KR20060132872A - 가스성 오염물의 연소를 제어하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 가공 시스템 내에서의 원치않는 반응 생성물의 증착을 감소시키고 제거하면서 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 시스템은 상부 열 반응기 내의 열적 연소를 위해 가스성 폐기 흐름을 산화제 및 가연성 연료와 혼합시키기 위한 적어도 하나의 유입구를 포함한 상부 열 반응기를 갖는 2-단계 열 반응기를 사용한다. 상부 열 반응기는 상부 반응기 챔버의 내부에 반응 생성물이 증착되는 것을 감소시키기 위해 펄스 모드로 내부 다공성 벽을 통해 상부 열 반응기로 유체를 유지시키고 분출시키기 위한 내부 공간을 형성하는 외부 외벽과 내부 다공성 벽을 갖는 이중 벽 구조를 더 포함한다. 2-단계 열 반응기는 하부 반응기 챔버의 내부를 따라 넘쳐 흐르는 물을 제공하여 이로써 하부 반응기의 내부면 상의 원치않는 생성물의 증착을 감소시키는 물 와동을 통해 상부 열 반응기 내에 형성된 반응 생성물을 유동시키기 위한 하부 반응기 챔버를 더 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 제조시 발생한 유출 가스와 같은 산업 유출 유체의 열처리 및 가공 시스템의 반응 산물의 증착을 감소시키기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
반도체 재료, 소자, 생산품 및 메모리 제품의 제조시 발생한 가스성 유출물은 처리 시설에 사용되고 제조된 매우 다양한 화학적 화합물을 포함한다. 이들 화합물은 유기 및 무기 화합물, 포토-레지스트 및 기타 반응물의 파손된 생산물, 및 처리 시설로부터 대기로 배출되기 전의 가스성 폐기 흐름으로부터 제거되어야 하는 매우 다양한 기타 가스들을 포함한다.
반도체 제조 프로세스는 다양한 화학물질을 이용하며, 이들 중 대부분은 극히 낮은 인간 허용오차 레벨(human tolerance level)을 갖는다. 이러한 물질들은 안티몬, 비소, 보론, 게르마늄, 질소, 인, 실리콘, 셀레늄의 수소화물; 실란; 인, 아르곤, 수소의 실란 혼합물; 유기실란, 할로실란, 할로겐 및 기타 유기 화합물을 포함한다.
예컨대, 플루오린(F2)과 플루오린 화합물과 같은 할로겐은 배제되어야 할 여러 성분들 중에서도 특히 문제가 된다. 전자 산업은 증착 단계의 잔류물을 제거하고 박막을 에칭하기 위해 웨이퍼 제조 장치에 퍼플루오리네이티드 화합물(PFC:perfluorinated compound)를 사용한다. PFC는 지구 온난화에 큰 영향을 미치는 것으로 알려져 있고 전자 산업은 이러한 가스의 방출을 감소시키기 위해 노력하고 있다. 가장 일반적으로 사용되는 PFC는 CF4,C3F6, SF6, C3F8, 및 NF3이다. 이들 PFC는 플라즈마에서 해리되어 실제로 세정 및 에칭에 사용되는 높은 반응성 F2와 플루오린 라디칼을 발생시킨다. 이러한 프로세싱 작업에서 발생한 생산물들은 대부분 플루오린, 실리콘 테트라플로오라이드(SiF4)를 포함하고, 보다 적은 정도로 수소 플루오라이드(HF), 카르보닐 플루오라이드(COF2), CF4 및 C2F6를 포함한다.
반도체 제조 프로세스의 유출 가스 흐름에서 이들 물질들을 제거하는 것은 심각한 문제가 되었다. 실제로 모든 미국 반도체-제조 시설들은 이들 유출 가스들을 처리하기 위해 집진기(scrubber) 또는 유사한 수단을 사용하지만, 이러한 시설에 사용된 기술은 모든 독성 또는 기타 허용될 수 없는 불순물을 제거할 수 없다.
이런 문제를 위한 한가지 해결책은 독성 물질들이 산화되도록 처리 가스를 소각시켜, 독성이 거의 없는 형태로 바꾸는 것이다. 대부분 이러한 시스템은 처리 용량의 관점에서 항상 과도하게 설계되고, 복합체의 반응성 화학물질이 위험하지 않도록 대량의 혼합된 화학물질 흐름을 안전하게 다룰 수 있는 능력을 갖지 않는 다. 또한, 종래 소각로는 거의 완전한 연소를 할 수 없고 이로 인해 대기 중으로 카본 모녹사이드(CO)와 하이드로카본(HC)을 포함한 오염물을 방출한다. 게다가, 가스 유출물의 큰 문제 중 하나는 산성 안개, 산성 증기, 산성 가스 및 NOx(NO, NO2)를 형성한다는 것이다. 종래 소각로는 연소 연료를 비가연성 프로세스 흐름과 충분히 혼합할 수 없어 혼합물이 가연성이 되고 완전히 연소시킬 수 없다는 한계를 갖는다.
옥시전 또는 옥시전 부화 공기는 연소 챔버에 직접 첨가되어 연소 온도를 높이도록 가스성 폐기 흐름과 혼합되지만, 옥사이드, 특히 실리콘 옥사이드가 형성될 수 있고 이러한 옥사이드는 연소 챔버의 벽에 증착되는 경향이 있다. 형성된 실리콘 옥사이드 덩어리는 비교적 크고 연소 챔버 내의 증착은 점차 증가하여 장비 보수를 증가시킨다.
따라서, 완전한 연소를 보장하면서 반응기 유닛 내의 원치 않는 반응 생성물의 증착을 감소시킬 수 있게 가스성 폐기 흐름을 혼합하도록 높은 가연성 가스의 도입을 통해 높은 연소 온도를 제공하는, 가스성 폐기 흐름의 높은 저항성 오염물의 연소를 위한 향상된 열 반응기 유닛을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명은 열 반응기 내의 가스성 반도체 폐기물의 연소를 제어하고 시스템 내의 증착 생성물의 축적을 감소시키기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
일 태양에서, 본 발명은 가스성 흐름들로부터 오염물질들을 제거하기 위한 2-단계 반응기에 관한 것으로서, 상기 2-단계 반응기는 a) 상부 열 반응 챔버 및 b) 하부 반응 챔버를 포함하고,
a) 상기 상부 열 반응 챔버는,
ⅰ) 외부 외벽;
ⅱ) 중앙 연소 챔버를 형성하고, 상기 외부 외벽으로부터 충분한 거리에 위치하여 내부 공간을 형성하는, 내부 다공성 벽;
ⅲ) 가스성 폐기 흐름을 내부에 도입하기 위해 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 적어도 하나의 폐기 가스 유입구;
ⅳ) 상기 가스성 폐기 흐름을 연소시켜 반응 생성물들을 형성하기 위한 열적 수단; 및
ⅴ) 펄스 조건 하에서 유체를 상기 내부 공간으로 도입시키기 위한 수단
을 포함하고, 상기 내부 다공성 벽은 상기 유체를 상기 내부 공간으로부터 상기 중앙 연소 챔버로 충분한 힘으로 전달하여 상기 내부 다공성 벽의 반응 생성물의 증착을 감소시키며,
b) 상기 하부 반응 챔버는,
ⅰ) 상기 가스성 폐기 흐름과 반응 생성물을 통과시키기 위한 유입구 및 배출구를 포함한, 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 가스 유동 챔버;
ⅱ) 산화제를 상기 가스 흐름 유동 챔버로 도입하도록 위치한 적어도 하나의 산화제 유입구; 및
ⅲ) 상기 가스 유동 챔버의 유입구 부근에 위치하는 액체 와동부
를 포함하고, 상기 액체 와동부는 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면들 상에 하향으로 유동하는 액체를 발생시켜 미립물질 고체들의 증착과 축적을 감소시키기 위한 수단을 갖는다.
또 다른 태양에서, 본 발명은 가스성 폐기 흐름의 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 시스템에 관한 것으로서, 상기 시스템은 a) 상부 열 반응 챔버 및 b) 하부 반응 챔버를 포함하며,
a) 상기 상부 열 반응 챔버는,
ⅰ) 외부 외벽;
ⅱ) 중앙 연소 챔버를 형성하고, 상기 외부 외벽으로부터 충분한 거리에 위치하여 내부 환형 공간을 형성하는, 내부 다공성 벽;
ⅲ) 펄스 조건 하에서 유체를 상기 내부 환형 공간으로 도입시키는 수단;
ⅳ) 상기 가스성 폐기 흐름을 연소시켜 반응 생성물들을 형성하기 위한 열적 수단; 및
ⅴ) 상기 가스성 폐기 흐름을 상기 상부 열적 반응기 안으로 이동시키기 위한 적어도 하나의 폐기 가스 유입구
를 포함하고, 상기 내부 다공성 벽은 상기 유체를 상기 내부 환형 공간으로부터 상기 중앙 연소 챔버까지 충분한 압력 또는 속도로 전달시켜 상기 내부 다공성 벽 상의 반응 생성물들의 증착을 감소시키며, 상기 폐기 가스 유입구는 상기 중앙 연소 챔버 냉의 도관의 일부에서 종결되는 도관을 가지며, 상기 도관의 일부는 상기 도관의 단부를 넘어 돌출하는 튜브 내에 위치하여 불꽃 형성을 위한 상기 도관 내의 챔버를 형성하고, 상기 튜브는 상기 중앙 연소 챔버와 소통하는 개방 단부를 가지며,
b) 상기 하부 반응 챔버는,
ⅰ) 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 가스 유동 챔버;
ⅱ) 산화제를 상기 가스 흐름 유동 챔버로 도입하도록 위치한 적어도 하나의 산화제 유입구; 및
ⅲ) 상기 중앙 연소 챔버와 상기 가스 흐름 유동 챔버 사이에 위치한 액체 와동부
를 포함하고, 상기 액체 와동부는 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내벽들 상에서 하향으로 유동하는 액체를 발생시켜 이로써 미립물질 고체들의 증착과 축적을 감소시키기 위한 수단을 갖는다.
바람직하게, 상기 액체 와동부는:
(ⅰ) 상부 플레이트 및 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 중앙 개구부를 갖는 외부 쉘;
(ⅱ) 내부면 및 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면들과 대체로 정렬된 중앙 개구부를 가지며, 상기 외부 쉘의 내부면과 대체로 동심형으로 정렬되어 동심형 챔버를 형성하는, 상기 외부 쉘 내부의 원뿔형 배플(baffle); 및
(ⅲ) 상기 동심형 챔버 안으로 접하면서 도입되도록 배치되고, 이로써 상기 동심형 챔버에 액체가 채워져 소용돌이 운동을 형성하게 하며, 상기 액체가 상승하고 상기 원뿔형 배플을 넘어 상기 가스 흐름 유동 챔버 안으로 흘러 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면 상에서 하향으로 흐르는 상기 원뿔형 배플의 내부면 상의 유체의 층류 시트(laminar sheet)를 형성하게 하는, 액체 유입구
를 포함한다.
이러한 장치에 의해, 가스 흐름 유동 챔버로 진입하는 가스 흐름은 상기 구조물의 하부에 있는 벽과 직접 접촉하는 것이 방지된다. "와동부"로부터 물의 하강 막은 미립물질 고체가 가스 흐름 유동 챔버의 내부 벽 표면에 축적하는 것을 방지한다. 이러한 벽 표면 상의 이동 액체 흐름은 물 막과 접촉하는 가스 흐름의 미립물질을 하향으로 이동시켜 가스 흐름 유동 챔버로부터 분리시킨다.
상부 반응 챔버에서, 내부 다공성 벽은 소결된 세라믹 몸체를 포함할 수 있으며, 소결된 금속 또는 재료는 구멍(pore) 크기 또는 메시(mesh) 크기와 무관하게 유체 전달을 위해 재료 전체에 미세한 구멍들을 갖는다. 바람직하게, 구멍들은 재료 전체에 균일하게 분산된다. 재료는 유체가 연소 챔버의 내부면을 향한 반응 생성물들의 이동을 감소시키기에 충분한 속도로 내부 벽을 통해 연소 챔버로 용이하게 분출될 수 있는 크기의 구멍 또는 관통구(perforation)를 포함할 수 있다. 예컨대, 관통구의 숫자에 의해 결정되는 소정의 직경을 갖는 입방 인치 당 40 내지 1400 정도의 관통구들이 존재할 수 있다.
대안으로서, 내부 다공성 벽은 연소 챔버 방향으로 좁은 대체로 깔때기형 구조체를 갖는 다수의 테이퍼링된 돌출물을 갖는 재료를 포함할 수 있다. 이들 원뿔형 구멍들은 내부 환형 공간으로의 유체 또는 반응 생성물의 역류 또는 중앙 연소 챔버의 내부면 상의 증착을 감소시키면서 중앙 연소 챔버로의 유체 통로를 제공한다.
외부 외벽과 내부 다공성 벽의 분리는 전체 노출된 내부 다공성 벽에 대해 바람직하게 압력 아래로 가스를 분산시키기에 충분한 내부 공간을 제공한다. 대안으로서 내부 다공성 벽은 가스를 중앙 연소 챔버로 도입시키기 위한 다수의 개구부 또는 노즐을 포함한다.
유체는 분출시 중앙 연소 챔버의 내부면 상의 증착을 감소시키기에 충분한 적절한 압력으로 바람직하게 가압되는 공기 및/또는 불활성 가스와 같은 가스로 이루어질 수 있다. 동작시, 가압가능한 가스는 상부 반응 챔버의 벽에 접근하는 가스 흐름 내의 입자 또는 부식성 가스의 속도보다 높은 속도로 내부 다공성 벽을 통해 충분한 압력으로 분출되고, 이로써 연소 챔버의 내부면을 향한 입자들의 이동을 방지하는 내부 다공성 벽에 인접한 연소 챔버 내의 구역을 생성한다. 대체로, 가스는 약 50 내지 600 프사이(psig) 사이의 범위, 바람직하게는 약 60 내지 100 프라이의 범위로 가압되지만, 이는 당업자가 연소 챔버로의 가스성 흐름의 유속 측정을 결정함으로써 용이하게 조절할 수 있다. 따라서, 내부 다공성 벽을 통해 탈출하는 가스의 속도는 연소 챔버의 가스성 흐름 내의 반응 생성물의 속도 보다 크거나 같도록 조절될 수 있다.
바람직하게, 내부 다공성 벽의 통로를 통해 연소 챔버로 분출된 유체는 펄스 모드이다. 대체로, 분출된 유체의 펄스 기간은 약 3 밀리초(ms) 내지 약 1 초(s)이며, 보다 바람직하게는 약 20 밀리초 내지 약 100 밀리초이다.
또 다른 태양에서, 본 발명은 2-단계 열 반응기 내의 처리에 의해 가스성 폐기 흐름의 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은:
ⅰ) 적어도 하나의 유입구 단부를 통해 상기 가스성 폐기 흐름을 상부 열 반응기로 도입시키는 단계;
ⅱ) 연료 부화 연소가능한 가스 흐름 혼합물들을 형성하기 위해 상기 가스성 폐기 흐름을 혼합하기 위한 적어도 하나의 연소가능한 연료를 제공하는 단계;
ⅲ) 산화된 반응 생성물들을 유효하게 형성하기 위해 연소 챔버 내에 상기 연료 부화 연소가능한 가스 흐름 혼합물을 점화하는 단계;
ⅳ) 상기 연료 부화 연소가능한 가스 흐름 혼합물의 연소와 동시에 상기 연소 챔버 안으로 첨가 유체 - 상기 첨가 유체는 펄스 모드 및 상기 연소 챔버 내의 우회 패턴으로 주입되고 이로써 상기 연소 챔버의 내부에 반응 생성물들의 증착을 방지함 - 를 주입하는 단계;
ⅴ) 하부 반응 챔버 안으로 반응 생성물들의 흐름을 유동시키면서 상기 흐름에 공기-함유 가스를 도입시키고 이로써 연료 빈화(lean) 혼합물을 제공하는 단계; 및
ⅵ) 상기 하부 반응 챔버의 진입부 부근에 위치한 물 와동부를 통해 반응 생성물들의 흐름을 유동시키는 단계
를 포함하며, 상기 물 와동부로부터 강하하는 물은 상기 하부 반응 챔버의 내부면들 상에서 반응 생성물들의 증착을 방지한다.
본 발명의 다른 태양 및 장점은 명세서 및 청구항들로부터 보다 분명하게 나타난다.
도 1은 본 발명에 따른 2-단계 열 반응기의 부분적인 단면도이다.
도 2는 처리 시설로부터 열 반응기 안으로 가스성 폐기 흐름을 도입하기 위한 본 발명에 따른 통합 버너를 구비한 흡입 노즐의 부분 단면도이다.
도 3은 내부 환형 공간으로부터 중앙 연소 챔버 안으로의 유체 전달을 도시하는 상부 열 반응 챔버의 부분 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서에 개시된 시스템을 나타내는 2-단계 반응기(10)가 도시되어 있다. 상부 반응 챔버(12) 및 하부 반응 챔버(14)가 도시되어 있다. 상부 반응 챔버는 가스성 폐기 흐름을 도입시키기 위한 적어도 하나의 폐기 가스 유입구(15)를 포함한다. 본 실시예에서, 연료 부화 가스 혼합물을 제공하고 이로써 저항성 오염물들의 파괴를 위해 시스템 내의 연소 온도를 높이도록 추가의 가연성 가스들 또는 산화제들을 도입시키기 위한 추가의 독립 가스 유입구(16 및 17)가 존재한다.
상부 반응 챔버는 일반적인 금속 재료로 만들어진 외부 외벽(20)과 중앙 연소 챔버(24)를 둘러싸는 다공성 재료로 만들어진 내부 벽(22)을 포함한다. 내부 다공성 벽은 내부 환형 공간(26)을 형성하기 위해 외부 외벽으로부터 충분한 거리 에 위치한다. 환형 공간(26)은 바람직하게 가압된 유체를 도입시키기 위해 제공되며, 유체는 포트(port)(27)를 통해 환형 공간에 진입하고 내부 다공성 벽(22)을 통해 환형 공간에서 배출되어 내부 다공성 벽을 통해 외부로(30) 및/또는 내부 다공성 벽(22)의 내부면을 따라 아래로 펄싱한다. 내부 다공성 벽을 통해 중앙 연소 챔버로의 유체의 펄싱 분출은 중앙 연소 챔버의 내부면 상의 미립물질이 조성되는 것을 감소시키고 및/또는 경감시킨다. 바람직하게, 펄싱 가스는 연소 챔버 내의 가스 흐름이며 내부 벽에 접근하는 입자들의 속도를 초과하는 속도로 내부 다공성 벽을 통해 배출되며, 이로써 비-증착 구역이 연소 챔버의 내부 벽에 인접하게 하고 연소 챔버의 내부면 상에 입자 증착을 감소시킨다.
혼입된(entrained) 입자들을 갖는 혼합 가스들은 상부 열 챔버에서 배출되고, 가스 흐름 챔버(32), 중앙 연소 챔버로부터의 가스 흐름이 연료 부화에서 연료 빈화 혼합물로 바뀌기에 충분한 양의 산화제의 도입을 위한 적어도 하나의 유입구(34)를 포함한 하부 반응 챔버(14) 안으로 흐른다. 하부 반응 챔버는 액체 와동부(33)를 더 포함하며, 액체 와동부에서 액체는 유입구(38)를 통해 외부 동심형 챔버(36)로 접하면서 진입하여 소용돌이 운동을 형성하며, 액체는 상승하고 배플(40)을 넘어 가스 유동 챔버(32)로 흘러 가스 유동 챔버의 내부면 상에 연속적인 액체 막을 유지하고, 이로써 배플(40)과 가스 유동 챔버(32)의 내부면 상에서의 증착을 감소시킨다.
도 2는 2-단계 열 반응 시스템에서의 처리를 위해 가스성 폐기 흐름을 도입하기 위한 폐기 가스 유입구(15)를 도시한다. 본 실시예에서, 연소 온도를 높이는 연료 부화 혼합물을 제공하도록 가스성 폐기 흐름과 혼합하기 위한 연료 가스 및/또는 산화제의 도입을 위한 다수의 독립적인 가스 유입구(16 및 17)가 존재한다. 폐기 가스 유입구 튜브(15)는 연장부(45)에서 종결하는 중앙 연소 챔버의 반응 벽(44)을 계속 통과한다. 혼합된 가스는 연장부(45)에서 배출되지만, 직접 중앙 반응 챔버(24)로 흐르지 않고 대신에 열적 연소 및/또는 산화를 위해 동심 튜브(46)로 흐른다. 바람직하게, 튜브(46)에서의 연소는 튜브(46) 내에 또는 튜브의 하류단부 부근에 위치한 종래 타입의 파일럿 버너(pilot burner)에 의해 점화를 위한 스파킹 플러그 또는 고온 표면(hot surface)을 이용하여 촉진된다. 연료와 연소 보조 가스, 예컨대 프로판, 메탄 또는 수소 가스 및 공기의 혼합 흐름은 통로(16 및/또는 17)를 통해 공급되고 유입구(15)에 주입된 가스성 폐기 흐름과 결합한다.
대안으로서, 전기 저항성 가열, 적외선 복사, 마이크로파 복사, 대류성 열전달 또는 고체 전도와 같이 적절한 방식으로 가열된 전기 가열 유닛이 본 발명에 사용될 수 있다. 가스 및 가스 유동의 혼합물의 온도는 불꽃이 동심 튜브(46,24) 내에서 발생하도록 선택된다.
유입구(16)는 가스성 폐기 흐름과 혼합하기 위해 폐기 유입구 튜브 및 반응 챔버 사이에 공기를 도입시키는데 사용될 수 있다. 유입구(17)는 가스성 폐기 흐름의 개선을 위해 연소 온도를 충분한 반응 온도까지 높이도록 가연성 연료로서 산소 또는 천연 가스를 도입하기 위해 제공된다. 각각의 유입구들은 산화를 제어하고, 부적절한 가스 흐름 혼합의 가능성을 감소시키며 인접한 유입구들에 사용되는 파라미터와 독립하여 능동적인 유입구 압력 제어가 가능하다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 상부 열 반응 챔버가 도시되어 있다. 외부 외벽(20)은 미리 설정된 열 저항과 강도를 갖는 한 어떤 재료로도 만들어질 수 있으며 용접, 플렌지(flange) 결합 등에 의해 접합부에서 단단하게 결합될 수 있다. 내부 다공성 벽(22)은 열 저항 및 강도 조건을 만족하는 한 어떠한 다공성 재료도 포함할 수 있으며 환형 공간으로부터 중앙 연소 챔버까지 유체를 전달하기에 충분한 다공성을 갖는 소결된 세라믹 또는 소결된 금속 등을 포함할 수 있다. 소결된 세라믹은 다공성 재료가 약 30% 내지 약 80%의 공극율을 가지며 구멍 크기 반경이 약 15 nm 내지 약 2 ㎛의 범위인, MgAl2O4, Al2O3 또는 SiC를 포함하지만, 반드시 이들에 제한되지는 않는다.
가스성 폐기 흐름은 반응기 상부에서 유입구(15)(도시안됨)를 통해 진입하며 튜브(46)(도시안됨)에서 연소한 후에 중앙 연소 챔버(24) 안으로 진입한다. 추가의 가스성 또는 유체가 펄스 조건 하에서 외부 다공성 벽(22)을 통해 화살표(30)로 지시된 것처럼 중앙 연소 챔버(24) 안으로 도입된다. 가스 또는 유체는 유입구(27)를 통해 외부 외벽(20)과 내부 다공성 벽(22) 사이에 형성된 환형 공간(26) 안으로 도입된다. 환형 공간 내에 있는 유체는 비-증착 구역이 중앙 연소 챔버의 내부면에 인접하게 있도록 충분한 속도 및/또는 압력에서 내부 다공성 벽(22)을 통해 중앙 연소 챔버 안으로 이동하거나 확산되고 이로써 중앙 연소 챔버의 내부면 상에 원치않는 반응 생성물의 증착을 감소시킨다.
바람직하게, 펄싱 가스 또는 유체는 가압되고 주기적인 방식으로 내부 벽(22)을 통해 또는 벽을 따라 펄싱되어, 미립물질이 과도하게 조성되거나 증착물을 제거하기에 크고 곤란할 정도로 덩어리로 형성되지 않게 한다. 펄스 크기와 주기는 물질을 재료를 형성하는 미립물질의 타입과 양, 반응기의 온도에 의존하며 당업자가 용이하게 결정할 수 있다.
외부 외벽(20)에 위치한 유체 유입구(27)는 압축된 공기와 같이 환형 공간(26) 안으로 공급될 가압된 유체를 제공한다. 대안으로서, 다수의 유입구들은 외부 외벽의 길이를 따라 환형 공간 안으로 가압된 유체를 확산시키고 도입하기 위해 사용될 수 있다.
가압된 유체는 적절한 압력으로 압축된 공기 및 불활성 가스와 같은 가스를 포함하여, 가스가 원치않는 반응 생성물을 가소 및/또는 제거하면서 중앙 연소 챔버의 연소 처리에 영향을 미치지 않도록 내부 다공성 벽(22)의 구멍들을 통과할 수 있다.
가압된 유체는 공급될 수 있게 유입구(27)에 결합될 수 있는 세정 건조 공기(CDA:clean dry air)와 같은 산화제를 포함하며 이로 인해 유입된 공기는 외부 벽(20)과 내부 다공성 벽(22) 사이의 환형 공간으로 흐른다. 대안으로서, 공기는 적절한 온도로 가열되고 개구부 또는 구멍들을 통해 내부 다공성 벽(22)으로 흐른다. 이러한 방식으로, 산화제가 첨가되어 유출 가스와 혼합되고 반응기 내의 열적 산화를 위해 산화가능한 유출 가스 혼합물을 형성한다.
유체는 바람직하게 펄스 모드로 연소 챔버 안으로 분출된다. 약 3 밀리 초(ms) 내지 약 1 초의 펄스 기간의 펄싱 모드로 유체를 도입시킬 수 있는 장치가 본 발명에 사용될 수 있다.
펄스 조건은 연속하는 펄스 트레인(train)의 형태로 공급되며 각각의 펄스 트레인의 가스 양은 각각의 펄스 기간의 시간 간격에 따라 제어된다. 펄스 트레인 간의 시간 간격은 가스의 특정한 평균 유동을 이루는 방식으로 조절될 수 있다. 내부 공간을 향한 가스의 전체 유동은 여러 펄스 트레인 간의 시간 간격을 조절함으로써 조정된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 바람직하게 마이크로프로세서인 조절 유닛(23)은 이러한 방식으로 가스 유동을 조절하기 위해 예컨대 밸브와 같은 제어 수단(25)과 소통한다. 또한 유동 계량기(meter)는 신호를 발생시키고 조정 유닛(23)으로 신호를 전달하기 위해 포함될 수 있으며 이러한 유동 신호는 각각의 가스 펄스의 체적을 조절하기 위한 피드백 신호로서 기능할 수 있다. 각각의 펄스는 제어 수단(밸브)(25)이 마이크로프로세서 조정 유닛(23) 내의 입력 프로그램에 따라 개방된다는 사실에 의해 개시되며, 각각의 가스 펄스는 유동 계량기로부터의 신호가 원하는 체적이 유동 계량기를 통과하였다는 것을 나타낼 때 중단되거나 종료될 수 있다. 조작자는 점성, 온도 또는 압력과 같이 유입되는 가스의 상이한 특성에 따라 조정 유닛의 펄스 기간을 조절할 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 입자 증착은 내부 다공성 벽(22)을 통해 또는 벽을 따라 펄싱하도록 환형 공간(26) 안으로 물을 도입함으로써 완화될 수 있다. 내부 다공성 벽을 통한 흐름 유동의 경우에, 탈염수는 환형 공간(26) 내의 내부 다공성 벽의 후방으로 접촉하고 모세관 작용에 의해 다공성 재료 안으로 및 이를 통 과하게 당겨진다. 물은 고온의 내부면을 향해 이동하고, 벽 재료의 열 전도를 통해 고온의 반응기 가스로부터 열을 수용한다. 열이 증가하고 물이 연소 챔버의 내부면에 보다 가깝게 이동함에 따라, 물은 다공성 재료 내에서 및 연소 챔버의 내부면 부근에서 증기로 변환되며, 그 결과 높은 체적의 증기가 내부 벽으로부터 충분함 힘으로 분출되어 부착된 미립물질 증착물들을 제거한다. 물과 흐름 증기 유동은 환형 공간 안으로 주기적으로 또는 연속적일 수 있다. 환형 공간 안으로의 물의 연속적인 도입은 내부 다공성 벽(22)이 물에 잠기게 하고 이로써 다공성 벽의 전체 표면이 모세관 현상의 효과에 노출되며 다공성 벽(22)의 표면으로부터 증발된 물의 재공급을 제공한다.
주기적인 유동의 경우에, 열 조건의 변화는 상이한 열팽창력을 촉진하며, 이로써 강하게 부착된 미립물질들의 파괴와 제거를 돕는다. 벽 재료의 모세관 힘으로 인해, 물 소스 압력이 낮더라도, 상당한 입자 제거력, 또는 압력이 얻어질 수 있다.
벽을 따른 증기 유동의 경우에, 탈염수는 열을 통해 증기로 변환되고 흐름은 이동가능한 노즐의 고정을 통해 분산되어 벽 표면에 부착된 미립물질을 제거한다. 노즐을 펄스작동시킴으로써, 상이한 열팽창 효과가 벽 증착물의 파괴와 제거를 도울 수 있다.
내부 다공성 벽(22)은 적절한 다공성 구성으로 이루어질 수 있으며, 예컨대 다공성 소결 금속, 관통구를 갖는 금속 시트, 다공성 플라스틱 또는 다공성 세라믹 벽을 포함한다. 바람직하게, 다공성 재료는 유체를 통과시켜 전달하기에 충분한 크기의 구멍들을 제공하며, 구멍의 크기는 예컨대 약 0.5 마이크론 내지 약 30 마이크론의 범위이다.
도 1을 참조하면, 반응된 가스들은 냉각수의 와동을 통해 챔버의 하부에서 상부 반응 챔버로부터 배출된다. 대체로 물 와동 유닛은 상부 플레이트(50), 외부 쉘(36) 및 대체로 원뿔형인 배플(40)을 포함한다. 외부 쉘(36)은 액체 유입구(38)를 포함한다. 액체 유입구(38)는 액체가 외부 쉘(36)에 접하면서 도입될 때 동심형 챔버(37)가 액체로 채워져 소용돌이 운동을 형성하도록 외부 쉘(36)에 대해 배치되고, 이로써 액체는 상승하고 원뿔형 배플을 넘쳐흘러 가스 흐름 유동 챔버(39)의 내부면 위에서 하향으로 유동하는 배플의 내부면 상의 유체의 층류 시트를 형성하며, 이로 인해 내부면을 냉각시키고 미립물질의 증착을 감소시킨다.
비록 본 발명은 예시적인 실시예들과 특징들을 참조하여 설명하였지만, 이러한 실시예들과 특징들은 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니며 당업자는 본 명세서를 기초하여 다른 변형된 실시예들을 용이하게 제시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명은 이하 청구항들과 부합되게 구성된다.
Claims (28)
- 가스성 흐름들로부터 오염물질들을 제거하기 위한 2-단계 반응기로서, a) 상부 열 반응 챔버 및 b) 하부 반응 챔버를 포함하고,a) 상기 상부 열 반응 챔버는,ⅰ) 외부 외벽;ⅱ) 중앙 연소 챔버를 형성하고, 상기 외부 외벽으로부터 충분한 거리에 위치하여 내부 공간을 형성하는, 내부 다공성 벽;ⅲ) 가스성 폐기 흐름을 내부에 도입하기 위해 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 적어도 하나의 폐기 가스 유입구;ⅳ) 상기 가스성 폐기 흐름을 연소시켜 반응 생성물들을 형성하기 위한 열적 수단; 및ⅴ) 펄스 조건 하에서 유체를 상기 내부 공간으로 도입시키기 위한 수단을 포함하고, 상기 내부 다공성 벽은 상기 유체를 상기 내부 공간으로부터 상기 중앙 연소 챔버로 충분한 힘으로 전달하여 상기 내부 다공성 벽의 반응 생성물의 증착을 감소시키며,b) 상기 하부 반응 챔버는,ⅰ) 상기 가스성 폐기 흐름과 반응 생성물을 통과시키기 위한 유입구 및 배출구를 포함한, 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 가스 유동 챔버;ⅱ) 산화제를 상기 가스 흐름 유동 챔버로 도입하도록 위치한 적어도 하나의 산화제 유입구; 및ⅲ) 상기 가스 유동 챔버의 유입구 부근에 위치하는 액체 와동부(vortex)를 포함하고, 상기 액체 와동부는 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면들 상에 하향으로 유동하는 액체를 발생시켜 미립물질 고체들의 증착과 축적을 감소시키기 위한 수단을 갖는, 2-단계 반응기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 외부 외벽과 상기 내부 다공성 벽 사이에 위치한 내부 공간은 내부 환형 공간인 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 2 항에 있어서, 상기 내부 환형 공간 안으로 도입된 유체는 가압되는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 1 항에 있어서, 펄스 조건 하에서의 상기 유체는 물, 공기, 세정 건조 공기(clean dry air), 및 세정 부화 공기(clean enriched air) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 4 항에 있어서, 상기 유체는 물인 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 2 항에 있어서, 상기 유체는 주기적인 펄스 하에서 상기 중앙 연소 챔버 안으로 주입되는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 펄스 조건은 약 20 밀리초(ms) 내지 약 100 밀리초의 펄스 기간을 포함하는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 가스성 폐기 흐름과 혼합하기 위해 가연성 연료 또는 산화제를 도입시키기 위한 적어도 하나의 첨가 가스 유입구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 8항에 있어서, 상기 가연성 연료는 산소, 프로판, 메탄 또는 수소인 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 액체 와동부는,(ⅰ) 상부 플레이트, 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 중앙 개구부를 갖는 외부 쉘;내부면 및 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면과 대체로 정렬된 중앙 개구부를 가지며, 상기 외부 쉘의 내부면과 대체로 동심형으로 정렬되어 동심형 챔버를 형성하는, 상기 외부 쉘 내의 원뿔형 배플; 및(ⅱ) 액체가 상기 동심형 챔버 안으로 접하면서 도입되고 이로써 상기 액체 가 소용돌이 운동을 형성하도록 상기 동심형 챔버를 채워, 상기 액체가 상승하고 상기 원뿔형 배플을 넘쳐 흘러 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면 위에서 하향으로 흐르는 상기 원뿔형 배플의 내부면 상의 유체 시트를 형성하도록 배치된 액체 유입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 10 항에 있어서, 상기 원뿔형 배플의 내부면 상의 유체 시트는 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면이 진입하는 가스 흐름과 접촉하는 것을 방지하고 이로써 반응 생성물의 증착을 방지하는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 내부 다공성 벽은 소결된 세라믹, 소결된 금속, 다공성 금속 재료 또는 다공성 폴리메릭 재료를 포함하는 재료로 제조된 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 12 항에 있어서, 상기 내부 다공성 벽은 상기 다공성 재료에 균일하게 분산된 구멍들을 포함하는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 외부 외벽과 상기 내부 다공성 벽은 환형 공간을 제공하고 상기 내부 다공성 벽을 통과하도록 가압된 가스를 분산시키기에 충분한 거리로 분리된 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 14 항에 있어서, 상기 내부 다공성 벽은 상기 내부 다공성 벽을 통한 상기 중앙 연소 챔버로의 가압된 가스의 통로를 위한 다수의 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 2 항에 있어서, 상기 유체는 적절한 압력으로 압축되어 상기 중앙 연소 챔버의 내부면 상의 입자 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 유체의 펄스 분출을 용이하게 하는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 16 항에 있어서, 상기 압력은 약 60 프사이(psig) 내지 약 100 프사이인 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 다수의 개구부들은 원뿔형 돌출물들을 포함하는 것을 특징으로 하는 2-단계 반응기.
- 가스성 폐기 흐름의 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템으로서, 상기 감소 시스템은 a) 상부 열 반응 챔버 및 b) 하부 반응 챔버를 포함하며,a) 상기 상부 열 반응 챔버는,ⅰ) 외부 외벽;ⅱ) 중앙 연소 챔버를 형성하고, 상기 외부 외벽으로부터 충분한 거리 에 위치하여 내부 환형 공간을 형성하는, 내부 다공성 벽;ⅲ) 펄스 모드에서 유체를 상기 내부 환형 공간으로 도입시키는 수단;ⅳ) 상기 가스성 폐기 흐름을 연소시켜 반응 생성물들을 형성하기 위한 열적 수단; 및ⅴ) 상기 가스성 폐기 흐름을 상기 상부 열적 반응기 안으로 이동시키기 위한 적어도 하나의 폐기 가스 유입구를 포함하고, 상기 폐기 가스 유입구는 상기 중앙 연소 챔버 내의 도관의 일부에서 종결되는 도관을 가지며, 상기 도관의 일부는 상기 도관의 단부를 넘어 돌출하는 튜브 내에 위치하여 불꽃 형성을 위한 상기 도관 내의 챔버를 형성하고, 상기 튜브는 상기 중앙 연소 챔버와 소통하는 개방 단부를 가지며,b) 상기 하부 반응 챔버는,ⅰ) 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 가스 유동 챔버;ⅱ) 산화제를 상기 가스 흐름 유동 챔버로 도입하도록 위치한 적어도 하나의 산화제 유입구; 및ⅲ) 상기 중앙 연소 챔버와 상기 가스 흐름 유동 챔버 사이에 위치한 액체 와동부를 포함하고, 상기 액체 와동부는,(1) 상부 플레이트 및 상기 중앙 연소 챔버와 유체 소통하는 중앙 개구부를 갖는 외부 쉘;(2) 내부면 및 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면들과 대체로 정렬된 중앙 개구부를 가지며, 상기 외부 쉘의 내부면과 대체로 동심형으로 정렬되어 동심형 챔버를 형성하는, 상기 외부 쉘 내부의 원뿔형 배플(baffle); 및(3) 상기 동심형 챔버 안으로 접하면서 도입되도록 배치되고, 이로써 상기 동심형 챔버에 액체가 채워져 소용돌이 운동을 형성하게 하며, 상기 액체가 상승하고 상기 원뿔형 배플을 넘어 상기 가스 흐름 유동 챔버 안으로 흘러 상기 가스 흐름 유동 챔버의 내부면 상에서 하향으로 흐르는 상기 원뿔형 배플의 내부면 상의 유체의 시트(sheet)를 형성하게 하는, 액체 유입구를 포함하는, 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 제 19 항에 있어서, 상기 내부 다공성 벽은 상기 내부 다공성 벽 상의 반응 생성물들의 증착을 감소시키기에 충분한 힘으로 상기 내부 환형 공간으로부터 상기 중앙 연소 챔버까지의 유체 전달을 제공하는 것을 특징으로 하는 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 제 19 항에 있어서, 상기 내부 다공성 벽은 공극율이 약 30% 내지 약 80%인 것을 특징으로 하는 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 제 19 항에 있어서, 상기 환형 공간으로 도입된 유체는 가압되는 것을 특징으로 하는 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 제 19 항에 있어서, 상기 유체는 물, 공기, 세정 건조 공기, 및 세정 부화 공기 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 제 19 항에 있어서, 상기 유체는 물인 것을 특징으로 하는 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 제 20 항에 있어서, 상기 내부 다공성 벽을 통해 상기 중앙 연소 챔버 안으로 분출된 유체는 증기를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 제 19 항에 있어서, 가연성 연료 또는 산화제를 도입시키기 위한 적어도 하나의 첨가 가스 유입구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 제 26 항에 있어서, 상기 가연성 연료는 산소, 프로판, 메탄 또는 수소인 것을 특징으로 하는 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 감소 시스템.
- 2-단계 열 반응기 내의 처리에 의해 가스성 폐기 흐름의 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 방법으로서,ⅰ) 적어도 하나의 유입를 통해 상기 가스성 폐기 흐름을 상부 열 반응기로 도입시키는 단계;ⅱ) 연료 부화 연소가능한 가스 흐름 혼합물들을 형성하기 위해 상기 가스성 폐기 흐름을 혼합하기 위한 적어도 하나의 연소가능한 연료를 제공하는 단계;ⅲ) 반응 생성물들을 형성하기 위해 연소 챔버 내에 상기 연료 부화(rich) 연소가능한 가스 흐름 혼합물을 점화하는 단계;ⅳ) 상기 연료 부화 연소가능한 가스 흐름 혼합물의 연소와 동시에 상기 연소 챔버 안으로 첨가 유체 - 상기 첨가 유체는 펄스 모드와 상기 연소 챔버 내의 우회 패턴으로 및 상기 연소 챔버의 내부면에 접근하는 상기 반응 생성물들의 힘을 초과하는 힘으로 주입되고 이로써 반응 생성물들의 증착을 방지함 - 를 주입하는 단계;ⅴ) 하부 반응 챔버 안으로 반응 생성물들의 흐름을 유동시키면서 상기 반응 생성물들의 흐름에 공기-함유 가스를 도입시키고 이로써 연료 빈화(lean) 혼합물을 제공하는 단계; 및ⅵ) 상기 하부 반응 챔버의 진입부 부근에 위치한 물 와동부를 통해 반응 생성물들의 흐름을 유동시키는 단계를 포함하며, 상기 물 와동부로부터 강하하는 물은 상기 하부 반응 챔버의 내부면들 상에서 반응 생성물들의 증착을 방지하는, 가스성 오염물들의 연소를 제어하는 방법.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100138906A (ko) * | 2008-02-05 | 2010-12-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 제조 프로세스들로부터의 가연성 폐기물 가스들을 처리하기 위한 시스템 및 방법 |
KR101431452B1 (ko) * | 2013-02-21 | 2014-08-21 | 씨에스케이(주) | 가열 방식의 스크러버 시스템 |
KR20150140755A (ko) * | 2013-04-15 | 2015-12-16 | 에어가드, 인코포레이티드 | 스크러빙 장치의 확장된 또는 다중 반응 구역 |
KR20200027965A (ko) * | 2017-07-07 | 2020-03-13 | 에스아이더블유 엔지니어링 피티이. 엘티디. | 가스 오염물의 분해 및 산화를 위한 장치 및 시스템 |
Families Citing this family (321)
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---|---|---|---|---|
US20040018460A1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-01-29 | Korwin Michel J. | Apparatus and method for thermal neutralization of gaseous mixtures |
US7569193B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants |
GB0406748D0 (en) * | 2004-03-26 | 2004-04-28 | Boc Group Plc | Vacuum pump |
DE102004047440B4 (de) * | 2004-09-28 | 2007-11-08 | Centrotherm Clean Solutions Gmbh & Co.Kg | Anordnung zur Reinigung von toxischen Gasen aus Produktionsprozessen |
US7736599B2 (en) | 2004-11-12 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Reactor design to reduce particle deposition during process abatement |
KR101036734B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2011-05-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공정 저감 반응로 |
DE102005059481B3 (de) * | 2005-12-07 | 2007-07-12 | DAS - Dünnschicht Anlagen Systeme GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von Reaktionsraumwänden im Inneren eines Reaktionsraums einer thermischen Nachbehandlung von Prozessabgasen |
US8572946B2 (en) * | 2006-12-04 | 2013-11-05 | Firestar Engineering, Llc | Microfluidic flame barrier |
US8591819B2 (en) * | 2006-12-05 | 2013-11-26 | Ebara Corporation | Combustion-type exhaust gas treatment apparatus |
GB0706544D0 (en) * | 2007-04-04 | 2007-05-09 | Boc Group Plc | Combustive destruction of noxious substances |
TWI366482B (en) * | 2007-09-20 | 2012-06-21 | Bht Services Pte Ltd | Apparatus and methods for ambient air abatement of electronic device manufacturing effluent |
WO2009062183A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Firestar Engineering, Llc | Nitrous oxide fuel blend monopropellants |
US20100119984A1 (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-13 | Fox Allen G | Abatement system |
GB0902221D0 (en) * | 2009-02-11 | 2009-03-25 | Edwards Ltd | Pilot |
US9068743B2 (en) * | 2009-02-26 | 2015-06-30 | 8 Rivers Capital, LLC & Palmer Labs, LLC | Apparatus for combusting a fuel at high pressure and high temperature, and associated system |
KR101648054B1 (ko) * | 2009-02-26 | 2016-08-12 | 팔머 랩스, 엘엘씨 | 고온 및 고압에서 연료를 연소하는 장치 및 방법, 이에 관련된 시스템 및 장비 |
US8986002B2 (en) * | 2009-02-26 | 2015-03-24 | 8 Rivers Capital, Llc | Apparatus for combusting a fuel at high pressure and high temperature, and associated system |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US20110005195A1 (en) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | Firestar Engineering, Llc | Aluminum porous media |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
WO2011091162A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Firestar Engineering, Llc | Insulated combustion chamber |
WO2011152912A2 (en) * | 2010-03-12 | 2011-12-08 | Firestar Engineering, Llc | Supersonic combustor rocket nozzle |
TWI386251B (zh) * | 2010-06-07 | 2013-02-21 | Macronix Int Co Ltd | 製程廢氣處理裝置及製程廢氣處理方法 |
US8629313B2 (en) * | 2010-07-15 | 2014-01-14 | John Zink Company, Llc | Hybrid flare apparatus and method |
US8869889B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-10-28 | Palmer Labs, Llc | Method of using carbon dioxide in recovery of formation deposits |
GB201021480D0 (en) * | 2010-12-17 | 2011-02-02 | Doosan Power Systems Ltd | Control system and method for power plant |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20130089490A1 (en) * | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Wener FILTVEDT | Method and device |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9089811B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-07-28 | Highvac Corp. | Coaxial / coaxial treatment module |
GB2504335A (en) * | 2012-07-26 | 2014-01-29 | Edwards Ltd | Radiant burner for the combustion of manufacturing effluent gases. |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
KR101278178B1 (ko) * | 2012-10-15 | 2013-07-05 | 씨에스케이(주) | 스크러버용 버너 |
KR101435371B1 (ko) * | 2012-10-16 | 2014-08-29 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | CO, NOx 개별 제어 방식을 이용한 저공해 연소방법 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9709271B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-07-18 | Fluor Technologies Corporation | Thermally controlled combustion system |
US20140262033A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Gas sleeve for foreline plasma abatement system |
JP6153754B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-06-28 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
JP6151945B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
JP6368458B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2018-08-01 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
GB2516267B (en) * | 2013-07-17 | 2016-08-17 | Edwards Ltd | Head assembly |
JP6263345B2 (ja) * | 2013-08-19 | 2018-01-17 | 大陽日酸株式会社 | 燃焼除害装置 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
JP6258797B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2018-01-10 | 日本パイオニクス株式会社 | 排ガスの燃焼式浄化装置 |
CN104043323B (zh) * | 2014-06-24 | 2016-06-29 | 浙江工商大学 | 一种电晕络合催化烟气脱硝反应装置 |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
JP5977419B1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-08-24 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
CN106211790B (zh) | 2015-03-26 | 2018-06-22 | 韩国能源技术研究院 | 用于难分解性有害气体焚烧处理的节能型燃烧装置及其方法 |
GB2536905B (en) * | 2015-03-30 | 2020-01-08 | Edwards Ltd | Radiant burner |
GB201505447D0 (en) * | 2015-03-30 | 2015-05-13 | Edwards Ltd | Radiant burner |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
GB201515489D0 (en) * | 2015-09-01 | 2015-10-14 | Edwards Ltd | Abatement apparatus |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
IL264798B2 (en) * | 2016-08-21 | 2023-10-01 | Adva Biotechnology Ltd | Bioreactor and methods of use |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
KR102450538B1 (ko) * | 2017-01-06 | 2022-10-04 | 알제타 코포레이션 | 개선된 폐가스 저감을 위한 시스템 및 방법 |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
EA201992080A1 (ru) | 2017-03-07 | 2020-03-12 | 8 Риверз Кэпитл, Ллк | Система и способ осуществления работы камеры сгорания варьируемого топлива для газовой турбины |
US10859264B2 (en) | 2017-03-07 | 2020-12-08 | 8 Rivers Capital, Llc | System and method for combustion of non-gaseous fuels and derivatives thereof |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
GB2561190A (en) * | 2017-04-04 | 2018-10-10 | Edwards Ltd | Purge gas feeding means, abatement systems and methods of modifying abatement systems |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
GB2571793A (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-11 | Edwards Ltd | Abatement |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
CN108800172B (zh) * | 2018-07-09 | 2024-04-12 | 安徽京仪自动化装备技术有限公司 | 一种处理半导体制程废气的旋风式合氧燃烧装置 |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
JP7458370B2 (ja) | 2018-07-23 | 2024-03-29 | 8 リバーズ キャピタル,エルエルシー | 無炎燃焼による発電のためのシステムおよび方法 |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
DE102019117331B4 (de) * | 2019-06-27 | 2024-07-04 | Das Environmental Expert Gmbh | Brenner zur Erzeugung einer Flamme für die Verbrennung von Prozessgas und Abgasbehandlungsvorrichtung mit einem Brenner |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
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TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
CN110642362B (zh) * | 2019-10-22 | 2024-04-09 | 西安交通大学 | 一种集物料预热-污染物多级强化降解-腐蚀防控多功能于一体的超临界水反应器 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20220017469A (ko) * | 2019-11-21 | 2022-02-11 | 에코시스 피티이.엘티디. | 가스상 오염 물질 처리 장치 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
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TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220050047A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 예측 유지보수 방법 및 예측 유지보수 장치 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN112473554A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-12 | 华中科技大学 | 一种防壁面颗粒沉积的纳米颗粒生成装置 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
CN113058360B (zh) * | 2021-03-17 | 2022-06-21 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 | 一种在线可拆废气处理装置 |
CN113058356B (zh) * | 2021-03-17 | 2022-06-21 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 | 一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
CN113289483A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-08-24 | 安徽慧枫再生资源科技有限公司 | 一种再生铝熔化燃烧排烟系统及其工作方法 |
CN113685159B (zh) * | 2021-08-31 | 2022-06-21 | 西安交通大学 | 具有安全保障的超临界水热燃烧型多元热流体发生装置及方法 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN115254424B (zh) * | 2022-07-28 | 2023-05-16 | 上海协微环境科技有限公司 | 一种高效除尘的尾气处理系统 |
GB2625846A (en) * | 2022-12-27 | 2024-07-03 | Csk Inc | Scrubber burner |
CN116717640B (zh) * | 2023-05-29 | 2023-12-08 | 上海协微环境科技有限公司 | 一种防水汽反流的法兰组件和尾气处理系统 |
Family Cites Families (154)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2819151A (en) | 1954-03-02 | 1958-01-07 | Flemmert Gosta Lennart | Process for burning silicon fluorides to form silica |
BE609721A (fr) | 1960-11-03 | 1962-02-15 | Goesta Lennart Flemmert | Méthode de récupération du bioxyde de silicium finement divisé obtenu en faisant réagir en phase gazeuse des composés de silicium et de fluor avec de l'eau |
US3185846A (en) | 1961-05-16 | 1965-05-25 | Bailey Meter Co | Ultra-violet radiation flame monitor |
DE1221755B (de) | 1963-12-19 | 1966-07-28 | Appbau Eugen Schrag Kommanditg | Steuer- und Sicherheitsvorrichtung fuer Gas- oder OElfeuerung |
US3983021A (en) | 1971-06-09 | 1976-09-28 | Monsanto Company | Nitrogen oxide decomposition process |
US3698696A (en) | 1971-06-14 | 1972-10-17 | Standard Int Corp | Combustion mixture control system for calenders |
US3969485A (en) | 1971-10-28 | 1976-07-13 | Flemmert Goesta Lennart | Process for converting silicon-and-fluorine-containing waste gases into silicon dioxide and hydrogen fluoride |
NO131825C (ko) | 1972-03-22 | 1975-08-13 | Elkem Spigerverket As | |
US3845191A (en) | 1972-06-02 | 1974-10-29 | Du Pont | Method of removing halocarbons from gases |
US3898040A (en) | 1972-06-29 | 1975-08-05 | Universal Oil Prod Co | Recuperative form of thermal-catalytic incinerator |
US3949057A (en) | 1973-01-29 | 1976-04-06 | Croll-Reynolds Company, Inc. | Air pollution control of oxides of nitrogen |
JPS5643771B2 (ko) | 1973-12-18 | 1981-10-15 | ||
US3969482A (en) | 1974-04-25 | 1976-07-13 | Teller Environmental Systems, Inc. | Abatement of high concentrations of acid gas emissions |
US4059386A (en) | 1976-01-21 | 1977-11-22 | A. O. Smith Corporation | Combustion heating apparatus to improve operation of gas pilot burners |
US4083607A (en) | 1976-05-05 | 1978-04-11 | Mott Lambert H | Gas transport system for powders |
US4206189A (en) | 1977-01-04 | 1980-06-03 | Belov Viktor Y | Method of producing hydrogen fluoride and silicon dioxide from silicon tetra-fluoride |
NL7704399A (nl) | 1977-04-22 | 1978-10-24 | Shell Int Research | Werkwijze en reactor voor de partiele ver- branding van koolpoeder. |
US4154141A (en) | 1977-05-17 | 1979-05-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ultrafast, linearly-deflagration ignition system |
US4296079A (en) | 1978-02-10 | 1981-10-20 | Vinings Chemical Company | Method of manufacturing aluminum sulfate from flue gas |
US4236464A (en) | 1978-03-06 | 1980-12-02 | Aerojet-General Corporation | Incineration of noxious materials |
US4238460A (en) | 1979-02-02 | 1980-12-09 | United States Steel Corporation | Waste gas purification systems and methods |
US4243372A (en) | 1979-02-05 | 1981-01-06 | Electronics Corporation Of America | Burner control system |
US4519999A (en) | 1980-03-31 | 1985-05-28 | Union Carbide Corporation | Waste treatment in silicon production operations |
CH649274A5 (de) | 1980-10-14 | 1985-05-15 | Maerz Ofenbau | Kalzinierofen zum brennen von kalkstein und aehnlichen mineralischen rohstoffen. |
US4374649A (en) | 1981-02-12 | 1983-02-22 | Burns & Roe, Inc. | Flame arrestor |
US4479443A (en) | 1982-03-08 | 1984-10-30 | Inge Faldt | Method and apparatus for thermal decomposition of stable compounds |
US4479809A (en) | 1982-12-13 | 1984-10-30 | Texaco Inc. | Apparatus for gasifying coal including a slag trap |
US4483672A (en) | 1983-01-19 | 1984-11-20 | Essex Group, Inc. | Gas burner control system |
US4584001A (en) | 1983-08-09 | 1986-04-22 | Vbm Corporation | Modular oxygen generator |
US4541995A (en) | 1983-10-17 | 1985-09-17 | W. R. Grace & Co. | Process for utilizing doubly promoted catalyst with high geometric surface area |
US4788036A (en) | 1983-12-29 | 1988-11-29 | Inco Alloys International, Inc. | Corrosion resistant high-strength nickel-base alloy |
CA1225441A (en) | 1984-01-23 | 1987-08-11 | Edward S. Fox | Plasma pyrolysis waste destruction |
US4555389A (en) | 1984-04-27 | 1985-11-26 | Toyo Sanso Co., Ltd. | Method of and apparatus for burning exhaust gases containing gaseous silane |
US5137701A (en) | 1984-09-17 | 1992-08-11 | Mundt Randall S | Apparatus and method for eliminating unwanted materials from a gas flow line |
JPS61204022A (ja) | 1985-02-12 | 1986-09-10 | Taiyo Sanso Kk | ガス中の酸分の除去方法及び装置 |
DE3539127C1 (de) | 1985-11-05 | 1987-01-02 | Hoechst Ag | Verfahren zur Herstellung eines Traegerkatalysators |
US4801437A (en) | 1985-12-04 | 1989-01-31 | Japan Oxygen Co., Ltd. | Process for treating combustible exhaust gases containing silane and the like |
US4661056A (en) | 1986-03-14 | 1987-04-28 | American Hoechst Corporation | Turbulent incineration of combustible materials supplied in low pressure laminar flow |
US5364604A (en) | 1987-03-02 | 1994-11-15 | Turbotak Technologies Inc. | Solute gas-absorbing procedure |
FR2616884B1 (fr) | 1987-06-19 | 1991-05-10 | Air Liquide | Procede de traitement d'effluents gazeux provenant de la fabrication de composants electroniques et appareil d'incineration pour sa mise en oeuvre |
US4908191A (en) | 1987-07-21 | 1990-03-13 | Ethyl Corporation | Removing arsine from gaseous streams |
US4834020A (en) | 1987-12-04 | 1989-05-30 | Watkins-Johnson Company | Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus |
US5009869A (en) | 1987-12-28 | 1991-04-23 | Electrocinerator Technologies, Inc. | Methods for purification of air |
US5255710A (en) | 1988-04-07 | 1993-10-26 | David Palmer | Process-chamber flow control system |
US5000221A (en) | 1989-09-11 | 1991-03-19 | Palmer David W | Flow control system |
US5450873A (en) | 1988-04-07 | 1995-09-19 | Palmer; David W. | System for controlling flow through a process region |
US5251654A (en) | 1988-04-07 | 1993-10-12 | David Palmer | Flow regulator adaptable for use with exhaust from a process chamber |
US5220940A (en) | 1988-04-07 | 1993-06-22 | David Palmer | Flow control valve with venturi |
US5255709A (en) | 1988-04-07 | 1993-10-26 | David Palmer | Flow regulator adaptable for use with process-chamber air filter |
US5320124A (en) | 1988-04-07 | 1994-06-14 | Palmer David W | Regulator adaptable for maintaining a constant partial vacuum in a remote region |
US5456280A (en) | 1988-04-07 | 1995-10-10 | Palmer; David W. | Process-chamber flow control system |
US4954320A (en) | 1988-04-22 | 1990-09-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Reactive bed plasma air purification |
US4975098A (en) | 1988-05-31 | 1990-12-04 | Lee John H S | Low pressure drop detonation arrestor for pipelines |
US5417934A (en) | 1988-06-04 | 1995-05-23 | Boc Limited | Dry exhaust gas conditioning |
GB8813270D0 (en) | 1988-06-04 | 1988-07-06 | Plasma Products Ltd | Dry exhaust gas conditioning |
US5123836A (en) | 1988-07-29 | 1992-06-23 | Chiyoda Corporation | Method for the combustion treatment of toxic gas-containing waste gas |
DD274830A1 (de) | 1988-08-12 | 1990-01-03 | Elektromat Veb | Vorrichtung zur gasphasenbearbeitung von scheibenfoermigen werkstuecken |
DE3841847C1 (ko) | 1988-12-13 | 1990-02-01 | Man Technologie Ag, 8000 Muenchen, De | |
EP0382984A1 (en) | 1989-02-13 | 1990-08-22 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Thermal decomposition trap |
US5199856A (en) | 1989-03-01 | 1993-04-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Passive structural and aerodynamic control of compressor surge |
US4966611A (en) | 1989-03-22 | 1990-10-30 | Custom Engineered Materials Inc. | Removal and destruction of volatile organic compounds from gas streams |
US5183646A (en) | 1989-04-12 | 1993-02-02 | Custom Engineered Materials, Inc. | Incinerator for complete oxidation of impurities in a gas stream |
US5176897A (en) | 1989-05-01 | 1993-01-05 | Allied-Signal Inc. | Catalytic destruction of organohalogen compounds |
US4986838A (en) | 1989-06-14 | 1991-01-22 | Airgard, Inc. | Inlet system for gas scrubber |
US5206003A (en) | 1989-07-07 | 1993-04-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of decomposing flow |
US4993358A (en) | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
US5207836A (en) | 1989-08-25 | 1993-05-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus |
US5160707A (en) | 1989-08-25 | 1992-11-03 | Washington Suburban Sanitary Commission | Methods of and apparatus for removing odors from process airstreams |
US5045288A (en) | 1989-09-15 | 1991-09-03 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University | Gas-solid photocatalytic oxidation of environmental pollutants |
US5011520A (en) | 1989-12-15 | 1991-04-30 | Vector Technical Group, Inc. | Hydrodynamic fume scrubber |
US5077525A (en) | 1990-01-24 | 1991-12-31 | Rosemount Inc. | Electrodeless conductivity sensor with inflatable surface |
US5113789A (en) | 1990-04-24 | 1992-05-19 | Watkins Johnson Company | Self cleaning flow control orifice |
US5136975A (en) | 1990-06-21 | 1992-08-11 | Watkins-Johnson Company | Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface |
US5453494A (en) | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
JPH0663357A (ja) | 1990-10-26 | 1994-03-08 | Tosoh Corp | 有機ハロゲン化合物を含む排ガスの処理装置 |
GB2251551B (en) | 1991-01-10 | 1994-08-31 | Graviner Ltd Kidde | Detonation suppression and fire extinguishing |
US5118286A (en) | 1991-01-17 | 1992-06-02 | Amtech Systems | Closed loop method and apparatus for preventing exhausted reactant gas from mixing with ambient air and enhancing repeatability of reaction gas results on wafers |
DE4102969C1 (ko) | 1991-02-01 | 1992-10-08 | Cs Halbleiter- Und Solartechnologie Gmbh, 8000 Muenchen, De | |
US5122391A (en) | 1991-03-13 | 1992-06-16 | Watkins-Johnson Company | Method for producing highly conductive and transparent films of tin and fluorine doped indium oxide by APCVD |
US5147421A (en) | 1991-07-12 | 1992-09-15 | Calvert Environmental, Inc. | Wet scrubber particle discharge system and method of using the same |
US5371828A (en) | 1991-08-28 | 1994-12-06 | Mks Instruments, Inc. | System for delivering and vaporizing liquid at a continuous and constant volumetric rate and pressure |
US5211729A (en) | 1991-08-30 | 1993-05-18 | Sematech, Inc. | Baffle/settling chamber for a chemical vapor deposition equipment |
US5378444A (en) * | 1991-12-11 | 1995-01-03 | Japan Pionics Co., Ltd. | Process for cleaning harmful gas |
DE4202158C1 (ko) | 1992-01-27 | 1993-07-22 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
US5280664A (en) | 1992-03-20 | 1994-01-25 | Lin Mary D | Disposable household cleaning devices |
US5271908A (en) | 1992-04-07 | 1993-12-21 | Intel Corporation | Pyrophoric gas neutralization chamber |
US5252007A (en) | 1992-05-04 | 1993-10-12 | University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education | Apparatus for facilitating solids transport in a pneumatic conveying line and associated method |
US5510066A (en) | 1992-08-14 | 1996-04-23 | Guild Associates, Inc. | Method for free-formation of a free-standing, three-dimensional body |
US5393394A (en) | 1992-08-18 | 1995-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for decomposing organic halogen-containing compound |
WO1994014008A1 (en) | 1992-12-17 | 1994-06-23 | Thermatrix Inc. | Method and apparatus for control of fugitive voc emissions |
JP3421954B2 (ja) | 1992-12-18 | 2003-06-30 | 株式会社ダイオー | オゾン層破壊物質の処理方法 |
TW279137B (en) * | 1993-06-01 | 1996-06-21 | Babcock & Wilcox Co | Method and apparatus for removing acid gases and air toxics from a flue gas |
US5304398A (en) | 1993-06-03 | 1994-04-19 | Watkins Johnson Company | Chemical vapor deposition of silicon dioxide using hexamethyldisilazane |
US5425886A (en) | 1993-06-23 | 1995-06-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | On demand, non-halon, fire extinguishing systems |
JPH09500574A (ja) * | 1993-07-16 | 1997-01-21 | サーマトリックス・インコーポレーテッド | 大きく変動する流れを制御するための方法及びアフターバーナー装置 |
US5453125A (en) | 1994-02-17 | 1995-09-26 | Krogh; Ole D. | ECR plasma source for gas abatement |
TW299345B (ko) | 1994-02-18 | 1997-03-01 | Westinghouse Electric Corp | |
US6030591A (en) * | 1994-04-06 | 2000-02-29 | Atmi Ecosys Corporation | Process for removing and recovering halocarbons from effluent process streams |
US5572866A (en) * | 1994-04-29 | 1996-11-12 | Environmental Thermal Oxidizers, Inc. | Pollution abatement incinerator system |
US5495893A (en) | 1994-05-10 | 1996-03-05 | Ada Technologies, Inc. | Apparatus and method to control deflagration of gases |
US5407647A (en) | 1994-05-27 | 1995-04-18 | Florida Scientific Laboratories Inc. | Gas-scrubber apparatus for the chemical conversion of toxic gaseous compounds into non-hazardous inert solids |
US5510093A (en) * | 1994-07-25 | 1996-04-23 | Alzeta Corporation | Combustive destruction of halogenated compounds |
US5494004A (en) | 1994-09-23 | 1996-02-27 | Lockheed Corporation | On line pulsed detonation/deflagration soot blower |
DE19501914C1 (de) * | 1995-01-23 | 1996-04-04 | Centrotherm Elektrische Anlage | Vorrichtung zur Reinigung von Abgasen |
JP3404981B2 (ja) * | 1995-04-21 | 2003-05-12 | 日本鋼管株式会社 | 気体加熱装置 |
US5858065A (en) * | 1995-07-17 | 1999-01-12 | American Air Liquide | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
US5720931A (en) * | 1995-07-21 | 1998-02-24 | Guild Associates, Inc. | Catalytic oxidation of organic nitrogen-containing compounds |
US6187072B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
JP3486022B2 (ja) * | 1995-10-16 | 2004-01-13 | ジャパン・エア・ガシズ株式会社 | 排ガス処理装置 |
US5649985A (en) * | 1995-11-29 | 1997-07-22 | Kanken Techno Co., Ltd. | Apparatus for removing harmful substances of exhaust gas discharged from semiconductor manufacturing process |
US6009827A (en) * | 1995-12-06 | 2000-01-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for creating strong interface between in-situ SACVD and PECVD silicon oxide films |
KR100197335B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 가스 세정기 및 이를 이용한 필터링법 |
JP3263586B2 (ja) * | 1995-12-26 | 2002-03-04 | 享三 須山 | 排煙処理システム |
US5720444A (en) * | 1996-01-24 | 1998-02-24 | Guild International Inc. | Strip accumulators |
EP0793995B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-10-04 | Hitachi, Ltd. | Method of treating gases containing organohalogen compounds |
USH1701H (en) * | 1996-03-15 | 1998-01-06 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for using molten aluminum to abate PFC gases from a semiconductor facility |
GB9608061D0 (en) * | 1996-04-16 | 1996-06-19 | Boc Group Plc | Removal of noxious substances from gas streams |
JPH10110926A (ja) * | 1996-08-14 | 1998-04-28 | Nippon Sanso Kk | 燃焼式除害装置 |
TW342436B (en) * | 1996-08-14 | 1998-10-11 | Nippon Oxygen Co Ltd | Combustion type harm removal apparatus (1) |
US5935283A (en) * | 1996-12-31 | 1999-08-10 | Atmi Ecosys Corporation | Clog-resistant entry structure for introducing a particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system |
US6322756B1 (en) * | 1996-12-31 | 2001-11-27 | Advanced Technology And Materials, Inc. | Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
US5833888A (en) * | 1996-12-31 | 1998-11-10 | Atmi Ecosys Corporation | Weeping weir gas/liquid interface structure |
US20010001652A1 (en) * | 1997-01-14 | 2001-05-24 | Shuichi Kanno | Process for treating flourine compound-containing gas |
US6338312B2 (en) * | 1998-04-15 | 2002-01-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated ion implant scrubber system |
US6013584A (en) * | 1997-02-19 | 2000-01-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming HDP-CVD PSG film used for advanced pre-metal dielectric layer applications |
US5855648A (en) * | 1997-06-05 | 1999-01-05 | Praxair Technology, Inc. | Solid electrolyte system for use with furnaces |
US5855822A (en) * | 1997-08-22 | 1999-01-05 | Chen; Tsong-Maw | Water discharge module for semi-conductor exhaust treatment apparatus |
US6059858A (en) * | 1997-10-30 | 2000-05-09 | The Boc Group, Inc. | High temperature adsorption process |
US6261524B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-07-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Advanced apparatus for abatement of gaseous pollutants |
US6185839B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber having improved gas distributor |
US6190507B1 (en) * | 1998-07-24 | 2001-02-20 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Method for generating a highly reactive plasma for exhaust gas aftertreatment and enhanced catalyst reactivity |
US6010576A (en) * | 1998-08-27 | 2000-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for cleaning an exhaust gas reactor |
JP4497726B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2010-07-07 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
JP4203183B2 (ja) * | 1999-06-03 | 2008-12-24 | パロマ工業株式会社 | 貯湯式ボイラーのコントロールバルブ |
US6187080B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-02-13 | United Microelectronics Inc. | Exhaust gas treatment apparatus including a water vortex means and a discharge pipe |
US6217640B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-04-17 | United Microelectronics Corp. | Exhaust gas treatment apparatus |
US6423284B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-07-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
US6361584B1 (en) * | 1999-11-02 | 2002-03-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | High temperature pressure swing adsorption system for separation of oxygen-containing gas mixtures |
DE60025933T2 (de) * | 1999-11-02 | 2006-11-09 | Ebara Corp. | Brennvorrichtung zur behandlung von abgas |
JP2002106826A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Ebara Corp | 燃焼式排ガス処理装置 |
US6544482B1 (en) * | 2000-03-14 | 2003-04-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chamber cleaning mechanism |
EP1312860A4 (en) * | 2000-08-22 | 2007-02-28 | Ebara Corp | METHOD AND DEVICE FOR COMBUSTION TREATMENT OF EXHAUST GASES |
US6527828B2 (en) * | 2001-03-19 | 2003-03-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Oxygen enhanced CDA modification to a CDO integrated scrubber |
US7160521B2 (en) * | 2001-07-11 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Treatment of effluent from a substrate processing chamber |
US6551381B2 (en) * | 2001-07-23 | 2003-04-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for carbon monoxide reduction during thermal/wet abatement of organic compounds |
US7047893B2 (en) * | 2002-06-03 | 2006-05-23 | Loving Ronald E | Pollution abatement incinerator system |
US6712603B2 (en) * | 2002-08-07 | 2004-03-30 | General Motors Corporation | Multiple port catalytic combustion device and method of operating same |
KR100461758B1 (ko) * | 2002-09-16 | 2004-12-14 | 한국화학연구원 | 폐가스 중의 과불화화합물 분해제거용 촉매와 이를 이용한폐가스중의 과불화화합물 분해제거 방법 |
US7341609B2 (en) * | 2002-10-03 | 2008-03-11 | Genesis Fueltech, Inc. | Reforming and hydrogen purification system |
US6843830B2 (en) * | 2003-04-15 | 2005-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Abatement system targeting a by-pass effluent stream of a semiconductor process tool |
US7569193B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants |
US7316721B1 (en) * | 2004-02-09 | 2008-01-08 | Porvair, Plc | Ceramic foam insulator with thermal expansion joint |
US7736599B2 (en) * | 2004-11-12 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Reactor design to reduce particle deposition during process abatement |
KR101036734B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2011-05-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공정 저감 반응로 |
-
2003
- 2003-12-19 US US10/742,126 patent/US7569193B2/en active Active
-
2004
- 2004-12-13 TW TW093138570A patent/TW200526312A/zh unknown
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- 2004-12-16 MY MYPI20045188A patent/MY140332A/en unknown
-
2007
- 2007-08-14 US US11/838,671 patent/US20090010816A1/en not_active Abandoned
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100138906A (ko) * | 2008-02-05 | 2010-12-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 제조 프로세스들로부터의 가연성 폐기물 가스들을 처리하기 위한 시스템 및 방법 |
US9387428B2 (en) | 2008-02-05 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for treating flammable effluent gases from manufacturing processes |
KR101431452B1 (ko) * | 2013-02-21 | 2014-08-21 | 씨에스케이(주) | 가열 방식의 스크러버 시스템 |
KR20150140755A (ko) * | 2013-04-15 | 2015-12-16 | 에어가드, 인코포레이티드 | 스크러빙 장치의 확장된 또는 다중 반응 구역 |
KR20200027965A (ko) * | 2017-07-07 | 2020-03-13 | 에스아이더블유 엔지니어링 피티이. 엘티디. | 가스 오염물의 분해 및 산화를 위한 장치 및 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MY140332A (en) | 2009-12-31 |
US20090010816A1 (en) | 2009-01-08 |
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WO2005062772A3 (en) | 2007-01-18 |
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