. 그 결과, 접착력은 약 1000 N/m로서 양호한 접착 특성을 나타내었다.　
[단락 유무의 평가]
상술한 회로 부재의 접속 구조의 제조에 있어서, PET 필름을 접착층으로부터 박리하였다.　 그 후, 회로 전극으로서의 주석 도금 구리 회로(라인폭 25 ㎛, 피치 50 ㎛, 두께 8 ㎛) 100개가 폴리이미드 필름 상에 형성되어 이루어지고, 라인 사이 및 라인의 일부를 덮도록 형성된 솔더 레지스트를 구비하는 연성 회로판(FPC)을 준비하였다.　 다음으로, 접착층 상에, 기판의 모따기 부분과 FPC의 솔더 레지스트가 중첩되도록 FPC를 재치하였다.　 계속해서, 이들에 대하여, 가열 온도 24℃, 가압 압력 0.5 ㎫의 조건으로 1초간 적층 방향으로 가열 및 가압을 실시하여 가접속을 행하였다.　
다음으로, 가접속 후의 기판, 접착층 및 FPC를 포함하는 적층체를 본 압착 장치에 설치하였다.　 이어서, 히트툴을 이용하여 가열 온도 180℃, 가압 압력 3 ㎫의 조건으로 5초간 적층체를 그 적층 방향으로 가열 및 가압하고, 폭 1.5 ㎜에 걸쳐 본 접속을 행하였다.　 이 때, 150 ㎛ 두께의 폴리테트라플루오로에틸렌제의 쿠션재를 FPC의 접착층과는 반대측에 배치하고, 이 쿠션재와 함께 상기 적층체를 가압하였다.　 이에 따라, 기판에 있어서의 접속부의 모따기 부분과 FPC의 솔더 레지스트의 사이에 존재하는 접착층을 쿠션재가 외측으로부터 가압하도록 하였다.　 이렇게 해서 단락 유무의 평가용 회로 부재의 접속 구조를 얻었다.　
제조한 직후의 회로 부재의 접속 구조에 관해서, 금속 현미경으로 관찰함으로써 단락 유무의 평가를 행하였다.　 그 결과, 단락이 없는 것이 확인되었다.　
또한, 금속 현미경에 의해 관찰한 회로 부재의 접속 구조를 도 4에 도시하였다.　 이 도 4로부터 단락이 없는 상태인 것이 분명하다.　
(실시예 2 내지 10)
도전 입자의 평균 입경, 도전 입자의 배합량, 절연 입자의 평균 입경, 및/또는 절연 입자의 배합량을 표 1 및 2에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 회로 부재의 접속 구조를 제조하였다.　 얻어진 회로 부재의 접속 구조에 대하여, 실시예 1과 동일하게 하여 접속 저항 및 접착력의 측정 및 단락 유무의 평가를 행하였다.　 결과를 표 1 및 2에 나타내었다.　
Figure pat00002
Figure pat00003
(실시예 11)
우레탄아크릴레이트의 배합량을 10 질량부 대신에 35 질량부로 하고, 비스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트의 배합량을 25 질량부 대신에 0 질량부, 즉 배합하지 않은 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 회로 부재의 접속 구조를 제조하였다.　 얻어진 회로 부재의 접속 구조에 대하여, 실시예 1과 동일하게 하여 접속 저항 및 접착력의 측정 및 단락 유무의 평가를 행하였다.　 결과를 표 2에 나타내었다.　
(실시예 12)
폴리에스테르우레탄 수지 대신에 페녹시 수지(분자량 45000)를 이용한 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 회로 부재의 접속 구조를 제조하였다.　 얻어진 회로 부재의 접속 구조에 대하여, 실시예 1과 동일하게 하여 접속 저항 및 접착력의 측정 및 단락 유무의 평가를 행하였다.　 결과를 표 2에 나타내었다.　
(실시예 13)
절연 입자를 폴리스티렌-디비닐벤젠 공중합체를 포함하는 것 대신에 실리콘 수지를 포함하는 것으로 한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 회로 부재의 접속 구조를 제조하였다.　 또한, 절연 입자의 10％ 압축 탄성률(K치)을 측정한 바, 30 kgf/㎟이었다.　 얻어진 회로 부재의 접속 구조에 대하여, 실시예 1과 동일하게 하여 접속 저항 및 접착력의 측정 및 단락 유무의 평가를 행하였다.　 결과를 표 2에 나타내었다.　
(비교예 1)
절연 입자를 이용하지 않는 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 회로 부재의 접속 구조를 제조하였다.　 얻어진 회로 부재의 접속 구조에 대하여, 실시예 1과 동일하게 하여 접속 저항 및 접착력의 측정 및 단락 유무의 평가를 행하였다.　 결과를 표 3에 나타내었다.　
Figure pat00004
(비교예 2 내지 7)
도전 입자의 평균 입경, 도전 입자의 배합량, 절연 입자의 평균 입경, 및/또는 절연 입자의 배합량을 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 회로 부재의 접속 구조를 제조하였다.　 얻어진 회로 부재의 접속 구조에 대하여, 실시예 1과 동일하게 하여 접속 저항 및 접착력의 측정 및 단락 유무의 평가를 행하였다.　 결과를 표 3에 나타내었다.　
[산업상 이용 가능성]
본 발명에 따르면, 종래의 회로 접속용 접착 필름을 구성하는 접착제 조성물에 비교하여, COF화 및 파인피치화에 대응하여, LCD 패널의 접속부 엣지에 있어서의 도전 입자의 응집을 충분히 억제하는 결과, 인접하는 전극 간의 단락을 충분히 방지할 수 있고, 또한, 접속 신뢰성도 충분히 우수한 접착제 조성물을 제공할 수 있다.

Claims (16)

  1. 접착제 성분과, 도전 입자와, 절연 입자를 함유하고,
    상기 도전 입자의 평균 입경 Rc에 대한 상기 절연 입자의 평균 입경 Ri의 비(Ri/Rc)가 120 내지 300％이며,
    상기 도전 입자 100 체적부에 대하여, 상기 절연 입자를 50 내지 200 체적부 함유하는 접착제 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접착제 성분 100 질량부에 대하여, 상기 절연 입자를 1 내지 20 질량부 함유하는 접착제 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연 입자가 절연성의 수지를 주성분으로서 함유하는 입자인 접착제 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 절연성의 수지가 실리콘 수지인 접착제 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도전 입자의 평균 입경 Rc가 1 내지 20 ㎛인 접착제 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도전 입자의 평균 입경 Rc가 2 내지 10 ㎛인 접착제 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 절연 입자의 평균 입경 Ri가 1.2 내지 20 ㎛인 접착제 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 도전 입자의 평균 입경 Rc에 대한 상기 절연 입자의 평균 입경 Ri의 비(Ri/Rc)가 130 내지 200％인 접착제 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 접착제 성분 100 체적부에 대하여, 상기 도전 입자를 0.1 내지 30 체적부 함유하는 접착제 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 절연 입자의 10％ 압축 탄성률(K치)가 상기 도전 입자의 K치 이하인 접착제 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 상기 도전 입자의 K치가 100 내지 1000 kgf/㎟이고, 상기 절연 입자의 K치가 1 내지 1000 kgf/㎟인 접착제 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 접착제 성분 100 질량부에 대하여, 상기 절연 입자를 0.1 내지 20 질량부 함유하는 접착제 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물을 함유하고, 회로 전극을 갖는 회로 부재끼리를, 각각의 회로 부재에 있는 회로 전극끼리가 전기적으로 접속되도록 접착시키기 위해서 이용되는 회로 접속 재료.
  14. 제13항에 있어서, 필름 형상으로 형성되는 회로 접속 재료.
  15. 제1 회로 기판의 주면 상에 제1 회로 전극이 형성된 제1 회로 부재와,
    제2 회로 기판의 주면 상에 제2 회로 전극이 형성된 제2 회로 부재와,
    상기 제1 회로 기판의 주면과 상기 제2 회로 기판의 주면과의 사이에 설치되고, 상기 제1 회로 전극과 상기 제2 회로 전극을 대향 배치시킨 상태로 전기적으로 접속시키는 회로 접속 부재
    를 구비하고,
    상기 회로 접속 부재는 제13항에 기재된 회로 접속 재료의 경화물인, 회로 부재의 접속 구조.
  16. 반도체 소자와,
    상기 반도체 소자를 탑재하는 기판과,
    상기 반도체 소자 및 상기 기판 사이에 설치되고, 상기 반도체 소자 및 상기 기판을 전기적으로 접속시키는 반도체 소자 접속 부재
    를 구비하고,
    상기 반도체 소자 접속 부재는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물의 경화물인, 반도체 장치.
KR1020117006617A 2005-12-26 2006-12-14 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조 KR101139984B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-373042 2005-12-26
JP2005373042 2005-12-26
JPJP-P-2006-213230 2006-08-04
JP2006213230 2006-08-04
PCT/JP2006/324929 WO2007074652A1 (ja) 2005-12-26 2006-12-14 接着剤組成物、回路接続材料及び回路部材の接続構造

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087018406A Division KR101140088B1 (ko) 2005-12-26 2006-12-14 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110036778A true KR20110036778A (ko) 2011-04-08
KR101139984B1 KR101139984B1 (ko) 2012-05-02

Family

ID=38217873

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117006617A KR101139984B1 (ko) 2005-12-26 2006-12-14 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조
KR1020117006616A KR20110036777A (ko) 2005-12-26 2006-12-14 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조
KR1020087018406A KR101140088B1 (ko) 2005-12-26 2006-12-14 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117006616A KR20110036777A (ko) 2005-12-26 2006-12-14 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조
KR1020087018406A KR101140088B1 (ko) 2005-12-26 2006-12-14 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120085579A1 (ko)
EP (3) EP2348087A1 (ko)
JP (3) JPWO2007074652A1 (ko)
KR (3) KR101139984B1 (ko)
CN (5) CN102153964A (ko)
TW (4) TW200728430A (ko)
WO (1) WO2007074652A1 (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2211596A4 (en) * 2007-10-02 2011-08-10 Hitachi Chemical Co Ltd CIRCUIT CONNECTION MATERIAL AND CIRCUIT TERMINAL CONNECTION STRUCTURE
EP2237650A4 (en) * 2007-10-15 2011-02-02 Hitachi Chemical Co Ltd CIRCUIT CONNECTING ADHESIVE FILM AND CIRCUIT CONNECTING STRUCTURE
EP2206756A1 (en) * 2007-10-29 2010-07-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material, connection structure and method for producing the same
JP5140816B2 (ja) 2009-03-31 2013-02-13 デクセリアルズ株式会社 接合体及びその製造方法
US8319339B2 (en) * 2009-07-10 2012-11-27 Stmicroelectronics (Tours) Sas Surface-mounted silicon chip
WO2011115105A1 (ja) * 2010-03-17 2011-09-22 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、異方性導電材料及び接続構造体
US9412717B2 (en) * 2011-11-04 2016-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for molded underfills in flip chip packaging
JP5972564B2 (ja) * 2011-12-14 2016-08-17 デクセリアルズ株式会社 接続方法、接続構造体、異方性導電フィルム及びその製造方法
JP5936882B2 (ja) * 2012-03-02 2016-06-22 デクセリアルズ株式会社 回路接続材料、及びそれを用いた実装体の製造方法
JP5749680B2 (ja) * 2012-04-26 2015-07-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
CN103294248B (zh) * 2012-08-17 2016-04-20 上海天马微电子有限公司 触控液晶显示装置的电连接结构
US20150181702A1 (en) * 2013-03-05 2015-06-25 Eastman Kodak Company Micro-wire connection pad
KR101568659B1 (ko) * 2013-03-29 2015-11-12 제일모직주식회사 도전성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치
JP6069153B2 (ja) * 2013-09-27 2017-02-01 デクセリアルズ株式会社 アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
TWI508258B (zh) * 2013-12-19 2015-11-11 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法
JP6329014B2 (ja) * 2014-06-19 2018-05-23 積水化学工業株式会社 接続構造体及び接続構造体の製造方法
CN107075258B (zh) * 2014-10-01 2020-03-06 纳美仕有限公司 树脂组合物
KR102428149B1 (ko) * 2015-02-04 2022-08-02 나믹스 가부시끼가이샤 열전도성 페이스트 및 그의 제조 방법
JP6558720B2 (ja) * 2015-02-24 2019-08-14 株式会社村田製作所 圧電振動部品及び塗布方法
GB2539684B (en) * 2015-06-24 2018-04-04 Dst Innovations Ltd Method of surface-mounting components
TWI690580B (zh) * 2015-09-16 2020-04-11 日商日立化成股份有限公司 接著劑組成物、異向導電性接著劑組成物、電路連接材料及連接體
JP6859077B2 (ja) * 2015-11-11 2021-04-14 積水化学工業株式会社 粒子材料、接続材料及び接続構造体
JP6652513B2 (ja) * 2016-03-03 2020-02-26 信越化学工業株式会社 生体電極の製造方法
JP6322336B2 (ja) 2016-03-10 2018-05-09 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
JP6549517B2 (ja) * 2016-05-09 2019-07-24 信越化学工業株式会社 生体電極及びその製造方法
KR20220146692A (ko) * 2016-09-09 2022-11-01 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전 재료, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법
CN110168759B (zh) * 2016-12-13 2023-07-04 琳得科株式会社 热电转换材料及其制造方法
JP7046351B2 (ja) 2018-01-31 2022-04-04 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7185252B2 (ja) 2018-01-31 2022-12-07 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7160302B2 (ja) 2018-01-31 2022-10-25 三国電子有限会社 接続構造体および接続構造体の作製方法
US11224131B2 (en) * 2018-04-04 2022-01-11 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. Systems and methods for surface mounting cable connections
US20190355277A1 (en) * 2018-05-18 2019-11-21 Aidmics Biotechnology (Hk) Co., Limited Hand-made circuit board
CN113365412B (zh) * 2020-03-05 2022-06-24 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 复合电路板及其制作方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5120941A (ja) 1974-08-14 1976-02-19 Seikosha Kk Dodenseisetsuchakuzai
JPS59120436A (ja) 1982-12-27 1984-07-12 Seikosha Co Ltd 異方導電性ゴムシ−トの製造方法
JPS60191228A (ja) 1984-10-29 1985-09-28 Seiko Epson Corp 表示装置の接続構造
CA1337700C (en) 1985-10-15 1995-12-05 Anthony Revis Process for preparation of silyl ketene acetals
JPH07103331B2 (ja) * 1987-10-30 1995-11-08 イビデン株式会社 樹脂系導電ペースト
JPH01251787A (ja) 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp 電子部品の接続装置
US5001542A (en) 1988-12-05 1991-03-19 Hitachi Chemical Company Composition for circuit connection, method for connection using the same, and connected structure of semiconductor chips
US4999460A (en) * 1989-08-10 1991-03-12 Casio Computer Co., Ltd. Conductive connecting structure
JPH04174980A (ja) 1990-11-07 1992-06-23 Hitachi Chem Co Ltd 回路の接続部材
JPH077607B2 (ja) * 1990-12-27 1995-01-30 イナバゴム株式会社 変形導電性エラストマー
US5371327A (en) * 1992-02-19 1994-12-06 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Heat-sealable connector sheet
JP3048197B2 (ja) 1992-08-05 2000-06-05 シャープ株式会社 異方性導電膜
JP3907217B2 (ja) 1993-07-29 2007-04-18 日立化成工業株式会社 回路接続材料とその接続材料を用いた回路の接続方法
KR0179802B1 (ko) * 1995-12-29 1999-03-20 문정환 반도체 패키지
JPH108006A (ja) * 1996-06-26 1998-01-13 Three Bond Co Ltd 導電性接着剤組成物及び当該組成物で接続した電子部品
JP3719471B2 (ja) * 1997-09-02 2005-11-24 日立化成工業株式会社 Ｉｃチップ接続用接着フィルム
JP3120837B2 (ja) * 1998-03-18 2000-12-25 日本電気株式会社 電気的接続用の樹脂フィルムおよび樹脂フィルムを用いた電気的接続方法
JP3477367B2 (ja) 1998-05-12 2003-12-10 ソニーケミカル株式会社 異方導電性接着フィルム
JPH11345517A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤
JP2001214149A (ja) * 2000-01-31 2001-08-07 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電接着剤
WO2001064807A1 (fr) * 2000-02-29 2001-09-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Adhesif conducteur, appareil de montage de composant electronique, et procede de montage d'un tel composant
JP2001271053A (ja) * 2000-03-24 2001-10-02 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤
JP3792554B2 (ja) * 2001-03-26 2006-07-05 シャープ株式会社 表示モジュール及びフレキシブル配線板の接続方法
KR100398314B1 (ko) * 2001-07-19 2003-09-19 한국과학기술원 고접착력 3층 구조 ａｃａ 필름
US20060035036A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-16 Telephus Inc. Anisotropic conductive adhesive for fine pitch and COG packaged LCD module

Also Published As

Publication number Publication date
CN102161873A (zh) 2011-08-24
TW201114877A (en) 2011-05-01
KR101140088B1 (ko) 2012-04-30
WO2007074652A1 (ja) 2007-07-05
TW200728430A (en) 2007-08-01
TWI375709B (ko) 2012-11-01
EP2348087A1 (en) 2011-07-27
KR20080081353A (ko) 2008-09-09
CN102244042A (zh) 2011-11-16
KR101139984B1 (ko) 2012-05-02
TW201114878A (en) 2011-05-01
TWI379882B (ko) 2012-12-21
JP2011179006A (ja) 2011-09-15
CN101346449B (zh) 2011-06-15
EP1967564A1 (en) 2008-09-10
TW201132736A (en) 2011-10-01
JPWO2007074652A1 (ja) 2009-06-04
KR20110036777A (ko) 2011-04-08
CN102153964A (zh) 2011-08-17
EP2322585A1 (en) 2011-05-18
JP2011179004A (ja) 2011-09-15
CN101346449A (zh) 2009-01-14
CN102161866A (zh) 2011-08-24
EP1967564A4 (en) 2010-08-04
JP4998635B2 (ja) 2012-08-15
US20120085579A1 (en) 2012-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101139984B1 (ko) 접착제 조성물, 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조
KR101385899B1 (ko) 접착제 조성물, 필름상 접착제 및 회로 부재의 접속 구조
KR101081263B1 (ko) 접착 시트, 이를 이용한 회로 부재의 접속 구조 및 반도체 장치
KR100559153B1 (ko) 전극의 접속방법, 그것에 사용되는 표면처리 배선판 및접착필름 및 전극의 접속구조
KR101020469B1 (ko) 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조
KR101180571B1 (ko) 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조
KR101223350B1 (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 회로 접속 구조체
KR20110057253A (ko) 회로 접속 구조체
KR20100119830A (ko) 회로 접속 재료 및 회로 부재의 접속 구조
KR20100080628A (ko) 회로 접속 재료, 및 회로 부재의 접속 구조
JP2011012180A (ja) 回路接続材料及び回路接続構造体
KR20200103043A (ko) 접속 구조체 및 그의 제조 방법
KR20100039419A (ko) 회로 부재의 접속 구조
KR20140019380A (ko) 회로 접속 재료, 회로 부재의 접속 구조 및 회로 부재의 접속 구조의 제조 방법
JP2011100605A (ja) 回路接続材料及び、これを用いた回路部材の接続構造
JP4380328B2 (ja) 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法
JP2011119154A (ja) 接続方法及び接続構造体

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee