JP5297267B2 - 切削工具用または成型用金型用の耐摩耗性に優れる酸化物皮膜被覆材 - Google Patents
切削工具用または成型用金型用の耐摩耗性に優れる酸化物皮膜被覆材 Download PDFInfo
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Description
ナ)を主体とする酸化物皮膜をCVD法(化学的気相蒸着法)により形成していた。CV
D法は形成時の処理温度が通常1000℃以上と高いことから、刃先の鋭い工具や軸物工
具には使用できず、PVD法(物理的蒸着法)により形成する手法が検討されている。特
許第3323534 号公報では、(Al,Cr)酸化物をPVD法で形成する方法が提案されて
いる。また、特表2002-544379 号公報には、γアルミナをパルススパッタリング法により
工具上に形成する方法が記載されている。
るが、α型を形成するためには700℃超の高温が必要であり、γ型は低温で形成できる
が、高温での熱的安定性に劣る問題がある。先述の特許第3323534 号公報では、より低温
でα型酸化物結晶を形成できるCrを添加して(Al,Cr)酸化物とすることで、低温
でもα型構造が得られるとしているが、Crの添加により耐摩耗性は低下する。
このようにして完成され上記目的を達成することができた本発明は、酸化物皮膜被覆材に係わり、請求項1記載の切削工具用または成型用金型用の耐摩耗性に優れる酸化物皮膜被覆材(第1発明に係る切削工具用または成型用金型用の耐摩耗性に優れる酸化物皮膜被覆材)であり、それは次のような構成としたものである。
0.1≦a≦0.7 ----------------- 式(1)
0≦b≦0.15 ------------------- 式(2)
0≦c≦0.15 ------------------- 式(3)
0<b+c --------------------- 式(4)
0≦x≦0.5 --------------------- 式(5)
但し、上記(Zr1-a-b-c Ala Mgb Yc )(O1-x Nx )、上記式(1) 〜(5) において、aはAlの原子比、bはMgの原子比、cはYの原子比、1−a−b−cはZrの原子比を示し、xはNの原子比、1−xはOの原子比を示すものである。
とから、MgおよびYの添加量は0超とした。即ち、金属元素(Zr,Al,Mg,Y)
中におけるMgの比率(原子比b)およびYの比率(原子比c)は、MgおよびYの比率
(原子比b+c)で、0超とした。MgおよびYの比率(原子比b+c)は、0.03以
上とすることが好ましく、0.05以上では皮膜が立方晶単相となることから、0.05
以上とすることが更に好ましい。ただし、Mg、Yを過度に添加すると、硬度が低下する
ことから、Mgの比率(原子比b)の上限値は0.15とし、Yの比率(原子比c)の上
限値は0.15とした。即ち、Mgの比率(原子比b)は0.15以下であると共にYの
比率(原子比c)は0.15以下であることとした。原子比bは0.1以下とすることが
好ましい。原子比は0.1以下とすることが好ましい。
Al添加は推奨される。よって、Alを添加する。このとき、金属元素(Zr,Al,M
g,Y)中におけるAlの比率(原子比a)は0.1以上とすることが好ましく、0.2
以上とすることが更に好ましい。ただし、0.7を越えて添加すると皮膜全体が非晶質化
し、硬度が低下することから、Alの比率(原子比a)は0.7以下とする。好ましくは
0.5以下、より好ましくは0.3以下である。
0≦b≦0.15 ------------------- 式(2)
0≦c≦0.15 ------------------- 式(3)
0<b+c --------------------- 式(4)
0≦x≦0.5 --------------------- 式(5)
但し、上記(Zr1-a-b-c Ala Mgb Yc )(O1-x Nx )、上記式(1) 〜(5) にお
いて、aはAlの原子比、bはMgの原子比、cはYの原子比、1−a−b−cはZrの
原子比を示し、xはNの原子比、1−xはOの原子比を示すものである。
Zr、及び、Al、Mg、Yの1種以上を含有する金属ターゲットを使用し、マグネト
ロンスパッタリングスパッタリング成膜装置やアーク式蒸発源を有するカソード放電型ア
ークイオンプレーティング成膜装置にて表1に示す組成の酸化物皮膜を形成した。
た超硬合金基板を用い、切削試験用の皮膜形成の場合には超硬合金製のインサート(SNGA
120408)を用い、この上に表1に示す組成の酸化物皮膜を形成した。いずれの皮膜の形成
の場合も、基板を成膜装置のチャンバー内に導入し、チャンバー内を真空引き(1×10-3
Pa以下に排気)した後、基材を約600℃まで加熱し、この後、Arイオンイオンを用い
てスパッタクリーニングを実施した。この後、アーク蒸発源による成膜の場合は、φ100m
m のターゲットを用い、アーク電流150Aとし、全圧力1PaのAr-O2 雰囲気(O2分圧:0.1
〜0.3Pa )中にて成膜を実施した。成膜時のアーク電流は100Aとし、基板へ印可するバイ
アスはパルスを用い、Duty77%で周波数30kHz のユニポーラバイアスを−50〜−100 Vの
範囲で印可した。一方、スパッタリングの場合は、全圧0.6Pa のAr-O2 雰囲気(O2分圧:
0.1 〜0.3Pa )中にて成膜を実施した。ただし、表1のいずれの酸化物皮膜の形成の場合
にも、この酸化物皮膜を形成する前に、アーク蒸発源を使用して基材上に下地膜としてTi
AlN 膜を形成した。
た。皮膜の硬度の測定は、皮膜形成された超硬合金基板について、マイクロビッカース硬
度計を用いて、測定荷重0.25N、測定時間15秒の条件で測定することによって行っ
た。切削試験は、皮膜形成された超硬合金製インサートを切削工具として用い、下記切削
試験条件で行い、クレータ摩耗の深さで耐摩耗性を評価した。
・被削材:FCD400
・切削速度:200m/分
・深さ切込:3mm
・送り:0.2mm/rev
・その他:ドライ切削、エアブロー無し、切削時間2分
験条件とした場合〔例えば、被削材を高硬度材(SKD61、HRC50)を使用した場
合や、加工形態として断続切削であるエンドミルを使用した場合〕も、上記例2の場合と
同様の傾向の結果が得られる。
Zr、AlおよびYを含有する金属ターゲットを使用し、マグネトロンスパッタリング
スパッタリング成膜装置やアーク式蒸発源を有するカソード放電型アークイオンプレーティング成膜装置にて表2に示す組成の酸化物皮膜、即ち、(Zr0.6 Al0.3 Y0.1 )Oからなる酸化物皮膜を形成した。この酸化物皮膜は、(Zr1-a-b-c Ala Mgb Yc )(O1-x Nx )からなる酸化物皮膜であって1−a−b−c=0.6(原子比)、a=0.3(原子比)、b=0、c=0.1(原子比)、1−x=1(原子比)である酸化物皮膜である。
用いた。酸化物皮膜の成膜に際しては、その前に、基板を成膜装置のチャンバー内に導入
し、チャンバー内を真空引き(1×10-3Pa以下に排気)した後、基材を約600℃まで加
熱し、この後、Arイオンイオンを用いてスパッタクリーニングを実施した。この後、ア
ーク蒸発源による成膜の場合は、φ100mm のターゲットを用い、アーク電流150Aとし、全
圧力1PaのAr-O2 雰囲気(O2分圧:0.1Pa )中にて成膜を実施した。成膜時のアーク電流
は100Aとし、基板へ印可するバイアスはパルスを用い、Duty77%で周波数30kHz のユニポ
ーラバイアスを−50〜−100 Vの範囲で印可した。一方、スパッタリングの場合は、全圧
0.6Pa のAr-O2 雰囲気(O2分圧:0.1Pa )中にて成膜を実施した。ただし、一部のものを
除き、上記酸化物皮膜を形成する前に、アーク蒸発源を使用して基材上に表2に示す組成
の下地膜(層)を形成し、この上に上記酸化物皮膜を形成した。一部のものは、下地膜(
層)を形成しなかった。
を次のようにして行った。即ち、スクラッチ試験装置を用い、先端半径200μmRのダ
イヤモンド圧子を速度10mm/分、荷重増加速度100N/分で100Nまで試料表面
を引っ掻き、被膜に剥離が生じる臨界荷重(N)を求め、この臨界荷重(N)にて密着性
を評価した。この結果を表2に示す。
マグネトロンスパッタリングスパッタリング成膜装置やアーク式蒸発源を有するカソード放電型アークイオンプレーティング成膜装置にて表3に示す組成のA層(酸化物皮膜)とB層(他層)とを交互に形成した多層構造の皮膜(多層膜)を、基材上に形成した。また、A層(酸化物皮膜)のみを、基材上に形成した。このA層は、いずれの場合も、(Zr0.6 Al0.3 Y0.1 )Oからなる酸化物皮膜である。B層は、(Ti0.5Al0.5)N、CrN、(Ti0.1Cr0.2Al0.7 )N、(Al0.7Cr0.3)Nよりなる膜等である。多層膜の場合、A層の膜厚、B層の膜厚、積層数は、表3に示すとおりである。なお、この積層数は、(A層の数+B層の数)/2である。基材直上の皮膜はB層であり、多層膜の最表面の皮膜はA層である。
た超硬合金基板を用い、切削試験用の皮膜形成の場合には超硬合金製のインサート(SNGA
120408)を用い、この上に表1に示す組成の酸化物皮膜を形成した。いずれの皮膜の形成
の場合も、基板を成膜装置のチャンバー内に導入し、チャンバー内を真空引き(1×10-3
Pa以下に排気)した後、基材を約600℃まで加熱し、この後、Arイオンイオンを用い
てスパッタクリーニングを実施した。この後、アーク蒸発源による成膜の場合は、φ100m
m のターゲットを用い、アーク電流150Aとし、全圧力1PaのAr-O2 雰囲気(O2分圧:0.1
〜0.3Pa )中にて成膜を実施した。成膜時のアーク電流は100Aとし、基板へ印可するバイ
アスはパルスを用い、Duty77%で周波数30kHz のユニポーラバイアスを−50〜−100 Vの
範囲で印可した。一方、スパッタリングの場合は、全圧0.6Pa のAr-O2 雰囲気(O2分圧:
0.1 〜0.3Pa )中にて成膜を実施した。ただし、表3のいずれの酸化物皮膜の形成の場合
にも、この酸化物皮膜を形成する前に、アーク蒸発源を使用して基材上に下地膜としてTi
AlN 膜を形成した。
た。皮膜の硬度の測定は、例1の場合と同様の方法により行った。切削試験は、皮膜形成
された超硬合金製インサートを切削工具として用い、例1の場合と同様の方法により行な
い、例1の場合と同様、クレータ摩耗の深さで耐摩耗性を評価した。
層であるが、これに代えて、多層膜の最表面の皮膜をB層とした場合も、上記例3の場合
と同様の傾向の結果が得られる。基材直上の皮膜をA層とした場合も、上記例3の場合と
同様の傾向の結果が得られる。基材直上の皮膜をA層とし、多層膜の最表面の皮膜をB層
とした場合も、上記例3の場合と同様の傾向の結果が得られる。
Claims (1)
- (Zr1-a-b-c Ala Mgb Yc )(O1-x Nx )からなり、ZrおよびAlとMg、Yの1種以上とを含有する金属ターゲットを使用し、カソード放電型のアークイオンプレーティング法によって形成され、下記式(1)〜(5)を満たすマイクロビッカース硬度が29〜33GPaである酸化物皮膜と基材との間に、4a、5a、6a族の元素、Al、Siの1種以上からなる皮膜(以下、「第1の皮膜」と称す)または4a、5a、6a族の元素、Al、Siの1種以上とC、N、Oの1種以上からなる皮膜(以下、「第2の皮膜」と称す)が形成され、前記酸化物皮膜側には、さらに前記第1の皮膜または第2の皮膜と、前記酸化物皮膜とがこの順番に交互に形成され、このように交互に積層された前記第1の皮膜または第2の皮膜と、前記酸化物皮膜との積層周期が10〜500nmであることを特徴とする切削工具用または成型用金型用の耐摩耗性に優れる酸化物皮膜被覆材。
0.1≦a≦0.7 ----------------- 式(1)
0≦b≦0.15 ------------------- 式(2)
0≦c≦0.15 ------------------- 式(3)
0<b+c --------------------- 式(4)
0≦x≦0.5 --------------------- 式(5)
但し、上記(Zr1-a-b-c Ala Mgb Yc )(O1-x Nx )、上記式(1) 〜(5) において、aはAlの原子比、bはMgの原子比、cはYの原子比、1−a−b−cはZrの原子比を示し、xはNの原子比、1−xはOの原子比を示すものである。
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JP2009128901A JP5297267B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 切削工具用または成型用金型用の耐摩耗性に優れる酸化物皮膜被覆材 |
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JP2009128901A JP5297267B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 切削工具用または成型用金型用の耐摩耗性に優れる酸化物皮膜被覆材 |
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JP2007202193A Division JP2009035784A (ja) | 2007-08-02 | 2007-08-02 | 酸化物皮膜、酸化物皮膜被覆材および酸化物皮膜の形成方法 |
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---|---|
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RU2756961C1 (ru) * | 2020-11-11 | 2021-10-07 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ нанесения жаростойких покрытий y-al-o из плазмы вакуумно-дугового разряда |
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2009
- 2009-05-28 JP JP2009128901A patent/JP5297267B2/ja not_active Expired - Fee Related
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