JP2007519878A - ガス状汚染物質を制御可能に燃焼させるための装置および方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、ガス状汚染物質を制御可能に燃焼させ、それと同時に、望ましくない反応生成物が処理システム内に堆積するのを抑制し、さらに処理システム内に堆積した望ましくない反応生成物を除去するためのシステムおよび方法に関する。システムは、上部熱反応器内における熱燃焼のために廃ガス流を酸化剤および可燃性燃料と混合するための少なくとも1つの入口を含む上部熱反応器を有する二段式熱反応器を採用する。上部熱反応器は、外側外壁および多孔質内壁を有する2重壁構造を更に含み、その多孔質内壁は、流体を保持し、かつ、その流体を多孔質内壁を介して上部熱反応器の中へ脈動モードで放出するための内部空間を画成し、上部反応チャンバの内面上に反応生成物が堆積するのを抑制する。二段式熱反応器は、上部熱反応器内において形成された反応生成物を、水渦巻を介して流れさせるための下部反応チャンバを更に含み、その水渦巻は、下部反応チャンバの内部に沿って水が溢れることを提供し、それによって、望ましくない生成物が下部反応器の内面上に堆積するのを抑制する。
【選択図】 図1
【選択図】 図1
Description
発明の分野
[0001]本発明は、半導体の製造において発生する排ガスのような工場排出流体を熱処理し、反応生成物が処理システム内に堆積するのを抑制するためのシステムおよび方法に関する。
[0001]本発明は、半導体の製造において発生する排ガスのような工場排出流体を熱処理し、反応生成物が処理システム内に堆積するのを抑制するためのシステムおよび方法に関する。
関連技術の説明
[0002]半導体材料、半導体デバイス、半導体製品、および半導体メモリー商品の製造から発生するガス状排出物は、プロセス設備において使用され、かつ発生した多種多様な化学化合物を伴う。これらの化合物には、無機化合物および有機化合物、フォトレジストおよびその他の試薬の分解生成物、および多種多様なその他のガスが含まれ、それらは、プロセス設備から大気中へ排気される前に、廃ガス流から除去されなければならない。
[0002]半導体材料、半導体デバイス、半導体製品、および半導体メモリー商品の製造から発生するガス状排出物は、プロセス設備において使用され、かつ発生した多種多様な化学化合物を伴う。これらの化合物には、無機化合物および有機化合物、フォトレジストおよびその他の試薬の分解生成物、および多種多様なその他のガスが含まれ、それらは、プロセス設備から大気中へ排気される前に、廃ガス流から除去されなければならない。
[0003]半導体製造プロセスは、様々な化学薬品を利用し、それらの多くは、極めて低い人体許容レベルを有する。そのような物質には、アンチモン、ヒ素、ホウ素、ゲルマニウム、窒素、リン、ケイ素、セレンのガス状水素化物、シラン、ホスフィン、アルゴン、水素とシランとの混合物、オルガノシラン、ハロシラン、ハロゲン、およびその他の有機化合物が含まれる。
[0004]軽減されなければならない様々な化合物の中でも、ハロゲン、例えば、フッ素(F2)およびフッ素化物は、とりわけ、問題のあるものである。エレクトロニクス産業は、ウェーハ処理ツールにおいて、堆積ステップからの残留物を除去するために、また、薄膜をエッチングするために、ペルフルオロ化合物(PFC)を使用する。PFCは、地球温暖化の大きな原因であることが認識されており、エレクトロニクス産業は、これらのガスの放出を減少させるように努力している。最も広く使用されるPFCには、CF4、C2F6、SF6、C3F8、NF3が含まれる。これらのPFCは、プラズマ中において解離され、高い反応性のF2およびフッ素基を生成し、それらが、実際の清浄およびエッチングを行う。これらの加工作業からの生成物には、主として、フッ素、四フッ化ケイ素(SiF4)が含まれ、また、それほどではないにせよ、フッ化水素(HF)、フッ化カルボニル(COF2)、CF4、およびC2F6が含まれる。
[0005]大きな問題は、半導体製造プロセスの排出ガス流からこれらの物質を除去することであった。ほとんどすべての米国半導体製造工場は、これらの排ガスを処理するために、スクラバーかまたはそれに類似する手段を利用しているが、これらの工場において採用されている技術は、有毒な、さもなければ容認できないすべての不純物を除去することができない。
[0006]この問題の1つの解決方法は、プロセスガスを焼却し、有毒物質を酸化させ、あまり毒性のない形態にそれらを変換することである。そのようなシステムは、ほとんどの場合、それの処理能力の点において、過剰設計され、また、典型的には、複雑な反応による化学的危険性を発生させることなく、大量の混合化学物質流を安全に処理することができない。更に、従来の焼却炉は、典型的には、完全燃焼を達成することができないので、一酸化炭素(CO)および炭化水素(HC)を含む汚染物質を大気中に放出させる。更にまた、ガス排出物に大きく関係する問題の1つは、酸ミスト、酸蒸気、酸ガス、およびNOX(NO、NO2)を形成することである。従来の焼却炉の更なる欠点は、それらが、結果として得られる混合物を燃えやすいものにするためにおよび完全に可燃性にするために、可燃性の燃料を燃えにくいプロセス流に十分に混合することができないことである。
[0007]酸素または酸素富化空気が、燃焼チャンバ内に直接に付加され、廃ガス流と混合され、燃焼温度を上昇させてもよいが、酸化物、とりわけ、酸化ケイ素が形成されることがあり、これらの酸化物は、燃焼チャンバの壁に堆積しやすい。形成された酸化ケイ素の塊は、比較的に大きな場合があり、燃焼チャンバ内に徐々に堆積するために、多くの回数、装置を保守することが必要になることがある。
[0008]したがって、廃ガス流内の高い耐久性のある汚染物質を燃焼させるために、改善された熱反応器ユニットを提供することは、有益なことであり、その改善された熱反応器ユニットは、極めて燃えやすいガスを流し込み、廃ガス流と混合することによって、高い燃焼温度を提供し、完全燃焼を保証し、望ましくない反応生成物が熱反応器ユニット内に堆積することを抑制する。
[0009]本発明は、熱反応器内における半導体廃ガスの制御された燃焼を提供し、それと同時に、システム内に堆積物が蓄積するのを抑制するための方法およびシステムに関する。
[0010]一態様において、本発明は、汚染物質を廃ガス流から除去するための二段式反応器に関し、
上記二段式反応器は、
a)上部熱反応チャンバであって、
i)外側外壁、
ii)多孔質内壁であって、中央燃焼チャンバを画成し、内部空間を画成するのに十分な距離だけ外側外壁から離れて配置された、多孔質内壁と、
iii)廃ガス流を中央燃焼チャンバの中へ流し込むための中央燃焼チャンバと流体連絡する少なくとも1つの廃ガス入口、
iv)廃ガス流を燃焼させるための熱手段であって、それによって、反応生成物を形成する、熱手段、
v)脈動状態で流体を内部空間の中へ流し込むための手段であって、上記多孔質内壁は、反応生成物が多孔質内壁上に堆積するのを抑制するのに十分な圧力で流体を内部空間から中央燃焼チャンバの中へ移動させる、流し込むための手段、
を備える、上部熱反応チャンバと、
b)下部反応チャンバであって、
i)中央燃焼チャンバと流体連絡するガス流チャンバであって、廃ガス流および反応生成物に上記ガス流チャンバを通過させるための入口および出口を備える、ガス流チャンバ、
ii)酸化剤をガス流チャンバへ流し込むように配置された少なくとも1つの酸化剤入口、
iii)ガス流チャンバの入口の近くに配置された液体渦巻であって、下方向へ流れる液体膜をガス流チャンバの内面上に生成し、それによって、粒子の塊がその内面上に堆積および蓄積するのを抑制するための手段を備える、液体渦巻、
を備える、下部反応チャンバと、
を備える。
上記二段式反応器は、
a)上部熱反応チャンバであって、
i)外側外壁、
ii)多孔質内壁であって、中央燃焼チャンバを画成し、内部空間を画成するのに十分な距離だけ外側外壁から離れて配置された、多孔質内壁と、
iii)廃ガス流を中央燃焼チャンバの中へ流し込むための中央燃焼チャンバと流体連絡する少なくとも1つの廃ガス入口、
iv)廃ガス流を燃焼させるための熱手段であって、それによって、反応生成物を形成する、熱手段、
v)脈動状態で流体を内部空間の中へ流し込むための手段であって、上記多孔質内壁は、反応生成物が多孔質内壁上に堆積するのを抑制するのに十分な圧力で流体を内部空間から中央燃焼チャンバの中へ移動させる、流し込むための手段、
を備える、上部熱反応チャンバと、
b)下部反応チャンバであって、
i)中央燃焼チャンバと流体連絡するガス流チャンバであって、廃ガス流および反応生成物に上記ガス流チャンバを通過させるための入口および出口を備える、ガス流チャンバ、
ii)酸化剤をガス流チャンバへ流し込むように配置された少なくとも1つの酸化剤入口、
iii)ガス流チャンバの入口の近くに配置された液体渦巻であって、下方向へ流れる液体膜をガス流チャンバの内面上に生成し、それによって、粒子の塊がその内面上に堆積および蓄積するのを抑制するための手段を備える、液体渦巻、
を備える、下部反応チャンバと、
を備える。
[0011]更に別の態様においては、本発明は、廃ガス流内のガス状汚染物質を制御可能に燃焼させるためのシステムに関し、上記システムは、
a)上部熱反応チャンバであって、
i)外側外壁、
ii)多孔質内壁であって、中央燃焼チャンバを画成し、内部環状空間を画成するのに十分な距離だけ外側外壁から離れて配置された、多孔質内壁、
iii)脈動状態で流体を内部環状空間へ流し込むための手段であって、上記多孔質内壁が、反応生成物が多孔質内壁上に堆積するのを抑制するのに十分な圧力または速度で流体を内部環状空間から中央燃焼チャンバの中へ移動させる、流し込むための手段、
iv)廃ガス流を燃焼させるための熱手段であって、それによって、反応生成物を生成する、熱手段、
v)廃ガス流を上部熱反応器の中へ案内するための少なくとも1つの廃ガス入口であって、中央燃焼チャンバ内に存在する管路の部分で終端する管路を備え、管路の上記部分は、管内に配置され、その管は、管路の端部を越えて突き出ており、火炎を形成するための管内に存在するチャンバを画成し、管は中央燃焼チャンバと連絡する開口端を有する、少なくとも1つの廃ガス入口、
を備える、上部熱反応チャンバと、
[0012] b)下部反応チャンバであって、
i)中央燃焼チャンバと流体連絡するガス流チャンバ、
ii)酸化剤をガス流チャンバへ流し込むように配置された少なくとも1つの酸化剤入口、
iii)中央燃焼チャンバとガス流チャンバとの間に配置された液体渦巻であって、下方向へ流れる液体膜をガス流チャンバの内面上に生成し、それによって、粒子の塊がその内面上に堆積および蓄積するのを抑制するための手段を備える、液体渦巻、
を備える、下部反応チャンバと、
を備える。
a)上部熱反応チャンバであって、
i)外側外壁、
ii)多孔質内壁であって、中央燃焼チャンバを画成し、内部環状空間を画成するのに十分な距離だけ外側外壁から離れて配置された、多孔質内壁、
iii)脈動状態で流体を内部環状空間へ流し込むための手段であって、上記多孔質内壁が、反応生成物が多孔質内壁上に堆積するのを抑制するのに十分な圧力または速度で流体を内部環状空間から中央燃焼チャンバの中へ移動させる、流し込むための手段、
iv)廃ガス流を燃焼させるための熱手段であって、それによって、反応生成物を生成する、熱手段、
v)廃ガス流を上部熱反応器の中へ案内するための少なくとも1つの廃ガス入口であって、中央燃焼チャンバ内に存在する管路の部分で終端する管路を備え、管路の上記部分は、管内に配置され、その管は、管路の端部を越えて突き出ており、火炎を形成するための管内に存在するチャンバを画成し、管は中央燃焼チャンバと連絡する開口端を有する、少なくとも1つの廃ガス入口、
を備える、上部熱反応チャンバと、
[0012] b)下部反応チャンバであって、
i)中央燃焼チャンバと流体連絡するガス流チャンバ、
ii)酸化剤をガス流チャンバへ流し込むように配置された少なくとも1つの酸化剤入口、
iii)中央燃焼チャンバとガス流チャンバとの間に配置された液体渦巻であって、下方向へ流れる液体膜をガス流チャンバの内面上に生成し、それによって、粒子の塊がその内面上に堆積および蓄積するのを抑制するための手段を備える、液体渦巻、
を備える、下部反応チャンバと、
を備える。
[0013]好ましくは、上記液体渦巻は、
(i)上部プレートおよび中央燃焼チャンバと流体連絡する中央開口を有する外殻と、
(ii)内面および一般的にガス流チャンバの内面と整列させられる中央開口を有する外殻内に存在する円錐形バッフルであって、一般的には、外殻の内面と同心的に整列させられて同心チャンバを形成する、円錐形バッフルと、
(iii)液体を同心チャンバの中へ接線方向に流し込むように配置された液体入口であって、それによって、同心チャンバを液体で満たして渦運動を発生させ、液体を上昇させ、円錐形バッフルからガス流チャンバの中へ溢れさせ、円錐形バッフルの内面上に流体の層シートを形成し、その流体の層シートは、ガス流チャンバの内面上を下方向へ流れる、液体入口と、
を備える。
(i)上部プレートおよび中央燃焼チャンバと流体連絡する中央開口を有する外殻と、
(ii)内面および一般的にガス流チャンバの内面と整列させられる中央開口を有する外殻内に存在する円錐形バッフルであって、一般的には、外殻の内面と同心的に整列させられて同心チャンバを形成する、円錐形バッフルと、
(iii)液体を同心チャンバの中へ接線方向に流し込むように配置された液体入口であって、それによって、同心チャンバを液体で満たして渦運動を発生させ、液体を上昇させ、円錐形バッフルからガス流チャンバの中へ溢れさせ、円錐形バッフルの内面上に流体の層シートを形成し、その流体の層シートは、ガス流チャンバの内面上を下方向へ流れる、液体入口と、
を備える。
[0014]そのような構成によって、ガス流チャンバに入るガス流は、構造物の下部における壁に直接に接触するのを妨げられる。「渦巻」から流れ落ちる水の膜は、粒子の塊がガス流チャンバの内壁面上に蓄積するのを阻止する。そのような壁面上を移動する液体流は、水の膜に接触するガス流内の粒子を下方向へ運搬し、ガス流チャンバから排出する。
[0015]上部反応チャンバにおいて、多孔質内壁は、焼結セラミック体、焼結金属、または気孔の寸法またはメッシュサイズに関係なく流体を細孔を通って移動させるための細孔を材料全体に有する任意の材料から構成されてもよい。好ましくは、気孔は、材料全体に均一に分布する。材料は、反応生成物が燃焼チャンバの内面に近づくのを抑制するのに十分な速度で流体を内壁から燃焼チャンバへ容易に放出することのできる寸法を有する気孔または穿孔を含んでもよい。例えば、1平方インチ当たり約40個〜約1400個の穿孔が存在し、穿孔の数によって決定される直径を有してもよい。
[0016]代替として、多孔質内壁は、一般的には漏斗のような構造を有する複数の先細り突起を備える材料から構成されてもよく、その突起は、燃焼チャンバに向かって次第に細くなる。これらの円錐形の気孔は、流体を中央燃焼チャンバの中へ通過させ、それと同時に、任意の流体または反応生成物が、内部環状空間の中へ逆流するのを抑制し、あるいは、中央燃焼チャンバの内面上に堆積するのを抑制する。
[0017]外側外壁と多孔質内壁との間の間隔は、好ましくは加圧された状態のガスを露出した多孔質内壁の本質的に全体にわたって分配するのに十分な内部空間を提供する。代替としては、多孔質内壁は、ガスを中央燃焼チャンバの中へ送り込むための多数のアパーチャーまたはノズルから構成されてもよい。
[0018]流体は、空気および/または不活性ガスのようないかなるガスであってもよく、そのガスは、好ましくは、放出されるときに中央燃焼チャンバの内面上に堆積するのを抑制するのに十分な適切な圧力にまで加圧される。動作中、加圧可能なガスは、上部反応チャンバ内の壁に近づくガス流内の粒子または有害ガスの速度よりも早い速度で多孔質内壁から放出されるのに十分な圧力を有しており、それによって、燃焼チャンバ内において多孔質内壁に隣接する領域を作成し、その領域は、粒子が燃焼チャンバの内面に近づくのを妨げる。一般的には、ガスは、約50psig〜約600psigの範囲にある圧力、より好ましくは、約60psig〜約100psigの範囲にある圧力まで加圧されてもよいが、これは、当業者によって、燃焼チャンバへ流れ込むガス流の流量を測定することによって容易に調節される。したがって、多孔質内壁から流出するガスの速度は、燃焼チャンバ内のガス流の中に含まれる任意の反応生成物の速度と等しくなるように、あるいはそれよりも速くなるように調整することができる。
[0019]好ましくは、多孔質内壁の通路から燃焼チャンバの中へ放出される流体は、脈動モードの状態である。一般的には、放出される流体の脈動期間は、約3ms〜約1sであり、より好ましくは、約20ms〜約100msである。
[0020]更に別の態様において、本発明は、二段式熱反応器における処理によって廃ガス流内のガス状汚染物質を制御可能に燃焼させるための方法に関し、この方法は、
i)廃ガス流を少なくとも1つの入口端部から上部熱反応器へ流し込むステップと、
ii)廃ガス流と混合するために少なくとも1つの可燃性燃料を提供し、燃料濃厚可燃性ガス混合物流を形成するステップと、
iii)燃焼チャンバ内において燃料濃厚可燃性ガス混合物流に着火し、酸化反応生成物を形成するステップと、
iv)燃料濃厚可燃性ガス混合物流を燃焼させるのと同時に付加的な流体を燃焼チャンバの中へ注入するステップであって、付加的な流体は、脈動モードで、かつ、燃焼チャンバ内部を取り囲むような形で注入され、それによって、反応生成物が、燃焼チャンバの内面上に堆積するのを妨げる、注入するステップと、
v)反応生成物の流れを下部反応チャンバの中へ流れさせ、それと同時に、空気含有ガスを流れの中へ流し込み、それによって、燃料希薄混合物を提供するステップと、
vi)反応生成物の流れを下部反応チャンバの入口の近くに配置された水渦巻を介して流れさせるステップであって、水渦巻から流れ落ちる水が、下部反応チャンバの内面上に反応生成物が堆積するのを妨げる、流れさせるステップと、
を備える。
i)廃ガス流を少なくとも1つの入口端部から上部熱反応器へ流し込むステップと、
ii)廃ガス流と混合するために少なくとも1つの可燃性燃料を提供し、燃料濃厚可燃性ガス混合物流を形成するステップと、
iii)燃焼チャンバ内において燃料濃厚可燃性ガス混合物流に着火し、酸化反応生成物を形成するステップと、
iv)燃料濃厚可燃性ガス混合物流を燃焼させるのと同時に付加的な流体を燃焼チャンバの中へ注入するステップであって、付加的な流体は、脈動モードで、かつ、燃焼チャンバ内部を取り囲むような形で注入され、それによって、反応生成物が、燃焼チャンバの内面上に堆積するのを妨げる、注入するステップと、
v)反応生成物の流れを下部反応チャンバの中へ流れさせ、それと同時に、空気含有ガスを流れの中へ流し込み、それによって、燃料希薄混合物を提供するステップと、
vi)反応生成物の流れを下部反応チャンバの入口の近くに配置された水渦巻を介して流れさせるステップであって、水渦巻から流れ落ちる水が、下部反応チャンバの内面上に反応生成物が堆積するのを妨げる、流れさせるステップと、
を備える。
[0021]本発明のその他の態様および利点が、以下の説明および添付の特許請求の範囲からより詳細に明らかとなる。
[0025]図1を参照すると、本明細書で説明されるシステムを表現する二段式反応器10が示される。上部反応チャンバ12および下部反応チャンバ14が示される。上部反応チャンバは、廃ガス流を流し込むための少なくとも1つの廃ガス入口15を含む。この実施形態においては、付加的な独立したガス入口16および17が存在し、付加的な可燃性ガスまたは酸化剤を流し込み、燃料濃厚ガス混合物を提供し、それによって、システム内の燃焼温度を上昇させ、耐久性のある汚染物質を破壊する。
[0026]上部反応チャンバは、更に、通常の金属材料で作られた外側外壁20および多孔質材料で作られた内壁22を備え、それらの外壁20および内壁22は、中央燃焼チャンバ24を取り囲む。多孔質の内壁は、内部環状空間26を画成するのに十分な距離だけ外側外壁から離れて配置される。環状空間26は、好ましくは加圧された流体を流し込むために提供され、その流体は、多孔質内壁を介して外側30へおよび/または多孔質内壁22の内面に沿って下方向へ脈動的に放出するために、ポート27を介して環状空間に入り、多孔質内壁22を介して環状空間から出る。多孔質内壁を介して中央燃焼チャンバの中へ流体を脈動的に放出することは、粒子状物質が中央燃焼チャンバの内面上に蓄積するのを抑制および/または軽減する。好ましくは、脈動ガスは、燃焼チャンバ内のガス流に含まれ得る任意の粒子の速度を超える速度で多孔質内壁から出て、内壁に近づき、それによって、燃焼チャンバの内壁に隣接する非堆積領域を発生させ、かつ、粒子が燃焼チャンバの内面上に少しでも堆積するのを抑制する。
[0027]任意の混入粒子を含む混合ガスは、上部熱チャンバから出て、下部反応チャンバ14へ流れ込み、その下部反応チャンバ14は、ガス流チャンバ32と、好ましくは中央燃焼チャンバからのガス流を燃料濃厚混合物から燃料希薄混合物に変換するのに十分な量の酸化剤を流し込むための少なくとも1つの入口34とを備える。下部反応チャンバは、更に、液体渦巻33を含み、液体は、入口38から外側同心チャンバ36の中へ接線方向に入り、渦運動を発生させ、液体を上昇させ、バッフル40からガス流チャンバ32の中へ溢れさせ、連続的な液体膜をガス流チャンバの内面上に維持し、それによって、バッフル40およびガス流チャンバ32の内面上への堆積を抑制する。
[0028]図2は、二段式熱反応システムにおいて処理するための廃ガス流を流し込むための廃ガス入口15を示す。この実施形態においては、廃ガス流と混合するための燃料ガスおよび/または酸化剤を流し込むための複数の独立したガス入口16および17が、存在、燃料濃厚混合物を提供し、燃焼温度を上昇させる。廃ガス吸入管15は、中央燃焼チャンバの反応器壁44を通り過ぎて延び、拡張部45で終端する。混合ガスは、拡張部45から出るが、中央燃焼チャンバ24の中へ直接に入るのではなく、同心管46の中へ入り、そこで、熱燃焼させられおよび/または酸化される。好ましくは、管46内における燃焼は、管46内に配置されあるいは管46の下流端部の近くに配置されかつ着火のための点火プラグまたは熱面を使用する従来型のパイロットバーナーによって容易になる。燃料と燃焼支援ガスとの混合流、例えば、プロパンガス、メタンガス、または水素ガスと空気とが、通路16および/または17を介して供給され、入口15の中へ注入される廃ガス流と混合されてもよい。
[0029]別の実施形態においては、例えば、電気抵抗加熱、赤外線放射、マイクロ波照射、対流熱伝導、または固体熱伝導、などによる任意の適切な形で加熱される電気加熱ユニットが、本発明において使用されてもよい。混合ガスおよびガス流の温度は、同心管46、24、またはそれらの両方の中で火炎を発生させることができるように選択される。
[0030]入口16は、廃ガス吸入管と反応チャンバとの間に空気を流し込み、廃ガス流と混合するのに利用されてもよい。入口17は、酸素または天然ガスを可燃性の燃料として流し込むために提供され、廃ガス流を浄化するのに十分な反応温度にまで燃焼温度を上昇させる。個々の入口は、隣接する入口において利用されるこれらのパラメータから影響を受けることなく、酸化を制御するのを可能にし、相性の悪いガス流が混ざり合う可能性を減少させ、入口圧力の能動的制御を可能にする。
[0031]図3を参照すると、本発明による上部熱反応チャンバが示される。外側外壁20は、それが所定の耐熱性および強度を有しさえすれば、いかなる材料であってもよく、またそれは、溶接、フランジ結合などによって、接合部においてしっかりと接合されてもよい。多孔質内壁22は、耐熱性および強度に関する要件を満たしてさえいれば、いかなる多孔質材料を含んでもよく、また、流体が環状空間から中央燃焼チャンバへ移動するのに十分な気孔率を有する焼結セラミックまたは焼結金属またはそれらに類似するものを含んでもよい。焼結セラミックには、限定はしないが、MgAl2O4、Al2O3、またはSiCが、含まれてもよく、ここで、多孔質材料は、約30%〜約80%の気孔率および約15nm〜約2μmの範囲にある気孔寸法半径を有する。
[0032]廃ガス流は、反応器の上面にある入口15(図示しない)から入り、管46(図示しない)内において燃焼した後、中央燃焼チャンバ24の中に入る。付加的なガスまたは流体が、矢印30によって示されるように、脈動状態で、多孔質内壁22を介して中央燃焼チャンバ24の中へ流し込まれる。ガスまたは流体が、入口27から、外側外壁20と多孔質内壁22との間に形成された環状空間26の中へ流し込まれる。環状空間内に保有される流体は、中央燃焼チャンバの内面に隣接する非堆積領域を発生させるのに十分な速度および/または圧力で、多孔質内壁22を介して中央燃焼チャンバの中へ移動または拡散し、それによって、望ましくない反応生成物が、中央燃焼チャンバの内面上に堆積するのを抑制する。
[0033]好ましくは、脈動ガスまたは脈動流体は、周期的に、加圧され、かつ、内壁22を介して、あるいは、内壁22に沿って、脈動的に放出され、その結果として、粒子は過度に堆積することはなく、あるいは、堆積物を除去するには大きくて難しいほどの塊になることはない。脈動の強度および周期は、粒子形成物質の種類および量、および反応器の温度に依存し、当業者は簡単に決定することができる。
[0034]外側外壁20上に配置された流体入口27は、環状空間26内に供給されるべき圧縮空気のような加圧流体を提供する。代替として、加圧流体を環状空間の中へ均一に分配しおよび流し込むために、複数の入口が、外側外壁の長手方向に沿って使用されてもよい。
[0035]加圧流体は、空気および不活性ガスのようないかなるガスを含んでもよく、そのガスは、適切な圧力にまで圧縮されることによって、ガスは、多孔質内壁22の気孔を通過することができ、望ましくない反応生成物を減少させおよび/または除去し、それと同時に、中央燃焼チャンバにおける燃焼処理には影響を与えない。
[0036]加圧流体は、入口27に供給されるような関係で合流してもよい清浄乾燥空気(CDA)のような酸化剤を含んでもよく、このようにして流し込まれた空気は、外壁20と多孔質内壁22との間にある環状空間の中へ流れる。あるいは、空気は、適切な温度にまで加熱されてもよく、そして、多孔質内壁22のオリフィスまたは気孔を介して流される。そのようにして、酸化剤が付加され、排ガスと混合され、反応器内において熱酸化させるための酸化可能な排ガス混合物を形成してもよい。
[0037]流体は、好ましくは、脈動モードで、燃焼チャンバの中へ放出される。約3ms〜約1sの脈動期間を有する脈動モードで流体を流し込むことのできるものであれば、いかなる装置が、本発明において使用されてもよい。
[0038]脈動状態は、連続的なパルス列の形で供給され、それぞれのパルス列におけるガス量は、それぞれの脈動期間の時間間隔に基づいて制御される。パルス列間の時間間隔が、指定可能なガス平均流量が得られるように、調節されてもよい。内部空間へのガス総流量は、いくつかのパルス列間の時間間隔を調整することによって、調節される。図3に示されるように、好ましくはマイクロプロセッサーである調節ユニット23は、そのようにしてガス流量を調整するために、例えばバルブである制御手段25と通信できる状態にある。また、信号を生成して調節ユニット23に送信するために、流量計が含まれてもよく、この流量信号は、それぞれのガスパルスにおける量を調節するためのフィードバック信号の役割をなしてもよい。それぞれのガスパルスは、マイクロプロセッサー調節ユニット23内の入力プログラムに基づいて制御手段(バルブ)25が開かれることによって起動されてもよく、そして、それぞれのガスパルスは、流量計からの信号が所望の量が流量計を通過したことを指示すれば、遮断されあるいは終了させられてもよい。オペレータが、粘度、温度、または圧力のような流れ込むガスの様々な特性に基づいて、調節ユニットにおいて、パルス期間を調整してもよい。
[0039]別の好ましい実施形態においては、粒子堆積は、多孔質内壁22を介してあるいは内壁22に沿って脈動的に放出するために水を環状空間26の中へ流し込むことによって、減らすことができる。多孔質内壁を介して蒸気を流し込む場合、脱イオン水が、環状空間26内の多孔質内壁の裏面に付着させられ、毛管作用によって多孔質材料を介して中へ吸い込まれてもよい。水は、熱い内面に向かって進み、壁材料の熱伝導によって、熱い反応器ガスから熱を受け取る。熱が増加し、かつ、水が燃焼チャンバの熱い内面により近づくにつれて、水は、多孔質材料内においておよび燃焼チャンバの内面の近くにおいて蒸気に変換され、大量の水蒸気の発生の結果として、その蒸気が、付着した粒子堆積物を除去するのに十分な圧力で内壁から放出される。環状空間の中へ流し込まれる水および蒸気流は、周期的なものであってもよく、あるいは、連続的なものであってもよい。水を環状空間の中へ連続的に流し込むことは、多孔質内壁22を水の中に浸すことを提供し、それによって、多孔質壁の全表面が、毛管現象の効果に曝され、また、多孔質壁22の表面から蒸発した水を補充することを提供する。
[0040]周期的な流れの場合においては、温熱条件の変化が、熱膨張力の差を増大させることができ、それによって、強力に付着した粒子を破砕および除去するのを助ける。壁材料の毛管力のために、たとえ水供給源圧力が小さくても、粒子を除去する大きな力または圧力を実現することができる。
[0041]壁に沿った蒸気流の場合には、脱イオン水が、熱によって蒸気に変換され、その流れは、静止ノズルかまたは可動ノズルのいずれかを介して分配され、壁面に付着した粒子を除去する。ノズルを脈動させることによって、熱膨張効果の差が、壁堆積物を破壊および除去するのを助ける。
[0042]多孔質内壁22は、適切な多孔質構造を有してもよく、また、例えば、多孔質焼結金属壁、穴あき金属シート壁、多孔質プラスチック壁、または多孔質セラミック壁から構成されてもよい。好ましくは、多孔質材料は、流体がそこを通り抜けるのに十分な寸法の気孔を提供し、その寸法は、例えば、約0.5ミクロン〜約30ミクロンの範囲に存在してもよい。
[0043]図1を参照すると、反応したガスは、上部反応チャンバの底部において上部反応チャンバから冷却水の渦巻の中を通って出る。水渦巻ユニットは、一般的には、上部プレート50、外殻36、一般的には円錐形のバッフル40を備える。外殻36は、液体入口38を備える。液体入口38は、液体が外殻36内に接線方向に流し込まれるときに渦運動を発生させるように同心チャンバ37が液体で満たされるような外殻36との位置関係で配置され、液体を上昇させ、円錐形のバッフルから溢れさせ、バッフルの内面に液体の層シートを形成し、その液体の層シートは、ガス流チャンバ39の内面上を下方向へ流れ、それによって、内面を冷却し、その内面上に粒子が堆積するのを抑制する。
[0044]本発明が、例としての実施形態および特徴を参照して、本明細書で様々に記載されたが、本明細書で記載されたそれらの実施形態および特徴は、本発明を限定しようとするものではないこと、また、当業者には、本明細書に基づいて、その他の変形、変更、および他の実施形態を容易に考え出すことができることがわかる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲と一致するように、広く解釈されるべきである。
10…二段式反応器、12…上部反応チャンバ、14…下部反応チャンバ、15…廃ガス入口、16、17…可燃性ガス入口、20…外側外壁、22…内壁、24…中央燃焼チャンバ、26…内部環状空間、27…加圧流体ポート、30…外側、32…ガス流チャンバ、33…液体渦巻、34…酸化剤入口、36…外殻、37…同心チャンバ、38…液体入口、40…バッフル、50…上部プレート。
Claims (28)
- 汚染物質をガス流から除去するための二段式反応器において、
a)上部熱反応チャンバであって、
i)外側外壁、
ii)多孔質内壁であって、中央燃焼チャンバを画成し、内部空間を画成するのに十分な距離だけ外側外壁から離れて配置された、多孔質内壁と、
iii)廃ガス流を中央燃焼チャンバの中へ流し込むための中央燃焼チャンバと流体連絡する少なくとも1つの廃ガス入口、
iv)廃ガス流を燃焼させるための熱手段であって、それによって、反応生成物を形成する、熱手段、
v)脈動状態で流体を内部空間の中へ流し込むための手段であって、前記多孔質内壁が、反応生成物が多孔質内壁上に堆積するのを抑制するのに十分な圧力で流体を内部空間から中央燃焼チャンバの中へ移動させる、流し込むための手段、
を備える、前記上部熱反応チャンバと、
b)下部反応チャンバであって、
i)中央燃焼チャンバと流体連絡するガス流チャンバであって、廃ガス流および反応生成物に前記ガス流チャンバを通過させるための入口および出口を備える、ガス流チャンバ、
ii)酸化剤をガス流チャンバへ流し込むように配置された少なくとも1つの酸化剤入口、
iii)ガス流チャンバの入口の近くに配置された液体渦巻であって、下方向へ流れる液体膜をガス流チャンバの内面上に生成し、それによって、粒子の塊がその内面上に堆積および蓄積するのを抑制するための手段を備える、液体渦巻、
を備える、前記下部反応チャンバと、
を備える二段式反応器。 - 前記外側外壁と前記多孔質内壁との間に配置された内部空間が、内部環状空間である、請求項1に記載の二段式反応器。
- 前記内部環状空間の中へ流し込まれる流体が、加圧されている、請求項2に記載の二段式反応器。
- 前記脈動状態にある流体が、水、空気、清浄乾燥空気、および清浄富化空気の中から選択される、請求項1に記載の二段式反応器。
- 前記流体が水である、請求項4に記載の二段式反応器。
- 前記流体が、周期的な脈動状態で中央燃焼チャンバの中へ注入される、請求項2に記載の二段式反応器。
- 前記脈動状態が、約20ms〜約100msの脈動期間を備える、請求項1に記載の二段式反応器。
- 廃ガス流と混合するための可燃性燃料または酸化剤を流し込むための少なくとも1つの付加的なガス入口を更に備える、請求項1に記載の二段式反応器。
- 前記可燃性燃料が、酸素、プロパン、メタン、または水素である、請求項8に記載の二段式反応器。
- 前記液体渦巻が、
(i)上部プレートおよび中央燃焼チャンバと流体連絡する中央開口を有する外殻と、
(ii)内面および一般的にガス流チャンバの内面と整列させられる中央開口を有する外殻内に存在する円錐形バッフルであって、一般的には、外殻の内面と同心的に整列させられて同心チャンバを形成する、円錐形バッフルと、
(iii)液体を同心チャンバの中へ接線方向に流し込むように置かれた液体入口であって、それによって、同心チャンバを液体で満たして渦運動を発生させ、液体を上昇させ、円錐形バッフルから溢れさせ、円錐形バッフルの内面上に流体シートを形成し、その流体シートが、ガス流チャンバの内面上を下方向へ流れる、前記液体入口と、
から構成される、請求項1に記載の二段式反応器。 - 前記円錐形バッフルの内面上に存在する流体シートは、入力ガス流がガス流チャンバの内面と接触することを妨げ、それによって、反応生成物がその内面上に堆積するのを阻止する、請求項10に記載の二段式反応器。
- 前記多孔質内壁は、焼結セラミック、焼結金属、多孔質金属材料、または多孔質高分子材料からなる材料から製造された、請求項1に記載の二段式反応器。
- 前記多孔質内壁は、多孔質材料内に均一に分布する気孔を備える、請求項12に記載の二段式反応器。
- 前記外側外壁および前記多孔質内壁は、環状空間を提供するのに十分な距離だけ分離され、前記多孔質内壁を通過する加圧ガスを分配する、請求項1に記載の二段式反応器。
- 前記多孔質内壁が、前記多孔質内壁から中央燃焼チャンバの中へ加圧ガスが通過するための複数のアパーチャーを備える、請求項14に記載の二段式反応器。
- 前記流体は、粒子が中央燃焼チャンバの内面上に堆積するのを抑制するのに十分な圧力で流体を脈動放出するのを助けるために、適切な圧力にまで圧縮される、請求項2に記載の二段式反応器。
- 前記圧力は、約60psigから約100psigまでの範囲に存在する、請求項16に記載の二段式反応器。
- 前記複数のアパーチャーは、円錐形の突起を備える、請求項15に記載の二段式反応器。
- 廃ガス流内のガス状汚染物質を制御可能に燃焼させるための軽減システムであって、
a)上部熱反応チャンバであって、
i)外側外壁、
ii)多孔質内壁であって、中央燃焼チャンバを画成し、内部環状空間を画成するのに十分な距離だけ外側外壁から離れて配置された、多孔質内壁、
iii)脈動モードで流体を内部環状空間へ流し込むための手段、
iv)廃ガス流を燃焼させるための熱手段であって、それによって、反応生成物を形成する、前記熱手段、
v)廃ガス流を上部熱反応器の中へ案内するための少なくとも1つの廃ガス入口であって、中央燃焼チャンバ内に存在する管路の部分で終端する管路を備え、管路の前記部分が管内に設置され、その管が、管路の端部を越えて突き出ており、火炎を形成するための管内に存在するチャンバを画成し、管が中央燃焼チャンバと連絡する開口端を有する、少なくとも1つの前記廃ガス入口、
を備える、前記上部熱反応チャンバと、
b)下部反応チャンバであって、
i)中央燃焼チャンバと流体連絡するガス流チャンバ、
ii)酸化剤をガス流チャンバへ流し込むように配置された少なくとも1つの酸化剤入口、
iii)中央燃焼チャンバとガス流チャンバとの間に配置された液体渦巻、
を備える、前記下部反応チャンバと、
を備え、
前記液体渦巻が、
(1)上部プレートおよび中央燃焼チャンバと流体連絡する中央開口を有する外殻と、
(2)内面および一般的にガス流チャンバの内面と整列させられる中央開口を有する外殻内に存在する円錐形バッフルであって、一般的には、外殻の内面と同心的に整列させられて同心チャンバを形成する、前記円錐形バッフルと、
(3)液体を同心チャンバの中へ接線方向に流し込むように置かれた液体入口であって、それによって、同心チャンバを液体で満たして渦運動を発生させ、液体を上昇させ、円錐形バッフルからガス流チャンバの中へ溢れさせ、円錐形バッフルの内面上に流体シートを形成し、その流体シートが、ガス流チャンバの内面上を下方向へ流れる、前記液体入口と、
から構成される軽減システム。 - 前記多孔質内壁は、反応生成物が多孔質内壁上に堆積するのを抑制するのに十分な圧力で流体を内部環状空間から中央燃焼チャンバの中へ移動させる、請求項19に記載の軽減システム。
- 前記多孔質内壁は、約30%〜約80%の気孔率を備える、請求項19に記載の軽減システム。
- 環状空間の中へ流し込まれる流体は、加圧された、請求項19に記載の軽減システム。
- 前記流体は、水、空気、清浄乾燥空気、および清浄富化空気の中から選択される、請求項19に記載の軽減システム。
- 前記流体は水である、請求項19に記載の軽減システム。
- 前記多孔質内壁を介して中央燃焼チャンバの中へ注入される流体は、蒸気からなる、請求項20に記載の軽減システム。
- 可燃性燃料または酸化剤を流し込むための少なくとも1つの付加的なガス入口を更に備える、請求項19に記載の軽減システム。
- 前記可燃性燃料は、酸素、プロパン、メタン、または水素である、請求項26に記載の軽減システム。
- 二段式熱反応器において廃ガス流内のガス状汚染物質を制御可能に燃焼させるための方法であって、
i)廃ガス流を少なくとも1つの廃ガス入口から上部熱反応器へ流し込むステップと、
ii)廃ガス流と混合するために少なくとも1つの可燃性燃料を提供し、燃料濃厚可燃性ガス混合物流を形成するステップと、
iii)燃焼チャンバ内において燃料濃厚可燃性ガス混合物流に着火し、反応生成物を形成するステップと、
iv)燃料濃厚可燃性ガス混合物流を燃焼させるのと同時に付加的な流体を燃焼チャンバの中へ注入するステップであって、付加的な流体が、脈動モードで、燃焼チャンバ内部を取り囲むような形で、かつ、燃焼チャンバの内面に近づく反応生成物の圧力よりも大きな圧力で注入され、それによって、反応生成物が、燃焼チャンバの内面上に堆積するのを妨げる、前記注入するステップと、
v)反応生成物の流れを下部反応チャンバの中へ流れさせ、それと同時に、空気含有ガスを反応生成物の流れの中へ流し込み、それによって、燃料希薄混合物を提供するステップと、
vi)反応生成物の流れを下部反応チャンバの入口の近くに配置された水渦巻を介して流すステップであって、水渦巻から流れ落ちる水が、下部反応チャンバの内面上に反応生成物が堆積するのを妨げる、前記流すステップと、
を備える方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010540212A (ja) * | 2007-09-20 | 2010-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子デバイス製造廃液を周囲空気により除害するための装置及び方法 |
KR20120012785A (ko) * | 2009-02-26 | 2012-02-10 | 팔머 랩스, 엘엘씨 | 고온 및 고압에서 연료를 연소하는 장치 및 방법, 이에 관련된 시스템 및 장비 |
JP2013536917A (ja) * | 2010-08-31 | 2013-09-26 | パルマー ラボ,エルエルシー | 高圧および高温で燃料を燃焼するための装置ならびに関連システム |
JP2014081188A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Global Standard Technology Co Ltd | CO,NOx個別制御方式を利用した低公害燃焼方法 |
JP2015038412A (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | 大陽日酸株式会社 | 燃焼除害装置 |
JP2016011759A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 日本パイオニクス株式会社 | 排ガスの燃焼式浄化装置 |
JP2016520788A (ja) * | 2013-04-15 | 2016-07-14 | エアガード,インコーポレイテッド | 洗浄装置内の延長又は多数反応部 |
JP5977419B1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-08-24 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
JP2018510317A (ja) * | 2015-03-30 | 2018-04-12 | エドワーズ リミテッド | 放射バーナー |
JP2020201030A (ja) * | 2017-07-07 | 2020-12-17 | 鑑鋒國際股▲ふん▼有限公司Siw Engineering Pte.,Ltd. | ガス状汚染物の分解・酸化をコントロールする装置及びシステム |
Families Citing this family (288)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040018460A1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-01-29 | Korwin Michel J. | Apparatus and method for thermal neutralization of gaseous mixtures |
US7569193B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants |
GB0406748D0 (en) * | 2004-03-26 | 2004-04-28 | Boc Group Plc | Vacuum pump |
DE102004047440B4 (de) * | 2004-09-28 | 2007-11-08 | Centrotherm Clean Solutions Gmbh & Co.Kg | Anordnung zur Reinigung von toxischen Gasen aus Produktionsprozessen |
US7736599B2 (en) | 2004-11-12 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Reactor design to reduce particle deposition during process abatement |
EP1954926A2 (en) | 2005-10-31 | 2008-08-13 | Applied Materials, Inc. | Process abatement reactor |
DE102005059481B3 (de) * | 2005-12-07 | 2007-07-12 | DAS - Dünnschicht Anlagen Systeme GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von Reaktionsraumwänden im Inneren eines Reaktionsraums einer thermischen Nachbehandlung von Prozessabgasen |
US8572946B2 (en) * | 2006-12-04 | 2013-11-05 | Firestar Engineering, Llc | Microfluidic flame barrier |
US8591819B2 (en) * | 2006-12-05 | 2013-11-26 | Ebara Corporation | Combustion-type exhaust gas treatment apparatus |
GB0706544D0 (en) * | 2007-04-04 | 2007-05-09 | Boc Group Plc | Combustive destruction of noxious substances |
WO2009062183A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Firestar Engineering, Llc | Nitrous oxide fuel blend monopropellants |
KR101581673B1 (ko) * | 2008-02-05 | 2015-12-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 제조 프로세스들로부터의 가연성 폐기물 가스들을 처리하기 위한 시스템 및 방법 |
US20100119984A1 (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-13 | Fox Allen G | Abatement system |
GB0902221D0 (en) * | 2009-02-11 | 2009-03-25 | Edwards Ltd | Pilot |
US9068743B2 (en) * | 2009-02-26 | 2015-06-30 | 8 Rivers Capital, LLC & Palmer Labs, LLC | Apparatus for combusting a fuel at high pressure and high temperature, and associated system |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
CA2769291A1 (en) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | Firestar Engineering Llc | Detonation wave arrestor |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
WO2011091162A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Firestar Engineering, Llc | Insulated combustion chamber |
US20110219742A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Firestar Engineering, Llc | Supersonic combustor rocket nozzle |
TWI386251B (zh) * | 2010-06-07 | 2013-02-21 | Macronix Int Co Ltd | 製程廢氣處理裝置及製程廢氣處理方法 |
US8629313B2 (en) * | 2010-07-15 | 2014-01-14 | John Zink Company, Llc | Hybrid flare apparatus and method |
US8869889B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-10-28 | Palmer Labs, Llc | Method of using carbon dioxide in recovery of formation deposits |
GB201021480D0 (en) * | 2010-12-17 | 2011-02-02 | Doosan Power Systems Ltd | Control system and method for power plant |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
WO2013053846A1 (en) * | 2011-10-11 | 2013-04-18 | Institutt For Energiteknikk | Method and device for forming nano - to micro - scale particles |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9089811B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-07-28 | Highvac Corp. | Coaxial / coaxial treatment module |
GB2504335A (en) * | 2012-07-26 | 2014-01-29 | Edwards Ltd | Radiant burner for the combustion of manufacturing effluent gases. |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
KR101278178B1 (ko) * | 2012-10-15 | 2013-07-05 | 씨에스케이(주) | 스크러버용 버너 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9709271B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-07-18 | Fluor Technologies Corporation | Thermally controlled combustion system |
KR101431452B1 (ko) * | 2013-02-21 | 2014-08-21 | 씨에스케이(주) | 가열 방식의 스크러버 시스템 |
US20140262033A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Gas sleeve for foreline plasma abatement system |
JP6153754B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-06-28 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
JP6151945B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
JP6368458B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2018-08-01 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
GB2516267B (en) * | 2013-07-17 | 2016-08-17 | Edwards Ltd | Head assembly |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
CN104043323B (zh) * | 2014-06-24 | 2016-06-29 | 浙江工商大学 | 一种电晕络合催化烟气脱硝反应装置 |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
KR101797731B1 (ko) | 2015-03-26 | 2017-11-15 | 한국에너지기술연구원 | 난분해성 유해가스 소각처리를 위한 에너지 절약형 연소장치 및 이의 운전방법 |
GB2536905B (en) * | 2015-03-30 | 2020-01-08 | Edwards Ltd | Radiant burner |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
GB201515489D0 (en) | 2015-09-01 | 2015-10-14 | Edwards Ltd | Abatement apparatus |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
CA3034452A1 (en) * | 2016-08-21 | 2018-03-01 | Adva Biotechnology Ltd. | Bioreactor and methods of use thereof |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
CN110461437B (zh) * | 2017-01-06 | 2022-09-13 | 阿尔泽塔公司 | 用于改善废气消减的系统和方法 |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
MX2019010632A (es) | 2017-03-07 | 2019-10-15 | 8 Rivers Capital Llc | Sistema y metodo para la operacion de una camara de combustion de combustible flexible para turbina de gas. |
CA3055403A1 (en) | 2017-03-07 | 2018-09-13 | 8 Rivers Capital, Llc | System and method for combustion of solid fuels and derivatives thereof |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
GB2561190A (en) | 2017-04-04 | 2018-10-10 | Edwards Ltd | Purge gas feeding means, abatement systems and methods of modifying abatement systems |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
GB2571793A (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-11 | Edwards Ltd | Abatement |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
CN108800172B (zh) * | 2018-07-09 | 2024-04-12 | 安徽京仪自动化装备技术有限公司 | 一种处理半导体制程废气的旋风式合氧燃烧装置 |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
WO2020021456A1 (en) | 2018-07-23 | 2020-01-30 | 8 Rivers Capital, Llc | System and method for power generation with flameless combustion |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
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JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
DE102019117331A1 (de) * | 2019-06-27 | 2020-12-31 | Das Environmental Expert Gmbh | Brenner zur Erzeugung einer Flamme für die Verbrennung von Prozessgas und Abgasbehandlungsvorrichtung mit einem Brenner |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
CN110642362B (zh) * | 2019-10-22 | 2024-04-09 | 西安交通大学 | 一种集物料预热-污染物多级强化降解-腐蚀防控多功能于一体的超临界水反应器 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
WO2021101444A2 (zh) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 益科斯有限公司 | 一种处理气体污染物的装置 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
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CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
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TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
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TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220050047A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 예측 유지보수 방법 및 예측 유지보수 장치 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN112473554A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-12 | 华中科技大学 | 一种防壁面颗粒沉积的纳米颗粒生成装置 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
CN113058360B (zh) * | 2021-03-17 | 2022-06-21 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 | 一种在线可拆废气处理装置 |
CN113058356B (zh) * | 2021-03-17 | 2022-06-21 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 | 一种处理半导体dpy工艺的废气处理装置 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
CN113289483A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-08-24 | 安徽慧枫再生资源科技有限公司 | 一种再生铝熔化燃烧排烟系统及其工作方法 |
CN113685159B (zh) * | 2021-08-31 | 2022-06-21 | 西安交通大学 | 具有安全保障的超临界水热燃烧型多元热流体发生装置及方法 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN115254424B (zh) * | 2022-07-28 | 2023-05-16 | 上海协微环境科技有限公司 | 一种高效除尘的尾气处理系统 |
CN116717640B (zh) * | 2023-05-29 | 2023-12-08 | 上海协微环境科技有限公司 | 一种防水汽反流的法兰组件和尾气处理系统 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08105618A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-04-23 | Alzeta Corp | 有害物質の燃焼破壊 |
JPH10110926A (ja) * | 1996-08-14 | 1998-04-28 | Nippon Sanso Kk | 燃焼式除害装置 |
JP2002106826A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Ebara Corp | 燃焼式排ガス処理装置 |
Family Cites Families (151)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2819151A (en) | 1954-03-02 | 1958-01-07 | Flemmert Gosta Lennart | Process for burning silicon fluorides to form silica |
BE609721A (fr) | 1960-11-03 | 1962-02-15 | Goesta Lennart Flemmert | Méthode de récupération du bioxyde de silicium finement divisé obtenu en faisant réagir en phase gazeuse des composés de silicium et de fluor avec de l'eau |
US3185846A (en) | 1961-05-16 | 1965-05-25 | Bailey Meter Co | Ultra-violet radiation flame monitor |
DE1221755B (de) | 1963-12-19 | 1966-07-28 | Appbau Eugen Schrag Kommanditg | Steuer- und Sicherheitsvorrichtung fuer Gas- oder OElfeuerung |
US3983021A (en) | 1971-06-09 | 1976-09-28 | Monsanto Company | Nitrogen oxide decomposition process |
US3698696A (en) | 1971-06-14 | 1972-10-17 | Standard Int Corp | Combustion mixture control system for calenders |
US3969485A (en) | 1971-10-28 | 1976-07-13 | Flemmert Goesta Lennart | Process for converting silicon-and-fluorine-containing waste gases into silicon dioxide and hydrogen fluoride |
NO131825C (ja) | 1972-03-22 | 1975-08-13 | Elkem Spigerverket As | |
US3845191A (en) | 1972-06-02 | 1974-10-29 | Du Pont | Method of removing halocarbons from gases |
US3898040A (en) | 1972-06-29 | 1975-08-05 | Universal Oil Prod Co | Recuperative form of thermal-catalytic incinerator |
US3949057A (en) | 1973-01-29 | 1976-04-06 | Croll-Reynolds Company, Inc. | Air pollution control of oxides of nitrogen |
JPS5643771B2 (ja) | 1973-12-18 | 1981-10-15 | ||
US3969482A (en) | 1974-04-25 | 1976-07-13 | Teller Environmental Systems, Inc. | Abatement of high concentrations of acid gas emissions |
US4059386A (en) | 1976-01-21 | 1977-11-22 | A. O. Smith Corporation | Combustion heating apparatus to improve operation of gas pilot burners |
US4083607A (en) | 1976-05-05 | 1978-04-11 | Mott Lambert H | Gas transport system for powders |
US4206189A (en) | 1977-01-04 | 1980-06-03 | Belov Viktor Y | Method of producing hydrogen fluoride and silicon dioxide from silicon tetra-fluoride |
NL7704399A (nl) | 1977-04-22 | 1978-10-24 | Shell Int Research | Werkwijze en reactor voor de partiele ver- branding van koolpoeder. |
US4154141A (en) | 1977-05-17 | 1979-05-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ultrafast, linearly-deflagration ignition system |
US4296079A (en) | 1978-02-10 | 1981-10-20 | Vinings Chemical Company | Method of manufacturing aluminum sulfate from flue gas |
US4236464A (en) | 1978-03-06 | 1980-12-02 | Aerojet-General Corporation | Incineration of noxious materials |
US4238460A (en) | 1979-02-02 | 1980-12-09 | United States Steel Corporation | Waste gas purification systems and methods |
US4243372A (en) | 1979-02-05 | 1981-01-06 | Electronics Corporation Of America | Burner control system |
US4519999A (en) | 1980-03-31 | 1985-05-28 | Union Carbide Corporation | Waste treatment in silicon production operations |
CH649274A5 (de) | 1980-10-14 | 1985-05-15 | Maerz Ofenbau | Kalzinierofen zum brennen von kalkstein und aehnlichen mineralischen rohstoffen. |
US4374649A (en) | 1981-02-12 | 1983-02-22 | Burns & Roe, Inc. | Flame arrestor |
US4479443A (en) | 1982-03-08 | 1984-10-30 | Inge Faldt | Method and apparatus for thermal decomposition of stable compounds |
US4479809A (en) | 1982-12-13 | 1984-10-30 | Texaco Inc. | Apparatus for gasifying coal including a slag trap |
US4483672A (en) | 1983-01-19 | 1984-11-20 | Essex Group, Inc. | Gas burner control system |
US4584001A (en) | 1983-08-09 | 1986-04-22 | Vbm Corporation | Modular oxygen generator |
US4541995A (en) | 1983-10-17 | 1985-09-17 | W. R. Grace & Co. | Process for utilizing doubly promoted catalyst with high geometric surface area |
US4788036A (en) | 1983-12-29 | 1988-11-29 | Inco Alloys International, Inc. | Corrosion resistant high-strength nickel-base alloy |
CA1225441A (en) | 1984-01-23 | 1987-08-11 | Edward S. Fox | Plasma pyrolysis waste destruction |
US4555389A (en) | 1984-04-27 | 1985-11-26 | Toyo Sanso Co., Ltd. | Method of and apparatus for burning exhaust gases containing gaseous silane |
US5137701A (en) | 1984-09-17 | 1992-08-11 | Mundt Randall S | Apparatus and method for eliminating unwanted materials from a gas flow line |
JPS61204022A (ja) | 1985-02-12 | 1986-09-10 | Taiyo Sanso Kk | ガス中の酸分の除去方法及び装置 |
DE3539127C1 (de) | 1985-11-05 | 1987-01-02 | Hoechst Ag | Verfahren zur Herstellung eines Traegerkatalysators |
US4801437A (en) | 1985-12-04 | 1989-01-31 | Japan Oxygen Co., Ltd. | Process for treating combustible exhaust gases containing silane and the like |
US4661056A (en) | 1986-03-14 | 1987-04-28 | American Hoechst Corporation | Turbulent incineration of combustible materials supplied in low pressure laminar flow |
US5364604A (en) | 1987-03-02 | 1994-11-15 | Turbotak Technologies Inc. | Solute gas-absorbing procedure |
FR2616884B1 (fr) | 1987-06-19 | 1991-05-10 | Air Liquide | Procede de traitement d'effluents gazeux provenant de la fabrication de composants electroniques et appareil d'incineration pour sa mise en oeuvre |
US4908191A (en) | 1987-07-21 | 1990-03-13 | Ethyl Corporation | Removing arsine from gaseous streams |
US4834020A (en) | 1987-12-04 | 1989-05-30 | Watkins-Johnson Company | Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus |
US5009869A (en) | 1987-12-28 | 1991-04-23 | Electrocinerator Technologies, Inc. | Methods for purification of air |
US5255709A (en) | 1988-04-07 | 1993-10-26 | David Palmer | Flow regulator adaptable for use with process-chamber air filter |
US5000221A (en) | 1989-09-11 | 1991-03-19 | Palmer David W | Flow control system |
US5320124A (en) | 1988-04-07 | 1994-06-14 | Palmer David W | Regulator adaptable for maintaining a constant partial vacuum in a remote region |
US5456280A (en) | 1988-04-07 | 1995-10-10 | Palmer; David W. | Process-chamber flow control system |
US5450873A (en) | 1988-04-07 | 1995-09-19 | Palmer; David W. | System for controlling flow through a process region |
US5220940A (en) | 1988-04-07 | 1993-06-22 | David Palmer | Flow control valve with venturi |
US5255710A (en) | 1988-04-07 | 1993-10-26 | David Palmer | Process-chamber flow control system |
US5251654A (en) | 1988-04-07 | 1993-10-12 | David Palmer | Flow regulator adaptable for use with exhaust from a process chamber |
US4954320A (en) | 1988-04-22 | 1990-09-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Reactive bed plasma air purification |
US4975098A (en) | 1988-05-31 | 1990-12-04 | Lee John H S | Low pressure drop detonation arrestor for pipelines |
US5417934A (en) | 1988-06-04 | 1995-05-23 | Boc Limited | Dry exhaust gas conditioning |
GB8813270D0 (en) | 1988-06-04 | 1988-07-06 | Plasma Products Ltd | Dry exhaust gas conditioning |
US5123836A (en) | 1988-07-29 | 1992-06-23 | Chiyoda Corporation | Method for the combustion treatment of toxic gas-containing waste gas |
DD274830A1 (de) | 1988-08-12 | 1990-01-03 | Elektromat Veb | Vorrichtung zur gasphasenbearbeitung von scheibenfoermigen werkstuecken |
DE3841847C1 (ja) | 1988-12-13 | 1990-02-01 | Man Technologie Ag, 8000 Muenchen, De | |
EP0382984A1 (en) | 1989-02-13 | 1990-08-22 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Thermal decomposition trap |
US5199856A (en) | 1989-03-01 | 1993-04-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Passive structural and aerodynamic control of compressor surge |
US4966611A (en) | 1989-03-22 | 1990-10-30 | Custom Engineered Materials Inc. | Removal and destruction of volatile organic compounds from gas streams |
US5183646A (en) | 1989-04-12 | 1993-02-02 | Custom Engineered Materials, Inc. | Incinerator for complete oxidation of impurities in a gas stream |
US5176897A (en) | 1989-05-01 | 1993-01-05 | Allied-Signal Inc. | Catalytic destruction of organohalogen compounds |
US4986838A (en) | 1989-06-14 | 1991-01-22 | Airgard, Inc. | Inlet system for gas scrubber |
US5206003A (en) | 1989-07-07 | 1993-04-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of decomposing flow |
US4993358A (en) | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
US5160707A (en) | 1989-08-25 | 1992-11-03 | Washington Suburban Sanitary Commission | Methods of and apparatus for removing odors from process airstreams |
US5207836A (en) | 1989-08-25 | 1993-05-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus |
US5045288A (en) | 1989-09-15 | 1991-09-03 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University | Gas-solid photocatalytic oxidation of environmental pollutants |
US5011520A (en) | 1989-12-15 | 1991-04-30 | Vector Technical Group, Inc. | Hydrodynamic fume scrubber |
US5077525A (en) | 1990-01-24 | 1991-12-31 | Rosemount Inc. | Electrodeless conductivity sensor with inflatable surface |
US5113789A (en) | 1990-04-24 | 1992-05-19 | Watkins Johnson Company | Self cleaning flow control orifice |
US5136975A (en) | 1990-06-21 | 1992-08-11 | Watkins-Johnson Company | Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface |
US5453494A (en) | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
JPH0663357A (ja) | 1990-10-26 | 1994-03-08 | Tosoh Corp | 有機ハロゲン化合物を含む排ガスの処理装置 |
GB2251551B (en) | 1991-01-10 | 1994-08-31 | Graviner Ltd Kidde | Detonation suppression and fire extinguishing |
US5118286A (en) | 1991-01-17 | 1992-06-02 | Amtech Systems | Closed loop method and apparatus for preventing exhausted reactant gas from mixing with ambient air and enhancing repeatability of reaction gas results on wafers |
DE4102969C1 (ja) | 1991-02-01 | 1992-10-08 | Cs Halbleiter- Und Solartechnologie Gmbh, 8000 Muenchen, De | |
US5122391A (en) | 1991-03-13 | 1992-06-16 | Watkins-Johnson Company | Method for producing highly conductive and transparent films of tin and fluorine doped indium oxide by APCVD |
US5147421A (en) | 1991-07-12 | 1992-09-15 | Calvert Environmental, Inc. | Wet scrubber particle discharge system and method of using the same |
US5371828A (en) | 1991-08-28 | 1994-12-06 | Mks Instruments, Inc. | System for delivering and vaporizing liquid at a continuous and constant volumetric rate and pressure |
US5211729A (en) | 1991-08-30 | 1993-05-18 | Sematech, Inc. | Baffle/settling chamber for a chemical vapor deposition equipment |
US5378444A (en) * | 1991-12-11 | 1995-01-03 | Japan Pionics Co., Ltd. | Process for cleaning harmful gas |
DE4202158C1 (ja) | 1992-01-27 | 1993-07-22 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
US5280664A (en) | 1992-03-20 | 1994-01-25 | Lin Mary D | Disposable household cleaning devices |
US5271908A (en) | 1992-04-07 | 1993-12-21 | Intel Corporation | Pyrophoric gas neutralization chamber |
US5252007A (en) | 1992-05-04 | 1993-10-12 | University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education | Apparatus for facilitating solids transport in a pneumatic conveying line and associated method |
US5510066A (en) | 1992-08-14 | 1996-04-23 | Guild Associates, Inc. | Method for free-formation of a free-standing, three-dimensional body |
US5393394A (en) | 1992-08-18 | 1995-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for decomposing organic halogen-containing compound |
EP0673492A4 (en) | 1992-12-17 | 1997-12-29 | Thermatrix Inc | METHOD AND APPARATUS FOR LIMITING FUGITIVE EMISSIONS OF VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS. |
JP3421954B2 (ja) | 1992-12-18 | 2003-06-30 | 株式会社ダイオー | オゾン層破壊物質の処理方法 |
TW279137B (en) * | 1993-06-01 | 1996-06-21 | Babcock & Wilcox Co | Method and apparatus for removing acid gases and air toxics from a flue gas |
US5304398A (en) | 1993-06-03 | 1994-04-19 | Watkins Johnson Company | Chemical vapor deposition of silicon dioxide using hexamethyldisilazane |
US5425886A (en) | 1993-06-23 | 1995-06-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | On demand, non-halon, fire extinguishing systems |
HUT76182A (en) * | 1993-07-16 | 1997-07-28 | Thermatrix Inc | Method and afterburner apparatus for control of highly variable flows |
US5453125A (en) | 1994-02-17 | 1995-09-26 | Krogh; Ole D. | ECR plasma source for gas abatement |
TW299345B (ja) | 1994-02-18 | 1997-03-01 | Westinghouse Electric Corp | |
US6030591A (en) * | 1994-04-06 | 2000-02-29 | Atmi Ecosys Corporation | Process for removing and recovering halocarbons from effluent process streams |
US5572866A (en) * | 1994-04-29 | 1996-11-12 | Environmental Thermal Oxidizers, Inc. | Pollution abatement incinerator system |
US5495893A (en) | 1994-05-10 | 1996-03-05 | Ada Technologies, Inc. | Apparatus and method to control deflagration of gases |
US5407647A (en) | 1994-05-27 | 1995-04-18 | Florida Scientific Laboratories Inc. | Gas-scrubber apparatus for the chemical conversion of toxic gaseous compounds into non-hazardous inert solids |
US5494004A (en) | 1994-09-23 | 1996-02-27 | Lockheed Corporation | On line pulsed detonation/deflagration soot blower |
DE19501914C1 (de) * | 1995-01-23 | 1996-04-04 | Centrotherm Elektrische Anlage | Vorrichtung zur Reinigung von Abgasen |
JP3404981B2 (ja) * | 1995-04-21 | 2003-05-12 | 日本鋼管株式会社 | 気体加熱装置 |
US5858065A (en) * | 1995-07-17 | 1999-01-12 | American Air Liquide | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
US5720931A (en) * | 1995-07-21 | 1998-02-24 | Guild Associates, Inc. | Catalytic oxidation of organic nitrogen-containing compounds |
US6187072B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
JP3486022B2 (ja) * | 1995-10-16 | 2004-01-13 | ジャパン・エア・ガシズ株式会社 | 排ガス処理装置 |
US5649985A (en) * | 1995-11-29 | 1997-07-22 | Kanken Techno Co., Ltd. | Apparatus for removing harmful substances of exhaust gas discharged from semiconductor manufacturing process |
US6009827A (en) * | 1995-12-06 | 2000-01-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for creating strong interface between in-situ SACVD and PECVD silicon oxide films |
KR100197335B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 가스 세정기 및 이를 이용한 필터링법 |
JP3263586B2 (ja) * | 1995-12-26 | 2002-03-04 | 享三 須山 | 排煙処理システム |
US5720444A (en) * | 1996-01-24 | 1998-02-24 | Guild International Inc. | Strip accumulators |
DE69707033T2 (de) * | 1996-03-05 | 2002-02-14 | Hitachi Ltd | Verfahren zur Behandlung von Gasen die Organohalogenzusammensetzungen enthalten |
USH1701H (en) * | 1996-03-15 | 1998-01-06 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for using molten aluminum to abate PFC gases from a semiconductor facility |
GB9608061D0 (en) * | 1996-04-16 | 1996-06-19 | Boc Group Plc | Removal of noxious substances from gas streams |
TW342436B (en) * | 1996-08-14 | 1998-10-11 | Nippon Oxygen Co Ltd | Combustion type harm removal apparatus (1) |
US6322756B1 (en) * | 1996-12-31 | 2001-11-27 | Advanced Technology And Materials, Inc. | Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
US5833888A (en) * | 1996-12-31 | 1998-11-10 | Atmi Ecosys Corporation | Weeping weir gas/liquid interface structure |
US5935283A (en) * | 1996-12-31 | 1999-08-10 | Atmi Ecosys Corporation | Clog-resistant entry structure for introducing a particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system |
US20010001652A1 (en) * | 1997-01-14 | 2001-05-24 | Shuichi Kanno | Process for treating flourine compound-containing gas |
US6338312B2 (en) * | 1998-04-15 | 2002-01-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated ion implant scrubber system |
US6013584A (en) * | 1997-02-19 | 2000-01-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming HDP-CVD PSG film used for advanced pre-metal dielectric layer applications |
US5855648A (en) * | 1997-06-05 | 1999-01-05 | Praxair Technology, Inc. | Solid electrolyte system for use with furnaces |
US5855822A (en) * | 1997-08-22 | 1999-01-05 | Chen; Tsong-Maw | Water discharge module for semi-conductor exhaust treatment apparatus |
US6059858A (en) * | 1997-10-30 | 2000-05-09 | The Boc Group, Inc. | High temperature adsorption process |
US6261524B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-07-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Advanced apparatus for abatement of gaseous pollutants |
US6185839B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber having improved gas distributor |
US6190507B1 (en) * | 1998-07-24 | 2001-02-20 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Method for generating a highly reactive plasma for exhaust gas aftertreatment and enhanced catalyst reactivity |
US6010576A (en) * | 1998-08-27 | 2000-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for cleaning an exhaust gas reactor |
JP4497726B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2010-07-07 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
JP4203183B2 (ja) * | 1999-06-03 | 2008-12-24 | パロマ工業株式会社 | 貯湯式ボイラーのコントロールバルブ |
US6217640B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-04-17 | United Microelectronics Corp. | Exhaust gas treatment apparatus |
US6187080B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-02-13 | United Microelectronics Inc. | Exhaust gas treatment apparatus including a water vortex means and a discharge pipe |
US6423284B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-07-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
US6361584B1 (en) * | 1999-11-02 | 2002-03-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | High temperature pressure swing adsorption system for separation of oxygen-containing gas mixtures |
WO2001033141A1 (fr) * | 1999-11-02 | 2001-05-10 | Ebara Corporation | Appareil de combustion pour le traitement de gaz d'emission |
US6544482B1 (en) * | 2000-03-14 | 2003-04-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chamber cleaning mechanism |
WO2002016830A1 (fr) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Ebara Corporation | Procede et dispositif de traitement par combustion des gaz d'echappement |
US6527828B2 (en) * | 2001-03-19 | 2003-03-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Oxygen enhanced CDA modification to a CDO integrated scrubber |
US7160521B2 (en) * | 2001-07-11 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Treatment of effluent from a substrate processing chamber |
US6551381B2 (en) * | 2001-07-23 | 2003-04-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for carbon monoxide reduction during thermal/wet abatement of organic compounds |
US7047893B2 (en) * | 2002-06-03 | 2006-05-23 | Loving Ronald E | Pollution abatement incinerator system |
US6712603B2 (en) * | 2002-08-07 | 2004-03-30 | General Motors Corporation | Multiple port catalytic combustion device and method of operating same |
KR100461758B1 (ko) * | 2002-09-16 | 2004-12-14 | 한국화학연구원 | 폐가스 중의 과불화화합물 분해제거용 촉매와 이를 이용한폐가스중의 과불화화합물 분해제거 방법 |
US7341609B2 (en) * | 2002-10-03 | 2008-03-11 | Genesis Fueltech, Inc. | Reforming and hydrogen purification system |
US6843830B2 (en) * | 2003-04-15 | 2005-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Abatement system targeting a by-pass effluent stream of a semiconductor process tool |
US7569193B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants |
US7316721B1 (en) * | 2004-02-09 | 2008-01-08 | Porvair, Plc | Ceramic foam insulator with thermal expansion joint |
US7736599B2 (en) * | 2004-11-12 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Reactor design to reduce particle deposition during process abatement |
EP1954926A2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-08-13 | Applied Materials, Inc. | Process abatement reactor |
-
2003
- 2003-12-19 US US10/742,126 patent/US7569193B2/en active Active
-
2004
- 2004-12-13 TW TW093138570A patent/TW200526312A/zh unknown
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- 2004-12-16 WO PCT/US2004/042334 patent/WO2005062772A2/en active Application Filing
-
2007
- 2007-08-14 US US11/838,671 patent/US20090010816A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08105618A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-04-23 | Alzeta Corp | 有害物質の燃焼破壊 |
JPH10110926A (ja) * | 1996-08-14 | 1998-04-28 | Nippon Sanso Kk | 燃焼式除害装置 |
JP2002106826A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Ebara Corp | 燃焼式排ガス処理装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010540212A (ja) * | 2007-09-20 | 2010-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子デバイス製造廃液を周囲空気により除害するための装置及び方法 |
KR20120012785A (ko) * | 2009-02-26 | 2012-02-10 | 팔머 랩스, 엘엘씨 | 고온 및 고압에서 연료를 연소하는 장치 및 방법, 이에 관련된 시스템 및 장비 |
KR101648054B1 (ko) * | 2009-02-26 | 2016-08-12 | 팔머 랩스, 엘엘씨 | 고온 및 고압에서 연료를 연소하는 장치 및 방법, 이에 관련된 시스템 및 장비 |
JP2013536917A (ja) * | 2010-08-31 | 2013-09-26 | パルマー ラボ,エルエルシー | 高圧および高温で燃料を燃焼するための装置ならびに関連システム |
JP2014081188A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Global Standard Technology Co Ltd | CO,NOx個別制御方式を利用した低公害燃焼方法 |
US9182120B2 (en) | 2012-10-16 | 2015-11-10 | Global Standard Technology Co., Ltd. | Low-pollution burning method using system for individually controlling CO and NOx |
JP2016520788A (ja) * | 2013-04-15 | 2016-07-14 | エアガード,インコーポレイテッド | 洗浄装置内の延長又は多数反応部 |
JP2015038412A (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | 大陽日酸株式会社 | 燃焼除害装置 |
JP2016011759A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 日本パイオニクス株式会社 | 排ガスの燃焼式浄化装置 |
JP5977419B1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-08-24 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
WO2016143193A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | 株式会社 荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
JP2016169935A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
JP2016197009A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
US10215407B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-02-26 | Ebara Corporation | Exhaust gas treatment apparatus |
JP2018510317A (ja) * | 2015-03-30 | 2018-04-12 | エドワーズ リミテッド | 放射バーナー |
US10816194B2 (en) | 2015-03-30 | 2020-10-27 | Edwards Limited | Radiant burner |
JP2020201030A (ja) * | 2017-07-07 | 2020-12-17 | 鑑鋒國際股▲ふん▼有限公司Siw Engineering Pte.,Ltd. | ガス状汚染物の分解・酸化をコントロールする装置及びシステム |
JP6992100B2 (ja) | 2017-07-07 | 2022-01-13 | 鑑鋒國際股▲ふん▼有限公司 | ガス状汚染物の分解・酸化をコントロールする装置及びシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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