JP2014081188A - ＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＣＯ，ＮＯｘを低減させる半導体製造工程等で発生する廃ガスの燃焼方法を提供する。
【解決手段】廃ガスを１次燃焼区域へ流入させて可燃ガスと助燃ガスが予混合された燃料を点火させてフレームを発生させる廃ガス流入及びフレーム噴射段階；可燃ガスと助燃ガスが予混合された燃料ガスを点火させて発生したフレームに廃ガスを接触させて１次燃焼区域で燃焼させる第１廃ガス燃焼段階；第１廃ガス燃焼段階を経て２次燃焼区域へ移動した廃ガスの中に残っている未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）を２次燃焼区域に追加で流入された助燃ガスとともに２次燃焼区域で燃焼させて完全燃焼を誘導する第２廃ガス燃焼段階、第３廃ガス燃焼段階を備えた。
【選択図】図９

Description

本発明は，廃ガス浄化処理方法に関するもので、特にＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式によって廃ガスを燃焼させてＣＯ，ＮＯｘを低減させる廃ガス燃焼方法に関するものである。

半導体及びＬＣＤなどの製造工程または化学工程などで発生する廃ガスは有毒性、爆発性及び腐食性が強いため、そのまま大気に排出されると、環境汚染を誘発するようになる。従って、こういう廃ガスは有害成分の含量を許容濃度以下に下げる浄化処理過程を必ず経る。

半導体製造工程などで発生する廃ガスを処理する方法としては、主に水素ラジカル（ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｒａｄｉｃａｌ）などを含有した発火性ガスを高温の燃焼室で分解、反応または燃焼させるバーニング（ｂｕｒｎｉｎｇ）、主に水溶性ガスを水槽に貯蔵された水を通過させる間に水に溶解して処理するウェッティング（ｗｅｔｔｉｎｇ）、発火性でないまたは水溶性でない有害性ガスが吸着剤を通過する間に吸着剤に物理的または化学的な吸着によって浄化される吸着方法がある。

バーニング方法には廃ガスを燃焼させる燃焼装置が使われる。しかしながら、従来の燃焼装置では半導体製造工程で発生した廃ガスと、ドライ真空ポンプ（ｄｒｙ ｖａｃｕｕｍ ｐｕｍｐ）などで使われるＮ_２ガスが燃焼装置へ導入される際に高温で酸化され、窒素酸化物が急激に多く発生されるという問題がある。

さらに、廃ガスを燃焼室内で高温で燃焼させることにより、ＣＯが流入されることと同時に不完全燃焼としてＣＯが発生される問題がある。

その上、廃ガス燃焼特性を見ると、排出されるＣＯの濃度が下がることによって燃焼室内の温度が上昇してＮＯｘの濃度が高くなる。逆に、ＮＯｘの濃度が低くなることによってＣＯの濃度が高くなるトレードオフ（ｔｒａｄｅ ｏｆｆ）があるという問題がある。

特開２００７−１６２９５９号公報

本発明の目的は上記した従来の問題を解決するためのもので、ＣＯ、ＮＯｘ個別制御方式によって廃ガスを燃焼させてＣＯ，ＮＯｘを低減させる廃ガス燃焼方法を提供することである。

上記した目的を達成するために、本発明の一側面によると、
化学工程、半導体及びＬＣＤなどの製造工程などで排出される廃ガスを処理する低公害燃焼方法で、廃ガスを１次燃焼区域へ流入させて可燃ガスと助燃ガスが予混合された燃料を点火させてフレーム（ｆｌａｍｅ）を発生させる廃ガス流入及びフレーム噴射段階；可燃ガスと助燃ガスが予混合された燃料ガスを点火させて発生したフレームに上記廃ガスを接触させて１次燃焼区域で燃焼させる第１廃ガス燃焼段階；上記第１廃ガス燃焼段階を経由して２次燃焼区域へ移動した廃ガスの中に残っている未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）を２次燃焼区域に追加で流入された助燃ガスと一緒に２次燃焼区域で燃焼させて完全燃焼を誘導する第２廃ガス燃焼段階；及び上記第２廃ガス燃焼段階を経由して浄化処理された廃ガスを外部へ排出する廃ガス排気段階を備え、上記可燃ガスは液化天然ガス（ＬＮＧ），液化石油ガス（ＬＰＧ），水素ガスのいずれか一つ以上からなり、上記助燃ガスは空気、Ｏ_２のいずれか一つ以上からなることを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法が提供される。

上記第１廃ガス燃焼段階では可燃ガスに予混合される可燃ガスと助燃ガスの量を調節することで窒素酸化物（ＮＯｘ）の発生を抑制することを特徴とすることができる。

上記第２廃ガス燃焼段階では追加で流入される助燃ガスの量を調節することで未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）を除去して一酸化炭素（ＣＯ）を除去することを特徴とすることができる。

上記予混合された燃料の当量比（Φ）の範囲が次の式を満足できるようにする助燃ガスが予混合された状態で廃ガスを燃焼させることを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法が提供される。
１．０≦当量比（Φ）≦２．０

上記２次燃焼区域の温度（Ｔ）帯域は次の式を満足することを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法が提供される。
６００℃≦２次燃焼区域の温度（Ｔ）≦８００℃

上記第２廃ガス燃焼段階を経た後にも廃ガスの中に残っている未燃成分を３次燃焼空間に追加で流入された助燃ガスと一緒に３次燃焼区域で燃焼させて完全燃焼を誘導する第２廃ガス燃焼段階をさらに備えることを特徴とすることができる。

上記浄化処理された廃ガスを外部へ排出する前に上記浄化処理された廃ガスを冷却する廃ガス冷却段階をさらに備えることを特徴とすることができる。

本発明によると、前に記載した本発明の目的をすべて達成することができる。
具体的には、第１廃ガス燃焼段階で燃料と空気の混合特性を利用して廃ガスを燃焼させることで窒素酸化物（ＮＯｘ）の発生を最大に抑制できる効果がある。

続いて、第２及び第３次廃ガス燃焼段階では廃ガスの中の未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）を供給された空気またはＯ_２と一緒に燃焼させて完全燃焼を誘導することで一酸化炭素（ＣＯ）量を最小に減らすことができる効果がある。

結果的に、ＣＯ，ＮＯｘを個別的に制御することで最終的に外部へ排気される一酸化炭素（ＣＯ）量と窒素酸化物（ＮＯｘ）量を最大に低減させる効果がある。

本発明の一実施例による廃ガス燃焼装置の斜視図である。 図１に図示された廃ガス燃焼装置の側面図である。 図１に図示された廃ガス燃焼装置の側面図として、部分的に内部が見えるように一側を切断して図示したものである。 図１に図示された廃ガス燃焼装置の縦断面図である。 図４でＡ部分を拡大して図示した断面図である。 図５に図示されたガスノズル部材の側面図である。 図１に図示された燃料ガス供給構造を説明する平面図である。 図１に図示された廃ガス燃焼装置の廃ガス流入構造を説明する平面図である。 本発明の一実施例による廃ガス燃焼方法を工程順番に示した工程順序図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳しく説明する。
図１は本発明の一実施例による廃ガス燃焼装置の斜視図であり、図２は図１に図示された廃ガス燃焼装置の側面図であり、図３は図１に図示された廃ガス燃焼装置の側面図として、部分的に内部が見えるように一側を切断して図示したものであり、図４は図１に図示された廃ガス燃焼装置の縦断面図である。図１ないし図４を参照すると、廃ガス燃焼装置（１００）は、廃ガス供給部（１１０）と、副産物処理部（１２０）と、燃焼用ガス供給部（１３０）と、点火部（１４０）と、ボディー（１５０）とを備える。

廃ガス供給部（１１０）は、案内管（１１１）と、第１ないし第４注入管（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ）を備える。廃ガス供給部（１１０）は廃ガス燃焼装置（１００）内に形成された燃焼領域に、処理対象である、半導体製造工程とか化学工程などで発生した廃ガスを供給する。

案内管（１１１）は、上下方向に伸長された円筒形状であり、図８を一緒に参照すると、内部には上下に延長され、両端が開放され、お互いに分離された第１ないし第４廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）を備える。各廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）は、流入される廃ガス種類別に個別的に形成されていて、廃ガス反応問題が解消される。

第１ないし第４注入管（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ）は案内管（１１１）の側面に半径方向の外の方に突出された形態で円柱方向に沿ってぐるりと囲んで配置される。第１注入管（１１２ａ）は第１廃ガス案内通路（１１１ａ）と連結され、第２注入管（１１２ｂ）は第２廃ガス案内通路（１１１ｂ）と連結され、第３注入管（１１２ｃ）は第３廃ガス案内通路（１１１ｃ）と連結され、第４注入管（１１２ｄ）は第４廃ガス案内通路（１１１ｄ）と連結される。各注入管（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ）を通じて廃ガスが各廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）内へ流入される。

本実施例では、廃ガス供給部（１１０）が４個の個別的な廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）と、これに対応する４個の注入管（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ）を備えると説明したが、これとは異なり、処理対象である廃ガスの種類に応じて３個以下または５個以上の個別的な廃ガス案内通路及びこれに対応する注入管が使用されてもよい。その上、統合された一つの廃ガス案内通路が使用されるのも可能である。

副産物処理部（１２０）は、第１ないし第４シリンダー（１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ）と、各シリンダー（１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ）に対応して用意されたピストンロッド（ｐｉｓｔｏｎ ｒｏｄ）（１２２ａ、１２２ｄ、図面では２個だけ図示される）を備える。副産物処理部（１２０）は燃焼過程で廃ガス供給部（１１０）の廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）の内壁に固着されるパウダー（粉塵の粉）を除去する。

第１ないし第４シリンダー（１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ）は廃ガス供給部（１１０）の案内管（１１１）の上端（１１１１）に結合される。第１シリンダー（１２１ａ）は第１廃ガス案内通路（１１１ａ）と対応するように位置してあり、第２シリンダー（１２１ｂ）は第２廃ガス案内通路（１１１ｂ）と対応するように位置して、第３シリンダー（１２１ｃ）は第３廃ガス案内通路（１１１ｃ）と対応するように位置して、第４シリンダー（１２１ｄ）は第４廃ガス案内通路（１１１ｄ）と対応するように位置する。各シリンダー（１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ）に対応して用意されたピストンロッド（１２２ａ、１２２ｄ）は対応する各廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）内で各々移動（直線及び／または回転運動）する。各ピストンロッド（１２２ａ、１２２ｄ）の端には廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）の内壁に固着されたパウダーを掻き出して除去できる除去部材（１２３ａ、１２３ｄ）が結合されてある。

本実施例では、ピストンロッドが移動しながら廃ガス案内通路内壁に固着されたパウダーを除去する副産物処理部（１２０）について説明したが、これとは異なり、各廃ガス案内通路へ加熱された窒素（Ｎ_２）などをパージング（ｐｕｒｇｉｎｇ）して固着されたパウダーを除去することもできる。

燃焼用ガス供給部（１３０）は、ケース（１３１）と、ガスノズル部材（１３２）と、予混合燃料ガス注入部（１３６）と、助燃ガス注入部（１３７）を備える。燃焼用ガス供給部（１３０）は廃ガスを燃焼させるために必要な燃料ガス及び助燃ガスを供給する。

ケース（１３１）は、中空の円筒形状で、点火部（１４０）の上部に位置する。ケース（１３１）は上部壁（１３１ａ）と、外側壁（１３１ｂ）と、内側壁（１３１ｃ）を備える。上部壁（１３１ａ）の中心部にはガスノズル部材（１３２）が通過する貫通孔（１３１ａ１）が形成される。外側壁（１３１ｂ）は上部壁（１３１ａ）から下に延長されて下の端が点火部（１４０）の上端に結合される。内側壁（１３１ｃ）は上部壁（１３１ａ）から下に延長されて下の端が点火部（１４０）の上端に結合される。内側壁（１３１ｃ）は外側壁（１３１ｂ）の内側に位置する。外側壁（１３１ｂ）と内側壁（１３１ｃ）の間には独立された空間（１３１１）が用意される。この空間（１３１１）は冷却水循環空間として機能する。

ガスノズル部材（１３２）は上下に延長された円筒形状であり、内部には中心線に沿って上下方向に延長されて貫通する内部空間（１３１３）が用意される。この内部空間（１３１３）はフレーム（火炎）が形成される空間である１次燃焼区域として機能する。ガスノズル部材（１３２）の下部は内側壁（１３１ｃ）の内部空間に受容され、ガスノズル部材（１３２）の上部は上部壁（１３１ａ）の貫通孔（１３１ａ１）を通じて上部壁（１３１ａ）上に突出される。ガスノズル部材（１３２）の下端は点火部（１４０）の上端と接する。ガスノズル部材（１３２）の外壁には、環状の形状で半径方向の外方へ突出された分離フランジ（１３３）が用意される。分離フランジ（１３３）には分離フランジ（１３３）に沿って形成された環状の溝（１３３ａ）が用意される。環状の溝（１３３ａ）には密封リング（１３３ｂ）が挟まれる。密封リング（１３３ｂ）が内側壁（１３１ｃ）と接して、内側壁（１３１ｃ）とガスノズル部材（１３２）の外壁の間に形成された空間（１３１２）は、上部の第１ガス空間（１３１２ａ）と下部の第２ガス空間（１３１２ｂ）に分離される。ガスノズル部材（１３２）の外壁には、第１ガス空間（１３１２ａ）とガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）を連通させる複数の予混合燃料ガスノズル（１３４）と、第２ガス空間（１３１２ｂ）とガスノズル部材（１３１２）の内部空間（１３１３）を連通させる複数の助燃ガスノズル（１３５）が用意される。複数の予混合燃料ガスノズル（１３４）を通じて予混合燃料ガスがガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）に供給される。複数の予混合燃料ガスノズル（１３４）は半径の方向に対し、片方に傾いて配置される。従って、複数の予混合燃料ガスノズル（１３４）を通じてガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）へ供給される予混合燃料が回転供給されることで、混合が円滑になってＴｈｅｒｍａｌ ＮＯｘ及びＣＯの発生量を低減させる。複数の助燃ガスノズル（１３５）は半径の方向に対し、片方に傾いて配置される。従って、複数の助燃ガスノズル（１３４）を通じてガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）へ供給される助燃ガスは回転供給されて、適正な拡散燃焼させて均一な温度帯域を維持させる。ガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）には廃ガス供給部（１１０）の案内管（１１１）の下部が挿入されて受容される。案内管（１１１）の下端（１１１２）は助燃ガスノズル（１３５）より下に位置する。

予混合燃料ガス注入部（１３６）はケース（１３１）の外側壁（１３１ｂ）と内側壁（１３１ｃ）を通過して第１ガス空間（１３１２ａ）と連結される。燃料ガス注入部（１３６）は可燃ガスと助燃ガスを混合して燃料の希薄な状態を作った後、予混合された燃料ガスを第１ガス空間（１３１２ａ）へ注入する。燃料ガスとしては液化天然ガス、液化石油ガス、水素ガスなどが使われる。

助燃ガス注入部（１３７）はケース（１３１）の外側壁（１３１ｂ）と内側壁（１３１ｃ）を通過して第２ガス空間（１３１２ｂ）と連結される。助燃ガス注入部（１３７）は酸素のような助燃ガスを第２ガス空間（１３１２ｂ）へ注入する。

点火部（１４０）はケース（１４１）と、点火装置（１４２）と、表示窓（１４３）と、第１、第２燃焼感知センサー（１４４ａ、１４４ｂ）を備える。

ケース（１４１）は概ね中空の円筒形状でボディー（１５０）の上部に位置する。ケース（１４１）は、上部壁（１４１ａ）と、外側壁（１４１ｂ）と、内側壁（１４１ｃ）と、フレームガイド壁（１４１ｄ）と、上部壁（１４１ａ）と対向してあり、中心部に貫通孔（１４１ｅｌ）が形成された底板（１４１ｅ）を備える。上部壁（１４１ａ）の中心部にはガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）と通じる貫通孔（１４１ａｌ）が形成される。外側壁（１４１ｂ）は上部壁（１４１ａ）より下の方向に延長されて下部端が底板（１４１ｅ）に結合される。内側壁（１４１ｃ）は上部壁（１４１ａ）より下に延長されて下部端が底板（１４１ｅ）に結合される。内側壁（１４１ｃ）は外側壁（１４１ｂ）の内側に位置する。外側壁（１４１ｂ）と内側壁（１４１ｃ）の間には独立された空間（１４１１ｂ）が用意される。フレームガイド壁（１４１ｄ）は上部壁（１４１ａ）より下の方向に延長されて下部端が底板（１４１ｅ）に形成された貫通孔（１４１ｅ１）内に位置する。フレームガイド壁（１４１ｄ）と内側壁（１４１ｃ）の間には空間（１４１１ｃ）が形成される。フレームガイド壁（１４１ｄ）の内部には、ガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）、ボディー（１５０）の内部、及びフレームガイド壁（１４１ｄ）と内側壁（１４１ｃ）の間の空間（１４１１ｃ）と繋がる空間（１４１１ｄ）が形成される。この空間（１４１１ｄ）はフレームが拡散される空間である２次燃焼区域を形成する。その上、第１空気流入部（１５４）が後述するケース部材（１５１）のまわりに設置され、２次燃焼区域に空気またはＯ_２を供給する。

フレームガイド壁（１４１ｄ）は、１次燃焼区域（１３１３）で発生されるフレームが渦巻きを形成しすぎることで、廃ガスとの接触が低下されることを防止しようと、フレームが適切に拡散されて廃ガスと円滑に接触されるようにして廃ガスの高処理効率を誘導する。

点火装置（１４２）はケース（１４１）の外側壁（１４１ｂ）、内側壁（１４１ｃ）、及びフレームガイド壁（１４１ｄ）を通過してフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間と繋がる。点火装置（１４２）はフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間へ点火源を供給する。点火装置（１４２）は点火プラグを備え、バーナー部分を乾燥された状態に維持するための乾燥圧縮空気（ＣＤＡ：Ｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄ Ｄｒｙ Ａｉｒ）を供給する。バーナー部分に水分が生成されるとパウダー固着が活発に行われる。

表示窓（１４３）はケース（１４１）の外側壁（１４１ｂ）、内側壁（１４１ｃ）、及びフレームガイド壁（１４１ｄ）を通過してフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間と繋がる。表示窓（１４３）を通じて、点火される現象と燃焼される現象を肉眼で観察できるようになる。表示窓（１４３）は高温の影響を受けるかもしれないのでパージングの機能を有する。

第１、第２燃焼感知センサー（１４４ａ、１４４ｂ）はケース（１４１）の外側壁（１４１ｂ）、内側壁（１４１ｃ）、及びフレームガイド壁（１４１ｄ）を通過してフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間と繋がる。第１、第２燃焼感知センサー（１４４ａ、１４４ｂ）は１次燃焼区域（１３１３ａ）と２次燃焼区域（１３１３ｂ）で発生するフレームを感知する。

底板（１４１ｅ）の内部には貫通孔（１４１ｅ１）を囲みながら形成された冷却水循環用の空間が用意される。

ボディー（１５０）は、外部ケース部材（１５１）と、内壁部材（１５２）と、複数の空気流入部（１５３ａ，１５３ｂ）を備える。

ケース部材（１５１）は、概ね中空の円筒形状で、上部壁（１５１ａ）と、底板（１５１ｂ）と、側壁（１５１ｃ）を備える。上部壁（１５１ａ）は点火部（１４０）の底板（１４１ｅ）の下面に結合される。上部壁（１５１ａ）の中心部には貫通孔（１５１ａ１）が用意される。貫通孔（１５１ａ１）は点火部（１４０）の底板（１４１ｅ）の貫通孔（１４１ｅ１）より大きく形成される。底板（１５１ｂ）は上部壁（１５１ａ）に対向してあり、中心部には貫通孔（１５１１ｂ）が用意される。側壁（１５１ｃ）は上部壁（１５１ａ）と底板（１５１ｂ）の間に延長される。

内壁部材（１５２）は両端が開放された中空の円筒形状で、ケース部材（１５１）の内部に結合される。内壁部材（１５２）の開放された上端は上部壁（１５１ａ）の貫通孔（１５１ａ１）と繋がり、内壁部材（１５２）の開放された下端は底板（１５１ｂ）の貫通孔（１５１１ｂ）と繋がる。内壁部材（１５２）の壁には内壁部材（１５２）の内外部を連通させる複数の通孔（１５２１）が用意される。内壁部材（１５２）内部の空間は３次燃焼区域（１５２２）を形成する。

複数の空気流入部（１５３ａ、１５３ｂ）はケース部材（１５１）に設置されて外部の空気をケース部材（１５１）内部へ流入させる。第２空気流入部（１５３ａ、１５３ｂ）を通じて流入された空気は３次燃焼区域（１５２２）へ供給されて３次燃焼区域（１５２２）内で発生される熱を均一に分布させてＴｈｅｒｍａｌ ＮＯｘの発生を低減させる。

図示されてはいないが、循環水などを内壁部材（１５２）の壁面に沿って回流して流れ落ちるようにすることで、廃ガスの燃焼時に生成されるパウダー固着を防止することもできる。

図１ないし図９を参照して上記実施例の作用を詳しく説明する。
図９は本発明の実施例による廃ガス燃焼方法を工程順で示した工程順序図である。図９を参照すると、本発明の実施例による燃焼方法は廃ガス流入及びフレーム噴射段階（Ｓ１０）と、第１廃ガス燃焼段階（Ｓ２０）と、第２廃ガス燃焼段階（Ｓ３０）と、第３廃ガス燃焼段階（Ｓ４０）と、廃ガス冷却及び排気段階（Ｓ５０）を備える。

まず、廃ガス流入及びフレーム噴射段階（Ｓ１０）では化学工程、半導体及びＬＣＤなどの製造工程などで排出される廃ガスとドライ真空ポンプなどで使われるＮ_２が廃ガス供給部（１１０）の案内管（１１１）に形成された廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）を通じて各廃ガスによって個別的に１次燃焼区域であるガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）へ供給される。同時に、複数の予混合燃焼ガスノズル（１３４）を通じてガスノズル部材（１３２）の内部空間（１３１３）へ供給される予混合燃料が回転供給されることで、混合が円滑に行われるようにする。また、点火装置（１４２）はフレームガイド壁（１４１ｄ）内部の空間に点火源を供給して１次燃焼区域でフレームを発生させる。

続いて、第１廃ガス燃焼段階（Ｓ２０）は廃ガス案内通路（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ）を通じて個別的に供給された各廃ガスを１次燃焼区域でフレームによって燃料が豊富で、空気が不足した燃料過剰状態で燃焼させる段階である。つまり、燃料と空気の混合量を調節して後述する当量比（Φ、Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｃｅ ｒａｔｉｏ）が１より大きい状態で廃ガスを燃焼（Ｒｉｃｈ−Ｂｕｒｎ）させてＮＯｘの発生を最小限度に抑制する。具体的には当量比（Φ）の範囲が次の式を満足するようにするのが望ましい。
１．０≦当量比（Φ）≦２．０

さらに、望ましいのは、当量比（Φ）の範囲が次の式を満足するようにすることでＮＯｘ発生をさらに効果的に抑制することができる。
１．２≦当量比（Φ）≦２．０

第１次廃ガス燃焼段階（Ｓ２０）を通じて、１次燃焼区域ではＯ_２濃度を下げて廃ガスを不完全燃焼させる方式で廃ガス燃焼過程で発生される窒素酸化物（ＮＯｘ）の量を最大に抑制することができる。

参考として、当量比公式は次のように定義される。
Φ＝（Ｆ／Ａ）_ａｃｔ／（Ｆ／Ａ）_{ｉｄｅａｌ} （Ｆ：燃料のモル数、Ａ：酸素のモル数）

ここで、（Ｆ／Ａ）_ａｃｔは実際反応燃焼比であり、（Ｆ／Ａ）_{ｉｄｅａｌ}は汚染物質が発生されない理論的な燃焼比である。例えば、可燃ガスが液化天然ガス（ＬＮＧ）の場合にＬＮＧが１０ ｌｍｐでＯ_２が１５ ｌｍｐであれば、Φ＝（２／３）_ａｃｔ／（１／２）_{ｉｄｅａｌ}＝１．３３になる。この時、希薄な空気燃焼（Ｒｉｃｈ−Ｂｕｒｎ）が行われる。

次に、第２廃ガス燃焼段階（Ｓ３０）は第１廃ガス燃焼段階を経た廃ガスを２次燃焼区域で燃焼させる段階である。具体的に、１次燃焼区域で不完全燃焼されて残留する未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）を２次燃焼区域（１４１１ｄ）で完全燃焼させて一酸化炭素（ＣＯ）を低減する段階である。このため、第１空気流入部（１５４）を通じて助燃ガス（空気またはＯ_２）を２次燃焼区域に追加で流入させて、適正な拡散燃焼を通じて均一な温度帯域を維持させる。この時、２次燃焼区域の温度（Ｔ）帯域は窒素酸化物（ＮＯｘ）の発生温度より低く維持し、未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）を完全燃焼させるために次の式を満足させるようにするのが望ましい。
６００℃≦２次燃焼区域の温度（Ｔ）≦８００℃

さらに望ましいのは、２次燃焼区域の温度（Ｔ）帯域が次の式を満足するようにすることで未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）をさらに効果的に完全燃焼することができる。
７００℃≦２次燃焼区域の温度（Ｔ）≦８００℃

第２廃ガス燃焼段階（Ｓ３０）を通じて、２次燃焼区域では助燃ガスを流入させて不完全燃焼された未燃成分を完全燃焼されるように誘導することで一酸化炭素（ＣＯ）量を最大に抑制することができる。

次に、第３廃ガス燃焼段階（Ｓ４０）は第２廃ガス燃焼段階を経た後にも残っている未燃成分を燃焼させる段階である。具体的に、廃ガス燃焼装置に流入される廃ガス量によっては、第２廃ガス燃焼段階（Ｓ３０）を経た後にも未燃成分が残ってある可能性もあり、これを除去するために廃ガスを３次燃焼させる段階である。このため、複数の第２空気流入部（１５３ａ、１５３ｂ）を通じて空気（またはＯ_２）を３次燃焼区域へ流入させて残ってある未燃成分を完全燃焼させる。それによって、一酸化炭素（ＣＯ）は概ね除去されることができる。

最後に、廃ガス冷却及び排気段階（Ｓ５０）は第３廃ガス燃焼段階を経て浄化処理されて汚染物質が概ね除去された廃ガスが冷却水流入管を通じて流入された冷却水によって冷却されて底板（１５１ｂ）に形成された貫通孔（１５１１ｂ）を通じて外部へ排出される段階である。

結局、１次燃焼区域では窒素酸化物（ＮＯｘ）の発生を最大に抑制して、２次及び３次燃焼区域では一酸化炭素（ＣＯ）の発生を抑制することとして各燃焼区域別でＣＯ及びＮＯｘの発生を個別抑制することを特徴とする低公害廃ガス燃焼方法が提示される。

以上、実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれに制限されることではない。上記実施例は本発明の趣旨及び範囲を外さないで修正されたり変更されたりすることができ、当業者はこのような修正と変更も本発明に属することが分かる。

以上より、本発明による低公害燃焼方法によれば、外部へ排気される一酸化炭素（ＣＯ）量と窒素酸化物（ＮＯｘ）量を低減させることができ、廃ガスを処理する方法として有用である。

１００：廃ガス燃焼装置
１１０：廃ガス供給部
１２０：副産物処理部
１３０：燃焼用ガス供給部
１３２：ガスノズル部材
１４０：点火部
１５０：ボディー
１３１３：１次燃焼区域
１４１１：２次燃焼区域
１５２２：３次燃焼区域
Ｓ１０：廃ガス流入及びフレーム噴射段階
Ｓ２０：第１廃ガス燃焼段階
Ｓ３０：第２廃ガス燃焼段階
Ｓ４０：第３廃ガス燃焼段階
Ｓ５０：廃ガス冷却及び排気段階

Claims (7)

1. 化学工程、半導体及びＬＣＤなどの製造工程などで排出される廃ガスを処理する低公害燃焼方法であって、
   廃ガスを１次燃焼区域へ流入させて可燃ガスと助燃ガスが予混合された燃料を点火させてフレームを発生させる廃ガス流入及びフレーム噴射段階と；
   可燃ガスと助燃ガスが予混合された燃料ガスを点火させて発生したフレームに上記廃ガスを接触させて１次燃焼区域で燃焼させる第１廃ガス燃焼段階と；
   上記第１廃ガス燃焼段階を経て２次燃焼区域へ移動した廃ガスの中に残っている未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）を２次燃焼区域へ追加で流入された助燃ガスとともに２次燃焼区域で燃焼させて完全燃焼を誘導する第２廃ガス燃焼段階と；
   上記第２廃ガス燃焼段階を通じて浄化処理された廃ガスを外部へ排出する廃ガス排気段階とを備え、
   上記可燃ガスは液化天然ガス（ＬＮＧ）、液化石油ガス（ＬＰＧ）、水素ガスのいずれか一つ以上からなり、上記助燃ガスは空気、Ｏ_２のいずれか一つ以上からなることを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法。
2. 請求項１に記載のＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法において、
   上記第１廃ガス燃焼段階では可燃ガスに予混合される可燃ガスと助燃ガスの量を調節することにより、窒素酸化物（ＮＯｘ）の発生を抑制することを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法。
3. 請求項１に記載のＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法において、
   上記第２廃ガス燃焼段階では追加で流入される助燃ガスの量を調節することにより、未燃成分（ＣＯ，ＣＨ_４）を除去して一酸化炭素（ＣＯ）を除去することを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法。
4. 請求項１に記載のＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法において、
   上記予混合された当量比（Φ）の範囲が次の式を満足するように助燃ガスが予混合された状態で廃ガスを燃焼させることを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法。
   １．０≦当量比（Φ）≦２．０
5. 請求項１に記載のＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法において、
   上記２次燃焼区域の温度（Ｔ）帯域は次の式を満足することを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法。
   ６００℃≦２次燃焼区域の温度（Ｔ）≦８００℃
6. 請求項１に記載のＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法において、
   上記第２廃ガス燃焼段階を経た後にも廃ガスの中に残っている未燃成分を３次燃焼空間に追加で流入された助燃ガスとともに３次燃焼区域で燃焼させて完全燃焼を誘導する第２廃ガス燃焼段階をさらに備えることを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法。
7. 請求項１に記載のＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法において、
   上記浄化処理された廃ガスを外部へ排出する前に上記浄化処理された廃ガスを冷却する廃ガス冷却段階をさらに備えることを特徴とするＣＯ，ＮＯｘ個別制御方式を利用した低公害燃焼方法。

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