CN113058356B - 一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置 - Google Patents

一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113058356B
CN113058356B CN202110286355.1A CN202110286355A CN113058356B CN 113058356 B CN113058356 B CN 113058356B CN 202110286355 A CN202110286355 A CN 202110286355A CN 113058356 B CN113058356 B CN 113058356B
Authority
CN
China
Prior art keywords
side wall
water
treatment device
waste gas
combustion chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110286355.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113058356A (zh
Inventor
杨春水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Jingyi Automation Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Jingyi Automation Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Jingyi Automation Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Jingyi Automation Equipment Co Ltd
Priority to CN202110286355.1A priority Critical patent/CN113058356B/zh
Publication of CN113058356A publication Critical patent/CN113058356A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113058356B publication Critical patent/CN113058356B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/02—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath
    • B01D47/022—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath by using a liquid curtain
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
    • F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
    • F23G7/06—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Incineration Of Waste (AREA)

Abstract

本发明提供一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置，包括侧壁和顶盖，顶盖盖合于侧壁的顶部，顶盖设置有与燃烧腔连通的废气入口，侧壁的底部设置有与燃烧腔连通的废气出口，侧壁的内部形成有夹层空腔，侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口，侧壁的外表面设置有与夹层空腔连通的进水口。通过在侧壁的内部形成有夹层空腔，并在侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口，从而形成水淋结构，水通过进水口进入夹层空腔，充满夹层空腔后通过出水口流出并沿着侧壁的内表面向下流动；向下流动的水将硅烷生成的二氧化硅粉尘冲刷到设备底部的水箱中，减少在燃烧腔内壁的堆积堵塞，防止粉尘附着，延长设备的维护周期。

Description

一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置
技术领域
本发明涉及废气处理设备领域，尤其涉及一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置。
背景技术
半导体DPY制程工艺为doped polysilicon layer工艺，此工艺最常见的工艺反应气体有氢气、硅烷、磷烷和三氟化氯。此工艺涉及到的工艺废气为有毒有害气体，对人体和环境危害严重，必须经过处理才能进行排放。现有的工艺废气处理流程是将工艺废气通过真空泵排放到废气处理设备的燃烧腔进行处理，燃烧处理后的废气通过水洗腔洗涤后排放到厂务废气排放管路中。
硅烷气体遇空气就能自燃，燃烧后生成的物质为二氧化硅粉末，生成物质非常轻，附着到腔体内壁表面。由于Diffusion的DPY工艺的一次持续时间很长(约12小时)，也就是说工艺气体硅烷、磷烷、氢气的持续流入时间加长，导致硅烷在废气处理设备的燃烧腔内堆积的二氧化硅粉尘逐渐增多，导致燃烧腔堵塞需要进行设备维护。设备维护周期在3天到5天时间不等，严重影响半导体的产线运行与产能提高。
发明内容
本发明提供一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置，用以解决现有的半导体设备存在维护时间短的问题。
本发明提供一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置，包括侧壁和顶盖，所述顶盖盖合于所述侧壁的顶部，所述侧壁与所述顶盖围成燃烧腔，所述顶盖设置有与所述燃烧腔连通的废气入口，所述侧壁的底部设置有与所述燃烧腔连通的废气出口，所述侧壁的内部形成有夹层空腔，所述侧壁内表面的上部设置有连通所述夹层空腔与所述燃烧腔的出水口，所述侧壁的外表面设置有与所述夹层空腔连通的进水口。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述出水口呈环形分布于所述侧壁的内表面，以使通过所述出水口流出的水可沿所述侧壁的内表面向下流动。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述废气入口设置有与所述废气入口连通的氮气吹扫入口。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述氮气吹扫入口的压力为0.4-0.5MPa。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述顶盖的下表面设置有环形挡板，所述环形挡板与所述侧壁之间形成环形间隙。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述环形间隙的宽度为5-10mm。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述环形挡板的高度为30-60mm。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述进水口设置于所述侧壁的外表面的下部，所述进水口设置有多个。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述侧壁与所述顶盖通过螺栓连接。
根据本发明提供一种的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，所述废气出口的边沿设置有法兰。
本发明提供的处理半导体DPY工艺的废气处理装置通过在侧壁的内部形成有夹层空腔，并在侧壁内表面的上部设置有连通夹层空腔与燃烧腔的出水口，从而形成水淋结构，水通过进水口进入夹层空腔，充满夹层空腔后通过出水口流出并沿着侧壁的内表面向下流动；向下流动的水将硅烷生成的二氧化硅粉尘冲刷到设备底部的水箱中，减少在燃烧腔内壁的堆积堵塞，防止粉尘附着，延长设备的维护周期。此外，水淋结构增加了对于粉尘的处理路径，降低了粉尘在水洗腔端造成堵塞的可能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的处理半导体DPY工艺的废气处理装置的侧视剖面结构示意图。
附图标记：
100、侧壁；101、顶盖；102、燃烧腔；103、废气入口；104、废气出口；105、夹层空腔；106、出水口；107、进水口；108、氮气吹扫入口；109、环形挡板；110、环形间隙。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
下面结合图1描述本发明的处理半导体DPY工艺的废气处理装置。
图1示例了一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置的侧视剖面结构示意图，如图1所示，处理半导体DPY工艺的废气处理装置包括侧壁100和顶盖101，顶盖101盖合于侧壁100的顶部，侧壁100与顶盖101围成燃烧腔102。顶盖101设置有与燃烧腔102连通的废气入口103，侧壁100的底部设置有与燃烧腔102连通的废气出口104，侧壁100的内部形成有夹层空腔105，侧壁100内表面的上部设置有连通夹层空腔105与燃烧腔102的出水口106，侧壁100的外表面设置有与夹层空腔105连通的进水口107。
本发明提供的处理半导体DPY工艺的废气处理装置通过在侧壁100的内部形成有夹层空腔105，并在侧壁100内表面的上部设置有连通夹层空腔105与燃烧腔102的出水口106，从而形成水淋结构，水通过进水口107进入夹层空腔105，充满夹层空腔105后通过出水口106流出并沿着侧壁100的内表面向下流动；向下流动的水将硅烷生成的二氧化硅粉尘冲刷到设备底部的水箱中，减少在燃烧腔102内壁的堆积堵塞，防止粉尘附着，延长设备的维护周期。此外，水淋结构增加了对于粉尘的处理路径，降低了粉尘在水洗腔端造成堵塞的可能。
根据本发明的实施例，出水口106呈环形分布于侧壁100的内表面，以使通过出水口106流出的水可沿侧壁100的内表面向下流动。通过将出水口106设置成环形出水口106，水充满夹层空腔105后会沿着环形出水口的边沿向下流动，水会将整个侧壁100的内表面覆盖，将粉尘冲刷下去的同时，阻止粉尘附着在侧壁100的内表面。
这里需要说明的是，夹层空腔105的形成方式可以有多种，本实施例中是通过将侧壁100设置成双层壳体，在内壳体与外壳体之间预留一定空间形成夹层空腔105，内壳体与外壳体通过焊接连接。当然，夹层空腔105的形成方式并不限定于此，还可以采用其他形式。
根据本发明的实施例，废气入口103设置有与废气入口103连通的氮气吹扫入口108。氮气吹扫入口108的压力为0.4-0.5MPa，氮气吹扫用来在废气入口103处造成气体冲击，防止硅烷反应生成的粉尘在出口处堵塞。增加氮气吹扫的另一个目的是用来防止燃烧腔102中的水汽扩散到废气入口103与燃烧腔102的连接处，起到压制水汽的效果。
根据本发明的实施例，顶盖101的下表面设置有环形挡板109，环形挡板109与侧壁100之间形成环形间隙110，环形间隙110的宽度为5-10mm，环形挡板109的高度为30-60mm。环形挡板109的作用是阻挡水淋结构的水汽溅射到顶部，以用来保护顶部的零部件不受水汽的影响，延长零部件的使用寿命。
根据本发明的实施例，进水口107设置于侧壁100的外表面的下部，进水口107设置有多个，多个进水口107呈等距间隔布置，设置多个进水口107可确保大量进水的需求。
根据本发明的实施例，侧壁100与顶盖101通过螺栓连接，将侧壁100与顶盖101通过螺栓连接，可方便对燃烧腔102进行清理，缩短维护时间。
根据本发明的实施例，废气出口104的边沿设置有法兰，安装时通过法兰将侧壁100与底部的水箱连接，方便安装和拆卸。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，包括侧壁和顶盖，所述顶盖盖合于所述侧壁的顶部，所述侧壁与所述顶盖围成燃烧腔，所述顶盖设置有与所述燃烧腔连通的废气入口，所述侧壁的底部设置有与所述燃烧腔连通的废气出口，所述侧壁的内部形成有夹层空腔，所述侧壁内表面的上部设置有连通所述夹层空腔与所述燃烧腔的出水口，所述侧壁的外表面设置有与所述夹层空腔连通的进水口；
所述出水口呈环形分布于所述侧壁的内表面，以使通过所述出水口流出的水可沿所述侧壁的内表面向下流动；
所述顶盖的下表面设置有环形挡板，所述环形挡板与所述侧壁之间形成环形间隙。
2.根据权利要求1所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述废气入口设置有与所述废气入口连通的氮气吹扫入口。
3.根据权利要求2所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述氮气吹扫入口的压力为0.4-0.5MPa。
4.根据权利要求1所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述环形间隙的宽度为5-10mm。
5.根据权利要求1所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述环形挡板的高度为30-60mm。
6.根据权利要求5所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述进水口设置于所述侧壁的外表面的下部，所述进水口设置有多个。
7.根据权利要求5所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述侧壁与所述顶盖通过螺栓连接。
8.根据权利要求7所述的处理半导体DPY工艺的废气处理装置，其特征在于，所述废气出口的边沿设置有法兰。
CN202110286355.1A 2021-03-17 2021-03-17 一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置 Active CN113058356B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110286355.1A CN113058356B (zh) 2021-03-17 2021-03-17 一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110286355.1A CN113058356B (zh) 2021-03-17 2021-03-17 一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113058356A CN113058356A (zh) 2021-07-02
CN113058356B true CN113058356B (zh) 2022-06-21

Family

ID=76561258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110286355.1A Active CN113058356B (zh) 2021-03-17 2021-03-17 一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113058356B (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2060430C1 (ru) * 1993-09-28 1996-05-20 Фирма "Кумир" Установка для термического обезвреживания жидких отходов
JP4579944B2 (ja) * 1998-12-01 2010-11-10 株式会社荏原製作所 排ガス処理装置
US7569193B2 (en) * 2003-12-19 2009-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants
DE102004047440B4 (de) * 2004-09-28 2007-11-08 Centrotherm Clean Solutions Gmbh & Co.Kg Anordnung zur Reinigung von toxischen Gasen aus Produktionsprozessen
US7736599B2 (en) * 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
JP4937886B2 (ja) * 2006-12-05 2012-05-23 株式会社荏原製作所 燃焼式排ガス処理装置
CN207056302U (zh) * 2017-07-24 2018-03-02 济南来益贸易有限公司 废气处理装置
IT201700106688A1 (it) * 2017-09-25 2019-03-25 I C I Caldaie S P A Caldaia per la produzione di acqua calda o vapore.
CN210197316U (zh) * 2019-07-08 2020-03-27 上海盛剑环境系统科技股份有限公司 一种燃烧式气体处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN113058356A (zh) 2021-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6804620B1 (ja) 半導体プロセスの反応副産物捕集装置
CN111544966B (zh) 过滤集尘器防粉尘再次飞散模块及使用该模块的集尘装置
KR102511172B1 (ko) 배기 가스 제해 유닛
CN113058356B (zh) 一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置
KR20180055343A (ko) 가스 스크러버
CN103510068A (zh) 减压处理室和排气装置
CN210385372U (zh) 一种油漆废气洗涤塔
CN113058360B (zh) 一种在线可拆废气处理装置
CN115547892A (zh) 一种半导体工艺设备的喷淋板及半导体工艺设备
CN212791407U (zh) 一种可自动清洗绝缘子的装置及设有该装置的空气净化器
CN214287292U (zh) 一种工业生产废气净化处理装置
KR102176596B1 (ko) 반도체 공정의 반응부산물 자체 세정이 가능한 연속운전형 듀얼 포집 시스템
KR100847656B1 (ko) 파우더 트랩이 설치된 드라이 가스 스크러버
CN217009133U (zh) 工艺腔室及半导体工艺设备
KR100424870B1 (ko) 가스 스크러버
CN113015573A (zh) 废气导入喷嘴、水处理装置以及废气处理装置
CN217940111U (zh) 一种用于精细化工生产的反应塔
CN115815087B (zh) 紫外固化设备
CN217188681U (zh) 一种化工生产用尾气处理设备
CN213253704U (zh) 一种废气治理喷淋工艺段装置
CN217855457U (zh) 一种液相无汞触媒生产用废气脱酸机构
CN218573072U (zh) 一种新型废气缓冲罐
CN210057777U (zh) 适用于加工中心的粉尘处理装装置
CN210163521U (zh) 带有防护装置的反应腔
CN215099638U (zh) 一种适用于生产苯基硅橡胶的真空罐

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 100176 block a, 14th floor, yard 8, Liangshuihe 2nd Street, Beijing Economic and Technological Development Zone, Daxing District, Beijing

Applicant after: Beijing Jingyi automation equipment Technology Co.,Ltd.

Address before: 3 / F, block a, 14 / F, courtyard 8, Liangshuihe 2nd Street, Daxing Economic and Technological Development Zone, Beijing 100176

Applicant before: BEIJING JINGYI AUTOMATION EQUIPMENT Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant