KR20020005432A - 도핑된 지르코늄, 또는 지르코늄 유사 유전막 트랜지스터구조물 및 이의 퇴적 방법 - Google Patents

도핑된 지르코늄, 또는 지르코늄 유사 유전막 트랜지스터구조물 및 이의 퇴적 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020005432A
KR20020005432A KR1020010038713A KR20010038713A KR20020005432A KR 20020005432 A KR20020005432 A KR 20020005432A KR 1020010038713 A KR1020010038713 A KR 1020010038713A KR 20010038713 A KR20010038713 A KR 20010038713A KR 20020005432 A KR20020005432 A KR 20020005432A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
group
doped
doped metal
thin film
Prior art date
Application number
KR1020010038713A
Other languages
English (en)
Inventor
마얀준
오노요시
Original Assignee
마찌다 가쯔히꼬
샤프 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마찌다 가쯔히꼬, 샤프 가부시키가이샤 filed Critical 마찌다 가쯔히꼬
Publication of KR20020005432A publication Critical patent/KR20020005432A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02189—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing zirconium, e.g. ZrO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02181—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02194—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing more than one metal element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28185—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation with a treatment, e.g. annealing, after the formation of the gate insulator and before the formation of the definitive gate conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28194—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation by deposition, e.g. evaporation, ALD, CVD, sputtering, laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28211—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation in a gaseous ambient using an oxygen or a water vapour, e.g. RTO, possibly through a layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31641—Deposition of Zirconium oxides, e.g. ZrO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31645—Deposition of Hafnium oxides, e.g. HfO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
    • H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/517—Insulating materials associated therewith the insulating material comprising a metallic compound, e.g. metal oxide, metal silicate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
    • H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 전자 친화도를 변화시킴으로써 전자 및 홀 배리어 높이를 변화시키기 위하여, 2가 또는 3가 전이 금속에 의해 도핑된 높은 유전상수를 가지는 유전막을 제공하는 것이다. 높은 유전상수를 가지는 유전막은 지르코늄(Zr) 또는 하프늄(Hf)의 금속산화물로서, 칼슘(Ca) 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속, 또는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La), 또는 이트륨(Y)과 같은 3가 금속에 의해 도핑된다. 2 가 금속 또는 3 가 금속을 선택함으로써, 유전물질의 전자 친화도가 조절될 수 있으며, 이는 이산화규소 보다 더 높은 유전 상수를 제공한다. 바람직하게는 유전성 물질은 그레인 경계에 의한 누출을 감소시키기 위하여 무정형일 수 있다. 또한 상기와 같은 도핑된 고-유전성 막에 대한 스퍼터링, CVD, 원자층 CVD, 및 증착법이 제공된다.

Description

도핑된 지르코늄, 또는 지르코늄 유사 유전막 트랜지스터 구조물 및 이의 퇴적 방법{DOPED ZIRCONIA, OR ZIRCONIA-LIKE, DIELECTRIC FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND DEPOSITION METHOD FOR SAME}
본 출원은 미합중국 특허 출원 제 09/356,470 호(1999년 7월 19일 출원, 특허 제 6,060,755 호)의 분할 출원인 미합중국 특허 출원 제 09/515,743 호(2000년 2월 29일 출원)의 일부 계속 출원이다.
본 발명은 일반적으로 고집적회로(IC)의 제조공정에 관한 것으로, 보다 상세하게는 높은 유전상수를 가지는 게이트 절연막 및 그 퇴적 방법에 관한 것이다.
현재 Si VLSI 기술은 SiO2, 또는 질소 함유 SiO2를 MOS 장치의 게이트 유전물질로서 사용한다. 장치의 치수가 계속적으로 감소됨에 따라, 게이트와 채널 영역 사이에 동일한 정전 용량이 유지되기 위하여는 SiO2층의 두께도 감소되어야 한다. 향후 2nm 미만의 두께가 기대된다. 그러나, 이러한 SiO2박막층을 통한 높은 터널링 전류의 발생으로 인해 다른 대체 물질을 고려하게 한다. 높은 유전상수를 가지는 물질은 게이트 유전층이 보다 두꺼워지게 하고, 따라서 터널링 전류의 문제를 완화시킨다. 본 명세서에서 이러한 소위 고-유전상수(high-k) 유전막은 이산화규소에 비하여 더 높은 유전상수를 가지는 것을 의미한다. 전형적으로, 이산화규소는 약 4의 유전 상수를 가지는 데 반하여, 고-유전상수 유전막은 약 10 을 초과하는 유전상수를 갖는다. 현재 고-유전상수 유전막으로서 고려되는 물질로는 산화티탄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2), 산화탄탈(Ta2O5), 및 바륨 및 산화티탄스트론튬(Ba,Sr)TiO3이 있다.
상기의 고-유전상수 유전 물질과 관련한 공통의 문제점은 정상적인 제조 조건에서 결정 구조를 발생한다는 것이다. 따라서, 막의 표면이 매우 거칠다. 표면의 거칠기는 유전막에 인접한 채널 영역에서 불균일한 전기장을 유발한다. 이러한 막은 MOSFET 장치의 게이트 유전물질로는 부적합하다.
높은 터널링 직류 전류 때문에, 1.5nm 보다 얇은 SiO2막은 CMOS 장치의 게이트 유전물질로서 사용될 수 없다. 현재 관심이 집중되고 있는 TiO2및 Ta2O5에 의해 SiO2를 대체하고자 하는 연구 노력이 증대되고 있다. 그러나, 퇴적 어닐링 후 높은 온도 및 SiO2계면층의 형성은 1.5nm 미만의 균등한 SiO2두께(EOT)를 매우 다르게 만든다.
따라서, 고-유전상수 유전막이 MOS 트랜지스터내의 아래에 놓이는 채널 영역과 게이트 전극 사이의 절연 배리어로서 사용되는 것이 바람직하다.
현존하는 고-유전상수 유전물질에 부가적인 원소를 간단하게 도핑하거나 또는 부가함으로써 개선된 고-유전상수 유전 물질을 형성하는 것이 바람직하다.
현존하는 고-유전상수 유전물질에 부가적인 원소를 간단하게 도핑하거나 또는 부가함으로써 고-유전상수 유전물질의 전자 친화도를 포함하는 전기적 특성을 개선하는 것이 바람직하다.
도1은 본 발명의 도핑된 금속 산화막에 대한 스퍼터링 퇴적법을 나타내는 흐름도.
도2는 본 발명을 이용하여 제조된 트랜지스터를 완성하는 단계를 나타내는 도면.
도3은 본 발명을 이용하여 제조된 트랜지스터를 완성하는 단계를 나타내는 도면.
도4는 본 발명의 도핑된 금속 산화막을 형성하는 CVD법에서의 단계를 나타내는 흐름도.
도5는 본 발명의 도핑된 금속 산화막을 형성하는 ALCVD법에서의 단계를 나타내는 흐름도.
도6은 본 발명의 도핑된 금속 산화막을 형성하는 증착법에서의 단계를 나타내는 흐름도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
50 : 트랜지스터 52 : 채널 영역
54 : 상층면 56 : 게이트 유전막
62 : 인터페이스 배리어 60 및 64 : 두께
따라서, 본 발명은 높은 유전상수(10∼25)를 가지는 박막을 제공한다. 박막은 도핑 금속, 지르코늄(Zr), 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속, 및 산소를 포함한다. 도핑 금속은 바람직하게는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La), 또는 이트륨(Y)과 같은 3가 금속, 또는 칼슘(Ca), 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속이다.
도핑 금속을 선택함으로써, 퇴적되는 유전성 물질의 전자 친화도를 변화시킬 수 있다. 전자친화도를 변화시킴으로써, 전자 배리어 높이 및 홀 배리어 높이를 변화시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 의해 이산화규소 보다 더 높은 유전상수를 가지는 막을 제조하면서 유전막의 전자 친화도를 개질시킬 수 있다. 또한, 도핑 금속의 존재는 결정 구조의 형성을 감소 또는 제거하기 때문에, 도핑 금속이 존재함으로써, 무정형의 유전물질이 생성되는 경향이 있다.
본 발명은 부분적으로 Y2O3, CaO2, Al2O3, LaO3, La, 및 Sr에 의해 안정화된 지르코늄(ZrO2)을 제공한다. 다른 실시예에 있어서, SrZrO3가 유전물질로서 제공된다.
전형적으로, 박막 내의 도핑 금속의 함량은 약 50%이하이다. 일부 적용에 있어서, 도핑 금속의 함량이 약 10% 미만이며, 이러한 경우 생성되는 막은 무정형이아니다.
또한, MOSFET 트랜지스터가 제공된다. 트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 아래에 놓이는 상층면을 가지는 채널 영역, 및 상기 게이트 전극과 채널 영역 상층면 사이에 개입된 게이트 유전막을 포함한다. 유전막의 함량은 상기한 바와 같다. 전형적으로, 게이트 유전막은 약 20∼200Å의 두께를 갖는다.
또 다른 견지에서 본 발명은, 약 2∼5Å의 두께를 가지며, 채널 영역과 게이트 유전막 사이에 개입된 인터페이스를 가지는 트랜지스터를 포함한다. 인터페이스 물질은 질화규소 및 옥시질화규소로 이루어진 군에서 선택되어, 채널 영역 상층면이 보다 평활하게 하며, 따라서, MOSFET의 전자 유동성이 감소하는 것을 방지한다.
표면을 가지는 집적회로(IC)의 제조에 있어서, IC 표면상에 도핑된 산화금속을 형성하기 위하여 스퍼터링법이 제공되기도 한다. 본 발명에 따른 방법은
a) 산소를 포함하는 분위기를 설정하는 단계;
b) IC 실리콘 표면상에 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 및 Ca, Sr, Al, Sc, La, 또는 Y와 같은 도핑 금속을 포함하는 적어도 하나의 타겟 금속을 스퍼터링하는 단계;
c) 단계 a) 및 b)에 대하여, 도핑된 금속 산화막을 형성하는 단계; 및
d) 약 400∼900℃ 범위의 온도에서 어닐링하여, 높은 유전 상수와 우수한 배리어 특성을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 견지에서, 단계 a)는 Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 제 1 타겟 금속 및 제 2 타겟 금속을 포함하는 분리된 타겟 금속으로 산화분위기에서 공-스퍼터링(co-sputtering)하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명은 도핑되는 금속 산화막을 퇴적하기 위한 화학증착(CVD)법을 제공하며, 이러한 방법은
a) Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 및 도핑 금속을 포함하는 적어도 하나의 전구체를 제조하는 단계,
b) 적어도 하나의 전구체를 증발시키는 단계,
c) 산소를 포함하는 분위기를 설정하는 단계,
d) 화학증착(CVD)에 의해, Zr 및 Hf으로 이루어진 군에서 선택되는 금속, 도핑 금속 및 산소를 포함하는 합금막이 퇴적되도록, IC 실리콘 표면상에서 전구체를 분해하는 단계, 및
e) 약 400∼900℃ 범위의 온도에서 어닐링하여, 높은 유전 상수와 우수한 배리어 특성을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 견지에서, 도핑되는 금속 산화막을 퇴적하기 위한 방법으로서, 원자층 퇴적(ALD)로도 알려진 원자층 화학증착(ALCVD)법이 적용되며, 이러한 방법은
a) Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속을 포함하는 제 1 전구체를 제조하는 단계,
b) 제 1 전구체를 증발시키고, IC 표면을 전구체에 노출시켜, ALCVD에 의해 금속층이 퇴적되도록 금속층, 바람직하게는 단일 금속층이 표면에 화학적으로 흡착되는 단계,
c) 산소 전구체를 제조하는 단계,
d) 산소 전구체를 증발시키고, IC 표면을 산소 전구체에 노출시켜, ALCVD에 의해 산소층이 퇴적되도록 산소층, 바람직하게는 단일 산소층이 표면에 화학적으로 흡착되는 단계,
e) 도핑 금속을 포함하는 도핑 금속 전구체를 제조하는 단계,
f) 도핑 금속 전구체를 증발시키고, IC 표면을 도핑 금속 전구체에 노출시켜, ALCVD에 의해 도핑 금속층이 퇴적되도록 도핑 금속이 표면에 화학적으로 흡착되는 단계, 및
e) 약 300∼900℃ 범위의 온도에서 어닐링하여, 높은 유전 상수와 우수한 배리어 특성을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
필요한 경우 단계를 반복함으로써, 각 유전 물질이 여러 층으로 퇴적될 수 있으며, 다른 성분 원소의 하나 이상의 층이 퇴적될 수도 있다. 예컨대, 여러 층의 지르코늄이 퇴적되고, 이어서 산소 및 도핑 금속으로 퇴적될 수 있다. 공정은 유전물질의 전체 두께가 산화지르코늄 유전물질내의 도핑 금속의 량이 바람직한 량으로 될 때까지 반복될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 도핑되는 금속 산화막을 퇴적하기 위한 퇴적방법이 제공되며, 이러한 방법은
a) 약 1x10-6∼1x10-8Torr의 압력으로 고-진공(기체 부존재) 분위기를 설정하는 단계,
b) Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속, 및 도핑 금속을 포함하는 적어도 하나의 도가니(crusible)를 제조하는 단계,
c) 적어도 하나의 도가니를 약 1000∼2000℃ 범위의 온도로 가열하여, 단계 b)에서 제조된 금속을 증발시키는 단계,
d) 단계 a)∼c)에 대응하여 Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 및 도핑 금속을 포함하는 합금막을 퇴적하는 단계, 및
e) Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속, 도핑 금속, 및 산소를 포함하는 합금막을 형성하도록 약 400∼900℃ 범위의 온도에서 산소를 포함하는 분위기에서 어닐링하여, 높은 유전 상수와 우수한 배리어 특성을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명은 도핑된 산화지르코늄을 연구 대상으로 한다. 미크론 단위 이하의 PMOSFET은 우수한 특성을 가지는 Zr-O 게이트 유전물질에 의해 제조된다. 간단히, 2가, 또는 3가 도핑 금속에 의해 ZrO2를 도핑함으로써, 막의 전기적 특성, 특히 전자 친화도를 조절할 수 있다.
본 발명은 이산화규소에 대하여 높은 유전상수를 가지는 박막으로서, 도핑 금속, 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속; 및 고유전성 박막이 형성되게 하는 산소를 포함하는 박막에 관한 것이다. 도핑 금속은 바람직하게는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La) 및 이트륨(Y)으로 이루어진 군에서 선택되는 3가 금속 또는 칼슘(Ca), 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속이다.
유용한 적용예에 있어서, 박막은 전형적으로 약 20∼200Å 범위의 두께 및 약 10∼25 범위의 유전상수를 갖는다.
박막 내의 도핑 금속의 함량은 전형적으로, 약 50% 이하이다.
도1은 본 발명에 따른 도핑된 금속 산화막의 스퍼터링 퇴적 방법을 나타내는 흐름도이다. 단계(10)는 표면을 가지는 집적회로(IC)를 제공한다. 단계(12)는 산소를 포함하는 분위기를 설정한다. 전형적으로, 단계(12)는 아르곤(Ar)을 포함하며, Ar에 대한 O2의 비율이 약 5∼25%이다. 압력은 약 1∼10 mTorr이다. 단계(14)는 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 적어도 하나의 타겟 금속을 IC 표면에 스퍼터링한다. 단계(14)는 또한 IC 표면에 도핑 금속을 스퍼터링한다. 도핑 금속은 바람직하게는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La), 또는 이트륨(Y)과 같은 3가 금속, 또는 칼슘(Ca), 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속이다. 본 발명의 일 견지에서, 단계(14)는 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 제 1 타겟 금속 및 도핑 금속을 포함하는 제 2 타겟 금속을 포함하는 분리된 타겟에 의해 공-스퍼터링하는 단계를 포함한다.
단계(16)는 단계(12) 및 단계(14)에 대응하여, 도핑된 금속산화막을 형성한다. 단계(18)는 약 400∼900℃ 범위의 온도에서 어닐링한다. 어닐링 시간은 약 10초∼30초 범위내에서 어닐링 온도에 의존하여 달라진다. 단계(18)는 Ar, N2, H2기체, O2, H2O, N2O, NO, 기체 부존재(no gas) 및 산소 플라즈마로 이루어진 군에서 선택되는 요소를 포함하는 분위기로 설정한다. 단계(20)는 높은 유전상수 및 우수한 절연 특성을 가지는 박막 생성물을 형성한다.
단계(10)가 실리콘 IC 표면을 제공하는 본 발명의 일 견지에서, 다른 단계가 단계(16)에 우선할 수 있다. 단계(14a, 도시하지 않음)는 약 실온∼400℃ 범위의 온도로 IC 실리콘 표면을 설정한다.
Zr-Al-O 및 Hf-Al-O막은 상기와 같은 공-스퍼터링에 의해 제조된다. 스퍼터링 전력 비는 산화지르코늄내 Al의 농도에 따라 조정된다.
본 발명에 따른 유전막은 게이트 유전물질, 저장 캐패시터, 및 1-트랜지스터(1T) 강유전성 메모리와 같은 다른 분야에 적용될 수 있다. 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 유전막은 고-유전상수 유전물질이 사용되는 경우라면 광범위하게 적용될 수 있다.
도2 및 도3은 본 발명에 따라 도핑된 금속산화막을 사용하여 제조된 완성 MOSFET 트랜지스터내에서의 단계를 나타낸다. 도2는 상층면(54)이 있는 채널 영역(52)을 가지는 트랜지스터(50)를 나타낸다. 위에 있는 채널 영역(52)은 게이트 유전막(56)이다.
본 발명의 다른 견지에서, 트랜지스터(50)는 채널 영역(52) 및 게이트 유전막(56) 사이에 개입되며, 약 2∼5Å 범위의 두께(64)를 가지는 인터페이스 배리어(62)를 더 포함한다. 인터페이스 배리어(62)는 질화규소 및 옥시질화규소로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 이루어지며, 따라서, 채널 영역 상층면(54)이 보다 평활하게 되어 MOSFET(50)의 전자 유동성이 증대된다.
도3은 게이트 전극(58)과 채널 영역 상층면(54) 사이에 개입되는 게이트 유전막(56)을 나타낸다. 게이트 유전막(56)은 이산화규소에 비하여 높은 유전상수를 가지며, 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 및 산소를 포함한다. 게이트 유전막(56)은 도핑 금속을 포함한다. 도핑 금속은 바람직하게는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La), 또는 이트륨(Y)과 같은 3가 금속, 또는 칼슘(Ca), 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속이다. 박막 내 도핑 금속의 함량은 약 0∼50% 범위내이다. 바람직하게는 박막내의 Al의 함량은 약 25%이다. 게이트 유전막(56)은 약 20∼200Å 범위의 두께(60, 도3)를 갖는다. 게이트 유전막(56)은 약 10∼25 범위내의 유전상수를 갖는다.
벌크 CMOS 장치 분야내의 게이트 유전물질의 경우, 분리(isolation)와 같은 종래 기술의 임의의 상태를 이용하여 웨이퍼를 처리하고, 채널 영역에 노출되도록 P-웰 및 N-웰을 형성한다. 초박막의 산화 배리어가 여전히 요망된다. 이러한 경우, 가능한 배리어는 질화규소 및 옥시질화규소를 포함한다. 다음, 고-유전상수 유전물질이 퇴적된다. 박막의 제조방법은 다음과 같은 방식에 의한다:
A. 비반응성 또는 산화 분위기에서 Zr 및 도핑 금속을 공-스퍼터링하는 방법
B. 비반응성 또는 산화 분위기에서 Zr-Al과 같은 화합물 타겟을 공-스퍼터링하는 방법
C. Zr-Al-O 및 Hf-Al-O의 화학증착
D. 증발
퇴적에 이어, 비반응성 분위기(N2, H2기체), 및/또는 산화분위기(O2, H2O, N2O, NO), 및 기체 부존재 분위기로, 상승된 온도(400∼900℃)에서, 필름을 어닐링하여, 고-유전상수 및 고-k/Si 인터페이스 조건으로 박막을 어닐링한다. 그러나, 증발에 의해 박막을 퇴적하는 경우, 어닐링 공정은 전형적으로, 합금막내에 산소가 포함되도록 산소를 포함한다.
어닐링에 이어, 게이트를 퇴적하고, 게이트 스택으로 패턴화한다. 게이트 물질은 금속 또는 폴리실리콘일 수 있다. 다음, 종래의 장치 제조 공정의 임의의 상태를 이용하여, 종래의 방법 또는 질화물, 폴리실리콘, 폴리 SiGe 더미 게이트를 이용하여 장치를 완성한다.
도4는 본 발명에 따른 도핑된 금속 산화막을 형성하는 CVD법 내의 단계를 나타낸다. 단계(100)는 표면을 가지는 집적회로(IC)를 제공한다. 단계(102)는 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 및 도핑 금속을 포함하는 적어도 하나의 전구체를 제조한다. 단계(102)는 도핑 금속을 포함한다. 도핑 금속은 바람직하게는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La), 또는 이트륨(Y)과 같은 3가 금속, 또는 칼슘(Ca), 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속이다. 본 발명의 다른 견지에서, 단계(102)는 전형적으로, 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 제 1 전구체, 및 도핑 금속을 포함하는 제 2 전구체를 포함한다. 단계(106)는 산소를 함유하는 분위기로 설정하는 단계이다. 전형적으로, 단계(106)는 Ar에 대한 O2의 비율이 약 5∼25%이고, 압력이 약 1∼10 Torr인아르곤(Ar)을 함유하는 분위기를 포함한다.
단계(110)는 약 400∼800℃ 범위의 온도에서 어닐링한다. 단계(110)는 Ar, N2, H2기체, O2, H2O, N2O, NO, 기체 부존재 및 산소 플라즈마로 이루어진 군에서 선택되는 요소를 함유하는 분위기로 설정한다. 단계(112)는 높은 유전상수 및 우수한 배리어 특성을 가지는 박막 생성물이 형성된다.
본 발명에 따른 일 견지에서, 단계(100)는 실리콘 IC 표면을 제공하며, 다른 단계가 단계(108)를 진행한다. 단계(106a)는 IC 실리콘 표면 온도를 약 300∼500℃ 범위의 온도로 설정한다.
본 발명에 따른 다른 실시예에 있어서, 도핑된 금속 산화물 유전층을 형성하는 데 원자층 화학증착(ALCVD)이 사용된다. ALCVD는 화학흡착으로 알려진 화학적 현상을 적용하는 것이다. 화학흡착에 있어서, 기상내의 물질은 그것을 스퍼터링하는 표면에 흡착되어 단층을 형성할 것이다. 대부분의 종래의 퇴적 기술은 물리적 흡착과정을 적용하는데, 이는 완전히 통계학적인 표면 점유도를 가지는 복수층 퇴적 영역을 생성한다. 화학흡착의 이점을 취하여, 박막은 두께와 조성이 매우 균일하게 성장될 수 있다. 예컨대, 산화지르코늄 막은, 염화지르코늄(ZrCl4)을 사용하여 제 1 단층을 형성하며, ZrCl4를 퍼지하고, 표면을 수증기(H2O)에 노출시킴으로써, 이러한 방식으로, 실리콘 상에 성장하는 것으로 알려져 있다. 산화지르코늄 층을 생성하는 다른 전구체로는 지르코늄 프로폭시드[Zr(iOPr)4] 및 지르코늄 헵탄디오네이토[Zr(tmhd)4]가 포함된다. 화학흡착은 주어진 기체-고체 조합에 대해 매우 제한된 온도 및 압력 범위에서 일어난다. 전형적으로, 압력이 1∼100mTorr 사이에서, 온도는 100∼700℃이다. 예컨대, 산화지르코늄은 300℃의 온도에서 ZrCl4및 H2O를 사용하여 실리콘 기판에 퇴적된다. 공정이 단층을 생성하는 경우, 단층을 부가함으로써, 보다 두꺼운 지르코늄 산화물 층이 형성될 것이다. 도핑 전구체는 도핑 금속층을 퇴적하는 데 사용될 수 있다. ALCVD는 또한 일반적으로 펄스 CVD를 나타낸다. 이는 방법론이 전형적으로 퇴적될 물질의 량을 조절하기 위하여 전구 물질의 펄스에 의존하기 때문이다. 본 발명에 따른 다른 실시예에 있어서, 도핑 전구체의 펄스는 전체 IC 표면에 걸친 단층을 형성하는 데 필요한 것 보다 더 적게 도입된다. 일반적인 공정이 과도한 실험 없이도 선택된 전구체에 대한 화학흡착을 이용하기 위하여 적정화될 수 있다. 이러한 퇴적과정에 있어 매우 중요한 것은 다음 성분의 도입에 앞서 하나의 성분을 충분히 퍼지하는 일과 온도와 압력을 조절하는 능력이다. 원자층 화학증착은 약 10Å 미만의 두께, 바람직하게는 약 2∼5 Å 범위의 두께를 가지는 층을 형성한다. 원자층 퇴적이 가능하다는 것이 실험적인 퇴적에 의해 밝혀졌음에도 불구하고, 반도체 기판 상에서 이러한 초박막, 원자층 퇴적을 제조하기 위한 효과적인 수단은 현재 존재하지 않는다.
도5는 도핑된 금속 산화막을 형성하는 ALCVD법 내의 단계를 나타낸다.
단계(150)는 표면을 가지는 집적회로(IC)를 제공한다. 바람직한 실시예에 있어서, 표면상에 표면 자체 산화물은 베어 실리콘 표면을 제공하기 위하여 탈착된다.
단계(152)는 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 적어도 하나의 전구체를 제조하고, 적어도 하나의 전구체를 증발시키며, IC 표면을 적어도 하나의 전구체에 노출시킨다. 전구체는 ALCVD 챔버내의 IC 표면상에서 물질의 단층을 퇴적하기에 적합해야 한다. 예컨대, 바람직한 실시예에 있어서, 지르코늄염화물(ZrCl4), 지르코늄프로폭시드[Zr(iOPr)4], 및 지르코늄 테트라메틸 헵탄디오네이토[Zr(tmhd)4]가 Zr을 퇴적하기 위한 전구체이며, Zr은 IC 표면에 흡착되어 단층을 형성한다.
단계(154)는 산소 전구체를 제조하고, IC 회로를 산소 전구체에 노출시키는 단계이다. 바람직하게, 산소 전구체는 증기이다. 예컨대, 바람직한 실시예에 있어서, H2O가 산소 전구체로서 사용된다.
단계(156)는 도핑 금속을 포함하는 도핑 전구체를 제조한다. 도핑 금속은 바람직하게는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La), 또는 이트륨(Y)과 같은 3가 금속, 또는 칼슘(Ca), 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속이다. 바람직한 실시예에 있어서, 도핑 전구체는 알루미늄 도핑을 위한 AlCl3, Al(CH3)3, 및 Al(acac)3으로 이루어진 군에서 선택된다. IC 표면은 도핑 전구체에 대하여 노출되어, 도핑 금속의 층, 또는 부분 층이 IC 표면에 흡착된다.
단계(158)는 바람직한 유전 물질을 생성하기 위하여, 필요한 경우, 연속적인 단계 및 단계(152,154,156)의 반복 결과를 나타낸 것이다. 왼쪽으로의 화살표로 나타낸 바와 같이, 단계(152,154,156)는 바람직한 유전물질을 생성하기 위하여, 각각 반복되거나 또는 변경 경로로 될 수 있다. ALCVD와 관련한 단층 퇴적 때문에 반복이 필요한 경우가 대부분이다. ALCVD의 기술분야에 잘 알려진 바와 같이, 동일한 전구체가 다음 층에 대하여 사용되는 경우에도 각각의 전구체는 연속적인 층들 사이에서 소모되는 것이 바람직하다. 전구체는 바람직하게, IC 표면에 걸쳐 단층 물질을 생성하기에 충분한 물질로 펄스되어야 한다.
유전물질의 퇴적에 이어지는 단계(160)는 아래에 놓인 물질에 의해 인터페이스와 유전물질을 최종 조건으로 어닐링한다.
단계(162)는 최종적인 높은 유전상수를 가지는 유전막을 나타낸다.
단계(152,156)가 구분된 단계로서 도시되었으나, 본 발명에 따른 다른 바람직한 실시예에 있어서, 두 전구체가 동시에 도입될 수 있다.
도6은 도핑된 금속 산화막을 형성하는 증발법에서의 단계를 나타낸다. 단계(200)는 실리콘 표면을 가지는 집적회로(IC)를 제공한다. 단계(202)는 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속, 및 도핑 금속을 포함하는 적어도 하나의 도가니를 제조한다. 도핑 금속은 바람직하게는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La), 또는 이트륨(Y)과 같은 3가 금속, 또는 칼슘(Ca), 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속이다. 단계(204)는 진공(기체 부존재) 분위기를 설정한다. 단계(206)는 적어도 하나의 도가니를 약 1000∼2000℃ 범위의 온도로 가열하여, 단계(202)에서 제조된 금속을 증발시킨다. 단계(208)는 단계(202∼206)에 대응하여, 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 및 도핑금속을 포함하는 합금막을 퇴적한다. 단계(210)는 약 400∼800℃ 범위의 온도에서 산소를 포함하는 분위기에서 어닐링하여, 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속, 도핑 금속 및 산소를 포함하는 합금막을 형성한다. 단계(210)는 Ar, N2, H2기체, O2, H2O, N2O, NO, 기체 부존재 및 산소 플라즈마로 이루어진 군에서 선택되는 요소를 함유하는 분위기를 설정하는 단계이다. 단계(212)는 높은 유전상수 및 우수한 배리어 특성을 가지는 박막 생성물을 형성한다.
본 발명에 따른 일 견지에서, 단계(202)는 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속에 대한 제 1 도가니 및 도핑 금속에 대한 제 2 도가니를 포함한다. 다음, 단계(206)는 약 1000∼2000℃ 범위의 온도로 제 1 도가니를 가열하고, 약 1000∼2000℃ 범위의 온도로 제 2 도가니를 가열하는 단계이다. Zr/Hf 도가니는 도핑 금속 도가니로서 동일한 온도를 요하지는 않는다.
본 발명의 일 견지에서, 단계(210)는 부-단계(도시하지 않음)를 포함한다. 단계(210a)는 400∼900℃ 범위의 온도로 산소를 포함하는 분위기에서 어닐링한다. 단계(210b)는 Ar, N2, H2기체, O2, H2O, N2O, NO, 기체 부존재 및 산소 플라즈마로 이루어진 군에서 선택되는 요소를 함유하는 분위기에서 약 400∼900℃ 범위의 온도에서 어닐링한다.
상기에서, 고-유전상수 유전막이 그것을 제조하는 수개의 방법들과 함께 기재되었다. 유전막의 전자친화도, 전자 배리어 높이, 및 홀 배리어 높이는 도핑 금속을 포함함으로써 개질될 수 있다. 도핑 금속은 바람직하게는 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La), 또는 이트륨(Y)과 같은 3가 금속, 또는 칼슘(Ca), 또는 스트론튬(Sr)과 같은 2가 금속이다.
바람직한 실시예에 있어서, 고-유전상수 유전막은 상대적으로 높은 어닐링 온도에서 무정형 상태를 유지한다. 박막이 결정 구조를 형성하지 않기 때문에, 인접하는 막에 대한 인터페이스는 불규칙성이 적게된다. 게이트 유전물질로서 사용되는 경우, 박막은 채널 영역으로 게이트 전기장을 연결시키는 데 필요한 정전용량을 제공하기에 충분한 두께로 제조될 수 있으며, 높은 전자 유동성을 지지하기 이하여 채널 영역의 표면이 평활하게 제조될 수 있다. 필름은 CVD, ALCVD, 스퍼터링, 또는 증착법에 의해 형성된다. 당해 기술분야의 당업자에 의해 본 발명에 대한 다양한 변경 및 응용이 가능하다.
상기에서 본 발명을 특정 실시예에 대하여 기재하였으나, 이러한 실시예가 본 발명의 범주를 제한하는 것은 아니다. 향후, 본 발명의 범주 내에서 가능한 변형이 가해질 수 있으며, 이러한 변형은 본 발명의 범주 내에 포함되는 것이다. 본 발명은 첨부되는 특허청구의 범위에 의해 한정된다.
본 발명에 따라, 높은 유전상수 및 우수한 배리어 특성을 가지는 박막 생성물을 형성할 수 있다.

Claims (41)

  1. a) 도핑 금속,
    b) 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속; 및
    c) 고유전성 박막이 형성되게 하는 산소를 포함하는 이산화규소에 대하여 높은 유전 상수를 가지는 박막.
  2. 제 1 항에 있어서, 도핑 금속이 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La) 및 이트륨(Y)으로 이루어진 군에서 선택되는 3가 금속인 것을 특징으로 하는 박막.
  3. 제 1 항에 있어서, 도핑 금속이 칼슘(Ca), 및 스트론튬(Sr)으로 이루어진 군에서 선택되는 2가 금속인 것을 특징으로 하는 박막.
  4. 제 1 항에 있어서, 박막이 약 20∼200Å 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 박막.
  5. 제 1 항에 있어서, 박막이 약 10∼25 범위의 유전상수를 가지는 것을 특징으로 하는 박막.
  6. 제 1 항에 있어서, 박막 내 도핑금속의 함량이 약 50% 이하인 것을 특징으로하는 박막.
  7. 제 6 항에 있어서, 박막 내 도핑금속의 함량이 약 25%인 것을 특징으로 하는 박막.
  8. a) 게이트 전극,
    b) 상기 게이트 전극 아래에 놓이는 상층면을 가지는 채널 영역, 및
    c) 상기 게이트 전극과 채널 영역 상층면 사이에 개입되며, 이산화규소에 비하여 높은 유전 상수를 가지고, 지르코늄(Zr), 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속, 산소, 및 도핑금속을 포함하는 게이트 유전막을 포함하는 MOSFET 트랜지스터.
  9. 제 8 항에 있어서, 도핑 금속이 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La) 및 이트륨(Y)으로 이루어진 군에서 선택되는 3가 금속인 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  10. 제 8 항에 있어서, 도핑 금속이 칼슘(Ca), 및 스트론튬(Sr)으로 이루어진 군에서 선택되는 2가 금속인 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  11. 제 8 항에 있어서, 박막 내 도핑금속의 함량이 약 0∼50%인 것을 특징으로하는 트랜지스터.
  12. 제 11 항에 있어서, 박막 내 도핑금속의 함량이 약 25%인 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  13. 제 8 항에 있어서, 게이트 유전막이 약 20∼200Å 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  14. 제 8 항에 있어서, 게이트 유전막이 약 10∼25 범위의 유전상수를 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  15. 제 8 항에 있어서, 약 2∼5Å 범위의 두께를 가지고, 채널 영역과 게이트 유전막 사이에 개입되며, 질화규소 및 옥시질화규소로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하여, 채널 영역 상층면이 보다 평활하게 되어 MOSFET의 전자 이동이 증가되는 인터페이스 배리어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  16. 표면을 가지는 집적회로(IC)의 제조에 있어서,
    a) 산소를 포함하는 분위기를 설정하는 단계;
    b) IC 실리콘 표면상에 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 및 도핑 금속을 포함하는 적어도 하나의 타겟 금속을 스퍼터링하는 단계;
    c) 단계 a) 및 b)에 대하여, 도핑된 금속 산화막을 형성하는 단계; 및
    d) 약 400∼900℃ 범위의 온도에서 어닐링하여, 높은 유전 상수와 우수한 배리어 특성을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함하는 IC 표면상에 도핑된 금속 산화막을 형성하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, IC 표면이 약 실온∼400℃의 온도 범위에서 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서, 단계 a)가 Ar에 대한 O2의 비율이 약 5∼25%이고, 압력이 약 1∼10 mTorr인 아르곤(Ar)을 함유하는 분위기를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 16 항에 있어서, 단계 d)가 Ar, N2, H2기체, O2, H2O, N2O, NO, 기체 부존재(no gas) 및 산소 플라즈마로 이루어진 군에서 선택되는 요소를 포함하는 분위기로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 16 항에 있어서, 도핑 금속이 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La) 및 이트륨(Y)으로 이루어진 군에서 선택되는 3가 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 16 항에 있어서, 도핑 금속이 칼슘(Ca), 및 스트론튬(Sr)으로 이루어진 군에서 선택되는 2가 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 16 항에 있어서, 단계 b)가 Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 제 1 타겟 금속 및 2가 금속을 포함하는 제 2 타겟 금속을 포함하는 분리된 타겟 금속으로 공-스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 16 항에 있어서, 단계 b)가 Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 제 1 타겟 금속 및 2가 금속을 포함하는 제 2 타겟 금속을 포함하는 분리된 타겟 금속으로 공-스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 표면을 가지는 집적회로(IC)의 제조에 있어서,
    a) Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 및 도핑 금속을 포함하는 적어도 하나의 전구체를 제조하는 단계,
    b) 적어도 하나의 전구체를 증발시키는 단계,
    c) 산소를 포함하는 분위기를 설정하는 단계,
    d) 화학증착(CVD)에 의해, Zr 및 Hf으로 이루어진 군에서 선택되는 금속, 도핑 금속 및 산소를 포함하는 합금막이 퇴적되도록, IC 실리콘 표면상에서 전구체를 분해하는 단계, 및
    e) 약 400∼900℃ 범위의 온도에서 어닐링하여, 높은 유전 상수와 우수한 배리어 특성을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함하는 IC 표면상에 도핑된 금속 산화막을 형성하는 방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 단계 d)에 앞서 약 300∼500℃의 온도 범위로 IC 표면 온도를 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제 24 항에 있어서, 단계 c)에 있어서, Ar에 대한 O2의 비율이 약 5∼25%이고, 압력이 약 1∼10 Torr인 아르곤(Ar)을 함유하는 분위기를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제 24 항에 있어서, 단계 e)가 Ar, N2, H2기체, O2, H2O, N2O, NO, 기체 부존재 및 산소 플라즈마로 이루어진 군에서 선택되는 요소를 함유하는 분위기로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 24 항에 있어서, 도핑 금속이 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La) 및 이트륨(Y)으로 이루어진 군에서 선택되는 3가 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 24 항에 있어서, 도핑 금속이 칼슘(Ca), 및 스트론튬(Sr)으로 이루어진군에서 선택되는 2가 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 표면을 가지는 집적회로(IC)의 제조에 있어서,
    a) Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속을 포함하는 제 1 전구체를 제조하는 단계,
    b) 제 1 전구체를 증발시키고, IC 표면을 전구체에 노출시켜, ALCVD에 의해 금속층이 퇴적되도록 금속층이 표면에 화학적으로 흡착되는 단계,
    c) 산소 전구체를 제조하는 단계,
    d) 산소 전구체를 증발시키고, IC 표면을 산소 전구체에 노출시켜, ALCVD에 의해 산소층이 퇴적되도록 산소가 표면에 화학적으로 흡착되는 단계,
    e) 도핑 금속을 포함하는 도핑 금속 전구체를 제조하는 단계,
    f) 도핑 금속 전구체를 증발시키고, IC 표면을 도핑 금속 전구체에 노출시켜, ALCVD에 의해 도핑 금속층이 퇴적되도록 도핑 금속이 표면에 화학적으로 흡착되는 단계, 및
    e) 약 300∼900℃ 범위의 온도에서 어닐링하여, 높은 유전 상수와 우수한 배리어 특성을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함하는 IC 표면상에 도핑된 금속 산화막을 형성하는 방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 처리 중 약 100∼700℃의 온도 범위로 IC 실리콘 표면 온도를 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제 30 항에 있어서, 도핑 금속이 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La) 및 이트륨(Y)으로 이루어진 군에서 선택되는 3가 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제 30 항에 있어서, 도핑 금속이 칼슘(Ca), 및 스트론튬(Sr)으로 이루어진 군에서 선택되는 2가 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제 30 항에 있어서, 제 1 전구체가 ZrCl4인 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제 30 항에 있어서, 산소 전구체가 H2O인 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제 30 항에 있어서, 도핑 금속 전구체가 AlCl3, Al(CH3)3, 및 Al(acac)3으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 표면을 가지는 집적회로(IC)의 제조에 있어서,
    a) Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속, 및 도핑 금속을 포함하는 적어도 하나의 도가니(crusible)를 제조하는 단계,
    b) 진공 분위기를 설정하는 단계,
    c) 적어도 하나의 도가니를 약 1000∼2000℃ 범위의 온도로 가열하여, 단계a)에서 제조된 금속을 증발시키는 단계,
    d) 단계 a)∼c)에 대응하여 Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 및 도핑 금속을 포함하는 합금막을 퇴적하는 단계, 및
    e) Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속, 도핑 금속, 및 산소를 포함하는 합금막을 형성하도록 약 400∼900℃ 범위의 온도에서 산소를 포함하는 분위기에서 어닐링하여, 높은 유전 상수와 우수한 배리어 특성을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함하는 IC 표면상에 도핑된 금속 산화막을 형성하는 방법.
  38. 제 37 항에 있어서, 단계 a)가 Zr 및 Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 금속에 대한 제 1 도가니 및 도핑 금속에 대한 제 2 도가니를 포함하며, 단계 c)가 제 1 도가니를 약 1000∼2000℃ 범위의 온도로 가열하고, 제 2 도가니를 약 1000∼2000℃ 범위의 온도로 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제 38 항에 있어서, 도핑 금속이 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 란탄(La) 및 이트륨(Y)으로 이루어진 군에서 선택되는 3가 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제 38 항에 있어서, 도핑 금속이 칼슘(Ca), 및 스트론튬(Sr)으로 이루어진 군에서 선택되는 2가 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제 37 항에 있어서, 단계 e)가 Ar, N2, H2기체, O2, H2O, N2O, NO, 기체 부존재 및 산소 플라즈마로 이루어진 군에서 선택되는 요소를 함유하는 분위기로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020010038713A 2000-07-06 2001-06-30 도핑된 지르코늄, 또는 지르코늄 유사 유전막 트랜지스터구조물 및 이의 퇴적 방법 KR20020005432A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/611,356 US6297539B1 (en) 1999-07-19 2000-07-06 Doped zirconia, or zirconia-like, dielectric film transistor structure and deposition method for same
US09/611,356 2000-07-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020005432A true KR20020005432A (ko) 2002-01-17

Family

ID=24448700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010038713A KR20020005432A (ko) 2000-07-06 2001-06-30 도핑된 지르코늄, 또는 지르코늄 유사 유전막 트랜지스터구조물 및 이의 퇴적 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6297539B1 (ko)
EP (1) EP1179837A3 (ko)
JP (1) JP3761419B2 (ko)
KR (1) KR20020005432A (ko)
TW (1) TW519760B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100845377B1 (ko) * 2006-03-30 2008-07-09 가부시끼가이샤 도시바 절연막 및 반도체 장치
US7989877B2 (en) 2008-11-25 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices including a dielectric layer
WO2020028343A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition of doped transition metal oxide and post-deposition treatment thereof for non-volatile memory applications

Families Citing this family (411)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020145129A1 (en) * 1998-08-14 2002-10-10 Yun Sun-Jin High luminance-phosphor and method for fabricating the same
US7554829B2 (en) 1999-07-30 2009-06-30 Micron Technology, Inc. Transmission lines for CMOS integrated circuits
US6528153B1 (en) 1999-09-30 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Low dielectric constant porous materials having improved mechanical strength
US6780704B1 (en) * 1999-12-03 2004-08-24 Asm International Nv Conformal thin films over textured capacitor electrodes
US6407435B1 (en) * 2000-02-11 2002-06-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multilayer dielectric stack and method
FI117979B (fi) 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
US6849305B2 (en) 2000-04-28 2005-02-01 Ekc Technology, Inc. Photolytic conversion process to form patterned amorphous film
US20060001064A1 (en) * 2000-04-28 2006-01-05 Hill Ross H Methods for the lithographic deposition of ferroelectric materials
US20040191423A1 (en) * 2000-04-28 2004-09-30 Ruan Hai Xiong Methods for the deposition of silver and silver oxide films and patterned films
US6482740B2 (en) * 2000-05-15 2002-11-19 Asm Microchemistry Oy Method of growing electrical conductors by reducing metal oxide film with organic compound containing -OH, -CHO, or -COOH
US7494927B2 (en) 2000-05-15 2009-02-24 Asm International N.V. Method of growing electrical conductors
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6613695B2 (en) * 2000-11-24 2003-09-02 Asm America, Inc. Surface preparation prior to deposition
EP1256638B1 (en) 2001-05-07 2008-03-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a multi-components thin film
US7037862B2 (en) * 2001-06-13 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Dielectric layer forming method and devices formed therewith
US6420279B1 (en) * 2001-06-28 2002-07-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate
US6541331B2 (en) * 2001-08-09 2003-04-01 International Business Machines Corporation Method of manufacturing high dielectric constant material
US8026161B2 (en) 2001-08-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2
US6844203B2 (en) 2001-08-30 2005-01-18 Micron Technology, Inc. Gate oxides, and methods of forming
US6472337B1 (en) * 2001-10-30 2002-10-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Precursors for zirconium and hafnium oxide thin film deposition
DE10153288A1 (de) * 2001-10-31 2003-05-15 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement
DE10156932A1 (de) * 2001-11-20 2003-05-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abscheidung dünner Praseodymoxid-Schichten mittels ALD/CVD-Verfahren
US6667246B2 (en) * 2001-12-04 2003-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wet-etching method and method for manufacturing semiconductor device
US6900122B2 (en) 2001-12-20 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Low-temperature grown high-quality ultra-thin praseodymium gate dielectrics
US6953730B2 (en) 2001-12-20 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics
US6563183B1 (en) * 2001-12-31 2003-05-13 Advanced Micro Devices, Inc. Gate array with multiple dielectric properties and method for forming same
US6767795B2 (en) 2002-01-17 2004-07-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY
US6620670B2 (en) * 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6893984B2 (en) * 2002-02-20 2005-05-17 Micron Technology Inc. Evaporated LaA1O3 films for gate dielectrics
US6617209B1 (en) * 2002-02-22 2003-09-09 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric
US6787185B2 (en) 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US7323422B2 (en) * 2002-03-05 2008-01-29 Asm International N.V. Dielectric layers and methods of forming the same
US6812100B2 (en) * 2002-03-13 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6846516B2 (en) 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US7087480B1 (en) * 2002-04-18 2006-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Process to make high-k transistor dielectrics
US6627556B1 (en) * 2002-04-24 2003-09-30 Lsi Logic Corporation Method of chemically altering a silicon surface and associated electrical devices
US6861094B2 (en) * 2002-04-25 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Methods for forming thin layers of materials on micro-device workpieces
US7160577B2 (en) 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
US7045430B2 (en) 2002-05-02 2006-05-16 Micron Technology Inc. Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics
US6838114B2 (en) 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
US7205218B2 (en) 2002-06-05 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers
DE60321271D1 (de) * 2002-06-10 2008-07-10 Imec Inter Uni Micro Electr Transistoren und Speicherkondensatoren enthaltend eine HfO2-Zusammensetzung mit erhöhter Dielektrizitätskonstante
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US20030232501A1 (en) 2002-06-14 2003-12-18 Kher Shreyas S. Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials
US6858547B2 (en) * 2002-06-14 2005-02-22 Applied Materials, Inc. System and method for forming a gate dielectric
US6970370B2 (en) * 2002-06-21 2005-11-29 Micron Technology, Inc. Ferroelectric write once read only memory for archival storage
US6804136B2 (en) 2002-06-21 2004-10-12 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing charge trapping in insulators
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US7326988B2 (en) * 2002-07-02 2008-02-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US7221017B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide-conductor nanolaminates
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US7221586B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US7847344B2 (en) 2002-07-08 2010-12-07 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide-nitride nanolaminates
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US6921702B2 (en) * 2002-07-30 2005-07-26 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics
US6664156B1 (en) 2002-07-31 2003-12-16 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd Method for forming L-shaped spacers with precise width control
US6919251B2 (en) * 2002-07-31 2005-07-19 Texas Instruments Incorporated Gate dielectric and method
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
US6787421B2 (en) 2002-08-15 2004-09-07 Freescale Semiconductor, Inc. Method for forming a dual gate oxide device using a metal oxide and resulting device
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6884739B2 (en) 2002-08-15 2005-04-26 Micron Technology Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation
US6790791B2 (en) 2002-08-15 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films
US20040036129A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
US6967154B2 (en) 2002-08-26 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Enhanced atomic layer deposition
US7199023B2 (en) 2002-08-28 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited HfSiON dielectric films wherein each precursor is independendently pulsed
DE10239869A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-18 Infineon Technologies Ag Verbesserung der dielektrischen Eigenschaften von Schichten aus High-k-Materialien durch Plasmabehandlung
US7084078B2 (en) 2002-08-29 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited lanthanide doped TiOx dielectric films
US6770536B2 (en) * 2002-10-03 2004-08-03 Agere Systems Inc. Process for semiconductor device fabrication in which a insulating layer is formed on a semiconductor substrate
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US6686212B1 (en) * 2002-10-31 2004-02-03 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method to deposit a stacked high-κ gate dielectric for CMOS applications
US6982230B2 (en) * 2002-11-08 2006-01-03 International Business Machines Corporation Deposition of hafnium oxide and/or zirconium oxide and fabrication of passivated electronic structures
US6958302B2 (en) 2002-12-04 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films using TiI4
US7101813B2 (en) 2002-12-04 2006-09-05 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films
US6787440B2 (en) * 2002-12-10 2004-09-07 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having an ultra-thin high-k gate dielectric
US7015088B2 (en) * 2002-12-31 2006-03-21 Texas Instruments Incorporated High-K gate dielectric defect gettering using dopants
US6762114B1 (en) * 2002-12-31 2004-07-13 Texas Instruments Incorporated Methods for transistor gate fabrication and for reducing high-k gate dielectric roughness
JP2004241612A (ja) 2003-02-06 2004-08-26 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004247528A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7192892B2 (en) 2003-03-04 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited dielectric layers
US6716707B1 (en) * 2003-03-11 2004-04-06 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric
US7019351B2 (en) * 2003-03-12 2006-03-28 Micron Technology, Inc. Transistor devices, and methods of forming transistor devices and circuit devices
JP4524995B2 (ja) * 2003-03-25 2010-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6902993B2 (en) * 2003-03-28 2005-06-07 Cypress Semiconductor Corporation Gate electrode for MOS transistors
US7135369B2 (en) 2003-03-31 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7183186B2 (en) 2003-04-22 2007-02-27 Micro Technology, Inc. Atomic layer deposited ZrTiO4 films
US6764927B1 (en) * 2003-04-24 2004-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Chemical vapor deposition (CVD) method employing wetting pre-treatment
KR100773537B1 (ko) 2003-06-03 2007-11-07 삼성전자주식회사 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US7192824B2 (en) 2003-06-24 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers
US7049192B2 (en) * 2003-06-24 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectrics
JP4887604B2 (ja) * 2003-08-29 2012-02-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US6974779B2 (en) * 2003-09-16 2005-12-13 Tokyo Electron Limited Interfacial oxidation process for high-k gate dielectric process integration
JP3790242B2 (ja) * 2003-09-26 2006-06-28 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7012027B2 (en) * 2004-01-27 2006-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Zirconium oxide and hafnium oxide etching using halogen containing chemicals
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US20050233477A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method
US20050210455A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 International Business Machines Corporation Method for generating an executable workflow code from an unstructured cyclic process model
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7601649B2 (en) 2004-08-02 2009-10-13 Micron Technology, Inc. Zirconium-doped tantalum oxide films
JP4264039B2 (ja) * 2004-08-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 半導体装置
US7081421B2 (en) 2004-08-26 2006-07-25 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide dielectric layer
US7494939B2 (en) 2004-08-31 2009-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer
US7588988B2 (en) 2004-08-31 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7091568B2 (en) 2004-12-22 2006-08-15 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic device including dielectric layer, and a process for forming the electronic device
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
KR100682926B1 (ko) * 2005-01-31 2007-02-15 삼성전자주식회사 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US7508648B2 (en) 2005-02-08 2009-03-24 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of Dy doped HfO2 films as gate dielectrics
US20060177601A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Hyung-Sang Park Method of forming a ruthenium thin film using a plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and the method thereof
US7374964B2 (en) 2005-02-10 2008-05-20 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CeO2/Al2O3 films as gate dielectrics
US7399666B2 (en) 2005-02-15 2008-07-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of Zr3N4/ZrO2 films as gate dielectrics
US7498247B2 (en) 2005-02-23 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of Hf3N4/HfO2 films as gate dielectrics
US8025922B2 (en) 2005-03-15 2011-09-27 Asm International N.V. Enhanced deposition of noble metals
US7666773B2 (en) 2005-03-15 2010-02-23 Asm International N.V. Selective deposition of noble metal thin films
US7687409B2 (en) 2005-03-29 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium silicon oxide films
US7662729B2 (en) 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7390756B2 (en) 2005-04-28 2008-06-24 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited zirconium silicon oxide films
US7572695B2 (en) 2005-05-27 2009-08-11 Micron Technology, Inc. Hafnium titanium oxide films
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
KR100718839B1 (ko) * 2005-08-31 2007-05-16 삼성전자주식회사 박막 제조 방법 및 이를 이용한 커패시터의 제조 방법
KR100670747B1 (ko) * 2005-11-28 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 캐패시터 제조 방법
JP2006140514A (ja) * 2005-12-19 2006-06-01 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7972974B2 (en) 2006-01-10 2011-07-05 Micron Technology, Inc. Gallium lanthanide oxide films
KR101379015B1 (ko) 2006-02-15 2014-03-28 한국에이에스엠지니텍 주식회사 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 루테늄 막 증착 방법 및고밀도 루테늄 층
US7709402B2 (en) * 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
US7837838B2 (en) 2006-03-09 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus
US7645710B2 (en) 2006-03-09 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US7678710B2 (en) 2006-03-09 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
JP2007266464A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
KR100716654B1 (ko) * 2006-04-04 2007-05-09 주식회사 하이닉스반도체 정방정계 구조의 지르코늄산화막 형성 방법 및 그를 구비한캐패시터의 제조 방법
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7563730B2 (en) 2006-08-31 2009-07-21 Micron Technology, Inc. Hafnium lanthanide oxynitride films
JP5590886B2 (ja) 2006-09-26 2014-09-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 欠陥パシベーションのための高ｋゲート積層構造に対するフッ素プラズマ処理
US20080087890A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-17 Micron Technology, Inc. Methods to form dielectric structures in semiconductor devices and resulting devices
US8252640B1 (en) 2006-11-02 2012-08-28 Kapre Ravindra M Polycrystalline silicon activation RTA
JP2008193005A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Eudyna Devices Inc 半導体装置の製造方法
JPWO2008108128A1 (ja) * 2007-03-08 2010-06-10 日本電気株式会社 誘電体、誘電体を用いたキャパシタ、誘電体を用いた半導体装置、及び誘電体の製造方法
US7755128B2 (en) * 2007-03-20 2010-07-13 Tokyo Electron Limited Semiconductor device containing crystallographically stabilized doped hafnium zirconium based materials
US7833913B2 (en) * 2007-03-20 2010-11-16 Tokyo Electron Limited Method of forming crystallographically stabilized doped hafnium zirconium based films
JP5197986B2 (ja) * 2007-04-06 2013-05-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造装置
JP2009035784A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Kobe Steel Ltd 酸化物皮膜、酸化物皮膜被覆材および酸化物皮膜の形成方法
EP2040300B1 (en) * 2007-09-20 2016-07-06 Imec MOSFET devices and method to fabricate them
KR101544198B1 (ko) 2007-10-17 2015-08-12 한국에이에스엠지니텍 주식회사 루테늄 막 형성 방법
JP5373619B2 (ja) * 2007-10-30 2013-12-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 キャパシタとそれを有する半導体装置およびキャパシタの製造方法
US7655564B2 (en) 2007-12-12 2010-02-02 Asm Japan, K.K. Method for forming Ta-Ru liner layer for Cu wiring
US7799674B2 (en) 2008-02-19 2010-09-21 Asm Japan K.K. Ruthenium alloy film for copper interconnects
EP2259305A4 (en) * 2008-03-28 2014-06-18 Renesas Electronics Corp CONDENSER, SEMICONDUCTOR COMPONENT THEREWITH, METHOD FOR PRODUCING THE CONDENSER AND METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION ELEMENT
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
TWI467045B (zh) * 2008-05-23 2015-01-01 Sigma Aldrich Co 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法
US8084104B2 (en) 2008-08-29 2011-12-27 Asm Japan K.K. Atomic composition controlled ruthenium alloy film formed by plasma-enhanced atomic layer deposition
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US8133555B2 (en) 2008-10-14 2012-03-13 Asm Japan K.K. Method for forming metal film by ALD using beta-diketone metal complex
US9379011B2 (en) 2008-12-19 2016-06-28 Asm International N.V. Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide
JP5297267B2 (ja) * 2009-05-28 2013-09-25 株式会社神戸製鋼所 切削工具用または成型用金型用の耐摩耗性に優れる酸化物皮膜被覆材
US8329569B2 (en) 2009-07-31 2012-12-11 Asm America, Inc. Deposition of ruthenium or ruthenium dioxide
CN102612736A (zh) * 2009-10-06 2012-07-25 瑞萨电子株式会社 半导体器件及其制造方法
US8518758B2 (en) * 2010-03-18 2013-08-27 Globalfoundries Inc. ETSOI with reduced extension resistance
JP5587716B2 (ja) * 2010-09-27 2014-09-10 マイクロンメモリジャパン株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに吸着サイト・ブロッキング原子層堆積法
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9443736B2 (en) 2012-05-25 2016-09-13 Entegris, Inc. Silylene compositions and methods of use thereof
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
WO2014124056A1 (en) 2013-02-08 2014-08-14 Advanced Technology Materials, Inc. Ald processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness bitao films
US20150041731A1 (en) * 2013-08-09 2015-02-12 Chung-Shan Institute of Science and Technology Armaments Bureau, Ministry of National Defense Method For Preparing Scandium-Doped Hafnium Oxide Film
KR102099881B1 (ko) * 2013-09-03 2020-05-15 삼성전자 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101493424B1 (ko) * 2014-01-09 2015-02-16 연세대학교 산학협력단 디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 제조 방법
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9607842B1 (en) 2015-10-02 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming metal silicides
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US20170117282A1 (en) * 2015-10-26 2017-04-27 Intermolecular, Inc. DRAM Capacitors and Methods for Forming the Same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10950384B2 (en) * 2017-08-30 2021-03-16 Micron Technology, Inc. Method used in forming an electronic device comprising conductive material and ferroelectric material
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US10566188B2 (en) * 2018-05-17 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Method to improve film stability
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR102637107B1 (ko) 2018-09-18 2024-02-15 삼성전자주식회사 전자 소자 및 그 제조방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111129160B (zh) * 2019-12-17 2023-10-13 西交利物浦大学 基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件及其制备方法
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168879A (ja) * 1992-12-01 1994-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 誘電体薄膜の製造方法
JPH08139043A (ja) * 1994-09-16 1996-05-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH08274087A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Tdk Corp Ｍｉｓ半導体デバイスおよびその製造方法
JPH10189921A (ja) * 1996-10-10 1998-07-21 Lucent Technol Inc 積層型フローティングゲートメモリデバイス
JPH11135774A (ja) * 1997-07-24 1999-05-21 Texas Instr Inc <Ti> 高誘電率シリケート・ゲート誘電体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2529384B1 (fr) * 1982-06-25 1986-04-11 Thomson Csf Procede de reduction de compose en couche sur un substrat et son application a la fabrication de structure semi-conductrice a effet de champ
US6015739A (en) * 1997-10-29 2000-01-18 Advanced Micro Devices Method of making gate dielectric for sub-half micron MOS transistors including a graded dielectric constant
US6165834A (en) * 1998-05-07 2000-12-26 Micron Technology, Inc. Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell
US6060755A (en) * 1999-07-19 2000-05-09 Sharp Laboratories Of America, Inc. Aluminum-doped zirconium dielectric film transistor structure and deposition method for same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168879A (ja) * 1992-12-01 1994-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 誘電体薄膜の製造方法
JPH08139043A (ja) * 1994-09-16 1996-05-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH08274087A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Tdk Corp Ｍｉｓ半導体デバイスおよびその製造方法
JPH10189921A (ja) * 1996-10-10 1998-07-21 Lucent Technol Inc 積層型フローティングゲートメモリデバイス
JPH11135774A (ja) * 1997-07-24 1999-05-21 Texas Instr Inc <Ti> 高誘電率シリケート・ゲート誘電体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100845377B1 (ko) * 2006-03-30 2008-07-09 가부시끼가이샤 도시바 절연막 및 반도체 장치
US7989877B2 (en) 2008-11-25 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices including a dielectric layer
WO2020028343A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition of doped transition metal oxide and post-deposition treatment thereof for non-volatile memory applications

Also Published As

Publication number Publication date
US6297539B1 (en) 2001-10-02
JP3761419B2 (ja) 2006-03-29
JP2002033320A (ja) 2002-01-31
EP1179837A2 (en) 2002-02-13
EP1179837A3 (en) 2004-02-04
TW519760B (en) 2003-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6297539B1 (en) Doped zirconia, or zirconia-like, dielectric film transistor structure and deposition method for same
US6407435B1 (en) Multilayer dielectric stack and method
JP3703373B2 (ja) Ｍｏｓｆｅｔおよびゲート誘電体の製造方法
US8541276B2 (en) Methods of forming an insulating metal oxide
US7235448B2 (en) Dielectric layer forming method and devices formed therewith
US7183186B2 (en) Atomic layer deposited ZrTiO4 films
US7393736B2 (en) Atomic layer deposition of Zrx Hfy Sn1-x-y O2 films as high k gate dielectrics
US6013553A (en) Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric
US6436801B1 (en) Hafnium nitride gate dielectric
US6576967B1 (en) Semiconductor structure and process for forming a metal oxy-nitride dielectric layer
US20050077519A1 (en) Lanthanide oxide/zirconium oxide atomic layer deposited nanolaminate gate dielectrics
US6841439B1 (en) High permittivity silicate gate dielectric
JPH11135774A (ja) 高誘電率シリケート・ゲート誘電体
US7115461B2 (en) High permittivity silicate gate dielectric
KR20020035982A (ko) 반도체 소자의 게이트 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application